JP2004247323A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004247323A5 JP2004247323A5 JP2002318469A JP2002318469A JP2004247323A5 JP 2004247323 A5 JP2004247323 A5 JP 2004247323A5 JP 2002318469 A JP2002318469 A JP 2002318469A JP 2002318469 A JP2002318469 A JP 2002318469A JP 2004247323 A5 JP2004247323 A5 JP 2004247323A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- comparative example
- orientation
- formation
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
ＸＲＤ測定結果を表１、表２に示した。表１はＰｔ、表２はＮｉの場合である
。スペクトルは掲載しないが、ＰｔおよびＮｉ共に（１１１）、（２２２）以外
のピークは観測されなかった。表１、表２から見られるように（１１１）の強度
及び半値幅において、本実施例と比較例１および比較例２に大きな差が現れてい
る。例えば、Ｐｔの場合において、ＧａＮ基板の温度を３００℃で蒸着した場合
（本実施例）の場合、（１１１）のピーク強度が９８５３４で、その半値幅が０
．４°であったのに対し、比較例１（室温形成）では、各々、３６６６、２．５
°、比較例２（室温形成→３００℃熱処理）では、３２０６１、２．５°であり
、同じ３００℃の熱を加える場合にも、形成時と形成後では大きな差となって現
れる結果となった。Ｎｉの場合も同様であり、基板を加熱して形成することによ
り結晶の（１１１）配向が強くなっていること、即ち、単結晶の占有率が多くな
ったことがわかる。なお、Ｐｔ、Ｎｉにおいて、（１１１）配向性が強くなるの
は、Ｐｔ、Ｎｉが共に面心立方構造（ｆｃｃ）のためと考えられる。ちなみに体
心立法構造（ｂｃｃ）の場合は、（１００）配向性が強くなると予測される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
金属／半導体界面の電流輸送機構。
【図２】
評価用のＭａｒｌｏｗ−Ｄａｓ型フォトリソグラフィパターン。
【図３】
Ｐｔの場合のＩ−Ｖ特性図。
【図４】
Ｎｉの場合のＩ−Ｖ特性図。
【図５】 金属膜の（１１１）ピーク強度と接触抵抗値Ｒ０の値の関係図。
【図１】
金属／半導体界面の電流輸送機構。
【図２】
評価用のＭａｒｌｏｗ−Ｄａｓ型フォトリソグラフィパターン。
【図３】
Ｐｔの場合のＩ−Ｖ特性図。
【図４】
Ｎｉの場合のＩ−Ｖ特性図。
【図５】 金属膜の（１１１）ピーク強度と接触抵抗値Ｒ０の値の関係図。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002318469A JP4063050B2 (ja) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の電極およびその製造方法 |
| US10/695,453 US7190076B2 (en) | 2002-10-31 | 2003-10-29 | Electrode for p-type Group III nitride compound semiconductor layer and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002318469A JP4063050B2 (ja) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の電極およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004247323A JP2004247323A (ja) | 2004-09-02 |
| JP2004247323A5 true JP2004247323A5 (ja) | 2005-04-07 |
| JP4063050B2 JP4063050B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=32676997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002318469A Expired - Fee Related JP4063050B2 (ja) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の電極およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7190076B2 (ja) |
| JP (1) | JP4063050B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2201613A1 (en) * | 2007-08-31 | 2010-06-30 | Lattice Power (Jiangxi) Corporation | Method for fabricating a low-resistivity ohmic contact to a p-type iii-v nitride semiconductor material at low temperature |
| US20090238227A1 (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP2009212343A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法 |
| JP2011146639A (ja) | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系半導体素子 |
| JP5749888B2 (ja) | 2010-01-18 | 2015-07-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子及び半導体素子を作製する方法 |
| JP6111818B2 (ja) | 2013-04-24 | 2017-04-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子、半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3207918B2 (ja) * | 1991-04-22 | 2001-09-10 | キヤノン株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物の多結晶半導体材料を用いた発光素子およびその製造方法 |
| JPH0531957A (ja) * | 1991-05-23 | 1993-02-09 | Canon Inc | 発光装置、これを用いた光書き込みプリンターヘツド並びに該光書き込みプリンターヘツドによる光プリンター装置 |
| DE69230260T2 (de) * | 1992-08-07 | 2000-07-13 | Asahi Kasei Kogyo K.K., Osaka | Halbleiteranordnung auf nitridbasis und verfahren zu ihrer herstellung |
| JP2803742B2 (ja) | 1993-04-28 | 1998-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法 |
| US5751752A (en) * | 1994-09-14 | 1998-05-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP3773282B2 (ja) | 1995-03-27 | 2006-05-10 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法 |
| JP3700872B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2005-09-28 | シャープ株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置およびその製造方法 |
| EP0831538A3 (en) * | 1996-09-19 | 1999-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element having a specific doped layer |
| JP3457516B2 (ja) * | 1997-08-27 | 2003-10-20 | 株式会社東芝 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
