[go: up one dir, main page]

JP2004274719A - プリドライブ回路、容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置 - Google Patents

プリドライブ回路、容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004274719A
JP2004274719A JP2003427980A JP2003427980A JP2004274719A JP 2004274719 A JP2004274719 A JP 2004274719A JP 2003427980 A JP2003427980 A JP 2003427980A JP 2003427980 A JP2003427980 A JP 2003427980A JP 2004274719 A JP2004274719 A JP 2004274719A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
drive
output
voltage
switch element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003427980A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004274719A5 (ja
Inventor
Makoto Onozawa
誠 小野澤
Yoshinori Okada
義憲 岡田
Hideaki Oki
英明 黄木
Masatoshi Taira
正敏 平
Haruo Koizumi
治男 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Plasma Display Ltd
Original Assignee
Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd filed Critical Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd
Priority to JP2003427980A priority Critical patent/JP2004274719A/ja
Priority to US10/776,286 priority patent/US7084839B2/en
Priority to TW093103513A priority patent/TW200422999A/zh
Priority to EP04250817A priority patent/EP1450340A3/en
Priority to KR1020040010462A priority patent/KR20040074967A/ko
Priority to CNB2004100055636A priority patent/CN100351881C/zh
Publication of JP2004274719A publication Critical patent/JP2004274719A/ja
Priority to US11/474,372 priority patent/US20060238452A1/en
Publication of JP2004274719A5 publication Critical patent/JP2004274719A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/56Arrangements for indicating or recording the called number at the calling subscriber's set
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/28Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels
    • G09G3/288Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using luminous gas-discharge panels, e.g. plasma panels using AC panels
    • G09G3/296Driving circuits for producing the waveforms applied to the driving electrodes
    • G09G3/2965Driving circuits for producing the waveforms applied to the driving electrodes using inductors for energy recovery
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2085Special arrangements for addressing the individual elements of the matrix, other than by driving respective rows and columns in combination
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02Constructional features of telephone sets
    • H04M1/04Supports for telephone transmitters or receivers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/08Mouthpieces; Microphones; Attachments therefor
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/10Earpieces; Attachments therefor ; Earphones; Monophonic headphones
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • G09G2310/0289Details of voltage level shifters arranged for use in a driving circuit
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021Power management, e.g. power saving
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/04Display protection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Gas Discharge Display Tubes (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

【課題】 ハイレベルとローレベルの出力電圧のタイミングのずれを低減したプリドライブ回路の実現。
【解決手段】 入力電圧端子33,34に入力された入力電圧IN1,IN2を増幅する入力増幅回路41,44と、入力増幅回路の出力する信号レベルをシフトするハイレベルシフト回路42,45と、ハイレベルシフト回路の出力するシフト信号を増幅する出力増幅回路43,46とを有する駆動系を複数備え、各駆動系は、同一の構成を有する。
【選択図】 図4

