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JP2004095983A - Manufacturing method of printed wiring board - Google Patents

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JP2004095983A
JP2004095983A JP2002257384A JP2002257384A JP2004095983A JP 2004095983 A JP2004095983 A JP 2004095983A JP 2002257384 A JP2002257384 A JP 2002257384A JP 2002257384 A JP2002257384 A JP 2002257384A JP 2004095983 A JP2004095983 A JP 2004095983A
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JP
Japan
Prior art keywords
metal
plating film
forming
wiring board
printed wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP2002257384A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ihan Sen
銭 懿範
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2002257384A priority Critical patent/JP2004095983A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a printed wiring board which removes an unnecessary part of a foundation layer and at the same time protects a necessary foundation layer during soft etching in the formation of a metal wiring pattern in manufacturing a printed wiring board by a semi-additive method. <P>SOLUTION: A foundation layer 1 is formed by thinning first metal foil by a chemical polishing solution, a mask pattern 3 is formed, a plating film 4 of a second metal is formed by electrolytic plating in an exposed foundation layer, a plating film 5 of a first metal is formed on the plating film, a mask pattern is peeled, a foundation 1' which is unnecessary is removed, and a metal wiring pattern 6 constituted of the foundation layer of the first metal, the plating film of the second metal and the plating film of the fist metal is formed. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント配線板を製造する際の導体パターンの形成にはサブトラクティブ法が広く用いられている。しかし、近年、電子機器の小型化、高密度実装化及び高性能化(高速化)に伴い、配線板自体の高密度化、即ち導体パターンの微細化が求められるにつれて、サブトラクティブ法では対応しきれなくなっているのは現状である。更なる微細なパターンを形成する有効な手段としてセミアディティブ法が用いられている。
【0003】
これまで、セミアディティブ法でプリント配線板を製造するには、先ず、絶縁基板上の全面に薄い銅の下地層を形成し、次に、この銅の下地層の表面にめっき用のフォトレジストのマスクパターンを形成する。
次に、電解めっき法で銅めっき被膜を形成し、フォトレジストのマスクパターンを剥離する。最後に、ソフトエッチングで銅の下地層の不要となった部分を除去することによって銅配線パターンを形成するといった方法でプリント配線板を製造していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
セミアディティブ法は、サブトラクティブ法よりも微細な銅配線パターンを形成することができるが、問題もある。主に、銅の下地層の不要となった部分を除去するためのソフトエッチング工程にある。すなわち、ソフトエッチングをする時に銅の下地層の幅が細くなる傾向が見られ、このために銅配線パターンに基板からの剥がれが発生してしまうことが判明した。
本発明は、セミアディティブ法によるプリント配線板の製造において、金属配線パターンを形成する際のソフトエッチング時に、銅の下地層に限らず、他の金属の下地層であっても下地層の不要な部分を除去すると同時に、必要な下地層を保護することのできるプリント配線板の製造方法を提供することを課題とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1金属の箔付き絶縁基板上にセミアディティブ法により金属配線パターンを形成するプリント配線板の製造方法において、
