[go: up one dir, main page]

JP2004200379A - ダイボンディング装置及びそれを用いたダイボンディング方法 - Google Patents

ダイボンディング装置及びそれを用いたダイボンディング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004200379A
JP2004200379A JP2002366628A JP2002366628A JP2004200379A JP 2004200379 A JP2004200379 A JP 2004200379A JP 2002366628 A JP2002366628 A JP 2002366628A JP 2002366628 A JP2002366628 A JP 2002366628A JP 2004200379 A JP2004200379 A JP 2004200379A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
chip
load
motor
head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002366628A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiro Taguchi
勝弘 田口
Yuichi Tanaka
雄一 田中
Wataru Kimura
済 木村
Takanori Okita
孝典 沖田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp, Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd filed Critical Renesas Technology Corp
Priority to JP2002366628A priority Critical patent/JP2004200379A/ja
Priority to US10/453,605 priority patent/US20040121513A1/en
Publication of JP2004200379A publication Critical patent/JP2004200379A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

【課題】チップへの荷重衝撃を抑制してチップの安全を確保しつつ、良好なチップの搭載を実現するダイボンディング装置を提供する。
【解決手段】その先端側でチップを吸着保持し、チップに対してその上方よりボンディング荷重を加えるボンディングヘッドと、ボンディングヘッドがチップに対してボンディング荷重を加えるように、ボンディングヘッドを下方に駆動させるモータと、チップに対して加えられるボンディング荷重を検出するロードセルと、ロードセルにより検出されるボンディング荷重がフィードバックされ、そのボンディング荷重に基づき、モータへ出力する指令電圧を逐次算出し、ボンディング荷重の増大に応じて、モータへの出力電圧が漸次的に低減するように、モータを速度制御する制御手段とを設ける。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ICチップ等のチップを基材上に搭載するためのダイボンディング装置及びそれを用いたダイボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
周知の通り、半導体デバイスの製造工程においては、ICウエハを個々のチップに切り離してパッケージに組み込み、電子機器への実装を可能にするアセンブリ工程が実施される。このアセンブリ工程の1つに、ICウエハから個々に切り離されたチップをリードフレーム等の基材の表面に設定されたダイパッド上に接合材を介して固着させるダイボンディング工程が知られている。かかるダイボンディング工程は、一般的に、ダイボンディング装置によって実施され、このダイボンディング装置においては、上下動可能でありチップを吸着保持するボンディングヘッドを備えたボンディングツールが水平及び上下に移動させられ、チップが順次吸着保持されつつ、ボンディング位置まで移動させられ、基材の表面に対して固着されるようになっている。
【0003】
ところで、基板に対するチップの良好な搭載を実現するには、チップを基材の表面に固着させるに際し、チップ上面に対してボンディング荷重を適切に加える必要がある。従来では、このようなボンディング荷重を実現する装置として、例えば、ボンディング荷重を検出するロードセルを備え、該ロードセルの検出荷重が増加し始めるまでボンディングヘッドを所定の速度で下降させ、検出荷重の増加後には、目標荷重に到達するまでより微速で下降させるものが知られている(例えば特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平9−199545号公報 (第3頁,第1図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来の技術では、ボンディング荷重を加えるに際して、ボンディングヘッドが2段階の速度で下降させられるものの、検出荷重の増加以降には、ボンディングヘッドは、目標荷重が実現されそれが停止されるまで所定の速度で下降させられるため、特に目標荷重付近で大きくなり得るチップへの荷重衝撃を抑制しチップの安全を確保する上では十分でなかった。
【0006】
