JP2003347333A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/1405—Shape
- H01L2224/14051—Bump connectors having different shapes
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップに形成されたバンプ間のショー
ト不良を防止する。 【解決手段】 半導体チップ上に形成したバンプの形状
を、半導体チップの外形を構成する線分に直角または平
行な線分以外の線分を含んで構成することにより、突起
電極間のスペースを大きくとる。例えば、半導体チップ
4上に形成したバンプ5の形状を三角形とし、隣接する
バンプ5間で三角形の頂点が上下逆になるように配置す
る。すなわち、隣接するバンプ5は、三角形、逆三角
形、三角形というように、交互に形状を反転させながら
一列に並ぶように配置する。
ト不良を防止する。 【解決手段】 半導体チップ上に形成したバンプの形状
を、半導体チップの外形を構成する線分に直角または平
行な線分以外の線分を含んで構成することにより、突起
電極間のスペースを大きくとる。例えば、半導体チップ
4上に形成したバンプ5の形状を三角形とし、隣接する
バンプ5間で三角形の頂点が上下逆になるように配置す
る。すなわち、隣接するバンプ5は、三角形、逆三角
形、三角形というように、交互に形状を反転させながら
一列に並ぶように配置する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、突起電極を密に設けた半導体装置に適用して
有効な技術に関する。
し、特に、突起電極を密に設けた半導体装置に適用して
有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体チップの実装技術において、突起
電極であるバンプが盛んに使用されるようになってきて
いる。
電極であるバンプが盛んに使用されるようになってきて
いる。
【0003】バンプを使用した実装技術としては、半導
体チップ上に設けられたバンプと基板の電極を直接対向
して位置を合わせて密着させ、熱および圧力を加えて接
合するフリップチップボンディング技術や、バンプを設
けた半導体チップをフレキシブルフィルム基板にフェイ
スダウン実装するTAB(Tape Automated Bonding)
やTCP(Tape Carrier Package)技術が知られてい
る。
体チップ上に設けられたバンプと基板の電極を直接対向
して位置を合わせて密着させ、熱および圧力を加えて接
合するフリップチップボンディング技術や、バンプを設
けた半導体チップをフレキシブルフィルム基板にフェイ
スダウン実装するTAB(Tape Automated Bonding)
やTCP(Tape Carrier Package)技術が知られてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記した技術において
は、基板の配線密度を高くするため、半導体チップ上に
設けられたバンプの大きさを小さくするとともに、密に
配置することが行われている。
は、基板の配線密度を高くするため、半導体チップ上に
設けられたバンプの大きさを小さくするとともに、密に
配置することが行われている。
【0005】しかし、バンプを密に配置した場合、半導
体チップを基板に実装する際に生ずるバンプの変形によ
り、隣接するバンプ間でショート不良が発生しやすくな
るという問題点がある。
体チップを基板に実装する際に生ずるバンプの変形によ
り、隣接するバンプ間でショート不良が発生しやすくな
るという問題点がある。
【0006】また、半導体チップに設けられたバンプに
導電性の異物が付着し、異物を介して隣接するバンプ間
でショート不良が発生するという問題点がある。
導電性の異物が付着し、異物を介して隣接するバンプ間
でショート不良が発生するという問題点がある。
【0007】特に、液晶ドライバは、入出力端子の数が
極めて多く、これに伴ってバンプ間の距離が極めて狭く
なっている。このため、半導体チップを基板に実装する
際に生ずるバンプの変形や導電性異物の付着により、シ
ョート不良が発生しやすいという問題点がある。
極めて多く、これに伴ってバンプ間の距離が極めて狭く
なっている。このため、半導体チップを基板に実装する
際に生ずるバンプの変形や導電性異物の付着により、シ
ョート不良が発生しやすいという問題点がある。
【0008】本発明の目的は、バンプを密に配置して
も、隣接するバンプ間においてショート不良が発生しに
くい技術を提供することにある。
も、隣接するバンプ間においてショート不良が発生しに
くい技術を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0011】本発明は、突起電極を設けた半導体チップ
を備え、前記突起電極の外形は、前記半導体チップの外
形を構成する線分に直角または平行な線分以外の線分を
含んで構成されているものである。
を備え、前記突起電極の外形は、前記半導体チップの外
形を構成する線分に直角または平行な線分以外の線分を
含んで構成されているものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。また、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。また、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【0013】(実施の形態1)本実施の形態1の半導体
装置は、中継基板(インターポーザ)となるフィルム基
板とこのフィルム基板に搭載された半導体チップとによ
り構成されたチップオンフィルム(Chip On Film;C
OF)構造の液晶ドライバであり、例えばパソコンや移
動体通信端末の液晶基板に実装して使用されるものであ
る。
装置は、中継基板(インターポーザ)となるフィルム基
板とこのフィルム基板に搭載された半導体チップとによ
り構成されたチップオンフィルム(Chip On Film;C
OF)構造の液晶ドライバであり、例えばパソコンや移
動体通信端末の液晶基板に実装して使用されるものであ
る。
【0014】図1は、半導体チップを搭載するフィルム
基板1を示す斜視図である。
基板1を示す斜視図である。
【0015】フィルム基板1は、ポリイミド樹脂よりな
る絶縁フィルム2の一面に銅(Cu)よりなるリード3
が形成されており、略中央部に半導体チップを搭載する
