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JP2003347708A - Transfer method of electrode pattern and manufacturing method of hybrid electronic component - Google Patents

Transfer method of electrode pattern and manufacturing method of hybrid electronic component

Info

Publication number
JP2003347708A
JP2003347708A JP2002151492A JP2002151492A JP2003347708A JP 2003347708 A JP2003347708 A JP 2003347708A JP 2002151492 A JP2002151492 A JP 2002151492A JP 2002151492 A JP2002151492 A JP 2002151492A JP 2003347708 A JP2003347708 A JP 2003347708A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer film
electrode pattern
transfer
pattern
laminate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002151492A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoto Tanaka
尚登 田中
Kenji Kawakami
健司 河上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2002151492A priority Critical patent/JP2003347708A/en
Publication of JP2003347708A publication Critical patent/JP2003347708A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transfer method of an electrode pattern and a manufacturing method of a hybrid electronic component capable of easy transfering to a destination while an electrode pattern of a desired dimension is surely transferred to the destination. <P>SOLUTION: A conductive paste is applied by screen-printing to a releasing surface 1a of a transfer film 1 where a mold releasing treatment is applied to its surface to provide a peeling strength of 250-1000 mN/25 mm, to form a land pattern (electrode pattern) 2 for mounting a chip component. The transfer film 1 is placed on the upper surface of a laminate 10, which is a destination, with the releasing surface 1a, where the land pattern 2 for mounting a chip component is formed, being faced down. The transfer film 1 is pressed under a prescribed pressure. The pressure is preferred to be 20-60 N/mm<SP>2</SP>. Then, by peeling off the transfer film 1, the land pattern 2 for mounting a chip component is transferred on the upper surface of the laminate 10. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電極パターンの転
写方法および複合電子部品の製造方法、特に多層セラミ
ック基板、あるいは、チップ部品を搭載した多層セラミ
ック基板などの複合電子部品の製造方法に関する。
The present invention relates to a method for transferring an electrode pattern and a method for manufacturing a composite electronic component, and more particularly to a method for manufacturing a composite electronic component such as a multilayer ceramic substrate or a multilayer ceramic substrate on which chip components are mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、多層セラミック基板の製造方
法として、特開昭57−60896号公報記載の方法が
知られている。この方法は、図10(a)〜(e)に示
すように、セラミックからなる絶縁層51を介して複数
の配線導体層52を積み重ねて積層体を形成し(図10
(a))、その積層体の上に、転写フィルム53の表面
に導電ペーストにて印刷形成された配線導体層54を重
ね(図10(b))、加熱プレスを行い(図10
(c))、転写フィルム53を剥離することにより(図
10(d))、積層体の表面に配線導体層54を転写す
る(図10(e))方法である。
2. Description of the Related Art Conventionally, a method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-60896 has been known as a method of manufacturing a multilayer ceramic substrate. In this method, as shown in FIGS. 10A to 10E, a plurality of wiring conductor layers 52 are stacked via an insulating layer 51 made of ceramic to form a laminate (FIG. 10A).
(A)), a wiring conductor layer 54 formed by printing with a conductive paste on the surface of the transfer film 53 is superimposed on the laminated body (FIG. 10B), and heated and pressed (FIG. 10B).
(C)), the wiring film 53 is transferred to the surface of the laminate by peeling off the transfer film 53 (FIG. 10D) (FIG. 10E).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、多層セラミック基板の製造方法に用いられる転写フ
ィルムは、剥離強度が30〜200mN/25mm(J
IS規格 K6854)しかなく、転写フィルムに印刷
した配線導体が、転写前に剥がれてしまうことがあっ
た。また、転写フィルムの剥離強度が小さい(配線導体
の濡れ性が小さい)と、被転写体に転写された配線導体
がはじかれ、所望の寸法の配線導体が得られないことが
あった。さらに、被転写体上の配線導体を乾燥した後
も、配線導体が被転写体から剥がれ易いという問題があ
った。
However, generally, a transfer film used in a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate has a peel strength of 30 to 200 mN / 25 mm (J).
There was only IS standard K6854), and the wiring conductor printed on the transfer film was sometimes peeled off before transfer. Further, when the peel strength of the transfer film is low (the wettability of the wiring conductor is low), the wiring conductor transferred to the transfer target is repelled, and a wiring conductor having a desired size may not be obtained. Further, there is a problem that the wiring conductor is easily peeled off from the transferred body even after the wiring conductor on the transferred body is dried.

