JP2003347561A - 光半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波の領域で電気的特性がよく、安価で、
信頼性の高い光半導体装置を構成する。 【解決手段】 この発明に係る受光装置１０は、キャリ
ア１２の主面に凹部１４と主面から凹部１４の底部表面
に延在する表面電極１６ａ、１６ｂとを設け、一方、サ
ブマウント２０に側面２０ｂから裏面２０ａに延在する
接続配線層２２ａ、２２ｂを設けこの接続配線層２２
ａ、２２ｂに接続された受光素子２４を側面２０ｂ上に
設けるとともに、このサブマウント２０の裏面２０ａを
キャリア１２の凹部１４の底部表面に対向させて、基板
の凹部１４にサブマウント２０を配設し、表面電極１６
ａ、１６ｂと接続配線層２２ａ、２２ｂとを接着したも
のである。
信頼性の高い光半導体装置を構成する。 【解決手段】 この発明に係る受光装置１０は、キャリ
ア１２の主面に凹部１４と主面から凹部１４の底部表面
に延在する表面電極１６ａ、１６ｂとを設け、一方、サ
ブマウント２０に側面２０ｂから裏面２０ａに延在する
接続配線層２２ａ、２２ｂを設けこの接続配線層２２
ａ、２２ｂに接続された受光素子２４を側面２０ｂ上に
設けるとともに、このサブマウント２０の裏面２０ａを
キャリア１２の凹部１４の底部表面に対向させて、基板
の凹部１４にサブマウント２０を配設し、表面電極１６
ａ、１６ｂと接続配線層２２ａ、２２ｂとを接着したも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光半導体装置に係
り、特に光通信用の光素子を実装する構造に関するもの
である。
り、特に光通信用の光素子を実装する構造に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の光半導体装置の斜視図であ
る。図６において、１００は受光装置、１０２はキャリ
ア、１０４はキャリア１０２上に配設された配線層、１
０６はキャリア１０２上に半田などで搭載されたサブマ
ウント、１０８はサブマウント１０６上に配設された配
線層、１１０は受光素子、１１２はワイヤで、配線層１
０４と配線層１０８とを相互に接続する。１１４はワイ
ヤで、受光素子１１０と配線層１０８とを接続する。
る。図６において、１００は受光装置、１０２はキャリ
ア、１０４はキャリア１０２上に配設された配線層、１
０６はキャリア１０２上に半田などで搭載されたサブマ
ウント、１０８はサブマウント１０６上に配設された配
線層、１１０は受光素子、１１２はワイヤで、配線層１
０４と配線層１０８とを相互に接続する。１１４はワイ
ヤで、受光素子１１０と配線層１０８とを接続する。
【０００３】配線層１０４は受光装置１００の製品検査
を行う際の電極として使用され、製品検査にはこれら配
線層１０４に検査用のプローブを接触させて、製品検査
を行う。さらにキャリア１０２上には光通信用の周辺部
品、例えばコンデンサ（記載せず）やレンズ（記載せ
ず）などが配設され、これらのうちコンデンサなどの電
気部品をワイヤで接続するときにも、配線層１０４が接
続用の中間電極として用いられる。
を行う際の電極として使用され、製品検査にはこれら配
線層１０４に検査用のプローブを接触させて、製品検査
を行う。さらにキャリア１０２上には光通信用の周辺部
品、例えばコンデンサ（記載せず）やレンズ（記載せ
ず）などが配設され、これらのうちコンデンサなどの電
気部品をワイヤで接続するときにも、配線層１０４が接
続用の中間電極として用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様に構成された従
来の受光装置１００は、数ＧＨｚ、あるいは１０ＧＨｚ
を越えるような高周波の領域において使用され、この受
光装置１００は配線層１０４と配線層１０８とが相互に
接続されているワイヤ１１２はインダクタンス要素とし
て働くために、インピーダンスが増加したり値がばらつ
くことにより高周波特性を劣化する場合があった。また
ワイヤボンディングの回数が増え、さらに配線層１０４
と配線層１０８との間には大きな段差があるのでワイヤ
ボンディングが行いにくく、ワイヤボンディングの工程
に時間が掛かったり、ワイヤボンディングの接続の品質
の確保が難しいので、歩留まりが低下したり、信頼性が
低下するなど、生産コストを高める要因になっていた。
来の受光装置１００は、数ＧＨｚ、あるいは１０ＧＨｚ
を越えるような高周波の領域において使用され、この受
光装置１００は配線層１０４と配線層１０８とが相互に
接続されているワイヤ１１２はインダクタンス要素とし
て働くために、インピーダンスが増加したり値がばらつ
くことにより高周波特性を劣化する場合があった。また
