JP2003283103A - パターン形成方法および装置並びにデバイスの製造方法およびデバイス - Google Patents
パターン形成方法および装置並びにデバイスの製造方法およびデバイスInfo
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 省資源、省エネルギーを図る。
【解決手段】 洗浄・給液ヘッド22は、洗浄ヘッド部
60と給液ヘッド部70とが一体に形成してある。洗浄
液ヘッド部60は、有機物洗浄ユニット部62と無機物
洗浄ユニット部64とリンスユニット部66と乾燥ユニ
ット部68とを有する。有機物洗浄ユニット部62、無
機物洗浄ユニット部64、リンスユニット部66は、第
1洗浄液74、第2洗浄液80、純水88を、基板10
のパターン形成領域108に選択的に供給して洗浄す
る。乾燥ユニット部68は、リンスされたパターン形成
領域108に加熱空気96を吹き付けてパターン形成領
域108を乾燥する。給液ヘッド部70は、洗浄された
パターン形成領域108に液体パターン材料102を選
択的に供給する。
60と給液ヘッド部70とが一体に形成してある。洗浄
液ヘッド部60は、有機物洗浄ユニット部62と無機物
洗浄ユニット部64とリンスユニット部66と乾燥ユニ
ット部68とを有する。有機物洗浄ユニット部62、無
機物洗浄ユニット部64、リンスユニット部66は、第
1洗浄液74、第2洗浄液80、純水88を、基板10
のパターン形成領域108に選択的に供給して洗浄す
る。乾燥ユニット部68は、リンスされたパターン形成
領域108に加熱空気96を吹き付けてパターン形成領
域108を乾燥する。給液ヘッド部70は、洗浄された
パターン形成領域108に液体パターン材料102を選
択的に供給する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板やガラ
ス基板などにパターンを形成する方法に係り、特に液体
のパターン材料を用いてパターンを形成するのに好適な
パターン形成方法および装置並びにデバイスの製造方法
およびデバイスに関する。
ス基板などにパターンを形成する方法に係り、特に液体
のパターン材料を用いてパターンを形成するのに好適な
パターン形成方法および装置並びにデバイスの製造方法
およびデバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置や液晶パネルなどの電
子デバイスの製造におけるパターン形成は、次のように
して行なわれていた。例えば配線パターンを形成する場
合、まず、半導体基板やガラス基板を洗浄槽に浸漬して
基板の全体を洗浄し、基板の表面に付着している有機物
や無機物の汚れを除去する。その後、基板を純水などの
リンス液によってリンスし、乾燥させる。その後、この
ようにして洗浄、乾燥した基板を成膜装置の真空チャン
バに搬入し、図6(1)に示したように、基板10の表
面にCVDやスパッタリングなどによって金属膜12を
成膜する。次に、金属膜12の表面全体にフォトレジス
トを塗布して乾燥し、レジスト膜14を形成する。
子デバイスの製造におけるパターン形成は、次のように
して行なわれていた。例えば配線パターンを形成する場
合、まず、半導体基板やガラス基板を洗浄槽に浸漬して
基板の全体を洗浄し、基板の表面に付着している有機物
や無機物の汚れを除去する。その後、基板を純水などの
リンス液によってリンスし、乾燥させる。その後、この
ようにして洗浄、乾燥した基板を成膜装置の真空チャン
バに搬入し、図6(1)に示したように、基板10の表
面にCVDやスパッタリングなどによって金属膜12を
成膜する。次に、金属膜12の表面全体にフォトレジス
トを塗布して乾燥し、レジスト膜14を形成する。
【0003】その後、レジスト膜14をフォトリソグラ
フィー法によって露光、現像し、配線パターンを形成す
る部分にのみレジスト膜14を残し、配線パターンを形
成しない部分の金属膜12を露出させる(同図(2)参
照)。次に、基板10をプラズマエッチング装置に搬入
し、レジスト膜14をマスクとして金属膜12をエッチ
ングし、図6(3)に示したように、金属膜12の露出
している部分を除去してレジスト膜14の下部にのみ金
属膜12を残す。さらに、レジスト膜14を真空酸素プ
ラズマなどによってアッシングして除去することによ
り、図20(4)に示したように、金属膜12からなる
配線パターン16が得られる。
フィー法によって露光、現像し、配線パターンを形成す
る部分にのみレジスト膜14を残し、配線パターンを形
成しない部分の金属膜12を露出させる(同図(2)参
照)。次に、基板10をプラズマエッチング装置に搬入
し、レジスト膜14をマスクとして金属膜12をエッチ
ングし、図6(3)に示したように、金属膜12の露出
している部分を除去してレジスト膜14の下部にのみ金
属膜12を残す。さらに、レジスト膜14を真空酸素プ
ラズマなどによってアッシングして除去することによ
り、図20(4)に示したように、金属膜12からなる
配線パターン16が得られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のパターン形成方法においては、基板10に付着してい
る有機物や無機物の汚れを除去する場合、基板10を洗
浄槽内に浸漬して基板全体を洗浄するようにしている。
このため、近年における基板の大型化に伴って洗浄槽や
搬送装置が大型化するとともに、多量の洗浄液、リンス
液を必要とする。また、洗浄は、洗浄効果を高めるた
め、洗浄液を所定の温度に制御して行なっており、多量
の洗浄液を所定の温度に保持するために大きなエネルギ
ーを必要とする。そして、従来のパターン形成方法にお
いては、洗浄、乾燥した基板10を洗浄設備からパター
ン形成設備に移送するため、この移送途中において汚染
されるおそれがあり、これを避けるために清浄な雰囲気
中に基板10を保持して移送しなければならず、手間と
コストがかかる。
のパターン形成方法においては、基板10に付着してい
る有機物や無機物の汚れを除去する場合、基板10を洗
浄槽内に浸漬して基板全体を洗浄するようにしている。
このため、近年における基板の大型化に伴って洗浄槽や
搬送装置が大型化するとともに、多量の洗浄液、リンス
液を必要とする。また、洗浄は、洗浄効果を高めるた
め、洗浄液を所定の温度に制御して行なっており、多量
の洗浄液を所定の温度に保持するために大きなエネルギ
ーを必要とする。そして、従来のパターン形成方法にお
いては、洗浄、乾燥した基板10を洗浄設備からパター
ン形成設備に移送するため、この移送途中において汚染
されるおそれがあり、これを避けるために清浄な雰囲気
中に基板10を保持して移送しなければならず、手間と
コストがかかる。
【0005】さらに、従来のパターン形成方法は、パタ
ーンを形成する場合に、基板10を真空チャンバ内に配
置し、減圧下においてCVDなどによって、基板10の
表面全体に金属膜12や絶縁膜などを形成し、さらにこ
れらの膜をエッチングするためのレジスト膜14を、金
属膜12などの表面全体に形成する必要がある。すなわ
ち、従来のパターン形成方法においては、基板10のパ
ターンを形成しない部分にも金属膜12などを形成して
おり、資源を必要以上に使用する。しかも、従来のパタ
ーン形成は、真空中において成膜やエッチング、アッシ
ングなどを行なうため、高価な真空装置を必要とすると
ともに、多量のエネルギーを消費する。そして、これら
真空装置も、基板10の大型化に伴って大型化し、設備
費用が増大する。
ーンを形成する場合に、基板10を真空チャンバ内に配
置し、減圧下においてCVDなどによって、基板10の
表面全体に金属膜12や絶縁膜などを形成し、さらにこ
れらの膜をエッチングするためのレジスト膜14を、金
属膜12などの表面全体に形成する必要がある。すなわ
ち、従来のパターン形成方法においては、基板10のパ
ターンを形成しない部分にも金属膜12などを形成して
おり、資源を必要以上に使用する。しかも、従来のパタ
ーン形成は、真空中において成膜やエッチング、アッシ
ングなどを行なうため、高価な真空装置を必要とすると
ともに、多量のエネルギーを消費する。そして、これら
真空装置も、基板10の大型化に伴って大型化し、設備
費用が増大する。
【0006】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、省資源、省エネルギーを図るこ
とを目的としている。また、本発明は、洗浄した基板に
対して直ちにパターン形成用の成膜ができるようにする
ことを目的としている。
ためになされたもので、省資源、省エネルギーを図るこ
とを目的としている。また、本発明は、洗浄した基板に
対して直ちにパターン形成用の成膜ができるようにする
ことを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、液体吐出手段
に形成された第1のノズル群により基板のパターン形成
領域を洗浄する洗浄工程と、洗浄した前記パターン形成
領域に前記液体吐出手段に形成された第2のノズル群に
より液体パターン材料を吐出してパターンを形成するパ
ターン形成工程と、を有することを特徴としている。
に形成された第1のノズル群により基板のパターン形成
領域を洗浄する洗浄工程と、洗浄した前記パターン形成
領域に前記液体吐出手段に形成された第2のノズル群に
より液体パターン材料を吐出してパターンを形成するパ
ターン形成工程と、を有することを特徴としている。
【0008】このようになっている本発明は、基板のパ
ターンを形成する部分だけを洗浄するようにしているた
め、洗浄剤の使用量を大幅に削減することができ、省資
源化が図れる。また、基板の一部を選択的に洗浄するた
め、大きな洗浄槽などを必要とせず、洗浄設備を小型に
できるとともに、省エネルギーを図ることができる。さ
らに、本発明は、液体パターン材料をパターン形成領域
に供給してパターンを形成するため、高価なパターン材
料の使用量を削減することができて省資源化を図ること
ができる。しかも、真空設備を使用しないため、設備費
用の節減を使用エネルギーの低減とを図ることができ
る。
ターンを形成する部分だけを洗浄するようにしているた
め、洗浄剤の使用量を大幅に削減することができ、省資
源化が図れる。また、基板の一部を選択的に洗浄するた
め、大きな洗浄槽などを必要とせず、洗浄設備を小型に
できるとともに、省エネルギーを図ることができる。さ
らに、本発明は、液体パターン材料をパターン形成領域
に供給してパターンを形成するため、高価なパターン材
料の使用量を削減することができて省資源化を図ること
ができる。しかも、真空設備を使用しないため、設備費
用の節減を使用エネルギーの低減とを図ることができ
る。
【0009】基板は、パターン形成領域以外の部分を撥
液処理することが望ましい。パターン形成領域以外の部
分を撥液処理することにより、液体パターン材料がパタ
ーン形成領域以外の部分に付着するのを防止することが
でき、パターンの形状を良好にすることができるととも
に、余分な付着物を除去するような工程を省くことがで
きる。そして、撥液処理は、基板の表面に撥液膜を形成
して行なうことができる。撥液膜を形成することによ
り、基板に材質を問わずに撥液処理を確実に行なうこと
ができる。
液処理することが望ましい。パターン形成領域以外の部
分を撥液処理することにより、液体パターン材料がパタ
ーン形成領域以外の部分に付着するのを防止することが
でき、パターンの形状を良好にすることができるととも
に、余分な付着物を除去するような工程を省くことがで
きる。そして、撥液処理は、基板の表面に撥液膜を形成
して行なうことができる。撥液膜を形成することによ
り、基板に材質を問わずに撥液処理を確実に行なうこと
ができる。
【0010】また、本発明に係るパターン形成方法は、
基板のパターン形成面の全体に撥液膜を形成する工程
と、前記基板のパターン形成領域に対応した部分の前記
撥液膜を除去する工程と、液体吐出手段に形成された第
1のノズル群により前記パターン形成領域を洗浄する洗
浄工程と、洗浄した前記パターン形成領域に前記液体吐
出手段に形成された第2のノズル群により液体パターン
材料を吐出してパターンを形成するパターン形成工程
と、を有することを特徴としている。
