JP2004271333A

JP2004271333A - シンチレータパネル、イメージセンサ及びエネルギー弁別器

Info

Publication number: JP2004271333A
Application number: JP2003062291A
Authority: JP
Inventors: Hiroto Sato; 宏人佐藤; Koji Suzuki; 鈴木　　孝治
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 2003-03-07
Filing date: 2003-03-07
Publication date: 2004-09-30
Also published as: US20070040125A1; EP1607769A1; WO2004079397A1; EP1607769A4

Abstract

【課題】本発明は、基板をシンチレータ堆積及び支持のための基材とするのみでなく、放射線検出時により積極的に活用することができるシンチレータパネル、イメージセンサ及びエネルギー弁別器を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに気相成長によりシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを堆積したパネル１，２，３，４を、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルを提供する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療用、工業用のＸ線、γ線等の検出に用いられるシンチレータパネル、イメージセンサ及びエネルギー弁別器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線、γ線等（以下、「放射線」と言う）のイメージセンサとしては、特許文献１に記されたような装置が知られている。図４に放射線イメージセンサの一例を示した。この放射線イメージセンサは、表面をサンドブラスト処理されたアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）製の基板５０と、この基板５０の一方の表面に成膜された光反射膜であるＡｌ膜５２と、このＡｌ膜５２の表面に成膜されたＴｌをドープした針状構造のＣｓＩからなるシンチレータ５４とを備えている。なお、基板５０、Ａｌ膜５２及びシンチレータ５４からなる構造は、水蒸気を遮断するために全体がポリパラキシリレン膜５６により被覆されている。さらに、シンチレータ５４は、ポリパラキシリレン膜５６を介して光学的に撮像素子５８と結合されている。
【０００３】
この放射線イメージセンサに放射線が入射すると、シンチレータ５４が発光し、この発光が撮像素子５８により検出されることで、入射した放射線のイメージが得られる。
【０００４】
また、特許文献２に記載のエネルギー弁別器は、“シンチレータ／撮像素子”という積層構造を有しており、シンチレータが厚く形成された構造を有する。低エネルギーの放射線はシンチレータの比較的上層に入射してシンチレータを発光させるため、生じた光は、撮像素子に到達するまでに広く拡散するので、広範囲にわたる像として撮像素子により検出される。それに対し、高エネルギーの放射線は、シンチレータの比較的下層に入射してシンチレータを発光させるため、生じた光は、狭い範囲にしか広がらない像として撮像素子で検出される。
【０００５】
このように、特許文献２に記載エネルギー弁別器は、ある放射線が入射した際に、シンチレータの発光を検出した撮像素子の空間的広がりを比較することにより、放射線のエネルギーを推定していた。
【０００６】
【特許文献１】
国際公開第ＷＯ９９／６６３４５号パンフレット（第３頁〜第４頁）
【特許文献２】
特公平５−７５９９０号公報（第３頁）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、特許文献１に記載された放射線イメージセンサにおいては、基板５０は、シンチレータ５４を支持するとともに、その上にシンチレータ５４を堆積する基材としての役割しか果たしていなかった。
【０００８】
また特許文献２に記載されたエネルギー弁別器は、シンチレータの発光を検出した撮像素子の空間的広がりから、放射線の入射エネルギーを推定していたために、入射エネルギーを得るまでの手順が複雑であり、且つ、検出精度が高いとは言えないという問題点があった。
【０００９】
そこで、本発明の課題は、検出精度の高い放射線エネルギー弁別器やイメージセンサに用いることができるとともに、シンチレータを形成する基板を有効活用することができるシンチレータパネルを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、この課題を解決するために、次のような構成を有する。
【００１１】
請求項１に記載の発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板に気相成長によりシンチレータを堆積したパネルを、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルである。
【００１２】
請求項１に記載の発明によれば、パネルを積層してシンチレータパネルとすることにより、放射線がシンチレータパネルに入射した際に、どのパネルに放射線が入射したかを区別して認識することができ、後述のようにエネルギー弁別器や、イメージセンサとして使用することが可能となる。ところが、単にパネルを積層するのみでは、シンチレータが発した光をパネルの外部に誘導することができないので、その光を容易に検出することができない。これに対して、本発明では、結晶成長用基板を透光性材料によって形成しているので、シンチレータが発した光は、透光性材料からなる結晶成長用基板を伝播される。したがって、このシンチレータパネルを、例えば、放射線検出器に用いた場合には、その検出精度を高いものとすることができる。しかも、結晶成長用基板は、もともとシンチレータを堆積させるための基材であるので、この基材を他の用途にも有効活用することができるものとなる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、積層されたパネルの間に、遮光膜が介在していることを特徴とする請求項１に記載のシンチレータパネルである。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、積層されたパネルの間に光を遮る遮光膜が介在しているので、シンチレータの発光で生じた光が隣接するパネルに伝播し所謂クロストークを生じることがない。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、遮光膜が、反射膜を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシンチレータパネルである。
【００１６】
請求項３に記載の発明によれば、遮光膜は、金属膜等の光を反射する性質を有する反射膜を含んでいるので、シンチレータが発した光を余すことなく結晶成長用基板に入射させることができ、シンチレータパネルの放射線検出能力が向上する。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、堆積したパネルのシンチレータが露出した面に、押さえ板が取り付けられたことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のシンチレータパネルである。
【００１８】
請求項４に記載の発明によれば、堆積したパネルからなるシンチレータパネルの最上層にある露出したシンチレータの表面に押さえ板が取り付けられているので、露出したシンチレータを機械的衝撃や、汚れ等から保護することが可能となる。
【００１９】
ここで、「堆積したパネルのシンチレータが露出した面」とは、“シンチレータ／基板／シンチレータ／基板／・・・／基板”というシンチレータパネルの積層構造において、最上層（左端）のシンチレータを示すものとする。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、複数積層されたパネルが保護膜で被覆されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のシンチレータパネルである。
【００２１】
請求項５に記載の発明によれば、複数積層されたパネルからなるシンチレータパネルが、ポリパラキシリレン膜やポリイミド膜等の保護膜により被覆されているので、シンチレータや結晶成長用基板等を機械的衝撃、水分、汚れ等から保護することができる。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、請求項１から請求項５の何れか一項に記載の結晶成長用基板に光電変換素子が接続されていることを特徴とする放射線のイメージセンサである。
【００２３】
請求項６に記載のイメージセンサは、結晶成長用基板の端部に光電変換素子が接続されている。よって、このイメージセンサに放射線が入射してシンチレータが発光すると、その光は、結晶成長用基板の内部を伝播し、端部に取り付けられた光電変換素子により電気信号に変換されるので、この電気信号を元にして、放射線のイメージを再現することができる。
【００２４】
請求項７に記載の発明は、請求項１から請求項５の何れか一項に記載の結晶成長用基板に撮像素子が接続されていることを特徴とする放射線のイメージセンサである。
【００２５】
請求項７に記載のイメージセンサは、結晶成長用基板の端部にＣＣＤ等の撮像素子が接続されている。よって、このイメージセンサに放射線が入射してシンチレータが発光すると、その光は、結晶成長用基板の内部を伝播し、端部に取り付けられた撮像素子により撮像され、これにより放射線のイメージを得ることができる。
【００２６】
請求項８に記載の発明は、請求項１から請求項５の何れか一項に記載の結晶成長用基板に光検出器が接続されていることを特徴とする放射線のエネルギー弁別器である。
【００２７】
請求項８に記載のエネルギー弁別器は、放射線が入射すると、その入射エネルギーに応じて、積層されたパネルの何れかにおいて放射線が吸収され、シンチレータが発光する。シンチレータが発した光が、結晶成長用基板中を伝播して、結晶成長用基板の端部に接続された固体リニアセンサ等の光検出器により検出されることにより、入射した放射線のエネルギーを弁別することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、適宜図面を参照して説明する。
【００２９】
図１は、本発明の第１実施形態であり、シンチレータパネルを用いた放射線のエネルギー弁別器を示す。
【００３０】
図１において、エネルギー弁別器は、放射線が入射する４枚のパネル１，２，３，４と、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの吸湿を防ぐためにパネル１，２，３，４全体を被覆する保護膜５と、結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａの一方の端部に接続され、放射線が入射した際にシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂで生じる発光をそれぞれ検出するための固体リニアセンサ等の光検出器６，６，６，６と、結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａの他方の端部側に設けられ、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの側面部を支持するための支持膜７とを備えている。
【００３１】
パネル１，２，３，４は、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの厚みが異なる以外は、共通の構造を有しており、放射線の入射側から、結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａと、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂと、反射膜１ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃとがこの順序で積層された構造を有する。
【００３２】
ここで、反射膜１ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃは、特許請求の範囲で言うところの「遮光膜」であり、各シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂで生じた発光が、隣のパネルに伝播することを防止し、且つ、各シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂで生じた発光を反射して効率よく結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに導くための部材である。ここで、パネル１，２，３，４の厚さの和からなる幅Ｄは、エネルギー弁別器が、検出することができる放射線の最大入射エネルギーを決定付けるものであり、幅Ｄが広いほど、高い入射エネルギーのＸ線、γ線を検出することができる。
【００３３】
また、各シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂのそれぞれの厚さは、検出される放射線の入射エネルギーの検出分解能に関係しており、シンチレータを薄くすると、個々のシンチレータが検出できる入射エネルギー幅が狭くなり、逆に、シンチレータを厚くすると、個々のシンチレータが検出する入射エネルギーの幅が広くなる。このため、シンチレータの厚さを所望に応じて調整することにより、エネルギー弁別器のエネルギー分解能を調整することが可能となる。例えば、本実施形態では、放射線の入射側（図１の右側）のパネル１では、シンチレータ１ｂの幅を狭くし、入射側から遠ざかるにしたがって、シンチレータ２ｂ，３ｂ，４ｂの幅を徐々に広くなるようにしている。このため、エネルギーが低い領域の放射線に対するエネルギー分解能が高く、エネルギー幅を細かく弁別することができる。また、エネルギーが高い領域の放射線に対するエネルギー分解能が低くなり、エネルギー幅を粗く弁別するものとなるように構成されている。
【００３４】
さらに、本実施の形態においては、パネル１，２，３，４は、４層に渡って積層されているが、パネルの積層数はこれに限定されるものではなく、所望に応じて変更することができる。また、パネル４の最上層にあるシンチレータ４ｂを機械的衝撃や汚れから保護するために、反射膜４ｃの外側には、別に、結晶成長用基板と同じ材料からなる押さえ板８が貼り付けられている。
【００３５】
パネル１，２，３，４は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａ上にＴｌをドープしたＣｓＩ等からなる針状結晶がシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂが蒸着法等の気相成長法により堆積されており、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの表面には反射膜１ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃとして、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ等の金属薄膜又はテフロン等の樹脂膜がＣＶＤ法等により積層されている。また、反射膜を、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの両側面部を被覆するように成膜することも可能である。このようにすることにより、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの両側面部付近で発生した光を効率よく結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに導入することが可能となる。
【００３６】
このエネルギー弁別器において、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの材料であるＣｓＩは吸湿性が高く、潮解を防止するために、パネル１，２，３，４の全体はポリパラキシリレン等からなる保護膜５により被覆されている。保護膜５としてはポリパラキシリレンのほかにポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等を用いることが可能である。
【００３７】
シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの側面部を保護するための支持膜７は、ＣｓＩとのなじみがよいポリイミド膜が好適である。パネル４のシンチレータ４ｂを機械的衝撃や汚染等から保護するために設けられる押さえ板８は、他の結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａと同様の材料（ガラス、石英等）を用いて形成することが可能である。
【００３８】
以下、このエネルギー弁別器の作用について説明する。
【００３９】
放射線は、パネル１からパネル４の積層方向に沿って（図１の右から左に）エネルギー弁別器に入射する。入射した放射線は、その入射エネルギーの高さに応じて、侵入深さが異なり、入射エネルギーが高いものほど深くまで侵入する。
【００４０】
このようにして、エネルギー弁別器に入射した放射線は、パネル１，２，３，４のいずれかに入射エネルギーに応じた侵入深さまで到達して、到達点においてシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂのいずれかを発光させる。より具体的に言うと、放射線がパネル２に到達したとすると、シンチレータ２ｂが発光し、放射線がパネル４に到達したとすると、シンチレータ４ｂが発光する。
【００４１】
シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂで発せられた光は、一部は反射膜１ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃで反射されて結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに入射し、残部は、直接に、結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに入射する。結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに入射した光は、結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａの中を伝播され光検出器６，６，６，６に至り、光検出器６，６，６，６により、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂに放射線が到達したことが検出される。
【００４２】
このように、本実施の形態のエネルギー弁別器では、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂで生じた発光を、それぞれ結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａを通じて伝播する。よって、本実施の形態のエネルギー弁別器は、シンチレータの発光を検出した撮像素子の空間的広がりを評価するという間接的な検出を行うのではなく、直接的に、放射線のエネルギー弁別を行うことができるので、検出精度を高めることができる。
【００４３】
また、エネルギー弁別器を構成する個々のパネル１，２，３，４の厚さを変更することで、放射線のエネルギー分解能を調整することができる。また、シンチレータパネル全体としての厚さを変更することで、エネルギー弁別器が測定可能な放射線の最大エネルギーを変更することが可能となる。
【００４４】
以下、このエネルギー弁別器の製造方法について説明する。
【００４５】
まず、各パネル１，２，３，４を製造する。即ち、ガラス、石英等の透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａ上に、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂとなるＴｌをドープしたＣｓＩの針状結晶（柱状結晶）を真空蒸着法により所望の厚さ（数十〜数百μｍ）となるまで成長させる。
【００４６】
ここで、結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａは、透光性を有する材料であれば、特に制限はないが、例えば、ガラス、石英等が好適であり、例えば、顕微鏡観察等に用いられるスライドグラス（厚さ約１７０μｍ）を用いることができる。
【００４７】
次に、シンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの表面にＡｌ等からなる反射膜１ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃをＣＶＤ法等により形成し、各パネル１，２，３，４を得る。
【００４８】
続いて、これら４枚のパネル１，２，３，４をこの順序で積層して貼り合わせ、最上層のパネル４のシンチレータ４ｂを保護するために、押さえ板８を反射膜４ｃ上に貼り合わせる。尚、押さえ板８は、結晶成長用基板と同種の材料を用いたものに限定されず、露出したシンチレータ４ｂを機械的衝撃や汚れから保護できる材料であればよい。
【００４９】
続いて、積層された４枚のパネル１，２，３，４の側面部にポリイミドを塗布し、硬化させることで支持膜７を形成する。さらに、４枚のパネル１，２，３，４全体を保護膜５であるポリパラキシリレン膜で覆い、最後に、光検出器６，６，６，６を結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａの端部にそれぞれ接続してエネルギー弁別器を得る。
【００５０】
図２は本発明の第２実施形態であり、本発明のシンチレータパネルを用いた放射線のイメージセンサの断面図である。イメージセンサは、放射線が入射する４枚のパネル２１，２２，２３，２４，２５と、シンチレータ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂの吸湿を防ぐためにパネル２１，２２，２３，２４，２５全体を被覆する保護膜２６と、結晶成長用基板２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａの一方の端部に接続され、放射線が入射した際にシンチレータ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂで生じる発光をそれぞれ検出して、電気信号を得るための光電子増倍管からなる光電変換器２７，２７，２７，２７，２７と、結晶成長用基板２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａの他方の端部側に設けられ、シンチレータ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂの側面部を保護するための支持膜２８とを備えている。
【００５１】
尚、図２においては、光電変換器２７，２７，２７，２７，２７は５個のみが図示されているが、光電変換器２７は図面の奥行き方向にも並んでおり、光電変換器２７，２７，２７・・・は、５列に渡って配置されている。
【００５２】
これら光電変換器２７，２７，２７・・・は、図示しない画像処理回路を有する回路基板を介して画像モニタに接続されている。そして、光電変換器２７，２７，２７・・・から出力される電気信号は、回路基板における画像処理回路によって画像信号に変換されてモニタに出力される。モニタには、出力された画像信号に応じた画像が表示される。
【００５３】
また、本実施形態に係るイメージセンサには、パネル２１からパネル２５の積層方法に交差する方向、例えば直行する方向に沿って、放射線が上方から入力されるので、入力した放射線は、パネル２１からパネル２５の積層方向に直交する方向に進んでいく。このためパネル２１，２２，２３，２４，２５の大きさを調整することにより、使用される放射線のエネルギーの高さに応じたイメージセンサとすることができる。
【００５４】
パネル２１，２２，２３，２４，２５は共通の構造を有しており、透光性材料からなる結晶成長用基板２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａと、シンチレータ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂと、反射膜２１ｃ，２２ｃ，２３ｃ，２４ｃ，２５ｃとがこの順序で積層された構造を有する。また、パネル２５のシンチレータ２５ｂを機械的衝撃や汚れから保護するために、反射膜２５ｃの外側には、別に、押さえ板２９が貼り付けられている。
【００５５】
結晶成長用基板２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａとして用いられる材料、シンチレータ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂとして用いられる材料、反射膜２１ｃ，２２ｃ，２３ｃ，２４ｃ，２５ｃとして用いられる材料、保護膜２６として用いられる材料及び支持膜２８として用いられる材料は、第１の実施形態と同様であるためその説明を省略する。また、本実施の形態においては５枚のパネル２１，２２，２３，２４，２５が積層されているが、パネルの積層数は、これに限らず画像の大きさに応じて増減することが可能である。
【００５６】
次にこのイメージセンサの作用について説明する。
【００５７】
