JP2004023067A - 圧電素子の製造方法および圧電素子 - Google Patents

Abstract

【課題】微小な半田量を用いるだけで、熱的な負荷をかけずに圧電素子の陽極部と陰極部に対して配線基板を電気的に確実に接続することができる圧電素子の製造方法および圧電素子を提供すること。
【解決手段】配線基板４０，４１，４２に形成されているスルーホール内に半田５９Ａを配置する半田配置ステップと、スルーホール内に配置された半田５９Ａを局所加熱して半田５９Ａを溶融することで陽極部１６，１８と配線基板４０，４１，４２の導体部５０，５１，５２とを電気的に接続し、スルーホール内に配置された半田５９Ａを局所加熱して半田５９Ａを溶融することで陰極部２０と配線基板４０，４１，４２の導体部５０，５１，５２とを電気的に接続する接続ステップとを含む。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電素子の製造方法および圧電素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば電子機器に用いられるマイクロアクチュエータのひとつとして、圧電素子がある。この圧電素子は、マイクロアクチュエータとして用いることにより、電子機器の小型化に寄与するものである。
圧電素子の材料特性の１つにキューリー点がある。キューリー点とは素子が特性を失ってしまう限界温度を示す。キューリー点は圧電素子の種類により異なるが、１４０℃〜３００℃のものが多い。そして、圧電素子を加工して組立てをするために熱を加えなければならない場合、圧電素子の特性に影響を与えないためには、加熱温度はキューリー点より更に数１０℃低い温度にする必要がある。
【０００３】
図１１は、一般的な圧電素子を示している。この圧電素子は圧電アクチュエーターとも呼んでいるが、複数枚の圧電セラミックプレート１０００，１００１の間には、陰極用の陰極プレート１００３が挟まれている。圧電セラミックプレート１０００の面には、陽極用の金属メッキ１００４が施されており、圧電セラミックプレート１００１の面には陽極用の金属メッキ１００５が施されている。
【０００４】
もし陽極用に金属プレートを使うと、この部分の延び縮みができなくなり、圧電素子が曲がらなくなってしまうので、陽極にはメッキ処理などの曲げ、延びに対して柔軟な電極の構造が必要である。
ここで陽極と陰極の両極間に電圧を加えると、圧電セラミックプレート１０００，１００１の内部に電界が発生し、図１１（Ａ）の状態から図１１（Ｂ）に示すように、片方の圧電セラミックプレート１００１が縮み、もう一方の圧電セラミックプレート１０００が延びるため、圧電素子は電界に比例した機械的変位を出力する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、問題となるのが電極に対する電圧供給用ケーブルの接続方法である。最も一般的で安価な接続方法としては、半田による接合があげられるが、現在主流の無鉛半田の融点は２８０℃であり、この半田による接合を確実に行うには、３００℃以上に加熱する必要がある。
従って、この必要な加熱温度が上述した圧電素子のキューリー点を超えてしまい、圧電素子の特性を下げてしまうといった問題があった。
従来は、接続に使用する電気供給ラインを細くするとともに、半田の量を極力少なくし、圧電素子に対する熱の影響を小さくしようとしていた。しかし、半田を使った接合では、微小な半田量を正確にコントロールすることが難しく、素子に対して与える熱量にバラツキが生じ、圧電素子の特性が安定しないという問題があった。
