JP2003328126A

JP2003328126A - パターニング方法及び製膜装置

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Publication number: JP2003328126A
Application number: JP2002133964A
Authority: JP
Inventors: Masanobu Muramoto; 雅信村本; Katsura Hirai; 桂平井; Naoto Yamamoto; 直人山本; Ko Mizuno; 航水野; Kiyoshi Oishi; 清大石
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2002-05-09
Filing date: 2002-05-09
Publication date: 2003-11-19

Abstract

(57)【要約】【課題】基材上へのパターンの形成の生産性を大幅に
高めるとともに、真空環境をつくる必要もなく、パター
ンを基材上に連続的に、安定して形成、処理することが
できるメンテナンス性の向上したパターニング方法及び
該パターニングを行う製膜装置を提供することを目的と
する。【解決手段】基材表面に所定のパターンの開口部が形
成されたマスク部材を配置する第１のステップ、前記基
材及び前記マスク部材を大気圧下でプラズマ化された金
属元素を含む反応ガスに曝す第２のステップ、基材表面
から前記マスク部材を剥離することにより、基材表面に
前記所定のパターンを残す第３のステップからなるパタ
ーニング方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種基板に回路を
実装するためのパターニング方法、或いは支持体上への
装飾等におけるパターニング方法及び該パターニングを
行う製膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来基板等に配線等のパターニングを行
うにはフォトリソグラフとエッチングを組み合わせたも
のが一般的であった。基板としては例えばガラス基板、
フレキシブル基板があり、フレキシブル基板は精密機器
における回路の実装、ガラス基板は例えばディスプレイ
パネル等における回路の実装等に煩雑に利用される。

【０００３】こうした基板上へのパターニングとして
は、基板上に絶縁層或いは金属層を全面に形成し（こう
した層形成は真空環境下でプラズマＣＶＤ等の処理が行
われていた）、その後感光性の樹脂層等を形成の上、フ
ォトリソグラフによるパターン照射、又、更に現像液・
エッチングガス等によるエッチングなど各種の複雑な工
程を経ていた。

【０００４】こうしたパターン形成工程では、以下のよ
うな問題があった。上述のように真空環境が必要になる
ことから、真空のチャンバーを別途用意する必要があ
る。真空状態をつくるのには空気を掃引する必要があ
り、その為に実際の処理までに多くの待ち時間が必要に
なる。真空チャンバーの大きさには限度があり、対応す
る基材が変更されると、新たに高価な真空チャンバーを
用意する必要があり、コストが膨大なものとなる。又、
真空チャンバーに基材を入れたり、取り出す作業が毎回
発生する為、連続処理が困難となる。特に長尺物（ウエ
ブ等）が基材となる場合は対応出来ない。更に、各種の
層を順次積層する際にも真空チャンバーの切り替えが発
生するため、その度に別途待ち時間を要する。

【０００５】又、現像処理において現像液を用いる場合
においては、液の塗布、ディップ等のコーターの設備、
又、除去工程等の作業が必要となり、工程の一部にウエ
ット環境を組み込まざるを得ない。

【０００６】一方、基材上に所定の膜をつける方法にお
いては、大気圧プラズマ法が知られている。しかしなが
らこの方法は通常、基材の全面に製膜することを前提と
しており、部分的に製膜する方法は確立されていない。
こうしたプラズマ処理装置としては例えば、平板電極間
に基材を配置し、そこに励起ガスと反応ガスを導入し、
反応ガスをプラズマ状態にして基材に付着させる方式が
ある。こうした装置では電極そのものは平板状の面で構
成せざるを得ないため、部分的なガスの導入は難しい。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の問題を
解決するものであり、基材上へのパターンの形成を容易
にし、生産性を大幅に高めるとともに、真空環境をつく
る必要もなく、待ち時間を要さない処理が行え、パター
ンを基材上に連続的に形成、処理することができ、欠陥
（アーク放電）のない安定した処理が可能であり、現像
等のウエットの処理を実質的に必要としない、メンテナ
ンス性の向上したパターニング方法及び該パターニング
を行う製膜装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は以下
の手段により達成される。

【０００９】１．基材表面に所定のパターンの開口部が
形成されたマスク部材を配置する第１のステップ、前記
基材及び前記マスク部材を大気圧下でプラズマ化された
金属元素を含む反応ガスに曝す第２のステップ、基材表
面から前記マスク部材を剥離することにより、基材表面
に前記所定のパターンを残す第３のステップからなるこ
とを特徴とするパターニング方法。

【００１０】２．前記第２のステップにおいて、更に還
元ガスを導入することを特徴とする前記１に記載のパタ
ーニング方法。

【００１１】３．前記還元ガスは前記反応ガスと混合さ
れて導入されることを特徴とする前記２に記載のパター
ニング方法。

【００１２】４．前記反応ガスが導入された後に、前記
還元ガスが導入されることを特徴とする前記２に記載の
パターニング方法。

【００１３】５．前記第２のステップにおいて、前記反
応ガスは励起ガスと共に励起されることを特徴とする前
記１〜４のいずれか１項に記載のパターニング方法。

【００１４】６．前記反応ガスは平板電極間に電界を印
加することでプラズマ化されることを特徴とする前記５
に記載のパターニング方法。

【００１５】７．前記基材及び前記マスク部材は平板電
極間に導入されることを特徴とする前記６に記載のパタ
ーニング方法。

【００１６】８．前記マスク部材は平板電極間に導入さ
れる前に基材表面上に密着するように配置されることを
特徴とする前記７に記載のパターニング方法。

【００１７】９．平板電極の少なくとも一方の電極は誘
電体により被覆されることを特徴とする前記６又は７に
記載のパターニング方法。

【００１８】１０．反応ガスと励起ガスは予め励起さ
れ、前記基材表面に導入されることを特徴とする前記５
に記載のパターニング方法。

【００１９】１１．前記マスク部材は非金属材料からな
るシートであることを特徴とする前記１〜１０のいずれ
か１項に記載のパターニング方法。

【００２０】１２．前記マスク部材は樹脂製のテープで
あることを特徴とする前記１１に記載のパターニング方
法。

【００２１】１３．前記マスク部材は耐熱性の樹脂から
なることを特徴とする前記１１に記載のパターニング方
法。

【００２２】１４．前記樹脂はポリイミド系の樹脂であ
ることを特徴とする前記１２又は１３に記載のパターニ
ング方法。

【００２３】１５．マスク部材の裏面に基材に対し剥離
可能な粘着層を有することを特徴とする前記１〜１４の
いずれか１項に記載のパターニング方法。

【００２４】１６．マスク部材はエンドレスなシートで
あることを特徴とする前記１〜１５のいずれか１項に記
載のパターニング方法。

【００２５】１７．前記のマスク部材は、電界を印加さ
れることでプラズマ化される前記反応ガスと励起ガスと
共に平板電極間に導入され、前記平板電極の一方の電極
を包含するように配置されることを特徴とする前記１６
に記載のパターニング方法。

