JP2004134573A - Semiconductor device and its manufacturing process - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、リードレス表面実装形樹脂封止パッケージを備えた半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造に利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
リードレス表面実装形樹脂封止パッケージを備えたICとして、樹脂突起が樹脂封止体の一主面である実装面に一体的に突設されており、この樹脂突起には金属膜からなる端子が被着されて形成されているものがあり、このリードレス表面実装形樹脂封止パッケージを備えたICの製造方法として、リードフレームに凹部を予め没設する工程と、この凹部に金属膜を選択的に被着する工程とを備えているものがある(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−150143号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
前記したリードレス表面実装形樹脂封止パッケージを備えたICの製造方法においては、金属膜を有する樹脂突起が突設された樹脂封止体をリードフレームから分離するのに、リードフレームをエッチングによって溶解して除去する方法か、または、樹脂封止体をリードフレームから機械的に引き剥がす方法が、採用される。しかしながら、リードフレームをエッチングによって除去する分離方法においては、エッチング処理が必要になるために、樹脂封止体をリードフレームから分離する工程に要する手間が増大するという問題点がある。また、樹脂封止体をリードフレームから機械的に引き剥がす方法においては、金属膜がリードフレームに残ってしまうために、外部端子が欠落してしまうという問題点がある。
【0005】
本発明の目的は、エッチング処理を使用せずに済むとともに、外部端子の欠落を防止することができるリードレス表面実装形樹脂封止パッケージを備えた半導体装置の製造技術を提供することにある。
【0006】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。
【0008】
すなわち、半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップを樹脂封止した樹脂封止体と、この樹脂封止体の一主面において面一に露出した外部端子とを備えており、前記半導体チップと前記外部端子とが前記樹脂封止体の内部において電気的に接続されていることを特徴とする。
【0009】
この半導体装置は次の製造方法によって製造することができる。
すなわち、一主面に複数個の電極パッドを有する半導体チップが準備される半導体チップ準備工程と、
導電性基板の一主面にテープを接着した後に前記導電性基板を選択的にパターニングすることにより、チップマウント部および複数個の端子を有する複数の端子群がフレームの内部空間に配列されたマルチ端子群フレームが準備される端子群フレーム準備工程と、
前記半導体チップが前記マルチ端子群フレームの複数の端子群におけるチップマウント部のそれぞれにボンディングされるチップボンディング工程と、
前記半導体チップの各電極パッドと前記各端子との間に各ワイヤがそれぞれ橋絡されるワイヤボンディング工程と、
前記テープの上のフレームの内部空間に封止樹脂が充填されて樹脂封止体が成形される樹脂封止体成形工程と、
前記テープが樹脂封止体から除去されるテープ除去工程と、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0011】
図1に示されているように、本実施の形態に係るリードレス表面実装形樹脂封止パッケージを備えたIC(以下、リードレス表面実装形ICという。)の製造方法は、チップ準備工程K1、マルチ端子群フレーム準備工程K2、チップボンディング工程K3、ワイヤボンディング工程K4、樹脂封止体成形工程K5、テープ除去工程K6、半田ディップ工程K7、樹脂封止体切断工程K8を備えている。以下、本実施の形態に係るリードレス表面実装形ICの製造方法を各工程の順序に沿って説明する。この説明により、本実施の形態に係るリードレス表面実装形ICの構成が共に明らかにされる。
【0012】
図1に示されたチップ準備工程K1はICの製造方法の所謂前工程によって構成されている。すなわち、ICの製造方法における所謂前工程において半導体ウエハの状態にて、システムLSI等の半導体素子を含む集積回路がマトリックス形状に画成された各チップ部毎に作り込まれる。集積回路を作り込まれた半導体ウエハはダイシング工程において、図2に示されたチップに分断される。本実施の形態に係るチップ1は正方形の平板形状に形成されており、チップ1のアクティブエリア側の主面には保護膜2が被着されており、保護膜2にはアクティブエリアに電気的に接続された電極パッド(以下、パッドという。)3が多数個、四辺においてそれぞれ端辺に沿って二列に配置されて露出されている。
【0013】
図1に示されているように、マルチ端子群フレーム準備工程K2はテープ接着工程K2aとパターニング工程K2bとを備えている。テープ接着工程K2aにおいては導電性基板11と接着テープ13とが準備される。図3に示されているように、導電性基板11は銅系材料(銅または銅合金)等の導電性の良好な材料が用いられて、長方形の平板形状に形成されており、両方の長辺側端部には複数個の送り孔12が所定の間隔を置いて開設されている。接着テープ13はポリアミド系の基材にエポキシ系の接着剤が塗布されて構成されており、導電性基板11の一主面(以下、下面とする。)に送り孔12を残した状態で全体的に接着されている。
【0014】
パターニング工程K2bにおいては、図5に示されたパターンが導電性基板11にリソグラフィー処理およびエッチング処理によって選択的に形成されることにより、図4に示されたマルチ端子群フレーム14が製作される。マルチ端子群フレーム14は長方形の枠形状に形成されたフレーム15と、フレーム15の内部にマトリックス状に配列された複数の端子群16とを備えており、本実施の形態においては、端子群16はマルチ端子群フレーム14に横方向に七列で縦方向に三行に整列されている。フレーム15の厚さは端子群16の厚さよりも大きく設定されている。図5に示されているように、端子群16は中央部に配置されたチップマウント部17と、チップマウント部17の外側に配置された複数個の端子18とを備えており、これらチップマウント部17および複数個の端子18は接着テープ13に接着されることにより、位置決め保持された状態になっている。チップマウント部17はチップ1よりも若干大きめの正方形の平板形状に形成されており、端子群16に同心的に配置されている。複数個の端子18は後述するワイヤボンディングが可能な面積を有する正方形の平板形状にそれぞれ形成されており、チップマウント部17の外側において大小二列の正方形の枠線の上において周方向に等間隔に配列されている。
