JP2003283295A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003283295A JP2003283295A JP2002083712A JP2002083712A JP2003283295A JP 2003283295 A JP2003283295 A JP 2003283295A JP 2002083712 A JP2002083712 A JP 2002083712A JP 2002083712 A JP2002083712 A JP 2002083712A JP 2003283295 A JP2003283295 A JP 2003283295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- resin
- base substrate
- wave element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 119
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STUKNTHDFYCZOR-UHFFFAOYSA-N [Ba+2].[O-2].[Li+] Chemical compound [Ba+2].[O-2].[Li+] STUKNTHDFYCZOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- OEBRKCOSUFCWJD-UHFFFAOYSA-N dichlorvos Chemical compound COP(=O)(OC)OC=C(Cl)Cl OEBRKCOSUFCWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006353 environmental stress Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229920006132 styrene block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01056—Barium [Ba]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01067—Holmium [Ho]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止構造の信頼性が高い弾性表面波装置
の製造方法を提供する。 【解決手段】 圧電性基板とこの圧電性基板上に配置さ
れた櫛歯電極とを有する弾性表面波素子を複数形成し、
複数の弾性表面波素子を多数個取りのベース基板上に突
起電極を介して実装し、隣接する弾性表面波素子の隙間
に対応して凸部が形成された型を用いて複数の弾性表面
波素子に樹脂を押し当て、複数の弾性表面波素子を樹脂
によって封止し、樹脂及びベース基板を弾性表面波素子
ごとに個片化する。
の製造方法を提供する。 【解決手段】 圧電性基板とこの圧電性基板上に配置さ
れた櫛歯電極とを有する弾性表面波素子を複数形成し、
複数の弾性表面波素子を多数個取りのベース基板上に突
起電極を介して実装し、隣接する弾性表面波素子の隙間
に対応して凸部が形成された型を用いて複数の弾性表面
波素子に樹脂を押し当て、複数の弾性表面波素子を樹脂
によって封止し、樹脂及びベース基板を弾性表面波素子
ごとに個片化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波装置及び
その製造方法に関わり、特に、樹脂封止構造を有する弾
性表面波装置の信頼性技術に関する。
その製造方法に関わり、特に、樹脂封止構造を有する弾
性表面波装置の信頼性技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電波を使用する電子機器内のフィ
ルタ、遅延線、発振器等の素子として、弾性表面波装置
が幅広く用いられている。移動体通信等の分野において
は、使用される電子機器の小型化及び高信頼性化が要求
され、弾性表面波装置に対しても同様な要求がある。
ルタ、遅延線、発振器等の素子として、弾性表面波装置
が幅広く用いられている。移動体通信等の分野において
は、使用される電子機器の小型化及び高信頼性化が要求
され、弾性表面波装置に対しても同様な要求がある。
【０００３】この小型化の要求に答えるべく、弾性表面
波装置はＦＤＢ（フェイスダウンボンディング）構造及
び樹脂封止構造を採用する。即ち、図６（ａ）に示すよ
うに、圧電基板上に櫛歯電極５２が形成された弾性表面
波素子５８をバンプ５３を介して多数個取りのベース基
板５９の上に実装する。そして、金型６２を用いて複数
の弾性表面波素子５８に樹脂５５を押し当てることで、
複数の弾性表面波素子５８を樹脂５５によって封止す
る。樹脂５５及びベース基板５９を個片化することで、
図６（ｂ）に示す弾性表面波装置が複数製造される。
波装置はＦＤＢ（フェイスダウンボンディング）構造及
び樹脂封止構造を採用する。即ち、図６（ａ）に示すよ
うに、圧電基板上に櫛歯電極５２が形成された弾性表面
波素子５８をバンプ５３を介して多数個取りのベース基
板５９の上に実装する。そして、金型６２を用いて複数
の弾性表面波素子５８に樹脂５５を押し当てることで、
複数の弾性表面波素子５８を樹脂５５によって封止す
る。樹脂５５及びベース基板５９を個片化することで、
図６（ｂ）に示す弾性表面波装置が複数製造される。
【０００４】ここで、弾性表面波素子５８に樹脂５５を
押し当てる際に樹脂５５を加圧する金型６２の面６３が
平坦であるため、この平坦面６３に接する樹脂５５の上
面６４も平坦面になる。
押し当てる際に樹脂５５を加圧する金型６２の面６３が
平坦であるため、この平坦面６３に接する樹脂５５の上
面６４も平坦面になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図７（ａ）
の矢印が示すように、複数の弾性表面波素子５８は互い
に所定の間隔をおいて実装されるため、弾性表面波素子
５８上と弾性表面波素子間の隙間６０とでは、樹脂５５
に加わる圧力が異なってしまう。なお、矢印の大きさは
樹脂５５に加わる圧力の大きさを示す。図７（ｂ）に示
すように、樹脂５５を加圧して十分な時間が経過して
も、弾性表面波素子５８上（チップ上面）の樹脂５５に
は大きな圧力が加わっているが、弾性表面波素子間の隙
間６０（その他）の樹脂５５には小さな圧力しか加わら
ない。
の矢印が示すように、複数の弾性表面波素子５８は互い
に所定の間隔をおいて実装されるため、弾性表面波素子
５８上と弾性表面波素子間の隙間６０とでは、樹脂５５