【００２６】１８．前記基材はシート状で且つフレキシ
ブルな素材で構成されることを特徴とする前記１〜１７
のいずれか１項に記載のパターニング方法。

【００２７】１９．前記第２のステップ及び第３のステ
ップを複数有し、これらステップを繰り返し実行するこ
とにより、複数の層が前記基材上に形成されることを特
徴とする前記１〜１８のいずれか１項に記載のパターニ
ング方法。

【００２８】２０．前記複数の第２、第３のステップに
対応して複数の第１のステップを有し、第１のステップ
の各々において独立したマスク部材を用いることを特徴
とする前記１９に記載のパターニング方法。

【００２９】２１．前記複数の第１のステップの各々に
対応して、マスク部材へのパターン形成手段を複数有す
ることを特徴とする前記２０に記載のパターニング方
法。

【００３０】２２．前記パターン形成手段はレーザー書
き込み手段であることを特徴とする前記２１に記載のパ
ターニング方法。

【００３１】２３．対向する２つの電極間に、基材表面
に所定のパターンの開口部が形成されたマスク部材を配
置する第１のステップ、前記基材及び前記マスク部材
を、大気圧又は大気圧近傍の圧力下において前記電極間
に電圧を印加して放電させることによりプラズマ化され
た金属元素を含む反応ガスに曝す第２のステップ、基材
表面から前記マスク部材を剥離することにより、基材表
面に前記所定のパターンを残す第３のステップにより、
前記基材上に所定のパターンからなる膜を形成する製膜
装置において、マスク部材を基材上に密着配置し、又、
基材から剥離するためのマスク着脱手段を有することを
特徴とする製膜装置。

【００３２】２４．還元ガスを導入する手段を有するこ
とを特徴とする請求項２３に記載の製膜装置。

【００３３】２５．励起ガスを導入する手段を有するこ
とを特徴とする請求項２３又は２４に記載の製膜装置。

【００３４】２６．対向する２つの電極の少なくとも一
方が誘電体により被覆されることを特徴とする請求項２
３〜２５のいずれか１項に記載の製膜装置。

【００３５】２７．前記マスク部材は非金属材料からな
るシートであることを特徴とする請求項２３〜２６のい
ずれか１項に記載の製膜装置。

【００３６】２８．マスク部材はエンドレスなシートで
あることを特徴とする請求項２３〜２６のいずれか１項
に記載の製膜装置。

【００３７】２９．前記第２のステップ及び第３のステ
ップを複数有し、これらステップを繰り返し実行するこ
とにより、複数の層が前記基材上に形成されることを特
徴とする請求項２３〜２８のいずれか１項に記載の製膜
装置。

【００３８】３０．前記複数の第２、第３のステップに
対応して複数の第１のステップを有し、第１のステップ
の各々において独立したマスク部材を用いることを特徴
とする請求項２９に記載の製膜装置。

【００３９】３１．前記複数の第１のステップの各々に
対応して、マスク部材へのパターン形成手段を複数有す
ることを特徴とする請求項３０に記載の製膜装置。

【００４０】以下、本発明の実施の形態について説明す
る。

【００４１】

【発明の実施の形態】図１〜４により本発明の原理につ
いて説明する。

【００４２】図１においては、基材１上に所定のパター
ンの孔が空けられたマスク部材Ｍを載せ、大気圧プラズ
マ処理を行う、対向して配置された平板電極（３，４）
間に配置したところを示している。このマスク部材とし
ては、樹脂製のテープ等が使用可能であり、図１はマス
ク部材Ｍとして樹脂製粘着テープを基材上に配置したも
のである。平板電極３，４はそれぞれ金属母材に誘電体
層が被覆された構成となっている。大気圧プラズマ処理
においては平板電極を対向して配置した場合、反応ガス
を安定してプラズマ状態とするため該平板電極間には高
電圧が印加される。このとき電極と基材間でアーク放電
が発生すると、基材上の製膜に重大な支障を来すが、こ
のようにマスクとして非金属材料を用いることにより、
不要な放電を防止して、安定したプラズマ状態を維持す
ることができる。

【００４３】又、マスク部材Ｍと基材１間には剥離可能
な粘着剤が付与され、それによりマスク部材はもって基
材に密着する様に構成されることが好ましい。又、この
マスク部材には耐熱性樹脂が使用され、プラズマ形成中
の高温に耐えられる素材が用いられる。大気圧下でのプ
ラズマ処理中には少なくとも１００℃以上の高温が発生
する。

【００４４】例えばこのような粘着性及び耐熱性を有す
る素材として、ポリイミド製の粘着テープを選択出来
る。その他ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ（ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒ
ｏｅｔｈｙｌｅｎｅ））製の粘着テープも選択可能であ
る。こうしたテープは２００℃或いは３００℃以上の高
温に耐えることができ、プラズマガス中でマスクとして
機能させることができる。

【００４５】基材についてはガラス基板、その他プラス
チック基板等を用いることが可能である。基材はシート
状で且つフレキシブルな素材で構成されることが好まし
く、特に樹脂製のフィルム、シートを挙げることができ
る。

