JP2003527775A - ピクセル単位の電荷積分制御を行うためのイメージセンサ構造 - Google Patents
ピクセル単位の電荷積分制御を行うためのイメージセンサ構造Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/533—Control of the integration time by using differing integration times for different sensor regions
-
- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
-
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- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/583—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with different integration times
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
時間フレームの終わりにキャプチャしたイメージを生成するセンサアレイ。このアレイは、複数回のフレーム内電荷積分(multiple within-frame charge-integrations)によってイメージを検出する複数の単位セル、及び単位セルの各々を個別に制御する制御手段を有する。単位セルは、光電流積分及び非積分モードを有するプログラム可能な複数回電荷積分式単位セル(programmable multiplecharge-integration unit cells)である。制御手段は各単位セルの単一のフレームキャプチャにおいて、他の単位セルの電荷積分と独立して、複数回の電荷積分を制御する手段を含む。
Description
【0001】
(発明の分野)
本発明は一般にイメージセンサアレイ構造に関し、特にその論理制御に関する
。
。
【0002】
(発明の背景)
イメージセンサは一般に検出単位セルのアレイを含み、各単位セルは、光に曝
され、それを表す電気的応答を生成するピクセルを含んでいる。以下に、イメー
ジセンサ技術及びそのための公知のいくつかの方法に関連して用いられる基本的
な用語を定義する。
され、それを表す電気的応答を生成するピクセルを含んでいる。以下に、イメー
ジセンサ技術及びそのための公知のいくつかの方法に関連して用いられる基本的
な用語を定義する。
【0003】
イメージセンサによって検出できる最小信号は、ピクセルに入射されてノイズ
レベルより大きな、認識可能な意味のある信号を生成する最小入射光強度として
定義される。ノイズレベルより小さな光強度の信号はイメージセンサのカットオ
フ領域で作用するものと考えられる。
レベルより大きな、認識可能な意味のある信号を生成する最小入射光強度として
定義される。ノイズレベルより小さな光強度の信号はイメージセンサのカットオ
フ領域で作用するものと考えられる。
【0004】
イメージセンサによって検出できる最大信号は、イメージセンサのピクセルに
入射されて認識可能な非飽和応答を生ずる最大入射光強度として定義される。こ
のレベルより高い光強度の信号は飽和領域にあるものと考えられる。
入射されて認識可能な非飽和応答を生ずる最大入射光強度として定義される。こ
のレベルより高い光強度の信号は飽和領域にあるものと考えられる。
【0005】
カットオフ領域と飽和領域の間の領域はイメージセンサの感度領域として定義
される。イメージセンサの感度領域内の強度の光信号は、入力される光強度に対
応した応答信号を生じさせる。
される。イメージセンサの感度領域内の強度の光信号は、入力される光強度に対
応した応答信号を生じさせる。
【0006】
解像度及び最小感度によってノイズフロア(noise floor)が決定される。ダ
イナミックレンジ(DR)特性は最高強度限界値と最低強度限界値の比に関して
定義される。イメージセンサのダイナミックレンジは3つの等価な方法で表され
る。
イナミックレンジ(DR)特性は最高強度限界値と最低強度限界値の比に関して
定義される。イメージセンサのダイナミックレンジは3つの等価な方法で表され
る。
【0007】
第1の方法では、ダイナミックレンジは次の比で表される:
【0008】
【数1】
【0009】
ここでDR1 Lはイメージセンサのダイナミックレンジ特性であり、nは正の
数(通常は整数に丸められる)である。
数(通常は整数に丸められる)である。
【0010】
従って、ダイナミックレンジ103:1のイメージセンサは最小信号より10
00倍大きい信号まで捕らえることができる。
00倍大きい信号まで捕らえることができる。
【0011】
ダイナミックレンジを表す2つ目の方法は対数的なものであり、次のように表
す。
す。
【0012】
【数2】
【0013】
イメージセンサのダイナミックレンジを表すのによく用いられる第3の方法は
、ダイナミックレンジを2進数形式で表すのに必要とされるビット数によるもの
である。このビット数はダイナミックレンジに次の式により直接的に関連づけら
れる。
、ダイナミックレンジを2進数形式で表すのに必要とされるビット数によるもの
である。このビット数はダイナミックレンジに次の式により直接的に関連づけら
れる。
【0014】
【数3】
【0015】
ここで、Nbはビット数であり、Intgは引数の整数部を引き出す関数である。
【0016】
理想的には、最も望ましいイメージセンサは人の眼の特性を模倣し、人の眼の
網膜に匹敵する特性でシーンをキャプチャするものである。しかしながら、人の
眼の網膜が108:1のダイナミックレンジを有するのに対し、商業的に入手可
能なイメージセンサの“シリコン網膜”は通常103:1のダイナミックレンジ
しかない。このように、人の眼のダイナミックレンジ特性と比べると、シリコン
網膜の特性はかなり劣っている。
網膜に匹敵する特性でシーンをキャプチャするものである。しかしながら、人の
眼の網膜が108:1のダイナミックレンジを有するのに対し、商業的に入手可
能なイメージセンサの“シリコン網膜”は通常103:1のダイナミックレンジ
しかない。このように、人の眼のダイナミックレンジ特性と比べると、シリコン
網膜の特性はかなり劣っている。
【0017】
ダイナミックレンジはイメージセンサ設計研究の中心的な問題である。この研
究の基礎は人の眼の網膜の働きを理解することである。人の眼の網膜のすばらし
い特性は、網膜の各光受容体が入射光に対するその感度を局所的に調節するとい
う事実からもたらされている。人の眼の網膜の個々の光受容体は各々103:1
のダイナミックレンジしかないが、光受容体の局所的にその“静止点(quiescen
t point)”を調節する能力のため、全体的な網膜の特性ははるかによくなる。
動作点をシフトさせることができるということは、光受容体が高強度の光に曝さ
れたときはその感度を低減し、低強度の光に曝されたときはその感度を増加する
ことを意味する。
究の基礎は人の眼の網膜の働きを理解することである。人の眼の網膜のすばらし
い特性は、網膜の各光受容体が入射光に対するその感度を局所的に調節するとい
う事実からもたらされている。人の眼の網膜の個々の光受容体は各々103:1
のダイナミックレンジしかないが、光受容体の局所的にその“静止点(quiescen
t point)”を調節する能力のため、全体的な網膜の特性ははるかによくなる。
動作点をシフトさせることができるということは、光受容体が高強度の光に曝さ
れたときはその感度を低減し、低強度の光に曝されたときはその感度を増加する
ことを意味する。
【0018】
人工網膜のダイナミックレンジ向上のための研究は集中的に行われており、今
日、次のいずれかの形態をとっている:
日、次のいずれかの形態をとっている:
【0019】
・対数センサ:このタイプのセンサは対数的にダイナミックレンジを圧縮する。
対数的圧縮は対数的に振る舞う光検出器、または入力される光電流に対して対数
的に応答する回路によってなされる。
対数的圧縮は対数的に振る舞う光検出器、または入力される光電流に対して対数
的に応答する回路によってなされる。
【0020】
しかしながら、これらの回路は製造工程の影響を受けやすく、製造工程のわず
かな違いが様々なピクセル応答感度を生ずる結果となり得る。隣接するピクセル
でさえその応答感度が大きく異なることもある。このような不均質は固定パター
ンノイズ(Fixed Pattern Noise: FPN)として現れ、また別の点からも低画
質の原因となる。
かな違いが様々なピクセル応答感度を生ずる結果となり得る。隣接するピクセル
でさえその応答感度が大きく異なることもある。このような不均質は固定パター
ンノイズ(Fixed Pattern Noise: FPN)として現れ、また別の点からも低画
質の原因となる。
【0021】
・複数回露出センサ:異なる露出(電荷積分時間)による複数のイメージを得、
それらを組み合わせて一つのイメージを形成する。通常、複数の異なる露出のイ
メージの組み合わせは、イメージセンサのビデオ出力において行われる。
それらを組み合わせて一つのイメージを形成する。通常、複数の異なる露出のイ
メージの組み合わせは、イメージセンサのビデオ出力において行われる。
【0022】
イメージ獲得時間及び多大な計算が必要/多くの時間を消費するイメージ組み
合わせに伴う制約のため、この方法は通常2つのイメージの獲得及び処理に限定
される。この方法の欠点は、獲得された2つのイメージの露出時間が大きく異な
る場合、得られるものがイメージカラーアーティファクト(image-color artifa
cts)及びエッジアーティファクト(edge artifacts)となり得るということで
ある。
合わせに伴う制約のため、この方法は通常2つのイメージの獲得及び処理に限定
される。この方法の欠点は、獲得された2つのイメージの露出時間が大きく異な
る場合、得られるものがイメージカラーアーティファクト(image-color artifa
cts)及びエッジアーティファクト(edge artifacts)となり得るということで
ある。
【0023】
・独立/パーピクセル露出時間制御センサ(Autonomous/Per-Pixel Controlled- Exposure Time Sensor)
:この方法のため、各ピクセルの露出時間は独立して制
御され入射光強度に対して局所的に調節される。この方法を効率的に実施すれば
最もよい結果が得られる。この方向の2つの注目すべき試みが報告されている。
御され入射光強度に対して局所的に調節される。この方法を効率的に実施すれば
最もよい結果が得られる。この方向の2つの注目すべき試みが報告されている。
【0024】
報告されている一つの方法は、スタティック・セット−リセットフリップフロ
ップを組み込んだ単位セルに基づいている。各ピクセルをプログラム可能ポイン
ト(時間)でリセットすることで電荷蓄積が開始され(trigger)、それにより
電荷積分時間が制御される。不都合なことに、その結果は、単位セルの面積が大
きくなる、充填ファクタ(fill factor)が小さくなる、またはその両方が生じ
ることとなる。従って、この単位セルは微小ピクセル/高解像度のイメージセン
サには適さない。
ップを組み込んだ単位セルに基づいている。各ピクセルをプログラム可能ポイン
ト(時間)でリセットすることで電荷蓄積が開始され(trigger)、それにより
電荷積分時間が制御される。不都合なことに、その結果は、単位セルの面積が大
きくなる、充填ファクタ(fill factor)が小さくなる、またはその両方が生じ
ることとなる。従って、この単位セルは微小ピクセル/高解像度のイメージセン
サには適さない。
【0025】
更に、イメージセンサのダイナミックレンジは列スキャンレート(column sca
n rate)に大きく依存する。列スキャンレートは各列のプログラミングレートに
よって制限される。例えば、列スキャンレートがピクセルクロックレートで行わ
れる場合(それ自体問題がありノイズの原因となるが)、各列プログラムは1ピ
クセル時間でロードされなければならない。これは、行制御レジスタをロードす
る非常に幅広で高速なバスによってしか行うことができない。
n rate)に大きく依存する。列スキャンレートは各列のプログラミングレートに
よって制限される。例えば、列スキャンレートがピクセルクロックレートで行わ
れる場合(それ自体問題がありノイズの原因となるが)、各列プログラムは1ピ
クセル時間でロードされなければならない。これは、行制御レジスタをロードす
る非常に幅広で高速なバスによってしか行うことができない。
【0026】
S. G. ChenとJ. P. Leeは彼らの論文“Adaptive Sensitivity CCD Image Sens
or: Charge-Coupled Devices and Solid-State Optical Sensors V”(Proc. SPI
E, Vol. 2415, pp. 303-309, 315)においてフリップフロップを用いることを検
討している。しかしながら、彼らはその論文の中でその実施の詳細については説
明していない。この論文では実施は64:8:1の比の3つの異なる露出時間に
限定されている。多くのシーンにおいて、これらのステップは一般に量子化アー
ティファクト(quantization artifacts)を除去するには粗すぎる。
or: Charge-Coupled Devices and Solid-State Optical Sensors V”(Proc. SPI
E, Vol. 2415, pp. 303-309, 315)においてフリップフロップを用いることを検
討している。しかしながら、彼らはその論文の中でその実施の詳細については説
明していない。この論文では実施は64:8:1の比の3つの異なる露出時間に
限定されている。多くのシーンにおいて、これらのステップは一般に量子化アー