ワイヤボンディングの回数が増え、さらに配線層１０４
と配線層１０８との間には大きな段差があるのでワイヤ
ボンディングが行いにくく、ワイヤボンディングの工程
に時間が掛かったり、ワイヤボンディングの接続の品質
の確保が難しいので、歩留まりが低下したり、信頼性が
低下するなど、生産コストを高める要因になっていた。
【０００５】この発明は上記の問題点を解消するために
なされたもので、第１の目的は、高周波の領域で電気的
特性がよく、安価で、信頼性の高い光半導体装置を構成
することである。
なされたもので、第１の目的は、高周波の領域で電気的
特性がよく、安価で、信頼性の高い光半導体装置を構成
することである。
【０００６】なお、公知技術として、特開平９−１４８
６２２号公報がある。この公報には、半導体ＬＤモジュ
ールの発明が記載され、基板に配設された受光素子と接
続端子との電気的接続をとるためにメタライズパターン
が形成され、このパターンに対して受光素子がフリップ
チップボンドされた構成が記載されている。またこの基
板にガイドを兼ねて外部端子と係合する溝を基板側面に
設けることが記載されている。
６２２号公報がある。この公報には、半導体ＬＤモジュ
ールの発明が記載され、基板に配設された受光素子と接
続端子との電気的接続をとるためにメタライズパターン
が形成され、このパターンに対して受光素子がフリップ
チップボンドされた構成が記載されている。またこの基
板にガイドを兼ねて外部端子と係合する溝を基板側面に
設けることが記載されている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光半導体
装置は、凹部を有する一主面とこの主面上から凹部の底
部表面上に延在する一対の第１の配線層とを備えた基板
と、一つの裏面とこの裏面に交差する一側面とこの側面
から裏面に延在する一対の第２の配線層とを有するとと
もに裏面を基板の凹部の底部表面に対向させて第１、第
２の配線層それぞれの片方同士を接着して基板の凹部に
配設された支持台と、この支持台の側面上に配設され第
２の配線層に接続された一対の電極を有する光素子と、
を備えたもので、支持台の第２の配線層と基板凹部の底
部表面上の第１の配線層とを直接接着することができ、
インピーダンスの増加や値のばらつきを抑え、高周波特
性の劣化を抑制することができる。
装置は、凹部を有する一主面とこの主面上から凹部の底
部表面上に延在する一対の第１の配線層とを備えた基板
と、一つの裏面とこの裏面に交差する一側面とこの側面
から裏面に延在する一対の第２の配線層とを有するとと
もに裏面を基板の凹部の底部表面に対向させて第１、第
２の配線層それぞれの片方同士を接着して基板の凹部に
配設された支持台と、この支持台の側面上に配設され第
２の配線層に接続された一対の電極を有する光素子と、
を備えたもので、支持台の第２の配線層と基板凹部の底
部表面上の第１の配線層とを直接接着することができ、
インピーダンスの増加や値のばらつきを抑え、高周波特
性の劣化を抑制することができる。
【０００８】さらに、基板の凹部の底部に配設され、第
１の配線層相互の間に挟まれた溝をさらに備えたもの
で、支持台と支持台の第２の配線層と基板凹部の底部表
面上の第１の配線層とを接着する際に、導電性の接着材
による第２の配線層と第１の配線層との短絡を防ぐこと
ができる。
１の配線層相互の間に挟まれた溝をさらに備えたもの
で、支持台と支持台の第２の配線層と基板凹部の底部表
面上の第１の配線層とを接着する際に、導電性の接着材
による第２の配線層と第１の配線層との短絡を防ぐこと
ができる。
【０００９】さらに、光素子を受光素子としたもので、
半導体受光装置においてインピーダンスの増加や値のば
らつきを抑え、高周波特性の劣化を抑制することができ
る。
半導体受光装置においてインピーダンスの増加や値のば
らつきを抑え、高周波特性の劣化を抑制することができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の一つの実施の形態に係る光半導体装置の分解組立図で
ある。図１の斜線は断面ではなく各部を明確にするため
に画いたものである。図１において、１０はこの実施の
形態に係る光半導体装置で、例えば受光装置である。１
２は基板としてのキャリアでここでは５ｍｍ×５ｍｍ程
度の広さで、シリコンやセラミクス、例えばアルミナや
窒化アルミニウムなどが用いられる。このキャリア１２
には図１では記載されていないが、キャパシタや光学部
品例えばレンズなどの周辺部品が載置される。
の一つの実施の形態に係る光半導体装置の分解組立図で
ある。図１の斜線は断面ではなく各部を明確にするため
に画いたものである。図１において、１０はこの実施の
形態に係る光半導体装置で、例えば受光装置である。１
