JP2003522299A - 微細粉末を製造するためのプラズマアーク反応器 - Google Patents
微細粉末を製造するためのプラズマアーク反応器Info
- Publication number
- JP2003522299A JP2003522299A JP2001557715A JP2001557715A JP2003522299A JP 2003522299 A JP2003522299 A JP 2003522299A JP 2001557715 A JP2001557715 A JP 2001557715A JP 2001557715 A JP2001557715 A JP 2001557715A JP 2003522299 A JP2003522299 A JP 2003522299A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma arc
- electrode
- plasma
- reactor
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 48
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 41
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 22
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 16
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 5
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 2
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010039897 Sedation Diseases 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000007786 electrostatic charging Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000036280 sedation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/14—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes using electric discharge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/12—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from gaseous material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/42—Plasma torches using an arc with provisions for introducing materials into the plasma, e.g. powder or liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/48—Generating plasma using an arc
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
- B01J2219/0204—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
- B01J2219/0227—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components of graphite
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0809—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes employing two or more electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0816—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes involving moving electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0816—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes involving moving electrodes
- B01J2219/082—Sliding electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0824—Details relating to the shape of the electrodes
- B01J2219/0826—Details relating to the shape of the electrodes essentially linear
- B01J2219/083—Details relating to the shape of the electrodes essentially linear cylindrical
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0824—Details relating to the shape of the electrodes
- B01J2219/0835—Details relating to the shape of the electrodes substantially flat
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0837—Details relating to the material of the electrodes
- B01J2219/0839—Carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
- B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
- B01J2219/0837—Details relating to the material of the electrodes
- B01J2219/0841—Metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0869—Feeding or evacuating the reactor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0871—Heating or cooling of the reactor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0873—Materials to be treated
- B01J2219/0879—Solid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0873—Materials to be treated
- B01J2219/0881—Two or more materials
- B01J2219/0886—Gas-solid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
- B01J2219/0898—Hot plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Discharge Heating (AREA)
Abstract
Description
において使用され、サブミクロン又はナノメトリック(すなわちナノサイズ)の
アルミニウム粉末を製造可能なプラズマアーク反応器が提供される。
触媒反応に用いられる。前記粉末は、構造的要素、磁気フィルム、化学コーティ
ング、オイル添加剤、火薬添加剤の製造及び爆発物において用いられてもよい。
ものであって、前記反応器は、 (a)第一電極と、 (b)プラズマアークを達成するのに十分な距離だけ前記第一電極から離間する
ようにされた第二電極と、 (c)前記第一及び第二電極の間の空間にプラズマガスを導入する手段と、 (d)前記第一及び第二電極の間の空間において、プラズマアークを生成する手
段と、を含み、前記第一電極はそこを貫通する通路を有しており、該通路の出口
は前記第一及び第二電極の間の空間に至っており、固体材料を前記通路に挿通し
、そこから前記出口を介して前記第一及び第二電極の間の空間に出るようにする
ための手段が備えられている。
第二電極のアーク部分に接触する第一の位置から、プラズマアークを達成するの
に十分な距離だけ前記アーク部分が互いに離間する第二の位置まで移動可能とさ
れる。前記第一及び第二電極が接触することは、プラズマアークを開始させるの
を助けるため、これは利点がある。アーク部分の語は、プラズマアークが生成さ
れる第一及び第二電極の表面上の領域又は点を意味することが理解されよう。
定める中空の延伸部材の形態をとってもよい。延伸部材はアーク先端を端部とし
、該アーク先端は第二電極のアーク部分に対向する。閉通路の出口はアーク先端
に配置され又はアーク先端に隣接している。この場合、前記第一電極は、中空の
棒又は円筒、或いは管(筒)の形態をとってもよい。第一電極は、初めから中空
物体として形成されてよい。或いは、第一電極は固体物体として形成され、後で
内部に穴又は通路が形成されてもよい。出口がアーク先端に配置されていれば、
延伸部材の端面は、電極のアーク先端と閉通路の出口との両方を決める(境界を
定める)ことが理解されよう。第一電極は、典型的にはカソードの役割を果たす
であろう。
アークを生成させることができるよう適当な形態をとってよい。第二電極は、単
純には、実質的に平坦なアーク部分を有してもよい。例えば、第二電極はプラズ
マ反応器の底壁上に平坦な基盤(基体)として配置されるようにしてもよい。
好ましくはグラファイト(黒鉛)から形成される。
のるつぼの形態により提供されてよく、ここにおいて、その一部は第二電極とし
て作用する。したがって、第二電極は反応容器と共に統合的に形成されてよい。
は一部は、第二電極を構成する。チャンバーは、グラファイトの反応チャンバー
又はグラファイトの筋のある反応チャンバーであってよい。
うにすることが望ましい。
ズマアークにおいて蒸発された固体材料を冷却し、凝集させる冷却手段をさらに
備える。冷却手段は、好ましくは冷却ガス源を含む。
却ゾーンに蒸発した材料を導くようにされた表面を有するグラファイトの容器を
含む。
下流に設けられてよい。収集ゾーンは、粉末粒子をガス流から分離するフィルタ
ークロスを含んでもよい。フィルタークロスは、電荷が蓄積することを防止する
ため、好ましくはアースされた枠上に載置される。粉末は、好ましくは、空気調
節されたゾーンにおいて後にフィルターから収集されてよい。結果として得られ
る粉末製品は、好ましくは、大気圧以上の圧力において不活性ガス中で容器に封
入される。
ガスをさらに導入するようにされている。こうして、固体供給材料とプラズマガ
スは共通の通路を通って、共通の出口により電極を出て、第一及び第二電極の間
の空間に入る。
的にはDC又はAC電源を含む。
なる材料が1つのプラズマ反応器に共に入れられるようにして用いてもよい。共
通の対向電極が用いられてもよいし、或いは、別々の対向電極が備えられてもよ
く、各々は内部に通路を有する1つの電極に対向する。異なる物質に対して異な
る蒸発量とできるので別々の電源が望ましいが、共通又は別々の電源が用いられ
てよい。
よく、反応器を停止させることなく固体供給材料の補充をしてよい。水冷は、熱
衝撃及び材料の破砕を招くかもしれない。また、処理される材料と水蒸気との間
で望ましくない反応があるかもしれない。
、固体供給材料がワイヤーの形態であるならば、装置は、好ましくはワイヤーの
供給部を含む。例えば、装置はワイヤーの容器又はホルダーを含み、好ましくは
コイル又はリールを含む。好ましくは、ワイヤーの供給部から第一電極にワイヤ
ーを運ぶ手段が備えられ、ワイヤーは通路に供給される。これは例えば、電動機
の使用によって達成される。
スは、 (i)ここに記述されたプラズマアーク反応器を用意し、 (ii)第一及び第二電極の間の空間にプラズマガスを導入し、 (iii)第一及び第二電極の間の空間においてプラズマアークを生成し、 (iv)固体供給材料を通路に通して、その出口からプラズマアーク中に出し、こ
れにより固体供給材料を蒸発させ、 (v)蒸発した材料を冷却し、粉末を凝集させ、 (vi)粉末を収集する。
プロセスにおいて、プラズマは固体供給材料を蒸発させるために生成され、蒸気
相において材料の破砕が起こる。蒸気は後に冷却され、粒子状の固体相に変換す
る。
ン、或いはこれら金属のうち1以上を含む合金を含み、或いはそれらによって構
成される。アルミニウムとアルミニウム合金が好ましい。固体供給材料は、通路
に供給され、そこから電極の間の空間に出ることができる適当な形態をとってよ
い。例えば、材料は、ワイヤー、繊維及び/又は粒子の形態をとってよい。固体