ティファクト(quantization artifacts)を除去するには粗すぎる。
【0027】
報告されている第2の方法は、独立ピクセルリセット(Independent Pixel Re
set: IPR)法である。この方法は、各単位セル内の積分コンデンサの電荷を
独立してリセットすることを必要とする。各単位セルは行リセット制御及び列リ
セット制御回路を通じて個々にリセットされる。この方法は面積効率の良いソリ
ューションとなる。
set: IPR)法である。この方法は、各単位セル内の積分コンデンサの電荷を
独立してリセットすることを必要とする。各単位セルは行リセット制御及び列リ
セット制御回路を通じて個々にリセットされる。この方法は面積効率の良いソリ
ューションとなる。
【0028】
しかしながら、この方法はその範囲が限られる。それは同じ露出時間の単位セ
ルが同時にリセットされないことに起因する。即ち、イメージセンサアレイの左
上角の単位セルは右下角の単位セルよりずっと早くリセットされる。例えば、も
しアレイが768×483行からなり、リセットが67nsecのピクセルクロックで行わ
れるとすると、左上角のリセットと右下角のリセットの時間差は24.86msecとな
り、商業用のビデオ用途では許容できない。従って、この方法は実時間の1秒当
たり30フレームのビデオレート用の大きなアレイには適さない。
ルが同時にリセットされないことに起因する。即ち、イメージセンサアレイの左
上角の単位セルは右下角の単位セルよりずっと早くリセットされる。例えば、も
しアレイが768×483行からなり、リセットが67nsecのピクセルクロックで行わ
れるとすると、左上角のリセットと右下角のリセットの時間差は24.86msecとな
り、商業用のビデオ用途では許容できない。従って、この方法は実時間の1秒当
たり30フレームのビデオレート用の大きなアレイには適さない。
【0029】
更に、センサの露出時間は例えば最大積分時間の1、1/2、1/4、1/8
及び1/16のように数個の値に制限されており、これは実時間の高品質イメー
ジングにおいては満足できるものではない。従って、IPR技法は現在のところ
ほとんどの商業的用途に適さないものである。
及び1/16のように数個の値に制限されており、これは実時間の高品質イメー
ジングにおいては満足できるものではない。従って、IPR技法は現在のところ
ほとんどの商業的用途に適さないものである。
【0030】
(要約)
本発明の目的は、向上された特性及びダイナミックレンジのシーンキャプチャ
(scene capture)が容易に可能な、新規な、改善されたCMOSイメージセン
サ構造を提供することである。
(scene capture)が容易に可能な、新規な、改善されたCMOSイメージセン
サ構造を提供することである。
【0031】
本発明の好適実施例に基づくと、時間フレームの終わりにキャプチャしたイメ
ージを生成するセンサアレイが提供される。このアレイは、複数回のフレーム内
電荷積分(multiple within-frame charge-integrations)によってイメージを
検出する複数の単位セル、及び単位セルの各々を個別に制御する制御手段を有す
る。単位セルは、光電流積分及び非積分モードを有するプログラム可能な複数回
電荷積分式単位セル(programmable multiple charge-integration unit cells
)である。
ージを生成するセンサアレイが提供される。このアレイは、複数回のフレーム内
電荷積分(multiple within-frame charge-integrations)によってイメージを
検出する複数の単位セル、及び単位セルの各々を個別に制御する制御手段を有す
る。単位セルは、光電流積分及び非積分モードを有するプログラム可能な複数回
電荷積分式単位セル(programmable multiple charge-integration unit cells
)である。
【0032】
各単位セルは光検出器、光検出器からの電荷移送を蓄積する電荷蓄積素子、及
び単位セルの電荷積分状態を記憶するプログラム可能なメモリユニットを含む。
び単位セルの電荷積分状態を記憶するプログラム可能なメモリユニットを含む。
【0033】
制御手段は各単位セルの単一のフレームキャプチャにおいて、他の単位セルの
電荷積分と独立して、複数回の電荷積分を制御する手段を含む。
電荷積分と独立して、複数回の電荷積分を制御する手段を含む。
【0034】
制御手段は単一のフレームキャプチャ内でN個の電荷積分サブピリオドを提供
する手段を含み、ここで、Nは1に等しいかまたは1より大きい。
する手段を含み、ここで、Nは1に等しいかまたは1より大きい。
【0035】
各単一のフレームキャプチャ内において、制御手段は所定のセルグループ内の
各単位セルの電荷を概ね同時に個別に積分する。一般に、制御手段は行選択ライ
ンと列選択ラインを含む。行選択ラインは複数の第1信号を単位セルへと伝達し
、列選択ラインは複数の第2信号(例えばプログラム及びセンス信号)を単位セ
ルに伝達する。
各単位セルの電荷を概ね同時に個別に積分する。一般に、制御手段は行選択ライ
ンと列選択ラインを含む。行選択ラインは複数の第1信号を単位セルへと伝達し
、列選択ラインは複数の第2信号(例えばプログラム及びセンス信号)を単位セ
ルに伝達する。
【0036】
さらに、制御手段は単位セルのプログラムも行う。1グループのセル(例えば
1ラインの単位セル)は概ね同時にプログラムされ、好適には順次的に行われる
。プログラムするための手段が、複数の単位セルを含む1または複数のラインを
順次プログラムするための手段を含むこともできる。
1ラインの単位セル)は概ね同時にプログラムされ、好適には順次的に行われる
。プログラムするための手段が、複数の単位セルを含む1または複数のラインを
順次プログラムするための手段を含むこともできる。
【0037】
制御手段は電荷積分サブピリオドを定める手段を含み、ここで、別の態様とし
て、電荷積分サブピリオドは様々な時間長さをとる。制御手段はまた、クロック
時間単位で細かな時間分解(time resolution)を与える手段と、電荷積分ステ
ップの広いダイナミックレンジを与える手段とを含む。通常、広いダイナミック
レンジは2N−1積分時間単位ステップの範囲内にある。
て、電荷積分サブピリオドは様々な時間長さをとる。制御手段はまた、クロック
時間単位で細かな時間分解(time resolution)を与える手段と、電荷積分ステ
ップの広いダイナミックレンジを与える手段とを含む。通常、広いダイナミック
レンジは2N−1積分時間単位ステップの範囲内にある。
【0038】
更に、本発明の好適実施例によると、複数の単位セルでイメージを検出するた
めの方法が提供される。この方法は、単位セルの各々に個別にアクセスする過程
と、各単位セルの電荷積分を複数の他の単位セルの電荷積分とは独立して制御す
る過程とを有する。
めの方法が提供される。この方法は、単位セルの各々に個別にアクセスする過程
と、各単位セルの電荷積分を複数の他の単位セルの電荷積分とは独立して制御す
る過程とを有する。
【0039】
この方法は更に、各単位セルに対する電荷積分時間を決定する過程と、各単位
セルを決定された電荷積分時間に基づいてプログラムする過程とを有する。
セルを決定された電荷積分時間に基づいてプログラムする過程とを有する。
【0040】
更に、本発明の好適実施例によると、複数の単位セルからなるイメージセンサ
アレイのイントラシーン(intra-scene)ダイナミックレンジを向上するための
方法が提供される。この方法は各単位セルに個々にアクセスする過程と各単位セ
ルを個々に制御する過程を含む。
アレイのイントラシーン(intra-scene)ダイナミックレンジを向上するための
方法が提供される。この方法は各単位セルに個々にアクセスする過程と各単位セ
ルを個々に制御する過程を含む。
【0041】
この方法はまた、単位セルの各々の電荷積分時間を個別に制御する過程を含み
、この過程は各セルを個別にプログラムすることを含む。個別にプログラムする
過程は、予め定められた電荷積分時間に基づいて各単位セルをプログラムする過
程と、各単位セルを複数の電荷積分サブピリオドでプログラムする過程を含む。
、この過程は各セルを個別にプログラムすることを含む。個別にプログラムする
過程は、予め定められた電荷積分時間に基づいて各単位セルをプログラムする過
程と、各単位セルを複数の電荷積分サブピリオドでプログラムする過程を含む。
【0042】
更に、本発明の好適実施例によると、イメージをキャプチャするための複数の
単位セルを含むプログラム可能なイメージセンサが提供される。このセンサはデ
ータを担う第1の複数(P個)の入力ラインと、セルに接続された第2の複数(
H個)の列と(ここでPはHに等しいかまたはHより小さい)、動画ビデオの単
一のフレーム内で、アレイをN回プログラムするべく、データを受け取り、受け
取ったデータを選択的に列へと分配するコントローラとを含む。
単位セルを含むプログラム可能なイメージセンサが提供される。このセンサはデ
ータを担う第1の複数(P個)の入力ラインと、セルに接続された第2の複数(
H個)の列と(ここでPはHに等しいかまたはHより小さい)、動画ビデオの単
一のフレーム内で、アレイをN回プログラムするべく、データを受け取り、受け
取ったデータを選択的に列へと分配するコントローラとを含む。
【0043】
一般に、データはプログラミングデータであり、複数の単位セルの各々に対す
る電荷積分/非積分状態データを含む。好適には、複数のプログラム可能な単位
セルの各々は個々に制御される。
る電荷積分/非積分状態データを含む。好適には、複数のプログラム可能な単位
セルの各々は個々に制御される。
【0044】
(発明の詳細な説明)
以下、各ピクセルの電荷積分時間の独立した制御を容易にする新規なCMOS
イメージセンサ構造及び方法を詳細に説明する。好適実施例では、独立したパー
ピクセル露出制御がピクセルの電荷積分時間を直接且つ独立して制御することに
より達成される。
イメージセンサ構造及び方法を詳細に説明する。好適実施例では、独立したパー
ピクセル露出制御がピクセルの電荷積分時間を直接且つ独立して制御することに
より達成される。
【0045】
本発明は、インタレース及びノンインタレースの両方に使用される、2つの新
規なイメージセンサ構造について述べる。好適には、イメージセンサ構造は複数
電荷積分サブピリオドが可能な複数のイメージセンサ単位セルを含み、ピクセル
毎に個別の電荷積分時間が可能であることが好ましい。
規なイメージセンサ構造について述べる。好適には、イメージセンサ構造は複数
電荷積分サブピリオドが可能な複数のイメージセンサ単位セルを含み、ピクセル
毎に個別の電荷積分時間が可能であることが好ましい。
【0046】
本発明の実施により、電荷積分時間を、多くの、様々な時間の、小さなステッ
プでプログラムすることが容易になる。その結果、数百または数千の露出時間値
が得られる。このことは、ダイナミックレンジの圧縮を効果的に行い、量子化ノ
イズ及びイメージアーティファクトを除去する上で重要である。動画ビデオに対
し、210:1単位ステップの範囲の露出時間が可能である。このことは、概ね
人の眼の網膜の特性に匹敵する広いダイナミックレンジのシーンキャプチャを達
成するのに役立つ。
プでプログラムすることが容易になる。その結果、数百または数千の露出時間値
が得られる。このことは、ダイナミックレンジの圧縮を効果的に行い、量子化ノ
イズ及びイメージアーティファクトを除去する上で重要である。動画ビデオに対
し、210:1単位ステップの範囲の露出時間が可能である。このことは、概ね
人の眼の網膜の特性に匹敵する広いダイナミックレンジのシーンキャプチャを達
成するのに役立つ。
【0047】
更に、行プログラムローダの新規な使用により、本発明は全てのピクセルに対
し同時に異なる電荷積分時間を与える。本発明はビデオレートで全ての行プログ
ラムを、一度に1行ずつ、ロードすることについて述べる。更に、この動作はイ
メージセンサアレイの外でなされる。
し同時に異なる電荷積分時間を与える。本発明はビデオレートで全ての行プログ
ラムを、一度に1行ずつ、ロードすることについて述べる。更に、この動作はイ
メージセンサアレイの外でなされる。
【0048】
図1を参照されたい。図1は新規な改善されたノンインタレース型CMOSイ
メージセンサアレイ構造であるアレイ10を示している。アレイ10は複数の単
位セル12を含み、独立した、ピクセル毎の、電荷積分制御を実現する。
メージセンサアレイ構造であるアレイ10を示している。アレイ10は複数の単
位セル12を含み、独立した、ピクセル毎の、電荷積分制御を実現する。
【0049】
図2も併せて参照されたい。図2はアレイ10の基本構成ブロックである単位
セル12を示している。単位セル12は光をキャプチャし、対応する電気信号を
生成する。好適には、単位セル12は、2000年3月2日に出願された特許出
願PCT/1L00/00129(CMOS Unit Cell with Autonomous/Per-Pixel Charge Integr
ation Time Control Circuit)に開示された単位セルと同様に、複数の積分サブ
ピリオドが可能である。特許出願PCT/1L00/00129は本出願と同じ出願人によるも
のであり、本願に引証として加えられる。
セル12を示している。単位セル12は光をキャプチャし、対応する電気信号を
生成する。好適には、単位セル12は、2000年3月2日に出願された特許出
願PCT/1L00/00129(CMOS Unit Cell with Autonomous/Per-Pixel Charge Integr
ation Time Control Circuit)に開示された単位セルと同様に、複数の積分サブ
ピリオドが可能である。特許出願PCT/1L00/00129は本出願と同じ出願人によるも
のであり、本願に引証として加えられる。
【0050】
本明細書では、明瞭化を目的として、“単位セル”についての言及は“ピクセ
