JP2003517631A - フレクシブル・モジュラ・コンパクト光ファイバスイッチの改良 - Google Patents
フレクシブル・モジュラ・コンパクト光ファイバスイッチの改良Info
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Abstract
(57)【要約】
光ファイバー(106)の端部(104)を受容して、固定する光ファイバ・スイッチングモジュール(100)が光ファイバスイッチ(400)に備わる。このモジュール(100)には、対として選ばれ、光ビーム(108)を一対の光ファイバ(106)間に連結できる多数のV字状配列反射光ビームデフレクタ(172)が備わる。また、モジュール(100)は各デフレクタ(172)から、その向きを表示する向き信号を生成する。ポートカード(406)も備わってい、少なくとも一つのデフレクタ(172)を向き付け(配向す)るための駆動信号をモジュール(100)に供給する。また、そのデフレクタ(172)により生成される向き信号を、デフレクタ(172)の向きを特定する座標と共にポートカード(406)が受信する。ポートカード(406)は受信座標を、デフレクタ(172)から受信する向き信号と比較し、モジュール(100)に供給される駆動信号を調整し、受信座標と向き信号との間に差が有れば、それを少なくする。また、スイッチ(400)は光学的アラインメントを採用して、光ビーム(108)を光ファイバ間に連結するデフレクタ(172)対を正確に向き付ける。
Description
【0001】
本発明は一般に光ファイバの技術分野、特に自由空間・反射NxN光ファイバ
スイッチに関する。
スイッチに関する。
【0002】
近年に見る遠隔通信の劇的な増大はインターネット通信に大きく帰因するもの
と云えようが、光ファイバ電話通信において多数の技術革新の急速な導入と商業
的適合を要求して来ている。例えば近時、光ファイバ遠隔通信システムが導入さ
れ、単一の光ファイバに沿って伝搬する4、16、32、64又は128個の異
なる光波長上で同時にディジタル通信を送信するのに設置されようとしている。
多波長光ファイバ遠隔通信は単一光ファイバの帯域幅を劇的に増大するが、この
帯域幅の増大は光ファイバの両端で、例えば二つの町の間で利用できるに過ぎな
い。光ファイバの一端に送入された光がこの光ファイバの他端に着くとき、光フ
ァイバの一端で受信された光を更に他の目的地に運ぶために、この光を数個の異
なる光ファイバの選ばれた一つに自動的に送れる適応性の高い、モジュール化さ
れた、コンパクトなNxN光ファイバスイッチは今のところ存在しない。
と云えようが、光ファイバ電話通信において多数の技術革新の急速な導入と商業
的適合を要求して来ている。例えば近時、光ファイバ遠隔通信システムが導入さ
れ、単一の光ファイバに沿って伝搬する4、16、32、64又は128個の異
なる光波長上で同時にディジタル通信を送信するのに設置されようとしている。
多波長光ファイバ遠隔通信は単一光ファイバの帯域幅を劇的に増大するが、この
帯域幅の増大は光ファイバの両端で、例えば二つの町の間で利用できるに過ぎな
い。光ファイバの一端に送入された光がこの光ファイバの他端に着くとき、光フ
ァイバの一端で受信された光を更に他の目的地に運ぶために、この光を数個の異
なる光ファイバの選ばれた一つに自動的に送れる適応性の高い、モジュール化さ
れた、コンパクトなNxN光ファイバスイッチは今のところ存在しない。
【0003】
歴史的に見ると、遠隔通信が銅導線の対を介して電気信号により送信される場
合、かっては電話交換手と呼ばれる人間が手動動作の交換機に座り、プラグに取
り付けられた一対の銅導線上で受信する電話呼を手動作で、ソケットに取り付け
られた他の一対の銅導線に接続して電話回線を完成していた。回路電話を設定す
るために二つの電話から来る導線の対を手動で相互接続する交換手のタスクは先
ず、電話ダイアル回し信号に応答して交換手の手動タスクを自動化した、クロス
バー交換機と呼ばれる電気機械式装置により置き換えられた。この電気遠隔通信
のための電気機械式クロスバー交換機は過去40年の間に、電子交換システムに
置き換えられている。
合、かっては電話交換手と呼ばれる人間が手動動作の交換機に座り、プラグに取
り付けられた一対の銅導線上で受信する電話呼を手動作で、ソケットに取り付け
られた他の一対の銅導線に接続して電話回線を完成していた。回路電話を設定す
るために二つの電話から来る導線の対を手動で相互接続する交換手のタスクは先
ず、電話ダイアル回し信号に応答して交換手の手動タスクを自動化した、クロス
バー交換機と呼ばれる電気機械式装置により置き換えられた。この電気遠隔通信
のための電気機械式クロスバー交換機は過去40年の間に、電子交換システムに
置き換えられている。
【0004】
現在、光ファイバ電話通信のため、電気遠隔通信用クロスバー交換機や電子交
換システムが行うのと類似又は同一の機能を行う光ファイバ電話通信スイッチが
有る。だが、現在利用可能な光ファイバスイッチは理想とは程遠い。即ち、現存
の光ファイバ遠隔通信技術には電子交換システムが行うのと同じの光通信機能を
、多数の光ファイバに対して行えるスイッチが無い。
換システムが行うのと類似又は同一の機能を行う光ファイバ電話通信スイッチが
有る。だが、現在利用可能な光ファイバスイッチは理想とは程遠い。即ち、現存
の光ファイバ遠隔通信技術には電子交換システムが行うのと同じの光通信機能を
、多数の光ファイバに対して行えるスイッチが無い。
【0005】
光ファイバ遠隔通信に256x256スイッチを設けるのに用いられる一つの
手法では、入り光ファイバから受信する光ビームが先ず電気信号に変換され、こ
の電気信号が電子スイッチング回路網を通して送信される。次いで、その電子ス
イッチング回路網からの出力信号を用いて出力光ファイバに入る第2の光ビーム
を発生する。電子工学及び光ファイバ遠隔通信(通信)に通じている人々の認め
るように、256x256光ファイバスイッチを設ける上記の手法は物理的に極
めて大型となり、極めて高速の電子信号処理が必要になり、極めて高価なものと
なる。
手法では、入り光ファイバから受信する光ビームが先ず電気信号に変換され、こ
の電気信号が電子スイッチング回路網を通して送信される。次いで、その電子ス
イッチング回路網からの出力信号を用いて出力光ファイバに入る第2の光ビーム
を発生する。電子工学及び光ファイバ遠隔通信(通信)に通じている人々の認め
るように、256x256光ファイバスイッチを設ける上記の手法は物理的に極
めて大型となり、極めて高速の電子信号処理が必要になり、極めて高価なものと
なる。
【0006】
複雑な電子回路と光−電気信号間の変換を回避する試みとして、光ビームを一
つの光ファイバから他の光ファイバに直接連結する(つなぐ)光ファイバスイッ
チを組み立てる種々の提案が有る。光ファイバスイッチ(交換器)を提供する初
期の一つ試みは交換手の動作を、銅導線に対してではなく、光ファイバでと機械
で模倣するものである。米国特許4886335「光ファイバスイッチシステム
」(1989年12月12日発行)では、光ファイバの端部にフェルールを取り
付け、これを移動させるコンベアが設けられる。コンベヤはフェルールを選ばれ
たアダプタに移動し、フェルールをアダプタに備わるカプラ/デカプラに差し込
む。フェルールがカプラ/デカプラに差し込まれた後、フェルールに保持された
光ファイバとアダプタに固定された光ファイバとの間を光が通る。
つの光ファイバから他の光ファイバに直接連結する(つなぐ)光ファイバスイッ
チを組み立てる種々の提案が有る。光ファイバスイッチ(交換器)を提供する初
期の一つ試みは交換手の動作を、銅導線に対してではなく、光ファイバでと機械
で模倣するものである。米国特許4886335「光ファイバスイッチシステム
」(1989年12月12日発行)では、光ファイバの端部にフェルールを取り
付け、これを移動させるコンベアが設けられる。コンベヤはフェルールを選ばれ
たアダプタに移動し、フェルールをアダプタに備わるカプラ/デカプラに差し込
む。フェルールがカプラ/デカプラに差し込まれた後、フェルールに保持された
光ファイバとアダプタに固定された光ファイバとの間を光が通る。
【0007】
米国特許5864463「小型1xN電気機械式光学スイッチ及び可変アテニ
ュエータ」(1999年1月26日発行、以下463特許)には、一つの光ファ
イバと多数の光ファイバの一つを選択的に連結する、他の機械式システムが記載
されている。この特許の記載する一つの光ファイバと多数の光ファイバの一つと
の選択的連結は、一つの光ファイバの端部を他の光ファイバの端部の線形アレイ
に沿って機械的に移動させることによりなされる。1xNスイッチが機械的アク
チュエータを用いて、この一つの光ファイバの端部を10μm以内で他の光ファ
イバの選ばれた一つに粗軸合わせする。1xNスイッチが選ばれた光ファイバの
直隣接端部から移動光ファイバに反射して戻った光を用い、次いで入力光ファイ
バの端部を他の光ファイバにより正確に軸合わせする。米国特許5699463
「機械式光ファイバスイッチ」(1997年12月16日発行)では、一つの光
ファイバの端部が線形アレイとしての他の数個の光ファイバの一つに軸合わせす
るが、二つの光ファイバの間にレンズを介在させている。
ュエータ」(1999年1月26日発行、以下463特許)には、一つの光ファ
イバと多数の光ファイバの一つを選択的に連結する、他の機械式システムが記載
されている。この特許の記載する一つの光ファイバと多数の光ファイバの一つと
の選択的連結は、一つの光ファイバの端部を他の光ファイバの端部の線形アレイ
に沿って機械的に移動させることによりなされる。1xNスイッチが機械的アク
チュエータを用いて、この一つの光ファイバの端部を10μm以内で他の光ファ
イバの選ばれた一つに粗軸合わせする。1xNスイッチが選ばれた光ファイバの
直隣接端部から移動光ファイバに反射して戻った光を用い、次いで入力光ファイ
バの端部を他の光ファイバにより正確に軸合わせする。米国特許5699463
「機械式光ファイバスイッチ」(1997年12月16日発行)では、一つの光
ファイバの端部が線形アレイとしての他の数個の光ファイバの一つに軸合わせす
るが、二つの光ファイバの間にレンズを介在させている。
【0008】
米国特許5524153「光ファイバスイッチングシステム及びその使用方法
」(1996年6月4日発行、以下、153特許)では、二つの光学的に反対な
光ファイバスイッチングユニットの群が互いに近接して配設される。各スイッチ
ングユニットはその光ファイバのどの一つをも、光学的に反対なスイッチングユ
ニット群の光ファイバの何れか一つに軸合わせすることができる。スイッチング
ユニット内では、各光ファイバの一端がビーム形成レンズに近接して位置付けら
れ、2軸圧電ベンダー(曲げ機械)に受容されている。2軸圧電ベンダーはファ
イバを曲げて、このファイバから放出される光が光学的に反対なスイッチングユ
ニット群の特定な光ファイバの方向に向くようにすることができる。各光ファイ
バに随伴する放射線(電磁線)放出装置(RED)により発生されたパルス光が
、ファイバから反対群の選ばれた光ファイバに向かって進む。反対群の選ばれた
光ファイバに受容されているREDからのパルス光が処理されて信号が作られ、
この信号が圧電ベンダーにフィードバックされて、光ファイバからの光が直接、
選ばれた光ファイバの方向に向くようにされる。
」(1996年6月4日発行、以下、153特許)では、二つの光学的に反対な
光ファイバスイッチングユニットの群が互いに近接して配設される。各スイッチ
ングユニットはその光ファイバのどの一つをも、光学的に反対なスイッチングユ
ニット群の光ファイバの何れか一つに軸合わせすることができる。スイッチング
ユニット内では、各光ファイバの一端がビーム形成レンズに近接して位置付けら
れ、2軸圧電ベンダー(曲げ機械)に受容されている。2軸圧電ベンダーはファ
イバを曲げて、このファイバから放出される光が光学的に反対なスイッチングユ
ニット群の特定な光ファイバの方向に向くようにすることができる。各光ファイ
バに随伴する放射線(電磁線)放出装置(RED)により発生されたパルス光が
、ファイバから反対群の選ばれた光ファイバに向かって進む。反対群の選ばれた
光ファイバに受容されているREDからのパルス光が処理されて信号が作られ、
この信号が圧電ベンダーにフィードバックされて、光ファイバからの光が直接、
選ばれた光ファイバの方向に向くようにされる。
【0009】
一つの光ファイバから他の光ファイバへの光ビームの方向付けを、一または両
光ファイバを移動させたり、曲げたりして機械的に行うのではない光スイッチも
提案されている。これは微細加工された移動ミラーを用いて、入力光ファイバか
ら放出された光を出力光ファイバに連結するものである。1999年2月21〜
26日に開催されたOFC/IOOCに提出された論文には、図1に図式で示す
3段から成る完全無閉塞光ファイバスイッチの製作に用い得る素子が記載されて
いる。この光ファイバスイッチの用いる移動ミラーアレイでは、各ポリシリコン
ミラーが光を90°の角度で選択的に反射できるようにしてある。この提案によ
る光ファイバスイッチでは、比較的小さい32x64の光スイッチングアレイの
行52ai(i=1、2、・・・・32)及び行52bk(k=1、2、・・・
・32)が光を32の入力光ファイバ54anから受信して、32の出力光ファ
イバ54bnに送っている。64の光ファイバ56al,m及び56bl、mの
32群が32x64光スイッチングアレイ52ai、52bkの各々と32x3
2光スイッチングアレイ58j(j=1、2,・・・・64)の一つとの間で光
を運んでいる。
光ファイバを移動させたり、曲げたりして機械的に行うのではない光スイッチも
提案されている。これは微細加工された移動ミラーを用いて、入力光ファイバか
ら放出された光を出力光ファイバに連結するものである。1999年2月21〜
26日に開催されたOFC/IOOCに提出された論文には、図1に図式で示す
3段から成る完全無閉塞光ファイバスイッチの製作に用い得る素子が記載されて
いる。この光ファイバスイッチの用いる移動ミラーアレイでは、各ポリシリコン
ミラーが光を90°の角度で選択的に反射できるようにしてある。この提案によ
る光ファイバスイッチでは、比較的小さい32x64の光スイッチングアレイの
行52ai(i=1、2、・・・・32)及び行52bk(k=1、2、・・・
・32)が光を32の入力光ファイバ54anから受信して、32の出力光ファ
イバ54bnに送っている。64の光ファイバ56al,m及び56bl、mの
32群が32x64光スイッチングアレイ52ai、52bkの各々と32x3
2光スイッチングアレイ58j(j=1、2,・・・・64)の一つとの間で光
を運んでいる。
【0010】
図1に示した光ファイバスイッチが複雑であることは、直ちに分かる。例えば
、この提案に従って組み立てられる1024x1024光ファイバスイッチは、
光スイッチングアレイ52ai及び52bkと32x32光スイッチングアレイ
58jとの間を相互連結するのに、4096個の個別光ファイバを必要とする。
更に、32x64個の光スイッチングアレイ52ai及び52bkと32x32
個の光スイッチングアレイ58jは、全部で196608個の微細加工ミラーを
必要とする。
、この提案に従って組み立てられる1024x1024光ファイバスイッチは、
光スイッチングアレイ52ai及び52bkと32x32光スイッチングアレイ
58jとの間を相互連結するのに、4096個の個別光ファイバを必要とする。
更に、32x64個の光スイッチングアレイ52ai及び52bkと32x32
個の光スイッチングアレイ58jは、全部で196608個の微細加工ミラーを
必要とする。
【0011】
図1に示した光ファイバスイッチに対して提案されたポリシリコンミラーは光
学的に平らでなく、曲がっている。更に、単一0.3mW波長、或いは場合によ
っては数波長のかかる光を切り換えるためこのようなミラーがもつ熱散逸は充分
であるが、これ等のミラーではかかる波長の10または20を切り換えるのでさ
え、できない。だが、上記のように光ファイバ遠隔通信は今や、一個の光ファイ
バ上で40波長以上をも既に送ろうとしてい、そして既にでは無くても、間もな
く数百波長を送ることになるであろう。単一波長の光の代わりに各々の出力が0
.3mWの300の異なる波長の光を一つの光ファイバが運ぶものとすると、こ
の光ファイバスイッチに対して提案されたポリシリコンミラーには100mWの
出力が当たることになる。ポリシリコンミラーがこの光の98.5%を反射する
とすると、残り全部、即ち1.5mWの出力をこのミラーが吸収しなければなら
ない。1.5mWの出力を吸収すれば、熱的に非伝導なポリシリコンミラーはミ
ラー平坦度を更に劣化させる不適格な温度に加熱されることになろう。
学的に平らでなく、曲がっている。更に、単一0.3mW波長、或いは場合によ
っては数波長のかかる光を切り換えるためこのようなミラーがもつ熱散逸は充分
であるが、これ等のミラーではかかる波長の10または20を切り換えるのでさ
え、できない。だが、上記のように光ファイバ遠隔通信は今や、一個の光ファイ
バ上で40波長以上をも既に送ろうとしてい、そして既にでは無くても、間もな
く数百波長を送ることになるであろう。単一波長の光の代わりに各々の出力が0
.3mWの300の異なる波長の光を一つの光ファイバが運ぶものとすると、こ
の光ファイバスイッチに対して提案されたポリシリコンミラーには100mWの
出力が当たることになる。ポリシリコンミラーがこの光の98.5%を反射する
とすると、残り全部、即ち1.5mWの出力をこのミラーが吸収しなければなら
ない。1.5mWの出力を吸収すれば、熱的に非伝導なポリシリコンミラーはミ
ラー平坦度を更に劣化させる不適格な温度に加熱されることになろう。
【0012】
米国特許4365863「超多数チャネル用光学式スイッチ」(1982年1
2月28日発行、以下863特許)には、光ファイバの光学的に対向する端部正
規配置の端部を平行な2つの配列(アレイ)にしたものが記載されている。2つ
のアレイの間の空間には、各アレイの各ファイバにそれぞれ随伴する伝搬モード
モード変換器を備える光スイッチングシステムが含まれている。モード変換器は
、ガラスフィラメント内拘束伝搬モードから指向伝搬モードへの光の変換を行う
。最も簡単な形式においては、焦点が対応するファイバの端部に略位置するよう
にした光学レンズで、変換器を実質的に構成する。
2月28日発行、以下863特許)には、光ファイバの光学的に対向する端部正
規配置の端部を平行な2つの配列(アレイ)にしたものが記載されている。2つ
のアレイの間の空間には、各アレイの各ファイバにそれぞれ随伴する伝搬モード
モード変換器を備える光スイッチングシステムが含まれている。モード変換器は
、ガラスフィラメント内拘束伝搬モードから指向伝搬モードへの光の変換を行う
。最も簡単な形式においては、焦点が対応するファイバの端部に略位置するよう
にした光学レンズで、変換器を実質的に構成する。
【0013】
863特許の光学式スイッチングシステムにおいては、2つのアレイの各ファ
イバに光ビームデフレクタが随伴して備わっている。一方のアレイの何れかが、
それに随伴するデフレクタに光ビームを送る。デフレクタはモード変換器から光
ビームを受け取り、光ファイバの他のアレイに随伴するデフレクタの何れか一つ
に光を再指向する。デフレクタかビームを受け取ったデフレクタは、その随伴す
るモード変換器に光を再指向光ビームデフレクタは何れの形式のものでも良い。
する。863特許が特に開示しているのは、ディアスポロメータの原理で動作す
る機械光学的装置、又は結晶媒体内の光子間相互作用に基づく音響光学的デフレ
クタの何れか用いることである。
イバに光ビームデフレクタが随伴して備わっている。一方のアレイの何れかが、
それに随伴するデフレクタに光ビームを送る。デフレクタはモード変換器から光
ビームを受け取り、光ファイバの他のアレイに随伴するデフレクタの何れか一つ
に光を再指向する。デフレクタかビームを受け取ったデフレクタは、その随伴す
るモード変換器に光を再指向光ビームデフレクタは何れの形式のものでも良い。
する。863特許が特に開示しているのは、ディアスポロメータの原理で動作す
る機械光学的装置、又は結晶媒体内の光子間相互作用に基づく音響光学的デフレ
クタの何れか用いることである。
【0014】
863特許における各光ビームデフレクタは、論理回路が駆動するインタフェ
ース・コントロールにより制御される。各光ビームにデフレクタが随伴し、それ
ぞれのアレイ内の光ファイバのアドレスに対応するデータを、ビームが運ぶ信号
から引き出す。論理回路群は、スイッチングシステムの全機能を制御する中央演
算処理装置にされている。863特許における各検出器は、例えば対応する光ビ
ームをサンプリングする半透明ミラー、光ビームのサンプルを電気信号に変換す
る光電子デバイス、この電気信号をデコードして光ファイバのアドレスデータを
引き出すデバイスを備えることが出来る。
ース・コントロールにより制御される。各光ビームにデフレクタが随伴し、それ
ぞれのアレイ内の光ファイバのアドレスに対応するデータを、ビームが運ぶ信号
から引き出す。論理回路群は、スイッチングシステムの全機能を制御する中央演
算処理装置にされている。863特許における各検出器は、例えば対応する光ビ
ームをサンプリングする半透明ミラー、光ビームのサンプルを電気信号に変換す
る光電子デバイス、この電気信号をデコードして光ファイバのアドレスデータを
引き出すデバイスを備えることが出来る。
【0015】
技術文献”A Silicon Light Modulator”,Kar
i Gustafsson & Berti Hoek,the Journa
l of Physics E.Scientific Instrument
s,pp.680−85(以下、Gustafsson et al文献)には
、シリコン基板のエピタキシャル層から微細加工された4個の一次元捩りスキャ
ナのアレイが記載されている。捩りスキャナを静電的に励起することが、このG
ustafsson文献に記載されている。一対の直隣接光ファイバ間に光を連
結するのに、このように捩りスキャナを動作させることをファイバオプティック
スイッチ及びモヂュレータに用いられていることをこの文献は報告している。
i Gustafsson & Berti Hoek,the Journa
l of Physics E.Scientific Instrument
s,pp.680−85(以下、Gustafsson et al文献)には
、シリコン基板のエピタキシャル層から微細加工された4個の一次元捩りスキャ
ナのアレイが記載されている。捩りスキャナを静電的に励起することが、このG
ustafsson文献に記載されている。一対の直隣接光ファイバ間に光を連
結するのに、このように捩りスキャナを動作させることをファイバオプティック
スイッチ及びモヂュレータに用いられていることをこの文献は報告している。
【0016】
本発明は、1000を超える個別光ファイバで運ばれる光の入射ビームを同時
に1000を超える出射光ファイバに連結できる(繋げる)光ファイバスイッチ
を提供しようとするものである。 本発明の一目的は、光ファイバで運ばれる光の入射及び出射ビーム多数間で切
り換えが可能な、より簡単な光ファイバスイッチを提供することにある。 本発明の他の目的は、光ファイバで運ばれる光の入射及び出射ビーム多数間で
切り換えできる効率的な光ファイバスイッチを提供することにある。 本発明の他の目的は、通信チャネル間の漏話が低い光ファイバスイッチを提供
することにある。 本発明の他の目的は、切り換え中に通信チャネル間のクロストーク(漏話)が
低い光ファイバスイッチを提供することにある。 本発明の他の目的は、極めて信頼性の高い光ファイバスイッチを提供すること
にある。 本発明の他の目的は、ばらつきを示さない光ファイバスイッチを提供すること
にある。 本発明の他の目的は、分極非依存の光ファイバスイッチを提供することにある
。 本発明の他の目的は、完全にトランスペアレントな光ファイバスイッチを提供
することにある。 本発明の他の目的は、スイッチを通る光ファイバ通信のビットレート(ビット
伝送速度)を制限しない光ファイバスイッチを提供することにある。
に1000を超える出射光ファイバに連結できる(繋げる)光ファイバスイッチ
を提供しようとするものである。 本発明の一目的は、光ファイバで運ばれる光の入射及び出射ビーム多数間で切
り換えが可能な、より簡単な光ファイバスイッチを提供することにある。 本発明の他の目的は、光ファイバで運ばれる光の入射及び出射ビーム多数間で
切り換えできる効率的な光ファイバスイッチを提供することにある。 本発明の他の目的は、通信チャネル間の漏話が低い光ファイバスイッチを提供
することにある。 本発明の他の目的は、切り換え中に通信チャネル間のクロストーク(漏話)が
低い光ファイバスイッチを提供することにある。 本発明の他の目的は、極めて信頼性の高い光ファイバスイッチを提供すること
にある。 本発明の他の目的は、ばらつきを示さない光ファイバスイッチを提供すること
にある。 本発明の他の目的は、分極非依存の光ファイバスイッチを提供することにある
。 本発明の他の目的は、完全にトランスペアレントな光ファイバスイッチを提供
することにある。 本発明の他の目的は、スイッチを通る光ファイバ通信のビットレート(ビット
伝送速度)を制限しない光ファイバスイッチを提供することにある。
【0017】
簡単に云えば、本発明は光ファイバスイッチに用いるのに適し、光ファイバ受
け器の第1の群と第2の群を備える光ファイバ・スイッチングモジュールである
。光ファイバ受け器のこれ等2群は自由空間光路の両端に有って、互いに隔てら
れている。各光ファイバ受け器は、光ファイバの端部を受容して固定するのに適
している。この光ファイバ・スイッチングモジュールにはまたレンズが備わり、
その一つは第1と第2群の光ファイバ受け器の各々にそれぞれ固定されそれに固
定されるレンズと対向するようにする。各レンズは光ファイバの対向端部から放
出され得る光ビームを受容するのに適し、光ファイバ・スイッチングモジュール
の光路に準平行光ビームを放出するのに適している。
け器の第1の群と第2の群を備える光ファイバ・スイッチングモジュールである
。光ファイバ受け器のこれ等2群は自由空間光路の両端に有って、互いに隔てら
れている。各光ファイバ受け器は、光ファイバの端部を受容して固定するのに適
している。この光ファイバ・スイッチングモジュールにはまたレンズが備わり、
その一つは第1と第2群の光ファイバ受け器の各々にそれぞれ固定されそれに固
定されるレンズと対向するようにする。各レンズは光ファイバの対向端部から放
出され得る光ビームを受容するのに適し、光ファイバ・スイッチングモジュール
の光路に準平行光ビームを放出するのに適している。
【0018】
この光ファイバ・スイッチングモジュールにはまた、光ファイバ受け器の両群
間の光路内でV字状に配列された第1の組と第2の組の反射性光ビームデフレク
タが備わる。光ビームデフレクタの各々はそれぞれ、 1.光ファイバ受け器の各々に固定されたレンズの一つに随伴してい、 2.随伴レンズから放出可能な準平行光ビームがこの光ビームデフレクタに当た
って反射されるように位置付けられてい、且つ 3.光ファイバ・スイッチングモジュールに供給された駆動信号により付勢され
て配向され、随伴レンズから放出可能な準平行光ビームを、それが選ばれた光ビ
ームデフレクタから反射して出るように反射するようにするものである。 この光ファイバ・スイッチングモジュールには更に、準平行光ビームが当たる光
ビームデフレクタ組間の光路に沿って配置されたミラーが備わる。
間の光路内でV字状に配列された第1の組と第2の組の反射性光ビームデフレク
タが備わる。光ビームデフレクタの各々はそれぞれ、 1.光ファイバ受け器の各々に固定されたレンズの一つに随伴してい、 2.随伴レンズから放出可能な準平行光ビームがこの光ビームデフレクタに当た
って反射されるように位置付けられてい、且つ 3.光ファイバ・スイッチングモジュールに供給された駆動信号により付勢され
て配向され、随伴レンズから放出可能な準平行光ビームを、それが選ばれた光ビ
ームデフレクタから反射して出るように反射するようにするものである。 この光ファイバ・スイッチングモジュールには更に、準平行光ビームが当たる光
ビームデフレクタ組間の光路に沿って配置されたミラーが備わる。
【0019】
このように配置された一対の光ビームデフレクタをそれに供給される駆動信号
で選択、配向することにより、一つが光ファイバ受け器の何れか一つに固定可能
で、もう一つが光ファイバ受け器の別の一つに固定可能である一対のレンズ間に
少なくとも一つの準平行光ビームの光学的連結を行うことが出来る。
で選択、配向することにより、一つが光ファイバ受け器の何れか一つに固定可能
で、もう一つが光ファイバ受け器の別の一つに固定可能である一対のレンズ間に
少なくとも一つの準平行光ビームの光学的連結を行うことが出来る。
【0020】
上記及び他の特徴、目的及び利点は、種々の図面図に図示の優先実施例に付い
てなされる以下の詳細な記載から当業者に理解され、明白なものとなろう。
てなされる以下の詳細な記載から当業者に理解され、明白なものとなろう。
【0021】
【実施態様】自由空間収束ビーム二重はねかえり反射スイッチングモジュール
図2に、本発明による台形状自由空間集光(収束ビーム)NxN反射スイッチ
ングモジュールを一般参照番号100で表し、これを通って伝搬する光ビームの
光線追跡を示す。NxN反射型スイッチングモジュール100には、C字形自由
空間光路の両端で互いに離間している側102aと側102bとが有る。以下の
記載のように側102aと側102bとの他の幾何学的関係がNxN反射スイッ
チングモジュール100の他の形状に対しても考えられるが、C字形自由空間光
路を有する図2に示すNxN反射スイッチングモジュール100の実施態様に対
しては、側102aと側102bとは同一平面上にあるのが好ましい。側102
aと側102bは何れも、N個、例えば1152個の光ファイバ106の端部を
受容し、固定するのに適するようにしてある。N個の光ファイバはカラム数が3
6の矩形アレイに、各カラムが32個の光ファイバを収容するように配置される
。側102aと側102bの間の光路に沿って、各光ファイバ106の端部10
4に直隣接してレンズ112が配置されている。各レンズ112はそれが随伴す
る光ファイバ106の端部104に対して、随伴光ファイバ106の端部104
より放出される光から準平行ビームが生成され、これが側102aと側102b
間の光路に沿って伝搬するように配置される。
ングモジュールを一般参照番号100で表し、これを通って伝搬する光ビームの
光線追跡を示す。NxN反射型スイッチングモジュール100には、C字形自由
空間光路の両端で互いに離間している側102aと側102bとが有る。以下の
記載のように側102aと側102bとの他の幾何学的関係がNxN反射スイッ
チングモジュール100の他の形状に対しても考えられるが、C字形自由空間光
路を有する図2に示すNxN反射スイッチングモジュール100の実施態様に対
しては、側102aと側102bとは同一平面上にあるのが好ましい。側102
aと側102bは何れも、N個、例えば1152個の光ファイバ106の端部を
受容し、固定するのに適するようにしてある。N個の光ファイバはカラム数が3
6の矩形アレイに、各カラムが32個の光ファイバを収容するように配置される
。側102aと側102bの間の光路に沿って、各光ファイバ106の端部10
4に直隣接してレンズ112が配置されている。各レンズ112はそれが随伴す
る光ファイバ106の端部104に対して、随伴光ファイバ106の端部104
より放出される光から準平行ビームが生成され、これが側102aと側102b
間の光路に沿って伝搬するように配置される。
【0022】
図3に、一つの光ファイバ106からの一つの光ビーム108が側102aか
ら側102bへ、又はその逆方向に伝搬するのを図式的に示している。単一モー
ド光ファイバ通信に通常用いられる光の波長に対して、レンズ112は焦点距離
が2.0〜12.0mmであるマイクロレンズである。そのようなレンズ112
は径が好ましくは約1.5mmであって、側102aと側102bの間の長さ5
00〜900mmの航路に沿って伝搬する準平行ビームを生成する。NxN反射
スイッチングモジュール100は好ましくはレンズ112の最大リレー長を用い
るから、各光ファイバ106の端部104はレンズ112の商店距離プラス光フ
ァイバ106から放出される光ビーム108のレイリー範囲に位置付けられる。
従って、光ファイバ106の端部104がレンズ112の軸に沿って数ミクロン
変位すると、側102aと側102bとの間を最大リレー長の準平行平行ビーム
が伝搬する方向に無視可能な効果が生じる。一般に、レンズ112からの最大リ
レー長の準平行平行ビームの出射角は1ミリラジアン、即ち0.001ラジアン
の分数であろう。以下に詳細に記載されるように、光ファイバ106の端部10
4とレンズ112間のミスアラインメントによる最大リレー長の準平行平行ビー
ムのミスアラインメントが有っても、それはビームの反射面を充分大きくするこ
とにより容易に収容される。
ら側102bへ、又はその逆方向に伝搬するのを図式的に示している。単一モー
ド光ファイバ通信に通常用いられる光の波長に対して、レンズ112は焦点距離
が2.0〜12.0mmであるマイクロレンズである。そのようなレンズ112
は径が好ましくは約1.5mmであって、側102aと側102bの間の長さ5
00〜900mmの航路に沿って伝搬する準平行ビームを生成する。NxN反射
スイッチングモジュール100は好ましくはレンズ112の最大リレー長を用い
るから、各光ファイバ106の端部104はレンズ112の商店距離プラス光フ
ァイバ106から放出される光ビーム108のレイリー範囲に位置付けられる。
従って、光ファイバ106の端部104がレンズ112の軸に沿って数ミクロン
変位すると、側102aと側102bとの間を最大リレー長の準平行平行ビーム
が伝搬する方向に無視可能な効果が生じる。一般に、レンズ112からの最大リ
レー長の準平行平行ビームの出射角は1ミリラジアン、即ち0.001ラジアン
の分数であろう。以下に詳細に記載されるように、光ファイバ106の端部10
4とレンズ112間のミスアラインメントによる最大リレー長の準平行平行ビー
ムのミスアラインメントが有っても、それはビームの反射面を充分大きくするこ
とにより容易に収容される。
【0023】
随伴レンズ112を通過した後、光ファイバ106の端部104から放出され
る光ビーム108は図3で破線で表した、特定のレンズ112と光ファイバ10
6の対に随伴するミラー面116a又は116bに反射して出る。以下に詳細に
記載されるミラー面116は、此処に引用により挿入される米国特許56297
90(以下、790特許)に記載されたものと同様な形式の二次元捩りスキャナ
によるのが好ましい。NxN反射スイッチングモジュール100には、側102
aと側102b間の光路に沿ってレンズ112間にそれぞれ配置されたミラー面
116の2組118a及び118bが備わる。各組118a、118bには多数
の個別で独立したミラー面116が備わり、その各々は一対のジンバルにより支
持されて、各ミラー面116が二つの非平行軸を中心として回転できるようにな
っている。ミラー面116の数は、光ファイバ106と側102a又は側102
bに最近接するレンズ112の数Nに等しい。ミラー面116a又は116bに
反射して出た後、図2の組118a及び118b間を伝搬した光ビーム108は
次いでミラー面116b又は116aの選ばれた一つに反射して出、更に側10
2aと側102bとの間のC字形光路に沿って、遠い側102b又は102aに
有るレンズ112の一つを通って、その特定のレンズ112に随伴する光ファイ
バ106に入射する。
る光ビーム108は図3で破線で表した、特定のレンズ112と光ファイバ10
6の対に随伴するミラー面116a又は116bに反射して出る。以下に詳細に
記載されるミラー面116は、此処に引用により挿入される米国特許56297
90(以下、790特許)に記載されたものと同様な形式の二次元捩りスキャナ
によるのが好ましい。NxN反射スイッチングモジュール100には、側102
aと側102b間の光路に沿ってレンズ112間にそれぞれ配置されたミラー面
116の2組118a及び118bが備わる。各組118a、118bには多数
の個別で独立したミラー面116が備わり、その各々は一対のジンバルにより支
持されて、各ミラー面116が二つの非平行軸を中心として回転できるようにな
っている。ミラー面116の数は、光ファイバ106と側102a又は側102
bに最近接するレンズ112の数Nに等しい。ミラー面116a又は116bに
反射して出た後、図2の組118a及び118b間を伝搬した光ビーム108は
次いでミラー面116b又は116aの選ばれた一つに反射して出、更に側10
2aと側102bとの間のC字形光路に沿って、遠い側102b又は102aに
有るレンズ112の一つを通って、その特定のレンズ112に随伴する光ファイ
バ106に入射する。
【0024】
図4a及び4bに、他の実施態様である矩形状収束NxN反射スイッチングモ
ジュール100を通って伝搬する光ビームの光線追跡を示す。図4a及び4bに
示す矩形状収束NxN反射スイッチングモジュール100は、水平方向に細長い
Z字形自由空間光路を用いている。この図のものでは側102aと曲面セット1
18aの間、曲面セット118aと曲面セット118bの間、及び曲面セット1
18bと側102bの間の距離は等しくしてあるが、これ等の距離が等しい必要
はないことを当業者は認めよう。更に、セット118a及び118bの曲がりが
一次元収束を生ずる曲がりでも、又は二次元収束のを生ずる曲がりでも良いこと
を当業者は認めよう。従って、図4a及び4bに示すNxN反射スイッチングモ
ジュール100の形状では、曲面セット118aを側102aの近くに、曲面セ