供給材料は、液状キャリアのような二次的な支持層において供給される必要はな
い。
ーの形態で固定供給材料を用意すれば、材料をプラズマゾーン及びプラズマコア
に運ぶのに役立つため、こうすれば有利である。
を含み、或いは不活性ガスによって構成される。
二電極の間の空間に出される。この場合、プラズマガスと固体材料は、好ましく
は共通の出口を通って第一電極から出る。プラズマガスと固体材料は、共通の入
口、或いは別々の入口から第一電極の通路に供給されてよい。動作中においては
、プラズマガスと固体材料は通路に共に入れられる。
うにするため、プラズマガスの体積流量は望ましくは監視される。
リウム等の不活性ガス流を用いて達成されてよい。その代わりに、或いは不活性
ガスとの組み合わせにより、反応的なガス流が用いられてもよい。反応的なガス
を用いると、酸化又は窒化粉末が製造される。例えば、気化した材料を冷却する
のに空気を用いると、酸化アルミニウム粉末のような酸化粉末が製造される。同
様に、例えばアンモニア等の反応的なガスを用いると、窒化アルミニウム粉末の
ような窒化粉末が製造される。冷却ガスは、水冷式の調整チャンバーを経由して
再利用されてよい。
アルミニウム又はアルミニウムベースであるときに特に有利である。保護ガスは
酸素を含むガスである。特に好ましいガスは、95〜99体積%のヘリウム及び
/又はアルゴン等の不活性ガスと1〜5体積%の酸素とからなる。さらに好適に
は、約98体積%の不活性ガス(群)と約2%の酸素とからなる。このようなガ
ス混合は、アルミニウム及びアルミニウムベースの材料にとって特によい結果を
もたらすことが判明した。保護ガスは、好ましくは局所的な気相の濃縮及び爆発
の可能性を避けるため、予め混合される。(不活性の)冷却ガスは再利用され、
典型的には後で1NM3/時間の割合で酸素により希釈され、保護ガス流が供給
される。アルミニウムは酸素を補足するものとして役割を担い、それと反応して
チャンバー内の分圧が下降するという結果をもたらす。チャンバーの圧力が監視
されているならば、続いて起こる分圧の上昇は、アルミニウム粉末の表面が実質
的に完全に保護されたことを示す。いくつかの超微細粒子の反応性は、例えば水
及び/又は空気との接触が有りそうならば、取扱い上のリスクを招く。保護ステ
ージは、粉末材料をより輸送に適したものとする。
実質的に起こらないようにすることが好ましい。また、気化した材料の冷却は、
例えばアルゴン及び/又はヘリウム等の不活性ガスを用いて達成されることが好
ましい。したがって、保護ステージは、好ましくは粉末が冷却された後にのみ行
われることが好ましい。好ましい実施形態においては、例えばアルミニウムワイ
ヤー等の固体供給材料は、気化しているプラズマのコアに供給される。金属蒸気
はその後、別個の沈静領域に運ばれ、そこで不活性ガス中で沈静化され、凝固し
た粉末に変換される。この固体粉末はその後、低温酸化条件の下で酸素に晒され
、酸素は制限的な厚さに成長し、その後、自発的抑制、すなわち、酸素はそれ以
上の酸化を抑制する。この酸素露出/反応プロセスは、プラズマコアから離れて
起こる。
的に全ての粒子が200nm以下の直径を有するものを製造するのに用いられて
よい。好ましくは平均の粒子直径は、50〜150nmの範囲であり、さらに好
ましくは80〜120nmであり、さらに好ましくは90〜110nmである。
れた材料であって、典型的には15〜40m2g−1の比表面積を有し、さらに
典型的には25〜30m2g−1の比表面積を有するものを製造するのに用いら
れてよいことを示している。
最終的な粉末の希望粒子サイズに応じて決定される。
電極は好ましくはアノードであり、第一電極は好ましくはカソードである。確実
な利用のためには、第一及び/又は第二電極は、好ましくは伴う温度において、
供給材料と反応しない材料から形成される。
より形成される。したがって、反応容器は、グラファイト反応チャンバー又は筋
のあるグラファイト反応チャンバーであってよく、それらは第二電極を構成する
。
しい。反応器は、典型的には2500℃以上、さらに典型的には500℃〜25
00℃以上に予熱されてよい。アルミニウム供給材料に対しては、反応器は、好
ましくは2000℃〜2500℃、さらに好ましくは2200℃〜2500℃、
さらに好ましくは2300℃〜2500℃に予熱される。予熱は、好ましくはプ
ラズマアークを用いて行われるが、どのような適切な手段を用いてもよい。好ま
しくは、反応容器の実質的に全ての表面が予熱される。
する。アルミニウムワイヤーを用いるときは、1〜5kg/時間、さらに典型的
には約2kg/時間の供給量が用いられる。アルミニウムワイヤーは、典型的に
は1〜10mmゲージであり、さらに典型的には1〜5mmである。
6Nm3/時間、さらに典型的には約3Nm3/時間の割合で注入される。
は一般的には400〜800Aの範囲に値が設定される。典型的なDC電気特性
は、60mm〜70mmの長さのプラズマアーク柱に対して、800A及び30
〜40Vのオーダーである。
おいて、さらに典型的には750水柱ミリメートル以上において操作される。こ
れは大気中の酸素がプラズマゾーンに立ち入ることを阻止し、或いは阻止するこ
とを助け、望ましくない化学反応が起こることを阻止し、或いは阻止することを
助ける。供給材料がアルミニウムであるとき、プラズマアーク反応器を大気圧以
上において、典型的には45inWG(inches water gauge)以上において、さ
らに典型的には15〜35inWGにおいて動作させることが好ましい。大気圧
以上で操作することは、粒子状物質をより多く生産するという利点がある。
料を冷却し凝集させるのに用いるならば、60〜120Nm3/時間の流量は、
実質的にすべてではなくとも、大部分の粒子が200nm未満(さらに典型的に
は100nm以下)の直径を有するアルミニウム粉末をもたらすことが分かるで
あろう。冷却後、ガスと粒子の温度は典型的には、300〜350℃となる。
属とアルミニウム酸化物の混合に基づく組成を有する粉末材料を製造するために
用いられる。このことは、低温酸化条件の下でのプロセス中、材料に酸素が付加
されることによって生ずると考えられる。したがって、本発明はまた、アルミニ
ウムを含み或いは本質的にアルミニウムからなるコア(中心部(核))を有し、
アルミニウム酸化物を含み或いは本質的にアルミニウム酸化物からなる表面層を
有する粒子を含む粒子状材料を提供し、この粒子状材料は、ここに記述されるプ
ロセスによって得られる。
的には表面に関連しており、酸化層は典型的には約10nm未満、さらに典型的
には約5nm未満の厚さを有していることを示している。このため、このような
材料は丁寧にカプセル化されたものと言うことができる。酸化膜で覆われたアル
ミニウムの実質的に全ての粒子は、200nm未満の直径を有しており、粒子の
平均直径は、典型的には50〜150nm、さらに典型的には80〜120nm
、さらに典型的には90〜110nmの範囲である。酸化膜に覆われたアルミニ
ウム粒子の比表面積は、典型的には15〜40m2g−1の範囲であり、さらに
典型的には25〜30m2g−1の範囲である。
に単一の結晶、すなわち単結晶であることが示される。
ト棒の形態により用意されている。必要であれば、グラファイトの電極5の上部
は銅により置き換えられてよい。電極5は、その内部に電極5の長さにわたって
延伸する中心的な中空部を有している。中空部の表面は、一端に入口8、アーク
先端6に配置された出口9を有する閉通路7(通り道)の境界を定めている。
れる(図1及び図2参照)。容器13の底壁12の内面のアーク部分11だけが
図1に示されている。容器13の全体は図2に示されており、対向電極は反応容
器13の不可欠な一部を形成していることが分かる。第二電極10のアーク部分
11は第一電極5のアーク先端6に対向している。
構わないが、第一電極5はカソードであり、第二電極10はアノードである。
、そのアーク先端6において第二電極10のアーク部分11に接触し、電気回路
を閉じるようになっている。電源15からのDC電流量は、一般的には400〜
800Aの値に設定されている。第一電極5を上昇させることにより、第一電極
5のアーク先端6と第二電極10のアーク部分11との間でDCプラズマアーク
が得られるようになっている。
降し、出口9を出て第一電極5のアーク先端6と第二電極10のアーク部分11
との間の空間に出るようになっている。アルゴン及び/又はヘリウムのような不
活性プラズマガス25は、同様にして通路7を通って注入され、入口8を通り、
出口9を介して第一電極5から出る。したがって、アルミニウムワイヤー20と
プラズマガス25は、共通の入口8を介して第一電極5に入り、アーク先端6に
おける共通の出口9を介して第一電極5から出る。
機によって入口8に供給される。プラズマガス25は公知の手段によりガスタン
クに貯えられてよく、バルブによって入口への注入が調整され、制御されるよう
にしてよい。したがって、ワイヤーとプラズマガスの両方の供給量は制御されて
よい。
には約2200℃〜2300℃)までプラズマアークを用いて予熱される。この
後、第一電極5の通路7を通って不活性プラズマガス25が注入され、電源15
が投入される。
の割合で第一電極5の通路7の入口8に供給される。不活性プラズマガスも通路
7を通じて、典型的には2.4〜6Nm3/時間、さらに典型的には約3Nm3 /時間の割合で注入される。
て、800A及び30〜40Vのオーダーである。
する(図2におけるステップA)。ワイヤー20とプラズマガス25はプラズマ
アーク中でワイヤー20が蒸発するにつれて、連続的に第一電極5の通路7に供
給される。やがて安定的な状態が達成されるであろう。ワイヤー20及び/又は
ガス25の供給量はプロセス中に調整されてよい。
て、注入されたガスの影響により反応容器から出る。気化したアルミニウムは、
その後、アルゴンやヘリウム等の不活性冷却ガス流を用いて冷却ゾーン30にお
いて冷却され、アルミニウムのサブミクロン粉末に凝集される(図2におけるス
テップB参照)。冷却ガス流の流量は、典型的には60〜120Nm3/時間で
あり、アルミニウム粉末の粒子は、典型的には直径200nm以下(さらに典型
的には100nm以下)である。不活性ガスによる冷却の後、ガスと粒子の温度
は、典型的には300〜350℃となる。
ップが実行されてよい(図2におけるステップC参照)。これは多くの方法によ
って達成されてよい。冷却ガスはさらに冷却するために水冷式の冷却チャンバー
に再利用され、5体積%以上の酸素と共に装置に再注入され、粉末と接触してよ
い。典型的には、酸素は約1Nm3/時間の割合で導入される。或いは、保護ガ
スの別のソースが用いられてもよい。保護ステップにおける温度は、典型的には
100〜200℃の範囲である。
する収集ゾーン40に移り、ガスから粒子を分離する(図2のステップD参照)
。フィルタークロスは、好ましくは静電気が帯電することを避けるため、アース
された枠に載置される。ガスは再利用されてよい。
ら収集される。結果として得られる粉末製品は、好ましくは、その後不活性ガス
中で大気圧以上の圧力において容器に封入される。
化物と窒化物を製造するため、内部に通路を有する1以上の付加的な電極を用い
て、異なる金属を1つのプラズマ容器に供給するようにしてよい。共通の対向電
極が用いられてよいし、或いは別々の対向電極がそれぞれ内部に通路を備えた電
極に対向するよう備えられてよい。異なる金属に対して異なる蒸発量とできるの
で、別々の電源とすることが望ましいが、共通の電源としてもよいし、別々の電
源としてもよい。
の製造に関するものであり、この技術はクリーンでコントロール可能で且つ指向
性のある熱源である。アルミニウム粉末は、冶金における焼結プロセスや化学工
業における触媒に用いられてよい。粉末は構造的要素、磁気フィルム、化学コー
ティング、オイル添加剤及び火薬添加剤の製造、又は爆発物において用いられて
よい。
活性ガスのプロセス条件の下で、高いスループット(kg/hr)の利益を提供
し、大気圧以上における空気の作用における搬送及び分散により、制御可能な材
料保護がなされる。材料は高度にモニターされ自動化されたやり方において、製
造され、冷却され、保護され(すなわち低温条件の下で表面酸化され)収集され
、包装される。
STM=ER1100、DIN=S−AL 9915の指定を有する精製合金で
ある。このワイヤーは、数値上、99.5重量%Alという組成を有しており、
主な不純物はSi及びFeであり、それぞれ最大0.25重量%及び0.40重
量%である。
な粉末要素について量的な元素解析が採用された。計算は、すべての酸素がAl 2 O3の化学量を有するアルミニウム酸化物として結合したと仮定した。事前に
調整されたLeco TC436 酸素及び窒素解析器が酸素含有量を決定する
ために用いられた。事前に調整されたLeco CS344 炭素及び硫黄解析
器が炭素解析に用いられた。エネルギー分散X線蛍光分光(EDXRF)が粉末
の高レベルの汚染をチェックするのに用いられた。ARL 3410 誘導結合
プラズマ原子発光分光計(ICPAES)がEDXRFによって特定された高レ
ベルの汚染を量的に解決するのに用いられた。
は非常に低レベルであるけれども、カルシウムは重要なレベルであることが示さ
れた。これゆえ、量的解析はO、C及びCaに焦点を合わせた。アルミナ、カル
シウム及び炭素含有量を差し引いた後は、Al含有量は残りの粉末の大部分を構
成すると考えられる。炭素含有量は、ICPAES解析の間、容器に残された不
溶性の残留物に基づく基本的なものであると仮定された。解析結果は表1に示さ
れる。
トを用いて、走査電子顕微鏡法(SEM)によって調べられた。電子顕微鏡写真
が粒子の大きさ及び形状を示すために用意された。SEMに取り付けられたPG
T IMIX X線解析システムを用い、試料に存在する要素を決定するために
量子エネルギー分散(ED)X線解析が実行された。
)表面画像を得るために二次電子検出を使用した。低倍率(倍率350倍)では
、粉末生成物が塊状化されているのが観察された。この集塊の大きさは、5μm
より小さい値から200μmより大きい値にまで及んでいた。より高倍率(倍率
20,000倍や50,000倍)では、個々の粒子が映し出された。これらの
サイズ(すなわち、もっとも大きい寸法)は、ほぼ100nm±50nmとして
観察された。しかしながら、それでもなお互いに凝集されているように見えた。
これらの集塊は、これらの細かい粒子から構成されていることが測定された。粒
子の形状は、ふぞろいな球形や楕円形のように見えた。個々の粒子の形状と凝集
作用の過程は、このように細分割された物質に関連する表面自由エネルギーの超
過を最小化するために起こると考えられる。図3(a)及び(b)は、2つの二
次電子顕微鏡写真を示す。
的に有することが示された。対応する電子回折研究では、粒子は典型的に単結晶
体であることを示された。
ュアスフロー方式を使用した窒素吸収によって測定した。SSAは、25〜30
m2g−1の範囲にあることが示された。図4は、理想的な化学的純度の球形ア
ルミニウム粉末の比表面積の、粒子サイズに対する変化を示す。図4は、平均的
な粒子サイズである90nmが、比表面積25〜30m2g−1に対応すること
を示している。そして、SEM画像は比表面積分析と一貫性があることが示され
ている。
ながら変化してしまう、すなわち酸化物の割合は金属の割合に対して増加する。
この傾向を図5に示す。ここでは、厚さ4.5nmの均一の酸化物層を仮定して
いる。これは、拡散が制限された粘着性、密着性及び均一性の酸化膜が、低温条
件下において、酸素が豊富な空気に晒されたアルミニウム物質と関連づけられた
ことを示す。
子サイズが90〜100nmであることが示された。ここでも、SSA分析とS
EM画像は一貫性がある。
ジウム基準を使用して、計器の温度とエネルギー調整を最初に確認した。5ml
/分の通風の下、サンプルを10℃/分の加熱率で750℃まで加熱した。DS
Cスペクトルは、立ち上がり外挿温度538℃の、発熱性の(エネルギーが開放
される)ピークを示している。ピークの範囲は538〜620℃であり、ピーク
の最大値は590℃である。最初の加熱後、サンプルを冷却し、同じ条件で再度
加熱した。発熱線は観察されなかった。これは完全で不可逆な化学反応、すなわ
ちアルミニウムの酸化反応を示す。これを図6及び7に示す。
も外側の2〜3層(すなわち、最大1nm)が一般的に分析される。これによる
と、組成的かつ化学的な情報を得ることができる。例えば、XPSは、バルク金
属としてのAlと酸素と結合されたAl2O3とをはっきり区別することができ
る。調査スペクトルでは、表2に示すような、化学種の存在が示された。
ント)、酸素(原子百分率50パーセント)、アルミニウム(原子百分率27パ
ーセント)、窒素(原子百分率0.6パーセント)、ナトリウム(原子百分率3
.3パーセント)及びカルシウム(原子百分率0.7パーセント)が存在してい
ることが示されている。これらの値は、公表された感度係数(Briggs and Seah
1990)を使用して計算されたものである。エネルギーに対応した形で化学的情報
を得るために、詳細なスペクトルから主要なピークを取り出した。形態性、地形
性(表面の特徴)及び異質性のような要素は考慮しなかった。炭素ピークはスペ
クトル、すなわち外的な炭素汚染(環境汚染)、結合エネルギー287.4eV
を調整するのに用いられた。この組成的情報は、粒子物質の外側2〜3層に関係
するものである。したがって、物質の全体的なバルク組成として理解されるべき
ではない。
して、金属酸化物及び天然の酸化物による2つの重畳する成分を示した。粒子内
部に関連するアルミニウム金属、すなわち基質金属を酸化物から見つけることが
できるという事実は、2〜3の単一層よりも少ない薄い層を示している(結晶学
:コランダム(鋼玉石)は、a=b=c=12.98Åである菱面体晶系を有し
ている)。炭素ピークは、2つの構成要素、すなわち環境汚染と炭化物から成る
ことが観察された。炭素は、検出された金属種のいずれとも分類別に関連付けら
れることができない。ナトリウムは、おそらく、炭酸塩(Na2CO3)として
存在している。
、単一層の厚さを見積もることは可能である。
.05(1486.6−73)0.5=1.8799nm(KE=放出電子運動
エネルギー)である。
ある。これゆえに、式(1)を式(2)で割ることによって、Al信号強度と酸
化物層の厚さとの関係に関連する方程式を得ることができる。
り、組成分析、SSA分析及びSEM画像と一致するものである。計算において
は、仮定の不完全性に関連する変動性が存在した。この計算は非常に不正確なも
のであるが、この手法は深さの最大値としてサンプルの最大のnmを分析する。
これは、もとの金属の信号が調査スペクトルに観察されるので、酸化物の厚さは
5nmより少なければならないことを意味しており、これは特徴的放射の本質に
関連づけられる明確な証左である。
(合成物)であることが観察され、これは、低温酸化条件下での処理中に物質に
なされる、すなわち実質的に表面酸化のみの酸素付加と矛盾しない。
0〜120nm、よりいっそう典型的には約100nm)の純粋な球形粒子形態
によって形成されることを示す。これは、ナノ物質としての分類を正当化する。
勝つことができる弱い力によって結合される粒子の集合である。
は25〜30m2g−1の範囲の比表面積を有することを示された。これは一般
的に、75〜95nmの粒子サイズと互いに関係を有する。
ることが示された。これは熱による酸化と一致する。
に関連づけられていることが示された。したがって、この物質は慎重にカプセル
化されているということができる。
収集のための単純化された技術を提供する。好適な実施例では、移行式プラズマ
アークが、カーボン製の延伸電極とグラファイト製の反応容器の一部として形成
された対向電極との間で発生される。
させてもよく、反応器を停止することなく供給物質を補充することができる。
、反応性液体、空気や酸素等のような反応性気体と接触する見込みがあれば、操
作上の危険を引き起こす。ここで述べた保護ステージは、粉末状物質をより輸送
に適したものにする。
の一実施形態を示す。
ルミニウム粉末の2次電子顕微鏡写真である(倍率:×100,000(a)及び×200
,000(b))。
ルミニウム粉末の2次電子顕微鏡写真である(倍率:×100,000(a)及び×200
,000(b))。
の比表面積の変動を示す図である。
の酸素含有量の変動を示す図である。
である。
である。
ペクトルを概観する図である。
Claims (39)
- 【請求項1】 固体供給材料から粉末を製造するプラズマアーク反応器であ
って、前記反応器は、 (a)第一電極と、 (b)プラズマアークを達成するのに十分な距離だけ前記第一電極と離間するよ
うにされた第二電極と、 (c)前記第一及び第二電極の間の空間にプラズマガスを導入する手段と、 (d)前記第一及び第二電極の間の空間において、プラズマアークを生成する手
段と、を含み、 前記第一電極はそれを貫通する通路を備え、前記通路の出口は前記第一及び第
二電極の間の空間に繋がり、固体供給材料を、前記通路を通じてそこから前記出
口を介して出し、前記第一及び第二電極の間の空間に出るようにするための手段
を備える、ことを特徴とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項2】 請求項1に記載のプラズマアーク反応器において、前記第一
電極は、そのアーク部分が前記第二電極のアーク部分に接触する第一の位置から
、プラズマアークを達成するのに十分な距離だけ互いにアーク部分が離れる第二
の位置まで、前記第二電極に対して移動可能である、ことを特徴とするプラズマ
アーク反応器。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載のプラズマアーク反応器において、前
記第一電極は、内面が閉通路の境界を定める中空の延伸部材であり、前記延伸部
材は前記第二電極に対向するアーク先端を端部とし、前記閉通路の出口は前記ア
ーク先端に配置され、又は前記アーク先端に隣接配置される、ことを特徴とする
プラズマアーク反応器。 - 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載のプラズマアーク反応器に
おいて、第一及び/又は第二電極のアーク部分はグラファイトから形成される、
ことを特徴とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項5】 請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズマアーク反応器に
おいて、使用中、前記第一及び第二電極の間のプラズマアークにおいて気化され
る固体供給材料を冷却し、凝集させるための冷却手段をさらに含む、ことを特徴
とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項6】 請求項5に記載のプラズマアーク反応器において、前記冷却
手段は、冷却ガスの供給源を含む、ことを特徴とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項7】 請求項6に記載のプラズマアーク反応器において、前記第二
電極は、使用中、気化された固体材料が冷却ガスにより冷却されるように冷却ゾ
ーンに導くようにされた表面を有するグラファイト製の容器を含む、ことを特徴
とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項8】 請求項1乃至7のいずれかに記載のプラズマアーク反応器に
おいて、粉末化した材料を収集するための収集ゾーンをさらに含む、ことを特徴
とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項9】 請求項1乃至8のいずれかに記載のプラズマアーク反応器に
おいて、前記第一電極の前記通路は前記第一及び第二電極の間の空間にプラズマ
ガスを導入するようにされている、ことを特徴とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項10】 請求項1乃至9のいずれかに記載のプラズマアーク反応器
において、第一及び第二電極の間の空間においてプラズマアークを生成するため
の前記手段はDC又はAC電源を含む、ことを特徴とするプラズマアーク反応器
。 - 【請求項11】 請求項1乃至10のいずれかに記載のプラズマアーク反応
器において、固体供給材料を前記第一電極に運ぶための手段をさらに含む、こと
を特徴とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項12】 請求項11に記載のプラズマアーク反応器において、前記
手段は、ワイヤーの形態の固体供給材料を前記第一電極に運ぶ手段を含む、こと
を特徴とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項13】 請求項12に記載のプラズマアーク反応器において、ワイ
ヤーの形態の固体供給材料のための容器又はホルダーをさらに含み、好ましくは
前記容器又はホルダーからワイヤーを前記第一電極に運ぶための手段を含む、こ
とを特徴とするプラズマアーク反応器。 - 【請求項14】 固体供給材料から粉末を製造する方法であって、 (i)請求項1乃至13のいずれかに記載のプラズマアーク反応器を用意するス
テップと、 (ii)前記第一及び第二電極の間の空間にプラズマガスを導入するステップと、 (iii)前記第一及び第二電極の間の空間において、プラズマアークを生成する
ステップと、 (iv)固体供給材料を前記通路に供給し、その出口からプラズマアークに出し、
これにより固体供給材料を気化させるステップと、 (v)気化した材料を冷却し、粉末に凝集させるステップと、 (vi)粉末を収集するステップと、 を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項15】 請求項14に記載の方法において、前記固体供給材料は金
属又は合金を含み、又は金属又は合金からなる、ことを特徴とする方法。 - 【請求項16】 請求項15に記載の方法において、前記固体供給材料はア
ルミニウム又はその合金である、ことを特徴とする方法。 - 【請求項17】 請求項14乃至16のいずれかに記載の方法において、前
記固体供給材料はワイヤー、繊維及び/又は粒子の形態であることを特徴とする
方法。 - 【請求項18】 請求項14乃至17のいずれかに記載の方法において、前
記プラズマガスは不活性ガスを含む、又は不活性ガスからなる、ことを特徴とす
る方法。 - 【請求項19】 請求項18に記載の方法において、前記プラズマガスは、
ヘリウム及び/又はアルゴンを含み、又はヘリウム及び/又はアルゴンからなる
、ことを特徴とする方法。 - 【請求項20】 請求項14乃至19のいずれかに記載の方法において、プ
ラズマガスは前記第一電極の前記通路を通って注入され、そこから前記第一及び
第二電極の間の空間に出る、ことを特徴とする方法。 - 【請求項21】 請求項20に記載の方法において、プラズマガス及び固体
供給材料は共通の出口を通って前記第一電極から出る、ことを特徴とする方法。 - 【請求項22】 請求項20又は21に記載の方法において、プラズマガス
及び固体供給材料は共通の入口を通って前記第一電極に入る、ことを特徴とする
方法。 - 【請求項23】 請求項14乃至22のいずれかに記載の方法において、気
化した材料の冷却の一部が不活性ガス流を用いてなされる、ことを特徴とする方
法。 - 【請求項24】 請求項14乃至23のいずれかに記載の方法において、気
化した材料の冷却の少なくとも一部が反応性ガス流を用いてなされる、ことを特
徴とする方法。 - 【請求項25】 請求項14乃至24のいずれかに記載の方法において、粉
末の表面が保護ガス流を用いて酸化される、ことを特徴とする方法。 - 【請求項26】 請求項25に記載の方法において、前記保護ガスは、酸素
を含むガスを含む、ことを特徴とする方法。 - 【請求項27】 請求項26に記載の方法において、前記酸素を含むガスは
、95〜99体積%の不活性ガスと1〜5体積%の酸素とを含む、ことを特徴と
する方法。 - 【請求項28】 請求項27に記載の方法において、前記酸素を含むガスは
、約98体積%の不活性ガスと約2体積%の酸素とを含む、ことを特徴とする方
法。 - 【請求項29】 請求項14乃至28のいずれかに記載の方法において、前
記粉末は、実質的にその全てが200nm未満の直径を有する粒子を含む、こと
を特徴とする方法。 - 【請求項30】 アルミニウムワイヤーの固定供給材料から、保護されたア
ルミニウム粉末を製造する方法であって、 (A)プラズマアーク反応器を用意するステップと、 (B)前記反応器に不活性ガスを供給し、前記反応器において不活性ガスプラズ
マを製造するステップと、 (C)前記不活性ガスプラズマにアルミニウムワイヤーを供給し、これにより、
アルミニウムワイヤーを気化させるステップと、 (D)気化されたアルミニウムと不活性ガスを冷却し、アルミニウムの粉末を凝
集させるステップと、 (E)アルミニウムの粉末の表面を保護ガスで酸化させるステップと、 を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項31】 請求項30に記載の方法において、前記反応器は請求項1
乃至13のいずれかに記載のものである、ことを特徴とする方法。 - 【請求項32】 請求項14乃至31のいずれかに記載の方法において、前
記反応器は、固体供給材料を気化させる前に、2000〜2500℃、好ましく
は2200〜2300℃に予熱される、ことを特徴とする方法。 - 【請求項33】 請求項14乃至32のいずれかに記載の方法において、前
記反応器内の圧力は大気圧以上に維持される、ことを特徴とする方法。 - 【請求項34】 アルミニウムを含み、又は本質的にアルミニウムからなる
コアと、アルミニウム酸化物を含み、又は本質的にアルミニウム酸化物からなる
表面層と、を有する粒子を含む粒子状物質であって、該粒子状物質は請求項16
乃至33のいずれかに記載された方法によって得られるものである、ことを特徴
とする粒子状物質。 - 【請求項35】 請求項34に記載の粒子状物質において、アルミニウム酸
化物による表面層は10nm以下、好ましくは5nm以下、さらに好ましくは3
nm以下の厚さを有する、ことを特徴とする粒子状物質。 - 【請求項36】 請求項34又は35に記載の粒子状物質において、実質的
に全ての粒子が200nm以下の直径を有する、ことを特徴とする粒子状物質。 - 【請求項37】 請求項34乃至36のいずれかに記載の粒子状物質におい
て、粒子の平均の直径が50〜150nm、好ましくは70〜130nm、さら
に好ましくは80〜120nmの範囲である、ことを特徴とする粒子状物質。 - 【請求項38】 請求項34乃至37のいずれかに記載の粒子状物質におい
て、前記粒子状物質は15〜40m2g−1、好ましくは25〜30m2g−1 の比表面積を有する、ことを特徴とする粒子状物質。 - 【請求項39】 請求項34乃至38のいずれかに記載の粒子状物質におい
て、前記粒子は、単結晶のコアを有することを特徴とする粒子状物質。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0003081A GB2359096B (en) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | Apparatus and process for the production of fine powders |
GB0003081.7 | 2000-02-10 | ||
GB0020106A GB2365876A (en) | 2000-08-15 | 2000-08-15 | Making nano-sized powder using a plasma arc reactor |
GB0020106.1 | 2000-08-15 | ||
PCT/GB2001/000553 WO2001058625A1 (en) | 2000-02-10 | 2001-02-09 | Plasma arc reactor for the production of fine powders |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003522299A true JP2003522299A (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=26243620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001557715A Ceased JP2003522299A (ja) | 2000-02-10 | 2001-02-09 | 微細粉末を製造するためのプラズマアーク反応器 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7022155B2 (ja) |
EP (3) | EP1257376B1 (ja) |
JP (1) | JP2003522299A (ja) |
KR (1) | KR100784576B1 (ja) |
CN (1) | CN100418674C (ja) |
AT (1) | ATE258092T1 (ja) |
AU (1) | AU2001232063A1 (ja) |
CA (1) | CA2399581A1 (ja) |
DE (1) | DE60101840T2 (ja) |
IL (2) | IL151114A0 (ja) |
RU (1) | RU2263006C2 (ja) |
WO (1) | WO2001058625A1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007138287A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-06-07 | Nisshin Seifun Group Inc | 超微粒子の製造方法 |
JP2008163373A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Digital Powder Systems Inc | 活性金属マイクロボールの製造方法及びマイクロボール |
JP2008532761A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-08-21 | 株式会社堀場製作所 | 純粋粒子生成装置 |
JP2010120786A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Tohoku Univ | 酸化物中空粒子、その製造方法及び酸化物中空粒子製造装置 |
JP2013536561A (ja) * | 2010-08-24 | 2013-09-19 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | スパッタリングターゲット供給システム |
JP2013189705A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 微粒子生成装置および微粒子生成方法 |
KR20140148158A (ko) * | 2013-06-21 | 2014-12-31 | 삼성전기주식회사 | 나노 입자 형성 방법 및 나노 입자 형성 장치 |
JP2017095751A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 株式会社栗本鐵工所 | 金属ナノ粒子の製造装置および製造方法 |
Families Citing this family (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7576296B2 (en) | 1995-03-14 | 2009-08-18 | Battelle Energy Alliance, Llc | Thermal synthesis apparatus |
US6395197B1 (en) | 1999-12-21 | 2002-05-28 | Bechtel Bwxt Idaho Llc | Hydrogen and elemental carbon production from natural gas and other hydrocarbons |
CA2399581A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Tetronics Limited | Plasma arc reactor for the production of fine powders |
GB2382122A (en) | 2001-11-14 | 2003-05-21 | Qinetiq Ltd | Shaped charge liner |
US7192649B1 (en) * | 2003-08-06 | 2007-03-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Passivation layer on aluminum surface and method thereof |
EP1645538A1 (de) | 2004-10-05 | 2006-04-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Materialzusammensetzung für die Herstellung einer Beschichtung für ein Bauteil aus einem metallischen Basismaterial und beschichtetes metallisches Bauteil |
US20070283782A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-12-13 | Mercuri Robert A | Continuous process for the production of nano-scale metal particles |
US20070037701A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mercuri Robert A | Process and apparatus for the production of catalyst-coated support materials |
US20070283784A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-12-13 | Mercuri Robert A | Continuous process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles formed of non-noble metals |
US20070036913A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mercuri Robert A | Process and apparatus for the production of engineered catalyst materials formed of non-noble metals |
US20070034049A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mercuri Robert A | Continuous process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles |
BRPI0614686A2 (pt) * | 2005-08-10 | 2011-04-12 | Directa Plus Patent & Technology Ltd | produção de partìculas de metal de nano-escala |
CN101300070A (zh) * | 2005-08-10 | 2008-11-05 | 戴雷克塔普拉斯专利及科技有限公司 | 制备经设计的催化剂材料的方法和装置 |
US20070286778A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-12-13 | Mercuri Robert A | Apparatus for the continuous production of nano-scale metal particles |
US20070036912A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mercuri Robert A | Continuous process and apparatus for the production of engineered catalyst materials |
EP1922169B1 (en) * | 2005-08-10 | 2012-06-27 | Directa Plus S.p.A. | Process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles |
US7794521B2 (en) * | 2005-08-10 | 2010-09-14 | Directa Plus Srl | Production of chain agglomerations of nano-scale metal particles |
US20070036911A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mercuri Robert A | Process and apparatus for the production of catalyst-coated support materials formed of non-noble metals |
US20070036689A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mercuri Robert A | Production of nano-scale metal particles |
US20070283783A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-12-13 | Mercuri Robert A | Process for the production of nano-scale metal particles |
US20070034051A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mercuri Robert A | Process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles |
US20070037700A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mercuri Robert A | Continuous process and apparatus for the production of catalyst-coated support materials |
US20070034050A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mercuri Robert A | Process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles formed of non-noble metals |
US7342197B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-03-11 | Phoenix Solutions Co. | Plasma torch with corrosive protected collimator |
CN1958518B (zh) * | 2005-10-17 | 2012-07-04 | 日清制粉集团本社股份有限公司 | 超微颗粒的制造方法 |
US7741577B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-06-22 | Battelle Energy Alliance, Llc | Modular hybrid plasma reactor and related systems and methods |
US7691177B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-04-06 | Niotan, Inc. | Method and an apparatus of plasma processing of tantalum particles |
RU2353573C2 (ru) * | 2006-12-18 | 2009-04-27 | Институт электрофизики Уральского отделения РАН | Способ получения нанопорошков и устройство для его реализации |
US7601399B2 (en) * | 2007-01-31 | 2009-10-13 | Surface Modification Systems, Inc. | High density low pressure plasma sprayed focal tracks for X-ray anodes |
JP2010526986A (ja) * | 2007-05-11 | 2010-08-05 | エスディーシー マテリアルズ インコーポレイテッド | 熱交換器、冷却装置及び冷却方法 |
US8575059B1 (en) | 2007-10-15 | 2013-11-05 | SDCmaterials, Inc. | Method and system for forming plug and play metal compound catalysts |
US8536481B2 (en) | 2008-01-28 | 2013-09-17 | Battelle Energy Alliance, Llc | Electrode assemblies, plasma apparatuses and systems including electrode assemblies, and methods for generating plasma |
KR101039283B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2011-06-07 | 이종식 | 무대 조명기기의 여닫이 회전시스템 |
RU2397045C2 (ru) * | 2008-10-14 | 2010-08-20 | Учреждение Российской академии наук Институт химической физики им. Н.Н.Семенова РАН (ИХФ РАН) | Способ получения субмикронных и наночастиц алюминия, покрытых слоем оксида алюминия |
RU2401181C2 (ru) * | 2008-11-12 | 2010-10-10 | Институт электрофизики Уральского отделения РАН | Способ получения слабоагломерированного алюминиевого порошка |
TWI383849B (zh) * | 2008-12-31 | 2013-02-01 | Ind Tech Res Inst | 奈米金屬溶液、奈米金屬複合顆粒以及導線的製作方法 |
RU2407610C1 (ru) * | 2009-05-06 | 2010-12-27 | Сергей Владиславович Змановский | Способ пассивирования тонкого порошка алюминия |
GB0909030D0 (en) * | 2009-05-26 | 2009-07-01 | Intrinsiq Materials Ltd | Antibacterial composition |
WO2010142004A2 (en) | 2009-06-10 | 2010-12-16 | Katholieke Universifeit Leuven | Controlled biosecure aquatic farming system in a confined environment |
KR101055180B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2011-08-08 | 한국기계연구원 | 망간-알루미늄 자성분말 |
RU2427111C1 (ru) * | 2009-12-11 | 2011-08-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана" | Электроразрядный плазменно-вихревой источник оптического излучения |
US9283637B2 (en) | 2010-02-05 | 2016-03-15 | Battelle Memorial Institute | Friction stir weld tools having fine grain structure |
US9802834B2 (en) * | 2010-02-05 | 2017-10-31 | Battelle Memorial Institute | Production of nanocrystalline metal powders via combustion reaction synthesis |
DK2425916T3 (en) | 2010-09-01 | 2015-02-16 | Directa Plus Spa | MULTI-REACTOR FEED DEVICE FOR GENERATION OF METAL nanoparticles of |
EP2425915B1 (en) * | 2010-09-01 | 2015-12-02 | Directa Plus S.p.A. | Multi mode production complex for nano-particles of metal |
KR101047845B1 (ko) | 2011-03-16 | 2011-07-08 | 한국기계연구원 | 망간-알루미늄 자성분말의 제조방법 |
CN102211197B (zh) * | 2011-05-06 | 2014-06-04 | 宁波广博纳米新材料股份有限公司 | 金属蒸发装置及用该装置制备超微细金属粉末的方法 |
JP5821579B2 (ja) | 2011-12-01 | 2015-11-24 | 昭栄化学工業株式会社 | 金属粉末製造用プラズマ装置 |
NO334282B1 (no) | 2012-04-27 | 2014-01-27 | Reactive Metal Particles As | Apparatur og metode for fremstilling av partikulært materiale |
CN103567455A (zh) * | 2012-07-31 | 2014-02-12 | 苏州鲁信新材料科技有限公司 | 金属粉末的制造方法及其设备 |
CN102909386B (zh) * | 2012-10-15 | 2015-06-10 | 江苏博迁新材料有限公司 | 微细球形铝粉的生产方法 |
CN102950293B (zh) * | 2012-10-15 | 2015-01-07 | 宁波广博纳米新材料股份有限公司 | 纳米铝粉的生产方法 |
SK500582012A3 (sk) | 2012-12-17 | 2014-08-05 | Ga Drilling, A. S. | Multimodálne rozrušovanie horniny termickým účinkom a systém na jeho vykonávanie |
US20140237896A1 (en) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Don Gray | Foamed glass hydroponic substrate |
SK500062013A3 (sk) | 2013-03-05 | 2014-10-03 | Ga Drilling, A. S. | Generovanie elektrického oblúka, ktorý priamo plošne tepelne a mechanicky pôsobí na materiál a zariadenie na generovanie elektrického oblúka |
CA2926133A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | SDCmaterials, Inc. | Catalyst design for heavy-duty diesel combustion engines |
US10138378B2 (en) | 2014-01-30 | 2018-11-27 | Monolith Materials, Inc. | Plasma gas throat assembly and method |
US10100200B2 (en) | 2014-01-30 | 2018-10-16 | Monolith Materials, Inc. | Use of feedstock in carbon black plasma process |
US11939477B2 (en) | 2014-01-30 | 2024-03-26 | Monolith Materials, Inc. | High temperature heat integration method of making carbon black |
US10370539B2 (en) | 2014-01-30 | 2019-08-06 | Monolith Materials, Inc. | System for high temperature chemical processing |
WO2015116943A2 (en) | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Monolith Materials, Inc. | Plasma torch design |
CA3118414A1 (en) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | Tekna Plasma Systems Inc. | Process and apparatus for producing powder particles by atomization of a feed material in the form of an elongated member |
US9380694B2 (en) | 2014-04-17 | 2016-06-28 | Millenium Synthfuels Corporation | Plasma torch having an externally adjustable anode and cathode |
EP3189915B1 (en) * | 2014-08-13 | 2020-12-23 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Sintering device for metal material |
BR112017016692A2 (pt) | 2015-02-03 | 2018-04-10 | Monolith Materials, Inc. | método e aparelho para resfriamento regenerativo |
WO2016126599A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-11 | Monolith Materials, Inc. | Carbon black generating system |
KR102068539B1 (ko) | 2015-06-29 | 2020-01-21 | 테크나 플라즈마 시스템 인코포레이티드 | 더 높은 플라즈마 에너지 밀도를 갖는 유도 플라즈마 토치 |
EP4527524A3 (en) * | 2015-07-17 | 2025-06-11 | AP&C Advanced Powders And Coatings Inc. | Plasma atomization metal powder manufacturing processes and systems therefore |
CN111601447A (zh) * | 2015-07-29 | 2020-08-28 | 巨石材料公司 | Dc等离子体焰炬电力设计方法和设备 |
US20170066923A1 (en) | 2015-09-09 | 2017-03-09 | Monolith Materials, Inc. | Circular few layer graphene |
EP3350855A4 (en) | 2015-09-14 | 2019-08-07 | Monolith Materials, Inc. | Soot from natural gas |
CN109070209B (zh) | 2016-04-11 | 2022-06-17 | Ap&C先进粉末及涂料公司 | 活性金属粉末飞行热处理工艺 |
CA3211318A1 (en) | 2016-04-29 | 2017-11-02 | Monolith Materials, Inc. | Torch stinger method and apparatus |
CN109562347A (zh) | 2016-04-29 | 2019-04-02 | 巨石材料公司 | 颗粒生产工艺和设备的二次热添加 |
WO2018045457A1 (en) | 2016-09-07 | 2018-03-15 | Burgess Alan W | High velocity spray torch for spraying internal surfaces |
CN110603297A (zh) | 2017-03-08 | 2019-12-20 | 巨石材料公司 | 用热传递气体制备碳颗粒的系统和方法 |
JP6924944B2 (ja) * | 2017-04-05 | 2021-08-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 微粒子製造装置及び微粒子製造方法 |
JP6920676B2 (ja) * | 2017-04-19 | 2021-08-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 微粒子製造装置および微粒子製造方法 |
JP2020517562A (ja) | 2017-04-20 | 2020-06-18 | モノリス マテリアルズ インコーポレイテッド | 粒子システムと方法 |
EA202090366A1 (ru) * | 2017-07-21 | 2020-05-14 | Пайродженизис Кэнада Инк. | Способ рентабельного производства ультрамелких сферических порошков в большом масштабе с использованием плазменной атомизации при помощи ускорителя |
EP3676220A4 (en) | 2017-08-28 | 2021-03-31 | Monolith Materials, Inc. | PARTICLE GENERATION SYSTEMS AND METHODS |
RU2671034C1 (ru) * | 2017-08-28 | 2018-10-29 | Государственный научный центр Российской Федерации - федеральное государственное унитарное предприятие "Исследовательский Центр имени М.В. Келдыша" | Установка для получения частиц порошка и способ ее работы |
CA3116989C (en) | 2017-10-24 | 2024-04-02 | Monolith Materials, Inc. | Particle systems and methods |
CN108436095A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-08-24 | 张格梅 | 一种使用高温汽化、球形化处理制备金属粉末的方法 |
AU2019280271A1 (en) * | 2018-06-06 | 2021-01-21 | Pyrogenesis Canada Inc. | Method and apparatus for producing high purity spherical metallic powders at high production rates from one or two wires |
CN112912587B (zh) | 2018-09-11 | 2024-06-14 | 钻探技术服务有限公司 | 管道处理器装置 |
RU2708200C1 (ru) * | 2018-11-23 | 2019-12-05 | Олег Александрович Чухланцев | Плазменно-дуговой реактор с расходуемым катодом для получения порошков металлов, сплавов и их химических соединений |
EP4034322A4 (en) * | 2019-09-27 | 2023-10-18 | AP&C Advanced Powders And Coatings Inc. | ALUMINUM-BASED METAL POWDERS AND THEIR PRODUCTION PROCESSES |
CN111230134B (zh) * | 2020-03-10 | 2023-08-04 | 深圳航科新材料有限公司 | 多元合金粉末及其快速制备方法 |
RU2751611C1 (ru) * | 2020-04-15 | 2021-07-15 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Дисперсные Материалы" | Устройство для получения мелкодисперсного порошка |
RU2756959C1 (ru) * | 2020-06-08 | 2021-10-07 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Дисперсные Материалы" | Устройство для получения мелкодисперсного порошка |
RU205452U1 (ru) * | 2020-06-09 | 2021-07-15 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Дисперсные Материалы" | Устройство для получения мелкодисперсного порошка |
CN113680299A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-11-23 | 青岛超晟纳米新材料科技有限公司 | 一种冷壁反应器 |
CN119038584A (zh) * | 2024-09-10 | 2024-11-29 | 浙江大学 | 一种制备超细纳米球形α氧化铝的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06172818A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-06-21 | Toyo Alum Kk | 超微粒粉末の製造方法 |
JP2000024493A (ja) * | 1993-07-27 | 2000-01-25 | Nanophase Technol Corp | ナノ結晶性材料を合成するための装置 |
Family Cites Families (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2284551A (en) * | 1940-08-03 | 1942-05-26 | Peter P Alexander | Packing of powdered metals |
BE639079A (ja) | 1962-10-26 | |||
DE1220058B (de) | 1965-06-28 | 1966-06-30 | Kernforschung Gmbh Ges Fuer | Verfahren und Vorrichtung zur Waermebehandlung pulverfoermiger Stoffe, insbesondere zum Schmelzen der Koerner hochschmelzender Stoffe, mittels eines Hochtemperaturplasmas |
US3668108A (en) * | 1966-11-15 | 1972-06-06 | Hercules Inc | Solids arc reactor apparatus and method |
GB1164810A (en) | 1966-12-19 | 1969-09-24 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to Production of Particulate Refractory Material |
US3615340A (en) * | 1968-11-18 | 1971-10-26 | Exxon Research Engineering Co | Quenching and passivation of particulate metals |
GB1339054A (en) | 1971-05-13 | 1973-11-28 | Vos N I Gornorudny I Vostnigri | Apparatus for and a method of comminuting materials |
CA907114A (en) * | 1971-09-13 | 1972-08-08 | E. Hyne Graham | Transverse excitation system for gas laser using three electrodes |
JPS5546603B2 (ja) | 1973-10-05 | 1980-11-25 | ||
GB1493394A (en) * | 1974-06-07 | 1977-11-30 | Nat Res Dev | Plasma heater assembly |
US4112288A (en) * | 1975-04-17 | 1978-09-05 | General Atomic Company | Orifice tip |
US4194107A (en) * | 1977-06-02 | 1980-03-18 | Klasson George A | Welding tip |
DE2755213C2 (de) | 1977-12-10 | 1982-05-06 | Fa. Dr. Eugen Dürrwächter DODUCO, 7530 Pforzheim | Nichtabschmelzende Elektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US4341941A (en) | 1979-03-01 | 1982-07-27 | Rikagaku Kenkyusho | Method of operating a plasma generating apparatus |
US4238427A (en) * | 1979-04-05 | 1980-12-09 | Chisholm Douglas S | Atomization of molten metals |
US4376740A (en) * | 1981-01-05 | 1983-03-15 | National Research Institute For Metals | Process for production fine metal particles |
US4861961A (en) * | 1981-03-04 | 1989-08-29 | Huys John H | Welding electrode |
US4374075A (en) * | 1981-06-17 | 1983-02-15 | Crucible Inc. | Method for the plasma-arc production of metal powder |
JPS5831825A (ja) | 1981-08-14 | 1983-02-24 | Otsuka Tekko Kk | 微粉炭を運搬容器に充填する装置 |
JPS5854166B2 (ja) * | 1981-12-17 | 1983-12-03 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | 金属微粒子の製造法およびその製造装置 |
US4505947A (en) * | 1982-07-14 | 1985-03-19 | The Standard Oil Company (Ohio) | Method for the deposition of coatings upon substrates utilizing a high pressure, non-local thermal equilibrium arc plasma |
US4610718A (en) * | 1984-04-27 | 1986-09-09 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing ultra-fine particles |
JPH062882B2 (ja) * | 1985-06-20 | 1994-01-12 | 大同特殊鋼株式会社 | 微粒子製造装置 |
DE3537303A1 (de) | 1985-10-19 | 1987-04-23 | Porsche Ag | Tuersystem fuer kraftfahrzeuge |
DE3642375A1 (de) * | 1986-12-11 | 1988-06-23 | Castolin Sa | Verfahren zur aufbringung einer innenbeschichtung in rohre od. dgl. hohlraeume engen querschnittes sowie plasmaspritzbrenner dafuer |
JPS63147182A (ja) | 1986-12-10 | 1988-06-20 | Tokai Rubber Ind Ltd | クリ−ニングブレ−ドの製法 |
JPS6459485A (en) | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Asahi Chemical Ind | Ic card |
JP2659807B2 (ja) * | 1989-01-26 | 1997-09-30 | 万鎔工業株式会社 | 直接製錬方法 |
SU1650368A1 (ru) * | 1989-03-03 | 1991-05-23 | Днепропетровский Центр Научно-Технического Творчества "Импульс" | Устройство дл получени металлического порошка |
US5062936A (en) * | 1989-07-12 | 1991-11-05 | Thermo Electron Technologies Corporation | Method and apparatus for manufacturing ultrafine particles |
JP3000610B2 (ja) | 1990-03-14 | 2000-01-17 | 大同特殊鋼株式会社 | 硬質粒子分散合金粉末の製造方法及び硬質粒子分散合金粉末 |
DE4105407A1 (de) * | 1991-02-21 | 1992-08-27 | Plasma Technik Ag | Plasmaspritzgeraet zum verspruehen von festem, pulverfoermigem oder gasfoermigem material |
FR2673990B1 (fr) * | 1991-03-14 | 1993-07-16 | Sne Calhene | Dispositif formant vanne, pour le raccordement etanche de deux conteneurs et conteneur prevu pour etre accouple a un tel dispositif. |
GB9108891D0 (en) | 1991-04-25 | 1991-06-12 | Tetronics Research & Dev Co Li | Silica production |
NO174180C (no) * | 1991-12-12 | 1994-03-23 | Kvaerner Eng | Innföringsrör for brenner for kjemiske prosesser |
JPH0680410A (ja) | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 炭素煤製造装置 |
GB9224745D0 (en) | 1992-11-26 | 1993-01-13 | Atomic Energy Authority Uk | Microwave plasma generator |
GB9300091D0 (en) | 1993-01-05 | 1993-03-03 | Total Process Containment Ltd | Process material transfer |
DE4307346A1 (de) | 1993-03-09 | 1994-09-15 | Loedige Maschbau Gmbh Geb | Sicherheitsschließvorrichtung für Behälteröffnungen |
JPH06272047A (ja) | 1993-03-16 | 1994-09-27 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 被覆粉体の製造方法及びその装置 |
JPH06299209A (ja) | 1993-04-14 | 1994-10-25 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 磁性材料の粉粒体の生成方法 |
RU2033901C1 (ru) * | 1993-09-13 | 1995-04-30 | Институт электрофизики Уральского отделения РАН | Способ получения сферических ультрадисперсных порошков оксидов активнных металлов |
US5408066A (en) * | 1993-10-13 | 1995-04-18 | Trapani; Richard D. | Powder injection apparatus for a plasma spray gun |
JP2549273B2 (ja) | 1994-04-28 | 1996-10-30 | 鎌長製衡株式会社 | 粉体充填機の脱気装置 |
US5420391B1 (en) * | 1994-06-20 | 1998-06-09 | Metcon Services Ltd | Plasma torch with axial injection of feedstock |
US5526358A (en) | 1994-08-19 | 1996-06-11 | Peerlogic, Inc. | Node management in scalable distributed computing enviroment |
FR2724123A1 (fr) * | 1994-09-07 | 1996-03-08 | Serole Bernard | Dispositif permettant la stabilisation d'une reaction chimique continue entre plusieurs corps dans un plasma |
US5455401A (en) * | 1994-10-12 | 1995-10-03 | Aerojet General Corporation | Plasma torch electrode |
CN1106325A (zh) * | 1994-11-01 | 1995-08-09 | 武汉工业大学 | 直流电弧等离子体制备超细粉末装置 |
US5593740A (en) * | 1995-01-17 | 1997-01-14 | Synmatix Corporation | Method and apparatus for making carbon-encapsulated ultrafine metal particles |
US6063243A (en) * | 1995-02-14 | 2000-05-16 | The Regents Of The Univeristy Of California | Method for making nanotubes and nanoparticles |
JPH08243756A (ja) | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマ肉盛用溶接トーチ及び肉盛溶接方法 |
US5736073A (en) * | 1996-07-08 | 1998-04-07 | University Of Virginia Patent Foundation | Production of nanometer particles by directed vapor deposition of electron beam evaporant |
US5935461A (en) * | 1996-07-25 | 1999-08-10 | Utron Inc. | Pulsed high energy synthesis of fine metal powders |
JP3409974B2 (ja) | 1996-08-23 | 2003-05-26 | 同和鉱業株式会社 | 大気との接触を嫌う粉体の保存・運搬具 |
JPH10216959A (ja) | 1997-01-31 | 1998-08-18 | Inoue Seisakusho:Kk | 抵抗溶接用電極 |
JP3041413B2 (ja) * | 1997-03-10 | 2000-05-15 | 工業技術院長 | レーヤードアルミニウム微粒子の生成法及びその応用 |
RU2133173C1 (ru) * | 1997-12-02 | 1999-07-20 | Открытое акционерное общество "Компат" | Способ получения порошка с микрокристаллической структурой |
DE19755350A1 (de) | 1997-12-12 | 1999-06-17 | Henkel Kgaa | Verfahren zum Beizen und Passivieren von Edelstahl |
US6379419B1 (en) * | 1998-08-18 | 2002-04-30 | Noranda Inc. | Method and transferred arc plasma system for production of fine and ultrafine powders |
