[go: up one dir, main page]

JP2004043814A - シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置 - Google Patents

シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004043814A
JP2004043814A JP2003272095A JP2003272095A JP2004043814A JP 2004043814 A JP2004043814 A JP 2004043814A JP 2003272095 A JP2003272095 A JP 2003272095A JP 2003272095 A JP2003272095 A JP 2003272095A JP 2004043814 A JP2004043814 A JP 2004043814A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
layer
clay
curable silicone
silicone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003272095A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004043814A5 (ja
Inventor
Manabu Sudo
須藤　学
Yoshito Ushio
潮　嘉人
Toyohiko Fujisawa
藤澤　豊彦
Katsutoshi Mine
峰　勝利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DuPont Toray Specialty Materials KK
Original Assignee
Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Toray Silicone Co Ltd filed Critical Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
Priority to JP2003272095A priority Critical patent/JP2004043814A/ja
Publication of JP2004043814A publication Critical patent/JP2004043814A/ja
Publication of JP2004043814A5 publication Critical patent/JP2004043814A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/124—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2483/00—Presence of polysiloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H01L2224/29191—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01038—Strontium [Sr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01043—Technetium [Tc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01092—Uranium [U]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

【課題】　平滑な基材と表面に凹凸を有する基材を良好に接着することができ、
かつ接着層の厚さを略均一にすることができるシリコーン系接着性シート、半導
体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらを
良好に接着することができる半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および
半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これ
らが良好に接着され、信頼性が優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】　片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層を有し、他の片面に前記
組成物層に比べて硬化の遅い粘土状硬化性シリコーン組成物層を有するか、また
は片面にシリコーン硬化物層を有し、他の片面に粘土状硬化性シリコーン組成物
層を有するシリコーン系接着性シート、上記シートを用いて半導体チップと該チ
ップ取付部を接着する方法、上記シートにより半導体チップを該チップ取付部に
接着してなる半導体装置。
【選択図】　　　　　　　図１