ット118bを側102bに近くに移動した方が有利な場合もある。そのように
側102a及び102bと曲面セット118a及び118b間の距離を短くする
と、曲面セット118aと曲面セット118bとの間の距離は対応して長くなり
、平行四辺形状NxN反射スイッチングモジュール100が生成される。図5に
、他の実施態様である多角形状NxN反射スイッチングモジュール100を通っ
て伝搬する光ビームの光線追跡を示す。図5に示す多角形状のNxN反射スイッ
チングモジュール100も、Z字形自由空間光路を生成している。
ジュール100を通って伝搬する光ビームの光線追跡を示す。図4a及び4bに
示す矩形状収束NxN反射スイッチングモジュール100は、水平方向に細長い
Z字形自由空間光路を用いている。この図のものでは側102aと曲面セット1
18aの間、曲面セット118aと曲面セット118bの間、及び曲面セット1
18bと側102bの間の距離は等しくしてあるが、これ等の距離が等しい必要
はないことを当業者は認めよう。更に、セット118a及び118bの曲がりが
一次元収束を生ずる曲がりでも、又は二次元収束のを生ずる曲がりでも良いこと
を当業者は認めよう。従って、図4a及び4bに示すNxN反射スイッチングモ
ジュール100の形状では、曲面セット118aを側102aの近くに、曲面セ
ット118bを側102bに近くに移動した方が有利な場合もある。そのように
側102a及び102bと曲面セット118a及び118b間の距離を短くする
と、曲面セット118aと曲面セット118bとの間の距離は対応して長くなり
、平行四辺形状NxN反射スイッチングモジュール100が生成される。図5に
、他の実施態様である多角形状NxN反射スイッチングモジュール100を通っ
て伝搬する光ビームの光線追跡を示す。図5に示す多角形状のNxN反射スイッ
チングモジュール100も、Z字形自由空間光路を生成している。
【0025】
図6に、図1に示すNxN反射スイッチングモジュール100の半分、即ちそ
の右半分又は左半分のみから成る台形状反射スイッチングモジュール100を示
す。図6に示す反射スイッチングモジュール100の、図1に図示のものとの基
本的な違いは、側102aと側102b間の光路の中間にミラー120を設けた
ことのみである。ミラー120の反射率は当該光波長において出来るだけ高いの
が良く、周知のようにs反射率及びn反射率をバランスさせる。同等側102a
に対して、図6の反射スイッチングモジュール100は図1のNxN反射スイッ
チングモジュール100より数が半分少ない光ファイバ106間に光を選択的に
連結できるものであるが、図6の反射スイッチングモジュール100は光をこれ
等の光ファイバ106の任意選択対間に連結できるものである。
の右半分又は左半分のみから成る台形状反射スイッチングモジュール100を示
す。図6に示す反射スイッチングモジュール100の、図1に図示のものとの基
本的な違いは、側102aと側102b間の光路の中間にミラー120を設けた
ことのみである。ミラー120の反射率は当該光波長において出来るだけ高いの
が良く、周知のようにs反射率及びn反射率をバランスさせる。同等側102a
に対して、図6の反射スイッチングモジュール100は図1のNxN反射スイッ
チングモジュール100より数が半分少ない光ファイバ106間に光を選択的に
連結できるものであるが、図6の反射スイッチングモジュール100は光をこれ
等の光ファイバ106の任意選択対間に連結できるものである。
【0026】
図6aに、別の形式のNxN反射スイッチングモジュール100、即ち図6に
示す一般的形式の2つミラーイメージ反射スイッチングモジュールを突き合わせ
て組み立てたものを示す。図6に示す反射スイッチングモジュールの構成には、
V字を形成するようにミラー面116の組118a及び118bが配置された側
102a及び102bが備わる。図6aに示すミラー面116と側102a、1
02bの配置は、図6に示す配置にない利点がある。図6に示す配置と比べて、
組118aと側102aが2つに、即ち側102a及び102bと組118a及
び118bに分割されている。側102a及び118bと組118a及び118
bを2つの部分に分割すると、側102a及び102bと対応するミラー面11
6の組118a及び118bの間の距離が、光を2つの任意に選ばれた光ファイ
バ106間に連結のに要する偏向角を大きくしなくても、小さくなる。この配置
により、コリメータ指向公差を緩和して、光ファイバの数を多くした反射型スイ
ッチングモジュールを作ることが出来る。
示す一般的形式の2つミラーイメージ反射スイッチングモジュールを突き合わせ
て組み立てたものを示す。図6に示す反射スイッチングモジュールの構成には、
V字を形成するようにミラー面116の組118a及び118bが配置された側
102a及び102bが備わる。図6aに示すミラー面116と側102a、1
02bの配置は、図6に示す配置にない利点がある。図6に示す配置と比べて、
組118aと側102aが2つに、即ち側102a及び102bと組118a及
び118bに分割されている。側102a及び118bと組118a及び118
bを2つの部分に分割すると、側102a及び102bと対応するミラー面11
6の組118a及び118bの間の距離が、光を2つの任意に選ばれた光ファイ
バ106間に連結のに要する偏向角を大きくしなくても、小さくなる。この配置
により、コリメータ指向公差を緩和して、光ファイバの数を多くした反射型スイ
ッチングモジュールを作ることが出来る。
【0027】
図7に、ミラー120を用いて、図5のNxN反射スイッチングモジュール1
00の光路を折り返す、他の台形状NxN反射スイッチングモジュール100を
示す。光路をW字形に折り返すことにより、図1のNxN反射スイッチングモジ
ュール100よりコンパクトな反射スイッチングモジュール100ができる。
00の光路を折り返す、他の台形状NxN反射スイッチングモジュール100を
示す。光路をW字形に折り返すことにより、図1のNxN反射スイッチングモジ
ュール100よりコンパクトな反射スイッチングモジュール100ができる。
【0028】
図3に概略的に示した光ビーム108を光学設計の視点からのみ考察すると、
上記及び図2、4a、4b、5,6及び7に図示の反射スイッチングモジュール
100の種々の実施態様は主として、光ビーム108に沿うミラー面116a及
び116bの位置と、光路の折返しにおいて異なる。例えば、図4a及び4bに
示したNxN反射スイッチングモジュール100の実施態様では、最近接レンズ
から側102a−102b間の光路長の約1/3の位置にミラー面116a及び
116bが置かれる。逆に、図2、5、6及び7に示したような他の形状/構成
の反射スイッチングモジュール100では、ミラー面116a及び116bはそ
れぞれ側102a及び102bに直隣接して設けられる。だが、当業者に直ちに
理解されるように、これ等種々の構成/形状の差異、特にレンズ112に対する
ミラー面116a及び116bの位置は光学設計の他の、以下に詳述される観点
に影響する。
上記及び図2、4a、4b、5,6及び7に図示の反射スイッチングモジュール
100の種々の実施態様は主として、光ビーム108に沿うミラー面116a及
び116bの位置と、光路の折返しにおいて異なる。例えば、図4a及び4bに
示したNxN反射スイッチングモジュール100の実施態様では、最近接レンズ
から側102a−102b間の光路長の約1/3の位置にミラー面116a及び
116bが置かれる。逆に、図2、5、6及び7に示したような他の形状/構成
の反射スイッチングモジュール100では、ミラー面116a及び116bはそ
れぞれ側102a及び102bに直隣接して設けられる。だが、当業者に直ちに
理解されるように、これ等種々の構成/形状の差異、特にレンズ112に対する
ミラー面116a及び116bの位置は光学設計の他の、以下に詳述される観点
に影響する。
【0029】
光ファイバ106の端部104をそれぞれ側102a及び102bの一方又は
両方に位置付け、随伴レンズ112を、またミラー面116a及び116bを位
置付けるのに、図2、4a、4b、5、6及び7に図示のものに加えて概念とし
ては、無限数の他の可能な幾何学的配置と光路形状が存在することを、光学設計
に熟練した当業者は理解しよう。反射スイッチングモジュール100の自由空間
光路に対するかかる代替的幾何学的配置に関して、一つの配置を他の可能な配置
との比較の上で優先することは、特定の光スイッチング適用例に対する適合性、
大きさ、製作の容易性、反射スイッチングモジュール100の組立に対する機械
的誤差の緩和、信頼性、コスト等に係わる問題を巻き込む。即ち、図7に示す自
由空間光路がW字形である台形状収束ビームNxN反射スイッチングモジュール
100が、以下の理由で現在のところ優先される。 1.標準的23インチ幅通信ラック内に収まる。 2.機械的誤差が許容される。 3.光ビーム108に対して有効リレー長が長い。 4.電気ケーブルと光ケーブルのランが分離している。
両方に位置付け、随伴レンズ112を、またミラー面116a及び116bを位
置付けるのに、図2、4a、4b、5、6及び7に図示のものに加えて概念とし
ては、無限数の他の可能な幾何学的配置と光路形状が存在することを、光学設計
に熟練した当業者は理解しよう。反射スイッチングモジュール100の自由空間
光路に対するかかる代替的幾何学的配置に関して、一つの配置を他の可能な配置
との比較の上で優先することは、特定の光スイッチング適用例に対する適合性、
大きさ、製作の容易性、反射スイッチングモジュール100の組立に対する機械
的誤差の緩和、信頼性、コスト等に係わる問題を巻き込む。即ち、図7に示す自
由空間光路がW字形である台形状収束ビームNxN反射スイッチングモジュール
100が、以下の理由で現在のところ優先される。 1.標準的23インチ幅通信ラック内に収まる。 2.機械的誤差が許容される。 3.光ビーム108に対して有効リレー長が長い。 4.電気ケーブルと光ケーブルのランが分離している。
【0030】
上記のように、随伴する光ファイバ106の端部104から放出される光から
レンズが生成する光ビーム108は先ず、セット118a及び118bに備わる
捩りスキャナの一つの随伴ミラー面116に当たる。以下詳細に説明するように
、図7に示す形状のNxN反射スイッチングモジュール100ではミラー面11
6a及び116bを、捩りスキャナ32個の線ストリップ36個で構成するのが
好ましい。各ストリップ内の32個ミラー面116の全てが、実質的に同一平面
内に有るのが好ましい。例として、各ストリップ内で直隣接ミラー面116を3
.2mmの間隔で離間させれば良く、直隣接側側102a及び102bから入射
する光ビーム108に対して、ミラー面116の直隣接カラムを3.2mmの間
隔で離間させるのが好ましい。
レンズが生成する光ビーム108は先ず、セット118a及び118bに備わる
捩りスキャナの一つの随伴ミラー面116に当たる。以下詳細に説明するように
、図7に示す形状のNxN反射スイッチングモジュール100ではミラー面11
6a及び116bを、捩りスキャナ32個の線ストリップ36個で構成するのが
好ましい。各ストリップ内の32個ミラー面116の全てが、実質的に同一平面
内に有るのが好ましい。例として、各ストリップ内で直隣接ミラー面116を3
.2mmの間隔で離間させれば良く、直隣接側側102a及び102bから入射
する光ビーム108に対して、ミラー面116の直隣接カラムを3.2mmの間
隔で離間させるのが好ましい。
【0031】
また、あらゆる類のNxN反射スイッチングモジュール100に対して、光フ
ァイバ106の端部104、レンズ112及び未付勢捩りスキャナのミラー面1
16を、側102aに端部104の有る光ファイバ106から放出される光の生
成する光ビーム108が好ましくは、図2及び図7に示すミラー面116のセッ
ト118bの後ろに位置する点122bにおいて収束するように、向き付けるの
が好ましい。これに伴い、側102bに端部104の有る光ファイバ106から
放出される光ビーム108が、ミラー面116のセット118aの後ろに位置す
る点122aにおいて収束するようにする。だが、光ビーム108が収束する点
の位置は、NxN反射型スイッチングモジュール100の特定詳細による。例え
ば、図6aに示すNxN反射型スイッチングモジュール100の構成では、セッ
ト118a及び118bの分岐点の後ろに略位置する点122に光ビーム108
が収束するようにするのが好ましい。
ァイバ106の端部104、レンズ112及び未付勢捩りスキャナのミラー面1
16を、側102aに端部104の有る光ファイバ106から放出される光の生
成する光ビーム108が好ましくは、図2及び図7に示すミラー面116のセッ
ト118bの後ろに位置する点122bにおいて収束するように、向き付けるの
が好ましい。これに伴い、側102bに端部104の有る光ファイバ106から
放出される光ビーム108が、ミラー面116のセット118aの後ろに位置す
る点122aにおいて収束するようにする。だが、光ビーム108が収束する点
の位置は、NxN反射型スイッチングモジュール100の特定詳細による。例え
ば、図6aに示すNxN反射型スイッチングモジュール100の構成では、セッ
ト118a及び118bの分岐点の後ろに略位置する点122に光ビーム108
が収束するようにするのが好ましい。
【0032】
セット118a及び118bの両サイドにミラー面116を考えることにより
、収束点122が水平方向に設定される。点122は、これ等二つのミラー面1
16にそれぞれ頂点を有し、それぞれのミラー面116からミラー面116を通
って他のセット118b又は118aに辺の延びる角度をそれぞれ二分する二つ
の線の交差するところに有る。点122は垂直方向には、セット118a及び1
18bの高さの1/2のところに位置付けられる。上記の収束を生成するように
光ファイバ106の端部104、レンズ112及びミラー面116を幾何学的に
配置することにより、時計回り方向でも、反時計回り方向でも等しい回転角と、
各セット118a、118bに対するミラー面116に対して、光ビーム108
をセット118a又は118b内の一ミラー面116から他のセット118b又
は118a内のいずれかのミラー面116に反射するのに最大移動を要求する最
小の回転角が得られる。図7の構成のNxN反射スイッチングモジュール100
において、一対のミラー面116a及び116bが光ビーム108に沿って65
0mmの間隔で隔たっているとすると、ミラー面116の最大角回転は時計回り
方向及び反時計回り方向に約3.9°である。
、収束点122が水平方向に設定される。点122は、これ等二つのミラー面1
16にそれぞれ頂点を有し、それぞれのミラー面116からミラー面116を通
って他のセット118b又は118aに辺の延びる角度をそれぞれ二分する二つ
の線の交差するところに有る。点122は垂直方向には、セット118a及び1
18bの高さの1/2のところに位置付けられる。上記の収束を生成するように
光ファイバ106の端部104、レンズ112及びミラー面116を幾何学的に
配置することにより、時計回り方向でも、反時計回り方向でも等しい回転角と、
各セット118a、118bに対するミラー面116に対して、光ビーム108
をセット118a又は118b内の一ミラー面116から他のセット118b又
は118a内のいずれかのミラー面116に反射するのに最大移動を要求する最
小の回転角が得られる。図7の構成のNxN反射スイッチングモジュール100
において、一対のミラー面116a及び116bが光ビーム108に沿って65
0mmの間隔で隔たっているとすると、ミラー面116の最大角回転は時計回り
方向及び反時計回り方向に約3.9°である。
【0033】
個々の対の光ファイバ106とレンズ112を溝に挿入して側102a及び1
02bを組み立て、上記した光ビーム108の収束を生成することもできるが、
レンズ112と光ファイバ106の最大密度を図るには、穴を予め適切に穿孔さ
せた一体ブロックを用いるのが好ましい。各予備穿孔された穴が、レンズ112
の一つと、一光ファイバ106の端部104の周りに固定された光ファイバフェ
ルールを受容するようにする。光ビーム108の二次元収束のため光ファイバ1
06とレンズ112の軸合わせに要する合成角を得るには、ブロックに穿孔する
穴を適宜に向き付けるれば良い。
02bを組み立て、上記した光ビーム108の収束を生成することもできるが、
レンズ112と光ファイバ106の最大密度を図るには、穴を予め適切に穿孔さ
せた一体ブロックを用いるのが好ましい。各予備穿孔された穴が、レンズ112
の一つと、一光ファイバ106の端部104の周りに固定された光ファイバフェ
ルールを受容するようにする。光ビーム108の二次元収束のため光ファイバ1
06とレンズ112の軸合わせに要する合成角を得るには、ブロックに穿孔する
穴を適宜に向き付けるれば良い。
【0034】
図8aに、レンズ112の面138に、又は面138のできるだけ近くに焦点
が有るように製作された優先的実施態様である、円柱形状のマイクロレンズ11
2が示されている。ファイバ光学分野の当業者に良く理解されるように、光ファ
イバ106は、端部104からの反射戻りを無くすため端部104が角度をもっ
て研磨されているので、光ビーム108を光ファイバ106の中心線に対し角度
をもって放出する。端部104が角度をもっているので、端部104から放出さ
れる光ビーム108の軸は光ファイバ106の軸線から広がる。光ビーム108
をレンズ112の軸線144に合わせるため、レンズ112の面138は光ビー
ム108をレンズ112内の中心に置くように角度が付けられている。レンズ1
12の焦点が上記のように面138に有って、光ファイバ106の端部104は
光ビーム108のレイリー作用(分布)範囲、例えば面138から50〜60ミ
クロンに位置付けられている。レンズ112の円柱面136は広がった光ビーム
108を収容するに充分な直径を有するようにしてあり、この光ビームは準平行
光ビーム108として凸面142を通ってレンズ112を出射する。
が有るように製作された優先的実施態様である、円柱形状のマイクロレンズ11
2が示されている。ファイバ光学分野の当業者に良く理解されるように、光ファ
イバ106は、端部104からの反射戻りを無くすため端部104が角度をもっ
て研磨されているので、光ビーム108を光ファイバ106の中心線に対し角度
をもって放出する。端部104が角度をもっているので、端部104から放出さ
れる光ビーム108の軸は光ファイバ106の軸線から広がる。光ビーム108
をレンズ112の軸線144に合わせるため、レンズ112の面138は光ビー
ム108をレンズ112内の中心に置くように角度が付けられている。レンズ1
12の焦点が上記のように面138に有って、光ファイバ106の端部104は
光ビーム108のレイリー作用(分布)範囲、例えば面138から50〜60ミ
クロンに位置付けられている。レンズ112の円柱面136は広がった光ビーム
108を収容するに充分な直径を有するようにしてあり、この光ビームは準平行
光ビーム108として凸面142を通ってレンズ112を出射する。
【0035】
レンズ112と光ファイバ106の端部104のこの構成により、光ビーム1
08はレンズ112の凸面142においてレンズ112の軸線144に中心が置
かれ、準平行光ビーム108が軸線144と本質的に平行に向き付けられる。上
記レンズ112に対しては、通常の製造公差でも、レンズ112の軸線144か
らの、光ビーム108の出射角のずれとオフセットは許容範囲に有る。例えば、
レンズ112をBK7光学ガラスで製作し、光ファイバ106の端部104に8
°の角度を与えると、レンズ112内の光ビーム108の角度は6.78°にな
り、軸線144からの側方オフセットは面138でも、また面138から140
mmのところでも50ミクロン未満である。このレンズ112はLightPa
th Technologies,Inc.により市販されているGradiu
m材料で作るのが好ましい。
08はレンズ112の凸面142においてレンズ112の軸線144に中心が置
かれ、準平行光ビーム108が軸線144と本質的に平行に向き付けられる。上
記レンズ112に対しては、通常の製造公差でも、レンズ112の軸線144か
らの、光ビーム108の出射角のずれとオフセットは許容範囲に有る。例えば、
レンズ112をBK7光学ガラスで製作し、光ファイバ106の端部104に8
°の角度を与えると、レンズ112内の光ビーム108の角度は6.78°にな
り、軸線144からの側方オフセットは面138でも、また面138から140
mmのところでも50ミクロン未満である。このレンズ112はLightPa
th Technologies,Inc.により市販されているGradiu
m材料で作るのが好ましい。
【0036】
図8bに他の実施態様である、レンズ112と光ファイバ106を共に、より
近接して側102a及び102bにおいて離間できると云う利点の有る「シャン
パンコルク」形状のマイクロレンズ112が示されている。このレンズ112に
は、図9に示す円錐形状の光ファイバコリメータ組立体134により受容される
小径面132が備わる。この光ファイバコリメータ組立体134からは、大径面
136が突出する。このシャンパンコルク形状のマイクロレンズ112を製作す
るには、図8aに示したレンズ112の一部を研削加工で除去すれば良い。
近接して側102a及び102bにおいて離間できると云う利点の有る「シャン
パンコルク」形状のマイクロレンズ112が示されている。このレンズ112に
は、図9に示す円錐形状の光ファイバコリメータ組立体134により受容される
小径面132が備わる。この光ファイバコリメータ組立体134からは、大径面
136が突出する。このシャンパンコルク形状のマイクロレンズ112を製作す
るには、図8aに示したレンズ112の一部を研削加工で除去すれば良い。
【0037】
図9に示すように、図8aの円筒形状レンズ112又は図8bのシャンパンコ
ルク形状のマイクロレンズ112を受容するのに加えて、各光ファイバコリメー
タ組立体134は光ファイバ106の端部104の周りに固定された通常の光フ
ァイバフェルール146を受容する栓受を提供する。反射スイッチングモジュー
ル100の両側102a及び102bにそれぞれ配置された収束ブロック152
を、光ファイバ106の数Nと数が等しい、図10に示すような複数の円錐形状
の穴154が貫通している。光ビーム108の収束は上記のように、光ファイバ
コリメータ組立体134を穴154に挿入して軸合わせすることによってなされ
る。光ファイバコリメータ組立体134と穴154とは同一の材料から、数°の
角度で先細る同一形状の嵌合する面をもつように形成するのが好ましい。このよ
うに構成され、光ファイバ106を保持する光ファイバコリメータ組立体134
の全てが嵌合穴154に収まると、光ファイバコリメータ組立体134は収束ブ
ロック152に固定されるようになり、準平行光ビーム108が伝搬する反射ス
イッチングモジュール100の内部を気密にシールする。
ルク形状のマイクロレンズ112を受容するのに加えて、各光ファイバコリメー
タ組立体134は光ファイバ106の端部104の周りに固定された通常の光フ
ァイバフェルール146を受容する栓受を提供する。反射スイッチングモジュー
ル100の両側102a及び102bにそれぞれ配置された収束ブロック152
を、光ファイバ106の数Nと数が等しい、図10に示すような複数の円錐形状
の穴154が貫通している。光ビーム108の収束は上記のように、光ファイバ
コリメータ組立体134を穴154に挿入して軸合わせすることによってなされ
る。光ファイバコリメータ組立体134と穴154とは同一の材料から、数°の
角度で先細る同一形状の嵌合する面をもつように形成するのが好ましい。このよ
うに構成され、光ファイバ106を保持する光ファイバコリメータ組立体134
の全てが嵌合穴154に収まると、光ファイバコリメータ組立体134は収束ブ
ロック152に固定されるようになり、準平行光ビーム108が伝搬する反射ス
イッチングモジュール100の内部を気密にシールする。
【0038】
収束ブロック152はステンレススチール等の金属単一片を加工して、又はセ
ラミックから作ることができる。或いは、収束ブロック152は耐食性のため適
宜メッキされたKovar、42%ニッケル−鉄合金、チタン(Ti)、タング
ステン(W)又はモリブデン(Mo)から成っても良い。これ等の材料は全て、
膨張係数がレンズ112のものに略マッチするものであり、レンズ112がその
動作環境で加熱又は冷却されるとき、起こりうる複屈折効果を最小にする。
ラミックから作ることができる。或いは、収束ブロック152は耐食性のため適
宜メッキされたKovar、42%ニッケル−鉄合金、チタン(Ti)、タング
ステン(W)又はモリブデン(Mo)から成っても良い。これ等の材料は全て、
膨張係数がレンズ112のものに略マッチするものであり、レンズ112がその
動作環境で加熱又は冷却されるとき、起こりうる複屈折効果を最小にする。
【0039】
光ファイバ106とレンズ112を側102a及び102bの各々で適宜向き
付けることにより収束を与える上記の優先方法に加えて、一次元(1D)又は二
次元(2D)収束は他の方法でなされても良い。例えば、光ファイバ106とレ
ンズ112の構成で或る程度の収束を与え、光ビーム108が最初に当たるミラ
ー面116の配置で収束の残部を得るようにしても良い。例えば、各カラムのミ
ラー面116を円柱(円筒)面に沿って配置しても良い。或いは、図4a及び4
bに示すように、収束が全く無いように光ファイバ106とレンズ112を配置
し、即ち光ビーム108が側102a及び102bから第一のミラー面116ま
で平行して伝搬するようにし、収束の全てを与えるようにミラー面116を配置
しても良い。例えば、各カラムのミラー面116aが球面に沿うようにする。更
に、光ファイバ106、レンズ112及びミラー面116のセット118a及び
118bがセット118a及び118bの後ろに又はセット118a及び118
bにおいて収束を作るようにしても良い。光ビーム108の収束を整えるこれ等
種々の代替的方法に関して、一つの方法を他の可能な方法と比較して選ぼうとす
ると、製作の容易さ、反射スイッチングモジュール100の組み立てにおける公
差の緩和、信頼性、コスト等に関係する問題を通常巻き込むことになる。
付けることにより収束を与える上記の優先方法に加えて、一次元(1D)又は二
次元(2D)収束は他の方法でなされても良い。例えば、光ファイバ106とレ
ンズ112の構成で或る程度の収束を与え、光ビーム108が最初に当たるミラ
ー面116の配置で収束の残部を得るようにしても良い。例えば、各カラムのミ
ラー面116を円柱(円筒)面に沿って配置しても良い。或いは、図4a及び4
bに示すように、収束が全く無いように光ファイバ106とレンズ112を配置
し、即ち光ビーム108が側102a及び102bから第一のミラー面116ま
で平行して伝搬するようにし、収束の全てを与えるようにミラー面116を配置
しても良い。例えば、各カラムのミラー面116aが球面に沿うようにする。更
に、光ファイバ106、レンズ112及びミラー面116のセット118a及び
118bがセット118a及び118bの後ろに又はセット118a及び118
bにおいて収束を作るようにしても良い。光ビーム108の収束を整えるこれ等
種々の代替的方法に関して、一つの方法を他の可能な方法と比較して選ぼうとす
ると、製作の容易さ、反射スイッチングモジュール100の組み立てにおける公
差の緩和、信頼性、コスト等に関係する問題を通常巻き込むことになる。
【0040】
前記したように単一金属片を加工して光ビーム108を収束させる収束ブロッ
ク152を作製すると云うことは、個々の穴154が互いに合成複合角下になる
ことを意味する。各光ファイバ・コリメータ組立体134から放出される光ビー
ム108は、レンズ112直前のミラー面116に直接当たるように配向されな
ければならない。光ビーム108がミラー面116を僅かでも逸すると、光ビー
ム108は反射型スイッチングモジュール100を通る間に実質的パワー量を失
う。実際、特定のレンズ112から放出された光ビーム108と対応するミラー
面116との間にミスアラインメントが生ずると、光ファイバ106が不作動に
なることがある。従って、各光ビーム108と対応するミラー面116とのアラ
インメントは、反射型スイッチングモジュール100が適切に動作するために必
須である。
ク152を作製すると云うことは、個々の穴154が互いに合成複合角下になる
ことを意味する。各光ファイバ・コリメータ組立体134から放出される光ビー
ム108は、レンズ112直前のミラー面116に直接当たるように配向されな
ければならない。光ビーム108がミラー面116を僅かでも逸すると、光ビー
ム108は反射型スイッチングモジュール100を通る間に実質的パワー量を失
う。実際、特定のレンズ112から放出された光ビーム108と対応するミラー
面116との間にミスアラインメントが生ずると、光ファイバ106が不作動に
なることがある。従って、各光ビーム108と対応するミラー面116とのアラ
インメントは、反射型スイッチングモジュール100が適切に動作するために必
須である。
【0041】
前記のように、各光ファイバ106の端部104は、光ファイバ106から放
出される光ビーム108のレイリー・レンジをレンズ112の商店距離に加えた
位置に位置付けられる。レンズ112は通常、より多い芯だし誤差[centr
ation error]を示す。更に、レンズ112と光ファイバ・コリメー
タ組立体134のばらつきのため、レンズ112の軸線144が光ファイバ10
6に対して僅かに傾くこともある。フェルール146とレンズ112がミスアラ
インすることもある。これら全ての理由で、図9及び10に示す構造の代替とな
り、且つレンズ112の位置と向きを調節できる構造が極めて望ましい。
出される光ビーム108のレイリー・レンジをレンズ112の商店距離に加えた
位置に位置付けられる。レンズ112は通常、より多い芯だし誤差[centr
ation error]を示す。更に、レンズ112と光ファイバ・コリメー
タ組立体134のばらつきのため、レンズ112の軸線144が光ファイバ10
6に対して僅かに傾くこともある。フェルール146とレンズ112がミスアラ
インすることもある。これら全ての理由で、図9及び10に示す構造の代替とな
り、且つレンズ112の位置と向きを調節できる構造が極めて望ましい。
【0042】
通常は、レンズ112と光ファイバ106を受容する穴154を固体材料に穿
孔して、図10aに示すように収束ブロック152を形成する。代替的収束ブロ
ック152を得るためにはその面156が、穴154の穿孔後、穴154を通し
て種々の方向にレンズ112の長さより僅かに大きい深さまでスリット加工され
る。スリット加工後、各穴154の周り、面156から材料除去が行われるよう
にして、図10bに示すように3個の円弧状の変形可能なポスト1577で各レ
ンズ112が保持されるようにすることが出来る。これにより、収束ブロック1
52とモノリシックに一体となって、それから外側に突出し、塑性変形自在なレ
ンズ112の取り付け具が得られる。
孔して、図10aに示すように収束ブロック152を形成する。代替的収束ブロ
ック152を得るためにはその面156が、穴154の穿孔後、穴154を通し
て種々の方向にレンズ112の長さより僅かに大きい深さまでスリット加工され
る。スリット加工後、各穴154の周り、面156から材料除去が行われるよう
にして、図10bに示すように3個の円弧状の変形可能なポスト1577で各レ
ンズ112が保持されるようにすることが出来る。これにより、収束ブロック1
52とモノリシックに一体となって、それから外側に突出し、塑性変形自在なレ
ンズ112の取り付け具が得られる。
【0043】
レンズ112ははじめに、好ましくはインパクト芯だしを用いて、収束ブロッ
ク152に固定される。インパクト芯出しの間、ポスト157はレンズ112の
周りを流れ、レンズ112を固定する。次いで、各々が一つの光ファイバ106
の端部104を担持するフェルール146が収束ブロック152の個々の穴15
4に挿入される。次いで、フェルール146は穴154内で長さ方向に調整され
、通常ミラー面116の両セット118の中間にある反射型スイッチングモジュ
ール100内の適切な箇所に各光ビーム108が収束するようにする。この収束
後、各フェルール146は次に、収束ブロック152に好ましくはインパクト(
衝撃)固定される。光ファイバ106を衝撃取り付けするこのシステムにより、
フェルール146と光ファイバ106との同心度が2ミクロンのアラインメント
を生ずることが出来る。フェルール146と光ファイバ106との同心度を、数
ミクロンに保持しても良い。
ク152に固定される。インパクト芯出しの間、ポスト157はレンズ112の
周りを流れ、レンズ112を固定する。次いで、各々が一つの光ファイバ106
の端部104を担持するフェルール146が収束ブロック152の個々の穴15
4に挿入される。次いで、フェルール146は穴154内で長さ方向に調整され
、通常ミラー面116の両セット118の中間にある反射型スイッチングモジュ
ール100内の適切な箇所に各光ビーム108が収束するようにする。この収束
後、各フェルール146は次に、収束ブロック152に好ましくはインパクト(
衝撃)固定される。光ファイバ106を衝撃取り付けするこのシステムにより、
フェルール146と光ファイバ106との同心度が2ミクロンのアラインメント
を生ずることが出来る。フェルール146と光ファイバ106との同心度を、数
ミクロンに保持しても良い。
【0044】
レンズ112と光ファイバ106がこのように収束ブロック152に固定され
たら、レンズ112の各々を保持するポスト157を変形させ、各レンズ112
が対応する光ファイバ106に正確にアラインメントするようにする。このアラ
インメントの間に、レンズ112から放出される光ビーム108が、指示ポスト
57を塑性変形して光ビーム108を配向しながら、カメラ又は他の手段で監視
される。このようにして、各レンズ112を傾動、変位させ、それより放出され
る光ビーム108がレンズ112の直前にあるミラー面116に直接当たるよう
にする。
たら、レンズ112の各々を保持するポスト157を変形させ、各レンズ112
が対応する光ファイバ106に正確にアラインメントするようにする。このアラ
インメントの間に、レンズ112から放出される光ビーム108が、指示ポスト
57を塑性変形して光ビーム108を配向しながら、カメラ又は他の手段で監視
される。このようにして、各レンズ112を傾動、変位させ、それより放出され
る光ビーム108がレンズ112の直前にあるミラー面116に直接当たるよう
にする。
【0045】
殆どの(遠隔)通信設備において、光ファイバを一般に二重対(複式)として
、即ち一つのファイバが一方向通信を運び、他のファイバが他方向通信を運ぶ構
成で適合させている。光を二つの二重対光ファイバに連結するのに適し、一対を
成す二つの光ファイバを一つのフェルールに固定するコネクタが現在入手可能で
ある。二重対を成す両光ファイバは同時に切り換えられるから、また反射スイッ
チングモジュール100は何れかの方向の光を、一方がそれぞれ側102aに有
り、他方が側102bに或る一対の光ファイバ106間に連結できるから、レン
ズ112を二重対の光ファイバ106との使用に適宜適合させることにより、単
一対のミラー面116a及び116bを用いて、二重対を成す二つの光ファイバ
106においてそれぞれ反対方向に運ばれる光を切り換えることができる。
、即ち一つのファイバが一方向通信を運び、他のファイバが他方向通信を運ぶ構
成で適合させている。光を二つの二重対光ファイバに連結するのに適し、一対を
成す二つの光ファイバを一つのフェルールに固定するコネクタが現在入手可能で
ある。二重対を成す両光ファイバは同時に切り換えられるから、また反射スイッ
チングモジュール100は何れかの方向の光を、一方がそれぞれ側102aに有
り、他方が側102bに或る一対の光ファイバ106間に連結できるから、レン
ズ112を二重対の光ファイバ106との使用に適宜適合させることにより、単
一対のミラー面116a及び116bを用いて、二重対を成す二つの光ファイバ
106においてそれぞれ反対方向に運ばれる光を切り換えることができる。
【0046】
図11に、反射スイッチングモジュール100に用いられ、二重対の光ファイ
バ106a及び106bを同時に切り換えるレンズ112が示されている。図1
1に示されているように、二重対の光ファイバ106a及び106bを二重光フ
ァイバフェルール146が保持している光ファイバ106a及び106bの端部
104a及び104bとレンズ112の面138a及び138bは皆、角度をも
って研磨されている。面138a及び138bの角度は光ファイバ106a及び
106bの軸外れ位置を補償して、光ファイバ106a及び106bから面13
8a及び138bに当たる光ビーム108a及び108bが準平行ビームとなっ
て、軸線144に平行且つ軸線144から僅かにオフセット(心違い)して凸面
142を出、そのように反射スイッチングモジュール100を通って伝搬する。
両光ビーム108a及び108bは同じ対のミラー面116a及び116bに当
たるが、これ等ミラー面は両光ビーム108a及び108bを同時に反射させる
に充分な程度まで大きい。これ等二つの準平行光ビーム108a及び108bが
反射スイッチングモジュール100の側102a又は102bに或る他の同一構
成のレンズ112と二重対の光ファイバ106に当たると、そこに位置するレン
ズ112が光ビーム108a及び108bを二重対を成すそれぞれの光ファイバ
106に連結する。
バ106a及び106bを同時に切り換えるレンズ112が示されている。図1
1に示されているように、二重対の光ファイバ106a及び106bを二重光フ
ァイバフェルール146が保持している光ファイバ106a及び106bの端部