【0015】
図1に示されたチップボンディング工程K3においては、図2に示されたチップ1が図4に示されたマルチ端子群フレーム14の端子群16におけるチップマウント部17に、図6に示されているようにチップボンディングされる。すなわち、チップ1は端子群16のチップマウント部17に同心的に配置されて、銀ペーストからなるボンディング部19によって接着され、その後に、キュアベーク処理されることによって機械的かつ電気的に接続される。
【0016】
図1に示されたワイヤボンディング工程K4においては、ボンディングワイヤ5がチップ1の各パッド3と各端子18との間に超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のワイヤボンディング装置(図示せず)が使用されることにより、図7に示されているように、その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。これにより、チップ1に作り込まれた集積回路はパッド3、ボンディングワイヤ5および端子18を介して電気的に外部に引き出された状態になる。なお、チップボンディング工程K3、ワイヤボンディング工程K4において、マルチ端子群フレーム14は送り孔12が利用されて横方向にピッチ送りされる。
【0017】
図1に示された樹脂封止体成形工程K5においては、マルチ端子群フレーム14を全体的に樹脂封止する樹脂封止体21がワイヤボンディング後の図7で参照される組立体20に、ポッティングによって図8に示されているように成形される。すなわち、エポキシ樹脂等の封止樹脂がマルチ端子群フレーム14のフレーム15の内部空間にスクリーン印刷法や塗布法等によって充填された後に、キュアベーク処理されることによって樹脂封止体21が成形される。樹脂封止体21の成形に際して、マルチ端子群フレーム14の下面には接着テープ13が接着されているので、ポッティングされた封止樹脂はフレーム15の内部空間に充填されることになる。また、フレーム15の厚さがワイヤ5の全高さよりも大きく設定されていることにより、フレーム15はポッティングされた封止樹脂を塞き止めるダムの役目を果たすので、樹脂封止体21はワイヤ5群を含めてチップ1および端子18群を確実に樹脂封止(非気密封止)することができる。図8に示されている成形品22において、樹脂封止体21はマルチ端子群フレーム14に全ての端子群16を一括して樹脂封止するように成形されている。すなわち、樹脂封止体21の内部には全ての端子群16におけるチップ1、端子18群、ワイヤ5群が一括して樹脂封止された状態になっている。
【0018】
図1に示されたテープ除去工程K6においては、樹脂封止体21が成形されたマルチ端子群フレーム14の下面から接着テープ13が剥離されて、図9に示されているように除去される。この際、接着テープ13に紫外線を照射することにより、接着テープ13の接着剤の接着力を弱めると、接着テープ13はチップマウント部17や端子18を樹脂封止体21の下面から剥がし取ることなく、樹脂封止体21の下面から容易に剥離することができる。チップマウント部17および端子18群が接着テープ13に接着されていることにより、チップマウント部17および端子18の接着面は樹脂封止体21の一主面において面一に露出される状態になる。
【0019】
図1に示された半田ディップ工程K7においては、図10に示されているように、半田ディップ被膜23が樹脂封止体21の実装面におけるチップマウント部17および端子18群の露出面にフロー半田装置(図示せず)等が使用された半田ディップ処理によって被着される。
【0020】
図1に示されたマルチ端子群フレームおよび樹脂封止体切断工程K8においては、図11に示されているように、図10で参照される半田ディップ被膜23が被着された成形品24はダイシング装置のダイヤモンドカッタによって図12に示されたリードレス表面実装形IC25に切断される。
【0021】
以上のようにして、図12に示されたリードレス表面実装形IC25が製造されたことになる。すなわち、図12に示されているように、チップマウント部17の上にはチップ1がボンディング部19によってボンディングされており、チップ1の各パッド3と各端子18との間にはワイヤ5がそれぞれ橋絡されている。チップ1、端子18群およびワイヤ5群は樹脂封止体21によって樹脂封止されており、チップマウント部17の下面および端子18の下面が樹脂封止体21のチップ1と反対側の主面において面一に露出されている。
【0022】
以上説明した前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【0023】
1) 導電性基板の一主面にテープを接着した後に導電性基板を選択的にパターニングしてチップマウント部および複数個の端子を有する複数の端子群がフレームの内部空間に配列されたマルチ端子群フレームを準備し、チップをマルチ端子群フレームの複数の端子群におけるチップマウント部のそれぞれにボンディングし、チップの各電極パッドと各端子との間に各ワイヤをワイヤボンディングし、テープの上のフレームの内部空間に封止樹脂を充填して樹脂封止体を成形し、その後に、テープを樹脂封止体から除去して、リードレス表面実装形ICを製造することにより、エッチングを使用せずにリードレス表面実装形ICを製造することができるので、リードレス表面実装形ICの製造コストや製造期間を大幅に低減することができる。
【0024】
2) また、端子群を位置決め保持していたテープを樹脂封止体から除去する際の剥離力を抑制することにより、樹脂封止体から端子が脱落するのを防止することができるので、リードレス表面実装形ICの製造歩留り等を低減することができる。
【0025】
3) 樹脂封止体をマルチ端子群フレームに複数の端子群を一括して樹脂封止するように成形し、マルチ端子群フレームおよび樹脂封止体を端子群毎に切断して個別のリードレス表面実装形ICを製造することにより、個別のリードレス表面実装形IC毎に樹脂封止体を成形する場合に比べて生産性を高めることができるため、リードレス表面実装形ICの製造コストを大幅に低減することができる。
【0026】
4) チップマウント部をチップと反対側の主面を樹脂封止体の一主面において露出させることにより、半導体チップの発熱を樹脂封止体の外部にそのまま放出させることができるため、放熱性能を大幅に高めることができる。
【0027】
5) チップおよび端子群を一括して樹脂封止する樹脂封止体をマルチ端子群フレームのフレームの内部空間に封止樹脂をポッティングすることによって成形することにより、トランスファ成形装置を使用せずに済むので、生産性を高め、製造コストを低減することができる。
【0028】
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0029】
例えば、樹脂封止体はポッティングによって成形するに限らず、トランスファ成形装置を使用して成形してもよい。
【0030】
端子の露出面には半田ディップ被膜を被着するに限らず、半田バンプを突設してもよい。