Description

本発明は、プリドライブ回路、及びそれを使用した容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置に関し、特に維持放電(サステイン放電)を行う駆動信号のタイミングの改良に関する。
平面ディスプレイとしてプラズマディスプレイ装置が実用化されており、高輝度の薄型ディスプレイとして期待されている。図1は、従来の3電極型のAC駆動方式のプラズマディスプレイ装置の全体構成を示す図である。図示のように、プラズマディスプレイ装置は、隣接して配置した複数のX電極(X1,X2,X3,…,Xn)及びY電極(Y1,Y2,Y3,…,Yn)と、それに交差する方向に配置した複数のアドレス電極(A1,A2,A3,…,Am)と、交差部分に配置した蛍光体とを有する2枚の基板間に放電ガスを封入したプラズマディスプレイパネル(PDP)1と、アドレス電極にアドレスパルスなどを印加するアドレスドライバ2と、X電極に維持放電(サステイン)パルスなどを印加するX共通ドライバ3と、Y電極に順次走査パルスなどを印加する走査ドライバ4と、Y電極に印加する維持放電(サステイン)パルスなどを走査ドライバ4に供給するY共通ドライバ5と、各部の制御を行う制御回路6とを備え、制御回路6は、更にフレームメモリを含む表示データ制御部7と、走査ドライバ制御部9と共通ドライバ制御部10で構成される駆動制御回路8とを有する。X共通ドライバ3とY共通ドライバ5には、サステインパルスを出力するサステイン回路が設けられており、サステイン回路はサステイン出力素子を有する。プラズマディスプレイ装置については広く知られているので、ここでは装置全体に関するこれ以上の詳しい説明は省略し、本発明に関係するX共通ドライバ3とY共通ドライバ5についてのみ更に説明する。プラズマディスプレイ装置のX共通ドライバ、走査ドライバ及びY共通ドライバについては、例えば、特開2001−282181号公報及び特開2002−351388号公報などに開示されている。また、特開平8−335863号公報は、このようなドライバで使用されるパワートランジスタ駆動回路及びそれを1チップ化したICを開示している。
図2は、特開平8−335863号公報に開示されたパワートランジスタ駆動回路の概略構成をブロック図で表した図であり、破線で示すように全体がIC11に設けられている。プラズマディスプレイ装置では、図2のパワートランジスタ駆動ICを、サステイン出力素子をドライブするためのプリドライブ回路として使用する。図2に示すパワートランジスタ駆動IC11では、ハイレベル入力電圧HINを入力回路21で増幅し、ハイレベルシフト回路22によってハイレベル基準電圧Vrを基準とした電圧に変換し、更に出力増幅回路23を介してハイレベル出力電圧HOとして出力している。また、ローレベル入力電圧LINを入力増幅回路24で増幅し、遅延回路25を介して出力増幅回路26へ入力して増幅した後ローレベル出力電圧LOとして出力している。参照番号12と13はハイレベル入力電圧HINとローレベル入力電圧LINの入力端子を、参照番号16と19はハイレベル出力電圧HOとローレベル出力電圧LOの出力端子を、参照番号15はハイレベル電源電圧Vcの供給端子を、参照番号17はハイレベル基準電圧Vrの供給端子を、参照番号18はローレベル電源電圧Vdの供給端子を、参照番号20はグランド端子を示す。
図2のパワートランジスタ駆動ICにおいて、遅延回路25は、ハイレベル入力電圧HINとハイレベル出力電圧HOの立ち上がり時刻の差分tdLH(HO)と、ローレベル入力電圧LINとローレベル出力電圧LOの立ち上り時刻の差分tdLH(LO)が等しくなるように調整する働きをしている。更に、遅延回路25は、ハイレベル入力電圧HINとハイレベル出力電圧HOの立ち下がり時刻の差分tdHL(HO)と、ローレベル入力電圧LINとローレベル出力電圧LOの立ち下り時刻の差分tdHL(LO)が等しくなるように調整する働きもしている。しかしながら、遅延回路25によってtdLH(HO)とtdLH(LO)を完全に一致させることはできず、ある程度の差が生じるのが避けられない。同様に、tdHL(HO)とtdHL(LO)を完全に一致させることはできず、ある程度の差が生じるのが避けられない。
図2のパワートランジスタ駆動ICをプラズマディスプレイ装置のプリドライブ回路として使用する場合、その出力端子16,19には、パワーMOSFETやIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などのサステイン出力素子が接続される。プラズマディスプレイ装置(PDP装置)では、サステイン出力素子をオン・オフすることによってサステインパルスを生成し、プラズマディスプレイパネル(PDP)のX電極とY電極に供給している。
図3は、PDP装置におけるサステイン回路の一例を示しており、図2のパワートランジスタ駆動ICをサステイン出力素子のプリドライブ回路11A,11Bに使用する。図3において、CUとCDはサステイン出力素子を示し、この出力素子をオン・オフさせることによって、容量性負荷に相当するPDPへサステインパルスを供給している。図3において、入力信号CUIはプリドライブ回路11Aのハイレベル入力電圧として入力され、ハイレベル出力電圧として出力素子CUへ供給される。また、入力信号CDIはプリドライブ回路11Aのローレベル入力電圧として入力され、ローレベル出力電圧として出力素子CDへ供給される。
出力素子CUがオンすると電源電圧Vsが、ダイオードD1と出力素子CUを介してPDPへ供給される(この時、出力素子CDはオフ)。また、出力素子CDがオンすると、この出力素子CDを介してPDPへグランド(GND)電圧が供給される(この時、出力素子CUはオフ)。なお、出力素子CUを駆動するプリドライブ回路11Aの電源電圧(容量C1に蓄えられるハイレベル電源電圧)は、電源VeからダイオードD2を介して、容量C1に充電される。また、出力素子CDを駆動するプリドライブ回路11Aの電源電圧(容量C2に蓄えられるローレベル電源電圧)は、電源Veから直接容量C2に充電される。図3に示した回路では、出力素子CU,CDを交互にオン・オフすることによって、PDPへサステインパルスを供給する。
図3のLUとLDは電力回収出力素子であり、このLU、LDをオン・オフすることによって、CU、CDの電力を低減する働きをしている。図3において、入力信号LUIはプリドライブ回路のハイレベル入力電圧として入力され、ハイレベル出力電圧として出力素子LUに供給される。また、入力信号LDIはプリドライブ回路のローレベル入力電圧として入力され、ローレベル出力電圧として出力素子LDに供給される。
出力素子LUがオンすると、電源電圧VsとGNDの間に直列に接続された容量C5とC6の中点電圧Vpが、出力素子LU、ダイオードD4、コイルL1を介してPDPに供給される(この時、出力素子LDはオフ)。また、出力素子LDがオンすると、コイルL2、ダイオードD5、出力素子LDを介してPDPに上記の中点電圧Vpが供給される(この時、出力素子LUはオフ)。なお、出力素子LUを駆動するプリドライブ回路の電源電圧(容量C3に蓄えられているハイレベル電源電圧)は、電源VeからダイオードD3を介して、容量C3に充電される。また、出力素子LDを駆動するプリドライブ回路の電源電圧(容量C4に蓄えられているローレベル電源電圧)は、電源Veから直接容量C4に充電される。図3に示した回路では、上記出力素子LUをサステイン出力素子CUがオンする直前にオンさせ、上記出力素子LDをサステイン出力素子CDがオンする直前にオンさせることによって、CU、CDで生じる電力損失を低減する働きをしている。
なお、図3に示した回路において、スイッチSW1は、プラズマディスプレイ装置のリセット期間にオンし、リセット電圧Vwを出力素子CUを介してPDPに供給する働きをしている。
特開2001−282181号公報 特開2002−351388号公報 特開平8−335863号公報
図2のパワートランジスタ駆動用ICを使用したプリドライブ回路では、遅延回路25によって、ハイレベル入力電圧HINとハイレベル出力電圧HOの立ち上がり時刻の差分tdLH(HO)、及び上記ローレベル入力電圧LINとローレベル出力電圧LOの立ち上がり時刻の差分tdLH(LO)との違いを調整している。しかしながら、プリドライブ回路におけるハイレベルシフト回路と、その回路での遅延時間に相当する時間遅延させる遅延回路とは、異なった回路であり、素子のばらつきや温度特性を含めた遅延特性を完全に一致させることはできない。この結果、上記tdLH(HO)とtdLH(LO)に差が生じるのが避けられない。
tdLH(HO)とtdLH(LO)に差があるプリドライブ回路を、図3に示したプラズマディスプレイ装置のサステイン回路に適用した場合、出力素子CUとCDのオン・オフのタイミングが、設計値とずれる可能性がある。このようなタイミングのずれが生じた場合、出力素子が同時にオンし、CUからCDに貫通電流が流れ、過電流による素子破壊に至る可能性がある。
また、同様に、電力回収出力素子LU、LDのオンするタイミングが設計値とずれる可能性もある。このタイミングのずれにより、立ち上がり時の電力回収電流(L1に流れる電流)と立ち下り時の電力回収電流(L2に流れる電流)がアンバランスになり、容量C5とC6の中点電圧Vpの値が中間電圧からずれ、電力回収動作が正常に行われず、消費電力が増加する可能性がある。
さらに、絶対値が等しい正負の電圧のサステインパルスを使用して駆動素子の耐圧を低下させることが行われているが、制御信号はグランドを基準電圧とする信号であり、上記のプリドライブ回路から負電圧の駆動信号を出力するには、プリドライブ回路のローレベル基準電圧を負サステイン電圧とすると共に、レベルシフト回路を設けて入力電圧信号を負サステイン電圧を基準電圧とする信号に変換する必要がある。レベルシフト回路と上記のプリドライブ回路は別の回路であるため、上記と同様の問題を生じる。
近年、プラズマディスプレイ装置は、輝度向上を図るため、サステイン周期を短くして1フレーム内のサステインパルス数を増加することが望まれているが、サステイン周期が短くなると、上記の問題がより一層重要になる。
本発明は、ハイレベルとローレベルの出力電圧のタイミングのずれを低減したプリドライブ回路を実現し、それを使用した容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置における素子破壊や消費電力の増加を防止することを目的とする。
上記目的を実現するため、本発明のプリドライブ回路は、入力増幅回路とハイレベルシフト回路と出力増幅回路とを有する同一構成の駆動系を複数備えることを特徴とする。
図2の遅延回路25はハイレベルシフト回路22に比べて回路構成が簡単であり、回路規模を小さくできる。ローレベル電圧の駆動系は、増幅した入力電圧信号をハイレベルにシフトする必要はないので、従来のプリドライブ回路(パワートランジスタ駆動用IC)では、回路規模を小さくするために、遅延回路を使用していた。しかし、本発明者は、この構成では上記のような問題を生じることを発見した。
本発明のプリドライブ回路を使用すれば、同一構成の駆動系が複数設けられており、遅延回路の替わりにハイレベルシフト回路を使用してハイレベル電圧の駆動系とローレベル電圧の駆動系を同一の構成にできるので、タイミングのずれを生じない。従って、このプリドライブ回路を用いたICを使用すれば、出力素子CUとCDを駆動するゲートパルスの立ち上がりのタイミング及びゲートパルスの立ち下がりのタイミングを所望の状態に正確に設定することができる。従って、CUとCDが同時にオンすることにより生じる過電流による破壊を防止できる。
また、本発明のプリドライブ回路を使用すれば、出力素子LUとLDを駆動するゲートパルスの立ち上がりのタイミング及びゲートパルスの立ち下がりのタイミングを所望の状態に正確に設定することができる。従って、サステインパルスの立ち上がり時の電力回収(L1に流れる電流)と、サステインパルスの立ち下がり時の電力回収(L2に流れる電流)のアンバランスによる容量C5とC6の中間電圧Vpの変化を低減することができる。これによって、電力回収動作の異常による消費電力増加を防止することができる。
レベルシフト回路は、そこに供給する基準電源電圧に応じて入力電圧をシフトさせる。従って、ローレベル電圧の駆動系を構成するレベルシフト回路には、それに応じた基準電源電圧を供給する。図2及び図3の例では、ローレベル電圧の駆動系の基準電源電圧はグランド(GND)であるが、後述するハイレベル出力電圧とローレベル出力電圧を絶対値が等しく正負逆の極性にする構成の場合、本発明のプリドライブ回路を使用して、一方の駆動系に正の基準電源電圧を、他方の駆動系に負の基準電源電圧を供給することも可能である。
複数の駆動系は、同一の半導体チップ上に形成すること、すなわちIC化することが望ましい。これにより2つの駆動系の回路特性の同一性が一層高くなる。
複数の駆動系の入力増幅回路の駆動電源を供給する入力増幅回路用電源電圧端子と、複数の駆動系の出力増幅回路の駆動電源を供給する出力増幅回路用電源電圧端子は別々に設けることが望ましい。
複数の駆動系のそれぞれの入力電圧端子と入力増幅回路の間に、シュミットトリガ回路などの波形処理回路を設けてもよい。その場合、波形処理回路に別の電源電圧を供給する必要があり、波形処理回路用電源端子を設けるか、入力増幅回路用電源電圧端子に供給される電圧を変換して波形処理回路用電源電圧を生成する定電圧回路を設ける。
駆動系の個数は、2つ又は4つであることが望ましい。
2つの駆動系を有するプリドライブ回路(用IC)を使用してプラズマディスプレイ装置のサステイン回路のような容量性負荷駆動回路を構成する場合には、2つの駆動系を有するプリドライブ回路と、一方の駆動系の出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子(CU)と、他方の駆動系の出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子(CD)とを設け、第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、第2のスイッチ素子を介して容量性負荷にローレベル電圧を供給する。この容量性負荷駆動回路に電力回収回路を設ける場合には、更に2つの駆動系を有する第2のプリドライブ回路を設け、第2のプリドライブ回路の一方の駆動系の出力増幅回路の出力に接続された第3のスイッチ素子(LU)と、他方の駆動系の出力増幅回路の出力に接続された第4のスイッチ素子(LD)とを設け、第3のスイッチ素子と第1のコイルを介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、第4のスイッチ素子と第2のコイルを介して容量性負荷にローレベル電圧を供給する。
4つの駆動系を有するプリドライブ回路を使用して電力回収回路を有する容量性負荷駆動回路を構成する場合には、4つの出力増幅回路の出力に第1から第4のスイッチ素子をそれぞれ接続する。
なお、タイミングを一層正確に調整するために、プリドライブ回路の前段又は後段に、信号の入出力時間を調整する遅延時間調整回路を設けることが望ましい。遅延時間調整回路は、例えば、複数の抵抗値から使用する抵抗値を選択する可変抵抗と容量の組合せで実現される。選択できる抵抗値の個数が同じ場合、選択できる抵抗値の範囲が小さいほど抵抗値を細かく調整できる。本発明によれば、従来例に比べてタイミングのずれの範囲を小さくできるので、より細かな調整が可能である。