1)絶縁基板上の第1金属の箔を化学研磨液で薄くし、電解めっき導通用の第1金属の下地層を形成する工程と、
2)該下地層が形成された絶縁基板上に金属配線パターンを電解めっきで形成するためのマスクパターンを形成する工程と、
3)該マスクパターン以外の露出した下地層部分に電解めっきで第2金属のめっき被膜を形成する工程と、
4)該第2金属のめっき被膜上に電解めっきで第1金属のめっき被膜を形成する工程と、
5)剥離液でマスクパターンを剥離する工程と、
6)不要となった下地層部分をソフトエッチングで除去する工程、
を具備し、第1金属の下地層、第2金属のめっき被膜、及び第1金属のめっき被膜で構成される金属配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【0006】
また、本発明は、第1金属の箔付き絶縁基板上にセミアディティブ法により金属配線パターンを形成するプリント配線板の製造方法において、
1)絶縁基板上の第1金属の箔を化学研磨液で薄くし、電解めっき導通用の第1金属の下地層を形成する工程と、
2)該下地層が形成された絶縁基板上に金属配線パターンを電解めっきで形成するためのマスクパターンを形成する工程と、
3)該マスクパターン以外の露出した下地層部分に電解めっきで第2金属のめっき被膜を形成する工程と、
4)該第2金属のめっき被膜上に電解めっきで第3金属のめっき被膜を形成する工程と、
5)剥離液でマスクパターンを剥離する工程と、
6)不要となった下地層部分をソフトエッチングで除去する工程、
を具備し、第1金属の下地層、第2金属のめっき被膜、及び第3金属のめっき被膜で構成される金属配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【0007】
また、本発明は、上記発明によるプリント配線板の製造方法において、前記絶縁基板が、ポリイミド、液晶ポリマから選ばれたものであることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【0008】
また、本発明は、上記発明によるプリント配線板の製造方法において、前記第1金属、第2金属、及び第3金属の各々の金属が、Ni、Cr、Au、Cu、Ag、Al、Sn、Zn、Pbから選ばれたものであることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【0009】
また、本発明は、上記発明によるプリント配線板の製造方法において、前記第2金属のめっき被膜の厚みが、0.1μm〜5μmであることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【0010】
また、本発明は、上記発明によるプリント配線板の製造方法において、前記下地層の厚みが、0.1μm〜3μmであることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明によるプリント配線板の製造方法を、その実施の形態に基づいて説明する。
図1は、本発明によるプリント配線板の製造方法の一実施例を断面で示す工程図である。図1(1)に示すように、本発明によるプリント配線板の製造方法は、まず、絶縁基板2上に張り付けた第1金属の箔を化学研磨で薄くし、電気めっき導通用の下地層1を形成する。下地層1の厚みは0.1μm〜3μmで、1μm以下が好ましい。
絶縁基板2としては、ポリイミド、液晶ポリマ等が使用できる。
【0012】
第1金属は、Ni、Cr、Au、Cu、Ag、Al、Sn、Zn、Pbなどから選ぶことができる。また、化学研磨に用いられる薬液は、第1金属によって変わる。例えば、銅の場合は過酸化水素水+硫酸、又は過硫酸アンモニウムが使用できる。また、ニッケルであれば、例えば、メック社製のメックリムーバNH−1862(商品名)が使用できる。
【0013】
次に、図1(2)に示すように、下地層が形成された絶縁基板2上にドライフィルムをラミネートし、露光、現像などの工程を経て、金属配線パターンを形成するめっき用のマスクパターン3を形成する。ドライフィルムの厚みは10μm〜30μmで、好ましいのは15μmである。
次に、図1(3)に示すように、電解めっき法で下地層1の露出する部分に第2金属のめっき被膜4を形成する。第2金属のめっき被膜4の厚みは0.1μm〜5μmで、3μm以下が好ましい。
第2金属は、Ni、Cr、Au、Cu、Ag、Al、Sn、Zn、Pbなどから選ぶことができる。
【0014】
次に、図1(4)〜(6)に示すように、第2金属のめっき被膜4の上に、更に第1金属、或いは第3金属のめっき被膜5を形成し、剥離液でドライフィルムのマスクパターン3を剥離し、下地層の内、不要となった下地層部分1’をソフトエッチングで除去し、所望の金属配線パターン6(1+4+5)を形成する。第3金属は、Ni、Cr、Au、Cu、Ag、Al、Sn、Zn、Pbなどから選ぶことができる。
【0015】
前記のように、従来は、セミアディティブ法で銅配線パターンを形成する際に、不要となった銅の下地層を除去するソフトエッチングを行うと、銅めっき被膜よりも銅の下地層の幅が細くなり、特に微細な銅配線パターンを形成する時には、線幅が細いため銅配線パターンに剥がれが多発することが観察された。これはドライフィルムのマスクパターンの裾引きに起因するものである。