【0031】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるシステムLSIに適用した場合について主に説明したが、それに限定されるものではなく、DRAMやSRAMおよびその他のICやトランジスタ・アレー等の半導体装置全般に適用することができる。
【0032】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
【0033】
導電性基板の一主面にテープを接着した後に導電性基板を選択的にパターニングしてチップマウント部および複数個の端子を有する複数の端子群がフレームの内部空間に配列されたマルチ端子群フレームを準備し、チップをマルチ端子群フレームの複数の端子群におけるチップマウント部のそれぞれにボンディングし、チップの各電極パッドと各端子との間に各ワイヤをワイヤボンディングし、テープの上のフレームの内部空間に封止樹脂を充填して樹脂封止体を成形し、その後に、テープを樹脂封止体から除去して、リードレス表面実装形半導体装置を製造することにより、エッチングを使用せずにリードレス表面実装形半導体装置を製造することができるので、リードレス表面実装形半導体装置の製造コストや製造期間を低減することができる。
【0034】
また、端子群を位置決め保持していたテープを樹脂封止体から除去する際の剥離力を抑制することにより、樹脂封止体から端子が脱落するのを防止することができるので、リードレス表面実装形半導体装置の製造歩留りを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるリードレス表面実装形ICの製造方法を示す工程図である。
【図2】それに使用されるチップを示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図である。
【図3】マルチ端子群フレーム準備工程のテープ接着工程後を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図である。
【図4】同じくマルチ端子群フレーム準備工程のパターニング工程後を示しており、(a)は一部省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図である。
【図5】端子群を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図である。
【図6】チップボンディング工程後を示しており、(a)は一部省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図である。
【図7】ワイヤボンディング工程後の端子群を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図である。
【図8】樹脂封止体成形工程後を示しており、(a)は一部省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図である。
【図9】テープ除去工程後を示しており、(a)は一部省略底面図、(b)は(a)のb−b線に沿う正面断面図である。
【図10】半田ディップ工程後の端子群を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う正面断面図である。
【図11】樹脂封止体切断工程後を示しており、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う正面断面図である。
【図12】本発明の一実施の形態であるリードレス表面実装形ICを示しており、(a)は平面断面図、(b)は正面断面図、(c)は底面図である。
【符号の説明】
1…チップ、2…保護膜、3…パッド(電極パッド)、4…絶縁テープ(絶縁層)、5…ボンディングワイヤ、11…導電性基板、12…送り孔、13…接着テープ、14…マルチ端子群フレーム、15…フレーム、16…端子群、17…チップマウント部、18…端子、19…ボンディング部、20…組立体、21…樹脂封止体、22…成形品、23…半田ディップ被膜、24…半田ディップ被膜が被着された成形品、25…リードレス表面実装形IC(半導体装置)。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a technology for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a technology that is effective when used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC) having a leadless surface-mount type resin-sealed package.
[0002]
[Prior art]
As an IC having a leadless surface-mount type resin-sealed package, resin protrusions are integrally provided on a mounting surface, which is one main surface of the resin-sealed body, and terminals formed of a metal film are provided on the resin protrusions. There is a method of manufacturing an IC having this leadless surface-mount type resin-sealed package, in which a concave portion is previously immersed in a lead frame, and a metal film is formed in the concave portion. And a step of selectively attaching (see, for example, Patent Document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-11-150143
[Problems to be solved by the invention]