104a及び104bとレンズ112の面138a及び138bは皆、角度をも
って研磨されている。面138a及び138bの角度は光ファイバ106a及び
106bの軸外れ位置を補償して、光ファイバ106a及び106bから面13
8a及び138bに当たる光ビーム108a及び108bが準平行ビームとなっ
て、軸線144に平行且つ軸線144から僅かにオフセット(心違い)して凸面
142を出、そのように反射スイッチングモジュール100を通って伝搬する。
両光ビーム108a及び108bは同じ対のミラー面116a及び116bに当
たるが、これ等ミラー面は両光ビーム108a及び108bを同時に反射させる
に充分な程度まで大きい。これ等二つの準平行光ビーム108a及び108bが
反射スイッチングモジュール100の側102a又は102bに或る他の同一構
成のレンズ112と二重対の光ファイバ106に当たると、そこに位置するレン
ズ112が光ビーム108a及び108bを二重対を成すそれぞれの光ファイバ
106に連結する。
【0047】捩りミラーの構成
上記のように、セット118a及び118bのミラー面116a及び116b
を前記790特許に記載された形式の静電付勢二次元(2D)で構成するのが好
ましい。此処に引用に挿入する米国特許出願第08/885883号(出願日:
1997年5月12日)及び特許文献WO98/44571は、優先的2D捩り
スキャナに関して更なるより詳細な情報を提供している。ミラー面116を二つ
の平行でない軸の周りに回転させることのできるヒンジには、此処に引用により
挿入する米国特許第5648618号(以下、618特許)に開示された形式の
捩りセンサが備わる。ヒンジに備わる捩りセンサによって、被覆されてミラー面
116を提供する第2のフレーム又はプレートの、それぞれ第一のフレーム又は
第2のフレームに対する回転が測定される。
を前記790特許に記載された形式の静電付勢二次元(2D)で構成するのが好
ましい。此処に引用に挿入する米国特許出願第08/885883号(出願日:
1997年5月12日)及び特許文献WO98/44571は、優先的2D捩り
スキャナに関して更なるより詳細な情報を提供している。ミラー面116を二つ
の平行でない軸の周りに回転させることのできるヒンジには、此処に引用により
挿入する米国特許第5648618号(以下、618特許)に開示された形式の
捩りセンサが備わる。ヒンジに備わる捩りセンサによって、被覆されてミラー面
116を提供する第2のフレーム又はプレートの、それぞれ第一のフレーム又は
第2のフレームに対する回転が測定される。
【0048】
上記特許、特許文献及び特許出願に記載されているように、捩りスキャナを製
作するには、Simox、シリコンオンインシュレータ又は結合シリコンウェー
ハ基体を用いて単結晶シリコンを微細加工するのが好ましい。かかるウェーハ基
体は、極めて平坦な、厚みが数ミクロンに過ぎない応力無残留の、ミラー面11
6を支持する膜の製作をも可能にするから、捩りスキャナの特に優先される出発
原料である。図12に示すように、シリコンオンインシュレータ(SOI)ウェ
ーハ162には、単結晶シリコン層166及び168を隔離する電気的絶縁性二
酸化シリコン層164が備わる。捩りバーと、捩りスキャナのミラー面116を
保持するプレートがより薄いデバイスシリコン層166に形成される一方、捩り
スキャナの他の部分はより厚いハンドルシリコン層168に裏側エッチングによ
り形成される。微細加工技術の習熟者に良く知られているように、デバイスシリ
コン層166には、ハンドルシリコン層168から最も離れた表側169と、二
酸化シリコン層164に接する裏側170が有る。中間二酸化シリコン層164
がウェーハ162をその裏側からエッチングするための完全エッチストップを提
供し、厚みの均一な捩りバーとプレートを生成する。
作するには、Simox、シリコンオンインシュレータ又は結合シリコンウェー
ハ基体を用いて単結晶シリコンを微細加工するのが好ましい。かかるウェーハ基
体は、極めて平坦な、厚みが数ミクロンに過ぎない応力無残留の、ミラー面11
6を支持する膜の製作をも可能にするから、捩りスキャナの特に優先される出発
原料である。図12に示すように、シリコンオンインシュレータ(SOI)ウェ
ーハ162には、単結晶シリコン層166及び168を隔離する電気的絶縁性二
酸化シリコン層164が備わる。捩りバーと、捩りスキャナのミラー面116を
保持するプレートがより薄いデバイスシリコン層166に形成される一方、捩り
スキャナの他の部分はより厚いハンドルシリコン層168に裏側エッチングによ
り形成される。微細加工技術の習熟者に良く知られているように、デバイスシリ
コン層166には、ハンドルシリコン層168から最も離れた表側169と、二
酸化シリコン層164に接する裏側170が有る。中間二酸化シリコン層164
がウェーハ162をその裏側からエッチングするための完全エッチストップを提
供し、厚みの均一な捩りバーとプレートを生成する。
【0049】
図13に、反射スイッチングモジュール100のミラー面116を提供するの
に適した静電付勢2D捩りスキャナ172の単体が示されている。捩りスキャナ
172には外側基準フレーム174が備わり、これに直径の反対側にあって対向
する一対の外側捩り撓みヒンジ176が連結されている。捩り撓みヒンジ176
は内側移動フレーム178を、それが捩り撓みヒンジ176の設定する軸を中心
として回転するように支持している。直径の反対側にあって対向する一対の内側
スロット付き捩りバーヒンジ182が中央プレート184を内側移動プレート1
78に連結し、それが捩り撓みヒンジ182の設定する軸を中心として回転する
ようにしている。捩り撓みヒンジ176と捩りバーヒンジ182がそれぞれ設定
する軸は非平行で、好ましくは垂直である。
に適した静電付勢2D捩りスキャナ172の単体が示されている。捩りスキャナ
172には外側基準フレーム174が備わり、これに直径の反対側にあって対向
する一対の外側捩り撓みヒンジ176が連結されている。捩り撓みヒンジ176
は内側移動フレーム178を、それが捩り撓みヒンジ176の設定する軸を中心
として回転するように支持している。直径の反対側にあって対向する一対の内側
スロット付き捩りバーヒンジ182が中央プレート184を内側移動プレート1
78に連結し、それが捩り撓みヒンジ182の設定する軸を中心として回転する
ようにしている。捩り撓みヒンジ176と捩りバーヒンジ182がそれぞれ設定
する軸は非平行で、好ましくは垂直である。
【0050】
注目すべき重要なことは、捩りスキャナ172のプレート184が矩形であり
、その長辺がその高さより約1.4倍広く成形してあることである。反射スイッ
チングモジュール100に含まれるプレート184は、それにより保持されるミ
ラー面116に光ビーム108が斜めに45°の角度で入射するから、矩形をし
ている。従って、ミラー面116から反射する光ビーム10に対しては、矩形成
形プレート184は事実上、方形になる。プレート184は好ましくは2.5m
mx1.9mmであって、厚みは内側移動フレーム178や捩り撓みヒンジ17
6及び捩りバーヒンジ182と同様、通常5〜15ミクロンである。捩り撓みヒ
ンジ176及び捩りバーヒンジ182は長さが200〜400ミクロンで、幅が
10〜40ミクロンである。両軸上の共振振動数は、光ビーム108を二つの光
ファイバ106間で約1〜5ミリ秒内に切り換えできる400〜800Hzであ
る。プレート184の表側169と裏側170は何れも同一の金属接着層、好ま
しくは10.0〜100.0Åのチタン(Ti)又はジルコニウム(Zr)、そ
の上に500〜800Åの金(Au)から成る金属反射層で完全応力平衡状態に
被覆される。
、その長辺がその高さより約1.4倍広く成形してあることである。反射スイッ
チングモジュール100に含まれるプレート184は、それにより保持されるミ
ラー面116に光ビーム108が斜めに45°の角度で入射するから、矩形をし
ている。従って、ミラー面116から反射する光ビーム10に対しては、矩形成
形プレート184は事実上、方形になる。プレート184は好ましくは2.5m
mx1.9mmであって、厚みは内側移動フレーム178や捩り撓みヒンジ17
6及び捩りバーヒンジ182と同様、通常5〜15ミクロンである。捩り撓みヒ
ンジ176及び捩りバーヒンジ182は長さが200〜400ミクロンで、幅が
10〜40ミクロンである。両軸上の共振振動数は、光ビーム108を二つの光
ファイバ106間で約1〜5ミリ秒内に切り換えできる400〜800Hzであ
る。プレート184の表側169と裏側170は何れも同一の金属接着層、好ま
しくは10.0〜100.0Åのチタン(Ti)又はジルコニウム(Zr)、そ
の上に500〜800Åの金(Au)から成る金属反射層で完全応力平衡状態に
被覆される。
【0051】
図14aに更に詳細に示す捩り撓みヒンジ176はこれまでの無折返し捩りバ
ーと比較して、種々の利点を提供する。此処に引用により挿入する米国特許出願
第09/388772号及びPCT出願公報WO00/13210(出願日:1
999年9月2日、発明の名称:捩り撓みヒンジで連結されて相対的に回転する
微細加工部材、発明者:ティモシー・ジー・レーター及びアーモマンド・ピー・
ニューカーマンズ)には、捩り撓みヒンジ176及び捩りバーヒンジ182が提
供する種々の利点が記載されている。反射スイッチングモジュール100に対し
て極めて重要なものは、捩り撓みヒンジ176が同等の捩りバネ常数を有する従
来の無折返し捩りバーよりコンパクトであることである。
ーと比較して、種々の利点を提供する。此処に引用により挿入する米国特許出願
第09/388772号及びPCT出願公報WO00/13210(出願日:1
999年9月2日、発明の名称:捩り撓みヒンジで連結されて相対的に回転する
微細加工部材、発明者:ティモシー・ジー・レーター及びアーモマンド・ピー・
ニューカーマンズ)には、捩り撓みヒンジ176及び捩りバーヒンジ182が提
供する種々の利点が記載されている。反射スイッチングモジュール100に対し
て極めて重要なものは、捩り撓みヒンジ176が同等の捩りバネ常数を有する従
来の無折返し捩りバーよりコンパクトであることである。
【0052】
図14bにより詳細に示す捩りバーヒンジ182は外面上、従来の捩りバーヒ
ンジに似ている。だが、従来の捩りバーヒンジとは異なり、捩りバーヒンジ18
2には、捩りバーヒンジ182の長さに平行に向いた数個の、例えば4個または
5個の縦方向スリット186が貫通している。捩り撓みヒンジ176と同様に、
捩りバーヒンジ182は捩りバネ常数が同等の従来の一体捩りバーよりコンパク
トである。だが、米国特許5629790に開示されている通り、捩りバーヒン
ジ182は主よじり振動モードと高次モードとが捩り撓みヒンジ176より分離
している。更に、捩りバーヒンジ182はプレート184に直角な方向の剛性が
捩り撓みヒンジ176よりずっと大きい。従って、従来の折返しの無い捩りバー
の代わりに捩り撓みヒンジ176と捩りバーヒンジ182を用いることにより、
より密に充填が可能なよじりスキャナ172をより小型に出来、それにより反射
型スイッチングモジュール100の側102a及び102bに収容される光ファ
イバ106の数を多くすることも出来る。
ンジに似ている。だが、従来の捩りバーヒンジとは異なり、捩りバーヒンジ18
2には、捩りバーヒンジ182の長さに平行に向いた数個の、例えば4個または
5個の縦方向スリット186が貫通している。捩り撓みヒンジ176と同様に、
捩りバーヒンジ182は捩りバネ常数が同等の従来の一体捩りバーよりコンパク
トである。だが、米国特許5629790に開示されている通り、捩りバーヒン
ジ182は主よじり振動モードと高次モードとが捩り撓みヒンジ176より分離
している。更に、捩りバーヒンジ182はプレート184に直角な方向の剛性が
捩り撓みヒンジ176よりずっと大きい。従って、従来の折返しの無い捩りバー
の代わりに捩り撓みヒンジ176と捩りバーヒンジ182を用いることにより、
より密に充填が可能なよじりスキャナ172をより小型に出来、それにより反射
型スイッチングモジュール100の側102a及び102bに収容される光ファ
イバ106の数を多くすることも出来る。
【0053】
反射スイッチングモジュール100に含まれる各捩りスキャナ172には前記
618特許に記載された形式の一対の捩りセンサ192a及び192bが備わる
。捩りセンサ192a及び192bにより、被支持部材、即ちプレート184又
は内側移動フレーム178の、支持部材、即ち内側移動フレーム178又は外側
基準フレーム174に対する向きが約1.0マイクロラジアンの理論的解像度で
測定される。前記618特許の記載に従い、捩りスキャナ172が反射スイッチ
ングモジュール100内で動作しているとき、電流が一対のセンサ電流パッド1
94aと194bの間の二つの捩りセンサ192a及び192bを通して直列に
流れる。従って、捩りスキャナ172には、デバイスシリコン層166の表側1
69に接合された蛇行金属導体196が備わる。センサ電流パッド194aに始
まり、蛇行金属導体196は外側基準フレーム174から内側移動フレーム17
8に向かって直隣接捩り撓みヒンジ176を横断し、下部捩りバーヒンジ182
内に位置付けられたX軸捩りセンサ192bに達する。X軸捩りセンサ192b
から蛇行金属導体196は、プレート184の両側に付けられてミラー面116
を提供する反射性応力平衡金属被膜に進み、プレート184と上部捩りバーヒン
ジ182を横切って内側移動フレーム178に戻る。蛇行金属導体196は次い
で、左手捩り撓みヒンジ176内に位置付けられているY軸捩りセンサ192に
達する。Y軸捩りセンサ192aから、蛇行金属導体196は次いで外側基準フ
レーム174を回ってセンサ電流パッド194bに至る。右手捩り撓みヒンジ1
76に跨って蛇行金属導体196の反対側に、且つ内側移動フレーム178上に
配置された金属導体が一対の内側ヒンジセンサパッド198a及び198bをX
軸捩りセンサ192bに接続する。同様に、一方が外側基準フレーム174上に
蛇行金属導体196に沿って配置され、他方が外側基準フレーム174上の捩り
スキャナ172の反対側を回る金属導体が一対の内側ヒンジセンサパッド202
a及び202bをY軸捩りセンサ192aに接続している。内側ヒンジセンサパ
ッド198a及び198bの反対側のデバイスシリコン層166のみを通して着
られた一対の溝204が、センサ電流パッド194aと内側ヒンジセンサパッド
198a及び198b間、またセンサ電流パッド194bと内側ヒンジセンサパ
ッド202a及び202b間の電気的アイソレーションを増大している。
618特許に記載された形式の一対の捩りセンサ192a及び192bが備わる
。捩りセンサ192a及び192bにより、被支持部材、即ちプレート184又
は内側移動フレーム178の、支持部材、即ち内側移動フレーム178又は外側
基準フレーム174に対する向きが約1.0マイクロラジアンの理論的解像度で
測定される。前記618特許の記載に従い、捩りスキャナ172が反射スイッチ
ングモジュール100内で動作しているとき、電流が一対のセンサ電流パッド1
94aと194bの間の二つの捩りセンサ192a及び192bを通して直列に
流れる。従って、捩りスキャナ172には、デバイスシリコン層166の表側1
69に接合された蛇行金属導体196が備わる。センサ電流パッド194aに始
まり、蛇行金属導体196は外側基準フレーム174から内側移動フレーム17
8に向かって直隣接捩り撓みヒンジ176を横断し、下部捩りバーヒンジ182
内に位置付けられたX軸捩りセンサ192bに達する。X軸捩りセンサ192b
から蛇行金属導体196は、プレート184の両側に付けられてミラー面116
を提供する反射性応力平衡金属被膜に進み、プレート184と上部捩りバーヒン
ジ182を横切って内側移動フレーム178に戻る。蛇行金属導体196は次い
で、左手捩り撓みヒンジ176内に位置付けられているY軸捩りセンサ192に
達する。Y軸捩りセンサ192aから、蛇行金属導体196は次いで外側基準フ
レーム174を回ってセンサ電流パッド194bに至る。右手捩り撓みヒンジ1
76に跨って蛇行金属導体196の反対側に、且つ内側移動フレーム178上に
配置された金属導体が一対の内側ヒンジセンサパッド198a及び198bをX
軸捩りセンサ192bに接続する。同様に、一方が外側基準フレーム174上に
蛇行金属導体196に沿って配置され、他方が外側基準フレーム174上の捩り
スキャナ172の反対側を回る金属導体が一対の内側ヒンジセンサパッド202
a及び202bをY軸捩りセンサ192aに接続している。内側ヒンジセンサパ
ッド198a及び198bの反対側のデバイスシリコン層166のみを通して着
られた一対の溝204が、センサ電流パッド194aと内側ヒンジセンサパッド
198a及び198b間、またセンサ電流パッド194bと内側ヒンジセンサパ
ッド202a及び202b間の電気的アイソレーションを増大している。
【0054】
図15に示すように、プレート184の回転を付勢するのに用いられる両電極
214と、図15には示されていないセンサ電流パッド194a及び194、内
側ヒンジセンサパッド198a及び198b及び内側ヒンジセンサパッド202
a及び202bの電気接点を保持する絶縁性基体212にプレート184の表側
169が面しているので、プレート184の裏側170がミラー面116を提供
するようにすることが好ましい。各捩りスキャナ172のプレート184は基体
212から図15に示されていないスペーサにより、例えば40〜150ミクロ
ンの距離、隔てられている。このプレート184と基体212間の隔たりは、プ
レート184の回転中にその縁部がどの程度動くかによる。
214と、図15には示されていないセンサ電流パッド194a及び194、内
側ヒンジセンサパッド198a及び198b及び内側ヒンジセンサパッド202
a及び202bの電気接点を保持する絶縁性基体212にプレート184の表側
169が面しているので、プレート184の裏側170がミラー面116を提供
するようにすることが好ましい。各捩りスキャナ172のプレート184は基体
212から図15に示されていないスペーサにより、例えば40〜150ミクロ
ンの距離、隔てられている。このプレート184と基体212間の隔たりは、プ
レート184の回転中にその縁部がどの程度動くかによる。
【0055】
反射スイッチングモジュール100に対しては、厚みが数ミクロンに過ぎない
極めて薄いプレート184が望ましく、ウェーハ162のデバイスシリコン層1
66を用いてその製作が可能なことに注目しよう。多くの場合、プレート184
と捩り撓みヒンジ176及び182はデバイスシリコン層166と同じ厚さで良
い。或いはまた、図15に示すように、捩り撓みヒンジ182はエッチングによ
り薄化が可能である。例えば、捩り撓みヒンジ182を厚み6ミクロン、プレー
ト184を厚み10ミクロンとすることができる。同様に、プレート184を薄
くしてその慣性モーメントを小さくするには、エッチングによりプレート184
に空洞216を作り、薄くなったプレート184に強化リブ218を残せば良い
。
極めて薄いプレート184が望ましく、ウェーハ162のデバイスシリコン層1
66を用いてその製作が可能なことに注目しよう。多くの場合、プレート184
と捩り撓みヒンジ176及び182はデバイスシリコン層166と同じ厚さで良
い。或いはまた、図15に示すように、捩り撓みヒンジ182はエッチングによ
り薄化が可能である。例えば、捩り撓みヒンジ182を厚み6ミクロン、プレー
ト184を厚み10ミクロンとすることができる。同様に、プレート184を薄
くしてその慣性モーメントを小さくするには、エッチングによりプレート184
に空洞216を作り、薄くなったプレート184に強化リブ218を残せば良い
。
【0056】
反射スイッチングモジュール100のような通信システム構成部品は、高い信
頼性を示さなければならない。捩りスキャナ172のプレート184は電極21
4に偶然衝突しても、それにくっついてはならず、また直ちに特定向きまで回転
(回動)しなければならない。更に、そのような偶発的衝突が捩りスキャナ17
2や捩りスキャナ172に接続された回路を損傷してはならない。くっつきを排
除するため、図13に示すようにプレート184と内側移動フレーム178は周
囲の角部が丸めてあり、これが静電場の強度を低下させている。プレート184
の外周を丸めると、捩り撓みヒンジ176及び182がそれぞれ設定する軸を中
心とするプレート184の複合回転から結果するその有効回転半径が小さくなる
。
頼性を示さなければならない。捩りスキャナ172のプレート184は電極21
4に偶然衝突しても、それにくっついてはならず、また直ちに特定向きまで回転
(回動)しなければならない。更に、そのような偶発的衝突が捩りスキャナ17
2や捩りスキャナ172に接続された回路を損傷してはならない。くっつきを排
除するため、図13に示すようにプレート184と内側移動フレーム178は周
囲の角部が丸めてあり、これが静電場の強度を低下させている。プレート184
の外周を丸めると、捩り撓みヒンジ176及び182がそれぞれ設定する軸を中
心とするプレート184の複合回転から結果するその有効回転半径が小さくなる
。
【0057】
プレート184と内側移動フレーム178の外周を丸めることに加えて、図1
5aに示すように、プレート184が電極214に接触し得る箇所をポリイミド
等の電気絶縁性材料でオーバーコートしている。プレート184に接触し得る電
極214の部分のみを電気絶縁性材料219でオーバーコートすることにより、
電荷が電極214の殆どに貯まるのが回避される。同様に、捩りスキャナ172
の製作中に、二酸化シリコン層164を幾分かプレート184の外周に残し、ミ
ラー面116を提供する金属反射層が電極214に接触することの無いようにす
る。或いはまた、図16bにしめすように、接触可能な部分に電極214の金属
を通して穴220を形成する。
5aに示すように、プレート184が電極214に接触し得る箇所をポリイミド
等の電気絶縁性材料でオーバーコートしている。プレート184に接触し得る電
極214の部分のみを電気絶縁性材料219でオーバーコートすることにより、
電荷が電極214の殆どに貯まるのが回避される。同様に、捩りスキャナ172
の製作中に、二酸化シリコン層164を幾分かプレート184の外周に残し、ミ
ラー面116を提供する金属反射層が電極214に接触することの無いようにす
る。或いはまた、図16bにしめすように、接触可能な部分に電極214の金属
を通して穴220を形成する。
【0058】
反射スイッチングモジュール100の動作中、駆動電圧が電極214に印加さ
れている間は捩りスキャナ172は接地電位にある。プレート184が電極21
4に接触した場合の放電電流を減じるため、電極214の駆動回路と直列に大抵
抗(例えば1.0MΩ)を接続しても良い。これ等の抵抗は理想的にはできるだ
け電極近くに位置付けられるべきである。さもないと電極214とこれ等の抵抗
間を接続する導体が、浮遊電場をピックアップして、これがプレート184を回
転させてしまう。従って、一つの選択は電極214の、図16aに示したような
選択部分を抵抗が極めて高いが、僅かに導電性のある材料でオーバーコートし、
DC電荷に対して電極214からの流出路を設けることである。更に、捩りスキ
ャナ172に接続された全ての増幅器、例えば捩りセンサ192a及び192b
から向き信号を受信するものの入力がダイオード保護を備え、プレート184と
電極214間の電孤又は偶発的接触による過電圧状態からの損傷を阻止すること
である。
れている間は捩りスキャナ172は接地電位にある。プレート184が電極21
4に接触した場合の放電電流を減じるため、電極214の駆動回路と直列に大抵
抗(例えば1.0MΩ)を接続しても良い。これ等の抵抗は理想的にはできるだ
け電極近くに位置付けられるべきである。さもないと電極214とこれ等の抵抗
間を接続する導体が、浮遊電場をピックアップして、これがプレート184を回
転させてしまう。従って、一つの選択は電極214の、図16aに示したような
選択部分を抵抗が極めて高いが、僅かに導電性のある材料でオーバーコートし、
DC電荷に対して電極214からの流出路を設けることである。更に、捩りスキ
ャナ172に接続された全ての増幅器、例えば捩りセンサ192a及び192b
から向き信号を受信するものの入力がダイオード保護を備え、プレート184と
電極214間の電孤又は偶発的接触による過電圧状態からの損傷を阻止すること
である。
【0059】
側102a及び102bにおいて光ファイバ106の密度に関して通常、制限
要素となるミラーアレイの密度を増大するために有利に用い得る幾つかの構成が
有る。幾つかの理由により、特に各捩りスキャナ172に対して生ずるに違いな
い多数の接触の理由で、捩りスキャナ172を図16a及び16bに示されたよ
うなストリップ222で配置するのが好ましい。捩りスキャナ172をストリッ
プ222で組織化することによりその密度が、ばらばらの捩りスキャナ172の
二次元アレイとして配置された場合に達し得るもの以上に増大する。各ストリッ
プ222には、基体212が固定される金属支持フレームが備わるようにする。
要素となるミラーアレイの密度を増大するために有利に用い得る幾つかの構成が
有る。幾つかの理由により、特に各捩りスキャナ172に対して生ずるに違いな
い多数の接触の理由で、捩りスキャナ172を図16a及び16bに示されたよ
うなストリップ222で配置するのが好ましい。捩りスキャナ172をストリッ
プ222で組織化することによりその密度が、ばらばらの捩りスキャナ172の
二次元アレイとして配置された場合に達し得るもの以上に増大する。各ストリッ
プ222には、基体212が固定される金属支持フレームが備わるようにする。
【0060】
以下、詳細に説明されるように、ストリップ222は基体212にフリップチ
ップボンドされて、ストリップ222と基体212の間に全電気的接続が成され
るようにする。平らな、ポリイミドが裏付けされた多数導体リボンケーブル22
6が基体212に接続して、電気信号がパッド194、198及び202と電極
214との間で交換されるようにする。各支持フレーム224は強化リブを備え
ることができる解放フレームで良いから、リボンケーブル226は自由に曲げら
れ、基体212から離れる方向に移動が可能である。
ップボンドされて、ストリップ222と基体212の間に全電気的接続が成され
るようにする。平らな、ポリイミドが裏付けされた多数導体リボンケーブル22
6が基体212に接続して、電気信号がパッド194、198及び202と電極
214との間で交換されるようにする。各支持フレーム224は強化リブを備え
ることができる解放フレームで良いから、リボンケーブル226は自由に曲げら
れ、基体212から離れる方向に移動が可能である。
【0061】
図16bに、ミラー面を覆わずに基体212とストリップ222を、階段状の
基体212に沿って蛇行するリボンケーブル226で重ね合わせる方法を示す。
ストリップ222をこのように配置すると、直隣接ストリップ222のミラー面
116同士間の光ビーム108に対する水平方向の距離が減ずる。光ビーム10
8はミラー面116に約45°の角度で入射するから、直隣接ストリップ222
間の見かけ上の距離は約1.4の因数分、短くなり、このことがプレート184
を好ましくは矩形状とすることの理由である。
基体212に沿って蛇行するリボンケーブル226で重ね合わせる方法を示す。
ストリップ222をこのように配置すると、直隣接ストリップ222のミラー面
116同士間の光ビーム108に対する水平方向の距離が減ずる。光ビーム10
8はミラー面116に約45°の角度で入射するから、直隣接ストリップ222
間の見かけ上の距離は約1.4の因数分、短くなり、このことがプレート184
を好ましくは矩形状とすることの理由である。
【0062】
図16bに示すようにストリップ222を構成することの一つの不都合は、直
隣接ストリップ222間の喰い違い(オフセット)を捩りスキャナ172プラス
基体212の厚みより少なくできないことである。更に、直隣接ストリップ22
2と基体212とを重ね合わすと、直隣接ストリップ222を妨げずに不良とな
ったストリップ222を取り外すのが難しくなる。
隣接ストリップ222間の喰い違い(オフセット)を捩りスキャナ172プラス
基体212の厚みより少なくできないことである。更に、直隣接ストリップ22
2と基体212とを重ね合わすと、直隣接ストリップ222を妨げずに不良とな
ったストリップ222を取り外すのが難しくなる。
【0063】
図16c及び16dに、ストリップ222と支持フレーム224の優先具体例
であって、捩りスキャナ172に接続するリード線228を好ましくは基体21
2に形成された導電性通路で構成するものである。或いは、これ等のリード線2
28を基体212の一方の面から、一つの端を廻って、そして他の面へと被せる
か、覆わせるようにしても良い。リード線228のこの構成においては、基体2
12へのリボンケーブル226の取り付けが妨げられることはない。リード線2
28が基体212に被さる又は基体212を覆うようにし、その一部が穴を介し
て基体212を通るようにすることにより、基体212をストリップ222と同
程度まで狭くすることができる。この程度まで狭められると、組み合わせストリ
ップ222、基体212及び支持フレーム224はセット118a及び118b
の何れに対して今や、図16eに示すように配置され、これにより直隣接ストリ
ップ222間のオフセットが、パッケージング要件によると云うより寧ろ、反射
スイッチングモジュール100の光学的要求に合うように設定される。直隣接ス
トリップ222間の最適オフセットは、直隣接ストリップ222においてプレー
ト184間の距離の約0〜10%である。図16dに示すように基体212を構
成することにより、基体212へのアクセスが容易になり、隣接支持フレーム2
24を妨げずにストリップ222を容易に外せるようになる。要すれば、リード
線228が基体212の両端を廻るようにしても良いにことに注目されたい。こ
のケイパビリティを有利に利用して、プレート184と電極214間に印加され
る高電圧駆動信号を運ぶリード線228を、捩りセンサ192a及び192bか
らの信号を担うリード線228から分離することができる。
であって、捩りスキャナ172に接続するリード線228を好ましくは基体21
2に形成された導電性通路で構成するものである。或いは、これ等のリード線2
28を基体212の一方の面から、一つの端を廻って、そして他の面へと被せる
か、覆わせるようにしても良い。リード線228のこの構成においては、基体2
12へのリボンケーブル226の取り付けが妨げられることはない。リード線2
28が基体212に被さる又は基体212を覆うようにし、その一部が穴を介し
て基体212を通るようにすることにより、基体212をストリップ222と同
程度まで狭くすることができる。この程度まで狭められると、組み合わせストリ
ップ222、基体212及び支持フレーム224はセット118a及び118b
の何れに対して今や、図16eに示すように配置され、これにより直隣接ストリ
ップ222間のオフセットが、パッケージング要件によると云うより寧ろ、反射
スイッチングモジュール100の光学的要求に合うように設定される。直隣接ス
トリップ222間の最適オフセットは、直隣接ストリップ222においてプレー
ト184間の距離の約0〜10%である。図16dに示すように基体212を構
成することにより、基体212へのアクセスが容易になり、隣接支持フレーム2
24を妨げずにストリップ222を容易に外せるようになる。要すれば、リード
線228が基体212の両端を廻るようにしても良いにことに注目されたい。こ
のケイパビリティを有利に利用して、プレート184と電極214間に印加され
る高電圧駆動信号を運ぶリード線228を、捩りセンサ192a及び192bか
らの信号を担うリード線228から分離することができる。
【0064】
図16d及び図16eに示すように、ホットバー接着を用いてリボンケーブル
226を基体212に取り付けることが出来る。基体212上のリード線228
と多導線リボンケーブル226の間の電気的接続を得るため、半田、又は好まし
くは異方性導電性フィルムを用いることが出来る。基体212へのリボンケーブ
ル226の機械的取り付けを強化するには、エポキシ製ひずみ解放ビード229
を用いれば良い。
226を基体212に取り付けることが出来る。基体212上のリード線228
と多導線リボンケーブル226の間の電気的接続を得るため、半田、又は好まし
くは異方性導電性フィルムを用いることが出来る。基体212へのリボンケーブ
ル226の機械的取り付けを強化するには、エポキシ製ひずみ解放ビード229
を用いれば良い。
【0065】
プレート184の大きさを減ずることなく側102a及び102bにおいて光
ファイバ106の密度を増大させるには、図17aに示すようにストリップ22
2内の捩りスキャナ172間の縦方向の隔たりの半分だけ縦方向に直隣接ストリ
ップ222の捩りスキャナ172をオフセットすれば良い。反射スイッチングモ
ジュール100内に光ビーム108を配置するために取る前記の収束基準により
、直隣接ストリップ222にて捩りスキャナ172を喰い違わせると、光ファイ
バコリメータ組立体134の向き付けが準矩形アレイから準六角密充填アレイに
変わる。直隣接ストリップ222内で捩りスキャナ172を喰い違わせても捩り
スキャナ172の密度は増大しないが、捩りスキャナ172のかかる配置は側1
02a及び102bにおける光ファイバ106の密度を、レンズ112又は光フ
ァイバコリメータ組立体134の径が直隣接ストリップ222間の間隔を制限す
る程度まで増大させる。
ファイバ106の密度を増大させるには、図17aに示すようにストリップ22
2内の捩りスキャナ172間の縦方向の隔たりの半分だけ縦方向に直隣接ストリ
ップ222の捩りスキャナ172をオフセットすれば良い。反射スイッチングモ
ジュール100内に光ビーム108を配置するために取る前記の収束基準により
、直隣接ストリップ222にて捩りスキャナ172を喰い違わせると、光ファイ
バコリメータ組立体134の向き付けが準矩形アレイから準六角密充填アレイに
変わる。直隣接ストリップ222内で捩りスキャナ172を喰い違わせても捩り
スキャナ172の密度は増大しないが、捩りスキャナ172のかかる配置は側1
02a及び102bにおける光ファイバ106の密度を、レンズ112又は光フ
ァイバコリメータ組立体134の径が直隣接ストリップ222間の間隔を制限す
る程度まで増大させる。
【0066】
捩りスキャナ172をストリップ222としてではなく、完全に一体な二次元
アレイとして製作することにより、捩りスキャナ172の密度を更に増大するこ
ともできる。図17bに示すように、直隣接列の捩りスキャナ172を喰い違わ
せることにより、アレイの直隣接列又は行の捩りスキャナ172間に生じる空間
に捩りスキャナ172の捩り撓みヒンジ176を入り込ませることができる。こ
のように捩り撓みヒンジ176を入り込ませると、隣接列又は行に有る捩りスキ
ャナ172の中心間の距離が短くなり、捩りスキャナ172の、従って側102
a及び102bにおける光ファイバ106の充填が六角最密充填に近くなる。
アレイとして製作することにより、捩りスキャナ172の密度を更に増大するこ
ともできる。図17bに示すように、直隣接列の捩りスキャナ172を喰い違わ
せることにより、アレイの直隣接列又は行の捩りスキャナ172間に生じる空間
に捩りスキャナ172の捩り撓みヒンジ176を入り込ませることができる。こ
のように捩り撓みヒンジ176を入り込ませると、隣接列又は行に有る捩りスキ
ャナ172の中心間の距離が短くなり、捩りスキャナ172の、従って側102
a及び102bにおける光ファイバ106の充填が六角最密充填に近くなる。
【0067】
ストリップ222の他の具体例では、捩り撓みヒンジ176及び捩りバーヒン
ジ182を支持フレーム224の垂直軸及び水平軸に対して45°の角度に配向
させる。図18a及び18bに示すものは、捩り撓みヒンジ176及び捩りバー
ヒンジ182をストリップ222に対して平行及び垂直に配向させる構成より、
ストリップ222上の面積をより有効に活用するようにした捩り撓みヒンジ17
6及び捩りバーヒンジ182の斜め構成である。外側基準フレーム174に対し
て45°で配向される捩り撓みヒンジ176及び捩りバーヒンジ182の斜め配
向を用いると、捩りスキャナ172の占める面積を増やさずに、ヒンジ176及
び182を長くすることができる。プレート184は45°で入射する光ビーム
108を受け入れる便宜のため、一方向に長くなっている。プレート184に入
射するとき光ビーム108は楕円形状になるから、光ビーム108のかど部を無
視すれば、結果としてプレート184を外側基準フレーム174に余地を与える
八角形状にすることができる。製作上の便宜から、外側基準フレーム174の側
面はシリコンの<110>結晶方向に配向される。捩りスキャナ172をこのよ
うに構成すると、捩りセンサ192a及び192bはシリコンの<100>結晶
方向に配向される。斯くして、捩りセンサ192a及び192bを製作するには
、p型デバイスシリコン層166、即ちp型打ち込みの有るウェーハ162を用
いなければならない。シリコンの<110>及び<100>結晶方向は、処理工
程を適宜に変更することにより互換できる。
ジ182を支持フレーム224の垂直軸及び水平軸に対して45°の角度に配向
させる。図18a及び18bに示すものは、捩り撓みヒンジ176及び捩りバー
ヒンジ182をストリップ222に対して平行及び垂直に配向させる構成より、
ストリップ222上の面積をより有効に活用するようにした捩り撓みヒンジ17
6及び捩りバーヒンジ182の斜め構成である。外側基準フレーム174に対し
て45°で配向される捩り撓みヒンジ176及び捩りバーヒンジ182の斜め配
向を用いると、捩りスキャナ172の占める面積を増やさずに、ヒンジ176及