Description

　本発明は、シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置に関し、詳しくは、平滑な基材と表面に凹凸を有する基材を良好に接着することができ、かつ接着層の厚さを略均一にすることができるシリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらを良好に接着することができる半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらが良好に接着され、信頼性が優れる半導体装置に関する。
　特許文献１には、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物を２枚の保護フィルムの間に挟んだ状態で硬化させることにより得られたシリコーン系接着性シートは半導体チップと該チップ取付部との接着に好適であることが提案されている。しかし、このようなシートは、半導体チップおよび該チップ取付部の少なくとも一方の表面に１０μｍ以上の凹凸（ギャップ）がある場合には、このギャップフィル性能が劣り、これらを十分に接着することができないという問題があった。
　一方、特許文献２には、オルガノポリシロキサンと、充填剤と、接着助剤とを含有するシリコーン組成物からなり、粘土状で厚さが０．１〜５ｍｍであるシート状接着剤が提案されている。しかし、このようなシート状接着剤を用いて基材と他の基材を接着しようとすると、接着層の厚さが不均一となるという問題があった。特に、このようなシート状接着剤により半導体チップを該チップ取付部に接着した場合に、接着層の厚さが不均一となり、後のワイヤボンディング工程で不都合を生じるという問題があった。
特開平１１−１２５４６号公報（対応米国特許第６，２３５，８６２号明細書） 特開平１０−１７８２８号公報（対応米国特許第５，９４２，５６５号明細書）
　本発明は、平滑な基材と表面に凹凸を有する基材を良好に接着することができ、かつ接着層の厚さを略均一にすることができるシリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらを良好に接着することができる半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらが良好に接着され、信頼性が優れる半導体装置を提供することを目的とする。
　本発明のシリコーン系接着性シートは、片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層を有し、他の片面に前記組成物層に比べて硬化の遅い粘土状硬化性シリコーン組成物層を有するか、または片面にシリコーン硬化物層を有し、他の片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層を有することを特徴とする。
　また、本発明の半導体チップと該チップ取付部の接着方法は、（１）ウェーハに接着したシリコーン硬化物層、該硬化物層に密着した粘土状硬化性シリコーン組成物層、該組成物層に密着した保護フィルム、および該フィルムに粘着した粘着シートからなる積層体をダイシングして半導体チップを作製し、（２）該チップから前記保護フィルムおよび前記粘着シートを剥離した後、（３）前記組成物層を介して前記半導体チップを該チップ取付部に圧着し、次いで（４）前記組成物層を硬化することを特徴とする。
　また、本発明の半導体装置は、片面に粘土状硬化性シリコーン組成物（Ｉ）層を有し、他の片面に前記組成物（Ｉ）層に比べて硬化の遅い粘土状硬化性シリコーン組成物（ＩＩ）層を有するシリコーン系接着性シートにより、（ｉ）前記組成物（Ｉ）層を半導体チップに接触した状態で、前記組成物（ＩＩ）層を硬化させないようにして前記組成物（Ｉ）層を硬化し、次いで、前記組成物（ＩＩ）層を半導体チップ取付部に接触した状態で硬化してなるか、または（ｉｉ）前記組成物（Ｉ）層を半導体チップ取付部に接触した状態で、前記組成物（ＩＩ）層を硬化しないようにして前記組成物（Ｉ）層を硬化し、次いで、前記組成物（ＩＩ）層を半導体チップに接触した状態で硬化してなることを特徴とする。
　また、本発明の他の半導体装置は、片面にシリコーン硬化物層を有し、他の片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層を有するシリコーン系接着性シートにより、（ｉ）前記硬化物層を半導体チップに接触した状態で、前記組成物層を硬化しないようにして前記硬化物層を接着し、次いで、前記組成物層を半導体チップ取付部に接触した状態で硬化してなるか、または（ｉｉ）前記硬化物層を半導体チップ取付部に接触した状態で、前記組成物層を硬化しないようにして前記硬化物層を接着し、次いで、前記組成物層を半導体チップに接触した状態で硬化してなることを特徴とする。
　本発明のシリコーン系接着性シートは、平滑な基材と表面に凹凸を有する基材を良好に接着することができ、かつ接着層の厚さを略均一にすることができるという特徴がある。特に、本発明のシリコーン系接着性シートは、少なくとも一方の表面に凹凸を有する半導体チップと該チップ取付部の接着に好適である。また、本発明の半導体チップと該チップ取付部の接着方法は、半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらを良好に接着することができるという特徴がある。また、本発明の半導体装置は、半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらが良好に接着され、信頼性が優れるという特徴がある。
　はじめに、本発明のシリコーン系接着性シートを詳細に説明する。
　本発明のシリコーン系接着性シートを図１に示した。このシートは、片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層１を有し、他の片面に、前記組成物層に比べて硬化の遅い粘土状硬化性シリコーン組成物層２を有している。これらの硬化性シリコーン組成物の硬化速度は、例えば、ＪＩＳ　Ｋ　６３００に規定の振動式加硫試験機による加硫試験により、同一温度（例えば、１３０℃、１５０℃）条件下で測定した９０％加硫時間｛ｔｃ（９０）｝により比較することができる。なお、この硬化速度の差は限定されないが、硬化速度の遅い硬化性シリコーン組成物のｔｃ（９０）と硬化速度の早い硬化性シリコーン組成物のｔｃ（９０）の比が、１３０℃において、５倍以上であることが好ましく、特には、１０倍以上であることが好ましく、また、１５０℃において、２倍以上であることが好ましく、特には、５倍以上であることが好ましい。
　この組成物層１の厚さは限定されないが、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは１〜１００μｍであり、特に好ましくは１〜５０μｍである。また、この組成物層２の厚さも限定されないが、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは１〜１００μｍであり、特に好ましくは１〜５０μｍである。そして、このシートの厚さも限定されないが、好ましくは１００μｍ以下である。
　これらの粘土状硬化性シリコーン組成物のＪＩＳ　Ｋ　６２４９に規定の可塑度は限定されず、同じであってもよく、また異なっていてもよい。この可塑度はいずれも１００〜８００の範囲内であることが好ましく、さらには、１００〜７００の範囲内であることが好ましく、特には、１００〜５００の範囲内であることが好ましい。なお、この可塑度は、ＪＩＳ　Ｋ　６２４９の規定に従って、平行板可塑度計（ウイリアムプラストメータ）により、試験片｛体積２±０．０２ｃｍ３の円筒状物（直径約１６ｍｍ、高さ約１０ｍｍ）｝に４９±０．０５Ｎの荷重を３分間かけた際の値である。
　これらの粘土状硬化性シリコーン組成物を硬化して得られるシリコーン硬化物の性状は限定されず、同じであってもよく、また異なっていてもよい。このシリコーン硬化物の性状はいずれもエラストマー状であることが好ましく、特には、ゴム状であることが好ましい。また、これらの粘土状硬化性シリコーン組成物の硬化機構は限定されず、同じであってもよく、また、異なっていてもよい。この硬化性シリコーン組成物としては、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物、縮合反応硬化性シリコーン組成物、有機過酸化物によるラジカル反応硬化性シリコーン組成物、高エネルギー線硬化性シリコーン組成物が例示される。本発明のシリコーン系接着性シートにおいて、硬化の早い硬化性シリコーン組成物および硬化の遅い硬化性シリコーン組成物はいずれもヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物であることが好ましい。
　これらのヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物は、いずれも、（Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）充填剤、（Ｃ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、（Ｄ）接着促進剤、および（Ｅ）ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物であることが好ましい。
　（Ａ）成分は上記組成物の主成分であり、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。（Ａ）成分の重量平均重合度は３，０００以上であることが好ましく、その性状は生ゴム状であることが好ましい。（Ａ）成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、網状が例示される。また、（Ａ）成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。このアルケニル基の結合位置としては、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。また、（Ａ）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合している基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。なお、（Ａ）成分がフェニル基を含有する場合には、得られるシートに優れた耐寒性を付与し、このシートにより半導体チップを該チップ取付部に接着して得られる半導体装置の信頼性を向上させることができる。
　（Ｂ）成分は上記組成物の流動性を低下させたり、上記組成物を硬化して得られる硬化物に機械的強度を付与するための充填剤である。（Ｂ）成分は、本発明の目的を損なわない限りにおいて、一般に硬化性シリコーン組成物に配合し得ることのできる充填剤であり、例えば、沈降シリカ、フュームドシリカ、焼成シリカ、酸化チタン、アルミナ、ガラス、石英、アルミノケイ酸、酸化鉄、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、カーボンブラック、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の無機充填剤、これらの充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物により処理した無機充填剤；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂微粉末；銀、銅等の導電性金属粉末等の充填剤、シリコーンエラストマー粉体が挙げられる。特に、沈降シリカ、フュームドシリカ等の補強性シリカ；コロイド質炭酸カルシム、カーボンブラック等の増粘性と補強性を付与できる微粒子状充填剤であることが好ましい。
　上記組成物において、（Ｂ）成分の含有量は限定されないが、（Ａ）成分１００重量部に対して１〜１，０００重量部の範囲内であることが好ましく、さらには、５〜８００重量部の範囲内であることが好ましく、さらには、５〜５００重量部の範囲内であることが好ましく、さらには、５〜２００重量部の範囲内であることが好ましく、特には、５〜１００重量部の範囲内であることが好ましい。特に、（Ｂ）成分として、補強性を付与できる微粒子状充填剤を用いる場合には、（Ａ）成分１００重量部に対して１〜１００重量部の範囲内であることが好ましく、特に、１〜５０重量部の範囲内であることが好ましい。これは、（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物に十分な機械的強度を付与できなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、均一な組成物を調製することが困難となる傾向があるからである。
　（Ｃ）成分は上記組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。（Ｃ）成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。また、（Ｃ）成分中のケイ素原子に結合した水素原子の結合位置としては、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。また、（Ｃ）成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合している基としては、前記と同様の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。また、（Ｃ）成分の２５℃における粘度は限定されないが、１〜１００，０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、１〜１０，０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。
　上記組成物において、（Ｃ）成分の含有量は上記組成物を硬化させるに十分な量であれば限定されないが、好ましくは、（Ａ）成分中のアルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０．１〜１０モルの範囲内となる量であり、さらに好ましくは、０．１〜５モルの範囲内となる量であり、さらに好ましくは、０．５〜５モルの範囲内となる量であり、特に好ましくは、１〜５モルの範囲内となる量である。これは、（Ｃ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限をこえると、得られる硬化物の耐熱性が低下する傾向があるからである。
　（Ｄ）成分は上記組成物に良好な接着性を付与するための接着促進剤である。（Ｄ）成分としては、ケイ素原子に結合した加水分解性基を一分子中に少なくとも１個有する有機ケイ素化合物であることが好ましく、特に、同一のケイ素原子に結合した加水分解性基を少なくとも２個有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。この加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基；アセトキシ基等のアシロキシ基；イソプロペノキシ基等のアルケノキシ基；ジメチルケトキシム基、メチルエチルケトキシム基等のオキシム基が例示され、アルコキシ基であることが好ましく、特に、メトキシ基であることが好ましい。特に、（Ｄ）成分としては、トリメトキシ基を有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。また、この有機ケイ素化合物中の加水分解性基以外のケイ素原子に結合している基としては、前記と同様の置換もしくは非置換の一価炭化水素基の他に、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ基含有一価有機基；３−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基；水素原子が例示される。各種の基材に対して良好な接着性を付与できることから、この有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも１個のエポキシ基含有一価有機基を有するものであることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、オルガノシラン、オルガノシロキサン、シラトランが例示される。このオルガノシロキサンの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。
　このような（Ｄ）成分の有機ケイ素化合物としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のオルガノシラン；一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサン、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するオルガノシランまたはオルガノシロキサンと一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンとの混合物、平均単位式：
Figure 2004043814
 （式中、ａ、ｂ、およびｃは正数である。）
で示されるオルガノシロキサン、平均単位式：
Figure 2004043814
 （式中、ａ、ｂ、ｃ、およびｄは正数である。）
で示されるオルガノシロキサン、式：
Figure 2004043814
 で示されるシラトラン、式：
Figure 2004043814
 で示されるシラトランが例示される。
　上記組成物において、（Ｄ）成分の含有量は上記組成物に良好な接着性を付与し得るに十分な量であれば限定されないが、好ましくは、（Ａ）成分１００重量部に対して０．０１〜２０重量部の範囲内であり、特に好ましくは、０．１〜１０重量部の範囲内である。これは、（Ｄ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる組成物の接着性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限をこえても得られる組成物の接着性に影響はなく、むしろ、得られる硬化物の機械的特性が低下したりする傾向があるからである。
　（Ｅ）成分は上記組成物の硬化反応を促進するためのヒドロシリル化反応用触媒である。（Ｅ）成分としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、硬化反応を著しく促進できることから、特に、白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体；これらの白金系触媒を、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂中に分散もしくはカプセル化した樹脂粉末が例示される。
　上記組成物において、（Ｅ）成分の含有量は上記組成物の硬化反応を促進するに十分な量であれば限定されず、例えば、（Ｅ）成分として白金系触媒を用いた場合には、上記組成物に対して、この触媒中の白金金属が重量単位で０．０１〜１，０００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特に、０．１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。これは、（Ｅ）成分の含有量が、上記範囲の下限未満の量であると、得られる組成物の硬化反応が著しく遅くなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限をこえる量であっても、さほど硬化速度には影響がなく、むしろ、得られる硬化物に着色等の問題を生じるおそれがあるからである。
　また、上記組成物には、その硬化速度を調整するために、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン等のアルケニル基含有オルガノシロキサン；式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノシラン、式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノシラン、式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノシラン等のアルキンオキシ基含有オルガノシラン；ベンゾトリアゾール等の硬化抑制剤を含有することが好ましい。