ル”についての言及と同じであり、“積分”は電荷積分と同義であるとする。
ル”についての言及と同じであり、“積分”は電荷積分と同義であるとする。
【0051】
アレイ10内の全ての単位セル12は、後に詳述するようにして、プログラム
サイクルを経るが、そこで予め定められた積分時間に対してプログラムされる。
そのような各プログラムサイクルの後、予め定められた積分時間が続く。そのよ
うな予め定められた積分サイクルの各々は一連の積分サブピリオド及び/または
一連の非積分サブピリオドを含み得る。積分時間が終了すると、単位セル12の
読み出しがなされる。このようなリセット、プログラミングサイクル、積分サイ
クル及び読み出しの動作は繰り返される。積分時間はリセットから読み出しまで
の時間として定義される。
サイクルを経るが、そこで予め定められた積分時間に対してプログラムされる。
そのような各プログラムサイクルの後、予め定められた積分時間が続く。そのよ
うな予め定められた積分サイクルの各々は一連の積分サブピリオド及び/または
一連の非積分サブピリオドを含み得る。積分時間が終了すると、単位セル12の
読み出しがなされる。このようなリセット、プログラミングサイクル、積分サイ
クル及び読み出しの動作は繰り返される。積分時間はリセットから読み出しまで
の時間として定義される。
【0052】
積分サブピリオドの間、プリプログラムされた単位セル12は単位セル12内
にある積分コンデンサへと電荷を注入する。非積分サブピリオドの間、積分コン
デンサは集めた電荷を格納するが、プリプログラムされた単位セル12はコンデ
ンサに追加的な電荷の注入をしない。PCT/1L00/00129に説明されているように、
積分及び非積分サブピリオドは複数個あり、予め定められたプログラムされたサ
イクルに応じて、積分と非積分の間で交互になってもよい。
にある積分コンデンサへと電荷を注入する。非積分サブピリオドの間、積分コン
デンサは集めた電荷を格納するが、プリプログラムされた単位セル12はコンデ
ンサに追加的な電荷の注入をしない。PCT/1L00/00129に説明されているように、
積分及び非積分サブピリオドは複数個あり、予め定められたプログラムされたサ
イクルに応じて、積分と非積分の間で交互になってもよい。
【0053】
積分時間の間、電荷積分用に最初にイネーブルされている全ての単位セル12
は光強度に“露出”される。全ての単位セル12に対して積分時間は同じである
が、この期間に集められる電荷は単位セル12毎に異なることに注意されたい。
単位セル12毎に蓄積された電荷は実効電荷積分時間(即ち、各ピクセルに対す
る様々な積分サブピリオドの合計)及び入射光の局所的な強度に比例する。
は光強度に“露出”される。全ての単位セル12に対して積分時間は同じである
が、この期間に集められる電荷は単位セル12毎に異なることに注意されたい。
単位セル12毎に蓄積された電荷は実効電荷積分時間(即ち、各ピクセルに対す
る様々な積分サブピリオドの合計)及び入射光の局所的な強度に比例する。
【0054】
単位セル12は、能動的に放電されない限り、その積分コンデンサにそれまで
に蓄積された電荷を維持する。そのようにして、単位セル12はアナログ信号を
保持するアナログメモリ要素として機能する。
に蓄積された電荷を維持する。そのようにして、単位セル12はアナログ信号を
保持するアナログメモリ要素として機能する。
【0055】
従って、各単位セル12のトータルの積分時間及びトータルの蓄積電荷は関連
する一連のプログラムされた積分/非積分状態に依存し、各サブピリオドは異な
る電荷積分作用を受ける。PCT/1L00/00129に基づくと、
する一連のプログラムされた積分/非積分状態に依存し、各サブピリオドは異な
る電荷積分作用を受ける。PCT/1L00/00129に基づくと、
【0056】
【数4】
【0057】
となるような特別な場合に対して、次の関係が得られる(T0は基本時間単位、
Tmはi番目の積分サブピリオドにおいて“ハイ(high)”に留まるInt信号、
qはシーケンス内のプログラム/積分サブピリオドの数、Tはトータルの電荷積
分時間)。
Tmはi番目の積分サブピリオドにおいて“ハイ(high)”に留まるInt信号、
qはシーケンス内のプログラム/積分サブピリオドの数、Tはトータルの電荷積
分時間)。
【0058】
【数5】
【0059】
及び、
【0060】
【数6】
【0061】
従って、積分時間はバイナリー数(uq−1uq−2...u2u1u0)2
によってプログラムすることが可能である。
【0062】
(uq−1uq−2...u2u1u0)2が(00...01)2のときT i
(min)=T0が最も短い積分時間となる。
【0063】
(uq−1uq−2...u2u1u0)2が(11...11)2のときT
は最も長い積分時間、即ち、
は最も長い積分時間、即ち、
【0064】
【数7】
【0065】
となる。
【0066】
ここで、Tmaxは最大積分時間であり、qはプログラム/積分サブピリオド
の数、T0は基本電荷積分時間単位である。
の数、T0は基本電荷積分時間単位である。
【0067】
(uq−1uq−2...u2u1u0)2は最小値と最大値の間の任意の整
数をとることができ、T0単位刻みで変えられる。従って、積分時間はT0、2
T0、3T0、...と始まり、T0刻みでTmaxに至る任意の値をとること
ができる。
数をとることができ、T0単位刻みで変えられる。従って、積分時間はT0、2
T0、3T0、...と始まり、T0刻みでTmaxに至る任意の値をとること
ができる。
【0068】
集められる電荷または対応する電圧はトータルの積分時間及び光電流の大きさ
に比例する。光電流それ自体は入射光の強度に比例する。
に比例する。光電流それ自体は入射光の強度に比例する。
【0069】
このことは以下の2つの式にまとめられる。
【0070】
【数8】
【0071】
【数9】
【0072】
ここで、Iphは光電流、Tはトータルの積分時間、CIは積分コンデンサの
静電容量、Qaは積分コンデンサに蓄積された電荷、VCは積分コンデンサの両
端の電圧である。
静電容量、Qaは積分コンデンサに蓄積された電荷、VCは積分コンデンサの両
端の電圧である。
【0073】
式(4)−(9)の具体化については後に図6及び12を参照して説明する。
【0074】
図1を参照すると、アレイ10はx軸に沿った行及びy軸に沿った列をなすよ
うに配列されたラインからなるアレイを有している。単位セル12はこれらライ
ンのx、yノードに配置されそれに接続されている。これらのラインは各単位セ
ル12の積分時間を制御する電気信号を担う。識別を容易にするため、各単位セ
ル12はそのx、y軸上の位置によって指定される。例えば、(y=0,x=0
)に位置する単位セル12は単位セル12(0,0)として同定され、(y=V
−1,x=H−1)に位置する単位セルは単位セル12(V−1,H−1)とし
て同定される。
うに配列されたラインからなるアレイを有している。単位セル12はこれらライ
ンのx、yノードに配置されそれに接続されている。これらのラインは各単位セ
ル12の積分時間を制御する電気信号を担う。識別を容易にするため、各単位セ
ル12はそのx、y軸上の位置によって指定される。例えば、(y=0,x=0
)に位置する単位セル12は単位セル12(0,0)として同定され、(y=V
−1,x=H−1)に位置する単位セルは単位セル12(V−1,H−1)とし
て同定される。
【0075】
アレイ10は更に、水平軸及び垂直軸上に配置された複数の回路を含んでいる
。一好適実施例では、読み出し回路14及び行プログラムローダ18が水平軸即
ちy軸に沿って配置され、行プログラム/読み出しデコーダ16が垂直軸即ちx
軸に沿って配置される。垂直及び水平といった用語の使用は説明をわかりやすく
することを目的としたものであって、これら回路を別の場所に配置したものも本
発明の権利範囲に含まれる。
。一好適実施例では、読み出し回路14及び行プログラムローダ18が水平軸即
ちy軸に沿って配置され、行プログラム/読み出しデコーダ16が垂直軸即ちx
軸に沿って配置される。垂直及び水平といった用語の使用は説明をわかりやすく
することを目的としたものであって、これら回路を別の場所に配置したものも本
発明の権利範囲に含まれる。
【0076】
好適実施例では、ラインのアレイは、行読み出し(RwRd)ライン、行プログラ
ム(RwPrg)ライン、列検出(ColSense)ライン、列プログラム(ColPrg)ライ
ン、リセット(Rst)ライン、及び積分(Int)ラインとして概ね示されるライン
を含む。各ラインは関連する信号を担う。即ち、RwRdラインはRwRd信号を担い、
他も同様である。
ム(RwPrg)ライン、列検出(ColSense)ライン、列プログラム(ColPrg)ライ
ン、リセット(Rst)ライン、及び積分(Int)ラインとして概ね示されるライン
を含む。各ラインは関連する信号を担う。即ち、RwRdラインはRwRd信号を担い、
他も同様である。
【0077】
各ラインの位置の指定はそのxまたはy軸上の位置によって表され、一般にそ
れにより指定される。即ち、x=0に位置するColPrgラインはColPrg_0ラインと
して示され、y=iに位置するRwPrgラインはRwPrg_iとして示される。
れにより指定される。即ち、x=0に位置するColPrgラインはColPrg_0ラインと
して示され、y=iに位置するRwPrgラインはRwPrg_iとして示される。
【0078】
Intライン:Int(即ち、積分(Integration))ラインは、複数のラインに別
れる一本のラインであり、全ての単位セル12に接続される。IntラインはInt信
号を伝達する。全ての単位セル12における積分はInt信号の制御を受ける。好
適には、Int信号がハイのとき、電荷積分が行われる。積分サブピリオドの間(I
nt信号がハイのとき)、積分するようにプログラムされている関連する単位セル
12は、電荷積分を行う。
れる一本のラインであり、全ての単位セル12に接続される。IntラインはInt信
号を伝達する。全ての単位セル12における積分はInt信号の制御を受ける。好
適には、Int信号がハイのとき、電荷積分が行われる。積分サブピリオドの間(I
nt信号がハイのとき)、積分するようにプログラムされている関連する単位セル
12は、電荷積分を行う。
【0079】
特定の単位セル12が特定のサブピリオドの間積分を行うようにプログラムさ
れていたとしても、積分はInt信号がハイの場合にしか行われない。逆に、Int信
号がハイであっても、特定の単位セル12が積分しないようにプログラムされて
いれば、積分は行われない。
れていたとしても、積分はInt信号がハイの場合にしか行われない。逆に、Int信
号がハイであっても、特定の単位セル12が積分しないようにプログラムされて
いれば、積分は行われない。
【0080】
Rstライン:Rst(即ち、リセット)ラインは、複数のラインに別れる一本のラ
インであり、全ての単位セル12に接続される。Rstラインは、アレイ10内の
単位セル12全てを同時にリセットするRst信号を担う。Rst信号は単位セル12
内にあるトランジスタをターンオンし、前回の読み出しの後に残っている電荷を
引き抜き、次の積分時間に備えて積分コンデンサの状態を整える。
インであり、全ての単位セル12に接続される。Rstラインは、アレイ10内の
単位セル12全てを同時にリセットするRst信号を担う。Rst信号は単位セル12
内にあるトランジスタをターンオンし、前回の読み出しの後に残っている電荷を
引き抜き、次の積分時間に備えて積分コンデンサの状態を整える。
【0081】
別の態様として、リセットは明示的になされる必要は必ずしもなく、読み出し
フェーズの中で暗黙的に行われてもよい。その場合、Rstライン及び関連するト
ランジスタは除去される。
フェーズの中で暗黙的に行われてもよい。その場合、Rstライン及び関連するト
ランジスタは除去される。
【0082】
RwRdライン:好適実施例において、RwRd(即ち、行読み出し(row-read))ラ
インは行プログラム/読み出しデコーダ16に接続され、RwRdラインの位置指定
はRwRd_0からRwRd_V-1の範囲に渡る。各RwRdラインはそれぞれの行上の関連する
単位セル12に接続される。RwRdラインは、関連する単位セルの読み出しを制御
する行読み出し(RwRd)信号を担う。RwRd_i信号がハイで他の全てのRwRd信号が
ロー(low)のとき、単位セル12(i,j)の内容が読み出される。通常、単位セ
ル12は電荷積分サイクルの終了後に読み出される。
インは行プログラム/読み出しデコーダ16に接続され、RwRdラインの位置指定
はRwRd_0からRwRd_V-1の範囲に渡る。各RwRdラインはそれぞれの行上の関連する
単位セル12に接続される。RwRdラインは、関連する単位セルの読み出しを制御
する行読み出し(RwRd)信号を担う。RwRd_i信号がハイで他の全てのRwRd信号が
ロー(low)のとき、単位セル12(i,j)の内容が読み出される。通常、単位セ
ル12は電荷積分サイクルの終了後に読み出される。
【0083】
RwPrgライン:好適実施例において、RwPrg(即ち、行プログラム(row-progra
m))ラインは行プログラム/読み出しデコーダ16に接続され、RwRdラインの
位置指定はRwPrg_0からRwPrg_V-1の範囲に渡る。各RwPrgラインはそれぞれの行
上の関連する単位セル12に接続される。RwPrgラインは、関連する単位セルの
プログラミングを制御する行プログラム(RwPrg)信号を担う。単位セル12の
プログラミングは、各単位セル12に対する電荷積分シーケンスを決定する。好
適には、プログラミングは行毎に行われる。即ち、RwPrg_i信号がハイで他の全
てのRwRd信号がロー(low)のとき、行i内の単位セル12のプログラムがなさ
れる。
m))ラインは行プログラム/読み出しデコーダ16に接続され、RwRdラインの
位置指定はRwPrg_0からRwPrg_V-1の範囲に渡る。各RwPrgラインはそれぞれの行
上の関連する単位セル12に接続される。RwPrgラインは、関連する単位セルの