び182を長くすることができる。プレート184は45°で入射する光ビーム
108を受け入れる便宜のため、一方向に長くなっている。プレート184に入
射するとき光ビーム108は楕円形状になるから、光ビーム108のかど部を無
視すれば、結果としてプレート184を外側基準フレーム174に余地を与える
八角形状にすることができる。製作上の便宜から、外側基準フレーム174の側
面はシリコンの<110>結晶方向に配向される。捩りスキャナ172をこのよ
うに構成すると、捩りセンサ192a及び192bはシリコンの<100>結晶
方向に配向される。斯くして、捩りセンサ192a及び192bを製作するには
、p型デバイスシリコン層166、即ちp型打ち込みの有るウェーハ162を用
いなければならない。シリコンの<110>及び<100>結晶方向は、処理工
程を適宜に変更することにより互換できる。
【0068】
図18bに示す捩りスキャナ172の構成を用いて、大きさ1.5x2mmの
プレート184を僅か2.5mmの間隔で離間し、ミラー面116の密度を事実
上1.4倍に増大することができる。光ビーム108の入射角約45°で視ると
、ストリップ222は54°で傾斜している。この構成では、ストリップ222
は支持フレーム224に対して45°に配向される。ミラー面116が光ビーム
108を完全に捕らえるべき場合に、ストリップ222をこのように配向させる
ことが必要になる。支持フレーム224を45°に配向させることができ、これ
により全ストリップ222が同一長になって、ウェーハ162上の面積をより有
効に用いることができる。
プレート184を僅か2.5mmの間隔で離間し、ミラー面116の密度を事実
上1.4倍に増大することができる。光ビーム108の入射角約45°で視ると
、ストリップ222は54°で傾斜している。この構成では、ストリップ222
は支持フレーム224に対して45°に配向される。ミラー面116が光ビーム
108を完全に捕らえるべき場合に、ストリップ222をこのように配向させる
ことが必要になる。支持フレーム224を45°に配向させることができ、これ
により全ストリップ222が同一長になって、ウェーハ162上の面積をより有
効に用いることができる。
【0069】
図19aに捩りスキャナ172の更に他の具体例であって、その大きさを更に
小さくし、それにより反射スイッチングモジュール100における直隣接ミラー
面116間の間隔を更に短くしたものを示す。先の記載から、捩り撓みヒンジ1
76及び捩りバーヒンジ182をプレート184の側面にではなく、かどに位置
付けると、捩りスキャナ172の大きさが小さくなって有利なことが明らかであ
る。図19aにおいて、楕円状曲線232はプレート184のミラー面116に
入射する光ビーム108の輪郭を表す。光ビーム108はプレート184のかど
には入射しないので、プレート184に対して内側捩りバーヒンジ182を、未
使用のかど部の空間を用いて回転させることができる。図18aに示した捩りス
キャナ172の構成と同様、外側捩り撓みヒンジ176は引き続き、外側基準フ
レーム174のかど部を占めている。
小さくし、それにより反射スイッチングモジュール100における直隣接ミラー
面116間の間隔を更に短くしたものを示す。先の記載から、捩り撓みヒンジ1
76及び捩りバーヒンジ182をプレート184の側面にではなく、かどに位置
付けると、捩りスキャナ172の大きさが小さくなって有利なことが明らかであ
る。図19aにおいて、楕円状曲線232はプレート184のミラー面116に
入射する光ビーム108の輪郭を表す。光ビーム108はプレート184のかど
には入射しないので、プレート184に対して内側捩りバーヒンジ182を、未
使用のかど部の空間を用いて回転させることができる。図18aに示した捩りス
キャナ172の構成と同様、外側捩り撓みヒンジ176は引き続き、外側基準フ
レーム174のかど部を占めている。
【0070】
図19aに示すように捩りバーヒンジ182をプレート184のかど部に置く
と、捩りスキャナ172の大きさが小さくなるだけでなく、プレート184のか
どが両軸を中心として同時に回転するとき角度の合成が減じられる。両捩り撓み
ヒンジ176及び捩りバーヒンジ182がそれぞれ設定する軸を中心として同時
にプレート184が回転するとき、プレート184のかど部が移動する距離は合
成により大きくなる。合成により、プレート184と基体212の間に要求され
る離隔距離が大きくなり、従ってプレート184を同等に回転させるためにプレ
ート184と電極214間に印加されるべき電圧が大きくなる。だが、反射スイ
ッチングモジュール100に含まれるプレート184に付いてそうであるように
、プレート184の縦横比が1でなく、プレート184が正方形でなければ、図
19aに示された捩り撓みヒンジ176及び182内の捩りセンサ192a及び
192bは最早、直交結晶方向には、即ちシリコンの<100>又は<110>
方向の何れにも配向されない。このことは、捩り撓みヒンジ176及び捩りバー
ヒンジ182内の捩りセンサ192a及び192bが捩り撓みヒンジ176及び
捩りバーヒンジ182の撓みとねじりに応答することから分かる。
と、捩りスキャナ172の大きさが小さくなるだけでなく、プレート184のか
どが両軸を中心として同時に回転するとき角度の合成が減じられる。両捩り撓み
ヒンジ176及び捩りバーヒンジ182がそれぞれ設定する軸を中心として同時
にプレート184が回転するとき、プレート184のかど部が移動する距離は合
成により大きくなる。合成により、プレート184と基体212の間に要求され
る離隔距離が大きくなり、従ってプレート184を同等に回転させるためにプレ
ート184と電極214間に印加されるべき電圧が大きくなる。だが、反射スイ
ッチングモジュール100に含まれるプレート184に付いてそうであるように
、プレート184の縦横比が1でなく、プレート184が正方形でなければ、図
19aに示された捩り撓みヒンジ176及び182内の捩りセンサ192a及び
192bは最早、直交結晶方向には、即ちシリコンの<100>又は<110>
方向の何れにも配向されない。このことは、捩り撓みヒンジ176及び捩りバー
ヒンジ182内の捩りセンサ192a及び192bが捩り撓みヒンジ176及び
捩りバーヒンジ182の撓みとねじりに応答することから分かる。
【0071】
図19aに示したプレート184の縦横比は約1.4:1であるから、捩り撓
みヒンジ176及び捩りバーヒンジ182が設定する回転軸236a及び236
bは約70.5°で交差する。だが、図19bに示すように90°で交差するま
で回転軸236a及び236bを僅かに再配向させることにより、外側基準フレ
ーム174がシリコンの<110>結晶方向に向いている場合、捩り撓みヒンジ
176及び捩りバーヒンジ182をシリコンの単結晶方向、即ち<100>結晶
方向に配向させることができる。捩りスキャナ172が図19bに示すように構
成されると、内側捩りバーヒンジ182に対してプレート184のかど部に有意
の大きさの空間ができ、これにより捩りスキャナ172の大きさが小さくなる。
更に、図19bに示された捩りスキャナ172の構成によれば、捩りセンサ19
2a及び192bの結晶軸配向が保たれると共に、合成効果が完全に除かれので
はなくても、有意に減じられる。だが、図19に示された捩りスキャナ172の
構成では、捩り撓みヒンジ176及び捩りバーヒンジ182が設定する直交回転
軸はプレート184の長さと幅に対して斜めに配向されている。それでも、反射
スイッチングモジュール100の動作中にプレート184は僅かな角回転をする
に過ぎないから、プレート184が回転しても、光ビーム108が当たるプレー
ト184の面積に有意な変化は生じない。
みヒンジ176及び捩りバーヒンジ182が設定する回転軸236a及び236
bは約70.5°で交差する。だが、図19bに示すように90°で交差するま
で回転軸236a及び236bを僅かに再配向させることにより、外側基準フレ
ーム174がシリコンの<110>結晶方向に向いている場合、捩り撓みヒンジ
176及び捩りバーヒンジ182をシリコンの単結晶方向、即ち<100>結晶
方向に配向させることができる。捩りスキャナ172が図19bに示すように構
成されると、内側捩りバーヒンジ182に対してプレート184のかど部に有意
の大きさの空間ができ、これにより捩りスキャナ172の大きさが小さくなる。
更に、図19bに示された捩りスキャナ172の構成によれば、捩りセンサ19
2a及び192bの結晶軸配向が保たれると共に、合成効果が完全に除かれので
はなくても、有意に減じられる。だが、図19に示された捩りスキャナ172の
構成では、捩り撓みヒンジ176及び捩りバーヒンジ182が設定する直交回転
軸はプレート184の長さと幅に対して斜めに配向されている。それでも、反射
スイッチングモジュール100の動作中にプレート184は僅かな角回転をする
に過ぎないから、プレート184が回転しても、光ビーム108が当たるプレー
ト184の面積に有意な変化は生じない。
【0072】
図18a又は19aに示した捩りスキャナ172をミラー面116のセット1
18a又は118bの一方に組み込んで、それぞれの利点を最大にするには、セ
ット118a又は118bを再構成する必要が有る。図18aに示した捩りスキ
ャナ172のストリップ222の一優先構成例を図20aに示す。上記のように
、また図20aに示すとおり、ストリップ222’は反射スイッチングモジュー
ル100の水平基部242に対して45°で取り付けられる。図20aの例では
、ストリップ222’を保持する支持フレーム224’も基部242に対して4
5°で取り付けられている。プレート184が中心として回転する、捩り撓みヒ
ンジ176又は捩りバーヒンジ182の設定する二軸は、図20aにおいてx軸
及びy軸244で表されている。同一捩りスキャナ172に対してミラー面11
6の他のセット118b及び118aにおいて許容される、捩り撓みヒンジ17
6及び捩りバーヒンジ182が設定する軸を中心とするプレート184の最大回
転角度が、アドレスセット118a又は118bにおけるアドレス可能捩りスキ
ャナ172の鋸歯矩形形状場246を設定する。
18a又は118bの一方に組み込んで、それぞれの利点を最大にするには、セ
ット118a又は118bを再構成する必要が有る。図18aに示した捩りスキ
ャナ172のストリップ222の一優先構成例を図20aに示す。上記のように
、また図20aに示すとおり、ストリップ222’は反射スイッチングモジュー
ル100の水平基部242に対して45°で取り付けられる。図20aの例では
、ストリップ222’を保持する支持フレーム224’も基部242に対して4
5°で取り付けられている。プレート184が中心として回転する、捩り撓みヒ
ンジ176又は捩りバーヒンジ182の設定する二軸は、図20aにおいてx軸
及びy軸244で表されている。同一捩りスキャナ172に対してミラー面11
6の他のセット118b及び118aにおいて許容される、捩り撓みヒンジ17
6及び捩りバーヒンジ182が設定する軸を中心とするプレート184の最大回
転角度が、アドレスセット118a又は118bにおけるアドレス可能捩りスキ
ャナ172の鋸歯矩形形状場246を設定する。
【0073】
この最適矩形形状場246はかど部で切頭され、切頭面がストリップ222’
に対して約45°で斜行している。図20aの構成例では、図16aに示したス
トリップ222から組み立てられる捩りスキャナ172の矩形アレイに要するも
のより少なくとも1.4倍多い捩りスキャナ172を最長ストリップ222’が
備えなければならない。だが、他のセット118b又は118aからアドレス可
能でないセット118a又は118b内の場所から捩りスキャナ172を除くこ
とができる。斯くして、図20aに示すものでは、数ストリップ222’のみが
全長である必要が有る。数捩りスキャナ172のみを備えるストリップ222’
でさえも、全く除くこともできる。例えば、最大44個の捩りスキャナ172を
収容する40個のストリップ222’を用いることにより、セット118a又は
118b内にスキャン角度が極めて小さく、ミラー寸法が比較的小さい捩りスキ
ャナ172を1152個程度まで多く配置させることができる。別の配置では、
寸法が1.59x2.2mmと小さく、3.69°及び3.3°の偏向角度を要
する1132個の捩りスキャナ172を設けることもできる。捩りスキャナ17
2のストリップ222’は、光ファイバコリメータ組立体134に対して平均5
5°に配向される。図20aに示した構成は僅かに少し複雑にはなるが、捩りス
キャナ172の、従って光ファイバコリメータ組立体134の密度をかなり増大
し、より多くのスキャナを、プレート184に対して特定される特定角度対して
アドレス指定可能とすることができる。
に対して約45°で斜行している。図20aの構成例では、図16aに示したス
トリップ222から組み立てられる捩りスキャナ172の矩形アレイに要するも
のより少なくとも1.4倍多い捩りスキャナ172を最長ストリップ222’が
備えなければならない。だが、他のセット118b又は118aからアドレス可
能でないセット118a又は118b内の場所から捩りスキャナ172を除くこ
とができる。斯くして、図20aに示すものでは、数ストリップ222’のみが
全長である必要が有る。数捩りスキャナ172のみを備えるストリップ222’
でさえも、全く除くこともできる。例えば、最大44個の捩りスキャナ172を
収容する40個のストリップ222’を用いることにより、セット118a又は
118b内にスキャン角度が極めて小さく、ミラー寸法が比較的小さい捩りスキ
ャナ172を1152個程度まで多く配置させることができる。別の配置では、
寸法が1.59x2.2mmと小さく、3.69°及び3.3°の偏向角度を要
する1132個の捩りスキャナ172を設けることもできる。捩りスキャナ17
2のストリップ222’は、光ファイバコリメータ組立体134に対して平均5
5°に配向される。図20aに示した構成は僅かに少し複雑にはなるが、捩りス
キャナ172の、従って光ファイバコリメータ組立体134の密度をかなり増大
し、より多くのスキャナを、プレート184に対して特定される特定角度対して
アドレス指定可能とすることができる。
【0074】
図20bに、図19bに示した形式の捩りスキャナ172のセット118a又
は118bにおける再構成を示す。図19bに示したこの捩りスキャナ172の
構成例では、図16aの例と同様、ストリップ222”と支持枠224”は垂直
に配向されている。だが、プレート184が中心として回転するx軸及びy軸2
44は、ストリップ222”とその支持枠224に対して45°に配向されてい
る。ストリップ222”と支持枠224に対してx軸及びy軸244を傾けて配
向することはここでも、ミラー面116の他のセット118b又は118aにお
ける対応捩りスキャナ172のプレート184に対する最大回転角度が、アドレ
ス指定セット118a又は118bにおけるアドレス可能捩りスキャナ172の
鋸歯八角又は切頭矩形形状場246を設定することを意味する。これ等の捩りス
キャナ172に対して設定される矩形形状場246がpxqであるなら、ストリ
ップに対する最適場有効範囲は斜行x軸及びy軸244に沿って対称に配置され
る0.7〜1.2pqの面積をもつ方形又は矩形場である。これが結果として生
ずるものは、ストリップ222”の方向に僅かに細長くなった方形形状場246
の縦横比、例えば1.0:1.3である。もしセット118a又は118bに水
平方向に配向されたストリップ222”と支持枠224”が有るなら、矩形形状
場246の細長い部分は垂直ではなく、水平になる。製造上の便宜のため、全ス
トリップ222”は同一長とする。図20aに示した捩りスキャナ172の構成
と同様、ここでも捩りスキャナ172を省ける矩形形状場246の領域がある。
捩りスキャナ172がほとんどない矩形形状場246の切頭面に沿う短いストリ
ップ222”を省き、他のストリップ222”を僅かに細長くするのが有利であ
る。図20bに示した例では、プレート184の大きさを1.8x2.4mm、
x軸及びy軸を中心とするプレート184の回転角を5.6°及び3.7°とす
ると、捩りスキャナ172の数は約1500個に増大する。
は118bにおける再構成を示す。図19bに示したこの捩りスキャナ172の
構成例では、図16aの例と同様、ストリップ222”と支持枠224”は垂直
に配向されている。だが、プレート184が中心として回転するx軸及びy軸2
44は、ストリップ222”とその支持枠224に対して45°に配向されてい
る。ストリップ222”と支持枠224に対してx軸及びy軸244を傾けて配
向することはここでも、ミラー面116の他のセット118b又は118aにお
ける対応捩りスキャナ172のプレート184に対する最大回転角度が、アドレ
ス指定セット118a又は118bにおけるアドレス可能捩りスキャナ172の
鋸歯八角又は切頭矩形形状場246を設定することを意味する。これ等の捩りス
キャナ172に対して設定される矩形形状場246がpxqであるなら、ストリ
ップに対する最適場有効範囲は斜行x軸及びy軸244に沿って対称に配置され
る0.7〜1.2pqの面積をもつ方形又は矩形場である。これが結果として生
ずるものは、ストリップ222”の方向に僅かに細長くなった方形形状場246
の縦横比、例えば1.0:1.3である。もしセット118a又は118bに水
平方向に配向されたストリップ222”と支持枠224”が有るなら、矩形形状
場246の細長い部分は垂直ではなく、水平になる。製造上の便宜のため、全ス
トリップ222”は同一長とする。図20aに示した捩りスキャナ172の構成
と同様、ここでも捩りスキャナ172を省ける矩形形状場246の領域がある。
捩りスキャナ172がほとんどない矩形形状場246の切頭面に沿う短いストリ
ップ222”を省き、他のストリップ222”を僅かに細長くするのが有利であ
る。図20bに示した例では、プレート184の大きさを1.8x2.4mm、
x軸及びy軸を中心とするプレート184の回転角を5.6°及び3.7°とす
ると、捩りスキャナ172の数は約1500個に増大する。
【0075】
これまで述べた反射スイッチングモジュール100の構成においては、ミラー
面116のセット118a及び182bの少なくと部分から隔たりをもって位置
付けられた収束ブロック152に光ファイバコリメータ組立体134が固定され
ている。この反射スイッチングモジュール100の構成では、光ファイバ・コリ
メータ組立体134をミラー面116に極めて良好に揃える必要が有る。図21
に示す例は、コリメーティングレンズ112と光ファイバ106と捩りスキャナ
172のストリップ222と互いに近接させ、このアラインメントの公差を緩和
するものである。本例では、ストリップ222と、ストリップ222の反対側の
面で基体212に取り付けられたミラーストリップ262より基体212の方を
幅広とし、ビーム折返し・偏向組立体264が形成される。そこではビーム折返
し・偏向組立体264が反復規則構造に配列され、一つのビーム折返し・偏向組
立体264のミラーストリップ262から反射して出る準平行光ビーム108が
直隣接捩りスキャナ172のミラー面116に入射するようになる。図21に示
す構成では全レンズ112が随伴ミラー面116から等しく短い距離で位置付け
られているから、それぞれのミラー面116に対する光ビーム108のアライン
メントの重要度は少ない。
面116のセット118a及び182bの少なくと部分から隔たりをもって位置
付けられた収束ブロック152に光ファイバコリメータ組立体134が固定され
ている。この反射スイッチングモジュール100の構成では、光ファイバ・コリ
メータ組立体134をミラー面116に極めて良好に揃える必要が有る。図21
に示す例は、コリメーティングレンズ112と光ファイバ106と捩りスキャナ
172のストリップ222と互いに近接させ、このアラインメントの公差を緩和
するものである。本例では、ストリップ222と、ストリップ222の反対側の
面で基体212に取り付けられたミラーストリップ262より基体212の方を
幅広とし、ビーム折返し・偏向組立体264が形成される。そこではビーム折返
し・偏向組立体264が反復規則構造に配列され、一つのビーム折返し・偏向組
立体264のミラーストリップ262から反射して出る準平行光ビーム108が
直隣接捩りスキャナ172のミラー面116に入射するようになる。図21に示
す構成では全レンズ112が随伴ミラー面116から等しく短い距離で位置付け
られているから、それぞれのミラー面116に対する光ビーム108のアライン
メントの重要度は少ない。
【0076】
図21aに概略的に示されているように各ミラーストリップ262を公称45
°の角度から僅かに傾けることにより、光ビーム108の収束を一次元(1D)
で行うことができる。第2の次元で収束を得るには、図21bに概略的に示され
ているように光ファイバ・コリメータ組立体134をそれらのそれぞれに随伴す
るミラー面116に対して適宜に配向すれば良い。これ等個々の一次元収束を組
み合わせることにより、前記の好適な二次元収束が得られる。ミラーストリップ
262と光ファイバ・コリメータ組立体134の配向を選択することにより、僅
かに異なる角度で互いに取り付けられた同一のビーム折返し及び偏向組立体26
4を有する好適な収束を得ることが出来る。図21に示す構成では、それぞれ随
伴するミラー面116に基体212が近いので、側102aと側102bの間に
有る全体で500〜900mmの長さの経路の殆どがセット118a及び118
b内のミラー面116の対の間に有って、プレート184の回転すべき角度を減
じている。
°の角度から僅かに傾けることにより、光ビーム108の収束を一次元(1D)
で行うことができる。第2の次元で収束を得るには、図21bに概略的に示され
ているように光ファイバ・コリメータ組立体134をそれらのそれぞれに随伴す
るミラー面116に対して適宜に配向すれば良い。これ等個々の一次元収束を組
み合わせることにより、前記の好適な二次元収束が得られる。ミラーストリップ
262と光ファイバ・コリメータ組立体134の配向を選択することにより、僅
かに異なる角度で互いに取り付けられた同一のビーム折返し及び偏向組立体26
4を有する好適な収束を得ることが出来る。図21に示す構成では、それぞれ随
伴するミラー面116に基体212が近いので、側102aと側102bの間に
有る全体で500〜900mmの長さの経路の殆どがセット118a及び118
b内のミラー面116の対の間に有って、プレート184の回転すべき角度を減
じている。
【0077】
図13に示したように捩りスキャナ172に対する全電気的接続はデバイスシ
リコン沿う166の表側169で存在し、図15に示したようにデバイスシリコ
ン層166の裏側170に被覆された金属層から光ビーム108は反射して出る
。基体212とストリップ222内の捩りスキャナ172間に電気的接続を形成
するには、ストリップ222を基体212にフリップボンドするとが好ましい。
ストリップ222より大きい基体212を用いることにより、基体212が一つ
以上のストリップ222を収容するようにすることができる。基体212は種々
の異なる方法で製作が可能である。
リコン沿う166の表側169で存在し、図15に示したようにデバイスシリコ
ン層166の裏側170に被覆された金属層から光ビーム108は反射して出る
。基体212とストリップ222内の捩りスキャナ172間に電気的接続を形成
するには、ストリップ222を基体212にフリップボンドするとが好ましい。
ストリップ222より大きい基体212を用いることにより、基体212が一つ
以上のストリップ222を収容するようにすることができる。基体212は種々
の異なる方法で製作が可能である。
【0078】
基体212は好ましくは、酸化アルミニウム(アルミナ)、またシリコンの熱
膨張係数マッチさせるためには窒化アルミニウム等のセラミック材料から製作さ
れる。捩りスキャナ172をリボンケーブル226に連結する高密度相互連結を
得るためには、基体212を形成するセラミック材料をレーザー穿孔又は打抜し
て導電性通路を得る。
膨張係数マッチさせるためには窒化アルミニウム等のセラミック材料から製作さ
れる。捩りスキャナ172をリボンケーブル226に連結する高密度相互連結を
得るためには、基体212を形成するセラミック材料をレーザー穿孔又は打抜し
て導電性通路を得る。
【0079】
或いは、基体212を100ウェーハのシリコンから製作することができる。
基体212をシリコンウェーハから製作する場合、エッチングにより空洞272
を基体212に異方性をもって形成してプレート184の回転のための空間を設
け、また空洞272に位置付けられるプレート184と電極214間に正確に調
整された間隔を設定することができる。シリコン基体212の面に電気絶縁性酸
化物を形成することにより、リード線228間及び電極214間に電気的絶縁を
得ることができる。電極214をシリコン基体212と一体にしても、各空洞2
72内でシリコン面に付着させても良い。
基体212をシリコンウェーハから製作する場合、エッチングにより空洞272
を基体212に異方性をもって形成してプレート184の回転のための空間を設
け、また空洞272に位置付けられるプレート184と電極214間に正確に調
整された間隔を設定することができる。シリコン基体212の面に電気絶縁性酸
化物を形成することにより、リード線228間及び電極214間に電気的絶縁を
得ることができる。電極214をシリコン基体212と一体にしても、各空洞2
72内でシリコン面に付着させても良い。
【0080】
基体212をシリコンウェーハから製作するとき、電子回路をもまたそれと一
体化するのが有利な場合もある。シリコン基体212に含ませる回路として、捩
りスキャナ172の捩りセンサ192a及び192bの電流を供給する電流源、
捩りセンサ192a及び192bから内側移動フレーム178及びプレート18
4の向きを表す信号を受信する差動増幅器、及びプレート184の回転を付勢す
る高電圧信号を電極214に供給する増幅器が挙げられる。これ等種々の形式の
電子回路を基体212に組み込むことにより、リボンケーブル226が備えるべ
きリード線の数を有意に減ずることができる。シリコン基体212に一つ又は複
数のマルチプレクサ回路を含ませれば、リボンケーブル226内のリード線の数
を更に減ずることができる。
体化するのが有利な場合もある。シリコン基体212に含ませる回路として、捩
りスキャナ172の捩りセンサ192a及び192bの電流を供給する電流源、
捩りセンサ192a及び192bから内側移動フレーム178及びプレート18
4の向きを表す信号を受信する差動増幅器、及びプレート184の回転を付勢す
る高電圧信号を電極214に供給する増幅器が挙げられる。これ等種々の形式の
電子回路を基体212に組み込むことにより、リボンケーブル226が備えるべ
きリード線の数を有意に減ずることができる。シリコン基体212に一つ又は複
数のマルチプレクサ回路を含ませれば、リボンケーブル226内のリード線の数
を更に減ずることができる。
【0081】
光ビーム108の光波長に応答し、ストリップ222に近接してミラー面11
6が投げる影の外側の基体212面に配置される光検出器を基体212上に含ま
せ、光ビーム108の一部がミラー面116を逸したかどうかを検出させると有
利な場合が有る。光通信に用いられる光の波長に対しかかる光検出器は、たとえ
それ等がミラー面116以外のストリップ222部で覆われていても、これ等の
光に対してはシリコンは透過であるので、光ビーム108の一部がミラー面11
6を逸したかどうかを検出する。
6が投げる影の外側の基体212面に配置される光検出器を基体212上に含ま
せ、光ビーム108の一部がミラー面116を逸したかどうかを検出させると有
利な場合が有る。光通信に用いられる光の波長に対しかかる光検出器は、たとえ
それ等がミラー面116以外のストリップ222部で覆われていても、これ等の
光に対してはシリコンは透過であるので、光ビーム108の一部がミラー面11
6を逸したかどうかを検出する。
【0082】
さて図22a〜22cを参照して、以下より詳細に記載される種々の方法で形
成される導電性ボンドによりストリップ222が基体212に接着される。導電
性ボンド276は基体212上のパッドを、ストリップ262222の捩りスキ
ャナ172のパッド194、198、202に強固に連結する。熱膨張係数が極
めて近くマッチしたストリップ222と基体212を形成する材料をフリップチ
ップボンドすることにより、導入されるストレス量は無視できる程度となり、そ
れによりストリップ222は平坦に保たれる。
成される導電性ボンドによりストリップ222が基体212に接着される。導電
性ボンド276は基体212上のパッドを、ストリップ262222の捩りスキ
ャナ172のパッド194、198、202に強固に連結する。熱膨張係数が極
めて近くマッチしたストリップ222と基体212を形成する材料をフリップチ
ップボンドすることにより、導入されるストレス量は無視できる程度となり、そ
れによりストリップ222は平坦に保たれる。
【0083】
導電性ボンド276は、半田、電気メッキ金属及び/又は導電性エポキシ材料
から作ることが出来る。導電性エポキシは導電性ボンド276に、ストリップ2
22と基体212間の熱膨張係数のミスマッチを吸収するしなやかな連接を与え
る。導電性エポキシはスクリーン印刷や、シリンジからの小出しが可能である。
突出するAuスタッドバンプ(stud bumps)や電気メッキ金属を導電
性エポキシ材料と共にストリップ222上の適宜位置に形成して、 1.ストリップ222と基体212の間の連接を良くする 2.ストリップ222と基体212の間の熱伝導率を大きくする ことが出来る。また、Auスタッドバンプを圧印加工で得ると、高さを均一に出
来、且つ/或いはエポキシとの機械的密着強さが増大するように成形することが
出来る利点が有る。
から作ることが出来る。導電性エポキシは導電性ボンド276に、ストリップ2
22と基体212間の熱膨張係数のミスマッチを吸収するしなやかな連接を与え
る。導電性エポキシはスクリーン印刷や、シリンジからの小出しが可能である。
突出するAuスタッドバンプ(stud bumps)や電気メッキ金属を導電
性エポキシ材料と共にストリップ222上の適宜位置に形成して、 1.ストリップ222と基体212の間の連接を良くする 2.ストリップ222と基体212の間の熱伝導率を大きくする ことが出来る。また、Auスタッドバンプを圧印加工で得ると、高さを均一に出
来、且つ/或いはエポキシとの機械的密着強さが増大するように成形することが
出来る利点が有る。
【0084】
導電性エポキシ材料は通常、酸化アルミ又は窒化アルミ等のセラミック最良を
用いて形成された基体212に良好に接着する。だが、導電性エポキシ材料はス
トリップ222とは同様の強い接着を形成しない。図22eの断面図に、切頭錐
体形状のトラフ278を異方性エッチング加工してウェーハ162のデバイスシ
リコン層162際の、ストリップ222上の接触パッド面の粗面化が示されてい
る。トラフ278は、導電性ボンド276と、トラフ278に位置する接触パッ
ドの間の面接着面積を増大し、それにより導電性ボンド276ストリップ222
により強固に錨留する。
用いて形成された基体212に良好に接着する。だが、導電性エポキシ材料はス
トリップ222とは同様の強い接着を形成しない。図22eの断面図に、切頭錐
体形状のトラフ278を異方性エッチング加工してウェーハ162のデバイスシ
リコン層162際の、ストリップ222上の接触パッド面の粗面化が示されてい
る。トラフ278は、導電性ボンド276と、トラフ278に位置する接触パッ
ドの間の面接着面積を増大し、それにより導電性ボンド276ストリップ222
により強固に錨留する。
【0085】
ストリップ222と基体212間の機械的密着強さを増大し、導電性ボンド2
76上の熱機械的ストレスを低減し、且つ導電性ボンド276を湿度等の環境要
因から守るため、ストリップ222と基体212の外周間の間隙を、図22bに
示すアンダーフィル[underfill]279によって除くことが出来る。
アンダーフィル材料が空洞276に入り込むの阻止するため、少なくともアンダ
ーフィル279が硬化するまで、ダムがそれ等を取り囲むようにしなければなら
ない。シリコンのようなしなやかな材料を用いて、基体212とストリップ22
2の間の熱膨張係数のミスマッチを吸収することが出来る。
76上の熱機械的ストレスを低減し、且つ導電性ボンド276を湿度等の環境要
因から守るため、ストリップ222と基体212の外周間の間隙を、図22bに
示すアンダーフィル[underfill]279によって除くことが出来る。
アンダーフィル材料が空洞276に入り込むの阻止するため、少なくともアンダ
ーフィル279が硬化するまで、ダムがそれ等を取り囲むようにしなければなら
ない。シリコンのようなしなやかな材料を用いて、基体212とストリップ22
2の間の熱膨張係数のミスマッチを吸収することが出来る。
【0086】
基体212をシリコン又はポリシリコンから製造する場合その製造中に、図2
2dに示すように多数の極めて小さい導電性通路282をシリコンウェーハを通
して形成しても良い。その場合、Transducers 99,p.1500
にCalmes等により記載されているような工程が用いられる。標準的ボッシ
ュ強反応イオンエッチング法(RIE)を用いて、通路282の穴が先ずウェー
ハに形成される。これ等の穴は幅50ミクロン、深さ500ミクロンとして良い
。次いで、ウェーハは酸化されて電気絶縁性の酸化物層を形成し、これが穴を周
りのウェーハから分離する。次に、ウェーハ面に沿い、且つ穴内に導電性経路を
設けることにより、高度ドープポリシリコン層286を酸化物層284上に成長
させる。充分導電性のあるポリシリコン層286を得るには、ポリシリコン層2
86をリンで気相ドーピングする必要が有る。このようにして形成される導電性
ポリシリコン層286はウェーハの両側を連結する。要すれば、各通路の周りの
ポリシリコン層286を通してエッチングしてリング288を形成し、それによ
り通路282を互いに隔離することができる。基体212の導電性を増大し、ま
た通路282に対する電気接点の形成を容易にするため、基体212の一方又は
両側に適宜パターン化させた付加的金属層を設けることができる。
2dに示すように多数の極めて小さい導電性通路282をシリコンウェーハを通
して形成しても良い。その場合、Transducers 99,p.1500
にCalmes等により記載されているような工程が用いられる。標準的ボッシ
ュ強反応イオンエッチング法(RIE)を用いて、通路282の穴が先ずウェー
ハに形成される。これ等の穴は幅50ミクロン、深さ500ミクロンとして良い
。次いで、ウェーハは酸化されて電気絶縁性の酸化物層を形成し、これが穴を周
りのウェーハから分離する。次に、ウェーハ面に沿い、且つ穴内に導電性経路を
設けることにより、高度ドープポリシリコン層286を酸化物層284上に成長
させる。充分導電性のあるポリシリコン層286を得るには、ポリシリコン層2
86をリンで気相ドーピングする必要が有る。このようにして形成される導電性
ポリシリコン層286はウェーハの両側を連結する。要すれば、各通路の周りの
ポリシリコン層286を通してエッチングしてリング288を形成し、それによ
り通路282を互いに隔離することができる。基体212の導電性を増大し、ま
た通路282に対する電気接点の形成を容易にするため、基体212の一方又は
両側に適宜パターン化させた付加的金属層を設けることができる。
【0087】
通路282を含んだ基体212にストリップ222を取り付けたところを、図
22dが示している。ストリップ222と基体212の通路282間の電気的接
続(結線)はここでも、導電性ボンド276により形成される。リボンケーブル
226を形成するポリイミド及び銅シート294をエラストマ層292が、捩り
スキャナ172のストリップ222から最遠の基体212側面に固定している。
ボールグリッド(ballgrid)又はTABバンプ298が導電性経路28
2に接触して、ポリイミド及び銅シート294との電気的接続を形成している。
このようにして、極めて多数の接点を比較的低電気抵抗の通路282が基体21
2を通して連絡している。
22dが示している。ストリップ222と基体212の通路282間の電気的接
続(結線)はここでも、導電性ボンド276により形成される。リボンケーブル
226を形成するポリイミド及び銅シート294をエラストマ層292が、捩り
スキャナ172のストリップ222から最遠の基体212側面に固定している。
ボールグリッド(ballgrid)又はTABバンプ298が導電性経路28
2に接触して、ポリイミド及び銅シート294との電気的接続を形成している。
このようにして、極めて多数の接点を比較的低電気抵抗の通路282が基体21
2を通して連絡している。
【0088】
基体212がポリシリコン又はパイレックス(登録商標)ガラスから製作され
る場合、エッチングして空洞272を形成することができる。だが、基体212
がセラミック材料又はパイレックスから成る場合、電極214を空洞272内の
表面に付着させなければならない。ストリップ222がセラミック等の材料のフ
ラットシートから製作される場合、図22fに示すようにスペーサ299を提供
する材料層がストリップ222と基体212の間に挿入されなければならない。
エッチングで形成された空洞272の無い基体212に対しては、プレート18
4と電極214の間に、プレート184が回転できるようにする精密制御間隙を
スペーサ299が設定する。アンダーフィル279が空洞272に入り込むのを
阻止するダムを提供するようにスペーサ299を配置することも出来る。スペー
サ299は、基体212に材料をスクリーン印刷し、次いでこの材料を適宜の厚
さになるまでラップ仕上げするようにして作ることが出来る。好ましくは、E.
