JP2003335518A - Raw material preparation and method for growing single crystal - Google Patents
Raw material preparation and method for growing single crystalInfo
- Publication number
- JP2003335518A JP2003335518A JP2002142972A JP2002142972A JP2003335518A JP 2003335518 A JP2003335518 A JP 2003335518A JP 2002142972 A JP2002142972 A JP 2002142972A JP 2002142972 A JP2002142972 A JP 2002142972A JP 2003335518 A JP2003335518 A JP 2003335518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- single crystal
- growing
- zno
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 107
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 31
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 12
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、工業用途に利用で
きる例えば酸化亜鉛などの単結晶を育成する際に好適な
単結晶の原料作製方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a single crystal raw material suitable for growing a single crystal such as zinc oxide which can be used for industrial purposes.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から単結晶を育成する単結晶育成方
法の１つに、高温高圧の系に温度差を設け、温度差によ
り生じる育成溶液の結晶溶解度の差を利用したいわゆる
水熱合成法が知られている。水熱合成法による単結晶の
育成方法は、例えば特開平６−１２８０８８号公報など
に開示されている。この公報に開示されているように、
例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）の単結晶を育成する際には、
育成装置の下部側（溶解領域側）に原料を配置し、その
上部側に種結晶を配置した後、育成装置内に水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）、水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）などの強
アルカリ溶液を注入する。この状態で、育成装置内の上
部側（育成領域側）の温度（育成領域の温度）を３７０
〜４００℃、育成装置内の圧力を７００〜１０００kg/c
m2に保つと共に、下部側の温度（溶解領域の温度）を上
部側の温度より１０℃〜１５℃高い温度に設定するよう
にしている。2. Description of the Related Art One of conventional single crystal growth methods for growing a single crystal is a so-called hydrothermal synthesis method in which a temperature difference is provided in a high temperature and high pressure system and a difference in crystal solubility of a growing solution caused by the temperature difference is utilized. It has been known. A method for growing a single crystal by the hydrothermal synthesis method is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-128088. As disclosed in this publication,
For example, when growing a single crystal of zinc oxide (ZnO),
After placing the raw material on the lower side (dissolution region side) of the growing device and the seed crystal on the upper side thereof, a strong alkaline solution such as potassium hydroxide (KOH) or lithium hydroxide (LiOH) is placed in the growing device. inject. In this state, the temperature on the upper side (growth region side) in the growing device (temperature of the growth region) is set to 370.
~ 400 ℃, pressure in the growing device 700 ~ 1000kg / c
The temperature on the lower side (the temperature of the melting region) is set to a temperature 10 ° C. to 15 ° C. higher than the temperature on the upper side while being kept at m 2 .
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、これまで水
熱合成法により、ＺｎＯ単結晶を育成するには、例えば
人工的に作製したＺｎＯ粉末（粉体）などを原料として
用いるようにしていた。しかしながら、ＺｎＯ粉末を原
料にして単結晶の育成を行った場合は、育成容器の溶解
領域側でＺｎＯの微粉末が発生する。すると、この溶解
領域側で発生した微粉末が育成溶液の対流によって育成
領域側に運ばれて炉壁や種子固定用ラックに付着し、こ
れらの付着した微粉末が核となってＺｎＯの微結晶が発
生し、正規のＺｎＯ単結晶の育成を阻害するという不具
合が発生する。なお、粉末（粉体）とは、粒径が１ｍｍ
より小さい固体粒子の集合体であり、微粉末は、さらに
粒径が４０μｍより小さい固体粒子の集合体である。In order to grow a ZnO single crystal by the hydrothermal synthesis method, for example, artificially produced ZnO powder (powder) has been used as a raw material. However, when a single crystal is grown using ZnO powder as a raw material, fine ZnO powder is generated on the melting region side of the growth container. Then, the fine powder generated on the dissolution region side is carried to the growth region side by the convection of the growing solution and adheres to the furnace wall and the seed fixing rack, and these adhered fine powders serve as nuclei to form fine crystals of ZnO. Occurs, which impedes the growth of a regular ZnO single crystal. In addition, the powder (powder) has a particle size of 1 mm.
It is an aggregate of smaller solid particles, and the fine powder is an aggregate of solid particles having a particle size smaller than 40 μm.
【０００４】また、同じ育成炉で引き続き新たなＺｎＯ
単結晶の育成を行う場合は、炉壁や種子固定用ラックに
付着した微結晶を取り除く作業が必要になり、育成作業
の効率を悪化させる要因になっていた。さらに育成容器
内で発生する微結晶分だけ余分に原料が必要になるとい
う欠点もあった。In the same growth furnace, new ZnO is continuously used.
When growing a single crystal, it is necessary to remove fine crystals adhering to the furnace wall or the seed fixing rack, which is a factor that deteriorates the efficiency of the growing work. Further, there is a drawback that extra raw material is required for the amount of fine crystals generated in the growth container.
【０００５】そこで、本願発明者らは、先行技術とし
て、ＺｎＯ粉末を高温で焼成・固化したものを原料とし
て用いる、またはＺｎＯ粉末をメカニカルプレスにより
圧縮成形した後、高温で焼成・固化したものを原料とし
て用いることで、ＺｎＯ単結晶の育成時に原料からＺｎ
Ｏの微粉末が遊離するのを抑制し、育成装置内に無駄な
ＺｎＯの微結晶ができるのを抑制する提案を行った（特
願２００１−３４２３４６号）。Therefore, the inventors of the present invention use, as a prior art, a raw material obtained by firing and solidifying ZnO powder at a high temperature, or a material obtained by compression-molding ZnO powder by a mechanical press and then firing and solidifying at a high temperature. By using it as a raw material, Zn
A proposal was made to suppress the release of fine powder of O and to prevent wasteful ZnO fine crystals from being formed in the growth apparatus (Japanese Patent Application No. 2001-342346).