２は基板としてのキャリアでここでは５ｍｍ×５ｍｍ程
度の広さで、シリコンやセラミクス、例えばアルミナや
窒化アルミニウムなどが用いられる。このキャリア１２
には図１では記載されていないが、キャパシタや光学部
品例えばレンズなどの周辺部品が載置される。
【００１１】１４はキャリア１２の表面に設けられた凹
部で、エッチングにより形成される。１６は第１の配線
層としての一対の表面電極で、図では１６ａ、１６ｂと
記載している。この表面電極１６はＡｕメタライズパタ
ーンで形成されている。表面電極１６はキャリア１２上
に載置されたキャパシタなどの周辺部品や配線層へワイ
ヤ接続を行う際にも使用される場合がある。図２は図１
のキャリアの平面図である。図２の斜線は断面ではなく
図の各部を明確にするために画いたものである。また図
３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面における断面図である。
図２、図３において、表面電極１６ａ、１６ｂのそれぞ
れの一端はキャリア１２の表面にあり、他の一端は凹部
１４の表面上にあり、表面電極１６ａ、１６ｂそれぞれ
はキャリア１２の表面から凹部１４の表面まで、凹部１
４の段差を介して延在している。
部で、エッチングにより形成される。１６は第１の配線
層としての一対の表面電極で、図では１６ａ、１６ｂと
記載している。この表面電極１６はＡｕメタライズパタ
ーンで形成されている。表面電極１６はキャリア１２上
に載置されたキャパシタなどの周辺部品や配線層へワイ
ヤ接続を行う際にも使用される場合がある。図２は図１
のキャリアの平面図である。図２の斜線は断面ではなく
図の各部を明確にするために画いたものである。また図
３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面における断面図である。
図２、図３において、表面電極１６ａ、１６ｂのそれぞ
れの一端はキャリア１２の表面にあり、他の一端は凹部
１４の表面上にあり、表面電極１６ａ、１６ｂそれぞれ
はキャリア１２の表面から凹部１４の表面まで、凹部１
４の段差を介して延在している。
【００１２】またこの表面電極１６ａ，１６ｂの凹部１
４の表面における端部は間隙１４ａを介して互いに対向
している。１８は接着材の半田で、表面電極１６ａ，１
６ｂの凹部１４の表面上における端部に印刷により載置
される。この接着材は半田の他に、例えば樹脂などの絶
縁物に導電性のフィラーなどを混入した導電性接着材が
使用される場合がある。２０は支持台としてのサブマウ
ントでここでは１ｍｍ×１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさ
で、セラミクス、例えばアルミナや窒化アルミニウムな
どが用いられる。２２は第２の配線層としての一対の接
続配線層で、図では２２ａ、２２ｂと記載している。接
続配線層２２ａ、２２ｂは、サブマウント２０の裏面２
０ａとこの裏面２０ａと直交する一側面２０ｂとに延在
している。この接続配線層２２はＡｕメタライズパター
ンで形成されている。
４の表面における端部は間隙１４ａを介して互いに対向
している。１８は接着材の半田で、表面電極１６ａ，１
６ｂの凹部１４の表面上における端部に印刷により載置
される。この接着材は半田の他に、例えば樹脂などの絶
縁物に導電性のフィラーなどを混入した導電性接着材が
使用される場合がある。２０は支持台としてのサブマウ
ントでここでは１ｍｍ×１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさ
で、セラミクス、例えばアルミナや窒化アルミニウムな
どが用いられる。２２は第２の配線層としての一対の接
続配線層で、図では２２ａ、２２ｂと記載している。接
続配線層２２ａ、２２ｂは、サブマウント２０の裏面２
０ａとこの裏面２０ａと直交する一側面２０ｂとに延在
している。この接続配線層２２はＡｕメタライズパター
ンで形成されている。
【００１３】２４は光素子としての例えば受光素子で、
フォトダイオードなどである。接続配線層２２の一方の
接続配線層２２ａはサブマウント２０の側面２０ｂ上で
拡がった領域を持ち、この領域上に受光素子２４は半田
で接着されている。２６はワイヤで、金線やアルミニウ
ム線である。このワイヤ２６により受光素子２４と接続
配線層２２の一方の接続配線層２２ｂとがワイヤボンデ
ィングにより接続されている。
フォトダイオードなどである。接続配線層２２の一方の
接続配線層２２ａはサブマウント２０の側面２０ｂ上で
拡がった領域を持ち、この領域上に受光素子２４は半田
で接着されている。２６はワイヤで、金線やアルミニウ
ム線である。このワイヤ２６により受光素子２４と接続
配線層２２の一方の接続配線層２２ｂとがワイヤボンデ
