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JP2003285188A - Laser beam machining device and machining method - Google Patents

Laser beam machining device and machining method

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Publication number
JP2003285188A
JP2003285188A JP2002085434A JP2002085434A JP2003285188A JP 2003285188 A JP2003285188 A JP 2003285188A JP 2002085434 A JP2002085434 A JP 2002085434A JP 2002085434 A JP2002085434 A JP 2002085434A JP 2003285188 A JP2003285188 A JP 2003285188A
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JP
Japan
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laser beam
layer
polarization direction
pulse laser
pulse
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JP2002085434A
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Japanese (ja)
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Keiji Iso
圭二 礒
Kazumasa Shudo
和正 首藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machining device capable of making holes into several layers composed of different materials without changing pulse frequency. <P>SOLUTION: A linear polarized pulse laser beam is emitted from a laser beam source 1. The pulse laser beam emitted from the laser source carries out incidence to a polarization direction control element 2. The polarization direction control element can change the polarization direction of the pulse laser beam by controlling from the outside. The reducing element 4 reduces the strength of the pulse laser beam, whose polarization direction is controlled by the polarization direction control element 2, in accordance of the polarization direction. A holding means 7 holds the machining substance 20. A condenser lens 6 condenses the pulse laser beam reduced by the reducing element on the machining substance held by the holding means. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ加工装置及
び加工方法に関し、特に加工対象物にパルスレーザビー
ムを入射させて穴を形成するレーザ加工装置及び加工方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus and a processing method, and more particularly to a laser processing apparatus and a processing method for forming a hole by making a pulsed laser beam incident on a processing target.

【0002】[0002]

【従来の技術】支持基板の表面上に内層配線、樹脂層、
上層膜が形成されたプリント配線板にレーザビームを入
射させて、上層膜及び樹脂層を貫通し、内層配線の一部
を露出させる穴を形成することができる。内層配線及び
上層膜は、通常、銅で形成されている。上層膜は、樹脂
層よりもレーザビームによってエッチングされにくい。
例えば、波長351nmの紫外域のパルスレーザビーム
を用いる場合、上層膜に穴を形成するのに必要なパルス
エネルギが約20J/cm2であるのに対し、樹脂層に
穴を形成するのに必要なパルスエネルギは約2J/cm
2である。
2. Description of the Related Art Inner wiring, resin layer,
A laser beam may be incident on the printed wiring board on which the upper layer film is formed to form a hole that penetrates the upper layer film and the resin layer and exposes a part of the inner layer wiring. The inner layer wiring and the upper layer film are usually formed of copper. The upper layer film is less likely to be etched by the laser beam than the resin layer.
For example, when using a pulsed laser beam having a wavelength of 351 nm in the ultraviolet region, the pulse energy required to form a hole in the upper layer film is about 20 J / cm 2 , whereas it is necessary to form a hole in the resin layer. Pulse energy is about 2 J / cm
Is 2 .

【0003】上層膜に穴を形成するときには、レーザビ
ームのパルスエネルギを20J/cm2以上にする。上
層膜を貫通する穴が形成されると、パルスエネルギを2
J/cm2程度まで低下させ、樹脂層の加工が行われ
る。2J/cm2のパルスエネルギでは内層配線がエッ
チングされないため、内層配線に損傷を与えることな
く、樹脂層を貫通する穴を形成することができる。
When forming a hole in the upper layer film, the pulse energy of the laser beam is set to 20 J / cm 2 or more. When a hole is formed through the upper layer film, the pulse energy is reduced to 2
The resin layer is processed by lowering it to about J / cm 2 . Since the inner layer wiring is not etched by the pulse energy of 2 J / cm 2 , a hole penetrating the resin layer can be formed without damaging the inner layer wiring.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】固体レーザのパルスエ
ネルギの調整は、通常、パルス周波数を変えることによ
り行われる。例えば、パルス周波数を高くすると、パル
スエネルギが低下する。従って、上層膜を貫通する穴が
形成されると、パルス周波数を高くして樹脂層の加工を
行う。ところが、パルス周波数を変化させると、レーザ
ビームの品質、例えばパルスエネルギの安定性、拡がり
角、ビームプロファイル等も変わってしまう。
Adjustment of the pulse energy of a solid-state laser is usually performed by changing the pulse frequency. For example, increasing the pulse frequency decreases the pulse energy. Therefore, when the hole penetrating the upper layer film is formed, the pulse frequency is increased to process the resin layer. However, if the pulse frequency is changed, the quality of the laser beam, for example, the stability of pulse energy, the divergence angle, the beam profile, etc. also change.