　上記組成物において、この硬化抑制剤の含有量は限定されないが、（Ａ）成分１００重量部に対して０．００００１〜５重量部の範囲内であることが好ましい。これは、硬化抑制剤の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる組成物の硬化速度を調節することが困難となったり、取扱作業性が悪いためであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物が十分に硬化しなくなる恐れがあるからである。
　さらに、上記組成物には、本発明の目的を損なわない限りにおいて、その他任意の成分として、一般に硬化性シリコーン組成物に配合し得る染料、顔料、耐熱性付与剤、難燃性付与剤等の添加剤を含有してもよい。
　上記シート作製用のいずれのヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物についても、それらの硬化速度を調整するには、例えば、上記（Ｃ）成分の種類を選択したり、上記（Ｅ）成分の種類を選択したり、その含有量を調整したり、上記硬化抑制剤の種類を選択したり、その含有量を調整するとよい。すなわち、上記組成物において、上記（Ｃ）成分として、分子鎖末端にケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンを用いると、これは分子鎖側鎖にケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンより反応性が高いので、得られる組成物の硬化が早くなる。また、上記組成物において、上記（Ｅ）成分の含有量が大きい程、得られる組成物の硬化が早くなる。また、上記組成物において、上記硬化抑制剤の含有量が多いほど、得られる組成物の硬化は遅くなる。このようにして硬化速度の異なる粘土状硬化性シリコーン組成物を調製することができる。なお、これらの粘土状硬化性シリコーン組成物の硬化速度は、例えば、ＪＩＳ　Ｋ　６３００に規定の振動式加硫試験機による加硫試験により、同一温度（例えば、１３０℃、１５０℃）条件下で測定した９０％加硫時間｛ｔｃ（９０）｝により確認することができる。
　また、図１では、シートの両面に保護フィルム３、４が密着している。これらの保護フィルムの使用は任意であるが、これら保護フィルムは、シートの表面に塵埃が付着することを防止するため、シートの片面、あるいは両面に密着していることが好ましい。なお、これらの保護フィルムは、シートの使用時には剥がしてしまうものである。これらの保護フィルム３、４は互いに同じものであってもよく、また異なっていてもよい。このような保護フィルムとして、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリエーテルサルフォン樹脂（ＰＥＳ）、三酢酸セルロール樹脂（ＴＡＣ）等のセルロース樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂からなるフィルム；これらの有機樹脂からなるフィルムの表面をフッ素樹脂やその他の有機樹脂で被覆したフィルムが例示される。
　このシートを調製する方法は限定されないが、例えば、粘土状硬化性シリコーン組成物のトルエンやヘプタン等の有機溶剤溶液を保護フィルム上に塗工し、同様に、前記組成物とは硬化速度の異なる粘土状硬化性シリコーン組成物の有機溶剤溶液を前記とは別の保護フィルム上に塗工した後、これらの粘土状硬化性シリコーン組成物同士を貼り合せる方法、粘土状硬化性シリコーン組成物の有機溶剤溶液を保護フィルム上に塗工し、さらに、前記組成物上に、前記組成物と硬化速度の異なる粘土状硬化性シリコーン組成物の有機溶剤溶液を塗布する方法、前記組成物をカレンダー加工して保護フィルム上に被覆した後、前記組成物と硬化速度の異なる粘土状硬化性シリコーン組成物の有機溶剤溶液を塗布する方法が挙げられる。
　次に、本発明の他のシリコーン系接着性シートを詳細に説明する。
　このシートを図２に示した。このシートは、片面にシリコーン硬化物層５を有し、他の片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層６を有している。この硬化物層５の厚さは限定されないが、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは１〜１００μｍであり、特に好ましくは１〜５０μｍである。また、この組成物層６の厚さも限定されないが、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは１〜１００μｍであり、特に好ましくは１〜５０μｍである。そして、このシートの厚さも限定されないが、好ましくは１００μｍ以下である。
　この硬化物層５は、例えば、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物、縮合反応硬化性シリコーン組成物、有機過酸化物によるラジカル反応硬化性シリコーン組成物、高エネルギー線硬化性シリコーン組成物等の硬化性シリコーン組成物を硬化して形成されたものであり、好ましくは、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物を硬化して形成されたものである。この硬化物の性状は限定されず、エラストマー状であることが好ましく、特に、ゴム状であることが好ましい。
　また、このシートにおいて、粘土状硬化性シリコーン組成物のＪＩＳ　Ｋ　６２４９に規定の可塑度は限定されないが、１００〜８００の範囲内であることが好ましく、さらには、１００〜７００の範囲内であることが好ましく、特には、１００〜５００の範囲内であることが好ましい。なお、この可塑度は、ＪＩＳ　Ｋ　６２４９の規定に従って、平行板可塑度計（ウイリアムプラストメータ）により、試験片｛体積２±０．０２ｃｍ３の円筒状物（直径約１６ｍｍ、高さ約１０ｍｍ）｝に４９±０．０５Ｎの荷重を３分間かけた際の値である。
　また、この粘土状硬化性シリコーン組成物を硬化して得られるシリコーン硬化物の性状は限定されず、エラストマー状であることが好ましく、特に、ゴム状であることが好ましい。この硬化性シリコーン組成物は硬化機構が限定されず、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物、縮合反応硬化性シリコーン組成物、有機過酸化物によるラジカル反応硬化性シリコーン組成物、高エネルギー線硬化性シリコーン組成物が例示され、特に、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物であることが好ましい。このヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物としては、前記の通りである。
　また、図２では、シリコーン系接着性シートの両面に保護フィルム７、８が密着している。これらの保護フィルムの使用は任意であるが、これらの保護フィルムは、シートの表面に塵埃が付着することを防止するため、シートの片面、あるいは両面に密着していることが好ましい。なお、これらの保護フィルムは、シートの使用時には剥がしてしまうものである。これらの保護フィルム７、８は互いに同じものであってもよく、また異なっていてもよい。このような保護フィルムとしては、前記と同様のフィルムが例示される。
　上記のシートを調製する方法は限定されないが、例えば、粘土状硬化性シリコーン組成物のトルエンやヘプタン等の有機溶剤溶液を保護フィルム上に塗工し、同様に、前記組成物とは硬化速度の異なる粘土状硬化性シリコーン組成物の有機溶剤溶液を前記とは別の保護フィルム上に塗工した後、これらの粘土状硬化性シリコーン組成物同士を貼り合せ、次いで一方の粘土状硬化性シリコーン組成物のみを硬化させる方法、硬化性シリコーン組成物の有機溶剤溶液を保護フィルム上に塗工し、該組成物を硬化させた後、該硬化物上に、粘土状硬化性シリコーン組成物の有機溶剤溶液を塗工する方法、液状硬化性シリコーン組成物を保護フィルム上に塗工し、該組成物を硬化させた後、別の保護フィルムに粘土状硬化性シリコーン組成物のトルエンやヘプタン等の有機溶剤溶液を塗工した後、両者を貼り合せる方法、上記（Ｃ）成分あるいは上記（Ｅ）成分を保護フィルム上に塗工し、同様に、粘土状硬化性シリコーン組成物の有機溶剤溶液を前記とは別の保護フィルム上に塗工した後、前記（Ｃ）成分あるいは前記（Ｅ）成分と粘土状硬化性シリコーン組成物を貼り合せた後、前記粘土状硬化性シリコーン組成物の片面のみを硬化させる方法、硬化性シリコーン組成物をカレンダー加工により保護フィルム上に被覆し、該組成物を硬化させた後、該硬化物上に、粘土状硬化性シリコーン組成物の有機溶剤溶液を塗工する方法が挙げられる。
　このような本発明のシリコーン系接着性シートは、平滑な基材と表面に凹凸を有する基材を良好に接着することができ、かつ接着層の厚さを略均一にすることができるので各種の基材の接着性シートとして有用である。特に、本発明のシリコーン系接着性シートを、少なくとも一方の表面に凹凸を有する半導体チップと該チップ取付部の接着剤として用いた場合には、接着層の厚さを略均一とすることができるので、後のワイヤボンディング工程で不都合を生じないという利点がある。このように本発明のシリコーン系接着性シートは、少なくとも一方の表面に凹凸を有する半導体チップを該チップ取付部に接着するための接着剤として好適である。この際、このシートはウランやトリウムの含有量が少ないものが好ましい。また、このシートはナトリウムやカリウム等のアルカリ金属イオンやハロゲンイオンの含有量が少ないものが好ましい。さらに、このシートは低分子シロキサン含有量が少ないものが好ましい。
　次に、本発明の半導体チップと該チップ取付部の接着方法について、図３により詳細に説明する。
　この方法は、（１）ウェーハ９に接着したシリコーン硬化物層１０、該硬化物層１０に密着した粘土状硬化性シリコーン組成物層１１、該組成物層１１に密着した保護フィルム１２、および該フィルム１２に粘着した粘着シート１３からなる積層体をダイシングして半導体チップを作製し、（２）該チップから前記保護フィルム１２および前記粘着シート１３を剥離した後、（３）前記組成物層１１を介して前記半導体チップを該チップ取付部に圧着し、次いで（４）前記組成物層１１を硬化することを特徴とする。
　ウェーハ９に接着したシリコーン硬化物層１０、および該硬化物層１０に密着した粘土状硬化性シリコーン組成物層１１からなる積層体を形成する方法としては、例えば、ウェーハに密着した粘土状硬化性シリコーン組成物（Ｉ）層、および該組成物（Ｉ）層に密着し、該組成物（Ｉ）層に比べて硬化の遅い粘土状硬化性シリコーン組成物（ＩＩ）層からなる積層体を、該組成物（ＩＩ）層を硬化しないようにして前記組成物（Ｉ）層を硬化する方法、あるいはウェーハに、シリコーン硬化物層と、該硬化物に密着している粘土状硬化性シリコーン組成物層が積層されているシリコーン系接着性シートの前記硬化物層を、前記粘土状硬化性シリコーン組成物を硬化しないようにして、前記ウェーハに接着させる方法が例示される。なお、これらの方法で使用されるシリコーン系接着性シートについては、前記の通りである。
　次いで、保護フィルム１２に粘着シート１３を貼り合わせ、ウェーハ９側からダイシングする。この際、前記粘着シート１３のほぼ中央部までカットしてもよい。このようにして得られた半導体チップから前記保護フィルム１２および前記粘着シート１３を剥離した後、粘土状硬化性シリコーン組成物層１１を介して半導体チップ取付部に圧着し、次いで前記組成物層１１を硬化することにより半導体チップと該チップ取付部を接着することができる。この接着条件は特に限定されないが、例えば、５０〜２５０℃の範囲内で加熱することが好ましく、さらには、１００〜１５０℃の範囲内で加熱することが好ましい。また、圧着時間については、１秒間〜２時間とすることが好ましい。また、圧力については、半導体チップおよび該チップ取付部が損傷しない範囲であれば特に限定されないが、０．３〜２．０ＭＰａの範囲内であることが好ましい。
　次に、本発明の半導体装置について詳細に説明する。
　本発明の半導体装置は、上記のシリコーン系接着性シートにより、半導体チップを該チップ取付部に接着したことを特徴とし、この半導体装置としては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、モノリシックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示され、ＣＳＰと称されるパッケージも本発明の半導体装置に含まれる。この半導体装置において、シリコーン系接着性シートについては、前記の通りである。また、半導体チップとしては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、モノリシックＩＣ、さらにはハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ中の半導体チップ等の半導体チップを搭載した回路基板素子が例示される。また、半導体チップ取付部としては、セラミック、ガラス、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ベークライト樹脂、メラミン樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ガラス繊維強化ＢＴレジン等の回路基板、チップキャリア、タブが例示される。また、ボンディングワイヤとしては、金、銅、アルミニウム等の金属細線が例示される。このボンディングワイヤを接続する方法としては、一般に、超音波熱圧着法が用いられる。
　この半導体装置として、片面に粘土状硬化性シリコーン組成物（Ｉ）層を有し、他の片面に前記組成物（Ｉ）層に比べて硬化の遅い粘土状硬化性シリコーン組成物（ＩＩ）層を有するシリコーン系接着性シートにより、半導体チップを該チップ取付部に接着した場合には、（ｉ）前記組成物（Ｉ）層を半導体チップに接触した状態で、前記組成物（ＩＩ）層を硬化させないようにして前記組成物（Ｉ）層を硬化し、次いで、前記組成物（ＩＩ）層を半導体チップ取付部に接触した状態で硬化した半導体装置、または（ｉｉ）前記組成物（Ｉ）層を半導体チップ取付部に接触した状態で、前記組成物（ＩＩ）層を硬化しないようにして前記組成物（Ｉ）層を硬化し、次いで、前記組成物（ＩＩ）層を半導体チップに接触した状態で硬化した半導体装置が例示される。
　この半導体チップあるいは該チップ取付部へのシリコーン系接着性シートの接着条件は特に限定されないが、例えば、５０〜２５０℃の範囲内で加熱することが好ましく、さらには、１００〜１５０℃の範囲内で加熱することが好ましい。また、圧着時間については、１秒間〜２時間であることが好ましい。また、圧力については、半導体チップおよび該チップ取付部が損傷しない範囲であれば特に限定されないが、０．３〜２．０ＭＰａの範囲内であることが好ましい。
　特に、上記（ｉ）の半導体装置では、粘土状硬化性シリコーン組成物（Ｉ）層を半導体チップに接着しているが、該半導体チップの表面は平滑であっても、また凹凸であってもよい。この際、上記の接着条件において、粘土状硬化性シリコーン組成物（ＩＩ）層を硬化しない条件で前記硬化物（Ｉ）層を硬化する必要がある。その後、粘土状硬化性シリコーン組成物（ＩＩ）層を半導体チップ取付部に接着させるが、該取付部の表面は平滑であってもよく、また凹凸であってもよい。次いで、上記の接着条件で前記組成物（ＩＩ）層を硬化させることにより接着することができる。
　また、上記（ｉｉ）の半導体装置では、粘土状硬化性シリコーン組成物（Ｉ）層を半導体チップ取付部に接着しているが、該チップ取付部の表面は平滑であっても、また凹凸であってもよい。この際、上記の接着条件において、粘土状硬化性シリコーン組成物（ＩＩ）層を硬化しない条件で前記硬化物（Ｉ）層を硬化させる必要がある。その後、粘土状硬化性シリコーン組成物（ＩＩ）層を半導体チップに接着させるが、該チップの表面は平滑であってもよく、また凹凸であってもよい。次いで、上記の接着条件で前記組成物（ＩＩ）層を硬化させることにより接着することができる。
　また、この半導体装置として、片面にシリコーン硬化物層を有し、他の片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層を有するシリコーン系接着性シートにより、半導体チップを該チップ取付部に接着した場合には、（ｉｉｉ）前記硬化物層を半導体チップに接触した状態で、前記組成物層を硬化しないようにして前記硬化物層を接着し、次いで、前記組成物層を半導体チップ取付部に接触した状態で硬化してなる半導体装置、または（ｉｖ）前記硬化物層を半導体チップ取付部に接触した状態で、前記組成物層を硬化しないようにして前記硬化物層を接着し、次いで、前記組成物層を半導体チップに接触した状態で硬化してなる半導体装置が例示される。
　この半導体チップあるいは該チップ取付部へのシリコーン系接着性シートの接着条件は特に限定されないが、例えば、５０〜２５０℃の範囲内で加熱することが好ましく、さらには、１００〜１５０℃の範囲内で加熱することが好ましい。また、圧着時間については、１秒間〜２時間であることが好ましい。また、圧力については、半導体チップおよび該チップ取付部が損傷しない範囲であれば特に限定されないが、０．３〜２．０ＭＰａの範囲内であることが好ましい。
　特に、上記（ｉｉｉ）の半導体装置では、シリコーン硬化物層を半導体チップに接着しているため、該半導体チップは平滑な面を有するものであることが必要であり、上記の接着条件において、粘土状硬化性シリコーン組成物層を硬化しない条件で前記硬化物層を接着する必要がある。その後、粘土状硬化性シリコーン組成物層を半導体チップ取付部に接着させているが、該チップ取付部は表面に凹凸があるものが好ましい。次いで、上記の接着条件で前記組成物を硬化させることにより接着することができる。
　また、上記（ｉｖ）の半導体装置では、シリコーン硬化物層を半導体チップ取付部に接着するため、該チップ取付部は平滑な面を有するものであることが必要であり、上記の接着条件において、粘土状硬化性シリコーン組成物層を硬化しない条件で前記硬化物層を接着する必要がある。その後、粘土状硬化性シリコーン組成物層を半導体チップに接着させているが、該チップは表面に凹凸があるものが好ましい。次いで、上記の接着条件で前記組成物を硬化させることにより接着することができる。
　本発明のシリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置を実施例により詳細に説明する。なお、実施例中、粘度は２５℃における値である。また、粘土状硬化性シリコーン組成物の可塑度は、ＪＩＳ　Ｋ　６２４９の規定に従って、平行板可塑度計（ウイリアムプラストメータ）により、試験片｛体積２±０．０２ｃｍ３の円筒状物（直径約１６ｍｍ、高さ約１０ｍｍ）｝に４９±０．０５Ｎの荷重を３分間かけた際の値とした。また、粘土状硬化性シリコーン組成物の硬化速度は、ＪＩＳ　Ｋ　６３００に規定の振動式加硫試験機による加硫試験により、同一温度（１３０℃、または１５０℃）条件下で測定した９０％加硫時間｛ｔｃ（９０）｝により示した。さらに、シリコーン硬化物の硬さはＪＩＳ　Ｋ　６２５３に規定のタイプＡデュロメータにより測定した。
［参考例１］
　ニーダーミキサーにより、ジメチルシロキサン単位９９．８５モル％とメチルビニルシロキサン単位０．１５モル％からなる、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体生ゴム（重量平均分子量＝３７０，０００）１００重量部、粘度６０ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサンオリゴマー１０．０重量部、およびフュームドシリカ（日本アエロジル株式会社製の商品名ＡＥＲＯＳＩＬ　２００；ＢＥＴ比表面積２００ｍ２／ｇ）４０重量部を加熱混合してシリコーンゴムベースを調製した。
　次に、２ロールミルにより、上記のシリコーンゴムベース１００重量部、粘度３０ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン０．８重量部（上記シリコーンゴムベースに含まれている分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体生ゴム中のビニル基１モルに対して、このメチルハイドロジェンポリシロキサン中のケイ素原子結合水素原子が３．１モルとなる量）、硬化抑制剤として、式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノシラン０．０５重量部、および接着促進剤として、平均単位式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノシロキサン１．０重量部を均一に混合した後、さらに、白金の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液（本組成物において、錯体中の白金金属が重量単位で２０ｐｐｍとなる量）を混合して粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）を調製した。