基板のパターン形成面の全体に撥液膜を形成する工程
と、前記基板のパターン形成領域に対応した部分の前記
撥液膜を除去する工程と、液体吐出手段に形成された第
1のノズル群により前記パターン形成領域を洗浄する洗
浄工程と、洗浄した前記パターン形成領域に前記液体吐
出手段に形成された第2のノズル群により液体パターン
材料を吐出してパターンを形成するパターン形成工程
と、を有することを特徴としている。
【0011】このようになっている本発明は、基板のパ
ターン形成領域のみを選択的に洗浄し、液体パターン剤
を供給するようになっているため、前記と同様に省資源
化と省エネルギー化とを図ることができる。また、この
発明によれば、第1のノズル群によってパターン形成領
域を洗浄した直後に、第2のノズル群によってパターン
形成領域に液体パターン材料を供給してパターンを形成
するため、洗浄した基板に対して直ちにパターン形成用
の成膜を行なえ、洗浄後の基板が汚染されるおそれがな
い。しかも、撥液膜を形成してパターン形成領域に対応
した部分の撥液性膜を除去しているため、パターン形成
領域以外に部分に液体パターン材料が付着するのを防止
することができ、パターンの形状精度を良好にすること
ができる。
ターン形成領域のみを選択的に洗浄し、液体パターン剤
を供給するようになっているため、前記と同様に省資源
化と省エネルギー化とを図ることができる。また、この
発明によれば、第1のノズル群によってパターン形成領
域を洗浄した直後に、第2のノズル群によってパターン
形成領域に液体パターン材料を供給してパターンを形成
するため、洗浄した基板に対して直ちにパターン形成用
の成膜を行なえ、洗浄後の基板が汚染されるおそれがな
い。しかも、撥液膜を形成してパターン形成領域に対応
した部分の撥液性膜を除去しているため、パターン形成
領域以外に部分に液体パターン材料が付着するのを防止
することができ、パターンの形状精度を良好にすること
ができる。
【0012】洗浄と液体パターン材料の供給とを連続的
に行なうようにするとよい。パターン形成領域を洗浄し
たのち、連続的に直ちに液体洗浄剤を供給するようにす
ると、洗浄した部分が空気中に浮遊する塵埃などによっ
て汚染されることがなく、洗浄した基板の汚染を防ぐた
めに手間や管理を省くことができる。また、洗浄は、洗
浄剤供給工程とリンス液供給工程と乾燥工程とを行なう
ようにする。洗浄におけるこれらの工程を行なうことに
より、基板に付着した汚染物質などの不要な付着物を確
実に除去することができ、良好なパターンを形成するこ
とができる。
に行なうようにするとよい。パターン形成領域を洗浄し
たのち、連続的に直ちに液体洗浄剤を供給するようにす
ると、洗浄した部分が空気中に浮遊する塵埃などによっ
て汚染されることがなく、洗浄した基板の汚染を防ぐた
めに手間や管理を省くことができる。また、洗浄は、洗
浄剤供給工程とリンス液供給工程と乾燥工程とを行なう
ようにする。洗浄におけるこれらの工程を行なうことに
より、基板に付着した汚染物質などの不要な付着物を確
実に除去することができ、良好なパターンを形成するこ
とができる。
【0013】洗浄剤供給工程と前記リンス液供給工程と
は、パターン形成領域に供給した洗浄剤とリンス液とを
吸引しつつ行なうとよい。これにより、パターン形成領
域のみを選択的に、容易、確実に洗浄することができ
る。そして、乾燥工程は、パターン形成領域に加熱気体
を吹き付けて行なってよい。加熱空気などの加熱気体を
吹き付けて乾燥を行なうと、複雑、価な装置を必要とせ
ず取り扱いが容易で比較的安全に乾燥を行なうことがで
きる。
は、パターン形成領域に供給した洗浄剤とリンス液とを
吸引しつつ行なうとよい。これにより、パターン形成領
域のみを選択的に、容易、確実に洗浄することができ
る。そして、乾燥工程は、パターン形成領域に加熱気体
を吹き付けて行なってよい。加熱空気などの加熱気体を
吹き付けて乾燥を行なうと、複雑、価な装置を必要とせ
ず取り扱いが容易で比較的安全に乾燥を行なうことがで
きる。
【0014】そして、上記のパターン形成方法を実施す
る本発明に係るパターン形成装置は、基板のパターン形
成領域を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段が洗浄した
前記パターン形成領域にパターン材料を供給するパター
ン材料供給手段とを有し、前記洗浄手段は、前記パター
ン形成領域に洗浄剤を供給する洗浄剤供給部と、前記洗
浄剤供給部の近傍に設けられ前記パターン形成領域に供
給された洗浄剤を吸引する洗浄剤吸引部とを備えた洗浄
ユニットと、前記洗浄剤によって洗浄された前記パター
ン形成領域にリンス液を供給するリンス液供給部と、前
記リンス液供給部の近傍に設けられ前記パターン形成領
域に供給されたリンス液を吸引するリンス液吸引部とを
備えたリンスユニットと、前記パターン形成領域を乾燥
させる乾燥ユニットとを有している、ことを特徴として
いる。
る本発明に係るパターン形成装置は、基板のパターン形
成領域を洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段が洗浄した
前記パターン形成領域にパターン材料を供給するパター
ン材料供給手段とを有し、前記洗浄手段は、前記パター
ン形成領域に洗浄剤を供給する洗浄剤供給部と、前記洗
浄剤供給部の近傍に設けられ前記パターン形成領域に供
給された洗浄剤を吸引する洗浄剤吸引部とを備えた洗浄
ユニットと、前記洗浄剤によって洗浄された前記パター
ン形成領域にリンス液を供給するリンス液供給部と、前
記リンス液供給部の近傍に設けられ前記パターン形成領
域に供給されたリンス液を吸引するリンス液吸引部とを
備えたリンスユニットと、前記パターン形成領域を乾燥
させる乾燥ユニットとを有している、ことを特徴として
いる。
【0015】このようになっている本発明は、基板の洗
浄を必要とするパターン形成領域のみを選択的に洗浄す
ることができるとともに、パターン形成領域に選択的に
液体パターン材料を供給することができ、省資源、省エ
ネルギーを図ることができる。また、液体パターン材料
によってパターンを形成するため、高価な真空装置を用
いる必要がなく、設備の小型化にでき、省エネルギーを
図ることができる。
浄を必要とするパターン形成領域のみを選択的に洗浄す
ることができるとともに、パターン形成領域に選択的に
液体パターン材料を供給することができ、省資源、省エ
ネルギーを図ることができる。また、液体パターン材料
によってパターンを形成するため、高価な真空装置を用
いる必要がなく、設備の小型化にでき、省エネルギーを
図ることができる。
【0016】パターン形成装置は、制御手段を設けて洗
浄手段と前記パターン材料供給手段とに接続し、制御手
段がパターンを形成すべきパターン形成領域の位置情報
に基づいて、洗浄手段と前記パターン材料供給手段とを
制御するようにできる。これにより、例えば回路素子な
どを形成する途中において、不良となった回路素子が生
じた場合に、その素子に対応してパターン形成領域の洗
浄および液体パターン材料の供給を停止することがで
き、不要な部分の洗浄、液体パターン材料の供給が避け
られてより省資源化を図ることができる。
浄手段と前記パターン材料供給手段とに接続し、制御手
段がパターンを形成すべきパターン形成領域の位置情報
に基づいて、洗浄手段と前記パターン材料供給手段とを
制御するようにできる。これにより、例えば回路素子な
どを形成する途中において、不良となった回路素子が生
じた場合に、その素子に対応してパターン形成領域の洗
浄および液体パターン材料の供給を停止することがで
き、不要な部分の洗浄、液体パターン材料の供給が避け
られてより省資源化を図ることができる。
【0017】洗浄手段と前記パターン材料供給手段とを
一体に形成すると、パターン形成領域の洗浄が完了する
と直ちに液体状パターン材料を供給することができ、洗
浄した部分の空気中の塵埃などによる汚染を防止するこ
とができる。
一体に形成すると、パターン形成領域の洗浄が完了する
と直ちに液体状パターン材料を供給することができ、洗
浄した部分の空気中の塵埃などによる汚染を防止するこ
とができる。
【0018】洗浄ユニットは、それぞれが洗浄剤供給部
と洗浄剤吸引部とを備えた有機物を除去する有機物洗浄
ユニット部と、無機物を除去する無機物洗浄ユニット部
とを有するように構成してよい。これにより、パターン
形成領域を選択的に容易、確実に洗浄することができる
とともに、パターン形成領域の汚染物質である有機物と
無機物とを確実に除去することができる。
と洗浄剤吸引部とを備えた有機物を除去する有機物洗浄
ユニット部と、無機物を除去する無機物洗浄ユニット部
とを有するように構成してよい。これにより、パターン
形成領域を選択的に容易、確実に洗浄することができる
とともに、パターン形成領域の汚染物質である有機物と
無機物とを確実に除去することができる。
【0019】また、洗浄剤供給部は、反応性ガスを吐出
するガスノズルと、反応性ガスを溶解可能な液体を吐出
する液体ノズルとを有する構成してよい。反応性ガス
と、このガスを溶解する液体とを別々に供給することに
より、洗浄剤供給部が洗浄剤によって腐食したりするの
を避けることができる。そして、乾燥ユニットは、パタ
ーン形成領域に加熱気体を吹き付ける加熱気体吹出し口
を有するようにしてよい。これにより、洗浄、リンスし
たパターン形成領域を容易に乾燥することができる。
するガスノズルと、反応性ガスを溶解可能な液体を吐出
する液体ノズルとを有する構成してよい。反応性ガス
と、このガスを溶解する液体とを別々に供給することに
より、洗浄剤供給部が洗浄剤によって腐食したりするの
を避けることができる。そして、乾燥ユニットは、パタ
ーン形成領域に加熱気体を吹き付ける加熱気体吹出し口
を有するようにしてよい。これにより、洗浄、リンスし
たパターン形成領域を容易に乾燥することができる。
【0020】本発明に係るデバイスの製造方法は、上記
したパターン形成方法のいずれかを用いて、前記所定パ
ターンが形成される領域の不要物を洗浄除去し、前記所
定パターンを形成する工程を有することを特徴としてい
る。これにより、デバイスの製造工程におけるパター形
成の際の省資源、省エネルギーがなかれ、デバイスの製
造コストを低減することができる。
したパターン形成方法のいずれかを用いて、前記所定パ
ターンが形成される領域の不要物を洗浄除去し、前記所
定パターンを形成する工程を有することを特徴としてい
る。これにより、デバイスの製造工程におけるパター形
成の際の省資源、省エネルギーがなかれ、デバイスの製
造コストを低減することができる。
【0021】そして、本発明に係るデバイスは、上記し
たパターン形成方法のいずれかを用いて製造されたこと
を特徴としている。これのより、デバイスのコスト低減
が図れ、安価なデバイスを提供することができる。
たパターン形成方法のいずれかを用いて製造されたこと
を特徴としている。これのより、デバイスのコスト低減
が図れ、安価なデバイスを提供することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】本発明に係るパターン形成方法お
よび装置並びにデバイスの製造方法およびデバイスの好
ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明す
る。図2は、本発明の第1実施の形態に係るパターン形
成装置の要部を下方から見た斜視図である。図2におい
て、パターン形成装置20は、詳細を後述する洗浄・給
液ヘッド22を備えている。洗浄・給液ヘッド22は、
いわゆるXYテーブル24に搭載してあって、本図に図
示しない半導体基板やガラス基板などの基板面に沿って
移動可能となっている。
よび装置並びにデバイスの製造方法およびデバイスの好
ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明す
る。図2は、本発明の第1実施の形態に係るパターン形
成装置の要部を下方から見た斜視図である。図2におい
て、パターン形成装置20は、詳細を後述する洗浄・給
液ヘッド22を備えている。洗浄・給液ヘッド22は、
いわゆるXYテーブル24に搭載してあって、本図に図