すなわち、本来なら銅の下地層の上の銅めっき被膜は自然に銅の下地層の保護層になるが、裾引きがあるので、銅めっき被膜の、銅の下地層と接触する部分の接触幅は銅めっき被膜の幅より狭くなり、保護される銅の下地層の幅も銅めっき被膜の幅より狭くなってしまうため、また、ソフトエッチングを行うと、サイドエッチングが原因で銅配線パターンの幅が全体に細くなる中で、銅の下地層の幅がさらに細くなってしまうため、銅配線パターンに剥がれが発生しやすくなってしまうのである。
【0016】
本発明は、この問題を解決するためになされた金属配線パターンの形成方法である。
すなわち、先ず、第1金属の下地層1と異なる金属を用いて下地層1の上に薄い第2金属のめっき被膜4を形成し、この薄いめっき被膜4の上に、電解めっきによって、例えば、第1金属の下地層1と同じ、或いは第1金属の下地層1及び薄い第2金属のめっき被膜4とは異なる、第3金属のめっき被膜5を形成することである。
この時、下地層1の上の薄いめっき被膜4に影響を与えないソフトエッチング液を選べば、薄いめっき被膜4が保護層の役割を果たし、しかもソフトエッチングをする時に保護層にサイドエッチングが発生しないため、保護層の幅が細くなることはなく、必要な下地層を安定した幅で保護することができる。
【0017】
例えば、下地層1として第1金属に銅、下地層上の薄いめっき被膜4として第2金属にニッケル、めっき被膜5として第3金属に、第1金属と同じ銅を用いた金属配線パターンを形成する場合には、ソフトエッチング液を過酸化水素水+硫酸、又は過硫酸アンモニウムにすれば、ソフトエッチング時にニッケルのめっき被膜4は殆どダメージを受けないため、銅の下地層を保護することができる。
また、例えば、下地層1として第1金属にニッケル、下地層上の薄いめっき被膜4として第2金属に銅、めっき被膜5として第3金属に、第1金属と同じニッケルを用いた金属配線パターンを形成する場合には、ソフトエッチング液をメック社製のメックリムーバNH−1862にすれば、ソフトエッチング時に銅のめっき被膜4は殆どダメージを受けないため、ニッケルの下地層を保護することができる。
【0018】
【実施例】
以下に、実施例により本発明を具体的に説明する。
<実施例1>
実施例1では第1金属と第3金属を銅にし、第2金属をニッケルにする。
まず、過硫酸アンモニウムからなるソフトエッチング液で、絶縁基板としてのポリイミドの表面に張り付けた、第1金属の銅箔を化学研磨することによって、1μmまで薄くし、電気めっき導通用の銅(第1金属)の下地層1を形成した(図1(1)参照)。
【0019】
次に、銅の下地層が形成されたポリイミド基板の表面に、ニチゴーモートン社製のNIT(商品名)ドライフィルム(膜厚15μm)を100℃、圧力3kgf/cmでラミネートし、約50mJ/cmの紫外線で選択的に露光し、30℃・1%の炭酸ナトリウム溶液で約10秒間現像を行うことにより電解めっき用のマスクパターン3を形成した(図1(2)参照)。
次に、銅の下地層、及びマスクパターンが形成されたポリイミド基板に、電解めっき法で、銅の下地層の露出する部分に厚さ2μmのニッケル(第2金属)のめっき被膜4を形成した(図1(3)参照)。
【0020】
次に、このニッケルのめっき被膜4の上に、更に厚さ10μmの銅(第3金属)のめっき被膜5を形成してから(図1(4)参照)、マスクパターン3を50℃の3%炭酸ナトリウム溶液で剥離した(図1(5)参照)。
前記化学研磨時と同じ薬液でソフトエッチングを行い、不要となった銅の下地層1’を除去し、銅(第1金属)の下地層1、ニッケル(第2金属)のめっき被膜4、銅(第3金属)のめっき被膜5で構成する金属配線パターンを形成した(図1(6)参照)。
【0021】
<実施例2>
実施例2では第1金属と第3金属をニッケルにし、第2金属を銅にする。
まず、メック社製のメックリムーバNH−1862をソフトエッチング液として用い、絶縁基板としてのポリイミドの表面に張り付けた、第1金属のニッケル箔を化学研磨することによって、1μmまで薄くし、電気めっき導通用のニッケル(第1金属)の下地層1を形成した(図1(1)参照)。
【0022】
次に、ニッケルの下地層が形成されたポリイミド基板の表面に、ニチゴーモートン社製のNIT(商品名)ドライフィルム(膜厚15μm)を100℃、圧力3kgf/cmでラミネートし、約50mJ/cmの紫外線で選択的に露光し、30℃・1%の炭酸ナトリウム溶液で約10秒間現像を行うことにより電解めっき用のマスクパターン3を形成した(図1(2)参照)。
次に、ニッケルの下地層、及びマスクパターンが形成されたポリイミド基板に、電解めっき法で、ニッケルの下地層の露出する部分に厚さ2μmの銅(第2金属)のめっき被膜4を形成した(図1(3)参照)。
【0023】
次に、この銅のめっき被膜4の上に、更に厚さ10μmのニッケル(第3金属)のめっき被膜5を形成してから(図1(4)参照)、マスクパターン3を50℃の3%炭酸ナトリウム溶液で剥離した(図1(5)参照)。
前記化学研磨時と同じ薬液でソフトエッチングを行い、不要となったニッケルの下地層を除去し、ニッケル(第1金属)の下地層1、銅(第2金属)のめっき被膜4、ニッケル(第3金属)のめっき被膜5で構成する金属配線パターンを形成した(図1(6)参照)。
【0024】
<実施例3>
実施例3では第1金属を銅、第2金属をニッケル、第3金属を金にする。
まず、メック社製のメックリムーバNH−1862をソフトエッチング液として用い、絶縁基板としてのポリイミドの表面に張り付けた、第1金属の銅箔を化学研磨することによって、1μmまで薄くし、電気めっき導通用の銅(第1金属)の下地層1を形成した(図1(1)参照)。
【0025】
次に、銅の下地層が形成されたポリイミド基板の表面に、ニチゴーモートン社製のNIT(商品名)ドライフィルム(膜厚15μm)を100℃、圧力3kgf/cmでラミネートし、約50mJ/cmの紫外線で選択的に露光し、30℃・1%の炭酸ナトリウム溶液で約10秒間現像を行うことにより電解めっき用のマスクパターン3を形成した(図1(2)参照)。