半導体チップ搭載領域Aを有している。
る絶縁フィルム2の一面に銅(Cu)よりなるリード3
が形成されており、略中央部に半導体チップを搭載する
半導体チップ搭載領域Aを有している。
【0016】図2は、フィルム基板1に搭載される半導
体チップ4を示した平面図である。また、図3は、半導
体チップ4の一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
体チップ4を示した平面図である。また、図3は、半導
体チップ4の一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0017】半導体チップ4は、単結晶シリコン基板か
ら構成され、その主面には、図示しない液晶駆動用回路
が形成されている。また、半導体チップ4の主面の周辺
部には、図2に示すように突起電極であるバンプ5(突
起電極)が半導体チップ4の長辺方向(x軸方向)およ
び短辺方向(y軸方向)に沿って一列に形成されてい
る。
ら構成され、その主面には、図示しない液晶駆動用回路
が形成されている。また、半導体チップ4の主面の周辺
部には、図2に示すように突起電極であるバンプ5(突
起電極)が半導体チップ4の長辺方向(x軸方向)およ
び短辺方向(y軸方向)に沿って一列に形成されてい
る。
【0018】図4は、リード3が形成されたフィルム基
板1に半導体チップ4が搭載された様子を示す斜視図で
ある。
板1に半導体チップ4が搭載された様子を示す斜視図で
ある。
【0019】半導体チップ4は、フィルム基板1の半導
体チップ搭載領域A上に搭載されており、半導体チップ
4に形成された個々のバンプ5が、それに対応するフィ
ルム基板1上の個々のリード3に接続されている。
体チップ搭載領域A上に搭載されており、半導体チップ
4に形成された個々のバンプ5が、それに対応するフィ
ルム基板1上の個々のリード3に接続されている。
【0020】半導体チップ4は、半導体ウェハ上に区画
されたチップ領域に周知の半導体製造技術を使用して液
晶駆動回路や入出力端子が形成され、この形成された入
出力端子上に上記バンプを形成後、半導体ウェハをダイ
シングしてチップ領域を個片化することにより製造され
たものである。
されたチップ領域に周知の半導体製造技術を使用して液
晶駆動回路や入出力端子が形成され、この形成された入
出力端子上に上記バンプを形成後、半導体ウェハをダイ
シングしてチップ領域を個片化することにより製造され
たものである。
【0021】半導体チップ4に形成されているバンプ5
は、図2、図3に示すように三角形の形状をしており、
隣接するバンプ5間で三角形の頂点が上下逆になるよう
に配置されている。すなわち、隣接するバンプ5は、三
角形、逆三角形、三角形というように、交互に形状を反
転させながら一列に並んでいる。
は、図2、図3に示すように三角形の形状をしており、
隣接するバンプ5間で三角形の頂点が上下逆になるよう
に配置されている。すなわち、隣接するバンプ5は、三
角形、逆三角形、三角形というように、交互に形状を反
転させながら一列に並んでいる。
【0022】バンプ5は、半導体チップ4の入出力端子
(ボンディングパッド)上に電解メッキ、無電解メッ
キ、蒸着またはスパッタリングなどの方法によって形成
される。
(ボンディングパッド)上に電解メッキ、無電解メッ
キ、蒸着またはスパッタリングなどの方法によって形成
される。
【0023】以下に、三角形をしたバンプ5の間にある
スペースと長方形をしたバンプの間にあるスペースとを
比較する。
スペースと長方形をしたバンプの間にあるスペースとを
比較する。
【0024】図14は、本発明者が検討した図であっ
て、液晶ドライバに搭載される半導体チップ101を示
した図である。また、図15は、半導体チップ101の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
て、液晶ドライバに搭載される半導体チップ101を示
した図である。また、図15は、半導体チップ101の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0025】半導体チップ101に形成されたバンプ1
02は、長方形の形状をしており、x軸方向およびy軸
方向に沿って一列に形成されている。
02は、長方形の形状をしており、x軸方向およびy軸
方向に沿って一列に形成されている。
【0026】長方形をしたバンプ102間のx軸方向の
ピッチをPとし、バンプ102のx軸方向の長さをaと
すると、隣接するバンプ102間のスペースは、P−a
となる。
ピッチをPとし、バンプ102のx軸方向の長さをaと
すると、隣接するバンプ102間のスペースは、P−a
となる。
【0027】一方、図3に示す三角形をしたバンプ5間
のx軸方向のピッチを上記した長方形の形状をしたバン
プ102間のピッチと同じPとし、三角形をしたバンプ
の底辺の長さをaとすると、隣接するバンプ5間のスペ
ースは、P−a/2となる。
のx軸方向のピッチを上記した長方形の形状をしたバン
プ102間のピッチと同じPとし、三角形をしたバンプ
の底辺の長さをaとすると、隣接するバンプ5間のスペ
ースは、P−a/2となる。
【0028】したがって、図3に示す三角形の形状をし
たバンプ5間のスペースは、図15に示す長方形の形状
をしたバンプ102間のスペースに比べてa/2だけ大
きくなることがわかる。
たバンプ5間のスペースは、図15に示す長方形の形状
をしたバンプ102間のスペースに比べてa/2だけ大
きくなることがわかる。
【0029】このようにバンプ5の形状を、三角形、つ
まり半導体チップ4の外形を構成する線分に直角または
平行な線分以外の線分を含んで構成することにより、隣
接するバンプ5間のスペースを大きくとることができ
る。このため、導電性異物の付着によるショート不良や
半導体チップ4をフィルム基板1に実装する際のバンプ
5の変形によるショート不良を防止できる。したがっ
て、液晶ドライバの歩留まり向上を図ることができ、信
頼性向上を図ることができる。
まり半導体チップ4の外形を構成する線分に直角または
平行な線分以外の線分を含んで構成することにより、隣
接するバンプ5間のスペースを大きくとることができ
る。このため、導電性異物の付着によるショート不良や
半導体チップ4をフィルム基板1に実装する際のバンプ
5の変形によるショート不良を防止できる。したがっ
て、液晶ドライバの歩留まり向上を図ることができ、信
頼性向上を図ることができる。
【0030】また、図3に示す三角形をしたバンプ5自
体の面積は、底辺の長さ(x軸方向)をa、高さ(y軸