示しない半導体基板やガラス基板などの基板面に沿って
移動可能となっている。
【0023】XYテーブル24は、Xテーブル26とこ
のXテーブル26を搭載したYテーブル28とからなっ
ている。Xテーブル26には、洗浄・給液ヘッド部22
が固定してあるとともに、洗浄液(洗浄剤)やリンス液
などを貯溜した貯液部(図示せず)が搭載してある。一
方、Yテーブル28は、図示しないZテーブルに搭載さ
れていて、Zテーブルと一体にYテーブル28の面に直
交した上下方向に移動可能となっている。そして、Yテ
ーブル28は、一端に設けたナット部30がボールねじ
32と螺合している。
のXテーブル26を搭載したYテーブル28とからなっ
ている。Xテーブル26には、洗浄・給液ヘッド部22
が固定してあるとともに、洗浄液(洗浄剤)やリンス液
などを貯溜した貯液部(図示せず)が搭載してある。一
方、Yテーブル28は、図示しないZテーブルに搭載さ
れていて、Zテーブルと一体にYテーブル28の面に直
交した上下方向に移動可能となっている。そして、Yテ
ーブル28は、一端に設けたナット部30がボールねじ
32と螺合している。
【0024】このボールねじ32は、Y方向に延在して
いて、一端がZテーブルに設けたブラケット(図示せ
ず)に回転自在に支持してある。また、ボールねじ32
の他端は、Zテーブルに配設したYサーボモータ34に
接続してある。また、Yテーブル28の他端側は、Zテ
ーブルに設けたガイドバー36が滑動自在に貫通してい
る。このガイドバー36は、ボールねじ32と平行に配
置してある。従って、Yテーブル28は、Yサーボモー
タ34を駆動してボールねじ32を回転させると、ボー
ルねじ32に沿ってY方向に移動する。
いて、一端がZテーブルに設けたブラケット(図示せ
ず)に回転自在に支持してある。また、ボールねじ32
の他端は、Zテーブルに配設したYサーボモータ34に
接続してある。また、Yテーブル28の他端側は、Zテ
ーブルに設けたガイドバー36が滑動自在に貫通してい
る。このガイドバー36は、ボールねじ32と平行に配
置してある。従って、Yテーブル28は、Yサーボモー
タ34を駆動してボールねじ32を回転させると、ボー
ルねじ32に沿ってY方向に移動する。
【0025】Yテーブル28には、ボールねじ32と直
交したX方向にボールねじ38が配設してある。このボ
ールねじ38は、Xテーブル26の一側部が螺合させて
あるとともに、一端がYテーブル28に取り付けた軸受
40を介して回転自在に支持され、他端がYテーブル2
8に取り付けたXサーボモータ42に接続してある。こ
のXサーボモータ42は、Yサーボモータ34、Xテー
ブル26、Yテーブル28などとともに洗浄・給液ヘッ
ド22を基板の面に沿って移動させる移動手段を構成し
ている。
交したX方向にボールねじ38が配設してある。このボ
ールねじ38は、Xテーブル26の一側部が螺合させて
あるとともに、一端がYテーブル28に取り付けた軸受
40を介して回転自在に支持され、他端がYテーブル2
8に取り付けたXサーボモータ42に接続してある。こ
のXサーボモータ42は、Yサーボモータ34、Xテー
ブル26、Yテーブル28などとともに洗浄・給液ヘッ
ド22を基板の面に沿って移動させる移動手段を構成し
ている。
【0026】また、Yテーブル28には、ブラケット4
4、46を介してガイドバー48がボールねじ38と平
行に設けてある。そして、ガイドバー48は、Xテーブ
ル26の一側部を滑動自在に貫通しており、Xテーブル
26の回転を阻止してXテーブル26をX方向に案内す
る。従って、Xテーブル26は、Xサーボモータ42を
駆動してボールねじ38を回転させると、ボールねじ3
8に沿ってX方向に移動する。
4、46を介してガイドバー48がボールねじ38と平
行に設けてある。そして、ガイドバー48は、Xテーブ
ル26の一側部を滑動自在に貫通しており、Xテーブル
26の回転を阻止してXテーブル26をX方向に案内す
る。従って、Xテーブル26は、Xサーボモータ42を
駆動してボールねじ38を回転させると、ボールねじ3
8に沿ってX方向に移動する。
【0027】Yサーボモータ34、Xサーボモータ42
および洗浄・給液ヘッド22は、制御手段であるコント
ローラ50に接続してあって、コントローラ50によっ
て駆動制御される。また、コントローラ50には、洗浄
する部分の位置を記憶しているパターン形成位置記憶部
52が接続してある。そして、コントローラ50は、パ
ターン形成位置記憶部52に記憶されているパター形成
位置のデータを読み出し、洗浄・給液ヘッド22を基板
面に沿って移動させるとともに、洗浄・給液ヘッド22
の動作を制御して基板の所定部分を選択的に洗浄し、液
体パターン材料を供給する。
および洗浄・給液ヘッド22は、制御手段であるコント
ローラ50に接続してあって、コントローラ50によっ
て駆動制御される。また、コントローラ50には、洗浄
する部分の位置を記憶しているパターン形成位置記憶部
52が接続してある。そして、コントローラ50は、パ
ターン形成位置記憶部52に記憶されているパター形成
位置のデータを読み出し、洗浄・給液ヘッド22を基板
面に沿って移動させるとともに、洗浄・給液ヘッド22
の動作を制御して基板の所定部分を選択的に洗浄し、液
体パターン材料を供給する。
【0028】洗浄・給液ヘッド22は、図3に示したよ
うに、洗浄手段である複数の洗浄ヘッド部60(60a
〜60n)を有している。これらの洗浄ヘッド部60
は、実施形態の場合、Y方向に沿って一定間隔をもって
配設してある。なお、図3には、6つの洗浄ヘッド部を
備えている洗浄・給液ヘッド22が示してあるが、洗浄
ヘッド部60の数はこれに限定されるものではない。
うに、洗浄手段である複数の洗浄ヘッド部60(60a
〜60n)を有している。これらの洗浄ヘッド部60
は、実施形態の場合、Y方向に沿って一定間隔をもって
配設してある。なお、図3には、6つの洗浄ヘッド部を
備えている洗浄・給液ヘッド22が示してあるが、洗浄
ヘッド部60の数はこれに限定されるものではない。
【0029】各洗浄ヘッド部60は、それぞれ詳細を後
述する有機物洗浄ユニット部62(62a〜62n)、
無機物洗浄ユニット部64(64a〜64n)、リンス
ユニット部66(66a〜66n)、および乾燥ユニッ
ト部68を有している。そして、これらの有機物洗浄ユ
ニット部62、無機物洗浄ユニット部64、リンスユニ
ット部56は、図3の矢印58に示したように、洗浄・
給液ヘッド22による洗浄時の移動方向となるX方向に
沿って、この順に直線状に配置してある。また、洗浄・
給液ヘッド22は、洗浄ヘッド部60の後方側に、すな
わち乾燥ユニット部68の後方側にパターン材供給手段
である給液ヘッド部70(70a〜70n)が一体に、
各洗浄ヘッド部60に対応して設けてある。
述する有機物洗浄ユニット部62(62a〜62n)、
無機物洗浄ユニット部64(64a〜64n)、リンス
ユニット部66(66a〜66n)、および乾燥ユニッ
ト部68を有している。そして、これらの有機物洗浄ユ
ニット部62、無機物洗浄ユニット部64、リンスユニ
ット部56は、図3の矢印58に示したように、洗浄・
給液ヘッド22による洗浄時の移動方向となるX方向に
沿って、この順に直線状に配置してある。また、洗浄・
給液ヘッド22は、洗浄ヘッド部60の後方側に、すな
わち乾燥ユニット部68の後方側にパターン材供給手段
である給液ヘッド部70(70a〜70n)が一体に、
各洗浄ヘッド部60に対応して設けてある。
【0030】洗浄・給液ヘッド22の有機物洗浄ユニッ
ト部62、無機物洗浄ユニット部64、リンスユニット
部66、乾燥ユニット部68、および給液ヘッド部70
は、図1のようになっている。すなわち、有機物洗浄ユ
ニット部62、無機物洗浄ユニット部64およびリンス
ユニット部66は、いずれも先端部が二重管構造となっ
ている。そして、有機物洗浄ユニット部62は、洗浄剤
供給部となる第1洗浄液ノズル72が設けてあって、こ
の第1洗浄液ノズル72から有機物を除去可能な有機物
剥離液やオゾン水などの第1洗浄液(洗浄剤)74を微
粒子76として吐出し、基板10のパターン形成領域1
08に第1洗浄液74を選択的に供給できるようになっ
ている。また、有機物洗浄ユニット部62は、第1洗浄
液ノズル72の周囲に第1吸引口(洗浄剤吸引部)78
が設けてある。この第1吸引口78は、第1洗浄液ノズ
ル72を介してパター形成領域108の表面に吹き付け
られた第1洗浄液74と、基板10の表面に存在する有
機物との反応生成物や、基板10の面から蒸散する第1
洗浄液74を吸引するようになっている。
ト部62、無機物洗浄ユニット部64、リンスユニット
部66、乾燥ユニット部68、および給液ヘッド部70
は、図1のようになっている。すなわち、有機物洗浄ユ
ニット部62、無機物洗浄ユニット部64およびリンス
ユニット部66は、いずれも先端部が二重管構造となっ
ている。そして、有機物洗浄ユニット部62は、洗浄剤
供給部となる第1洗浄液ノズル72が設けてあって、こ
の第1洗浄液ノズル72から有機物を除去可能な有機物
剥離液やオゾン水などの第1洗浄液(洗浄剤)74を微
粒子76として吐出し、基板10のパターン形成領域1
08に第1洗浄液74を選択的に供給できるようになっ
ている。また、有機物洗浄ユニット部62は、第1洗浄
液ノズル72の周囲に第1吸引口(洗浄剤吸引部)78
が設けてある。この第1吸引口78は、第1洗浄液ノズ
ル72を介してパター形成領域108の表面に吹き付け
られた第1洗浄液74と、基板10の表面に存在する有
機物との反応生成物や、基板10の面から蒸散する第1
洗浄液74を吸引するようになっている。
【0031】無機物洗浄ユニット部64は、例えばフッ
酸水溶液などの第2洗浄液(洗浄剤)80を吐出する第
2洗浄液ノズル(洗浄剤供給部)82を備えていて、第
2洗浄液80の微粒子84を基板10のパターン形成領
域108に吹き付けて供給する。そして、無機物洗浄ユ
ニット部64は、洗浄剤吸引部である第2吸引口86が
第2洗浄液ノズル82の周囲に開口していて、基板10
の表面に存在する無機物と第2洗浄液80との反応生成
物や、基板10の表面で蒸発した第2洗浄液80の蒸気
などを吸引するようになっている。
酸水溶液などの第2洗浄液(洗浄剤)80を吐出する第
2洗浄液ノズル(洗浄剤供給部)82を備えていて、第
2洗浄液80の微粒子84を基板10のパターン形成領
域108に吹き付けて供給する。そして、無機物洗浄ユ
ニット部64は、洗浄剤吸引部である第2吸引口86が
第2洗浄液ノズル82の周囲に開口していて、基板10
の表面に存在する無機物と第2洗浄液80との反応生成
物や、基板10の表面で蒸発した第2洗浄液80の蒸気
などを吸引するようになっている。
【0032】リンスユニット部66は、リンス液である
純水88を吐出するリンス液ノズル(リンス液供給部)
90を有し、純水88の微粒子92を基板10のパター
ン形成領域108の表面に供給する。そして、リンス液
ノズル90の周囲には、第3吸引口(リンス液吸引部)
94が設けてあって、基板10の表面において蒸発した
純水88の蒸気を吸引できるようにしてある。
純水88を吐出するリンス液ノズル(リンス液供給部)
90を有し、純水88の微粒子92を基板10のパター
ン形成領域108の表面に供給する。そして、リンス液
ノズル90の周囲には、第3吸引口(リンス液吸引部)
94が設けてあって、基板10の表面において蒸発した
純水88の蒸気を吸引できるようにしてある。
【0033】なお、第1洗浄液74、第2洗浄液80お
よび純水88を第1洗浄液ノズル72、第2洗浄液ノズ
ル82、リンス液ノズル90から微粒子76、84、9
2として吐出する液体吐出機構は、実施形態の場合、イ
ンクジェットプリンタのプリンタヘッドと同様に形成し
てあって、ピエゾ素子などによって一定量の微粒子7
6、84、92を吐出可能な定量吐出機構となってい
る。そして、各ノズル72、82、90から吐出される
微粒子76、84、92は、実施形態の場合、直径が1
0〜100μm程度となっていて、容易に蒸発させるこ
とができるようにしてある。
よび純水88を第1洗浄液ノズル72、第2洗浄液ノズ
ル82、リンス液ノズル90から微粒子76、84、9
2として吐出する液体吐出機構は、実施形態の場合、イ