【0005】また、一般に固体レーザ発振器の出力の調
整は、ある特定のパルス周波数で行われる。従って、出
力の調整されたパルス周波数以外のパルス周波数におけ
る出力は、レーザ発振器間でばらつく。例えば、上層膜
を形成するときのパルス周波数で出力の調整が行われる
と、樹脂層を形成するときの出力が装置間でばらついて
しまう。
Further, the output of a solid-state laser oscillator is generally adjusted at a specific pulse frequency. Therefore, the output at pulse frequencies other than the adjusted pulse frequency of the output varies among the laser oscillators. For example, if the output is adjusted with the pulse frequency when forming the upper layer film, the output when forming the resin layer varies among the apparatuses.

【0006】本発明の目的は、パルス周波数を変えるこ
となく、材料の異なる複数層に穴あけを行うことができ
るレーザ加工装置及び加工方法を提供することである。
An object of the present invention is to provide a laser processing apparatus and a processing method capable of making holes in a plurality of layers made of different materials without changing the pulse frequency.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、直線偏光されたパルスレーザビームを出射するレー
ザ光源と、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ
ビームが入射し、外部からの制御によりパルスレーザビ
ームの偏光方向を変えることができる偏光方向制御素子
と、前記偏光方向制御素子で偏光方向を制御されたパル
スレーザビームの強度を偏光方向に依存して減衰させる
減衰素子と、加工対象物を保持する保持手段と、前記減
衰素子で減衰されたパルスレーザビームを、前記保持手
段に保持された加工対象物上に集光させる集光レンズと
を有するレーザ加工装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, a laser light source that emits a linearly polarized pulse laser beam and a pulse laser beam emitted from the laser light source are incident, and are controlled from the outside. A polarization direction control element capable of changing the polarization direction of the pulse laser beam, an attenuating element for attenuating the intensity of the pulse laser beam whose polarization direction is controlled by the polarization direction control element depending on the polarization direction, and an object to be processed. There is provided a laser processing apparatus having a holding means for holding the pulse laser beam and a condenser lens for condensing the pulse laser beam attenuated by the attenuating element on the object to be processed held by the holding means.

【0008】本発明の他の観点によると、少なくとも第
1の層、第2の層及び第3の層がこの順番に積層された
積層構造を有し、第2の層が、第1の層及び第3の層の
材料よりもレーザビームでエッチングされやすい材料で
形成された加工対象物を準備する工程と、直線偏光され
たパルスレーザビームを、偏光方向に依存して減衰量が
変化する減衰素子に入射させ、減衰されたパルスレーザ
ビームを、前記加工対象物の第3の層に入射させ、該第
3の層を貫通する穴を形成する工程と、前記減衰素子に
入射するパルスレーザビームの偏光方向を変えてパルス
レーザビームの減衰量を大きくし、減衰されたパルスレ
ーザビームを、前記加工対象物の第3の層に形成された
穴の底面の第2の層に入射させ、該第2の層を貫通し、
前記第1の層の一部を露出させる穴を形成する工程とを
有するレーザ加工方法が提供される。
According to another aspect of the present invention, at least a first layer, a second layer and a third layer have a laminated structure in which they are laminated in this order, and the second layer is the first layer. And a step of preparing a processing object formed of a material which is more easily etched by the laser beam than the material of the third layer, and attenuation of a linearly polarized pulsed laser beam whose attenuation amount changes depending on the polarization direction. A step of making a pulsed laser beam which is incident on the element and attenuated into a third layer of the object to be processed to form a hole penetrating the third layer; and a pulsed laser beam which is made incident on the attenuating element By changing the polarization direction of the pulse laser beam to increase the attenuation amount of the pulsed laser beam, and the attenuated pulsed laser beam is incident on the second layer on the bottom surface of the hole formed in the third layer of the workpiece, Penetrate the second layer,
Forming a hole exposing a portion of the first layer.

