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JP2004146815A - 発光素子 - Google Patents

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JP2004146815A
JP2004146815A JP2003338951A JP2003338951A JP2004146815A JP 2004146815 A JP2004146815 A JP 2004146815A JP 2003338951 A JP2003338951 A JP 2003338951A JP 2003338951 A JP2003338951 A JP 2003338951A JP 2004146815 A JP2004146815 A JP 2004146815A
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light emitting
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lead
emitting chip
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JP2003338951A
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Akihisa Matsumoto
松本 章寿
Tatsuya Motoike
本池 達也
Toshinori Nakahara
中原 利典
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Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

【課題】 リードフレームによって放熱効率を向上させ、発光チップの高出力化を可能とすること。
【解決手段】 発光素子は、絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体1と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップ11とを備える。リードフレームには、枠体の側壁内部に位置する、又は枠体の側壁の内壁面に沿う立ち上がり部9が形成されている。リードフレームは発光チップを固定する第1リードフレームと、発光チップにワイヤボンディングで接続される第2リードフレームとを含み、少なくとも第1リードフレームに立ち上がり部が形成されている。
【選択図】    図1

Description

 本発明は発光チップとリードフレームとを組み合わせた発光素子に関する。
 発光素子の中に、フレームタイプと呼ばれるものがある。フレームタイプは、絶縁材料製の枠体内に導電材料製の1対のリードフレームを固定し、一方のリードフレームに半導体素子を固定し、この半導体素子をワイヤボンディングによって他方のリードフレームに接続したものである。特許文献1にリードフレームに半導体レーザ素子を固定した発光素子の例を見ることができる。特許文献2にはリードフレームに発光ダイオードを固定した発光素子の例を見ることができる。
 半導体レーザは、光学的記録媒体への情報の書き込み、あるいはそこからの情報の読み出しに広く用いられている。最近では光ディスクの大容量化によって読み書きの情報量が急激に増大し、半導体レーザも高出力化の要請を受けるようになった。
 半導体レーザの出力を高めると、発熱量も増す。発光素子が高温になると、半導体レーザを囲む枠体が変形したり、変色したりするという不都合が生じる。そのため、熱対策の強化が求められる。発光素子として発光ダイオードを用いる場合も高出力化に伴って同様の問題がある。
 熱対策として一般的に考えられるのは、リードフレームの面積を増大して放熱を良くすることである。しかしながらリードフレームの面積を単純に増大すると、増大部分が枠体からはみ出すことがある。枠体からはみ出した部分には絶縁処置を施さねばならず、工程が増えてコストアップ要因になる。絶縁処置を回避するため、増大部分まで含めてリードフレーム全体を枠体で囲むこととすると、全体が大型化する。これは部品の小型化に逆行するものである。
特開平3−188692号公報 特開2003−152228号公報
 本発明は上記の問題に鑑みなされたものであり、発光チップをリードフレームで覆う形にして枠体の変形や変色を防止するとともに、リードフレームによって放熱効率を向上させ、発光チップの高出力化を可能とすることを目的とする。
 本発明の発光素子は、請求項1に記載のように、絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、前記リードフレームは、前記発光チップを固定する第1リードフレームと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第2リードフレームとを含み、前記第1リードフレームには、その両側辺を折り曲げることにより前記枠体の側壁内部に位置する立ち上がり部が形成されていることを特徴とする。
 この構成によれば、第1リードフレームに固定した発光チップの発する熱をリードフレームの立ち上がり部から放熱し、枠体の温度上昇を抑えることができる。これにより、枠体の変形や変色が防止されるので、これらを気にかけることなく発光チップの高出力化を図ることができる。
 本発明の発光素子は、請求項2に記載のように、絶縁材料により形成され、内側に空間部を有し、その空間部を四方の側壁によって囲む箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、リードフレームは、前記発光チップを固定する第1リードフレームと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第2リードフレームとを含み、前記第1リードフレームには、前記枠体の少なくとも三方の側壁の内壁面に沿った立ち上がり部が形成され、前記第2リードフレームには、前記第1リードフレームの立ち上がり部によって覆われた側壁以外の側壁を覆う立ち上がり部が形成されたことを特徴とする。