【０００６】しかしながら、先行技術として開示したＺ
ｎＯ原料を用いてＺｎＯ単結晶を育成したとしてもＺｎ
Ｏ原料から微粉末が発生するのを完全に防止することは
困難であった。However, Z disclosed as the prior art
Even if a ZnO single crystal is grown using an nO raw material, Zn
It was difficult to completely prevent generation of fine powder from the O raw material.
【０００７】そこで、本発明は上記したような点を鑑み
てなされたものであり、水熱合成法により単結晶を育成
する際に、原料から微粉末が発生することのない原料作
製方法と、そのような原料作製方法により作製した原料
を用いて単結晶を育成する単結晶育成方法を提供するこ
とを目的とする。Therefore, the present invention has been made in view of the above points, and a method for producing a raw material which does not generate fine powder from the raw material when a single crystal is grown by a hydrothermal synthesis method, It is an object of the present invention to provide a single crystal growing method for growing a single crystal using a raw material produced by such a raw material producing method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の、水熱合成法により、単結晶を育成する際
の原料を作製する原料作製方法は、第１の反応容器内に
おいて原料の元になる金属又は金属化合物を第１の反応
ガスにより反応させて第１の金属化合物又は第１の金属
を生成する。そして、第２の反応容器内において、第１
の反応容器から供給される第１の金属化合物又は第１の
金属を第２の反応ガスにより反応させることにより得ら
れる第２の金属化合物又は第２の金属により、核となる
種結晶の育成を行って結晶化した固体原料を作製するよ
うにした。In order to achieve the above object, a method for producing a raw material for growing a single crystal by a hydrothermal synthesis method of the present invention is a raw material in a first reaction vessel. The metal or metal compound that is the source of is reacted with the first reaction gas to produce the first metal compound or the first metal. Then, in the second reaction vessel, the first
The second metal compound or the second metal obtained by reacting the first metal compound or the first metal with the second reaction gas supplied from the reaction container for growing a seed crystal as a nucleus It was made to produce a crystallized solid raw material.
【０００９】また、本発明の水熱合成法により単結晶を
育成する単結晶育成方法は、単結晶を育成するための原
料として、結晶化された固体原料を用いるようにした。Further, in the single crystal growth method for growing a single crystal by the hydrothermal synthesis method of the present invention, a crystallized solid raw material is used as a raw material for growing the single crystal.
【００１０】本発明によれば、水熱合成法により単結晶
を育成する際の原料に、原料の元になる金属又は金属化
合物を結晶化した固体原料を用いるようにしているた
め、水熱合成法により単結晶を育成する際に原料から微
粉末が発生するのを防止することが可能になる。According to the present invention, a solid raw material obtained by crystallizing a metal or a metal compound as a raw material is used as a raw material for growing a single crystal by the hydrothermal synthesis method. It becomes possible to prevent generation of fine powder from the raw material when growing a single crystal by the method.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は、本実施の形態としての水熱合成法
による単結晶育成方法の一例を模式的に示した図であ
る。なお、本実施の形態においては、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）の単結晶を育成する場合を例に挙げて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a single crystal growing method by the hydrothermal synthesis method according to the present embodiment. Note that in this embodiment, zinc oxide (Zn
The case of growing a single crystal of O) will be described as an example.
【００１２】この図１に示す単結晶育成装置５１は、水
熱合成法によって、ＺｎＯの単結晶を育成する際に必要
な温度及び圧力を、その内部に加えることができるオー
トクレーブ５２と、このオートクレーブ５２の内部に収
容して使用する内筒容器６０とから構成される。オート
クレーブ５２は、本体５２ａ及び蓋体５２ｂとからな
り、これら本体５２ａ及び蓋体５２ｂは、例えば鉄を主
材とした高張力鋼などによって生成され、パッキン５３
を挟んで本体５２ａの上に蓋体５２ｂを被せて固着部５
４により固着することで、その内部を気密封止するよう
な構造となっている。The apparatus for growing single crystal 51 shown in FIG. 1 includes an autoclave 52 capable of applying the temperature and pressure necessary for growing a ZnO single crystal by a hydrothermal synthesis method, and an autoclave 52. The inner cylindrical container 60 is housed and used inside the container 52. The autoclave 52 is composed of a main body 52a and a lid 52b, and the main body 52a and the lid 52b are made of, for example, high-strength steel whose main material is iron.
The main body 52a is covered with the lid 52b so that the fixing portion 5
The structure is such that the inside is hermetically sealed by being fixed by 4.
【００１３】内筒容器６０は例えば白金（Ｐｔ）などの
腐食しにくい金属からなる略円筒状の容器とされ、その
上部には圧力調整部７０が取り付けられている。The inner cylindrical container 60 is a substantially cylindrical container made of a metal such as platinum (Pt) which is hard to corrode, and a pressure adjusting section 70 is attached to the upper part thereof.
