JP2004039908A - 回路基板及びその製造法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コンデンサ−構造部1は、銅等のメッキ処理で形成された第一の電極2と、両面銅張り板の第二の面に位置する第二の導体層を加工して形成した第二の電極3と、これら両電極2、3間に介在する絶縁性基材5の一部からなる誘電体層4とから構成される。この回路基板は、第一の電極2の下面を含めて所要の配線を形成した導体層6を有し、また、ビアホ−ル7も形成することができ、更に、絶縁性基材5の一部からなる誘電体層4を形成する手段に代えて、別体の電着樹脂からなる誘電体層8で構成することもできる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は回路基板及びその製造法に関し、特には、コンデンサー構造を内蔵する回路基板及びその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術とその問題点】
近年、携帯電話等の小型電子機器に向け、電子機器に搭載される電子部品の小型化の要求が高まっている。例えば、小型化が進んでいる携帯電話向けの電子部品の一つとしてコンデンサーが挙げられる。このような携帯電話向けの代表的な小型コンデンサーには通称0603(0.6×0.3×0.3mm)、1005(1.0×0.5×0.5mm)等がある。
【0003】
しかし、上記以下の大きさへの小型化が困難なこと、及び携帯電話1台につきコンデンサーが約250個搭載されていることから部品コストおよび実装コストがかかることが挙げられる。
【0004】
また、多層回路基板においてはペースト状の誘電体を印刷することによりコンデンサーを有する回路基板を製造する手法が一部に採用されているが、ペーストと導体層の界面が熱衝撃に弱く、信頼性の高いコンデンサーを有する回路基板を安価にかつ安定的に製造することは困難であった。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題を好適に解決するため本発明では、絶縁性基材の所定の箇所に設けられた凹部と、該凹部の底面および壁面に設けられた第一の電極と、前記凹部の底面に位置する絶縁性基材を介し、前記第一の電極と対向して設けられた第二の電極からなるコンデンサー構造を内蔵する回路基板が提供される。
【0006】
また、絶縁性基材の所定の箇所に設けられた孔と、該孔の底面に露出する様に設けられた第二の電極と、前記孔の底部に露出する面に設けられた、絶縁性基材とは別体の誘電体層を介し、前記第二の電極と対向するように、前記孔の壁面および前記誘電体層上に設けられた第一の電極からなるコンデンサー構造を内蔵する回路基板も採用される。
【0007】
そして、上記回路基板の製造法としては、絶縁性基材の第一の面には第一の導電層を有し、第二の面には第二の導電層を有する両面銅張り板、又は、第一の導電層が最表層の導電層であると共に第二の導電層が多層回路基板の内層回路層である多層回路基板を用意し、前記第一の導電層の所要位置に開口を形成してマスク層とする工程、前記開口により露出する絶縁性基材をレーザー加工、プラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工を施し前記絶縁性基材の第二の面側に該絶縁性基材の厚みの一部を残した凹部を形成する工程、該凹部の底面および壁面に対しメッキ処理を施し上記第一の電極を形成する工程を採用できる。
【0008】
また、絶縁性基材の第一の面には第一の導電層を有し、第二の面には第二の導電層を有する両面銅張り板、又は、第一の導電層が最表層の導電層であると共に第二の導電層が多層回路基板の内層回路層である多層回路基板を用意し、前記第一の導電層の所要位置に開口を形成してマスク層とする工程、この開口によって露出される絶縁性基材をレーザー加工、プラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工を施し、底部に第二の導電層が露出する様に孔を形成する工程、前記第二の導電層における孔の底面に露出する面に誘電体層を形成する工程、該誘電体上面、及び孔の壁面に対しメッキ処理を施し、第一の電極を形成する工程を有する回路基板の製造法も採用できる。
更に、絶縁性基材の一方の面に導電層を有する片面銅張り板、又は、一方の面の導電層が多層回路基板の内層回路層である多層回路基板を用意し、前記絶縁性基材の所要位置にレーザー加工を施し、前記絶縁性基材の導電層側に該絶縁性基材の厚みの一部を残した凹部を形成する工程、該凹部の底面および壁面に対しメッキ処理を施して第一の電極を形成する工程を有する回路基板の製造法も採用される。
【0009】
そして、絶縁性基材の一方の面に導電層を有する片面銅張り板、又は、一方の面の導電層が多層回路基板の内層回路層である多層回路基板を用意し、前記絶縁性基材の所要位置にレーザー加工を施し、底部に前記導電層が露出する様に孔又は溝を形成する工程、前記導電層における孔又は溝の底面に露出する面に誘電体層を形成する工程、該誘電体上面及び前記孔又は溝の壁面に対しメッキ処理を施して第一の電極を形成する工程を有する回路基板の製造法も採用できる。
【0010】
ここで、前記誘電体層を形成する為には、電着樹脂の電着により被着形成する方法も採用される。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図示の実施例を参照しながら本発明をさらに説明する。図1は、本発明のコンデンサー構造を内蔵する回路基板の構造を示す概念的断面構成図である。
【0012】
この実施例はポリイミド等の可撓性絶縁基材における第一の面と第二の面に、銅箔などの導体層を有する両面銅張り板を用いて製作されたコンデンサー構造を内蔵する両面可撓性回路基板を示している。
【0013】
図1において、1はコンデンサー構造部であって、銅等のメッキ処理で形成された第一の電極2と、両面銅張り板の第二の面に位置する第二の導体層を加工して形成された第二の電極3と、これら両電極間に介在するポリイミド等の可撓性絶縁基材5の一部からなる誘電体層4とから構成されている。
【0014】
ここで、6は、配線形成加工が施された第一の導体層を示し、また、7は層間接続用のビアホールを示しており、上記のコンデンサー構造部1と同時に作製が可能である。
【0015】
図2は、本発明の他の実施例に従ったコンデンサー構造を内蔵する回路基板の構造を示す概念的断面構成図である。
【0016】
図2において、1はコンデンサー構造部であって、銅等のメッキで形成された第一の電極2と、可撓性絶縁性基材5を有する両面銅張り板の第二の導体層を加工して形成された第二の電極3と、これら両電極間に電着ポリイミド等の電着樹脂からなる誘電体層8とから構成されている。
【0017】
ここで、6は、配線形成加工が施された第一の導体層を示し、また、7は図1と同様に層間接続用のビアホールを示しており、上記のコンデンサー構造部1と同時に作製が可能である。
【0018】
図3は、本発明の一実施例によるコンデンサーを内蔵する両面可撓性回路基板の製造工程図である。
【0019】
先ず同図(1)に示すように、ポリイミドフィルム等の絶縁性基材5における第一の面には第一の導電層を有し、第二の面には第二の導電層10を有する両面銅張り板を用意し、前記第一の導電層の所要位置に開口11を形成してマスク層12とする。
【0020】
ここで、上記両面銅張板の銅箔裏面の凹凸がコンデンサー部の容量を精度よく形成する際の阻害要因となる事、誘電体を薄く形成した際の短絡発生原因になる事等を好適に防止する為にはスパッタや無電解めっき等の手法で平滑なポリイミドフィルム上に銅箔を形成したものを用いることも出来る。
【0021】
次に同図(2)に示す様に、上記開口11により露出された絶縁性基材5のビアホール形成部に位置する部分に対し、レーザー加工、プラズマエッチング加工、又はウエットエッチング加工を施し、絶縁性基材5の厚みの一部9を除去する。
【0022】
次に、同図(3)に示す様に、マスク層12を用いてビアホール形成部とコンデンサー形成部に対し、レーザー加工、プラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工を施し、絶縁性基材5の第二の面側に該絶縁性基材5の厚みの一部を残した凹部13を形成する。このとき、予めレーザー加工を施したビアホール形成部に位置する絶縁性基材5はその厚みの全てが除去されて貫通し、ビアホールを形成するための孔14となり、レーザー加工を施していないコンデンサー構造部に位置する絶縁性基材5は底部に3μm程度が残り、これを絶縁性基材5からなる誘電体層4とする。
【0023】
そこで、同図(4)に示す様に、ビアホール7を形成する孔14の底面と壁面、コンデンサー形成部1を形成する凹部13の底面と壁面、更には、マスク層12の上面に対し導電化処理とメッキ処理を施し、メッキ皮膜15を形成する。
【0024】
次に、同図(5)に示すようにメッキ皮膜15及びマスク層12と、第二の導体層10に対し、エッチング手法により配線形成加工を行い、コンデンサー構造部1を内蔵する両面可撓性回路基板を得る。
【0025】
上記実施例のコンデンサーの設計例として、厚さ3μmで直径0.2mmのポリイミド膜を第二の導体層上に残した場合の静電容量はおよそ0.3pFとなる。
【0026】
そして、コンデンサーの数、ポリイミドの厚さ、面積を変更することにより、基板上の静電容量の値を任意に制御可能である。例えば携帯電話等に用いられる高周波用小容量コンデンサーの静電容量は0.1 ̄1pF程度であるから、実施例のように0603(0.6×0.3×0.3mm)以下の大きさに製造することが可能である。
【0027】
また、ポリイミドの絶縁破壊電圧は、例えば宇部興産(株)製のユーピレックスの場合で200kV/mmであるので、厚さ3μmに加工した場合に600V/3μmなり、様々な電子機器への使用が可能である。
【0028】
図4は、本発明の他の実施例によるコンデンサーを内蔵する両面可撓性回路基板の製造工程図である。
【0029】
先ず同図(1)に示すように、ポリイミドフィルム等の絶縁性基材5における第一の面には第一の導電層を有し、第二の面には第二の導電層10を有する両面銅張り板を用意し、前記第一の導電層の所要位置に開口11を形成してマスク層12とする。
【0030】
次に、同図(2)に示す様に、上記開口11により露出された絶縁性基材5に対し、レーザー加工、プラズマエッチング加工またはウエットエッチング加工を施し、コンデンサーを形成するための孔16と、ビアホールを形成するための孔14を形成する。この際、これらの孔の底部を必要に応じてソフトエッチング手法により裏面処理の除去および底面の平坦化を行うと良い。
【0031】
次に、同図(3)に示す様に、ビアホールを形成するための孔14の底面に電着ポリイミドが電着しないようにマスクテープによる保護層を形成するなどして、コンデンサーを形成するための孔16の穴底のみに選択的に電着樹脂8を電着する。この電着樹脂8として電着ポリイミドが好適である。この実施例における電着ポリイミドの厚みは3μm程度である。
【0032】
そこで、同図(4)に示すように、ビアホール7の孔14の底面と壁面、コンデンサー構造部1を形成する孔16の底面と壁面、更には、マスク層12の上面に対し導電化処理とメッキ処理を施し、メッキ皮膜15を形成する。
【0033】
更に、同図(5)に示すように、メッキ皮膜15及びマスク層12と、第二の導体層10に対し、エッチング手法により第二の電極3を含む配線形成加工を行い、コンデンサー構造部1を内蔵する両面可撓性回路基板を得る。
【0034】
図示しないが、上記実施例により得られたコンデンサーを内蔵する回路基板を積層して多層基板に適用することによりコンデンサーを内蔵する多層回路基板を得ることも可能である。
【0035】
図5は、本発明の更に他の実施例によるコンデンサーを内蔵する多層回路基板の製造工程図である。
【0036】
先ず、同図(1)に示すように、ポリイミドフィルム等の絶縁性基材5における一方の面に第一の導電層を有する片面型銅張り板を用意し、前記第一の導電層の所要位置に開口を形成してマスク層12とする。
【0037】
そして、上記開口により露出された絶縁性基材5に対し、レーザー加工、プラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工を施し、コンデンサーを形成するための穴17及び凹部18を形成する。
【0038】
次に、同図(2)に示すように、多層回路基板の為の内層回路基板として、絶縁性基材5の両面であって上記凹部18に対応する位置にも配線及び電極3を有し、且つ上記穴17と一致する他の穴17を形成する。
【0039】
次いで、同図(3)に示すように、ポリイミドフィルム等の絶縁性基材5における一方の面に第二の導電層10を有する片面型銅張り板を用意し、上記穴17と一致する所要の位置に対し、レーザー加工を施し、絶縁性基材5の第二の面側に該絶縁性基材5の厚みの一部を残したコンデンサーを形成するための凹部19を形成する。
【0040】
次に、同図(4)に示すように、同図(1)〜(3)に示した内層および外層回路基板をプレスで圧着し、コンデンサー構造部1を形成する凹部18及び19の底面と壁面、更には、穴17の壁面及びマスク層12の上面に対し導電化処理とメッキ処理を施し、メッキ皮膜15を形成する。
【0041】
そして、同図(5)に示すようにメッキ皮膜15及びマスク層12と、第二の導体層10に対し、エッチング手法により配線及び電極2、3の形成加工を行い、これにより、1、2層間でのコンデンサー構造部1および1、3層間でのコンデンサー構造部1を内蔵する多層回路基板を得ることができる。
【0042】
【発明の効果】
本発明による回路基板は、可撓性回路基板等にもコンデンサーを内蔵できるので、従来の回路基板に対して部品及びその実装コストを低減させ、コンデンサーの小型化・平坦化により実装密度を向上させることが可能である。
【0043】
また、ペースト状の誘電体を用いた回路基板のコンデンサーでは達成することが困難であった誘電体と導体界面の高い信頼性も確保できるので、従来の製造法では困難であった信頼性の高いコンデンサーを内蔵する可撓性回路基板等を安価かつ安定的に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に従ったコンデンサー構造を内蔵する回路基板の構造を示す概念的断面構成図。
【図2】本発明の他の実施例によるコンデンサー構造を内蔵する回路基板の構造を示す概念的断面構成図。
【図3】本発明の一実施例によるコンデンサーを内蔵する両面可撓性回路基板の製造工程図。
【図4】本発明の他の実施例によるコンデンサーを内蔵する両面可撓性回路基板の製造工程図。
【図5】本発明の更に他の実施例によるコンデンサーを内蔵する多層回路基板の製造工程図。
【符号の説明】
1 コンデンサー構造部
2 第一の電極
3 第二の電極
4 絶縁性基材からなる誘電体層
5 絶縁性基材
6 配線加工された第一の導体層
7 ビアホール
8 電着ポリイミドからなる誘電体層
Claims (7)
- 絶縁性基材の所定の箇所に設けられた凹部と、該凹部の底面および壁面に設けられた第一の電極と、前記凹部の底面に位置する絶縁性基材を介し、前記第一の電極と対向して設けられた第二の電極からなるコンデンサー構造を内蔵する回路基板。
- 絶縁性基材の所定の箇所に設けられた孔又は溝と、該孔又は溝の底面に露出する様に設けられた第二の電極と、前記孔又は溝の底部に露出する面に設けられた、前記絶縁性基材とは別体の誘電体層を介し、前記第二の電極と対向するように、前記孔又は溝の壁面および前記誘電体層上に設けられた第一の電極からなるコンデンサー構造を内蔵する回路基板。
- 絶縁性基材の第一の面には第一の導電層を有し、第二の面には第二の導電層を有する両面銅張り板、又は、第一の導電層が最表層の導電層であると共に第二の導電層が多層回路基板の内層回路層である多層回路基板を用意し、前記第一の導電層の所要位置に開口を形成してマスク層とする工程、前記開口により露出される絶縁性基材をレーザー加工、プラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工を施し前記絶縁性基材の第二の面側に該絶縁性基材の厚みの一部を残した凹部を形成する工程、該凹部の底面および壁面に対しメッキ処理を施し第一の電極を形成する工程を有するコンデンサー構造を内蔵する回路基板の製造法。
- 絶縁性基材の第一の面には第一の導電層を有し、第二の面には第二の導電層を有する両面銅張り板、又は、第一の導電層が最表層の導電層であると共に第二の導電層が多層回路基板の内層回路層である多層回路基板を用意し、前記第一の導電層の所要位置に開口を形成してマスク層とする工程、この開口によって露出される絶縁性基材をレーザー加工、プラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工を施し、底部に第二の導電層が露出する様に孔又は溝を形成する工程、前記第二の導電層における孔又は溝の底面に露出する面に誘電体層を形成する工程、該誘電体層の上面及び前記孔又は溝の壁面に対しメッキ処理を施し第一の電極を形成する工程を有するコンデンサー構造を内蔵する回路基板の製造法。
- 絶縁性基材の一方の面に導電層を有する片面銅張り板、又は、一方の面の導電層が多層回路基板の内層回路層である多層回路基板を用意し、前記絶縁性基材の所要位置にレーザー加工を施し、前記絶縁性基材の導電層側に該絶縁性基材の厚みの一部を残した凹部を形成する工程、該凹部の底面および壁面に対しメッキ処理を施し第一の電極を形成する工程を有するコンデンサー構造を内蔵する回路基板の製造法。
- 絶縁性基材の一方の面に導電層を有する片面銅張り板、又は、一方の面の導電層が多層回路基板の内層回路層である多層回路基板を用意し、前記絶縁性基材の所要位置にレーザー加工を施し、底部に前記導電層が露出する様に孔又は溝を形成する工程、前記導電層における孔又は溝の底面に露出する面に誘電体層を形成する工程、該誘電体層の上面及び前記孔又は溝の壁面に対しメッキ処理を施し第一の電極を形成する工程を有するコンデンサー構造を内蔵する回路基板の製造法。
- 前記誘電体層を形成する工程は、電着樹脂の電着によって被着形成する請求項4及び6に記載の回路基板の製造法。
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JP2006093261A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toray Ind Inc | キャパシタ内蔵型実装基板およびその製造方法 |
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