 この構成によれば、前記枠体の少なくとも三方の側壁の内壁面に沿った立ち上がり部が形成されているので、発光チップの発する熱をより速やかに放熱することができる。
 本発明の発光素子は、請求項3に記載のように、絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されて前記空間部に臨む第1リードフレーム及び第2リードフレームと、前記第1リードフレームに固定される発光チップとを備え、前記第1リードフレームには、前記空間部を囲む四方の側壁のうち、対向する2側壁にわたって延在する立ち上がり部を形成するとともに、前記第2リードフレームは前記第1リードフレームと上下方向に間隔を置いて重なるものとし、この第2リードフレームに前記発光チップをワイヤボンディングで接続したことを特徴とする。
 この構成によれば、何らかの理由により立ち上がり部の数を少なくせざるを得なくなったとしても、第1リードフレームの立ち上がり部が長いので必要な放熱面積を確保することができる。

 本発明の発光素子は、請求項4に記載のように、絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、前記リードフレームは、前記発光チップを固定する第1リードと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第2リードとを含み、前記空間部の内周面に、前記第1リード及び第2リードから小間隔を置いて、第1リード及び第2リードを短絡することのないように固定された金属製反射枠とを備えたことを特徴とする。
 この構成によれば、発光チップの発する熱をリードや反射枠を通じて効率的に放熱することができる。
 本発明によれば、放熱性が改善され、発光チップの高出力化を図ることができる。
 以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
 図1、2に本発明の第1実施形態を示す。図1は発光素子の断面図、図2は図1の発光素子に用いられたリードフレームの斜視図である。
 発光素子はエポキシ樹脂などの絶縁材料からなる箱形の枠体1を備える。枠体1は、四方(前後左右方向)の側壁2、3、4、5により、上部が開放した空間部6をその内側に形成している。枠体1には第1リードフレーム7と第2リードフレーム8を固定する。第1、第2リードフレーム7、8は銅、鉄、アルミニウムなどの導電材料からなり、枠体1の成型時に一体に組み合わされる。
 図2に見られるとおり、第1リードフレーム7と第2リードフレーム8は互いにほぼ対称形状であり、各々両側辺を上方に折り曲げて、第1リードフレーム7にあっては立ち上がり部9、9を、第2リードフレーム8にあっては立ち上がり部10、10を、それぞれ形成している。立ち上がり部9、9及び10、10は、枠体1の成型時、側壁2、3の内部に位置するように埋め込まれ、これによって第1、第2リードフレーム7、8は枠体1に固定される。
 第1リードフレーム7の底面部12に発光チップ11が固定される。発光チップ11はワイヤボンディング13によって第2リードフレーム8に接続されている。
 発光チップ11の発生する熱は第1リードフレーム7に伝わる。高温になった第1リードフレーム7は立ち上がり部9、9を通じて枠体1の外部の空間に放熱を行う。すなわち第1リードフレーム7に伝わった熱は外部空間に強制的に放熱される。また第2リードフレーム8は空間部6から熱を受け取り、立ち上がり部10、10を通じて枠体1の外部の空間に放熱する。上記の放熱作用により、枠体1の温度上昇が抑えられ、枠体1の変形や変色を防止することができる。従って、枠体1の変形や変色を気にかけることなく、発光チップ11の高出力化を図ることができる。
 立ち上がり部9、9、10、10を成形するについては、第1、第2リードフレーム7、8の成形工程に折り曲げ工程を追加するだけでよく、製作容易である。
 図2の構成では、第1リードフレーム7、第2リードフレーム8ともに立ち上がり部を設けている。この構成に代え、立ち上がり部を設けるのは一方のリードフレームのみにとどめ、ただしその立ち上がり部には延長部を設けて全長を長くすることもできる。かかるリードフレームの変形例を図3に示す。
 図3の構成においては、第2リードフレーム8は立ち上がり部を有しない。その代わり第1リードフレーム7の立ち上がり部9、9には、図2における第2リードフレーム8の立ち上がり部10、10をも含むように延びる延長部14、14が形成されている。すなわち立ち上がり部9、9は側壁2、3とほぼ同じ長さを有し、対向する2側壁4、5にわたって延在している。このように大面積となった立ち上がり部9、9から放熱が行われるので、第2リードフレーム8から立ち上がり部が削除された分を補って余りある放熱効率を得ることができる。
 図4に本発明の第2実施形態を示す。図4は発光素子の断面図である。
 第2実施形態においては、発光素子は図2又は図3と同様形状の第1リードフレーム7と第2リードフレーム8を備える。ただし第1、第2リードフレーム7、8の立ち上がり部9、9、10、10は、側壁2、3の内部にではなく、側壁2、3の内壁面に沿い、内壁面に密着する形で設けられている。立ち上がり部9、9、10、10は発光チップ11と直接向かい合うことになり、発光チップ11の発する熱をより速やかに放熱することができる。
 図5、6に本発明の第3実施形態を示す。図5は発光素子の断面図、図6は図5の発光素子に用いられたリードフレームの斜視図である。
 第3実施形態においては、発光素子の第1リードフレーム7と第2リードフレーム8は互いにほぼ対称形状であって、次のように構成されている。すなわち第1リードフレーム7は、底面部12と、その両側辺を上方に折り曲げた立ち上がり部9、9と、両側辺と直交する端辺18を上方に折り曲げた立ち上がり部20と、立ち上がり部20から突出するリード部16を備える。第2リードフレーム8は、底面部15と、その両側辺を上方に折り曲げた立ち上がり部10、10と、両側辺と直交する端辺19を上方に折り曲げた立ち上がり部21と、立ち上がり部21から突出するリード部17を備える。