に加わる圧力が異なってしまう。なお、矢印の大きさは
樹脂５５に加わる圧力の大きさを示す。図７（ｂ）に示
すように、樹脂５５を加圧して十分な時間が経過して
も、弾性表面波素子５８上（チップ上面）の樹脂５５に
は大きな圧力が加わっているが、弾性表面波素子間の隙
間６０（その他）の樹脂５５には小さな圧力しか加わら
ない。
【０００６】その結果、樹脂５５が弾性表面波素子間の
隙間６０に十分に入り込むことができず、ベース基板５
９との間にボイド６５が形成されて、弾性表面波素子５
８の側面が封止されない。したがって、このボイド６５
形成は、樹脂封止構造の信頼性を低下させ、ひいては弾
性表面波装置の信頼性低下という問題を引き起こす。ま
た、中間周波数（ｆｏ）が変動するという問題も生じ
る。
隙間６０に十分に入り込むことができず、ベース基板５
９との間にボイド６５が形成されて、弾性表面波素子５
８の側面が封止されない。したがって、このボイド６５
形成は、樹脂封止構造の信頼性を低下させ、ひいては弾
性表面波装置の信頼性低下という問題を引き起こす。ま
た、中間周波数（ｆｏ）が変動するという問題も生じ
る。
【０００７】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するために成されたものであり、その目的は、樹脂封止
構造の信頼性が高い弾性表面波装置及びその製造方法を
提供することである。
するために成されたものであり、その目的は、樹脂封止
構造の信頼性が高い弾性表面波装置及びその製造方法を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の特徴は、ベース基板と、ベース基板
上に配置された突起電極と、突起電極を介してベース基
板上に実装された弾性表面波素子と、弾性表面波素子上
に配置された第１樹脂部と、弾性表面波素子周囲のベー
ス基板上に配置された第２樹脂部とを有する弾性表面波
装置であることである。また、この弾性表面波装置は、
第２樹脂部の上面は前記第１樹脂部の上面よりもベース
基板から見て低いことも特徴とする。
め、本発明の第１の特徴は、ベース基板と、ベース基板
上に配置された突起電極と、突起電極を介してベース基
板上に実装された弾性表面波素子と、弾性表面波素子上
に配置された第１樹脂部と、弾性表面波素子周囲のベー
ス基板上に配置された第２樹脂部とを有する弾性表面波
装置であることである。また、この弾性表面波装置は、
第２樹脂部の上面は前記第１樹脂部の上面よりもベース
基板から見て低いことも特徴とする。
【０００９】本発明の第２の特徴は、圧電性基板とこの
圧電性基板上に配置された櫛歯電極とを有する弾性表面
波素子を複数形成し、複数の弾性表面波素子を多数個取
りのベース基板上に突起電極を介して実装し、隣接する
弾性表面波素子の隙間に対応して凸部が形成された型を
用いて複数の弾性表面波素子に樹脂を押し当て、複数の
弾性表面波素子を樹脂によって封止し、樹脂及びベース
基板を弾性表面波素子ごとに個片化する弾性表面波装置
の製造方法であることである。
圧電性基板上に配置された櫛歯電極とを有する弾性表面
波素子を複数形成し、複数の弾性表面波素子を多数個取
りのベース基板上に突起電極を介して実装し、隣接する
弾性表面波素子の隙間に対応して凸部が形成された型を
用いて複数の弾性表面波素子に樹脂を押し当て、複数の
弾性表面波素子を樹脂によって封止し、樹脂及びベース
基板を弾性表面波素子ごとに個片化する弾性表面波装置
の製造方法であることである。
【００１０】本発明の第１及び第２の特徴によれば、隣
接する弾性表面波素子の隙間に対応して凸部が形成され
た型を用いて、複数の弾性表面波素子に樹脂を押し当て
ることによって、弾性表面波素子上に形成される第１樹
脂部及びベース基板上に形成される第２樹脂部に圧力が
均一に加わる。これにより、弾性表面波素子の側面にボ
イドが発生することを防ぐことができ、弾性表面波装置
の樹脂封止構造の信頼性を維持・向上させることができ
る。結果的に、弾性表面波素子上の封止高さが弾性表面
波素子のない部位よりも高くなる。つまり、第２樹脂部
の上面が第１樹脂部の上面よりもベース基板から見て低
く設定される。
接する弾性表面波素子の隙間に対応して凸部が形成され
た型を用いて、複数の弾性表面波素子に樹脂を押し当て
ることによって、弾性表面波素子上に形成される第１樹
脂部及びベース基板上に形成される第２樹脂部に圧力が
均一に加わる。これにより、弾性表面波素子の側面にボ
イドが発生することを防ぐことができ、弾性表面波装置
の樹脂封止構造の信頼性を維持・向上させることができ
る。結果的に、弾性表面波素子上の封止高さが弾性表面
波素子のない部位よりも高くなる。つまり、第２樹脂部
の上面が第１樹脂部の上面よりもベース基板から見て低
く設定される。
【００１１】本発明の第１の特徴において、ベース基板
の外周における第２樹脂部の上面と第１樹脂部の上面と
のベース基板から見た高低差を１とした場合、第１樹脂
部の上面のベース基板から見た高さは１０乃至１５であ
ることが望ましい。より望ましくは、ベース基板の外周
における第２樹脂部の上面と第１樹脂部の上面とのベー
ス基板から見た高低差を１とした場合、第２樹脂部の幅
が４乃至２０であることである。
の外周における第２樹脂部の上面と第１樹脂部の上面と
のベース基板から見た高低差を１とした場合、第１樹脂
部の上面のベース基板から見た高さは１０乃至１５であ
ることが望ましい。より望ましくは、ベース基板の外周
における第２樹脂部の上面と第１樹脂部の上面とのベー
ス基板から見た高低差を１とした場合、第２樹脂部の幅
が４乃至２０であることである。
【００１２】また、本発明の第２の特徴において、凸部
の高さは１０μｍ以上であることが望ましい。
の高さは１０μｍ以上であることが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。図面の記載において同一あるいは
類似部分には同一あるいは類似な符号を付している。た
だし、図面は模式的なものであり、層の厚みと幅との関
係、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なること
に留意すべきである。また、図面の相互間においても互
いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていること
はもちろんである。
施の形態を説明する。図面の記載において同一あるいは
類似部分には同一あるいは類似な符号を付している。た
だし、図面は模式的なものであり、層の厚みと幅との関
係、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なること
に留意すべきである。また、図面の相互間においても互
いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていること
はもちろんである。
【００１４】図１は、本発明の実施の形態に係る弾性表
面波装置の構成を示す断面図である。実施の形態に係る
弾性表面波装置は、平板状のベース基板４と、ベース基
板４の上に配置された複数の突起電極３と、突起電極３
を介してベース基板４上に実装された弾性表面波素子
（１、２）と、弾性表面波素子（１、２）の上に配置さ
れた第１樹脂部５ａと、弾性表面波素子（１、２）周囲
のベース基板４上に配置された第２樹脂部５ｂとを有す
る。第２樹脂部５ｂの上面７は第１樹脂部５ａの上面６
よりもベース基板４から見て低い。
面波装置の構成を示す断面図である。実施の形態に係る
弾性表面波装置は、平板状のベース基板４と、ベース基
板４の上に配置された複数の突起電極３と、突起電極３
を介してベース基板４上に実装された弾性表面波素子
（１、２）と、弾性表面波素子（１、２）の上に配置さ
れた第１樹脂部５ａと、弾性表面波素子（１、２）周囲
のベース基板４上に配置された第２樹脂部５ｂとを有す
る。第２樹脂部５ｂの上面７は第１樹脂部５ａの上面６
よりもベース基板４から見て低い。
【００１５】第１樹脂部５ａは、弾性表面波素子（１、
２）の上のみに限らず、その側面上にも配置されてい
る。第２樹脂部５ｂは、弾性表面波素子（１、２）及び
第１樹脂部５ａの周囲を取り囲むようにベース基板４上
に配置されている。即ち、弾性表面波素子（１、２）
は、第１樹脂部５ａ及び第２樹脂部５ｂによって樹脂封
止されている。以後、第１樹脂部５ａ及び第２樹脂部５
ｂをまとめて表記する場合には、単に「樹脂部」と示
す。樹脂部は、弾性表面波素子（１、２）が配置されて
いる領域に凸部を有する。なお、樹脂部の凹凸形状につ
いては図５を参照して後述する。
２）の上のみに限らず、その側面上にも配置されてい
る。第２樹脂部５ｂは、弾性表面波素子（１、２）及び
第１樹脂部５ａの周囲を取り囲むようにベース基板４上
に配置されている。即ち、弾性表面波素子（１、２）
は、第１樹脂部５ａ及び第２樹脂部５ｂによって樹脂封
止されている。以後、第１樹脂部５ａ及び第２樹脂部５
ｂをまとめて表記する場合には、単に「樹脂部」と示
す。樹脂部は、弾性表面波素子（１、２）が配置されて
いる領域に凸部を有する。なお、樹脂部の凹凸形状につ
いては図５を参照して後述する。
【００１６】樹脂部は、弾性表面波素子（１、２）を環
境ストレス及び機械的ストレスから保護する機能を有す
る。例えば、樹脂部として、ポリイミド樹脂、ＰＰ／Ｅ
ＰＲ系ポリマーアロイ（PP/Ethylene Propylene Rubber
Blend）、ＴＥＸ（東燃化学株式会社製、ポリオレフィ
ン系ＴＰＥ（Polyolefine Thermoplastic Elastome
r））、タフプレン（旭化成株式会社製、ＳＢＳ（Styre
ne-Butadiene-Styrene Block Copolymer））、マクスロ
イＡ（日本合成ゴム株式会社製）、Ｘ−９（ユニチカ株
式会社製、ＰＡ／ＰＡＲ（PA/Polyarylate））、テナッ
ク（旭化成株式会社製、ＰＯＭ／ＴＰＵ（POM/Thermopl
astic Polyurethane））などの高分子系材料を使用する
ことができる。
境ストレス及び機械的ストレスから保護する機能を有す
る。例えば、樹脂部として、ポリイミド樹脂、ＰＰ／Ｅ
ＰＲ系ポリマーアロイ（PP/Ethylene Propylene Rubber
Blend）、ＴＥＸ（東燃化学株式会社製、ポリオレフィ
ン系ＴＰＥ（Polyolefine Thermoplastic Elastome
r））、タフプレン（旭化成株式会社製、ＳＢＳ（Styre
ne-Butadiene-Styrene Block Copolymer））、マクスロ
イＡ（日本合成ゴム株式会社製）、Ｘ−９（ユニチカ株
式会社製、ＰＡ／ＰＡＲ（PA/Polyarylate））、テナッ
ク（旭化成株式会社製、ＰＯＭ／ＴＰＵ（POM/Thermopl
astic Polyurethane））などの高分子系材料を使用する
ことができる。
【００１７】ここで、弾性表面波素子は、圧電性基板１
と、圧電性基板１の主面上に形成された櫛歯電極２を含
む金属膜パターンとを有する。櫛歯電極２は、図示は省
略するが、互いに噛み合う２以上の櫛歯状の平面形状を
有する金属電極である。弾性表面波（ＳＡＷ）は、櫛歯
電極２によって励振及び検出される。櫛歯電極２の入力
インターデジタルトランスジューサに電気信号を印加
し、これを弾性表面波に変換して圧電基板１の上を伝達
させる。さらにもう１つの櫛歯電極２の出力インターデ
ジタルトランスジューサに到達した弾性表面波は再度電
気信号に変換されて外部に取り出すことができる。櫛歯
電極２の材料となる金属は、Ａｌ（アルミニウム）ある
いはＡｌを主成分とする合金等からなる。後者の場合、
添加物として銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）等を使用で
きる。なお、金属膜パターンには、櫛歯電極２の他に、
突起電極３に接続される電極パッド、及び弾性表面波を
反射する為の反射板が含まれる。
と、圧電性基板１の主面上に形成された櫛歯電極２を含
む金属膜パターンとを有する。櫛歯電極２は、図示は省
略するが、互いに噛み合う２以上の櫛歯状の平面形状を
有する金属電極である。弾性表面波（ＳＡＷ）は、櫛歯
電極２によって励振及び検出される。櫛歯電極２の入力
インターデジタルトランスジューサに電気信号を印加
し、これを弾性表面波に変換して圧電基板１の上を伝達
させる。さらにもう１つの櫛歯電極２の出力インターデ
ジタルトランスジューサに到達した弾性表面波は再度電
気信号に変換されて外部に取り出すことができる。櫛歯
電極２の材料となる金属は、Ａｌ（アルミニウム）ある
いはＡｌを主成分とする合金等からなる。後者の場合、
添加物として銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）等を使用で
きる。なお、金属膜パターンには、櫛歯電極２の他に、
突起電極３に接続される電極パッド、及び弾性表面波を
反射する為の反射板が含まれる。
【００１８】入力インターデジタルトランスジューサに
印加される電気信号、及び出力インターデジタルトラン
スジューサによって再度電気信号に変換された電気信号
は、それぞれ突起電極３を介してベース基板４から入力
され、或いはベース基板４へ出力される。図示は省略し
たが、ベース基板４の表裏面にも互いに接続された配線
が形成され、電気信号の送受信がこの配線を介して行わ
れる。また、櫛歯電極２の周囲には樹脂部は配置されて
いない。これは、櫛歯電極による弾性表面波の励振及び