プログラミングを制御する行プログラム(RwPrg)信号を担う。単位セル12の
プログラミングは、各単位セル12に対する電荷積分シーケンスを決定する。好
適には、プログラミングは行毎に行われる。即ち、RwPrg_i信号がハイで他の全
てのRwRd信号がロー(low)のとき、行i内の単位セル12のプログラムがなさ
れる。
【0084】
好適実施例においては、単位セル12のプログラミングは読み出しの開始の前
、またはオフラインでなされる。従って、時間を消費するプログラミングはアレ
イ10の積分または読み出しタイミングに影響を与えない。
、またはオフラインでなされる。従って、時間を消費するプログラミングはアレ
イ10の積分または読み出しタイミングに影響を与えない。
【0085】
RwRd信号及びRwPrg信号は互いに連携して機能する。RwRd信号がハイのとき、R
wPrg信号はローであり、また逆も成り立つ。
wPrg信号はローであり、また逆も成り立つ。
【0086】
RdEn及びPrgEn信号:RwRd信号は、関連する単位セル12の蓄積された電荷の
読み出し(電流/電圧)の読み出しを許可するRdEn(即ち、読み出しイネーブル
(read-enable))信号を活動化(activate)する。同様に、RwPrg信号は、関連
する単位セル12のプログラミングを許可するPrgEn(即ち、プログラムイネー
ブル(program-enable))信号を活動化する。
読み出し(電流/電圧)の読み出しを許可するRdEn(即ち、読み出しイネーブル
(read-enable))信号を活動化(activate)する。同様に、RwPrg信号は、関連
する単位セル12のプログラミングを許可するPrgEn(即ち、プログラムイネー
ブル(program-enable))信号を活動化する。
【0087】
ColSense及びColPrgライン:好適実施例では、ColSense(即ち、行検出(colu
mn-sense))及びColPrg(即ち、行プログラム(column-program))ラインが行
プログラムローダ18と読み出し回路14との間において延びている。一好適実
施例では、ColSense及びColPrgラインは交互にアクティブになる。即ち、ColSen
seラインがアクティブのときはColPrgは非アクティブとなり、逆も成り立つ。こ
のようにして、同じ物理的ラインを両方の機能に用いることができる。別の態様
として、ColSenseラインとColPrgラインを物理的に別々のラインとすることもで
きる。
mn-sense))及びColPrg(即ち、行プログラム(column-program))ラインが行
プログラムローダ18と読み出し回路14との間において延びている。一好適実
施例では、ColSense及びColPrgラインは交互にアクティブになる。即ち、ColSen
seラインがアクティブのときはColPrgは非アクティブとなり、逆も成り立つ。こ
のようにして、同じ物理的ラインを両方の機能に用いることができる。別の態様
として、ColSenseラインとColPrgラインを物理的に別々のラインとすることもで
きる。
【0088】
ColSense/ColPrgラインの位置指定は、ColSense_0/ColPrg_0からColSense_H-1
/ColPrg_H-1の範囲に渡る。各ColSense/ColPrgラインはそれぞれ列上の関連する
単位セル12全てに接続される。
/ColPrg_H-1の範囲に渡る。各ColSense/ColPrgラインはそれぞれ列上の関連する
単位セル12全てに接続される。
【0089】
好適実施例において、ColSense/ColPrgラインはプログラミングと読み出しに
共通しており、ColSense/ColPrg信号を担う。ColSense/ColPrg信号は、多重化さ
れた入力/出力信号であり、電荷積分時間の間は入力信号として、読み出しサイ
クルの間は出力信号として、交互に働く。
共通しており、ColSense/ColPrg信号を担う。ColSense/ColPrg信号は、多重化さ
れた入力/出力信号であり、電荷積分時間の間は入力信号として、読み出しサイ
クルの間は出力信号として、交互に働く。
【0090】
プログラミングシーケンスの間、ColSense/ColPrg信号はColPrg_0/ColPrg_V-1
ラインとして働き、行プログラムローダ18によって能動的に駆動されるColPrg
信号を提供する。ColPrg信号の値は、次の積分サブピリオドにおいて光電流によ
る電荷を単位セル12が積分するかしないかを決定する。
ラインとして働き、行プログラムローダ18によって能動的に駆動されるColPrg
信号を提供する。ColPrg信号の値は、次の積分サブピリオドにおいて光電流によ
る電荷を単位セル12が積分するかしないかを決定する。
【0091】
ColPrg信号がローのとき、単位セル12は電荷積分を許可しないようにプリプ
ログラムされる。逆に、ColPrg信号がハイのとき、単位セル12は電荷積分を許
可するようにプリプログラムされる。別の態様として、単位セル12は、ColPrg
信号の逆の極性に対して応答するようにプログラムされてもよい。
ログラムされる。逆に、ColPrg信号がハイのとき、単位セル12は電荷積分を許
可するようにプリプログラムされる。別の態様として、単位セル12は、ColPrg
信号の逆の極性に対して応答するようにプログラムされてもよい。
【0092】
読み出しサイクルの間、ColSense/ColPrgラインはColSense_0/ColSense_H-1と
して働き、ColSense信号を提供する。行プログラムローダ18の出力は3状態(
tristated)であり、関連する単位セル12からの読み出しがイネーブルされ、
読み出し信号が読み出し回路に送られる。
して働き、ColSense信号を提供する。行プログラムローダ18の出力は3状態(
tristated)であり、関連する単位セル12からの読み出しがイネーブルされ、
読み出し信号が読み出し回路に送られる。
【0093】
行プログラム/読み出しデコーダ16:デコーダ16は1または複数のRwRdラ
インを選択し、RwRd信号を活動化する。それによって関連する単位セル12にお
ける蓄積された電荷の読み出しがイネーブルされる。好適実施例では、選択され
た単位セル12の読み出しフェーズは、RwRd信号がハイで、且つ、同時にRwPrg
信号がローで行プログラミングが行われていないときになされる。
インを選択し、RwRd信号を活動化する。それによって関連する単位セル12にお
ける蓄積された電荷の読み出しがイネーブルされる。好適実施例では、選択され
た単位セル12の読み出しフェーズは、RwRd信号がハイで、且つ、同時にRwPrg
信号がローで行プログラミングが行われていないときになされる。
【0094】
読み出し用に選択されるべき適切なRwRdライン(例えばRwRd_z)を指定するた
め、行プログラム/読み出しデコーダ16は所定の組み合わせのラインアドレス
(RwAdr)入力信号を活動化する。そのようなRwAdr信号の組み合わせは数“z”
を表すバイナリーの組み合わせを生成する。
め、行プログラム/読み出しデコーダ16は所定の組み合わせのラインアドレス
(RwAdr)入力信号を活動化する。そのようなRwAdr信号の組み合わせは数“z”
を表すバイナリーの組み合わせを生成する。
【0095】
逆に、アレイ10のプログラミングフェーズでは、RwRdラインは非アクティブ
となり、RwPrgラインがアクティブとなってアレイ10内の単位セル12のプロ
グラミングを行単位に行うことが可能となる。RwRdの動作と同様に、所定の組み
合わせのRwAdr入力信号を活動化し、プログラミングの対象となる適切な行を指
定する。
となり、RwPrgラインがアクティブとなってアレイ10内の単位セル12のプロ
グラミングを行単位に行うことが可能となる。RwRdの動作と同様に、所定の組み
合わせのRwAdr入力信号を活動化し、プログラミングの対象となる適切な行を指
定する。
【0096】
適切なRwAdr信号の選択は次のようにして計算される。“a”をRwAdr信号の数
とすると、
とすると、
【0097】
【数10】
【0098】
【数11】
【0099】
(a)z≧V―1となるような組み合わせの一つを選択すると、全てのRwRdライ
ン及びRwPrgラインを選択しないこととなる。 (b)全てのRwRdラインが選択解除され、RwRd信号がローの場合、行プログラム
/読み出しデコーダ16はRwPrgラインの中の一つを選択する。従って、特定のR
wPrg_zラインに対して(ここでz=(RwAdra-1, RwAdra-2, ..., RwAdr1, RwAdr0 )2 )、RwPrg_zライン上にある全ての単位セル12(z,j)が選択され、それに
接続されたColPrg_0/ColPrg_H-1ラインによって同時にプログラムされる。
ン及びRwPrgラインを選択しないこととなる。 (b)全てのRwRdラインが選択解除され、RwRd信号がローの場合、行プログラム
/読み出しデコーダ16はRwPrgラインの中の一つを選択する。従って、特定のR
wPrg_zラインに対して(ここでz=(RwAdra-1, RwAdra-2, ..., RwAdr1, RwAdr0 )2 )、RwPrg_zライン上にある全ての単位セル12(z,j)が選択され、それに
接続されたColPrg_0/ColPrg_H-1ラインによって同時にプログラムされる。
【0100】
好適実施例では、ダイナミック型の行プログラム/読み出しデコーダ16が推
奨される。それにより、内部デコーダプレチャージに行クロック(RwClk)が用
いられる。プレチャージは各行選択の前に行われる。内部プレチャージは、全て
のラインをローに引き落とすことにより、全てのRwRdライン及びRwPrgライン選
択を解除する。なお、他の選択/選択解除タイミング機構も可能であり、本発明
の範囲に含まれるものである。
奨される。それにより、内部デコーダプレチャージに行クロック(RwClk)が用
いられる。プレチャージは各行選択の前に行われる。内部プレチャージは、全て
のラインをローに引き落とすことにより、全てのRwRdライン及びRwPrgライン選
択を解除する。なお、他の選択/選択解除タイミング機構も可能であり、本発明
の範囲に含まれるものである。
【0101】
読み出し回路14:読み出し回路14はアレイ10内の各単位セル12からの
集められた電荷の読み出しをイネーブルする。読み出し回路14は各ColSenseラ
インまたは列毎に一つのセンスアンプ(図示せず)を有する。センスアンプは読
み出される単位セルからの電気信号を検出し(電荷、電圧または電流のいずれか
)、検出した信号をよりロバストなビデオ信号に変換する。
集められた電荷の読み出しをイネーブルする。読み出し回路14は各ColSenseラ
インまたは列毎に一つのセンスアンプ(図示せず)を有する。センスアンプは読
み出される単位セルからの電気信号を検出し(電荷、電圧または電流のいずれか
)、検出した信号をよりロバストなビデオ信号に変換する。
【0102】
RwRd信号は行単位に各行の読み出しイネーブルし、センスアンプが行単位に単
位セル12の読み出しを行うことを可能とする。各センスアンプからの出力は時
間的に多重化され読み出し回路の出力に送られる。読み出し(RdOut)信号と協
調したピクセルクロック(PrgClk)信号が、読み出し回路14で受信され、それ
によって読み出しが駆動され、単位セル12の読み出しタイミングが調整される
。集められた電荷の各々を表す信号はビデオ信号Voutに変換され、出力バッフ
ァ34を通じて順次出力される。
位セル12の読み出しを行うことを可能とする。各センスアンプからの出力は時
間的に多重化され読み出し回路の出力に送られる。読み出し(RdOut)信号と協
調したピクセルクロック(PrgClk)信号が、読み出し回路14で受信され、それ
によって読み出しが駆動され、単位セル12の読み出しタイミングが調整される
。集められた電荷の各々を表す信号はビデオ信号Voutに変換され、出力バッフ
ァ34を通じて順次出力される。
【0103】
読み出し回路14の実現態様は様々なものが可能である。例えば、ビデオ出力
をデマルチプレクスし複数のビデオ出力を通じて同時に読み出すことで、ピクセ
ルビデオ読み出しプロセスの高速化を図ることもできる。
をデマルチプレクスし複数のビデオ出力を通じて同時に読み出すことで、ピクセ
ルビデオ読み出しプロセスの高速化を図ることもできる。
【0104】
別の好適実施例では、異なる読み出し構造及び異なる出力シーケンスが具現さ
れる。例えば、読み出し速度を上げるため、いくつかのピクセルを同じピクセル
ピリオド(pixel period)で読み出してもよい。
れる。例えば、読み出し速度を上げるため、いくつかのピクセルを同じピクセル
ピリオド(pixel period)で読み出してもよい。
【0105】
行プログラムローダ18:図3を参照すると、行プログラムローダ18の好適
実施例が示されている。行プログラムローダ18は単位セル12の各々を積分/
非積分状態にプログラムするのを容易にする。好ましくは、行プログラムローダ
18はプログラムメモリまたは電荷積分プログラムジェネレータ(図示せず)か
らロードされる。このメモリまたは電荷積分プログラムジェネレータはアレイ1
0の一部であるか、あるいは構造の外部にあり、プログラムローダ18に入れら
れる。
実施例が示されている。行プログラムローダ18は単位セル12の各々を積分/
非積分状態にプログラムするのを容易にする。好ましくは、行プログラムローダ
18はプログラムメモリまたは電荷積分プログラムジェネレータ(図示せず)か
らロードされる。このメモリまたは電荷積分プログラムジェネレータはアレイ1
0の一部であるか、あるいは構造の外部にあり、プログラムローダ18に入れら
れる。
【0106】
好適実施例では、単一行プログラムが複数の外部入力ライン28を介して行プ
ログラムローダ18の内部メモリにロードされる。各入力ライン28の入力ピン
は、行プログラムをシフトして入力するのに用いられる複数のシフトレジスタ入
