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JP2003280540A - 電子機器 - Google Patents

電子機器

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Publication number
JP2003280540A
JP2003280540A JP2002083947A JP2002083947A JP2003280540A JP 2003280540 A JP2003280540 A JP 2003280540A JP 2002083947 A JP2002083947 A JP 2002083947A JP 2002083947 A JP2002083947 A JP 2002083947A JP 2003280540 A JP2003280540 A JP 2003280540A
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JP
Japan
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substrate
electrodes
address
electronic device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002083947A
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English (en)
Inventor
Yoshihiro Izumi
良弘 和泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2002083947A priority Critical patent/JP2003280540A/ja
Priority to US10/386,677 priority patent/US7148867B2/en
Priority to CNB031079164A priority patent/CN1331001C/zh
Publication of JP2003280540A publication Critical patent/JP2003280540A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】素子アレイをアドレス基板を用いて駆動するタ
イプの電子機器の製造歩留まりおよび／または再利用効
率を向上する。 【解決手段】素子アレイ１００Ａは、互いに対向する一
対の第１主面と、一対の第１主面の間に設けられた、複
数の電極１３を有する複数の素子領域１０と、一対の第
１主面の一方に設けられ、それぞれが複数の電極１３の
それぞれに電気的に接続された複数の第１端子電極１６
とを備える。アドレス基板１００Ｂは、素子アレイの上
記一方の第１主面に対向するように配置された第２主面
を有する基板２１と、第２主面に設けられ、それぞれが
複数の第１端子電極１６のそれぞれに電気的に接続され
た複数の第２端子電極２３と、複数の素子領域を順次ア
ドレスしながら、第２端子電極を介して複数の素子領域
に所定の信号を伝送または複数の素子領域から所定の信
号を受信するアドレス駆動回路２４、２５、１６とを備
える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器に関す
る。特に、電子機器の一部をアドレスしながら駆動され
る、表示装置や検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＡＶ機器として用いられる家庭用
のテレビ、ＯＡ機器や携帯機器などに用いられる表示装
置として、各種フラットパネル型表示装置の開発が進ん
でいる。中でも、液晶を表示媒体に用いた液晶表示装置
（ＬＣＤ）は、軽量、薄型、低消費電力といった特徴を
有することから実用化が進んでおり、用途に応じて各種
の液晶表示装置が開発・実用化されている。
【０００３】例えば、液晶パネルの背面側にバックライ
トを備え、液晶パネルを介してバックライトの光を観察
する方式の透過型液晶表示装置、液晶パネルの裏面ある
いは内部に反射板を備え、液晶パネルからの外光の反射
光を観察する方式の反射型液晶表示装置、プロジェクシ
ョンランプを用いて液晶パネルの画像をスクリーンに投
影し、その投影像を観察する投影型液晶表示装置（液晶
プロジェクター）などが実用化されている。
【０００４】また、液晶表示装置以外のフラットパネル
型表示装置としては、ＥＬ発光層を用いたＥＬ表示装置
（自発光型表示装置）、電子ペーパーを目指したトナー
表示装置や電気泳動型表示装置、ボールツイスト型表示
装置（いずれも外光の反射を利用した反射型表示装置）
など、幾つかの表示原理の異なる電子表示装置が提案・
開発されている。
【０００５】これらの表示装置は、それぞれ表示原理
（方式）は異なるものの、表示容量（即ち画素数）が多
い場合には、一般に、各画素にスイッチ素子（アクティ
ブ素子）を形成したアクティブマトリクス基板（アドレ
ス基板）を用いてアクティブマトリクス駆動を行なうこ
とによって表示が行なわれている。このようなアドレス
基板（アクティブマトリクス基板）を用いた表示装置に
ついては、書籍「液晶ディスプレイ技術―アクティブマ
トリクスＬＣＤ―」（発行所：産業図書株式会社、編集
者：松本正一、１９９６年１１月８日発行）などに詳細
が記載されている。
【０００６】図８に、典型的な公知の液晶表示装置４０
０の断面構造を模式的に示す。ここでは、簡単のため
に、液晶パネルの部分にのみ示しており、バックライト
や偏光板、周辺駆動回路、電源などは省略している。
【０００７】液晶表示装置４００は、基板６２と、基板
７１と、基板６２と基板７１との間に設けられた液晶層
６３とを有している。基板６２および基板７１は、典型
的にはガラス基板であり、液晶層６３は、封止部６９に
よって、これらの基板間に封入されている。基板７１の
液晶層６３側の表面には、走査線７４、信号線７５およ
びスイッチング素子（典型的にはＴＦＴ）７６と、スイ
ッチング素子７６を介して信号線７５に接続された画素
電極７３が形成されている。基板６２の液晶層６３側に
は対向電極６４が設けられている。これらの基板には、
必要に応じて、配向膜やカラーフィルタ層などが形成さ
れる。
【０００８】この液晶表示装置４００は、次のように駆
動される。走査線７４に供給する走査信号によって、ス
イッチング素子７６を選択的にＯＮ状態とし、そのスイ
ッチング素子７６に接続されている画素電極７３に信号
線７５から所定の表示信号（階調信号）が供給される。
すなわち、それぞれが画素電極７３に対応して規定され
るマトリクス状に配列された複数の画素は、走査線７４
毎に線順次でアドレスされる。対向電極６４には共通電
極が供給され、アドレスされた画素電極７３と対向電極
６４との間の電位差に応じた電圧がそれぞれの画素の液
晶層６３に印加される。液晶層６３が印加された電圧に
応じて配向状態（光学異方性）を変化することを利用し
て、液晶層６３を透過する光を変調することによって、
表示が行われる。
【０００９】アクティブマトリクス型液晶表示装置とし
ては上記の例に限られず、例えば、画素電極に共通電圧
を供給し、信号線に平行にストライプ状に形成した複数
の対向電極に表示信号を供給するタイプの液晶表示装置
も知られている（いわゆる対向ソース型）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】例示したアクティブマ
トリクス型液晶表示装置は、高品位の表示が可能である
反面、価格が比較的高いという問題がある。
【００１１】その要因の一つは、アドレス基板に多くの
スイッチング素子を形成することにある。また、図８に
示すような従来の構造においては、アドレス基板を形成
した後の工程（例えば、２枚の基板を貼り合せる工程や
液晶材料を注入する工程）において、アドレス基板に不
良が発生することがあった。これらは、液晶表示装置の
製造歩留まりの低下を招き、コストの上昇をもたらして
いた。
【００１２】また、環境に配慮することが社会的に要請
されており、材料や部品の利用効率の向上や、材料や部
品の再利用が望まれている。しかしながら、図８に示し
た従来の液晶表示装置４００は、封止部（シール剤）６
９によって基板６２と基板７１とが強固に接着された構
造を有しているので、例えばアドレス基板だけを分離し
て再利用することは難しい。
【００１３】アクティブマトリクス型液晶表示装置を例
に従来の問題を説明したが、有機ＥＬ表示装置や他の表
示装置も同様の問題を有している。さらに、表示装置に
限られず、アドレス基板を用いる検出装置あるいは入力
装置も同様の問題を有している。すなわち、素子アレイ
をアドレス基板を用いて駆動するタイプの電子機器に共
通の問題である。素子アレイは、例えば、個々の素子と
して画素を有する表示素子であり、個々の素子として容
量検出素子を有する容量検出素子アレイであってもよ
い。また、アドレス方式は、線順次方式に限らず、点順
次方式であっても良く、さらに、電気的なアドレス方式
に限られず光学的なアドレス方式であってもよい。
【００１４】本発明はかかる諸点に鑑みてなされたもの
であり、その主な目的は、素子アレイをアドレス基板を
用いて駆動するタイプの電子機器の製造歩留まりおよび
／または再利用効率を向上することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の電子機器は、互
いに対向する一対の第１主面と、前記一対の第１主面の
間にマトリクス状に配列された複数の素子領域であっ
て、前記複数の電極を有する複数の素子領域と、前記一
対の第１主面の一方に設けられ、それぞれが前記複数の
電極のそれぞれに電気的に接続された複数の第１端子電
極とを備える素子アレイと、前記素子アレイの前記一方
の第１主面に対向するように配置された第２主面を有す
る基板と、前記第２主面に設けられ、それぞれが前記複
数の第１端子電極のそれぞれに電気的に接続された複数
の第２端子電極と、前記複数の素子領域を順次アドレス
しながら、前記第２端子電極を介して前記複数の素子領
域に所定の信号を伝送または前記複数の素子領域から所
定の信号を受信するアドレス駆動回路とを備えるアドレ
ス基板とを有し、そのことによって上記目的が達成され
る。
【００１６】前記素子アレイと前記アドレス基板とは着
脱可能とすることができる。
【００１７】前記複数の第１端子電極と前記複数の第２
端子電極との間に異方性導電層が設けられていることが
好ましい。
【００１８】前記一方の第１主面は異方性導電層によっ
て構成され、前記異方性導電層の一部が前記複数の電極
および前記複数の第１端子電極として機能する構成とし
てもよい。
【００１９】前記複数の第１端子電極と前記複数の第２
端子電極は、互いに噛合する構造を有している構成とし
てもよい。
【００２０】前記素子アレイと前記アドレス基板との間
隙を減圧状態に保持することが可能なシール部を更に有
する構成としても良い。
【００２１】ある好ましい実施形態において、前記複数
の素子領域は複数の画素であり、前記複数の電極はマト
リクス状に配列された複数の画素電極であり、前記複数
の第１端子電極および前記第２端子電極は、前記複数の
画素電極に対応してマトリクス状に配列されており、前
記素子アレイは前記アドレス基板から伝送される所定の
信号に応じて表示素子として機能する。
【００２２】前記アドレス基板は、複数の基準電圧と、
前記複数の基準電圧に対応した複数の階調電圧のセット
を生成する回路を備えることが好ましい。
【００２３】ある好ましい実施形態において、前記アド
レス基板、前記複数の第２端子電極に接続された複数の
スイッチング素子を有する。
【００２４】前記画素は液晶層を含んでもよいし、ある
いは、有機ＥＬ発光層を含んでもよい。
【００２５】ある実施形態において、前記アドレス基板
は、前記複数の第２端子電極に接続された複数のスイッ
チング素子を有し、前記複数のスイッチング素子は光照
射によって導電率が変化する半導体層を有し、前記アド
レス基板は素子アレイと分離した状態でフォトセンサア
レイとして動作することができる。
【００２６】前記複数の素子領域は、前記複数の電極
と、前記複数の電極を覆う絶縁層とを有し、前記絶縁層
を介して前記複数の電極上に存在する被検出物に応じて
容量を形成し、前記素子アレイは、前記アドレス基板か
ら送信される信号に応じて前記複数の電極に蓄積された
電荷を前記アドレス基板に伝送する、容量検出素子アレ
イとして機能する構成とすることができる。
【００２７】ある実施形態において、前記複数の電極は
マトリクス状に配列されており、前記複数の第１電極お
よび前記複数の第２端子電極は前記複数の画素電極に対
応してマトリクス状に配列されており、前記アドレス基
板は、前記複数の第２端子電極に接続された複数のスイ
ッチング素子を有する。
【００２８】ある実施形態において、前記複数のスイッ
チング素子は光照射によって導電率が変化する半導体層
を有し、前記アドレス基板は素子アレイと分離した状態
でフォトセンサアレイとして動作することができる。
【００２９】本発明による他の電子機器は、互いに対向
する一対の電極と、前記一対の電極の間に設けられた表
示媒体層と、前記一対の電極の一方と前記表示媒体層と
の間に設けられた光導電層とを有する表示媒体基板と、
前記表示媒体基板の前記一方の電極に対向するように設
けられ、複数の発光素子を有する光アドレス基板と、前
記複数の発光素子から出射された光を用いて前記表示媒
体層の所定の領域を順次アドレスしながら、前記一対の
電極から印加される電圧に応じた表示を行うことを特徴
とする。
【００３０】ある実施形態において、前記表示媒体基板
は、前記光導電層と前記表示媒体層との間に反射層を有
し、外部から前記表示媒体層に入射した光を前記反射層
によって反射することによって表示を行うことができ
る。
【００３１】前記表示媒体基板は、前記反射層および前
記一方の電極が形成されていない透過領域を有し、前記
複数の発光素子から出射され前記透過領域を透過した光
を用いて表示を行うことができる構成としてもよい。
【００３２】前記表示媒体基板と前記光アドレス基板と
を着脱可能としてもよい。
【００３３】前記表示媒体基板と前記光アドレス基板と
の間に、前記複数の発光素子のそれぞれから出射された
光の配光分布を制御する光学素子をさらに有する構成と
してもよい。
【００３４】前記表示媒体基板と前記光アドレス基板と
の間隙を減圧状態に保持することが可能なシール部を更
に有する構成としてもよい。
【００３５】前記複数の発光素子は、マトリクス状に配
列されており、前記複数の発光素子のそれぞれは画素に
対応するように設けられている構成としてもよい。
【００３６】前記光アドレス基板は、前記表示媒体基板
と分離した状態で、表示素子として機能する構成とする
ことができる。
【００３７】前記表示媒体層として液晶層を好適に用い
ることができる。また、前記複数の発光素子として、有
機ＥＬ発光素子を好適に用いることができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による実施形態の電子機器を説明するが、本発明は以下
の実施形態に限定されるものではない。
【００３９】本発明による電子機器は、マトリクス状に
配列された素子領域を有する素子アレイと、素子アレイ
の素子領域をアドレスしながら駆動することができるア
ドレス基板とを有する。
【００４０】素子アレイは、互いに対向する一対の第１
主面と、一対の第１主面の間にマトリクス状に配列され
た複数の素子領域であって、複数の電極を有する複数の
素子領域と、一対の第１主面の一方に設けられ、それぞ
れが複数の電極のそれぞれに電気的に接続された複数の
第１端子電極とを備える。
【００４１】アドレス基板は、素子アレイの上記一方の
第１主面に対向するように配置された第２主面を有する
基板と、第２主面に設けられ、それぞれが複数の第１端
子電極のそれぞれに電気的に接続された複数の第２端子
電極と、複数の素子領域を順次アドレスしながら、第２
端子電極を介して複数の素子領域に所定の信号を伝送ま
たは複数の素子領域から所定の信号を受信するアドレス
駆動回路とを備える。
【００４２】本発明による実施形態の電子機器は、素子
アレイとアドレス基板との電気的な接続を行う第１端子
電極および第２端子電極が互いに異なる面（異なる基板
またはフィルム）に設けられているので、素子アレイと
アドレス基板とを容易に分離することできる。従って、
本発明によると、電子機器の製造歩留まりおよび／また
は再利用効率が向上する。
【００４３】（実施形態１）まず、表示装置に適用した
実施形態を説明する。
【００４４】図１は、本発明による実施形態１の液晶表
示装置１００の構造を示す概略図である。図１（ａ）
は、表示装置１００の分解断面図であり、図１（ｂ）は
表示装置１００の完成品の断面図であり、図１（ｃ）
は、表示装置１００の平面図である。なお、図１におい
ては、簡単さのために、バックライトや偏光板、周辺駆
動回路、電源などは省略している。
【００４５】液晶表示装置１００は、素子アレイとして
の液晶パネル１００Ａと、アドレス基板１００Ｂとを有
している。
【００４６】液晶パネル１００Ａは、接続側基板１１
と、対向基板１２と、接続側基板１１と対向基板１２と
の間に設けらた液晶層１５とを有している。液晶層１５
は封止部１９によって封入されている。接続側基板１１
および対向基板１２は、絶縁性基板であり、例えば、ガ
ラス基板やプラスチック基板である。
【００４７】接続側基板１１の液晶層１５側には、画素
電極１３がマトリクス状の形成されている。画素電極１
３は、例えば、ＩＴＯ膜をパターニングすることによっ
て形成される。対向基板１２の液晶層１５側には対向電
極１４が設けられている。これらの基板１１および１２
には、必要に応じて、カラーフィルタ層やブラックマト
リクスが形成されても良い。
【００４８】液晶パネル１００Ａの接続側基板１１上に
は、走査線、信号線、およびスイッチング素子が形成さ
れておらず、個々の画素電極１３は互いに電気的に絶縁
されている。
【００４９】接続側基板１１の液晶層１５とは反対側の
面には、画素電極１３のそれぞれに電気的に接続された
第１端子電極１６が形成されている。第１端子電極１６
は画素電極１３に対応してマトリクス状に形成されてい
る。第１端子電極１６は、例えば、図１に示したよう
に、基板面から突き出たバンプ電極であってもよい。第
１端子電極１６は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、ハンダ
等の金属材料を用いて形成され得る。画素電極１３と第
１端子電極１６との電気的な接続は、例えば、接続側基
板１１に形成されたコンタクトホールを介して行われ
る。コンタクトホールは、例えば、公知のエッチングな
どの方法を用いて形成される。
【００５０】なお、対向電極１４と電極転移を介して電
気的に接続される接続電極（転移電極ということもあ
る。）を画素電極１３と同様に接続側基板１１の液晶層
１５側に形成する場合、この対向電極１４用の接続電極
と電気的に接続された第１端子電極を更に設けても良
い。電極転移は、カーボンペースト、金属ペースト、金
属粒などを用いて公知の方法で形成することができる。
【００５１】アドレス基板１００Ｂは、基板２１上に、
走査線２４、信号線２５およびＴＦＴ２６と、ＴＦＴ２
６を介して信号線２５に接続された画素電極（第２端子
電極ということもある）２３が形成されている。図では
簡略化しているが、走査線２４および信号線２５はマト
リクス状に配置された画素電極２３の間に設けられてお
り、個々の画素電極２３の近傍にＴＦＴ２６が設けられ
ている。さらに、基板２１上には、走査線２４に走査信
号を供給する走査線駆動回路および信号線２５にデータ
信号を供給する信号線駆動回路（不図示）が設けられて
いる（図６（ｂ）参照）。これらの駆動回路をまとめて
アドレス駆動回路ということもある。
【００５２】基板２１は、例えば、絶縁性基板（ガラス
基板、プラスチック基板）であってもよいし、半導体基
板（シリコン基板）であってもよい。走査線２４および
信号線２５はＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ等の金属膜や、Ｉ
ＴＯなどの導電性酸化膜を用いて形成することができ
る。ＴＦＴ２６は、Ｓｉや有機半導体を活性層として用
いることができる。また、画素電極２３は、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｃｕ等の金属膜や、ＩＴＯなどの導電性酸化
膜を用いて形成される。アドレス基板１００Ｂの基本的
な構造は従来の液晶表示装置（例えば図８の液晶表示装
置４００）のアクティブマトリクス基板と同じである。
【００５３】但し、画素電極２３は、液晶パネル１００
Ａの第１端子電極１６と電気的に接続される必要があ
る。従って、走査線２４、信号線２５およびＴＦＴ２６
を保護するための絶縁層（不図示）が設けられている場
合には、画素電極２３は絶縁層から露出されている必要
がある。この場合、画素電極２３は、第１端子電極１６
と電気的に接続される第２端子電極として機能する。あ
るいは、画素電極２３を絶縁層で覆い、絶縁層に形成し
たコンタクトホールを介して画素電極２３に電気的に接
続された第２端子電極（不図示）を別途形成していもよ
い。
【００５４】液晶パネル１００Ａの第１端子電極１６と
アドレス基板１００Ｂの画素電極（または第２端子電
極）２３との電気的な接続は、例えば、異方性導電層３
２を用いて行うことができる。このとき、液晶パネル１
００Ａの第１端子電極１６とアドレス基板１００Ｂの画
素電極（または第２端子電極）２３との位置がずれない
ように位置合わせを行ないながら貼り合わせる。異方性
導電層３２が接着性を有する場合には、液晶パネル１０
０Ａとアドレス基板１００Ｂとを互いに接着・固定する
こともできる。異方性導電層３２としては、層面に直交
する方向にのみ導電性を有する公知のＡＣＦ（Ａｎｉｓ
ｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｆｉｌｍ）やＡ
ＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ
ｐａｓｔｅ）を用いることができる。
【００５５】異方性導電層３２の材料としては、例え
ば、樹脂中に導電性粒子が分散された樹脂シートやペー
ストを用いることができる。導電粒子としては、Ａｕな
どの金属粒子にＮｉメッキを施した金属粒子、カーボン
粒子、プラスチック粒子にＮｉ／Ａｕメッキを施した金
属膜被覆プラスチック粒子、ＩＴＯなどの透明導電粒
子、Ｎｉ粒子をポリウレタンに混合させた導電粒子複合
プラスチック等を用いることができる。樹脂材料として
は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタンＳ
ＢＳ（スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合
体）、ＳＥＢＳ（スチレン−エチレンブチレン−スチレ
ンブロック共重合体）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラー
ル）等、各種の材料を用いることができる。
【００５６】なお、ここで用いる樹脂材料として、加熱
により軟化する熱可塑性樹脂や、紫外線照射によって接
着力が低下する紫外線崩壊型樹脂を用いると、一旦、上
記の液晶パネル１００Ａとアドレス基板１００Ｂとを貼
り合わせた後であっても、必要に応じて、容易に分離す
ることができる。再び液晶パネル１００Ａとアドレス基
板１００Ｂとを貼り合わせる場合には、接着する面をア
ルコール等の溶剤を用いて清浄にした後、再度、異方導
電性層を用いて貼り合わせれば良い。このように、簡単
に着脱（貼り合せ／分離）が可能な構成を採用すると、
使用者が用途に応じて、液晶パネル１００Ａを交換する
ことが可能となる。
【００５７】液晶表示装置１００は、従来と同様の方法
で駆動することができるので、その詳細は省略する。
【００５８】液晶表示装置１００は、液晶パネル１００
Ａとアドレス基板１００とを容易に分離できる構成を有
しているので、必要に応じて、液晶パネル１００Ａを交
換することができる。例えば、液晶パネル１００Ａに不
良が発生し良品と交換する場合、用途に応じた液晶パネ
ル（反射型パネルと透過型パネルとの交換や、視角特性
や応答速度の異なるパネルとの交換）に交換する場合な
どが考えられる。さらに、用途に応じて、液晶パネルを
他の表示パネル（例えば有機ＥＬ表示パネル）に交換す
ることもできる。
【００５９】例えば、液晶パネル１００Ａを他の液晶パ
ネルに交換するために、アドレス基板１００Ｂは、複数
の基準電圧と、複数の基準電圧に対応した複数の階調電
圧のセットを生成する回路を備えていることが好まし
い。このような回路を備えることによって、新たに装着
された液晶パネルに適した電圧（信号）を供給すること
ができる。さらに、基準電圧や階調電圧を必要に応じ
て、スイッチやボリュームを用いて変化させられる構成
を備えてもよい。また、異なる種類の表示媒体を用いる
場合に備えて、表示媒体の種類に応じて、最適なγ補正
が可能なように、予め複数種類のγ補正プログラムを準
備しておき、使用者などがγ補正プログラムの選択およ
び微調整をできる構成を設けてもよい。
【００６０】このように、本実施形態の液晶表示装置１
００は、液晶パネル１００Ａとアドレス基板１００Ｂと
を容易に分離することができるので、どちらか一方だけ
を交換し、他方をそのまま利用することが可能になるの
で、液晶表示装置の製造歩留まりおよび／または再利用
効率を向上することができる。また、使用者の用途に応
じて、液晶パネル１００Ａだけを交換することも可能に
なる。さらに、液晶パネル１００Ａに代えて、有機ＥＬ
発光材料や電気泳動材料、エレクトロクロミック材料な
どの各種の表示材料を用いた表示パネル（表示媒体基
板）を用いることができる。したがって、例えば、有機
ＥＬ材料など比較的寿命の短い表示媒体であっても、表
示パネルだけを交換すればよいので、実用に供すること
ができる。
【００６１】上述の例では、液晶パネル１００Ａとアド
レス基板１００Ｂとを、後で剥がすことが容易な異方導
電性樹脂によって貼り合わせる構造を説明したが、両者
を貼り合わせるための材料や構造は、これに限定される
ものでは無い。例えは、表裏面がタック性（粘着性）を
有する異方導電性のゴムシート等を用いて両者を貼り合
わせることも可能である。また、液晶パネル１００Ａと
アドレス基板１００Ｂの一方に磁石を配設し、他方の基
板に強磁性体（Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏなど）を配設しておく
ことによって、両者を磁気的な吸引力を用いて接続する
こともできる。このとき、第１端子電極１６や画素電極
（第２端子電極）２３を強磁性体金属を用いて形成して
も良い。
【００６２】液晶パネル１００Ａとアドレス基板１００
Ｂとの位置合せを容易にするために図２に示した液晶表
示装置１１０のような構成としても良い。
【００６３】液晶表示装置１１０は、図２（ａ）および
（ｂ）に示したように、アドレス基板１１０Ｂの画素電
極（第２端子電極）２３ａが、液晶パネル１００Ａの第
１端子電極１６と噛合する構造を有している点で、図１
に示した液晶表示装置１００と異なっている。具体的に
は、第１端子電極１６は基板面から突き出たバンプ電極
でり、画素電極（第２端子電極）２３は、凸型の第１端
子電極１６を受容する凹型の形状を有している。特に、
図示したように、第１端子電極１６が球面を有するバン
プ電極の場合、画素電極２３はその中心に向かって傾斜
する斜面を有していると、第１端子電極１６をその中心
に導くように機能するので好ましい。
【００６４】もちろん、第１端子電極１６と画素電極２
３の形状を逆にしても良いし、他の形状としてもよい。
また、第１端子電極１６および画素電極２３の形状によ
っては、互いに信頼性良く噛合する場合には、異方性導
電層３２を省略してもよい。
【００６５】さらに、図３に示す液晶表示装置１２０の
ように、接続側基板１１を異方性導電シート１７を用い
て形成することによって、液晶パネル１１０Ａとアドレ
ス基板１００Ｂとの位置合せを不要にすることができ
る。
【００６６】液晶表示装置１２０が有する液晶パネル１
１０Ａは、液晶表示装置１００の接続側基板１１に代え
て、異方性導電シート１７を有している。異方性導電シ
ート１７は、図３（ｃ）に示すように、金属材料や導電
性樹脂で形成された導電性柱状体１７ａの周辺が絶縁層
１７ｂで覆われた異方性導電材料がシート状に加工され
ている。個々の導電性柱状体１７ａの直径は例えば約２
０μｍであり、高さは例えば１５０μｍ、絶縁層１７ｂ
の厚さは、例えば１μｍ〜５μｍ程度である。
【００６７】図３（ｂ）に示したように、この異方性導
電シート１７は、アドレス基板１００Ｂの画素電極２３
と直接接触するように配置され、画素電極２３と接触し
た部分は、液晶パネル１１０Ａの画素電極（図１の画素
電極１３）および第１端子電極（図１の第１端子電極１
６）として機能する。このような構成を採用すると、液
晶パネル１１０Ａとアドレス基板１００Ｂとの位置合せ
が不要となるとともに図１の画素電極１３および第１端
子電極１６とを省略することができる。なお、液晶パネ
ル１００Ａとアドレス基板１００Ｂとを接着するため
に、上述の異方性導電層３２を併用しても良い。
【００６８】この液晶表パネル１１０Ａのように異方性
導電シート１７を用いる場合や、液晶パネル１００Ａの
接続側基板１１として高分子フィルムを用いる場合な
ど、機械的な強度が弱い基板（あるいはフィルム）を用
いる場合には、液晶材料の注入方法として、基板に高い
強度を必要としない、滴下方式などの方法を採用するこ
とが好ましい。滴下方式としては、例えば、特公平８−
２０６２７号公報に記載されている方法を用いることが
できる。
【００６９】次に、図４（ａ）および（ｂ）を参照しな
がら、図１に示した液晶パネル１００Ａとアドレス基板
１００Ｂとを接合する他の方法を説明する。この方法
は、図２に示した液晶表示装置１１０および図３に示し
た液晶表示装置１２０や、後述する実施形態２の光アド
レスタイプの表示装置や実施形態３の電子機器にも適用
できる。
【００７０】図４に示した液晶表示装置１３０は、液晶
パネル１００Ａとアドレス基板１００Ｂとの間隙を減圧
状態に保持することが可能なシール部３４をさらに有し
ている。液晶パネル１００Ａとアドレス基板１００Ｂと
間隙を減圧状態に維持することによって、液晶パネル１
００Ａおよびアドレス基板１００Ｂの全面に均一に大気
圧がかかり、良好な電気的な接続を実現することがき
る。このような構成を採用すると、液晶パネル１００Ａ
を簡単に着脱できるので、使用者が用途に応じて液晶パ
ネル１００Ａを交換することもできる。
【００７１】液晶表示装置１３０は、例えば、図４
（ｂ）に示すようにして作製できる。
【００７２】まず、液晶パネル１００Ａとアドレス基板
１００Ｂとの間隙をシールするためのシール部３４を形
成する。このシール部３４は、例えば、シリコーンゴム
を用いて形成できる。例えば開閉可能なチャック３５を
介して排気管３６をシール部３４の内部に挿入し、ポン
プやエジェクターを用いて、シール部３４の内部（液晶
パネル１００Ａとアドレス基板１００Ｂと間隙）を排気
することによって、減圧状態とすることができる。作業
性の観点から、排気管３６にバルブ３７を設けてもよ
い。液晶パネル１００Ａとアドレス基板１００Ｂと間隙
を十分に減圧した後は、チャック３５を閉じて、減圧状
態を維持する。
【００７３】更に、強度等が要求される場合には、シー
ル剤（接着剤）を用いて、シール部３４の開口部分を封
止しても良いし、液晶パネル１００Ａおよびアドレス基
板１００Ｂの周辺にさらなるシール部を形成してもよ
い。このように、液晶パネル１００Ａとアドレス基板１
００Ｂと間隙を減圧状態にする方法としては、特開平４
−２９１３２０号公報や特開２０００−２７５６５６号
公報に記載されている方法を用いてもよい。
【００７４】（実施形態２）実施形態２の表示装置は、
光アドレスタイプの表示装置である。図５（ａ）に実施
形態２の液晶表示装置２００の分解断面図を示す。
【００７５】図５（ａ）に示した液晶表示装置２００
は、表示媒体基板としての液晶パネル２００Ａと、光ア
ドレス基板２００Ｂとを有している。
【００７６】液晶パネル２００Ａは、接続側基板１１
と、対向基板１２と、接続側基板１１と対向基板１２と
の間に設けらた液晶層１５とを有している。液晶層１５
は封止部１９によって封入されている。接続側基板１１
および対向基板１２は、絶縁性基板であり、例えば、ガ
ラス基板やプラスチック基板である。
【００７７】液晶層１５は、接続側基板１１に設けられ
た電極１３ａと、対向基板１２に設けられた電極１４と
に挟持されている。電極１３ａと液晶層１５との間に
は、光導電層１３ｂが設けられており、光導電層１３ｂ
と液晶層１５との間には反射層１３ｃが設けられてい
る。電極１３ａと電極１４との間には交流電圧が印加で
きるようになっている。反射層１３ｃは、外部から液晶
層１５に入射した光を観察者側（対向基板１２側）に反
射する。光導電層１３ｂは、例えばＳｉまたは有機半導
体を用いて形成することができる。反射層１３ｃは、例
えば、誘電体ミラーである。
【００７８】なお、アドレスに用いる光の波長および光
導電層１３ｂの分光感度にも依存するが、反射層１３ｃ
を省略し、光導電層１３ｂを反射層として機能させるこ
ともできる。また、トナー表示、電気泳動表示またはボ
ールツイスト表示など表示媒体自身が反射特性を有する
表示媒体層を液晶層１５に代えて用いる場合ややＥＬな
どの自発光型表示媒体層を用いる場合にも、反射層を省
略することができる。
【００７９】光アドレス基板２００Ｂは、基板２１上
に、走査線２４、信号線２５およびＴＦＴ２６と、ＴＦ
Ｔ２６を介して信号線２５に接続された発光素子２７が
形成されている。発光素子２７は、図示しない保護絶縁
層（または保護基板）によって覆われていてもよい。基
板２１は、例えば、絶縁性基板（ガラス基板、プラスチ
ック基板）であってもよいし、半導体基板（シリコン基
板）であってもよい。走査線２４および信号線２５はＡ
ｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ等の金属膜や、ＩＴＯなどの導電
性酸化膜を用いて形成することができる。発光素子２７
として、例えば、ＥＬ（有機ＥＬや無機ＥＬ）素子、Ｌ
ＥＤ、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）
などを用いることができる。
【００８０】発光素子２７は、走査線２４に供給する走
査信号を順次走査し、そのタイミングに同期させながら
信号線２５にデータ信号を供給することによって、順次
発光する。なお、発光素子２７として、ＴＦＴ２６など
のスイッチング素子を用いないマトリクス型発光デバイ
ス（例えば、プラズマ発光デバイスやＥＬデバイス）を
用いることもできる。
【００８１】液晶パネル２００Ａと光アドレス基板２０
０Ｂは、例えば、透明な接着剤層あるいは粘着剤層（不
図示）を用いて接合することができる。取り外しの容易
さから、粘着剤層を用いることが好ましく、接着剤層を
用いる場合には、加熱により軟化する熱可塑性樹脂や、
紫外線照射によって接着力が低下する紫外線崩壊型樹脂
を用いることが好ましい。また、図４に示した、シール
部３４を設けて、液晶パネル２００Ａと光アドレス基板
２００Ｂとの間隙を減圧状態にして接合することもでき
る。
【００８２】液晶パネル２００Ａの光導電層１３ｂは、
光アドレス基板２００Ｂの発光素子２７からの光が入射
すると、光で励起された電荷（電子−正孔対）が生成さ
れて電気抵抗値（またはインピーダンス）が低下する特
性を有する。従って、液晶パネル２００Ａの電極１３ａ
と電極１４に所定の電圧を印加した状態で光導電層１３
ｂに光が入射すると、光が入射した領域のみ光導電層１
３ｂの電気抵抗値（またはインピーダンス）が低下し、
その結果、液晶層１５に印加される電圧が増加する。一
方、光導電層１３ｂに光が入射されない領域では、光導
電層１３ｂの電気抵抗値（またはインピーダンス）が高
く、液晶層１５にはほとんど電圧が印加されない。この
原理を利用して、光アドレス基板２００Ｂから出射され
る光を用いて液晶層１５の所定の領域を順次アドレスし
ながら、電極１３ａおよび１４から液晶層１５に印加さ
れる電圧に応じた表示を行うことができる。
【００８３】なお、光アドレス基板２００Ｂの発光素子
２７から出射される光の配光分布（発光強度の角度分
布）によっては、所定の領域（典型的には画素）以外の
領域までアドレスされる、いわゆるクロストーク現象が
発生することがある。すなわち発光素子２７から出射さ
れる光の配光分布が広すぎる場合は、クロストークが起
こらないように、光導電層の所定の領域に光が入射する
ように配光分布を制御する光学系を設ける。
【００８４】例えば、図５（ａ）に示した液晶表示装置
２００のように、液晶パネル２００Ａと光アドレス基板
２００Ｂとの間に配光分布を制御するためのレンズアレ
イ１８を設ければよい。もちろん、レンズアレイ１８に
代えて、ピンホールアレイを用いてもよい。ピンホール
アレイは、例えば、ブラックマトリクスの形成に用いら
れる黒色樹脂を用いて、接続側基板１１の裏面に直接形
成することができる。なお、マトリクス状に配列された
画素の列または行をアドレスするように列または行に沿
って短冊状に形成した場合には、幅方向に集光する機能
を有するレンズや線状のスリットを設ければよい。
【００８５】光導電層１３ｂの電気抵抗（またはインピ
ーダンス）を変化させるだけの強度の光が入射すればよ
いので、比較的強度の低い光を用いることができる。ま
た、クロストークを抑制するために、光導電層１３を画
素に対応するように分離して形成しておいても良い。さ
らに、光導電層１３の液晶層１５側に導電層を設け、こ
の導電層を画素に応じて分離して形成してもよい。この
構成を採用すると、アドレス光によって導電率が変化す
る光導電層１３の領域を画素より小さくしても、画素に
対向して形成された導電層には所定の電圧を印加するこ
とができる。この導電層を反射層として機能させること
もできる。
【００８６】このように、光アドレス方式を採用する
と、実施形態１で例示した電気的なアドレス方式より
も、液晶パネルとアドレス基板との接続が容易になり、
接続不良による表示不良の発生を防止することができ
る。
【００８７】また、光アドレス基板２００Ｂの発光素子
２７として可視光を出射する発光素子を用い、マトリク
ス状に配置すれば、光アドレス基板２００Ｂを液晶パネ
ル２００Ａから分離した状態で、自発光ディスプレイと
して利用するこもできる。従って、室内や比較的暗い環
境下では、光アドレス基板２００Ｂのみを用いて自発光
型ディスプレイとして利用し、屋外など明るい環境下で
使用する時には反射型表示モードの液晶パネル２００Ａ
を装着し、反射型ディスプレイとして利用することが可
能になる。このように、本実施形態の液晶表示装置２０
０は、使用者（観察者）の使用環境や要望に応じて表示
モードを切り替えることができる。
【００８８】図５（ａ）に示した液晶パネル２００Ａ
は、光アドレス基板２００Ｂから出射される光をアドレ
ス光として用いるだけであったが、可視光を発光する光
アドレス基板２００Ｂと図５（ｂ）に示す液晶パネル２
１０Ａを用いると、光アドレス基板２００Ｂから出射さ
れる光をアドレス光として用いるだけでなく、表示に利
用することもできる。
【００８９】液晶パネル２１０Ａは、いわゆる反射透過
両用型の液晶パネルの一種であり、透過モードで表示を
行う領域（透過領域Ｔ）と反射モードで表示を行う領域
（反射領域Ｒ）とを有している。液晶パネル２１０Ａの
電極１３ａ’、光導電層１３ｂ’および反射層１３ｃ’
は反射領域Ｒに対応して選択的に形成されており、透過
領域Ｔには電極、光導電層および反射層は形成されてい
ない。反射領域Ｒは図５（ａ）に示した液晶表示装置２
００と同様に、発光素子２７から出射された光によって
アドレスされ、反射モードで表示を行う。一方、透過領
域Ｔの液晶層１５には電圧は印加されず、発光素子２７
からの光を透過することによって表示を行う。すなわ
ち、液晶層１５（および不図示の偏光板）はノーマリホ
ワイモードで表示を行うように設定されている。
【００９０】なお、反射モードの表示と透過モードの表
示を最適化するためには、図示したように、反射領域Ｒ
の液晶層１５の厚さは、透過領域Ｔの液晶層１５の厚さ
ｄの２分の１に設定することが好ましい。また、ここで
は、画素ごとに透過領域Ｔと反射領域Ｔとを有する構成
を例示しているが、これに限られない。また、他の公知
の反射透過両用型液晶表示パネルを用いることもでき
る。
【００９１】液晶パネル２００Ａや２１０Ａと光アドレ
ス基板２００Ｂとの接合は、実施形態１と同様の構成で
実現できる。但し、接着剤層や粘着剤層を用いる場合に
は、電気伝導性は不要で、透明性を備える接着剤層や粘
着剤層を用いる。もちろん、図４に示した構成を用いる
こともできるし、磁石等の磁気的な吸引力を用いて接合
することもできる。
【００９２】なお、実施形態２においても、表示媒体基
板として液晶パネルを用いた実施形態を示したが、液晶
材料に代えて、有機ＥＬ発光材料や電気泳動材料、エレ
クトロクロミック材料などの各種の表示材料を用いた表
示パネルを用いることもできる。
【００９３】（実施形態３）次に、本発明による検出装
置の実施形態を説明する。
【００９４】図６（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を参照し
ながら、上記の実施形態における表示パネルの代わり
に、検出素子アレイを用いた検出装置３００の構造と機
能を説明する。
【００９５】検出装置３００は、検出素子アレイ３００
Ａとアドレス基板３００Ｂとを有している。アドレス基
板３００Ｂは、実施形態１の表示装置に用いられるアド
レス基板１００Ｂまたはアドレス基板１１０Ｂと同様の
構造を有する。検出素子アレイ３００Ａは、接続側基板
１１と、接続側基板１１上にマトリクス状に配列された
複数の検出電極１３と、検出電極１３を覆う絶縁層（保
護膜）１５ａを有する。検出素子アレイ３００Ａとアド
レス基板３００Ｂとの接続は、実施形態１と同じ構成で
実現できる。
【００９６】検出装置３００の動作原理を図６（ｃ）を
参照しながら説明する。
【００９７】先ず、検出素子アレイ３００Ａの上面（即
ち絶縁層１５ａの上）に、人間の指などの凹凸面を有す
る被検出物（凹凸物）５２を近接させる。このとき、被
検出物５２は一種の電極とみなされるので、被検出物５
２と検出電極１３との間に容量が生成される。
【００９８】被検出物５２の凹凸面の凸部では、被検出
物５２と検出電極１３の間には絶縁層１５ａのみが存在
するが、被検出物５２の凹凸面の凹部では、被検出物５
２と検出電極１３との間に絶縁層１５ａと空気層とが存
在する。このため、被検出物５２の凸部と凹部の形状に
応じて、検出電極１３上に生成される容量の値（すなわ
ち電荷量）が異なる。この容量値の分布を、アドレス基
板３００Ｂでアドレスしながら、アドレス基板３００Ｂ
の信号線２５の端部に備えられた電荷検出回路（または
電圧検出回路）２３Ａ（図６（ｂ）参照）で読み取るこ
とで、被検出物５２の表面形状（凹凸分布）を読み取る
ことが可能になる。検出装置３００は、例えば入力デバ
イス（指紋センサ）などとして利用することができる。
【００９９】アドレス基板３００Ｂは、図６（ｂ）に示
したように、走査線２４に走査信号を供給する走査線駆
動回路２４Ａ、信号線２５にデータ信号を供給する信号
線駆動回路２５Ａおよび電荷検出回路（または電圧検出
回路）２３Ａを有する。電荷検出回路２３Ａ以外の構成
は、実施形態１で示したアドレス基板１００Ｂおよび１
１０Ｂと実質的に同じである。従って、実施形態１で例
示した表示パネル１００Ａに代えて検出素子アレイ３０
０Ａを装着するだけで、表示装置を検出装置として利用
することが可能になる。但し、表示装置として利用する
際は、信号線駆動回路２５Ａを利用し、検出装置として
利用する際には、電荷検出回路（または電圧検出回路）
２３Ａを利用するように、切り替えられるようにすれば
いよい。
【０１００】また、実施形態１および実施形態３のアド
レス基板をフォトセンサアレイとして機能させることも
できる。
【０１０１】アドレス基板１００ＣのＴＦＴ２６が電気
的なスイッチング行うための半導体層と光照射によって
導電率が変化する半導体層とを有する構成を採用する
と、例えば、特許公報２７９６３３６号公報や特許公報
３０１９６３２号公報に開示されているような、フォト
センサアレイとして動作させることができる。
【０１０２】このようなアドレス基板１００Ｃは、図７
に示すように、密着型イメージセンサとして用いること
ができる。
【０１０３】アドレス基板１００Ｃの背面にバックライ
ト４０を配置し、アドレス基板１００Ｃの上面に原稿の
印刷面を対向させて配置する。バックライト４０から出
射された光は、アドレス基板１００Ｃを透過して、原稿
５４の印刷面に入射し、印刷面の状態に応じて反射ある
いは吸収される。原稿５４の印刷面で反射された光はＴ
ＦＴ２６に入射し、ＴＦＴ２６は入射した光の強度に応
じて導電率が変化し、それによって、入射光の強度に応
じた信号が生成される。このようにして、原稿５４の印
刷面に記録された情報を読み出すことができる。もちろ
ん、アドレス基板１００Ｃには、上記信号を読み取るた
めの回路を形成しておく必要がある。これらの回路には
公知の回路を用いることができる。
【０１０４】このような構成を採用すると、実施形態１
で説明した表示装置や実施形態３で説明した検出装置の
アドレス基板をこれらの装置から分離した状態でフォト
センサアレイとして利用することができる。
【０１０５】なお、上記の実施形態１および３では、ア
ドレス基板のスイッチング素子としいてＴＦＴ２６を有
する構成を例示したが、スイッチング素子はＴＦＴに限
られず、ＭＩＭなどの他のスイッチング素子を用いるこ
ともできる。また、スイッチグ素子をマトリクス状に設
けた例について主に説明したが、これに限られない。
【０１０６】
【発明の効果】本発明によると、アドレス基板を素子ア
レイから分離できるので、電子機器の製造歩留まりおよ
び／または再利用効率が向上する。
【０１０７】さらに、本発明によると、素子アレイとア
ドレス基板と組み合わせを変更することによる電子機器
の新しい利用方法や、素子アレイとアドレス基板とを分
離した状態で利用する新たな利用方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施形態１の液晶表示装置１００
の構造を示す概略図であり、（ａ）は、表示装置１００
の分解断面図であり、（ｂ）は表示装置１００の完成品
の断面図であり、（ｃ）は表示装置１００の平面図であ
る。
【図２】本発明による実施形態１の他の液晶表示装置１
１０の構造を示す概略図であり、（ａ）は、表示装置１
１０の分解断面図であり、（ｂ）は表示装置１１０の完
成品の断面図である。
【図３】本発明による実施形態１のさらに他の液晶表示
装置１２０の構造を示す概略図であり、（ａ）は、表示
装置１２０の分解断面図であり、（ｂ）は表示装置１２
０の画素部を拡大した図であり、（ｃ）は異方性導電シ
ートの構造をせつめいするための模式図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、実施形態１の液晶パネ
ル１００Ａとアドレス基板１００Ｂとを接合する他の方
法を説明するための図である。
【図５】（ａ）は、本発明による実施形態２の光アドレ
スタイプの液晶表示装置２００の分解断面図であり、
（ｂ）は液晶表示装置２００に用いられる他の液晶パネ
ル２１０Ａの画素部の断面構造を示す図である。
【図６】本発明による実施形態３の検出装置３００の構
造と機能を説明するための図であり、（ａ）は検出装置
３００の断面図であり、（ｂ）は検出装置３００の平面
図であり、（ｃ）は検出装置３００の動作状態を示す図
である。
【図７】本発明の実施形態による表示装置または検出装
置に用いられるアドレス基板１００Ｃの利用方法を説明
するための図である。
【図８】従来の液晶表示装置４００の構造を模式的に示
す断面図である。
【符号の説明】
１１ 接続側基板 １２ 対向基板 １３ 画素電極 １４ 対向電極 １５ 液晶層 １６ 第１端子電極（バンプ電極） １９ 封止部 ２１ 基板 ２３ 画素電極（第２端子電極） ２４ 走査線 ２５ 信号線 ２６ ＴＦＴ １００ 液晶表示装置 １００Ａ 液晶パネル（素子アレイ） １００Ｂ アドレス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 ５Ｃ０９４ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３６５ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３６５Ｚ ５Ｇ４３５ 9/35 9/35 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ // Ｇ０１Ｂ 7/28 Ｇ０１Ｂ 7/28 Ｈ Ｆターム(参考） 2F063 AA43 BA29 BD11 BD20 DA02 DA05 DD07 HA04 2H091 FA14Y FA29Y FA44Z FA45Z FA48Y FD12 FD14 GA02 GA13 GA14 GA17 LA09 LA12 LA13 MA10 2H092 GA28 GA29 GA40 GA41 GA43 GA45 GA46 GA48 GA54 GA55 HA06 HA25 JA03 JA24 LA06 MA17 MA31 NA29 NA30 PA06 PA12 RA10 2H093 NA16 NA42 NA43 NC34 NC38 NC54 NC72 NC73 ND60 NE03 NE07 NG15 3K007 AB18 BB07 DB03 FA02 5C094 AA42 AA52 BA03 BA27 BA43 BA75 CA19 DA12 DB05 EB02 ED11 FA04 GA01 HA08 5G435 AA17 BB05 BB12 CC09 DD16 EE42 FF11 GG02 HH13 LL06 LL07 LL08

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに対向する一対の第１主面と、前記
    一対の第１主面の間にマトリクス状に配列された複数の
    素子領域であって、前記複数の電極を有する複数の素子
    領域と、前記一対の第１主面の一方に設けられ、それぞ
    れが前記複数の電極のそれぞれに電気的に接続された複
    数の第１端子電極とを備える素子アレイと、 前記素子アレイの前記一方の第１主面に対向するように
    配置された第２主面を有する基板と、前記第２主面に設
    けられ、それぞれが前記複数の第１端子電極のそれぞれ
    に電気的に接続された複数の第２端子電極と、前記複数
    の素子領域を順次アドレスしながら、前記第２端子電極
    を介して前記複数の素子領域に所定の信号を伝送または
    前記複数の素子領域から所定の信号を受信するアドレス
    駆動回路とを備えるアドレス基板と、 を有する電子機器。
  2. 【請求項２】 前記素子アレイと前記アドレス基板とは
    着脱可能である、請求項１に記載の電子機器。
  3. 【請求項３】 前記複数の第１端子電極と前記複数の第
    ２端子電極との間に異方性導電層が設けられている、請
    求項１または２に記載の電子機器。
  4. 【請求項４】 前記一方の第１主面は異方性導電層によ
    って構成され、前記異方性導電層の一部が前記複数の電
    極および前記複数の第１端子電極として機能する、請求
    項１から３のいずれかに記載の電子機器。
  5. 【請求項５】 前記複数の第１端子電極と前記複数の第
    ２端子電極は、互いに噛合する構造を有している、請求
    項１から３のいずれかに記載の電子機器。
  6. 【請求項６】 前記素子アレイと前記アドレス基板との
    間隙を減圧状態に保持することが可能なシール部を更に
    有する、請求項１から５のいずれかに記載の電子機器。
  7. 【請求項７】 前記複数の素子領域は複数の画素であ
    り、前記複数の電極はマトリクス状に配列された複数の
    画素電極であり、前記複数の第１端子電極および前記第
    ２端子電極は、前記複数の画素電極に対応してマトリク
    ス状に配列されており、前記素子アレイは前記アドレス
    基板から伝送される所定の信号に応じて表示素子として
    機能する、請求項１から６のいずれかに記載の電子機
    器。
  8. 【請求項８】 前記アドレス基板は、複数の基準電圧
    と、前記複数の基準電圧に対応した複数の階調電圧のセ
    ットを生成する回路を備える、請求項７に記載の電子機
    器。
  9. 【請求項９】 前記アドレス基板、前記複数の第２端子
    電極に接続された複数のスイッチング素子を有する、請
    求項７または８に記載の電子機器。
  10. 【請求項１０】 前記画素は液晶層を含む請求項７から
    ９のいずれかに記載の電子機器。
  11. 【請求項１１】 前記画素は有機ＥＬ発光層を含む請求
    項７から９のいずれかに記載の電子機器。
  12. 【請求項１２】 前記アドレス基板は、前記複数の第２
    端子電極に接続された複数のスイッチング素子を有し、
    前記複数のスイッチング素子は光照射によって導電率が
    変化する半導体層を有し、前記アドレス基板は素子アレ
    イと分離した状態でフォトセンサアレイとして動作する
    ことができる、請求項７から１１のいずれかに記載の電
    子機器。
  13. 【請求項１３】 前記複数の素子領域は、前記複数の電
    極と、前記複数の電極を覆う絶縁層とを有し、前記絶縁
    層を介して前記複数の電極上に存在する被検出物に応じ
    て容量を形成し、 前記素子アレイは、前記アドレス基板から送信される信
    号に応じて前記複数の電極に蓄積された電荷を前記アド
    レス基板に伝送する、容量検出素子アレイとして機能す
    る、請求項１から６のいずれかに記載の電子機器。
  14. 【請求項１４】 前記複数の電極はマトリクス状に配列
    されており、前記複数の第１電極および前記複数の第２
    端子電極は前記複数の画素電極に対応してマトリクス状
    に配列されており、前記アドレス基板は、前記複数の第
    ２端子電極に接続された複数のスイッチング素子を有す
    る、請求項１３に記載の電子機器。
  15. 【請求項１５】 前記複数のスイッチング素子は光照射
    によって導電率が変化する半導体層を有し、前記アドレ
    ス基板は素子アレイと分離した状態でフォトセンサアレ
    イとして動作することができる、請求項１４に記載の電
    子機器。
  16. 【請求項１６】 互いに対向する一対の電極と、前記一
    対の電極の間に設けられた表示媒体層と、前記一対の電
    極の一方と前記表示媒体層との間に設けられた光導電層
    とを有する表示媒体基板と、 前記表示媒体基板の前記一方の電極に対向するように設
    けられ、複数の発光素子を有する光アドレス基板と、 前記複数の発光素子から出射された光を用いて前記表示
    媒体層の所定の領域を順次アドレスしながら、前記一対
    の電極から印加される電圧に応じた表示を行う、電子機
    器。
  17. 【請求項１７】 前記表示媒体基板は、前記光導電層と
    前記表示媒体層との間に反射層を有し、外部から前記表
    示媒体層に入射した光を前記反射層によって反射するこ
    とによって表示を行うことができる、請求項１６に記載
    の電子機器。
  18. 【請求項１８】 前記表示媒体基板は、前記反射層およ
    び前記一方の電極が形成されていない透過領域を有し、
    前記複数の発光素子から出射され前記透過領域を透過し
    た光を用いて表示を行うことができる、請求項１７に記
    載の電子機器。
  19. 【請求項１９】 前記表示媒体基板と前記光アドレス基
    板とは着脱可能である、請求項１６から１８のいずれか
    に記載の電子機器。
  20. 【請求項２０】 前記表示媒体基板と前記光アドレス基
    板との間に、前記複数の発光素子のそれぞれから出射さ
    れた光の配光分布を制御する光学素子をさらに有する、
    請求項１６から１９のいずれかに記載の電子機器。
  21. 【請求項２１】 前記表示媒体基板と前記光アドレス基
    板との間隙を減圧状態に保持することが可能なシール部
    を更に有する、請求項１６から２０のいずれかに記載の
    電子機器。
  22. 【請求項２２】 前記複数の発光素子は、マトリクス状
    に配列されており、前記複数の発光素子のそれぞれは画
    素に対応するように設けられている、請求項１６から２
    １のいずれかに記載の電子機器。
  23. 【請求項２３】 前記光アドレス基板は、前記表示媒体
    基板と分離した状態で、表示素子として機能する、請求
    項２２に記載の電子機器。
  24. 【請求項２４】 前記表示媒体層は液晶層である、請求
    項１６から２３のいずれかに記載の電子機器。
  25. 【請求項２５】 前記複数の発光素子は、有機ＥＬ発光
    素子である、請求項１６から２４のいずれかに記載の電
    子機器。
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