JP2003347537A - 固体撮像素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 縦型オーバーフロードレイン方式のＣＣＤ固
体撮像素子におけるニー特性の改善を図る。 【解決手段】 第１導電型のオーバーフローバリア領域
を有し、複数の受光センサ部２２がマトリックス状に配
列されてなる縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮
像素子であって、垂直方向に隣り合う受光センサ部２２
間に、オーバーフローバリア領域との間で対接地容量を
形成するための接地電位が印加される第１導電型不純物
導入領域４１が形成されて成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばデジタルス
チルカメラ、カメラ一体型ＶＴＲなどに使用される縦型
オーバーフロードレイン方式の固体撮像素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、デジタル技術の発展により、デジ
タルスチルカメラが普及し、その利便性から広くもては
やされている。また、このデジタルカメラは、現像不
要、データのやりとりが非常に容易に行えるなどから銀
塩カメラ（所謂、フィルム式カメラ）との置き換えが進
行しており、より精細性の追求が望まれている。現在、
民生用デジタルスチルカメラでは、２００万から３００
万画素クラスの固体撮像素子が主流となっているが、銀
塩カメラと同等の画質を実現する為にはそれ以上の画素
数が必要といわれている。現状では多画素化への要求と
共に、その特性の維持、さらには特性向上が強く求めら
れている。同様に、カメラ一体型ＶＴＲ用の固体撮像素
子においても近年多画素化が進んでおり、より高精細性
への要求が強くなってきている。

【０００３】図５は、従来の縦型オーバーフロードレイ
ン方式のＣＣＤ固体撮像素子の例を示す。なお、同図は
撮像領域の要部を示す断面構造である。このＣＣＤ固体
撮像素子１は、画素を構成する例えばフォトダイオード
からなる複数の受光センサ部２がマトリックス状に配列
され、各垂直方向に延びる受光センサ部列の一方の側に
ＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ部３が形成されてなる撮
像領域を有して成り、撮像領域の垂直方向の端部に、図
示せざるも複数の垂直転送レジスタ部を有する蓄積領域
を介して、或いは介さないで、水平転送レジスタ部が配
置され、この水平転送レジスタ部に電荷電圧変換手段を
介して出力部が接続されて構成される。

【０００４】撮像領域では、第１導電型例えばｎ型のシ
リコン半導体基板５内に、第２導電型例えばｐ型の半導
体領域からなるオーバーフローバリア領域６が形成さ
れ、半導体基板５の表面側に受光センサ部２を構成する
ｎ型半導体領域（いわゆる電荷蓄積領域）７とその上の
表面ｐ型半導体領域８からなるフォトダイオードが形成
される。受光センサ部列の一方の側には、ｐ型の読出し
ゲート部９を介して垂直転送レジスタ部３を構成するｎ
型埋込み領域１０が形成され、ｎ型埋込み層１０下にｐ
型半導体ウェル領域１１が形成される。受光センサ部列
の他方の側には、水平方向に隣り合う画素間を分離する
ための画素分離領域、即ちｐ型チャネルストップ領域１
２が形成される。このｐ型チャネルストップ領域１２
は、受光センサ部２の表面ｐ型半導体領域８に電気的に
接続され、接地電位が印加される。表面ｐ型半導体領域
８は、いわゆる正孔蓄積領域となり、暗電流を低減する
ためにｎ型電荷蓄積領域７と後述する絶縁膜１３との界
面に形成される。

【０００５】半導体基板５の表面上には、絶縁膜１３が
形成され、ｎ型埋込み領域１０及び読出しゲート部９上
にゲート絶縁膜１３Ｇを介して例えば２層膜の多結晶シ
リコンよりなる転送電極１４が形成される。このｎ型埋
込み領域１０と転送電極１４により垂直転送レジスト部
３が構成される。更に、転送電極１４を層間絶縁膜１５
で被覆し一部受光センサ部２に対応する部分に開口１７
を形成するようにした例えばＡｌ膜からなる遮光膜１６
が形成される。

