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JP2003531941A - Rheology adjusted epoxy composition - Google Patents

Rheology adjusted epoxy composition

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Publication number
JP2003531941A
JP2003531941A JP2001580224A JP2001580224A JP2003531941A JP 2003531941 A JP2003531941 A JP 2003531941A JP 2001580224 A JP2001580224 A JP 2001580224A JP 2001580224 A JP2001580224 A JP 2001580224A JP 2003531941 A JP2003531941 A JP 2003531941A
Authority
JP
Japan
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composition
imidazole
methylimidazole
semiconductor chip
weight percent
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001580224A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
キラ エム． コザック、
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Henkel Loctite Corp
Original Assignee
Henkel Loctite Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Henkel Loctite Corp filed Critical Henkel Loctite Corp
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、印刷産業向けインクジェットプリントヘッドの組立て、および半導体デバイスの組立てなどマイクロエレクトロニクス産業等においてコーティングの用途で利用するのに特に好適なレオロジー調整したエポキシ系組成物に関する。   (57) [Summary] The present invention relates to a rheology-regulated epoxy-based composition that is particularly suitable for use in coating applications, such as in the microelectronics industry, such as in the assembly of inkjet printheads for the printing industry, and in the assembly of semiconductor devices.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】 （発明の分野） 本発明は、印刷産業向けインクジェットプリントヘッドの組立て、および半導
体デバイスの組立てなどマイクロエレクトロニクス産業等においてコーティング
の用途で利用するのに特に好適なレオロジー調整したエポキシ系組成物に関する
。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to rheology adjusted epoxy compositions that are particularly suitable for use in coating applications in the microelectronics industry and the like, such as in the assembly of inkjet printheads for the printing industry and in the assembly of semiconductor devices. Regarding

【０００２】 （関連技術の簡単な説明） エポキシ系組成物はよく知られている。実際に、エポキシ系組成物は様々な最
終用途で利用できる。Brief Description of Related Art Epoxy-based compositions are well known. In fact, epoxy-based compositions can be used in a variety of end uses.

【０００３】 そのような用途の１つであるインクジェットプリントヘッドの組立てにおいて
は、その成分は幅広い温度変化を受ける。一般に、フレックス回路を、最初にバ
リアフィルムを介してシリコン基板に接着させる。次にフレックス回路と基板の
両方の一部をペン本体に接着させる。フレックス回路の一部をペン本体に接着さ
せるためには、隣接する構造物を高温に加熱し、ペン本体の開口部周辺の流路に
塗布した接着剤を硬化させ、フレックス回路をペン本体に接着させる。硬化後、
ペンを室温まで冷却する。場合によっては、塗布した接着剤は、特に硬化過程の
途中で温度が上昇し始めるとき、流路から「流れ出る」かもしれない。これが起
こるとき、接着剤はインク滴を噴射させるはずのフレックス回路のノズルに入り
込んで、それを（硬化したときは結局永久に）ふさいだりまたは詰まらせたりす
る傾向がある。この事故により、最善でもインクの紙への転移は不十分となり、
しばしばインクのノズル中の流れを全く止めてしまうことがあり得る。［たとえ
ば、米国特許第５，８２５，３８９号（Ｃｏｗｇｅｒ）を参照されたい。］この
問題は、接着剤のレオロジー特性を適当に調整することによって解決することが
できる。In one such application, the assembly of inkjet printheads, the components of which undergo a wide range of temperature changes. Generally, the flex circuit is first adhered to the silicon substrate through the barrier film. Then, a portion of both the flex circuit and the substrate are glued to the pen body. To bond a part of the flex circuit to the pen body, heat the adjacent structure to high temperature, cure the adhesive applied to the flow path around the opening of the pen body, and bond the flex circuit to the pen body. Let After curing,
Cool the pen to room temperature. In some cases, the applied adhesive may "flow out" of the flow path, especially when the temperature begins to rise during the curing process. When this happens, the adhesive tends to get into the nozzles of the flex circuit that are supposed to eject ink drops and plug (or eventually permanently when cured) it. Due to this accident, at best, the transfer of ink to paper was insufficient,
Often it is possible to completely stop the flow of ink in the nozzle. [See, eg, US Pat. No. 5,825,389 (Cowger). This problem can be solved by appropriately adjusting the rheological properties of the adhesive.

【０００４】 レオロジー調整は、しばしば、粘度を上げるための充填剤の添加、またはフロ
ーを改良するための充填剤の除去および／または可塑剤の添加によって果たすこ
とができる。見かけは単純な物質であるが、多くの接着剤組成物、特にエポキシ
系組成物は、既に他の理由で充填剤を含んでいる。たとえば、ある種の充填剤を
、接着剤組成物に熱伝導性を付与するために接着剤組成物中に添加することがあ
る。他の充填剤を、接着剤を配置しようとする複数の基材間の熱膨張係数（「Ｃ
ＴＥ」）の調和を促進するために添加することがある。さらに他の充填剤を、降
伏点（接着剤組成物の三次元構造）を改良するために添加することがある。した
がって、レオロジーを確立するためにさらに充填剤を加えると、迅速なディスペ
ンスを可能にするには過剰になることが示され、ディスペンス工程を妨げる可能
性がある。インクジェットプリントヘッドとの関連で、粘度を確立するために充
填剤を添加することもまた、幾分かの接着剤が滲み出た場合には、インクが流れ
るはずのノズルを詰まらせたりふさいだりする結果となり得る。Rheology control can often be accomplished by the addition of fillers to increase viscosity, or the removal of fillers and / or the addition of plasticizers to improve flow. Although apparently a simple material, many adhesive compositions, especially epoxy-based compositions, already contain fillers for other reasons. For example, certain fillers may be added to the adhesive composition to impart thermal conductivity to the adhesive composition. Another filler is added to the thermal expansion coefficient (“C
TE ") may be added to promote harmony. Still other fillers may be added to improve the yield point (three-dimensional structure of the adhesive composition). Therefore, the addition of additional filler to establish rheology has been shown to be in excess to allow rapid dispensing, which can interfere with the dispensing process. In the context of inkjet printheads, adding filler to establish viscosity also clogs or blocks nozzles where ink should flow if some adhesive oozes out. It can result.

【０００５】 フローを改良するために充填剤を除去すると、熱伝導性、ＣＴＥマッチングお
よび／または降伏点の改良が妨げられる。フローを改良するために可塑剤を加え
ると接着に悪影響を与えるかもしれない。Removal of fillers to improve flow hinders improved thermal conductivity, CTE matching and / or yield point. The addition of plasticizers to improve flow may adversely affect adhesion.

【０００６】 したがって、レオロジーを調整することができる従来の方法は、テープヘッド
アセンブリなどのプリントヘッドのプリントヘッドハウジングへの接着の場合の
ように、特別な接着剤を仕立てなければならないある特定用途には適合し得ない
ようである。したがって、明らかにその点で、インクジェットプリントヘッドの
噴出通路に悪影響を与えることなく接着線を実現し得る方法が必要とされている
。[0006] Thus, conventional methods of adjusting rheology have been found in certain applications where special adhesives must be tailored, such as in the case of gluing printheads to printhead housings such as tape head assemblies. Does not seem to fit. Clearly, therefore, there is a need in that regard for a method that can achieve a bond line without adversely affecting the ejection passages of an inkjet printhead.

【０００７】 さらに、おそらくエポキシ系組成物の最も広く行きわたった用途の１つが、マ
イクロエレクトロニクスデバイスの組立てにおける使用である。エレクトロニク
ス産業の発展の結果、特に高い処理量およびプロセス効率が要求されることから
、エポキシ系組成物の精確な付着は重要なプロセスパラメーターとなった。多数
のマイクロエレクトロニクス用途のその目的のために、接着剤調合物のフローを
調節してそのような要求を満たすことが望まれるようになった。In addition, perhaps one of the most widespread applications of epoxy-based compositions is in the assembly of microelectronic devices. Accurate deposition of epoxy-based compositions has become an important process parameter, especially as a result of the development of the electronics industry, which demands high throughput and process efficiency. For that purpose in many microelectronic applications, it has become desirable to control the flow of adhesive formulations to meet such requirements.

【０００８】 たとえば、接着剤調合物を半導体デバイスとキャリア基板の間に流して熱膨張
係数が半導体デバイスとキャリア基板の中間の材料を提供することを意図するア
ンダーフィルの用途においては、半導体デバイスとキャリア基板の隙間に浸透す
ることが可能な適切なフロー特性を有する接着剤調合物を提供することが重要で
ある。上記のようにフローは可塑剤を添加することによって改良することができ
る。しかしながら、そのような可塑剤の添加は、必ず損失を伴う。すなわち、そ
のような可塑剤を含むことによって、形成される接着強度を弱める等の硬化した
接着剤の物性に有害な影響を与える恐れがある。For example, in an underfill application where the adhesive formulation is intended to flow between a semiconductor device and a carrier substrate to provide a material having a coefficient of thermal expansion intermediate that of the semiconductor device and the carrier substrate. It is important to provide an adhesive formulation with suitable flow characteristics that can penetrate the interstices of the carrier substrate. As mentioned above, the flow can be improved by adding a plasticizer. However, the addition of such a plasticizer is always accompanied by losses. That is, the inclusion of such a plasticizer may have a detrimental effect on the physical properties of the cured adhesive, such as weakening the formed adhesive strength.

【０００９】 プリント回路基板に電子部品を接着させるために表面実装接着剤を使用するチ
ップボンディングの用途等の他のマイクロエレクトロニクスの用途では、基板上
に一旦ディスペンスされた接着剤組成物が基板上で盛り上がったままでいるよう
に降伏点を改良するのが望ましい。In other microelectronic applications, such as chip bonding applications where surface mount adhesives are used to bond electronic components to printed circuit boards, adhesive compositions once dispensed onto the substrate are used. It is desirable to improve the yield point so that it remains elevated.

【００１０】 接着剤組成物を濃厚化するために、上記の充填剤を使用することの他に、これ
らの組成物に明確な構造の結合性を持たせることもまた望ましい。これを達成す
るための１つの方法は、その多くがよく知られているチキソトロピー付与剤、例
えばクレーまたはシリカ等を添加することによってなされる。現実に、Ｄｅｇｕ
ｓｓａ社は、アエロジル（ＡＥＲＯＳＩＬ）の商品名でいくつかの処理したフュ
ームドシリカを工業的に利用できるようにしており、エポキシ樹脂に濃厚化効果
およびチキソトロピー効果を与えるためにそれらを利用することを提案している
。Ｃ．Ｄ．ＷｒｉｇｈｔおよびＪ．Ｍ．Ｍｕｇｇｅｅの「Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ
Ａｄｈｅｓｉｖｅｓ： Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
」、Ｓ．Ｒ．Ｈａｒｔｓｈｏｒｎ，ｅｄ．，１１３〜７９，１３１ （１９８６
）にある「Ｅｐｏｘｙ Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ Ａｄｈｅｓｉｖｅｓ」も参照さ
れたい。In addition to using the fillers described above to thicken the adhesive compositions, it is also desirable for these compositions to have well-defined structural integrity. One way to achieve this is by adding thixotropic agents, many of which are well known, such as clay or silica. In reality, Degu
Ssa makes several treated fumed silicas commercially available under the tradename AEROSIL, which it uses to impart a thickening and thixotropic effect to epoxy resins. is suggesting. C. D. Wright and J.M. M. Muggee's "Structural
Adhesives: Chemistry and Technology
, S. R. Hartshorn, ed. , 113-79, 131 (1986
See also "Epoxy Structural Adhesives" in).