検出、及び弾性表面波の圧電基板上の伝達を正常に行い
得るようにする為である。
印加される電気信号、及び出力インターデジタルトラン
スジューサによって再度電気信号に変換された電気信号
は、それぞれ突起電極３を介してベース基板４から入力
され、或いはベース基板４へ出力される。図示は省略し
たが、ベース基板４の表裏面にも互いに接続された配線
が形成され、電気信号の送受信がこの配線を介して行わ
れる。また、櫛歯電極２の周囲には樹脂部は配置されて
いない。これは、櫛歯電極による弾性表面波の励振及び
検出、及び弾性表面波の圧電基板上の伝達を正常に行い
得るようにする為である。
【００１９】圧電性基板１として、タンタル酸リチウム
（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ３）、バリウム酸リチウム基板（ＬｉＢ４Ｏ７）、サ
ファイア、或いはクオーツ（ＳｉＯ２）などからなる単
結晶基板を使用することができる。若しくは、これらの
単結晶基板に代えて、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、チ
タン酸ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＴｉＯ３（ＰＺＴ））、
或いはこれらの固溶体からなる圧電セラミックス基板を
用いることも可能である。
（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ３）、バリウム酸リチウム基板（ＬｉＢ４Ｏ７）、サ
ファイア、或いはクオーツ（ＳｉＯ２）などからなる単
結晶基板を使用することができる。若しくは、これらの
単結晶基板に代えて、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、チ
タン酸ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＴｉＯ３（ＰＺＴ））、
或いはこれらの固溶体からなる圧電セラミックス基板を
用いることも可能である。
【００２０】図２及び図３の各分図は、図１に示した弾
性表面波装置の製造方法を示す為の主要な工程断面図で
ある。
性表面波装置の製造方法を示す為の主要な工程断面図で
ある。
【００２１】（イ）まず、ウェハ状の圧電性基板１を用
いて複数の弾性表面波素子を同時に製造する。具体的に
は、図２（ａ）に示すように、圧電基板１の上に膜厚数
百ｎｍ程度の金属膜を成膜する。この金属膜の上にレジ
スト膜を形成し、ホトリソグラフィ法でレジスタ膜を露
光・現像する。そして、このレジスト膜をマスクとして
金属膜を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法で選択的
にエッチングし、櫛歯電極２を含む金属パターンを形成
する。金属膜の成膜は、金属蒸着法、スパッタリング
法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法などを使用することが
できる。
いて複数の弾性表面波素子を同時に製造する。具体的に
は、図２（ａ）に示すように、圧電基板１の上に膜厚数
百ｎｍ程度の金属膜を成膜する。この金属膜の上にレジ
スト膜を形成し、ホトリソグラフィ法でレジスタ膜を露
光・現像する。そして、このレジスト膜をマスクとして
金属膜を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法で選択的
にエッチングし、櫛歯電極２を含む金属パターンを形成
する。金属膜の成膜は、金属蒸着法、スパッタリング
法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法などを使用することが
できる。
【００２２】（ロ）次に、図２（ｂ）に示すように、金
属膜パターンの電極パッドの上に突起電極３を形成す
る。ここで、突起電極３として、金バンプ、或いはＳｎ
Ｐｂ系のはんだバンプの何れを使用しても構わない。バ
ンプボンダ装置を用いて、所定の位置に突起電極３を形
成する。
属膜パターンの電極パッドの上に突起電極３を形成す
る。ここで、突起電極３として、金バンプ、或いはＳｎ
Ｐｂ系のはんだバンプの何れを使用しても構わない。バ
ンプボンダ装置を用いて、所定の位置に突起電極３を形
成する。
【００２３】（ハ）次に、図２（ｃ）に示すように、ダ
イシング装置を用いてウェハ状の圧電性基板１を弾性表
面波素子８ごとに切断、即ち個片化する。
イシング装置を用いてウェハ状の圧電性基板１を弾性表
面波素子８ごとに切断、即ち個片化する。
【００２４】（ニ）次に、図３（ａ）に示すように、フ
リップチップボンディング装置を用いて、複数の弾性表
面波素子８を多数個取りのベース基板９に突起電極３を
介して実装する。突起電極３を介して実装することによ
り、弾性表面波素子８とベース基板９とは突起電極３を
介して電気的および機械的に接続される。なお、多数個
取りのベース基板９とは、複数の弾性表面波素子８を一
括して実装、及び樹脂封止するために、図１に示したベ
ース基板４が複数一体形成されているものである。
リップチップボンディング装置を用いて、複数の弾性表
面波素子８を多数個取りのベース基板９に突起電極３を
介して実装する。突起電極３を介して実装することによ
り、弾性表面波素子８とベース基板９とは突起電極３を
介して電気的および機械的に接続される。なお、多数個
取りのベース基板９とは、複数の弾性表面波素子８を一
括して実装、及び樹脂封止するために、図１に示したベ
ース基板４が複数一体形成されているものである。
【００２５】複数の弾性表面波素子１は所定の間隔をお
いて実装され、隣接する弾性表面波素子１の間には所定
の隙間１０が形成される。
いて実装され、隣接する弾性表面波素子１の間には所定
の隙間１０が形成される。
【００２６】（ホ）次に、図３（ｂ）に示すように、隣
接する弾性表面波素子８の隙間１０に対応して凸部１１
が形成された型１２を用いて、複数の弾性表面波素子８
に樹脂５を押し当てる。型１２の材料は、金属、その他
の材料を使用することができる。ここでは、金属から成
る金型１２を使用する場合について説明を続ける。凸部
１１は、弾性表面波素子８のない部位の樹脂５をベース
基板９へ向けて押し当てる。したがって、弾性表面波素
子８上の樹脂５及びベース基板９上の樹脂５に圧力が均
一に加わる。
接する弾性表面波素子８の隙間１０に対応して凸部１１
が形成された型１２を用いて、複数の弾性表面波素子８
に樹脂５を押し当てる。型１２の材料は、金属、その他
の材料を使用することができる。ここでは、金属から成
る金型１２を使用する場合について説明を続ける。凸部
１１は、弾性表面波素子８のない部位の樹脂５をベース
基板９へ向けて押し当てる。したがって、弾性表面波素