【０００６】このＣＣＤ固体撮像素子１では、図６に示
すように、通常撮像動作時にはｐ型チャネルストップ領
域１２及び表面ｐ型半導体領域８が接地電位とされ、ｎ
型半導体基板５に所定の基板バイアス電圧Ｖ_sub が印加
される。受光センサ部２で光電変換された信号電荷（本
例では電子）ｅはｎ型電荷蓄積領域７に蓄積される。過
剰電荷はオーバーフローバリアφ_A を越えて基板５側へ
排出される。電子シャッタ動作時には、基板バイアス電
圧ｖ_sub に加えて相当のΔＶ_sub を印加し、ｎ型電荷蓄
積領域７に蓄積された全ての電荷を基板５側へ掃き捨て
るようにしている。

【０００７】つまり、基板バイアス電圧により、オーバ
ーフローバリア領域６の電気的ポテンシャルを制御する
ことができ、ｎ型電荷蓄積領域７に蓄積できる信号電荷
量をある程度の自由度をもって変えることが可能となっ
ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】デジタルスチルカメラ
に用いるＣＣＤ固体撮像素子の場合、その信号電荷を充
分に蓄積することがダナミックレンジやＳ／Ｎ比などに
とって重要である。大信号（信号電荷）が 受光センサ
部２に蓄積されることは有益であることは言うまでもな
い。しかし、大光量入射時、つまり受光センサ部２にそ
のｎ型電荷蓄積領域７から溢れる程の信号電荷が存在す
る状態時には、ｎ型電荷蓄積領域７から基板５方向へ電
荷が流出するため、あたかもオーバーフローバリア領域
６に負バイアスが印加されたような状態になり、通常撮
像動作時に必要な基板バイアス値が減少された状態にな
る。即ち、図６の破線１９に示すように、オーバーフロ
ーバリアのポテンシャルレベルが徐々に浅くなり、その
結果、さらに多くの電荷が蓄積される状態になり、いわ
ゆるニー特性が現れる。理想的には光量に対して光電変
換される信号電荷がリニアに変化すべきであるが、電荷
が基板方向へ溢れ出すことからリニアリティーが崩壊
し、ＣＣＤ固体撮像素子にとっては、感度のリニアリテ
ィーが保たれない状態になる。この原因としては、基板
バイアスによるオーバーフローバリアの制御性（コント
ローラビリティー）が弱いことが挙げられる。ニー特性
を抑制するためには、オーバーフローバリアを超えて信
号電荷が基板方向へ流出する場合にも、オーバーフロー
バリア領域６の電気的ポテンシャルが変動しないことが
望まれる。

【０００９】本発明は、上述の点に鑑み、ニー特性を抑
制できるようにした固体撮像素子を提供するものであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る固体撮像素
子は、縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮像素子
であって、垂直方向に隣り合う受光センサ部間に、第１
導電型のオーバーフローバリア領域との間で対接地容量
を形成するための接地電位が印加される第１導電型不純
物導入領域が形成された構成とする。

【００１１】本発明の固体撮像素子では、垂直方向に隣
り合う受光センサ部間に、接地電位の第１導電型不純物
導入領域が形成されるので、第１導電型のオーバーフロ
ーバリア領域に付随する対接地容量が大きくなり、大光
量入射時に過剰電荷がオーバーフローバリアを超えて
も、オーバーフローバリア領域の電気的ポテンシャルの
変動が抑制される。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る固体撮像素子の実施の形態を説明する。

【００１３】図１〜図４は、本発明に係る固体撮像素
子、即ち縦型オーバーフロードレイン方式のＣＣＤ固体
撮像素子の一実施の形態を示す。なお、同図は撮像領域
の要部を示す。本実施の形態に係るＣＣＤ固体撮像素子
２１は、画素を構成する例えばフォトダイオードからな
る複数の受光センサ部２２がマトリックス状に配列さ
れ、各垂直方向に延びる受光センサ部列の一方の側にＣ
ＣＤ構造の垂直転送レジスタ部２３が形成されてなる撮
像領域２４を有して成り、撮像領域２４の垂直方向の端
部に、図示せざるも複数の垂直転送レジスタ部を有する
蓄積領域を介して、或いは介さないで、水平転送レジス
タ部が配置され、この水平転送レジスタ部に電荷電圧変
換手段を介して出力部が接続されて構成される。

【００１４】撮像領域２４では、第２導電型例えばｎ型
のシリコン半導体基板２５内に、第１導電型例えばｐ型
の半導体領域からなるオーバーフローバリア領域２６が
形成され、半導体基板２５の表面側に受光センサ部２２
を構成するｎ型半導体領域（いわゆる電荷蓄積領域）２
７とその上の表面ｐ型半導体領域２８からなるフォトダ
イオードが形成される。各受光センサ部列の一方の側に
は、ｐ型の読出しゲート部２９を介して垂直転送レジス
タ部２３を構成するｎ型埋込み領域３０が形成され、ｎ
型埋込み層３０下にｐ型半導体ウェル領域３１が形成さ
れる。各受光センサ部列の他方の側には、水平方向に隣
り合う画素間を分離するための素子分離領域、即ちｐ型
チャネルストップ領域３２が形成される。このｐ型チャ
ネルストップ領域３２は、受光センサ部２２の表面ｐ型
半導体領域２８に電気的に接続され、接地電位が印加さ
れる。表面ｐ型半導体領域２８は、いわゆる正孔蓄積領
域となり、暗電流を低減するためにｎ型電荷蓄積領域２
７と後述する絶縁膜３３との界面に形成され、垂直方向
の各受光センサ部２に共通するように垂直方向にストラ
イプ状に形成される。ｐ型チャネルストップ領域３２
も、垂直転送レジスト部２３に沿うように垂直方向にス
トライプ状に形成される。

【００１５】半導体基板２５の表面上には、絶縁膜３３
が形成され、ｎ型埋込み領域３０及び読出しゲート部２
９上にゲート絶縁膜３３Ｇを介して例えば２層膜の多結
晶シリコンよりなる転送電極３４〔３４Ａ，３４Ｂ〕が
形成される。このｎ型埋込み領域３０と転送電極３４に
より垂直転送レジスト部２３が構成される。更に、転送
電極３４を層間絶縁膜３５で被覆し一部受光センサ部２
２に対応する部分に開口３７を形成した遮光膜、本例で
はＡｌ遮光膜３６が形成される。

【００１６】本実施の形態においては、特に、垂直方向
に隣り合う画素間、即ち受光センサ部２２間に、オーバ
ーフローバリア領域２６との間で接地容量Ｃ_A を形成す
るための接地電位が印加される第１導電型不純物導入領
域、即ち、例えばイオン注入によるｐ型不純物導入領域
４１が形成される。ｐ型不純物導入領域４１は、ｐ型不
純物を所要の打ち込みエネルギー、例えば数百ｋｅＶ以
下でイオン注入して形成することができる。ｐ型不純物
導入領域４１は、本例では垂直方向に隣り合う受光セン
サ部２２間に延長されている表面ｐ型半導体領域２８の
直下に、この表面ｐ型半導体領域２８に接続するよう
に、所要の深さにわたって形成される。

【００１７】ｐ型不純物導入領域４１は、ｐ型チャネル
ストップ領域３２及び表面ｐ型半導体領域２８と電気的
に同電位、即ち接地電位でなければならない。このた
め、例えばイオン注入により形成するときは、打ち込み
エネルギーを異ならして２段階のイオン注入を行い、表
面ｐ型半導体領域２８の下面に接触するように所要深さ
のｐ型不純物導入領域４１を形成する。このｐ型不純物
導入領域４１の不純物濃度は、オーバーフローバリア領
域２６との間で、所要の対接地容量、即ちオーバーフロ
ーバリア領域２６のバリアポテンシャルの変動が抑制さ
れる程度の寄生容量が構成されるに十分な濃度であれば
良い。ｐ型不純物導入領域４１の濃度は、例えば１．０
×１０¹⁶ｃｍ^-3〜３．０×１０¹⁹ｃｍ^-3程度とすること
ができる。ｐ型チャネルストップ領域３２及び表面ｐ型
半導体領域２８の濃度は例えば１．０×１０¹⁹ｃｍ^-3程
度である。

【００１８】一方、受光センサ部２２にて光電変換され
た電荷は、読出しゲート部２９を通過して垂直転送レジ
スト部２３へ読出される。この読出しゲート部２９の電
気的ポテンシャルが変動することは、読出し不良につな
がる。ＣＣＤ固体撮像素子の製造工程では、熱が加えら
れる工程があるため、ｐ型不純物導入領域４１の不純物
が熱処理によって読出しゲート部２９側へ拡散し、読出
しゲート部２９の電気的ポテンシャルを変動するのを回
避しなければならない。

【００１９】そこで、ｐ型不純物導入領域４１は、読出
しゲート部２９の電気的ポテンシャルに影響しないよう
なパターン形状に形成される。ｐ型不純物導入領域４１
としては、例えば図１に示すように、遮光膜３６の開口
３７の幅にわたるように十字パターン形状に形成するこ
とができる。また、パターンの転写をするフォトリソグ
ラフィ工程において、出来上がり形状は、パターンマス
クにより大きく左右される。そのため、ｐ型不純物導入
領域４１では、左右対称性を重視し、受光センサ部２２
に対して左右対称となるパターン形状にするのが好まし
い。前述したように、ｐ型不純物導入領域４１は、その
不純物の熱による拡散によって読出しゲート部２９の電
気的ポテンシャルが変動するのを回避するように形成す
るが、受光センサ部２２への不純物熱拡散も同様に回避
し、受光センサ部２２の電気的ポテンシャルに対しても
同様に変動が起きないように配慮して形成しなければな
らない。本例では、受光センサ部２２の電気的ポテンシ
ャルへの影響を最小限に抑えることと、上記ｐ型チャネ
ルストップ領域３２及び表面ｐ型半導体領域２８と同電
位化させることを兼ねるために、十字パターン形状のｐ
型不純物導入領域４１が、開口３７の縁部に対応する受
光センサ部２２の一部（例えば水平方向の開口幅の１／
３程度の範囲）で接触するように形成している。ｐ型不
純物導入領域４１とｐ型チャネルストップ領域３２及び
表面ｐ型半導体領域２８との接触を密にするために、ｐ
型不純物導入領域４１を開口３７内に込むように形成す
ることもできる。

【００２０】ｐ型不純物導入領域４１のパターン形状
は、十字パターン形状に限らず、読出しゲート部２９の
電気的ポテンシャル、受光センサ部２２の電気的ポテン
シャルに影響を与えない形状であれば、即ち、読出しゲ
ート部２９に接近しないように、また受光センサ部に接
触する部分が少なくなるようなパターン形状であれば、
採用できる。

【００２１】本実施の形態に係る縦型オーバーフロード
レイン方式のＣＣＤ固体撮像素子２１では、通常のよう
に、受光センサ部２２で光電変換され、ｎ型電荷蓄積領
域２７に蓄積された信号電荷が読出しゲート部２９を通
じて垂直転送レジスト部２３に読み出され、垂直転送レ
ジスト部２３内を転送された後、水平転送レジスタ部に
転送され、水平転送レジスタ部より電荷電圧変換手段を
経て出力部から出力される。そして、前述の図６で説明
したと同様に、通常撮像動作時にはｐ型チャネルストッ
プ領域３２及び表面ｐ型半導体領域２８が接地電位とさ
れ、ｎ型半導体基板２５に所定の基板バイアス電圧Ｖ
_sub が印加され、信号電荷ｅがｎ型電荷蓄積領域２７に
蓄積される。過剰電荷はオーバーフローバリアφ_A を越
えて基板２５側へ排出される、電子シャッタ動作時に
は、基板バイアス電圧ｖ_sub に加えて相当のΔＶ_sub を
印加し、ｎ型電荷蓄積領域２７に蓄積された全ての電荷
ｅを基板２５側へ掃き捨てるようになす。

【００２２】上述した本実施の形態に係るＣＣＤ固体撮
像素子２１によれば、垂直方向に隣り合う受光センサ部
２２間に、接地される表面ｐ型半導体領域２８に接続し
てその下方に延びるｐ型不純物導入領域４１を形成した
ので、オーバーフローバリア領域２６に付随する対接地
容量（いわゆる寄生容量）Ｃ_A が従来よりも大きくな
り、基板バイアスによるオーバーフローバリア領域２６
の電気的ポテンシャルの制御性を良好にする。すなわ
ち、大光量入射時に過剰電荷がオーバーフローバリアを
超えても、オーバーフローバリア領域の電気的ポテンシ
ャルの変動を抑制することができ、いわゆるニー特性を
抑制することができる。

【００２３】因みに、従来の図５の固体撮像素子１の場
合、オーバーフローバリア領域６に付随する対接地容量
は、オーバーフローバリア領域６とｐ型チャネルストッ
プ領域１２間の寄生容量でる。しかし、ｐ型チャネルス
トップ領域１２は、オーバーフローバリア領域６から１
〜２μｍ程度の距離があるので、オーバーフローバリア
領域に付随する寄生容量値としては十分大きいものでは
ない。容量Ｃは、一般にＣ＝ε_O ／Ｓ／ｄ〔但し、ε_O
は誘電率、Ｓは電極面積、ｄは電極間距離〕で表され
る。同じ画素サイズで本実施の形態での上記対接地容量
と、従来例での上記対接地容量を比較する。オーバーフ
ローバリア領域に対向するｐ領域の面積は、従来のｐ型
チャネルストップ領域１２面積のみに比べて、本実施の
形態ではｐ型チャネルストップ領域３２とｐ型不純物導
入領域４１の合計面積となり大きくなる。また、オーバ
ーフローバリア領域とこれに対向するｐ領域との間の距
離は、従来のｐ型チャネルストップ領域１２とオーバー
フローバリア領域６間の距離ｄ₁ （図５参照）に対し
て、本実施の形態ではｐ型不純物導入領域４１とオーバ
ーフローバリア領域２６間の距離ｄ₂ となり短くなって
いる。従って、本実施の形態は、従来例に比べてオーバ
ーフローバリア領域に付随する寄生容量は十分大きいも
のになり、オーバーフローバリア領域２６の電気的ポテ
ンシャル変動を抑制することができる。また、図５の構
成において、受光センサ部２の表面ｐ型半導体領域１３
が垂直方向に隣り合う受光センサ部２間にも延長して構
成した比較例と、本実施の形態とを比較しても、オーバ
ーフローバリア領域の持つ対接地容量は、本実施の形態
の方が大きくなる。即ち、容量を構成する面積が同じで
あるも、オーバーフローバリア領域とｐ型領域間の距離
が、本実施の形態の方がｐ型不純物導入領域４１を有す
る分だけ短くなり、従って本実施の形態の対接地容量が
大きくなる。

【００２４】垂直方向に隣り合う受光センサ部２２間に
所要の深さをもってｐ型不純物導入領域４１を形成する
ので、垂直方向に隣り合う上下画素の信号電荷が混ざり
合うのを防ぐことができ、画素混色を防ぐことができ
る。即ち、近年、多画素化への要求が高まり、単位画素
の微細化が進むことにより、諸特性を維持することが難
しくなる。そこで、単位画素の比較的大きな画素と同様
の電荷量を受光センサ部にて蓄積するために受光センサ
部の電気的ポテンシャルを深くするなどの工夫がなされ
る場合がある。このような工夫がなされた場合、垂直方
向に隣り合う上下の画素の信号電荷が半導体表面から距
離の深いところで混ざり合わないようにしなければなら
ない。本実施の形態では、ｐ型不純物導入領域４１がオ
ーバーフローバリア領域２６に到達しない範囲で所要の
深さまで形成されるので、画素の混色が回避できる。

【００２５】ｐ型不純物導入領域４１を、読出しゲート
部２９の電気的ポテンシャルに影響を与えないパターン
形状、例えば十字パターン形状で形成するときは、読出
しゲート部２９への影響を小さく抑え、読出しゲート部
２９の電気的ポテンシャル変動を略皆無に抑えることが
可能になり、信号電荷の垂直転送レジスト部２３への読
出しを良好にする。又ｐ型不純物導入領域４１を十字パ
ターン形状として、受光センサ部２２への接触部分を少
なくすることにより、受光センサ部の電気的ポテンシャ
ルへの影響を最小限に抑えることができる。ｐ型不純物
導入領域４１が、一部受光センサ部２２に重なるように
形成することにより、ｐ型不純物導入領域４１を形成す
る際のフォトリソグラフィ特有のパターニングによる位
置ずれを少なく抑え、ＣＣＤ固体撮像素子における微小
白点欠陥を抑制することができる。

【００２６】ＣＣＤ固体撮像素子２１では、信号電荷が
電子である。光電変換された正孔電子対の電子のみを信
号電荷として使用するため、発生した正孔は接地電位の
表面ｐ型半導体領域２８及びｐ型チャネルストップ領域
３２を通じて排出される。本実施の形態では、ｐ型不純
物導入領域４１を画素間の深い領域まで形成することが
できるので、正孔による微小白点欠陥等の諸欠陥を防ぐ
ことができる。

【００２７】本発明は、ＩＴ（インターライントランス
ファ）方式、ＦＩＴ（フレームインターライントランス
ファ）方式のＣＣＤ固体撮像素子に適用できる。

【００２８】

【発明の効果】本発明に係る固体撮像素子によれば、垂
直方向に隣り合う受光センサ部間に、オーバーフローバ
リア領域との間で対接地容量を形成するための接地電位
が印加される第１導電型不純物導入領域を形成したこと
により、オーバーフローバリア領域に付随する対接地容
量が増加し、大光量入射時のオーバーフローバリア領域
の電気的ポテンシャル変動を抑えることができる。従っ
て、ニー特性を抑制することができる。即ち、ニー特性
の改善が図られる。受光センサ部が、第２導電型の電荷
蓄積領域とその上の表面第１導電型領域を有してなり、
表面第１導電型領域が画素分離領域に接続され、垂直方
向に隣り合う受光センサ部間に延長する表面第１導電型
領域の直下に第１導電型不純物導入領域が形成された構
成とするときは、画素分離領域及び表面第１導電型領域
を通じて第１導電型不純物導入領域に接地電位が印加さ
れ、第１導電型不純物導入領域とオーバーフローバリア
領域間に接地容量が形成される。従って、ニー特性を抑
制することができる。

【００２９】第１導電型不純物導入領域が所要深さをも
って形成されるので、垂直方向に隣り合う上下画素の信
号電荷が混ざり合うことを防ぐことができる。

【００３０】第１導電型不純物導入領域を、読出しゲー
ト部の電気的ポテンシャルを変動させないパターン形状
を有するときは、受光センサ部からの信号電荷を垂直転
送レジスト部へ良好に読み出すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る固体撮像素子の一実施の形態を示
す要部の構成図である。

【図２】図１のＡーＡ線上の拡大断面図である。

【図３】図１のＢーＢ線上の拡大断面図である。

【図４】図１のＣーＣ線上の拡大断面図である。

【図５】従来の固体撮像素子の例を示す要部の断面図で
ある。

【図６】縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮像素
子の動作説明図である。

【符号の説明】

２１・・・ＣＣＤ固体撮像素子、２２・・・受光センサ
部、２３・・・垂直転送レジスト部、２４・・・第２導
電型半導体基板、２６・・・第１導電型オーバーフロー
バリア領域、２６・・・第２導電型電荷蓄積領域、２８
・・・表面第１導電型領域、２９・・・読出しゲート
部、３０・・・第２導電型埋込み領域、３１・・・第１
導電型半導体ウェル領域、３２・・・第１導電型チャネ
ルストップ領域、３３・・・絶縁膜、３３Ｇ・・・ゲー
ト絶縁膜、３４・・・転送電極、３５・・・層間絶縁
膜、３６・・・遮光膜、３７・・・開口

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電型のオーバーフローバリア領域
   を有し、複数の受光センサ部がマトリックス状に配列さ
   れてなる縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮像素
   子であって、 垂直方向に隣り合う受光センサ部間に、前記オーバーフ
   ローバリア領域との間で対接地容量を形成するための接
   地電位が印加される第１導電型不純物導入領域が形成さ
   れて成ることを特徴とする固体撮像素子。
2. 【請求項２】 前記受光センサ部が第２導電型の電荷蓄
   積領域とその上の表面第１導電型領域を有してなり、 前記表面第１導電型領域に接続された第１導電型の画素
   分離領域が形成され、 垂直方向に隣り合う前記受光センサ部間に延長する前記
   表面第１導電型領域の直下に、前記第１導電型不純物導
   入領域が形成されて成ることを特徴とする請求項１記載
   の固体撮像素子。
3. 【請求項３】 前記第１導電型不純物導入領域が、垂直
   転送レジスタに接続された読出しゲート部の電気的ポテ
   ンシャルを変動させないパターン形状を有して成ること
   を特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。