そこで本発明は上記課題を解消し、微小な半田量を用いるだけで、熱的な負荷をかけずに圧電素子の陽極部と陰極部に対して配線基板を電気的に確実に接続することができる圧電素子の製造方法および圧電素子を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、圧電セラミックプレートと、前記圧電セラミックプレートの一方の面に配置された陽極部と、前記圧電セラミックプレートの他方の面に配置された陰極部とを有し、前記陽極部と前記陰極部に対して配線基板を電気的に接続する圧電素子の製造方法であり、前記配線基板に形成されているスルーホール内に半田を配置する半田配置ステップと、前記スルーホール内に配置された前記半田を局所加熱して前記半田を溶融することで前記陽極部と前記配線基板の導体部とを電気的に接続し、前記スルーホール内に配置された前記半田を局所加熱して前記半田を溶融することで前記陰極部と前記配線基板の導体部とを電気的に接続する接続ステップと、を含むことを特徴とする圧電素子の製造方法である。
【０００７】
請求項１では、半田配置ステップにおいては、配線基板に形成されているスルーホール内に半田を配置する。
接続ステップでは、スルーホール内に配置された半田を局所加熱して半田を溶融することで、陽極部と配線基板の導体部とを電気的に接続するとともに、陰極部と配線基板の導体部とを電気的に接続する。
これにより、スルーホール内に所定の微小量の半田を供給するだけで、この微小量の半田を局所加熱すれば良いので、圧電素子側に対して熱的な負荷をかけずに、陽極部と配線基板の導体部との電気的接続および陰極部と配線基板の導体部との電気的接続を、確実に行うことができる。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載の圧電素子の製造方法において、前記半田は半田ボールであり、前記半田配置ステップにおいて、前記配線基板が前記陽極部と前記陰極部に接着された後に、前記半田ボールが前記スルーホール内に配置される。
【０００９】
請求項２では、用いる半田は所定量の半田ボールであり、半田配置ステップにおいては、配線基板が陽極部と陰極部に接着された後に、半田ボールがスルーホール内に配置される。これにより、半田ボールはスルーホール内において確実に保持することができ、半田ボールの位置決めが確実に行え、半田付け作業が確実になる。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１に記載の圧電素子の製造方法において、前記半田はクリーム半田であり、前記半田配置ステップにおいて、前記クリーム半田は前記スルーホール内に充填され、その後前記配線基板が前記陽極部と前記陰極部に接着される。
【００１１】
請求項３では、半田はクリーム半田であり、半田配置ステップにおいては、半田クリームはスルーホール内に充填される。これによりクリーム半田はスルーホール内において微小量を確実に充填することができる。そして配線基板が陽極部と陰極部に接着することにより、スルーホール内のクリーム半田は陽極部と陰極部に対してそれぞれ確実に配置することができるのである。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項１に記載の圧電素子の製造方法において、前記配線基板はフレキシブル配線板であり、前記スルーホールを形成している周囲部と前記導体部が電気的に接続されている。
【００１３】
請求項５の発明は、請求項１に記載の圧電素子の製造方法において、前記局所加熱するのはレーザ光である。
【００１４】
請求項６の発明は、圧電セラミックプレートと、前記圧電セラミックプレートの一方の面に配置された陽極部と、前記圧電セラミックプレートの他方の面に配置された陰極部とを有する圧電素子であり、前記陽極部と前記陰極部に対して電気的に接続される配線基板と、前記配線基板に形成されているスルーホール内に配置された半田と、を備え、前記スルーホール内に配置された前記半田が局所加熱されて溶融されることで、前記陽極部と前記配線基板の導体部とが電気的に接続され、前記スルーホール内に配置された前記半田が局所加熱されて前記半田が溶融されることで、前記陰極部と前記配線基板の導体部とが電気的に接続されていることを特徴とする圧電素子である。
【００１５】
請求項６では、半田配置ステップにおいては、配線基板に形成されているスルーホールに半田を配置する。
接続ステップでは、スルーホール内に配置された半田を局所加熱して半田を溶融することで、陽極部と配線基板の導体部とを電気的に接続するとともに、陰極部と配線基板の導体部とを電気的に接続する。