 第1リードフレーム7の立ち上がり部9、9、20は、側壁2、3、4の内壁面に沿い、内壁面に密着する形で設けられている。第2リードフレーム8の立ち上がり部10、10、21は、側壁2、3、5の内壁面に沿い、内壁面に密着する形で設けられている。このようにして、四方の側壁2、3、4、5はすべて内壁面を立ち上がり部で覆われる。
 リード部16、17は、図5に示すように、側壁4、5の比較的上方の位置にあり、側壁4、5を貫通して枠体1の外側に引き出される。
 枠体1の四方の側壁2、3、4、5の内壁面に沿って立ち上がり部9、9、10、10、20、21が形成されているので、これらの立ち上がり部により、発光チップ11の発する熱は四方への輻射を阻止される。これにより熱の拡散が防止される。
 上記のように枠体1の四方の側壁に沿って立ち上がり部を形成するのでなく、四方の内の三方の側壁に沿って立ち上がり部を形成することとしてもよい。そのようにすれば、発光チップ11の発する熱は三方の立ち上がり部によりその三方への輻射を阻止される。これにより熱の拡散が防止される。
 発光チップ11を固定する第1リードフレーム7に、三方の側壁2、3、4に沿う立ち上がり部9、9、20が形成されているので、少なくともこれら三方の立ち上がり部により、高温となる第1リードフレーム7から強制的に放熱が行われ、枠体1の温度上昇を効果的に抑えることができる。
 立ち上がり部9、9、10、10、20、21を成形するについては、第1、第2リードフレーム7、8の成形工程に折り曲げ工程を追加するだけでよく、製作容易である。
 図6の構成では、第1リードフレーム7、第2リードフレーム8ともに両側辺を上方に折り曲げて立ち上がり部を形成している。この構成に代え、両側辺に立ち上がり部を設けるのは一方のリードフレームのみにとどめ、ただしその立ち上がり部には延長部を設けて全長を長くすることもできる。かかるリードフレームの変形例を図7に示す。
 図7の構成においては、第2リードフレーム8は両側辺には立ち上がり部を有さず、端辺側に立ち上がり部21を残すのみである。その代わり第1リードフレーム7の立ち上がり部9、9には、図6における第2リードフレーム8の立ち上がり部10、10をも含むように延びる延長部22、23が形成されている。すなわち立ち上がり部9、9は側壁2、3とほぼ同じ長さを有し、対向する2側壁4、5にわたって延在している。これにより側壁2、3、4、5はすべて、立ち上がり部9、9、20、21によって内壁面を覆われることになる。
 第2リードフレーム8の立ち上がり部21は、第1リードフレーム7の立ち上がり部9、9、20によって覆われた側壁(側壁2、3、4)以外の側壁(側壁5)を覆う。このように、第1リードフレーム7と第2リードフレーム8が側壁2、3、4、5の内壁面を覆う役割を分担するものとすれば、リードフレームの寸法的制限や枠体1の外形寸法などの要因に応じる形で第1、第2リードフレーム7、8に配分する立ち上がり部の数を設定し、放熱の最適化を図ることができる。
 図8に本発明の第4実施形態を示す。図8は発光素子の断面図である。
 第4実施形態においては、第1リードフレーム7の底面部に延長部24が形成されている。延長部24は側壁2、3、4、5で囲まれた空間部6を通り、対向する側壁である側壁5の内壁面に達する。第2リードフレーム8は、第1リードフレーム7の上方に重なる形で側壁5に固定され、そのリード部17は側壁5を貫通している。第1リードフレーム7と第2リードフレーム8の間には上下方向に間隔Wが置かれている。
 第1リードフレーム7の両側辺には、図7の第1リードフレーム7と同様、側壁2、3とほぼ同じ長さを有し、対向する2側壁4、5にわたって延在する立ち上がり部9、9(図示せず)が形成されている。
 第4実施形態の構成によれば、枠体1の寸法を大きくすることなしに第1リードフレーム7の面積を大きく設定することができる。何らかの理由により、立ち上がり部の数を少なくせざるを得なくなったとしても、第1リードフレーム7に設けた延長部により放熱領域を増やし、放熱量を確保することができる。また、第2リードフレーム8が第1リードフレーム7の上方に配置されているので、発光チップ11のワイヤボンディングが容易である。
 上記第1〜第4のいずれの実施形態においても、第1リードフレーム7の底面部上に発光チップ11を固定したものであり、第1リードフレーム7単独で、あるいは第1リードフレーム7と第2リードフレーム8が協働して、発光チップ11を囲んでいる。
 上記第1〜第4の実施形態において、空間部6は空気で満たされた状態とすることもできるし、後述するように光透過性の樹脂によって満たされた状態とすることもできる。
 図9〜16に本発明の第5実施形態を示す。図9は発光素子の断面図、図10はリードフレームの平面図、図11は発光素子の製造過程中の一段階を示す平面図、図12は図11のA−A線を切断ラインとした断面図、図13は同じくB−B線を切断ラインとした断面図、図14は発光素子の製造過程中の一段階を示す平面図で、図11よりさらに進んだ段階におけるもの、図15は図14のC−C線を切断ラインとした断面図、図16は同じくD−D線を切断ラインとした断面図である。
 第5実施形態の発光素子は、合成樹脂(絶縁材料)により形成された箱形の枠体に金属製リードを組み合わせたパッケージ100を備える。パッケージ100の製作にあたっては、まず図10に示すようなリードフレーム101を用意する。リードフレーム101は帯状の金属板をプレス加工して穴を打ち抜き、一定ピッチで繰り返されるリードパターンを形成したものである。リードフレーム101を折り曲げることなくフラットな状態に保ち、その状態で所定箇所に合成樹脂の枠体102を射出成型する。いわゆるインサート成型を行うことになる。このようにして図11〜13に示すパッケージ100を形成した後、パッケージ100にチップボンディング及びワイヤボンディングを行い、最終段階でリードを切り離して発光素子を完成させる。なおリードの切り離しはプレスで行うこともできるし、他の手法で行うこともできる。
 枠体102の材料としては明度の高い(例えば白色の)合成樹脂を用いる。枠体102の角の一つには図11に見られるような平面形状三角形の凹部103を形成する。凹部103は極性の識別のためのものである。