| JPH11177034A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Sony Corp | メモリ素子およびメモリアレイ |
| US6492190B2 (en) * | 1998-10-05 | 2002-12-10 | Sony Corporation | Method of producing electrooptical device and method of producing driving substrate for driving electrooptical device |
| JP3592553B2 (ja) * | 1998-10-15 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 窒化ガリウム系半導体装置 |
| JP3616514B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2005-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路及びその製造方法 |
| JP2001005338A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Copyer Co Ltd | 画像形成装置 |
| JP4228560B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2009-02-25 | ソニー株式会社 | キャパシタ素子及びその製造方法 |
| JP3881840B2 (ja) * | 2000-11-14 | 2007-02-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
| TWI313059B (ja) * | 2000-12-08 | 2009-08-01 | Sony Corporatio | |
| US6720241B2 (en) * | 2001-06-18 | 2004-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US6911694B2 (en) * | 2001-06-27 | 2005-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating such device |
| US6600179B2 (en) * | 2001-11-01 | 2003-07-29 | M/A-Com, Inc. | Power amplifier with base and collector straps |
| JP2003177063A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 紫外線受光器、及びそれを用いた紫外線光量測定方法 |
| WO2003065465A2 (en) * | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Showa Denko K.K. | Boron phosphide-based semiconductor device, production method thereof, light-emitting diode and boron phosphide-based semiconductor layer |
| US6794245B2 (en) * | 2002-07-18 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating double-sided hemispherical silicon grain electrodes and capacitor modules |
| JP3699946B2 (ja) * | 2002-07-25 | 2005-09-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US6911695B2 (en) * | 2002-09-19 | 2005-06-28 | Intel Corporation | Transistor having insulating spacers on gate sidewalls to reduce overlap between the gate and doped extension regions of the source and drain |
| US6779837B1 (en) * | 2003-10-03 | 2004-08-24 | Arvinmeritor Technology, Llc | Mesh side shield for vehicle sunroof |
| US20050136633A1 (en) * | 2003-12-18 | 2005-06-23 | Taylor William J.Jr. | Blocking layer for silicide uniformity in a semiconductor transistor |
-
2002
- 2002-10-31 JP JP2002318469A patent/JP4063050B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-29 US US10/695,453 patent/US7190076B2/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4026339B2 (ja) | ＳｉＣ用電極及びその製造方法 | |
| TWI716346B (zh) | 原子層沈積方法及氟化物薄膜 | |
| CN102598277B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| TW200701349A (en) | Electrical contact | |
| JP4140648B2 (ja) | ＳｉＣ半導体用オーミック電極、ＳｉＣ半導体用オーミック電極の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| CN101369599B (zh) | 氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法 | |
| WO2014196475A1 (ja) | ナノ粒子の製造方法、熱電材料の製造方法および熱電材料 | |
| JP2004247323A5 (ja) | ||
| JP3646548B2 (ja) | ＳｉＣ半導体デバイス | |
| CN108754608A (zh) | 一种镍铜（111）合金单晶薄膜的制备方法以及由此得到的镍铜（111）合金单晶薄膜 | |
| JP4841844B2 (ja) | 半導体素子 | |
| JP2001295040A5 (ja) | ||
| JP5287837B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその負極 | |
| CN101567383A (zh) | 一种用于碳化硅的欧姆电极结构及其制造方法 | |
| TWI257716B (en) | Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and negative electrode thereof | |
| KR102396215B1 (ko) | 단결정 금속포일 및 이의 제조방법 | |
| JP2017152667A5 (ja) | ||
| JP4063050B2 (ja) | ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の電極およびその製造方法 | |
| WO2009125507A1 (ja) | ナノワイヤの形成方法 | |
| JPH06310509A (ja) | 半導体集積回路の配線構造 | |
| JP5375497B2 (ja) | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 | |
| TWI249255B (en) | Nitride light-emitting diode and mthod for manufacturing the same | |
| Borysiewicz et al. | Thermal stability of multilayer Ti2AlN-based ohmic contacts to n-GaN in ambient air | |
| JP5747239B2 (ja) | 半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極 | |
| JP2005243923A (ja) | シリサイド膜の作製方法、多層膜中間構造体及び多層膜構造体 |