In the above-described method for manufacturing an IC having a leadless surface mount type resin-sealed package, in order to separate the resin-sealed body in which the resin protrusion having the metal film is projected from the lead frame, the lead frame is etched. A method of dissolving and removing or a method of mechanically peeling the resin sealing body from the lead frame is adopted. However, in the separation method of removing the lead frame by etching, there is a problem that the time required for the step of separating the resin sealing body from the lead frame increases because an etching process is required. Further, in the method of mechanically peeling the resin sealing body from the lead frame, there is a problem that the external terminal is dropped because the metal film remains on the lead frame.
[0005]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a technique for manufacturing a semiconductor device having a leadless surface-mount type resin-sealed package capable of eliminating the need for an etching process and preventing the loss of external terminals.
[0006]
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The outline of a typical invention disclosed in the present application will be described as follows.
[0008]
That is, the semiconductor device includes a semiconductor chip, a resin sealing body obtained by resin-sealing the semiconductor chip, and external terminals that are exposed flush on one main surface of the resin sealing body. And the external terminals are electrically connected inside the resin sealing body.
[0009]
This semiconductor device can be manufactured by the following manufacturing method.
That is, a semiconductor chip preparation step in which a semiconductor chip having a plurality of electrode pads on one main surface is prepared,
By selectively patterning the conductive substrate after adhering a tape to one main surface of the conductive substrate, a chip mounting portion and a plurality of terminal groups having a plurality of terminals are arranged in an internal space of the frame. A terminal group frame preparing step in which a terminal group frame is prepared;
A chip bonding step in which the semiconductor chip is bonded to each of the chip mount portions in the plurality of terminal groups of the multi-terminal group frame;
A wire bonding step in which each wire is bridged between each electrode pad and each terminal of the semiconductor chip,
A resin sealing body molding step in which a sealing resin is filled into the internal space of the frame above the tape to form a resin sealing body,
A tape removing step in which the tape is removed from the resin sealing body,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0011]
As shown in FIG. 1, a method of manufacturing an IC including a leadless surface-mount type resin-sealed package according to the present embodiment (hereinafter, referred to as a leadless surface-mount type IC) includes a chip preparing step K1. A multi-terminal group frame preparation step K2, a chip bonding step K3, a wire bonding step K4, a resin sealing body forming step K5, a tape removing step K6, a solder dipping step K7, and a resin sealing body cutting step K8. Hereinafter, a method of manufacturing the leadless surface mount IC according to the present embodiment will be described in the order of each process. By this description, the structure of the leadless surface mount IC according to the present embodiment will be clarified.