方向)をbとするとa×b/2であり、図15に示す長
方形をしたバンプ102の面積は、x軸方向の長さを
a、y軸方向の長さをbとすると、a×bである。
体の面積は、底辺の長さ(x軸方向)をa、高さ(y軸
方向)をbとするとa×b/2であり、図15に示す長
方形をしたバンプ102の面積は、x軸方向の長さを
a、y軸方向の長さをbとすると、a×bである。
【0031】したがって、図3に示す三角形をしたバン
プ5自体の面積は、図15に示す長方形をしたバンプ1
02の面積に比べてa×b/2だけ小さくなる。このた
め、バンプ5に生ずる凹部も小さくなる。したがって、
バンプ5に針状のプローブを押し当てて電気的特性のテ
ストを行うときの接触不良を低減することができる。
プ5自体の面積は、図15に示す長方形をしたバンプ1
02の面積に比べてa×b/2だけ小さくなる。このた
め、バンプ5に生ずる凹部も小さくなる。したがって、
バンプ5に針状のプローブを押し当てて電気的特性のテ
ストを行うときの接触不良を低減することができる。
【0032】次に、本実施の形態1における半導体装置
である液晶ドライバの製造工程を説明する。
である液晶ドライバの製造工程を説明する。
【0033】まず、個々のチップ領域に液晶駆動回路と
入出力端子(ボンディングパット)を形成した半導体ウ
ェハを用意する。
入出力端子(ボンディングパット)を形成した半導体ウ
ェハを用意する。
【0034】そして、半導体ウェハ上にバリアメタル膜
を形成した後、レジスト膜を塗布する。その後、露光、
現像を行うことによりバンプ形成のためのパターニング
を行う。パターニングは、入出力端子上部に、レジスト
膜が除去された三角形領域が形成されるように行う。
を形成した後、レジスト膜を塗布する。その後、露光、
現像を行うことによりバンプ形成のためのパターニング
を行う。パターニングは、入出力端子上部に、レジスト
膜が除去された三角形領域が形成されるように行う。
【0035】次に、めっき法を使用して入出力端子上に
形成された三角形領域に金(Au)よりなるバンプを形
成する。このようにして、半導体チップ上に三角形に形
状をしたバンプを形成することができる。
形成された三角形領域に金(Au)よりなるバンプを形
成する。このようにして、半導体チップ上に三角形に形
状をしたバンプを形成することができる。
【0036】そして、不要となったレジスト膜を除去
し、新たに半導体ウェハ上にレジスト膜を塗布し、露
光、現像することによりバリアメタル膜をエッチングす
るパターンを形成する。そして形成したレジストパター
ンをマスクとしてウェハ上に露出しているバリアメタル
膜を除去した後、レジスト膜を除去する。その後、熱処
理を行う。
し、新たに半導体ウェハ上にレジスト膜を塗布し、露
光、現像することによりバリアメタル膜をエッチングす
るパターンを形成する。そして形成したレジストパター
ンをマスクとしてウェハ上に露出しているバリアメタル
膜を除去した後、レジスト膜を除去する。その後、熱処
理を行う。
【0037】次に、半導体ウェハをダイシングすること
により、チップ領域を個片化し、液晶駆動回路および三
角形のバンプを形成した半導体チップが形成される。
により、チップ領域を個片化し、液晶駆動回路および三
角形のバンプを形成した半導体チップが形成される。
【0038】その後、半導体チップ上に形成されたバン
プとフィルム基板に形成されているリードとを同時に一
括接続することにより、フィルム基板上に半導体チップ
を搭載し、液晶ドライバを形成する。
プとフィルム基板に形成されているリードとを同時に一
括接続することにより、フィルム基板上に半導体チップ
を搭載し、液晶ドライバを形成する。
【0039】(実施の形態2)図5は、本実施の形態2
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ6の一
長辺の周辺を拡大した拡大図である。
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ6の一
長辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0040】半導体チップ6の長辺の周辺部には、突起
電極であるバンプ7が形成されている。このバンプ7
は、台形の形状をしており、隣接するバンプ7間で台形
の形状が上下逆になるように配置されている。すなわ
ち、隣接するバンプ7は、交互に形状を反転させながら
一列に並んでいる。
電極であるバンプ7が形成されている。このバンプ7
は、台形の形状をしており、隣接するバンプ7間で台形
の形状が上下逆になるように配置されている。すなわ
ち、隣接するバンプ7は、交互に形状を反転させながら
一列に並んでいる。
【0041】この並んでいるバンプ7間のx軸方向のピ
ッチをP、台形の下底(長い辺)の長さをa、上底(短
い辺)の長さをcとすると、隣接するバンプ7間のスペ
ースは、(P−(a+c)/2)となる。したがって、
台形の形状をしたバンプ7間のスペースは、図15に示
す長方形の形状をしたバンプ102間のスペースに比べ
て(a−c)/2だけ大きいことがわかる。
ッチをP、台形の下底(長い辺)の長さをa、上底(短
い辺)の長さをcとすると、隣接するバンプ7間のスペ
ースは、(P−(a+c)/2)となる。したがって、
台形の形状をしたバンプ7間のスペースは、図15に示
す長方形の形状をしたバンプ102間のスペースに比べ
て(a−c)/2だけ大きいことがわかる。
【0042】このようにバンプ7の形状を、台形、つま
り半導体チップ6の外形を構成する線分に直角または平
行な線分以外の線分を含んで構成することにより、隣接
するバンプ7間のスペースを大きくとることができる。
このため、導電性異物の付着によるショート不良や半導
体チップ6をフィルム基板に実装する際のバンプ7の変
形によるショート不良を防止できる。
り半導体チップ6の外形を構成する線分に直角または平
行な線分以外の線分を含んで構成することにより、隣接
するバンプ7間のスペースを大きくとることができる。
このため、導電性異物の付着によるショート不良や半導
体チップ6をフィルム基板に実装する際のバンプ7の変
形によるショート不良を防止できる。
【0043】また、バンプ7自体の面積は、下底(長い
辺)の長さをa、上底(短い辺)の長さをc、y軸方向
の長さをbとすると、(a+c)×b/2となる。した
がって、図15に示す長方形のバンプ102に比べて
(a−c)×b/2だけ小さくなる。このため、バンプ
7に生ずる凹部も小さくなる。したがって、バンプ7に
針状のプローブを押し当てて電気的特性のテストを行う