【0004】そこで、本発明の目的は、被転写体への転
写作業が容易で、かつ、所望の寸法の電極パターンを確
実に被転写体に転写することができる電極パターンの転
写方法および複合電子部品の製造方法を提供することに
ある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of transferring an electrode pattern and a composite electronic device which can easily transfer an electrode pattern of a desired size to a transfer object, and can easily transfer the electrode pattern to the transfer object. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a component.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明に係る電極パターンの転写方法は、
(a)離型処理を表面に施して剥離強度が250〜10
00mN/25mmである転写フィルムの離型面に、電
極パターンを形成する工程と、(b)転写フィルムの離
型面に形成された電極パターンを、被転写体の表面に接
して重ね合わせ、所定のプレス圧でプレスした後、転写
フィルムを剥がすことにより電極パターンを被転写体の
表面に転写する工程と、を備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method for transferring an electrode pattern according to the present invention comprises:
(A) The surface is subjected to a release treatment to have a peel strength of 250 to 10
A step of forming an electrode pattern on the release surface of the transfer film having a thickness of 00 mN / 25 mm; and (b) superposing the electrode pattern formed on the release surface of the transfer film in contact with the surface of the object to be transferred. And a step of transferring the electrode pattern to the surface of the transfer-receiving body by removing the transfer film after pressing at a pressing pressure of.

【0006】被転写体は、例えば、内部導体と絶縁層を
積み重ねて構成した複合電子部品の積層体であり、内部
導体と電気的に接続される層間接続用ビアホールの一部
が積層体の表面に露出しており、該層間接続用ビアホー
ルに電気的に接続するように電極パターンが転写されて
いる。転写フィルムとしては、PETフィルムなどが用
いられる。
The transfer object is, for example, a laminate of a composite electronic component formed by stacking an internal conductor and an insulating layer, and a part of the via hole for interlayer connection electrically connected to the internal conductor is formed on the surface of the laminate. And an electrode pattern is transferred so as to be electrically connected to the via hole for interlayer connection. As the transfer film, a PET film or the like is used.

【0007】離型面の剥離強度が250〜1000mN
/25mmの転写フィルムを用いることにより、被転写
体への転写作業が容易になる。なぜなら、剥離強度が2
50mN/25mm未満では、転写フィルムに形成した
電極パターンが、転写前に剥がれてしまうことがあるか
らである。一方、剥離強度が1000mN/25mmを
越えると、電極パターンを被転写体に転写する際に、電
極パターンが転写フィルムから離れにくくなり、転写フ
ィルムに残ってしまうことがあるからである。
The peel strength of the release surface is 250 to 1000 mN
By using a / 25 mm transfer film, the transfer operation to the transfer object is facilitated. Because the peel strength is 2
If the thickness is less than 50 mN / 25 mm, the electrode pattern formed on the transfer film may be peeled off before the transfer. On the other hand, if the peel strength exceeds 1000 mN / 25 mm, the electrode pattern becomes difficult to separate from the transfer film and may remain on the transfer film when the electrode pattern is transferred to the transfer target.

【0008】また、電極パターンを被転写体に転写する
際のプレス圧は、20N/mm2以上60N/mm2以下
に設定することが好ましい。なぜなら、プレス圧が20
N/mm2未満では、電極パターン厚みのばらつきが大
きくなるとともに、電極パターン平坦部長さが減少する
からである。一方、プレス圧が60N/mm2を越える
と、電極パターンが強く押圧され、厚みが薄くなり過ぎ
てしまうからである。これにより、電極パターンの平坦
性が向上するため、積層体の表面にチップ部品を搭載し
た場合、チップ部品の外部電極と電極パターンとの電気
的接続性が良くなる。
[0008] Further, it is preferable that the pressing pressure at the time of transferring the electrode pattern to the object to be transferred is set to 20 N / mm 2 or more and 60 N / mm 2 or less. Because the press pressure is 20
If the thickness is less than N / mm 2 , the variation in the thickness of the electrode pattern increases, and the length of the flat portion of the electrode pattern decreases. On the other hand, if the pressing pressure exceeds 60 N / mm 2 , the electrode pattern is strongly pressed and the thickness becomes too thin. Thereby, the flatness of the electrode pattern is improved, so that when the chip component is mounted on the surface of the laminate, the electrical connection between the external electrode of the chip component and the electrode pattern is improved.