ンクジェットプリンタのプリンタヘッドと同様に形成し
てあって、ピエゾ素子などによって一定量の微粒子7
6、84、92を吐出可能な定量吐出機構となってい
る。そして、各ノズル72、82、90から吐出される
微粒子76、84、92は、実施形態の場合、直径が1
0〜100μm程度となっていて、容易に蒸発させるこ
とができるようにしてある。
【0034】乾燥ユニット部68は、加熱気体である加
熱空気96を基板10に吹き付ける熱風吹出し口(加熱
気体吹出し口)98を有する。熱風吹出し口98は、基
板10の純粋88が供給されたパターン形成領域108
に加熱空気96を吹き付け、純水88の蒸発を促進して
パターン形成領域108の表面を乾燥させる。そして、
熱風吹出し口98は、図3に示したように、実施形態の
場合、長辺がY方向に沿った矩形状に形成してあって、
各洗浄ヘッド部60を設けた範囲を覆う長さに形成して
ある。そして、熱風吹出し口98の両側には、熱風吹出
し口98から吹き出された加熱空気96を吸引する気体
吸引口100が設けてある。
熱空気96を基板10に吹き付ける熱風吹出し口(加熱
気体吹出し口)98を有する。熱風吹出し口98は、基
板10の純粋88が供給されたパターン形成領域108
に加熱空気96を吹き付け、純水88の蒸発を促進して
パターン形成領域108の表面を乾燥させる。そして、
熱風吹出し口98は、図3に示したように、実施形態の
場合、長辺がY方向に沿った矩形状に形成してあって、
各洗浄ヘッド部60を設けた範囲を覆う長さに形成して
ある。そして、熱風吹出し口98の両側には、熱風吹出
し口98から吹き出された加熱空気96を吸引する気体
吸引口100が設けてある。
【0035】給液ヘッド部70は、液体パターン材料1
02を吐出するパターン材ノズル104を有していて、
液体パターン材料102を微粒子106にして吐出し、
洗浄ヘッド部60によって洗浄した基板10のパターン
形成領域108に選択的に供給できるようになってい
る。この給液ヘッド部70による液体パターン材料10
2の吐出機構は、洗浄ヘッド部60と同様に、インクジ
ェットプリンタのプリンタヘッドと同様の定量吐出機構
となっている。そして、基板10が配置される処理ステ
ージ110は、加熱手段であるヒータ112を内蔵して
いて、基板10を所定の温度(例えば30℃〜60℃)
に加熱して洗浄液74,80による除去反応を促進する
とともに、基板10の表面に残存する洗浄液74、80
や純水88の蒸発が速やかに行なわれるようにしてい
る。なお、本発明で用いられる液体には、金属等の微粒
子を含む液状体も含まれる。
02を吐出するパターン材ノズル104を有していて、
液体パターン材料102を微粒子106にして吐出し、
洗浄ヘッド部60によって洗浄した基板10のパターン
形成領域108に選択的に供給できるようになってい
る。この給液ヘッド部70による液体パターン材料10
2の吐出機構は、洗浄ヘッド部60と同様に、インクジ
ェットプリンタのプリンタヘッドと同様の定量吐出機構
となっている。そして、基板10が配置される処理ステ
ージ110は、加熱手段であるヒータ112を内蔵して
いて、基板10を所定の温度(例えば30℃〜60℃)
に加熱して洗浄液74,80による除去反応を促進する
とともに、基板10の表面に残存する洗浄液74、80
や純水88の蒸発が速やかに行なわれるようにしてい
る。なお、本発明で用いられる液体には、金属等の微粒
子を含む液状体も含まれる。
【0036】図1において、基板10の上面に複数のパ
ターン形成領域108が設けてあって、その周囲が撥液
処理してある。実施形態の場合、撥液処理は、基板10
の表面に形成した撥液性のフッ素樹脂膜114によって
行われている。そして、このフッ素樹脂膜114は、実
施形態の場合、図4に示したような成膜装置によって形
成している。
ターン形成領域108が設けてあって、その周囲が撥液
処理してある。実施形態の場合、撥液処理は、基板10
の表面に形成した撥液性のフッ素樹脂膜114によって
行われている。そして、このフッ素樹脂膜114は、実
施形態の場合、図4に示したような成膜装置によって形
成している。
【0037】図4において、成膜装置120は、成膜処
理室122を有し、成膜処理室122内に設けた成膜ス
テージ124の上に、半導体基板やガラス基板などの基
板10を配置するようにしてある。また、成膜処理室1
22は、成膜ステージ124の上方に、高周波電源12
6に接続した高周波電極128が配設してある。そし
て、成膜ステージ124は、接地電極となっていて、成
膜ステージ124と高周波電極128との間に高周波電
圧が印加されるようになっている。また、成膜ステージ
124は、水冷コイルなどの冷却部(図示せず)を有して
いて、上面に配置した基板10を冷却してフッ素樹脂膜
114の重合を促進するようにしてある。
理室122を有し、成膜処理室122内に設けた成膜ス
テージ124の上に、半導体基板やガラス基板などの基
板10を配置するようにしてある。また、成膜処理室1
22は、成膜ステージ124の上方に、高周波電源12
6に接続した高周波電極128が配設してある。そし
て、成膜ステージ124は、接地電極となっていて、成
膜ステージ124と高周波電極128との間に高周波電
圧が印加されるようになっている。また、成膜ステージ
124は、水冷コイルなどの冷却部(図示せず)を有して
いて、上面に配置した基板10を冷却してフッ素樹脂膜
114の重合を促進するようにしてある。
【0038】成膜処理室122は、真空ポンプ130が
排気管132を介して接続してあって、内部を減圧でき
るようにしてある。また、成膜処理室122には、流量
制御弁134を備えた供給配管136を介して、成膜原
料供給部138が接続してある。この成膜原料供給部1
38は、C4F10やC8F18などの直鎖状PFCからなる
液体フッ素化合物140を貯溜する容器142を有して
いる。そして、容器142には、ヒータ144が設けて
あって、液体フッ素化合物140を加熱して気化できる
ようになっている。また、供給配管136の流量制御弁
134の下流側には、流量制御弁146を備えたキャリ
ア配管148を介して、キャリアガス供給部150が接
続してある。キャリアガスには、窒素やアルゴンなどの
不活性なガスを使用する。特に、容易に放電させること
ができるアルゴンが望ましい。
排気管132を介して接続してあって、内部を減圧でき
るようにしてある。また、成膜処理室122には、流量
制御弁134を備えた供給配管136を介して、成膜原
料供給部138が接続してある。この成膜原料供給部1
38は、C4F10やC8F18などの直鎖状PFCからなる
液体フッ素化合物140を貯溜する容器142を有して
いる。そして、容器142には、ヒータ144が設けて
あって、液体フッ素化合物140を加熱して気化できる
ようになっている。また、供給配管136の流量制御弁
134の下流側には、流量制御弁146を備えたキャリ
ア配管148を介して、キャリアガス供給部150が接
続してある。キャリアガスには、窒素やアルゴンなどの
不活性なガスを使用する。特に、容易に放電させること
ができるアルゴンが望ましい。
【0039】この成膜装置120によってフッ素樹脂膜
114を成膜する場合、基板10を成膜ステージ124
の上に配置する。その後、真空ポンプ130によって成
膜処理室122内を減圧し、成膜処理室122に液体フ
ッ素化合物140の蒸気をキャリアガスとともに導入す
る。そして、高周波電源126によって高周波電極12
8と成膜ステージ124との間に高周波電圧を印加し、
気体放電を発生させて液体フッ素化合物140の蒸気を
イオン化する。イオン化された液体フッ素化合物140
は、基板10の表面において重合し、撥液性のフッ素樹
脂114となる。
114を成膜する場合、基板10を成膜ステージ124
の上に配置する。その後、真空ポンプ130によって成
膜処理室122内を減圧し、成膜処理室122に液体フ
ッ素化合物140の蒸気をキャリアガスとともに導入す
る。そして、高周波電源126によって高周波電極12
8と成膜ステージ124との間に高周波電圧を印加し、
気体放電を発生させて液体フッ素化合物140の蒸気を
イオン化する。イオン化された液体フッ素化合物140
は、基板10の表面において重合し、撥液性のフッ素樹
脂114となる。
【0040】このようになっている実施形態のパターン
形成装置20によるパターンの形成は、次のようにして
行なう。まず、図4に示した成膜装置120によって、
上記したように、基板10のパターンを形成する面の全
体にフッ素樹脂膜114を形成する。その後、基板10
のパターンを形成する領域に対応した部分が開口してい
る図示しないマスクを、フッ素樹脂膜114の上面また
は上方に配置する。そして、このマスクを介してフッ素
樹脂膜114に紫外線を照射する。これにより、マスク
の開口に対応した部分のフッ素樹脂膜114が紫外線に
よって分解されて気化し、図1に示したように、基板1
0のパターン形成領域108が露出する。また、このパ
ターン形成領域108は、紫外線の照射を受けることに
より、基板10に付着していた有機物が分解されるた
め、親液化される。
形成装置20によるパターンの形成は、次のようにして
行なう。まず、図4に示した成膜装置120によって、
上記したように、基板10のパターンを形成する面の全
体にフッ素樹脂膜114を形成する。その後、基板10
のパターンを形成する領域に対応した部分が開口してい
る図示しないマスクを、フッ素樹脂膜114の上面また
は上方に配置する。そして、このマスクを介してフッ素
樹脂膜114に紫外線を照射する。これにより、マスク
の開口に対応した部分のフッ素樹脂膜114が紫外線に
よって分解されて気化し、図1に示したように、基板1
0のパターン形成領域108が露出する。また、このパ
ターン形成領域108は、紫外線の照射を受けることに
より、基板10に付着していた有機物が分解されるた
め、親液化される。
【0041】このようにしてパターン形成領域108の
フッ素樹脂膜114が除去された基板10は、パターン
形成装置20の処理ステージ110の上に配置し、処理
ステージ110に内蔵したヒータ112によって所定の
温度、たとえば30〜60℃に加熱する。また、パター
ン形成装置20のパターン形成位置記憶部52に基板1
0のパターンを形成すべき位置、すなわち回路素子や配
線などを形成するパターン形成領域108の位置を記憶
させる。
フッ素樹脂膜114が除去された基板10は、パターン
形成装置20の処理ステージ110の上に配置し、処理
ステージ110に内蔵したヒータ112によって所定の
温度、たとえば30〜60℃に加熱する。また、パター
ン形成装置20のパターン形成位置記憶部52に基板1
0のパターンを形成すべき位置、すなわち回路素子や配
線などを形成するパターン形成領域108の位置を記憶
させる。
【0042】コントローラ50は、パターン形成装置2
0が起動されてパターン形成命令が与えられると、Yサ
ーボモータ34とXサーボモータ42とを駆動し、XY
テーブル24を介して洗浄・給液ヘッド22を所定の初
期位置に移動させる。その後、コントローラ50は、パ
ターン形成位置記憶部52からパターンを形成すべきパ
ターン形成領域108の位置データを読み込み、Xサー
ボモータ42を駆動して洗浄・給液ヘッド22を図3の
矢印58のようにX方向に移動し、洗浄・給液ヘッド2
2の洗浄ヘッド部60を構成している有機物洗浄ユニッ
ト部62を、基板10の最初のパターン形成領域108
と対応した位置に停止させる。そして、コントローラ5
0は、剥離液やオゾン水などの第1洗浄液74を第1洗
浄液ノズル72から微粒子76として吐出し、基板10
のパターン形成領域108に選択的に供給する。このと
き、コントローラ50は、基板10のパターン形成領域
108と対応していない有機物洗浄ユニット部62に対
しては、第1洗浄液74を吐出させない。従って、基板
10は、パターンを形成するために洗浄を必要とするパ
ターン形成領域108のみが洗浄され、例えば回路素子
の形成工程の途中において不良となったような素子部に
対応した、パターンを形成しないために洗浄を必要しな
いパターン形成領域108は洗浄されない。
0が起動されてパターン形成命令が与えられると、Yサ