　この粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）の可塑度は２４０であった。また、この粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）の硬化速度について、ＪＩＳ　Ｋ　６３００に規定のｔｃ（９０）は、１３０℃で２．５分であり、１５０℃で１分であった。また、硬化して得られるシリコーンゴムの硬さは６０であった。
　次に、セパラブルフラスコ中で、上記の粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）２０重量部およびトルエン８０重量部を攪拌して、粘度が３，５００ｍＰａ・ｓである粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）のトルエン溶液を調製した。
［参考例２］
　ニーダーミキサーにより、ジメチルシロキサン単位９９．８５モル％とメチルビニルシロキサン単位０．１５モル％からなる、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体生ゴム（重量平均分子量＝３７０，０００）１００重量部、粘度６０ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサンオリゴマー１０．０重量部、およびフュームドシリカ（日本アエロジル株式会社製の商品名ＡＥＲＯＳＩＬ　２００；ＢＥＴ比表面積２００ｍ２／ｇ）４０重量部を加熱混合してシリコーンゴムベースを調製した。
　次に、２ロールミルにより、上記のシリコーンゴムベース１００重量部、粘度３０ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン０．８重量部（上記シリコーンゴムベースに含まれている分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体生ゴム中のビニル基１モルに対して、このメチルハイドロジェンポリシロキサン中のケイ素原子結合水素原子が３．１モルとなる量）、硬化抑制剤として、式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノシラン０．２重量部、および接着促進剤として、平均単位式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノシロキサン１．０重量部を均一に混合した後、さらに、白金の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液（本組成物において、錯体中の白金金属が重量単位で２０ｐｐｍとなる量）を混合して粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）を調製した。
　この粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）の可塑度は２４０であった。また、この粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）の硬化速度について、ＪＩＳ　Ｋ　６３００に規定のｔｃ（９０）は、１３０℃で４０分であり、１５０℃で１０分であった。また、硬化して得られるシリコーンゴムの硬さは６０であった。
　次に、セパラブルフラスコ中で、上記の粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）２０重量部およびトルエン８０重量部を攪拌して、粘度が３，５００ｍＰａ・ｓである粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）のトルエン溶液を調製した。
［参考例３］
　ニーダーミキサーにより、ジメチルシロキサン単位９９．８５モル％とメチルビニルシロキサン単位０．１５モル％からなる、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体生ゴム（重量平均分子量＝３７０，０００）１００重量部、粘度６０ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサンオリゴマー１０．０重量部、およびフュームドシリカ（日本アエロジル株式会社製の商品名ＡＥＲＯＳＩＬ　２００；ＢＥＴ比表面積２００ｍ２／ｇ）４０重量部を加熱混合してシリコーンゴムベースを調製した。
　次に、２ロールミルにより、上記のシリコーンゴムベース１００重量部、粘度３０ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン０．８重量部（上記シリコーンゴムベースに含まれている分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体生ゴム中のビニル基１モルに対して、このメチルハイドロジェンポリシロキサン中のケイ素原子結合水素原子が３．１モルとなる量）、硬化抑制剤として、式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノシラン０．２重量部、および接着促進剤として、平均単位式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノシロキサン１．０重量部を均一に混合した後、さらに、白金の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液（本組成物において、錯体中の白金金属が重量単位で２０ｐｐｍとなる量）を混合して粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩＩ）を調製した。
　この粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩＩ）の可塑度は２４０であった。また、この粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩＩ）の硬化速度について、ＪＩＳ　Ｋ　６３００に規定のｔｃ（９０）は、１３０℃で４０分であり、１５０℃で１０分であった。また、硬化して得られるシリコーンゴムの硬さは６０であった。
　次に、セパラブルフラスコ中で、上記の粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩＩ）２０重量部およびトルエン８０重量部を攪拌して、粘度が３，５００ｍＰａ・ｓである粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩＩ）のトルエン溶液を調製した。
［実施例１］
　参考例２で調製した粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）のトルエン溶液をポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの上にスクレーパーを用いて２５μｍの厚さに塗工し、室温で２時間風乾した後、１５０℃で３０分間加熱することにより粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）を硬化させて、ポリエーテルサルフォン樹脂フィルムに密着した、厚さ５μｍのシリコーンゴムシートを作製した。
　次に、このシリコーンゴムシートの上に参考例２で調製した粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）のトルエン溶液をスクレーパーを用いて２２５μｍの厚さに塗工し、室温で２時間風乾した。乾燥後のシリコーンゴムシートと粘土状シリコーンゴム組成物層の合計厚さは５０μｍであった。次に、粘土状シリコーンゴム組成物層の表面にポリエーテルサルフォン樹脂フィルムをゴムローラにより密着させて、図２で示される、シリコーンゴム層と粘土状シリコーンゴム組成物層が積層され、両面に保護フィルムとしてポリエーテルサルフォン樹脂フィルムが密着しているシリコーン系接着性シートを作製した。
　このシリコーン系接着性シートを１０ｍｍ角に切り取り、シリコーンゴム層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離した後、１０ｍｍ角のシリコン半導体チップを１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着し、次いで、粘土状シリコーンゴム組成物層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、凹凸が２０μｍであるガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の配線面に１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着した後、さらに１５０℃、６０分間加熱して粘土状シリコーンゴム組成物を硬化することによりデバイスを作製した。
　このデバイスの合計厚さを測定し、シリコン半導体チップとガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の厚さを差し引くことによりシリコン半導体チップの四隅のシリコーン接着剤層の厚さを測定したところ、シリコーン接着剤層の厚さはすべて４８μｍであり、ばらつきはなかった。また、シリコン半導体チップを上方に引き剥がして接着性を確認したところ、シリコーン接着剤層が凝集破壊し、接着性が良好な事が確認された。
　次に、上記デバイスに、直径３０μｍの金製ボンディングワイヤを超音波熱圧着によりワイヤボンディングして、図４で示される半導体装置を作製した。この半導体装置３０個を−５０℃で３０分間放置した後、直ちに１５０℃で３０分間放置することを１サイクルとするヒートサイクル試験して、上記デバイスの導通不良率を評価した。その結果を表１に示した。
［実施例２］
　参考例１で調製した粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）のトルエン溶液をポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの上にスクレーパーを用いて５０μｍの厚さに塗工し、室温で２時間風乾した。乾燥後の粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）層の厚さは５μｍであった。
　また、参考例２で調製した粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）のトルエン溶液を上記とは別のポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの上にスクレーパーを用いて２２５μｍの厚さに塗工し、室温で２時間風乾した。乾燥後の粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層の厚さは４５μｍであった。
　次に、粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）層と粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層を貼り合わせ、図１で示される、両面にポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを密着している２層の粘土状シリコーンゴム組成物からなるシリコーン系接着性シートを作製した。
　このシリコーン系接着性シートを１０ｍｍ角に切り取り、粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、１０ｍｍ角のシリコン半導体チップを１．０ＭＰａの圧力で１５０℃、２分間圧着することにより粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）層を硬化させ、次いで、粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、凹凸が２０μｍであるガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の配線面に１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着した後、さらに１５０℃、６０分間加熱して粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層を硬化させることによりデバイスを作製した。
　このデバイスの合計厚さを測定し、シリコン半導体チップとガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の厚さを差し引くことにより、シリコン半導体チップの四隅のシリコーン接着剤層の厚さを測定したところ、シリコーン接着剤層の厚さはすべて４８μｍであり、ばらつきはなかった。また、シリコン半導体チップを上方に引き剥がして接着性を確認したところ、シリコーン接着剤層が凝集破壊し、接着性が良好な事が確認された。
　次に、上記デバイスに、直径３０μｍの金製ボンディングワイヤを超音波熱圧着によりワイヤボンディングして、図４で示される半導体装置を作製した。この半導体装置３０個を−５０℃で３０分間放置した後、直ちに１５０℃で３０分間放置することを１サイクルとするヒートサイクル試験して、上記デバイスの導通不良率を評価した。その結果を表１に示した。
［実施例３］
　実施例２で作製したシリコーン系接着性シートを１３０℃、１０分間加熱することにより粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）層のみを硬化させ、図２で示される、シリコーンゴム層と粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層とが積層され、両面にポリエーテルサルフォン樹脂フィルムが保護フィルムとして密着しているシリコーン系接着性シートを作製した。
　このシリコーン系接着性シートを１０ｍｍ角に切り取り、シリコーンゴム層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、１０ｍｍ角のシリコン半導体チップを１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着し、次いで、粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、凹凸が２０μｍであるガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の配線面に１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着した後、１５０℃、６０分間加熱して粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層を硬化させることによりデバイスを作製した。
　このデバイスの合計厚さを測定し、シリコン半導体チップとガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の厚さを差し引くことにより、シリコン半導体チップの四隅のシリコーン接着剤層の厚さを測定したところ、シリコーン接着剤層の厚さはすべて４８μｍであり、ばらつきはなかった。また、シリコン半導体チップを上方に引き剥がして接着性を確認したところ、シリコーン接着剤層が凝集破壊し、接着性が良好な事が確認された。
　次に、上記デバイスに、直径３０μｍの金製ボンディングワイヤを超音波熱圧着によりワイヤボンディングして、図４で示される半導体装置を作製した。この半導体装置３０個を−５０℃で３０分間放置した後、直ちに１５０℃で３０分間放置することを１サイクルとするヒートサイクル試験して、上記デバイスの導通不良率を評価した。その結果を表１に示した。
［実施例４］
　厚さ５０μｍのポリエーテルサルフォン樹脂フィルムに、白金金属として重量単位で５００ｐｐｍ含有する白金の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のトルエン溶液を、ガーゼを用いて塗布し、室温で２時間放置して風乾させた。
　参考例２で調製した粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）のトルエン溶液を上記とは別のポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの上にスクレーパーを用いて２５０μｍの厚さに塗工し、室温で２時間風乾した。乾燥後の粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層の厚さは５０μｍであった。
　次に、粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層と白金の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を塗布した面を貼り合わせ、両面にポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを密着している粘土状シリコーンゴム組成物からなる粘土状シリコーン系接着性シートを作製し、次いで、これを１３０℃、１０分間加熱することにより、粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層の白金の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体と接触した面のみを硬化させ、シリコーンゴム層と粘土状シリコーンゴム組成物層が積層され、両面にポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを保護フィルムとして密着している粘土状シリコーン系接着性シートを作製した。シリコーン層は、粘土状層側から３０μｍ程度、粘土状を保っていた。
　この粘土状シリコーン系接着性シートを１０ｍｍ角に切り取り、シリコーンゴム層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、１０ｍｍ角のシリコン半導体チップを１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着し、次いで、粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、凹凸が２０μｍであるガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の配線面に１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着した後、さらに１５０℃、６０分間加熱して粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層を硬化させることによりデバイスを作製した。
　このデバイスの合計厚さを測定し、シリコン半導体チップとガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の厚さを差し引くことにより、シリコン半導体チップの四隅のシリコーン接着剤層の厚さを測定したところ、シリコーン接着剤層の厚さはすべて４８μｍであり、ばらつきはなかった。また、シリコン半導体チップを上方に引き剥がして接着性を確認したところ、シリコーン接着剤層が凝集破壊し、接着性が良好な事が確認された。
　次に、上記デバイスに、直径３０μｍの金製ボンディングワイヤを超音波熱圧着によりワイヤボンディングして半導体装置を作製した。この半導体装置３０個を−５０℃で３０分間放置した後、直ちに１５０℃で３０分間放置することを１サイクルとするヒートサイクル試験して、上記デバイスの導通不良率を評価した。その結果を表１に示した。
［実施例５］
　厚さ５０μｍのポリエーテルサルフォン樹脂フィルムに、平均単位式：
［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］０．６（ＳｉＯ２）０．４