I.du Pont de 光リソグラフィーでパターン化される乾燥塗膜の何れかを用いて、スペーサ29
9は作られる。同一又は異なる厚さの乾燥塗膜の数層を積層させて、スペーサ2
99に所望の厚みを与えることが出来る。乾燥塗膜をネガとして作用させる場合
には、一連のフィルムを積層させ、各積層後に現像せずに露出させ、それにより
錐体形状の構造を得ることが出来る。スペーサ299が基体212に固定された
ら、シリンジを用いて導電性ボンド用の導電性エポキシ材料を小出しするが、導
電性エポキシ材料は基体212がストリップ222に対向する前に硬化又はbス
テージ化を要しない。基体212とストリップ222間にこのように設定された
スペーサ299は、隣り合う捩りスキャナ172を機械的に隔離する。
る場合、エッチングして空洞272を形成することができる。だが、基体212
がセラミック材料又はパイレックスから成る場合、電極214を空洞272内の
表面に付着させなければならない。ストリップ222がセラミック等の材料のフ
ラットシートから製作される場合、図22fに示すようにスペーサ299を提供
する材料層がストリップ222と基体212の間に挿入されなければならない。
エッチングで形成された空洞272の無い基体212に対しては、プレート18
4と電極214の間に、プレート184が回転できるようにする精密制御間隙を
スペーサ299が設定する。アンダーフィル279が空洞272に入り込むのを
阻止するダムを提供するようにスペーサ299を配置することも出来る。スペー
サ299は、基体212に材料をスクリーン印刷し、次いでこの材料を適宜の厚
さになるまでラップ仕上げするようにして作ることが出来る。好ましくは、E.
I.du Pont de 光リソグラフィーでパターン化される乾燥塗膜の何れかを用いて、スペーサ29
9は作られる。同一又は異なる厚さの乾燥塗膜の数層を積層させて、スペーサ2
99に所望の厚みを与えることが出来る。乾燥塗膜をネガとして作用させる場合
には、一連のフィルムを積層させ、各積層後に現像せずに露出させ、それにより
錐体形状の構造を得ることが出来る。スペーサ299が基体212に固定された
ら、シリンジを用いて導電性ボンド用の導電性エポキシ材料を小出しするが、導
電性エポキシ材料は基体212がストリップ222に対向する前に硬化又はbス
テージ化を要しない。基体212とストリップ222間にこのように設定された
スペーサ299は、隣り合う捩りスキャナ172を機械的に隔離する。
【0089】
図15に示したウェーハ162のハンドルシリコン層168の異方性エッチン
グにより露出される111面が形成する急傾斜側面302がフリップチップボン
ド形成に極めて有利なことが分かった。側面302はプレート184の裏側17
0上のミラー面116を製造中に損傷から充分に保護すると共にストリップ22
2を機械的に補強するだけでなく、約45°の角度でミラー面116に入射する
光ビーム108をこれ等急傾斜角が妨げることはまず無い。更に、集積回路(I
C)マスクに用いられるものと同様、ハンドルシリコン層168の裏側に有る極
薄層30に掻き傷が付くことによる汚染からミラー面116を保護する。
グにより露出される111面が形成する急傾斜側面302がフリップチップボン
ド形成に極めて有利なことが分かった。側面302はプレート184の裏側17
0上のミラー面116を製造中に損傷から充分に保護すると共にストリップ22
2を機械的に補強するだけでなく、約45°の角度でミラー面116に入射する
光ビーム108をこれ等急傾斜角が妨げることはまず無い。更に、集積回路(I
C)マスクに用いられるものと同様、ハンドルシリコン層168の裏側に有る極
薄層30に掻き傷が付くことによる汚染からミラー面116を保護する。
【0090】
ハンドルシリコン層168がミラー面116を囲繞して存在しているため、フ
リップチップ構成で捩りスキャナ172を取り付けると、図23に示すように光
散乱を減じることもでき、有利である。ミラー面116間で光ビーム108が切
り換わるとき、入射する迷光を有効に吸収する反射防止層312を、急傾斜側面
302とハンドルシリコン層168の囲繞裏側に被覆しても良い。急傾斜側面3
02はまた光ビーム108からの迷光を極めて大きな角度で散乱し、ミラー面1
16間で光ビーム108が切り換わるとき、光ビーム108が向かって伝搬する
側102a又は102bが迷光を受光するのを阻止する。
リップチップ構成で捩りスキャナ172を取り付けると、図23に示すように光
散乱を減じることもでき、有利である。ミラー面116間で光ビーム108が切
り換わるとき、入射する迷光を有効に吸収する反射防止層312を、急傾斜側面
302とハンドルシリコン層168の囲繞裏側に被覆しても良い。急傾斜側面3
02はまた光ビーム108からの迷光を極めて大きな角度で散乱し、ミラー面1
16間で光ビーム108が切り換わるとき、光ビーム108が向かって伝搬する
側102a又は102bが迷光を受光するのを阻止する。
【0091】
図24に、これまで記載されたような、図2、4a、4b、5、6及び7に図
示の反射スイッチングモジュール100であって、光ビーム108が伝搬する光
路を完全に囲む環境ハウジング352に収容されたものを示す。上記のように、
反射スイッチングモジュール100は側102aと側102bを、そしてセット
118aとセット118bを機械的に連結し、これ等の厳密なアラインメントを
保持する。その環境を封止して反射スイッチングモジュール100を保護する環
境ハウジング352が温度調節を提供するようにし、反射スイッチングモジュー
ル100の安定した動作環境を維持するようにしても良い。環境ハウジング35
2を通して窒素等の調整された乾性ガスを流し、反射スイッチングモジュール1
00内で湿気が凝縮するのを阻止するようにしても良い。また、環境ハウジング
352を僅かに与圧して周囲の大気が反射スイッチングモジュール100に入る
のを阻止することもできる。また、米国特許第4528078に記載されたよう
な非飽和マイクロドライヤ353を環境ハウジング352が備え、反射スイッチ
ングモジュール100内の大気の湿度を制御するようにしても良い。環境ハウジ
ング352の壁を、リボンケーブル226のフィードスルー356が貫通してい
る。光ファイバ106の端部104近傍で固定された光ファイバコリメータ組立
体134は、環境ハウジング352を通って突出する収束ブロック152に直接
差し込まれている。環境ハウジング352内では、光学的ミスアラインメントの
可能性を減ずるため、リボンケーブル226の道筋が慎重に計画され、応力が反
射スイッチングモジュール100、特に支持フレーム224及び基体212に掛
かるのを回避している。
示の反射スイッチングモジュール100であって、光ビーム108が伝搬する光
路を完全に囲む環境ハウジング352に収容されたものを示す。上記のように、
反射スイッチングモジュール100は側102aと側102bを、そしてセット
118aとセット118bを機械的に連結し、これ等の厳密なアラインメントを
保持する。その環境を封止して反射スイッチングモジュール100を保護する環
境ハウジング352が温度調節を提供するようにし、反射スイッチングモジュー
ル100の安定した動作環境を維持するようにしても良い。環境ハウジング35
2を通して窒素等の調整された乾性ガスを流し、反射スイッチングモジュール1
00内で湿気が凝縮するのを阻止するようにしても良い。また、環境ハウジング
352を僅かに与圧して周囲の大気が反射スイッチングモジュール100に入る
のを阻止することもできる。また、米国特許第4528078に記載されたよう
な非飽和マイクロドライヤ353を環境ハウジング352が備え、反射スイッチ
ングモジュール100内の大気の湿度を制御するようにしても良い。環境ハウジ
ング352の壁を、リボンケーブル226のフィードスルー356が貫通してい
る。光ファイバ106の端部104近傍で固定された光ファイバコリメータ組立
体134は、環境ハウジング352を通って突出する収束ブロック152に直接
差し込まれている。環境ハウジング352内では、光学的ミスアラインメントの
可能性を減ずるため、リボンケーブル226の道筋が慎重に計画され、応力が反
射スイッチングモジュール100、特に支持フレーム224及び基体212に掛
かるのを回避している。
【0092】光ファイバスイッチ
図25に、本発明によるモジュラ光ファイバスイッチを一般番号400を付し
て示す。光ファイバスイッチ400には標準的23インチ幅(遠隔)通信ラック
402)が備わり、その基部に環境ハウジング352が反射スイッチングモジュ
ール100を収容して位置付けられている。全捩りスキャナ172を収容する環
境ハウジング352はラック直下のフロア上の特殊台座に載り、極めて高い柔軟
性を有してラック402に連結されている。特殊台座上に載せて環境ハウジング
352を支持することにより、振動が最小化され、環境ハウジング352がフロ
アに熱的に連結されてその熱調節を向上させている。
て示す。光ファイバスイッチ400には標準的23インチ幅(遠隔)通信ラック
402)が備わり、その基部に環境ハウジング352が反射スイッチングモジュ
ール100を収容して位置付けられている。全捩りスキャナ172を収容する環
境ハウジング352はラック直下のフロア上の特殊台座に載り、極めて高い柔軟
性を有してラック402に連結されている。特殊台座上に載せて環境ハウジング
352を支持することにより、振動が最小化され、環境ハウジング352がフロ
アに熱的に連結されてその熱調節を向上させている。
【0093】ポートカード
環境ハウジング352の上方でラック402に取り付けられているのは、光フ
ァイバ106の二重対を受容するのに適したポートカード406に含まれる多数
の複式ソケット404である。二重対の一つの光ファイバ106が一つの光ビー
ム108を光ファイバスイッチ400に持って行き、他の一つが光ファイバスイ
ッチ400から一つの光ビーム108を受け取る。ポートカード406はラック
402内で水平又は垂直の何れかの方向に配置され、直隣接するポートカード4
06に干渉させずに個別に取り出し又は取り付けができる。通信産業において慣
例であるように、ポートカード406はホットスワッパブルである。反射スイッ
チングモジュール100には予備ミラー面116間が入れられていようから、ミ
ラー面116間の幾つかが破損しても、光ファイバスイッチ400はその動作能
力を保持することができる。一般原則として、一つのポートカード406に接続
された光ファイバ106の全て又はそれより少ない任意数がそのポートカード4
06からの光ビーム108を受光することができることは直ちに明白である。同
様に、一つのポートカード406に接続された光ファイバ106の全て又はそれ
より少ない任意数が光ビーム108をそのポートカード406へ運べる。光ファ
イバ106を図26に示すように二重対で組織化することができるが、そのよう
に組織化する必要はない。
ァイバ106の二重対を受容するのに適したポートカード406に含まれる多数
の複式ソケット404である。二重対の一つの光ファイバ106が一つの光ビー
ム108を光ファイバスイッチ400に持って行き、他の一つが光ファイバスイ
ッチ400から一つの光ビーム108を受け取る。ポートカード406はラック
402内で水平又は垂直の何れかの方向に配置され、直隣接するポートカード4
06に干渉させずに個別に取り出し又は取り付けができる。通信産業において慣
例であるように、ポートカード406はホットスワッパブルである。反射スイッ
チングモジュール100には予備ミラー面116間が入れられていようから、ミ
ラー面116間の幾つかが破損しても、光ファイバスイッチ400はその動作能
力を保持することができる。一般原則として、一つのポートカード406に接続
された光ファイバ106の全て又はそれより少ない任意数がそのポートカード4
06からの光ビーム108を受光することができることは直ちに明白である。同
様に、一つのポートカード406に接続された光ファイバ106の全て又はそれ
より少ない任意数が光ビーム108をそのポートカード406へ運べる。光ファ
イバ106を図26に示すように二重対で組織化することができるが、そのよう
に組織化する必要はない。
【0094】
図26のブロック図において、破線412の左側に有る全てのものはポートカ
ード406に含められ、破線414の右側に有る全てのものは反射スイッチング
モジュール100に含められている。破線412と414の間の領域はラック4
02のバックプレインを示している。各ポートカード406には、反射スイッチ
ングモジュール100の一部の動作を制御するの要するエレクトロニクス、アラ
インメントオプティックス及び電気オプティックスが備わる。斯くして、反射ス
イッチングモジュール100に含まれる全ての光ファイバ106がポートカード
406に接続する。同様に、ミラー面116に何れかの光ビーム108が入射す
る捩りスキャナ172の全てが基体212とリボンケーブル226を介してポー
トカード406に接続する。各ポートカード406を、その半分がこのポートカ
ード406から光ビーム108を受け取り、その半分が光ビーム108をこのポ
ートカード406に運ぶものと想定されている16個又は32個の光ファイバ1
06に接続するのが好ましいが、必ずしも必要でない。図26において、奇数番
号が付されている光ファイバ1061、1063、・・・、1062n−1が光
ビーム108を反射スイッチングモジュール100に運ぶ一方、偶数番号が付さ
れている光ファイバ1062、1064、・・・、1062nが反射スイッチン
グモジュール100からの光ビーム108を運ぶ。
ード406に含められ、破線414の右側に有る全てのものは反射スイッチング
モジュール100に含められている。破線412と414の間の領域はラック4
02のバックプレインを示している。各ポートカード406には、反射スイッチ
ングモジュール100の一部の動作を制御するの要するエレクトロニクス、アラ
インメントオプティックス及び電気オプティックスが備わる。斯くして、反射ス
イッチングモジュール100に含まれる全ての光ファイバ106がポートカード
406に接続する。同様に、ミラー面116に何れかの光ビーム108が入射す
る捩りスキャナ172の全てが基体212とリボンケーブル226を介してポー
トカード406に接続する。各ポートカード406を、その半分がこのポートカ
ード406から光ビーム108を受け取り、その半分が光ビーム108をこのポ
ートカード406に運ぶものと想定されている16個又は32個の光ファイバ1
06に接続するのが好ましいが、必ずしも必要でない。図26において、奇数番
号が付されている光ファイバ1061、1063、・・・、1062n−1が光
ビーム108を反射スイッチングモジュール100に運ぶ一方、偶数番号が付さ
れている光ファイバ1062、1064、・・・、1062nが反射スイッチン
グモジュール100からの光ビーム108を運ぶ。
【0095】
ポートカード406には、光を供給し、光ファイバ106に連結して反射スイ
ッチングモジュール100をサーボアラインメントするのに用いられる光源42
2と方向性カプラ424が備わる。方向性カプラ424はまたは、反射スイッチ
ングモジュール100から受け取った光を光ファイバ106を介して光検出器4
26に供給する。また、ポートカード406には、駆動・感知・制御用エレクト
ロニクス432、例えばディジタル信号プロセッサ(DSP)がそれに随伴して
、電気信号をリボンケーブル226を介して基体212内の電極214と、基体
212に取り付けられた各捩りスキャナ172に含まれる捩りセンサ192a及
び192bとで交換する回路が備わる。駆動・感知・制御用エレクトロニクス4
32はミラー面116の配向を、適切な配向を確保するサーボループの具現化を
含んで制御し、またRS232データ通信リンク438を介して監視プロセッサ
436と通信する。
ッチングモジュール100をサーボアラインメントするのに用いられる光源42
2と方向性カプラ424が備わる。方向性カプラ424はまたは、反射スイッチ
ングモジュール100から受け取った光を光ファイバ106を介して光検出器4
26に供給する。また、ポートカード406には、駆動・感知・制御用エレクト
ロニクス432、例えばディジタル信号プロセッサ(DSP)がそれに随伴して
、電気信号をリボンケーブル226を介して基体212内の電極214と、基体
212に取り付けられた各捩りスキャナ172に含まれる捩りセンサ192a及
び192bとで交換する回路が備わる。駆動・感知・制御用エレクトロニクス4
32はミラー面116の配向を、適切な配向を確保するサーボループの具現化を
含んで制御し、またRS232データ通信リンク438を介して監視プロセッサ
436と通信する。
【0096】
破線412と414の間のバックプレーンには、ポートカード406に対する
光ファイバ106の結線、好ましくは例えば12個、16個又はそれ以上の光フ
ァイバ106を連結する単一モード光ファイバリボンケーブル用多数ファイバ結
線が備わる。破線412と414の間のパックプレーンにはまた、リボンケーブ
ル226の全て、データ通信リンク438、及び駆動・感知・制御用エレクトロ
ニクス432の動作に要する電力線等のその他の結線も備わる。
光ファイバ106の結線、好ましくは例えば12個、16個又はそれ以上の光フ
ァイバ106を連結する単一モード光ファイバリボンケーブル用多数ファイバ結
線が備わる。破線412と414の間のパックプレーンにはまた、リボンケーブ
ル226の全て、データ通信リンク438、及び駆動・感知・制御用エレクトロ
ニクス432の動作に要する電力線等のその他の結線も備わる。
【0097】
一つがセット118aに有り、他方が118bに有る一対のミラー面116を
配向するのに、側102aに有る光ファイバ106と側102bに有る光ファイ
バ106の間に光ビーム108を連結するため、上記対を成す各ミラー面116
の2軸中心回転を特定する所定の角座標を用いて、これ等ミラー面116が適宜
、初期配向される。斯くして、NxN反射スイッチングモジュール100では、
反射スイッチングモジュール100に含まれる予備ミラー面116を無視すると
、各捩りスキャナ172に備わる捩りセンサ192a及び192bが生成する向
き信号に対して4xN2の値を光ファイバスイッチ400が記憶しなければなら
ない。従って、反射スイッチングモジュール100には監視プロセッサ436に
維持される図27aのルックアップ(ルックアップ表)452が備わり、これが
向き信号に対し、光ファイバスイッチ400の動作寿命中であれば何時でも用い
られる4xN2の値を記憶している。
配向するのに、側102aに有る光ファイバ106と側102bに有る光ファイ
バ106の間に光ビーム108を連結するため、上記対を成す各ミラー面116
の2軸中心回転を特定する所定の角座標を用いて、これ等ミラー面116が適宜
、初期配向される。斯くして、NxN反射スイッチングモジュール100では、
反射スイッチングモジュール100に含まれる予備ミラー面116を無視すると
、各捩りスキャナ172に備わる捩りセンサ192a及び192bが生成する向
き信号に対して4xN2の値を光ファイバスイッチ400が記憶しなければなら
ない。従って、反射スイッチングモジュール100には監視プロセッサ436に
維持される図27aのルックアップ(ルックアップ表)452が備わり、これが
向き信号に対し、光ファイバスイッチ400の動作寿命中であれば何時でも用い
られる4xN2の値を記憶している。
【0098】
各捩りスキャナ172に備わる捩りセンサ192a及び192bが生成する向
き信号に対する4xN2の値の初期決定は、分析的(解析的)に行えば良い。光
ファイバスイッチ400の組み立て中に、解析的に決定された座標及び向き信号
を微同調して製造許容差等に順応させる。更に、光ファイバスイッチ400の動
作寿命を通して、これ等の座標と向き信号は要すれば更新しても良い。従って、
ルックアップ452には、座標と向き信号の初期値に対する補償データ、例えば
捩りセンサ192a及び192bの温度係数は充分特徴付けられるから、センサ
オフセットや温度補償が記憶される。
き信号に対する4xN2の値の初期決定は、分析的(解析的)に行えば良い。光
ファイバスイッチ400の組み立て中に、解析的に決定された座標及び向き信号
を微同調して製造許容差等に順応させる。更に、光ファイバスイッチ400の動
作寿命を通して、これ等の座標と向き信号は要すれば更新しても良い。従って、
ルックアップ452には、座標と向き信号の初期値に対する補償データ、例えば
捩りセンサ192a及び192bの温度係数は充分特徴付けられるから、センサ
オフセットや温度補償が記憶される。
【0099】
光ファイバスイッチ400の一優先具体例においては、各ミラー面116の向
きを制御するに際し、捩りセンサ192a及び192bが発生する向き信号を周
波数のより高いサーボシステムが用いる。この高域周波サーボシステムの周波数
応答は、光ファイバ106の或る対(ペアリング)を他の一つに切り換えるとき
、ミラー面116の各対を正確に向き付けることができる。また、広域周波サー
ボシステムによれば、機械的衝撃や振動があっても、全ミラー面116の向きが
保たれる。光ファイバスイッチ400の動作中に各対のミラー面116の正確な
配向を確保するため、以下詳細に記載される低域周波光フィードバックサーボを
もこの光ファイバスイッチ400が採用する。
きを制御するに際し、捩りセンサ192a及び192bが発生する向き信号を周
波数のより高いサーボシステムが用いる。この高域周波サーボシステムの周波数
応答は、光ファイバ106の或る対(ペアリング)を他の一つに切り換えるとき
、ミラー面116の各対を正確に向き付けることができる。また、広域周波サー
ボシステムによれば、機械的衝撃や振動があっても、全ミラー面116の向きが
保たれる。光ファイバスイッチ400の動作中に各対のミラー面116の正確な
配向を確保するため、以下詳細に記載される低域周波光フィードバックサーボを
もこの光ファイバスイッチ400が採用する。
【0100】
一つがセット118aに有り、他方が118bに有る一対のミラー面116を
初期配向するに際し、側102aに有るある光ファイバ106と側102bに有
る他の光ファイバ106との間に一つの光ビーム108を連結するため、向き信
号の記憶値がルックアップ452からそれぞれ、信号をポートカード406と交
換する各捩りスキャナ172に対してポートカード406に備わる二つの2軸サ
ーボ454に送信される。各2軸サーボ454は駆動信号をリボンケーブル22
6を介して、基体212に備わる電極214に送信して、ミラー面116を所定
向きまで回転させる。各捩りスキャナ172に備わる二つの捩りセンサ192a
及び192bがそれぞれの向き信号を、リボンケーブル226を介してそれぞれ
の2軸サーボ454に送信して戻す。2軸サーボ454はそれぞれ、それぞれに
随伴する捩りセンサ192a及び192bから受け取った向き信号を、ルックア
ップ452から受け取った向き信号の値と比較する。ルックアップ452から受
信の向き信号記憶値と、2軸サーボ454がそれぞれの捩りセンサ192a及び
192bから受信した向き信号との間に差があると、2軸サーボ454は電極2
14に送信駆動信号を適宜修正してかかる差を減じる。
初期配向するに際し、側102aに有るある光ファイバ106と側102bに有
る他の光ファイバ106との間に一つの光ビーム108を連結するため、向き信
号の記憶値がルックアップ452からそれぞれ、信号をポートカード406と交
換する各捩りスキャナ172に対してポートカード406に備わる二つの2軸サ
ーボ454に送信される。各2軸サーボ454は駆動信号をリボンケーブル22
6を介して、基体212に備わる電極214に送信して、ミラー面116を所定
向きまで回転させる。各捩りスキャナ172に備わる二つの捩りセンサ192a
及び192bがそれぞれの向き信号を、リボンケーブル226を介してそれぞれ
の2軸サーボ454に送信して戻す。2軸サーボ454はそれぞれ、それぞれに
随伴する捩りセンサ192a及び192bから受け取った向き信号を、ルックア
ップ452から受け取った向き信号の値と比較する。ルックアップ452から受
信の向き信号記憶値と、2軸サーボ454がそれぞれの捩りセンサ192a及び
192bから受信した向き信号との間に差があると、2軸サーボ454は電極2
14に送信駆動信号を適宜修正してかかる差を減じる。
【0101】
図27bに、2軸サーボ454のX軸又はY軸である、二つの同一チャネルの
一方を示す。同図に示され、また前記したように、ポートカード406に備わる
電流源462が電流を、捩りスキャナ172の直列接続捩りセンサ192a及び
192bに供給する。捩りセンサ192a及び192bの一方又は他方、図27
の例ではX軸捩りセンサ192bからの差分出力信号が平行して、ポートカード
406に備わる計測増幅器463にリボンケーブル226を介して供給される。
X軸捩りセンサ192bが生成した信号に比例する出力信号を、計測増幅器46
3が誤差増幅器464に送信する。
一方を示す。同図に示され、また前記したように、ポートカード406に備わる
電流源462が電流を、捩りスキャナ172の直列接続捩りセンサ192a及び
192bに供給する。捩りセンサ192a及び192bの一方又は他方、図27
の例ではX軸捩りセンサ192bからの差分出力信号が平行して、ポートカード
406に備わる計測増幅器463にリボンケーブル226を介して供給される。
X軸捩りセンサ192bが生成した信号に比例する出力信号を、計測増幅器46
3が誤差増幅器464に送信する。
【0102】
上記のように、ポートカード406が備える駆動・感知・制御エレクトロニク
スには、ランダムアクセスメモリ(RAM)466に記憶されたコンピュータプ
ログラムを実行するDSP465が備わる。RAM466にはまた、監視プロセ
ッサ436に維持されたルックアップ452から供給されてい、ミラー面116
の向きを特定する向き信号値も記憶されている。DSP465が実行するコンピ
ュータプログラムは、X軸又はY軸の適宜何れかである角座標を検索し、それを
ディジタル−アナログ変換器(DAC)467に送信する。DAC465はDS
P465から受信したディジタルデータ形式の角座標をアナログ信号に変換し、
これを誤差増幅器464の入力に送信する。
スには、ランダムアクセスメモリ(RAM)466に記憶されたコンピュータプ
ログラムを実行するDSP465が備わる。RAM466にはまた、監視プロセ
ッサ436に維持されたルックアップ452から供給されてい、ミラー面116
の向きを特定する向き信号値も記憶されている。DSP465が実行するコンピ
ュータプログラムは、X軸又はY軸の適宜何れかである角座標を検索し、それを
ディジタル−アナログ変換器(DAC)467に送信する。DAC465はDS
P465から受信したディジタルデータ形式の角座標をアナログ信号に変換し、
これを誤差増幅器464の入力に送信する。
【0103】
誤差増幅器464の出力は角座標を表すアナログ信号と、X軸捩りセンサ19
2bが生成した信号に比例する計測増幅器463からの信号との差に比例する信
号を積分回路472に送信する。増幅器473と抵抗474及びコンデンサ47
5の回路網とから成る積分回路472は出力信号を直接、加算増幅器476aの
入力及び反転増幅器477に送る。反転増幅器477は出力を第二の加算増幅器
476bの入力に送る。積分回路472から直接、そして積分回路472から反
転増幅器477を介して間接的にそれぞれ受信する信号に加えて、固定バイアス
電圧をも加算増幅器476a及び476bは受け取る。加算増幅器476a及び
476bは、それぞれの入力信号の和に比例する出力信号をそれぞれ、一対の高
電圧増幅器478の入力に送る。高電圧増幅器478はそれぞれ、駆動信号をリ
ボンケーブル226を介して捩りスキャナ172のX軸電極又はY軸電極の何れ
かに送る。
2bが生成した信号に比例する計測増幅器463からの信号との差に比例する信
号を積分回路472に送信する。増幅器473と抵抗474及びコンデンサ47
5の回路網とから成る積分回路472は出力信号を直接、加算増幅器476aの
入力及び反転増幅器477に送る。反転増幅器477は出力を第二の加算増幅器
476bの入力に送る。積分回路472から直接、そして積分回路472から反
転増幅器477を介して間接的にそれぞれ受信する信号に加えて、固定バイアス
電圧をも加算増幅器476a及び476bは受け取る。加算増幅器476a及び
476bは、それぞれの入力信号の和に比例する出力信号をそれぞれ、一対の高
電圧増幅器478の入力に送る。高電圧増幅器478はそれぞれ、駆動信号をリ
ボンケーブル226を介して捩りスキャナ172のX軸電極又はY軸電極の何れ
かに送る。
【0104】
このようにして、2軸サーボ454は捩りスキャナ172の電極214に、加
算増幅器476a及び476bに供給されるバイアス電圧の設定する電圧より対
称的にそれぞれ大きい、また小さい駆動信号を供給する。更に、2軸サーボ45
4が電極214に供給する駆動信号は適宜修正され、捩りセンサ192a及び1
92bからの出力信号とルックアップ452で特定される向き信号値との間の差
を減ずる。
算増幅器476a及び476bに供給されるバイアス電圧の設定する電圧より対
称的にそれぞれ大きい、また小さい駆動信号を供給する。更に、2軸サーボ45
4が電極214に供給する駆動信号は適宜修正され、捩りセンサ192a及び1
92bからの出力信号とルックアップ452で特定される向き信号値との間の差
を減ずる。
【0105】
室温での単結晶シリコンは塑性変形を蒙らず、転位が無く、損失が無く、疲労
を示さないから、この材料から成る捩り撓みヒンジ176及び捩りバーヒンジ1
82は機械的特性が何年もの間、安定している。従って、捩り撓みヒンジ176
及び捩りバーヒンジ182の長期間安定性と捩りセンサ192a及び192bを
組み合わせることにより、ルックアップ452が2軸サーボ454対に供給する
向き信号値による、ミラー面116各対のほぼ正確なアラインメントを確実に行
える。
を示さないから、この材料から成る捩り撓みヒンジ176及び捩りバーヒンジ1
82は機械的特性が何年もの間、安定している。従って、捩り撓みヒンジ176
及び捩りバーヒンジ182の長期間安定性と捩りセンサ192a及び192bを
組み合わせることにより、ルックアップ452が2軸サーボ454対に供給する
向き信号値による、ミラー面116各対のほぼ正確なアラインメントを確実に行
える。
【0106】
だが、前記463特許及び153特許に開示されているように、光サーボルー
プを光ファイバスイッチに含ませると、正確なアラインメントがほぼでなく、確
実になる。かかる光サーボループを具現できるようにするため、図26に示すよ
うに、光ファイバスイッチ400に備わる各ポートカード406には各光ファイ
バ106に対して、一つの方向性カプラ424が一つの光検出器426と共に備
わる。各方向性カプラ424は、この方向性カプラ424に備わる一つの光ファ
イバを通って伝搬する光の約5〜10%を他の光ファイバに連結し、その光の9
5〜90%が初めの光ファイバに残る。従って、光源422がオンになると、光
源422から方向性カプラ424に放出される光の5〜10%は入り光ファイバ
106、例えば光ファイバ1061に入り、光ファイバ106に沿い反射スイッ
チングモジュール100に向かって既に伝搬している他の光何れかの95〜90
%と共に、反射スイッチングモジュール100に送信される。反射スイッチング
モジュール100は入り光ファイバ106、例えば光ファイバ1061からのこ
の複合光を出光ファイバ106、例えば光ファイバ1062に連結する。出光フ
ァイバ106、例えば光ファイバ1062に随伴する方向性カプラ424に到達
すると、反射スイッチングモジュール100から受信する光の5〜19%は光フ
ァイバ106から方向性カプラ424を通って、その方向性カプラ424に接続
された光検出器426に至る。要すれば、光ファイバスイッチ400は、光を光
ファイバ106に導入して反射スイッチングモジュール100を通して送信し、
次いで送信光の一部を回収する能力を利用して、特定対のミラー面116の初期
動作状態を分析、調整する。
プを光ファイバスイッチに含ませると、正確なアラインメントがほぼでなく、確
実になる。かかる光サーボループを具現できるようにするため、図26に示すよ
うに、光ファイバスイッチ400に備わる各ポートカード406には各光ファイ
バ106に対して、一つの方向性カプラ424が一つの光検出器426と共に備
わる。各方向性カプラ424は、この方向性カプラ424に備わる一つの光ファ
イバを通って伝搬する光の約5〜10%を他の光ファイバに連結し、その光の9
5〜90%が初めの光ファイバに残る。従って、光源422がオンになると、光
源422から方向性カプラ424に放出される光の5〜10%は入り光ファイバ
106、例えば光ファイバ1061に入り、光ファイバ106に沿い反射スイッ
チングモジュール100に向かって既に伝搬している他の光何れかの95〜90
%と共に、反射スイッチングモジュール100に送信される。反射スイッチング
モジュール100は入り光ファイバ106、例えば光ファイバ1061からのこ
の複合光を出光ファイバ106、例えば光ファイバ1062に連結する。出光フ
ァイバ106、例えば光ファイバ1062に随伴する方向性カプラ424に到達
すると、反射スイッチングモジュール100から受信する光の5〜19%は光フ
ァイバ106から方向性カプラ424を通って、その方向性カプラ424に接続
された光検出器426に至る。要すれば、光ファイバスイッチ400は、光を光
ファイバ106に導入して反射スイッチングモジュール100を通して送信し、
次いで送信光の一部を回収する能力を利用して、特定対のミラー面116の初期
動作状態を分析、調整する。
【0107】
光ファイバスイッチ400のこの光サーボ部の動作を考察する場合、光サーボ
は一対のミラー面116アラインメントするが、これはアラインメント光がこの
ミラー面116の対を通って伝搬する方向、即ち入り光ファイバ106から出光
ファイバ106へ、或いはその逆、に拘わらないことを着目することが重要であ
る。従って、一般原則として、ポートカード406は、光ファイバスイッチ40
0に備わる光ファイバ106の半分、例えば全入り光ファイバ106又は全出光
ファイバ106のみに光源422が備わることを要する。だが、通信システムに
おける光ファイバスイッチ400の柔軟で、信頼性のある動作を容易にするため
、全方向性カプラ424、即ち入り光ファイバ106と出光ファイバ106に接
続される両種のものに光源422が備わるようにすることができる。
は一対のミラー面116アラインメントするが、これはアラインメント光がこの
ミラー面116の対を通って伝搬する方向、即ち入り光ファイバ106から出光
ファイバ106へ、或いはその逆、に拘わらないことを着目することが重要であ
る。従って、一般原則として、ポートカード406は、光ファイバスイッチ40
0に備わる光ファイバ106の半分、例えば全入り光ファイバ106又は全出光
ファイバ106のみに光源422が備わることを要する。だが、通信システムに
おける光ファイバスイッチ400の柔軟で、信頼性のある動作を容易にするため
、全方向性カプラ424、即ち入り光ファイバ106と出光ファイバ106に接
続される両種のものに光源422が備わるようにすることができる。
【0108】
初めにミラー面116の対を位置合わせするとき、入り光ファイバ106に沿
って十分な光が伝搬してくるのを光ファイバ・スイッチ400が検出すると、光
ファイバ・スイッチ400は位置合わせのためにこの入射光を用いる。だが、入
り光ファイバ106に沿って伝搬してくる光が不十分であれば、光源422から
光ファイバ106に連結された光は極低周波数で強度変調、例えばオン・オフ切
り換えられ、そして光検出器426の生成する信号が分析され、出光ファイバ1
06での変調の存否が検出される。光源422からの光が位置合わせに用いられ
る場合、出光ファイバ106が通るポートカード406は強度変調された光が光
ファイバ・スイッチ400から出ていかないようにする。ポートカード406の
出力部に1x2スイッチが備わり、光源422の発生する変調光が空き端光ファ
イバに向けられれば、出光ファイバ106上の光を光ファイバ・スイッチ400
内に留めることが出来る。異なる光源422の発生する光を異なる仕方で、例え
ば異なる周波数で、又は異なるパターンに変調することにより反射型スイッチン
グモジュール100は、端部104の対の間に光ビーム108を連結するミラー
面116の多くの異なる対の初期位置合わせ(アラインメント)を同時に行え、
また特定の接続が正しいことを確かめることも出来るようになる。
って十分な光が伝搬してくるのを光ファイバ・スイッチ400が検出すると、光
ファイバ・スイッチ400は位置合わせのためにこの入射光を用いる。だが、入
り光ファイバ106に沿って伝搬してくる光が不十分であれば、光源422から
光ファイバ106に連結された光は極低周波数で強度変調、例えばオン・オフ切
り換えられ、そして光検出器426の生成する信号が分析され、出光ファイバ1
06での変調の存否が検出される。光源422からの光が位置合わせに用いられ
る場合、出光ファイバ106が通るポートカード406は強度変調された光が光
ファイバ・スイッチ400から出ていかないようにする。ポートカード406の
出力部に1x2スイッチが備わり、光源422の発生する変調光が空き端光ファ
イバに向けられれば、出光ファイバ106上の光を光ファイバ・スイッチ400
内に留めることが出来る。異なる光源422の発生する光を異なる仕方で、例え
ば異なる周波数で、又は異なるパターンに変調することにより反射型スイッチン
グモジュール100は、端部104の対の間に光ビーム108を連結するミラー
面116の多くの異なる対の初期位置合わせ(アラインメント)を同時に行え、
また特定の接続が正しいことを確かめることも出来るようになる。
【0109】
さて図26aを参照して、ポートカード406のあらゆる方向性カプラ424
からの出力が光をテレコム信号強度光検出器482に供給している。入り又は出
光ファイバ106であるかに拘わらず、光ファイバ106に沿って伝搬して反射
スイッチングモジュール100に入る光の一部をあらゆるテレコム信号強度光検
出器482が受信し、それに応答する。斯くして、光源422からの強度変調光
を用いる等して一対のミラー面116の初期位置合わせが完了した後、二つのテ
レコム信号強度光検出器482から出力信号が、ミラー面116を正確に位置合
わせするためポートカード406が光を光源422から供給すべきか、或いは入
り光ファイバ106が正確な光学的アラインメントを得るに充分な強度のテレコ
ム信号信号を運んでいるかどうかを告げる。二つの光ファイバ106の何れもが
正確な光学的アラインメントを得るに充分な光を運んでいないことをテレコム信
号強度光検出器482からの信号が告げれば、ポートカード406は光源422
をオンにし、必要な光を得るようにし、さもなければ入り光ファイバ106に有
る光がこの目的に使われる。
からの出力が光をテレコム信号強度光検出器482に供給している。入り又は出
光ファイバ106であるかに拘わらず、光ファイバ106に沿って伝搬して反射
スイッチングモジュール100に入る光の一部をあらゆるテレコム信号強度光検
出器482が受信し、それに応答する。斯くして、光源422からの強度変調光
を用いる等して一対のミラー面116の初期位置合わせが完了した後、二つのテ
レコム信号強度光検出器482から出力信号が、ミラー面116を正確に位置合
わせするためポートカード406が光を光源422から供給すべきか、或いは入
り光ファイバ106が正確な光学的アラインメントを得るに充分な強度のテレコ
ム信号信号を運んでいるかどうかを告げる。二つの光ファイバ106の何れもが