【0009】また、転写フィルムの厚みを75μm以上
にすることにより、転写フィルムの機械的強度が強くな
り、取り扱い易くなる。さらに、転写フィルムを不透明
性材料で作成することにより、電極パターンを転写フィ
ルムに形成する際の位置合わせが容易になる。
Further, by setting the thickness of the transfer film to 75 μm or more, the mechanical strength of the transfer film increases, and the transfer film becomes easy to handle. Further, by forming the transfer film from an opaque material, the alignment when forming the electrode pattern on the transfer film becomes easy.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る複合電子部品
の製造方法の実施形態について添付図面を参照して説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a composite electronic component according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0011】[第1実施形態、図1〜図7]図1に示す
ように、離型処理を表面に施して剥離強度が250〜1
000mN/25mmである転写フィルム1の離型面1
aに、導電性ペーストをスクリーン印刷してチップ部品
搭載用ランドパターン(電極パターン)2を形成する。
ここに、剥離強度は、転写フィルム1の表面に導電性ペ
ーストをスクリーン印刷して、パターン幅が25mmの
試験用テープを形成し、この試験用テープを剥離するの
に必要な力を測定することによって得られる(JIS規
格 K6854)。
[First Embodiment, FIGS. 1 to 7] As shown in FIG.
Release surface 1 of transfer film 1 of 000 mN / 25 mm
A conductive paste is screen-printed on a to form a land pattern (electrode pattern) 2 for mounting chip components.
Here, the peel strength means that a conductive tape is screen-printed on the surface of the transfer film 1 to form a test tape having a pattern width of 25 mm, and the force required to peel the test tape is measured. (JIS K6854).

【0012】ここで、剥離面1aの剥離強度を250〜
1000mN/25mmの範囲内に設定するのは、25
0mN/25mm未満では、転写フィルム1に形成した
チップ部品搭載用ランドパターン2が、転写前に剥がれ
てしまうことがあるからである。また、1000mN/
25mmを越えると、チップ部品搭載用ランドパターン
2を被転写体(後述の積層体10)に転写する際に、チ
ップ部品搭載用ランドパターン2が転写フィルム1から
離れにくくなり、転写フィルム1に残ってしまうことが
あるからである。
Here, the peel strength of the peeled surface 1a is set to 250 to
Setting within the range of 1000 mN / 25 mm is 25 mN / 25 mm.
If the thickness is less than 0 mN / 25 mm, the land pattern 2 for mounting chip components formed on the transfer film 1 may be peeled off before the transfer. 1000 mN /
When the distance exceeds 25 mm, the land pattern 2 for mounting chip components becomes difficult to separate from the transfer film 1 when the land pattern 2 for mounting chip components is transferred to a transfer target (laminated body 10 described later), and remains on the transfer film 1. This is because there are times when it does.

【0013】転写フィルム1としては、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム(PETフィルム)などが用いら
れる。転写フィルム1の厚みは、取り扱い易さを考慮し
て、75μm以上(好ましくは80μm以上100μm
以下)にする。これにより、転写フィルム1の機械的強
度が強くなり、搬送性が良くなる。離型面1aの剥離強
度は、Ag,Cu,Ag−Pd,Niなどの導電性ペー
ストの種類に合わせて、250〜1000mN/25m
mの範囲内で選定される。また、チップ部品搭載用ラン
ドパターン2としては、例えば、直径が0.3mmの円
形状のものや、縦横のサイズが0.3mm×0.4mm
の矩形状のものなどがある。
As the transfer film 1, a polyethylene terephthalate film (PET film) or the like is used. The thickness of the transfer film 1 is 75 μm or more (preferably 80 μm or more and 100 μm or more) in consideration of ease of handling.
Below). Thereby, the mechanical strength of the transfer film 1 is increased, and the transportability is improved. The peel strength of the release surface 1a is 250 to 1000 mN / 25 m in accordance with the type of conductive paste such as Ag, Cu, Ag-Pd, and Ni.
m. The chip component mounting land pattern 2 is, for example, a circular shape having a diameter of 0.3 mm, or a vertical and horizontal size of 0.3 mm × 0.4 mm.
And the like.