子８上の樹脂５及びベース基板９上の樹脂５に圧力が均
一に加わる。
【００２７】その結果、隣接する弾性表面波素子８の隙
間１０にも十分な樹脂が入り込むことができ、弾性表面
波素子８の上にのみならず、その側面をも樹脂５によっ
て覆い囲むことができる。その後の熱硬化処理を経て、
複数の弾性表面波素子８を樹脂５によって同時に封止す
ることができる。また、弾性表面波素子８上の封止高さ
は、弾性表面波素子８のない部位よりも高くなる。即
ち、図１に示したように、第２樹脂部の上面が第１樹脂
部の上面よりもベース基板９から見て低く設定される。
間１０にも十分な樹脂が入り込むことができ、弾性表面
波素子８の上にのみならず、その側面をも樹脂５によっ
て覆い囲むことができる。その後の熱硬化処理を経て、
複数の弾性表面波素子８を樹脂５によって同時に封止す
ることができる。また、弾性表面波素子８上の封止高さ
は、弾性表面波素子８のない部位よりも高くなる。即
ち、図１に示したように、第２樹脂部の上面が第１樹脂
部の上面よりもベース基板９から見て低く設定される。
【００２８】（ヘ）最後に、図３（ｃ）に示すように、
樹脂５及び多数個取りのベース基板９を弾性表面波素子
８ごとに個片化することで、図１に示した弾性表面波装
置が完成する。なお、樹脂５及び多数個取りのベース基
板９は、隣接する弾性表面波素子８の隙間１０、つまり
金型１２の凸部１１に対応する部分に沿って、切断され
る。
樹脂５及び多数個取りのベース基板９を弾性表面波素子
８ごとに個片化することで、図１に示した弾性表面波装
置が完成する。なお、樹脂５及び多数個取りのベース基
板９は、隣接する弾性表面波素子８の隙間１０、つまり
金型１２の凸部１１に対応する部分に沿って、切断され
る。
【００２９】図４（ａ）は、図３（ｂ）に示す工程断面
図の一部分を拡大した図であり、凸部１１の配置及び形
状、及び樹脂５に加わる圧力の分布を示す。多数個取り
のベース基板９は、台座１４の上に配置されている。金
型１２は、弾性表面波素子８がない部位に対応した凸部
１１を有する。凸部１１の配置及び形状は、弾性表面波
素子８の外周より１００μm以上離れた部分を弾性表面
波素子８の上よりも１０μm以上余分に押さえることが
できるように、設計されている。つまり、弾性表面波素
子８と凸部１１との間隔は１００μｍ以上であり、凸部
１１の高さは１０μｍ以上である。より望ましくは、凸
部１１の高さは約２０μｍであることである。
図の一部分を拡大した図であり、凸部１１の配置及び形
状、及び樹脂５に加わる圧力の分布を示す。多数個取り
のベース基板９は、台座１４の上に配置されている。金
型１２は、弾性表面波素子８がない部位に対応した凸部
１１を有する。凸部１１の配置及び形状は、弾性表面波
素子８の外周より１００μm以上離れた部分を弾性表面
波素子８の上よりも１０μm以上余分に押さえることが
できるように、設計されている。つまり、弾性表面波素
子８と凸部１１との間隔は１００μｍ以上であり、凸部
１１の高さは１０μｍ以上である。より望ましくは、凸
部１１の高さは約２０μｍであることである。
【００３０】多数個取りのベース基板９の実装面の内、
弾性表面波素子８が配置されている領域は、弾性表面波
素子８がない領域に対して約２倍の面積を有する。凸部
１１を有さない従来の金型を用いた場合、弾性表面波素
子８上と弾性表面波素子８のない部位とでは、樹脂５に
加わる圧力が異なってしまう。しかし、凸部１１は、弾
性表面波素子８のない部位の樹脂５をベース基板９へ向
けて押し当てることができる。したがって、弾性表面波
素子８のない部位の樹脂５に加わる圧力を、弾性表面波
素子８上の樹脂５に加わる圧力と均等にすることができ
る。なお、図４（ａ）の矢印の大きさは、樹脂５に加わ
る圧力の大きさを示す。
弾性表面波素子８が配置されている領域は、弾性表面波
素子８がない領域に対して約２倍の面積を有する。凸部
１１を有さない従来の金型を用いた場合、弾性表面波素
子８上と弾性表面波素子８のない部位とでは、樹脂５に
加わる圧力が異なってしまう。しかし、凸部１１は、弾
性表面波素子８のない部位の樹脂５をベース基板９へ向
けて押し当てることができる。したがって、弾性表面波
素子８のない部位の樹脂５に加わる圧力を、弾性表面波
素子８上の樹脂５に加わる圧力と均等にすることができ
る。なお、図４（ａ）の矢印の大きさは、樹脂５に加わ
る圧力の大きさを示す。
【００３１】図４（ｂ）は、凸部１１を有する金型１２
を使用した場合の、弾性表面波素子８上の樹脂５に加わ
る圧力、弾性表面波素子８のない部位の樹脂５に加わる
圧力、及び台座１４と金型１２との間に加わるプレス圧
についてそれらの時間変化を示すグラフである。図４
（ｂ）中の「チップ上面」は、弾性表面波素子８上の樹
脂５に加わる圧力を示し、「その他」は、弾性表面波素
子８のない部位の樹脂５に加わる圧力を示し、「シリン
ダ圧」は、台座１４と金型１２との間に加わるプレス圧
を示す。
を使用した場合の、弾性表面波素子８上の樹脂５に加わ
る圧力、弾性表面波素子８のない部位の樹脂５に加わる
圧力、及び台座１４と金型１２との間に加わるプレス圧
についてそれらの時間変化を示すグラフである。図４
（ｂ）中の「チップ上面」は、弾性表面波素子８上の樹
脂５に加わる圧力を示し、「その他」は、弾性表面波素
子８のない部位の樹脂５に加わる圧力を示し、「シリン
ダ圧」は、台座１４と金型１２との間に加わるプレス圧
を示す。
【００３２】樹脂封止を行う間、シリンダ圧は一定（約
６０Ｎ）である。樹脂封止直後、ほぼ総てのシリンダ圧
がチップ上面の樹脂５に印加され、弾性表面波素子８の
ない部位の樹脂５には印加されない。樹脂封止開始５分
後から、徐々に弾性表面波素子８上の圧力が減少し、弾
性表面波素子８のない部位の圧力が増加する。樹脂封止
開始１０分後以降は、弾性表面波素子８上の圧力と弾性
表面波素子８のない部位の圧力とが逆転して、弾性表面
波素子８上の圧力が２０Ｎ、弾性表面波素子８のない部
位の圧力が４０Ｎで、それぞれ安定する。
６０Ｎ）である。樹脂封止直後、ほぼ総てのシリンダ圧
がチップ上面の樹脂５に印加され、弾性表面波素子８の
ない部位の樹脂５には印加されない。樹脂封止開始５分
後から、徐々に弾性表面波素子８上の圧力が減少し、弾
性表面波素子８のない部位の圧力が増加する。樹脂封止
開始１０分後以降は、弾性表面波素子８上の圧力と弾性
表面波素子８のない部位の圧力とが逆転して、弾性表面
波素子８上の圧力が２０Ｎ、弾性表面波素子８のない部
位の圧力が４０Ｎで、それぞれ安定する。
【００３３】従来の金型を使用した図７（ｂ）と比較し
た場合、凸部１１を有する金型１２を使用した方が、弾
性表面波素子８上の圧力の一部が弾性表面波素子８のな
い部位の圧力へ分散される。このことにより、弾性表面
波素子８のない部位の樹脂５が、ベース基板９へ向けて
十分な圧力で押し当てられる。その結果、樹脂５が弾性
表面波素子間の隙間に十分に入り込み、弾性表面波素子
８の側面におけるボイドの発生を防ぎ、樹脂５とベース
基板５９の間の密着性を向上させることができる。
た場合、凸部１１を有する金型１２を使用した方が、弾
性表面波素子８上の圧力の一部が弾性表面波素子８のな
い部位の圧力へ分散される。このことにより、弾性表面
波素子８のない部位の樹脂５が、ベース基板９へ向けて
十分な圧力で押し当てられる。その結果、樹脂５が弾性
表面波素子間の隙間に十分に入り込み、弾性表面波素子
８の側面におけるボイドの発生を防ぎ、樹脂５とベース
基板５９の間の密着性を向上させることができる。
【００３４】図５は、図１に示した弾性表面波装置の一
部を拡大した図である。図１においては、第１樹脂部５
ａの上面６と第２樹脂部５ｂの上面７との間には階段状
に段差が形成されていた。しかし実際には、第１樹脂部
５ａの上面６は平坦面であるが、第２樹脂部５ｂの上面
７には、第１樹脂部５ａの上面６に対して傾斜した曲面
が形成される場合がある。
部を拡大した図である。図１においては、第１樹脂部５
ａの上面６と第２樹脂部５ｂの上面７との間には階段状
に段差が形成されていた。しかし実際には、第１樹脂部
５ａの上面６は平坦面であるが、第２樹脂部５ｂの上面
７には、第１樹脂部５ａの上面６に対して傾斜した曲面
が形成される場合がある。
【００３５】ベース基板４の外周における第２樹脂部５
ｂの上面７と第１樹脂部５ａの上面６とのベース基板４
から見た高低差（ｔ）を１とした場合、第１樹脂部５ａ
の上面６のベース基板４から見た高さ（Ｔ）は１０乃至
１５であることが望ましい。より望ましくは、高低差
（ｔ）を１とした場合、第２樹脂部５ｂの幅（Ｗ）は４
乃至２０であることである。なお、高低差（ｔ）は５０
乃至８０μｍであり、高さ（Ｔ）は４００乃至５００μ
ｍであり、幅（Ｗ）は２００乃至１６００μｍである。
樹脂部５の上面（６、７）の寸法を上記数値範囲に設計
することで、弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境
不良率が減少する。また、ｆｏ変動を抑えることもでき
る。これは、総ての条件を満足する必要はなく、各条件
を満足する数が増えるに従い、その効果をより有効に得
ることができる。
ｂの上面７と第１樹脂部５ａの上面６とのベース基板４
から見た高低差（ｔ）を１とした場合、第１樹脂部５ａ
の上面６のベース基板４から見た高さ（Ｔ）は１０乃至
１５であることが望ましい。より望ましくは、高低差
（ｔ）を１とした場合、第２樹脂部５ｂの幅（Ｗ）は４
乃至２０であることである。なお、高低差（ｔ）は５０
乃至８０μｍであり、高さ（Ｔ）は４００乃至５００μ
ｍであり、幅（Ｗ）は２００乃至１６００μｍである。
樹脂部５の上面（６、７）の寸法を上記数値範囲に設計
することで、弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境
不良率が減少する。また、ｆｏ変動を抑えることもでき
る。これは、総ての条件を満足する必要はなく、各条件
を満足する数が増えるに従い、その効果をより有効に得
ることができる。
【００３６】以上説明したように、弾性表面波素子８の
上の封止高さを、弾性表面波素子８のない部位よりも高
くすることにより、マウンタによる衝撃を低減すること
ができる。また、凸部１１が弾性表面波素子８がない部
位の樹脂５に十分な圧力を加えることで、隣接する弾性
表面波素子の隙間にも十分な樹脂５が入り込むことがで
きる。このことにより、弾性表面波素子８の側面にボイ
ドが形成されることを防ぎ、封止信頼性が向上する。ま
た同時に、封止バラツキによるｆｏの変動を抑え、電気
的特性信頼性が向上する。
上の封止高さを、弾性表面波素子８のない部位よりも高
くすることにより、マウンタによる衝撃を低減すること
ができる。また、凸部１１が弾性表面波素子８がない部
位の樹脂５に十分な圧力を加えることで、隣接する弾性
表面波素子の隙間にも十分な樹脂５が入り込むことがで
きる。このことにより、弾性表面波素子８の側面にボイ
ドが形成されることを防ぎ、封止信頼性が向上する。ま
た同時に、封止バラツキによるｆｏの変動を抑え、電気
的特性信頼性が向上する。
【００３７】上記のように、本発明は、１つの実施の形
態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び
図面はこの発明を限定するものであると理解すべきでは
ない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、
実施例及び運用技術が明らかとなろう。
態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び
図面はこの発明を限定するものであると理解すべきでは
ない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、
実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂封止構造の信頼性が高い弾性表面波装置及びその製
造方法を提供することができる。
樹脂封止構造の信頼性が高い弾性表面波装置及びその製
造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る弾性表面波装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図２（ａ）乃至（ｃ）は、図１に示した弾性表
面波装置の製造方法を示す為の主要な工程断面図である
（その１）。
面波装置の製造方法を示す為の主要な工程断面図である
（その１）。
【図３】図３（ａ）乃至（ｃ）は、図１に示した弾性表
面波装置の製造方法を示す為の主要な工程断面図である
（その２）。
面波装置の製造方法を示す為の主要な工程断面図である
（その２）。
【図４】図４（ａ）は、図３（ｂ）に示す工程断面図の
一部分を拡大した図であり、凸部の配置及び形状、及び
樹脂に加わる圧力の分布を示す。図４（ｂ）は、凸部を
有する金型を使用した場合の、弾性表面波素子上の樹脂
に加わる圧力、弾性表面波素子のない部位の樹脂に加わ
る圧力、及び台座と金型との間に加わるプレス圧につい
てそれらの時間変化を示すグラフである。
一部分を拡大した図であり、凸部の配置及び形状、及び
樹脂に加わる圧力の分布を示す。図４（ｂ）は、凸部を
有する金型を使用した場合の、弾性表面波素子上の樹脂
に加わる圧力、弾性表面波素子のない部位の樹脂に加わ
る圧力、及び台座と金型との間に加わるプレス圧につい
てそれらの時間変化を示すグラフである。
【図５】図５は、図１に示した弾性表面波装置の一部を
拡大した図である。
拡大した図である。
【図６】図６（ａ）は従来技術に係る弾性表面波装置の
製造方法における樹脂封止工程を示す工程断面図であ
る。図６（ｂ）は従来技術に係る弾性表面波装置を示す
断面図である。
製造方法における樹脂封止工程を示す工程断面図であ
る。図６（ｂ）は従来技術に係る弾性表面波装置を示す
断面図である。
【図７】図７（ａ）は、図６（ａ）に示す工程断面図の
一部分を拡大した図であり、樹脂に加わる圧力の分布を
示す。図７（ｂ）は、凸部を有さない従来の金型を使用
した場合の、弾性表面波素子上の樹脂、弾性表面波素子
のない部位の樹脂、及び台座と金型との間にそれぞれ加
わる圧力についてそれらの時間変化を示すグラフであ
る。
一部分を拡大した図であり、樹脂に加わる圧力の分布を
示す。図７（ｂ）は、凸部を有さない従来の金型を使用
した場合の、弾性表面波素子上の樹脂、弾性表面波素子
のない部位の樹脂、及び台座と金型との間にそれぞれ加
わる圧力についてそれらの時間変化を示すグラフであ
る。
１ 圧電性基板
２ 櫛歯電極
３ 突起電極
４ ベース基板
５ 樹脂部
５ａ 第１樹脂部
５ｂ 第２樹脂部
６、７ 上面
８ 弾性表面波素子
９ 多数個取りのベース基板
１０ 間隔
１１ 凸部
１２ 金型
Claims (5)
- 【請求項１】 ベース基板と、 前記ベース基板上に配置された突起電極と、 前記突起電極を介して前記ベース基板上に実装された弾
性表面波素子と、 前記弾性表面波素子上に配置された第１樹脂部と、 前記弾性表面波素子周囲の前記ベース基板上に配置され
た第２樹脂部とを有し、 前記第２樹脂部の上面は前記第１樹脂部の上面よりも前
記ベース基板から見て低いことを特徴とする弾性表面波
装置。 - 【請求項２】 前記ベース基板の外周における前記第２
樹脂部の上面と前記第１樹脂部の上面との前記ベース基
板から見た高低差を１とした場合、前記第１樹脂部の上
面の前記ベース基板から見た高さは１０乃至１５である
ことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記高低差を１とした場合、前記第２樹
脂部の幅は４乃至２０であることを特徴とする請求項２
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 圧電性基板と当該圧電性基板上に配置さ
れた櫛歯電極とを有する弾性表面波素子を複数形成し、 前記複数の弾性表面波素子を多数個取りのベース基板上
に突起電極を介して実装し、 隣接する前記弾性表面波素子の隙間に対応して凸部が形
成された型を用いて、前記複数の弾性表面波素子に樹脂
を押し当て、 前記複数の弾性表面波素子を前記樹脂によって封止し、 前記樹脂及びベース基板を前記弾性表面波素子ごとに個
片化することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記凸部の高さは１０μｍ以上であるこ
とを特徴とする請求項４記載の弾性表面波装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002083712A JP2003283295A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002083712A JP2003283295A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003283295A true JP2003283295A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29231372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002083712A Pending JP2003283295A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003283295A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004032321A1 (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-15 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | 表面実装型ｓａｗデバイスの製造方法 |
| US7261792B2 (en) * | 2002-12-06 | 2007-08-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing piezoelectric component and piezoelectric component |
| US7294533B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-11-13 | Intel Corporation | Mold compound cap in a flip chip multi-matrix array package and process of making same |
| CN100444312C (zh) * | 2005-03-01 | 2008-12-17 | 精工爱普生株式会社 | 电子元件的制造方法、电子元件以及电子仪器 |
| JP2009010942A (ja) * | 2007-05-29 | 2009-01-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電部品及びその製造方法 |
| EP1734654A4 (en) * | 2004-04-08 | 2009-12-23 | Murata Manufacturing Co | SURFACE WAVE FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| JP2013093791A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Kyocera Corp | 電子部品の実装構造体 |
| JPWO2016084417A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2017-08-10 | 京セラ株式会社 | 圧電部品 |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002083712A patent/JP2003283295A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004032321A1 (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-15 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | 表面実装型ｓａｗデバイスの製造方法 |