【００１４】内筒容器６０の内部は、内部バッフル板６
４によって、育成領域と溶解領域に区切られている。育
成領域となる上部側には、フレーム６１と貴金属線（白
金線）６２からなる懸架ジグが設けられており、この懸
架ジグに種結晶２を吊り下げられている。また、溶解領
域となる下部側には、ＺｎＯ単結晶を育成するための原
料１と、この原料１を溶解する溶解溶液として例えば水
酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、炭酸カルシウム（Ｎａ2
ＣＯ3）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）などの強アルカリ
溶液が注入されている。The inner baffle plate 6 is provided inside the inner cylindrical container 60.
It is divided into a growing region and a melting region by 4. A suspension jig made up of a frame 61 and a noble metal wire (platinum wire) 62 is provided on the upper side, which is a growth region, and the seed crystal 2 is suspended on this suspension jig. Further, on the lower side to be a dissolution region, a raw material 1 for growing a ZnO single crystal and a dissolution solution for dissolving the raw material 1 are, for example, sodium hydroxide (NaOH), calcium carbonate (Na 2
A strong alkaline solution such as CO 3 ) or potassium hydroxide (KOH) is injected.
【００１５】内部バッフル板６４は、内筒容器６０内で
発生する熱対流を制御して溶解領域と育成領域との間に
適正な温度差が得られるようにしている。このため、内
部バッフル板６４には、複数の孔が形成されており、こ
の孔の数によって決定される開口面積により、溶解領域
から育成領域への対流量を制限するようにしている。The internal baffle plate 64 controls the thermal convection generated in the inner cylindrical container 60 so that an appropriate temperature difference can be obtained between the melting region and the growing region. For this reason, a plurality of holes are formed in the internal baffle plate 64, and the counter flow rate from the dissolution region to the growth region is limited by the opening area determined by the number of the holes.
【００１６】また、この図１に示す単結晶育成装置５１
では、内筒容器６０の外側に外部バッフル板６５が設け
られており、この外部バッフル板６５により、内筒容器
６０内の領域間の温度差が適正となるように内筒容器６
０の外側の対流も制限するようにしている。Further, the single crystal growing apparatus 51 shown in FIG.
Then, an outer baffle plate 65 is provided outside the inner cylindrical container 60. The outer baffle plate 65 allows the inner cylindrical container 6 to have a proper temperature difference between regions in the inner cylindrical container 60.
Convection outside 0 is also restricted.
【００１７】圧力調整部７０は、内筒容器６０が、その
内外圧力差によって変形しないように、内筒容器６０の
内圧と外圧の均衡を図るために設けられている。このた
め、圧力調整部７０には、内筒容器６０内に通ずる開口
孔７０ｂとオートクレーブ５２内に通ずる開口孔７０ａ
が形成されている。この場合、開口孔７０ａは内筒容器
６０から圧力調整部７０に流出した育成溶液が内筒容器
６０内に逆流するのを防止する逆流防止管７０ｃにより
形成されている。なお、上記した圧力調整部７０の構造
はあくまでも一例であり、内筒容器６０の内外圧力差の
均衡を図ることできればいずれの構造でもよく、例えば
内筒容器６０の上部に伸縮自在のベローズを取り付ける
ことも可能である。The pressure adjusting portion 70 is provided to balance the internal pressure and the external pressure of the inner cylindrical container 60 so that the inner cylindrical container 60 is not deformed by the difference in the inner and outer pressures thereof. Therefore, the pressure adjusting portion 70 has an opening hole 70b communicating with the inner cylindrical container 60 and an opening hole 70a communicating with the autoclave 52.
Are formed. In this case, the opening hole 70a is formed by a backflow prevention pipe 70c that prevents the growth solution flowing out from the inner cylinder container 60 to the pressure adjusting unit 70 from flowing back into the inner cylinder container 60. The structure of the pressure adjusting unit 70 described above is merely an example, and any structure may be used as long as it can balance the pressure difference between the inside and outside of the inner cylindrical container 60. For example, an expandable bellows is attached to the upper part of the inner cylindrical container 60. It is also possible.
【００１８】このような構成の単結晶育成装置５１にお
いて、ＺｎＯ単結晶の育成を行う場合は、オートクレー
ブ５２をヒーター５５，５５・・により加熱すること
で、オートクレーブ５２内の伝熱溶液（純水）５６によ
り、内筒容器６０内が所定の高温高圧状態となるように
温度制御を行うことで、内筒容器６０の溶解領域におい
て溶解液に原料１を溶解させた育成溶液（飽和溶液）６
６を発生させる。この時、内筒容器６０の溶解領域（下
部側）の温度を育成領域（上部側）の温度より高くなる
ように制御して、溶解領域と育成領域との間に温度差を
与えることで、この温度差により生じる対流によって、
溶解領域で発生した育成溶液６６が上昇して育成領域に
流れ込むことになる。育成領域は、溶解領域に比べて温
度が低いため、育成領域に達した育成溶液６６は過飽和
状態となるため、育成領域では、溶解領域の温度差に相
当する溶解度差分の原料が種結晶２に析出して、不純物
の混入がなく、しかも工業用途に利用可能な大型サイズ
のＺｎＯ単結晶を育成することができる。When a ZnO single crystal is grown in the single crystal growing apparatus 51 having such a configuration, the heat transfer solution (pure water) in the autoclave 52 is heated by heating the autoclave 52 with the heaters 55, 55. ) 56, the temperature is controlled so that the inside of the inner cylindrical container 60 is in a predetermined high temperature and high pressure state, so that the growth solution (saturated solution) 6 in which the raw material 1 is dissolved in the solution in the dissolution region of the inner cylindrical container 60
6 is generated. At this time, by controlling the temperature of the melting region (lower side) of the inner cylindrical container 60 to be higher than the temperature of the growing region (upper side), and by providing a temperature difference between the melting region and the growing region, Due to the convection caused by this temperature difference,
The growth solution 66 generated in the dissolution area rises and flows into the growth area. Since the temperature of the growing region is lower than that of the melting region, the growing solution 66 reaching the growing region is in a supersaturated state. It is possible to grow a large-sized ZnO single crystal that does not mix with impurities and is industrially applicable.