次に、銅の下地層、及びマスクパターンが形成されたポリイミド基板に、電解めっき法で、銅の下地層の露出する部分に厚さ2μmのニッケル(第2金属)のめっき被膜4を形成した(図1(3)参照)。
【0026】
次に、このニッケルのめっき被膜4の上に、更に厚さ10μmの金(第3金属)のめっき被膜5を形成してから(図1(4)参照)、マスクパターン3を50℃の3%炭酸ナトリウム溶液で剥離した(図1(5)参照)。
前記化学研磨時と同じ薬液でソフトエッチングを行い、不要となった銅の下地層を除去し、銅(第1金属)の下地層1、ニッケル(第2金属)のめっき被膜4、金(第3金属)のめっき被膜5で構成する金属配線パターンを形成した(図1(6)参照)。
【0027】
【発明の効果】
本発明は、第1金属の下地層を形成する工程と、マスクパターンを形成する工程と、第2金属のめっき被膜を形成する工程と、第1金属のめっき被膜を形成する工程と、マスクパターンを剥離する工程と、下地層部分を除去する工程、を具備し、第1金属の下地層、第2金属のめっき被膜、及び第1金属又は第3金属のめっき被膜で構成される金属配線パターンを形成するプリント配線板の製造方法であるので、金属配線パターンを形成する際のソフトエッチング時に、銅の下地層に限らず、他の金属の下地層であっても下地層の不要な部分を除去すると同時に、必要な下地層を保護することのできるプリント配線板の製造方法となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるプリント配線板の製造方法の一実施例を断面で示す工程図である。
【符号の説明】
1・・・第1金属の下地層
1’・・・不要となった下地層部分
2・・・絶縁基板
3・・・マスクパターン
4・・・第2金属のめっき被膜
5・・・第1又は第3金属のめっき被膜
6・・・金属配線パターン
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board by a semi-additive method.
[0002]
[Prior art]
A subtractive method is widely used for forming a conductor pattern when manufacturing a printed wiring board. However, in recent years, the subtractive method has responded to the demand for higher density of the wiring board itself, that is, miniaturization of the conductor pattern with the miniaturization, higher density mounting, and higher performance (higher speed) of electronic devices. It is the present situation that is no longer possible. A semi-additive method is used as an effective means for forming a finer pattern.
[0003]
Until now, in order to manufacture a printed wiring board by the semi-additive method, first, a thin copper base layer is formed on the entire surface of an insulating substrate, and then a photoresist for plating is formed on the surface of the copper base layer. A mask pattern is formed.
Next, a copper plating film is formed by an electrolytic plating method, and the mask pattern of the photoresist is removed. Finally, a printed wiring board is manufactured by a method of forming a copper wiring pattern by removing unnecessary portions of a copper base layer by soft etching.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
The semi-additive method can form a finer copper wiring pattern than the subtractive method, but has a problem. It is mainly in a soft etching process for removing an unnecessary portion of the copper base layer. That is, it was found that the width of the copper underlayer tended to be narrower during the soft etching, and that the copper wiring pattern was peeled off from the substrate.