ときの接触不良を低減することができる。
辺)の長さをa、上底(短い辺)の長さをc、y軸方向
の長さをbとすると、(a+c)×b/2となる。した
がって、図15に示す長方形のバンプ102に比べて
(a−c)×b/2だけ小さくなる。このため、バンプ
7に生ずる凹部も小さくなる。したがって、バンプ7に
針状のプローブを押し当てて電気的特性のテストを行う
ときの接触不良を低減することができる。
【0044】(実施の形態3)図6は、本実施の形態3
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ8の一
長辺の周辺を拡大した拡大図である。
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ8の一
長辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0045】半導体チップ8の長辺の周辺部には、突起
電極であるバンプ9が形成されている。このバンプ9
は、五角形の形状をしており、隣接するバンプ9間での
形状が上下逆になるように配置されている。すなわち、
隣接するバンプ9は、交互に形状を反転させながら一列
に並んでいる。
電極であるバンプ9が形成されている。このバンプ9
は、五角形の形状をしており、隣接するバンプ9間での
形状が上下逆になるように配置されている。すなわち、
隣接するバンプ9は、交互に形状を反転させながら一列
に並んでいる。
【0046】この並んでいるバンプ9間のx軸方向のピ
ッチをP、x軸に平行な底辺の長さをaとすると、y軸
方向の大きさにより、隣接するバンプ9間のスペースが
異なる。五角形の底辺の位置をy軸の原点とした場合、
隣接するバンプ9間のスペースは、y=b/2で最小と
なりP−aとなる。また、隣接するバンプ9間のスペー
スは、y=0、bで最大となり、P−a/2となる。し
たがって、y軸方向の大きさに関係なく、スペースの値
がP−aとなる長方形の形状をしたバンプ102に比べ
て、スペースを大きく取れることがわかる。
ッチをP、x軸に平行な底辺の長さをaとすると、y軸
方向の大きさにより、隣接するバンプ9間のスペースが
異なる。五角形の底辺の位置をy軸の原点とした場合、
隣接するバンプ9間のスペースは、y=b/2で最小と
なりP−aとなる。また、隣接するバンプ9間のスペー
スは、y=0、bで最大となり、P−a/2となる。し
たがって、y軸方向の大きさに関係なく、スペースの値
がP−aとなる長方形の形状をしたバンプ102に比べ
て、スペースを大きく取れることがわかる。
【0047】このようにバンプ9の形状を、五角形、つ
まり半導体チップ8の外形を構成する線分に直角または
平行な線分以外の線分を含んで構成することにより、隣
接するバンプ9間のスペースを大きくとることができ
る。このため、導電性異物の付着によるショート不良や
半導体チップ8をフィルム基板に実装する際のバンプ9
の変形によるショート不良を防止できる。
まり半導体チップ8の外形を構成する線分に直角または
平行な線分以外の線分を含んで構成することにより、隣
接するバンプ9間のスペースを大きくとることができ
る。このため、導電性異物の付着によるショート不良や
半導体チップ8をフィルム基板に実装する際のバンプ9
の変形によるショート不良を防止できる。
【0048】また、バンプ9自体の面積は、底辺(x軸
方向)の長さをa、y軸方向の長さをbとすると、3×
a×b/4となる。つまり、図15に示す長方形のバン
プ102に比べてa×b/4だけ小さくなる。このた
め、バンプ9に生ずる凹部も小さくなる。したがって、
バンプ9に針状のプローブを押し当てて電気的特性のテ
ストを行うときの接触不良を低減することができる。
方向)の長さをa、y軸方向の長さをbとすると、3×
a×b/4となる。つまり、図15に示す長方形のバン
プ102に比べてa×b/4だけ小さくなる。このた
め、バンプ9に生ずる凹部も小さくなる。したがって、
バンプ9に針状のプローブを押し当てて電気的特性のテ
ストを行うときの接触不良を低減することができる。
【0049】(実施の形態4)図7は、本実施の形態4
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ10の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ10の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0050】半導体チップ10の長辺の周辺部には、突
起電極であるバンプ11が形成されている。このバンプ
11は、直角三角形の形状をしており、隣接するバンプ
11間での形状が上下逆になるように配置されている。
すなわち、隣接するバンプ11は、交互に形状を反転さ
せながら一列に並んでいる。
起電極であるバンプ11が形成されている。このバンプ
11は、直角三角形の形状をしており、隣接するバンプ
11間での形状が上下逆になるように配置されている。
すなわち、隣接するバンプ11は、交互に形状を反転さ
せながら一列に並んでいる。
【0051】この並んでいるバンプ11間のx軸方向の
ピッチをP、x軸方向の辺の長さをaとすると、隣接す
るバンプ11間のスペースは、y軸方向の大きさにより
大きさが異なる。三角形の底辺の位置をy軸の原点にし
た場合、バンプ11間のスペースは、y=bで最小とな
りP−aとなる。また、バンプ11間のスペースは、y
=0で最大となり、Pとなる。したがって、y軸方向の
大きさに関係なく、スペースの値がP−aとなる長方形
の形状をしたバンプ102に比べて、スペースを大きく
取れることがわかる。
ピッチをP、x軸方向の辺の長さをaとすると、隣接す
るバンプ11間のスペースは、y軸方向の大きさにより
大きさが異なる。三角形の底辺の位置をy軸の原点にし
た場合、バンプ11間のスペースは、y=bで最小とな
りP−aとなる。また、バンプ11間のスペースは、y
=0で最大となり、Pとなる。したがって、y軸方向の
大きさに関係なく、スペースの値がP−aとなる長方形
の形状をしたバンプ102に比べて、スペースを大きく
取れることがわかる。
【0052】このようにバンプ11の形状を、半導体チ
ップ10の外形を構成する線分に直角または平行な線分
以外の線分を含んで構成することにより、隣接するバン
プ11間のスペースを大きくとることができる。このた
め、導電性異物の付着によるショート不良や半導体チッ
プ10をフィルム基板に実装する際のバンプ11の変形
によるショート不良を防止できる。