[0012]
The chip preparation step K1 shown in FIG. 1 is constituted by a so-called preceding step of the IC manufacturing method. That is, in a so-called pre-process in an IC manufacturing method, an integrated circuit including a semiconductor element such as a system LSI is manufactured for each chip portion defined in a matrix shape in a state of a semiconductor wafer. The semiconductor wafer in which the integrated circuit is formed is divided into chips shown in FIG. 2 in a dicing process. The chip 1 according to the present embodiment is formed in a square flat plate shape, and a
[0013]
As shown in FIG. 1, the multi-terminal group frame preparing step K2 includes a tape bonding step K2a and a patterning step K2b. In the tape bonding step K2a, the conductive substrate 11 and the
[0014]
In the patterning step K2b, the
[0015]
In the chip bonding step K3 shown in FIG. 1, the chip 1 shown in FIG. 2 is mounted on the
[0016]
In the wire bonding step K4 shown in FIG. 1, a bonding wire (not shown) such as an ultrasonic thermocompression bonding wire bonding device is used between the
[0017]
In the resin sealing body forming step K5 shown in FIG. 1, a
[0018]
In the tape removing step K6 shown in FIG. 1, the
[0019]
In the solder dip step K7 shown in FIG. 1, as shown in FIG. 10, the
[0020]
In the multi-terminal group frame and resin sealing body cutting step K8 shown in FIG. 1, as shown in FIG. 11, the molded
[0021]
As described above, the leadless
[0022]
According to the embodiment described above, the following effects can be obtained.
[0023]
1) A multi-terminal in which a tape is adhered to one main surface of the conductive substrate and then the conductive substrate is selectively patterned to arrange a chip mount portion and a plurality of terminal groups having a plurality of terminals in the internal space of the frame. Prepare the group frame, bond the chip to each of the chip mounts in the plurality of terminal groups of the multi-terminal group frame, wire bond each wire between each electrode pad and each terminal of the chip, and The interior space of the frame is filled with a sealing resin to form a resin sealing body, and then the tape is removed from the resin sealing body to manufacture a leadless surface mount IC, so that etching can be performed. Since a leadless surface-mount IC can be manufactured without using the same, the manufacturing cost and manufacturing period of the leadless surface-mount IC can be significantly reduced.
[0024]
2) Also, by suppressing the peeling force when removing the tape that has positioned and held the terminal group from the resin sealing body, it is possible to prevent the terminal from falling off from the resin sealing body, so that the leads can be prevented. It is possible to reduce the production yield and the like of a surface-less IC without wires.
[0025]
3) The resin-sealed body is molded into a multi-terminal group frame so that a plurality of terminal groups are collectively resin-sealed, and the multi-terminal group frame and the resin-sealed body are cut for each terminal group and individually leadless. By manufacturing a surface mount IC, productivity can be increased as compared with a case where a resin-sealed body is molded for each individual leadless surface mount IC. It can be greatly reduced.
[0026]
4) By exposing the chip mount portion to the main surface on the opposite side to the chip on one main surface of the resin sealing body, heat generated by the semiconductor chip can be directly emitted to the outside of the resin sealing body, so that heat dissipation performance Can be greatly increased.
[0027]
5) By molding a resin encapsulant for encapsulating the chip and the terminal group in a lump by potting the encapsulation resin into the internal space of the frame of the multi-terminal group frame, without using a transfer molding apparatus. As a result, productivity can be increased and manufacturing costs can be reduced.
[0028]
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various changes can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
[0029]
For example, the resin sealing body is not limited to being formed by potting, but may be formed by using a transfer molding apparatus.
[0030]
Not only the solder dip film is applied to the exposed surface of the terminal but also a solder bump may be protruded.
[0031]
In the above description, mainly the case where the invention made by the inventor is applied to a system LSI which is a field of application as a background has been mainly described, but the present invention is not limited to this, and DRAM, SRAM and other ICs And semiconductor devices such as transistors and arrays.