The present invention is not limited to a copper underlayer, and does not require an underlayer even in the case of another metal underlayer during the soft etching when forming a metal wiring pattern in the production of a printed wiring board by a semi-additive method. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a printed wiring board which can protect a necessary underlayer while removing a portion.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board, wherein a metal wiring pattern is formed by a semi-additive method on an insulating substrate with a first metal foil.
1) a step of thinning a first metal foil on an insulating substrate with a chemical polishing solution to form a first metal base layer for electrolytic plating conduction;
2) forming a mask pattern for forming a metal wiring pattern by electrolytic plating on the insulating substrate on which the base layer has been formed;
3) forming a plating film of a second metal on the exposed underlying layer other than the mask pattern by electrolytic plating;
4) forming a plating film of the first metal on the plating film of the second metal by electrolytic plating;
5) a step of stripping the mask pattern with a stripping solution;
6) a step of removing unnecessary base layer portions by soft etching;
And forming a metal wiring pattern including a first metal base layer, a second metal plating film, and a first metal plating film.
[0006]
Further, the present invention relates to a method of manufacturing a printed wiring board for forming a metal wiring pattern on a first metal foil-attached insulating substrate by a semi-additive method,
1) a step of thinning a first metal foil on an insulating substrate with a chemical polishing solution to form a first metal base layer for electrolytic plating conduction;
2) forming a mask pattern for forming a metal wiring pattern by electrolytic plating on the insulating substrate on which the base layer has been formed;
3) forming a plating film of a second metal on the exposed underlying layer other than the mask pattern by electrolytic plating;
4) a step of forming a plating film of a third metal on the plating film of the second metal by electrolytic plating;
5) a step of stripping the mask pattern with a stripping solution;
6) a step of removing unnecessary base layer portions by soft etching;
And forming a metal wiring pattern composed of a first metal base layer, a second metal plating film, and a third metal plating film.
[0007]
Further, the present invention is the method of manufacturing a printed wiring board according to the above invention, wherein the insulating substrate is selected from a polyimide and a liquid crystal polymer.
[0008]
The present invention also provides the method for manufacturing a printed wiring board according to the above invention, wherein each of the first metal, the second metal, and the third metal is Ni, Cr, Au, Cu, Ag, Al, Sn, A method for manufacturing a printed wiring board, wherein the method is selected from Zn and Pb.
[0009]
Further, the present invention is the method for manufacturing a printed wiring board according to the above invention, wherein the thickness of the plating film of the second metal is 0.1 μm to 5 μm.
[0010]
Further, the present invention is the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention, wherein the thickness of the underlayer is 0.1 μm to 3 μm.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention will be described based on its embodiments.
FIG. 1 is a process drawing showing a cross section of one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention. As shown in FIG. 1A, in the method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention, first, a first metal foil adhered on an insulating substrate 2 is thinned by chemical polishing, and a base layer 1 for conducting electroplating is formed. To form The thickness of the underlayer 1 is 0.1 μm to 3 μm, and preferably 1 μm or less.
As the insulating substrate 2, polyimide, liquid crystal polymer, or the like can be used.
[0012]
The first metal can be selected from Ni, Cr, Au, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, Pb, and the like. The chemical used for chemical polishing varies depending on the first metal. For example, in the case of copper, aqueous hydrogen peroxide + sulfuric acid or ammonium persulfate can be used. In the case of nickel, for example, Mech Remover NH-1862 (trade name) manufactured by Mec can be used.
[0013]
Next, as shown in FIG. 1 (2), a dry film is laminated on the insulating substrate 2 on which the base layer is formed, and through a process such as exposure and development, a mask pattern for plating for forming a metal wiring pattern is formed. Form 3 The thickness of the dry film is 10 μm to 30 μm, preferably 15 μm.
Next, as shown in FIG. 1C, a plating film 4 of a second metal is formed on the exposed portion of the base layer 1 by an electrolytic plating method. The thickness of the second metal plating film 4 is 0.1 μm to 5 μm, and preferably 3 μm or less.
The second metal can be selected from Ni, Cr, Au, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, Pb, and the like.