【００４６】上記の基材として好ましい材料の具体例と
しては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナ
フタレート等のポリエステルフィルム、ポリエチレンフ
ィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、セルロ
ースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチ
レートフィルム、セルロースアセテートプロピオネー
ト、セルロースアセテートフタレートフィルム、セルロ
ーストリアセテート、セルロースナイトレート等のセル
ロースエステル類又はそれらの誘導体からなるフィル
ム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコー
ルフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シン
ジオタクティックポリスチレン系フィルム、ポリカーボ
ネートフィルム、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポリメ
チルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、
ポリイミドフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、
ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルケトンイミドフ
ィルム、ポリアミドフィルム、フッ素系フィルム、ナイ
ロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、ア
クリルフィルム或いはポリアリレート系フィルム等があ
げられる。

【００４７】これらの素材は単独で或いは適宜混合され
て使用することもできる。中でもゼオネックス（日本ゼ
オン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）製）
などの市販品を好ましく使用することができる。更に、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン及び
ポリエーテルスルホンなどの固有屈折率の大きい素材で
あっても、溶液流延、溶融押し出し等の条件、更には
縦、横方向に延伸条件等を適宜設定することにより得る
ことができる。又、本発明に係わる支持体は、上記の記
載に限定されない、膜厚としては１０μｍ〜１０００μ
ｍのフィルムが好ましく用いられる。

【００４８】大気圧プラズマ法においては、大気圧また
は大気圧近傍の圧力の下、製膜を行おうとする基材を２
枚の平板電極間に配置して、励起ガス、反応ガスを導入
し、且つ電界を形成することにより、反応ガスをプラズ
マ化する。前記反応ガスを金属原子を含む化合物から選
ばれると共に、プラズマ雰囲気中に還元性を有する還元
ガスを供給することにより、前記基材の表面に金属膜を
形成するものである。ここで、大気圧または大気圧近傍
の圧力とは、２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａの圧力であり、
さらに好ましくは９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａである。

【００４９】具体的には、本発明の製膜方法において
は、前記金属膜の材料となる反応ガスとプラズマ源とな
る励起ガス（不活性ガス）を含有する反応性混合ガスを
導入し、かつ、還元性を有する還元ガスと励起ガス（不
活性ガス）とを含有する還元性混合ガスを導入すること
で、最終的に金属膜を形成する。

【００５０】工程としては、反応性混合ガスと還元性混
合ガスをほぼ同時に供給してもよい。この場合には、基
材上に直接金属膜が形成されると思われる。微視的に
は、一時的に金属酸化膜が形成され、その後還元される
工程も含まれると考えられる。

【００５１】ところで、大気圧プラズマ法では、アルゴ
ン等の不活性ガスを導入することでプラズマを生じさせ
るが、還元性のガスを導入するとその分不活性ガス成分
の割合が減少し、プラズマが発生しにくくなり膜の形成
が少し遅くなる。そこで、なるべく製膜速度を上げたい
場合には、上記のような反応性混合ガスと還元性混合ガ
スをほぼ同時に供給する方法ではなく、前記基材の表面
に、反応ガス由来の金属酸化膜を形成した後に、還元性
混合ガスを供給することで、金属酸化膜を還元して金属
膜を形成する。

【００５２】さらに、金属酸化膜の形成（堆積）→還元
処理（金属膜の形成）→金属酸化膜の堆積→還元処理・
・・というように金属酸化膜の堆積と還元処理を複数回
繰り返してもよい。金属酸化膜を一回の工程で厚く堆積
してしまった後、還元処理をしても、表面だけしか還元
されない可能性がある。しかし、複数回工程を繰り返す
ことで、膜全体を十分に還元処理し金属膜を得ることが
できる上に、繰り返し膜を堆積することで緻密な膜を得
ることができる。具体的には、０．１ｎｍ〜５００ｎｍ
堆積後、還元処理することが好ましい。更に言えば、
０．１ｎｍ〜５０ｎｍ堆積後、還元処理することが好ま
しい。

【００５３】本発明で用いられる還元ガスとしては、還
元剤であってガス状あるいはミスト状でプラズマ装置内
に供給できるものであればよいが、例えば水素
（Ｈ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）、メタン（ＣＨ₄）、エ
タン（Ｃ₂Ｈ₆）、ヨウ化水素（ＨＩ）、硫化水素（Ｈ₂
Ｓ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化硫黄（ＳＯ₂）、過
酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、水（Ｈ₂Ｏ）が挙げられ、これら
の中から１つ又は複数を用いることができる。特に、Ｈ
₂、ＮＨ₃、ＣＨ₄が好ましい。

【００５４】上記の還元ガスは、不活性ガスとともに還
元性混合ガスとして装置内に供給され、還元性混合ガス
のうち、１〜１０体積％含有させることが好ましい。

【００５５】また、還元性混合ガスに含まれる不活性ガ
スとしては、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、クリプトン、キセノン、ラドン等が挙げられるが、
プラズマの発生しやすさから、ヘリウム、アルゴン、中
でもアルゴンが好ましく用いられる。

【００５６】これら還元ガスを供給することで、雰囲気
中の酸素が除去されたり、あるいは金属酸化膜が還元さ
れることで、純粋な金属膜を形成することができる。さ
らに、還元ガスによって酸素だけでなく、フッ素、塩素
などのハロゲン系の元素や硫黄、炭素や窒素等の不純物
も除去できる。例えば、還元ガスとして水素を用いれ
ば、酸素はＨ₂Ｏとして、炭素は主にメタンとして、窒
素であればアンモニアとして除去することができる。こ
の点でも、不純物の少ない金属膜を形成することができ
る。

【００５７】本発明で用いられる反応ガスとしては、金
属を含むことが必須であり、有機金属化合物が好適に用
いられ、特にプラズマ空間内にガス状またはミスト状で
供給可能な化合物が好ましい。「ガス状またはミスト状
で供給可能」とは、常温・常圧でそのまま供給可能でも
よいし、常温・常圧で液体又は固定である場合には、加
熱、減圧、超音波照射等の方法で気化したり、適切な溶
剤に溶解してもよい。