[0032]
【The invention's effect】
The effect obtained by the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
[0033]
A multi-terminal group frame in which a tape is adhered to one main surface of the conductive substrate and then the conductive substrate is selectively patterned to arrange a plurality of terminal groups having a chip mount portion and a plurality of terminals in an internal space of the frame. The chip is bonded to each of the chip mounting portions of the plurality of terminal groups of the multi-terminal group frame, each wire is wire-bonded between each electrode pad of the chip and each terminal, and the frame on the tape is mounted. Filling the inner space with a sealing resin to form a resin sealing body, and then removing the tape from the resin sealing body to manufacture a leadless surface mount semiconductor device without using etching. Since it is possible to manufacture leadless surface-mount semiconductor devices in a short time, it is possible to reduce the manufacturing cost and production period of leadless surface-mount semiconductor devices. Kill.
[0034]
Also, by suppressing the peeling force when removing the tape that has positioned and held the terminal group from the resin sealing body, it is possible to prevent the terminal from falling off from the resin sealing body. The manufacturing yield of the mounted semiconductor device can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process chart showing a method for manufacturing a leadless surface-mounted IC according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2A and 2B show a chip used therein, wherein FIG. 2A is a plan view, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG.
3A and 3B show a state after a tape bonding step in a multi-terminal group frame preparing step, wherein FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG.
4A and 4B also show a state after a patterning step in a multi-terminal group frame preparation step, wherein FIG. 4A is a partially omitted plan view, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG.
5A and 5B show a terminal group, wherein FIG. 5A is a plan view, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG.
6A and 6B show a state after the chip bonding step, in which FIG. 6A is a partially omitted plan view, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG.
7A and 7B show a terminal group after a wire bonding step, wherein FIG. 7A is a plan view, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG.
8A and 8B show a state after a resin sealing body forming step, in which FIG. 8A is a partially omitted plan view, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG.
9A and 9B show a state after the tape removing step, in which FIG. 9A is a partially omitted bottom view, and FIG. 9B is a front sectional view taken along the line bb of FIG. 9A.
FIGS. 10A and 10B show a terminal group after a solder dip process, wherein FIG. 10A is a plan view and FIG. 10B is a front sectional view taken along line bb of FIG.
11A and 11B show a state after the resin sealing body cutting step, in which FIG. 11A is a plan view, and FIG. 11B is a front sectional view taken along line bb of FIG.
12A and 12B show a leadless surface mount IC according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 12A is a plan sectional view, FIG. 12B is a front sectional view, and FIG. 12C is a bottom view.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... chip, 2 ... protective film, 3 ... pad (electrode pad), 4 ... insulating tape (insulating layer), 5 ... bonding wire, 11 ... conductive substrate, 12 ... feed hole, 13 ... adhesive tape, 14 ... multi Terminal group frame, 15: Frame, 16: Terminal group, 17: Chip mount part, 18: Terminal, 19: Bonding part, 20: Assembly, 21: Resin sealing body, 22: Molded product, 23: Solder dip
Claims (5)
導電性基板の一主面にテープを接着した後に前記導電性基板を選択的にパターニングすることにより、チップマウント部および複数個の端子を有する複数の端子群がフレームの内部空間に配列されたマルチ端子群フレームが準備される端子群フレーム準備工程と、
前記半導体チップが前記マルチ端子群フレームの複数の端子群におけるチップマウント部のそれぞれにボンディングされるチップボンディング工程と、
前記半導体チップの各電極パッドと前記各端子との間に各ワイヤがそれぞれ橋絡されるワイヤボンディング工程と、
前記テープの上のフレームの内部空間に封止樹脂が充填されて樹脂封止体が成形される樹脂封止体成形工程と、
前記テープが樹脂封止体から除去されるテープ除去工程と、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。A semiconductor chip preparation step in which a semiconductor chip having a plurality of electrode pads on one main surface is prepared,
By selectively patterning the conductive substrate after adhering a tape to one main surface of the conductive substrate, a chip mounting portion and a plurality of terminal groups having a plurality of terminals are arranged in an internal space of the frame. A terminal group frame preparing step in which a terminal group frame is prepared;
A chip bonding step in which the semiconductor chip is bonded to each of the chip mount portions in the plurality of terminal groups of the multi-terminal group frame;
A wire bonding step in which each wire is bridged between each electrode pad and each terminal of the semiconductor chip,
A resin sealing body molding step in which a sealing resin is filled into the internal space of the frame above the tape to form a resin sealing body,
A tape removing step in which the tape is removed from the resin sealing body,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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