正確な光学的アラインメントを得るに充分な光を運んでいないことをテレコム信
号強度光検出器482からの信号が告げれば、ポートカード406は光源422
をオンにし、必要な光を得るようにし、さもなければ入り光ファイバ106に有
る光がこの目的に使われる。
【0110】
図26aに示す光源422から光ファイバ106に導入される光を用いる一つ
の手法は、光源422として比較的廉価なレーザダイオードからの850nm光
を用いることを想定している。この手法では、赤波長の光に感応性のあるアライ
ンメント光検出器484は廉価なシリコン光検出器であって良い。だが、光源4
22の発生する850nm光に加えて、出力(パワー)が光源422の発生する
するものより大きい光通信波長、例えば1310Å又は1550Åの光を入り光
ファイバ106が運ぶようにしても良い。光源4222j−1が発生し、光ファ
イバ1062j−1を介して反射スイッチングモジュール100に供給される8
50nmアラインメント光を光通信波長から確実に分離するため、反射スイッチ
ングモジュール100からポートカード406が受け取る光の一部を放出する方
向性カプラ424の出力はかかる光を二色性ミラー4862jに向ける。二色性
ミラー4862jは850nmアラインメント光をアラインメント光検出器48
74に反射すると共に、光通信波長の光を通過させ、テレコム信号監視光検出器
488に向かわせる。反射スイッチングモジュール100が完全に二方向性であ
って、どの光ファイバ106も任意の瞬間、入り又は出光ファイバ106になる
ものであれば、二色性ミラー4862j−1を方向性カプラ4242j−1と共
に用いて、光源4222j−1からの光を、テレコム信号監視光検出器4882
j−1が受け取る光通信波長の光から分離すべきである。
の手法は、光源422として比較的廉価なレーザダイオードからの850nm光
を用いることを想定している。この手法では、赤波長の光に感応性のあるアライ
ンメント光検出器484は廉価なシリコン光検出器であって良い。だが、光源4
22の発生する850nm光に加えて、出力(パワー)が光源422の発生する
するものより大きい光通信波長、例えば1310Å又は1550Åの光を入り光
ファイバ106が運ぶようにしても良い。光源4222j−1が発生し、光ファ
イバ1062j−1を介して反射スイッチングモジュール100に供給される8
50nmアラインメント光を光通信波長から確実に分離するため、反射スイッチ
ングモジュール100からポートカード406が受け取る光の一部を放出する方
向性カプラ424の出力はかかる光を二色性ミラー4862jに向ける。二色性
ミラー4862jは850nmアラインメント光をアラインメント光検出器48
74に反射すると共に、光通信波長の光を通過させ、テレコム信号監視光検出器
488に向かわせる。反射スイッチングモジュール100が完全に二方向性であ
って、どの光ファイバ106も任意の瞬間、入り又は出光ファイバ106になる
ものであれば、二色性ミラー4862j−1を方向性カプラ4242j−1と共
に用いて、光源4222j−1からの光を、テレコム信号監視光検出器4882
j−1が受け取る光通信波長の光から分離すべきである。
【0111】
幾つかの理由で、対であるミラー面116の正確な光学的アラインメントを初
めに完了させて反射スイッチングモジュール100を介して入り光ファイバ10
6と出光ファイバ106間の接続を成してから、周期的にアラインメントを検査
するのに、光源422をオフにし、光通信波長で光ファイバスイッチ400に入
来する光を用いるのが有利のようである。光源422と光検出器426が、図2
6aに示す通り残る。このように動作すると、テレコム信号強度光検出器482
は複式ソケット404を介して光ファイバスイッチ400に入来する光通信波長
の光を先ず受け取って、光の損失又は入来光の変調低下を検出する。光ファイバ
スイッチ400のかかる動作中、テレコム信号監視光検出器488とテレコム信
号強度光検出器482が協働して、反射スイッチングモジュール100を通って
送られる光の特性を周期的に監視、維持する。捩りセンサ192a及び192b
から2軸サーボ454に供給される向き信号が長期間、例えば何時間に亘ってミ
ラー面116を適切なアラインメントに維持することを試験が立証している。従
って、対を成すミラー面116の正確な光学的アラインメントが達せられた後は
、捩りセンサ192a及び192bのドリフト、温度変化、支持フレーム224
、またおそらくは基体212をも含んで反射スイッチングモジュール100の機
械的クリープ等を補償するのに、頻度のかなり低い調整で済む。
めに完了させて反射スイッチングモジュール100を介して入り光ファイバ10
6と出光ファイバ106間の接続を成してから、周期的にアラインメントを検査
するのに、光源422をオフにし、光通信波長で光ファイバスイッチ400に入
来する光を用いるのが有利のようである。光源422と光検出器426が、図2
6aに示す通り残る。このように動作すると、テレコム信号強度光検出器482
は複式ソケット404を介して光ファイバスイッチ400に入来する光通信波長
の光を先ず受け取って、光の損失又は入来光の変調低下を検出する。光ファイバ
スイッチ400のかかる動作中、テレコム信号監視光検出器488とテレコム信
号強度光検出器482が協働して、反射スイッチングモジュール100を通って
送られる光の特性を周期的に監視、維持する。捩りセンサ192a及び192b
から2軸サーボ454に供給される向き信号が長期間、例えば何時間に亘ってミ
ラー面116を適切なアラインメントに維持することを試験が立証している。従
って、対を成すミラー面116の正確な光学的アラインメントが達せられた後は
、捩りセンサ192a及び192bのドリフト、温度変化、支持フレーム224
、またおそらくは基体212をも含んで反射スイッチングモジュール100の機
械的クリープ等を補償するのに、頻度のかなり低い調整で済む。
【0112】
850nmの光源422から供給されるアラインメント光を検出するもう一つ
の手法においては、二色性ミラー4862jとそれに随伴する光検出器484及
び484を、図26bに示す複合サンドイッチ光検出器で置き換えることができ
る。同図に示す複合サンドイッチ光検出器はシリコン光検出器492を、ゲルマ
ニウム(Ge)又はインジウム・ガリウム・砒素化合物(InGaAs)光検出
器等の長波長光検出器494上に取り付けたものである。複合サンドイッチ光検
出器は短いアラインメント波長を、シリコン光検出器492で吸収する。だが、
光通信光の長波長はシリコン光検出器492を事実上、減衰せずに通り、長波長
光検出器494で吸収される。複合サンドイッチ光検出器を用いると、これ等二
信号は完全に分離される。InGaAs光検出器を第二Ge光検出器で置き換え
て長波長光を検出することができるが、InGaAs光検出器より感度が低下す
る。だが、アラインメントのため850nm光を用いることに付随して、方向性
カプラ424が多モードデバイスとなって光ファイバ106に繋がれ、また光フ
ァイバ106から外される光の部分が時間に対して変化すると云う困難がある。
の手法においては、二色性ミラー4862jとそれに随伴する光検出器484及
び484を、図26bに示す複合サンドイッチ光検出器で置き換えることができ
る。同図に示す複合サンドイッチ光検出器はシリコン光検出器492を、ゲルマ
ニウム(Ge)又はインジウム・ガリウム・砒素化合物(InGaAs)光検出
器等の長波長光検出器494上に取り付けたものである。複合サンドイッチ光検
出器は短いアラインメント波長を、シリコン光検出器492で吸収する。だが、
光通信光の長波長はシリコン光検出器492を事実上、減衰せずに通り、長波長
光検出器494で吸収される。複合サンドイッチ光検出器を用いると、これ等二
信号は完全に分離される。InGaAs光検出器を第二Ge光検出器で置き換え
て長波長光を検出することができるが、InGaAs光検出器より感度が低下す
る。だが、アラインメントのため850nm光を用いることに付随して、方向性
カプラ424が多モードデバイスとなって光ファイバ106に繋がれ、また光フ
ァイバ106から外される光の部分が時間に対して変化すると云う困難がある。
【0113】
対を成すミラー面116の正確な光学的アラインメントを用いるため850n
m光を用いることに付随する困難を回避するため、光源422から光通信波長の
光、例えば1310Å又は1550Åを供給することができ、適切である。これ
等の波長の光は廉価なvcsellにより得られる。vcsellはかかる光の
高価なレーザ源の正確な波長又は安定性に欠けるが、対を成すミラー面116の
光学的アラインメントを得るのに、レーザ源が提供する精度と安定性は必要とさ
れない。光通信波長の光を用いることには、アラインメント光検出器484を省
くことができること、及び方向性カプラ424の結合係数が850nm光にもの
より高く、安定であると云う利点が有る。従って、vcsellでは光学的アラ
インメントを得るのに、850nm光より少ない光と出力で済む。
m光を用いることに付随する困難を回避するため、光源422から光通信波長の
光、例えば1310Å又は1550Åを供給することができ、適切である。これ
等の波長の光は廉価なvcsellにより得られる。vcsellはかかる光の
高価なレーザ源の正確な波長又は安定性に欠けるが、対を成すミラー面116の
光学的アラインメントを得るのに、レーザ源が提供する精度と安定性は必要とさ
れない。光通信波長の光を用いることには、アラインメント光検出器484を省
くことができること、及び方向性カプラ424の結合係数が850nm光にもの
より高く、安定であると云う利点が有る。従って、vcsellでは光学的アラ
インメントを得るのに、850nm光より少ない光と出力で済む。
【0114】
どの光ファイバ106もポートカード406を通るから、光ファイバ・スイッ
チ400の製造コストのかなりの部分はポートカード406のコストになる。従
って、ポートカード406のコストを出来るだけ少なくすることが経済的に有利
である。斯くして、各対を成すミラー面116の初期光学的アラインメントが光
源422に対して光通信波長の光を発生する高価なレーザの使用を要するなら、
1xN光スイッチを用いて方向性カプラ424間でその源のコストを分担させて
も良い。かかる1xN光スイッチは全ポートカード406に光を供給するため、
極めて大きくなろう。或いはまた、信頼性の向上のため、光ファイバスイッチ4
00がより小さい1xN光スイッチを持つ数個のかかる光通信レーザを備え、そ
の各々が一つのポートカード406に備わる方向性カプラ424のみに光を供給
するようにしても良い。
チ400の製造コストのかなりの部分はポートカード406のコストになる。従
って、ポートカード406のコストを出来るだけ少なくすることが経済的に有利
である。斯くして、各対を成すミラー面116の初期光学的アラインメントが光
源422に対して光通信波長の光を発生する高価なレーザの使用を要するなら、
1xN光スイッチを用いて方向性カプラ424間でその源のコストを分担させて
も良い。かかる1xN光スイッチは全ポートカード406に光を供給するため、
極めて大きくなろう。或いはまた、信頼性の向上のため、光ファイバスイッチ4
00がより小さい1xN光スイッチを持つ数個のかかる光通信レーザを備え、そ
の各々が一つのポートカード406に備わる方向性カプラ424のみに光を供給
するようにしても良い。
【0115】
これまでの記載では、ポートカード406に方向性結合器424を用いて、光
を光ファイバ106に入射し、光ファイバ106から光を取り出すようにしてい
る。方向性結合器424はかなり高価な部品であるから、それ等のコストを低減
することは有利である。図26c及び図26dは光を光ファイバ106に入射し
、光ファイバ106から光を取り出すのに、光ファイバの溶着に通常用いられて
いる低コスト曲がりファイバ・タップ495を用いたものを示している。
を光ファイバ106に入射し、光ファイバ106から光を取り出すようにしてい
る。方向性結合器424はかなり高価な部品であるから、それ等のコストを低減
することは有利である。図26c及び図26dは光を光ファイバ106に入射し
、光ファイバ106から光を取り出すのに、光ファイバの溶着に通常用いられて
いる低コスト曲がりファイバ・タップ495を用いたものを示している。
【0116】
図26cの例では、十分に小さい溝付きマンドレルの周りを各入り光ファイバ
1062j−1が曲がって、当該技術で周知のように光が光ファイバ106から
射出するようにする。この技術によれば、光源422から放出された光の光ファ
イバ1062j−1のコアや外装(クラッド)に入射することも、外装は多モー
ド光伝搬を許容するのでこれはそれほど望ましくないものの、出来る。その場合
、光ファイバ1062j−1のコア内を伝搬する光は、一対のミラー面116に
よって出光ファイバ1062jに向けられる光ビーム108となる。各出光ファ
イバ1062jもマンドレル496の周りを曲がって、出光ファイバ1062j
から射出する光が光検出器4262jに当たるようにする。光検出器4262j
は2つの区画を有し、一方の区画426aをアラインメント光監視用、もう一方
の区画426bを光通信波長での光監視用とすることが出来る。或いは又、光検
出器4262jは図26bに示し、前記した、区画426aと区画426bとが
互いに重なるものでも良い。
1062j−1が曲がって、当該技術で周知のように光が光ファイバ106から
射出するようにする。この技術によれば、光源422から放出された光の光ファ
イバ1062j−1のコアや外装(クラッド)に入射することも、外装は多モー
ド光伝搬を許容するのでこれはそれほど望ましくないものの、出来る。その場合
、光ファイバ1062j−1のコア内を伝搬する光は、一対のミラー面116に
よって出光ファイバ1062jに向けられる光ビーム108となる。各出光ファ
イバ1062jもマンドレル496の周りを曲がって、出光ファイバ1062j
から射出する光が光検出器4262jに当たるようにする。光検出器4262j
は2つの区画を有し、一方の区画426aをアラインメント光監視用、もう一方
の区画426bを光通信波長での光監視用とすることが出来る。或いは又、光検
出器4262jは図26bに示し、前記した、区画426aと区画426bとが
互いに重なるものでも良い。
【0117】
前記のように、テレコム信号強度光検出器4822j−1が入り光ファイバ1
062j−1に沿って反射型スイッチングモジュール100内に伝搬する光通信
光の損失と変調損失を監視する一方、区画426b2jが反射型スイッチングモ
ジュール100を光通信波長で通る光を監視する。テレコム信号強度光検出器4
822jと光検出器4262j−1は双方向デュープレックス光ファイバー10
6に対して、対応する機能を果たす。
062j−1に沿って反射型スイッチングモジュール100内に伝搬する光通信
光の損失と変調損失を監視する一方、区画426b2jが反射型スイッチングモ
ジュール100を光通信波長で通る光を監視する。テレコム信号強度光検出器4
822jと光検出器4262j−1は双方向デュープレックス光ファイバー10
6に対して、対応する機能を果たす。
【0118】
アラインメント光の波長が光通信光のものと同一であれば、タンデム検出を用
いる必要は無い。前記のように、一般原則として同じ光源422が同時に数個の
光ファイバー106に光を入射することが出来る。光ファイバ1062j−1の
コアとクラッドの何れにも、アラインメント光は連結可能である。クラッドに連
結する場合、マンドレル496を通る出光ファイバ1062jに沿って吸収体4
97を設けることにより、アラインメント光を出光ファイバ1062jから除く
ことが出来る。これにより、アラインメント光はポートカード406の向こうに
は伝搬しないことから、ミラー面116を位置合わせするのに、事実上どんな波
長の光を連続して用いることも可能になる。曲がりファイバ・タップは、ポート
カード406に入射、又はポートカード406から射出する全ての光ファイバ1
06に用いることが出来る。
いる必要は無い。前記のように、一般原則として同じ光源422が同時に数個の
光ファイバー106に光を入射することが出来る。光ファイバ1062j−1の
コアとクラッドの何れにも、アラインメント光は連結可能である。クラッドに連
結する場合、マンドレル496を通る出光ファイバ1062jに沿って吸収体4
97を設けることにより、アラインメント光を出光ファイバ1062jから除く
ことが出来る。これにより、アラインメント光はポートカード406の向こうに
は伝搬しないことから、ミラー面116を位置合わせするのに、事実上どんな波
長の光を連続して用いることも可能になる。曲がりファイバ・タップは、ポート
カード406に入射、又はポートカード406から射出する全ての光ファイバ1
06に用いることが出来る。
【0119】
ポートカード406のコストを低減する他の可能性も有る。例えば、ミラー面
116を担うプレート184の移動はディジタル電子信号と比べて遅いこと、電
極214とプレート184がコンデンサを形成し、これが短時間に印加電圧を蓄
積することから、2軸サーボの殆どの回路は数個の異なる電極214対の間でタ
イムシェアが可能である。図27cに、一つの2軸サーボ454の単一チャネル
を数個の異なる電極214対が共有するための回路を示す。図27cの例では、
高電圧増幅器478a及び478bから出力信号が高電圧マルチプレクサ512
a及び512bの入力部にそれぞれ供給される。DSP465から一組のディジ
タル制御ライン514を介して送られる信号を、高電圧マルチプレクサ512a
及び512bの他の入力部が受け取る。高電圧マルチプレクサ512a及び51
2bは、一つのポートカード406に接続する個々の電極214、例えば全ての
電極214にそれぞれ接続している。
116を担うプレート184の移動はディジタル電子信号と比べて遅いこと、電
極214とプレート184がコンデンサを形成し、これが短時間に印加電圧を蓄
積することから、2軸サーボの殆どの回路は数個の異なる電極214対の間でタ
イムシェアが可能である。図27cに、一つの2軸サーボ454の単一チャネル
を数個の異なる電極214対が共有するための回路を示す。図27cの例では、
高電圧増幅器478a及び478bから出力信号が高電圧マルチプレクサ512
a及び512bの入力部にそれぞれ供給される。DSP465から一組のディジ
タル制御ライン514を介して送られる信号を、高電圧マルチプレクサ512a
及び512bの他の入力部が受け取る。高電圧マルチプレクサ512a及び51
2bは、一つのポートカード406に接続する個々の電極214、例えば全ての
電極214にそれぞれ接続している。
【0120】
高電圧マルチプレクサ512a及び512bに供給されるディジタル選択信号
は、高電圧増幅器478a及び478bの出力部に有る電圧が高電圧マルチプレ
クサ512a及び512bによって、数個の電極214対の中どの電極対にそれ
ぞれ印加されるかを特定する。特定の電極214対が選択されるべきとき、適切
なディジタル選択信号を高電圧マルチプレクサ512a及び512bに送信する
と共に、DSP465はまた適切な出力電圧を特定するデータをDAC467に
送信する。次いで、DAC467が受信するデータに応答して、高電圧増幅器4
78a及び478bは選択された電極214対に対する適切な駆動電圧を生成し
、高電圧マルチプレクサ512a及び512bがその電圧を選択された電極に連
結する。
は、高電圧増幅器478a及び478bの出力部に有る電圧が高電圧マルチプレ
クサ512a及び512bによって、数個の電極214対の中どの電極対にそれ
ぞれ印加されるかを特定する。特定の電極214対が選択されるべきとき、適切
なディジタル選択信号を高電圧マルチプレクサ512a及び512bに送信する
と共に、DSP465はまた適切な出力電圧を特定するデータをDAC467に
送信する。次いで、DAC467が受信するデータに応答して、高電圧増幅器4
78a及び478bは選択された電極214対に対する適切な駆動電圧を生成し
、高電圧マルチプレクサ512a及び512bがその電圧を選択された電極に連
結する。
【0121】
電極214の対とそれ等に随伴するプレート184よって作られるキャパシタ
ンスが、高電圧マルチプレクサ512a及び512bを介して電極214と高電
圧増幅器478a及び478bの間に逐次接続間の時間間隔に亘って印加電圧を
適切に蓄積するには大きさが不十分な場合は、高電圧マルチプレクサ512a及
び512bの出力信号ラインと回路接地間に小さなコンデンサ516を接続して
も良い。十分高速にスイッチングを行えば、ポートカード406に接続の全ての
電極214に対して単一対の高電圧増幅器478a及び478bで必要十分であ
る。DSP465が実行するディジタルコンピュータプログラムが電極214対
の順番を選択して、高電圧増幅器478a及び478bが逐次電極214対に供
給しなければならない電圧の変化を最小にし、それにより高電圧増幅器478a
及び478bの要求スルーイングを低減するようにしても良い
ンスが、高電圧マルチプレクサ512a及び512bを介して電極214と高電
圧増幅器478a及び478bの間に逐次接続間の時間間隔に亘って印加電圧を
適切に蓄積するには大きさが不十分な場合は、高電圧マルチプレクサ512a及
び512bの出力信号ラインと回路接地間に小さなコンデンサ516を接続して
も良い。十分高速にスイッチングを行えば、ポートカード406に接続の全ての
電極214に対して単一対の高電圧増幅器478a及び478bで必要十分であ
る。DSP465が実行するディジタルコンピュータプログラムが電極214対
の順番を選択して、高電圧増幅器478a及び478bが逐次電極214対に供
給しなければならない電圧の変化を最小にし、それにより高電圧増幅器478a
及び478bの要求スルーイングを低減するようにしても良い
【0122】
或いはまた、プレート184と一対の電極との間の静電力が印加電力の正負に
無関係であることから、プレート184を回転させるのに、直流電流(DC)で
はなく交流電流(AC)を用いることも出来る。更に、プレート184と一対の
電極214との間にAC駆動電圧を印加するのに、ステップアップ変圧器を用い
ることも出来る。ステップアップ変圧器を用いることにより、この変圧器の一次
側は半導体素子により適合した低電圧を受け取ることになって、駆動信号を電極
に印加する回路簡単化し、高電圧素子を要しなくする。
無関係であることから、プレート184を回転させるのに、直流電流(DC)で
はなく交流電流(AC)を用いることも出来る。更に、プレート184と一対の
電極214との間にAC駆動電圧を印加するのに、ステップアップ変圧器を用い
ることも出来る。ステップアップ変圧器を用いることにより、この変圧器の一次
側は半導体素子により適合した低電圧を受け取ることになって、駆動信号を電極
に印加する回路簡単化し、高電圧素子を要しなくする。
【0123】
図27dに、捩りスキャナ172の電極214にAC電圧を印加して、プレー
ト184と内側移動フレーム178の両者を回転させる回路を示す。図27dに
示す回路には、各々が好ましくはフェライトコアを有する3つの高周波変圧器5
22、524、526が備わる。変圧器522の一次巻き線532には、発振器
528が例えばp−p値10Vで、高い周波数、即ちプレート184の機械的共
振周波数より有意に高い周波数の交流低電圧を供給する。変圧器522は発振器
528から受け取るAC電圧を20倍、変圧器522の二次巻き線534におい
てp−p値約200Vに増大する。変圧器522の二次巻き線534は、変圧器
524及び526ぼ二次巻き線536a及び536bの中央タップにそれぞれ接
続している。変圧器524の二次巻き線356aの両端端子は、プレート184
に対向する電極214a及び214bに接続している。同様に、変圧器526の
二次巻き線536bの両端端子は、内側移動フレーム178に対向する電極21
4a及び214bに接続している。
ト184と内側移動フレーム178の両者を回転させる回路を示す。図27dに
示す回路には、各々が好ましくはフェライトコアを有する3つの高周波変圧器5
22、524、526が備わる。変圧器522の一次巻き線532には、発振器
528が例えばp−p値10Vで、高い周波数、即ちプレート184の機械的共
振周波数より有意に高い周波数の交流低電圧を供給する。変圧器522は発振器
528から受け取るAC電圧を20倍、変圧器522の二次巻き線534におい
てp−p値約200Vに増大する。変圧器522の二次巻き線534は、変圧器
524及び526ぼ二次巻き線536a及び536bの中央タップにそれぞれ接
続している。変圧器524の二次巻き線356aの両端端子は、プレート184
に対向する電極214a及び214bに接続している。同様に、変圧器526の
二次巻き線536bの両端端子は、内側移動フレーム178に対向する電極21
4a及び214bに接続している。
【0124】
変圧器522の一次巻き線532に供給されるAC低電圧はまた、乗除DAC
542a及び542bの入力部に直接及び反転増幅器538を介して印加される
。図27bに示したDAC542a及び542bと同様、乗算DAC542a及
び542bの他の入力部はDSP465から直接、プレート184用と内側フレ
ーム用の角座標データを受け取る。乗除DAC542a及び542bの出力部は
、変圧器524及び526の一次巻き線544a及び544bにそれぞれ接続し
ている。このように変圧器524及び526に接続された乗除DAC542a及
び542bは、変圧器522の一次巻き線532に印加される同相又は違相の変
圧器524及び526の一次巻き線544a及び544bに調整可能なAC電圧
を印加することが出来る。変圧器524及び526は両方共、乗除DAC542
a及び544bからそれぞれ受け取るAC電圧を40倍に、二次巻き線356a
及び536bに跨ってp−p値400Vにまで増大する。乗除DAC542a及
び544bが変圧器524及び526の一次巻き線544a及び544bに電圧
を印加しない場合は、トルクはプレート184にも、内側移動フレーム178に
も正味加わらない。
542a及び542bの入力部に直接及び反転増幅器538を介して印加される
。図27bに示したDAC542a及び542bと同様、乗算DAC542a及
び542bの他の入力部はDSP465から直接、プレート184用と内側フレ
ーム用の角座標データを受け取る。乗除DAC542a及び542bの出力部は
、変圧器524及び526の一次巻き線544a及び544bにそれぞれ接続し
ている。このように変圧器524及び526に接続された乗除DAC542a及
び542bは、変圧器522の一次巻き線532に印加される同相又は違相の変
圧器524及び526の一次巻き線544a及び544bに調整可能なAC電圧
を印加することが出来る。変圧器524及び526は両方共、乗除DAC542
a及び544bからそれぞれ受け取るAC電圧を40倍に、二次巻き線356a
及び536bに跨ってp−p値400Vにまで増大する。乗除DAC542a及
び544bが変圧器524及び526の一次巻き線544a及び544bに電圧
を印加しない場合は、トルクはプレート184にも、内側移動フレーム178に
も正味加わらない。
【0125】
図27eに、DSP465から受け取るデータに応答して乗除DAC542
aが、変圧器522の一次巻き線532に印加される電圧と同相でAC電圧を変
圧器524に印加するとき、変圧器522の二次巻き線534と、プレート18
4に対向する電極214a及び214bそれぞれ、における波形を示す。プレー
ト184と一つの電極との間の静電力は印加電圧の正負とは無関係であるから、
図27eに示す波形に対しては、電極214aと電極214bによってそぞれプ
レート184に加えられる力は異なる。乗除DAC542a及び544bがDS
P465から受け取るデータに応答して変圧器524及び526の一次巻き線5
44a及び544bに不等同相のAC電圧を出来るだけでなく、このデータによ
って乗除DAC542a及び544bが図27fに示すように、一次巻き線54
4a及び544bに跨り違相である電圧を印加するようにすることも出来る。
aが、変圧器522の一次巻き線532に印加される電圧と同相でAC電圧を変
圧器524に印加するとき、変圧器522の二次巻き線534と、プレート18
4に対向する電極214a及び214bそれぞれ、における波形を示す。プレー
ト184と一つの電極との間の静電力は印加電圧の正負とは無関係であるから、
図27eに示す波形に対しては、電極214aと電極214bによってそぞれプ
レート184に加えられる力は異なる。乗除DAC542a及び544bがDS
P465から受け取るデータに応答して変圧器524及び526の一次巻き線5
44a及び544bに不等同相のAC電圧を出来るだけでなく、このデータによ
って乗除DAC542a及び544bが図27fに示すように、一次巻き線54
4a及び544bに跨り違相である電圧を印加するようにすることも出来る。
【0126】
図27e及び27fに示したような電圧を電極214aに印加する最終的結果
として、プレート184は電極の一方214a又は214bに近づき、他方の電
極214b又は214aから離れるように傾く。発振器528が発生するAC電
圧の周波数の2倍の周波数で加えられる間歇的力の効果を、プレート184の慣
性が円滑化する。発振器528の発生するAC電圧の周波数が十分低ければ、プ
レート184が結果として微小振動することを、光ビーム108を正確に位置合
わせするための信号の位相感知検出に用いることが出来る。変圧器524に印加
されるAC電圧を変化させるのではなく、変圧器524に印加される一定振幅A
C電圧と変圧器522に印加されるそれとの間の位相関係を変化させることによ
り、不等力を電極214a及び214bからプレート184に加えることも出来
る。内側移動フレーム178を回転させるための乗除DAC544bと変圧器5
26の動作は、プレート184の対する上記のものと同一である。
として、プレート184は電極の一方214a又は214bに近づき、他方の電
極214b又は214aから離れるように傾く。発振器528が発生するAC電
圧の周波数の2倍の周波数で加えられる間歇的力の効果を、プレート184の慣
性が円滑化する。発振器528の発生するAC電圧の周波数が十分低ければ、プ
レート184が結果として微小振動することを、光ビーム108を正確に位置合
わせするための信号の位相感知検出に用いることが出来る。変圧器524に印加
されるAC電圧を変化させるのではなく、変圧器524に印加される一定振幅A
C電圧と変圧器522に印加されるそれとの間の位相関係を変化させることによ
り、不等力を電極214a及び214bからプレート184に加えることも出来
る。内側移動フレーム178を回転させるための乗除DAC544bと変圧器5
26の動作は、プレート184の対する上記のものと同一である。
【0127】
図27b示した2軸サーボ454対称なDC電圧を電極214対に印加し、一
方の電極214の電圧と他方の電極214の電圧とが等量、それぞれ増大、減少
するようにプレート184を回転させるものである。そのような駆動電圧により
、捩りセンサ192a及び192bからの信号への容量結合は、通常電極214
の対に印加される電圧に対称的に曝されるものであるから、平衡する。更に、切
換及び過渡的ノイズを最小にするため、捩りセンサ192a及び192bからの
永い出力ラインは正と負の電圧スイングに等しく曝されるように配置される。こ
れ等の信号ラインの電極214に供給される駆動信号への露呈を平衡させる技術
には、コネクタに付加的ラインを含めさせ、且つ電圧を角センサラインが両電圧
スイングに対称的に曝されるよう印加するものであっても良い。或いはまた、捩
りセンサ192a及び192bからの信号用に遮蔽ラインを用い、電極214へ
の駆動信号ラインを近接して位置付け、誘導及び容量結合を回避する用にするこ
とも出来る。
方の電極214の電圧と他方の電極214の電圧とが等量、それぞれ増大、減少
するようにプレート184を回転させるものである。そのような駆動電圧により
、捩りセンサ192a及び192bからの信号への容量結合は、通常電極214
の対に印加される電圧に対称的に曝されるものであるから、平衡する。更に、切
換及び過渡的ノイズを最小にするため、捩りセンサ192a及び192bからの
永い出力ラインは正と負の電圧スイングに等しく曝されるように配置される。こ
れ等の信号ラインの電極214に供給される駆動信号への露呈を平衡させる技術
には、コネクタに付加的ラインを含めさせ、且つ電圧を角センサラインが両電圧
スイングに対称的に曝されるよう印加するものであっても良い。或いはまた、捩
りセンサ192a及び192bからの信号用に遮蔽ラインを用い、電極214へ
の駆動信号ラインを近接して位置付け、誘導及び容量結合を回避する用にするこ
とも出来る。
【0128】光学的ビームアラインメント
光ファイバスイッチ400を通信ネットワークに含ませると、信頼性及び利用
可能度が極端に重要になる。従って、ミラー面116が常に2軸サーボの制御下
にあること、反射スイッチングモジュール100を介して光を一つの光ファイバ
106から他の光ファイバ106に結合する接続の初期形成が正確であること、
そして接続の持続中に結合の特性が維持されることが極めて重要になる。図26
及び26aに関して前記したように、全てのポートカード406には、光ファイ
バスイッチ400に入来する光、又は光源422の一つが発生する光に対する各
対のミラー面116の正確なアラインメントを監視する能力が有る。
可能度が極端に重要になる。従って、ミラー面116が常に2軸サーボの制御下
にあること、反射スイッチングモジュール100を介して光を一つの光ファイバ
106から他の光ファイバ106に結合する接続の初期形成が正確であること、
そして接続の持続中に結合の特性が維持されることが極めて重要になる。図26
及び26aに関して前記したように、全てのポートカード406には、光ファイ
バスイッチ400に入来する光、又は光源422の一つが発生する光に対する各
対のミラー面116の正確なアラインメントを監視する能力が有る。
【0129】
光ファイバスイッチ400はポートカード406のこの能力を利用して各対の
ミラー面116の光学的アラインメントを容易にするため、反射スイッチングモ
ジュール100に接続された各対の光ファイバ106間の結合特性を監視する。
その結合特性を監視するのに、光ファイバスイッチ400は一対内の各ミラー面
116をルックアップ452内に記憶された向き信号値により特定された向きか
ら僅かに傾ける、即ち両ミラー面116をディザ(錯乱)させると同時に、これ
等二つの光ファイバ106間に結合される光ビーム108の強度を監視する。一
般に、二つの光ファイバ106間に結合される光ビーム108の強度を監視する
には、光ファイバスイッチ400に備わるポートカード406少なくとも36個
中、二つのポートカードが同位であることを要するから、その工程は図26に示
した監視プロセッサ436により少なくとも管理されなければならない。従って
、一対のミラー面116の光学的アラインメントが必要又は有用なときは何時で
も、関わりのあるポートカード406の各々に備わるDSP465(図27b)
に監視プロセッサ436が適宜の指令を、データ通信リンク438と、ポートカ
ード406の各々に備わるRS232ポート502を介して送る。監視プロセッ
サ436が送る指令により、2軸サーボ454に備わる二つのDAC467にD
SP465が座標データを送り、これが、その向きを2軸サーボ454が制御す
るミラー面116を僅かに傾ける。この向きの変化により出光ファイバ106に
随伴するレンズ112上の光ビーム108の入射が変化するから、随伴する光フ
ァイバ106に結合される光の量が変化する。光ファイバ106に結合されるこ
の光の変化は、出光が通る方向性カプラ424を通して、そのポートカード40
6に備わる光検出器426に結合される。この光の変化の検出を可能にするため
、図27bに示すように、光検出器426に連結されたアナログ−ディジタル変
換器(ADC)504からの光強度を、DSP465が実行するコンピュータプ
ログラムが獲得する。ポートカード406上のDSP465又は監視プロセッサ
436又は両方の光ファイバスイッチ400がこの光強度データを解析して、光
ビーム108を二つの光ファイバ106間に結合に結合させるための二つのミラ
ー面116の正確なアラインメントを行わせる。
ミラー面116の光学的アラインメントを容易にするため、反射スイッチングモ
ジュール100に接続された各対の光ファイバ106間の結合特性を監視する。
その結合特性を監視するのに、光ファイバスイッチ400は一対内の各ミラー面
116をルックアップ452内に記憶された向き信号値により特定された向きか
ら僅かに傾ける、即ち両ミラー面116をディザ(錯乱)させると同時に、これ
等二つの光ファイバ106間に結合される光ビーム108の強度を監視する。一
般に、二つの光ファイバ106間に結合される光ビーム108の強度を監視する
には、光ファイバスイッチ400に備わるポートカード406少なくとも36個
中、二つのポートカードが同位であることを要するから、その工程は図26に示
した監視プロセッサ436により少なくとも管理されなければならない。従って
、一対のミラー面116の光学的アラインメントが必要又は有用なときは何時で
も、関わりのあるポートカード406の各々に備わるDSP465(図27b)
に監視プロセッサ436が適宜の指令を、データ通信リンク438と、ポートカ
ード406の各々に備わるRS232ポート502を介して送る。監視プロセッ
サ436が送る指令により、2軸サーボ454に備わる二つのDAC467にD
SP465が座標データを送り、これが、その向きを2軸サーボ454が制御す
るミラー面116を僅かに傾ける。この向きの変化により出光ファイバ106に
随伴するレンズ112上の光ビーム108の入射が変化するから、随伴する光フ
ァイバ106に結合される光の量が変化する。光ファイバ106に結合されるこ
の光の変化は、出光が通る方向性カプラ424を通して、そのポートカード40
6に備わる光検出器426に結合される。この光の変化の検出を可能にするため
、図27bに示すように、光検出器426に連結されたアナログ−ディジタル変
換器(ADC)504からの光強度を、DSP465が実行するコンピュータプ
ログラムが獲得する。ポートカード406上のDSP465又は監視プロセッサ
436又は両方の光ファイバスイッチ400がこの光強度データを解析して、光
ビーム108を二つの光ファイバ106間に結合に結合させるための二つのミラ
ー面116の正確なアラインメントを行わせる。
【0130】
ミラー面116の正確な光学的アラインメントが完了した後、入り光ファイバ
106からの光が反射スイッチングモジュール100を介して適切な出光ファイ
バ106に結合されていることを光ファイバスイッチ400が、入り光ビーム1
08が最初に入射するミラー面116のみをディザさせることにより確認する。
光を一特定対の光ファイバ106間に結合するため反射スイッチングモジュール
100のアラインメントが適切に成されていれば、この特定のミラー面116を
ディザさせることにより生じた、入り光ビーム108からの変調は他のどの光フ
ァイバ106にではなく、上記の正しい出光ファイバ106にのみ現れなければ
ならない。
106からの光が反射スイッチングモジュール100を介して適切な出光ファイ
バ106に結合されていることを光ファイバスイッチ400が、入り光ビーム1
08が最初に入射するミラー面116のみをディザさせることにより確認する。
光を一特定対の光ファイバ106間に結合するため反射スイッチングモジュール
100のアラインメントが適切に成されていれば、この特定のミラー面116を