【００５８】希釈時の溶剤はプラズマ中で分子レベル、
原子レベルで分解されるため、金属膜の形成への影響は
ほとんど無視できる。

【００５９】有機金属化合物の一例としては、有機珪素
化合物、有機チタン化合物、有機スズ化合物、有機亜鉛
化合物、有機インジウム化合物、有機アルミニウム化合
物、有機銅化合物及び有機銀化合物などが挙げられる。

【００６０】また、有機金属化合物としては、金属の種
類に関わらず金属アルコキシドや有機金属錯体が好まし
く、例えば一般式（１）で表せる化合物が好ましい。こ
こで、Ｍは金属原子、Ｘ₁、Ｘ₂は炭素を含む官能基、ｎ
は金属に対する結合数を示すもので１以上の整数を示
す。

【００６１】

【化１】

【００６２】上記金属アルコキシドや有機金属錯体の例
としては、チタン化合物としてはチタニウムエトキシド
（ＴＥＯＴ）、チタニウムイソプロポキシド（ＴＴＩ
Ｐ）、銅化合物としてはｈｆａ・Ｃｕ・ｔｍｖｓ（下記
式（２））、インジウム化合物としてはトリス（２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネー
ト）インジウムIII（下記式（３））、亜鉛化合物とし
てはＤＰＭ₂Ｚｎ（Ｂｉｓｄｉｐｉｖａｌｏｙｌｍｅｔ
ｈａｎａｔｏｚｉｎｃ）、すず化合物としてはジブチル
スズジアセトナト（ｎ−Ｃ₄Ｈ₉）₂Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ₃）
₂が挙げられる。

【００６３】

【化２】

【００６４】上記の反応ガスは、反応性混合ガスのう
ち、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。

【００６５】また、反応性混合ガスに含まれる不活性ガ
ス（励起ガス）としては、周期表の第１８属元素、具体
的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノン、ラドン等が挙げられるが、本発明に記載の効果
を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いら
れる。緻密で、高精度の薄膜を形成するためには、不活
性ガスとしてアルゴンを用いることが最も好ましい。ア
ルゴンを用いると、高密度プラズマが発生しやすいと推
定している。不活性ガスの割合は、反応性混合ガス中、
９０体積％、好ましくは９５体積％以上である。

【００６６】また、前述の金属酸化膜の堆積後、還元処
理する場合（繰り返し処理も含む）には、反応性混合ガ
ス中に水素（Ｈ₂）、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、Ｃ
Ｈ_xＦ _4-x（０≦ｘ≦４）、ＣＨ_xＣｌ_4-x（０≦ｘ≦
４）、アンモニア（ＮＨ₃）、ヨウ化水素（ＨＩ）、硫
化水素（Ｈ₂Ｓ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化硫黄
（ＳＯ₂）、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、水（Ｈ₂Ｏ）等から
選択される添加成分を０．０１〜１体積％含有させるこ
とにより、反応が促進され、且つ、緻密で良質な薄膜を
形成することができる。

【００６７】なお、これら添加成分は、前記還元ガスと
共通の成分も含まれるが、ここでは反応ガスとともに供
給されるもので、金属酸化膜を堆積する場合に添加する
ものである。これらガスを添加することで緻密で純粋な
より良質の金属酸化膜を形成することができる。これに
より、この後の還元処理後に得られる金属膜も良質なも
のとなる。

【００６８】また、本発明の方法は純粋な金属膜を確実
に得ることができるものであるが、所望する物性によっ
ては意識的に所定濃度の不純物を含有する膜を形成する
こともできる。例えば、金属膜に、Ｈ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、
Ｆ、Ｓ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのうち、一種類又は複数種類の
元素を所定割合含有させることで、膜の導電率を純粋な
金属膜よりも下げることができる。これらの元素は、上
述の全てのガス成分を由来とするもので、すなわち、反
応性ガスや還元性ガス、これらとともに供給される不活
性ガス内の微量成分、さらには反応性ガスとともに添加
される添加成分を由来とする。

【００６９】不純物の含有量は、プラズマ状態をコント
ロールすることで制御することができる。具体的には、
プラズマ還元処理時の印加する電圧のパワーや、還元ガ
ス濃度で調節することができる。さらには、後述するよ
うに高周波電源にパルス電圧を印加する場合、パルスの
デューティ比を変えることで制御することができる。不
純物量は、膜形成後に、例えばＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｆｏｒＣｈｅｍｉ
ｃａｌＡｎａｌｙｓｉｓ）で調べることができ、Ｃ元
素やＯ元素であれば０〜１０％の範囲で含有するよう調
節する。

【００７０】本発明において、基材上に金属膜を形成す
る際に用いる、プラズマ処理装置の構成の一例を図２に
示す。図２において、符号Ｆはプラズマ処理を行おうと
する基材を示す。基材Ｆは、プラズマ処理を受ける前
に、帯電防止のための除電処理や、ゴミ除去処理される
ことが好ましい。

【００７１】図２に示すプラズマ処理装置には、所定間
隔をあけて対向する平板な電極３、４が設けられてい
る。電極３には、高周波電源５が接続され、一方、電極
４はグランド電位に接続されている。

【００７２】前記電極間には、高いプラズマ密度を得て
製膜速度を大きくするため、高周波電圧で、ある程度大
きな電力を供給することが好ましい。具体的には、電極
３に対して、１００ｋＨｚ以上８００ＭＨｚ以下の高周
波数の電圧を印加することが好ましく、２００ｋＨｚ以
上であればより一層好ましい。また、電極間に供給する
電力の下限値は、１Ｗ／ｃｍ²以上５０Ｗ／ｃｍ²以下で
あることであることが好ましく、２Ｗ／ｃｍ²以上であ
ればより一層好ましい。なお、電極における電圧の印加
面積（／ｃｍ²）は放電が起こる範囲の面積のことであ
る。

【００７３】電極間に印加する高周波電圧は、断続的な
パルス波であっても、連続したサイン波であってもよ
い。製膜速度を大きくしたい場合にはサイン波が好まし
い。

【００７４】また、前述のように金属膜に不純物を含有
したい場合には、パルス波でもよい。断続的なパルス波
は、連続的なサイン波よりも、オフタイムにおいてプラ
ズマ密度が下がり系内の反応性が弱まり、還元ガスによ
る不純物濃度を除去する反応が抑制されるからである。
よって、パルス波のデューティ比を制御することで、膜
中の不純物濃度を制御できるようになる。不純物濃度の
制御のための場合、デューティ比は０．１〜１０の範囲
内で制御する。パルス波の生成方法としては、例えば、
電極３に１００ｋＨｚ〜８００ＭＨｚの高周波電圧を印
加する場合、１０〜１００ｋＨｚのパルス電圧を重畳す
ることで生成する。

【００７５】電極３、４としては、金属母材上に誘電体
を被覆したものであることが好ましい。ここで母材とし
て使用される金属としては、銀、白金、ステンレス、ア
ルミニウム、鉄等の金属が使えるが、ステンレスが加工
の容易さの点で好ましい。

【００７６】少なくとも電極３，４のいずれか一方に誘
電体を被覆すること、好ましくは、両方に誘電体を被覆
することである。誘電体としては、比誘電率が６〜４５
の無機物であることが好ましい。

【００７７】誘電体としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ
酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラ
ス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジ
ン酸塩ガラス等をライニング処理して設けることが出来
る。この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易い。また、
気密性の高い高耐熱性のセラミックを焼結した焼結性セ
ラミックスを用いることも好ましい。焼結性セラミック
スの材質としては例えばアルミナ系、ジルコニア系、窒
化珪素系、炭化珪素系のセラミックスである。

【００７８】電極３、４の一方に誘電体を設置した場合
の誘電体と対向する電極の最短距離、上記電極の双方に
誘電体を設置した場合の両誘電体同士の距離としては、
いずれの場合も均一な放電を行う観点から０．５ｍｍ〜
２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは１ｍｍ±０．５ｍ
ｍである。この電極間の距離は、電極周囲の誘電体の厚
さ、印加電圧の大きさ等を考慮して決定される。

【００７９】また、図２のようにプラズマ処理を行おう
とする基材Ｆ（本発明の場合、マスク部材を密着させた
フィルム基材）を電極間に載置あるいは電極間を搬送し
てプラズマに晒す場合には、更に誘電体表面を研磨仕上
げし、電極の表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳＢ０６０
１）を１０μｍ以下にすることで、誘電体の厚み及び電
極間のギャップを一定に保つことができ、放電状態を安
定化できる。

【００８０】また、金属母材に対する誘電体被覆による
電極製作において、前記のように、誘電体を研磨仕上げ
することや、電極の金属母材と誘電体間の熱膨張の差を
なるべく小さくすることが必要であるので、母材表面
に、応力を吸収出来る層として泡混入量をコントロール
して無機質の材料をライニングすることが好ましい。特
に材質としては琺瑯等で知られる溶融法により得られる
ガラスであることが良く、更に導電性金属母材に接する
最下層の泡混入量を２０〜３０ｖｏｌ％とし、次層以降
を５ｖｏｌ％以下とすることで、緻密でかつひび割れ等
が発生しない良好な電極が出来る。

【００８１】また、電極の母材に誘電体を被覆する別の
方法として、セラミックスの溶射を空隙率１０ｖｏｌ％
以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する
無機質の材料にて封孔処理を行うことが挙げられる。こ
こでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良
く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次数
回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の
無い緻密な電極が出来る。

【００８２】プラズマ処理装置の処理室２内の圧力は特
に調節せず、ガス導入後も含めて大気圧又は大気圧近傍
の圧力に保たれる。

【００８３】図２に示すように、プラズマ処理装置内の
入り口１ａ側には、処理室２に連続する予備室１０、１
１が設けられ、出口１ｂ側には処理室２に連続する予備
室１２が設けられている。金属膜形成時に予備室１０、
１１、１２の内圧よりも処理室２内の方が高くなるよう
に調節する。このように圧力差が生じることにより、外
部空気の混入を防止し、気体中の反応ガスのプラズマ化
が促進される。調節方法としては、例えば吸引ファンや
真空ポンプなどを用いればよい。なお、予備室はなくて
もよく、またその個数や大きさについては適宜変更可能
である。

【００８４】上記のように圧力制御や空気の混入防止の
ための間仕切りとフィルムＦの搬送を兼ねて、入り口１
ａ、予備室１０と予備室１１との間、予備室１１と処理
室２との間にニップロール７をそれぞれ設け、処理室２
と予備室１２との間、出口１ｂにはニップロール８が設
けられている。

【００８５】プラズマ処理装置の入り口１ａから搬入さ
れた基材Ｆは、電極４に接触した状態でプラズマ処理さ
れ、出口１ｂから搬出されるようになっている。

【００８６】処理室２は、混合ガスを処理室２内に導入
するための給気口９と、ガスを排出するための排気口１
３を有する。

【００８７】図２で示すプラズマ処理装置を用いて基材
Ｆの表面に金属薄膜を形成する際には、前記基材Ｆをニ
ップロール７を介して、電極４に接触した状態で処理室
２内に搬入する。処理室２には給気口９より導入された
反応性混合ガス・還元性混合ガスが存在しており、電極
３に高周波電源５より所定の周波数の電圧を印加し、放
電プラズマを発生させることで、基材Ｆの表面に反応性
ガス由来の金属膜を形成させる。金属膜を表面に形成し
た基材Ｆは出口１ｂから搬出する。

【００８８】本発明においては、上記プラズマ処理装置
に、基材Ｆとして、マスク部材が密着、重ねられたフィ
ルムを用いることで、マスク部材側のフィルム表面に金
属膜を形成することができ、出口１ｂからこれを搬出し
た後、更に、基材フィルムからマスク部材を剥離するこ
とで、基材フィルム上に金属膜パターンを形成すること
ができる。

【００８９】金属膜パターンが形成されたフィルム（ウ
エブ）は、その後、打ち抜き加工され、それにより金属
膜パターンが形成されたシート状基板が打ち抜かれる。

【００９０】なお、図２に示したプラズマ処理装置は、
一例にすぎず、本発明で用いるプラズマ処理装置として
は他の構成であってもよい。例えばロール状に形成され
た電極とその周りに配置した電極との間に基材を通し、
プラズマ発生するように構成された装置であってもよ
い。あるいは、電極間には基材を設置せず、電極間でプ
ラズマ化したイオンなどを、電極近傍に設置した基材に
対して吹きつけるように構成された装置であってもよ
い。

【００９１】本発明の製膜方法では、純粋な金属膜を得
るために、あるいは所望の不純物濃度を得るために、プ
ラズマ処理中、プラズマ発光スペクトルを発光分光装置
でリアルタイムでモニタリングし、プラズマ雰囲気中の
各成分を検出することが好ましい。

【００９２】すなわち、プラズマ種により発光スペクト
ルの波長が異なることから、各波長の発光スペクトルの
強度を検出することでプラズマ雰囲気中に存在する粒子
種を知ることができる。例えば、金属酸化膜を還元処理
して純粋な金属膜を得ようとする場合、発光スペクトル
で酸素（代表的な波長７７７ｎｍ）を起因とするピーク
がなくなれば、還元処理が終了して純粋な金属膜になっ
たことが分かる。このようにモニターすることで、反応
の終了時を検出できる。また、ある種の不純物につい
て、プラズマ雰囲気中の発光強度と、得られた金属膜に
残る不純物の濃度との関係について予め検量線などを作
成しておけば、モニターしながらその不純物について所
定の発光強度となったところでプラズマ処理を止めれ
ば、得られた金属膜中に所望濃度で不純物を含有させる
ことができる。

【００９３】モニターする波長としては、例えば各元素
の発光スペクトルを十分に含む２００〜１０００ｎｍの
範囲である。

【００９４】本発明の製膜方法で形成される金属膜とし
ては、導電性の金属膜であれば、問題ないが、特に、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕか
ら選択される一つ又は複数から形成することが好まし
い。

【００９５】形成される金属膜の膜厚としては、０．１
ｎｍ〜１０μｍの範囲である。本発明によれば、上記の
ように、大気圧プラズマ処理を用い、対向して配置した
平板電極間に樹脂製のマスク部材を重ねた基材を搬送
し、反応ガスを導入して、高電圧を印加し、電極と基材
間でアーク放電を発生させ、反応ガスをプラズマ状態と
して前記樹脂製のマスク部材を重ねた基材上に金属成分
を積層させ、導電性の高い金属膜を形成し、その後、樹
脂製のマスクを基材から剥離することで、マスク部材の
孔のあいた部分に、直接基材上に形成された金属膜のみ
が残り、その結果、基材上に所定の金属膜のパターン、
即ち配線ラインが形成される。

【００９６】図３は、対向する平板電極（３，４）間に
おいてマスク部材Ｍを重ねた基材１上の全面に金属膜
Ｍ′が形成されたところを模式的に示しており、図４
は、マスク部材Ｍを基材から剥離して、マスク部材上に
形成された金属膜Ｍ′をマスク部材と共に除き、基材１
上に、マスク部材の孔の部分にあたる金属膜Ｍ′のみを
残すことで、金属膜パターンを形成した様子をやはり模
式的に示している。

【００９７】以下に本発明の好ましいパターニング方法
について説明する。図５は、前記のマスク部材を、プラ
ズマ処理装置に導入する前に、基材例えばウエブ状のフ
ィルムと重ね合わせることなく、マスク部材を、前記平
板電極の一方の電極を包含するように配置し、エンドレ
スで回転しながら、連続的にウエブ状の基材（フィル
ム）に密着し、基材上に同じパターンを形成し続けられ
る様に構成した大気圧プラズマ処理装置の一例である。
回転するマスク部材と基材を密着するロール群、及び、
該一方の平板電極とマスク部材の間に反応ガス、励起ガ
ス、還元ガス等を導入する導入口を備えている。ここに
おいては前記プラズマ処理装置の前室等については省略
し、反応ガス、励起ガス及び還元ガス等の導入口及び対
向する平板電極、及び、基材（フィルム）及びマスク部
材に押圧をかけ密着させるためのロール群のみを示し
た。

【００９８】先ず、基材１としてはウエブ状の基材であ
る、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フ
ィルムが用いられ、基材ロール２０から、平板電極
（３，４）間に連続的に搬送される。

【００９９】一方、一方の電極を内包する形でエンドレ
スのマスク部材Ｍ（ポリイミドテープ）が配置されてい
る。このマスク部材は外側に粘着性を有する樹脂テープ
であり、内側に設けられた、ロールＲ１，Ｒ３，Ｒ５及
びＲ６等の複数のロールより、外側に所定のテンション
がかけられ支持される。

【０１００】該マスク部材Ｍの表面には予め所定のパタ
ーンの孔が形成されている。この状態でマスク部材Ｍは
矢印方向に回転し、その搬送速度は、基材１と同じ線速
度に設定される。

【０１０１】該マスク部材Ｍは平板電極（３，４）間に
基材１が進入する手前（Ａ点）においてウエブ状の基材
１に接触し、ロールＲ１、Ｒ２の押圧、及び該マスク部
材Ｍの粘着力により、両者は密着した状態で搬送され
る。

【０１０２】基材１はマスク部材が密着された状態で平
板電極（３，４）間でプラズマ処理を受け、同時に還元
ガス（水素ガス）により、還元処理を行うことで、ウエ
ブ状の基材１上に金属膜が所定のパターンとして形成さ
れる。図５において、５０，５１及び５２はそれぞれ反
応ガス、励起ガス、還元ガスの供給手段を、又、５３，
５４，５５はそれぞれのガスを平板電極間に導くガス導
入路を示している。

【０１０３】その後、マスク部材Ｍと基材１との密着が
保持されたまま搬送され、ロールＲ３及びＲ４を通過し
た後、Ｂ点において、ウエブ状の基材１とマスク部材Ｍ
は剥離される。マスク部材は再度、回転し同じパターン
をウエブ状の基材１上に形成し続ける。

【０１０４】この様に、Ｂ点においてマスク部材Ｍが剥
離されることで基材上には残った金属膜によるパターン
が形成される。

【０１０５】その後、更に基材１は搬送され、複数のパ
ターンがウエブ状の基材１上に連続して形成される。

【０１０６】基材１上に形成された各パターンは基材が
所定の位置に搬送されたところで打ち抜き加工され、ト
レイ等にスタックされる。図において、Ｃがカット部を
表し、それにより複数の金属膜パターンが形成されたシ
ート状基板が打ち抜かれる。又、Ｄが打ち抜かれたシー
トをスタックするトレイを示している。尚、図では省略
されているが、打ち抜き加工時は一定時間搬送をストッ
プする必要があるため、打ち抜き加工の手前に前記一定
時間に応じたループを形成し、吸収することが好まし
い。打ち抜き加工後のウエブは他方に配置された巻き取
りロール２１に順次巻き取られる。

【０１０７】このように構成されることにより、複数の
パターンを基材上に連続的に形成、処理することが可能
となる。即ち真空環境をつくる必要もなく、待ち時間を
要さない処理が可能となるため、生産性が飛躍的に高ま
る。又、現像等のウエットの処理系を配置する必要がな
い。又、ウエブ状の基材を搬送し、両端で基材が支持さ
れている状態となるため、マスク部材の剥離も極めて容
易に実行出来る。

【０１０８】又、基材自体がＰＥＴフィルム等の薄いフ
ィルムであるため、こうした処理による方がマスク部材
の密着を安定にバラツキなく充分に行うことができる。

【０１０９】尚、マスク部材は、必要なパターン数を形
成後は、支持ロールＲ５のテンションを解除し交換する
だけで新たなパターンを形成することが可能となる。
尚、エンドレスとなっているマスク部材の内側には次第
に金属膜が堆積するため、定期的に交換することが好ま
しい。これによってメンテナンス自体も非常に容易であ
り、不要なアーク放電も防止することが可能となる。

【０１１０】又、図６に本発明のパターニング方法に係
わる別の大気圧プラズマ処理装置の一例を示した。

【０１１１】図４と異なる点はマスク部材がエンドレス
でなく、ウエブ状の基材と同じく一方のロール２２から
他方のロール２３に巻き取られる方式であることであ
る。

【０１１２】ここにおいては、パターンは順次マスク部
材Ｍ上にレーザ書き込み手段Ｌにより書き込まれる。即
ち、レーザのパワー及び焦点をコントロールし、マスク
部材を部分的に高温とし、蒸発させ、孔を形成する。レ
ーザの焦点温度は数百〜数千度に制御可能であり、マス
ク部材の軟化点（ポリイミド系テープで２００〜４００
℃）に対し十分な加工を施すことができる。このように
して所定のスポットにビーム走査を行うことで所望のパ
ターンの孔をマスク部材に形成可能となる。

【０１１３】この方式では、マスク部材をパターンの種
類に応じて交換する必要がない。又、ウエブの搬送とリ
アルタイムに同期してマスク部材にパターンを形成する
ことが可能であり、複数の種類のパターンを連続的に形
成することができる。

【０１１４】複数の種類のパターンは図示しないレーザ
書き込み手段のための制御手段により、必要なパターン
に対応するデータを呼び出すだけでよい。従って１つの
ラインで複数の組み合わせのパターンを形成したり、組
み合わせることが非常に容易となる。

【０１１５】図７は、１つの基材に対し、図６に示した
大気圧プラズマ処理装置を複数並べた、本発明のパター
ニング方法に係わる別のプラズマ処理装置の一例を示す
ものである。これによって、基材となるウエブ上に複数
の層を形成することができ、且つ、連続処理を行うこと
も可能となる。

【０１１６】具体的には複数の大気圧プラズマ処理装置
それぞれに対応して、マスク部材の供給手段が用意され
ている。マスク部材の供給手段と共にマスク形成のため
のレーザ書き込み手段（ＬＡ，ＬＢ）がそれぞれ備えら
れている。又、反応ガスの供給手段も各大気圧プラズマ
処理装置毎に設けられている。例えば、最初のプラズマ
処理装置には金属元素含有ガスと還元ガスを導入し、次
の処理装置でシランガス等のガスを導入し、次の処理装
置では再度金属元素含有ガスと還元ガスを導入する等、
複数の大気圧プラズマ処理装置をライン上に配置し、順
次処理を繰り返すことで機能の異なる複数の層に亘るパ
ターニングが可能となる。

【０１１７】又、パターンを書き込む、レーザ書き込み
手段を複数独立して設けていることにより、各層毎に独
立したパターンを形成することが可能となる。

【０１１８】

【発明の効果】真空環境の必要や現像等のウエット処理
の必要がなく、基材上へのパターン形成を連続的に、容
易且つ安定に行うことができる、生産性の高い、メンテ
ナンス性に優れたパターニング方法を提供することがで
きた。

【図面の簡単な説明】

【図１】基材及びマスク部材を平板電極間に配置したと
ころを示す図である。

【図２】プラズマ処理装置の構成の一例を示す図であ
る。

【図３】マスク部材を重ねた基材上の全面に金属膜が形
成されたところを模式的に示す図である。

【図４】基材上に金属膜パターンを形成した様子を模式
的に示す図である。

【図５】マスク部材をエンドレスで回転しながら大気圧
プラズマ処理装置の一例を示す図である。

【図６】本発明に係わる別の大気圧プラズマ処理装置の
一例を示す図である。

【図７】大気圧プラズマ処理装置を複数並べた別のプラ
ズマ処理装置の一例を示す図である。

【符号の説明】

１，Ｆ基材２処理室３，４平板電極５高周波電源７，８ニップロール２０基材ロール２１巻き取りロール２２，２３ロールＲ１，Ｒ３加圧ロールＲ２，Ｒ４対向ロールＲ５支持ロール５０反応ガス供給手段５１励起ガス供給手段５２還元ガス供給手段５３，５４，５５ガス導入路Ｃカット部ＤトレイＬ，ＬＡ，ＬＢレーザ書き込み手段Ｍマスク部材Ｍ′金属膜