【0009】パルスレーザビームの減衰量を調整するこ
とにより、レーザ光源の出力を変化させること無く、加
工対象物の表面におけるレーザビームのパルスエネルギ
密度を変化させることができる。これにより、穴を形成
すべき材料に適したパルスエネルギ密度を有するレーザ
ビームで加工を行うことができる。
By adjusting the attenuation amount of the pulse laser beam, the pulse energy density of the laser beam on the surface of the object to be processed can be changed without changing the output of the laser light source. As a result, processing can be performed with a laser beam having a pulse energy density suitable for the material in which the holes are to be formed.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1に本発明の実施例によるレー
ザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源1が、加工用の
パルスレーザビームを出射する。レーザ光源1は、イオ
ンを含んだ固体誘電体をレーザ媒質として用いた固体レ
ーザと波長変換素子とを含んで構成され、出射されるパ
ルスレーザビームは直線偏光された第3高調波である。
レーザ媒質としてNd:YAGを用いた場合には、第3
高調波の波長は351nmである。なお、レーザ媒質と
して、Nd:YAG以外にNd:YLFやNd:YVO
4を用いてもよい。波長変換素子として、BBOやKD
P光学結晶を用いることができる。なお、第3高調波以
外の紫外域の高調波を用いることも可能である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 1 shows a laser according to an embodiment of the present invention.
The schematic of the processing apparatus is shown. The laser light source 1 is for processing
Emit a pulsed laser beam. The laser light source 1 is
Solid-state dielectric using a solid dielectric containing
Laser and a wavelength conversion element.
The loose laser beam is a linearly polarized third harmonic.
When Nd: YAG is used as the laser medium, the third
The harmonic wavelength is 351 nm. In addition, the laser medium
In addition to Nd: YAG, Nd: YLF and Nd: YVO
FourMay be used. As a wavelength conversion element, BBO or KD
P optical crystals can be used. In addition, the third harmonic and above
It is also possible to use harmonics in the outer ultraviolet region.

【0011】レーザ光源1から出射したレーザビーム
が、電気光学素子2に入射する。電気光学素子2は、ド
ライバ9から電圧を印加され、入射するレーザビームの
偏光方向を旋回させる。旋回角は印加される電圧に依存
する。レーザ光源1及びドライバ9は、制御装置10に
より制御される。
The laser beam emitted from the laser light source 1 enters the electro-optical element 2. A voltage is applied from the driver 9 to the electro-optical element 2, and the polarization direction of the incident laser beam is rotated. The turning angle depends on the applied voltage. The laser light source 1 and the driver 9 are controlled by the control device 10.

【0012】電気光学素子2を通過したパルスレーザビ
ームがマスク3に入射する。マスク3に設けられたビー
ム透過孔を透過したレーザビームが、偏光板4に入射す
る。偏光板4は、入射するレーザビームの入射角が45
°になるように配置されており、入射面に平行な偏光成
分(P成分)を透過させ、入射面に垂直な偏光成分(S
成分)を反射させる。偏光板4を透過したP成分のパル
スレーザビームがダンパ8に入射する。
The pulsed laser beam that has passed through the electro-optical element 2 enters the mask 3. The laser beam transmitted through the beam transmitting hole provided in the mask 3 enters the polarizing plate 4. The polarizing plate 4 has an incident angle of 45 degrees for the incident laser beam.
The polarization component (P component) parallel to the incidence plane is transmitted and the polarization component (S component perpendicular to the incidence plane (S
Component) is reflected. The P component pulsed laser beam that has passed through the polarizing plate 4 enters the damper 8.