ーボモータ34とXサーボモータ42とを駆動し、XY
テーブル24を介して洗浄・給液ヘッド22を所定の初
期位置に移動させる。その後、コントローラ50は、パ
ターン形成位置記憶部52からパターンを形成すべきパ
ターン形成領域108の位置データを読み込み、Xサー
ボモータ42を駆動して洗浄・給液ヘッド22を図3の
矢印58のようにX方向に移動し、洗浄・給液ヘッド2
2の洗浄ヘッド部60を構成している有機物洗浄ユニッ
ト部62を、基板10の最初のパターン形成領域108
と対応した位置に停止させる。そして、コントローラ5
0は、剥離液やオゾン水などの第1洗浄液74を第1洗
浄液ノズル72から微粒子76として吐出し、基板10
のパターン形成領域108に選択的に供給する。このと
き、コントローラ50は、基板10のパターン形成領域
108と対応していない有機物洗浄ユニット部62に対
しては、第1洗浄液74を吐出させない。従って、基板
10は、パターンを形成するために洗浄を必要とするパ
ターン形成領域108のみが洗浄され、例えば回路素子
の形成工程の途中において不良となったような素子部に
対応した、パターンを形成しないために洗浄を必要しな
いパターン形成領域108は洗浄されない。
【0043】基板10のパターン形成領域108に供給
された第1洗浄液74の微粒子76は、パターン形成領
域108の表面に存在している有機物を剥離し、または
有機物と反応して有機物を酸化し、気化させる。また、
基板10の表面に残存する液体である第1洗浄液74
は、ヒータ112によって加熱されている基板10の熱
によって蒸発する。そして、パターン形成領域108の
表面から剥離した有機物、または第1洗浄液74と有機
物との反応生成物、および第1洗浄液74の蒸気は、第
1吸引口78に吸引され、パターン形成領域の表面やそ
の付近から除去される。しかも、この実施形態において
は、基板10がテーブル110に内蔵したヒータ112
によって所定の温度に加熱されているため、有機物の剥
離、有機物と第1洗浄液74との反応が促進され、また
基板10の表面に残存する第1洗浄液74の蒸発が速や
かに行なわれ、洗浄が迅速に行なわれるとともに、次の
無機物の洗浄に影響を与えない。
された第1洗浄液74の微粒子76は、パターン形成領
域108の表面に存在している有機物を剥離し、または
有機物と反応して有機物を酸化し、気化させる。また、
基板10の表面に残存する液体である第1洗浄液74
は、ヒータ112によって加熱されている基板10の熱
によって蒸発する。そして、パターン形成領域108の
表面から剥離した有機物、または第1洗浄液74と有機
物との反応生成物、および第1洗浄液74の蒸気は、第
1吸引口78に吸引され、パターン形成領域の表面やそ
の付近から除去される。しかも、この実施形態において
は、基板10がテーブル110に内蔵したヒータ112
によって所定の温度に加熱されているため、有機物の剥
離、有機物と第1洗浄液74との反応が促進され、また
基板10の表面に残存する第1洗浄液74の蒸発が速や
かに行なわれ、洗浄が迅速に行なわれるとともに、次の
無機物の洗浄に影響を与えない。
【0044】なお、コントローラ50は、基板10の洗
浄領域が広く、洗浄・給液ヘッド22をY方向に移動さ
せる必要がある場合には、Yサーボモータ34を駆動
し、Yテーブル28を介して洗浄・給液ヘッド22をY
方向に移動させる。コントローラ50は、有機物洗浄ユ
ニット部62による有機物の除去洗浄を所定時間行なう
と、洗浄・給液ヘッド22をX方向に移動させ、有機物
洗浄ユニット部62によって有機物を除去した基板10
のパターン形成領域108と対応した位置に無機物洗浄
ユニット部64を停止させる。そして、コントローラ5
0は、無機物洗浄ユニット部64の図示しない吐出機構
を駆動し、第2洗浄液80の微粒子84を第2洗浄ノズ
ル82から吐出し、基板10の有機物洗浄を終了したパ
ターン形成領域108に選択的に供給する。第2洗浄液
80は、基板10のパターン形成領域108の表面に付
着している無機物からなる汚れと反応し、これをエッチ
ングして除去する。そして、第2洗浄液80と無機物と
の反応生成物および基板10の表面において蒸発した第
2洗浄液80の蒸気は、第2吸引口86によって吸引除
去される。なお、コントローラ50は、第1洗浄液74
を吐出しなかった有機物洗浄ユニット部62に対応した
無機物洗浄ユニット部64を作動させない。すなわち、
無機物洗浄ユニット部64による洗浄は、有機物の洗浄
を行なったパターン形成領域108のみ行なわれる。
浄領域が広く、洗浄・給液ヘッド22をY方向に移動さ
せる必要がある場合には、Yサーボモータ34を駆動
し、Yテーブル28を介して洗浄・給液ヘッド22をY
方向に移動させる。コントローラ50は、有機物洗浄ユ
ニット部62による有機物の除去洗浄を所定時間行なう
と、洗浄・給液ヘッド22をX方向に移動させ、有機物
洗浄ユニット部62によって有機物を除去した基板10
のパターン形成領域108と対応した位置に無機物洗浄
ユニット部64を停止させる。そして、コントローラ5
0は、無機物洗浄ユニット部64の図示しない吐出機構
を駆動し、第2洗浄液80の微粒子84を第2洗浄ノズ
ル82から吐出し、基板10の有機物洗浄を終了したパ
ターン形成領域108に選択的に供給する。第2洗浄液
80は、基板10のパターン形成領域108の表面に付
着している無機物からなる汚れと反応し、これをエッチ
ングして除去する。そして、第2洗浄液80と無機物と
の反応生成物および基板10の表面において蒸発した第
2洗浄液80の蒸気は、第2吸引口86によって吸引除
去される。なお、コントローラ50は、第1洗浄液74
を吐出しなかった有機物洗浄ユニット部62に対応した
無機物洗浄ユニット部64を作動させない。すなわち、
無機物洗浄ユニット部64による洗浄は、有機物の洗浄
を行なったパターン形成領域108のみ行なわれる。
【0045】コントローラ50は、無機物洗浄ユニット
部64による無機物の除去洗浄を所定時間行なうと、洗
浄・給液ヘッド22をさらにX方向に移動させ、リンス
ユニット部66を無機物が除去されたパターン形成領域
108と対応した位置に停止させる。そして、コントロ
ーラ50は、リンスユニット部66の吐出機構を作動し
て純水88を基板10のパター形成領域108に供給
し、無機物を除去したパターン形成領域108をリンス
する。微粒子92としてパターン形成領域108に供給
された純水88は、加熱されている基板10の熱によっ
て蒸発し、リンス液ノズル90の周囲に設けた第3吸引
口94に吸引される。
部64による無機物の除去洗浄を所定時間行なうと、洗
浄・給液ヘッド22をさらにX方向に移動させ、リンス
ユニット部66を無機物が除去されたパターン形成領域
108と対応した位置に停止させる。そして、コントロ
ーラ50は、リンスユニット部66の吐出機構を作動し
て純水88を基板10のパター形成領域108に供給
し、無機物を除去したパターン形成領域108をリンス
する。微粒子92としてパターン形成領域108に供給
された純水88は、加熱されている基板10の熱によっ
て蒸発し、リンス液ノズル90の周囲に設けた第3吸引
口94に吸引される。
【0046】コントローラ50は、純水88によるリン
スが終了すると、洗浄・給液ヘッド22をさらにX方向
に移動させ、乾燥ユニット部68の熱風吹出し口98を
リンスしたパターン形成領域108と対応した位置に移
動させる。そして、熱風吹出し口98から加熱空気96
をリンスしたパターン形成領域108に吹き付け、パタ
ーン形成領域108の表面を完全に乾燥させ、パターン
形成領域108洗浄を終了する。パターン形成領域10
8に吹き付けられた加熱空気96は、実施形態の場合、
熱風吹出し口98の両側に設けた気体吸引口100に吸
引され、給液ヘッド部70による液体パターン材料10
2のパターン形成領域108への供給に影響しないよう
にしてある。
スが終了すると、洗浄・給液ヘッド22をさらにX方向
に移動させ、乾燥ユニット部68の熱風吹出し口98を
リンスしたパターン形成領域108と対応した位置に移
動させる。そして、熱風吹出し口98から加熱空気96
をリンスしたパターン形成領域108に吹き付け、パタ
ーン形成領域108の表面を完全に乾燥させ、パターン
形成領域108洗浄を終了する。パターン形成領域10
8に吹き付けられた加熱空気96は、実施形態の場合、
熱風吹出し口98の両側に設けた気体吸引口100に吸
引され、給液ヘッド部70による液体パターン材料10
2のパターン形成領域108への供給に影響しないよう
にしてある。
【0047】なお、この加熱空気96による乾燥の際、
加熱空気96が吹き付けられているパターン形成領域1
08の部分に、紫外線を照射したり、加熱空気96にオ
ゾンを添加して、パターン形成領域108に残存してい
る有機物を除去するようにしてもよい。また、この乾燥
は、赤外線の照射などによって行なってもよい。
加熱空気96が吹き付けられているパターン形成領域1
08の部分に、紫外線を照射したり、加熱空気96にオ
ゾンを添加して、パターン形成領域108に残存してい
る有機物を除去するようにしてもよい。また、この乾燥
は、赤外線の照射などによって行なってもよい。
【0048】コントローラ50は、パターン形成領域1
08の洗浄、乾燥が終了すると、洗浄・給液ヘッド22
をさらにX方向に移動し、洗浄・給液ヘッド22の給液
ヘッド部70を洗浄したパターン形成領域108の上方
に移動させる。さらに、コントローラ50は、給液ヘッ
ド部70の図示しない吐出機構を作動し、液体パターン
材料102をパター材ノズル104から微粒子106に
して吐出し、洗浄したパターン形成領域108に液体パ
ターン材料102を選択的に供給する。
08の洗浄、乾燥が終了すると、洗浄・給液ヘッド22
をさらにX方向に移動し、洗浄・給液ヘッド22の給液
ヘッド部70を洗浄したパターン形成領域108の上方
に移動させる。さらに、コントローラ50は、給液ヘッ
ド部70の図示しない吐出機構を作動し、液体パターン
材料102をパター材ノズル104から微粒子106に
して吐出し、洗浄したパターン形成領域108に液体パ
ターン材料102を選択的に供給する。
【0049】コントローラ50は、基板10の所定幅
(洗浄・給液ヘッド22による洗浄可能な幅)における
X方向の各パターン形成領域108に対する洗浄と液体
パターン材料102との供給が終了すると、洗浄・給液
ヘッド22をY方向に所定量だけずらせて洗浄開始位置
に戻し、上記と同様にして基板10のパターン形成領域
108に対する洗浄と液体パターン材料102の供給と
を行なう。
(洗浄・給液ヘッド22による洗浄可能な幅)における
X方向の各パターン形成領域108に対する洗浄と液体
パターン材料102との供給が終了すると、洗浄・給液
ヘッド22をY方向に所定量だけずらせて洗浄開始位置
に戻し、上記と同様にして基板10のパターン形成領域
108に対する洗浄と液体パターン材料102の供給と
を行なう。
【0050】このようにして、基板10の全体のパター
ン形成領域108に対して液体パターン材料102の供
給が終了したならば、基板10を例えば加熱炉などに搬
入して所定の温度に加熱し、液体パターン材102を固
化させる。これにより、基板10のパターンを形成した
い領域だけを選択的に洗浄し、液体パターン材102を
供給して所望のパターンを形成することができる。
ン形成領域108に対して液体パターン材料102の供
給が終了したならば、基板10を例えば加熱炉などに搬
入して所定の温度に加熱し、液体パターン材102を固
化させる。これにより、基板10のパターンを形成した
い領域だけを選択的に洗浄し、液体パターン材102を
供給して所望のパターンを形成することができる。
【0051】したがって、洗浄液(洗浄剤)、リンス液
(純水)およびパターン材料の使用量を大幅に削減する
ことができるとともに、エネルギーの消費量を大幅に低
減することができる。また、基板10を移動させること
なくパターン形成領域108に対する洗浄と、液体パタ
ーン材料102の供給とを行なうことができるため、設
備を小型化することができる。しかも、パターン形成領
域108を洗浄したのち、直ちにパターン形成領域10
8に液体パターン材102を供給するようにしているた