ップ10の外形を構成する線分に直角または平行な線分
以外の線分を含んで構成することにより、隣接するバン
プ11間のスペースを大きくとることができる。このた
め、導電性異物の付着によるショート不良や半導体チッ
プ10をフィルム基板に実装する際のバンプ11の変形
によるショート不良を防止できる。
【0053】また、三角形をしたバンプ11自体の面積
は、底辺の長さ(x軸方向)をa、高さ(y軸方向)を
bとするとa×b/2であり、図15に示す長方形をし
たバンプ102の面積に比べてa×b/2だけ小さくな
る。このため、バンプ11に生ずる凹部も小さくなる。
したがって、バンプ11に針状のプローブを押し当てて
電気的特性のテストを行うときの接触不良を低減するこ
とができる。
は、底辺の長さ(x軸方向)をa、高さ(y軸方向)を
bとするとa×b/2であり、図15に示す長方形をし
たバンプ102の面積に比べてa×b/2だけ小さくな
る。このため、バンプ11に生ずる凹部も小さくなる。
したがって、バンプ11に針状のプローブを押し当てて
電気的特性のテストを行うときの接触不良を低減するこ
とができる。
【0054】(実施の形態5)図8は、本実施の形態5
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ12の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ12の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0055】半導体チップ12の長辺の周辺部には、突
起電極であるバンプ13が形成されている。このバンプ
13は、ツリー状の形状をしており、隣接するバンプ1
3間での形状が上下逆になるように配置されている。す
なわち、隣接するバンプ13は、交互に形状を反転させ
ながら一列に並んでいる。
起電極であるバンプ13が形成されている。このバンプ
13は、ツリー状の形状をしており、隣接するバンプ1
3間での形状が上下逆になるように配置されている。す
なわち、隣接するバンプ13は、交互に形状を反転させ
ながら一列に並んでいる。
【0056】この並んでいるバンプ13間のx軸方向の
ピッチをP、底辺の長さをaとすると、y軸方向の大き
さにより、隣接するバンプ13間のスペースが異なる
が、最小でもP−a/2だけ離れている。したがって、
隣接するバンプ13間のスペースは、スペースの値がP
−aとなる長方形の形状をしたバンプ102に比べて、
大きくなることがわかる。
ピッチをP、底辺の長さをaとすると、y軸方向の大き
さにより、隣接するバンプ13間のスペースが異なる
が、最小でもP−a/2だけ離れている。したがって、
隣接するバンプ13間のスペースは、スペースの値がP
−aとなる長方形の形状をしたバンプ102に比べて、
大きくなることがわかる。
【0057】このようにバンプ13の形状を、曲線を含
んで構成することにより、隣接するバンプ13間のスペ
ースを大きくとることができる。このため、導電性異物
の付着によるショート不良や半導体チップ12をフィル
ム基板に実装する際のバンプ13の変形によるショート
不良を防止できる。
んで構成することにより、隣接するバンプ13間のスペ
ースを大きくとることができる。このため、導電性異物
の付着によるショート不良や半導体チップ12をフィル
ム基板に実装する際のバンプ13の変形によるショート
不良を防止できる。
【0058】また、バンプ13自体の面積は、図15に
示す長方形のバンプ102に比べて小さくなる。このた
め、バンプ13に生ずる凹部も小さくなる。したがっ
て、バンプ13に針状のプローブを押し当てて電気的特
性のテストを行うときの接触不良を低減することができ
る。
示す長方形のバンプ102に比べて小さくなる。このた
め、バンプ13に生ずる凹部も小さくなる。したがっ
て、バンプ13に針状のプローブを押し当てて電気的特
性のテストを行うときの接触不良を低減することができ
る。
【0059】(実施の形態6)図9は、本実施の形態6
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ14の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
における液晶ドライバに搭載される半導体チップ14の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0060】半導体チップ14の長辺の周辺部には、突
起電極であるバンプ15a、15bが交互に配置されて
いる。このバンプ15aとバンプ15bとは、異なる形
状をしている。すなわち、バンプ15aは、釣鐘状の形
状をしている一方で、バンプ15bは、ツリーを逆さに
した形状をしている。バンプ15a、15bは、隣接し
ており、釣鐘を構成する曲線とツリーを逆さにした形状
を構成する曲線とは、並行になるように配置されてい
る。
起電極であるバンプ15a、15bが交互に配置されて
いる。このバンプ15aとバンプ15bとは、異なる形
状をしている。すなわち、バンプ15aは、釣鐘状の形
状をしている一方で、バンプ15bは、ツリーを逆さに
した形状をしている。バンプ15a、15bは、隣接し
ており、釣鐘を構成する曲線とツリーを逆さにした形状
を構成する曲線とは、並行になるように配置されてい
る。
【0061】交互に並んでいるバンプ15aとバンプ1
5bとの間のピッチをP、バンプ15a、15bのx軸
に平行な辺の長さを共にaとすると、隣接するバンプ1
5a、15b間のスペースは、P−a/2となる。した
がって、隣接するバンプ15a、15b間のスペース
は、図15に示す長方形の形状をしたバンプ102間の
スペースP−aに比べてa/2だけ大きいことがわか
る。
5bとの間のピッチをP、バンプ15a、15bのx軸
に平行な辺の長さを共にaとすると、隣接するバンプ1
5a、15b間のスペースは、P−a/2となる。した
がって、隣接するバンプ15a、15b間のスペース
は、図15に示す長方形の形状をしたバンプ102間の
スペースP−aに比べてa/2だけ大きいことがわか
る。
【0062】このようにバンプ15a、15bの形状
を、互いに並行する曲線を含んで構成することにより、
隣接するバンプ15aとバンプ15bとの間のスペース
を大きくとることができる。このため、導電性異物の付
着によるショート不良や半導体チップ14をフィルム基
板に実装する際のバンプ15a、15bの変形によるシ
ョート不良を防止できる。
を、互いに並行する曲線を含んで構成することにより、
隣接するバンプ15aとバンプ15bとの間のスペース