で示されるオルガノポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０．９７重量％）のトルエン溶液（固形分１０重量％）を、ガーゼを用いて塗布し、室温で２時間放置して風乾させた。
　参考例２で調製した粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層のトルエン溶液を上記とは別のポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの上にスクレーパーを用いて２５０μｍの厚さに塗工し、室温で２時間風乾した。乾燥後の粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層の厚さは５０μｍであった。
　次に、粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層と平均単位式：
［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］０．６（ＳｉＯ２）０．４
で示されるオルガノポリシロキサンを塗布した面を貼り合わせ、両面にポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを密着している粘土状シリコーンゴム組成物からなるシリコーン系接着性シートを作製し、次いで、これを１３０℃、１０分間加熱することにより、粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層の平均単位式：
［（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２］０．６（ＳｉＯ２）０．４
で示されるオルガノポリシロキサンと接触した面のみを硬化させ、図２で示される、シリコーンゴム層と粘土状シリコーンゴム組成物層が積層され、両面にポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを保護フィルムとして密着している粘土状シリコーン系接着性シートを作製した。シリコーン層は、粘土状層側から３０μｍ程度、粘土状を保っていた。
　この粘土状シリコーン系接着性シートを１０ｍｍ角に切り取り、シリコーンゴム層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、１０ｍｍ角のシリコン半導体チップを１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着し、次いで、粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層に密着しているポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、凹凸が２０μｍであるガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の配線面に１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着した後、さらに１５０℃、６０分間加熱して粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層を硬化させることによりデバイスを作製した。
　このデバイスの合計厚さを測定し、シリコン半導体チップとガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の厚さを差し引くことにより、シリコン半導体チップの四隅のシリコーン接着剤層の厚さを測定したところ、シリコーン接着剤層の厚さはすべて４８μｍであり、ばらつきはなかった。また、シリコン半導体チップを上方に引き剥がして接着性を確認したところ、シリコーン接着剤層が凝集破壊し、接着性が良好な事が確認された。
　次に、上記デバイスに、直径３０μｍの金製ボンディングワイヤを超音波熱圧着によりワイヤボンディングして半導体装置を作製した。この半導体装置３０個を−５０℃で３０分間放置した後、直ちに１５０℃で３０分間放置することを１サイクルとするヒートサイクル試験して、上記デバイスの導通不良率を評価した。その結果を表１に示した。
［実施例６］
　実施例２で調製した、粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）層と粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩ）層が積層されており、両面に保護フィルムが密着しているシリコーン系接着性シートの粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）層の保護フィルムを剥がし、ダイシング前の４インチのシリコンウェーハにゴムローラを用いて密着させた。次に、これを１３０℃で１０分間加熱し、粘土状シリコーンゴム組成物（Ｉ）層のみを硬化させた。
　次に、シリコンウェーハに接着しているシリコーン系接着性シートに密着している保護フィルムに、厚さ９０μｍの粘着シートを貼り付け、株式会社ディスコ製のダイシングソーＤＡＤ３４０を用いて、１０ｍｍ角にダイシングした。その際、粘着シートの下面程６０μｍ程を切り残した。
　ダイシングしたシリコン半導体チップを粘着シートを用いてピックアップすると、保護フィルムは粘着シート側に残った。このシリコン半導体チップに接着しているシリコーン系接着性シートを、凹凸が２０μｍであるガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の配線面に１．０ＭＰａの圧力で、室温下、１秒間圧着した後、さらに１５０℃、６０分間加熱して粘土状シリコーンゴム組成物層を硬化させることによりデバイスを作製した。
　このデバイスの合計厚さを測定し、シリコン半導体チップとガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の厚さを差し引くことにより、シリコン半導体チップの四隅のシリコーン接着剤層の厚さを測定したところ、シリコーン接着剤層の厚さはすべて４８μｍであり、ばらつきはなかった。また、シリコン半導体チップを上方に引き剥がして接着性を確認したところ、シリコーン接着剤層が凝集破壊し、接着性が良好な事が確認された。
　次に、上記デバイスに、直径３０μｍの金製ボンディングワイヤを超音波熱圧着によりワイヤボンディングして、図４で示される半導体装置を作製した。この半導体装置３０個を−５０℃で３０分間放置した後、直ちに１５０℃で３０分間放置することを１サイクルとするヒートサイクル試験して、上記デバイスの導通不良率を評価した。その結果を表１に示した。
［比較例１］
　ロスミキサーにより、粘度４０，０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝０．０８重量％）７２重量部、粘度６，０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体（ビニル基の含有量＝０．８４重量％）１５重量部、水１．５重量部、ヘキサメチルジシラザン３重量部、およびフュームドシリカ（日本アエロジル株式会社製の商品名ＡＥＲＯＳＩＬ　２００；ＢＥＴ比表面積２００ｍ２／ｇ）１０重量部を室温で１時間混合した後、減圧下、１７０℃で２時間加熱混合した。その後、室温まで冷却して半透明ペースト状のシリコーンゴムベースを調製した。
　次に、上記のシリコーンゴムベース１００重量部、粘度５ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０．７重量％）３重量部（上記のシリコーンゴムベース中に含まれている分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中と分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体中のビニル基１モルに対して、この分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体中のケイ素原子結合水素原子が３．０モルとなる量）、硬化抑制剤として２−フェニル−３−ブチン−２−オール０．０１重量部、および接着促進剤として、平均単位式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノポリシロキサン１．０重量部を均一に混合した後、さらに、白金の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液（本組成物において、錯体中の白金金属が重量単位で５ｐｐｍとなる量）を混合して、粘度７０，０００ｍＰａ・ｓのシリコーンゴム組成物（ＩＶ）を調製した。
　このシリコーンゴム組成物（ＩＶ）を、厚さ５０μｍのポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの間にはさみ、クリアランスを調整したステンレス製の２本ロールにより、上記のシリコーンゴム組成物の厚さを５０μｍとした状態で、８０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱することにより硬化させてシリコーン系接着性シートを調製した。
　このシリコーン系接着性シートを１０ｍｍ角に切り取り、ポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを１枚剥離し、１０ｍｍ角のシリコン半導体チップを１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着し、ついで、反対側のポリエーテルサルフォン樹脂フィルムを剥離し、凹凸が２０μｍであるガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の配線面に１．０ＭＰａの圧力で１９０℃、１秒間圧着した後、さらに１５０℃、６０分間加熱してデバイスを作製した。このデバイスについて、シリコン半導体チップを上方に引き剥がして接着性を確認したところ、シリコーン接着剤層とガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の配線面が界面剥離した。そのため、上記デバイスをワイヤボンディングしなかった。
［実施例７］
　参考例３で調製した粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩＩ）のトルエン溶液をポリエーテルサルフォン樹脂フィルムの上にスクレーパーを用いて２５μｍの厚さに塗工し、室温で２時間風乾した後、１５０℃で３０分間加熱することにより粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩＩ）を硬化させて、ポリエーテルサルフォン樹脂フィルムに密着した、厚さ５μｍのシリコーンゴムシートを作製した。
　次に、このシリコーンゴムシートの上に参考例３で調製した粘土状シリコーンゴム組成物（ＩＩＩ）のトルエン溶液をスクレーパーを用いて２２５μｍの厚さに塗工し、室温で２時間風乾した。乾燥後のシリコーンゴムシートと粘土状シリコーンゴム組成物層の合計厚さは５０μｍであった。次に、粘土状シリコーンゴム組成物層の表面にポリエーテルサルフォン樹脂フィルムをゴムローラにより密着させて、シリコーンゴム層と粘土状シリコーンゴム組成物層が積層され、両面に保護フィルムとしてポリエーテルサルフォン樹脂フィルムが密着しているシリコーン系接着性シート（Ｌ）を作製した。
　また、ロスミキサーにより、２００℃において１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が０．０１重量％である、粘度２，２００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝０．２３重量％）３１重量部、粘度２，０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝０．２３重量％）６５重量％と、式：（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２単位と式：ＳｉＯ２単位からなるオルガノポリシロキサンレジン（ビニル基の含有量＝２．５重量％）３５重量％からなる、粘度７，０００ｍＰａ・ｓのオルガノポリシロキサン混合物５６重量部、およびフュームドシリカ（日本アエロジル株式会社製の商品名ＡＥＲＯＳＩＬ　２００；ＢＥＴ比表面積２００ｍ２／ｇ）１３重量部を室温で１時間混合した後、減圧下、１７０℃で２時間加熱混合した。その後、室温まで冷却して半透明ペースト状のシリコーンゴムベースを調製した。
　次に、上記のシリコーンゴムベース１００重量部、粘度５ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０．７重量％）６重量部（上記のシリコーンゴムベース中に含まれている分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン中とオルガノポリシロキサン混合物中のビニル基１モルに対して、この分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体中のケイ素原子結合水素原子が１．８モルとなる量）、接着促進剤として、平均単位式：
Figure 2004043814
 で示されるオルガノポリシロキサン１．０重量部、式：
Figure 2004043814
 で示されるシラトラン誘導体０．５重量部、および白金の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液（本組成物において、錯体中の白金金属が重量単位で５ｐｐｍとなる量）を混合して、粘度７０，０００ｍＰａ・ｓのシリコーンゴム組成物（Ｖ）を調製した。
　このシリコーンゴム組成物（Ｖ）を、この組成物に密着する面に厚さ２μｍのポリエーテルサルフォン樹脂層を有する、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム（ポリエーテルサルフォン樹脂をジメチルホルムアミドに溶解後、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム上に塗布して作製した。）と、この組成物に密着する面に厚さ２μｍの酢酸セルロース樹脂層を有する、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムの間に挟み、クリアランスを調整したステンレス製の２本ロールにより、このシリコーンゴム組成物の厚さを３０μｍとした状態で、８０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱することにより、片面にポリエーテルサルフォン樹脂層を有するポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムを密着し、他の片面に酢酸セルロース樹脂層を有するポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムを密着しているシリコーンゴム系接着性シート（Ｍ）を作製した。
　次に、先に作製したシリコーン系接着性シート（Ｌ）のシリコーンゴム層に密着している保護フィルムを剥がし、ダイシング前の４インチのシリコンウェーハにゴムローラを用いて密着させた後、これを１００℃のオーブン中で３０分間加熱し、シリコーンゴム層とシリコンウェーハを接着した。次に、粘土状シリコーンゴム組成物層に密着している保護フィルムに、厚さ９０μｍの粘着シートを貼り付け、株式会社ディスコ製のダイシングソーＤＡＤ３４０を用いて、１０ｍｍ角にダイシングした。その際、粘着シートの下面を約６０μｍ切り残した。
　ダイシングしたシリコン半導体チップを粘着シートを用いてピックアップすると、保護フィルムは粘着シート側に残った。このシリコン半導体チップに接着しているシリコーン系接着性シートを、凹凸が２０μｍであるガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の配線面に１．０ＭＰａの圧力で、室温下、１秒間圧着し、１５０℃、６０分間加熱し、粘土状シリコーンゴム組成物層を硬化させた。その後、接着試験体の合計膜厚を測定し、シリコン半導体チップとガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の厚さを差し引くことにより、シリコン半導体チップの四隅のシリコーン接着剤層の厚さを測定したところ、シリコーン接着層の厚さはすべて４８μｍであり、ばらつきはなかった。また、シリコン半導体チップを上方に引き剥がして接着性を確認したところ、シリコーン接着剤層が凝集破壊し、接着性が良好であることが確認された。
　次に、先に作製したシリコーンゴム系接着性シート（Ｍ）の厚さ２μｍの酢酸セルロース樹脂層を有する、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムを剥がし、ダイシング前の４インチのシリコンウェーハにゴムローラを用いて密着させた後、これを１００℃のオーブン中で３０分間加熱し、シリコーンゴム層とシリコンウェーハを接着した。次に、厚さ２μｍのポリエーテルサルフォン樹脂層を有する、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムに、厚さ９０μｍの粘着シートを貼り付け、株式会社ディスコ製のダイシングソーＤＡＤ３４０を用いて、５ｍｍ角にダイシングした。その際、粘着シートの下面を約６０μｍ切り残した。
　ダイシングしたシリコン半導体チップを粘着シートを用いてピックアップすると、保護フィルムは粘着シート側に残った。このシリコン半導体チップを接着しているシリコーンゴム系接着性シート（Ｍ）を、先に作製した、シリコーン系接着性シート（Ｌ）が接着している１０ｍｍ角のチップに貼り付け、１．０ＭＰａの圧力で、１９０℃、１秒間圧着し、さらに１５０℃のオーブンで６０分間加熱した。このようにして、５ｍｍ角シリコン半導体チップ、シリコーンゴム系接着剤（Ｍ）層、１０ｍｍ角シリコン半導体チップ、シリコーン硬化物層、およびガラス繊維強化エポキシ樹脂製基板の５層からなる半導体デバイスを作製した。５ｍｍ角シリコン半導体チップを上方に引き剥がして接着性を確認したところ、シリコーン接着剤層が凝集破壊し、接着性が良好であることが確認された。
　次に、上記デバイスに、直径３０μｍの金製ボンディングワイヤを超音波熱圧着によりワイヤボンディングして、図５で示される半導体装置を作製した。この半導体装置３０個を−５０℃で３０分間放置した後、直ちに１５０℃で３０分間放置することを１サイクルとするヒートサイクル試験して、上記デバイスの導通不良率を評価した。その結果を表１に示した。
Figure 2004043814
　本発明のシリコーン系接着性シートは、平滑な基材と表面に凹凸を有する基材を良好に接着することができ、かつ接着層の厚さを略均一にすることができるので、特に、半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらを良好に接着することができるので、電気・電子部品の接着剤として好適である。また、本発明の接着方法は、半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらが良好に接着されるので、信頼性が要求される半導体装置の製造方法に好適である。また、本発明の半導体装置は、半導体チップと該チップ取付部の少なくとも一方の表面に凹凸があっても、これらが良好に接着されているので、特に信頼性が要求される用途に好適である。
実施例２で作製した、本発明のシリコーン系接着性シートの断面図である。 実施例１、および実施例３〜５で作製した、本発明のシリコーン系接着性シートの断面図である。 本発明の半導体チップを該チップ取付部に接着する方法に係る実施例６において作製した、一部をダイシングしたウェーハの断面図である。 実施例１〜６で作製した、本発明の半導体装置の断面図である。 実施例７で作製した、本発明の半導体装置（スタック半導体装置）の断面図である。
符号の説明
　１　粘土状硬化性シリコーン組成物層
　２　粘土状硬化性シリコーン組成物層
　３　保護フィルム
　４　保護フィルム
　５　シリコーン硬化物層
　６　粘土状硬化性シリコーン組成物層
　７　保護フィルム
　８　保護フィルム
　９　ウェーハ
　１０　シリコーン硬化物層
　１１　粘土状硬化性シリコーン組成物層
　１２　保護フィルム
　１３　粘着シート
　１４　半導体チップ
　１５　シリコーン硬化物層
　１６　シリコーン硬化物層
　１７　半導体チップ取付部
　１８　ボンディングワイヤ
　１９　シリコーンゴム系接着剤層