本実施形態では、パネル２１からパネル２５の積層方向に直交する方向（図２の上下方向）に沿ってイメージセンサの上方から放射線が入射する。イメージセンサに入射した放射線は、パネル２１，２２，２３，２４，２５に到達し、到達点においてシンチレータ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂを発光させる。シンチレータ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂが発光すると、その光は、透光性材料からなる結晶成長用基板２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａのいずれかに入射し、結晶成長用基板２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａを介して、光電子増倍管である光電変換器２７，２７，２７・・・まで伝播される。そして、光電変換器２７，２７，２７・・・においては、シンチレータ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂの発光が電気信号に変換される。
【００５８】
それから、各光電変換器２７，２７，２７・・・から出力される電気信号に基づいて、回路基板における画像処理回路で画像処理がなされ、画像信号が形成される。この画像信号をモニタに出力することによって、モニタに画像が表示される。
【００５９】
このように、第２の実施形態のイメージセンサは、パネル２１，２２，２３，２４，２５を積層するという単純な構造でもって、シンチレータ２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂに入射する放射線の入射位置を知ることが可能となり、放射線のイメージングを行うことができる。
【００６０】
また、本発明に係るシンチレータパネルをイメージセンサに用いる場合には、光電子増倍管などからなる光電変換器を用いることなく、ＣＣＤ等の撮像素子を用いることもできる。撮像素子を用いた例について図３を参照して説明すると、図２に示すシンチレータパネルと同様のものを用い、このシンチレータパネルにおけるパネル２１〜２５のそれぞれにおける結晶成長用基板２１ｂ〜２５ｂの一端部にＣＣＤ３０を取り付けたものである。この態様の場合には、光電子増倍管のような光電変換器で光を電子に変換してから画像化するのではなく、結晶成長用基板２１ｂ〜２５ｂを伝播して到達した光をそのままＣＣＤカメラで撮像することができる。
【００６１】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、シンチレータの表面に反射膜を形成する態様としているが、シンチレータの表面と向かい合う結晶成長用基板及び押さえ板の裏面側に反射膜などの遮光膜を形成することもできる。このような遮光膜などは蒸着によるもののほかに、単にシンチレータや結晶成長用基板に貼り付ける態様とすることもできる。遮光膜と反射膜との関係は、反射膜自体が遮光膜である態様としてもよいし、遮光膜のほかに別途反射膜を設ける態様としてもよい。
【００６２】
また、上記実施形態では、反射膜をシンチレータの表面のみに形成しているが、シンチレータの全体を覆って形成する態様とすることもできる。特に、保護膜の内側全体に遮光膜（反射膜）を形成して、シンチレータ個々の遮光性（反射性）を高める態様とすることもできる。
【００６３】
また、上記実施形態では、シンチレータとしてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられているが、これに限らず、たとえばＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ（Ｅｕ）、Ｋｉ（Ｔｌ）等を用いることもできる。
【００６４】
【発明の効果】
以上の説明のとおり、本発明によれば、検出精度の高い放射線弁別器やイメージセンサに用いることができるとともに、シンチレータを形成する基板を有効活用することができるシンチレータパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態であるエネルギー弁別器の断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態であるイメージセンサの断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態であるイメージセンサの断面図である。
【図４】従来の放射線位置検出器の断面図である。
【符号の説明】
１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂシンチレータ
１，２，３，４パネル
１ａ，２ａ，３ａ，４ａ結晶成長用基板
１ｃ，２ｃ，３ｃ，４ｃ反射膜
５保護膜
６光検出器
７支持膜
８押さえ板
２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂシンチレータ
２１，２２，２３，２４，２５パネル
２１ｃ，２２ｃ，２３ｃ，２４ｃ，２５ｃ反射膜
２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ結晶成長用基板
２６保護膜
２７光電変換器
２８支持膜
２９押さえ板
３０撮像素子

Claims

透光性材料からなる結晶成長用基板に気相成長によりシンチレータを堆積したパネルを、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネル。
前記積層されたパネルの間に、遮光膜が介在していることを特徴とする請求項１に記載のシンチレータパネル。
前記遮光膜が、反射膜を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシンチレータパネル。
前記堆積したパネルの前記シンチレータが露出した面に、押さえ板が取り付けられていることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のシンチレータパネル。
複数積層された前記パネルが保護膜で被覆されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
請求項１から請求項５の何れか一項に記載の結晶成長用基板に光電変換素子が接続されていることを特徴とする放射線イメージセンサ。
請求項１から請求項５の何れか一項に記載の結晶成長用基板に撮像素子が接続されていることを特徴とする放射線イメージセンサ。
請求項１から請求項５の何れか一項に記載の結晶成長用基板に光検出器が接続されていることを特徴とする放射線エネルギー弁別器。