を大きくとることができる。このため、導電性異物の付
着によるショート不良や半導体チップ14をフィルム基
板に実装する際のバンプ15a、15bの変形によるシ
ョート不良を防止できる。
【0063】また、バンプ15a、15b自体の面積
は、図15に示す長方形のバンプ102に比べて小さく
なる。このため、バンプ15a、15bに生ずる凹部も
小さくなる。したがって、バンプ15a、15bに針状
のプローブを押し当てて電気的特性のテストを行うとき
の接触不良を低減することができる。
は、図15に示す長方形のバンプ102に比べて小さく
なる。このため、バンプ15a、15bに生ずる凹部も
小さくなる。したがって、バンプ15a、15bに針状
のプローブを押し当てて電気的特性のテストを行うとき
の接触不良を低減することができる。
【0064】(実施の形態7)図10は、本実施の形態
7における液晶ドライバに搭載される半導体チップ16
の一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
7における液晶ドライバに搭載される半導体チップ16
の一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0065】半導体チップ16の長辺の周辺部には、突
起電極であるバンプ17a、17bが交互に配置されて
いる。このバンプ17aとバンプ17bとは、異なる形
状をしている。すなわち、バンプ17aは、長方形の一
辺にお椀を逆さにしたような形をしており、バンプ17
bは、長方形の一辺に富士山を逆さにしたような形をし
ている。バンプ17a、17bは、隣接しており、隣接
するバンプ17aを構成する曲線とバンプ17bを構成
する曲線とは、並行になるように配置されている。
起電極であるバンプ17a、17bが交互に配置されて
いる。このバンプ17aとバンプ17bとは、異なる形
状をしている。すなわち、バンプ17aは、長方形の一
辺にお椀を逆さにしたような形をしており、バンプ17
bは、長方形の一辺に富士山を逆さにしたような形をし
ている。バンプ17a、17bは、隣接しており、隣接
するバンプ17aを構成する曲線とバンプ17bを構成
する曲線とは、並行になるように配置されている。
【0066】交互に並んでいるバンプ17aとバンプ1
7bとの間のピッチをP、バンプ17aの底辺(x軸に
平行な辺のうち長い辺)の長さをa、バンプ17bの底
辺(x軸に平行な辺のうち短い辺)の長さをdとする
と、隣接するバンプ17a、17b間のスペースは、P
−(a+d)/2となる。したがって、隣接するバンプ
17a、17b間のスペースは、図15に示す長方形の
形状をしたバンプ102間のスペースP−aに比べて
(a−d)/2だけ大きいことがわかる。
7bとの間のピッチをP、バンプ17aの底辺(x軸に
平行な辺のうち長い辺)の長さをa、バンプ17bの底
辺(x軸に平行な辺のうち短い辺)の長さをdとする
と、隣接するバンプ17a、17b間のスペースは、P
−(a+d)/2となる。したがって、隣接するバンプ
17a、17b間のスペースは、図15に示す長方形の
形状をしたバンプ102間のスペースP−aに比べて
(a−d)/2だけ大きいことがわかる。
【0067】このようにバンプ17a、17bの形状
を、互いに並行する曲線を含んで構成することにより、
隣接するバンプ17aとバンプ17bとの間のスペース
を大きくとることができる。このため、導電性異物の付
着によるショート不良や半導体チップ16をフィルム基
板に実装する際のバンプ17a、17bの変形によるシ
ョート不良を防止できる。
を、互いに並行する曲線を含んで構成することにより、
隣接するバンプ17aとバンプ17bとの間のスペース
を大きくとることができる。このため、導電性異物の付
着によるショート不良や半導体チップ16をフィルム基
板に実装する際のバンプ17a、17bの変形によるシ
ョート不良を防止できる。
【0068】また、バンプ17a、17b自体の面積
は、図15に示す長方形のバンプ102に比べて小さく
なる。このため、バンプ17a、17bに生ずる凹部も
小さくなる。したがって、バンプ17a、17bに針状
のプローブを押し当てて電気的特性のテストを行うとき
の接触不良を低減することができる。
は、図15に示す長方形のバンプ102に比べて小さく
なる。このため、バンプ17a、17bに生ずる凹部も
小さくなる。したがって、バンプ17a、17bに針状
のプローブを押し当てて電気的特性のテストを行うとき
の接触不良を低減することができる。
【0069】(実施の形態8)図11は、本実施の形態
8における液晶ドライバに搭載される半導体チップ18
の一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
8における液晶ドライバに搭載される半導体チップ18
の一長辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0070】半導体チップ18の長辺の周辺部には、突
起電極であるバンプ19a、19bが交互に配置されて
いる。このバンプ19aとバンプ19bとは、異なる形
状をしている。すなわち、バンプ19aは、長方形の一
辺に釣鐘状の形をしており、バンプ19bは、長方形の
一辺に富士山を逆さにしたような形をしている。
起電極であるバンプ19a、19bが交互に配置されて
いる。このバンプ19aとバンプ19bとは、異なる形
状をしている。すなわち、バンプ19aは、長方形の一
辺に釣鐘状の形をしており、バンプ19bは、長方形の
一辺に富士山を逆さにしたような形をしている。
【0071】交互に並んでいるバンプ19aとバンプ1
9bとの間のピッチをP、バンプ19aの底辺の長さを
a、バンプ19bの底辺(x軸に平行な辺のうち短い
辺)の長さをdとすると、y軸方向の大きさにより、隣
接するバンプ19aとバンプ19bとの間のスペースが
異なるが、最小でも、隣接するバンプ19aとバンプ1
9bとの間のスペースは、P−(a+d)/2となる。
したがって、隣接するバンプ19aとバンプ19bとの
間のスペースは、スペースの値がP−aとなる長方形の
形状をしたバンプ102に比べて、大きくなることがわ
かる。
9bとの間のピッチをP、バンプ19aの底辺の長さを
a、バンプ19bの底辺(x軸に平行な辺のうち短い
辺)の長さをdとすると、y軸方向の大きさにより、隣
接するバンプ19aとバンプ19bとの間のスペースが
異なるが、最小でも、隣接するバンプ19aとバンプ1
9bとの間のスペースは、P−(a+d)/2となる。
したがって、隣接するバンプ19aとバンプ19bとの
間のスペースは、スペースの値がP−aとなる長方形の
形状をしたバンプ102に比べて、大きくなることがわ
かる。
【0072】このようにバンプ19a、19bの形状
を、曲線を含んで構成することにより、隣接するバンプ
19aとバンプ19bとの間のスペースを大きくとるこ
とができる。このため、導電性異物の付着によるショー
ト不良や半導体チップ18をフィルム基板に実装する際
のバンプ19a、19bの変形によるショート不良を防
止することができる。
を、曲線を含んで構成することにより、隣接するバンプ
19aとバンプ19bとの間のスペースを大きくとるこ
とができる。このため、導電性異物の付着によるショー
ト不良や半導体チップ18をフィルム基板に実装する際
のバンプ19a、19bの変形によるショート不良を防
止することができる。
【0073】また、バンプ19a、19b自体の面積
は、図15に示す長方形のバンプ102に比べて小さく
なる。このため、バンプ19a、19bに生ずる凹部も
小さくなる。したがって、バンプ19a、19bに針状
のプローブを押し当てて電気的特性のテストを行うとき
の接触不良を低減することができる。
は、図15に示す長方形のバンプ102に比べて小さく
なる。このため、バンプ19a、19bに生ずる凹部も
小さくなる。したがって、バンプ19a、19bに針状
のプローブを押し当てて電気的特性のテストを行うとき
の接触不良を低減することができる。
【0074】(実施の形態9)図12は、本実施の形態
9における半導体装置に搭載される半導体チップ20の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。図16は、本発
明者が検討した図であって、半導体チップ103の一長
辺の周辺を拡大した拡大図である。
9における半導体装置に搭載される半導体チップ20の
一長辺の周辺を拡大した拡大図である。図16は、本発
明者が検討した図であって、半導体チップ103の一長
辺の周辺を拡大した拡大図である。
【0075】半導体チップ20の長辺の周辺部には、突
起電極であるバンプ21が千鳥状に配置されている。こ
の千鳥状に配置されたバンプ21は、五角形の形状をし
ている。このようにバンプ21の形状を五角形にしたこ
とにより、図16に示したバンプの形状を長方形にする
場合に比べて、一列目のバンプ21と二列目のバンプ2
1とのスペースを大きくとることができる。したがっ
て、導電性異物の付着によるショート不良や半導体チッ
プ20をフィルム基板に実装する際のバンプ21の変形
によるショート不良を防止することができる。
起電極であるバンプ21が千鳥状に配置されている。こ
の千鳥状に配置されたバンプ21は、五角形の形状をし
ている。このようにバンプ21の形状を五角形にしたこ
とにより、図16に示したバンプの形状を長方形にする
場合に比べて、一列目のバンプ21と二列目のバンプ2
1とのスペースを大きくとることができる。したがっ
て、導電性異物の付着によるショート不良や半導体チッ
プ20をフィルム基板に実装する際のバンプ21の変形
によるショート不良を防止することができる。
【0076】また、五角形をしたバンプ21の面積は、
図16に示す長方形のバンプ104に比べて面積が小さ
くなっている。このため、バンプ21に生ずる凹部も小
さくなる。したがって、バンプ21に針状のプローブを
押し当てて電気的特性のテストを行うときの接触不良を
低減することができる。
図16に示す長方形のバンプ104に比べて面積が小さ
くなっている。このため、バンプ21に生ずる凹部も小
さくなる。したがって、バンプ21に針状のプローブを
押し当てて電気的特性のテストを行うときの接触不良を
低減することができる。
【0077】以上、本発明者によってなされた発明を前
記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【0078】実施の形態では、バンプが半導体チップの
外形を構成する辺に沿って並んでいる例を示したが、例
えば図13に示すように半導体チップ22の角部にバン
プ23を形成してもよい。このように半導体チップ22
の角部にもバンプ23を形成することにより、バンプを
密に配置することができる。
外形を構成する辺に沿って並んでいる例を示したが、例
えば図13に示すように半導体チップ22の角部にバン
プ23を形成してもよい。このように半導体チップ22
の角部にもバンプ23を形成することにより、バンプを
密に配置することができる。
【0079】バンプの形状は、実施の形態で説明した形
状に限らず、例えばV字型の形状をしていてもよい。
状に限らず、例えばV字型の形状をしていてもよい。
【0080】実施の形態では、液晶ドライバについて説
明したが液晶ドライバに限定されるものでなく、一般
に、突起電極を設けた半導体チップを実装する半導体装
置に適用することができる。
明したが液晶ドライバに限定されるものでなく、一般
に、突起電極を設けた半導体チップを実装する半導体装
置に適用することができる。
【0081】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【0082】半導体チップ上に形成した突起電極の形状
を、半導体チップの外形を構成する線分に直角または平
行な線分以外の線分を含んで構成することにより、突起
電極間のスペースを大きくとることができる。したがっ
て、導電性異物の付着によるショート不良や半導体チッ
プをフィルム基板に実装する際のバンプの変形によるシ
ョート不良を防止できる。
を、半導体チップの外形を構成する線分に直角または平
行な線分以外の線分を含んで構成することにより、突起
電極間のスペースを大きくとることができる。したがっ
て、導電性異物の付着によるショート不良や半導体チッ
プをフィルム基板に実装する際のバンプの変形によるシ
ョート不良を防止できる。
【図1】本発明の一実施の形態である液晶ドライバのフ
ィルム基板を示す斜視図である。
ィルム基板を示す斜視図である。
【図2】本発明の一実施の形態である液晶ドライバに搭
載される半導体チップの平面図である。
載される半導体チップの平面図である。
【図3】本発明の一実施の形態である液晶ドライバに搭
載される半導体チップの一部を拡大した拡大図である。
載される半導体チップの一部を拡大した拡大図である。
【図4】フィルム基板に半導体チップを搭載した状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図5】本発明の他の実施の形態である液晶ドライバに
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
【図6】本発明の他の実施の形態である液晶ドライバに
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
【図7】本発明の他の実施の形態である液晶ドライバに
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
【図8】本発明の他の実施の形態である液晶ドライバに
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
【図9】本発明の他の実施の形態である液晶ドライバに
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
【図10】本発明の他の実施の形態である液晶ドライバ
に搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
に搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
【図11】本発明の他の実施の形態である液晶ドライバ
に搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
に搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
【図12】本発明の他の実施の形態である液晶ドライバ
に搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
に搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
【図13】本発明の他の実施の形態である液晶ドライバ
に搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
に搭載される半導体チップの一部を拡大した拡大図であ
る。
【図14】本発明者が検討した液晶ドライバに搭載され
る半導体チップの平面図である。
る半導体チップの平面図である。
【図15】本発明者が検討した液晶ドライバに搭載され
る半導体チップの一部を拡大した拡大図である。
る半導体チップの一部を拡大した拡大図である。
【図16】本発明者が検討した液晶ドライバに搭載され
る半導体チップの一部を拡大した拡大図である。
る半導体チップの一部を拡大した拡大図である。
1 フィルム基板
2 絶縁フィルム
3 リード
4 半導体チップ
5 バンプ
6 半導体チップ
7 バンプ
8 半導体チップ
9 バンプ
10 半導体チップ
11 バンプ
12 半導体チップ
13 バンプ
14 半導体チップ
15a バンプ
15b バンプ
16 半導体チップ
17a バンプ
17b バンプ
18 半導体チップ
19a バンプ
19b バンプ
20 半導体チップ
21 バンプ
22 半導体チップ
23 バンプ
Claims (4)
- 【請求項1】 突起電極を設けた半導体チップを備え、 前記突起電極の外形は、前記半導体チップの外形を構成
する線分に直角または平行な線分以外の線分を含んで構
成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 複数の突起電極を設けた半導体チップを
備え、 前記突起電極の外形は、前記半導体チップの外形を構成
する線分に直角または平行な線分以外の線分を含んで構
成され、 前記突起電極の外形を構成する線分であって、前記半導
体チップの外形を構成する線分に直角または平行な線分
以外の線分が、互いに隣り合う前記突起電極で平行であ
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項3】 複数の突起電極を設けた半導体チップを
備え、 前記突起電極の外形は、曲線を含んで構成され、 前記突起電極の外形を構成する曲線が、互いに隣り合う
前記突起電極で並行になっていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項4】 突起電極を設けた半導体チップを備え、 前記突起電極の外形は、三角形で構成されていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002148838A JP2003347333A (ja) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2002148838A JP2003347333A (ja) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003347333A true JP2003347333A (ja) | 2003-12-05 |
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ID=29767236
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027481A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2007043071A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
US7777334B2 (en) | 2005-07-06 | 2010-08-17 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having active element formation region provided under a bump pad |
US8878365B2 (en) | 2005-07-13 | 2014-11-04 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a conductive layer reliably formed under an electrode pad |
CN113161314A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-07-23 | 厦门通富微电子有限公司 | 一种半导体芯片以及显示面板 |
-
2002
- 2002-05-23 JP JP2002148838A patent/JP2003347333A/ja active Pending
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