これにより、スルーホール内に所定の微小量の半田を供給するだけで、この微小量の半田を局所加熱すれば良いので、圧電素子側に対して熱的な負荷をかけずに、陽極部と配線基板の導体部との電気的接続および陰極部と配線基板の導体部との電気的接続を、確実に行うことができる。
【００１６】
請求項７の発明は、請求項６に記載の圧電素子において、前記半田は半田ボールであり、前記半田配置ステップにおいて、前記配線基板が前記陽極部と前記陰極部に接着された後に、前記半田ボールが前記スルーホール内に配置される。
【００１７】
請求項７では、用いる半田は所定量の半田ボールであり、半田配置ステップにおいては、配線基板が陽極部と陰極部に接着された後に、半田ボールがスルーホール内に配置される。これにより、半田ボールはスルーホール内において確実に保持することができ、半田ボールの位置決めが確実に行え、半田付け作業が確実になる。
【００１８】
請求項８の発明は、請求項６に記載の圧電素子において、前記半田はクリーム半田であり、前記半田配置ステップにおいて、前記クリーム半田は前記スルーホール内に充填され、その後前記配線基板が前記陽極部と前記陰極部に接着される。
【００１９】
請求項８では、半田はクリーム半田であり、半田配置ステップにおいては、半田クリームはスルーホール内に充填される。これによりクリーム半田はスルーホール内において微小量を確実に充填することができる。そして配線基板が陽極部と陰極部に接着することにより、スルーホール内のクリーム半田は陽極部と陰極部に対してそれぞれ確実に配置することができるのである。
【００２０】
請求項９の発明は、請求項６に記載の圧電素子において、前記配線基板はフレキシブル配線板であり、前記スルーホールを形成している周囲部と前記導体部が電気的に接続されている。
【００２１】
請求項１０の発明は、請求項６に記載の圧電素子において、前記局所加熱するのはレーザ光である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００２３】
図１と図２は、本発明の圧電素子の好ましい実施の形態を示している。
図１に示す圧電素子１０は、電圧をかけていない静止状態を示しており、図２は、圧電素子に電圧を与えて変形させた状態を示している。図１と図２に示す圧電素子１０の構造は次のようになっている。
この圧電素子１０は、いわゆるバイモルフ型圧電アクチュエータとも呼んでおり、圧電セラミックアクチュエータなどとも呼んでいる。
圧電素子１０は、マイクロアクチュエータの一種であり、電子機器あるいは機械装置に装着される。
【００２４】
この圧電素子１０は、図１と図２の例では、２枚の圧電セラミックプレート１２，１４、陽極部１６，１８および陰極部２０、そして電気接続配線部３０を有している。
圧電セラミックプレート１２，１４は、同じ板厚のセラミックプレートである。圧電セラミックプレート１２，１４の材質は、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ_３）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３）等のようなセラミック材料を採用することができる。
【００２５】
一方の圧電セラミックプレート１２の一方の面１２Ａには、陽極部１６が形成されている。この陽極部１６は金属メッキである。
圧電セラミックプレート１４の一方の面１４Ａには、陽極部１８が形成されている。この陽極部１８も金属メッキである。陽極部１６，１８の金属メッキとしては、銀等の金属材料を用いている。
【００２６】
圧電セラミックプレート１２の他方の面１２Ｂと圧電セラミックプレート１４の他方の面１４Ｂの間には、陰極部２０が貼り合わせてある。すなわち陰極部２０は他方の面１２Ｂ，１４Ｂの間に挟まれた状態で保持されている。
陰極部２０は、金属プレートであり、例えばステンレス等の金属材料を採用することができる。
陽極部１６，１８は、電気接続配線部３０とスイッチ３４を介して、電源３３に対して電気的に接続されている。