Claims (23)

  1. 片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層を有し、他の片面に前記組成物層に比べて硬化の遅い粘土状硬化性シリコーン組成物層を有するシリコーン系接着性シート。
  2. 粘土状硬化性シリコーン組成物のＪＩＳ　Ｋ　６２４９に規定の可塑度がいずれも１００〜８００である、請求項１記載のシリコーン系接着性シート。
  3. 粘土状硬化性シリコーン組成物がいずれもヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物である、請求項１記載のシリコーン系接着性シート。
  4. ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、いずれも、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)充填剤、(Ｃ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｄ)接着促進剤、および(Ｅ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物である、請求項３記載のシリコーン系接着性シート。
  5. シリコーン系接着性シートの少なくとも片面に保護フィルムを有する、請求項１記載のシリコーン系接着性シート。
  6. 片面にシリコーン硬化物層を有し、他の片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層を有するシリコーン系接着性シート。
  7. 粘土状硬化性シリコーン組成物のＪＩＳ　Ｋ　６２４９に規定の可塑度が１００〜８００である、請求項６記載のシリコーン系接着性シート。
  8. 粘土状硬化性シリコーン組成物がヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物である、請求項６記載のシリコーン系接着性シート。
  9. ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)充填剤、(Ｃ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｄ)接着促進剤、および(Ｅ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物である、請求項８記載のシリコーン系接着性シート。
  10. シリコーン系接着性シートの少なくとも片面に保護フィルムを有する、請求項６記載のシリコーン系接着性シート。
  11. 半導体チップを該チップ取付部に接着する方法であって、(１)ウェーハに接着したシリコーン硬化物層、該硬化物層に密着した粘土状硬化性シリコーン組成物層、該組成物層に密着した保護フィルム、および該フィルムに粘着した粘着シートからなる積層体をダイシングして半導体チップを作製し、(２)該チップから前記保護フィルムおよび前記粘着シートを剥離した後、(３)前記組成物層を介して前記半導体チップを該チップ取付部に圧着し、次いで(４)前記組成物層を硬化することを特徴とする、半導体チップと該チップ取付部の接着方法。
  12. ウェーハに接着したシリコーン硬化物層、および該硬化物層に密着した粘土状硬化性シリコーン組成物層からなる積層体が、ウェーハに密着した粘土状硬化性シリコーン組成物(Ｉ)層、および該組成物(Ｉ)層に密着し、該組成物(Ｉ)層に比べて硬化の遅い粘土状硬化性シリコーン組成物(II)層からなる積層体を、該組成物(II)層を硬化しないようにして前記組成物(Ｉ)層を硬化して形成されたことを特徴とする、請求項１１記載の半導体チップと該チップ取付部の接着方法。
  13. 粘土状硬化性シリコーン組成物(Ｉ)および(II)のＪＩＳ　Ｋ　６２４９に規定の可塑度がいずれも１００〜８００である、請求項１２記載の半導体チップと該チップ取付部の接着方法。
  14. 粘土状硬化性シリコーン組成物(Ｉ)および(II)がいずれもヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物である、請求項１２記載の半導体チップと該チップ取付部の接着方法。
  15. ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、いずれも、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)充填剤、(Ｃ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｄ)接着促進剤、および(Ｅ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物である、請求項１４記載の半導体チップと該チップ取付部の接着方法。
  16. 片面に粘土状硬化性シリコーン組成物(Ｉ)層を有し、他の片面に前記組成物(Ｉ)層に比べて硬化の遅い粘土状硬化性シリコーン組成物(II)層を有するシリコーン系接着性シートにより、(ｉ)前記組成物(Ｉ)層を半導体チップに接触した状態で、前記組成物(II)層を硬化させないようにして前記組成物(Ｉ)層を硬化し、次いで、前記組成物(II)層を半導体チップ取付部に接触した状態で硬化してなるか、または(ii)前記組成物(Ｉ)層を半導体チップ取付部に接触した状態で、前記組成物(II)層を硬化しないようにして前記組成物(Ｉ)層を硬化し、次いで、前記組成物(II)層を半導体チップに接触した状態で硬化してなることを特徴とする半導体装置。
  17. 粘土状硬化性シリコーン組成物のＪＩＳ　Ｋ　６２４９に規定の可塑度がいずれも１００〜８００である、請求項１６記載の半導体装置。
  18. 粘土状硬化性シリコーン組成物がいずれもヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物である、請求項１６記載の半導体装置。
  19. ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、いずれも、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)充填剤、(Ｃ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｄ)接着促進剤、および(Ｅ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物である、請求項１８記載の半導体装置。
  20. 片面にシリコーン硬化物層を有し、他の片面に粘土状硬化性シリコーン組成物層を有するシリコーン系接着性シートにより、(iii)前記硬化物層を半導体チップに接触した状態で、前記組成物層を硬化しないようにして前記硬化物層を接着し、次いで、前記組成物層を半導体チップ取付部に接触した状態で硬化してなるか、または(iv)前記硬化物層を半導体チップ取付部に接触した状態で、前記組成物層を硬化しないようにして前記硬化物層を接着し、次いで、前記組成物層を半導体チップに接触した状態で硬化してなることを特徴とする半導体装置。
  21. 粘土状硬化性シリコーン組成物のＪＩＳ　Ｋ　６２４９に規定の可塑度が１００〜８００である、請求項２０記載の半導体装置。
  22. 粘土状硬化性シリコーン組成物がヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物である、請求項２０記載の半導体装置。
  23. ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物が、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)充填剤、(Ｃ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｄ)接着促進剤、および(Ｅ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物である、請求項２２記載の半導体装置。
JP2003272095A 2002-07-15 2003-07-08 シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置 Pending JP2004043814A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003272095A JP2004043814A (ja) 2002-07-15 2003-07-08 シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002205869 2002-07-15
JP2003272095A JP2004043814A (ja) 2002-07-15 2003-07-08 シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004043814A true JP2004043814A (ja) 2004-02-12
JP2004043814A5 JP2004043814A5 (ja) 2006-08-10