【００１９】なお、工業用途に利用可能なサイズのＺｎ
Ｏ単結晶とは、生産性の観点から、半導体デバイスのベ
ース基板として用いることができる大きさのものを指
し、例えば育成後のＺｎＯ単結晶の口径（直径）が１〜
３インチ以上で、且つ、半導体デバイスのベース基板と
して利用できる円柱若しくは角柱部分を有する単結晶の
ことをいう。Zn of a size that can be used for industrial purposes
The O single crystal refers to a size that can be used as a base substrate of a semiconductor device from the viewpoint of productivity, and for example, the diameter (diameter) of a ZnO single crystal after growth is 1 to 1
A single crystal having a size of 3 inches or more and having a cylindrical or prismatic portion that can be used as a base substrate of a semiconductor device.
【００２０】そして、本実施の形態において、上記した
単結晶育成装置５１において、水熱合成法により、Ｚｎ
Ｏ単結晶の育成する際には、後述するようにして一度結
晶化したＺｎＯを原料１として用いるようにした点に特
徴がある。つまり、これまでの水熱合成法による単結晶
育成方法では、ＺｎＯ粉末を焼成・固化したもの、或い
はＺｎＯ粉末を圧縮して、焼成・固化したものを原料１
として用いていたが、本実施の形態では結晶化させた固
体状のＺｎＯを原料１として用いるようにした。Then, in the present embodiment, in the above-mentioned single crystal growing apparatus 51, Zn
When growing an O single crystal, ZnO once crystallized as described later is used as a raw material 1. That is, in the conventional single crystal growth method by the hydrothermal synthesis method, the raw material 1 is obtained by firing and solidifying ZnO powder, or by compressing the ZnO powder and firing and solidifying.
However, in the present embodiment, crystallized solid ZnO is used as the raw material 1.
【００２１】このように原料１として一度結晶化させた
固体状のＺｎＯを用いるようにすると、原料１が溶解領
域で溶解するときに、原料１から微粉末が遊離すること
なく、内筒容器６０の内壁や、フレーム６１、白金線６
２などの懸架ジグ、内部バッフル板６４などに微結晶が
できるのを防止することができる。When solidified ZnO that has been once crystallized is used as the raw material 1 in this manner, when the raw material 1 is dissolved in the melting region, the fine powder is not released from the raw material 1 and the inner cylindrical container 60 is formed. Inner wall, frame 61, platinum wire 6
It is possible to prevent formation of fine crystals on the suspension jig such as 2 and the internal baffle plate 64.
【００２２】これは、ＺｎＯ粉末を焼成、固化した原料
と、一度結晶化させた原料とでは、単位質量あたりに含
まれる粒子の表面積である比表面積が異なり、粉体を固
化した原料より一度結晶化した原料のほうが微粉末が遊
離しにくいため、原料１として一度結晶化させたＺｎＯ
を用いたほうが、ＺｎＯの微粉末が装置内に付着しにく
くなって、ＺｎＯ微結晶が生じなくなるものであると考
えられる。This is because the raw material obtained by firing and solidifying ZnO powder and the raw material that has been once crystallized differ in the specific surface area, which is the surface area of the particles contained per unit mass, and the raw material obtained by solidifying the powder once crystallizes. Since fine powder is less likely to be liberated from the converted raw material, ZnO that has been once crystallized as raw material 1
It is considered that the fine powder of ZnO is less likely to adhere to the inside of the apparatus and the fine crystals of ZnO are not generated by using.
【００２３】従って、水熱合成法によりＺｎＯ単結晶の
育成を行う際には、原料１としてＺｎＯを一度結晶化し
た固体原料を用いるようにすれば、内筒容器６０の育成
領域側に微結晶が発生することなく、微結晶によって正
規のＺｎＯ単結晶の育成が阻害されるのを防ぐことがで
きる。Therefore, when a ZnO single crystal is grown by the hydrothermal synthesis method, if a solid raw material obtained by once crystallizing ZnO is used as the raw material 1, fine crystals are formed on the growing region side of the inner cylindrical container 60. It is possible to prevent the growth of the regular ZnO single crystal from being hindered by the microcrystal without the occurrence of the phenomenon.
【００２４】また同じ育成炉で引き続き新たなＺｎＯ単
結晶の育成を行う場合でも、育成炉である内筒容器６０
から微結晶を取り除く作業が不要になるため、育成炉の
清掃が容易になり、育成作業を効率良く行うことができ
る。さらに、育成炉内に無駄な微結晶が発生しないの
で、原料の無駄がないという利点もある。Even when a new ZnO single crystal is continuously grown in the same growth furnace, the inner cylinder container 60, which is a growth furnace, is used.
Since the work of removing the microcrystals is unnecessary, cleaning of the growing furnace is facilitated and the growing work can be performed efficiently. Further, there is also an advantage that the raw material is not wasted because useless fine crystals are not generated in the growing furnace.