め、パターン形成領域108が汚染されるおそれがな
く、パターンの品質を向上することができる。そして、
実施形態においては、液体パターン材料102を加熱固
化するだけでパターンを形成できるため、真空装置を必
要とせず、設備費とランニングコストとを大幅に削減す
ることができる。なお、液体パターン材料102の固化
は、パターン材料の種類によっては、紫外線やガンマ線
などの電磁波の照射、電子線などの粒子線の照射によっ
て行なってもよい。
(純水)およびパターン材料の使用量を大幅に削減する
ことができるとともに、エネルギーの消費量を大幅に低
減することができる。また、基板10を移動させること
なくパターン形成領域108に対する洗浄と、液体パタ
ーン材料102の供給とを行なうことができるため、設
備を小型化することができる。しかも、パターン形成領
域108を洗浄したのち、直ちにパターン形成領域10
8に液体パターン材102を供給するようにしているた
め、パターン形成領域108が汚染されるおそれがな
く、パターンの品質を向上することができる。そして、
実施形態においては、液体パターン材料102を加熱固
化するだけでパターンを形成できるため、真空装置を必
要とせず、設備費とランニングコストとを大幅に削減す
ることができる。なお、液体パターン材料102の固化
は、パターン材料の種類によっては、紫外線やガンマ線
などの電磁波の照射、電子線などの粒子線の照射によっ
て行なってもよい。
【0052】図5は、本発明の第2実施形態の要部説明
図であって、洗浄・給液ヘッドの断面図である。この第
2実施形態にかかる洗浄・給液ヘッド150は、第1実
施形態の場合と同様に洗浄ヘッド部160と給液ヘッド
部70とを有しており、洗浄ヘッド部160が有機物洗
浄ユニット部162、無機物洗浄ユニット部164、リ
ンスユニット部66、乾燥ユニット部68とから構成し
てある。そして、この洗浄・給液ヘッド150は、洗浄
ヘッド部160のリンスユニット部66と乾燥ユニット
部68、および給液ヘッド部70とが第1実施形態と同
様に形成してあるが、有機物洗浄ユニット部162と無
機物洗浄ユニット部164とが第1実施形態と異なって
いる。すなわち、第2実施形態の有機物洗浄ユニット部
162と無機物洗浄ユニット部164とは、先端部が三
重管構造をなしている。
図であって、洗浄・給液ヘッドの断面図である。この第
2実施形態にかかる洗浄・給液ヘッド150は、第1実
施形態の場合と同様に洗浄ヘッド部160と給液ヘッド
部70とを有しており、洗浄ヘッド部160が有機物洗
浄ユニット部162、無機物洗浄ユニット部164、リ
ンスユニット部66、乾燥ユニット部68とから構成し
てある。そして、この洗浄・給液ヘッド150は、洗浄
ヘッド部160のリンスユニット部66と乾燥ユニット
部68、および給液ヘッド部70とが第1実施形態と同
様に形成してあるが、有機物洗浄ユニット部162と無
機物洗浄ユニット部164とが第1実施形態と異なって
いる。すなわち、第2実施形態の有機物洗浄ユニット部
162と無機物洗浄ユニット部164とは、先端部が三
重管構造をなしている。
【0053】有機物洗浄ユニット部162は、中心部に
純水などの第1溶解液166を微粒子168にして吐出
する第1液体ノズル170を有する。また、有機物洗浄
ユニット部162は、第1液体ノズル170の周囲にオ
ゾンなどの有機物を酸化して気体化可能であって、第1
溶解液166に溶解可能な第1反応性気体172を吐出
する第1ガスノズル174が設けてある。この第1ガス
ノズル174は、第1液体ノズル170の先端部に開口
している。さらに、第1ガスノズル174の先端側に
は、第1吐出口176が設けてあって、この第1吐出口
176を介して第1溶解液166の微粒子168と第1
反応性気体172とを、本図に図示しない基板10のパ
ターン形成領域108に供給できるようにしてある。そ
して、第1吐出口176の周囲には、第1吸引口78が
設けてあり、反応生成物や第1溶解液166の蒸気など
を吸引して除去できるようにしてある。
純水などの第1溶解液166を微粒子168にして吐出
する第1液体ノズル170を有する。また、有機物洗浄
ユニット部162は、第1液体ノズル170の周囲にオ
ゾンなどの有機物を酸化して気体化可能であって、第1
溶解液166に溶解可能な第1反応性気体172を吐出
する第1ガスノズル174が設けてある。この第1ガス
ノズル174は、第1液体ノズル170の先端部に開口
している。さらに、第1ガスノズル174の先端側に
は、第1吐出口176が設けてあって、この第1吐出口
176を介して第1溶解液166の微粒子168と第1
反応性気体172とを、本図に図示しない基板10のパ
ターン形成領域108に供給できるようにしてある。そ
して、第1吐出口176の周囲には、第1吸引口78が
設けてあり、反応生成物や第1溶解液166の蒸気など
を吸引して除去できるようにしてある。
【0054】無機物洗浄ユニット部164も有機物洗浄
ユニット部162と同様に形成してあって、中心部に純
水やアルコールなどの第2溶解液180を微粒子182
にして吐出する第2液体ノズル184が設けてある。ま
た、第2液体ノズル184の周囲には、第2ガスノズル
186が形成してあって、無機物と反応可能であって、
第2溶解液180に溶解可能なHFやCl2 などの第2
反応性気体188を第2液体ノズル184の先端部に吐
出できるようになっている。そして、第2ガスノズル1
86の先端側には、第2吐出口190が設けてあって、
第2溶解液180の微粒子182と第2反応性気体18
8とをパターン形成領域108の表面に吹き付けて供給
することができるようにしてある。さらに、第2吐出口
190の周囲には、反応生成物や第2溶解液180の蒸
気を吸引除去するための第2吸引口86が設けてある。
ユニット部162と同様に形成してあって、中心部に純
水やアルコールなどの第2溶解液180を微粒子182
にして吐出する第2液体ノズル184が設けてある。ま
た、第2液体ノズル184の周囲には、第2ガスノズル
186が形成してあって、無機物と反応可能であって、
第2溶解液180に溶解可能なHFやCl2 などの第2
反応性気体188を第2液体ノズル184の先端部に吐
出できるようになっている。そして、第2ガスノズル1
86の先端側には、第2吐出口190が設けてあって、
第2溶解液180の微粒子182と第2反応性気体18
8とをパターン形成領域108の表面に吹き付けて供給
することができるようにしてある。さらに、第2吐出口
190の周囲には、反応生成物や第2溶解液180の蒸
気を吸引除去するための第2吸引口86が設けてある。
【0055】第1液体ノズル170と第2液体ノズル1
84とによる微粒子168、182の吐出機構は、実施
形態の場合、インクジェットプリンタのプリンタヘッド
と同様に形成してあって、ピエゾ素子などを用いた定量
吐出機構となっている。
84とによる微粒子168、182の吐出機構は、実施
形態の場合、インクジェットプリンタのプリンタヘッド
と同様に形成してあって、ピエゾ素子などを用いた定量
吐出機構となっている。
【0056】このように形成した第2実施形態において
は、本図に図示しないコントローラ50がXYテーブル
24を介して洗浄・給液ヘッド22の有機物洗浄ユニッ
ト部162を基板10のパターン形成領域108の上方
に移動する。そして、コントローラ50は、第1液体ノ
ズル170の吐出機構を制御して純水などの第1溶解液
166を微粒子168にして吐出させるとともに、図示
しない開閉弁を開放して第1ガスノズル174からオゾ
ンなどの第1反応性気体172を吐出させる。第1液体
ノズル170から吐出された第1溶解液166の微粒子
168は、第1反応性気体172の一部を溶解しつつパ
ターン形成領域108の表面に衝突し、第1反応性気体
172をイオン化して活性にし、パターン形成領域10
8の表面に存在する有機物と反応させる。そして、この
反応によって生じた反応生成物と第1溶解液166の蒸
気とは、第1吸引口78に吸引されて基板10の表面部
から除去される。
は、本図に図示しないコントローラ50がXYテーブル
24を介して洗浄・給液ヘッド22の有機物洗浄ユニッ
ト部162を基板10のパターン形成領域108の上方
に移動する。そして、コントローラ50は、第1液体ノ
ズル170の吐出機構を制御して純水などの第1溶解液
166を微粒子168にして吐出させるとともに、図示
しない開閉弁を開放して第1ガスノズル174からオゾ
ンなどの第1反応性気体172を吐出させる。第1液体
ノズル170から吐出された第1溶解液166の微粒子
168は、第1反応性気体172の一部を溶解しつつパ
ターン形成領域108の表面に衝突し、第1反応性気体
172をイオン化して活性にし、パターン形成領域10
8の表面に存在する有機物と反応させる。そして、この
反応によって生じた反応生成物と第1溶解液166の蒸
気とは、第1吸引口78に吸引されて基板10の表面部
から除去される。
【0057】コントローラ50は、有機物洗浄ユニット
部162による有機物の洗浄が終了すると、洗浄・給液
ヘッド150を矢印58のように移動させ、有機物の洗
浄が終了したパターン形成領域108と対応した位置に
無機物洗浄ユニット部164を停止させる。そして、第
2液体ノズル184から例えば純水やアルコールなどの
第2溶解液180を微粒子182として吐出させ、第2
ガスノズル186からHFなどの第2反応性気体188
を吐出させる。第2溶解液180の微粒子182は、第
2反応性気体188の一部を溶解し、また微粒子182
と第2反応性気体188とは、第2吐出口190から吐
出され、パターン形成領域108の表面に衝突する。こ
の際、第2反応性気体188が微粒子182に溶解して
イオン化し、パターン形成領域108の表面に存在する
無機物と反応してこれエッチングする。そして、このエ
ッチングによる反応生成物と第2溶解液180の蒸気
と、反応しなかった第2反応性ガス188とは、第2吸
引口86によって吸引されて除去される。
部162による有機物の洗浄が終了すると、洗浄・給液
ヘッド150を矢印58のように移動させ、有機物の洗
浄が終了したパターン形成領域108と対応した位置に
無機物洗浄ユニット部164を停止させる。そして、第
2液体ノズル184から例えば純水やアルコールなどの
第2溶解液180を微粒子182として吐出させ、第2
ガスノズル186からHFなどの第2反応性気体188
を吐出させる。第2溶解液180の微粒子182は、第
2反応性気体188の一部を溶解し、また微粒子182
と第2反応性気体188とは、第2吐出口190から吐
出され、パターン形成領域108の表面に衝突する。こ
の際、第2反応性気体188が微粒子182に溶解して
イオン化し、パターン形成領域108の表面に存在する
無機物と反応してこれエッチングする。そして、このエ
ッチングによる反応生成物と第2溶解液180の蒸気
と、反応しなかった第2反応性ガス188とは、第2吸
引口86によって吸引されて除去される。
【0058】このようにして有機物と無機物との洗浄が
終了したのちは、前記と同様にしてリンスユニット部6
6によるリンスと、乾燥ユニット部68による乾燥が行
なわれる。そして、洗浄、リンス、乾燥の終了したパタ
ーン形成領域108には、給液ヘッド部70により液体
パターン材料102が供給される。
終了したのちは、前記と同様にしてリンスユニット部6
6によるリンスと、乾燥ユニット部68による乾燥が行
なわれる。そして、洗浄、リンス、乾燥の終了したパタ
ーン形成領域108には、給液ヘッド部70により液体
パターン材料102が供給される。
【0059】なお、前記実施形態においては、反応性気
体172、188を液体ノズル170、184の周囲か
ら吐出する場合について説明したが、反応性気体17
2、188は液体ノズル170、184の一側から吐出
するようにしてもよい。また、洗浄・給液ヘッド22、
150の先端部をフッ素樹脂膜などで覆い、洗浄剤や反
応性生物による腐食を防止することが望ましい。また、
前記実施形態においては、洗浄ヘッド部60,160と
給液ヘッド部70とを一体に形成した場合について説明
したが、これらは別々に形成してもよい。
体172、188を液体ノズル170、184の周囲か
ら吐出する場合について説明したが、反応性気体17
2、188は液体ノズル170、184の一側から吐出
するようにしてもよい。また、洗浄・給液ヘッド22、
150の先端部をフッ素樹脂膜などで覆い、洗浄剤や反
応性生物による腐食を防止することが望ましい。また、
前記実施形態においては、洗浄ヘッド部60,160と
給液ヘッド部70とを一体に形成した場合について説明
したが、これらは別々に形成してもよい。
【0060】本発明のパターン形成方法および装置は、
例えばカラーフィルタや有機EL(エレクトロルミネセ
ンス)装置等のデバイスの製造方法、あるいは基板上へ
の金属配線形成などに適用できる。より具体的には、カ
ラーフィルタ用インキや、有機EL材料を基板の所定箇
所に形成させるときに好適である。
例えばカラーフィルタや有機EL(エレクトロルミネセ
ンス)装置等のデバイスの製造方法、あるいは基板上へ
の金属配線形成などに適用できる。より具体的には、カ
ラーフィルタ用インキや、有機EL材料を基板の所定箇
所に形成させるときに好適である。
【0061】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、基板のパターン形成領域のみを選択的に洗浄すると
ともに、パターン形成領域に選択的に液体パターン剤を
供給するようにしているため、省資源、省エネルギーを
図ることができる。
ば、基板のパターン形成領域のみを選択的に洗浄すると
ともに、パターン形成領域に選択的に液体パターン剤を
供給するようにしているため、省資源、省エネルギーを
図ることができる。
【図1】 本発明の第1実施の形態に係るパターン形成
装置の洗浄・給液ヘッドの断面図である。
装置の洗浄・給液ヘッドの断面図である。
【図2】 本発明の第1実施の形態に係るパターン形成
装置の要部を下方から見た斜視図である。
装置の要部を下方から見た斜視図である。
【図3】 本発明の第1実施の形態に係る洗浄、・給液
ヘッドの概略を示す模式図である。
ヘッドの概略を示す模式図である。
【図4】 本発明の実施の形態に係る撥液性膜を成膜す
る成膜装置の説明図である。
る成膜装置の説明図である。
【図5】 本発明の第2実施の形態に係る洗浄・給液ヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図6】 従来のパターン形成方法の説明図である。
10………基板
20………パターン形成装置
22、150………洗浄・給液ヘッド
24………XYテーブル
26………Xテーブル
28………Yテーブル
34………Yサーボモータ
42………Xサーボモータ
50………コントローラ
52………パターン形成位置記憶部
60、60a〜60n、160………洗浄手段(洗浄ヘ
ッド部) 62、62a〜62n、162………有機物洗浄ユニッ
ト部 64、64a〜64n、164………無機物洗浄ユニッ
ト部 66、66a〜66n………リンスユニット部 68………乾燥ユニット部 70、70a〜70n………パターン材供給手段(給液
ヘッド部) 72、82………洗浄剤供給部(第1洗浄液ノズル、第
2洗浄液ノズル) 74,80………洗浄剤(第1洗浄液、第2洗浄液) 78、86………洗浄剤吸引部(第1吸引口、第2吸引
口) 88………リンス液(純水) 90………リンス液供給部(リンス液ノズル) 94………リンス液吸引部(第3吸引口) 96………加熱気体(加熱空気) 98………加熱気体吹出し口(熱風吹出し口) 102………液体パターン材料 166、180………溶解液(第1溶解液、第2溶解
液) 170………第1液体ノズル 172、188………反応性ガス(第1反応性気体、第
2反応性気体) 174………第1ガスノズル 184………第2液体ノズル 186………第2ガスノズル
ッド部) 62、62a〜62n、162………有機物洗浄ユニッ
ト部 64、64a〜64n、164………無機物洗浄ユニッ
ト部 66、66a〜66n………リンスユニット部 68………乾燥ユニット部 70、70a〜70n………パターン材供給手段(給液
ヘッド部) 72、82………洗浄剤供給部(第1洗浄液ノズル、第
2洗浄液ノズル) 74,80………洗浄剤(第1洗浄液、第2洗浄液) 78、86………洗浄剤吸引部(第1吸引口、第2吸引
口) 88………リンス液(純水) 90………リンス液供給部(リンス液ノズル) 94………リンス液吸引部(第3吸引口) 96………加熱気体(加熱空気) 98………加熱気体吹出し口(熱風吹出し口) 102………液体パターン材料 166、180………溶解液(第1溶解液、第2溶解
液) 170………第1液体ノズル 172、188………反応性ガス(第1反応性気体、第
2反応性気体) 174………第1ガスノズル 184………第2液体ノズル 186………第2ガスノズル
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H05K 3/28 H05K 3/28 B
Claims (15)
- 【請求項1】 液体吐出手段に形成された第1のノズル
群により基板のパターン形成領域を洗浄する洗浄工程
と、洗浄した前記パターン形成領域に前記液体吐出手段
に形成された第2のノズル群により液体パターン材料を
吐出してパターンを形成するパターン形成工程と、を有
することを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載のパターン形成方法にお
いて、 前記基板のパターン形成領域以外の部分を撥液処理する
ことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項3】 請求項2に記載のパターン形成方法にお
いて、 前記撥液処理は、前記基板の表面に撥液膜を形成して行
なうことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項4】 基板のパターン形成面の全体に撥液膜を
形成する工程と、前記基板のパターン形成領域に対応し
た部分の前記撥液膜を除去する工程と、液体吐出手段に
形成された第1のノズル群により前記パターン形成領域
を洗浄する洗浄工程と、洗浄した前記パターン形成領域
に前記液体吐出手段に形成された第2のノズル群により
液体パターン材料を吐出してパターンを形成するパター
ン形成工程と、を有することを特徴とするパターン形成
方法。 - 【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれかに記
載のパターン形成方法において、 前記洗浄工程は、洗浄剤供給工程とリンス液供給工程と
乾燥工程とを有することを特徴とするパターン形成方
法。 - 【請求項6】 請求項5に記載のパターン形成方法にお
いて、 前記洗浄剤供給工程と前記リンス液供給工程とは、前記
パターン形成領域に供給した洗浄剤とリンス液とを吸引
しつつ行なうことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項7】 請求項5または請求項6に記載のパター
ン形成方法において、 前記乾燥工程は、前記パターン形成領域に加熱気体を吹
き付けて行なうことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項8】 基板のパターン形成領域を洗浄する洗浄
手段と、 前記洗浄手段が洗浄した前記パターン形成領域にパター
ン材料を供給するパターン材料供給手段とを有し、 前記洗浄手段は、 前記パターン形成領域に洗浄剤を供給する洗浄剤供給部
と、前記洗浄剤供給部の近傍に設けられ前記パターン形
成領域に供給された洗浄剤を吸引する洗浄剤吸引部とを
備えた洗浄ユニットと、 前記洗浄剤によって洗浄された前記パターン形成領域に
リンス液を供給するリンス液供給部と、前記リンス液供
給部の近傍に設けられ前記パターン形成領域に供給され
たリンス液を吸引するリンス液吸引部とを備えたリンス
ユニットと、 前記パターン形成領域を乾燥させる乾燥ユニットとを有
している、 ことを特徴とするパターン形成装置。 - 【請求項9】 請求項8に記載のパターン形成装置にお
いて、 前記パターン形成装置は制御手段を有し、 前記制御手段はパターンを形成すべき前記パターン形成
領域の位置情報に基づいて、前記洗浄手段と前記パター
ン材料供給手段とを制御することを特徴とするパターン
形成装置。 - 【請求項10】 請求項8または請求項9に記載のパタ
ーン形成装置において、 前記洗浄手段と前記パターン材料供給手段とは、一体に
形成されていることを特徴とするパターン形成装置。 - 【請求項11】 請求項8ないし請求項10のいずれか
に記載のパターン形成装置において、 前記洗浄ユニットは、有機物を除去する有機物洗浄ユニ
ット部と、無機物を除去する無機物洗浄ユニット部とを
有することを特徴とするパターン形成装置。 - 【請求項12】 請求項8ないし請求項11のいずれか
に記載のパターン形成装置において、 前記洗浄剤供給部は、反応性ガスを吐出するガスノズル
と、前記反応性ガスを溶解可能な液体を吐出する液体ノ
ズルとを有することを特徴とするパターン形成装置。 - 【請求項13】 請求項8ないし請求項12のいずれか
に記載のパターン形成装置において、 前記乾燥ユニットは、前記パターン形成領域に加熱気体
を吹き付ける加熱気体吹出し口を有することを特徴とす
るパターン形成装置。 - 【請求項14】 被処理物の表面に所定パターンを形成
して製造するデバイスの製造方法において、請求項1な
いし請求項7のいずれかに記載のパターン形成方法を用
いて、前記所定パターンが形成される領域の不要物を洗
浄除去し、前記所定パターンを形成する工程を有するこ
とを特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項15】 請求項1ないし請求項7のいずれかに
記載のパターン形成方法を用いて製造されたことを特徴
とするデバイス。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002081214A JP2003283103A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | パターン形成方法および装置並びにデバイスの製造方法およびデバイス |
US10/368,647 US6977222B2 (en) | 2002-03-22 | 2003-02-20 | Pattern forming method and apparatus, and device fabrication method and device |
US11/155,574 US7412983B2 (en) | 2002-03-22 | 2005-06-20 | Pattern forming method and apparatus, and device fabrication method and device |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002081214A JP2003283103A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | パターン形成方法および装置並びにデバイスの製造方法およびデバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003283103A true JP2003283103A (ja) | 2003-10-03 |
Family
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JP2002081214A Withdrawn JP2003283103A (ja) | 2002-03-22 | 2002-03-22 | パターン形成方法および装置並びにデバイスの製造方法およびデバイス |
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---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7326653B2 (en) | 2002-03-27 | 2008-02-05 | Cambridge Display Technology Limited | Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained |
JP2008030019A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Semes Co Ltd | インシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置 |
JP2011071199A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
US10699894B2 (en) | 2008-08-29 | 2020-06-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1311147B1 (it) * | 1999-11-04 | 2002-03-04 | Edk Res Ag | Macchina per pulizia localizzata con cella, elettrolitica e/o adultrasuoni, di decapaggio e/o lucidatura |
JP2003266030A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-24 | Seiko Epson Corp | 被処理物の洗浄方法および装置並びにデバイスの製造方法およびデバイス |
WO2005041286A1 (en) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming wiring, method for manufacturing thin film transistor and droplet discharging method |
JP4024227B2 (ja) * | 2004-04-14 | 2007-12-19 | 昇 堀口 | 電位治療器と電位治療器用波形整形器 |
KR100698093B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
US8226775B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-07-24 | Lam Research Corporation | Methods for particle removal by single-phase and two-phase media |
ITMO20080027A1 (it) * | 2008-01-30 | 2009-07-31 | Ingegneria Ceramica S R L | Testina di stampa con dispositivo di pulizia ugelli e metodi di decorazione e di pulizia ugelli concernenti detta testina di stampa. |
KR101296659B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 세정 장치 |
US8262192B2 (en) * | 2009-02-17 | 2012-09-11 | Fujifilm Corporation | Ink jet printer for printing electromagnetic wave curing ink |
FR2950562B1 (fr) * | 2009-09-30 | 2012-01-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de motifs localises |
US9347987B2 (en) * | 2009-11-06 | 2016-05-24 | Intel Corporation | Direct liquid-contact micro-channel heat transfer devices, methods of temperature control for semiconductive devices, and processes of forming same |
JP6420571B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2018-11-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
EP2960059B1 (en) | 2014-06-25 | 2018-10-24 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US11267012B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-03-08 | Universal Display Corporation | Spatial control of vapor condensation using convection |
US11220737B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US10566534B2 (en) | 2015-10-12 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP) |
JP6640781B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2020-02-05 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62188322A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 洗浄装置 |
US5271798A (en) * | 1993-03-29 | 1993-12-21 | Micron Technology, Inc. | Method for selective removal of a material from a wafer's alignment marks |
JPH07241501A (ja) | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Toshiba Corp | 印刷配線板用自吸式液切り装置 |
JPH08264923A (ja) | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | 基板端面洗浄方法およびその装置 |
US6103636A (en) * | 1997-08-20 | 2000-08-15 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for selective removal of material from wafer alignment marks |
JP4003273B2 (ja) * | 1998-01-19 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法および基板製造装置 |
US6365531B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-04-02 | Kaneka Corporation | Cleaning and drying method and apparatus for manufacturing semiconductor devices |
JP2000349059A (ja) | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2001151345A (ja) | 1999-11-24 | 2001-06-05 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 搬送装置 |
US6290863B1 (en) * | 1999-07-31 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for etch of a specific subarea of a semiconductor work object |
US6488040B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-12-03 | Lam Research Corporation | Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying |
JP2002221616A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-08-09 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶装置の製造方法及び製造装置、el装置の製造方法及び製造装置、インクジェットヘッドの制御装置、材料の吐出方法及び材料の吐出装置、並びに電子機器 |
JP4189141B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 |
-
2002
- 2002-03-22 JP JP2002081214A patent/JP2003283103A/ja not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-02-20 US US10/368,647 patent/US6977222B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-06-20 US US11/155,574 patent/US7412983B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7326653B2 (en) | 2002-03-27 | 2008-02-05 | Cambridge Display Technology Limited | Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained |
JP2008030019A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Semes Co Ltd | インシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置 |
US10699894B2 (en) | 2008-08-29 | 2020-06-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
US10854443B2 (en) | 2008-08-29 | 2020-12-01 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
US11610772B2 (en) | 2008-08-29 | 2023-03-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus |
JP2011071199A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
US8758521B2 (en) | 2009-09-24 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate |
US9761466B2 (en) | 2009-09-24 | 2017-09-12 | Toshiba Memory Corporation | Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate |
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