 最終段階で切り離された後に枠体102に残るリードは計6個である。3個は第1リード104a、104b、104cであり、残る3個は第2リード105a、105b、105cである。第1リード104aは第2リード105aと向き合い、第1リード104bは第2リード105bと向き合い、第1リード104cは第2リード105cと向き合う。リード相互の間には絶縁のためのギャップが設けられる。
 枠体102には空間部106が設けられる。空間部106は、平面形状は四角形であるが、その断面は上方に向かって開くテーパ状を呈しており、全体として四角錐台を倒立させた形状になっている。第1リード104a、104b、104c及び第2リード105a、105b、105cは、それぞれ一端を空間部106の底面上に置き、他端を枠体102の外に突き出す形で、枠体102に固定されている。
 空間部106の底には、側面をなす斜面が底面と交わる箇所に、内フランジ部107が形設されている。内フランジ部107は第1リード104a、104b、104c及び第2リード105a、105b、105cの上にかぶさるものであり、その厚さはリードよりも薄い。
 発光チップから発せられる光を効率良く出射するため、空間部106の内周面に金属製の反射枠108を固定する。反射枠108は空間部106と同じく上方に向かって開くテーパ状断面を有し、空間部106の内周面に密着する形で固定されている。反射枠108の固定は、例えば枠体102との間に凹凸係合部を設けることにより行うことができる。接着剤を使用してもよい。あるいは、何らかの手段により仮止めしておき、後述するモールド樹脂によって本固定してもよい。内フランジ部107は、反射枠108の下端の位置決め、及び反射枠108によりリード間が短絡されるのを防止する役割を果たす。
 反射枠108の素材は、リードと同じでもよく、異なっていてもよい。いずれにせよ、内面には光の反射率を高める表面処理を施すのが望ましい。また反射枠108の厚さはリードの厚さの半分以上とするのが望ましい。これは放熱性を確保するためである。
 上記のように構成されたリードフレームタイプのパッケージ100に3個の発光チップ110をチップボンディングで固定する。発光チップ110は第1リード104a、104b、104cに1個ずつ固定されたうえ、第2リード105a、105b、105cにそれぞれ配線用ワイヤ111でワイヤボンディングされる。発光チップ110は光の3原色(RGB)の1原色ずつを放つものであり、3個1組でフルカラー表示が可能である。
 チップボンディング及びワイヤボンディングを終えた状態を図14〜16に示す。この後、空間部106に光透過性を有するモールド樹脂112を流し込み(図9参照)、硬化させる。そしてリードの切り離しを行い、発光素子が完成する。
 枠体102の外底面にはリード受け入れ用の凹部109を形成し、この凹部108の中に、第1リード104a、104b、104c及び第2リード105a、105b、105cの枠体外突き出し部分を曲げ込んで、枠体102の外底面とリードの折り曲げ部とをほぼ面一にする。これにより、発光素子の占有面積が小さくなるとともに、表面実装が可能になる。
 この発光素子は、発光チップ110の放つ光を反射枠108で反射し、効率良く外部に取り出すことができる。また、複数の発光色を効果的に混合することができる。発光チップ110の発する熱はリードを通じて外部に放熱されるとともに、金属製の反射枠108の端が短い距離(すなわち内フランジ部107の厚さ)を隔ててリードに向き合っているので、反射枠108にもリードから熱が伝わる。そのため反射枠108を通じての放熱も生じ、全体としての放熱効率が良い。
 またパッケージ100の製作にあたり、折り曲げ部のないフラットなリードフレーム101に枠体102を射出成型するので、予め折り曲げてあるリードをインサート成型する場合に比べ、樹脂漏れが少なく、製造がしやすい。
 第5実施形態では枠体の平面形状が四角形になっているが、これに限定されるものではない。四角形以外の多角形であってもよく、円や楕円であってもよい。また発光チップの数を3個としたが、1個、2個、4個、あるいはそれ以上と、どのような数でもよい。この他、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えて実施することができる。
 本発明は、絶縁材料製の枠体内に導電材料製の1対のリードフレームを固定し、一方のリードフレームに発光チップを固定する型式の発光素子に広く利用可能である。
本発明の第1実施形態に係る発光素子の断面図である。 第1実施形態に係る発光素子のリードフレームの斜視図である。 第1実施形態に係る発光素子のリードフレームの変形例を示す斜視図である。 本発明の第2実施形態に係る発光素子の断面図である。 本発明の第3実施形態に係る発光素子の断面図である。 第3実施形態に係る発光素子のリードフレームの斜視図である。 第3実施形態に係る発光素子のリードフレームの変形例を示す斜視図である。 本発明の第4実施形態に係る発光素子の断面図である。 本発明の第5実施形態に係る発光素子の断面図である。 第5実施形態に係る発光素子で用いられるリードフレームの平面図である。 第5実施形態に係る発光素子の製造過程中の一段階を示す平面図である。 第5実施形態に係る発光素子の断面図で、図11のA−A線を切断ラインとしたときのものである。 第5実施形態に係る発光素子の断面図で、図11のB−B線を切断ラインとしたときのものである。 第5実施形態に係る発光素子の製造過程中の一段階を示す平面図で、図11よりさらに進んだ段階におけるものである。 第5実施形態に係る発光素子の断面図で、図14のC−C線を切断ラインとしたときのものである。 第5実施形態に係る発光素子の断面図で、図14のD−D線を切断ラインとしたときのものである。
符号の説明
 1 枠体
 ・ 側壁
 6 空間部
 7 第1リードフレーム
 8 第2リードフレーム
 9、10 立ち上がり部
 11 発光チップ

Claims (6)