そこで、本発明は、上記技術的課題に鑑みてなされたもので、チップへの荷重衝撃を抑制してチップの安全を確保しつつ、良好なチップの搭載を実現するダイボンディング装置及びそれを用いたダイボンディング方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本願の第1の発明は、所定のチップを基材上に搭載するに際し、チップを吸着保持しつつ、ボンディング位置まで移動させ、基材の表面に対して固着させるボンディングツールを備えたダイボンディング装置において、上記ボンディングツールが、その先端側でチップを吸着保持し、該チップに対してその上方よりボンディング荷重を加えるボンディングヘッドと、上記ボンディングヘッドがチップに対してボンディング荷重を加えるように、該ボンディングヘッドを下方に駆動させるモータと、上記チップに対して加えられるボンディング荷重を検出するロードセルと、上記ロードセルにより検出されるボンディング荷重がフィードバックされ、該ボンディング荷重に基づき、上記モータへ出力する指令電圧を逐次算出し、該ボンディング荷重の増大に応じて、該モータへの出力電圧が漸次的に低減するように、該モータを速度制御する制御手段と、を有していることを特徴としたものである。
【0008】
また、本願の第2の発明は、上記第1の発明において、上記ボンディングヘッドを吊下げ支持し、該ボンディングヘッドの自重をキャンセルするバネと、該バネの伸び量を検出するリニアスケールとが設けられており、上記制御手段が、上記リニアスケールからフィードバックされるバネの伸び量の増大に応じて、上記ボンディングヘッドのボンディング荷重に該バネの弾性力が影響しないように、上記モータを速度制御することを特徴としたものである。
【0009】
更に、本願の第3の発明は、請求項1又は2に記載のダイボンディング装置を用いたダイボンディング方法において、上記ボンディングヘッドのチップに対するボンディング荷重を検出し、検出されたボンディング荷重に基づき、上記モータへ出力する指令電圧を逐次算出して、該ボンディング荷重の増大に応じて、該モータへの出力電圧が漸次的に低減するように、該モータを速度制御することを特徴としたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら説明する。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係るダイボンディング装置により装備されたボンディングツールを概略的に示す側面図である。このボンディングツール1は、チップ3を吸着保持しつつボンディング位置まで移動し、基材18の表面に接着フィルム等の接合材19を介してチップ3を固着させるもので、その基本的な構成として、その先端側でボンディング対象とする半導体チップ3を吸着保持するとともに、半導体チップ3をステージ1上の基板8に対して付勢するボンディングヘッド2と、ボンディングヘッド2に半導体チップ3を基板8に対して付勢させるように、ボンディングヘッド2を上方から押し下げる押下げ部材11と、押下げ部材11を上下方向に駆動させ得るモータ17と、を有している。
【0011】
ボンディングヘッド2は、ヘッド2の側部でその長手方向に沿って延びるガイド5により保持されている。ガイド5は、第1のポールネジ4に沿って上下駆動可能な保持部材8に取り付けられ、所定の範囲で上下に変位することができる。また、ガイド5は、保持部材8に対し、バネ6を介して連結されており、このバネ6は、ガイド5及びボンディングヘッド2を吊下げ支持しそれらの自重をキャンセルし得る。
【0012】
更に、保持部材8には、ガイド5を係止して、ガイド5の変位、すなわちボンディングヘッド2の変位を規制し得るロックピン7が取り付けられている。このロックピン7を解除することで、ガイド5は、それにより保持されるボンディングヘッド2とともに、所定の範囲で上下に変位可能となるが、バネ6によって、これらガイド5及びボンディングヘッド2は、ロックピン解除前の位置に保持されることとなる。
【0013】
また、押下げ部材11は、その下面側に、ボンディングヘッド2の上面に押し付けられつつ、半導体チップ3に対するボンディング荷重を検出可能なロードセル12を有している。また、押下げ部材11は、その側部に設けられた保持部材9を介して、第2のポールネジ13に取り付けられ、モータ17の駆動力によって上下方向に駆動可能となっている。
【0014】
ボンディングツール10は、更に、ロードセル12により検出されたボンディング荷重をあらわすアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器14と、モータ17を駆動制御するCPU15と、CPU15からの出力信号を増幅してモータ17へ出力するアンプ16と、を有している。チップ3に対するボンディング荷重の印加に際して、CPU15には、ロードセル12により検出されるボンディング荷重が逐次フィードバックされ、CPU15は、ボンディング荷重の増大に応じて、モータ17へ出力する指令電圧を算出し、所定のボンディング荷重を取得するようにモータ17を速度制御する。
【0015】
次に、CPU15によるモータ速度制御について説明する。
チップ3の基材18へのボンディング動作に先立ち、ボンディングヘッド2は、その先端側でチップ3を吸着保持した状態で、ステージ1上のボンディング位置まで移動させられてくる。この実施の形態では、ボンディングヘッド2を押し下げる押下げ部材11が、ボンディングヘッド2と一体的に設けられておらず、このため、ボンディングヘッド2の自体の軽量化が実現され、ボンディング位置への高速移動が可能となっている。ボンディング位置への移動後、ロックピン7が解除されて、ボンディングヘッド2がバネ6を介して上下に変位可能とされる。そして、CPU15がアンプ16を介してモータ17へ電圧を供給するよう制御することにより、押下げ部材11が下方へ駆動され、ボンディングヘッド2にボンディング荷重が加えられる。
【0016】
押下げ部材11の下方への駆動に際して、ロードセル12が、ボンディングヘッド2の上面に押し付けられると、ロードセル12によりボンディング荷重が連続的に検出され、このボンディング荷重をあらわすアナログ信号が、A/D変換器14を通じてデジタル信号に変換された上で、CPU15へフィードバックされる。CPU15は、ロードセル12からのボンディング荷重(フィードバック値)に基づき、モータ17へ出力する指令電圧を算出し、所定のボンディング荷重を取得するようにモータ17を速度制御する。このとき、モータへの指令電圧は、CPU周期時間毎のロードセル12からのフィードバック値を元に、次の式(1)を用いて算出される。
Figure 2004200379
【0017】
これに関連して、図2の(a)及び(b)は、それぞれ、時間−モータに対する出力電圧(モータ出力電圧)の関係及び時間−フィードバック値の関係をあらわすグラフである。これらのグラフから明らかなように、ロードセル12からのフィードバック値はモータ17に対する出力電圧に連続的に反映され、フィードバック値が目標荷重に近付くよう増大するにつれ、モータ17に対する出力電圧が漸次的に低減させられる。すなわち、目標荷重に近付くにつれ、モータ17の速度は小さくなる。これにより、目標荷重付近で大きくなり得るチップ3への荷重衝撃は抑制される。
【0018】
以上のように、本実施の形態に係るダイボンディング装置によれば、目標荷重を実現する直前までのモータ出力電圧を制御することができ、チップ3への荷重衝撃を抑制しチップ3の安全を確保しつつ、基材18に対する良好なチップ3の搭載を実現することができる。
【0019】
なお、上記のダイボンディング装置では、ボンディング開始時にモータ17へ電圧を出力するに際して、チップ3と基材18とが非接触状態にあっても構わない。これにより、チップ3と基材18との接触を監視せずに、ボンディング動作を実施することができる。
【0020】
次に、本発明の別の実施の形態について説明する。なお、以下では、上記実施の形態1における場合と同様のものについては同一の符号を付し、それ以上の説明を省略する。
実施の形態2.
図3は、本発明の実施の形態2に係るダイボンディング装置により装備されたボンディングツールを概略的に示す側面図である。このボンディングツール20は、上記実施の形態1における場合と同様の構成を有するもので、更に、この実施の形態2では、保持部材8に取り付けられ、ガイド5及びボンディングヘッド2を吊下げ支持するバネ6の伸び量を検出するリニアスケール22と、リニアスケール22により検出された位置をあらわすアナログ信号をデジタル信号に変換した上でCPU15へ出力するA/D変換器24とが設けられている。これらは、以下に述べるように、バネ6の弾性力(引上げ力)を補正するための構成である。
【0021】
ロックピン7を解除した状態では、前述したように、ガイド5及びボンディングヘッド2は、所定の範囲で上下に変位可能となるが、バネ6によって、ロックピン解除前の位置に保持される。ボンディング開始後、CPU15では、ボンディングヘッド2が下方へ駆動されるに伴い、ロードセル12からボンディング荷重のフィードバック値を受けるとともに、リニアスケール22からバネ6の伸び量を受け、このバネ6の伸び量をモータ17への出力電圧に加算することにより、バネ6の弾性力の影響をなくす。
【0022】
より具体的には、リニアスケール22により検出されるバネ6の伸び量とロードセル12により検出されるボンディング荷重のフィードバック値との関係(図4参照)を、補正データとして、装置に組み込まれたメモリに予め格納しておき、CPU周期毎にリニアスケール22からのバネ6の伸び量を読み取り、モータ17への出力電圧に加算する。
【0023】
このように、CPU15では、リニアスケール22からフィードバックされるバネ6の伸び量の増大、すなわちバネ6の弾性力の増大に応じて、ボンディングヘッド2のボンディング荷重にバネ6の弾性力が影響しないように、モータ17への出力電圧が算出されるので、バネ6の弾性力の増大によるボンディング荷重の誤差が補正され、バネ6の弾性力の影響がなくなり、チップ3へのボンディング荷重が一層厳密に制御されることとなる。その結果、チップ3への荷重衝撃を抑制しチップ3の安全を確保しつつ、基材18に対する良好なチップ3の搭載を実現することができる。
【0024】
前述したリニアスケール22は、バネ6の伸び量を検出するのみならず、チップ3と基材18との接触を検知する手段としても適用可能である。この場合には、両者の接触開始からボンディング荷重が加えられる間に、チップ3の沈込み量の監視が可能であり、このチップ3の沈込み量に基づき、製品の良否判定を実行することができる。
【0025】
なお、本発明は、例示された実施の形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の改良及び設計上の変更が可能であることは言うまでもない。
【0026】
【発明の効果】
本願の第1の発明によれば、ロードセルによって現在のボンディング荷重を把握し、その目標荷重への到達度に基づきモータへの出力電圧を算出し出力を行なうので、目標荷重への到達までの制御が可能となり、これにより、チップへの荷重衝撃を抑制しチップの安全を確保することができる。
【0027】
また、本願の第2の発明によれば、バネの弾性力の増大に伴うボンディング荷重の誤差を補正することができ、チップに対して正確なボンディング荷重を加えることが可能となる。
【0028】
更に、本願の第3の発明によれば、ロードセルによって現在のボンディング荷重を把握し、その目標荷重への到達度に基づきモータへの出力電圧を算出し出力を行なうので、目標荷重への到達までの制御が可能となり、これにより、チップへの荷重衝撃を抑制しチップの安全を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係るダイボンディング装置により装備されたボンディングツールを概略的に示す側面図である。
【図2】(a)時間−モータ出力電圧の関係をあらわすグラフである。
(b)時間−フィードバック値の関係をあらわすグラフである。
【図3】本発明の実施の形態2に係るダイボンディング装置により装備されたボンディングツールを概略的に示す側面図である。
【図4】バネ伸び量−ボンディング荷重のフィードバック値の関係をあらわすグラフである。
【符号の説明】
2 ボンディングヘッド,3 チップ,6 バネ,10,20 ボンディングツール,11 押下げ部材,12 ロードセル,15 CPU,17 モータ,18 基材,22 リニアスケール。

Claims (3)

  1. 所定のチップを基材上に搭載するに際し、チップを吸着保持しつつ、ボンディング位置まで移動させ、基材の表面に対して固着させるボンディングツールを備えたダイボンディング装置において、
    上記ボンディングツールが、
    その先端側でチップを吸着保持し、該チップに対してその上方よりボンディング荷重を加えるボンディングヘッドと、
    上記ボンディングヘッドがチップに対してボンディング荷重を加えるように、該ボンディングヘッドを下方に駆動させるモータと、
    上記チップに対して加えられるボンディング荷重を検出するロードセルと、
    上記ロードセルにより検出されるボンディング荷重がフィードバックされ、該ボンディング荷重に基づき、上記モータへ出力する指令電圧を逐次算出し、該ボンディング荷重の増大に応じて、該モータへの出力電圧が漸次的に低減するように、該モータを速度制御する制御手段と、を有していることを特徴とするダイボンディング装置。
  2. 上記ボンディングヘッドを吊下げ支持し、該ボンディングヘッドの自重をキャンセルするバネと、該バネの伸び量を検出するリニアスケールとが設けられており、
    上記制御手段が、上記リニアスケールからフィードバックされるバネの伸び量の増大に応じて、上記ボンディングヘッドのボンディング荷重に該バネの弾性力が影響しないように、上記モータを速度制御することを特徴とする請求項1記載のダイボンディング装置。
  3. 請求項1又は2に記載のダイボンディング装置を用いたダイボンディング方法において、
    上記ボンディングヘッドのチップに対するボンディング荷重を検出し、
    検出されたボンディング荷重に基づき、上記モータへ出力する指令電圧を逐次算出して、該ボンディング荷重の増大に応じて、該モータへの出力電圧が漸次的に低減するように、該モータを速度制御することを特徴とするダイボンディング方法。
JP2002366628A 2002-12-18 2002-12-18 ダイボンディング装置及びそれを用いたダイボンディング方法 Pending JP2004200379A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002366628A JP2004200379A (ja) 2002-12-18 2002-12-18 ダイボンディング装置及びそれを用いたダイボンディング方法
US10/453,605 US20040121513A1 (en) 2002-12-18 2003-06-04 Die bonding apparatus and method of die bonding with the apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002366628A JP2004200379A (ja) 2002-12-18 2002-12-18 ダイボンディング装置及びそれを用いたダイボンディング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004200379A true JP2004200379A (ja) 2004-07-15

Family

ID=32588317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002366628A Pending JP2004200379A (ja) 2002-12-18 2002-12-18 ダイボンディング装置及びそれを用いたダイボンディング方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20040121513A1 (ja)
JP (1) JP2004200379A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006185941A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Juki Corp 電子部品圧着搭載装置
JP2010123825A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Panasonic Corp 部品実装装置および部品実装方法
US8460491B1 (en) 2012-01-31 2013-06-11 Hitachi High-Tech Instruments Co., Ltd. Die bonder and bonding method
KR101972741B1 (ko) * 2018-07-31 2019-04-25 위재우 반도체 칩 패키지용 다이 어태치장치
JP2019096670A (ja) * 2017-11-20 2019-06-20 キヤノンマシナリー株式会社 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2020177981A (ja) * 2019-04-16 2020-10-29 オムロン株式会社 制御装置および実装装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8651159B2 (en) * 2009-06-12 2014-02-18 Asm Assembly Automation Ltd Die bonder providing a large bonding force
US7845543B1 (en) * 2009-11-17 2010-12-07 Asm Assembly Automation Ltd Apparatus and method for bonding multiple dice

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2001A (en) * 1841-03-12 Sawmill
US9A (en) * 1836-08-10 Thomas Blanchard Method of riveting plank or made blocks
JPH08279697A (ja) * 1995-04-10 1996-10-22 Fuji Mach Mfg Co Ltd 電子部品装着ヘッド,電子部品装着装置および電子部品装着方法
JP3328878B2 (ja) * 1998-10-26 2002-09-30 澁谷工業株式会社 ボンディング装置
KR100392229B1 (ko) * 2001-01-09 2003-07-22 미래산업 주식회사 반도체 소자 테스트 핸들러의 인덱스헤드

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006185941A (ja) * 2004-12-24 2006-07-13 Juki Corp 電子部品圧着搭載装置
JP2010123825A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Panasonic Corp 部品実装装置および部品実装方法
US8460491B1 (en) 2012-01-31 2013-06-11 Hitachi High-Tech Instruments Co., Ltd. Die bonder and bonding method
KR20130088702A (ko) 2012-01-31 2013-08-08 가부시끼가이샤 히다찌 하이테크 인스트루먼츠 다이 본더 및 본딩 방법
JP2019096670A (ja) * 2017-11-20 2019-06-20 キヤノンマシナリー株式会社 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
KR101972741B1 (ko) * 2018-07-31 2019-04-25 위재우 반도체 칩 패키지용 다이 어태치장치
JP2020177981A (ja) * 2019-04-16 2020-10-29 オムロン株式会社 制御装置および実装装置
JP7120140B2 (ja) 2019-04-16 2022-08-17 オムロン株式会社 制御装置および実装装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20040121513A1 (en) 2004-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3817207B2 (ja) 実装処理装置及び該実装処理装置の制御装置
WO2016129151A1 (ja) 実装装置及び実装装置の制御方法
US20090255979A1 (en) Ultrasonic mounting apparatus
JP3328878B2 (ja) ボンディング装置
JPH0613416A (ja) ダイボンディング装置
JP2009027105A (ja) ボンディング装置
JP2004200379A (ja) ダイボンディング装置及びそれを用いたダイボンディング方法
US8460491B1 (en) Die bonder and bonding method
CN101998821B (zh) 吸附嘴升降装置及其负载控制方法
US20230352324A1 (en) Manufacturing apparatus of semiconductor device
TW200807580A (en) Automatic level adjustment for die bonder
JP4577941B2 (ja) チップ実装方法及びその装置
KR102558075B1 (ko) 시트 박리 장치 및 박리 방법
KR102496760B1 (ko) 시트 박리 장치 및 박리 방법
JP5412617B2 (ja) 加圧装置およびこの装置を用いた接合装置並びに加圧方法およびこの方法を用いた接合方法
JPH0951007A (ja) ダイボンド装置および半導体装置の製造方法
KR102050741B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
CN102056474B (zh) 部件安装装置
CN102014603A (zh) 吸附嘴驱动控制方法
JP4397349B2 (ja) チップボンディング装置
JP4842085B2 (ja) 部品実装装置
US20240076142A1 (en) Conveyance device, conveyance method, and non-transitory computer readable medium
US20050097728A1 (en) Contact start detecting apparatus for mounting process apparatus, and mounting process apparatus provided with the same
JP2002043335A (ja) ボンディング装置及び方法
JP2007234766A (ja) 部品実装装置