【0013】偏光板4で反射されたS成分のパルスレー
ザビームが、ガルバノスキャナ5に入射する。ガルバノ
スキャナ5は、一対の揺動可能な反射鏡を含んで構成さ
れ、レーザビームを2次元方向に走査する。ガルバノス
キャナ5で走査されたレーザビームがfθレンズ6で集
束され、XYステージ7に保持された加工対象物10に
入射する。fθレンズ6は、マスク3のビーム透過孔を
加工対象物20の表面上に結像させる。
The S component pulsed laser beam reflected by the polarizing plate 4 enters the galvano scanner 5. The galvano scanner 5 includes a pair of swingable reflecting mirrors, and scans a laser beam in a two-dimensional direction. The laser beam scanned by the galvano scanner 5 is focused by the fθ lens 6 and is incident on the processing object 10 held by the XY stage 7. The fθ lens 6 forms an image of the beam transmission hole of the mask 3 on the surface of the processing target object 20.

【0014】電気光学素子2でパルスレーザビームの偏
光方向を旋回させると、P成分とS成分との強度比が変
化する。これにより、加工対象物20に入射するパルス
レーザビームのパルスエネルギを変化させることができ
る。すなわち、偏光板4は、入射するパルスレーザビー
ムの偏光方向に依存して減衰率を変えることができる減
衰器として機能する。
When the polarization direction of the pulsed laser beam is swung by the electro-optical element 2, the intensity ratio of the P component and the S component changes. This makes it possible to change the pulse energy of the pulse laser beam incident on the processing target 20. That is, the polarizing plate 4 functions as an attenuator capable of changing the attenuation rate depending on the polarization direction of the incident pulsed laser beam.

【0015】図2を参照して、本発明の実施例によるレ
ーザ加工方法について説明する。なお、必要に応じて図
1が参照される。図2(A)に加工対象物20であるプ
リント配線板の断面図を示す。ガラスエポキシからなる
支持基板30の表面上に、銅からなる内層配線31が形
成されている。内層配線31を覆うように、支持基板3
0の上にポリイミドからなる絶縁層32が形成されてい
る。絶縁層32の表面上に銅からなる上部層33が形成
されている。例えば、絶縁層32の厚さは25μmであ
り、上部層33の厚さは12μmであり、この2層に直
径75μmの穴を形成する場合を考える。
A laser processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Note that FIG. 1 is referred to when necessary. FIG. 2A shows a cross-sectional view of the printed wiring board which is the processing target 20. The inner layer wiring 31 made of copper is formed on the surface of the support substrate 30 made of glass epoxy. Support substrate 3 so as to cover inner layer wiring 31
An insulating layer 32 made of polyimide is formed on the surface of the insulating film 0. An upper layer 33 made of copper is formed on the surface of the insulating layer 32. For example, consider a case where the insulating layer 32 has a thickness of 25 μm and the upper layer 33 has a thickness of 12 μm, and a hole having a diameter of 75 μm is formed in these two layers.

【0016】まず、電気光学素子2を通過したパルスレ
ーザビームが全てS成分になるように、電気光学素子2
を制御する。このとき、レーザ光源1から出射されたパ
ルスレーザビームのほぼ全ての成分が加工対象物20に
入射する。加工対象物20の表面におけるパルスエネル
ギ密度が20J/cm2になるパルス周波数でレーザ光
源1を動作させる。例えば、パルス周波数が3kHz、
出力が6Wである。パルスレーザビームが上部層33に
入射し、約10ショットで上部層33を貫通する穴34
が形成される。
First, the electro-optical element 2 is arranged so that the pulsed laser beam that has passed through the electro-optical element 2 has all S components.
To control. At this time, almost all components of the pulsed laser beam emitted from the laser light source 1 enter the object to be processed 20. The laser light source 1 is operated at the pulse frequency at which the pulse energy density on the surface of the processing target 20 becomes 20 J / cm 2 . For example, the pulse frequency is 3 kHz,
The output is 6W. A pulse laser beam is incident on the upper layer 33, and a hole 34 penetrating the upper layer 33 in about 10 shots.
Is formed.

【0017】レーザ光源1のパルス周波数を変化させる
ことなく、加工対象物20の表面におけるパルスエネル
ギ密度が2J/cm2になるように電気光学素子2を制
御する。より具体的には、電気光学素子2を通過したパ
ルスレーザビームのS成分の強度が、レーザ光源1から
出射されたパルスレーザビームの強度の10%になるよ
うに電気光学素子2を制御する。
The electro-optical element 2 is controlled so that the pulse energy density on the surface of the workpiece 20 is 2 J / cm 2 without changing the pulse frequency of the laser light source 1. More specifically, the electro-optical element 2 is controlled so that the intensity of the S component of the pulse laser beam that has passed through the electro-optical element 2 is 10% of the intensity of the pulse laser beam emitted from the laser light source 1.