  1.  絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、前記リードフレームは、前記発光チップを固定する第1リードフレームと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第2リードフレームとを含み、前記第1リードフレームには、その両側辺を折り曲げることにより前記枠体の側壁内部に位置する立ち上がり部が形成されていることを特徴とする発光素子。
  2.  絶縁材料により形成され、内側に空間部を有し、その空間部を四方の側壁によって囲む箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、リードフレームは、前記発光チップを固定する第1リードフレームと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第2リードフレームとを含み、前記第1リードフレームには、前記枠体の少なくとも三方の側壁の内壁面に沿った立ち上がり部が形成され、前記第2リードフレームには、前記第1リードフレームの立ち上がり部によって覆われた側壁以外の側壁を覆う立ち上がり部が形成されたことを特徴とする発光素子。
  3.  絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されて前記空間部に臨む第1リードフレーム及び第2リードフレームと、前記第1リードフレームに固定される発光チップとを備え、前記第1リードフレームには、前記空間部を囲む四方の側壁のうち、対向する2側壁にわたって延在する立ち上がり部を形成するとともに、前記第2リードフレームは前記第1リードフレームと上下方向に間隔を置いて重なるものとし、この第2リードフレームに前記発光チップをワイヤボンディングで接続したことを特徴とする発光素子。
  4.  絶縁材料により形成され、内側に空間部を有する箱形の枠体と、導電材料により形成され、前記枠体に固定されるリードフレームと、このリードフレームに固定される発光チップとを備え、前記リードフレームは、前記発光チップを固定する第1リードと、前記発光チップをワイヤボンディングにより接続する第2リードとを含み、前記空間部の内周面に、前記第1リード及び第2リードから小間隔を置いて、第1リード及び第2リードを短絡することのないように固定された金属製反射枠とを備えたことを特徴とする発光素子。
  5.  前記空間部の中に複数の発光チップを配置し、前記第1リードと第2リードも発光チップと同数ずつ配置するものとしたことを特徴とする請求項4に記載の発光素子。
  6.  前記枠体の外底面にリード受け入れ用の凹部を形成し、この凹部の中に、前記第1リードと第2リードの枠体外突き出し部分を曲げ込むものとした請求項4又は5に記載の発光素子。
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Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006134992A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2008053726A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
JP2008140792A (ja) * 2006-11-29 2008-06-19 Fujitsu Ltd 電子部品及びその製造方法及び電子部品組立体及び電子装置
JP2008166332A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Hitachi Cable Precision Co Ltd 発光素子実装パッケージ用リードフレームおよびその製造方法
JP2009176962A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2010021259A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp 光半導体装置
KR20100063591A (ko) * 2008-12-03 2010-06-11 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 갖는 백라이트 유닛
JP2010525569A (ja) * 2007-04-19 2010-07-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニット
JP2012049348A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
KR20140074367A (ko) * 2011-09-29 2014-06-17 오스람 게엠베하 광전자 반도체 소자
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
JP2014533886A (ja) * 2011-11-21 2014-12-15 李栄宝 ライン型led
US9035439B2 (en) 2006-03-28 2015-05-19 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
EP2372794A3 (en) * 2010-04-01 2015-12-23 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device, display device and lighting system having the same
KR101670968B1 (ko) * 2010-01-07 2016-10-31 서울반도체 주식회사 Led 패키지
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9722158B2 (en) 2009-01-14 2017-08-01 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Aligned multiple emitter package