【0014】次に、図2に示すように、チップ部品搭載
用ランドパターン2が形成された離型面1aを下向きに
して、転写フィルム1を被転写体である積層体10の上
面に載せる。ここに、積層体10は、例えば以下のよう
にして作成される。キャリアフィルム(図示せず)上に
ペースト状のセラミック材料を塗布してセラミックグリ
ーンシート11を形成した後、レーザビームなどを用い
て層間接続用ビアホールの孔を明け、さらに、導電性材
料をスクリーン印刷して内部導体パターン16(コンデ
ンサ、インダクタ、抵抗、フィルタ、遅延線などを構成
している)を形成するとともに、孔に導電性材料を充填
させて層間接続用ビアホール14を形成する。こうして
作成された複数枚のセラミックグリーンシート11は積
み重ねられ、公知の積層装置(図示せず)により積層体
10になる。キャリアフィルムとしては、通常、フィル
ムの厚みが40〜50μmで剥離強度が30〜200m
N/25mmの一般的なPETフィルムが用いられる。
Next, as shown in FIG. 2, the transfer film 1 is placed on the upper surface of the laminated body 10 which is the object to be transferred, with the release surface 1a on which the chip component mounting land pattern 2 is formed facing downward. Here, the laminate 10 is produced, for example, as follows. After forming a ceramic green sheet 11 by applying a paste-like ceramic material on a carrier film (not shown), a via hole for interlayer connection is opened using a laser beam or the like, and further, a conductive material is screen-printed. Then, an internal conductor pattern 16 (constituting a capacitor, an inductor, a resistor, a filter, a delay line, etc.) is formed, and a hole is filled with a conductive material to form a via hole 14 for interlayer connection. The plurality of ceramic green sheets 11 thus created are stacked, and become a laminate 10 by a known laminating apparatus (not shown). As the carrier film, usually, the film thickness is 40 to 50 μm and the peel strength is 30 to 200 m
A general PET film of N / 25 mm is used.

【0015】次に、図3に示すように、所定のプレス圧
で転写フィルム1をプレスする。このとき、積層体10
を加熱(例えば、50〜70℃程度)しておいてもよ
い。プレス圧は20N/mm2以上60N/mm2以下に
設定することが好ましい。なぜなら、プレス圧が20N
/mm2未満では、チップ部品搭載用ランドパターン2
の厚みのばらつきが大きくなるとともに、平坦部長さが
減少するからである(図6および図7参照)。一方、プ
レス圧が60N/mm2を越えると、チップ部品搭載用
ランドパターン2が強く押圧され、厚みが薄くなり過ぎ
てしまうからである。
Next, as shown in FIG. 3, the transfer film 1 is pressed at a predetermined press pressure. At this time, the laminate 10
May be heated (for example, about 50 to 70 ° C.). It is preferable that the pressing pressure is set to 20 N / mm 2 or more and 60 N / mm 2 or less. Because the press pressure is 20N
/ Mm is less than 2, the chip component mounting land pattern 2
This is because the thickness of the flat portion increases and the length of the flat portion decreases (see FIGS. 6 and 7). On the other hand, if the pressing pressure exceeds 60 N / mm 2 , the land pattern 2 for mounting chip components is strongly pressed, and the thickness becomes too thin.

【0016】次に、図4に示すように、転写フィルム1
を剥がすことにより、チップ部品搭載用ランドパターン
2を積層体10の上面に転写する。このとき、チップ部
品搭載用ランドパターン2は積層体10の最上層のセラ
ミックグリーンシート11に少しめり込んだ状態(ラン
ドパターン2の厚みの1/2以下)になっている。複数
のチップ部品搭載用ランドパターン2のいくつかは、積
層体10の上面に露出している層間接続用ビアホール1
4を覆うように配設され、両者は電気的に接続される。
さらに、必要であれば、前記の一連の作業を繰り返すこ
とにより、ランドパターン2の2度転写を行なってラン
ドパターン2の厚みを厚くしてもよい。
Next, as shown in FIG.
Is peeled off, the chip component mounting land pattern 2 is transferred onto the upper surface of the laminate 10. At this time, the chip component mounting land pattern 2 is in a state where it is slightly sunk into the uppermost ceramic green sheet 11 of the multilayer body 10 (1/2 or less of the thickness of the land pattern 2). Some of the land patterns 2 for mounting a plurality of chip components include via holes 1 for interlayer connection exposed on the upper surface of the laminate 10.
4, and are electrically connected to each other.
If necessary, the series of operations described above may be repeated to transfer the land pattern 2 twice, thereby increasing the thickness of the land pattern 2.

【0017】同様にして、図5に示すように、積層体1
0の下面にプリント基板接続用ランドパターン3が転写
される。なお、下面のランドパターン3は、最下層のセ
ラミックグリーンシート11に予めスクリーン印刷して
おいてもよい。この後、積層体10は一体的に焼成され
る。こうして得られた積層体10の上面に、インダクタ
やコンデンサや抵抗やICなどのチップ部品31,32
が実装され、チップ部品31,32の外部電極とチップ
部品搭載用ランドパターン2とが電気的に接続される。
Similarly, as shown in FIG.
The printed circuit board connection land pattern 3 is transferred to the lower surface of the reference numeral 0. The land pattern 3 on the lower surface may be screen-printed on the lowermost ceramic green sheet 11 in advance. Thereafter, the laminate 10 is integrally fired. Chip components 31 and 32 such as inductors, capacitors, resistors and ICs are provided on the upper surface of the laminate 10 thus obtained.
Are mounted, and the external electrodes of the chip components 31 and 32 are electrically connected to the chip component mounting land pattern 2.

【0018】以上のように、離型面の剥離強度が250
〜1000mN/25mmの転写フィルム1を用いてい
るので、積層体10への転写作業が容易になる。しか
も、転写作業は、積層体10を作成する積層装置(セラ
ミックグリーンシート11を積み重ねて仮圧着するとと
もに、キャリアフィルムを剥がす装置)に、転写フィル
ム1をセットするだけでよく、既存の製造設備を利用で
きる。
As described above, the peel strength of the release surface is 250
Since the transfer film 1 having a thickness of up to 1000 mN / 25 mm is used, the transfer operation to the laminate 10 is facilitated. In addition, the transfer operation only needs to set the transfer film 1 in a laminating device (a device for stacking and temporarily pressing the ceramic green sheets 11 and peeling the carrier film) for forming the laminated body 10. Available.

【0019】さらに、転写時のプレス圧を20N/mm
2以上60N/mm2以下に設定しているので、チップ部
品搭載用ランドパターン2の平坦性が向上し、チップ部
品31,32の実装不良を低減することができる。
Further, the pressing pressure at the time of transfer is set to 20 N / mm.
Since the set to two or more 60N / mm 2 or less, and improved flatness of the chip component mounting land pattern 2, it is possible to reduce the mounting failure of the chip components 31 and 32.

【0020】また、積層体10を構成しているセラミッ
クグリーンシート11に内部電極16を形成する場合に
は、セラミックグリーンシート11が不透明材料である
ため、透明なキャリアフィルムに位置合わせマークを形
成しても表裏が判断し易く、印刷時の位置合わせが容易
である。ところが、透明な転写フィルムでは、セラミッ
クグリーンシートがないために位置合わせマークが裏映
りして、転写フィルムの表裏が判断しにくい。そこで、
転写フィルム1を不透明性材料で作成することにより、
転写フィルム1に形成した位置合わせマークを裏映りさ
せず、転写フィルム1の表裏をわかり易くすることが好
ましい。この結果、製造時(特に、ランドパターン2を
印刷する時)の位置合わせが容易になり、既存の印刷装
置(セラミックグリーンシート11に内部導体パターン
16を形成する装置)を利用できる。
When the internal electrodes 16 are formed on the ceramic green sheets 11 constituting the laminate 10, since the ceramic green sheets 11 are made of an opaque material, alignment marks are formed on a transparent carrier film. However, it is easy to determine the front and back sides, and positioning at the time of printing is easy. However, in the case of a transparent transfer film, since there is no ceramic green sheet, the alignment marks are shown off, making it difficult to determine the front and back of the transfer film. Therefore,
By making the transfer film 1 from an opaque material,
It is preferable that the alignment marks formed on the transfer film 1 are not shown off, so that the front and back of the transfer film 1 can be easily understood. As a result, alignment during manufacturing (particularly, when printing the land pattern 2) is facilitated, and an existing printing device (device for forming the internal conductor pattern 16 on the ceramic green sheet 11) can be used.

【0021】[第2実施形態、図8および図9]図8に
示すように、第2実施形態の複合電子部品は、積層体1
0Aの上部に、チップ部品を収容するためのキャビティ
40を設けたものである。積層体10Aは、前記第1実
施形態においてチップ部品搭載用ランドパターン2を転
写された積層体10の上面に、さらに、キャビティ形成
用の穴11aを有したセラミックグリーンシート11を
積層したものである。セラミックグリーンシート11
は、公知の積層装置(図示せず)により積層体10Aに
なる。
[Second Embodiment, FIGS. 8 and 9] As shown in FIG. 8, the composite electronic component of the second embodiment
A cavity 40 for accommodating a chip component is provided in an upper part of the chip 0A. The laminate 10A is obtained by further laminating a ceramic green sheet 11 having a cavity forming hole 11a on the upper surface of the laminate 10 on which the chip component mounting land pattern 2 is transferred in the first embodiment. . Ceramic green sheet 11
Is formed into a laminated body 10A by a known laminating apparatus (not shown).

【0022】この積層体10Aの上面に転写フィルム1
Aを載せた後、所定のプレス圧で転写フィルム1Aをプ
レスする。次に、転写フィルム1Aを剥がして、プリン
ト基板接続用ランドパターン2Aを積層体10Aの上面
に転写する。同様にして、図9に示すように、積層体1
0Aの下面にチップ部品搭載用ランドパターン2が転写
される。この後、積層体10Aは一体的に焼成される。
こうして得られた積層体10Aのキャビティ40内に露
出したチップ部品搭載用ランドパターン2上に、チップ
部品33が搭載されるとともに、積層体10Aを反転さ
せて、積層体10Aの上面(図9では下面)のチップ部
品搭載用ランドパターン2上に、チップ部品34が搭載
される。そして、この複合電子部品は積層体10Aの上
面が図示しないプリント基板への実装面となり、プリン
ト基板接続用ランドパターン2Aとプリント基板の配線
導体が電気的に接続されるように実装される。
The transfer film 1 is placed on the upper surface of the laminate 10A.
After placing A, the transfer film 1A is pressed with a predetermined press pressure. Next, the transfer film 1A is peeled off, and the printed circuit board connection land pattern 2A is transferred to the upper surface of the laminate 10A. Similarly, as shown in FIG.
The land pattern 2 for chip component mounting is transferred to the lower surface of 0A. Thereafter, the laminate 10A is integrally fired.
The chip component 33 is mounted on the chip component mounting land pattern 2 exposed in the cavity 40 of the laminate 10A thus obtained, and the laminate 10A is turned over so that the upper surface of the laminate 10A (in FIG. The chip component 34 is mounted on the chip component mounting land pattern 2 (on the lower surface). Then, the composite electronic component is mounted such that the upper surface of the laminate 10A is a mounting surface on a printed board (not shown), and the printed board connecting land pattern 2A is electrically connected to the wiring conductor of the printed board.

【0023】以上の構成からなる複合電子部品は、前記
第1実施形態の複合電子部品と同様の作用効果を奏す
る。
The composite electronic component having the above configuration has the same function and effect as the composite electronic component of the first embodiment.

【0024】[他の実施形態]なお、本発明に係る複合
電子部品の製造方法は前記実施形態に限定するものでは
なく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。例えば、転写フィルムの離型面には、ランドパター
ン以外に、信号線路パターン、グランドパターン、コン
デンサパターン、インダクタパターンなども形成してよ
い。
[Other Embodiments] The method of manufacturing a composite electronic component according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified within the scope of the gist. For example, a signal line pattern, a ground pattern, a capacitor pattern, an inductor pattern, and the like may be formed on the release surface of the transfer film in addition to the land pattern.

【0025】さらに、前記実施形態の被転写体は、内部
導体パターンやビアホールが形成された絶縁性シートを
積み重ねた後、一体的に焼成されるものであるが、必ず
しもこれに限定されない。被転写体は、積層体の他に、
両面基板や片面基板であってもよい。また、以下に説明
する製法によって積層体を作成してもよい。印刷等の方
法によりペースト状の絶縁材料にて絶縁層を形成した
後、その絶縁層の上からペースト状の導電性材料を塗布
して任意の内部導体パターンや層間接続用ビアホールを
形成する。次に、ペースト状の絶縁材料を前記パターン
の上から塗布して内部導体パターンや層間接続用ビアホ
ールが内蔵された絶縁層とする。同様にして、順に重ね
塗りすることにより積層体が得られる。
Further, the transfer object of the above-described embodiment is obtained by stacking insulating sheets on which the internal conductor patterns and via holes are formed, and then firing them integrally, but is not necessarily limited to this. The transferred object is, in addition to the laminate,
It may be a double-sided substrate or a single-sided substrate. Moreover, you may produce a laminated body by the manufacturing method demonstrated below. After an insulating layer is formed from a paste-like insulating material by a method such as printing, a paste-like conductive material is applied from above the insulating layer to form an arbitrary internal conductor pattern and via holes for interlayer connection. Next, a paste-like insulating material is applied from above the pattern to form an insulating layer having a built-in internal conductor pattern and via holes for interlayer connection. Similarly, a layered product is obtained by successively applying layers.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、離型面の剥離強度が250〜1000mN/2
5mmの転写フィルムを用いているので、被転写体への
転写作業が容易になる。さらに、転写時のプレス圧を2
0N/mm2以上60N/mm2以下に設定しているの
で、電極パターンの平坦性が向上し、チップ部品の実装
不良を低減することができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the peel strength of the release surface is from 250 to 1000 mN / 2.
Since the transfer film of 5 mm is used, the transfer operation to the transfer object becomes easy. Further, the press pressure at the time of transfer is 2
Since 0N / mm 2 or more 60N / mm 2 is set below, it is possible to improve the flatness of the electrode patterns, to reduce the mounting failure of the chip component.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る電極パターンの転写方法および複
合電子部品の製造方法の第1実施形態を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a method for transferring an electrode pattern and a method for manufacturing a composite electronic component according to the present invention.

【図2】図1に続く製造工程を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing a manufacturing step following FIG. 1;

【図3】図2に続く製造工程を示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing a manufacturing step following FIG. 2;

【図4】図3に続く製造工程を示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing a manufacturing step following FIG. 3;

【図5】図4に続く製造工程を示す断面図。FIG. 5 is a sectional view showing a manufacturing step following FIG. 4;

【図6】プレス圧とランド厚みの関係を示すグラフ。FIG. 6 is a graph showing a relationship between a press pressure and a land thickness.

【図7】プレス圧とランド平坦部長さの関係を示すグラ
フ。
FIG. 7 is a graph showing a relationship between a pressing pressure and a length of a land flat portion.

【図8】本発明に係る電極パターンの転写方法および複
合電子部品の製造方法の第2実施形態を示す断面図。
FIG. 8 is a sectional view showing a second embodiment of the method for transferring an electrode pattern and the method for manufacturing a composite electronic component according to the present invention.

【図9】図8に続く製造工程を示す断面図。FIG. 9 is a sectional view showing a manufacturing step following FIG. 8;

【図10】従来の電極パターンの転写方法および複合電
子部品の製造方法を示す断面図。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a conventional method for transferring an electrode pattern and a method for manufacturing a composite electronic component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1A…転写フィルム 1a…離型面 2…チップ部品搭載用ランドパターン(電極パターン) 10,10A…積層体(被転写体) 11…絶縁性シート 14…層間接続用ビアホール 16…内部導体 31〜34…チップ部品 1,1A ... Transfer film 1a ... Release surface 2. Land pattern (electrode pattern) for mounting chip components 10, 10A: laminate (transfer object) 11 ... insulating sheet 14 ... Via hole for interlayer connection 16 ... Inner conductor 31-34 ... Chip parts