【0018】図2(B)に示すように、約30ショット
で、穴34の底面に露出した絶縁層32を貫通する穴3
5が形成される。このときのパルスエネルギ密度が2J
/cm2であるため、穴35の底面に露出した内層配線
31はほとんど損傷を受けない。
As shown in FIG. 2B, the hole 3 penetrating the insulating layer 32 exposed on the bottom surface of the hole 34 in about 30 shots.
5 is formed. The pulse energy density at this time is 2J
/ Cm 2 , the inner layer wiring 31 exposed on the bottom surface of the hole 35 is hardly damaged.

【0019】電気光学素子2の応答特性はMHzオーダ
であり、パルスレーザビームのパルス周波数がkHzオ
ーダであるため、加工対象物20に到達するパルスエネ
ルギをパルス単位で切り替えることができる。
Since the response characteristic of the electro-optical element 2 is on the order of MHz and the pulse frequency of the pulsed laser beam is on the order of kHz, the pulse energy reaching the object to be processed 20 can be switched in pulse units.

【0020】上記実施例では、穴あけ加工の途中でレー
ザ光源のパルス周波数が変動しない。このため、パルス
レーザビームの品質が安定し、高品質の穴を形成するこ
とができる。また、使用するパルス周波数における出力
特性を調整しておくことにより、予め出力特性が調整さ
れているパルス周波数のみを用いて加工を行うことがで
きる。これにより、レーザ発振器間の出力特性のばらつ
きに依存しない加工を行うことが可能になる。
In the above embodiment, the pulse frequency of the laser light source does not change during the drilling process. Therefore, the quality of the pulsed laser beam is stable, and high-quality holes can be formed. Further, by adjusting the output characteristic at the pulse frequency to be used, it is possible to perform processing using only the pulse frequency whose output characteristic is adjusted in advance. This makes it possible to perform processing that does not depend on variations in output characteristics between laser oscillators.

【0021】上記実施例では、内層配線31、絶縁層3
2、及び上部層33がこの順番に積層された加工対象物
20に穴を形成した。より一般的には、少なくとも第1
の層、第2の層及び第3の層がこの順番に積層された積
層構造を有し、第2の層が、第1の層及び第3の層の材
料よりもレーザビームでエッチングされやすい材料で形
成された加工対象物の第3の層及び第2の層を貫通する
穴を形成することができる。このとき、穴の底面に露出
した第1の層はほとんど損傷を受けない。
In the above embodiment, the inner layer wiring 31, the insulating layer 3
2, and a hole was formed in the processing target object 20 in which the upper layer 33 was laminated in this order. More generally, at least the first
Layer, the second layer and the third layer are laminated in this order, and the second layer is more easily etched by the laser beam than the materials of the first layer and the third layer. Holes can be formed through the third and second layers of the workpiece formed of the material. At this time, the first layer exposed on the bottom surface of the hole is hardly damaged.

【0022】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
The present invention has been described above with reference to the embodiments.
The present invention is not limited to these. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パルスレーザビームの減衰量を制御することにより、材
料の異なる複数層に、各層の材料に適したパルスエネル
ギで穴あけ加工を行うことができる。パルス周波数を変
える必要が無いため、パルスレーザビームの品質が安定
し、高品質の穴を形成することができる。
As described above, according to the present invention,
By controlling the amount of attenuation of the pulsed laser beam, it is possible to perform drilling on a plurality of layers of different materials with pulse energy suitable for the material of each layer. Since it is not necessary to change the pulse frequency, the quality of the pulsed laser beam is stable and high quality holes can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施例によるレーザ加工装置の概略
図である。
FIG. 1 is a schematic view of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施例によるレーザ加工方法で加工
される加工対象物及び加工された加工対象物の断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view of an object to be processed and a processed object to be processed by the laser processing method according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ光源 2 電気光学素子 3 マスク 4 偏光板 5 ガルバノスキャナ 6 fθレンズ 7 XYステージ 8 ダンパ 10 制御装置 20 加工対象物 30 支持基板 31 内層配線 32 絶縁層 33 上部層 34、35 穴 1 laser light source 2 Electro-optical element 3 masks 4 Polarizer 5 galvano scanner 6 fθ lens 7 XY stage 8 damper 10 Control device 20 Object to be processed 30 support substrate 31 Inner layer wiring 32 insulating layer 33 Upper layer 34, 35 holes