フロントページの続き (72)発明者水野航東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会社内 (72)発明者大石清東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会社内Ｆターム(参考） 4K030 BB14 CA07 CA17 DA05 FA03 JA09 KA46 4M104 BB02 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 BB13 BB14 BB17 BB18 DD43 DD44 DD68 5E343 AA12 AA26 AA33 BB23 BB24 BB25 BB28 BB34 BB35 BB38 BB40 BB44 BB45 BB48 BB49 DD26 DD68 ER32 ER38 FF12 FF18 FF30 GG11 5F033 HH07 HH08 HH11 HH13 HH14 HH15 HH16 HH17 HH18 HH19 HH21 PP12 QQ43

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材表面に所定のパターンの開口部が形
成されたマスク部材を配置する第１のステップ、前記基
材及び前記マスク部材を大気圧下でプラズマ化された金
属元素を含む反応ガスに曝す第２のステップ、基材表面
から前記マスク部材を剥離することにより、基材表面に
前記所定のパターンを残す第３のステップからなること
を特徴とするパターニング方法。
【請求項２】前記第２のステップにおいて、更に還元
ガスを導入することを特徴とする請求項１に記載のパタ
ーニング方法。
【請求項３】前記還元ガスは前記反応ガスと混合され
て導入されることを特徴とする請求項２に記載のパター
ニング方法。
【請求項４】前記反応ガスが導入された後に、前記還
元ガスが導入されることを特徴とする請求項２に記載の
パターニング方法。
【請求項５】前記第２のステップにおいて、前記反応
ガスは励起ガスと共に励起されることを特徴とする請求
項１〜４のいずれか１項に記載のパターニング方法。
【請求項６】前記反応ガスは平板電極間に電界を印加
することでプラズマ化されることを特徴とする請求項５
に記載のパターニング方法。
【請求項７】前記基材及び前記マスク部材は平板電極
間に導入されることを特徴とする請求項６に記載のパタ
ーニング方法。
【請求項８】前記マスク部材は平板電極間に導入され
る前に基材表面上に密着するように配置されることを特
徴とする請求項７に記載のパターニング方法。
【請求項９】平板電極の少なくとも一方の電極は誘電
体により被覆されることを特徴とする請求項６又は７に
記載のパターニング方法。
【請求項１０】反応ガスと励起ガスは予め励起され、
前記基材表面に導入されることを特徴とする請求項５に
記載のパターニング方法。
【請求項１１】前記マスク部材は非金属材料からなる
シートであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれ
か１項に記載のパターニング方法。
【請求項１２】前記マスク部材は樹脂製のテープであ
ることを特徴とする請求項１１に記載のパターニング方
法。
【請求項１３】前記マスク部材は耐熱性の樹脂からな
ることを特徴とする請求項１１に記載のパターニング方
法。
【請求項１４】前記樹脂はポリイミド系の樹脂である
ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載のパターニ
ング方法。
【請求項１５】マスク部材の裏面に基材に対し剥離可
能な粘着層を有することを特徴とする請求項１〜１４の
いずれか１項に記載のパターニング方法。
【請求項１６】マスク部材はエンドレスなシートであ
ることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記
載のパターニング方法。
【請求項１７】前記のマスク部材は、電界を印加され
ることでプラズマ化される前記反応ガスと励起ガスと共
に平板電極間に導入され、前記平板電極の一方の電極を
包含するように配置されることを特徴とする請求項１６
に記載のパターニング方法。
【請求項１８】前記基材はシート状で且つフレキシブ
ルな素材で構成されることを特徴とする請求項１〜１７
のいずれか１項に記載のパターニング方法。
【請求項１９】前記第２のステップ及び第３のステッ
プを複数有し、これらステップを繰り返し実行すること
により、複数の層が前記基材上に形成されることを特徴
とする請求項１〜１８のいずれか１項に記載のパターニ
ング方法。
【請求項２０】前記複数の第２、第３のステップに対
応して複数の第１のステップを有し、第１のステップの
各々において独立したマスク部材を用いることを特徴と
する請求項１９に記載のパターニング方法。
【請求項２１】前記複数の第１のステップの各々に対
応して、マスク部材へのパターン形成手段を複数有する
ことを特徴とする請求項２０に記載のパターニング方
法。
【請求項２２】前記パターン形成手段はレーザー書き
込み手段であることを特徴とする請求項２１に記載のパ
ターニング方法。
【請求項２３】対向する２つの電極間に、基材表面に
所定のパターンの開口部が形成されたマスク部材を配置
する第１のステップ、前記基材及び前記マスク部材を、
大気圧又は大気圧近傍の圧力下において前記電極間に電
圧を印加して放電させることによりプラズマ化された金
属元素を含む反応ガスに曝す第２のステップ、基材表面
から前記マスク部材を剥離することにより、基材表面に
前記所定のパターンを残す第３のステップにより、前記
基材上に所定のパターンからなる膜を形成する製膜装置
において、マスク部材を基材上に密着配置し、又、基材
から剥離するためのマスク着脱手段を有することを特徴
とする製膜装置。
【請求項２４】還元ガスを導入する手段を有すること
を特徴とする請求項２３に記載の製膜装置。
【請求項２５】励起ガスを導入する手段を有すること
を特徴とする請求項２３又は２４に記載の製膜装置。
【請求項２６】対向する２つの電極の少なくとも一方
が誘電体により被覆されることを特徴とする請求項２３
〜２５のいずれか１項に記載の製膜装置。
【請求項２７】前記マスク部材は非金属材料からなる
シートであることを特徴とする請求項２３〜２６のいず
れか１項に記載の製膜装置。
【請求項２８】マスク部材はエンドレスなシートであ
ることを特徴とする請求項２３〜２６のいずれか１項に
記載の製膜装置。
【請求項２９】前記第２のステップ及び第３のステッ
プを複数有し、これらステップを繰り返し実行すること
により、複数の層が前記基材上に形成されることを特徴
とする請求項２３〜２８のいずれか１項に記載の製膜装
置。
【請求項３０】前記複数の第２、第３のステップに対
応して複数の第１のステップを有し、第１のステップの
各々において独立したマスク部材を用いることを特徴と
する請求項２９に記載の製膜装置。
【請求項３１】前記複数の第１のステップの各々に対
応して、マスク部材へのパターン形成手段を複数有する
ことを特徴とする請求項３０に記載の製膜装置。