JP2018056535A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018093197A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation 発光装置
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP2019079937A (ja) * 2017-10-25 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
CN115132690A (zh) * 2022-06-29 2022-09-30 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种强化塑封强度的引线框架及其应用和一种封装方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677604A (ja) * 1992-08-26 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JPH1070306A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Sharp Corp 光結合型リレー装置
JP2000174350A (ja) * 1998-12-10 2000-06-23 Toshiba Corp 光半導体モジュール
JP2002252373A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2003152228A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Led用ケース及びled発光体
JP2004063494A (ja) * 2002-07-24 2004-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677604A (ja) * 1992-08-26 1994-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JPH1070306A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Sharp Corp 光結合型リレー装置
JP2000174350A (ja) * 1998-12-10 2000-06-23 Toshiba Corp 光半導体モジュール
JP2002252373A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2003152228A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd Led用ケース及びled発光体
JP2004063494A (ja) * 2002-07-24 2004-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法

Cited By (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006134992A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US9035439B2 (en) 2006-03-28 2015-05-19 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
JP2008053726A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
US7999280B2 (en) 2006-08-23 2011-08-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface
JP2008140792A (ja) * 2006-11-29 2008-06-19 Fujitsu Ltd 電子部品及びその製造方法及び電子部品組立体及び電子装置
JP2008166332A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Hitachi Cable Precision Co Ltd 発光素子実装パッケージ用リードフレームおよびその製造方法
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9018644B2 (en) 2007-04-19 2015-04-28 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US8994038B2 (en) 2007-04-19 2015-03-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US8299474B2 (en) 2007-04-19 2012-10-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US8536586B2 (en) 2007-04-19 2013-09-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US9666775B2 (en) 2007-04-19 2017-05-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
JP2012109611A (ja) * 2007-04-19 2012-06-07 Lg Innotek Co Ltd 半導体ダイオードパッケージ及びその製造方法
US8692262B2 (en) 2007-04-19 2014-04-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US9559275B2 (en) 2007-04-19 2017-01-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