フロントページの続き Fターム(参考) 5E082 AA01 AB03 BB07 EE04 FF05 FG26 FG46 GG10 GG28 JJ23 MM22 MM24 5E343 AA23 BB72 DD03 DD54 DD56 DD64 GG08 GG11 5E346 AA15 CC16 DD34 EE24 FF18 FF45 GG04 GG06 GG08 HH26 HH32 Continuation of front page    F term (reference) 5E082 AA01 AB03 BB07 EE04 FF05                       FG26 FG46 GG10 GG28 JJ23                       MM22 MM24                 5E343 AA23 BB72 DD03 DD54 DD56                       DD64 GG08 GG11                 5E346 AA15 CC16 DD34 EE24 FF18                       FF45 GG04 GG06 GG08 HH26                       HH32

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 離型処理を表面に施して剥離強度が25
0〜1000mN/25mmである転写フィルムの離型
面に、電極パターンを形成する工程と、 前記転写フィルムの離型面に形成された電極パターン
を、被転写体の表面に接して重ね合わせ、所定のプレス
圧でプレスした後、前記転写フィルムを剥がすことによ
り電極パターンを前記被転写体の表面に転写する工程
と、 を備えたことを特徴とする電極パターンの転写方法。
1. A mold release treatment is applied to the surface to give a peel strength of 25.
Forming an electrode pattern on the release surface of the transfer film having a thickness of 0 to 1000 mN / 25 mm; and superposing the electrode pattern formed on the release surface of the transfer film in contact with the surface of the transfer object. Transferring the electrode pattern to the surface of the transfer-receiving member by pressing the transfer film after pressing at a press pressure of the following.
【請求項2】 前記プレス圧が20N/mm2以上60
N/mm2以下であることを特徴とする請求項1に記載
の電極パターンの転写方法。
2. The press pressure is 20 N / mm 2 or more and 60 or more.
2. The method for transferring an electrode pattern according to claim 1, wherein the value is N / mm 2 or less.
【請求項3】 前記転写フィルムがPETフィルムであ
ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電
極パターンの転写方法。
3. The method according to claim 1, wherein the transfer film is a PET film.
【請求項4】 前記転写フィルムが不透明性材料ででき
ていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか
に記載の電極パターンの転写方法。
4. The method according to claim 1, wherein the transfer film is made of an opaque material.
【請求項5】 前記転写フィルムの厚みが75μm以上
であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか
に記載の電極パターンの転写方法。
5. The method according to claim 1, wherein the thickness of the transfer film is 75 μm or more.
【請求項6】 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の
電極パターンの転写方法を用いた複合電子部品の製造方
法であって、 前記被転写体が内部導体と絶縁層を積み重ねて構成した
積層体であり、前記内部導体と電気的に接続される層間
接続用ビアホールの一部が前記積層体の表面に露出して
おり、該層間接続用ビアホールに電気的に接続するよう
に前記電極パターンが転写されていることを特徴とする
複合電子部品の製造方法。
6. A method for manufacturing a composite electronic component using the method for transferring an electrode pattern according to claim 1, wherein the object to be transferred is formed by stacking an internal conductor and an insulating layer. A part of a via hole for interlayer connection electrically connected to the internal conductor is exposed on the surface of the laminate, and the electrode is electrically connected to the via hole for interlayer connection. A method for manufacturing a composite electronic component, wherein a pattern is transferred.
【請求項7】 前記積層体の表面にチップ部品を搭載し
て、前記チップ部品の外部電極と前記電極パターンとを
電気的に接続する工程をさらに備えたことを特徴とする
請求項6に記載の複合電子部品の製造方法。
7. The method according to claim 6, further comprising a step of mounting a chip component on a surface of the laminate and electrically connecting an external electrode of the chip component to the electrode pattern. Of manufacturing composite electronic components.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005172496A (en) * 2003-12-09 2005-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Load sensor and manufacturing method thereof
JP2014003189A (en) * 2012-06-19 2014-01-09 Ngk Spark Plug Co Ltd Method of manufacturing ceramic multilayer substrate

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