【００２５】なお、上記した単結晶育成装置５１によっ
て品質の良いＺｎＯ単結晶を育成する場合の育成条件と
しては、例えば内筒容器６０内の成長領域の温度を３３
０〜３６０℃、その圧力を６００〜８００kg/cm2、成長
領域と溶解領域との温度差を１０〜３０℃の温度範囲内
となるように設定すれば良いことが実験により確かめら
れている。As a growth condition for growing a high-quality ZnO single crystal by the above-mentioned single crystal growth apparatus 51, for example, the temperature of the growth region in the inner cylindrical container 60 is 33.
It has been confirmed by experiments that the temperature may be set to 0 to 360 ° C., the pressure to be set to 600 to 800 kg / cm 2 , and the temperature difference between the growth region and the melting region may be set to be in the temperature range of 10 to 30 ° C.
【００２６】以下、上記した水熱合成法によりＺｎＯの
単結晶を育成する際に好適なＺｎＯの原料作製方法につ
いて説明する。図２は、本実施の形態としての原料作製
方法の一例を模式的に示した図である。この図２にに
は、気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Depositio
n）、或いは化学気相輸送法と呼ばれる方法により原料
１を作製する例が示されている。Hereinafter, a method for preparing a ZnO raw material suitable for growing a ZnO single crystal by the above-mentioned hydrothermal synthesis method will be described. FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of the raw material manufacturing method according to the present embodiment. In FIG. 2, vapor phase growth method (CVD: Chemical Vapor Depositio
n), or an example of producing the raw material 1 by a method called a chemical vapor transport method is shown.
【００２７】この図２に示す原料作製装置１０は、反応
容器１１と反応容器１２からなり、これら反応容器１１
と反応容器１２とが連絡孔１３を介して連絡可能に結合
されている。また、反応容器１２には外部との連絡孔１
４が設けられている。反応容器１１には、パイプ１５
が、反応容器１２にはパイプ１６が、それぞれ貫通する
ように設けられており、各反応容器１１、１２の内部に
は外部からガスを流入することが可能とされている。な
お、原料作製装置１０内は大気圧とされている。The raw material production apparatus 10 shown in FIG. 2 comprises a reaction container 11 and a reaction container 12.
And the reaction container 12 are communicatively coupled to each other via a communication hole 13. In addition, the reaction container 12 has a communication hole 1 with the outside.
4 are provided. The reaction vessel 11 has a pipe 15
However, a pipe 16 is provided in the reaction container 12 so as to penetrate therethrough, and a gas can be introduced from the outside into each of the reaction containers 11 and 12. The inside of the raw material production apparatus 10 is set to atmospheric pressure.
【００２８】このような原料作製装置１０により、水熱
合成法によりＺｎＯの単結晶を育成する際の原料１を作
製するときは、反応容器１１内に原料１の元になる金属
化合物として焼結したＺｎＯ１７を収容載置し、また反
応容器１２内に原料１の核となる種結晶１８を収容す
る。そして、反応容器１１内のＺｎＯ１７を約１３００
℃の高温雰囲気に置き、パイプ１５から、第１の反応ガ
スとして還元ガスであるＨ2ガスを反応容器１１内に注
入して、ＺｎＯ１７に吹き付けると、反応容器１１内の
ＺｎＯは、高温下で酸素を奪われて還元され、第１の金
属であるＺｎとＨ2Ｏとなる。そして遊離したＺｎは連
絡孔１３を介して反応容器１２内に流入する。When the raw material 1 for growing a ZnO single crystal by the hydrothermal synthesis method is produced by the raw material producing apparatus 10 as described above, it is sintered in the reaction vessel 11 as a metal compound which is a source of the raw material 1. The ZnO 17 is placed and placed, and the seed crystal 18 serving as the nucleus of the raw material 1 is placed in the reaction vessel 12. Then, the ZnO 17 in the reaction vessel 11 is removed by about 1300.
When placed in a high temperature atmosphere of 0 ° C., H 2 gas which is a reducing gas as a first reaction gas is injected into the reaction vessel 11 through the pipe 15 and sprayed onto ZnO 17, the ZnO in the reaction vessel 11 is heated at a high temperature. It is deprived of oxygen and reduced, and becomes Zn and H 2 O that are the first metals. Then, the released Zn flows into the reaction container 12 through the communication hole 13.
【００２９】反応容器１２内にはパイプ１６を介して第
２の反応ガスである酸素ガスを供給する。これにより、
遊離したＺｎは酸化されて第２の金属化合物であるＺｎ
Ｏに戻り、種結晶１８に析出して結晶化させることで、
原料１となる固体状のＺｎＯ単結晶１９を作製すること
ができる。Oxygen gas, which is a second reaction gas, is supplied into the reaction vessel 12 through a pipe 16. This allows
The released Zn is oxidized and is the second metal compound Zn.
By returning to O and precipitating on the seed crystal 18 for crystallization,
A solid ZnO single crystal 19 as the raw material 1 can be produced.
【００３０】なお、この図２に示す原料作製装置１０に
よる原料作製方法、即ち、気相成長法によるＺｎＯ単結
晶の育成方法では、育成可能な単結晶のサイズに限界が
あり、工業用途に利用可能なサイズの単結晶を育成する
ことはできないものであることを付記しておく。In the raw material producing method by the raw material producing apparatus 10 shown in FIG. 2, that is, the ZnO single crystal growing method by the vapor phase growth method, there is a limit to the size of the single crystal that can be grown, and it is used for industrial purposes. It should be noted that it is not possible to grow a single crystal of a possible size.