CA2399581A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Tetronics Limited | Plasma arc reactor for the production of fine powders |
AU9335001A (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-23 | Tetronics Limited | Twin plasma torch apparatus |
-
2001
- 2001-02-09 CA CA002399581A patent/CA2399581A1/en not_active Abandoned
- 2001-02-09 AT AT01904146T patent/ATE258092T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-02-09 US US10/203,467 patent/US7022155B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-09 WO PCT/GB2001/000553 patent/WO2001058625A1/en active IP Right Grant
- 2001-02-09 JP JP2001557715A patent/JP2003522299A/ja not_active Ceased
- 2001-02-09 IL IL15111401A patent/IL151114A0/xx active IP Right Grant
- 2001-02-09 EP EP01904146A patent/EP1257376B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-09 KR KR1020027010323A patent/KR100784576B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-09 RU RU2002123919/02A patent/RU2263006C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-02-09 DE DE2001601840 patent/DE60101840T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-09 CN CNB018047971A patent/CN100418674C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-09 EP EP04000974A patent/EP1415741A3/en not_active Withdrawn
- 2001-02-09 EP EP03024817A patent/EP1398100A3/en not_active Withdrawn
- 2001-02-09 AU AU2001232063A patent/AU2001232063A1/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-08-07 IL IL151114A patent/IL151114A/en not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-12-16 US US11/304,633 patent/US7727460B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-16 US US11/304,705 patent/US20060096417A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06172818A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-06-21 | Toyo Alum Kk | 超微粒粉末の製造方法 |
JP2000024493A (ja) * | 1993-07-27 | 2000-01-25 | Nanophase Technol Corp | ナノ結晶性材料を合成するための装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008532761A (ja) * | 2005-03-16 | 2008-08-21 | 株式会社堀場製作所 | 純粋粒子生成装置 |
JP2007138287A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-06-07 | Nisshin Seifun Group Inc | 超微粒子の製造方法 |
JP2008163373A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Digital Powder Systems Inc | 活性金属マイクロボールの製造方法及びマイクロボール |
JP2010120786A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Tohoku Univ | 酸化物中空粒子、その製造方法及び酸化物中空粒子製造装置 |
JP2013536561A (ja) * | 2010-08-24 | 2013-09-19 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | スパッタリングターゲット供給システム |
KR101827473B1 (ko) * | 2010-08-24 | 2018-03-22 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 스퍼터 타겟 이송 시스템 |
JP2013189705A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-09-26 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 微粒子生成装置および微粒子生成方法 |
KR20140148158A (ko) * | 2013-06-21 | 2014-12-31 | 삼성전기주식회사 | 나노 입자 형성 방법 및 나노 입자 형성 장치 |
KR102016482B1 (ko) | 2013-06-21 | 2019-09-02 | 삼성전기주식회사 | 나노 입자 형성 방법 및 나노 입자 형성 장치 |
JP2017095751A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 株式会社栗本鐵工所 | 金属ナノ粒子の製造装置および製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001058625A1 (en) | 2001-08-16 |
EP1398100A2 (en) | 2004-03-17 |
US7727460B2 (en) | 2010-06-01 |
KR20020092364A (ko) | 2002-12-11 |
US20060096417A1 (en) | 2006-05-11 |
IL151114A0 (en) | 2003-04-10 |
RU2263006C2 (ru) | 2005-10-27 |
EP1415741A2 (en) | 2004-05-06 |
ATE258092T1 (de) | 2004-02-15 |
DE60101840T2 (de) | 2004-11-18 |
US20030097903A1 (en) | 2003-05-29 |
US7022155B2 (en) | 2006-04-04 |
CN1422195A (zh) | 2003-06-04 |
KR100784576B1 (ko) | 2007-12-10 |
AU2001232063A1 (en) | 2001-08-20 |
EP1257376B1 (en) | 2004-01-21 |
EP1257376A1 (en) | 2002-11-20 |
US20060107789A1 (en) | 2006-05-25 |
IL151114A (en) | 2006-12-31 |
DE60101840D1 (de) | 2004-02-26 |
CA2399581A1 (en) | 2001-08-16 |
EP1415741A3 (en) | 2005-05-25 |
EP1398100A3 (en) | 2005-06-08 |
CN100418674C (zh) | 2008-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003522299A (ja) | 微細粉末を製造するためのプラズマアーク反応器 | |
TWI474882B (zh) | 合金超微粒子及其製造方法 | |
US7572315B2 (en) | Process for the synthesis, separation and purification of powder materials | |
TWI402117B (zh) | 超微粒子的製造方法 | |
JP3383608B2 (ja) | ナノ結晶性材料を合成するための装置 | |
Ryu et al. | Chemical vapor synthesis (CVS) of tungsten nanopowder in a thermal plasma reactor | |
JP2007138287A (ja) | 超微粒子の製造方法 | |
RU2489232C1 (ru) | Способ получения наноразмерного порошка металла | |
Butovsky et al. | Air stable core–shell multilayer metallic nanoparticles synthesized by RAPET: Fabrication, characterization and suggested applications | |
Beketov et al. | In-situ formation of carbon shells on the surface of Ni nanoparticles synthesized by the electric explosion of wire | |
CN110124591A (zh) | 亚微米或纳米颗粒包覆球形粉体及其制备方法 | |
Karthik et al. | Propellant grade ultrafine aluminum powder by RF induction plasma | |
GB2365876A (en) | Making nano-sized powder using a plasma arc reactor | |
Sopoušek et al. | Temperature stability of AgCu nanoparticles | |
Haidar | Synthesis of Al nanopowders in an anodic arc | |
Temuujin et al. | Preparation of copper and silicon/copper powders by a gas evaporation-condensation method | |
Cho et al. | Synthesis of nickel and copper nanopowders by plasma arc evaporation | |
RU2397045C2 (ru) | Способ получения субмикронных и наночастиц алюминия, покрытых слоем оксида алюминия | |
Kim et al. | Synthesis of Sn–Bi–Cu Intermetallic Compound Nanoparticles by Pulsed Wire Discharge of Sn–Bi and Cu Wires | |
Samokhin et al. | Characteristics of heat and mass transfer to the wall of a confined-jet plasma flow reactor in the processes of nanopowder preparation from metals and their compounds |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110606 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110613 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110707 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111025 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111124 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111130 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20120228 |