ディザさせることにより生じた、入り光ビーム108からの変調は他のどの光フ
ァイバ106にではなく、上記の正しい出光ファイバ106にのみ現れなければ
ならない。
【0131】
上記のようにミラー面116対の光学的アラインメントが完了し、入り光が反
射スイッチングモジュール100を介して適切な光ファイバ106に結合されて
いることが確認された後、光ファイバスイッチ400がミラー面116の向きを
ディザさせる能力を用いて、結合の特性を周期的に監視(検査)する。監視プロ
セッサ436により実行されるコンピュータプログラムが適宜、このようにして
収集された角座標を用いてルックアップ452に記憶の角座標データを更新し、
またかかるデータのログを貯蔵し、それにより光ファイバスイッチ400の長期
信頼性分析ができるようにしても良い。
射スイッチングモジュール100を介して適切な光ファイバ106に結合されて
いることが確認された後、光ファイバスイッチ400がミラー面116の向きを
ディザさせる能力を用いて、結合の特性を周期的に監視(検査)する。監視プロ
セッサ436により実行されるコンピュータプログラムが適宜、このようにして
収集された角座標を用いてルックアップ452に記憶の角座標データを更新し、
またかかるデータのログを貯蔵し、それにより光ファイバスイッチ400の長期
信頼性分析ができるようにしても良い。
【0132】産業上の利用可能性
図28aに、収束ブロック152と光ファイバコリメータ組立体134の代わ
りに側102a及び102bで用いられ、光ファイバ106を受容・固定する他
の具体例構造を示す。図28aに示された構造では、シリコンから微細加工され
た固定板602が光ファイバ106を固定している。シリコンから微細加工され
た調整板604を突き出た光ファイバ106の端部104を左右及び上下にこの
調整板604が調整できるようにし、次いでこれ等の端部104を調整位置に固
定している。固定板602を、ボッシュ強RIE法を用いて1.0〜2.0mm
厚のシリコンをエッチングして形成された一配列の穴606が貫通している。こ
れ等の穴606は径が光ファイバ106より僅か数ミクロン大きい、通常の光フ
ァイバ106の外径にマッチする100〜125ミクロンである。固定板602
が1.0〜2.0mmより厚くなければならない場合には、二つ又はそれ以上の
板を並置し、V溝とロッドを用いて動的に位置合わせする。位置合わせの後、二
つ又はそれ以上の並置固定板602を接着する。
りに側102a及び102bで用いられ、光ファイバ106を受容・固定する他
の具体例構造を示す。図28aに示された構造では、シリコンから微細加工され
た固定板602が光ファイバ106を固定している。シリコンから微細加工され
た調整板604を突き出た光ファイバ106の端部104を左右及び上下にこの
調整板604が調整できるようにし、次いでこれ等の端部104を調整位置に固
定している。固定板602を、ボッシュ強RIE法を用いて1.0〜2.0mm
厚のシリコンをエッチングして形成された一配列の穴606が貫通している。こ
れ等の穴606は径が光ファイバ106より僅か数ミクロン大きい、通常の光フ
ァイバ106の外径にマッチする100〜125ミクロンである。固定板602
が1.0〜2.0mmより厚くなければならない場合には、二つ又はそれ以上の
板を並置し、V溝とロッドを用いて動的に位置合わせする。位置合わせの後、二
つ又はそれ以上の並置固定板602を接着する。
【0133】
穴606は光ファイバ106を互いに、数ミクロン以内の正確度で位置決めす
る。穴606の深さ:径比を高く、例えば10:1以上とすることにより、光フ
ァイバ106を長さ方向に固定することが容易になる。異方性エッチングを用い
て固定板602の一方の側に、図28aに一つだけ示すピラミッド形状の入り口
を形成すると、光ファイバ106の穴606への挿入が容易になる。
る。穴606の深さ:径比を高く、例えば10:1以上とすることにより、光フ
ァイバ106を長さ方向に固定することが容易になる。異方性エッチングを用い
て固定板602の一方の側に、図28aに一つだけ示すピラミッド形状の入り口
を形成すると、光ファイバ106の穴606への挿入が容易になる。
【0134】
穴606は直円筒として形成されて良いが、図28bに示すように複雑な円筒
状輪郭を有するようにしても良い。穴606はRIE又は湿式エッチングで形成
され、カンチレバー612が穴606内に突出する輪郭を提供するようにする。
カンチレバー612の穴606残部に対する位置は、光ファイバ106が挿入さ
れると、カンチレバー612が僅かに曲がるようになる位置である。このように
して、カンチレバー612は光ファイバ106を穴606の壁に強固に保持する
と共に、光ファイバ106が穴606の長さに沿って摺動できるようにしている
。穴606に他のより複雑な構造を組み込ませて、穴606に対し光ファイバ1
06を固定するようにしても良い。例えば、各穴606の一部に図28bに示す
ような輪郭を形成させると共に、残部が固定板602の対向側から位置合わせし
てエッチングされ、直円筒として成形されるようにしても良い。
状輪郭を有するようにしても良い。穴606はRIE又は湿式エッチングで形成
され、カンチレバー612が穴606内に突出する輪郭を提供するようにする。
カンチレバー612の穴606残部に対する位置は、光ファイバ106が挿入さ
れると、カンチレバー612が僅かに曲がるようになる位置である。このように
して、カンチレバー612は光ファイバ106を穴606の壁に強固に保持する
と共に、光ファイバ106が穴606の長さに沿って摺動できるようにしている
。穴606に他のより複雑な構造を組み込ませて、穴606に対し光ファイバ1
06を固定するようにしても良い。例えば、各穴606の一部に図28bに示す
ような輪郭を形成させると共に、残部が固定板602の対向側から位置合わせし
てエッチングされ、直円筒として成形されるようにしても良い。
【0135】
固定板602が製作された後、光ファイバ106を全ての穴606に挿入し、
全光ファイバ106が固定板602から数ミリ、例えば0.5〜3.0mm、等
しく突出するようにする。このように光ファイバ106を固定板602から突出
させと、光ファイバ106は容易に曲がる。全光ファイバ106を組み立て中に
確実に等しく突出させるには、光ファイバ106の端部を止め金具に押しつけれ
ば良い。光ファイバ106は接着又ははんだ付けにより固定板602に固定され
るようにしても良く、カンチレバー612と摩擦係合により単に保持されるよう
にしても良い。
全光ファイバ106が固定板602から数ミリ、例えば0.5〜3.0mm、等
しく突出するようにする。このように光ファイバ106を固定板602から突出
させと、光ファイバ106は容易に曲がる。全光ファイバ106を組み立て中に
確実に等しく突出させるには、光ファイバ106の端部を止め金具に押しつけれ
ば良い。光ファイバ106は接着又ははんだ付けにより固定板602に固定され
るようにしても良く、カンチレバー612と摩擦係合により単に保持されるよう
にしても良い。
【0136】
調整板604には図28cが最も良く示すように、ボッシュ強RIE法を用い
て1.0〜2.0mm厚のシリコンを通してエッチングして形成させた一配列の
XYマイクロ段ステージ622が備わる。各マイクロステージ622には、固定
板602を通って突出する光ファイバ106の端部104を受容するに適した穴
624が備わる。調整板604を貫通する穴624間の間隔は固定板602を貫
通するものと等しく、穴624は図28bに示した輪郭を有しても良い。各光フ
ァイバ106穴624に滑合している。
て1.0〜2.0mm厚のシリコンを通してエッチングして形成させた一配列の
XYマイクロ段ステージ622が備わる。各マイクロステージ622には、固定
板602を通って突出する光ファイバ106の端部104を受容するに適した穴
624が備わる。調整板604を貫通する穴624間の間隔は固定板602を貫
通するものと等しく、穴624は図28bに示した輪郭を有しても良い。各光フ
ァイバ106穴624に滑合している。
【0137】
図29に、調整板604に備わるXYマイクロ段ステージ622の一つを詳細
に示す。同様な一体シリコンXYステージが1999年1月19日発行の米国特
許第5861549号(以下、549特許)に記載されている。図29aは、マ
イクロステージ622がRIEエッチングを用いてシリコン基体から一体に形成
されることを示す。XYマイクロステージ622を囲む外側ベース632が、R
ev.SCI,Instrum.,59,p.67,1988でTeague
et alが記載している形式の4個の撓み体636に連結されている。4個の
類似する撓み体642がY軸ステージ634をX軸ステージ644に連結してい
る。撓み体636及び642は準撓み形式のもので、従って穴624に対して想
定されるXY運動のため適切に伸びる。XYマイクロステージ622は光ファイ
バ106の端部104を小距離だけ移動させ、位置付けし、撓み体636及び6
42に不当な応力が掛からないようにする能力が有ればよい。撓み体636及び
642に対して、549特許に記載されているような他の構成も用いることがで
きる。
に示す。同様な一体シリコンXYステージが1999年1月19日発行の米国特
許第5861549号(以下、549特許)に記載されている。図29aは、マ
イクロステージ622がRIEエッチングを用いてシリコン基体から一体に形成
されることを示す。XYマイクロステージ622を囲む外側ベース632が、R
ev.SCI,Instrum.,59,p.67,1988でTeague
et alが記載している形式の4個の撓み体636に連結されている。4個の
類似する撓み体642がY軸ステージ634をX軸ステージ644に連結してい
る。撓み体636及び642は準撓み形式のもので、従って穴624に対して想
定されるXY運動のため適切に伸びる。XYマイクロステージ622は光ファイ
バ106の端部104を小距離だけ移動させ、位置付けし、撓み体636及び6
42に不当な応力が掛からないようにする能力が有ればよい。撓み体636及び
642に対して、549特許に記載されているような他の構成も用いることがで
きる。
【0138】
XYマイクロステージ622はアクチュエータを有さず、Y軸ステージ634
を外側ベース632に対して金属、例えば金、コバール(kovar)、タング
ステン、モリブデン、リボン又はワイヤリンケージ652で固定しても良い。同
様に、Y軸ステージ634に対して、X軸ステージ644も金属リボン又はワイ
ヤリンケージ654で固定しても良い。リンケージ652及び654に対しては
、熱膨張係数がシリコンのものと同じ、又はそれに近い材料が選ばれる。だが、
リンケージ652及び654が例えば100ミクロンと短ければ、たとえシリコ
ンと金属(例えばアルミ)間の差熱膨張係数が20ppmでも、外側ベース63
2に対するX軸ステージ644の動きは約20Å/℃に過ぎないものとなろう。
アルミ以外の金属では、熱安定度が更に高くなる。
を外側ベース632に対して金属、例えば金、コバール(kovar)、タング
ステン、モリブデン、リボン又はワイヤリンケージ652で固定しても良い。同
様に、Y軸ステージ634に対して、X軸ステージ644も金属リボン又はワイ
ヤリンケージ654で固定しても良い。リンケージ652及び654に対しては
、熱膨張係数がシリコンのものと同じ、又はそれに近い材料が選ばれる。だが、
リンケージ652及び654が例えば100ミクロンと短ければ、たとえシリコ
ンと金属(例えばアルミ)間の差熱膨張係数が20ppmでも、外側ベース63
2に対するX軸ステージ644の動きは約20Å/℃に過ぎないものとなろう。
アルミ以外の金属では、熱安定度が更に高くなる。
【0139】
XYマイクロステージ622を調整する場合、リンケージ652及び654を
先ず、Y軸ステージ634とX軸ステージ644にそれぞれ接着する。光ファイ
バ106の端部104を顕微鏡で見ながら金属リンケージ652及び654を同
時に引っ張ることにより、X軸ステージ644をX及びY両軸に沿って移動させ
、端部104を特定位置に位置付けることができる。X軸ステージ644が移動
して端部104が適切に位置付けられたら、リンケージ652及び654を接着
又はスポット溶接して固定する。
先ず、Y軸ステージ634とX軸ステージ644にそれぞれ接着する。光ファイ
バ106の端部104を顕微鏡で見ながら金属リンケージ652及び654を同
時に引っ張ることにより、X軸ステージ644をX及びY両軸に沿って移動させ
、端部104を特定位置に位置付けることができる。X軸ステージ644が移動
して端部104が適切に位置付けられたら、リンケージ652及び654を接着
又はスポット溶接して固定する。
【0140】
XYマイクロステージ622に図29Cに示すレバー622が備わり、X軸ス
テージ644の動きをXYマイクロステージ622の遠位端664の動きに比べ
て少なくしても良い。同図に示すXYマイクロステージ622においては、ステ
ージ634及び644をエッチングで形成して、Y軸ステージ634から片持ち
梁風に突き出たレバー622を得る。リンケージ654を先ず、X軸ステージ6
44とレバー622の両方に接着する。同様のリンケージ666をレバー622
の、Y軸ステージ634との接合部より遠位の端部に固定する。X軸ステージ6
44が移動して端部104を適切に位置付けたら、前と同様にリンケージ666
をY軸ステージ634に接着又はスポット溶接する。或いはまた、図29cに示
すように、リンケージ654をXYマイクロステージ622から省き、周知の可
撓性画鋲(プッシュピン)で置き換え、これがX軸ステージ644とY軸ステー
ジ634から突き出たレバー622と間をつなぐようにしても良い。可撓性画鋲
の両端を撓み体674で、X軸ステージ644とレバー622にそれぞれ連結す
る。図29cに示したXYマイクロステージ622の具体例はリンケージ666
を一つ必要とするだけで、光ファイバ106の端部104がその特定位置にある
ときX軸ステージ644を固定するものである。更に、可撓性プッシュピン67
2はX軸ステージ644を押すことも、引くこともできるから、X軸ステージ6
44の動きは双方向となっている。
テージ644の動きをXYマイクロステージ622の遠位端664の動きに比べ
て少なくしても良い。同図に示すXYマイクロステージ622においては、ステ
ージ634及び644をエッチングで形成して、Y軸ステージ634から片持ち
梁風に突き出たレバー622を得る。リンケージ654を先ず、X軸ステージ6
44とレバー622の両方に接着する。同様のリンケージ666をレバー622
の、Y軸ステージ634との接合部より遠位の端部に固定する。X軸ステージ6
44が移動して端部104を適切に位置付けたら、前と同様にリンケージ666
をY軸ステージ634に接着又はスポット溶接する。或いはまた、図29cに示
すように、リンケージ654をXYマイクロステージ622から省き、周知の可
撓性画鋲(プッシュピン)で置き換え、これがX軸ステージ644とY軸ステー
ジ634から突き出たレバー622と間をつなぐようにしても良い。可撓性画鋲
の両端を撓み体674で、X軸ステージ644とレバー622にそれぞれ連結す
る。図29cに示したXYマイクロステージ622の具体例はリンケージ666
を一つ必要とするだけで、光ファイバ106の端部104がその特定位置にある
ときX軸ステージ644を固定するものである。更に、可撓性プッシュピン67
2はX軸ステージ644を押すことも、引くこともできるから、X軸ステージ6
44の動きは双方向となっている。
【0141】
レバー622に関する上の記載はX軸ステージ644のX軸移動のみに向けら
れたが、同様のレバーを外側ベース632に組み込んで、外側ベース632に対
してY軸ステージ634とX軸ステージ644をY軸移動させ得ることが直ちに
明白である。
れたが、同様のレバーを外側ベース632に組み込んで、外側ベース632に対
してY軸ステージ634とX軸ステージ644をY軸移動させ得ることが直ちに
明白である。
【0142】
上記のように、XYマイクロステージ622によれば、光ファイバ106の端
部104をそのX及びY軸に沿って固定、且つ調整することができる。だが、光
ファイバ106の端部104に対してレンズ112の焦点を適宜合わすには、端
部104又はレンズ112の何れかを軸線144に沿って相対移動させることも
必要になる。光ファイバ106の端部104とレンズ112間の離隔距離の調整
は、種々の方法で行うことができる。Bright,et al.,SPIE
Proc.,vol.2687,p.34には、ピストン様に移動するポリシリ
コンミラーが記載されている。このミラーは基体上に製作され、基体に対して直
角に静電的変位が可能なものである。
部104をそのX及びY軸に沿って固定、且つ調整することができる。だが、光
ファイバ106の端部104に対してレンズ112の焦点を適宜合わすには、端
部104又はレンズ112の何れかを軸線144に沿って相対移動させることも
必要になる。光ファイバ106の端部104とレンズ112間の離隔距離の調整
は、種々の方法で行うことができる。Bright,et al.,SPIE
Proc.,vol.2687,p.34には、ピストン様に移動するポリシリ
コンミラーが記載されている。このミラーは基体上に製作され、基体に対して直
角に静電的変位が可能なものである。
【0143】
図30aに、RIEエッチングを用いてSOIウェーハから微細加工され、基
体上に製作され、基体に対して直角に軸線144に沿って静電的変位が可能な平
凸レンズ112を示す。レンズ112を軸線144に沿って静電的に変位させる
ため、図30bに示しようにレンズ112をウェーハ162の囲繞デバイスシリ
コン層166側から3つのV字状撓み体682で支える。各々がレンズ112の
周囲に一部かかる撓み体682の一端が囲繞デバイスシリコン層166に連結さ
れ、他端がレンズ112に連結されている。図30aでレンズ112の右側に配
置され、ウェーハ162から電気的に絶縁された偏向電極684を除いて、組立
体は全て一つの一体シリコン構造として作られている。電位を電極684とデバ
イスシリコン層166間に印加することにより電極684と撓み体682及びレ
ンズ112間に創生される静電引力がレンズ112を軸線144に沿い電極68
4に向かって引っ張る。
体上に製作され、基体に対して直角に軸線144に沿って静電的変位が可能な平
凸レンズ112を示す。レンズ112を軸線144に沿って静電的に変位させる
ため、図30bに示しようにレンズ112をウェーハ162の囲繞デバイスシリ
コン層166側から3つのV字状撓み体682で支える。各々がレンズ112の
周囲に一部かかる撓み体682の一端が囲繞デバイスシリコン層166に連結さ
れ、他端がレンズ112に連結されている。図30aでレンズ112の右側に配
置され、ウェーハ162から電気的に絶縁された偏向電極684を除いて、組立
体は全て一つの一体シリコン構造として作られている。電位を電極684とデバ
イスシリコン層166間に印加することにより電極684と撓み体682及びレ
ンズ112間に創生される静電引力がレンズ112を軸線144に沿い電極68
4に向かって引っ張る。
【0144】
IR光ファイバ送信に適したシリコンレンズは商業的に入手可能であり、この
発明で用いるのに適したもとにすることができる。従って、小型の商業的入手可
能マイクロレンズを、撓み体682が支持する薄膜にエッチングで形成した空洞
に設置すれば良い。或いはまた、撓み体682が形成される間に、RIEを用い
てレンズ112を形成することもできる。他の代替方法は、先ずレンズ112を
ダイヤモンドで旋削し、次いでそれをエッチングから保護しながら、RIEを用
いて撓み体682を形成する。更に他の代替方法は、先ず、レンズ112が形成
される部分を保護しながらRIEを用いて撓み体682を形成し、次いでレンズ
をダイヤモンド旋削する。これ等の方法によりレンズ112と撓み体682が形
成されたら、下にあるウェーハ162を異方性エッチングで除去して酸化シリコ
ン増を露出させる。このようにして製作されたレンズ112の裏側は、光学的に
平坦である。
発明で用いるのに適したもとにすることができる。従って、小型の商業的入手可
能マイクロレンズを、撓み体682が支持する薄膜にエッチングで形成した空洞
に設置すれば良い。或いはまた、撓み体682が形成される間に、RIEを用い
てレンズ112を形成することもできる。他の代替方法は、先ずレンズ112を
ダイヤモンドで旋削し、次いでそれをエッチングから保護しながら、RIEを用
いて撓み体682を形成する。更に他の代替方法は、先ず、レンズ112が形成
される部分を保護しながらRIEを用いて撓み体682を形成し、次いでレンズ
をダイヤモンド旋削する。これ等の方法によりレンズ112と撓み体682が形
成されたら、下にあるウェーハ162を異方性エッチングで除去して酸化シリコ
ン増を露出させる。このようにして製作されたレンズ112の裏側は、光学的に
平坦である。
【0145】
静電駆動の代わりに、レンズ112を軸線に沿って電磁的に移動させることも
できる。図30cに示しように、図30aの例でレンズ112に近接して配置さ
れた電極684を、レンズ112の軸線144に平行な磁場で配向される永久磁
石692で置き換える。また、コイル694がレンズ112を取り囲む。コイル
694からの通電リード線は撓み体682を好ましくは対称的に介して引き出さ
れてデバイスシリコン層166に至り、レンズ112の線形変位を確実にする。
コイル694に流される電流の向きにより、レンズ112は光ファイバ106の
端部104に向かって、又はから離れる方向に移動する。
できる。図30cに示しように、図30aの例でレンズ112に近接して配置さ
れた電極684を、レンズ112の軸線144に平行な磁場で配向される永久磁
石692で置き換える。また、コイル694がレンズ112を取り囲む。コイル
694からの通電リード線は撓み体682を好ましくは対称的に介して引き出さ
れてデバイスシリコン層166に至り、レンズ112の線形変位を確実にする。
コイル694に流される電流の向きにより、レンズ112は光ファイバ106の
端部104に向かって、又はから離れる方向に移動する。
【0146】
同じように、静電力でなく磁気力を用いて少なくとも、好ましくは捩り撓みヒ
ンジ176、或いは捩りバーヒンジ182の設定する回転軸を中心としてプレー
ト184を回転させることも出来る。図31a及び図31bには、捩りスキャナ
172のストリップに沿って全てが同一方向に配向された数個の磁石が示されて
いる。斯くして、矢印697で表された個々の磁場は同一方向に向いてい、互い
に強化している。捩りスキャナ172にはまた、プレート184を回転させると
き電流が流れるその内側移動フレーム178上に配置されたコイル698が備わ
る。捩りスキャナ172にかかる構成を用いることにより、内側移動フレーム1
78に対向の電極214を基体212から除くことが出来る。一般には、磁石6
96とコイル698が有る場合、基体212には2000年4月4日発行の米国
特許6044705に記載されているように、内側移動フレーム178に隣接す
る空洞が備わる。かかる空洞を設けることにより、捩り撓みヒンジ176の設定
する軸の周りに内側移動フレーム178を大きく回転することが出来る。図31
bに示すように、磁石696は通常、光ビーム108が大きな角度でミラー面1
16に当たるようにする台形状断面を有する。或いはまた、図31c及び31d
に示すように、捩りスキャナ172の両側に沿って磁石696を線形に配置して
も良い。捩りスキャナ172と磁石696をこのように構成することにより、こ
れ等の磁石の磁化係数を良好にし、且つ磁場をより強くすることが出来る。
ンジ176、或いは捩りバーヒンジ182の設定する回転軸を中心としてプレー
ト184を回転させることも出来る。図31a及び図31bには、捩りスキャナ
172のストリップに沿って全てが同一方向に配向された数個の磁石が示されて
いる。斯くして、矢印697で表された個々の磁場は同一方向に向いてい、互い
に強化している。捩りスキャナ172にはまた、プレート184を回転させると
き電流が流れるその内側移動フレーム178上に配置されたコイル698が備わ
る。捩りスキャナ172にかかる構成を用いることにより、内側移動フレーム1
78に対向の電極214を基体212から除くことが出来る。一般には、磁石6
96とコイル698が有る場合、基体212には2000年4月4日発行の米国
特許6044705に記載されているように、内側移動フレーム178に隣接す
る空洞が備わる。かかる空洞を設けることにより、捩り撓みヒンジ176の設定
する軸の周りに内側移動フレーム178を大きく回転することが出来る。図31
bに示すように、磁石696は通常、光ビーム108が大きな角度でミラー面1
16に当たるようにする台形状断面を有する。或いはまた、図31c及び31d
に示すように、捩りスキャナ172の両側に沿って磁石696を線形に配置して
も良い。捩りスキャナ172と磁石696をこのように構成することにより、こ
れ等の磁石の磁化係数を良好にし、且つ磁場をより強くすることが出来る。
【0147】
光ファイバスイッチ400の多くの通信適用例において、光ファイバスイッチ
400に到達する光は、通常集積回路チップ形式であるルーチング波長デマルチ
プレクサを既に通ってきている。ルーチング波長デマルチプレクサを製造するの
にかかるかなりのコストは、その平面回路から出光ファイバまでの接続のもので
あることが多い。前記光ファイバスイッチ400の反射スイッチングモジュール
100が適切に構成されていれば、ルーチング波長デマルチプレクサと光ファイ
バ間を接続することは不要になるルーチング波長デマルチプレクサからの出光ビ
ームを自由空間で反射スイッチングモジュール100のレンズ、即ち反射防止膜
を備えたレンズ112に単に連結すればよい。
400に到達する光は、通常集積回路チップ形式であるルーチング波長デマルチ
プレクサを既に通ってきている。ルーチング波長デマルチプレクサを製造するの
にかかるかなりのコストは、その平面回路から出光ファイバまでの接続のもので
あることが多い。前記光ファイバスイッチ400の反射スイッチングモジュール
100が適切に構成されていれば、ルーチング波長デマルチプレクサと光ファイ
バ間を接続することは不要になるルーチング波長デマルチプレクサからの出光ビ
ームを自由空間で反射スイッチングモジュール100のレンズ、即ち反射防止膜
を備えたレンズ112に単に連結すればよい。
【0148】
図32に、ルーチング波長デマルチプレクサ702にデマルチプレクス化平面
導波管704が数個備わる構成を示す。このデマルチプレクス化平面導波管70
4では、光ビーム108をそれに面するレンズ112に向かって放射し、それに
よりルーチング波長デマルチプレクサ702を光ファイバに連結する必要を回避
している。デマルチプレクス化平面導波管704を保持するルーチング波長デマ
ルチプレクサ702の基体706がレンズ112に近接して配置され、入り光ビ
ーム108を反射スイッチングモジュール100に供給するようにしても良い。
同様に、出光ビーム108が反射スイッチングモジュール100を離れるところ
で、レンズ112は光ビーム108を直接デマルチプレクス化平面導波管704
に連結し、そこから光ビームが一つ又は数個の出光ファイバに多重化されるよう
にしても良い。波長変換器と共に用いられる収束ブロック152に余分の入力及
び出力穴154を設けることにより、光ファイバスイッチ400は、光ファイバ
スイッチ400に連結された光ファイバ106何れかから受け取る光に対しても
波長変調を行うことができる。
導波管704が数個備わる構成を示す。このデマルチプレクス化平面導波管70
4では、光ビーム108をそれに面するレンズ112に向かって放射し、それに
よりルーチング波長デマルチプレクサ702を光ファイバに連結する必要を回避
している。デマルチプレクス化平面導波管704を保持するルーチング波長デマ
ルチプレクサ702の基体706がレンズ112に近接して配置され、入り光ビ
ーム108を反射スイッチングモジュール100に供給するようにしても良い。
同様に、出光ビーム108が反射スイッチングモジュール100を離れるところ
で、レンズ112は光ビーム108を直接デマルチプレクス化平面導波管704
に連結し、そこから光ビームが一つ又は数個の出光ファイバに多重化されるよう
にしても良い。波長変換器と共に用いられる収束ブロック152に余分の入力及
び出力穴154を設けることにより、光ファイバスイッチ400は、光ファイバ
スイッチ400に連結された光ファイバ106何れかから受け取る光に対しても
波長変調を行うことができる。
【0149】
光ファイバスイッチ400の多くの用途において、波長変換は望ましい。図3
3a及び図33bに示すように、捩りスキャナ172のプレート184上に格子
を形成することにより、波長変換を容易に達成することが出来る。レンズ712
及び格子712と共にレーザーダイオード714が、米国特許5026131,
5278687及び5771252に記載のものと同様なリトロー空洞[Lit
trow cavity]を形成する。リトロー空洞内では、回転自在のプレー
ト184に支持された格子712が一次回折ビームを反射してレーザーダイオー
ド714に戻し、それによりレーザーダイオード714の後方ファセットでレー
ザー発生用の光共振器を作る。ビームスプリッター722は周知のように、零次
回折出力ビーム724を波長ロッカー726に向ける。従って、格子712を運
ぶプレート184の回転が、出力ビームにおける光の波長を変える。波長ロッカ
ー726からのフィードバックを用いて、プレート184の回転を制御し、それ
により出力ビームにおける724の特定波長を選択することが出来る。
3a及び図33bに示すように、捩りスキャナ172のプレート184上に格子
を形成することにより、波長変換を容易に達成することが出来る。レンズ712
及び格子712と共にレーザーダイオード714が、米国特許5026131,
5278687及び5771252に記載のものと同様なリトロー空洞[Lit
trow cavity]を形成する。リトロー空洞内では、回転自在のプレー
ト184に支持された格子712が一次回折ビームを反射してレーザーダイオー
ド714に戻し、それによりレーザーダイオード714の後方ファセットでレー
ザー発生用の光共振器を作る。ビームスプリッター722は周知のように、零次
回折出力ビーム724を波長ロッカー726に向ける。従って、格子712を運
ぶプレート184の回転が、出力ビームにおける光の波長を変える。波長ロッカ
ー726からのフィードバックを用いて、プレート184の回転を制御し、それ
により出力ビームにおける724の特定波長を選択することが出来る。
【0150】
図34の例では、プレート184に担われた格子712の構造を用いて光ファ
イバ106に沿って伝搬する光の波長を測定する。方向性結合器424又は曲が
りファイバタップによって光ファイバ106から引き出された光はレンズ742
を通って、格子712に入射する。格子712からの回折光、例えば一次回折光
は光検出器744に入射するが、後者に小型コリメーティングレンズを含ませて
も良い。格子712を回転すると共に、光検出器744が発生する出力信号と捩
りスキャナ172内の捩りセンサ192が発生する信号を当時に監視して、光フ
ァイバ106に沿って伝搬する光のスペクトルを生成する。光検出器744は物
理的に極めて小型で良く、従って極めて廉価に出来る。これに対して、赤外光に
良好に応答するダイオードアレイは比較的高価である。
イバ106に沿って伝搬する光の波長を測定する。方向性結合器424又は曲が
りファイバタップによって光ファイバ106から引き出された光はレンズ742
を通って、格子712に入射する。格子712からの回折光、例えば一次回折光
は光検出器744に入射するが、後者に小型コリメーティングレンズを含ませて
も良い。格子712を回転すると共に、光検出器744が発生する出力信号と捩
りスキャナ172内の捩りセンサ192が発生する信号を当時に監視して、光フ
ァイバ106に沿って伝搬する光のスペクトルを生成する。光検出器744は物
理的に極めて小型で良く、従って極めて廉価に出来る。これに対して、赤外光に
良好に応答するダイオードアレイは比較的高価である。
【0152】
以上本発明を現在のところ好ましい実施例に付いて述べてきたが、かかる開示
は純粋に例示的であり、限定的に解釈されるべきでないことが理解されるべきで
ある。従って、発明の精神と範囲を逸脱せず、発明の種々の変更、集成及び/又
は代替的用途が、以上の開示を読了した当業者に確実に示唆されよう。従って、
以下に記載の請求項は、本発明の真の精神及び範囲に入る全ての変更、修正又は
代替を包括するものと解釈されるよう意図するものである。
は純粋に例示的であり、限定的に解釈されるべきでないことが理解されるべきで
ある。従って、発明の精神と範囲を逸脱せず、発明の種々の変更、集成及び/又
は代替的用途が、以上の開示を読了した当業者に確実に示唆されよう。従って、
以下に記載の請求項は、本発明の真の精神及び範囲に入る全ての変更、修正又は
代替を包括するものと解釈されるよう意図するものである。
【図1】
従来技術の提案に係る3段式完全非閉塞光ファイバスイッチを示すブロック図
である。
である。
【図2】
本発明による台形状自由空間集光NxN反射スイッチングモジュールを通して
の光ビームの伝搬を示す平面図光線追跡図である。
の光ビームの伝搬を示す平面図光線追跡図である。
【図3】
本発明による図2に示した台形状自由空間集光NxN反射スイッチングモジュ
ールの側A及びB間を伝搬する単一光ビームを示す平面又は立面概略図である。
ールの側A及びB間を伝搬する単一光ビームを示す平面又は立面概略図である。
【図4a】
本発明による代替的実施態様である矩形状自由空間集光NxN反射スイッチン
グモジュールを通しての光ビームの伝搬を示す斜視図光線追跡図である。
グモジュールを通しての光ビームの伝搬を示す斜視図光線追跡図である。
【図4b】
本発明による図4aに示した矩形状反射スイッチングモジュールを通しての収
束光ビームの伝搬を示す平面図光線追跡図である。
束光ビームの伝搬を示す平面図光線追跡図である。
【図5】
本発明による多角形状自由空間集光NxN反射スイッチングモジュールを通し
ての光ビームの伝搬を示す平面図光線追跡図である。
ての光ビームの伝搬を示す平面図光線追跡図である。
【図6】
任意に選ばれた光ファイバの対間に光ビームが連結されるようにした、本発明
による台形状自由空間集光反射スイッチングモジュールを通しての光ビームの伝
搬を示す平面図光線追跡図である。
による台形状自由空間集光反射スイッチングモジュールを通しての光ビームの伝
搬を示す平面図光線追跡図である。
【図6a】
光ビームデフレクタのV字状アレイとして配置し、図6のスイッチングモジュ
ールと同様、任意に選ばれた光ファイバの対間に光ビームが連結されるようにし
た、本発明による集光反射スイッチングモジュールを通しての光ビームの伝搬を
示す平面図光線追跡図である。
ールと同様、任意に選ばれた光ファイバの対間に光ビームが連結されるようにし
た、本発明による集光反射スイッチングモジュールを通しての光ビームの伝搬を
示す平面図光線追跡図である。
【図7】
図5に示したNxN反射スイッチングモジュールよりコンパクトである、本発
明による他の台形状自由空間集光NxN反射スイッチングモジュールを通しての
光ビームの伝搬を示す平面図光線追跡図である。
明による他の台形状自由空間集光NxN反射スイッチングモジュールを通しての
光ビームの伝搬を示す平面図光線追跡図である。
【図8a】
NxN反射スイッチングモジュールに用いるに適した、より好ましい円柱形状
の微小レンズを示す立面図である。
の微小レンズを示す立面図である。
【図8b】
レンズとファイバ間の間隔を狭くできるようにした、NxN反射スイッチング
モジュールに用いるに適した微小レンズを示す立面図である。
モジュールに用いるに適した微小レンズを示す立面図である。
【図9】
テーパー状の光ファイバコリメータ組立体を受容する、図7に示したNxN反
射スイッチングモジュールの側A及び側Bの両方に備わる集光ブロックを示す部
分断面立面図である。
射スイッチングモジュールの側A及び側Bの両方に備わる集光ブロックを示す部
分断面立面図である。
【図10】
テーパー状光ファイバコリメータ組立体を受容する、図9に示した集光ブロッ
クを示す部分断面平面図である。
クを示す部分断面平面図である。
【図10a】
レンズの位置と向きを調整出来るようにした代替的集光ブロックを示す部分断
面平面図である
面平面図である
【図10b】
図10aの線10a−10aに沿って取った代替的集光ブロックの断面立面図
である。
である。
【図11】
光ファイバの二重対により運ばれる光を同時に切り換えるNxN反射スイッチ
ングモジュールに用いるに適した微小レンズを示す部分断面立面図である。
ングモジュールに用いるに適した微小レンズを示す部分断面立面図である。
【図12】
捩りスキャナを製作するのに用いられる優先形式のシリコンウェーハ基体を示
す立面図である。
す立面図である。
【図13】
図2、4a、4b、5、6及び7に示したような反射スイッチングモジュール
に用いるのに特に適した二次元静電付勢捩りスキャナを示す平面図である。
に用いるのに特に適した二次元静電付勢捩りスキャナを示す平面図である。
【図14a】
図13の線14a−14aに沿って取った、捩りスキャナに用いられる捩り撓
みヒンジを示す拡大平面図である。
みヒンジを示す拡大平面図である。
【図14b】
図13の線14b−14bに沿って取った、捩りスキャナに用いられるスロッ
ト切り込み捩りバーヒンジを示す拡大平面図である。
ト切り込み捩りバーヒンジを示す拡大平面図である。
【図15】
電極が付着された絶縁性基体上に配設された捩りスキャナであって、光ビーム
がデバイス層の裏側に位置付けられたミラー面から反射して出るところを示す概
略的断面立面図である。
がデバイス層の裏側に位置付けられたミラー面から反射して出るところを示す概
略的断面立面図である。
【図15a、図15b】
図15の線15a/15b−15a/15bに沿って取った絶縁性基体の一部
と電極の代替的平面図である。
と電極の代替的平面図である。
【16a】
図2、4a、4b、5,6及び7に示したような反射スイッチングモジュール
に用いるに適した捩りスキャナのストリップを示す立面図である。
に用いるに適した捩りスキャナのストリップを示す立面図である。
【図16b】
捩りスキャナの直隣接ストリップを重ね合わせて、直隣接ストリップ間の水平
距離を少なくするのを示す、図16aの線16a−16bに沿って取った断面平
面図である。
距離を少なくするのを示す、図16aの線16a−16bに沿って取った断面平
面図である。
【図16c】
図2、4a、4b、5、6、6a及び7に示したような反射スイッチングモジ
ュールに用いるに適した捩りスキャナストリップの優先例を示す立面図である。
ュールに用いるに適した捩りスキャナストリップの優先例を示す立面図である。
【16d】
図16cの線16d−16dに沿って取った捩りスキャナの優先ストリップ例
を示す断面平面図である。
を示す断面平面図である。
【図16e】
図16cに示した捩りスキャナのストリップの並びを示す、図16aの線16
e−16eに沿って取った断面平面図である。
e−16eに沿って取った断面平面図である。
【図17a】
図2、4a、4b、5,6及び7に示したような反射スイッチングモジュール
において光ファイバがより密に配置されるようにした、捩りスキャナの縦オフセ
ット(喰違い)ストリップを示す平面図である。
において光ファイバがより密に配置されるようにした、捩りスキャナの縦オフセ
ット(喰違い)ストリップを示す平面図である。