[0014]
Next, as shown in FIGS. 1 (4) to (6), a first metal or third metal plating film 5 is further formed on the second metal plating film 4, and a dry film The mask pattern 3 is removed, and the unnecessary underlayer portion 1 'of the underlayer is removed by soft etching to form a desired metal wiring pattern 6 (1 + 4 + 5). The third metal can be selected from Ni, Cr, Au, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, Pb, and the like.
[0015]
As described above, conventionally, when forming a copper wiring pattern by the semi-additive method, if soft etching is performed to remove an unnecessary copper underlayer, the width of the copper underlayer is larger than that of the copper plating film. When a copper wiring pattern becomes thinner, particularly when a fine copper wiring pattern is formed, it is observed that the copper wiring pattern is frequently peeled off because the line width is small. This is due to the footing of the mask pattern of the dry film.
In other words, the copper plating film on the copper underlayer should naturally be a protective layer of the copper underlayer, but because of the footing, the contact width of the copper plating film in contact with the copper underlayer Is smaller than the width of the copper plating film, and the width of the protected copper underlayer is also smaller than the width of the copper plating film. Also, when soft etching is performed, the width of the copper wiring pattern is reduced due to side etching. The width of the copper underlayer becomes further narrower as the whole becomes thinner, so that the copper wiring pattern is liable to peel off.
[0016]
The present invention is a method for forming a metal wiring pattern made to solve this problem.
That is, first, a thin second metal plating film 4 is formed on the underlayer 1 using a metal different from the first metal underlayer 1, and the thin plating film 4 is electrolytically plated on the thin plating film 4 by, for example, A third metal plating film 5 which is the same as the first metal underlayer 1 or different from the first metal underlayer 1 and the thin second metal plating film 4 is formed.
At this time, if a soft etching solution that does not affect the thin plating film 4 on the base layer 1 is selected, the thin plating film 4 serves as a protective layer, and side etching occurs in the protective layer when performing soft etching. Therefore, the width of the protective layer does not become thin, and the necessary underlayer can be protected with a stable width.
[0017]
For example, a metal wiring pattern is formed using copper as the first metal as the first metal, nickel as the second metal as the thin plating film 4 on the underlying layer, and copper as the first metal as the third metal 5 as the plating film 5 on the underlayer. In this case, if the soft etching solution is hydrogen peroxide solution + sulfuric acid or ammonium persulfate, the nickel plating film 4 is hardly damaged during the soft etching, so that the copper base layer can be protected.
Further, for example, a metal wiring pattern using nickel as the first metal as the underlayer 1, copper as the second metal as the thin plating film 4 on the underlayer, and nickel as the first metal as the third metal as the plating film 5 When the soft etching solution is changed to Mech Remover NH-1862 manufactured by Mec Co., the copper plating film 4 is hardly damaged at the time of soft etching, so that the nickel underlayer can be protected. .
[0018]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to examples.
<Example 1>
In the first embodiment, the first metal and the third metal are copper, and the second metal is nickel.
First, a copper foil of a first metal adhered to a surface of a polyimide as an insulating substrate is chemically polished with a soft etching solution of ammonium persulfate to a thickness of 1 μm, and the copper for the electroplating conduction (the first metal) is removed. ) Was formed (see FIG. 1A).
[0019]
Next, an NIT (trade name) dry film (film thickness: 15 μm) manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd. was laminated on the surface of the polyimide substrate on which the copper base layer was formed at 100 ° C. and a pressure of 3 kgf / cm 2 , and about 50 mJ / The mask pattern 3 for electrolytic plating was formed by selectively exposing to ultraviolet light of cm 2 and developing with a 1% sodium carbonate solution at 30 ° C. for about 10 seconds (see FIG. 1 (2)).
Next, a 2 μm-thick nickel (second metal) plating film 4 was formed on the exposed portion of the copper underlayer by electrolytic plating on the polyimide substrate on which the copper underlayer and the mask pattern were formed. (See FIG. 1 (3)).
[0020]
Next, a copper (third metal) plating film 5 having a thickness of 10 μm is further formed on the nickel plating film 4 (see FIG. 1 (4)). % Sodium carbonate solution (see FIG. 1 (5)).
Soft etching is performed with the same chemical solution as used in the chemical polishing to remove the unnecessary copper underlayer 1 ′, and remove the copper (first metal) underlayer 1, nickel (second metal) plating film 4, copper A metal wiring pattern composed of the (third metal) plating film 5 was formed (see FIG. 1 (6)).
[0021]
<Example 2>
In the second embodiment, the first metal and the third metal are nickel, and the second metal is copper.
First, the first metal nickel foil adhered to the surface of a polyimide as an insulating substrate was chemically polished to a thickness of 1 μm by using Mech Remover NH-1862 manufactured by Mec Co., Ltd. as a soft etching solution. An underlayer 1 of general nickel (first metal) was formed (see FIG. 1A).
[0022]
Next, an NIT (trade name) dry film (film thickness: 15 μm) manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd. was laminated at 100 ° C. under a pressure of 3 kgf / cm 2 on the surface of the polyimide substrate on which the nickel base layer was formed, and the pressure was about 50 mJ / cm 2. The mask pattern 3 for electrolytic plating was formed by selectively exposing to ultraviolet light of cm 2 and developing with a 1% sodium carbonate solution at 30 ° C. for about 10 seconds (see FIG. 1 (2)).
Next, a 2 μm-thick copper (second metal) plating film 4 was formed on the exposed portion of the nickel underlayer by electrolytic plating on the polyimide substrate on which the nickel underlayer and the mask pattern were formed. (See FIG. 1 (3)).
[0023]
Next, a nickel (third metal) plating film 5 having a thickness of 10 μm is further formed on the copper plating film 4 (see FIG. 1 (4)). % Sodium carbonate solution (see FIG. 1 (5)).
Soft etching is performed with the same chemical solution as that used in the chemical polishing to remove the unnecessary nickel base layer, and then a nickel (first metal) base layer 1, a copper (second metal) plating film 4, and a nickel (second metal) A metal wiring pattern composed of a plating film 5 of (3 metals) was formed (see FIG. 1 (6)).
[0024]
<Example 3>
In the third embodiment, the first metal is copper, the second metal is nickel, and the third metal is gold.
First, the first metal copper foil adhered to the surface of polyimide as an insulating substrate is chemically polished to a thickness of 1 μm by using Mech Remover NH-1862 manufactured by Mec Co., Ltd. as a soft etching solution. A common copper (first metal) underlayer 1 was formed (see FIG. 1A).
[0025]
Next, an NIT (trade name) dry film (film thickness: 15 μm) manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd. was laminated on the surface of the polyimide substrate on which the copper base layer was formed at 100 ° C. and a pressure of 3 kgf / cm 2 , and about 50 mJ / The mask pattern 3 for electrolytic plating was formed by selectively exposing to ultraviolet light of cm 2 and developing with a 1% sodium carbonate solution at 30 ° C. for about 10 seconds (see FIG. 1 (2)).
Next, a 2 μm-thick nickel (second metal) plating film 4 was formed on the exposed portion of the copper underlayer by electrolytic plating on the polyimide substrate on which the copper underlayer and the mask pattern were formed. (See FIG. 1 (3)).
[0026]
Next, a gold (third metal) plating film 5 having a thickness of 10 μm is further formed on the nickel plating film 4 (see FIG. 1 (4)). % Sodium carbonate solution (see FIG. 1 (5)).
Soft etching is performed with the same chemical solution as used in the chemical polishing, and the unnecessary copper underlayer is removed. Copper (first metal) underlayer 1, nickel (second metal) plating film 4, gold (second metal) A metal wiring pattern composed of a plating film 5 of (3 metals) was formed (see FIG. 1 (6)).