【００３１】また、これまで本実施の形態において説明
した水熱合成法による単結晶育成方法、及び、水熱合成
法により単結晶を育成する際に用いる原料の原料作製方
法では、水熱合成法により育成する単結晶をＺｎＯとし
て説明したが、これはあくまでも一例であり、各種金属
又は金属化合物の単結晶を育成することが可能である。Further, in the single crystal growth method by the hydrothermal synthesis method and the raw material manufacturing method of the raw material used when growing the single crystal by the hydrothermal synthesis method, which have been described in the present embodiment, the hydrothermal synthesis method is used. Although the single crystal grown by means of ZnO has been described as ZnO, this is merely an example, and it is possible to grow single crystals of various metals or metal compounds.
【００３２】例えば図１に示した単結晶育成装置５１に
おいては、ガリウムナイトライド（窒化ガリウム）Ｇａ
Ｎの単結晶を育成することも可能である。そして、その
場合も原料１の元になる金属Ｇａを、ＣＶＤ法により一
度単結晶化して固体状のＧａＮを作製すれば、上記した
ＺｎＯ単結晶の育成と同様、水熱合成法によるＧａＮの
単結晶の育成を効率良く、しかも無駄なく行うことがで
きる。For example, in the single crystal growth apparatus 51 shown in FIG. 1, gallium nitride (gallium nitride) Ga
It is also possible to grow a single crystal of N. Also in this case, once the metal Ga that is the source of the raw material 1 is single-crystallized by the CVD method to produce solid GaN, the GaN single-crystal obtained by the hydrothermal synthesis method is produced as in the case of growing the ZnO single crystal described above. It is possible to efficiently grow crystals without waste.
【００３３】ここで、図３に、水熱合成法により、窒化
ガリウムの単結晶を育成する際に用いるＧａＮの原料作
製方法の一例を模式的に示する。なお、図２と同一部位
には同一番号を付して説明は省略する。この図３に示す
原料作製方法においても、ＣＶＤ法による原料作製装置
１０を用いて、水熱合成法によりＧａＮの単結晶を育成
する際の原料を作製することが可能であり、この場合
は、反応容器１１内にＧａＮの原料の元になるＧａ２１
を収容載置し、反応容器１２内に核となる種結晶２２を
収容する。Here, FIG. 3 schematically shows an example of a method for producing a GaN raw material used for growing a single crystal of gallium nitride by a hydrothermal synthesis method. It should be noted that the same parts as those in FIG. Also in the raw material production method shown in FIG. 3, the raw material for growing a GaN single crystal can be produced by the hydrothermal synthesis method using the raw material production apparatus 10 by the CVD method. In this case, Ga21, which is the source of the GaN raw material, is placed in the reaction vessel 11.
Is placed and placed, and the seed crystal 22 serving as a nucleus is placed in the reaction vessel 12.
【００３４】そして、反応容器１１内において、Ｇａ２
１と第１の反応ガスである塩化水素（ＨＣｌ）ガスとを
８５０℃以上に保持して反応させ、第１の金属化合物で
ある塩化ガリウム（ＧａＣｌ）を生成する。その後、反
応容器１２において、反応容器１１から供給されるＧａ
Ｃｌと、第２の反応ガスであるアンモニア（ＮＨ3）と
を混合して反応させることで、第２の金属化合物である
ＧａＮが生成され、このＧａＮを種結晶２２に析出して
結晶化させることで、原料１となる固体状のＧａＮ単結
晶２３を作製することができる。Then, in the reaction vessel 11, Ga2
1 and hydrogen chloride (HCl) gas that is the first reaction gas are held at 850 ° C. or higher to react with each other to generate gallium chloride (GaCl) that is the first metal compound. Then, in the reaction container 12, Ga supplied from the reaction container 11
By mixing and reacting Cl and ammonia (NH 3 ) which is the second reaction gas, GaN which is the second metal compound is generated, and this GaN is deposited on the seed crystal 22 and crystallized. As a result, the solid GaN single crystal 23 that is the raw material 1 can be manufactured.
【００３５】なお、本実施の形態では、水熱合成法によ
る単結晶を育成する際に使用する原料１を気相成長法に
より作製するものとして説明したが、これはあくまでも
一例であり、気相成長法以外の方法で作製することがで
きるのは言うまでもない。また例えば気相成長法により
ＺｎＯの種結晶を育成した際に種結晶として使用できな
いＺｎＯ単結晶などを原料１として利用することも可能
になる。In this embodiment, the raw material 1 used when growing a single crystal by the hydrothermal synthesis method is described as being produced by the vapor phase epitaxy method, but this is merely an example, and the vapor phase It goes without saying that it can be manufactured by a method other than the growth method. Further, for example, it becomes possible to use, as the raw material 1, a ZnO single crystal which cannot be used as a seed crystal when a ZnO seed crystal is grown by a vapor phase growth method.