力30の一つに接続される。各シフトレジスタ30はk(またはr)個のステー
ジ31を有する。好適には、各シフトステージ31はD型フリップフロップであ
り、図3では、ステージ31への入力はDで示され、出力はQとして示され、ク
ロック入力はCKとして示されている。
ログラムローダ18の内部メモリにロードされる。各入力ライン28の入力ピン
は、行プログラムをシフトして入力するのに用いられる複数のシフトレジスタ入
力30の一つに接続される。各シフトレジスタ30はk(またはr)個のステー
ジ31を有する。好適には、各シフトステージ31はD型フリップフロップであ
り、図3では、ステージ31への入力はDで示され、出力はQとして示され、ク
ロック入力はCKとして示されている。
【0107】
ステージ31の総数はアレイ10内のColPrgラインの総数に一致する。
【0108】
例として、アレイ10はp個のシフトレジスタ30を含んでいる。従って、H
がアレイ内のColPrgラインの数であり(ステージ31の総数でもある)、pが行
プログラムローダ18への入力ライン28の数であり(シフトレジスタ30の数
でもある)、p−1個のレジスタ30がk個のステージ31を有し、一つのレジ
スタ30がr個のステージ31を有するとした場合(ここでr≦k)、
がアレイ内のColPrgラインの数であり(ステージ31の総数でもある)、pが行
プログラムローダ18への入力ライン28の数であり(シフトレジスタ30の数
でもある)、p−1個のレジスタ30がk個のステージ31を有し、一つのレジ
スタ30がr個のステージ31を有するとした場合(ここでr≦k)、
【0109】
【数12】
が成り立つ。
【0110】例1
:
行プログラムローダ18の一好適実施例では、H=768個の列がアレイ10
内に含まれ、p=16個の入力ライン28の各々が関連するシフトレジスタ30
に接続される。16個のシフトレジスタ30の各々は、k=48個のステージ3
1を含む。従って、768=16・48の関係が成り立つ。この例では、r=0
であり、従ってH=(p・k)である。
内に含まれ、p=16個の入力ライン28の各々が関連するシフトレジスタ30
に接続される。16個のシフトレジスタ30の各々は、k=48個のステージ3
1を含む。従って、768=16・48の関係が成り立つ。この例では、r=0
であり、従ってH=(p・k)である。
【0111】例2
:
行プログラムローダ18の別の好適実施例では、H=756個の列がアレイ1
0に含まれ、p=16個の入力ライン28がある。p個の入力ライン28は、k
=48個のステージ31を有する15個のシフトレジスタ30と、r=36個の
ステージを有する一つのシフトレジスタ30とに接続される。従って、756=
[(16−1)・48]+(1・36)=(15・48)+36が成り立つ。
0に含まれ、p=16個の入力ライン28がある。p個の入力ライン28は、k
=48個のステージ31を有する15個のシフトレジスタ30と、r=36個の
ステージを有する一つのシフトレジスタ30とに接続される。従って、756=
[(16−1)・48]+(1・36)=(15・48)+36が成り立つ。
【0112】
行プログラムローディングの速度を上げるため、p個のシフトレジスタ30は
全てp個の入力ライン28によって同時にロードされる。本発明の好適実施例に
おいて、入力ライン28はデータをシフトレジスタ30に最下位ビットから最上
位ビットの順にロードする。このように、プログラムデータが最下位ビットを最
初に最上位ビットが最後になるように順に入力される場合、k回のシフトの後、
データがシフトレジスタ30内に正しいオーダーで(左から右へ)格納されるこ
ととなる。
全てp個の入力ライン28によって同時にロードされる。本発明の好適実施例に
おいて、入力ライン28はデータをシフトレジスタ30に最下位ビットから最上
位ビットの順にロードする。このように、プログラムデータが最下位ビットを最
初に最上位ビットが最後になるように順に入力される場合、k回のシフトの後、
データがシフトレジスタ30内に正しいオーダーで(左から右へ)格納されるこ
ととなる。
【0113】
しかしながら、このルールの例外は、r個のステージ31を有する最後のシフ
トレジスタ30である(rはk以下)。従って、他のp−1個のシフトレジスタ
30と動作を同期させるため、最後のシフトレジスタ30に対するデータはk−
r個のガーベッッジ/ドントケア情報ビットで始まり、その後にr個の情報ビッ
トが続くようにしなければならない。
トレジスタ30である(rはk以下)。従って、他のp−1個のシフトレジスタ
30と動作を同期させるため、最後のシフトレジスタ30に対するデータはk−
r個のガーベッッジ/ドントケア情報ビットで始まり、その後にr個の情報ビッ
トが続くようにしなければならない。
【0114】
全ラインをロードするのにかかる時間TLdRwは、
【0115】
【数13】
または、
【0116】
【数14】
【0117】
となる。ここで、Intg関数は関数の引数の整数部である。
【0118】例3
:
行プログラムローダ18のこの例では、H=768個の列がアレイ10に含ま
れ、p=32個の入力ライン28があり、それらは各々関連するシフトレジスタ
30に接続される。各シフトレジスタ30はk=24個のステージ31を含む。
れ、p=32個の入力ライン28があり、それらは各々関連するシフトレジスタ
30に接続される。各シフトレジスタ30はk=24個のステージ31を含む。
【0119】
57.272MHzのプログラミングクロック(ピクセルクロックの4倍の周
波数。即ち、4・14.318MHz=57.272MHz)に対し、Tp=(
クロック時間)は17.46nsecである。従って、全ラインをロードするのにか
かる時間TLdRwは419.04nsecである。
波数。即ち、4・14.318MHz=57.272MHz)に対し、Tp=(
クロック時間)は17.46nsecである。従って、全ラインをロードするのにか
かる時間TLdRwは419.04nsecである。
【0120】
419.04nsec=24・17.46
または、
419.04nsec=[1・(768/32)]・17.46
だからである。
【0121】
行プログラムの最後のビットをシフトインすると、プログラム全体が、好適に
は一連のD型フリップフロップを含むラインレジスタLRに送られる。
は一連のD型フリップフロップを含むラインレジスタLRに送られる。
【0122】
ラインレジスタLRに格納されたデータまたはプログラムは行ロード(LdRw)
ラインを介してH個の3状態バッファ32のセットへと送られる。各3状態バッ
ファ32は関連するColPrgラインを駆動し、関連する列のプログラミングをイネ
ーブルする。
ラインを介してH個の3状態バッファ32のセットへと送られる。各3状態バッ
ファ32は関連するColPrgラインを駆動し、関連する列のプログラミングをイネ
ーブルする。
【0123】
上記したように、ColPrg信号の値は単位セル12が積分/非積分サブピリオド
において光電流電荷を積分するかしないかを決定する。従って、バッファ32に
よってColPrgラインにロードされたデータは関連する単位セル12の次の積分/
非積分サブピリオドを定める一連の値(0及び1)である。
において光電流電荷を積分するかしないかを決定する。従って、バッファ32に
よってColPrgラインにロードされたデータは関連する単位セル12の次の積分/
非積分サブピリオドを定める一連の値(0及び1)である。
【0124】
データがラインレジスタLRへと転送され、関連する列のプログラミングが始
まると、シフトレジスタ31は自由となり、次のラインのプログラムロードのた
めのデータを受信可能となる。従って、ColPrg_iラインのプログラミングはその
後のColPrg_i+1のローディングと同時に行われる。
まると、シフトレジスタ31は自由となり、次のラインのプログラムロードのた
めのデータを受信可能となる。従って、ColPrg_iラインのプログラミングはその
後のColPrg_i+1のローディングと同時に行われる。
【0125】
V個の行があるような実施例に対して、アレイ10全体をロードするのにかか
る時間は次の式で表される。
る時間は次の式で表される。
【0126】
【数15】
【0127】
例4:
例3において説明した場合に対して、アレイ10がV=483個の行を有する
場合は、従って、 Tprg=202.39632μsec=483・[1・(768/32)]・17.46 となる。
場合は、従って、 Tprg=202.39632μsec=483・[1・(768/32)]・17.46 となる。
【0128】
更に図4A及び図4Bを参照すると、行プログラムローダ18によって実行さ
れる一つのラインのプログラミングについて図示されている。図4A及び図4B
において示されている信号は、図3に示したハードウェアから受信されるか或い
はその上で動作するものである。従って、符号は同様であり、XfrRw(即ち行転
送(transfer-row))ラインはXfrRw信号を送り、入力ライン28は入力データ
信号を送る。
れる一つのラインのプログラミングについて図示されている。図4A及び図4B
において示されている信号は、図3に示したハードウェアから受信されるか或い
はその上で動作するものである。従って、符号は同様であり、XfrRw(即ち行転
送(transfer-row))ラインはXfrRw信号を送り、入力ライン28は入力データ
信号を送る。
【0129】
図4Aの一番上の段はプログラムクロック(PrgClk)パルスを示している。Pr
gClkパルスの各立ち上がりにおいて、時間周期Tpが始まる。従って、時間周期
TpはPrgClkパルスの立ち上がりと立ち上がりの間に渡る。
gClkパルスの各立ち上がりにおいて、時間周期Tpが始まる。従って、時間周期
TpはPrgClkパルスの立ち上がりと立ち上がりの間に渡る。
【0130】
PrgClk信号の立ち下がり毎に、新たなデータ(Input_0, Input_1,..., Input_
p-2, 及びInput_p-1)が入力28に提供される。PrgClkがハイになる度、データ
(Input_0, Input_1,..., Input_p-2, 及びInput_p-1)はステージ31にロード
される。入力ライン28はアレイ全体がロードされるまで、連続的にデータ(入
力信号)をロードし、それをステージ31からステージ31へとシフトする。
p-2, 及びInput_p-1)が入力28に提供される。PrgClkがハイになる度、データ
(Input_0, Input_1,..., Input_p-2, 及びInput_p-1)はステージ31にロード
される。入力ライン28はアレイ全体がロードされるまで、連続的にデータ(入
力信号)をロードし、それをステージ31からステージ31へとシフトする。
【0131】
時間を効率よく利用するため、図3に関連して説明したように、各入力ライン
28は、k個のステージ31を有する関連するシフトレジスタ30をロードする
。従って、k個のPrgClk信号の後、各入力ライン28はk個のステージ31のロ
ードを完了していることとなる。なお、図4Aでは図を見やすくするため、4つ
の入力ライン28に関連する4つの入力信号しか示していない。しかしながら、
当業者には明らかなように、本発明は、行ローダ18に信号を供給する、関連す
る入力ライン28に対応した適切な数の入力信号を伴うものである。
28は、k個のステージ31を有する関連するシフトレジスタ30をロードする
。従って、k個のPrgClk信号の後、各入力ライン28はk個のステージ31のロ
ードを完了していることとなる。なお、図4Aでは図を見やすくするため、4つ
の入力ライン28に関連する4つの入力信号しか示していない。しかしながら、
当業者には明らかなように、本発明は、行ローダ18に信号を供給する、関連す
る入力ライン28に対応した適切な数の入力信号を伴うものである。
【0132】
全ての入力信号がステージ31にロードされると、行転送(XfrRw)信号(図
4B)は、プログラミングを完了した行から接続を解放し、プログラミングを行
うべく指定された次の行へと接続する。XfrRw信号は好適には外部で制御される
信号である。
4B)は、プログラミングを完了した行から接続を解放し、プログラミングを行
うべく指定された次の行へと接続する。XfrRw信号は好適には外部で制御される
信号である。
【0133】
続いて行ロード(LdRw)ラインは、プログラミングの間バッファ32をイネー
ブルするLdRw信号を発する。図4Bに示したように、XfrRw信号がローディング
のため行i−1を解放すると、LdRw信号によって行i−1がロードされる。
ブルするLdRw信号を発する。図4Bに示したように、XfrRw信号がローディング
のため行i−1を解放すると、LdRw信号によって行i−1がロードされる。
【0134】
LdRw信号と同時に示されているのは、ColPrg_j信号、RwAdr信号、及びRwPrg信
号である。ColPrg信号は特定の行へバッファ32を介して送られるデータである
。ColPrg信号は関連する列に対するプログラム命令を指定するデータを含んでい
る。即ち、ColPrg_j信号は列jに対するプログラミング命令を含む。
号である。ColPrg信号は特定の行へバッファ32を介して送られるデータである
。ColPrg信号は関連する列に対するプログラム命令を指定するデータを含んでい
る。即ち、ColPrg_j信号は列jに対するプログラミング命令を含む。
【0135】
RwAdr信号はロードされるべき行のアドレスを含み、データが適切な行にロー
ドされるようにする。RwPrg信号は適切な関連する行に対するプログラム命令を
指定するデータを含む。
ドされるようにする。RwPrg信号は適切な関連する行に対するプログラム命令を
指定するデータを含む。
【0136】
上記したように、アレイ10は列と行のマトリクスとして構成される。行ロー
ダ18は選択された行にデータをロードし、プログラミング情報はその行をさえ
ぎる全ての列に対して送られる。従って、影響を受ける単位セル12はその選択
された行のピクセルである。
ダ18は選択された行にデータをロードし、プログラミング情報はその行をさえ
ぎる全ての列に対して送られる。従って、影響を受ける単位セル12はその選択
された行のピクセルである。
【0137】
図5を参照すると、アレイ10全体の1プログラミングシーケンスのタイミン
グ図が示されている。図5の最上段は、図3及び式13に関連して定義したよう
に複数の時間TLdRWを複合した時間Tprgの間ハイに留まるPrg信号を示
している。Tprgはアレイ10全体の1プログラミングシーケンスに必要な時
間である。
グ図が示されている。図5の最上段は、図3及び式13に関連して定義したよう
に複数の時間TLdRWを複合した時間Tprgの間ハイに留まるPrg信号を示
している。Tprgはアレイ10全体の1プログラミングシーケンスに必要な時
間である。
【0138】
一連のXfrRw信号がハイになると、プログラムされるべき一連の行を解放する
。各XfrRw信号の立ち下がりと同時に、関連するLdRw信号がハイになる。従って
、XfrRw信号が行0を解放すると、LdRw信号0がハイになり、それによって行0
がラインレジスタのデータを受け取る準備ができる。
。各XfrRw信号の立ち下がりと同時に、関連するLdRw信号がハイになる。従って
、XfrRw信号が行0を解放すると、LdRw信号0がハイになり、それによって行0
がラインレジスタのデータを受け取る準備ができる。
【0139】
LdRw信号の各開始とともに、全てのColPrg及びRwAdr信号は状態を変え、図4
において説明したような適切なタスクを実行する。
において説明したような適切なタスクを実行する。
【0140】
図5に示したように、特定の行に対するLdRw信号がハイになると、その特定の
行に関連する行に対するRwPrg信号のみがハイになる。従って、LdRw_0信号の立
ち上がりと同時に、RwPrg_0が行0のプログラミングを開始し、LdRw_1信号の立
ち上がりと同時に、RwPrg_1が行1のプログラミングを開始する。よって、行0
から行V−1への行プログラミングの進行を図5から理解することができる。
行に関連する行に対するRwPrg信号のみがハイになる。従って、LdRw_0信号の立
ち上がりと同時に、RwPrg_0が行0のプログラミングを開始し、LdRw_1信号の立
ち上がりと同時に、RwPrg_1が行1のプログラミングを開始する。よって、行0
から行V−1への行プログラミングの進行を図5から理解することができる。
【0141】
Int信号(図5の最下段)はプログラミングシーケンスの間ローであり、電荷
積分をディスエーブルする。従って、プログラミングシーケンスの間積分は行わ
れず、積分プロセスに干渉することなくプログラミングの実行がイネーブルされ
る。
積分をディスエーブルする。従って、プログラミングシーケンスの間積分は行わ
れず、積分プロセスに干渉することなくプログラミングの実行がイネーブルされ
る。
【0142】
図6を参照すると、アレイ10のプログラミング及び積分シーケンスのタイミ
ング図が示されている。アレイ10はq回プログラミング及び積分がなされるが
、各積分サブピリオドTqの前にアレイ10全体のプログラミングがなされる。
ング図が示されている。アレイ10はq回プログラミング及び積分がなされるが
、各積分サブピリオドTqの前にアレイ10全体のプログラミングがなされる。
【0143】
図6に示されているように、各プログラミングシーケンスの後に積分サブピリ
オドが続く。本発明の好適実施例において、積分サブピリオドはサイクル毎に半
分にされ、第2の積分サブピリオドTq−2は第1の積分サブピリオドTq−1 の半分となっている。
オドが続く。本発明の好適実施例において、積分サブピリオドはサイクル毎に半
分にされ、第2の積分サブピリオドTq−2は第1の積分サブピリオドTq−1 の半分となっている。
【0144】
各単位セル12は、係数ベクトル(uq−1uq−2...u2u1u0)2
によって定められる、umプログラミング係数の固有のセットによって支配され
る積分を行う。プログラミング係数umは各プリプログラムされた積分サブピリ
オドに対して積分または非積分状態を定義し、umがハイ(1)のときは積分が
実行され、umがローのときは積分が行われないようにする。
る積分を行う。プログラミング係数umは各プリプログラムされた積分サブピリ
オドに対して積分または非積分状態を定義し、umがハイ(1)のときは積分が
実行され、umがローのときは積分が行われないようにする。
【0145】
従って、トータルの積分時間Tは、式(6)に示したように、プログラミング
係数um及び基本時間積分単位T0によって決定される。従って、各単位セル1
2は固有の且つ独立して定義される電荷積分、即ち、電荷積分時間を経る。
係数um及び基本時間積分単位T0によって決定される。従って、各単位セル1
2は固有の且つ独立して定義される電荷積分、即ち、電荷積分時間を経る。
【0146】
図6に示されているように、Rst信号がハイになると、単一フレームのプログ
ラミング/積分/読み出しが開始される。Rst信号の直後には第1アレイプログ
ラミングサイクルが続く。
ラミング/積分/読み出しが開始される。Rst信号の直後には第1アレイプログ
ラミングサイクルが続く。
【0147】
第1電荷積分の間、最上位のプログラミング係数uq−1,i,jがそれぞれ
の単位セル12にプログラムされている。第1アレイプログラミングの後にアレ
イ10全体の電荷積分が続く。特許出願PCT/1L00/00129に記載されているように
、複数の電荷積分サブピリオドを伴う単位セル12に対し、uq−1,i,j=
1の場合、単位セル12(i,j)は時間Tq−1=2q−1・T0の間電荷積
分を行う。しかしながら、uq−1,i,j=0の場合、単位セル12ではこの
電荷積分ステップでは積分がなされない。このサイクルの後には、別のサイクル
が続く。この次に続くサイクルもアレイ全体のプログラミングから始まるが、こ
のときはuq−2,i,j係数でプログラミングされる。この後別の電荷積分ス
テップが続くが、このときは時間Tq−2=2q−2・T0の間行われる。
の単位セル12にプログラムされている。第1アレイプログラミングの後にアレ
イ10全体の電荷積分が続く。特許出願PCT/1L00/00129に記載されているように
、複数の電荷積分サブピリオドを伴う単位セル12に対し、uq−1,i,j=
1の場合、単位セル12(i,j)は時間Tq−1=2q−1・T0の間電荷積
分を行う。しかしながら、uq−1,i,j=0の場合、単位セル12ではこの
電荷積分ステップでは積分がなされない。このサイクルの後には、別のサイクル
が続く。この次に続くサイクルもアレイ全体のプログラミングから始まるが、こ
のときはuq−2,i,j係数でプログラミングされる。この後別の電荷積分ス
テップが続くが、このときは時間Tq−2=2q−2・T0の間行われる。
【0148】
サブピリオド電荷積分は最後の電荷積分(このときアレイは係数u0,i,j
によってプログラムされ、最短積分T=T0となる)まで続く。各電荷積分では
、積分コンデンサに追加的に電荷が蓄積され、次の電荷積分まで保持される。実
効的に、各ピクセルに対する積分時間は異なり、式(6)によって定義されるよ
うにプログラミング係数umによって支配される。
、積分コンデンサに追加的に電荷が蓄積され、次の電荷積分まで保持される。実
効的に、各ピクセルに対する積分時間は異なり、式(6)によって定義されるよ
うにプログラミング係数umによって支配される。
【0149】
なお、ここでは積分サブピリオドTmは最長から最短まで変化しているが、タ
イミングスケジュールの別の変形実施態様も可能であり、本発明の範囲内に入る
ものである。
イミングスケジュールの別の変形実施態様も可能であり、本発明の範囲内に入る
ものである。
【0150】
プログラミング/積分時間の後にはイメージセンサアレイの読み出しが続く。
Tをトータルの積分時間、TRdをイメージセンサアレイの読み出し時間、TP rg をトータルのプログラミング時間、TFRを単一のフレームに割り当てられ
た時間、そしてqをプログラム/積分サイクルの数とすると、 (16) TFR=T+q・TPrg+TRd となる。
Tをトータルの積分時間、TRdをイメージセンサアレイの読み出し時間、TP rg をトータルのプログラミング時間、TFRを単一のフレームに割り当てられ
た時間、そしてqをプログラム/積分サイクルの数とすると、 (16) TFR=T+q・TPrg+TRd となる。
【0151】
例5:例3及び4で説明したイメージセンサに対し、プログラム/積分サイク
ルの数q=10;イメージセンサの読み出しに対しTRd=8msec;積分に対しT
=23.31msec;例4からのTprgは202.39632μsecとする。動画ビデオに対し
フレームレートは1秒当たり30フレームなので、TFR=33.333msecとなる。
また10回のプログラムサイクルによって消費される時間は2.023msecとなる。
そうすると、次の関係が成り立つ: 33.333msec=23.31msec+10・202.39632μsec+8msec なお、10回の積分があることから、23.31msec以下でステップ式に増加
する1023通りの異なる電荷積分値が可能である。
ルの数q=10;イメージセンサの読み出しに対しTRd=8msec;積分に対しT
=23.31msec;例4からのTprgは202.39632μsecとする。動画ビデオに対し
フレームレートは1秒当たり30フレームなので、TFR=33.333msecとなる。
また10回のプログラムサイクルによって消費される時間は2.023msecとなる。
そうすると、次の関係が成り立つ: 33.333msec=23.31msec+10・202.39632μsec+8msec なお、10回の積分があることから、23.31msec以下でステップ式に増加
する1023通りの異なる電荷積分値が可能である。
【0152】
上記実施例から、各ピクセルを、時間単位刻みでプログラムされる広い範囲の
電荷蓄積時間で個々に独立してプログラムすることが可能であることがわかる。
このことは、広いダイナミックレンジのシーンをキャプチャするのに有効であり
、また、量子化ノイズを低減する上で重要である。プログラミングによって消費
される時間は十分に短く設計することが可能であり、最大積分時間にほとんど影
響しない。
電荷蓄積時間で個々に独立してプログラムすることが可能であることがわかる。
このことは、広いダイナミックレンジのシーンをキャプチャするのに有効であり
、また、量子化ノイズを低減する上で重要である。プログラミングによって消費
される時間は十分に短く設計することが可能であり、最大積分時間にほとんど影
響しない。
【0153】
本発明の別の有用な側面は、広い電荷積分時間ダイナミックレンジ(DRT)
である。電荷積分時間ダイナミックレンジ(DRT)が、
である。電荷積分時間ダイナミックレンジ(DRT)が、
【0154】
【数16】
【0155】
で定義されるとすると(ここでTはトータルの積分時間、T0は基本時間積分単
位)、次の式が得られる。
位)、次の式が得られる。
【0156】
【数17】
【0157】
q>>1とすると、次の式が得られる。
【0158】
【数18】
【0159】
積分時間ダイナミックレンジDRTパラメータは人工網膜の高いダイナミック
レンジを実現する上でのキーとなる特性の一つである。プログラムロードバスが
広いほど及び/またはプログラムクロックが速いほど、より多くのプログラム/
積分サイクルが可能となり、従ってより広い積分時間ダイナミックレンジを得る
ことができる。
レンジを実現する上でのキーとなる特性の一つである。プログラムロードバスが
広いほど及び/またはプログラムクロックが速いほど、より多くのプログラム/
積分サイクルが可能となり、従ってより広い積分時間ダイナミックレンジを得る
ことができる。
【0160】
このように、本発明の実施例に基づいて構築され動作することで、アレイ10
は単一の積分時間内で(または、単一フレーム内でといっても等価)、複数のプ
ログラミング及び電荷積分サブピリオドを提供する。約60MHzのプログラム
クロックで動作する回路からなる提示された例は、現在の技術水準をなすCMO
S技術によって実現可能である。しかしながら、プログラムクロックが信号ノイ
ズに及ぼし得る影響を除去することに注意を払う必要がある。アレイ10の外部
にある行プログラムローダ18を介してプログラムがなされことから、回路は注
意深く隔離され、アレイから切り離される。たとえば、行プログラムローダ18
の配置周りに適切なガードリング(guard ring)を設けることがこの目的を達成
するのに有効となり得る。
は単一の積分時間内で(または、単一フレーム内でといっても等価)、複数のプ
ログラミング及び電荷積分サブピリオドを提供する。約60MHzのプログラム
クロックで動作する回路からなる提示された例は、現在の技術水準をなすCMO
S技術によって実現可能である。しかしながら、プログラムクロックが信号ノイ
ズに及ぼし得る影響を除去することに注意を払う必要がある。アレイ10の外部
にある行プログラムローダ18を介してプログラムがなされことから、回路は注
意深く隔離され、アレイから切り離される。たとえば、行プログラムローダ18
の配置周りに適切なガードリング(guard ring)を設けることがこの目的を達成
するのに有効となり得る。
【0161】
インタレースイメージセンサ
TV形式イメージセンサは通常インタレースモードで動作する。インタレース
モードでは、フレーム出力は2つのフィールドに分割される。第1フィールドピ
リオドでは、ライン0、2、4、...が読み出される。第2フィールドピリオ
ドでは、ライン1、3、5、...が読み出される。読み出しタイミングはTV
形式(NTSCまたはPAL形式)のタイミングと整合される。インタレースイ
メージセンサでは、一方のフィールドについてプログラム/積分サイクルがなさ
れる一方で、他方のフィールドで読み出しがなされる。
モードでは、フレーム出力は2つのフィールドに分割される。第1フィールドピ
リオドでは、ライン0、2、4、...が読み出される。第2フィールドピリオ
ドでは、ライン1、3、5、...が読み出される。読み出しタイミングはTV
形式(NTSCまたはPAL形式)のタイミングと整合される。インタレースイ
メージセンサでは、一方のフィールドについてプログラム/積分サイクルがなさ
れる一方で、他方のフィールドで読み出しがなされる。
【0162】
図7及び図8を参照すると、インタレース型CMOSイメージセンサアレイ5
0に対する独立/パーピクセル電荷積分制御の実施における様々な側面が示され
ている。
0に対する独立/パーピクセル電荷積分制御の実施における様々な側面が示され
ている。
【0163】
図7はイメージセンサアレイ50のブロック図である。図8はアレイ50内で
用いられる単位セル52を示している。アレイ10と同様の要素には同様の符号
を付し、これ以上説明しない。
用いられる単位セル52を示している。アレイ10と同様の要素には同様の符号
を付し、これ以上説明しない。
【0164】
好適実施例において、イメージセンサアレイ50はH個のColPrg/ColSense列
と、V個のRwPrg/RwRdライン(行)を有し、ここでVは奇数とする。好適には奇
数番のColPrgラインのプログラミングは偶数番のColSenseラインの読み出しと同
時になされる。
と、V個のRwPrg/RwRdライン(行)を有し、ここでVは奇数とする。好適には奇
数番のColPrgラインのプログラミングは偶数番のColSenseラインの読み出しと同
時になされる。
【0165】
従って、この好適な実施のため、単位セル52はColPrgラインがColSenseライ
ンから分離されていることを必要とする。
ンから分離されていることを必要とする。
【0166】
しかしながら、単位セル52の他の側面は単位セル12と同様であり、更なる
説明はしない。
説明はしない。
【0167】
イメージセンサアレイ50は2つの行プログラム/読み出しデコーダ16E、
16Dを含んでいる。一方のラインデコーダが読み出しを制御している間、他方
はプログラミングを制御する。
16Dを含んでいる。一方のラインデコーダが読み出しを制御している間、他方
はプログラミングを制御する。
【0168】
行プログラム/読み出しデコーダ16Eは偶数番の読み出し(RwRd)及びプロ
グラム(RwPrg)ラインを制御する。読み出しサイクルの間、デコーダ16Eは
偶数番のRwRdライン(RwRd_0, RwRd_2, RwRd_4, RwRd_6....)を生成する。プロ
グラム/積分サイクルでは、デコーダ16Eは偶数番のRwPrgライン(RwPrg_0,
RwPrg_2, RwPrg_4, RwPrg_6....)を生成する。
グラム(RwPrg)ラインを制御する。読み出しサイクルの間、デコーダ16Eは
偶数番のRwRdライン(RwRd_0, RwRd_2, RwRd_4, RwRd_6....)を生成する。プロ
グラム/積分サイクルでは、デコーダ16Eは偶数番のRwPrgライン(RwPrg_0,
RwPrg_2, RwPrg_4, RwPrg_6....)を生成する。
【0169】
デコーダ16Eの動作は複数の信号、即ち、偶数読み出し(read-even: RdEve
n)信号及び偶数プログラム(program-even: PrgEven)信号によって制御される
。RdEven信号がローでPrgEven信号がハイのとき、偶数番のRwPrgライン上の単位
セル52が活動化される。RdEvenがハイでPrgEvenがローのとき、偶数番のRdRw
ライン上の単位セル52が活動化される。RdEvenとPrgEvenの両方がローのとき
、デコーダ16EからのRwRd及びRwPrgラインは全てローであり、従って非アク
ティブとなる。
n)信号及び偶数プログラム(program-even: PrgEven)信号によって制御される
。RdEven信号がローでPrgEven信号がハイのとき、偶数番のRwPrgライン上の単位
セル52が活動化される。RdEvenがハイでPrgEvenがローのとき、偶数番のRdRw
ライン上の単位セル52が活動化される。RdEvenとPrgEvenの両方がローのとき
、デコーダ16EからのRwRd及びRwPrgラインは全てローであり、従って非アク
ティブとなる。
【0170】
行プログラム/読み出しデコーダ16Dは奇数番の読み出し及びプログラムラ
インを制御する。読み出しサイクルの間、デコーダ16Dは奇数番の読み出しラ
イン(RwRd_1, RwRd_3, RwRd_5, RwRd_7....)を生成する。プログラム/積分サ
イクルでは、デコーダ16Dは奇数番のプログラムライン(RwPrg_1, RwPrg_3,
RwPrg_5, RwPrg_7....)を生成する。
インを制御する。読み出しサイクルの間、デコーダ16Dは奇数番の読み出しラ
イン(RwRd_1, RwRd_3, RwRd_5, RwRd_7....)を生成する。プログラム/積分サ
イクルでは、デコーダ16Dは奇数番のプログラムライン(RwPrg_1, RwPrg_3,
RwPrg_5, RwPrg_7....)を生成する。
【0171】
デコーダ16の動作は複数の信号、即ち奇数読み出し(read-odd: RdOdd)信
号及び奇数プログラム(program-odd: PrgOdd)信号によって制御される。RdOdd
信号がローでPrgOdd信号がハイのとき、奇数番のRwPrgライン上の単位セル52
が活動化される。RdOddがハイでPrgOddがローのとき、奇数番のRdRwライン上の
単位セル52が活動化される。RdOddとPrgOddの両方がローのとき、デコーダ1
6DからのRwRd及びRwPrgラインは全てローであり、従って非アクティブとなる
。
号及び奇数プログラム(program-odd: PrgOdd)信号によって制御される。RdOdd
信号がローでPrgOdd信号がハイのとき、奇数番のRwPrgライン上の単位セル52
が活動化される。RdOddがハイでPrgOddがローのとき、奇数番のRdRwライン上の
単位セル52が活動化される。RdOddとPrgOddの両方がローのとき、デコーダ1
6DからのRwRd及びRwPrgラインは全てローであり、従って非アクティブとなる
。
【0172】
好適実施例では、RdEven信号はRdOdd信号と逆の極性であり、PrgEven信号はPr
gOdd信号と逆の極性である。しかしながら、この例では、全てのRwRdライン及び
RwPrgラインが非活動化されているときは全てのラインが同じ極性となることに
注意されたい。従って、デコーダ16Eが偶数プログラム制御信号を生成すると
き、デコーダ16Dは奇数読み出し制御信号を生成し、逆も成り立つ。
gOdd信号と逆の極性である。しかしながら、この例では、全てのRwRdライン及び
RwPrgラインが非活動化されているときは全てのラインが同じ極性となることに
注意されたい。従って、デコーダ16Eが偶数プログラム制御信号を生成すると
き、デコーダ16Dは奇数読み出し制御信号を生成し、逆も成り立つ。
【0173】
本発明のインタレースでの実施例に整合するように、読み出し回路14は偶数
番と奇数番のRwRdライン上の単位セル52を交互に読み出す。好適には、偶数番
のRwRdライン上の単位セル52が最初に読み出され、続いて奇数番のRwRdライン
上の単位セル52の読み出しがなされる。
番と奇数番のRwRdライン上の単位セル52を交互に読み出す。好適には、偶数番
のRwRdライン上の単位セル52が最初に読み出され、続いて奇数番のRwRdライン
上の単位セル52の読み出しがなされる。
【0174】
偶数番の単位セル52に対するプログラム/積分サイクルは奇数番の単位セル
52の読み出しと同時になされる(逆も成り立つ)ため、Rst信号とInt信号は偶
数フィールドと奇数フィールドに対して分かれていることが好ましい。
52の読み出しと同時になされる(逆も成り立つ)ため、Rst信号とInt信号は偶
数フィールドと奇数フィールドに対して分かれていることが好ましい。
【0175】
従って、偶数積分(integrate-even: IntEven)信号が、偶数番のIntライン上
の単位セル52の積分を活性化する。IntEven信号は、偶数番のRwRdライン上の
単位セル52の読み出しの間は非活性化される。
の単位セル52の積分を活性化する。IntEven信号は、偶数番のRwRdライン上の
単位セル52の読み出しの間は非活性化される。
【0176】
また、偶数リセット(reset-even: RstEven)信号が、偶数番のRstライン上の
単位セル52のリセットを活性化する。Rst信号は、偶数番のRwRdライン上の単
位セル52の読み出しの間は非活性化される。
単位セル52のリセットを活性化する。Rst信号は、偶数番のRwRdライン上の単
位セル52の読み出しの間は非活性化される。
【0177】
奇数積分(integrate-odd: IntOdd)信号及び奇数リセット(reset-odd: RstO
dd)信号は奇数番ライン上の単位セル52に対して同様の機能を果たす。
dd)信号は奇数番ライン上の単位セル52に対して同様の機能を果たす。
【0178】
図9を参照すると、行プログラムローダ58が示されている。また図10には
、ローダ58の単一の行プログラミングにおける使用について示すタイミング図
が図示されている。図11は、偶数フィールドラインプログラミングのタイミン
グ図である。上記した実施例と同様の要素には同様の符号を付し、以下では説明
を省略する。
、ローダ58の単一の行プログラミングにおける使用について示すタイミング図
が図示されている。図11は、偶数フィールドラインプログラミングのタイミン
グ図である。上記した実施例と同様の要素には同様の符号を付し、以下では説明
を省略する。
【0179】
図9に示した流れは図3に示した流れと同様であり、図3に関連して上記にお
いて説明したのと同様に機能する。しかしながら、単位セル52は別個のColPrg
ラインとColSenseラインを有しており、従って3状態は必要なく、図9では示さ
れていないことに注意されたい。
いて説明したのと同様に機能する。しかしながら、単位セル52は別個のColPrg
ラインとColSenseラインを有しており、従って3状態は必要なく、図9では示さ
れていないことに注意されたい。
【0180】
また、図10及び図11に示したタイミングはそれぞれ図4及び図5に示した
のと同様であり、これらの図を参照して上述したのと同様に機能する。
のと同様であり、これらの図を参照して上述したのと同様に機能する。
【0181】
しかしながら、図11はPrgEven信号とPrgOdd信号の両方を図示しているのに
対し、図5はPrg信号しか図示していない。しかし、PrgEven信号がハイのときは
PrgOdd信号はローであり、また逆も成り立つので、適切なハイ信号(PrgEven信
号)は図5に示したようなPrg信号と同様に機能し、図11に適用可能である。
対し、図5はPrg信号しか図示していない。しかし、PrgEven信号がハイのときは
PrgOdd信号はローであり、また逆も成り立つので、適切なハイ信号(PrgEven信
号)は図5に示したようなPrg信号と同様に機能し、図11に適用可能である。
【0182】
図11には示されていないが、RwPrgライン0、2、4、...の単位セル5
2がプログラムされている間、RwRdライン1、3、5、...上の単位セルの読
み出しがなされる。偶数番のRwPrgラインの単位セル52のプログラミングの直
後、IntEven信号がハイになり、偶数行単位セル52における電荷積分が開始さ
れる。しかしながら、IntOddはローに留まるため、奇数行単位セルでは電荷積分
はなされない。
2がプログラムされている間、RwRdライン1、3、5、...上の単位セルの読
み出しがなされる。偶数番のRwPrgラインの単位セル52のプログラミングの直
後、IntEven信号がハイになり、偶数行単位セル52における電荷積分が開始さ
れる。しかしながら、IntOddはローに留まるため、奇数行単位セルでは電荷積分
はなされない。
【0183】
TPrgサイクルの各々に対するプログラミングサイクルは、偶数または奇数
のいずれでも、半分の行のみがプログラムされるため、半分になる。すなわち、 (18) TPrg=Intg(V/2+1)・Intg(H/p+1)・Tp 奇数行フィールドに対するプログラミングサイクルは偶数行フィールドと同様
である。ラインの総数が奇数となっても、プログラムするラインが一つすくない
ため、やや短い時間でなされる。
のいずれでも、半分の行のみがプログラムされるため、半分になる。すなわち、 (18) TPrg=Intg(V/2+1)・Intg(H/p+1)・Tp 奇数行フィールドに対するプログラミングサイクルは偶数行フィールドと同様
である。ラインの総数が奇数となっても、プログラムするラインが一つすくない
ため、やや短い時間でなされる。
【0184】
例6:
例3及び4に記載した場合において、インタレース読み出しイメージセンサを
適用する。式(20)に基づくと、アレイの偶数行フィールドをプログラムする
のに101.40768μsecかかる。
適用する。式(20)に基づくと、アレイの偶数行フィールドをプログラムする
のに101.40768μsecかかる。
【0185】
図12を参照すると、インタレース読み出し用のアレイ50のプログラミング
及び積分サイクルのタイミング図が示されている。偶数フィールドと奇数フィー
ルドは互いに前後して交互にプログラムされることに気づくだろう。
及び積分サイクルのタイミング図が示されている。偶数フィールドと奇数フィー
ルドは互いに前後して交互にプログラムされることに気づくだろう。
【0186】
偶数行フィールドの電荷積分は、偶数行単位セル52内の積分コンデンサを放
電させるRstEvenによって開始される。続いて、偶数行フィールド単位セル52
はq回のプログラム/積分サイクルを経る。これらのサイクルは、原理的には、
ノンインタレースイメージセンサアレイ10について上記したのと同様であり、
ここでは詳述しない。
電させるRstEvenによって開始される。続いて、偶数行フィールド単位セル52
はq回のプログラム/積分サイクルを経る。これらのサイクルは、原理的には、
ノンインタレースイメージセンサアレイ10について上記したのと同様であり、
ここでは詳述しない。
【0187】
この特定のケースでは、偶数フィールドプログラミングは一方のフィールド時
間でなされ、読み出しは他方でなされる。従って、 (19) TFL=T+q・TPrg ここで、TFLはフィールド時間である。
間でなされ、読み出しは他方でなされる。従って、 (19) TFL=T+q・TPrg ここで、TFLはフィールド時間である。
【0188】
例7:
例3及び例5で述べたのと同様のイメージセンサであるが、インタレース読み
出しタイプのものについて10回のプログラム/積分サイクルを行う。フレーム
レートは1秒当たり30フレームであり、フィールドレートは1秒当たり60フ
ィールドである。この場合、TFL=16.666msec、10回のプログラムサ
イクルに要する時間は1.014msecであり、積分用に15.652msecを残す
。10回のサイクルがあることから、15.652msec刻みで1023通りの異
なる電荷積分が可能である。
出しタイプのものについて10回のプログラム/積分サイクルを行う。フレーム
レートは1秒当たり30フレームであり、フィールドレートは1秒当たり60フ
ィールドである。この場合、TFL=16.666msec、10回のプログラムサ
イクルに要する時間は1.014msecであり、積分用に15.652msecを残す
。10回のサイクルがあることから、15.652msec刻みで1023通りの異
なる電荷積分が可能である。
【0189】
上記においてはアクティブ信号をハイ、非アクティブ信号をローとしたが、当
業者には明らかなように、逆極性及び成分も適用可能であり、本発明の範囲に含
まれる。
業者には明らかなように、逆極性及び成分も適用可能であり、本発明の範囲に含
まれる。
【0190】
上記において開示した方法及び装置は特定のハードウェア及びソフトウェアに
関して説明されている。しかしながら、これら方法及び装置は、当業者が必要に
応じて商業的に入手可能なハードウェア及びソフトウェアを用いて本発明の実施
例を独自の実験を要することなく、従来の技法を用いて容易に実施可能な程度に
十分説明されている。
関して説明されている。しかしながら、これら方法及び装置は、当業者が必要に
応じて商業的に入手可能なハードウェア及びソフトウェアを用いて本発明の実施
例を独自の実験を要することなく、従来の技法を用いて容易に実施可能な程度に
十分説明されている。
【図1】
図1は、本発明の好適実施例に基づいて構築され動作する、ノンインタレース
ビデオを実現するためのイメージセンサアレイ構造を模式的に示す図である。
ビデオを実現するためのイメージセンサアレイ構造を模式的に示す図である。
【図2】
図2は、図1に示した構造とともに用いられる複数の積分サブピリオドを提供
するイメージセンサ単位セルを示す模式図である。
するイメージセンサ単位セルを示す模式図である。
【図3】
図3は、本発明の好適実施例に基づいて構築され動作する図1に示した構造に
おいて用いられる行プログラムローダの模式図である。
おいて用いられる行プログラムローダの模式図である。
【図4A】
図4Aは図1に示した構造を用いて実施する際の一回の行プログラミングのタ
イミング図である。
イミング図である。
【図4B】
図4Bは図1に示した構造を用いて実施する際の一回の行プログラミングのタ
イミング図である。
イミング図である。
【図5】
図5は図1に示した構造で実施されるプログラミングシーケンスのタイミング
図である。
図である。
【図6】
図6は図1に示した構造で機能するプログラミング/積分インターバルのタイ
ミング図である。
ミング図である。
【図7】
図7は、本発明の代替的な好適実施例に基づいて構築され動作する、インタレ
ースビデオに対して実施するためのイメージセンサアレイ構造の模式図である。
ースビデオに対して実施するためのイメージセンサアレイ構造の模式図である。
【図8】
図8は、図7に示した構造とともに用いられ、複数の積分サブピリオドを提供
する代替的なイメージセンサの模式図である。
する代替的なイメージセンサの模式図である。
【図9】
図9は、本発明の代替的な好適実施例に基づいて構築され動作する、図7に示
した構造において用いられる行プログラムローダの模式図である。
した構造において用いられる行プログラムローダの模式図である。
【図10A】
図10Aは図7の構造で実施される単一行プログラミングのタイミング図であ
る。
る。
【図10B】
図10Bは図7の構造で実施される単一行プログラミングのタイミング図であ
る。
る。
【図11】
図7の構造で実施される偶数行プログラミングのタイミング図である。
【図12】
図7の構造で実施されるインタレース読み出し、プログラム及び積分サイクル
のタイミング図である。
のタイミング図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ
,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML,
MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K
E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG
,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,
RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT,
AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C
A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM
,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,
GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K
E,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS
,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,
MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,R
U,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM
,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VN,
YU,ZA,ZW
Fターム(参考) 4M118 AA02 AB01 BA14 DB03 DB09
DD12 FA06
5C024 CX43 GY31 HX31 HX35 HX55
JX11 JX14
Claims (30)
- 【請求項1】 時間フレームの終わりにキャプチャしたイメージを生成するセン
サアレイであって、 複数回のフレーム内電荷積分によって前記イメージを検出するための複数の単
位セルと、 前記単位セルの各々を個別に制御するための制御手段とを含むことを特徴とす
るセンサアレイ。 - 【請求項2】 前記電荷積分がコンデンサ放電であることを特徴とする請求項1
に記載のセンサアレイ。 - 【請求項3】 前記単位セルが、光電流積分及び非積分状態を有するプログラム
可能な複数回電荷積分式単位セルであることを特徴とする請求項1に記載のセン
サアレイ。 - 【請求項4】 前記制御手段が前記各単位セルの単一のフレームキャプチャにお
ける複数回の電荷積分を、他のセルの電荷積分とは独立して、個別に制御するた
めの手段を含んでいることを特徴とする請求項1に記載のセンサアレイ。 - 【請求項5】 前記制御手段が、前記単一のフレームキャプチャの各々において
、前記セルの所定のグループに含まれる前記単位セルの各々の電荷を概ね同時に
且つ個別に積分するための手段を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の
センサアレイ。 - 【請求項6】 前記制御手段が、 前記単位セルに複数の第1信号を伝達するための行選択ラインと、 前記単位セルに複数の第2信号を伝達するための列選択ラインとを含み、 前記第2信号はプログラム及びセンス信号を含むことを特徴とする請求項1に
記載のセンサアレイ。 - 【請求項7】 前記制御手段が前記単位セルをプログラムするための手段を含ん
でいることを特徴とする請求項1に記載のセンサアレイ。 - 【請求項8】 前記プログラムするための手段が、前記セルの所定のグループを
概ね同時にプログラムするための手段を含んでいることを特徴とする請求項7に
記載のセンサアレイ。 - 【請求項9】 前記セルの前記グループが前記セルのラインであることを特徴と
する請求項8に記載のセンサアレイ。 - 【請求項10】 前記プログラムするための手段が、前記セルのラインを順次プ
ログラムするための手段を含んでいることを特徴とする請求項9に記載のセンサ
アレイ。 - 【請求項11】 前記プログラムするための手段が、前記複数の単位セルを含む
1または複数の前記ラインを順次プログラムするための手段を含むことを特徴と
する請求項9に記載のセンサアレイ。 - 【請求項12】 前記制御手段が前記単一のフレームキャプチャ内においてN個
(Nは1以上)の電荷積分サブピリオドを提供する手段を含むことを特徴とする
請求項4に記載のセンサアレイ。 - 【請求項13】 前記制御手段が前記電荷積分サブピリオドを定義する手段を含
むことを特徴とする請求項12に記載のセンサアレイ。 - 【請求項14】 前記電荷積分サブピリオドが様々な時間長さを有することを特
徴とする請求項12に記載のセンサアレイ。 - 【請求項15】 前記制御手段がクロック時間単位で細かい時間分解を与えるた
めの手段を含むことを特徴とする請求項1に記載のセンサアレイ。 - 【請求項16】 前記制御手段が広いダイナミックレンジの電荷積分ステップを
与える手段を含むことを特徴とする請求項1に記載のセンサアレイ。 - 【請求項17】 前記ダイナミックレンジが2N−1積分時間単位ステップの範
囲にあることを特徴とする請求項16に記載のセンサアレイ。 - 【請求項18】 前記単位セルの各々が、 光検出器と、 前記光検出器からの電荷を蓄積するための電荷蓄積素子と、 前記単位セルの電荷積分状態を記憶するためのプログラム可能メモリとを含む
ことを特徴とする請求項1に記載のセンサアレイ。 - 【請求項19】 複数の単位セルを用いてイメージを検出するための方法であっ
て、 前記単位セルの各々に個別にアクセスする過程と、 各単位セルの電荷積分を、他の単位セルの電荷積分とは独立して制御する過程
とを有することを特徴とする方法。 - 【請求項20】 更に、 各単位セルに対して電荷積分時間を決定する過程と、 各単位セルを前記決定された電荷積分時間に基づいてプログラムする過程とを
含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 【請求項21】 複数の単位セルを含むイメージセンサアレイのイントラシーン
ダイナミックレンジを向上するための方法であって、 前記単位セルの各々に個別にアクセスする過程と、 各単位セルを個別に制御する過程とを有することを特徴とする方法。 - 【請求項22】 前記個別に制御する過程が、前記単位セルの各々の電荷積分時
間を個別に制御する過程を含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 【請求項23】 前記電荷積分時間を個別に制御する過程が、各単位セルを個別
にプログラムする過程を含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 【請求項24】 前記各単位セルを個別にプログラムする過程が、各単位セルを
予め定められた電荷積分時間に基づいてプログラムする過程を含むことを特徴と
する請求項23に記載の方法。 - 【請求項25】 前記各単位セルを個別にプログラムする過程が、各単位セルを
複数電荷積分サブピリオドでプログラムする過程を含むことを特徴とする請求項
23に記載の方法。 - 【請求項26】 複数の単位セルを含むイメージセンサアレイのイントラシーン
ダイナミックレンジを向上するための方法であって、 前記単位セルの各々に個別にアクセスする過程と、 前記単位セルの各々を個別にプログラムする過程と、 前記単位セルの電荷積分を個別に制御する過程とを含み、 前記アクセスする過程、プログラムする過程及び制御する過程が、ビデオレー
トで行われることを特徴とする方法。 - 【請求項27】 イメージをキャプチャするための複数の単位セルを含むプログ
ラム可能なイメージセンサであって、 データを担うための第1の複数(P個)の入力ラインと、 前記セルに接続された第2の複数(H個)の列と(ここでPはHに等しいかま
たはHより小さい)、 動画ビデオの単一のフレーム内で、前記アレイをN回プログラムするべく、前
記データを受け取り、受け取った前記データを選択的に前記列へと分配するコン
トローラとを含むことを特徴とするプログラム可能なイメージセンサ。 - 【請求項28】 前記データがプログラミングデータであることを特徴とする請
求項27に記載のプログラム可能なイメージセンサ。 - 【請求項29】 前記プログラミングデータが前記複数の単位セルの各々に対す
る電荷積分/非積分状態データを含むことを特徴とする請求項28に記載のプロ
グラム可能なイメージセンサ。 - 【請求項30】 前記複数のプログラム可能な単位セルの各々が個別に制御され
ることを特徴とする請求項28に記載のプログラム可能なイメージセンサ。
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