JP2010525569A (ja) * 2007-04-19 2010-07-22 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光デバイスパッケージ及びこれを備えるライトユニット
JP2017011307A (ja) * 2007-04-19 2017-01-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光デバイスパッケージ
US9252347B2 (en) 2007-04-19 2016-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
JP2012109612A (ja) * 2007-04-19 2012-06-07 Lg Innotek Co Ltd 半導体ダイオードパッケージ及びその製造方法
US8890176B2 (en) 2007-04-19 2014-11-18 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and light unit having the same
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US11791442B2 (en) 2007-10-31 2023-10-17 Creeled, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US10892383B2 (en) 2007-10-31 2021-01-12 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP2009176962A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2010021259A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp 光半導体装置
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
KR20100063591A (ko) * 2008-12-03 2010-06-11 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 갖는 백라이트 유닛
KR101586023B1 (ko) 2008-12-03 2016-01-18 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 갖는 백라이트 유닛
US9722158B2 (en) 2009-01-14 2017-08-01 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Aligned multiple emitter package
KR101670968B1 (ko) * 2010-01-07 2016-10-31 서울반도체 주식회사 Led 패키지
EP2372794A3 (en) * 2010-04-01 2015-12-23 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device, display device and lighting system having the same
JP2012049348A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置
US9437792B2 (en) 2011-09-29 2016-09-06 Osram Gmbh Optoelectronic semiconductor component
KR20140074367A (ko) * 2011-09-29 2014-06-17 오스람 게엠베하 광전자 반도체 소자
KR101588617B1 (ko) 2011-09-29 2016-01-26 오스람 게엠베하 광전자 반도체 소자
JP2014533886A (ja) * 2011-11-21 2014-12-15 李栄宝 ライン型led
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US10121949B2 (en) 2016-09-30 2018-11-06 Nichia Corporation Light emitting device
JP2018056535A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018093197A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation 発光装置
KR20200067977A (ko) * 2016-12-01 2020-06-15 에피스타 코포레이션 발광장치
JP7079599B2 (ja) 2016-12-01 2022-06-02 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
KR102506250B1 (ko) 2016-12-01 2023-03-03 에피스타 코포레이션 발광장치
JP7140956B2 (ja) 2017-10-25 2022-09-22 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
JP2019079937A (ja) * 2017-10-25 2019-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
CN115132690A (zh) * 2022-06-29 2022-09-30 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种强化塑封强度的引线框架及其应用和一种封装方法

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