【００３６】なお、本実施の形態では、ＺｎＯなどの各
種単結晶を育成する育成装置として、本出願人が先に提
案した単結晶育成装置５１を例に挙げて説明したが、こ
れはあくまでも一例であり、水熱合成法によって単結晶
を育成することができる単結晶育成装置であれば、どの
ような構造ものにも適用することが可能である。In the present embodiment, the single crystal growth apparatus 51 previously proposed by the present applicant was described as an example of the growth apparatus for growing various single crystals such as ZnO, but this is only an example. Therefore, as long as the single crystal growth apparatus is capable of growing a single crystal by the hydrothermal synthesis method, it can be applied to any structure.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の原料作製
方法では、第１の反応容器内において原料の元になる金
属又は金属化合物を第１の反応ガスにより反応させて第
１の金属化合物又は第１の金属を生成し、第２の反応容
器内において、第１の反応容器から供給される第１の金
属化合物又は第１の金属を第２の反応ガスにより反応さ
せることにより得られる第２の金属化合物又は第２の金
属により、核となる種結晶の育成を行って固体原料を作
製すれば、水熱合成法により、単結晶を育成する際に好
適な原料を提供することができる。As described above, in the method for preparing a raw material of the present invention, the metal or metal compound which is the source of the raw material is reacted with the first reaction gas in the first reaction vessel to produce the first metal compound. Alternatively, a first metal compound is produced and a first metal compound or a first metal supplied from the first reaction vessel is reacted with a second reaction gas in the second reaction vessel. By growing a seed crystal that serves as a nucleus by using the second metal compound or the second metal to prepare a solid raw material, a raw material suitable for growing a single crystal by the hydrothermal synthesis method can be provided. .
【００３８】また、本発明の単結晶育成方法によれば、
水熱合成法により、単結晶を育成する際に結晶化した固
体原料を用いて単結晶の育成を行うようにしているた
め、原料から微粉末が発生することがない。これによ
り、微粉末により発生する微結晶によって正規のＺｎＯ
単結晶の育成が阻害されることなく、また同じ育成炉で
引き続き新たな単結晶の育成を行う場合でも、育成炉か
ら微結晶を取り除く作業が不要になるため、育成炉の清
掃が容易になり、育成作業を効率良く行うことができ
る。さらに、育成炉内に微結晶が発生しないので原料の
無駄がないという利点もある。According to the single crystal growing method of the present invention,
Since the single crystal is grown by using the solid raw material crystallized when growing the single crystal by the hydrothermal synthesis method, no fine powder is generated from the raw material. As a result, the fine crystals generated by the fine powder cause normal ZnO.
The growth of the single crystal is not obstructed, and even if a new single crystal is continuously grown in the same growth furnace, it is not necessary to remove the fine crystals from the growth furnace, which makes cleaning of the growth furnace easier. The training work can be performed efficiently. Further, there is an advantage that the raw material is not wasted because fine crystals are not generated in the growing furnace.
【図１】本発明の実施の形態としてのＺｎＯ原料を用い
て、水熱合成法によりＺｎＯ単結晶の育成を行う単結晶
育成装置の一例を示した図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a single crystal growth apparatus for growing a ZnO single crystal by a hydrothermal synthesis method using a ZnO raw material as an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態としての原料作製方法の一
例を模式的に示した図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of a raw material production method as an embodiment of the present invention.
【図３】他の実施の形態としての原料作製方法の一例を
模式的に示した図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of a raw material manufacturing method according to another embodiment.
１ 原料、２ １８ 種結晶、１０ 原料作製装置、１
１ １２ 容器、１３ １４ 連絡孔、１５ １６ パ
イプ、１７ ＺｎＯ、２１ 原料、３０ 内筒容器、５
１ 単結晶育成装置、５２ａ オートクレーブ本体、５
２ｂ オートクレーブ蓋体、５２ オートクレーブ、５
３ パッキン、５４ 固着部、５５ヒーター、６０ 内
筒容器、６１ フレーム、６２ 白金線、６４ 内部バ
ッフル板、６５ 外部バッフル板、７０ａ ７０ｂ 開
口孔、７０ｃ 逆流防止管、７０ 圧力調整部1 raw material, 2 18 seed crystal, 10 raw material production apparatus, 1
1 12 container, 13 14 communication hole, 15 16 pipe, 17 ZnO, 21 raw material, 30 inner cylinder container, 5
1 single crystal growth device, 52a autoclave main body, 5
2b autoclave lid, 52 autoclave, 5
3 packing, 54 fixed part, 55 heater, 60 inner cylinder container, 61 frame, 62 platinum wire, 64 inner baffle plate, 65 outer baffle plate, 70a 70b opening hole, 70c backflow prevention pipe, 70 pressure adjusting part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ３０Ｂ 29/38 Ｃ３０Ｂ 29/38 Ｄ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C30B 29/38 C30B 29/38 D
Claims (7)
の原料を作製する原料作製方法として、 第１の反応容器内において原料の元になる金属又は金属
化合物を第１の反応ガスにより反応させて第１の金属化
合物又は第１の金属を生成し、 第２の反応容器内において、上記第１の反応容器から供
給される上記第１の金属化合物又は第１の金属を第２の
反応ガスにより反応させることにより得られる第２の金
属化合物又は第２の金属により、核となる種結晶の育成
を行って結晶化した固体原料を作製するようにしたこと
を特徴とする原料作製方法。1. A method for producing a raw material for growing a single crystal by a hydrothermal synthesis method, comprising: using a first reaction gas to produce a metal or a metal compound which is a source of a raw material in a first reaction vessel. The first metal compound or the first metal is reacted to produce the first metal compound, and the first metal compound or the first metal supplied from the first reaction container is mixed with the second metal in the second reaction container. A method for producing a raw material, characterized in that a seed metal serving as a nucleus is grown with a second metal compound or a second metal obtained by reacting with a reaction gas to produce a crystallized solid raw material. .
徴とする請求項１に記載の原料作製方法。2. The raw material manufacturing method according to claim 1, wherein the single crystal is zinc oxide.
を特徴とする請求項１に記載の原料作製方法。3. The method for preparing a raw material according to claim 1, wherein the single crystal is gallium nitride.