ィングにより接続されている。
【００１４】図４は図１の矢印の方向から見たサブマウ
ントの平面図である。図４において、サブマウント２０
の裏面２０ａでは、接続配線層２２ａ、２２ｂは、キャ
リア１２の凹部１４における表面電極１６ａ，１６ｂの
端部の間隙１４ａと同じ程度の間隙を挟んで、平行な帯
状に配設されている。図１において、受光素子２４が配
設されたサブマウント２０は、その裏面２０ａをキャリ
ア１２の凹部１４の表面に向けて載置され、表面電極１
６ａと接続配線層２２ａとが、また表面電極１６ｂと接
続配線層２２ｂとがそれぞれ半田１８で接着されてい
る。
ントの平面図である。図４において、サブマウント２０
の裏面２０ａでは、接続配線層２２ａ、２２ｂは、キャ
リア１２の凹部１４における表面電極１６ａ，１６ｂの
端部の間隙１４ａと同じ程度の間隙を挟んで、平行な帯
状に配設されている。図１において、受光素子２４が配
設されたサブマウント２０は、その裏面２０ａをキャリ
ア１２の凹部１４の表面に向けて載置され、表面電極１
６ａと接続配線層２２ａとが、また表面電極１６ｂと接
続配線層２２ｂとがそれぞれ半田１８で接着されてい
る。
【００１５】半田で接着を行う場合、キャリア１２の凹
部１４にそれぞれの電極を合わせてサブマウント２０を
載置した後、加熱処理を行って半田１８を溶融させて接
着する。この様に構成された受光装置１０の製品検査を
するときには、検査装置のプローブを表面電極１６ａ、
１６ｂに接触させ所定の検査を行う。この受光装置１０
では、表面電極１６と接続配線層２２との間は直接半田
で接着されているので、ワイヤと異なり、インダクタン
スの増加や個々の製品におけるインピーダンス値の変動
が少なく、使用周波数が高くなっても高周波特性の劣化
が少ない。
部１４にそれぞれの電極を合わせてサブマウント２０を
載置した後、加熱処理を行って半田１８を溶融させて接
着する。この様に構成された受光装置１０の製品検査を
するときには、検査装置のプローブを表面電極１６ａ、
１６ｂに接触させ所定の検査を行う。この受光装置１０
では、表面電極１６と接続配線層２２との間は直接半田
で接着されているので、ワイヤと異なり、インダクタン
スの増加や個々の製品におけるインピーダンス値の変動
が少なく、使用周波数が高くなっても高周波特性の劣化
が少ない。
【００１６】またこの受光装置１０では、製造の際に段
差の大きなワイヤボンディングを行う必要がないので、
工程に要する時間が短縮でき、製品のばらつきも少なく
なるので製造コストの増加を抑制でき、電気的接続の信
頼性を高くすることが出来る。延いては、電気的特性が
よく安価で信頼性の高い受光装置を提供することができ
る。
差の大きなワイヤボンディングを行う必要がないので、
工程に要する時間が短縮でき、製品のばらつきも少なく
なるので製造コストの増加を抑制でき、電気的接続の信
頼性を高くすることが出来る。延いては、電気的特性が
よく安価で信頼性の高い受光装置を提供することができ
る。
【００１７】実施の形態２．図５はこの発明の一つの実
施の形態に係る光半導体装置の基板の断面図である。図
５において、３０は溝である。この図において実施の形
態１と同じ符号は同じものか相当のものである。実施の
形態１では、表面電極１６ａ，１６ｂの凹部１４の表面
における端部は、単に間隙１４ａを介して互いに対向し
ているが、この実施の形態２は、この間隙に溝３０を形
成したものである。他の構成は実施の形態１と同じであ
る。キャリア１２とサブマウント２０とを半田で接着を
行う場合、キャリア１２の凹部１４の表面電極１６に接
続配線層２２を重ねてサブマウント２０を載置した後、
加熱処理を行って半田１８を溶融させて接着するが、こ
のとき半田１８は前もって印刷しておく。
施の形態に係る光半導体装置の基板の断面図である。図
５において、３０は溝である。この図において実施の形
態１と同じ符号は同じものか相当のものである。実施の
形態１では、表面電極１６ａ，１６ｂの凹部１４の表面
における端部は、単に間隙１４ａを介して互いに対向し
ているが、この実施の形態２は、この間隙に溝３０を形
成したものである。他の構成は実施の形態１と同じであ
る。キャリア１２とサブマウント２０とを半田で接着を
行う場合、キャリア１２の凹部１４の表面電極１６に接
続配線層２２を重ねてサブマウント２０を載置した後、
加熱処理を行って半田１８を溶融させて接着するが、こ
のとき半田１８は前もって印刷しておく。
【００１８】この場合、半田１８の量が多すぎると、半
田１８を溶融する際に表面電極１６ａと表面電極１６ｂ
とが半田で接続されて、表面電極１６ａと表面電極１６
ｂとが短絡してしまう。これを防ぐために、溝３０を設
けたものである。これは半田を使用する接着のみなら
ず、例えば樹脂などの絶縁物に導電性のフィラーなどを
混入した導電性接着材を印刷により載置する場合でもそ
の量の制御が高精度に行うことが難しい場合があるの
で、溝３０を設けることにより、表面電極１６ａと表面
電極１６ｂとの短絡を防止することができる。この実施
の形態では、実施の形態１の効果に加えて、キャリア１
２とサブマウント２０とを接着する接着材を印刷する際
に、接着材の量の制御を比較的粗く行うことができるの
で、製造工程が簡単になるとともに、製品の歩留まりを
向上させることができる。延いては安価で、信頼性の高
い受光装置を提供することができる。
田１８を溶融する際に表面電極１６ａと表面電極１６ｂ
とが半田で接続されて、表面電極１６ａと表面電極１６
ｂとが短絡してしまう。これを防ぐために、溝３０を設
けたものである。これは半田を使用する接着のみなら
ず、例えば樹脂などの絶縁物に導電性のフィラーなどを
混入した導電性接着材を印刷により載置する場合でもそ
の量の制御が高精度に行うことが難しい場合があるの
で、溝３０を設けることにより、表面電極１６ａと表面
電極１６ｂとの短絡を防止することができる。この実施
の形態では、実施の形態１の効果に加えて、キャリア１
２とサブマウント２０とを接着する接着材を印刷する際
に、接着材の量の制御を比較的粗く行うことができるの
で、製造工程が簡単になるとともに、製品の歩留まりを
向上させることができる。延いては安価で、信頼性の高
い受光装置を提供することができる。
【００１９】なお以上の説明では受光装置について説明
したが、他の光半導体装置例えばレーザーを使用した発
光装置においても、同様の構成をとることにより、同じ
ような効果を奏する。
したが、他の光半導体装置例えばレーザーを使用した発
光装置においても、同様の構成をとることにより、同じ
ような効果を奏する。
【００２０】
【発明の効果】この発明に係る光半導体装置は、上記の
ように構成されているので以下のような効果を有する。
この発明に係る光半導体装置においては、凹部を有する
一主面とこの主面上から凹部の底部表面上に延在する一
対の第１の配線層とを備えた基板と、一つの裏面とこの
裏面に交差する一側面とこの側面から裏面に延在する一
対の第２の配線層とを有するとともに裏面を基板の凹部
の底部表面に対向させて第１、第２の配線層それぞれの
片方同士を接着して基板の凹部に配設された支持台と、
この支持台の側面上に配設され第２の配線層に接続され
た一対の電極を有する光素子と、を備えたもので、支持
台の第２の配線層と基板凹部の底部表面上の第１の配線
層とを直接接着することができ、インピーダンスの増加
や値のばらつきを抑え、高周波特性の劣化を抑制するこ
とができる。延いては、電気的特性がよく安価で信頼性
の高い光半導体装置を提供することができる。
ように構成されているので以下のような効果を有する。
この発明に係る光半導体装置においては、凹部を有する
一主面とこの主面上から凹部の底部表面上に延在する一
対の第１の配線層とを備えた基板と、一つの裏面とこの
裏面に交差する一側面とこの側面から裏面に延在する一
対の第２の配線層とを有するとともに裏面を基板の凹部
の底部表面に対向させて第１、第２の配線層それぞれの
片方同士を接着して基板の凹部に配設された支持台と、
この支持台の側面上に配設され第２の配線層に接続され
た一対の電極を有する光素子と、を備えたもので、支持
台の第２の配線層と基板凹部の底部表面上の第１の配線
層とを直接接着することができ、インピーダンスの増加
や値のばらつきを抑え、高周波特性の劣化を抑制するこ
とができる。延いては、電気的特性がよく安価で信頼性
の高い光半導体装置を提供することができる。
【００２１】さらに、基板の凹部の底部に配設され、第
１の配線層相互の間に挟まれた溝をさらに備えたもの
で、支持台と支持台の第２の配線層と基板凹部の底部表
面上の第１の配線層とを接着するさいに、導電性の接着
材による第２の配線層と第１の配線層との短絡を防ぐこ
とができる。このため接着材を印刷する際に、接着材の
量の制御を比較的粗く行うことができるので、製造工程
が簡単になるとともに、製品の歩留まりを向上させるこ
とができる。延いては安価で、信頼性の高い受光装置を
提供することができる。
１の配線層相互の間に挟まれた溝をさらに備えたもの
で、支持台と支持台の第２の配線層と基板凹部の底部表
面上の第１の配線層とを接着するさいに、導電性の接着
材による第２の配線層と第１の配線層との短絡を防ぐこ
とができる。このため接着材を印刷する際に、接着材の
量の制御を比較的粗く行うことができるので、製造工程
が簡単になるとともに、製品の歩留まりを向上させるこ
とができる。延いては安価で、信頼性の高い受光装置を
提供することができる。
【００２２】さらに、光素子を受光素子としたもので、
半導体受光装置においてインピーダンスの増加や値のば
らつきを抑え、高周波特性の劣化を抑制することができ
る。延いては電気的特性がよく安価で信頼性の高い半導
体受光装置を提供することができる。
半導体受光装置においてインピーダンスの増加や値のば
らつきを抑え、高周波特性の劣化を抑制することができ
る。延いては電気的特性がよく安価で信頼性の高い半導
体受光装置を提供することができる。
【図１】 この発明の一つの実施の形態に係る光半導体
装置の分解組立図である。
装置の分解組立図である。
【図２】 図１のキャリアの平面図である。
【図３】 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面における断面図で
ある。
ある。
【図４】 図１の矢印の方向から見たサブマウントの平
面図である。
面図である。
【図５】 この発明の一つの実施の形態に係る光半導体
装置の基板の断面図である。
装置の基板の断面図である。
【図６】 従来の光半導体装置の斜視図である。
１４ 凹部、 １６ 表面電極、 ２２ 接続配線
層、 ２０ サブマウント、 ２４ 受光素子、
３０ 溝。
層、 ２０ サブマウント、 ２４ 受光素子、
３０ 溝。
Claims (3)
- 【請求項１】 凹部を有する一主面とこの主面上から前
記凹部の底部表面上に延在する一対の第１の配線層とを
備えた基板と、 一つの裏面とこの裏面に交差する一側面とこの側面から
裏面に延在する一対の第２の配線層とを有するとともに
上記裏面を上記基板の凹部の底部表面に対向させて上記
第１、第２の配線層それぞれの片方同士を接着して上記
基板の凹部に配設された支持台と、 この支持台の上記側面上に配設され上記第２の配線層に
接続された一対の電極を有する光素子と、を備えた光半
導体装置。 - 【請求項２】 基板の凹部の底部に配設され、第１の配
線層相互の間に挟まれた溝をさらに備えたことを特徴と
する請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】光素子が受光素子であることを特徴とする
請求項１または２に記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002157694A JP2003347561A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002157694A JP2003347561A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347561A true JP2003347561A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29773436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002157694A Pending JP2003347561A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003347561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012008530A1 (ja) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | 矢崎総業株式会社 | 光通信モジュール |
-
2002
- 2002-05-30 JP JP2002157694A patent/JP2003347561A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012008530A1 (ja) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | 矢崎総業株式会社 | 光通信モジュール |
| JP2012023218A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Yazaki Corp | 光通信モジュール |
| CN103003952A (zh) * | 2010-07-15 | 2013-03-27 | 矢崎总业株式会社 | 光通信模块 |
| US8885990B2 (en) | 2010-07-15 | 2014-11-11 | Yazaki Corporation | Optical communication module |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041126 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071106 |