【００１１】 ロクタイト社（Ｌｏｃｔｉｔｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）による最近の進歩
では、長時間にわたる降伏点維持および粘度維持の改良が固体の有機酸を使用し
たエポキシ系組成物において達成された。（国際特許出願第ＰＣＴ／ＩＥ９９／
００００１号参照。） 表面実装用途において精確な接着剤の付着が起こらない場合は、接着剤付着技
術の不精確さによるためか、またはその特定用途に対する不適当なレオロジー特
性による接着剤の広がりによるためか、あるいはその両方によるためであっても
、部品の取付けは全くできず、できたとしてもその取付けは工業的に許容できる
ようには実現しない。Recent advances by Loctite Corporation have achieved long-term yield point and viscosity maintenance improvements in epoxy compositions using solid organic acids. (International patent application No. PCT / IE99 /
See 00001. ) If accurate adhesive deposition does not occur in surface mount applications, it may be due to inaccuracies in the adhesive application technique, or due to adhesive spreading due to inappropriate rheological properties for that particular application, or Even by both, no attachment of the component is possible, and even if it is not done, it is not industrially acceptable.

【００１２】 マイクロエレクトロニクスデバイスを組み立てるために使用するキャリア基板
および半導体デバイスは、しばしば、液晶ポリマー、ポリアミドまたはシリコー
ンダイ等の接着が困難な材料を積層するかまたは含むもので構成される。それゆ
え、接着促進材料を添加することにより接着剤組成物のそのような基板に対する
接着性を改良するか、または接着剤調合物をディスペンスする前に先ず基板表面
に賦活材料を下塗りすることが望まれるが、後者では追加の処理ステップとスル
ープットの低下が見られ、かつ下塗りステップ用の空間がしばしば確保できない
ことを考慮すると、前者の方が好ましい。Carrier substrates and semiconductor devices used to assemble microelectronic devices are often constructed or laminated with materials that are difficult to adhere to, such as liquid crystal polymers, polyamides or silicone dies. Therefore, it is desirable to improve the adhesion of the adhesive composition to such substrates by adding an adhesion promoting material or to prime the substrate surface with an activator material first before dispensing the adhesive formulation. However, the former is preferable in view of the fact that the latter has additional processing steps and a decrease in throughput, and that space for the undercoating step cannot often be secured.

【００１３】 エポキシ系組成物のフロー特性を所望の最終用途に適切なものとするために、
その組成物のレオロジーも改変し得る接着促進材料をその組成物にあたえること
は、望ましいであろう。In order to make the flow characteristics of the epoxy-based composition suitable for the desired end use,
It would be desirable to subject the composition to an adhesion promoting material that could also modify the rheology of the composition.

【００１４】 （発明の概要） 本発明は、調整可能なレオロジー特性を有するエポキシ系組成物を提供する。
大まかに言えば、本発明は、エポキシ成分と、レオロジー調整剤と、硬化剤とを
含む組成物を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides epoxy-based compositions having tunable rheological properties.
Broadly speaking, the present invention provides a composition that includes an epoxy component, a rheology modifier, and a curing agent.

【００１５】 もちろん、本発明は、これらのエポキシ系組成物の反応生成物も同様に提供す
る。Of course, the present invention likewise provides reaction products of these epoxy-based compositions.

【００１６】 加えて、本発明は、エポキシ系組成物の反応生成物の接着強度を犠牲にするこ
となくそのような組成物の粘度を調整する方法を提供する。In addition, the present invention provides a method of adjusting the viscosity of the reaction products of epoxy-based compositions without sacrificing the bond strength of such compositions.

【００１７】 本発明はまた、そのようなエポキシ系組成物を調製する方法、およびそのよう
なエポキシ系組成物をインクジェットプリントヘッドまたはマイクロエレクトロ
ニクス半導体デバイスの組立てで使用する方法を提供する。The present invention also provides methods of preparing such epoxy-based compositions and methods of using such epoxy-based compositions in the assembly of inkjet printheads or microelectronic semiconductor devices.

【００１８】 本発明は、以下に続く図を参照しながらの「発明の詳細な説明」を読むことに
よってより十分に理解されよう。The present invention may be more fully understood by reading the "Detailed Description of the Invention" with reference to the figures that follow.

【００１９】 （発明の詳細な説明） 本発明は、調整されたレオロジー特性を有するエポキシ系組成物を提供する。
大まかに言えば、本発明は、エポキシ成分と、レオロジー調整剤と、硬化剤とを
含む組成物を提供する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides epoxy-based compositions having tailored rheological properties.
Broadly speaking, the present invention provides a composition that includes an epoxy component, a rheology modifier, and a curing agent.

【００２０】 本発明のエポキシ樹脂成分は、多官能エポキシ樹脂等の通常のエポキシ樹脂を
含むことができる。普通は、多官能エポキシ樹脂をエポキシ樹脂成分全体の約１
５重量％から約７５重量％の範囲内の量で含むべきである。ビスフェノールＡ型
のエポキシ樹脂の場合は、望ましくは、その量はエポキシ樹脂成分全体の約３５
から約６５重量％、例えば約４０から約５０重量％の範囲内であるべきである。The epoxy resin component of the present invention can include a normal epoxy resin such as a polyfunctional epoxy resin. Usually, a multifunctional epoxy resin is added to about 1% of the total epoxy resin component.
It should be included in an amount within the range of 5% to about 75% by weight. In the case of a bisphenol A type epoxy resin, the amount is preferably about 35 of the total epoxy resin component.
To about 65% by weight, for example about 40 to about 50% by weight.

【００２１】 多官能エポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（日本
の日本化薬社製のＲＥ−３１０−Ｓ等）、ビスフェノールＦ型のエポキシ樹脂（
日本化薬社製のＲＥ−４０４−Ｓ等）、フェノールノボラック型のエポキシ樹脂
、クレゾールノボラック型のエポキシ樹脂（ニューヨーク州ホーソーンのＣｉｂ
ａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製のＡＲＡＬＤＩＴＥ ＥＣＮ
１８７１、日本化薬製のＸＤ−１０００２−Ｌ等）が挙げられる。Examples of polyfunctional epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins (RE-310-S manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. in Japan), bisphenol F type epoxy resins (
RE-404-S manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin (Cib, Hawthorne, NY)
a ARDALITE ECN made by a Specialty Chemicals
1871, XD-10002-L manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.).

【００２２】 他の適当なエポキシ樹脂としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−
４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ジグリシジル−４−アミノフェニル
グリシジルエーテル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−１，３−プロピ
レンビス−４−アミノベンゾエート等の芳香族アミンとエピクロルヒドリンに基
づくポリエポキシ化合物が挙げられる。Other suitable epoxy resins include N, N, N ′, N′-tetraglycidyl-
Aromatic amines such as 4,4′-diaminodiphenylmethane, N-diglycidyl-4-aminophenylglycidyl ether, N, N, N ′, N′-tetraglycidyl-1,3-propylenebis-4-aminobenzoate, and epichlorohydrin Based on polyepoxy compounds.

【００２３】 本発明に使用するのに適したエポキシ樹脂の中にはまた、フェノール化合物の
ポリグリシジル誘導体であって、Ｓｈｅｌｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製のＥ
ＰＯＮ ８２８、ＥＰＯＮ １００１、ＥＰＯＮ １００９、ＥＰＯＮ １０３
１等のＥＰＯＮ、Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．製のＤＥＲ ３３１、ＤＥ
Ｒ ３３２、ＤＥＲ ３３４、ＤＥＲ ５４２、日本化薬製のＢＲＥＮ−Ｓ等の
商品名で、市場で入手できるものがある。他の適当なエポキシ樹脂としては、ポ
リオールその他から製造されるポリエポキシドおよびフェノールホルムアルデヒ
ドノボラックのポリグリシジル誘導体があり、後者はＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
から、ＤＥＮ ４３１、ＤＥＮ ４３８、ＤＥＮ ４３９等ＤＥＮの商品名で、
市場で入手できる。クレゾールの類似体もまた、Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ
Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから、ＡＲＡＬＤＩＴＥ ＥＣＮ １２３５、ＡＲＡＬＤ
ＩＴＥ ＥＣＮ １２７３、ＡＲＡＬＤＩＴＥ ＥＣＮ １２９９等ＡＲＡＬＤ
ＩＴＥの商品名で、市場で入手できる。ＳＵ−８は、Ｉｎｔｅｒｅｚ，Ｉｎｃ．
から入手できるビスフェノールＡ型のエポキシノボラックである。アミン、アミ
ノアルコールおよびポリカルボン酸のポリグリシジル付加体もまた本発明で有用
であり、市場で入手できるそのような樹脂としては、Ｆ．Ｉ．Ｃ．Ｃｏｒｐｏｒ
ａｔｉｏｎ製のＧＬＹＡＭＩＮＥ １３５、ＧＬＹＡＭＩＮＥ １２５、ＧＬＹ
ＡＭＩＮＥ １１５、Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製の
ＡＲＡＬＤＩＴＥ ＭＹ−７２０、ＡＲＡＬＤＩＴＥ ０５００、ＡＲＡＬＤＩ
ＴＥ ０５１０、Ｓｈｅｒｗｉｎ−Ｗｉｌｌｉａｍｓ Ｃｏ．製のＰＧＡ−Ｘ、
ＰＧＡ−Ｃが挙げられる。Also among the epoxy resins suitable for use in the present invention are polyglycidyl derivatives of phenolic compounds, such as Shell Chemical Co. Made of E
PON 828, EPON 1001, EPON 1009, EPON 103
EPON, Dow Chemical Co. DER 331, DE made by
R 332, DER 334, DER 542, BREN-S manufactured by Nippon Kayaku, and the like are available on the market. Other suitable epoxy resins include polyepoxides made from polyols and the like and polyglycidyl derivatives of phenol formaldehyde novolac, the latter of which is Dow Chemical.
From DEN 431, DEN 438, DEN 439, etc.
Available on the market. Analogues of cresol are also available from Ciba Specialty.
From Chemicals, ARALDITE ECN 1235, ARALD
ITE ECN 1273, ARALDITE ECN 1299, etc. ARALD
It is available on the market under the ITE brand name. SU-8 is manufactured by Interez, Inc.
Bisphenol A type epoxy novolak available from Polyglycidyl adducts of amines, amino alcohols and polycarboxylic acids are also useful in the present invention, and such commercially available resins include F.I. I. C. Corpor
ATION GLYAMINE 135, GLYAMINE 125, GLY
AMINE 115, CARA Specialty Chemicals made of ARALDITE MY-720, ARALDITE 0500, ARALDI
TE 0510, Sherwin-Williams Co. Manufactured by PGA-X,
PGA-C is mentioned.