[0027]
【The invention's effect】
The present invention provides a step of forming a base layer of a first metal, a step of forming a mask pattern, a step of forming a plating film of a second metal, a step of forming a plating film of a first metal, a step of forming a mask pattern And a metal wiring pattern comprising a first metal underlayer, a second metal plating film, and a first metal or third metal plating film. Since the method is a method for manufacturing a printed wiring board for forming a metal wiring pattern, an unnecessary portion of the base layer is not limited to the copper base layer even if it is another metal base layer during soft etching when forming a metal wiring pattern. A method for manufacturing a printed wiring board that can protect a necessary underlayer at the same time as the removal is provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process drawing showing a cross section of one embodiment of a method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st metal base layer 1 '... Unnecessary base layer part 2 ... insulating substrate 3 ... mask pattern 4 ... 2nd metal plating film 5 ... 1st Or the third metal plating film 6: metal wiring pattern

Claims (6)

第1金属の箔付き絶縁基板上にセミアディティブ法により金属配線パターンを形成するプリント配線板の製造方法において、
1)絶縁基板上の第1金属の箔を化学研磨液で薄くし、電解めっき導通用の第1金属の下地層を形成する工程と、
2)該下地層が形成された絶縁基板上に金属配線パターンを電解めっきで形成するためのマスクパターンを形成する工程と、
3)該マスクパターン以外の露出した下地層部分に電解めっきで第2金属のめっき被膜を形成する工程と、
4)該第2金属のめっき被膜上に電解めっきで第1金属のめっき被膜を形成する工程と、
5)剥離液でマスクパターンを剥離する工程と、
6)不要となった下地層部分をソフトエッチングで除去する工程、
を具備し、第1金属の下地層、第2金属のめっき被膜、及び第1金属のめっき被膜で構成される金属配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
In a method for manufacturing a printed wiring board, wherein a metal wiring pattern is formed on a first metal foil-attached insulating substrate by a semi-additive method,
1) a step of thinning a first metal foil on an insulating substrate with a chemical polishing solution to form a first metal base layer for electrolytic plating conduction;
2) forming a mask pattern for forming a metal wiring pattern by electrolytic plating on the insulating substrate on which the base layer has been formed;
3) forming a plating film of a second metal on the exposed underlying layer other than the mask pattern by electrolytic plating;
4) forming a plating film of the first metal on the plating film of the second metal by electrolytic plating;
5) a step of stripping the mask pattern with a stripping solution;
6) a step of removing unnecessary underlayer portions by soft etching;
And forming a metal wiring pattern including a first metal base layer, a second metal plating film, and a first metal plating film.
第1金属の箔付き絶縁基板上にセミアディティブ法により金属配線パターンを形成するプリント配線板の製造方法において、
1)絶縁基板上の第1金属の箔を化学研磨液で薄くし、電解めっき導通用の第1金属の下地層を形成する工程と、
2)該下地層が形成された絶縁基板上に金属配線パターンを電解めっきで形成するためのマスクパターンを形成する工程と、
3)該マスクパターン以外の露出した下地層部分に電解めっきで第2金属のめっき被膜を形成する工程と、
4)該第2金属のめっき被膜上に電解めっきで第3金属のめっき被膜を形成する工程と、
5)剥離液でマスクパターンを剥離する工程と、
6)不要となった下地層部分をソフトエッチングで除去する工程、
を具備し、第1金属の下地層、第2金属のめっき被膜、及び第3金属のめっき被膜で構成される金属配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
In a method for manufacturing a printed wiring board, wherein a metal wiring pattern is formed on a first metal foil-attached insulating substrate by a semi-additive method,
1) a step of thinning a first metal foil on an insulating substrate with a chemical polishing solution to form a first metal base layer for electrolytic plating conduction;
2) forming a mask pattern for forming a metal wiring pattern by electrolytic plating on the insulating substrate on which the base layer has been formed;
3) forming a plating film of a second metal on the exposed underlying layer other than the mask pattern by electrolytic plating;
4) a step of forming a plating film of a third metal on the plating film of the second metal by electrolytic plating;
5) a step of stripping the mask pattern with a stripping solution;
6) a step of removing unnecessary underlayer portions by soft etching;
A method of manufacturing a printed wiring board, comprising: forming a metal wiring pattern including a base layer of a first metal, a plating film of a second metal, and a plating film of a third metal.
前記絶縁基板が、ポリイミド、液晶ポリマから選ばれたものであることを特徴とする請求項1、又は請求項2記載のプリント配線板の製造方法。3. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the insulating substrate is selected from a polyimide and a liquid crystal polymer. 前記第1金属、第2金属、及び第3金属の各々の金属が、Ni、Cr、Au、Cu、Ag、Al、Sn、Zn、Pbから選ばれたものであることを特徴とする請求項1、請求項2、又は請求項3記載のプリント配線板の製造方法。The metal of each of the first metal, the second metal, and the third metal is selected from Ni, Cr, Au, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, and Pb. The method for producing a printed wiring board according to claim 1, 2, or 3. 前記第2金属のめっき被膜の厚みが、0.1μm〜5μmであることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項3、又は請求項4記載のプリント配線板の製造方法。The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness of the plating film of the second metal is 0.1 m to 5 m. 前記下地層の厚みが、0.1μm〜3μmであることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、又は請求項5記載のプリント配線板の製造方法。6. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the underlayer has a thickness of 0.1 μm to 3 μm.
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