図１と図２に示す圧電セラミックプレート１２，１４は、いわゆる二層構造のものであるが、これに限らずセラミックプレートの三層構造以上の構成としても勿論構わない。
【００２７】
次に、電気接続配線部３０について説明する。
電気接続配線部３０は、配線基板４０，４１，４２および半田５９Ａを有している。
配線基板４０，４１，４２は、例えば好ましくはフレキシブル配線板を用いることができる。このフレキシブル配線板は、絶縁材に対して導体部を形成した通常用いられているフレキシブルプリント基板である。絶縁材としては例えばポリイミドを採用することができ、そのポリイミド内に配置される導体部（導体パターンともいう）は例えば銅により作られている。
【００２８】
配線基板４０は、陽極部１６に対して半田５９Ａを用いて電気的に接続されている。配線基板４１は、半田５９Ａを用いて陽極部１８に対して電気的に接続されている。配線基板４２は、半田５９Ａを用いて陰極部２０に対して電気的に接続されている。
陽極部１６は、半田５９Ａ、配線基板４０の導体部５０およびスイッチ３４を介して電源３３の陽極に電気的に接続されている。陽極部１８は、半田５９Ａ、配線基板４０の導体部５１およびスイッチ３４を介して電源３３の陽極に電気的に接続されている。
陰極部２０は、半田５９Ａと配線基板４２の導体部５２を介して電源３３の陰極に電気的に接続されている。
【００２９】
次に、この電気接続配線部３０の配線基板４０，４１，４２について更に詳しく説明する。
図３乃至図６は、配線基板４０の半田５９Ａの付近を代表して示している。配線基板４０の半田５９Ａの付近の領域の構造は、配線基板４１の半田５９Ａの付近の領域の構造と、配線基板４２の半田５９Ａの付近の領域の構造と同じであるので、図３乃至図６においては、配線基板４０の半田５９Ａの付近の領域の構造を代表して説明する。
【００３０】
図５と図６は配線基板４０の構造をより詳しく示している。
配線基板４０の絶縁材５１には既に述べた導体部５０が形成されている。この導体部５０は、直線状の導体パターン部分６０と円形状の導体パターン部分６１を有している。円形状の導体パターン部分６１に対応して、配線基板４０はスルーホール７０を有している。スルーホール７０は、配線基板４０の端部７１側に形成されており、配線基板４０を貫通している。図３と図４は、この配線基板４０の端部７１付近を示している。
【００３１】
図３の円形状の導体パターン部分６１は、スルーホール７０の内周縁に沿って、しかも絶縁材５１の一方の面と他方の面にかけてほぼ断面Ｕ字型に形成されている。配線基板４０の絶縁材５１の下面７４側は、接着剤７５により陽極部１６の表面１６Ａに対して接着されている。この接着剤７５は、例えば電気絶縁性の市販の両面テープ、市販のエポキシ接着剤、市販の瞬間接着剤等を採用することができる。
【００３２】
図３のように、スルーホール７０は、円形状の導体パターン部分６１の中には、所定量の容量を有する球状の半田ボール８０を配置することができる。この状態では、半田ボール８０は、円形状の導体パターン部分６１によりＸ方向における移動が阻止されるとともに、半田ボール８０は陽極部１６の表面１６Ａに保持される。このことから半田ボール８０はＺ１方向に対しても保持される。従って半田ボール８０は円形状の導体パターン部分６１と表面１６Ａにより移動しないように確実に位置決めして配置することができるのである。
【００３３】
半田ボール８０は、例えば無鉛半田を用いることができる。この半田ボール８０は、図３から図４に示すように溶融されることにより、半田５９Ａになる。この半田５９Ａは、円形状の導体パターン部分６１と陽極部１６の表面１６Ａを電気的に確実に接続することができる。
この半田ボール８０を溶融するために、半田ボール８０を局所加熱する。この局所加熱を行うことで、圧電素子の圧電セラミックプレート側に熱的ダメージを与えないようにするのである。しかも非常に小さい半田ボール８０を用いることにより、所定量の微小な半田量を正確に表面１６Ａ側に供給することができるので、熱的なダメージは最小限に小さくできる。
【００３４】
半田ボール８０を図３に示すように局所加熱するためには、例えばレーザ光を用いる。このレーザ光Ｌは、例えば半導体レーザやエキシマレーザ等のレーザ光を用いることができるが、いずれにしても半田ボール８０を溶融できるものであればどのような種類のレーザ光を用いても構わない。
図３のようにこの半田ボール８０に対してレーザ光Ｌを照射することで、半田ボール８０は図３の球形の状態から図４のように溶融した半田５９Ａの状態に変化する。これによって、半田５９Ａは、円形状の導体パターン部分６１と陽極部１６の表面１６Ａが電気的に接続することができる。
しかも接着剤７５を用いて配線基板４０と陽極部１６の表面１６Ａが接着されているので、この状態における機械的な強度も確実に確保することができる。
【００３５】
次に、図７を参照しながら上述した圧電素子１０の製造方法について説明する。
まず図７の半田配置ステップＳＴ１では、図６と図３に示すように、陽極部１６の表面１６Ａに対して配線基板４０の下面７４を接着剤７５を用いて接着する。これによって、スルーホール７０および円形状の導体パターン部分６１は、表面１６Ａに対面した位置に位置決めされる。この場合に配線基板４０の端部７１は陽極部１６の端部側に配置される。
このように配線基板４０が陽極部１６に対して接着された後に、半田ボール８０が図６と図３に示すように円形状の導体パターン部分６１の中に配置される。これによって、半田ボール８０は円形状の導体パターン部分６１と表面１６ＡによりＸ方向及びＺ１方向に関して位置決めされる。
【００３６】
次に図７の接続ステップＳＴ２に移る。
この接続ステップＳＴ２では、図３に示すレーザ光Ｌが半田ボール８０に対して照射される。これにより半田ボール８０は局所加熱されて溶融し、図４に示すように導体パターン部分６１と陽極部１６の表面１６Ａを電気的に接続することになる。
このようにして、配線基板４０の導体部５０と陽極部１６の表面１６Ａは、半田５９Ａを用いて電気的に確実に接続することができるのである。
このような図７に示す半田配置ステップＳＴ１と接続ステップＳＴ２は、図１と図２に示す陽極部１８の表面１８Ａと陰極部２０の表面２０Ａに対して配線基板４１，４２の導体部５１，５２をそれぞれ電気的に接続する場合も同様に行えるのである。
【００３７】
上述したように電気的に接続することにより、陽極部１６，１８および陰極部２０は、電源３３に対して電気的に接続される。図１のスイッチ３４をオンにすることにより、図２に示すように圧電素子１０はＤ方向に変位する。このＤ方向に変位する圧電素子１０の変位量は、陽極部１６，１８および陰極部２０に対して与える電圧値により変えることができる。
【００３８】
上述した例では、半田５９Ａを設けるために半田ボール８０を用いている。
図７と図８の別の実施の形態では、半田ボール８０に代えてクリーム半田１００を用いた例を示している。
クリーム半田１００は、例えばやはり無鉛半田である。
図７と図８の図示例では、やはり図１の陽極部１６およびそれに対応する配線基板４０を例に説明している。しかし図７と図８に示す実施の形態は、図１に示す配線基板４１および４２に対しても同様に適用することができるものである。
【００３９】
図８と図９に示す配線基板４０の構造は、図３と図４に示す配線基板４０の構造と同じものである。図８と図９に示す圧電素子の製造方法は、図１０に示している。
図１０の半田配置ステップＳＴ１０では、図８（Ａ）に示すようにクリーム半田１００が配線基板４０の導体パターン部６１内のスルーホール７０に対して充填される。この際にクリーム半田１００は例えば図示しないスキージを用いて充填することができる。クリーム半田１００はこのスルーホール７０内において所定量かつ微小な量だけ充填することができる。
【００４０】
次に、図１０のリフロー炉での予備加熱ステップＳＴ１１においては、図８（Ｂ）に示すように配線基板４０をリフロー炉に入れて、スルーホール７０内のクリーム半田１００を予備加熱する。
次に、図１０の接続ステップＳＴ１２では、図９（Ａ）に示すように、配線基板４０が接着剤７５を用いて陽極部１６の表面１６Ａに対して接着される。その後、レーザ光Ｌがクリーム半田１００に対して照射される。
これによってクリーム半田１００は局部加熱されて図９（Ｂ）に示すように溶融された半田５９Ａになる。この半田５９Ａは、導体パターン部６１と陽極部１６の表面１６Ａを電気的に確実に接続することができる。しかも接着剤７５が、配線基板４０を陽極部１６の表面１６Ａに対して機械的に確実に接続している。
【００４１】
このように図１０のリフロー炉での予備加熱ステップＳＴ１１において、予めクリーム半田１００に対して予備加熱するのは次のような理由からである。すなわち図９（Ａ）に示すように、クリーム半田１００に対して予備加熱することなく直接レーザ光Ｌを照射してクリーム半田１００を溶融させると、クリーム半田１００の添加材の気化のために、半田が飛散してしまう恐れがあるからである。このために、予めリフロー炉内において図８（Ｂ）に示すようにクリーム半田１００に対して予備加熱をして半田を予備溶融させておく。この予備加熱する際の温度は、例えばクリーム半田が十分に溶融する３００℃である。
【００４２】
本発明の実施の形態では、熱に弱い圧電素子を使用した製品において、圧電素子の電極に電圧供給用ケーブル等を接続する際に、接合に使用する半田を微小かつ正確な量で供給し、レーザ等により局所的に加熱して接合を行う。こうすることによって、圧電素子に対して、その特性を損なうことのない生産が可能となる。
接合部を局所的に加熱、もしくは活性化させて接合するため、仮に圧電素子に対する熱ダメージがあった場合でも、それを局所的にし、圧電素子の性能として問題の無いレベルにすることができる。
微小な半田の量を正確にコントロールすることによって、接合に必要なエネルギーを小さく一定にし、電気的接合部における圧電素子に対する熱的なダメージを微小かつ一定にすることができる。従って、生産工程において、製品の圧電特性を損なうことなく、特性バラツキの少ない生産が可能となる。
【００４３】
上述した実施の形態では、図１と図２に示すように配線基板４０，４１，４２は、フレキシブル配線板を用いている。このフレキシブル配線板は、非常に薄くて柔軟性があり電圧供給用のケーブルとしては有用である。
このような柔軟性のあるフレキシブル配線板は、図１に示すように予め接着剤７５により陽極部１６の表面１６Ａあるいは陽極部１８の表面１８Ａあるいは陰極部２０の表面２０Ａに対して貼り付けて仮の位置決めをすることができる。このことから柔軟性のあるフレキシブルプリント配線板であっても、確実に位置決めを行うことができるのである。
【００４４】
図３に示すように半田ボール８０に対してレーザ光Ｌを照射する際には、レーザ照射機は半田ボール８０に対して局所加熱することができる。このために半田を溶かす際の熱負荷が圧電素子の圧電セラミックプレート１２，１４に対して加わりにくく、圧電素子１０の特性を低下させることが無い。
図１に示すように配線基板４０，４１，４２は、接着剤７５を用いているが、これに限らず接着剤を用いずに保持用の保持冶具を利用する方法により配線基板を陽極部や陰極部の所定位置に保持するようにしても勿論構わない。
配線基板４０は、フレキシブルプリント配線板に限らず通常の銅線あるいは硬い基板であっても薄ければ特に問題は無い。
【００４５】
本発明の圧電素子は、圧電アクチュエータとして用いる例を示している。しかしこの圧電素子１０は、超音波モータや圧電センサあるいはその他の用途に適用することができるものである。
また圧電セラミックプレートの枚数は２枚に限らず３枚以上であっても勿論構わない。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、微小な半田量を用いるだけで、熱的な負荷をかけずに圧電素子の陽極部と陰極部に対して配線基板を電気的に確実に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の圧電素子を示しており、電圧が供給されていない状態を示す図。
【図２】図１の圧電素子に対して電圧が供給されて変形した状態を示す図。
【図３】圧電素子の陽極部と陰極部に対して配線基板が位置決めされて、半田ボールが配置された状態を示す図。
【図４】レーザ光により半田ボールが溶融された状態を示す図。
【図５】配線基板の一例を示す平面図。
【図６】配線基板等を示す斜視図。
【図７】半田ボールを用いた場合の圧電素子の製造方法を示す図。
【図８】半田ボールに代えてクリーム半田を用いた実施の形態を示す図。
【図９】図８の実施の形態において、クリーム半田がレーザ光により溶融された状態を示す図。
【図１０】クリーム半田を用いた場合の圧電素子の製造方法を示す図。
【図１１】従来の一般的な圧電素子の構造を示す図。
【符号の説明】
１０・・・圧電素子、１２，１４・・・圧電セラミックプレート、１６，１８・・・陽極部、２０・・・陰極部、３０・・・電気接続配線部、４０，４１，４２・・・配線基板、５０，５１，５２・・・配線基板の導体部、５９Ａ・・・半田、８０・・・半田ボール、１００・・・クリーム半田

Claims (10)

1. 圧電セラミックプレートと、前記圧電セラミックプレートの一方の面に配置された陽極部と、前記圧電セラミックプレートの他方の面に配置された陰極部とを有し、前記陽極部と前記陰極部に対して配線基板を電気的に接続する圧電素子の製造方法であり、
   前記配線基板に形成されているスルーホール内に半田を配置する半田配置ステップと、
   前記スルーホール内に配置された前記半田を局所加熱して前記半田を溶融することで前記陽極部と前記配線基板の導体部とを電気的に接続し、前記スルーホール内に配置された前記半田を局所加熱して前記半田を溶融することで前記陰極部と前記配線基板の導体部とを電気的に接続する接続ステップと、
   を含むことを特徴とする圧電素子の製造方法。
2. 前記半田は半田ボールであり、前記半田配置ステップにおいて、前記配線基板が前記陽極部と前記陰極部に接着された後に、前記半田ボールが前記スルーホール内に配置される請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
3. 前記半田はクリーム半田であり、前記半田配置ステップにおいて、前記クリーム半田は前記スルーホール内に充填され、その後前記配線基板が前記陽極部と前記陰極部に接着される請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
4. 前記配線基板はフレキシブル配線板であり、前記スルーホールを形成している周囲部と前記導体部が電気的に接続されている請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
5. 前記局所加熱するのはレーザ光である請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
6. 圧電セラミックプレートと、前記圧電セラミックプレートの一方の面に配置された陽極部と、前記圧電セラミックプレートの他方の面に配置された陰極部とを有する圧電素子であり、
   前記陽極部と前記陰極部に対して電気的に接続される配線基板と、
   前記配線基板に形成されているスルーホール内に配置された半田と、を備え、前記スルーホール内に配置された前記半田が局所加熱されて溶融されることで、前記陽極部と前記配線基板の導体部とが電気的に接続され、前記スルーホール内に配置された前記半田が局所加熱されて前記半田が溶融されることで、前記陰極部と前記配線基板の導体部とが電気的に接続されていることを特徴とする圧電素子。
7. 前記半田は半田ボールであり、前記半田配置ステップにおいて、前記配線基板が前記陽極部と前記陰極部に接着された後に、前記半田ボールが前記スルーホール内に配置される請求項６に記載の圧電素子。
8. 前記半田はクリーム半田であり、前記半田配置ステップにおいて、前記クリーム半田は前記スルーホール内に充填され、その後前記配線基板が前記陽極部と前記陰極部に接着される請求項６に記載の圧電素子。
9. 前記配線基板はフレキシブル配線板であり、前記スルーホールを形成している周囲部と前記導体部が電気的に接続されている請求項６に記載の圧電素子。
10. 前記局所加熱するのはレーザ光である請求項６に記載の圧電素子。

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