【図17b】
捩りスキャナの全てがストリップでではなく、単一一体アレイとして製作され
る場合に用いることができる、捩りスキャナの行と列を喰違わせて、より密に充
填するのを示す平面図である。
る場合に用いることができる、捩りスキャナの行と列を喰違わせて、より密に充
填するのを示す平面図である。
【図18a】
外側捩り撓みヒンジがスキャナの外枠に対して筋かいに向き付けされている、
代替的実施態様である捩りスキャナを示す平面図である。
代替的実施態様である捩りスキャナを示す平面図である。
【図18b】
図18aに示す形式である捩りスキャナをアレイにしたものを示す平面図であ
る。
る。
【図19a】
スキャナの非方形ミラー板の対角線に沿って内側捩り撓みヒンジが向き付けら
れるようにした捩りスキャナの他の実施態様を示す平面図である。
れるようにした捩りスキャナの他の実施態様を示す平面図である。
【図19b】
図19aに示す捩りスキャナの実施態様であって、捩り撓みヒンジの両対がシ
リコンの結晶軸に対して適切に向き付けられて、その内部に捩りセンサが最適の
特性を有して製作されるようにしたものを示す平面図である。
リコンの結晶軸に対して適切に向き付けられて、その内部に捩りセンサが最適の
特性を有して製作されるようにしたものを示す平面図である。
【図20a】
図2、4a、4b、5,6及び7に示したような反射スイッチングモジュール
に含めるのに適した、図18aに示す捩りスキャナの密配置を示す立面図である
。
に含めるのに適した、図18aに示す捩りスキャナの密配置を示す立面図である
。
【図20b】
図2、4a、4b、5,6及び7に示したような反射スイッチングモジュール
に含めるのに適した、図19aに示す捩りスキャナの密配置を示す立面図である
。
に含めるのに適した、図19aに示す捩りスキャナの密配置を示す立面図である
。
【図21】
基体に固定される捩りスキャナの代替的実施態様ストリップであって、またミラ
ーストリップを保持し、コリメータレンズと光ファイバの端部とが捩りスキャナ
上のミラー面に近接して位置付けられるようにしたものを示す概略的断面立面図
である。
ーストリップを保持し、コリメータレンズと光ファイバの端部とが捩りスキャナ
上のミラー面に近接して位置付けられるようにしたものを示す概略的断面立面図
である。
【図21a】
一次元集光を行うように図21の捩りスキャナのストリップを配置したものを
示す概略的立面図である。
示す概略的立面図である。
【図21b】
図21aの一次元集光と組み合わせた一次元集光を行うように光ファイバ・コ
リメータ組立体を配置したものを示す概略的立面図である。
リメータ組立体を配置したものを示す概略的立面図である。
【図22a】
基体に密着させた捩りスキャナ・フリップチップのストリップの前立面図であ
る。
る。
【図22b】
図22aの線22b−22bに沿って取った、基体に密着させた捩りスキャナ
・フリップチップのストリップの断面側立面図である。
・フリップチップのストリップの断面側立面図である。
【図22c】
図22aの線22c−22cに沿って取った、基体に密着させたフリップチッ
プである捩りスキャナのストリップの上面図である。
プである捩りスキャナのストリップの上面図である。
【図22d】
通路が形成されたシリコン基体に密着させた捩りスキャナ・フリップチップの
ストリップの断面側立面図である。
ストリップの断面側立面図である。
【図22e】
トラフが形成されて基体への結合を強化する捩りスキャナの面の一部を示す断
面側立面図である。
面側立面図である。
【図22f】
捩りスキャナのストリップと基体間にスペーサを介在させたものを示す、図2
2のものと同様の断面側立面図である。
2のものと同様の断面側立面図である。
【図23】
そのミラー面を囲繞する捩りスキャナの複数部分からの光の散乱を示す光線追
跡図である。
跡図である。
【図24】
図2、4a、4b、5、6及び7に示したような反射スイッチングモジュール
を示すシステム水準ブロック図である。
を示すシステム水準ブロック図である。
【図25】
本発明によるモジュラ光ファイバスイッチを示す斜視図である。
【図26】
ポートカードと反射スイッチングモジュールとを備えるようにした図25のモ
ジュラ光ファイバスイッチの総合ブロック図である。
ジュラ光ファイバスイッチの総合ブロック図である。
【図26a】
反射スイッチングモジュールに備わる一対のミラーを正確に向き付ける光アラ
インメントサーボに用い得る光検出器の一実施態様を示す図である。
インメントサーボに用い得る光検出器の一実施態様を示す図である。
【図26b】
反射スイッチングモジュールに備わる一対のミラーを正確に向き付ける光アラ
インメントサーボに用い得る光複合検出器を示す図である。
インメントサーボに用い得る光複合検出器を示す図である。
【図26c】
位置合わせや他の診断目的で、光ファイバから光を引き出すため、ポートカー
ドへの曲げファイバタップの使用方法を示す概略図である。
ドへの曲げファイバタップの使用方法を示す概略図である。
【図16d】
図26cの線26d−26dに沿って取った曲げファイバタップの立面図であ
る。
る。
【図27a】
図2、4a、4b、5、6及び7に示したような反射スイッチングモジュール
の一つである、図25に示すモジュラ光ファイバスイッチに備わる反射スイッチ
ングモジュールが備えるミラーの正確なアラインメントを確実にするサーボシス
テムを示すブロック図である。
の一つである、図25に示すモジュラ光ファイバスイッチに備わる反射スイッチ
ングモジュールが備えるミラーの正確なアラインメントを確実にするサーボシス
テムを示すブロック図である。
【図27b】
図27aに示すサーボシステムに備わる2軸サーボのX軸又はY軸チャネルを
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図27c】
数個の異なる対の捩りスキャナ電極214同士で一つの2軸サーボの単一チャ
ネルを共有したものを示すブロック図である。
ネルを共有したものを示すブロック図である。
【図27d】
交流駆動電圧を用いて捩りスキャナの制御された回転を誘導するための回路を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図27e、図27f】
捩りスキャナの電極とミラープレート間に印加される電圧を示す波形図である
。
。
【図28a】
光ファイバのアレイを受容、固定する代替的実施態様に係る複板(プレート)
構造を示す部分断面立面図である。
構造を示す部分断面立面図である。
【図28b】
図28aの線28−28bに沿って取った、プレートの一方を通って形成され
る一形式の穴の輪郭を示す立面図である。
る一形式の穴の輪郭を示す立面図である。
【図28c】
図28aの線28−28bに沿って取った、プレートの一方を通って形成され
るXYマイクロステージのアレイを示す立面図である。
るXYマイクロステージのアレイを示す立面図である。
【図29a】
図28cの線29a−29aに沿って取った、XYマイクロステージを示す立
面図である。
面図である。
【図29b、図29c】
図29aの線29b/29c−29b/29cに沿って取った、他の実施態様
のXYマイクロステージの一部を示す立面図である。
のXYマイクロステージの一部を示す立面図である。
【図30a】
シリコン基体から微細加工されたものであって、静電的に付勢されて、その軸
線に沿って動くレンズを示す部分断面図である。
線に沿って動くレンズを示す部分断面図である。
【図30b】
図30aの線30b−30bに沿って取った、シリコン微細加工レンズを示す
立面図である。
立面図である。
【図30c】
図30aに示すもの同様、シリコン基体から微細加工されたものであって、電
磁的に付勢されて、その軸線に沿って動くレンズの部分断面図である。
磁的に付勢されて、その軸線に沿って動くレンズの部分断面図である。
【図31a】
捩りスキャナを回転させるのに磁力を用いるための一構成を示す平面図である。
【31b】
図31aの線31b−31bに沿って取った、それに用いられる磁石の立面図
である。
である。
【図31c】
りスキャナを回転させるのに磁力を用いるための別の構成を示す平面図である
。
。
【図31d】
図31cの線31d−31dに沿って取った、それに用いられる磁石の立面図
である。
である。
【図32】
ルーチング(ルート割当)波長デマルチプレクサから光ビームが、図2、4a
、4b、5、6、6a及び7に示したような反射スイッチングモジュールの一つ
に直接連結されるところを示す側面図である。
、4b、5、6、6a及び7に示したような反射スイッチングモジュールの一つ
に直接連結されるところを示す側面図である。
【図33a、図33b】
レーザーダイオードと共に2D捩りスキャナ上に形成された回折格子により形
成されるリトローキャビティー[Littrow cavity]を示す概略図
と、その応用として遠隔通信に遊離に利用できる波長変換の概略図である。
成されるリトローキャビティー[Littrow cavity]を示す概略図
と、その応用として遠隔通信に遊離に利用できる波長変換の概略図である。
【図34】
光ファイバに沿って伝搬する光の波長を監視するための回折格子を担持するよ
うにした捩りスキャナの使用を示す概略図である。
うにした捩りスキャナの使用を示す概略図である。
100・・・・・・・・・・・・・・反射型スイッチングモジュール
102a、1021b・・・・・・・側
104・・・・・・・・・・・・・・端部
106・・・・・・・・・・・・・・光ファイバ
108・・・・・・・・・・・・・・光ビーム
112・・・・・・・・・・・・・・レンズ
116a、116b・・・・・・・・ミラー面
118a、118b・・・・・・・・セット
120・・・・・・・・・・・・・・ミラー
122b、122b・・・・・・・・点
132・・・・・・・・・・・・・・面
134・・・・・・・・・・・・・・光ファイバコリメータ組立体
136・・・・・・・・・・・・・・面
138・・・・・・・・・・・・・・面
142・・・・・・・・・・・・・・凸面
144・・・・・・・・・・・・・・軸線
146・・・・・・・・・・・・・・フェルール
152・・・・・・・・・・・・・・収束ブロック
154・・・・・・・・・・・・・・穴
162・・・・・・・・・・・・・・ウェーハ
164・・・・・・・・・・・・・・二酸化シリコン層
166・・・・・・・・・・・・・・単結晶シリコン層、デバイスシリコン層
168・・・・・・・・・・・・・・単結晶シリコン層、ハンドルシリコン層
169・・・・・・・・・・・・・・表側
170・・・・・・・・・・・・・・裏側
172・・・・・・・・・・・・・・捩りスキャナ
174・・・・・・・・・・・・・・外側基準フレーム
176・・・・・・・・・・・・・・捩り撓みヒンジ
178・・・・・・・・・・・・・・内側移動フレーム
182・・・・・・・・・・・・・・捩りバーヒンジ
184・・・・・・・・・・・・・・プレート
192a、192b・・・・・・・・捩りセンサ
194a、194b・・・・・・・・センサ電流パッド
196・・・・・・・・・・・・・・蛇行金属導体
198a、198b・・・・・・・・内側ヒンジセンサパッド
202a、202b・・・・・・・・内側ヒンジセンサパッド
204・・・・・・・・・・・・・・溝
212・・・・・・・・・・・・・・基体(基板)
214・・・・・・・・・・・・・・電極
216・・・・・・・・・・・・・・空洞
218・・・・・・・・・・・・・・強化リブ
219・・・・・・・・・・・・・・電気絶縁性材料
220・・・・・・・・・・・・・・穴
222・・・・・・・・・・・・・・ストップ
224・・・・・・・・・・・・・・支持フレーム
226・・・・・・・・・・・・・・リボンケーブル
228・・・・・・・・・・・・・・リード線
232・・・・・・・・・・・・・・曲線
236a、236b・・・・・・・・回転軸
242・・・・・・・・・・・・・・ベース
244・・・・・・・・・・・・・・X軸、Y軸
246・・・・・・・・・・・・・・矩形形状フィールド
262・・・・・・・・・・・・・・ミラーストリップ
264・・・・・・・・・・・・・・ビーム折返し・偏向組立体
272・・・・・・・・・・・・・・空洞
276・・・・・・・・・・・・・・はんだバンプ
282・・・・・・・・・・・・・・通路
284・・・・・・・・・・・・・・酸化物層
286・・・・・・・・・・・・・・ポリシリコン層
288・・・・・・・・・・・・・・リング
292・・・・・・・・・・・・・・エラストマ層
294・・・・・・・・・・・・・・ポリイミド+銅層
298・・・・・・・・・・・・・・バンプ
302・・・・・・・・・・・・・・側
304・・・・・・・・・・・・・・薄膜
312・・・・・・・・・・・・・・反射防止層
352・・・・・・・・・・・・・・環境ハウジング
353・・・・・・・・・・・・・・非飽和マイクロドライヤ
354・・・・・・・・・・・・・・壁
356・・・・・・・・・・・・・・通電フィードスルー
400・・・・・・・・・・・・・・光ファイバスイッチ
402・・・・・・・・・・・・・・ラック
404・・・・・・・・・・・・・・複式ソケット
406・・・・・・・・・・・・・・ポートカード
412、414・・・・・・・・・・破線
422・・・・・・・・・・・・・・光源
424・・・・・・・・・・・・・・方向性カプラ
426・・・・・・・・・・・・・・光検出器
432・・・・・・・・・・・・・・駆動・感知・制御エレクトロニクス
436・・・・・・・・・・・・・・監視プロセッサ
438・・・・・・・・・・・・・・データ通信リンク
442・・・・・・・・・・・・・・コネクタ
452・・・・・・・・・・・・・・ルックアップ(テーブル)
454・・・・・・・・・・・・・・2軸(デュアル)サーボ
462・・・・・・・・・・・・・・電流源
463・・・・・・・・・・・・・・計測増幅器
464・・・・・・・・・・・・・・エラー増幅器
465・・・・・・・・・・・・・・DSP
466・・・・・・・・・・・・・・RAM
467・・・・・・・・・・・・・・DAC
472・・・・・・・・・・・・・・積分回路
463・・・・・・・・・・・・・・増幅器
474・・・・・・・・・・・・・・抵抗
475・・・・・・・・・・・・・・コンデンサ
476a、476b・・・・・・・・加算増幅器
477・・・・・・・・・・・・・・反転増幅器
478・・・・・・・・・・・・・・高電圧増幅器
482・・・・・・・・・・・・・・テレコム信号強度光検出器
484・・・・・・・・・・・・・・アラインメント光検出器
486・・・・・・・・・・・・・・二色性ミラー
488・・・・・・・・・・・・・・テレコム信号監視光検出器
492・・・・・・・・・・・・・・シリコン光検出器
494・・・・・・・・・・・・・・長波長光検出器
495・・・・・・・・・・・・・・曲がりファイバタップ
502・・・・・・・・・・・・・・RS232ポート
504・・・・・・・・・・・・・・アナログ−ディジタル変換器(DAC)
602・・・・・・・・・・・・・・固定板
604・・・・・・・・・・・・・・調整板
606・・・・・・・・・・・・・・穴
608・・・・・・・・・・・・・・入り口
612・・・・・・・・・・・・・・カンチレバー
622・・・・・・・・・・・・・・XYマイクロステージ
624・・・・・・・・・・・・・・穴
632・・・・・・・・・・・・・・外側ベース
634・・・・・・・・・・・・・・Y軸ステージ
636、642・・・・・・・・・・撓み体
644・・・・・・・・・・・・・・X軸ステージ
652、654、666・・・・・・リンケージ
664・・・・・・・・・・・・・・速位端
674、682・・・・・・・・・・撓み体
672・・・・・・・・・・・・・・プッシュピン
684・・・・・・・・・・・・・・電極
692・・・・・・・・・・・・・・永久磁石
694・・・・・・・・・・・・・・コイル
702・・・・・・・・・・・・・・ルーチング波長デマルチプレクサ
704・・・・・・・・・・・・・・デマルチプレクサ平面導波管
706・・・・・・・・・・・・・・基体(基板))
712・・・・・・・・・・・・・・格子
714・・・・・・・・・・・・・・レーザーダイオード
722・・・・・・・・・・・・・・ビームスプリッター
724・・・・・・・・・・・・・・(零次回折)出力ビーム
726・・・・・・・・・・・・・・波長ロッカー[locker]
732・・・・・・・・・・・・・・入りビーム
734・・・・・・・・・・・・・・ゲイン媒体
744・・・・・・・・・・・・・・光検出器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 クラーク、スチーブン、エム
アメリカ合衆国カリフォルニア州94303パ
ロ・アルト、セリア・ウェイ986
(72)発明者 シューマン、マーク、アール
アメリカ合衆国カリフォルニア州94122サ
ン・フランシスコ、ナインス・アベニュー
1550−2
(72)発明者 スレーター、ティモシー、ディー
アメリカ合衆国カリフォルニア州94110サ
ン・フランシスコ、フォルソム・ストリー
ト3715
(72)発明者 フォスター、ジャック、ディー
アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア
ルトス、レネッタ・コート856
(72)発明者 カルメス、サム
アメリカ合衆国カリフォルニア州94040マ
ウンテン・ビュー、ラサム・ストリート
2250、アプト10
Fターム(参考) 2H037 AA01 BA32 CA38
2H041 AA16 AA17 AB14 AC06 AZ02
AZ05
5K002 BA02 BA06 BA21 FA01
【要約の続き】
08)を光ファイバ間に連結するデフレクタ(172)
対を正確に向き付ける。
Claims (53)
- 【請求項1】光ファイバ・スイッチングモジュールであって、 光ファイバの端部を受容して固定し、準平行光ビームを自由空間光路に放出す
るに適した光ファイバ・コリメータ組立体と、 各々がそれぞれ光ファイバ・コリメータ組立体を受容して固定するコリメータ
受け器の、上記光路の両端に有って互いに隔てられた第1群と第2群と、 上記両コリメータ受け器群間の光路内にV字形状に配置された第1組及び第2
組の反射光ビームデフレクタと、 上記光ビームデフレクタの組間に上記光路に沿って配設され、準平行光ビーム
が入射するミラーとを備えて成り、 上記第1又は第2組の光ビームデフレクタの各々が、 上記コリメータ受け器に受容可能な光ファイバ・コリメータ組立体の一つに随
伴してい、 該随伴光ファイバ・コリメータ組立体から放出される準平行光ビームが光ビー
ムデフレクタに当って反射されるように位置付けられてい、且つ 上記光ファイバ・スイッチングモジュールに供給される駆動信号により付勢さ
れて配向され、随伴光ファイバ・コリメータ組立体から放出可能な準平行光ビー
ムを、それが選ばれた光ビームデフレクタから反射して出るようにするものであ
って、 それにより、一対の光ビームデフレクタが、供給される駆動信号により選択、
配向されるとき、一方が上記コリメータ受け器の何れか一つに固定され、他方が
それとは別のコリメータ受け器に固定される一対の光ファイバ・コリメータ組立
体間への、少なくとも一つの準平行光ビームの連結を確立するように構成されて
成る光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項2】前記第1群にはコリメータ受け器が一つだけ備わり、前記第2
群に残りのコリメータ受け器が備わってい、上記単一コリメータ受け器に固定可
能な一つの光ファイバ・コリメータ組立体と上記第2群コリメータ受け器に固定
可能な光ファイバ・コリメータ組立体の選ばれた一つとの間の光学的連結を光フ
ァイバ・スイッチングモジュールが確立するように構成して成る請求項1に記載
の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項3】個々のコリメータ受け器が円錐形状であり、嵌め合い円錐形状
光ファイバコリメーター組立体を受容できるように構成して成る請求項1に記載
の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項4】 が伝搬する光路を環境ハウジングが囲繞して成る構成
を特徴とする請求項1に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項5】光ファイバ・スイッチングモジュールの安定動作環境を維持す
るための温度調節を環境ハウジングが提供するように構成して成る請求項4に記
載光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項6】環境ハウジングを乾性ガスが流れ、環境ハウジングを取り巻く
大気が光ファイバ・スイッチングモジュールに入るのを防止するように構成して
成る請求項4に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項7】環境ハウジングが加圧されて、環境ハウジングを取り巻く大気
が光ファイバ・スイッチングモジュールに入るのを防止するように構成して成る
請求項4に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項8】環境ハウジングが非飽和マイクロドライヤを備え、光ファイバ
・スイッチングモジュール内の結露を阻止するように構成して成る請求項4に記
載光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項9】前記駆動信号が流れる電気貫通接続が環境ハウジングの壁を貫
通するように構成して成る請求項4に記載の光ファイバ・スイッチングモジュー
ル。 - 【請求項10】光ビームデフレクタが付勢されていないとき、それから反射
して出た が1次元(1D)で実質的に収束するように構成して成る請求
項1に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項11】光ビームデフレクタが付勢されていないとき、それから反射
して出た が2次元(2D)で実質的に収束するように構成して成る請求
項1に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項12】前記コリメータ受け器の配向が を第1の次元に収束
させ、前記光ビームデフレクタが付勢されていないときその配向が第2の次元に
収束させるように構成して成る請求項11に記載の光ファイバ・スイッチングモ
ジュール。 - 【請求項13】第1組又は第2組の光ビームデフレクタが付勢されていない
とき、それから反射して出た が両光ビームデフレクタ組の分岐点の後ろ
に位置する点で実質的に収束するように構成して成る請求項1に記載の光ファイ
バ・スイッチングモジュール。 - 【請求項14】第1組又は第2組の光ビームデフレクタが付勢されていない
とき、それから反射して出た が両光ビームデフレクタ組の分岐点に位置
する点で実質的に収束するように構成して成る請求項1に記載の光ファイバ・ス
イッチングモジュール。 - 【請求項15】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、かか
る光ビームデフレクタの不付勢配向から時計回り方向及び反時計回り方向に実質
的に等しい回転角度を示すように構成して成る請求項1に記載の光ファイバ・ス
イッチングモジュール。 - 【請求項16】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、 二つの非平行軸を中心として回転し、且つ かかる光ビームデフレクタの不付勢配向から軸の少なくとも一つを中心する時
計回り方向及び反時計回り方向に実質的に等しい回転角度を示すように構成して
成る請求項1に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項17】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、かか
る光ビームデフレクタの不付勢配向から実質的に等しいバイポーラ回転角度を示
すように構成して成る請求項1に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項18】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、 二つの非平行軸を中心として回転し、且つ かかる光ビームデフレクタの不付勢配向から軸の少なくとも一つを中心する実
質的に等しいバイポーラ回転角度を示すように構成して成る請求項1に記載の光
ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項19】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、かか
る光ビームデフレクタの不付勢配向から実質的に最小回転角度を示すように構成
して成る請求項1に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項20】コリメータ受け器のみの配向が を収束するように構
成して成る請求項1に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項21】不付勢時の前記光ビームデフレクタのみの配向が を
収束するように構成して成る請求項1に記載の光ファイバ・スイッチングモジュ
ール。 - 【請求項22】光ファイバ・スイッチングモジュールに供給され各光ビーム
デフレクタの配向を付勢する駆動信号が、光ビームデフレクタに連結された向き
センサが生成する信号に応答するように構成して成る請求項1に記載の光ファイ
バ・スイッチングモジュール。 - 【請求項23】光ファイバ・スイッチングモジュールに供給され各 デフレクタの配向を付勢する駆動信号が、光ビームデフレクタから反射可能な光
ビームとは独立した向きセンサが生成する信号に応答するように構成して成る請
求項1に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項24】前記光ビームデフレクタがフレーム側からそれぞれ捩りヒン
ジによって支えられているものであり、各フレームと捩りヒンジと光ビームデフ
レクタが単結晶シリコンから製作されるように構成して成る請求項1に記載の光
ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項25】光ファイバ・スイッチングモジュールであって、 (a)各々がそれぞれ一つの光ファイバの一端を受容して固定するに適した光
ファイバ受け器の、自由空間光路の両端に有って互いに隔てられた第1群と第2
群と、 (b)第1群及び第2群の光ファイバ受け器の各々にレンズ一つがそれぞれ固
定され、その光ファイバ受け器に固定され得る光ファイバの一端がそこに固定さ
れたレンズと対向するようにし、各該レンズが光ファイバの対向端から放出され
得る を受け取り、且つ準平行光ビームを光ファイバ・スイッチングモジ
ュールの光路に放出するに適するレンズと、 (c)前記両光ファイバ受け器群間の光路内に何れもが配設された第1組及び
第2組の反射光ビームデフレクタと、 (d)上記光ビームデフレクタの組間に上記光路に沿って配設され、準平行光
ビームが入射するミラーとを備えて成り、 該第1又は第2組の光ビームデフレクタの各々が、 前記光ファイバ受け器の各々に固定された前記レンズ一つに随伴してい、 該随伴レンズから放出され得る準平行光ビームが光ビームデフレクタに当り、
反射されるように位置付けられてい、且つ 前記光ファイバ・スイッチングモジュールに供給される駆動信号により付勢さ
れて、前記随レンズから放出され得る準平行光ビームを、該準平行光ビームがま
た前記第2又は第1組の光ビームデフレクタの選ばれた一つから反射して出るよ
うにすべく、反射するように配向され得るものであって、 それにより、一対の光ビームデフレクタが、供給される駆動信号により選択、
配向されるとき、一方が上記光ファイバ受け器の何れか一つに固定され、他方が
それとは別の光ファイバ受け器に固定される一対のレンズ間への、少なくとも一
つの準平行光ビームの連結を確立するように構成して成る光ファイバ・スイッチ
ングモジュール。 - 【請求項26】前記第1群には光ファイバ受け器が一つだけ備わり、前記第
2群に残りの光ファイバ受け器が備わってい、上記単一光ファイバ受け器に固定
されたレンズ一つと第2群の光ファイバ受け器に固定されたレンズ一つとの間の
光学的連結を光ファイバ・スイッチングモジュールが確立するように構成して成
る請求項25に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項27】 が伝搬する光路を囲繞する環境ハウジングが更に備
わるように構成して成る請求項25に記載の光ファイバ・スイッチングモジュー
ル。 - 【請求項28】光ファイバ・スイッチングモジュールの安定動作環境を維持
するための温度調節を環境ハウジングが提供するように構成して成る請求項27
に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項29】環境ハウジングを乾性ガスが流れ、環境ハウジングを取り巻
く大気が光ファイバ・スイッチングモジュールに入るのを防止するように構成し
て成る請求項27に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項30】環境ハウジングが加圧されて、環境ハウジングを取り巻く大
気が光ファイバ・スイッチングモジュールに入るのを防止するように構成して成
る請求項27に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項31】環境ハウジングが非飽和マイクロドライヤを備え、光ファイ
バ・スイッチングモジュール内の結露を阻止するように構成して成る請求項27
に記載光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項32】前記駆動信号が流れる電気貫通接続が環境ハウジングの壁を
貫通するように構成して成る請求項27に記載の光ファイバ・スイッチングモジ
ュール。 - 【請求項33】光ビームデフレクタが付勢されていないとき、それから反射
して出た が1Dで実質的に収束するように構成して成る請求項25に記
載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項34】光ビームデフレクタが付勢されていないとき、それから反射
して出た が2Dで実質的に収束するように構成して成る請求項25に記
載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項35】前記光ファイバ受け器の配向が を第1の次元に収束
させ、前記光ビームデフレクタが付勢されていないときその配向が第2の次元に
収束させるように構成して成る請求項34に記載の光ファイバ・スイッチングモ
ジュール。 - 【請求項36】第1組と第2組の光ビームデフレクタが付勢されていないと
き、それから反射して出た が第2組又は第1組の光ビームデフレクタの
分岐点の後ろに位置する点で実質的に収束するように構成して成る請求項25に
記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項37】第1組と第2組の光ビームデフレクタが付勢されていないと
き、それから反射して出た が両光ビームデフレクタ組の分岐点に位置す
る点で収束するように構成して成る請求項25に記載の光ファイバ・スイッチン
グモジュール。 - 【請求項38】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、かか
る光ビームデフレクタの不付勢配向から時計回り方向及び反時計回り方向に実質
的に等しい回転角度を示すように構成して成る請求項25に記載の光ファイバ・
スイッチングモジュール。 - 【請求項39】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、 二つの非平行軸を中心として回転し、且つ かかる光ビームデフレクタの不付勢配向から軸の少なくとも一つを中心する時
計回り方向及び反時計回り方向に実質的に等しい回転角度を示すように構成して
成る請求項25に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項40】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、かか
る光ビームデフレクタの不付勢配向から実質的に等しいバイポーラ回転角度を示
すように構成して成る請求項25に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール
。 - 【請求項41】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、 二つの非平行軸を中心として回転し、且つ かかる光ビームデフレクタの不付勢配向から軸の少なくとも一つを中心する実
質的に等しいバイポーラ回転角度を示すように構成して成る請求項25に記載の
光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項42】 を第2組又は第1組のビームデフレクタの何れかに
反射するのに最大移動を要する第1組又は第2組の光ビームデフレクタが、かか
る光ビームデフレクタの不付勢配向から実質的に最小回転角度を示すように構成
して成る請求項25に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項43】前記光ファイバ受け器と前記レンズのみの配向が の収
束を達成するように構成して成る請求項25に記載の光ファイバ・スイッチング
モジュール。 - 【請求項44】不付勢時の前記光ビームデフレクタのみの配向が を
収束させるように構成して成る請求項25に記載の光ファイバ・スイッチングモ
ジュール。 - 【請求項45】光ファイバ・スイッチングモジュールに供給され各光ビーム
デフレクタの配向を付勢する駆動信号が、光ビームデフレクタに連結された向き
センサが生成する信号に応答するように構成して成る請求項25に記載の光ファ
イバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項46】光ファイバ・スイッチングモジュールに供給され各光ビーム
デフレクタの配向を付勢する駆動信号が、光ビームデフレクタから反射可能な とは独立した向きセンサが生成する信号に応答するように構成して成る請
求項25に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項47】前記光ビームデフレクタがフレーム側からそれぞれ捩りヒン
ジによって支えられているものであり、各フレームと捩りヒンジと光ビームデフ
レクタが単結晶シリコンから製作されるように構成して成る請求項25に記載の
光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項48】光ファイバ受け器に受容され得る光ファイバの端部が光ビー
ムを光ファイバの中心線に対して角度をもって放出し、それらにそれぞれ付随す
るレンズの第1の面がレンズの軸線に対して傾斜角で配向されてい、各レンズ内
で がレンズの軸線に実質的に揃うよう構成して成る請求項25に記載の光
ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項49】各レンズの焦点が実質的にその傾斜角面に有り、随伴光ファ
イバ受け器に受容され得る光ファイバの端部が上記傾斜角面から の1レ
イリーレンジ(Rayleighr range)に位置付けられるように構成
して成る請求項48に記載の光ファイバ・スイッチングモジュール。 - 【請求項50】光ファイバ受け器に受容され得る光ファイバが複式光ファイ
バであり、それ等にそれぞれ随伴するレンズには更にレンズの軸線に対して傾斜
角で配向され、且つその第1の面に交差し、平行でない第2の面が有り、その結
果、それぞれ随伴する複式レンズの一端から/に、光ファイバの中心線に対して
異なる角度で、それぞれ出る/入る二つの が各レンズ内でレンズの軸線
に揃うように構成して成る請求項48に記載の光ファイバ・スイッチングモジュ
ール。 - 【請求項51】複式光ファイバを通して二つの が反対の向きに伝搬
するように構成して成る請求項50に記載の光ファイバ・スイッチングモジュー
ル。 - 【請求項52】複式光ファイバを通して二つの が一つの向きに伝搬
するように構成して成る請求項50に記載の光ファイバ・スイッチングモジュー
ル。 - 【請求項53】それぞれ随伴する光ファイバ受け器に受容され得る前記光フ
ァイバの一端により近位して配置された小径外面と、それぞれ随伴する光ファイ
バ受け器に受容され得る前記光ファイバの一端からより遠位して配置された大径
外面がレンズに形成されるように構成して成る請求項25に記載の光ファイバ・
スイッチングモジュール。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002258174A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 光変調装置及びそれを有する電子機器 |
JP2002262318A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Fujitsu Ltd | 光スイッチ |
JP2007256692A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sendai Nikon:Kk | 光走査モジュール及びエンコーダ |
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US6002818A (en) * | 1997-12-05 | 1999-12-14 | Lucent Technologies Inc | Free-space optical signal switch arrangement |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002258174A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 光変調装置及びそれを有する電子機器 |
JP2002262318A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Fujitsu Ltd | 光スイッチ |
JP2007256692A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sendai Nikon:Kk | 光走査モジュール及びエンコーダ |
WO2007111228A1 (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Nikon Corporation | 光走査モジュール及びエンコーダ |
JP2019015790A (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-31 | 住友電気工業株式会社 | Memsミラー駆動回路 |
JP2019191260A (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-31 | 住友電気工業株式会社 | コヒーレント光受信モジュール |
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