第3のスイッチ素子の容量性負荷に接続されない端子に、ハイレベル電圧とローレベル電圧の中間電圧以外の電圧を供給してもよい。
ハイレベル電圧とローレベル電圧は任意に設定可能であり、例えば、ハイレベル電圧を電源電圧、ローレベル電圧をグランド電圧とするか、ハイレベル電圧は正の電圧とし、ローレベル電圧はハイレベル電圧と同じ絶対値で負の電圧とする。
ローレベル出力電圧が負電圧の場合、プリドライブ回路の複数の入力電圧端子の前段に、グランド電圧を基準とした入力信号を、ローレベル電圧を基準とした信号にレベル変換する入力レベルシフト回路を設ける。
さらに、上記の入力レベルシフト回路や波形処理回路を設ける場合には、これらの回路をプリドライブ回路内に設けることが望ましい。これにより、これらの回路をプリドライブ回路と別に設けた場合に生じる出力電圧のタイミングのずれを低減することが可能になる。
なお、入力レベルシフト回路や波形処理回路をプリドライブ回路内に設ける場合にも、上記の構成を適用することが望ましい。例えば、各回路の電源端子を別にすることが望ましく、入力レベルシフト回路や波形処理回路を有するプリドライブ回路は、1パッケージ内に形成するか、特に同一の半導体チップ上に形成すること、すなわちIC化することが望ましい。
また、波形処理回路に積分回路を設けてノイズを除去できるようにすることが望ましい。
さらに、対となる2個の駆動素子の駆動信号を出力する対の2つの駆動系の一方の出力がアクティブ状態の時には、他方の出力を強制的にノンアクティブ状態に維持する同時オン防止回路を設けることが望ましい。
本発明によれば、プリドライブ回路のハイレベル側とローレベル側の間で生じる入出力遅延時間の差を低減することができる。また、このプリドライブ回路を用いた容量性負荷駆動回路をプラズマディスプレイ装置に適用することにより、入出力遅延時間の差によって生じる素子破壊や消費電力の増加を防止できる。
図4は、本発明の第1実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。図4に示すように、第1入力増幅回路41と第2入力増幅回路44、第1ハイレベルシフト回路42と第2ハイレベルシフト回路45、第1出力増幅回路43と第2出力増幅回路46は、それぞれ同一の回路で構成されている。この結果、第1入力電圧IN1と第1出力電圧OUT1の立ち上がり時刻の差tdLH1と、第2入力電圧IN2と第2出力電圧OUT2の立ち上がり時刻の差tdLH2の差分(tdLH1−tdLH2)を、図2に示した従来のパワートランジスタ駆動用IC(プリドライブ回路)より小さくすることができる。また、同様に、IN1とOUT1の立ち下がり時刻の差tdHL1と、IN2とOUT2の立ち下がり時刻の差tdHL2の差分(tdHL1−tdHL2)を、図2に示した従来のプリドライブ回路より小さくすることができる。
このプリドライブ回路を、破線で示したパッケージ内に、特にIC(集積回路)11内に形成することにより、回路内の素子のばらつきを減らすことができ、上記差分(tdLH1−tdLH2)及び(tdHL1−tdHL2)をより小さくできる。
図5は、本発明のプリドライブ回路による効果、すなわちタイミングのずれの低減を説明する図である。図5の(A)と(B)は、製造した回路をサンプリングして求めた入出力遅延時間(入力電圧の立ち上がり時刻と出力電圧の立ち上がり時刻の差)の分布の例を示している。図5の(A)に示すように、従来はハイレベル電圧の駆動系はハイレベルシフト回路を有し、ローレベル電圧の駆動系は遅延回路を有し、2つの回路は異なる構成であるので、入出力遅延時間は異なる値を中心にばらつくことになる。従って、2つの駆動系の入出力遅延時間の差は中心値の差を中心にしてばらつき、絶対値が大きくなる。これに対して、本発明によれば、ハイレベル電圧とローレベル電圧の2つの駆動系は同一の構成を有するので、図5の(B)に示すように同じ値を中心にしてばらつくことになるので、2つの駆動系の入出力遅延時間の差はゼロを中心にばらつくことになり、絶対値は従来例に比べて小さくなる。
更に、プリドライブ回路の2つの駆動系を同一パッケージ又はIC内に形成した場合、同一構成の2つの駆動系の入出力遅延時間は類似の傾向を示すと考えられるので、2つの駆動系の入出力遅延時間の差は図5の(C)に示すように一層小さくなる。このように、本発明によれば、2つの駆動系の入出力遅延時間の差を非常に小さくできる。
また、図2に示した従来のプリドライブ回路では、第1及び第2の入力増幅回路21,24の電源電圧として、ローレベル電源電圧を利用していた。この結果、例えば入力電圧HINに対して出力電圧HOを出力するハイレベル電圧の駆動系のみを利用する場合でも、ローレベル電源電圧を入力する必要があった。これに対して、図4に示した第1実施例のプリドライブ回路では、独立した入力増幅回路用電源電圧入力端子VI132を設けて入力増幅回路41,42の電源電圧を供給している。この結果、例えば、ハイレベル電圧の駆動系のみを利用する場合には、第2の出力増幅回路46の電源電圧を供給する必要がなく、入力部と出力部を独立に設計できる。
図6は、第1実施例のプリドライブ回路の入力増幅回路とハイレベルシフト回路の具体的構成を示す図である。入力電圧INは抵抗R2を介してトランジスタTr1のゲートに印加される。トランジスタTr1のドレインは抵抗R3を介してハイレベル電源電圧OVに接続され、入力電圧に応じてTr1と抵抗R3の接続点に電圧信号を生じる。この電圧信号は、ハイレベル電源電圧OVと抵抗R4を介してハイレベル基準電源RVに接続されたトランジスタTr2のゲートに印加される。これによりTr2と抵抗R4の接続点には、ハイレベル基準電源RVを基準に変化する電圧が発生し、この電圧が出力増幅回路47に供給される。なお、ハイレベルシフト回路は広く使用されており、そのいずれも使用でき、例えば前述の特開平8−335863号公報に開示されたハイレベルシフト回路も使用可能である。
図7は、本発明の第2実施例のプラズマディスプレイ装置のサステイン回路の構成を示す。図示のように、第2実施例のサステイン回路は、図3の従来のサステイン回路と類似の構成を有するが、出力素子CU、CD、LU、LDを駆動するプリドライブ回路を第1実施例のプリドライブ回路を使用して実現した点が異なる。
図7に示すように、サステイン回路のプリドライブ回路として、図4のプリドライブ回路を使用することにより、出力素子CU、CDに供給するゲートパルスの立ち上がり時刻と立下り時刻をより正確に設定できる。この結果、出力素子CU、CDが同時にオンになって貫通電流により出力素子CU、CDが破壊される可能性を低減できる。また、出力素子LU、LDに供給するゲートパルスの立ち上がり時刻と立ち下り時刻をより正確に設定できる。この結果、出力素子LU、LDのオンするタイミングを正確に設定でき、コイルL1を介して流れる電力回収電流と、コイルL2を介して流れる電力回収電流の値を適切に設定することができる。これにより、出力素子LU、LDのオンするタイミングのずれによって生じる消費電力の増加を抑えることができる。
図8は、本発明の第3実施例のプラズマディスプレイ装置のサステイン回路の構成を示す。図示のように、第3実施例のサステイン回路は、第2実施例のサステイン回路において、各入力電圧信号CUI、CDI、LUI、LDIの入力部に入出力遅延時間調整回路47〜50を設けた点が異なる。入出力遅延時間調整回路47〜50は、プリドライブ回路の入出力遅延時間のばらつきを吸収し、CUIとVG1、CDIとVG2、LUIとVG3、LDIとVG4との立ち上がり時刻又は立ち下がり時刻の差を小さくする働きをしている。
入出力遅延時間調整回路は、例えば、図9に示すような可変抵抗VRと容量Cによる遅延回路で実現できる。入出力遅延時間調整回路の構成は、特開2001−282181号公報に開示されているので、ここでは詳しい説明を省略する。
また、第3実施例で使用するプリドライブ回路では、第1入力増幅回路41と第2入力増幅回路44の閾値電圧は、電源電圧の中間の電圧VI1/2に略等しく設定されている。これにより、入出力遅延時間調整回路47〜50を設けることにより生じるパルス幅の変化を低減できる。
第3実施例の回路では、図4に示した第1実施例のプリドライブ回路を使用することにより、入出力遅延時間調整回路で調整する前の入出力遅延時間のばらつきを低減することができる。この結果、入出力遅延時間調整回路の調整範囲を小さくすることができる。例えば、入出力遅延時間調整回路として図9のような遅延回路を使用した場合、抵抗の可変範囲を小さくすることができる。従って、可変抵抗VRの抵抗の値をトリミングして抵抗値を変化させて遅延時間を変化させる場合、単位トリミング量によって設定できる遅延時間の最小調整量をより小さくできる。よって、より高精度な遅延時間の設定が可能となる。
また、入出力遅延時間調整回路の調整範囲を小さくすることによって、部品ばらつきによって、規格外となる不良品の数を減らすことができ、生産性の向上が図れる。
図10は、本発明の第4実施例のプラズマディスプレイ装置のサステイン回路の構成を示す。図示のように、第4実施例のサステイン回路は、第3実施例のサステイン回路において、リセット電圧源を出力素子CDの基準電圧側に接続する点が異なる。図10に示すように、出力素子CDの基準電圧側(PDPに接続されない側)を、スイッチSW2を介して電圧Vw’の電圧源に、スイッチSW3を介してGNDに接続する。容量C6のC5に接続されない側の端子は、容量C8を介して出力素子CUの電源側に接続する。当然スイッチSW1は除去する。PDPにリセット電圧Vwを印加する場合には、出力素子CUをオンして、スイッチSW3をオフした上で、スイッチSW2をオンする。これにより容量C8の端子の電圧がGNDからVw’に変化し、出力素子CUの電源側の電圧にVw’が重畳されてリセット電圧Vs+Vw’(=Vw)になる。このリセット電圧Vs+Vw’が出力素子CUを介してPDPに印加される。この時、出力素子CDの両端にはリセット電圧Vs+Vw’とVw’が印加されるので、出力素子CDに印加される電圧はVsであり、比較的耐圧の小さい出力素子CDを使用できるという利点がある。
VsにVw’を重畳してリセット電圧Vs+Vw’を生成する構成については、特開2002−351388号公報に詳細が開示されている。
更に説明すれば、第4実施例のサステイン回路の特徴は、プリドライブ回路として図7の第1実施例の回路を使用した場合に比べて、電圧Vw’を出力素子CDの基準電圧側に印加できる点である。図3に示した従来のプリドライブ回路では、出力素子CDの基準電圧側はGNDであり、プリドライブ回路のローサイド基準電圧もGNDに接続されていた。また、従来のプリドライブ回路をICを用いて構成した場合、IC内部で入力部のGNDと接続されていたり、IC内のサブストレート(基板)に接続されていた。このため、図3に示した従来のプリドライブ回路では、ローサイド基準電圧をGNDより高くすることができなかった。よって、電圧Vw’を出力素子CDの基準電圧側に重畳することができなかった。
これに対して、図4に示した第1実施例のプリドライブ回路における出力基準電圧端子RV2は、IC内でGNDには接続されていない。また、ICのサブストレートにも接続されていない。このため、出力基準電圧端子に電圧Vw’を重畳することが可能になる。
通常、リセット電圧Vwはサステイン回路の電源電圧Vsより高い。よって、図8に示したサステイン回路では、リセット電圧Vwを出力素子CUの電源側からPDPに供給していたため、出力素子CDにはリセット電圧に対応した電圧定格の高い素子を用いる必要があった。これに対して、図10の第4実施例のサステイン回路では、電圧Vw’を出力素子CDの基準電圧側から供給するため、出力素子CDにかかる電圧を小さくできる。よって、出力素子CDとして電圧定格が低く、チップサイズが小さい低コストの素子を使用できる。
また、図10の回路では、図3において使用した容量C7、抵抗R1、ダイオードD6を削除している。図4に示した第1実施例のプリドライブ回路を用いることにより、電力回収出力素子LDを駆動するゲートパルスを、LDの基準電圧(電圧Vp)を基準としたパルスにレベルシフトできる。このため、容量C7、抵抗R1、ダイオードD6の削除が可能になる。図2に示した従来のプリドライブ回路を用いた場合、ローサイド基準電圧端子はIC内でGNDに接続されているため、容量C7、抵抗R1、ダイオードD6からなるレベルシフト回路が必要となる。図4に示した第1実施例のプリドライブ回路を用いることにより、このようなレベルシフト回路を削除できる効果がある。
図11は、本発明の第5実施例のプラズマディスプレイ装置のサステイン回路の構成を示す。第5実施例のサステイン回路は、第1実施例のプリドライブ回路を使用したサステイン回路の別の例である。第5実施例のサステイン回路では、サステイン回路の電源電圧として、電圧Vs/2と−Vs/2の2電圧を利用する。図11の回路において、CUをオンすることによりVs/2をPDPに供給し、CDをオンすることにより−Vs/2をPDPに供給する。この際、CDの基準電圧は、−Vs/2となる。図11の回路では、プリドライブ回路の入力端子に供給する信号を、電圧−Vs/2を基準とした信号に変換するため、入力レベルシフト回路51−54を使用している。また、図11の回路では、図10で使用した容量C5とC6を削除し、電力回収用電圧Vp2として、GND電圧を利用している。サステイン動作時には、スイッチSW5がオンとなり、電圧VpはGND電圧となる。また、リセット期間には、スイッチSW5がオフとなり、スイッチSW1、SW4がオンとなる。この結果、CUを介してPDPにリセット電圧Vwが供給されるのと同時に、LDの基準電圧端子に電圧Vw2が供給される。スイッチSW4、SW5を使用して、電圧Vw2をLDの基準電圧端子に供給することにより、出力素子LDにかかる電圧を低減することができ、LDに電圧定格が低い(チップサイズが小さい低コストの)素子を利用することができる。このスイッチSW4、SW5を使用して、LDの電圧定格を低くする構成については、特願2002−141845号に開示されている。
図11に示した第5実施例の回路では、プリドライブ回路として図4に示した回路を用いている。従来のプリドライブ回路では、ローレベル基準電圧が、入力側の基準電圧と接続されているため、LDの基準電圧を入力側の基準電圧より高くすることができない。これに対して、図4に示したプリドライブ回路を適用することにより、LDの基準電圧を入力側の基準電圧−Vs/2より高くすることができる。
なお、入力レベルシフト回路は、第1実施例のプリドライブ回路と一緒にIC内に形成してもよい。
図11に示したように、サステイン電圧として、Vs/2と−Vs/2を使用したサステイン回路では、電力回収用の容量C5とC6を削除できる。また、スイッチSW4とSW5を使用することにより、LDに電圧定格の小さい素子を使用できる。
図12は、入力レベルシフト回路の構成例を示す図である。図示のように、この回路は、トランジスタTr3を抵抗R5とR6を介して入力電源電圧5Vと−Vs/2の間に接続した回路である。入力レベルシフト回路については広く知られているので、ここでは詳しい説明を省略する。
図13は、本発明の第6実施例のプラズマディスプレイ装置のサステイン回路の構成を示す。第6実施例のサステイン回路は、第5実施例のサステイン回路において、リセット電圧源を出力素子CDの基準電圧側に接続する点が異なる。リセット電圧源を出力素子CDの基準電圧側に接続する構成の利点は、第4実施例で説明した通りである。
図14は、本発明の第7実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。第7実施例のプリドライブ回路は、4つの駆動系を有し、4入力及び4出力を有する点が特徴である。各駆動系は同一の回路構成で、第1実施例のプリドライブ回路の各駆動系と同じ構成を有する。従って、図5の(A)から(C)で説明した原理により、各回路における入出力遅延時間(立ち上がり時刻の差、立ち下がり時刻の差)の差分を小さくすることができる。
図15は、本発明の第8実施例のプラズマディスプレイ装置のサステイン回路の構成を示す。図示のように、第8実施例のサステイン回路は、図3の従来のサステイン回路において、出力素子CU、CD、LU、LDを駆動するプリドライブ回路に第7実施例のプリドライブ回路を使用して実現した点が異なる。第7実施例のプリドライブ回路を使用することにより、出力素子CU、CD、LU、LDを1個のプリドライブ回路で駆動することができる。従って、出力素子CUとCDのオン・オフのタイミングのずれによる破壊や、出力素子LUとLDのオンタイミングのずれによる電力回収動作の異常を防止することができる。特に、4駆動系をICに内蔵した場合には、LUとCU、LDとCDのオンするタイミングの差をより高精度に調整することができる。従って、電力回収動作をより高精度に行うことができる。また、図15には示していないが、図10のように入力端子の前段に入出力遅延時間調整回路47−50を設ける場合、調整範囲をより小さくして入出力遅延時間のより高精度な設定が可能となる。
図16は、本発明の第9実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。第9実施例のプリドライブ回路は、図4の第1実施例のプリドライブ回路において、入力端子の直後にシュミットトリガ回路84と85を設けた点が異なる。シュミットトリガ回路84と85の電源電圧は、入力増幅回路41及び44と異なる電圧が必要となる場合もあり、第9実施例ではプリドライブ回路内に定電圧回路83を設け、この定電圧回路83によって入力増幅回路41及び44の電源電圧VI1からシュミットトリガ回路84と85の電源電圧を生成している。シュミットトリガ回路84と85の電源電圧は、別途電圧入力端子を設けて入力してもよいが、図16に示したようにプリドライブ回路内に定電圧回路83を内蔵することによって、入力端子を省略できる効果がある。また、定電圧回路83を内蔵したプリドライブ回路をIC内に形成することにより、回路規模も小さくできる。また、電源電圧が入力増幅回路41及び44と異なるシュミットトリガ回路以外の波形処理回路などを用いる場合でも、定電圧回路をプリドライブ回路内に設けることにより、入力端子の省略や回路規模の縮小を図ることができる。
図16のように、シュミットトリガ回路をプリドライブ回路内に設けることにより、入力電圧にノイズが含まれている場合でも、ノイズを除去することができ、出力端子に接続される出力素子を適切に駆動することができる効果がある。
図17は、本発明の第10実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。第10実施例のプリドライブ回路は、ローレベル基準電圧が負電圧である場合に使用するプリドライブ回路である。図示のように、第10実施例のプリドライブ回路は、第1及び第2入力増幅回路131、132、第1及び第2ローレベルシフト回路133、134、第1及び第2波形処理回路135、136、第1及び第2ハイレベルシフト回路137、138、及び第1及び第2出力増幅回路139、140が設けられており、同一構成の駆動系を2系統有する。言い換えれば、図4の第1実施例のプリドライブ回路における各駆動系において、入力増幅回路とハイレベルシフト回路の間に、ローレベルシフト回路と波形処理回路を設けたことを特徴とする。
第1及び第2ローレベルシフト回路133、134は、第1及び第2入力増幅回路131、132のそれぞれの出力信号を負基準電圧を基準とした信号へシフトする。第1及び第2波形処理回路135、136は、負電圧基準電圧COM入力する負基準電圧入力端子115と負電圧基準電圧COMを基準に生成された負電源電圧Vcを入力する負電源電圧入力端子116とに接続され、第1及び第2ローレベルシフト回路133、134の各出力信号を処理する。
第10実施例のプリドライブ回路は、第1実施例の構成に加えてローレベルシフト回路と波形処理回路も有するので、図5の(A)から(C)で説明したように、ローレベルシフト回路と波形処理回路を別に設けた場合に比べて、2つの駆動系の入出力遅延時間の差を小さくできる。
図18は、第10実施例の第1入力増幅回路131、第1ローレベルシフト回路133及び第1波形処理回路135の具体的な構成を示す図であり、第2入力増幅回路132、第2ローレベルシフト回路134及び第2波形処理回路136も同様の構成を有する。図示のように、第1入力増幅回路131はトランジスタTr10、Tr11、抵抗R10〜R14で構成されたカレントミラー回路であり、入力信号INから抵抗R10を介して得られるTr10のベース電圧と、電源電圧VIを抵抗R13とR14によって分圧することにより得られる電圧Vrefとの差電圧に応じて、トランジスタTr11のコレクタ端子に電圧V11を発生させる。
第1ローレベルシフト回路133は、トランジスタTr12と、抵抗R15〜R17で構成され、第1入力増幅回路131から出力される電圧V11が抵抗R15を介してトランジスタTr12のベース端子に供給され、トランジスタTr12のコレクタ電流が電圧V11に応じて変化し、抵抗R17の両端に発生する電圧(V17−VCOM)を変化させる。
第1波形処理回路135は、容量C17とシュミットトリガ回路S1で構成される。トランジスタTr12の出力インピーダンス及び抵抗R17の合成抵抗と、容量C17により積分回路が形成される。この積分回路により、抵抗R17の両端に発生するノイズ成分を低減できる。また、シュミットトリガ回路S1により、抵抗R17の両端の電圧の立ち上がり時における閾値と、抵抗R17の両端の電圧が低下する時における閾値との間にヒステリシスを持たせることができる。この結果、抵抗R17の両端に生じるノイズによる誤動作の発生を低減できる。
図19は、本発明の第11実施例のPDP装置のサステイン回路の構成を示す図であり、サステイン電圧がVs/2と−Vs/2であるサステイン回路を第10実施例のプリドライブ回路で実現したものである。図示のように、図11に示した第5実施例のサステイン回路において、入出力遅延時間調整回路47−50と入力レベルシフト回路51−54を除き、第10実施例のプリドライブ回路を使用している。第5実施例のサステイン回路に比べて、レベルシフト回路がIC内に設けられているので、入出力遅延時間の差を一層小さくできる。他の点については、入出力遅延時間調整回路を設けていない点以外は第5実施例のサステイン回路とほぼ同じであるので、これ以上の説明を省略する。
図20は、本発明の第12実施例のPDP装置のサステイン回路の構成を示す図であり、第11実施例のサステイン回路において、入出力遅延時間調整回路47−50を設けた構成を有する。ここで、入力増幅回路131と132の閾値電圧は、例えば、図18において抵抗R13とR14の抵抗値を等しくすることなどにより、入力増幅回路の電源電圧VIの略1/2に設定されている。これにより、入出力遅延時間調整回路47−50で生じるパルス幅の変化を低減できる。この原理については、特願2003−106839号に詳しく記載されている。
図21は、本発明の第13実施例のPDP装置のサステイン回路の構成を示す図である。第13実施例のサステイン回路は、第12実施例のサステイン回路において、SW1を除き、リセット用電圧Vwを、スイッチSW2を介して第2のスイッチ素子CDのソース端子に重畳している点が異なる。SW2がオンの時には、SW6はオフしている。この動作については、図13の第6実施例とほぼ同じであるので、これ以上の説明は省略する。
図22は、本発明の第14実施例のPDP装置のサステイン回路の構成を示す図である。第14実施例のサステイン回路は、第13実施例のサステイン回路において、SW4とSW5を付加した点が異なる。この構成で、第5及び第6実施例と同様に、リセット期間において、LDのソース端子に電圧Vw2を印加している。SW4がオンする期間、SW5はオフさせる。この結果、リセット期間において、LDのドレインとソース間にかかる電圧を小さくでき、LDに電圧定格の小さな素子を利用できる。
図23は、本発明の第15実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。第15実施例のプリドライブ回路は、図17に示した第10実施例のプリドライブ回路が2入力、2出力であるのに対して、4入力、4出力である点が異なる。この構成により、4系統の入出力遅延時間の差を小さくできる。
図24は、本発明の第16実施例のPDP装置のサステイン回路の構成を示す図であり、サステイン電圧がVs/2と−Vs/2であるサステイン回路を第15実施例のプリドライブ回路で実現したものである。第16実施例のサステイン回路では、素子CU、CD、LU、LDのゲートに供給するパルスを同一IC内に構成された回路により形成することができるので、4系統の入出力遅延時間のばらつきを小さくできる。他の点は第11実施例と同じであるので、説明を省略する。また、第15実施例のプリドライブ回路は、第12−14実施例にも同様に適用可能である。
図25は、本発明の第17実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。第17実施例のプリドライブ回路は、図17に示した第10実施例のプリドライブ回路において、同時オン防止回路190を設けた点が異なる。同時オン防止回路190は、論理回路で実現され、第1及び第2波形処理回路135、136の出力を受け、出力電圧OUT1とOUT2が同時にアクティブ状態にならないように処理して、出力を第1及び第2ハイレベルシフト回路137、138に出力する。
図26は、同時オン防止回路190の動作を説明する図である。図の左側に示すように、入力電圧信号IN1とIN2が同時にアクティブにならない場合には、すなわち、一方がオン状態からオフ状態に変化した後、他方がオフ状態からオン状態に変化する場合には、そのまま信号を出力する。図の右側に示すように、入力電圧信号IN1とIN2が同時にアクティブになる場合には、すなわち、一方がオン状態からオフ状態に変化する前に、他方がオフ状態からオン状態に変化する場合には、一方がオン状態からオフ状態に変化した後他方がオフ状態からオン状態に変化するようにする。
同時オン防止回路190を設けることにより、ノイズなどにより、CUとCD又はLUとLDが同時にオンするような入力電圧信号IN1とIN2が入力されたり、プリドライブ回路内部の動作がそのような状態が生じた場合でも、CUとCD又はLUとLDが同時にオンすることを確実に防止できる。これにより、電力の増加や破壊などを防止して信頼性を向上させることが可能になる。
(付記1) 入力電圧端子に入力された入力電圧を増幅する入力増幅回路と、
前記入力増幅回路の出力する信号レベルをシフトするハイレベルシフト回路と、
前記ハイレベルシフト回路の出力するシフト信号を増幅する出力増幅回路とを有する駆動系を複数備え、
各駆動系は、同一の構成を有することを特徴とするプリドライブ回路。(1)
(付記2) 前記複数の駆動系の前記入力増幅回路の駆動電源を供給する入力増幅回路用電源電圧端子と、前記複数の駆動系の前記出力増幅回路の駆動電源を供給する出力増幅回路用電源電圧端子とが別々に設けられている付記1に記載のプリドライブ回路。(2)
(付記3) 前記複数の駆動系のそれぞれの前記入力電圧端子と前記入力増幅回路の間に設けられた波形処理回路を備える付記2に記載のプリドライブ回路。(3)
(付記4) 前記波形処理回路用電源端子を備え、前記波形処理回路は前記波形処理回路用電源端子から電源電圧が供給される付記3に記載のプリドライブ回路。
(付記5) 前記入力増幅回路用電源電圧端子に供給される電圧を変換して波形処理回路用電源電圧を生成し、前記波形処理回路用電源電圧として供給する定電圧回路を備える付記3に記載のプリドライブ回路。
(付記6) 各駆動系は、前記入力増幅回路の出力信号のレベルを、負基準電圧を基準とした信号にシフトするローレベルシフト回路を有し、
前記ハイレベルシフト回路は、前記ローレベルシフト回路の出力信号をシフトする付記1に記載のプリドライブ回路。(4)
(付記7) 各駆動系は、前記ローレベルシフト回路の出力信号の波形処理を行う波形処理回路を有し、
前記ハイレベルシフト回路は、前記波形処理回路の出力信号をシフトし、
前記波形処理回路は、前記負基準電圧を入力する負基準電圧入力端子と、前記負基準電圧に対する所定の電圧である負電源電圧を入力する負電源電圧入力端子とに接続される付記6に記載のプリドライブ回路。(5)
(付記8) 前記複数の駆動系の前記入力増幅回路の駆動電源を供給する入力増幅回路用電源電圧端子と、前記複数の駆動系の前記出力増幅回路の駆動電源を供給する出力増幅回路用電源電圧端子と、前記負電源電圧入力端子が別々に設けられている付記7に記載のプリドライブ回路。(6)
(付記9) 前記波形処理回路は、シュミットトリガ回路である付記3又は7に記載のプリドライブ回路。
(付記10) 前記波形処理回路は、ノイズを除去する積分回路を有する付記7に記載のプリドライブ回路。
(付記11) 前記入力増幅回路の閾値電圧は、当該入力増幅回路の電源電圧の略中間である付記1から10のいずれかに記載のプリドライブ回路。
(付記12) 前記複数の駆動系は、1パッケージ内に設けられる付記1から11のいずれかに記載のプリドライブ回路。(7)
(付記13) 前記複数の駆動系は、同一の半導体チップ上に形成されたIC内に設けられる付記1から11のいずれかに記載のプリドライブ回路。(8)
(付記14) 2つの前記駆動系を有する付記1から5のいずれかに記載のプリドライブ回路。(9)
(付記15) 4つの前記駆動系を有する付記1から5のいずれかに記載のプリドライブ回路。(10)
(付記16) 2つの前記駆動系を有する付記7から10のいずれかに記載のプリドライブ回路。(11)
(付記17) 4つの前記駆動系を有する付記7から10のいずれかに記載のプリドライブ回路。(12)
(付記18) 前記複数の駆動系は2系統ずつ対になっており、
対の2つの駆動系の一方の出力がアクティブ状態の時には、他方の出力を強制的にノンアクティブ状態に維持する同時オン防止回路を有する付記13から16のいずれかに記載のプリドライブ回路。
(付記19) 付記14に記載のプリドライブ回路と、
前記複数の駆動系の一方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子と、
前記複数の駆動系の他方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子とを備え、
前記第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第2のスイッチ素子を介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給することを特徴とする容量性負荷駆動回路。(13)
(付記20) 付記14に記載のプリドライブ回路であって、第1と第2の2個のプリドライブ回路と、
前記第1のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の一方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子と、
前記第1のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の他方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子と、
前記第2のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の一方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第3のスイッチ素子と、
前記第2のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の他方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第4のスイッチ素子とを備え、
前記第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第2のスイッチ素子を介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給し、
前記第3のスイッチ素子と、該第3のスイッチ素子と直列に接続された第1のコイルを介して前記容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第4のスイッチ素子と、該第4のスイッチ素子と直列に接続された第2のコイルを介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給することを特徴とする容量性負荷駆動回路。(14)
(付記21) 付記15に記載のプリドライブ回路と、
前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第1の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子と、
前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第2の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子と、
前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第3の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第3のスイッチ素子と、
前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第4の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第4のスイッチ素子とを備え、
前記第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第2のスイッチ素子を介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給し、
前記第3のスイッチ素子と、該第3のスイッチ素子と直列に接続された第1のコイルを介して前記容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第4のスイッチ素子と、該第4のスイッチ素子と直列に接続された第2のコイルを介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給することを特徴とする容量性負荷駆動回路。(15)
(付記22) 付記16に記載のプリドライブ回路と、
前記複数の駆動系の一方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子と、
前記複数の駆動系の他方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子とを備え、
前記第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第2のスイッチ素子を介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給することを特徴とする容量性負荷駆動回路。(16)
(付記23) 付記16に記載のプリドライブ回路であって、第1と第2の2個のプリドライブ回路と、
前記第1のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の一方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子と、
前記第1のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の他方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子と、
前記第2のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の一方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第3のスイッチ素子と、
前記第2のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の他方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第4のスイッチ素子とを備え、
前記第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第2のスイッチ素子を介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給し、
前記第3のスイッチ素子と、該第3のスイッチ素子と直列に接続された第1のコイルを介して前記容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第4のスイッチ素子と、該第4のスイッチ素子と直列に接続された第2のコイルを介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給することを特徴とする容量性負荷駆動回路。(17)
(付記24) 付記17に記載のプリドライブ回路と、
前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第1の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子と、
前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第2の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子と、
前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第3の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第3のスイッチ素子と、
前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第4の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第4のスイッチ素子とを備え、
前記第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第2のスイッチ素子を介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給し、
前記第3のスイッチ素子と、該第3のスイッチ素子と直列に接続された第1のコイルを介して前記容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
前記第4のスイッチ素子と、該第4のスイッチ素子と直列に接続された第2のコイルを介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給することを特徴とする容量性負荷駆動回路。(18)
(付記25) 前記プリドライブ回路の前段又は後段に、信号の入出力時間を調整する遅延時間調整回路を備える付記19から24のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路。(19)
(付記26) 前記第3のスイッチ素子の前記容量性負荷に接続される端子と異なる端子に、基準電圧とは異なる電圧を印加する付記19から24のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路。
(付記27) 前記第3のスイッチ素子の前記容量性負荷に接続される端子と異なる端子に、前記ハイレベル電圧と前記ローレベル電圧の中間電圧以外の電圧を供給する付記19から24のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路。
(付記28) 前記ハイレベル電圧は電源電圧であり、前記ローレベル電圧はグランド電圧である付記19から24のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路。
(付記29) 前記ハイレベル電圧は正の電圧であり、前記ローレベル電圧は前記ハイレベル電圧と同じ絶対値で負の電圧である付記19から24のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路。
(付記30) 前記プリドライブ回路の複数の入力電圧端子の前段に、グランド電圧を基準とした入力信号を、前記ローレベル電圧を基準とした信号にレベル変換する入力レベルシフト回路を備える付記19から21のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路。
(付記31) 前記負基準電圧は、前記第2の出力素子に供給するローレベル電圧と同一である付記22から24のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路。
(付記32) 前記負基準電圧は、前記第2の出力素子に供給するローレベル電圧と異なる付記22から24のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路。
(付記33) 複数のX電極と、
該複数のX電極に隣接して交互に配置され、前記複数のX電極との間で放電を発生させる複数のY電極と、
前記複数のX電極に放電電圧を印加するX電極駆動回路と、
前記複数のY電極に放電電圧を印加するY電極駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ装置において、
前記X電極駆動回路と前記Y電極駆動回路の少なくとも一方は、付記19から32のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。(20)
(付記34) 当該プラズマディスプレイ装置は、表示セルを略同一の状態にするためにリセットパルスを出力し、
前記容量性負荷駆動回路は、前記リセットパルス印加時に、前記第2の出力素子の端子に印加するローレベル電圧を上昇させる付記33に記載のプラズマディスプレイ装置。
本発明によれば、プリドライブ回路のハイレベル側とローレベル側の間で生じる入出力遅延時間の差を低減することができる。また、このプリドライブ回路を用いた容量性負荷駆動回路をプラズマディスプレイ装置に適用することにより、入出力遅延時間の差によって生じる素子破壊や消費電力の増加を防止できる。これにより、低消費電力で高信頼性のプラズマディスプレイ装置が実現できる。
プラズマディスプレイ装置の全体構成を示す図である。 従来のプリドライブ回路(パワートランジスタ駆動用IC)を示す図である。 従来のプラズマディスプレイ装置のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第1実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。 従来例と本発明の入出力遅延時間及びその差の分布を説明する図である。 第1実施例のプリドライブ回路のハイレベルシフト回路の具体的構成を示す図である。 本発明の第2実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第3実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 入出力遅延時間調整回路の例を示す図である。 本発明の第4実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第5実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 入力レベルシフト回路の構成例を示す図である。 本発明の第6実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第7実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。 本発明の第8実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第9実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。 本発明の第10実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。 第10実施例のプリドライブ回路の一部の具体的な回路構成を示す図である。 本発明の第11実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第12実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第13実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第14実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第15実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。 本発明の第16実施例のサステイン回路の構成を示す図である。 本発明の第17実施例のプリドライブ回路の構成を示す図である。 第17実施例のプリドライブ回路の同時オン防止回路の機能を説明する図である。
符号の説明
1…プラズマディスプレイパネル
2…アドレスドライバ
3…X共通ドライバ
4…走査ドライバ
5…Y共通ドライバ
8…駆動制御回路
31…プリドライブ回路(IC)
41,44…入力増幅回路
42,45…ハイレベルシフト回路
43,46…出力増幅回路

Claims (13)

  1. 入力電圧端子に入力された入力電圧を増幅する入力増幅回路と、
    前記入力増幅回路の出力する信号レベルをシフトするハイレベルシフト回路と、
    前記ハイレベルシフト回路の出力するシフト信号を増幅する出力増幅回路とを有する駆動系を複数備え、
    各駆動系は、同一の構成を有することを特徴とするプリドライブ回路。
  2. 前記複数の駆動系の前記入力増幅回路の駆動電源を供給する入力増幅回路用電源電圧端子と、前記複数の駆動系の前記出力増幅回路の駆動電源を供給する出力増幅回路用電源電圧端子とが別々に設けられている請求項1に記載のプリドライブ回路。
  3. 前記複数の駆動系のそれぞれの前記入力電圧端子と前記入力増幅回路の間に設けられた波形処理回路を備える請求項2に記載のプリドライブ回路。
  4. 各駆動系は、前記入力増幅回路の出力信号のレベルを、負基準電圧を基準とした信号にシフトするローレベルシフト回路を有し、
    前記ハイレベルシフト回路は、前記ローレベルシフト回路の出力信号をシフトする請求項1に記載のプリドライブ回路。
  5. 各駆動系は、前記ローレベルシフト回路の出力信号の波形処理を行う波形処理回路を有し、
    前記ハイレベルシフト回路は、前記波形処理回路の出力信号をシフトし、
    前記波形処理回路は、前記負基準電圧を入力する負基準電圧入力端子と、前記負基準電圧に対する所定の電圧である負電源電圧を入力する負電源電圧入力端子とに接続される請求項4に記載のプリドライブ回路。
  6. 前記複数の駆動系の前記入力増幅回路の駆動電源を供給する入力増幅回路用電源電圧端子と、前記複数の駆動系の前記出力増幅回路の駆動電源を供給する出力増幅回路用電源電圧端子と、前記負電源電圧入力端子が別々に設けられている請求項5に記載のプリドライブ回路。
  7. 2つの前記駆動系を有する請求項1から3のいずれかに記載のプリドライブ回路。
  8. 4つの前記駆動系を有する請求項1から3のいずれかに記載のプリドライブ回路。
  9. 前記複数の駆動系は2系統ずつ対になっており、
    対の2つの駆動系の一方の出力がアクティブ状態の時には、他方の出力を強制的にノンアクティブ状態に維持する同時オン防止回路を有する請求項7又は8に記載のプリドライブ回路。
  10. 請求項7に記載のプリドライブ回路と、
    前記複数の駆動系の一方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子と、
    前記複数の駆動系の他方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子とを備え、
    前記第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
    前記第2のスイッチ素子を介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給することを特徴とする容量性負荷駆動回路。
  11. 請求項7に記載のプリドライブ回路であって、第1と第2の2個のプリドライブ回路と、
    前記第1のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の一方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子と、
    前記第1のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の他方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子と、
    前記第2のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の一方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第3のスイッチ素子と、
    前記第2のプリドライブ回路の前記複数の駆動系の他方の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第4のスイッチ素子とを備え、
    前記第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
    前記第2のスイッチ素子を介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給し、
    前記第3のスイッチ素子と、該第3のスイッチ素子と直列に接続された第1のコイルを介して前記容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
    前記第4のスイッチ素子と、該第4のスイッチ素子と直列に接続された第2のコイルを介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給することを特徴とする容量性負荷駆動回路。
  12. 請求項8に記載のプリドライブ回路と、
    前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第1の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第1のスイッチ素子と、
    前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第2の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第2のスイッチ素子と、
    前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第3の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第3のスイッチ素子と、
    前記プリドライブ回路の前記複数の駆動系の第4の駆動系の前記出力増幅回路の出力に接続された第4のスイッチ素子とを備え、
    前記第1のスイッチ素子を介して容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
    前記第2のスイッチ素子を介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給し、
    前記第3のスイッチ素子と、該第3のスイッチ素子と直列に接続された第1のコイルを介して前記容量性負荷にハイレベル電圧を供給し、
    前記第4のスイッチ素子と、該第4のスイッチ素子と直列に接続された第2のコイルを介して前記容量性負荷にローレベル電圧を供給することを特徴とする容量性負荷駆動回路。
  13. 複数のX電極と、
    該複数のX電極に隣接して交互に配置され、前記複数のX電極との間で放電を発生させる複数のY電極と、
    前記複数のX電極に放電電圧を印加するX電極駆動回路と、
    前記複数のY電極に放電電圧を印加するY電極駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ装置において、
    前記X電極駆動回路と前記Y電極駆動回路の少なくとも一方は、請求項10から12のいずれかに記載の容量性負荷駆動回路であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
JP2003427980A 2003-02-18 2003-12-24 プリドライブ回路、容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置 Pending JP2004274719A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003427980A JP2004274719A (ja) 2003-02-18 2003-12-24 プリドライブ回路、容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置
US10/776,286 US7084839B2 (en) 2003-02-18 2004-02-12 Pre-drive circuit, capacitive load drive circuit and plasma display apparatus
TW093103513A TW200422999A (en) 2003-02-18 2004-02-13 Pre-drive circuit, capacitive load drive circuit and plasma display apparatus
EP04250817A EP1450340A3 (en) 2003-02-18 2004-02-16 Pre-drive circuit, capacitive load drive circuit and plasma display apparatus
KR1020040010462A KR20040074967A (ko) 2003-02-18 2004-02-17 프리 드라이브 회로, 용량성 부하 구동 회로 및 플라즈마디스플레이 장치
CNB2004100055636A CN100351881C (zh) 2003-02-18 2004-02-18 等离子体显示设备
US11/474,372 US20060238452A1 (en) 2003-02-18 2006-06-26 Pre-drive circuit, capacitive load drive circuit and plasma display apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003039709 2003-02-18
JP2003427980A JP2004274719A (ja) 2003-02-18 2003-12-24 プリドライブ回路、容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004274719A true JP2004274719A (ja) 2004-09-30
JP2004274719A5 JP2004274719A5 (ja) 2006-07-13

Family

ID=32737733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003427980A Pending JP2004274719A (ja) 2003-02-18 2003-12-24 プリドライブ回路、容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7084839B2 (ja)
EP (1) EP1450340A3 (ja)
JP (1) JP2004274719A (ja)
KR (1) KR20040074967A (ja)
CN (1) CN100351881C (ja)
TW (1) TW200422999A (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006352857A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Samsung Electronics Co Ltd 同期化回路
JP2007041345A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Pioneer Electronic Corp 駆動回路および表示装置
KR100732583B1 (ko) 2005-02-28 2007-06-27 후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드 플라즈마 디스플레이 장치
US7768480B2 (en) 2004-11-19 2010-08-03 Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited Plasma display device and capacitive load driving circuit
US8784403B2 (en) 2006-10-26 2014-07-22 Cellnovo, Ltd. Wax micro actuator
US10751478B2 (en) 2016-10-07 2020-08-25 Insulet Corporation Multi-stage delivery system
US10780217B2 (en) 2016-11-10 2020-09-22 Insulet Corporation Ratchet drive for on body delivery system
US10874803B2 (en) 2018-05-31 2020-12-29 Insulet Corporation Drug cartridge with drive system
US10973978B2 (en) 2017-08-03 2021-04-13 Insulet Corporation Fluid flow regulation arrangements for drug delivery devices
US11229740B2 (en) 2017-03-07 2022-01-25 Insulet Corporation Very high volume user filled drug delivery device
US11229741B2 (en) 2012-03-30 2022-01-25 Insulet Corporation Fluid delivery device, transcutaneous access tool and fluid drive mechanism for use therewith
US11229736B2 (en) 2018-06-06 2022-01-25 Insulet Corporation Linear shuttle pump for drug delivery
US11280327B2 (en) 2017-08-03 2022-03-22 Insulet Corporation Micro piston pump
US11369735B2 (en) 2019-11-05 2022-06-28 Insulet Corporation Component positioning of a linear shuttle pump
US11439765B2 (en) 2016-08-14 2022-09-13 Insulet Corporation Variable fill drug delivery device
US11446435B2 (en) 2018-11-28 2022-09-20 Insulet Corporation Drug delivery shuttle pump system and valve assembly
US11633541B2 (en) 2017-01-19 2023-04-25 Insulet Corporation Cartridge hold-up volume reduction
US11786668B2 (en) 2017-09-25 2023-10-17 Insulet Corporation Drug delivery devices, systems, and methods with force transfer elements
US12318594B2 (en) 2016-05-26 2025-06-03 Insulet Corporation On-body interlock for drug delivery device
US12359903B2 (en) 2021-05-28 2025-07-15 Insulet Corporation Spring-based status sensors

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4480341B2 (ja) * 2003-04-10 2010-06-16 日立プラズマディスプレイ株式会社 プラズマディスプレイ装置
US7176877B2 (en) * 2003-10-10 2007-02-13 Nano-Proprietary, Inc. High voltage pulse driver with capacitive coupling
FR2889345A1 (fr) * 2005-04-04 2007-02-02 Thomson Licensing Sa Dispositif d'entretien pour panneau plasma
KR100724366B1 (ko) * 2005-09-08 2007-06-04 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널을 위한 구동 회로
JP4833307B2 (ja) * 2009-02-24 2011-12-07 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体モジュール、端子板、端子板の製造方法および半導体モジュールの製造方法
CN101901583B (zh) * 2010-06-07 2012-02-29 无锡新硅微电子有限公司 Lcd屏的显示驱动电路
US9712058B1 (en) 2016-08-29 2017-07-18 Silanna Asia Pte Ltd High speed tri-level input power converter gate driver
CN107947570B (zh) * 2017-11-14 2020-04-21 成都芯源系统有限公司 一种隔离型供电电路及其控制方法
JP6979937B2 (ja) * 2018-11-22 2021-12-15 三菱電機株式会社 ハイサイド駆動回路
WO2021056158A1 (zh) * 2019-09-23 2021-04-01 京东方科技集团股份有限公司 源极驱动电路及驱动方法、显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2894821B2 (ja) * 1990-10-25 1999-05-24 株式会社東芝 出力バッファ回路
US5440258A (en) * 1994-02-08 1995-08-08 International Business Machines Corporation Off-chip driver with voltage regulated predrive
US5543740A (en) 1995-04-10 1996-08-06 Philips Electronics North America Corporation Integrated half-bridge driver circuit
US5502412A (en) 1995-05-04 1996-03-26 International Rectifier Corporation Method and circuit for driving power transistors in a half bridge configuration from control signals referenced to any potential between the line voltage and the line voltage return and integrated circuit incorporating the circuit
JP3499058B2 (ja) * 1995-09-13 2004-02-23 富士通株式会社 プラズマディスプレイの駆動方法及びプラズマディスプレイ装置
TW453024B (en) 1996-05-10 2001-09-01 Int Rectifier Corp Method and circuit for driving power transistors in a half bridge configuration from control signals referenced to any potential between the line voltage and the line voltage return and integrated circuit incorporating the circuit
JP3428029B2 (ja) * 1998-02-23 2003-07-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置の駆動回路、電気光学装置及び電子機器
US6236237B1 (en) * 1998-02-27 2001-05-22 Altera Corporation Output buffer predriver with edge compensation
JP3644867B2 (ja) 2000-03-29 2005-05-11 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 プラズマディスプレイ装置及びその製造方法
AU2002320548A1 (en) 2001-02-06 2002-12-03 Harman International Industries, Inc. Half-bridge gate driver circuit
JP2002351388A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd プラズマディスプレイ装置
JP2003244966A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp 駆動回路
TWI261216B (en) * 2002-04-19 2006-09-01 Fujitsu Hitachi Plasma Display Predrive circuit, drive circuit and display device
JP2006047953A (ja) * 2004-06-28 2006-02-16 Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd 半導体集積回路、駆動回路及びプラズマディスプレイ装置
KR101039027B1 (ko) * 2004-12-13 2011-06-07 삼성전자주식회사 레벨 시프터 및 이를 포함하는 표시 장치

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7768480B2 (en) 2004-11-19 2010-08-03 Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited Plasma display device and capacitive load driving circuit
US8203509B2 (en) 2004-11-19 2012-06-19 Hitachi, Ltd. Plasma display device and capacitive load driving circuit
KR100732583B1 (ko) 2005-02-28 2007-06-27 후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드 플라즈마 디스플레이 장치
JP2006352857A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Samsung Electronics Co Ltd 同期化回路
JP2007041345A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Pioneer Electronic Corp 駆動回路および表示装置
US8784403B2 (en) 2006-10-26 2014-07-22 Cellnovo, Ltd. Wax micro actuator
US11229741B2 (en) 2012-03-30 2022-01-25 Insulet Corporation Fluid delivery device, transcutaneous access tool and fluid drive mechanism for use therewith
US12329928B2 (en) 2012-03-30 2025-06-17 Insulet Corporation Fluid delivery device, transcutaneous access tool and fluid drive mechanism for use therewith
US12318594B2 (en) 2016-05-26 2025-06-03 Insulet Corporation On-body interlock for drug delivery device
US11439765B2 (en) 2016-08-14 2022-09-13 Insulet Corporation Variable fill drug delivery device
US11497856B2 (en) 2016-08-14 2022-11-15 Insulet Corporation Drug delivery device with indicator
US10751478B2 (en) 2016-10-07 2020-08-25 Insulet Corporation Multi-stage delivery system
US10780217B2 (en) 2016-11-10 2020-09-22 Insulet Corporation Ratchet drive for on body delivery system
US11633541B2 (en) 2017-01-19 2023-04-25 Insulet Corporation Cartridge hold-up volume reduction
US11229740B2 (en) 2017-03-07 2022-01-25 Insulet Corporation Very high volume user filled drug delivery device
US10973978B2 (en) 2017-08-03 2021-04-13 Insulet Corporation Fluid flow regulation arrangements for drug delivery devices
US11280327B2 (en) 2017-08-03 2022-03-22 Insulet Corporation Micro piston pump
US11786668B2 (en) 2017-09-25 2023-10-17 Insulet Corporation Drug delivery devices, systems, and methods with force transfer elements
US10874803B2 (en) 2018-05-31 2020-12-29 Insulet Corporation Drug cartridge with drive system
US11229736B2 (en) 2018-06-06 2022-01-25 Insulet Corporation Linear shuttle pump for drug delivery
US11446435B2 (en) 2018-11-28 2022-09-20 Insulet Corporation Drug delivery shuttle pump system and valve assembly
US11369735B2 (en) 2019-11-05 2022-06-28 Insulet Corporation Component positioning of a linear shuttle pump
US12359903B2 (en) 2021-05-28 2025-07-15 Insulet Corporation Spring-based status sensors

Also Published As

Publication number Publication date
US7084839B2 (en) 2006-08-01
CN1523556A (zh) 2004-08-25
US20060238452A1 (en) 2006-10-26
US20040160437A1 (en) 2004-08-19
EP1450340A2 (en) 2004-08-25
EP1450340A3 (en) 2008-12-17
CN100351881C (zh) 2007-11-28
KR20040074967A (ko) 2004-08-26
TW200422999A (en) 2004-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004274719A (ja) プリドライブ回路、容量性負荷駆動回路及びプラズマディスプレイ装置
JP4480341B2 (ja) プラズマディスプレイ装置
US7859489B2 (en) Current drive circuit for supplying driving current to display panel
KR100636060B1 (ko) 표시 장치의 구동 회로 및 플라즈마 디스플레이 장치
KR100704815B1 (ko) 반도체 집적 회로, 구동 회로 및 플라즈마 디스플레이 장치
US8068102B2 (en) Drive voltage supply circuit
JP4851192B2 (ja) 差動信号受信回路
US8941571B2 (en) Liquid crystal driving circuit
US20080272949A1 (en) Methods and apparatus to control current steering digital to analog converters
US20080054984A1 (en) High voltage gate driver ic with ramp driver
US6850100B2 (en) Output buffer circuit
JP4057990B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2003143000A (ja) 半導体装置
KR100629833B1 (ko) 용량성 부하 구동 회로 및 플라즈마 디스플레이 장치
US20080062076A1 (en) Plasma display and voltage generator thereof
JP2001154632A (ja) プラズマディスプレイの走査電極駆動ic
WO2010058469A1 (ja) フラットパネルディスプレイの駆動回路
JP4474709B2 (ja) 電源装置
KR100739066B1 (ko) 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치
JP2000132147A (ja) 安定化回路およびその安定化回路を用いた電源回路
JP2008003567A (ja) 駆動電圧供給回路
JP2021164403A (ja) 表示装置、及び昇圧回路の駆動時間の校正方法
KR20030002059A (ko) 캐패시터 부하 구동 앰프
JP2008209696A (ja) 半導体集積回路

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060531

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060531

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070413

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070416

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080507

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080704

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080902