Family

ID=30112779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003272095A Pending JP2004043814A (ja) 2002-07-15 2003-07-08 シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7534659B2 (ja)
EP (1) EP1539898A1 (ja)
JP (1) JP2004043814A (ja)
KR (1) KR20050021485A (ja)
CN (1) CN1276046C (ja)
AU (1) AU2003249594A1 (ja)
TW (1) TWI293191B (ja)
WO (1) WO2004007628A1 (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183855A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
JP2006005159A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着テープ
US7651887B2 (en) 2004-09-22 2010-01-26 Dow Corning Toray Company, Ltd. Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP2010205493A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Honda Motor Co Ltd 燃料電池用接着剤及びこれを用いた膜電極構造体
US7915439B2 (en) 2004-10-13 2011-03-29 Dow Corning Toray Company, Ltd. Method of producing silylalkoxymethyl halide
US8093333B2 (en) 2005-03-29 2012-01-10 Dow Corning Toray Company, Ltd. Hot-melt silicone adhesive
US8093331B2 (en) 2005-03-30 2012-01-10 Dow Corning Toray Company, Ltd. Thermally conductive silicone rubber composition
US8138254B2 (en) 2005-03-30 2012-03-20 Dow Corning Toray Company, Ltd. Thermally conductive silicone rubber composition
US8273815B2 (en) 2006-09-11 2012-09-25 Dow Corning Toray Company, Ltd. Curable silicone composition and electronic component
US8309652B2 (en) 2005-04-27 2012-11-13 Dow Corning Toray Company, Ltd. Curable silicone composition and cured product therefrom
US8338527B2 (en) 2005-04-27 2012-12-25 Dow Corning Toray Company, Ltd. Curable silicone composition and electronic components
JP2017050322A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Jsr株式会社 基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法
WO2019003995A1 (ja) * 2017-06-26 2019-01-03 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイボンディング用硬化性シリコーン組成物
US12134697B2 (en) 2019-12-27 2024-11-05 Dow Toray Co., Ltd. Curable hot-melt silicone composition, cured material thereof, and laminate containing curable hot-melt silicone composition or cured material thereof
US12173202B2 (en) 2018-12-27 2024-12-24 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and method for producing same
US12172357B2 (en) 2018-12-27 2024-12-24 Dow Toray Co., Ltd. Method for producing curable silicone sheet having hot melt properties
US12173157B2 (en) 2018-12-27 2024-12-24 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and method for producing same
US12215226B2 (en) 2018-10-30 2025-02-04 Dow Toray Co., Ltd. Curable reactive silicone composition, cured product thereof and uses of composition and cured product
US12258496B2 (en) 2019-03-29 2025-03-25 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product of same and method for producing same

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI409309B (zh) * 2005-10-04 2013-09-21 Dow Corning Taiwan Inc 供織物塗佈之液體聚矽氧橡膠組合物
JP5335443B2 (ja) * 2006-03-01 2013-11-06 シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト ウエハ支持構造体及び該ウエハ支持構造体の製造に用いられる層システム
DE102006009394A1 (de) * 2006-03-01 2007-09-06 Andreas Jakob Mehrlagenschichtsystem mit einer Schicht als Trennschicht zum Trägern von dünnen Wafern bei der Halbleiterherstellung
WO2008056810A1 (en) * 2006-11-08 2008-05-15 Dow Corning Toray Co., Ltd. Three-dimentional molded article, manufacturing method thereof and use thereof
JP2010284869A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 接合部材
DE102013225109A1 (de) * 2013-12-06 2015-06-11 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Befestigen eines Mikrochips auf einem Substrat
DE102014219095A1 (de) * 2014-09-22 2016-03-24 Nissan Chemical Industries, Ltd. Wafer-Träger-Anordnung
CN104485304B (zh) * 2015-01-07 2018-03-20 海太半导体（无锡）有限公司 一种芯片黏着检测装置
CN107346746B (zh) * 2016-05-05 2020-09-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制造方法和电子装置
CN110088586B (zh) * 2016-08-05 2021-11-05 斯蒂芬.A.马什 微压力传感器
HRP20240504T1 (hr) 2017-02-08 2024-07-05 Elkem Silicones USA Corp. Sekundarni paket baterija s poboljšanim toplinskim upravljanjem
GB2564188B (en) * 2017-04-24 2022-02-09 Fuji Polymer Ind Silicone sheet and mounting method using the same
CN110350061B (zh) * 2019-07-10 2024-11-29 佛山市国星半导体技术有限公司 一种免用封装胶的led芯片、封装器件及封装方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05226387A (ja) * 1992-02-10 1993-09-03 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製法
JPH08269406A (ja) * 1995-03-30 1996-10-15 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH09207275A (ja) * 1996-02-06 1997-08-12 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シリコーンゲルシートおよびその製造方法
JPH10338839A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁層用接着フィルム
JPH1112546A (ja) * 1997-04-30 1999-01-19 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置
JP2001139894A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、および半導体装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3284406A (en) * 1963-12-18 1966-11-08 Dow Corning Organosiloxane encapsulating resins
US3457214A (en) * 1965-12-15 1969-07-22 Gen Electric Low temperature vulcanizing composition and article made therefrom
US3436366A (en) * 1965-12-17 1969-04-01 Gen Electric Silicone potting compositions comprising mixtures of organopolysiloxanes containing vinyl groups
BE759624A (fr) * 1969-12-01 1971-06-01 Dow Corning Caoutchouc de silicone resistant aux salissures et sa fabrication
US3989790A (en) * 1974-03-22 1976-11-02 Sws Silicones Corporation Method for preparing silicone rubber molds
US4163082A (en) * 1978-10-23 1979-07-31 Dow Corning Corporation U.V.-radiation method for decreasing surface tack of disposed organopolysiloxane greases and gels
US4297265A (en) * 1979-11-23 1981-10-27 Otto Fabric, Inc. Silicone rubber coating material having reduced surface tension
JPS5952910B2 (ja) * 1980-12-26 1984-12-21 東芝シリコ−ン株式会社 常温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物
US4500584A (en) * 1983-07-07 1985-02-19 General Electric Company Transparent membrane structures
US4746699A (en) * 1983-07-07 1988-05-24 General Electric Company Curable silicone compositions
JPS6290369A (ja) * 1985-10-11 1987-04-24 ト−レ・シリコ−ン株式会社 シリコ−ン被覆布の接合方法
MX174519B (es) * 1989-05-08 1994-05-23 Atd Corp Laminado adhesivo sensible a la presion
US4940112A (en) * 1989-06-20 1990-07-10 Neill Justin T O High performance flame and smoke foam-barrier-foam-facing acoustical composite
US5449560A (en) * 1991-07-05 1995-09-12 Dow Corning S.A. Composition suitable for glass laminate interlayer and laminate made therefrom
JPH0584861A (ja) * 1991-09-30 1993-04-06 Japan Gore Tex Inc シリコーン樹脂を使用した複合材料
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
EP0571649A1 (en) * 1992-05-26 1993-12-01 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film and use thereof in a process for producing chips
US5357007A (en) * 1993-03-12 1994-10-18 General Electric Company Method for making a solventless silicone pressure sensitive adhesive composition and product
US5658629A (en) * 1994-03-03 1997-08-19 Morgan Adhesives Company Double-sided silicone coated liner
JPH09183903A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性シリコーン組成物
JP3413707B2 (ja) 1996-07-04 2003-06-09 信越化学工業株式会社 シート状接着剤
US5993590A (en) * 1997-07-01 1999-11-30 Manni-Kit, Inc. Method for coating objects with silicone
US5932060A (en) * 1997-09-12 1999-08-03 General Electric Company Paper release laminates having improved release characteristics
US6369185B1 (en) * 1999-03-31 2002-04-09 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Curable organopolysiloxane composition, cured products formed therefrom and unified articles
JP2001019933A (ja) * 1999-07-09 2001-01-23 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、およびその製造方法
JP3850629B2 (ja) * 2000-05-19 2006-11-29 ユニ・チャーム株式会社 シリコーン系化合物の層を有する吸収性物品
US6319754B1 (en) * 2000-07-10 2001-11-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-dicing process
US6716533B2 (en) * 2001-08-27 2004-04-06 General Electric Company Paper release compositions having improved adhesion to paper and polymeric films
TWI250190B (en) * 2001-10-03 2006-03-01 Dow Corning Toray Silicone Adhesive sheet of cross-linked silicone, method of manufacturing thereof, and device
US6660396B1 (en) * 2002-06-03 2003-12-09 Truseal Usa, Inc. Molded encapsulated indicia system
JP3919001B2 (ja) * 2002-08-08 2007-05-23 信越化学工業株式会社 付加反応硬化型オルガノポリシロキサン組成物

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05226387A (ja) * 1992-02-10 1993-09-03 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製法
JPH08269406A (ja) * 1995-03-30 1996-10-15 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH09207275A (ja) * 1996-02-06 1997-08-12 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シリコーンゲルシートおよびその製造方法
JPH1112546A (ja) * 1997-04-30 1999-01-19 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置
JPH10338839A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁層用接着フィルム
JP2001139894A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、および半導体装置

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183855A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
JP2006005159A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着テープ
US7651887B2 (en) 2004-09-22 2010-01-26 Dow Corning Toray Company, Ltd. Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof
US7915439B2 (en) 2004-10-13 2011-03-29 Dow Corning Toray Company, Ltd. Method of producing silylalkoxymethyl halide
US8093333B2 (en) 2005-03-29 2012-01-10 Dow Corning Toray Company, Ltd. Hot-melt silicone adhesive
US8093331B2 (en) 2005-03-30 2012-01-10 Dow Corning Toray Company, Ltd. Thermally conductive silicone rubber composition
US8138254B2 (en) 2005-03-30 2012-03-20 Dow Corning Toray Company, Ltd. Thermally conductive silicone rubber composition
US8309652B2 (en) 2005-04-27 2012-11-13 Dow Corning Toray Company, Ltd. Curable silicone composition and cured product therefrom
US8338527B2 (en) 2005-04-27 2012-12-25 Dow Corning Toray Company, Ltd. Curable silicone composition and electronic components
US8273815B2 (en) 2006-09-11 2012-09-25 Dow Corning Toray Company, Ltd. Curable silicone composition and electronic component
JP2010205493A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Honda Motor Co Ltd 燃料電池用接着剤及びこれを用いた膜電極構造体
JP2017050322A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Jsr株式会社 基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法
WO2019003995A1 (ja) * 2017-06-26 2019-01-03 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイボンディング用硬化性シリコーン組成物
KR20200010425A (ko) * 2017-06-26 2020-01-30 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 다이 본딩용 경화성 실리콘 조성물
CN110832627A (zh) * 2017-06-26 2020-02-21 道康宁东丽株式会社 用于裸片键合用途的可固化硅酮组合物
JPWO2019003995A1 (ja) * 2017-06-26 2020-04-09 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイボンディング用硬化性シリコーン組成物
KR102282547B1 (ko) * 2017-06-26 2021-07-29 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 다이 본딩용 경화성 실리콘 조성물
US11384268B2 (en) 2017-06-26 2022-07-12 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Curable silicone composition for die bonding use
US12215226B2 (en) 2018-10-30 2025-02-04 Dow Toray Co., Ltd. Curable reactive silicone composition, cured product thereof and uses of composition and cured product
US12173202B2 (en) 2018-12-27 2024-12-24 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and method for producing same
US12172357B2 (en) 2018-12-27 2024-12-24 Dow Toray Co., Ltd. Method for producing curable silicone sheet having hot melt properties
US12173157B2 (en) 2018-12-27 2024-12-24 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and method for producing same
US12258496B2 (en) 2019-03-29 2025-03-25 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product of same and method for producing same
US12134697B2 (en) 2019-12-27 2024-11-05 Dow Toray Co., Ltd. Curable hot-melt silicone composition, cured material thereof, and laminate containing curable hot-melt silicone composition or cured material thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TW200405492A (en) 2004-04-01
TWI293191B (en) 2008-02-01
AU2003249594A1 (en) 2004-02-02
CN1668715A (zh) 2005-09-14
WO2004007628A1 (en) 2004-01-22
US20060057779A1 (en) 2006-03-16
KR20050021485A (ko) 2005-03-07
EP1539898A1 (en) 2005-06-15
CN1276046C (zh) 2006-09-20
US7534659B2 (en) 2009-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004043814A (ja) シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置
JP3420473B2 (ja) シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置
JP4849814B2 (ja) ホットメルト型シリコーン系接着剤
CN113330071B (zh) 固化性有机硅组合物、其固化物及其制造方法
TWI784048B (zh) 具有自由基反應性之聚矽氧彈性體硬化物及其用途
US7198853B2 (en) Adhesive sheet of cross-linked silicone, method of manufacturing thereof, and device
JP5101788B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR102581574B1 (ko) 실리콘계 접착시트, 이를 포함하는 적층체, 반도체 장치의 제조방법
KR20210148209A (ko) 경화성 실리콘 조성물, 그의 경화물 및 그의 제조 방법
TWI837333B (zh) 固化性聚矽氧組成物、其固化物及其製造方法
JP4565487B2 (ja) 架橋シリコーン系接着性シートおよびその製造方法
TW202233779A (zh) 一體型切晶黏晶用片及半導體裝置之製造方法
WO2015093329A1 (ja) シリコーン接着性フィルム、および半導体装置
JP2000080335A (ja) シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置
JP2013251430A (ja) シリコーン系接着材層を有する半導体ウェハの製造方法
WO2024135806A1 (ja) ホットメルト性硬化性シリコーン組成物、当該組成物を用いる積層体、および半導体装置の製造方法
CN120380086A (en) Hot melt curable silicone composition, laminate using same, and method for manufacturing semiconductor device
JP2003115501A (ja) 架橋シリコーン系接着性シートおよび半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060626

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060626

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100329

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101109