| US7261792B2 (en) * | 2002-12-06 | 2007-08-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing piezoelectric component and piezoelectric component |
| US7294533B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-11-13 | Intel Corporation | Mold compound cap in a flip chip multi-matrix array package and process of making same |
| US7514300B2 (en) | 2003-06-30 | 2009-04-07 | Intel Corporation | Mold compound cap in a flip chip multi-matrix array package and process of making same |
| EP1734654A4 (en) * | 2004-04-08 | 2009-12-23 | Murata Manufacturing Co | SURFACE WAVE FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| CN100444312C (zh) * | 2005-03-01 | 2008-12-17 | 精工爱普生株式会社 | 电子元件的制造方法、电子元件以及电子仪器 |
| JP2009010942A (ja) * | 2007-05-29 | 2009-01-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電部品及びその製造方法 |
| JP2013093791A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Kyocera Corp | 電子部品の実装構造体 |
| JPWO2016084417A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2017-08-10 | 京セラ株式会社 | 圧電部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7982364B2 (en) | Surface acoustic wave device and method for manufacturing the same | |
| KR100866433B1 (ko) | 탄성파 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| US9628048B2 (en) | Multi-band filter module and electronic device comprising the same | |
| US7230512B1 (en) | Wafer-level surface acoustic wave filter package with temperature-compensating characteristics | |
| CN110635774B (zh) | 表面弹性波元件封装及其制造方法 | |
| JP2002261582A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール | |
| CN101232276A (zh) | 声波器件 | |
| KR20010081032A (ko) | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조방법 | |
| JP2003283295A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| US20050006987A1 (en) | Surface acoustic wave device, package for the device, and method of fabricating the device | |
| JP2004153412A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2003032061A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP4496652B2 (ja) | 弾性表面波装置とその製造方法 | |
| CN118282345A (zh) | 薄膜声表面波谐振器的封装结构及封装方法、射频芯片 | |
| JP2003264442A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び多面取りベース基板 | |
| JP4454410B2 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置 | |
| JP4370615B2 (ja) | 圧電デバイスとその製造方法 | |
| JP2000332572A (ja) | 圧電デバイス | |
| JP4130314B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| KR102295454B1 (ko) | 전자 부품 및 그것을 구비하는 모듈 | |
| JP2003037473A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| CN118074660B (zh) | 晶圆级封装结构 | |
| KR100306630B1 (ko) | 복합 표면 탄성파 필터 | |
| JP5111307B2 (ja) | 共振器、フィルタおよびデュプレクサ、ならびに共振器の製造方法 | |
| JPH05308163A (ja) | 半導体弾性表面波複合装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041214 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070511 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071016 |