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直線偏光されたパルスレーザビームを出
射するレーザ光源と、 前記レーザ光源から出射されたパルスレーザビームが入
射し、外部からの制御によりパルスレーザビームの偏光
方向を変えることができる偏光方向制御素子と、 前記偏光方向制御素子で偏光方向を制御されたパルスレ
ーザビームの強度を偏光方向に依存して減衰させる減衰
素子と、 加工対象物を保持する保持手段と、 前記減衰素子で減衰されたパルスレーザビームを、前記
保持手段に保持された加工対象物上に集光させる集光レ
ンズとを有するレーザ加工装置。
1. A laser light source that emits a linearly polarized pulse laser beam, and a polarized light that is incident with the pulse laser beam emitted from the laser light source and that can change the polarization direction of the pulse laser beam by external control. A direction control element, an attenuation element that attenuates the intensity of a pulse laser beam whose polarization direction is controlled by the polarization direction control element depending on the polarization direction, a holding unit that holds a workpiece, and an attenuation element that attenuates the attenuation element. And a condenser lens for condensing the pulsed laser beam thus generated onto the object to be processed held by the holding means.
【請求項2】 前記減衰素子が、偏光方向を制御された
前記パルスレーザビームの進行方向に対して斜めに配置
された偏光板であり、該偏光板で反射されたパルスレー
ザビーム及び該偏光板を透過したパルスレーザビームの
一方が、前記集光レンズで、前記保持手段に保持された
加工対象物上に集光される請求項1に記載のレーザ加工
装置。
2. The attenuating element is a polarizing plate arranged obliquely with respect to a traveling direction of the pulse laser beam whose polarization direction is controlled, and the pulse laser beam reflected by the polarizing plate and the polarizing plate. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein one of the pulsed laser beams that has passed through the laser beam is focused on the processing target held by the holding means by the condenser lens.
【請求項3】 少なくとも第1の層、第2の層及び第3
の層がこの順番に積層された積層構造を有し、第2の層
が、第1の層及び第3の層の材料よりもレーザビームで
エッチングされやすい材料で形成された加工対象物を準
備する工程と、 直線偏光されたパルスレーザビームを、偏光方向に依存
して減衰量が変化する減衰素子に入射させ、減衰された
パルスレーザビームを、前記加工対象物の第3の層に入
射させ、該第3の層を貫通する穴を形成する工程と、 前記減衰素子に入射するパルスレーザビームの偏光方向
を変えてパルスレーザビームの減衰量を大きくし、減衰
されたパルスレーザビームを、前記加工対象物の第3の
層に形成された穴の底面の第2の層に入射させ、該第2
の層を貫通し、 前記第1の層の一部を露出させる穴を形成する工程とを
有するレーザ加工方法。
3. At least a first layer, a second layer and a third layer.
A workpiece having a laminated structure in which the layers are laminated in this order, and the second layer is formed of a material that is more easily etched by a laser beam than the materials of the first layer and the third layer. And a linearly polarized pulsed laser beam is made incident on an attenuating element whose attenuation amount changes depending on the polarization direction, and the attenuated pulsed laser beam is made incident on the third layer of the object to be processed. A step of forming a hole penetrating the third layer, the polarization direction of the pulse laser beam incident on the attenuation element is changed to increase the attenuation amount of the pulse laser beam, and the attenuated pulse laser beam is The second layer on the bottom surface of the hole formed in the third layer of the processing object is made to enter the second layer.
Forming a hole that penetrates through the layer and exposes a part of the first layer.
JP2002085434A 2002-03-26 2002-03-26 Laser processing apparatus and processing method Expired - Lifetime JP3667705B2 (en)

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