【００２４】 異なるエポキシ樹脂の組合せももちろん本発明に使用するのに望ましい。[0024]   Combinations of different epoxy resins are of course also desirable for use in the present invention.

【００２５】 レオロジー調整剤は、約０．０１から約２重量パーセント、例えば約０．１か
ら約１重量パーセントの範囲内の量で使用されるべきである。The rheology modifier should be used in an amount within the range of about 0.01 to about 2 weight percent, such as about 0.1 to about 1 weight percent.

【００２６】 レオロジー調整剤としては、エポキシシラン類［たとえば、グリシジルトリメ
トキシシラン（商品の呼称がＡ−１８７のもとでＯＳＩ社から市販品が入手でき
る）］、およびアミノシラン類［たとえば、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン（商品の呼称がＡ−１１００のもとでＯＳＩ社から市販品が入手できる）］
等のシラン類が挙げられる。ほかに、トリアルコキシシリルイソシアヌレート誘
導体（たとえば、ＯＳＩ製のＹ−１１５９７）もまた使用することができる。一
般的に、本発明のエポキシ系組成物にエポキシシラン類を使用すると組成物がチ
キソトロピー性を示す傾向があり、本発明のエポキシ系組成物にアミノシラン類
を使用すると組成物のフロー特性が改良される傾向がある。また、これらのレオ
ロジー調整剤は、接着が困難な表面に対する接着性も促進する。Examples of rheology modifiers include epoxysilanes [eg, glycidyltrimethoxysilane (commercially available under the trade name of A-187 from OSI)], and aminosilanes [eg, γ- Aminopropyltriethoxysilane (commercially available from OSI under the product name A-1100)]
And other silanes. Alternatively, trialkoxysilyl isocyanurate derivatives (eg Y-11597 from OSI) can also be used. Generally, the use of epoxysilanes in the epoxy composition of the present invention tends to make the composition thixotropic, and the use of aminosilanes in the epoxy composition of the present invention improves the flow characteristics of the composition. Tend to These rheology modifiers also promote adhesion to surfaces that are difficult to bond.

【００２７】 硬化剤は本発明の組成物のエポキシ樹脂成分の重合に触媒作用を及ぼすことが
できる。The hardener can catalyze the polymerization of the epoxy resin component of the composition of the present invention.

【００２８】 硬化剤は、組成物全体の約１から約２５重量パーセント、例えば約５から約８
重量パーセント、望ましくは約６から約６．５重量パーセントの量で使用するこ
とができる。[0028] The hardener is from about 1 to about 25 weight percent of the total composition, such as from about 5 to about 8.
It can be used in an amount of weight percent, desirably about 6 to about 6.5 weight percent.

【００２９】 本発明で使用するのに望ましい硬化剤は窒素含有化合物であり、アミン化合物
、アミド化合物、イミダゾール化合物、およびそれらの組合せ等が挙げられる。Desirable curing agents for use in the present invention are nitrogen-containing compounds, including amine compounds, amide compounds, imidazole compounds, combinations thereof, and the like.

【００３０】 アミン化合物の例としては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミ
ン、ジエチルアミノプロピルアミン等の脂肪族ポリアミン類；ｍ−キシレンジア
ミン、ジアミノジフェニルアミン等の芳香族ポリアミン類；イソホロンジアミン
、メンテンジアミン等の脂環式ポリアミン類が挙げられる。Examples of the amine compound include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine, triethylenetetraamine and diethylaminopropylamine; aromatic polyamines such as m-xylenediamine and diaminodiphenylamine; alicyclic rings such as isophoronediamine and mentenediamine. Formula polyamines are included.

【００３１】 もちろん、これらアミン化合物の組合せもまた本発明の組成物用として望まし
い。Of course, combinations of these amine compounds are also desirable for the compositions of this invention.

【００３２】 アミド化合物の例としてはジシアンジアミド等の官能基としてシアノ基を有す
るアミド類が挙げられる。Examples of the amide compound include amides having a cyano group as a functional group such as dicyandiamide.

【００３３】 イミダゾール化合物は、イミダゾール、イソイミダゾール、およびアルキル置
換イミダゾール類（たとえば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、ブチルイミダゾール、２−ヘ
プタデセニル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデ
セニルイミダゾール、１−ビニル−２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイ
ミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル ４−メチルイミダゾ
ール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミ
ダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２
−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダ
ゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−グアナミノエチル
−２−メチルイミダゾール、イミダゾールとトリメリット酸の付加生成物、２−
ｎ−ヘプタデシル４−メチルイミダゾール等であり、一般に各アルキル置換基が
約１７個までの炭素原子、望ましくは約６個までの炭素原子を含有する）、およ
びアリール置換イミダゾール類［たとえば、フェニルイミダゾール、ベンジルイ
ミダゾール、２−メチル−４，５−ジフェニルイミダゾール、２，３，５−トリ
フェニルイミダゾール、２−スチリルイミダゾール、１−（ドデシルベンジル）
−２−メチルイミダゾール、２−（２−ヒドロキシル４−ｔ−ブチルフェニル）
−４，５−ジフェニルイミダゾール、２−（２−メトキシフェニル）−４，５−
ジフェニルイミダゾール、２−（３−ヒドロキシフェニル）−４，５−ジフェニ
ルイミダゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−４，５−ジフェニルイ
ミダゾール、２−（２−ヒドロキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾー
ル、ジ（４，５−ジフェニル−２−イミダゾール）−ベンゼン−１，４、 ２−
ナフチル−４，５−ジフェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダ
ゾール、２−ｐ−メトキシスチリルイミダゾール等であり、一般に各アリール置
換基が約１０個までの炭素原子、望ましくは約８個までの炭素原子を含有する］
等の置換イミダゾール類から選択することができる。The imidazole compound includes imidazole, isoimidazole, and alkyl-substituted imidazoles (for example, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, butylimidazole, 2-heptadecenyl-4-). Methyl imidazole, 2-methyl imidazole, 2-undecenyl imidazole, 1-vinyl-2-methyl imidazole, 2-undecyl imidazole, 2-heptadecyl imidazole, 2-ethyl 4-methyl imidazole, 1-benzyl-2- Methylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2
-Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-guanaminoethyl-2-methylimidazole, addition product of imidazole and trimellitic acid, 2-
n-heptadecyl 4-methylimidazole and the like, where each alkyl substituent generally contains up to about 17 carbon atoms, preferably up to about 6 carbon atoms), and aryl-substituted imidazoles [eg, phenylimidazole, Benzylimidazole, 2-methyl-4,5-diphenylimidazole, 2,3,5-triphenylimidazole, 2-styrylimidazole, 1- (dodecylbenzyl)
-2-Methylimidazole, 2- (2-hydroxyl 4-t-butylphenyl)
-4,5-diphenylimidazole, 2- (2-methoxyphenyl) -4,5-
Diphenylimidazole, 2- (3-hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2-hydroxyphenyl) -4,5-diphenyl Imidazole, di (4,5-diphenyl-2-imidazole) -benzene-1,4, 2-
Naphthyl-4,5-diphenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-p-methoxystyrylimidazole, etc., wherein each aryl substituent generally has up to about 10 carbon atoms, preferably up to about 8 carbon atoms. Contains carbon atoms]
Can be selected from substituted imidazoles.

【００３４】 市販品が入手できるイミダゾール化合物の例としては、ペンシルヴェニア州ア
レンタウンのＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社製の品名ＣＵＲＥＺＯＬ １Ｂ２ＭＺ
、ノースカロライナ州モーガントンのＳｙｎｔｈｒｏｎ，Ｉｎｃ．社製の品名Ａ
ＣＴＩＲＯＮ ＮＸＪ−６０、およびＢｏｒｒｅｇａａｒｄ Ｓｙｎｔｈｅｓｉ
ｓ社製の品名ＣＵＲＡＭＩＤ ＣＮが挙げられる。Examples of commercially available imidazole compounds include CUREZOL 1B2MZ under the product name of Air Products, Inc., Allentown, PA.
, Synthron, Inc., Morganton, NC. Company name A
CTIRON NXJ-60, and Borregaard Synthesi
The product name CURAMID CN manufactured by s company is mentioned.

【００３５】 もちろん、これらイミダゾール化合物の組合せもまた本発明の組成物用として
望ましい。Of course, combinations of these imidazole compounds are also desirable for the compositions of this invention.

【００３６】 無機充填剤成分を本発明の組成物中で使用する場合、その充填剤は、熱伝導性
、ＣＴＥマッチングおよび／または降伏点の改良を提供する目的で使用される。
これらの充填剤は、溶融シリカまたはフュームドシリカ等の強化シリカから選ん
でよいが、それらは表面の化学的性質を改変するために処理をしてあっても、し
てなくてもよい。When an inorganic filler component is used in the composition of the present invention, the filler is used for the purpose of providing improved thermal conductivity, CTE matching and / or yield point.
These fillers may be chosen from toughened silicas such as fused silica or fumed silica, which may or may not have been treated to modify the surface chemistry.

【００３７】 そのような処理したフュームドシリカの例としては、ポリジメチルシロキサン
処理したシリカおよびヘキサメチルジシラザン処理したシリカが挙げられる。そ
のような処理シリカは市販品が入手でき、Ｃａｂｏｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
製で商品名ＣＡＢ−Ｏ−ＳＩＬ ＮＤ−ＴＳ、およびＤｅｇｕｓｓａ Ｃｏｒｐ
ｏｒａｔｉｏｎ製でＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ８０５等ＡＥＲＯＳＩＬの商品名のもの
等がある。Examples of such treated fumed silicas include polydimethylsiloxane treated silicas and hexamethyldisilazane treated silicas. Such treated silica is commercially available and is available from Cabot Corporation.
Made under the trade name CAB-O-SIL ND-TS, and Degussa Corp.
There are some products manufactured by nation such as AEROSIL R805 under the product name of AEROSIL.

【００３８】 未処理のシリカについては、アモルファスシリカおよび含水シリカを使用する
ことができる。たとえば、市販品が入手できるアモルファスシリカとしては、一
次粒子の平均粒径が約７ｎｍのＡＥＲＯＳＩＬ ３００、一次粒子の平均粒径が
約１２ｎｍのＡＥＲＯＳＩＬ ２００、一次粒子の平均粒径が約１６ｎｍのＡＥ
ＲＯＳＩＬ １３０があり、市販品が入手できる含水シリカとしては、４．５ｎ
ｍの平均粒径を有するＮＩＰＳＩＬ Ｅ１５０、２．０ｎｍの平均粒径を有する
ＮＩＰＳＩＬ Ｅ２００Ａ、１．０ｎｍの平均粒径を有するＮＩＰＳＩＬ Ｅ２
２０Ａ（日本シリカ工業株式会社製）が挙げられる。For untreated silica, amorphous silica and hydrous silica can be used. For example, commercially available amorphous silica includes AEROSIL 300 having an average primary particle size of about 7 nm, AEROSIL 200 having an average primary particle size of about 12 nm, and AE having an average primary particle size of about 16 nm.
ROSIL 130 is a commercially available hydrous silica of 4.5n
NIPSIL E150 having an average particle size of m, NIPSIL E200A having an average particle size of 2.0 nm, NIPSIL E2 having an average particle size of 1.0 nm
20A (manufactured by Nippon Silica Industry Co., Ltd.).

【００３９】 望ましいものはまた、イオン濃度が低くて粒径が比較的小さく（たとえば、約
２ミクロン程度）、日本のアドマテックス社から市販品が入手できるシリカ、商
品の呼称ＳＯ−Ｅ５等がある。他に望ましいものとしては、アモルファス沈降シ
リカであるＺＥＯＴＨＩＸ ９５（Ｊ．Ｍ．Ｈｕｂｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎから市販品が入手できる）がある。Desirable ones are silica having a low ion concentration and a relatively small particle size (for example, about 2 μm), which is commercially available from Admatex Co., Ltd. of Japan, such as SO-E5. . Further desirable is ZEOTHIX 95 (JM Huber Corporation) which is an amorphous precipitated silica.
n is a commercially available product).

【００４０】 さらに他の無機充填剤成分として使用するのが望ましい材料として、酸化アル
ミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、シリカ被覆窒化アルミニウムから構
成されるものまたはこれらを含有するものが挙げられる。Materials that are preferably used as other inorganic filler components include those composed of aluminum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, silica-coated aluminum nitride, or those containing these.

【００４１】 無機充填剤成分は、本発明の組成物中に、組成物の５から４０重量パーセント
、例えば約２０〜２８重量パーセント、望ましくは、約２４重量パーセントであ
るような範囲内の量で使用されるべきである。The inorganic filler component is present in the composition of the present invention in an amount within the range such that it is from 5 to 40 weight percent of the composition, such as from about 20 to 28 weight percent, desirably about 24 weight percent. Should be used.

【００４２】 レオロジー調整したエポキシ系組成物は、さらに無水物成分を含むことができ
る。無水物の例としては、ヘキサヒドロ無水フタル酸（「ＨＨＰＡ」）とメチル
ヘキサヒドロ無水フタル酸（「ＭＨＨＰＡ」）（サウスカロライナ州コロンビア
のＬｉｎｄａｕ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販され、個々にまたは組
み合わせて使用されるが、組み合わせ品は品名ＬＩＮＤＲＩＤＥ ６２Ｃで入手
できる）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロール）−３−メチル−３−シク
ロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物（カンザス州リーウッドのＣｈｒｉｓ
Ｋｅｖ Ｃｏ．から品名Ｂ−４４００で入手できる）、ナディックメチル酸無水
物（ｎａｄｉｃ ｍｅｔｈｙｌ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）等のモノまたはポリ無水
物が挙げられる。The rheology adjusted epoxy composition may further include an anhydride component. Examples of anhydrides include hexahydrophthalic anhydride (“HHPA”) and methylhexahydrophthalic anhydride (“MHHPA”) (commercially available from Lindau Chemicals, Inc. of Columbia, SC) and used individually or in combination. However, the combination product is available under the product name LINDRIDE 62C), 5- (2,5-dioxotetrahydrol) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride (Chris, Leewood, Kans.).
Kev Co. Under the trade name of B-4400), and nadic methyl anhydride (mono or polyanhydride).

【００４３】 使用に当って、その硬化剤はエポキシ樹脂成分の重量に対して約３から約１０
０重量パーセントの量で存在してよいが、選ぶ量は無水物の型と素性および他に
も硬化剤を使用するか否かによるのはもちろんである。In use, the curing agent is from about 3 to about 10 by weight of the epoxy resin component.
It may be present in an amount of 0 weight percent, but the amount chosen will, of course, depend on the type and nature of the anhydride and whether or not a hardener is used.

【００４４】 本発明の他の態様においては、エポキシ系組成物のレオロジーを調整する方法
が提供される。この方法は、この目的のために使用される従来の添加剤では通常
認められる、そのような組成物の反応生成物の接着強度を損なうこともなく、レ
オロジーを調整することを可能にする。その方法は、エポキシ系組成物にその組
成物の粘度を所望の値に調節するために十分な量のレオロジー調整剤を添加する
ステップを必要とする。In another aspect of the invention, a method of adjusting the rheology of an epoxy-based composition is provided. This method makes it possible to adjust the rheology without compromising the adhesive strength of the reaction products of such compositions, which is usually found with the conventional additives used for this purpose. The method requires adding to the epoxy composition a rheology modifier in an amount sufficient to adjust the viscosity of the composition to the desired value.

【００４５】 本発明のさらなる態様においては、そのようなエポキシ系組成物を調製する方
法が提供される。この方法は、エポキシ樹脂成分と、レオロジー調整剤と、硬化
剤と、場合によって無機充填剤成分とを組み合わせるステップを必要とする。In a further aspect of the invention there is provided a method of preparing such an epoxy-based composition. This method requires the step of combining an epoxy resin component, a rheology modifier, a curing agent and optionally an inorganic filler component.

【００４６】 本発明のなおさらなる態様においては、インクジェットプリントヘッドまたは
マイクロエレクトロニクスの半導体デバイスの組立てにおいて、そのようなエポ
キシ系組成物を使用する方法を提供する。この方法のステップには、一般に、基
板上に十分な量の硬化性一液型エポキシ樹脂組成物をディスペンスするステップ
と、基板上にディスペンスしたエポキシ樹脂組成物の上に電子部品、フレックス
回路またはペン本体を配置するステップと、その電子部品、フレックス回路また
はペン本体をそれぞれ基板と合致させてアセンブリを形成するステップと、その
アセンブリを硬化性一液型エポキシ樹脂組成物の硬化を起こすのに有利な条件に
曝すステップとが含まれる。In yet a further aspect of the invention, there is provided a method of using such epoxy-based compositions in the assembly of inkjet printheads or microelectronic semiconductor devices. The steps of the method generally include dispensing a sufficient amount of the curable one-part epoxy resin composition on a substrate and an electronic component, flex circuit or pen over the dispensed epoxy resin composition on the substrate. Arranging the body, aligning its electronics, flex circuit or pen body with the substrate respectively to form an assembly, and favoring the assembly to cure the curable one-part epoxy resin composition. Exposing to the conditions.

【００４７】 一般に、本発明のエポキシ系組成物は、程度の大きいフローが望ましいアンダ
ーフィル封止剤等の用途に対しては、回路基板と半導体デバイスの間の（たとえ
ば、１０から２００μｍの）隙間にそれが浸透する能力を改良するために、無機
充填剤成分の存在量に応じて、２５℃の温度における粘度が、５００から７０，
０００ｃｐｓの範囲、例えば８００から３，０００ｃｐｓのような範囲に達する
ように様々な成分の型と量を選ぶことによって調製することができる。接着剤が
溝が設けられた表面の近辺およびまわりに急速に広がることを可能にするための
適切なフロー特性を持たなければならない場合、その接着剤は、２５℃の温度に
おいて、５ｓｅｃｓ-1で約３５，０００ｃｐｓから約７０，０００ｃｐｓの範囲
、２０ｓｅｃｓ-1で約２４，０００ｃｐｓから約４０，０００ｃｐｓの範囲の粘
度を有するべきである。さらに、表面実装接着剤は、約３０Ｐａから約７０Ｐａ
の範囲の降伏点を有するべきである。In general, the epoxy compositions of the present invention provide a gap (eg, 10 to 200 μm) between the circuit board and the semiconductor device for applications such as underfill encapsulants where a high degree of flow is desired. In order to improve its ability to penetrate into the glass, the viscosity at a temperature of 25 ° C. depends on the abundance of the inorganic filler component, from 500 to 70,
It can be prepared by choosing the type and amount of the various ingredients to reach a range of 000 cps, such as 800 to 3,000 cps. If the adhesive must have suitable flow characteristics to allow it to spread rapidly near and around the grooved surface, the adhesive should be at 5 secs -1 at a temperature of 25 ° C. It should have a viscosity in the range of about 35,000 cps to about 70,000 cps, in the range of about 24,000 cps to about 40,000 cps at 20 secs -1 . Further, the surface mount adhesive is about 30 Pa to about 70 Pa.
Should have a yield point in the range of.

【００４８】 工業用途について図を参照しながら例示する。たとえば、図１は、従来のイン
クジェットのエッジフィードペン１０のプリントヘッド部位を示す。そのペンは
ペン本体１２、シリコン基板１４およびフレックス回路１６を含む。インクは、
インク供給源と流体が連絡するようになっているインク流路を通ってインク室に
配送される。インク供給源は、たとえば、ペンの貯蔵器部分に入れることができ
る。運転中、インクは流路１８からプリントヘッドノズル２０に流れる。ノズル
はシリコン基板１４とフレックス回路１６によって画定される。したがって、ノ
ズルから噴射すると、インクはプリントヘッドノズル２０を通って印刷媒体のシ
ートに排出される。Industrial applications will be illustrated with reference to the drawings. For example, FIG. 1 illustrates the printhead portion of a conventional inkjet edge feed pen 10. The pen includes a pen body 12, a silicon substrate 14 and a flex circuit 16. Ink is
It is delivered to the ink chamber through an ink flow path that is in fluid communication with an ink supply. The ink supply can be contained, for example, in the reservoir portion of the pen. During operation, ink flows from flow path 18 to printhead nozzles 20. The nozzle is defined by the silicon substrate 14 and the flex circuit 16. Thus, when ejected from the nozzles, ink is ejected through the printhead nozzles 20 to a sheet of print media.

【００４９】 インクジェットプリントヘッドの組立ての途中で、フレックス回路１６は接着
剤を用いてシリコン基板１４に取り付ける。そのフレックス回路／基板アセンブ
リは次に接着剤を用いてペン本体１２に取り付ける。ペン本体１２、基板１４お
よびフレックス回路１６は、接着剤を硬化するために加熱される。一旦接着剤が
硬化すると、ペン本体１２、基板１４およびフレックス回路１６は、接着点のと
ころで互いに固着される。The flex circuit 16 is attached to the silicon substrate 14 using an adhesive during the assembly of the inkjet printhead. The flex circuit / board assembly is then attached to the pen body 12 using an adhesive. The pen body 12, substrate 14 and flex circuit 16 are heated to cure the adhesive. Once the adhesive cures, the pen body 12, substrate 14 and flex circuit 16 are secured together at the point of adhesion.

【００５０】 組立ての途中で接着剤が流路１８および／またはプリントヘッドノズル２０の
中および周辺に滲み出した場合、接着剤はそれが未硬化または硬化した状態でそ
の中およびその周辺に付着することになり得る。この事故はプリントヘッドから
インクが新たに噴射されるのを妨げ、最善でもインクを受ける基板上に発現され
るインクの鮮明度が不十分なものとなる。したがって、接着剤組成物にその塗布
に適切なレオロジーを持たせるように調製することによって、これが起こる可能
性を、仮に排除できなくても著しく減少することができる。If the adhesive seeps into and around the flow path 18 and / or printhead nozzles 20 during assembly, the adhesive will adhere to and within and around it in the uncured or cured state. Can be. This accident prevents new ink from being ejected from the printhead, and at best results in poor ink definition on the substrate receiving the ink. Therefore, by tailoring the adhesive composition to have the proper rheology for its application, the likelihood of this occurring can be significantly reduced, if not eliminated.

【００５１】 図２に関しては、本発明のエポキシ組成物を塗布して硬化させたＦＣ（フリッ
プチップ）アセンブリを示す。Referring to FIG. 2, an FC (flip chip) assembly is shown which has been applied and cured with the epoxy composition of the present invention.

【００５２】 ＦＣアセンブリ２４は、半導体チップ（ベアチップ）２２を回路基板２１に接
続し、その間の隙間を熱硬化性樹脂組成物２３で適当に封止することによって形
成する。The FC assembly 24 is formed by connecting the semiconductor chip (bare chip) 22 to the circuit board 21 and appropriately sealing the gap between them with the thermosetting resin composition 23.

【００５３】 より具体的には、たとえば、ＳＢＢ技術を使用するＦＣ半導体デバイスの組立
てにおいて、半導体チップ２２は、伝導性接着剤ペースト（たとえば金属を充填
したエポキシなど）が付いている基板上をまたぐことによって、半導体チップ２
２と接してその層を形成することができる。その層はたいてい印刷機構によって
形成される。伝導性接着剤ペーストは、キャリア基板または半導体チップのいず
れかに塗布することができる。これを行う１つの方法はステンシル印刷を用いる
ものであって、国際特許公開第ＰＣＴ／ＦＲ９５／００８９８号の中で請求され
、記載されている。別法ではこの接続はまた異方伝導性接着剤によってなし得る
。国際特許公開第ＰＣＴ／ＵＳ９７／１３６７７号を参照されたい。More specifically, for example, in the fabrication of FC semiconductor devices using SBB technology, semiconductor chip 22 straddles a substrate with a conductive adhesive paste (eg, metal-filled epoxy). The semiconductor chip 2
The layer can be formed in contact with 2. The layer is usually formed by the printing mechanism. The conductive adhesive paste can be applied to either the carrier substrate or the semiconductor chip. One way to do this is with stencil printing, which is claimed and described in International Patent Publication No. PCT / FR95 / 00898. Alternatively, this connection can also be made with an anisotropically conductive adhesive. See International Patent Publication No. PCT / US97 / 13677.

【００５４】 その後、半導体チップ２２が、伝導性接着剤ペーストまたははんだのパターン
化した層２７および２８が既にコートしてある回路基板２１上の電極２５および
２６と位置合わせするように、半導体チップ２２をキャリア基板２１の上に位置
決めする。伝導性接着剤ペーストは、様々な方法により硬化することができるが
、普通熱硬化機構が採用される。Thereafter, the semiconductor chip 22 is aligned with the electrodes 25 and 26 on the circuit board 21 which are already coated with the patterned layers 27 and 28 of conductive adhesive paste or solder. Are positioned on the carrier substrate 21. The conductive adhesive paste can be cured by various methods, but usually a heat curing mechanism is adopted.

【００５５】 信頼性を高めるために、半導体チップ２２と回路基板２１の間の隙間は、たと
えば本発明の範囲にあるようなアンダーフィル封止用組成物２３で封止する。本
発明のエポキシ系組成物は、半導体チップと回路基板の間の隙間にすぐに浸透し
て流れ込むか、さもなければ、加熱または使用条件下で少なくとも粘度を低下さ
せるかすることによって、浸透およびフローを容易にする。In order to improve reliability, the gap between the semiconductor chip 22 and the circuit board 21 is sealed with the underfill sealing composition 23 within the scope of the present invention, for example. The epoxy-based composition of the present invention immediately penetrates and flows into the gap between the semiconductor chip and the circuit board, or otherwise at least reduces the viscosity under heating or use conditions, thereby allowing penetration and flow. To facilitate.

【００５６】 組成物のゲル化時間は、約１５０℃の温度で特定の時間（たとえば１５秒また
は１分または２分等）となるようにしばしば調整する。そのような場合、本発明
の組成物は、約６時間の経過後に粘度が上昇しないかまたは実質的に上昇しない
ことが必要である。そのようなゲル化時間では、組成物は回路基板と半導体デバ
イスの間の隙間（たとえば、１０から２００μｍ）に比較的迅速に浸透し、それ
によって、塗布の有効性を低下させる組成物の粘度上昇を認めることなく、より
多数のアセンブリに充填することが可能となる。The gel time of the composition is often adjusted to a particular time (eg 15 seconds or 1 or 2 minutes) at a temperature of about 150 ° C. In such cases, the composition of the present invention should not increase in viscosity or substantially increase in viscosity after about 6 hours. At such gel times, the composition penetrates relatively quickly into the interstices (eg, 10 to 200 μm) between the circuit board and the semiconductor device, thereby increasing the viscosity of the composition, which reduces the effectiveness of the application. It is possible to fill a larger number of assemblies without recognizing that.

【００５７】 使用に当って本発明のエポキシ樹脂組成物は、従来のどの方法によっても基板
に塗布することができる。適切な塗布の様式としては、注射器によるディスペン
ス、ピン転写、スクリーン印刷、および他の従来の接着剤ディスペンス装置によ
るものが挙げられる。In use, the epoxy resin composition of the present invention can be applied to the substrate by any conventional method. Suitable modes of application include syringe dispensing, pin transfer, screen printing, and other conventional adhesive dispensing equipment.

【００５８】 塗布する組成物の量は、回路基板と半導体チップの間の隙間をほぼ完全に埋め
るように適切に調節すべきであり、その量が用途によって変化するのはもちろん
である。その熱硬化性樹脂組成物は、続いて熱を加えて熱硬化する。この加熱の
初期段階において、熱硬化性樹脂組成物は粘度の著しい低下とそれによる流動性
の増大を示し、その結果、それは一層容易にキャリア基板と半導体チップの間の
隙間に浸透する。そのうえ、キャリア基板を予備加熱することにより、熱硬化性
樹脂組成物はキャリア基板と半導体チップの間の隙間全体に完全に浸透すること
が可能となる。熱硬化性樹脂組成物の硬化生成物は、その隙間を完全に満たす必
要がある。The amount of the composition to be applied should be appropriately adjusted so as to almost completely fill the gap between the circuit board and the semiconductor chip, and it goes without saying that the amount varies depending on the application. The thermosetting resin composition is then heat-cured by applying heat. In the initial stage of this heating, the thermosetting resin composition shows a marked decrease in viscosity and thus an increase in fluidity, so that it more easily penetrates into the interstices between the carrier substrate and the semiconductor chip. Moreover, by preheating the carrier substrate, the thermosetting resin composition can completely penetrate into the entire gap between the carrier substrate and the semiconductor chip. The cured product of the thermosetting resin composition must completely fill the gap.

【００５９】 半導体チップは、通常、環境による腐食から保護する被膜を生じさせるために
、ポリイミドベース、ポリ−ベンゾシクロブタンベース、または窒化シリコンベ
ースの材料で被覆することができる。Semiconductor chips can typically be coated with polyimide-based, poly-benzocyclobutane-based, or silicon nitride-based materials to provide a coating that protects against environmental corrosion.

【００６０】 キャリア基板は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮ3、ムライト（Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2）等のセ
ラミック基体；ポリイミド等耐熱性樹脂の基体またはテープ；ガラス充填エポキ
シ；回路基板としても一般に使用されるＡＢＳおよびフェノール樹脂基体、およ
びその他から組み立てることができる。半導体チップのキャリア基板への電気的
接続は、たとえば高融点はんだまたは電気伝導性（または異方伝導性）接着剤そ
の他による接続などいずれも使用することができる。接続を容易にするため、特
にＳＢＢ技法において電極はワイヤーボンドのバンプに形づくることができる。The carrier substrate is generally used as a ceramic substrate such as Al 2 O 3 , SiN 3 and mullite (Al 2 O 3 —SiO 2 ); a substrate or tape of a heat resistant resin such as polyimide; a glass-filled epoxy; and a circuit board. Can be assembled from ABS and phenolic resin substrates, as well as others. For the electrical connection of the semiconductor chip to the carrier substrate, for example, a high melting point solder or an electrically conductive (or anisotropically conductive) adhesive or the like can be used. To facilitate the connection, the electrodes can be shaped into wire bond bumps, especially in the SBB technique.

【００６１】 半導体チップをキャリア基板に電気的に接続した後、得られた構造物は、通常
、導通試験などを行う。そのような試験に合格した後、半導体チップは以下に記
すように熱硬化性樹脂組成物により基板に固着させることができる。このように
して、不合格の場合には、半導体チップはそれを熱硬化性樹脂組成物でキャリア
基板に固着する前に取り除くことができる。After electrically connecting the semiconductor chip to the carrier substrate, the obtained structure is usually subjected to a continuity test or the like. After passing such a test, the semiconductor chip can be fixed to the substrate with a thermosetting resin composition as described below. In this way, if it fails, the semiconductor chip can be removed before it is fixed to the carrier substrate with the thermosetting resin composition.

【００６２】 表面実装接着剤の用途に関する図３については、実装構造物（またはチップス
ケールパッケージ）であって、ソルダーランド３３の間の回路基板３１上に本発
明の範囲内のエポキシ組成物３４が配置されているものを示している。半導体チ
ップ３２は、エポキシ組成物３４がディスペンスされている回路基板３１の位置
の上に位置決めし、回路基板と半導体チップはその後で合致させる。図３はエポ
キシ組成物３４が回路基板３１上にディスペンスされているところを示している
が、代わりにその組成物を半導体チップ３２上に塗布するか、またはその組成物
を回路基板３１と半導体チップ３２の両方に塗布するのが望ましい場合もあり得
る。その組成物は次に上記と同様に硬化する。Referring to FIG. 3 for a surface mount adhesive application, a mounting structure (or chip scale package) having an epoxy composition 34 within the scope of the present invention on a circuit board 31 between solder lands 33. It shows what is placed. The semiconductor chip 32 is positioned over the location of the circuit board 31 on which the epoxy composition 34 has been dispensed, and the circuit board and semiconductor chip are then mated. Although FIG. 3 illustrates the epoxy composition 34 being dispensed on the circuit board 31, instead, the composition is applied to the semiconductor chip 32, or the composition is applied to the circuit board 31 and the semiconductor chip. It may be desirable to apply to both 32. The composition is then cured as above.

【００６３】 図４の構成において半導体デバイス（またはチップスケールパッケージ）４０
は、半導体チップ４２をキャリア基板４１に電気的に接続し、その間の隙間をた
とえば本発明によるアンダーフィル封止剤４３で封止することにより前記のよう
に形成したものである。この半導体デバイス４０は、表面実装接着剤４６を回路
基板４５の所定の場所で用いて取り付け、電極４８および４９は、適当な接続手
段、たとえばはんだなどによって電気的に接続する。信頼性を高めるために、半
導体デバイス４０と回路基板４５の間の隙間は、これもまた本発明によるものの
ようなアンダーフィル封止剤で封止する。A semiconductor device (or a chip scale package) 40 in the configuration of FIG.
Is formed as described above by electrically connecting the semiconductor chip 42 to the carrier substrate 41 and sealing the gap between them with, for example, the underfill sealant 43 according to the present invention. The semiconductor device 40 is attached using surface mount adhesive 46 in place on the circuit board 45, and the electrodes 48 and 49 are electrically connected by suitable connecting means, such as solder. For increased reliability, the gap between the semiconductor device 40 and the circuit board 45 is sealed with an underfill encapsulant, also like that according to the invention.

【００６４】 本発明の組成物は、通常、約１２０から約２００℃の範囲内の温度に約０．５
分から約２時間の時間にわたって加熱することによって硬化することができる。
しかしながら、一般に、組成物を塗布した後、約１分間の最初の硬化時間が組成
物を定着させ、完全な硬化は約１６５℃で約５分から約１５分後に認められる。
したがって、本発明の組成物は、比較的穏やかな温度と短時間の硬化条件で使用
することができ、それによって非常に優れた生産性を実現することができる。The compositions of the present invention are typically about 0.5 to a temperature in the range of about 120 to about 200 ° C.
It can be cured by heating for a period of from about a minute to about 2 hours.
However, generally, after application of the composition, an initial cure time of about 1 minute will set the composition and full cure is observed after about 5 to about 15 minutes at about 165 ° C.
Therefore, the composition of the present invention can be used at a relatively mild temperature and a curing condition for a short time, thereby achieving a very high productivity.

【００６５】 本発明の組成物の硬化した反応生成物は、本明細書で使用する用途に対して、
優れた接着力、耐熱性および電気特性、屈曲亀裂耐性等の良好な機械特性、耐化
学薬品性、耐湿性その他をはっきりと示す。The cured reaction product of the composition of the present invention may be used for the applications used herein.
Excellent adhesion, heat resistance and electrical properties, good mechanical properties such as flex crack resistance, chemical resistance, moisture resistance, etc. are clearly shown.

【００６６】 本発明は、以下の実施例を参照することによって一層容易に理解されよう。[0066]   The present invention will be more readily understood by reference to the following examples.

【００６７】 （実施例） これらの実施例においては本発明によるエポキシ系組成物を調製し、性能評価
を行った。(Examples) In these examples, the epoxy compositions according to the present invention were prepared and the performance was evaluated.

【００６８】 エポキシ系組成物 本発明によるエポキシ系組成物は、開放容器中で以下の成分を表記した順序で
、室温で約１０分間一緒にかき混ぜることにより調製した。Epoxy-Based Composition The epoxy-based composition according to the present invention was prepared by stirring the following ingredients together in an open container in the order shown for about 10 minutes at room temperature.

【００６９】 １．ビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂（商品の呼称ＲＥ−３１０−Ｓのもと
、日本化薬から市販品が入手できる）５０重量パーセントと、 クレゾールノボラック型のエポキシ樹脂（商品の呼称ＸＤ−１０００２−Ｌの
もと、日本化薬から市販品が入手できる）１５重量パーセントとを含むエポキシ
樹脂成分。1. 50 weight percent of a bisphenol A type epoxy resin (commercially available from Nippon Kayaku under the commercial name RE-310-S) and a cresol novolac type epoxy resin (commercial name XD-10002-L). Originally, a commercially available product can be obtained from Nippon Kayaku) 15% by weight.

【００７０】 ２．エポキシシラン（商品の呼称Ａ−１８７のもと、ＯＳＩから市販品が入手
できる）の０．５重量パーセントを含むレオロジー調整剤。2. A rheology modifier comprising 0.5 weight percent of epoxy silane (commercially available under the trade designation A-187 from OSI).

【００７１】 ３．イミダゾール（商品の呼称ＣＵＲＡＭＩＤ ＣＮのもと、Ｂｏｒｒｅｇａ
ａｒｄから市販品が入手できる）６．５重量パーセントを含む硬化剤。3. Imidazole (under the product name CURAMID CN, Borrega
(commercially available from Ard) hardener containing 6.5 weight percent.

【００７２】 ４．アモルファス沈降シリカ（商品の呼称ＺＥＯＴＨＩＸ ９５のもと、Ｊ．
Ｍ．Ｈｕｂｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから市販品が入手できる）１５重量パ
ーセントと、 シリカ（商品の呼称ＳＯ−Ｅ５のもと、Ａｄｍａｔｅｃｈｓから市販品が入手
できる）９重量パーセントとを含む無機充填剤成分。4. Amorphous precipitated silica (under the product name ZEOTIX 95, J.
M. An inorganic filler component comprising 15 weight percent commercially available from Huber Corporation and 9 weight percent silica (commercially available from Admatechs under commercial designation SO-E5).

【００７３】 この調合物はまた、希釈剤（ｏ−クレジルグリシジルエーテル、商品の呼称Ｇ
Ｅ−１０のもと、ＣＶＣから市販品が入手できる）４重量パーセントを含んでい
た。This formulation also comprises a diluent (o-cresyl glycidyl ether, commercial designation G
Under E-10 (commercially available from CVC)).

【００７４】 下の表１に記した量の以下の成分を有する他の３つの調合物（試料番号２〜４
）を調製した。Three other formulations (Sample Nos. 2-4) with the following components in the amounts listed in Table 1 below:
) Was prepared.

【００７５】[0075]

【表１】 [Table 1]

【００７６】 組成物は作製して直ぐに使用したが（以下参照）、約３ヶ月から約６ヶ月まで
といったような長期間にわたって、約−４０℃の温度で粘度の上昇を経験するこ
となく保存することができる。The composition was prepared and used immediately (see below), but stored for a long period of time, such as from about 3 months to about 6 months, at a temperature of about −40 ° C. without experiencing an increase in viscosity. be able to.

【００７７】 作製後、組成物は非反応性プラスチック製の１０ｍｌの注射器に移した。[0077]   After preparation, the composition was transferred to a 10 ml syringe made of non-reactive plastic.

【００７８】 （物理特性） 組成物は、未硬化および硬化状態の両方における様々な特性を有しており、そ
れは、測定が可能であってエンドユーザーにとって所望のニーズに合った特定の
調合物を選ぶのに役立つパラメータである。Physical Properties The composition has a variety of properties, both uncured and in the cured state, that allow it to be formulated into a particular formulation that is measurable and meets the desired needs of the end user. It is a parameter that helps you choose.

【００７９】 たとえば、未硬化の状態においては、粘度と降伏点が重要であり、硬化状態に
達するには硬化スケジュールが重要である。For example, in the uncured state, the viscosity and the yield point are important, and the curing schedule is important to reach the cured state.

【００８０】 粘度は、たとえば回路の組立て作業など製造工程の途中で接着剤を塗布するこ
とができる速さをエンドユーザーが決定することを可能にする。それはハーケ（
Ｈａａｃｋｅ）粘度計による通常の技術を使用して測定することができる。Viscosity allows the end user to determine how quickly the adhesive can be applied during the manufacturing process, eg, circuit assembly operations. It ’s Haake (
It can be measured using conventional techniques with a Haacke viscometer.

【００８１】 降伏点（または降伏応力）とは、一般に、材料の流れを引き起こすために必要
な最小の応力と考えられている。The yield point (or yield stress) is generally considered to be the minimum stress required to cause material flow.

【００８２】 硬化スケジュールとは、特定の時間の間に一定の温度で硬化の開始が起こるた
めに必要な時間を指す。このことについては表２を参照すればより詳細に分かる
。The cure schedule refers to the time required for initiation of cure to occur at a constant temperature during a particular time period. This can be seen in more detail with reference to Table 2.

【００８３】[0083]

【表２】 [Table 2]

【００８４】 硬化した状態における様々な特性は、組成物が予定されている最終用途によっ
ては有用である。The various properties in the cured state are useful depending on the intended end use of the composition.

【００８５】 たとえば、接着性は硬化した組成物によって形成された結合の強さについての
情報を提供する。示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）または熱機械分析（ＴＭＡ）に
よって測定されるガラス転移温度（Ｔｇ）は、硬化した反応生成物（または網目
）の硬さと強さ、およびその温度変化に関する挙動についての情報を提供し、す
なわち、Ｔｇが高いと材料は高温によりよく耐えることができるはずである。For example, adhesiveness provides information about the strength of the bond formed by the cured composition. The glass transition temperature (Tg), measured by differential scanning calorimetry (DSC) or thermomechanical analysis (TMA), determines the hardness and strength of the cured reaction product (or network), and its behavior with respect to temperature changes. It should be informative, that is, a high Tg should allow the material to better withstand high temperatures.

【００８６】 このように説明した本発明には変更および修正が存在することは当技術分野の
当業者には明らかであろうが、それは請求項によってその精神と範囲が明確にさ
れる本発明に含まれるものと解釈される。It will be apparent to those skilled in the art that changes and modifications may be made to the invention thus described, but it is to be understood that the invention is defined in its spirit and scope by the claims. Interpreted as included.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明によるエポキシ組成物で組み立てたインクジェットプリントヘッドの斜
視図である。FIG. 1 is a perspective view of an inkjet printhead assembled with an epoxy composition according to the present invention.

【図２】 本発明によるエポキシ組成物をアンダーフィル封止剤として使用しているフリ
ップチップアセンブリの例を示す横断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a flip chip assembly using the epoxy composition according to the present invention as an underfill encapsulant.

【図３】 本発明によるエポキシ組成物を有する回路基板に実装すべき半導体デバイスの
例を示す横断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device to be mounted on a circuit board having an epoxy composition according to the present invention.

【図４】 本発明によるエポキシ組成物がアンダーフィル封止剤として使用されている実
装構造物の例を示す横断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a mounting structure in which the epoxy composition according to the present invention is used as an underfill sealant.

【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書[Procedure for Amendment] Submission for translation of Article 34 Amendment of Patent Cooperation Treaty

【提出日】平成１４年７月８日（２００２．７．８）[Submission date] July 8, 2002 (2002.7.8)

【手続補正１】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Name of item to be amended] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正の内容】[Contents of correction]

【特許請求の範囲】[Claims]

【請求項１０】 内層を有するノズル板と、ノズル板のノズルに連絡してい
るインク通路とを備え、該通路はプリントヘッドからインクの噴射を可能にする
ようなインクジェットプリントヘッドのノズル板に接着される組成物である請求
項１に記載の組成物。 10. A nozzle plate having an inner layer and an ink passage communicating with a nozzle of the nozzle plate, the passage being adhered to a nozzle plate of an ink jet printhead such that ink can be ejected from the printhead. The composition according to claim 1, which is a composition to be treated.

【請求項１１】 組成物が、基板の少なくとも片側に接着されるものである
請求項１に記載の組成物。 11. The composition composition of claim 1 which is intended to be adhered to at least one side of the substrate.

【請求項１２】 請求項１から１１のいずれか一項に記載の組成物から形成
される反応生成物。 12. A reaction product formed from the composition of any one of claims 1 to 11.

【請求項１３】 請求項１から１２に記載のいずれかの組成物の反応生成物
によってフレックス回路を取り付けたシリコン基板、および請求項１から１２に
記載のいずれかの組成物の反応生成物によって該シリコン基板−フレックス回路
アセンブリを取り付けたペン本体を備えたインクジェットプリントヘッド。By 13. The reaction product of any of the compositions according to claims 1 12 by the reaction product of any of the compositions described silicon substrate attached with the flex circuit, and from the claims 1 to 12 An inkjet printhead comprising a pen body with the silicon substrate-flex circuit assembly attached.

【請求項１４】 請求項１から１２のいずれか一項に記載の組成物を使用す
る方法であって、 基板上に十分な量の硬化性一液型エポキシ樹脂組成物をディスペンスするステ
ップと、 基板上にディスペンスしたエポキシ樹脂組成物の上に、ペン本体を配置するス
テップと、 ペン本体を基板と合致させてアセンブリを形づくるステップと、 そのアセンブリを硬化性一液型エポキシ樹脂組成物の硬化を実施するために都
合のよい条件にさらすステップとを含む方法。 14. A method of using a composition according to any one of claims 1 to 12, comprising the steps of dispensing a sufficient amount of curable one-part epoxy resin composition on a substrate, on the epoxy resin composition dispensed on the substrate, Bae placing the emissions this body, Bae a step down main body is matched with the base plate form an assembly, curing one-pack type epoxy resin composition of that assembly Exposing the material to conditions that are convenient for carrying out the curing of the material.

【請求項１５】 組成物の反応生成物の接着強さを損なうことなくエポキシ
系組成物のレオロジーを調整する方法であって、そのステップが、 エポキシ系組成物に該組成物のレオロジーを所望の量に調節するために十分な
量のレオロジー調整剤を添加するステップを含む方法。 15. A method of adjusting the rheology of the epoxy-based composition without impairing the adhesive strength of the reaction product of the composition, that step, rheology desired for the composition to the epoxy-based composition A method comprising adding a rheology modifier in an amount sufficient to adjust the amount.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4J002 CD051 CD061 CD071 CD131 DE148 DF018 DJ008 DJ018 DK008 EN047 EN077 ER027 EU117 EX066 EX076 FB078 FD147 FD206 GJ01 GQ05 4J036 AA01 AD08 AF06 AH18 AJ02 AJ03 DA01 DC03 DC04 DC06 DC09 DC10 DC31 DC41 DD08 FA01 FA03 FA05 FA11 FA13 JA06 JA07 5F061 AA01 CB03 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (81) Designated countries EP (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, I T, LU, MC, NL, PT, SE, TR), OA (BF , BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG), AP (GH, G M, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ , UG, ZW), EA (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM), AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, B Z, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK , DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, J P, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR , LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, R O, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ , TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW F-term (reference) 4J002 CD051 CD061 CD071 CD131                       DE148 DF018 DJ008 DJ018                       DK008 EN047 EN077 ER027                       EU117 EX066 EX076 FB078                       FD147 FD206 GJ01 GQ05                 4J036 AA01 AD08 AF06 AH18 AJ02                       AJ03 DA01 DC03 DC04 DC06                       DC09 DC10 DC31 DC41 DD08                       FA01 FA03 FA05 FA11 FA13                       JA06 JA07                 5F061 AA01 CB03

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 シリコン基板をフレックス回路に、フレックス回路をペン本
体に接着させる用途、半導体チップと前記半導体チップが電気的に接続している
回路基板との間のアンダーフィリングを封止する用途、およびキャリア基板上に
取り付けた半導体チップを含む半導体デバイスと前記半導体デバイスが電気的に
接続している回路基板との間のアンダーフィリングを封止する用途からなる群か
ら選ばれる用途に使用することができるレオロジー調整したエポキシ組成物であ
って、 （ａ）エポキシ樹脂成分と、 （ｂ）エポキシシラン類、アミノシラン類、トリアルコキシシリルイソシアヌ
レート誘導体、およびそれらの組合せからなる群から選択されたレオロジー調整
剤と、 （ｃ）アミン化合物、アミド化合物、イミダゾール化合物、およびそれらの組
合せからなる群から選ばれる一員を含む硬化剤成分と、 （ｄ）場合によっては、無機充填剤成分と を含む組成物。1. A use of bonding a silicon substrate to a flex circuit and a flex circuit to a pen body, and a purpose of sealing underfilling between a semiconductor chip and a circuit board electrically connected to the semiconductor chip, And can be used for an application selected from the group consisting of applications for sealing underfilling between a semiconductor device including a semiconductor chip mounted on a carrier substrate and a circuit board to which the semiconductor device is electrically connected. A rheology-adjusted epoxy composition capable of comprising: (a) an epoxy resin component; and (b) a rheology modifier selected from the group consisting of epoxysilanes, aminosilanes, trialkoxysilyl isocyanurate derivatives, and combinations thereof. And (c) an amine compound, an amide compound, an imidazole compound, and A composition comprising a curing agent component containing a member selected from the group consisting of: and a combination thereof, and (d) an inorganic filler component in some cases. 【請求項２】 レオロジー調整剤が、グリシジルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、およびそれらの組合せからなる群から選ば
れる一員である請求項１に記載の組成物。2. The rheology modifier is glycidyltrimethoxysilane, γ-
The composition of claim 1 which is a member selected from the group consisting of aminopropyltriethoxysilane, and combinations thereof. 【請求項３】 無機充填剤成分が、補強シリカ、酸化アルミニウム、窒化ケ
イ素、窒化アルミニウム、シリカコートした窒化アルミニウム、窒化ホウ素、お
よびそれらの組合せから構成されまたは含有する材料からなる群から選択される
請求項１に記載の組成物。3. The inorganic filler component is selected from the group consisting of materials comprising or containing reinforcing silica, aluminum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, silica coated aluminum nitride, boron nitride, and combinations thereof. The composition of claim 1. 【請求項４】 硬化剤成分のアミン化合物が、ジシアンジアミド、ジエチレ
ントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、ｍ−
キシレンジアミン、ジアミノジフェニルアミン、イソホロンジアミン、メンテン
ジアミン、ポリアミド、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項
１に記載の組成物。4. The curing agent component amine compound is dicyandiamide, diethylenetriamine, triethylenetetramine, diethylaminopropylamine, m-
The composition of claim 1 selected from the group consisting of xylenediamine, diaminodiphenylamine, isophoronediamine, mentenediamine, polyamides, and combinations thereof. 【請求項５】 アミド化合物が、ジシアンジアミドである請求項１に記載の
組成物。5. The composition according to claim 1, wherein the amide compound is dicyandiamide. 【請求項６】 硬化剤成分のイミダゾール化合物が、イミダゾール、イソイ
ミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、
２，４−ジメチルイミダゾール、ブチルイミダゾール、２−ヘプタデセニル−４
−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデセニルイミダゾー
ル、１−ビニル−２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−
ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル ４−メチルイミダゾール、１−ベンジ
ル−２−メチルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾール、１−シ
アノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メ
チルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シア
ノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−グアナミノエチル−２−メチルイミ
ダゾール、イミダゾールとトリメリット酸の付加生成物、イミダゾールと２−ｎ
−ヘプタデシル４−メチルイミダゾールの付加生成物、フェニルイミダゾール、
ベンジルイミダゾール、２−メチル−４，５−ジフェニルイミダゾール、２，３
，５−トリフェニルイミダゾール、２−スチリルイミダゾール、１−（ドデシル
ベンジル）−２−メチルイミダゾール、２−（２−ヒドロキシル４−ｔ−ブチル
フェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール、２−（２−メトキシフェニル）
−４，５−ジフェニルイミダゾール、２−（３−ヒドロキシフェニル）−４，５
−ジフェニルイミダゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−４，５−ジ
フェニルイミダゾール、２−（２−ヒドロキシフェニル）−４，５−ジフェニル
イミダゾール、ジ（４，５−ジフェニル−２−イミダゾール）−ベンゼン−１，
４、 ２−ナフチル−４，５−ジフェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メ
チルイミダゾール、２−ｐ−メトキシスチリルイミダゾールおよびそれらの組合
せからなる群から選択される請求項１に記載の組成物。6. An imidazole compound as a curing agent component is imidazole, isoimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole,
2,4-dimethylimidazole, butylimidazole, 2-heptadecenyl-4
-Methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-undecenylimidazole, 1-vinyl-2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-
Heptadecyl imidazole, 2-ethyl 4-methyl imidazole, 1-benzyl-2-methyl imidazole, 1-propyl-2-methyl imidazole, 1-cyanoethyl-2-methyl imidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methyl Imidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-guanaminoethyl-2-methylimidazole, addition product of imidazole and trimellitic acid, imidazole and 2-n
-Heptadecyl 4-methylimidazole addition product, phenylimidazole,
Benzylimidazole, 2-methyl-4,5-diphenylimidazole, 2,3
, 5-Triphenylimidazole, 2-styrylimidazole, 1- (dodecylbenzyl) -2-methylimidazole, 2- (2-hydroxyl 4-t-butylphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2- Methoxyphenyl)
-4,5-diphenylimidazole, 2- (3-hydroxyphenyl) -4,5
-Diphenylimidazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2-hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, di (4,5-diphenyl-2-imidazole)- Benzene-1,
The composition of claim 1 selected from the group consisting of 4,2-naphthyl-4,5-diphenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-p-methoxystyrylimidazole and combinations thereof. 【請求項７】 硬化剤成分が、組成物の総重量に対して約１から約２５重量
パーセントの量で使用される請求項１に記載の組成物。7. The composition of claim 1, wherein the hardener component is used in an amount of about 1 to about 25 weight percent based on the total weight of the composition. 【請求項８】 さらに無水物成分を含む請求項１に記載の組成物。8. The composition of claim 1, further comprising an anhydride component. 【請求項９】 インクジェットプリントヘッドの組立てに使用するための組
成物であって、 （ａ）組成物の総重量に対して約２０から６５重量パーセントの範囲の量のエ
ポキシ樹脂成分と、 （ｂ）組成物の総重量に対して約０．５重量パーセントまでの量であって、エ
ポキシシラン類およびアミノシラン類からなる群から選ばれるレオロジー調整剤
と、 （ｃ）組成物の総重量に対して１から約２５重量パーセントの範囲の量の硬化
剤成分と、 （ｄ）組成物の総重量に対して約６０重量パーセントまでの量の無機充填剤成
分とを含む請求項１に記載の組成物。9. A composition for use in assembling an inkjet printhead, comprising: (a) an epoxy resin component in an amount ranging from about 20 to 65 weight percent, based on the total weight of the composition; ) A rheology modifier selected from the group consisting of epoxysilanes and aminosilanes in an amount up to about 0.5 weight percent, based on the total weight of the composition; and (c) based on the total weight of the composition. The composition of claim 1 comprising a curing agent component in an amount ranging from 1 to about 25 weight percent, and (d) an inorganic filler component in an amount up to about 60 weight percent, based on the total weight of the composition. . 【請求項１０】 キャリア基板上に取り付けた半導体チップを含む半導体デ
バイスと前記半導体デバイスが電気的に接続している回路基板との間または半導
体チップと前記半導体チップが電気的に接続している回路基板との間のアンダー
フィリングを封止することができる組成物であって、 （ａ）組成物の総重量に対して約２０から６５重量パーセントの範囲の量のエ
ポキシ樹脂成分と、 （ｂ）組成物の総重量に対して約０．５重量パーセントまでの量であって、エ
ポキシシラン類およびアミノシラン類からなる群から選ばれるレオロジー調整剤
と、 （ｃ）組成物の総重量に対して１から約２５重量パーセントの範囲の量の硬化
剤成分と、 （ｄ）組成物の総重量に対して約６０重量パーセントまでの量の無機充填剤成
分とを含む請求項１に記載の組成物。10. A circuit in which a semiconductor device including a semiconductor chip mounted on a carrier substrate and a circuit board in which the semiconductor device is electrically connected or a semiconductor chip and the semiconductor chip are electrically connected. A composition capable of sealing underfilling between a substrate, comprising: (a) an epoxy resin component in an amount ranging from about 20 to 65 weight percent, based on the total weight of the composition; Up to about 0.5 weight percent of the total weight of the composition, the rheology modifier being selected from the group consisting of epoxysilanes and aminosilanes; and (c) 1 based on the total weight of the composition. To about 25 weight percent, and (d) an inorganic filler component in an amount of up to about 60 weight percent, based on the total weight of the composition. The composition of the mounting. 【請求項１１】 内層を有するノズル板と、ノズル板のノズルに連絡してい
るインク通路とを備え、該通路はプリントヘッドからインクの噴射を可能にする
ようなインクジェットプリントヘッドのノズル板に接着される組成物である請求
項１に記載の組成物。11. A nozzle plate having an inner layer and an ink passage communicating with a nozzle of the nozzle plate, the passage adhering to a nozzle plate of an ink jet print head that enables ejection of ink from the print head. The composition according to claim 1, which is a composition to be treated. 【請求項１２】 組成物が、基板の少なくとも片側に接着されるものである
請求項１に記載の組成物。12. The composition of claim 1 wherein the composition is adhered to at least one side of the substrate. 【請求項１３】 請求項１から１２のいずれか一項に記載の組成物から形成
される反応生成物。13. A reaction product formed from the composition of any one of claims 1-12. 【請求項１４】 半導体デバイスと回路基板、または半導体チップと回路基
板の間のアンダーフィル封止剤として、それぞれ、請求項１から１３のいずれか
一項に記載の熱硬化性樹脂組成物を使用した半導体デバイスと前記半導体デバイ
スを電気的に接続して組立てた回路基板または半導体チップと前記半導体チップ
を電気的に接続した回路基板を含むマイクロエレクトロニクスデバイス。14. The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 13 is used as an underfill sealant between a semiconductor device and a circuit board or between a semiconductor chip and a circuit board, respectively. A microelectronic device including a circuit board in which the semiconductor device and the semiconductor device are electrically connected and assembled, or a circuit board in which the semiconductor chip and the semiconductor chip are electrically connected. 【請求項１５】 請求項１から１３に記載のいずれかの組成物の反応生成物
によってフレックス回路を取り付けたシリコン基板、および請求項１から１３に
記載のいずれかの組成物の反応生成物によって該シリコン基板−フレックス回路
アセンブリを取り付けたペン本体を備えたインクジェットプリントヘッド。15. A silicon substrate having a flex circuit attached thereto by a reaction product of the composition according to any one of claims 1 to 13, and a reaction product of the composition according to any one of claims 1 to 13. An inkjet printhead comprising a pen body with the silicon substrate-flex circuit assembly attached. 【請求項１６】 請求項１から１３のいずれか一項に記載の組成物を使用す
る方法であって、 基板上に十分な量の硬化性一液型エポキシ樹脂組成物をディスペンスするステ
ップと、 基板上にディスペンスしたエポキシ樹脂組成物の上に、電子部品、フレックス
回路、およびペン本体からなる群から選ばれる一員を配置するステップと、 電子部品、フレックス回路、またはペン本体をそれぞれ基板と合致させてアセ
ンブリを形づくるステップと、 そのアセンブリを硬化性一液型エポキシ樹脂組成物の硬化を実施するために都
合のよい条件にさらすステップとを含む方法。16. A method of using the composition of any one of claims 1 to 13, comprising dispensing a sufficient amount of the curable one-pack type epoxy resin composition onto a substrate. A step of placing a member selected from the group consisting of electronic parts, a flex circuit, and a pen body on the epoxy resin composition dispensed on the board, and matching the electronic part, the flex circuit, or the pen body with the board, respectively. Forming the assembly and exposing the assembly to conditions convenient for effecting the curing of the curable one-part epoxy resin composition. 【請求項１７】 組成物の反応生成物の接着強さを損なうことなくエポキシ
系組成物のレオロジーを調整する方法であって、そのステップが、 エポキシ系組成物に該組成物のレオロジーを所望の量に調節するために十分な
量のレオロジー調整剤を添加するステップを含む方法。17. A method of adjusting the rheology of an epoxy-based composition without compromising the adhesive strength of the reaction product of the composition, the steps comprising: A method comprising adding a rheology modifier in an amount sufficient to adjust the amount.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008088405A (en) * 2006-09-07 2008-04-17 Nitto Shinko Kk Resin composition, heat conductive sheet, highly heat conductive adhesive sheet with metal foil and highly heat conductive adhesive sheet with metal plate
WO2012165423A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 三菱瓦斯化学株式会社 Resin composition, prepreg and laminate
JP2013185106A (en) * 2012-03-08 2013-09-19 Panasonic Corp Liquid epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor apparatus using the same
WO2014084226A1 (en) * 2012-11-28 2014-06-05 三菱瓦斯化学株式会社 Resin composition, prepreg, laminated plate, metal foil-clad laminated plate, and printed circuit board

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6943058B2 (en) 2003-03-18 2005-09-13 Delphi Technologies, Inc. No-flow underfill process and material therefor

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3532653A (en) * 1969-02-27 1970-10-06 United States Steel Corp Epoxy adhesive compositions containing amine hardener and tertiar y amine catalyst
US3849187A (en) * 1970-03-08 1974-11-19 Dexter Corp Encapsulant compositions for semiconductors
US4248920A (en) * 1978-04-26 1981-02-03 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device
US5476884A (en) * 1989-02-20 1995-12-19 Toray Industries, Inc. Semiconductor device-encapsulating epoxy resin composition containing secondary amino functional coupling agents
US5013383A (en) * 1989-07-11 1991-05-07 Hewlett-Packard Company Epoxy adhesive for use with thermal ink-jet printers
US5346743A (en) * 1992-03-13 1994-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin encapsulation type semiconductor device
TW357180B (en) * 1994-07-19 1999-05-01 Sumitomo Chemical Co An epoxy resin composition and semiconductor device sealed with the above epoxy resin composition
JP3576684B2 (en) * 1995-03-03 2004-10-13 キヤノン株式会社 Ink jet head and ink jet device
JP3435250B2 (en) * 1995-03-20 2003-08-11 コニシ株式会社 Adhesive composition
US5908881A (en) * 1996-11-29 1999-06-01 Sumitomo Bakelite Company Limited Heat-conductive paste
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
JP3851441B2 (en) * 1998-04-23 2006-11-29 日東電工株式会社 Epoxy resin composition for optical semiconductor element sealing and optical semiconductor device
JP2002540235A (en) * 1999-03-23 2002-11-26 ロックタイト コーポレーション Reprocessable thermosetting resin composition

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008088405A (en) * 2006-09-07 2008-04-17 Nitto Shinko Kk Resin composition, heat conductive sheet, highly heat conductive adhesive sheet with metal foil and highly heat conductive adhesive sheet with metal plate
WO2012165423A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 三菱瓦斯化学株式会社 Resin composition, prepreg and laminate
JPWO2012165423A1 (en) * 2011-05-31 2015-02-23 三菱瓦斯化学株式会社 Resin composition, prepreg and laminate
US9480164B2 (en) 2011-05-31 2016-10-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, prepreg, and laminate
JP2013185106A (en) * 2012-03-08 2013-09-19 Panasonic Corp Liquid epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor apparatus using the same
WO2014084226A1 (en) * 2012-11-28 2014-06-05 三菱瓦斯化学株式会社 Resin composition, prepreg, laminated plate, metal foil-clad laminated plate, and printed circuit board
JPWO2014084226A1 (en) * 2012-11-28 2017-01-05 三菱瓦斯化学株式会社 Resin composition, prepreg, laminate, metal foil-clad laminate, and printed wiring board
US10178767B2 (en) 2012-11-28 2019-01-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, prepreg, laminate, metallic foil clad laminate, and printed circuit board

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