晶育成方法において、 上記単結晶を育成するための原料として、結晶化された
固体原料を用いることを特徴とする単結晶育成方法。4. A single crystal growing method for growing a single crystal by a hydrothermal synthesis method, wherein a crystallized solid raw material is used as a raw material for growing the single crystal.
化合物を第１の反応ガスにより反応させて第１の金属化
合物又は第１の金属を生成し、 第２の反応容器内において、上記第１の反応容器から供
給される上記第１の金属化合物又は第１の金属を第２の
反応ガスにより反応させることにより得られる第２の金
属化合物又は第２の金属により、核となる種結晶の育成
を行って作製するようにしたことを特徴とする請求項４
に記載の単結晶育成方法。5. The solid raw material is produced by reacting a metal or a metal compound, which is a raw material of the solid raw material, with a first reaction gas in a first reaction container to produce a first metal compound or a first metal. A second metal compound or a second metal compound obtained by reacting the first metal compound or the first metal supplied from the first reaction container with a second reaction gas in a second reaction container. 5. A seed crystal that serves as a nucleus is grown from the metal of claim 1 to produce the seed crystal.
The method for growing a single crystal according to 1.
徴とする請求項４に記載の単結晶育成方法。6. The method for growing a single crystal according to claim 4, wherein the single crystal is zinc oxide.
を特徴とする請求項４に記載の単結晶育成方法。7. The method for growing a single crystal according to claim 4, wherein the single crystal is gallium nitride.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002142972A JP4279510B2 (en) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | Raw material production method, single crystal growth method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002142972A JP4279510B2 (en) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | Raw material production method, single crystal growth method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003335518A true JP2003335518A (en) | 2003-11-25 |
| JP4279510B2 JP4279510B2 (en) | 2009-06-17 |
Family
ID=29703109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002142972A Expired - Fee Related JP4279510B2 (en) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | Raw material production method, single crystal growth method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4279510B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009263229A (en) * | 2004-03-10 | 2009-11-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | Apparatus for producing nitride crystal |
| JP2010510166A (en) * | 2006-11-22 | 2010-04-02 | エス．オー．アイ．テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ | Gallium trichloride injection system |
| US8197713B2 (en) | 2007-01-19 | 2012-06-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fluorescent powder, process for producing the same, and light emitting device, display device, and fluorescent lamp containing fluorescent powder |
| US20130104802A1 (en) * | 2006-11-22 | 2013-05-02 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
| US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
-
2002
- 2002-05-17 JP JP2002142972A patent/JP4279510B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009263229A (en) * | 2004-03-10 | 2009-11-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | Apparatus for producing nitride crystal |
| JP2010510166A (en) * | 2006-11-22 | 2010-04-02 | エス．オー．アイ．テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ | Gallium trichloride injection system |
| US20130104802A1 (en) * | 2006-11-22 | 2013-05-02 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
| US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
| US9481943B2 (en) * | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
| US8197713B2 (en) | 2007-01-19 | 2012-06-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fluorescent powder, process for producing the same, and light emitting device, display device, and fluorescent lamp containing fluorescent powder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4279510B2 (en) | 2009-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4513264B2 (en) | Method for producing nitride single crystal | |
| JP4229624B2 (en) | Method for producing nitride single crystal | |
| JP4403067B2 (en) | Bulk single crystal production facility using supercritical ammonia | |
| JP4189423B2 (en) | Method for producing compound single crystal and production apparatus used therefor | |
| RU2296189C2 (en) | Method and apparatus for producing three-dimensional monocrystalline gallium-containing nitride (variants) | |
| JP4433696B2 (en) | Method for producing nitride crystal | |
| WO2006019098A1 (en) | Metal nitrides and process for production thereof | |
| JP2005263622A (en) | Method for producing compound single crystal and production apparatus used therefor | |
| TW200427879A (en) | Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride | |
| PL211013B1 (en) | Phosphor single crystal substrate and method for preparing the same, and nitride semiconductor component using the same | |
| JP4489446B2 (en) | Method for producing gallium-containing nitride single crystal | |
| JP2007290921A (en) | Nitride single crystal manufacturing method, nitride single crystal, and device | |
| JP4968707B2 (en) | Group III nitride single crystal growth method | |
| US8574532B2 (en) | Method for producing semiconductor crystal, apparatus for crystal production and group 13 element nitride semiconductor crystal | |
| JP4816633B2 (en) | Method for producing nitride single crystal | |
| JP2003335518A (en) | Raw material preparation and method for growing single crystal | |
| JP4881553B2 (en) | Method for producing group 13 nitride crystal | |
| JP2011230966A (en) | Method for producing group 13 metal nitride crystal | |
| WO2006004206A1 (en) | Method for preparing crystal of nitride of metal belonging to 13 group of periodic table and method for manufacturing semiconductor device using the same | |
| JP5082213B2 (en) | Metal nitride and method for producing metal nitride | |
| JP6621615B2 (en) | Group 13 nitride single crystal manufacturing method and group 13 nitride single crystal manufacturing apparatus | |
| JP5454830B2 (en) | Crystal manufacturing method and crystal manufacturing apparatus using supercritical solvent | |
| JP2003160399A (en) | Method and apparatus for growth of group iii nitride crystal | |
| JP2005132663A (en) | Group iii nitride crystal growth method, group iii nitride crystal, and crystal growth apparatus | |
| JP4108962B2 (en) | Zinc oxide raw material preparation method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050517 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080725 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090310 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090312 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150319 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |