JP2003273509A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面粗さが小さい導体または配線パターンを
有しつつ、絶縁層と導体または配線パターンとの間にお
ける密着性の高い配線基板、および、その製造方法を提
供すること。 【解決手段】 少なくとも１つの絶縁層１１ａと少なく
とも１つの導体１２ａからなる配線基板Ｘ１であって、
導体１２ａの片面または両面と当該導体１２ａに隣接す
る絶縁層１１ａとの間には、クロム酸化物膜、クロム酸
化物と亜鉛および／または亜鉛酸化物とを含む混合膜、
並びにシランカップリング剤膜からなる群より選択され
る密着膜１４が介在していることとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器の
回路系に使用される配線基板およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器に対する小型化、高性能
化および低価格化等の要求に伴い、電子機器に組み込ま
れる電子部品の高密度実装化が急速に進んでいる。その
ような高密度実装化に対応すべく、電子部品を実装する
ための基板などについては、配線が多層化された多層配
線構造が採用される場合がある。

【０００３】多層配線構造を形成するための手法の一つ
として、いわゆる一括積層法が知られている。一括積層
法においては、複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パタ
ーンとからなる積層構造は、一括的に一体化される。具
体的には、まず、所定数の銅張積層板について、銅箔を
エッチングすることにより所望の銅配線パターンが形成
される。銅張積層板は、例えば、プリプレグの両面に銅
箔が貼着されたものを用いる。次に、銅配線パターンが
形成されている所定数の銅張積層板をプリプレグを介し
て重ね合わせ、加熱下においてこれらを厚み方向にプレ
スする。このとき、配線パターン間においてそれまで半
硬化状態にあったプリプレグが硬化し、これによって、
複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パターンとからなる
積層構造が一括的に一体化されることとなる。次に、当
該積層構造体を貫通するスルーホールが形成され、続い
て、スルーホール表面にめっきが施される。各配線パタ
ーンは、当該スルーホールめっきを介して適宜導通され
る。

【０００４】このような一括積層法による多層配線基板
の製造においては、従来、絶縁層と配線パターンとの密
着性を確保すべく、銅張積層板としては、表面に粗化処
理を施した銅箔を当該粗化面を介してプリプレグに貼着
したものが使用されていた。粗化処理によって、銅箔に
おけるプリプレグとの貼着面には、例えばＲ_max５μｍ
程度の凹凸が形成される。また、銅張積層板においてパ
ターン形成された後の配線パターンの露出面も、黒化処
理等により粗化されていた。この粗化面は、上述のプレ
ス加工の際に、銅張積層板間に介挿されるプリプレグに
対して面接触する。このように、銅配線パターンの表面
を粗化することによって、銅配線パターンとこれを挟み
こむ絶縁層との間において、物理的なアンカー効果に基
く高い密着性を得ていた。多層配線基板において、絶縁
層に対する配線パターンの密着性が充分でないと、微細
配線構造を適切に形成できない等の不具合を生じ易いた
めである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような配線表面の粗化は、同一層の配線間においてショ
ートを誘発する場合がある。銅張積層板の作製の際に、
貼着面が粗化処理されている銅箔をプリプレグに貼り合
わせると、銅箔の表面粗さは当該プリプレグに転写され
てしまう。すなわち、銅張積層板におけるプリプレグ部
位の表面全体が粗化されてしまう。そのため、銅張積層
板上において銅箔の不要部のエッチング除去により配線
パターンを形成した後であっても、プリプレグ部位にお
ける粗表面の凹部には銅箔の微小片が残留している場合
が多い。この銅残査は、配線間のショートの原因となり
得る。配線間の距離が短くなるほど、すなわち微細配線
であるほど、この問題は顕著となる傾向にある。

【０００６】また、上述のような配線表面の粗化は、信
号の伝送損失抑制の観点からも好ましくない。特に高周
波領域用途のプリント配線基板では伝送損失の小さいこ
とが望まれるが、配線の表面粗さが大きいと、高周波の
信号の伝送損失が不当に増大してしまう傾向にあるから
である。伝送損失の一要因であるいわゆる導体損は配線
形状の影響を受けることが知られている。また、より高
周波の信号は配線においてより表面を流れることも知ら
れており、表面粗さの大きな配線では、高周波信号は配
線の凹凸表面付近を流れることとなる。その結果、信号
の伝送距離が長くなり、導体損ひいては伝送損失が大き
くなってしまうのである。

【０００７】一方、プリント配線基板全般の分野におい
ては、配線パターンと当該配線パターンが面接触する対
象との密着性向上を図るための技術としては、上述のよ
うな配線表面の粗化に加えて、配線パターンとこれが面
接触する対象物との間に接着性の膜を補助的に介在させ
る技術が知られている。そのような技術は、例えば、特
開平５−２３５５４２号公報、特開平８−３９７２８号
公報、特開平８−１８１４３３号公報、および特開２０
００−１５６５６３号公報に開示されている。

【０００８】しかしながら、従来の密着膜によっては、
一括積層法により形成される多層配線基板における絶縁
層と配線パターンとの間に充分な密着性を達成できない
場合があった。例えば特開平５−２３５５４２号公報の
密着膜は、配線層をエッチングすることによって配線パ
ターンを形成する際に、当該配線層上にパターン形成さ
れるレジストと当該配線層との密着性を高めるための組
成を有するのであって、一括積層法により製造される多
層配線基板における絶縁層と配線パターンとの密着性を
高めるためのものではない。

【０００９】本発明は、このような事情のもとで考え出
されたものであって、表面粗さが小さい導体ないし配線
パターンを有しつつ、絶縁層と導体ないし配線パターン
との間における密着性の高い配線基板、および、その製
造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
ると配線基板が提供される。この配線基板は、少なくと
も１つの絶縁層と少なくとも１つの導体からなり、導体
の片面または両面と当該導体に隣接する絶縁層との間に
は、クロム酸化物膜、クロム酸化物と亜鉛および／また
は亜鉛酸化物とを含む混合膜、並びにシランカップリン
グ剤膜からなる群より選択される密着膜が介在している
ことを特徴とする。本発明の第１の側面における配線基
板には、１層以上の配線パターンを備える配線基板、お
よび、配線がパターン形成されていない片面または両面
導体張基板を含むものとする。

【００１１】本発明の第２の側面によると別の配線基板
が提供される。この配線基板は、複数の絶縁層と当該絶
縁層間の配線パターンとを含む積層構造を有しており、
配線パターンの片面または両面と当該配線パターンに隣
接する絶縁層との間に、クロム酸化物膜、クロム酸化物
と亜鉛および／または亜鉛酸化物とを含む混合膜、並び
にシランカップリング剤膜からなる群より選択される密
着膜が介在していることを特徴とする。

【００１２】上述の本発明の第１の側面によると、少な
くとも１層以上の導体箔や配線パターンなどの導体を有
する配線基板であって、表面粗さが小さい導体を有しつ
つ絶縁層と導体との間における密着性の高い配線基板を
得ることができる。また、本発明の第２の側面による
と、表面粗さが小さい配線パターンを有しつつ、絶縁層
と配線パターンとの間における密着性の高い多層配線基
板を得ることができる。

【００１３】本発明における密着膜のうち、クロム酸化
物膜、並びに、クロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛
酸化物とからなる混合膜は、樹脂材料よりなる絶縁層に
対する密着性および金属材料よりなる導体や配線パター
ンに対する密着性が共に比較的高い。一方、シランカッ
プリング剤膜は、絶縁層を構成する有機材料に対して結
合可能な官能基（ビニル基、アミノ基、エポキシ基、イ
ミダゾール基など）、および、導体または配線パターン
などを構成する無機材料と結合可能な官能基（水酸基、
メトキシ基、エトキシ基など）を有する。このようなク
ロム酸化物膜、クロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛
酸化物とを含む混合膜、もしくはシランカップリング剤
膜が、単独で又は複数積層されて導体または配線パター
ンとこれに隣接する絶縁層との間に介在すると、導体ま
たは配線パターン表面を従来のように粗化せずとも、当
該絶縁層と導体または配線パターンとの間において、充
分に高い密着性が達成される。

【００１４】したがって、本発明の第１および第２の側
面によると、表面粗さが小さい導体または配線パターン
ひいては表面粗さが小さい絶縁層を有しつつ、絶縁層と
導体または配線パターンとの間における密着性の高い導
体張基板、両面プリント配線基板および多層配線基板な
どを得ることができる。その結果、１層以上の配線パタ
ーンを有する配線基板においては、配線間のショートを
抑制することが可能となり、また、伝送損失を低減する
ことが可能となるのである。

【００１５】本発明の第３の側面によると別の配線基板
が提供される。この配線基板は、少なくとも１つの絶縁
層と少なくとも１つの導体からなり、導体の片面または
両面と当該導体に隣接する絶縁層との間には密着膜が介
在しており、密着膜は、導体に接するクロム酸化物膜も
しくはクロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸化物と
を含む混合膜に加え、絶縁層に接するシランカップリン
グ剤膜も含むことを特徴とする。本発明の第３の側面に
おける配線基板には、１層以上の配線パターンを備える
配線基板、および、配線がパターン形成されていない片
面または両面導体張基板を含むものとする。

【００１６】本発明の第４の側面によると、複数の絶縁
層と当該絶縁層間の配線パターンとを含む積層構造を有
する多層配線基板が提供される。この多層配線基板は、
配線パターンの片面または両面と当該配線パターンに隣
接する絶縁層との間には密着膜が介在しており、密着膜
は、配線パターンに接するクロム酸化物膜もしくはクロ
ム酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸化物とを含む混合
膜に加え、絶縁層に接するシランカップリング剤膜も含
むことを特徴とする。

【００１７】上述の本発明の第３の側面によると、少な
くとも１層以上の導体箔や配線パターンなどの導体を有
する配線基板であって、表面粗さが小さい導体を有しつ
つ絶縁層と導体との間における密着性の高い配線基板を
得ることができる。また、本発明の第４の側面による
と、表面粗さが小さい配線パターンを有しつつ、絶縁層
と配線パターンとの間における密着性の高い多層配線基
板を得ることができる。

【００１８】本発明の第３および第４の側面における密
着膜の一部を構成するクロム酸化物膜または混合膜は、
第１および第２の側面に関して上述したように、金属材
料よりなる導体や配線パターンに対する密着性が比較的
高い。一方、密着膜の一部を構成するシランカップリン
グ剤膜は、絶縁層を構成する有機材料に対して結合可能
な官能基（ビニル基、アミノ基、エポキシ基、イミダゾ
ール基など）を有するとともに、クロム酸化物膜または
混合膜を構成する無機材料と結合可能な官能基（水酸
基、メトキシ基、エトキシ基など）を有する。このよう
な密着膜が、クロム酸化物膜または混合膜を介して導体
または配線パターンに接しつつシランカップリング剤膜
を介して絶縁層に接するようにして、導体または配線パ
ターンとこれに隣接する絶縁層との間に介在すると、導
体または配線パターン表面を従来のように粗化せずと
も、当該絶縁層と導体または配線パターンとの間におい
て、充分に高い密着性が達成される。

【００１９】したがって、本発明の第３および第４の側
面によっても、表面粗さが小さい導体または配線パター
ンひいては表面粗さが小さい絶縁層を有しつつ、絶縁層
と導体または配線パターンとの間における密着性の高い
導体張基板、両面プリント配線基板および多層配線基板
などを得ることができる。その結果、１層以上の配線パ
ターンを有する配線基板においては、配線間のショート
を抑制することが可能となり、また、伝送損失を低減す
ることが可能となるのである。

【００２０】本発明の第５の側面によると配線基板の製
造方法が提供される。この製造方法は、クロム酸化物
膜、クロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸化物とを
含む混合膜、並びにシランカップリング剤膜からなる群
より選択される密着膜を、導体箔の片面または両面に形
成する工程と、導体箔を、密着膜を介して絶縁膜の片面
または両面に貼り合わせる工程とを含むことを特徴とす
る。このような方法によると、絶縁膜に対する密着性の
高い導体箔が貼り合わされている片面または両面導体張
基板を得ることができる。このような導体張基板を用い
ると、例えば、絶縁膜との密着性の高い配線パターンを
備える配線基板を製造することが可能である。

【００２１】本発明の第６の側面によると配線基板の別
の製造方法が提供される。この製造方法は、複数の絶縁
層と当該絶縁層間の配線パターンとを含む積層構造を有
する配線基板を製造するための方法であって、クロム酸
化物膜、クロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸化物
とを含む混合膜、並びにシランカップリング剤膜からな
る群より選択される密着膜を、片面または両面に有する
２つの導体箔を、密着膜を介して第１絶縁膜の両面に貼
り合わせることによって、導体張基板を形成する工程
と、導体箔をパターニングすることによって、導体張基
板の両面において配線パターンを形成する工程と、配線
パターンが形成された導体張基板と第２樹脂膜とを交互
に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加圧するこ
とによって積層構造を形成することを特徴とする。

【００２２】本発明の第７の側面によると配線基板の別
の製造方法が提供される。この製造方法は、複数の絶縁
層と当該絶縁層間の配線パターンとを含む積層構造を有
する配線基板を製造するための方法であって、クロム酸
化物膜、もしくは、クロム酸化物と亜鉛および／または
亜鉛酸化物とを含む混合膜を片面または両面に有して当
該膜表面がシランカップリング剤で処理されている２つ
の導体箔を、シランカップリング剤を介して第１絶縁膜
の両面に貼り合わせることによって、導体張基板を形成
する工程と、導体箔をパターニングすることによって、
導体張基板の両面において配線パターンを形成する工程
と、配線パターンが形成された導体張基板と第２樹脂膜
とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加
圧することによって積層構造を形成することを特徴とす
る。

【００２３】本発明の第８の側面によると配線基板の別
の製造方法が提供される。この製造方法は、複数の絶縁
層と当該絶縁層間の配線パターンとを含む積層構造を有
する配線基板を製造するための方法であって、クロム酸
化物膜、クロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸化物
とを含む混合膜、並びにシランカップリング剤膜からな
る群より選択される密着膜を、片面または両面に有する
２つの導体箔が、当該密着膜を介して第１絶縁膜の両面
に貼り合わされてなる導体張基板において、導体箔をパ
ターニングすることによって、導体張基板の両面におい
て配線パターンを形成する工程と、配線パターンが形成
された導体張基板と第２樹脂膜とを交互に積層し、当該
積層体を積層方向に一括して加圧することによって積層
構造を形成することを特徴とする。

【００２４】本発明の第９の側面によると配線基板の別
の製造方法が提供される。この製造方法は、複数の絶縁
層と当該絶縁層間の配線パターンとを含む積層構造を有
する配線基板を製造するための方法であって、クロム酸
化物膜、もしくは、クロム酸化物と亜鉛および／または
亜鉛酸化物とを含む混合膜を片面または両面に有して当
該膜表面がシランカップリング剤で処理されている２つ
の導体箔がシランカップリング剤を介して第１絶縁膜の
両面に貼り合わされてなる導体張基板において、導体箔
をパターニングすることによって、導体張基板の両面に
おいて配線パターンを形成する工程と、配線パターンが
形成された導体張基板と第２樹脂膜とを交互に積層し、
当該積層体を積層方向に一括して加圧することによって
積層構造を形成することを特徴とする。

【００２５】本発明の第６から第９の側面に係る方法に
よると、第２および第４の側面に係る多層の配線基板を
製造することができる。したがって、第６から第９の側
面によっても、製造される多層配線基板において、第２
および第４の側面に関して上述したのと同様の効果が奏
される。

【００２６】本発明の第１から第９の側面において、シ
ランカップリング剤膜を構成するためのシランカップリ
ング剤は、イミダゾール基、アミノ基、ピリジル基、エ
ポキシ基、ビニル基、スチリル基、メタクリロキシ基、
アクリロキシ基、メルカプト基、イソシアネート基、ウ
レイド基、およびスルフィド基からなる群より選択され
る官能基を有する。これらの官能基によって、カップリ
ング剤としての上述の機能が達成され得る。

【００２７】好ましくは、導体および配線パターンの最
大表面粗さは５μｍ以下である。このような構成は、配
線基板においてパターン形成されている配線間のショー
トの抑制、および、伝送損失の低減の観点から好適であ
る。

【００２８】好ましくは、絶縁層は、ポリイミド樹脂、
エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、
シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフ
ェニレンオキサイド樹脂、およびフッ素含有樹脂からな
る群より選択される樹脂を含む。本発明における絶縁層
は、例えば、これらの熱硬化性樹脂をガラスクロスなど
の基材に含浸させてなるプリプレグを硬化させることに
よって形成される。

【００２９】本発明における導体または配線パターンを
形成するための導体箔は、好ましくは、電解銅箔または
圧延銅箔である。電解銅箔や圧延銅箔を用いることによ
って、多層配線基板において良好な配線パターンを形成
することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係る多層配線基板Ｘ１の部分断面図である。多層配線
基板Ｘ１は、絶縁層１１ａ，１１ｂと、絶縁層１１ａお
よび絶縁層１１ｂの間に埋設されている配線パターン１
２ａと、絶縁層１１ｂ上にて外部に露出している配線パ
ターン１２ｂと、スルーホールめっき１３とを備える。
絶縁層１１ａと配線パターン１２ａとの間、および、絶
縁層１１ｂと配線パターン１２ｂとの間には、密着膜１
４が介在している。スルーホールめっき１３は、基板を
貫通するスルーホール１３’の内壁面に成膜されてい
る。

【００３１】絶縁層１１ａ，１１ｂは、基材に樹脂材料
を含浸させてなるプリプレグを用いて形成されたもので
あって、当該樹脂は熱硬化されている。絶縁層１１ａ，
１１ｂを構成するための基材としては、ガラス織布基
材、ガラス不織布基材、アラミド織布基材、アラミド不
織布基材などが挙げられる。絶縁層１１ａ，１１ｂを構
成するための樹脂材料としては、ポリイミド樹脂、エポ
キシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シア
ネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニ
レンオキサイド樹脂、フッ素含有樹脂などが挙げられ
る。

【００３２】配線パターン１２ａ，１２ｂは、銅により
構成されており、各々所望の形状を有している。本発明
において、配線パターン１２ａ，１２ｂの表面粗さ即ち
最大表面粗さ（Ｒ_max）は３μｍ以下である。配線パタ
ーン１２ａ，１２ｂは、スルーホールめっき１３によっ
て相互に導通されており、このスルーホールめっき１３
は、例えば金、銀、銅などのめっきにより形成されてい
る。

【００３３】密着膜１４は、クロム酸化物、クロム酸化
物と亜鉛および／または亜鉛酸化物とからなる組織を有
する化合物、もしくは、シランカップリング剤によって
構成されている。

【００３４】密着膜１４をクロム酸化物により構成する
場合、クロム酸化物の量は、クロム量において１５〜３
００μｇ／ｄｍ²の範囲が好ましい。クロム酸化物と亜
鉛および／または亜鉛酸化物とからなる組織を有する化
合物により密着膜１４を構成する場合には、クロム量が
１５〜１５０μｇ／ｄｍ²の範囲であって、亜鉛量が３
０〜３００μｇ／ｄｍ²の範囲であるのが好ましい。

【００３５】密着膜１４を構成するためのシランカップ
リング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、
ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（２−メトキシ
エトキシ）シラン、β−（３,４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピル
トリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
などが挙げられる。

【００３６】このような構成の多層配線基板Ｘ１におい
ては、密着膜１４によって、絶縁層１１ａと配線パター
ン１２ａとの間、および、絶縁層１１ｂと配線パターン
１２ｂとの間において、高い密着性が達成されている。

【００３７】図２〜図４は、多層配線基板Ｘ１を製造す
るための工程を表す。多層配線基板Ｘ１の製造において
は、まず、所定数の導体箔１２の片面に対して、図２
（ａ）に示すように密着膜１４を形成する。導体箔１２
としては、最大表面粗さ（Ｒ_{ma x}）が３μｍ以下の電解
銅箔または圧延銅箔を用いる。

【００３８】クロム酸化物により密着膜１４を構成する
場合、すなわち、クロメート処理により密着膜１４を形
成する場合、密着膜１４は、所定の電解液を用いた電気
めっきないし電解クロメート、または、所定の処理液を
用いた浸漬クロメートによって形成される。ただし、密
着膜１４に対して耐候性が要求される場合には、電解ク
ロメートによって密着膜１４を形成するのが好ましい。
クロム酸化物よりなる密着膜１４を形成するための電解
液としては、Ｋ₂Ｃｒ₂Ｏ₇やＮａ₂Ｃｒ₂Ｏ₇などのニクロ
ム酸塩、および、ＣｒＯ₃などのクロム酸化物の少なく
とも１種が含まれているものを使用することができる。
例えば表１に示すような電解液条件を採用することがで
きる。

【００３９】

【表１】

【００４０】クロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸
化物とからなる組織を有する化合物により密着膜１４を
構成する場合、密着膜１４は、所定の電解液を用いた電
気めっきによって形成される。クロム酸化物と亜鉛およ
び／または亜鉛酸化物とからなる組織を有する化合物よ
りなる密着膜１４を形成するための電解液としては、Ｋ
₂Ｃｒ₂Ｏ₇やＮａ₂Ｃｒ₂Ｏ₇などのニクロム酸塩、また
は、ＣｒＯ₃などのクロム酸化物の少なくとも１種と、
ＺｎＯやＺｎＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏなどの水溶性亜鉛塩の少な
くとも１種とが含まれているものを使用することができ
る。例えば表２に示すような電解液条件を採用すること
ができる。なお、クロム酸化物により密着膜１４を構成
するための電気めっき、もしくは、クロム酸化物と亜鉛
および／または亜鉛酸化物とからなる組織を有する化合
物により密着膜１４を構成するための電気めっきにおい
ては、電解温度は例えば２０〜８０℃、電流密度は例え
ば０．０５〜５Ａ／ｄｍ²、通電時間は例えば５〜３０
秒とし、アノードとしてはＰｔ−Ｔｉ板やステンレス鋼
板などを使用する。

【００４１】

【表２】

【００４２】一方、シランカップリング剤により密着膜
１４を構成する場合には、シランカップリング剤を含む
溶液を導体箔１２の片面に対してスプレー塗布し、これ
を乾燥することによって密着膜１４を形成することがで
きる。カップリング剤による密着膜１４の形成に際して
は、スプレー塗布に代えて、カップリング剤溶液のスピ
ンコーターによる塗布、浸漬、流しかけを採用してもよ
い。また、このようなカップリング剤による処理の後、
銅箔の延性を向上すべく焼鈍処理を行なってもよい。

【００４３】密着膜１４の形成の後、図２（ｂ）に示す
ように、導体張積層板を形成する。具体的には、密着膜
１４が形成されている２枚の導体箔１２を、密着膜１４
を介して所定のプリプレグ１１ａ’に貼着する。貼着に
際しては、高温高圧下においてプリプレグ１１ａ’を熱
硬化させつつ、導体箔１２をプリプレグ１１ａ’に圧着
させる。このようにして、絶縁層１１ａとこの両面に設
けられた導体箔１２とからなる所定数の導体張積層板が
作製される。

【００４４】次に、図２（ｃ）に示すように、各導体張
積層板において、所望の配線パターンを形成するための
レジストパターン５０を導体箔１２上に形成する。具体
的には、導体箔１２上にフォトレジストを積層し、所望
の配線パターンに対応した露光処理および現象処理によ
り当該フォトレジストをパターニングすることによっ
て、レジストパターン５０を形成する。次に、図２
（ｄ）に示すように、レジストパターン５０をマスクと
して導体箔１２に対してエッチング処理を施すことによ
って配線パターン１２ａを形成する。導体箔１２として
銅箔を採用する場合には、エッチング液としては、例え
ば塩化第二銅水溶液を使用することができる。この後、
図２（ｅ）に示すように、レジストパターン５０を剥離
する。

【００４５】次に、上述のようにして配線パターン１２
ａが形成された複数の導体張積層板と、プリプレグ１１
ｂ’と、上述のようにして密着膜１４が形成されている
導体箔１２とを、図３（ａ）に示すような配置関係にて
積層する。次に、図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）
の積層構造体を加熱下にてプレスする。これによって、
プリプレグ１１ｂ’が硬化し、複数の導体張積層板と最
外の２枚の導体箔１２が絶縁層１１ｂを介して一体化さ
れる。

【００４６】次に、図４（ａ）に示すように、ドリルに
よって、基板を貫通するようにスルーホール１３’を形
成する。次に、スルーホール１３’の内壁を過マンガン
酸塩水溶液によりデスミア処理した後、図４（ｂ）に示
すようにスルーホールめっき１３を形成する。スルーホ
ールめっき１３は、スルーホール１３’に対して無電解
銅めっきに続いて電気銅めっきを施すことにより形成さ
れる。次に、図４（ｃ）に示すように、最外の２枚の導
体箔１２から配線パターン１２ｂを形成する。具体的に
は、配線パターン１２ｂに対応する形状のレジストパタ
ーンを導体箔１２上に形成し、これをマスクとしてエッ
チングを行なった後、当該レジストパターンを剥離す
る。スルーホール１３’には、必要に応じて樹脂が充填
される。

【００４７】以上の工程によって、絶縁層１１ａ，１１
ｂと、配線パターン１２ａ，１２ｂと、スルーホールめ
っき１３とを備えて、絶縁層１１ａと配線パターン１２
ａとの間、および、絶縁層１１ｂと配線パターン１２ｂ
との間に密着膜１４が介在している多層配線基板Ｘ１が
作製される。

【００４８】図５は、本発明の第２の実施形態に係る多
層配線基板Ｘ２の部分断面図である。多層配線基板Ｘ２
は、絶縁層１１ａ，１１ｂと、配線パターン１２ａ，１
２ｂと、スルーホールめっき１３と、密着膜１４とを備
える。各部材の構成材料については、第１の実施形態に
係る多層配線基板Ｘ１に関して上述したのと同様であ
る。多層配線基板Ｘ２は、絶縁層１１ｂと配線パターン
１２ａとの間にも密着膜１４が介在する点において、第
１の実施形態に係る多層配線基板Ｘ１と異なる。したが
って、多層配線基板Ｘ２においては、絶縁層１１ａと配
線パターン１２ａとの間、および、絶縁層１１ｂと配線
パターン１２ｂとの間に加えて、絶縁層１１ｂと配線パ
ターン１２ａとの間においても、高い密着性が達成され
ている。

【００４９】このような構成の多層配線基板Ｘ２を製造
するためには、多層配線基板Ｘ１の製造に関して図２
（ａ）を参照して上述した工程において、銅箔の両面に
対して密着膜１４を形成する。以降の工程については、
多層配線基板Ｘ１の製造に関して上述したのと同様であ
る。

【００５０】図６は、本発明の第３の実施形態に係る多
層配線基板Ｘ３の部分断面図である。多層配線基板Ｘ３
は、絶縁層１１ａ，１１ｂと、配線パターン１２ａ，１
２ｂと、スルーホールめっき１３と、密着膜３４とを備
える。多層配線基板Ｘ３は、密着膜３４の構成におい
て、第１の実施形態に係る多層配線基板Ｘ１と異なる。
他の部材の構成については、第１の実施形態に係る多層
配線基板Ｘ１に関して上述したのと同様である。

【００５１】密着膜３４は、第１密着層３４ａと第２密
着層３４ｂとからなる。第１密着層３４ａは、クロム酸
化物、もしくは、クロム酸化物と亜鉛および／または亜
鉛酸化物とからなる組織を有する化合物により構成され
ており、金属材料よりなる配線パターン１２ａ，１２ｂ
に接している。第２密着層３４ｂは、シランカップリン
グ剤によって構成されており、有機材料よりなる表面を
有する絶縁層１１ａ，１１ｂに接している。多層配線基
板Ｘ３においては、このような複合的な層構造を有する
密着膜３４によって、絶縁層１１ａと配線パターン１２
ａとの間、および、絶縁層１１ｂと配線パターン１２ｂ
との間において、更に高い密着性が達成されている。

【００５２】このような構成の多層配線基板Ｘ３を製造
するためには、多層配線基板Ｘ１の製造に関して図２
（ａ）を参照して上述した工程において、銅箔の片面に
対し第１密着層３４ａを形成した後、この第１密着層３
４ａの表面に対してシランカップリング剤による表面処
理を施すことによって第２密着層３４ｂを形成する。以
降の工程については、多層配線基板Ｘ１の製造に関して
上述したのと同様である。

【００５３】図７は、本発明の第４の実施形態に係る多
層配線基板Ｘ４の部分断面図である。多層配線基板Ｘ４
は、絶縁層１１ａ，１１ｂと、配線パターン１２ａ，１
２ｂと、スルーホールめっき１３と、密着膜３４とを備
える。多層配線基板Ｘ４は、絶縁層１１ｂと配線パター
ン１２ａとの間にも密着膜３４が介在する点において、
第３の実施形態に係る多層配線基板Ｘ３と異なる。密着
膜３４の構成材料については、第３の実施形態に係る多
層配線基板Ｘ３に関して上述したのと同様であり、他の
部材の構成については、第１の実施形態に係る多層配線
基板Ｘ１に関して上述したのと同様である。したがっ
て、多層配線基板Ｘ４においては、絶縁層１１ａと配線
パターン１２ａとの間、および、絶縁層１１ｂと配線パ
ターン１２ｂとの間に加えて、絶縁層１１ｂと配線パタ
ーン１２ａとの間においても、更に高い密着性が達成さ
れている。

【００５４】このような構成の多層配線基板Ｘ４を製造
するためには、多層配線基板Ｘ１の製造に関して図２
（ａ）を参照して上述した工程において、銅箔の両面に
対し第１密着層３４ａを形成した後、この第１密着層３
４ａの表面に対してシランカップリング剤による表面処
理を施すことによって第２密着層３４ｂを形成する。以
降の工程については、多層配線基板Ｘ１の製造に関して
上述したのと同様である。

【００５５】上述の多層配線基板Ｘ１〜Ｘ４は、配線パ
ターン１２ａ，１２ｂ間の電気的接続を図るために、ス
ルーホールめっき１３を備えているが、本発明では、ス
ルーホールめっき１３と共に又はこれに代えて、埋め込
みビアやブラインドビアを設けてもよい。このような構
成によっても、配線パターン１２ａ，１２ｂ間において
良好な電気的接続を達成することができる。また、上述
の実施形態については、多層配線基板を例に挙げて説明
したが、本発明は、そのように多層化が図られている配
線基板に限らず、片面または両面のプリント配線基板に
おいても実施することができる。また、本発明は、片面
または両面銅張基板などにおいても実施することができ
る。絶縁層と銅箔との間で高い密着性が達成されている
そのような銅張基板は、グランド接続用の導体部を備え
た基板などとして、好適に利用可能である。

【００５６】

【実施例】以下、本発明の実施例について、比較例とと
もに説明する。

【００５７】

【実施例１】＜密着膜付銅箔の作製＞銅箔（厚さ：１８
μｍ、表面粗さ：Ｒ_max１μｍ）の両側の表面に対し
て、電気めっき法により、クロム量で２０μｇ／ｄｍ²
のクロム酸化物膜すなわち密着膜を形成した。この電気
めっきにおいて使用した電解液は、Ｋ₂Ｃｒ₂Ｏ₇を６ｇ
／Ｌ、ＮａＯＨを３０ｇ／Ｌ含み、ｐＨ１３である。ま
た、電解における電流密度は３Ａ／ｄｍ²、電解温度は
３０℃、電解時間は２０秒とした。

【００５８】＜銅張積層板の作製＞厚さ０．１ｍｍであ
ってサイズ３００×３００ｍｍのＦＲ−４材であるプリ
プレグ（商品名：ガラスエポキシマルチＲ−１６６１、
松下電工製）を、密着膜を形成した上述の銅箔で挟み、
これらをプレスすることによって本実施例の両面銅張積
層板を作製した。このときのプレス温度は１８０℃と
し、プレス圧力は３０ｋｇｆ／ｃｍ²とした。

【００５９】＜銅箔密着性の評価＞上述のようにして作
製した銅張積層板における銅箔について、剥離強度を測
定した。具体的には、基板表面の銅箔を１ｃｍ幅に切り
込み、この１ｃｍ幅の銅箔をその幅方向に垂直であって
基板に垂直な方向へ剥がし、剥がし速度が一定であると
きに銅箔に作用する力を測定した。その結果、本実施例
における銅箔は１．２ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示し
た。

【００６０】＜多層配線基板の作製＞上述のようにして
作製した銅張積層板を用いて多層配線基板を作製した。
具体的には、まず、銅張積層板の両面の各々において、
銅箔上にドライフィルムレジスト（商品名：ＮＩＴ−２
４０、日合モートン製）を成膜し、これをパターニング
することによってレジストパターンを形成した。このレ
ジストパターンについては、ライン幅を８０μｍとし、
ライン間隔を２０μｍとした。すなわち、Ｌ／Ｓ＝８０
／２０のパターンを形成した。次に、このレジストパタ
ーンの非マスク領域の銅箔を塩化第二銅水溶液でエッチ
ング除去した。この後、レジストパターンを剥離するこ
とによって、銅配線パターンの形成された内層基板を得
た。銅配線パターンにつては、Ｌ／Ｓ＝５０／５０であ
った。スペース（Ｓ）の部分、すなわち、内層基板にお
いてエッチングにより露出した樹脂基材表面を光学顕微
鏡により観察したところ、銅のエッチング残査は観測さ
れなかった。また、当該樹脂基材表面の粗さは、銅箔の
表面粗さと同等のＲ_max１μｍであった。

【００６１】このようにして所望の配線パターンが形成
された内層基板を２枚、上述のようにして密着膜が形成
された本実施例の銅箔を２枚、プリプレグ（商品名：ガ
ラスエポキシマルチＲ−１６６１、松下電工製）を３枚
用意し、これらを重ね合わせた。上から、銅箔、プリプ
レグ、第１内層基板、プリプレグ、第２内層基板、プリ
プレグ、銅箔の順に重ね合わせた。次に、真空プレスに
よってこれらを一体化させ、多層化された基板を得た。
このとき、プレス温度は１８０℃とし、プレス圧力は３
０ｋｇｆ／ｃｍ²とした。次に、ドリルビットにより、
多層基板の所定箇所においてスルーホールを形成した。
次に、スルーホール表面をデスミア処理した後、無電解
銅めっきに続いて電気銅めっきを施すことにより、スル
ーホールめっきを形成した。次に、最外の２つの銅箔の
各々において、銅箔上にドライフィルムレジスト（商品
名：ＮＩＴ−２４０、日合モートン製）を成膜し、これ
をパターニングすることによってレジストパターンを形
成した。次に、このレジストパターンの非マスク領域の
銅箔を塩化第二銅水溶液でエッチング除去した後、レジ
ストパターンを剥離し、表面配線パターンを形成した。
次に、基板表面に対してソルダーレジストをパターン形
成した。このようにして、本実施例の多層配線基板を作
製した。

【００６２】

【実施例２】＜密着膜付銅箔の作製＞銅箔（厚さ：１８
μｍ、表面粗さ：Ｒ_max２μｍ）の両側の表面に対し
て、クロム量を２０μｇ／ｄｍ²に代えて１８μｇ／ｄ
ｍ²とした以外は実施例１と同様にして、クロム酸化物
膜を形成した。次に、銅箔を０．５％のγ−メタクリロ
キシプロピルメトキシシラン水溶液に浸漬した後、１０
０℃で２０分間乾燥することによって、クロム酸化物膜
表面に対してシランカップリング剤処理を施した。この
ようにして、本実施例の密着膜付銅箔を作製した。

【００６３】上述のようにして密着膜を形成した銅箔を
用いて実施例１と同様にして銅張積層板を作製した。本
実施例の銅張積層板における銅箔について、実施例１と
同様にして剥離強度を測定したところ、本実施例におけ
る銅箔は１．４ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示した。

【００６４】本実施例の銅張積層板を用いて、実施例１
と同様の工程で多層配線基板を作製することができた。
なお、作製工程の途中、銅張積層板の銅箔をパターニン
グして内層基板を作製した後に、当該内層基板において
エッチングにより露出した樹脂基材表面を光学顕微鏡に
より観察したところ、銅のエッチング残査は観測されな
かった。また、当該樹脂基材表面の粗さは、本実施例の
銅箔の表面粗さと同等のＲ_max２μｍであった。

【００６５】

【実施例３】＜密着膜付銅箔の作製＞銅箔（厚さ：３５
μｍ、表面粗さ：Ｒ_max１．５μｍ）の両側の表面に対
して、電気めっき法により、クロム量は１７μｇ／ｄｍ
²であって亜鉛量は３２μｇ／ｄｍ²の混合膜を形成し
た。この電気めっきにおいて使用した電解液は、Ｋ₂Ｃ
ｒ₂Ｏ₇を５ｇ／Ｌ、ＫＯＨを４０ｇ／Ｌ、ＺｎＳＯ₄・
７Ｈ₂Ｏを８ｇ／Ｌ含み、ｐＨ１２である。また、電解
における電流密度は２Ａ／ｄｍ²、電解温度は５０℃、
電解時間は１５秒とした。次に、銅箔を０．４％のγ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン水溶液に浸漬
した後、１１０℃で２０分間乾燥することによって、混
合膜表面に対してシランカップリング剤処理を施した。
このようにして、本実施例の密着膜付銅箔を作製した。

【００６６】＜銅張積層板の作製＞厚さ０．１３ｍｍで
あってサイズ３００×３００ｍｍのＦＲ−４であるプリ
プレグ（商品名：ＧＸＡ−６７Ｎ、日立化成製）を、密
着膜を形成した上述の銅箔で挟み、これらをプレスする
ことによって本実施例の両面銅張積層板を作製した。こ
のときのプレス温度は２０５℃とし、プレス圧力は３０
ｋｇｆ／ｃｍ²とした。本実施例の銅張積層板における
銅箔について、実施例１と同様にして剥離強度を測定し
たところ、本実施例における銅箔は１．３ｋｇｆ／ｃｍ
の剥離強度を示した。

【００６７】本実施例の銅張積層板を用いて、実施例１
と同様の工程で多層配線基板を作製することができた。
なお、作製工程の途中、銅張積層板の銅箔をパターニン
グして内層基板を作製した後に、内層基板においてエッ
チングにより露出した樹脂基材表面を光学顕微鏡により
観察したところ、銅のエッチング残査は観測されなかっ
た。また、当該樹脂基材表面の粗さは、本実施例の銅箔
の表面粗さと同等のＲ _max１．５μｍであった。

【００６８】

【比較例】電解銅箔（厚さ：１８μｍ）の両側の表面に
対して粗化めっきを施して、表面粗さＲ_max５μｍの銅
箔を用意した。次に、厚さ０．１ｍｍであってサイズ３
００×３００ｍｍのＦＲ−４材であるプリプレグ（商品
名：ガラスエポキシマルチＲ−１６６１、松下電工製）
を、上述の銅箔で挟み、これらを実施例１と同一の条件
でプレスすることによって本比較例の両面銅張積層板を
作製した。本比較例の銅張積層板における銅箔につい
て、実施例１と同様にして剥離強度を測定したところ、
本比較例における銅箔は１．３ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度
を示した。

【００６９】上述のようにして作製した銅張積層板の両
面において、実施例１と同様にして、配線パターンを形
成した。銅張積層板の銅箔をパターニングして内層基板
を作製した後に、当該内層基板においてエッチングによ
り露出した樹脂基材表面を光学顕微鏡により観察したと
ころ、樹脂基材表面には凹凸が生じており、多数の凹部
に銅のエッチング残査が存在していた。また、当該樹脂
基材表面の粗さは、本実施例の銅箔の表面粗さと同等の
Ｒ_max５μｍであった。

【００７０】以上のまとめとして、本発明の構成および
そのバリエーションを以下に付記として列挙する。

【００７１】（付記１）少なくとも１つの絶縁層と少な
くとも１つの導体からなる配線基板であって、前記導体
の片面または両面と当該導体に隣接する絶縁層との間に
は、クロム酸化物膜、クロム酸化物と亜鉛および／また
は亜鉛酸化物とを含む混合膜、並びにシランカップリン
グ剤膜からなる群より選択される密着膜が介在している
ことを特徴とする、配線基板。 （付記２）少なくとも１つの絶縁層と少なくとも１つの
導体からなる配線基板であって、前記導体の片面または
両面と当該導体に隣接する絶縁層との間には密着膜が介
在しており、前記密着膜は、前記導体に接するクロム酸
化物膜もしくはクロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛
酸化物とを含む混合膜に加え、前記絶縁層に接するシラ
ンカップリング剤膜も含むことを特徴とする、配線基
板。 （付記３）複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パターン
とを含む積層構造を有する配線基板であって、前記配線
パターンの片面または両面と当該配線パターンに隣接す
る絶縁層との間には、クロム酸化物膜、クロム酸化物と
亜鉛および／または亜鉛酸化物とを含む混合膜、並びに
シランカップリング剤膜からなる群より選択される密着
膜が介在していることを特徴とする、配線基板。 （付記４）複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パターン
とを含む積層構造を有する配線基板であって、前記配線
パターンの片面または両面と当該配線パターンに隣接す
る絶縁層との間には密着膜が介在しており、前記密着膜
は、前記配線パターンに接するクロム酸化物膜もしくは
クロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸化物とを含む
混合膜、並びに、前記絶縁層に接するシランカップリン
グ剤膜からなることを特徴とする、配線基板。 （付記５）前記シランカップリング剤膜は、イミダゾー
ル基、アミノ基、ピリジル基、エポキシ基、ビニル基、
スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、メル
カプト基、イソシアネート基、ウレイド基、およびスル
フィド基からなる群より選択される官能基を有する、付
記１から４のいずれか１つに記載の配線基板。 （付記６）前記配線パターンの最大表面粗さは３μｍ以
下である、付記１から５のいずれか１つに記載の配線基
板。 （付記７）前記絶縁層は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート
樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオ
キサイド樹脂、およびフッ素含有樹脂からなる群より選
択される樹脂を含む、付記１から６のいずれか１つに記
載の配線基板。 （付記８）クロム酸化物膜、クロム酸化物と亜鉛および
／または亜鉛酸化物とを含む混合膜、並びにシランカッ
プリング剤膜からなる群より選択される密着膜を、導体
箔の片面または両面に形成する工程と、前記導体箔を、
前記密着膜を介して絶縁膜の片面または両面に貼り合わ
せる工程とを含むことを特徴とする、配線基板の製造方
法。 （付記９）複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パターン
とを含む積層構造を有する配線基板を製造するための方
法であって、クロム酸化物膜、クロム酸化物と亜鉛およ
び／または亜鉛酸化物とを含む混合膜、並びにシランカ
ップリング剤膜からなる群より選択される密着膜を、片
面または両面に有する２つの導体箔を、前記密着膜を介
して第１絶縁膜の両面に貼り合わせることによって、導
体張基板を形成する工程と、前記導体箔をパターニング
することによって、前記導体張基板の両面において配線
パターンを形成する工程と、配線パターンが形成された
前記導体張基板と第２樹脂膜とを交互に積層し、当該積
層体を積層方向に一括して加圧することによって前記積
層構造を形成することを特徴とする、配線基板の製造方
法。 （付記１０）複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パター
ンとを含む積層構造を有する配線基板を製造するための
方法であって、クロム酸化物膜、もしくは、クロム酸化
物と亜鉛および／または亜鉛酸化物とを含む混合膜を片
面または両面に有して当該膜表面がシランカップリング
剤で処理されている２つの導体箔を、前記シランカップ
リング剤を介して第１絶縁膜の両面に貼り合わせること
によって、導体張基板を形成する工程と、前記導体箔を
パターニングすることによって、前記導体張基板の両面
において配線パターンを形成する工程と、配線パターン
が形成された前記導体張基板と第２樹脂膜とを交互に積
層し、当該積層体を積層方向に一括して加圧することに
よって前記積層構造を形成することを特徴とする、配線
基板の製造方法。 （付記１１）複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パター
ンとを含む積層構造を有する配線基板を製造するための
方法であって、クロム酸化物膜、クロム酸化物と亜鉛お
よび／または亜鉛酸化物とを含む混合膜、並びにシラン
カップリング剤膜からなる群より選択される密着膜を、
片面または両面に有する２つの導体箔が、当該密着膜を
介して第１絶縁膜の両面に貼り合わされてなる導体張基
板において、前記導体箔をパターニングすることによっ
て、前記導体張基板の両面において配線パターンを形成
する工程と、配線パターンが形成された前記導体張基板
と第２樹脂膜とを交互に積層し、当該積層体を積層方向
に一括して加圧することによって前記積層構造を形成す
ることを特徴とする、配線基板の製造方法。 （付記１２）複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パター
ンとを含む積層構造を有する配線基板を製造するための
方法であって、クロム酸化物膜、もしくは、クロム酸化
物と亜鉛および／または亜鉛酸化物とを含む混合膜を片
面または両面に有して当該膜表面がシランカップリング
剤で処理されている２つの導体箔が前記シランカップリ
ング剤を介して第１絶縁膜の両面に貼り合わされてなる
導体張基板において、前記導体箔をパターニングするこ
とによって、前記導体張基板の両面において配線パター
ンを形成する工程と、配線パターンが形成された前記導
体張基板と第２樹脂膜とを交互に積層し、当該積層体を
積層方向に一括して加圧することによって前記積層構造
を形成することを特徴とする、配線基板の製造方法。 （付記１３）前記シランカップリング剤膜または前記シ
ランカップリング剤は、イミダゾール基、アミノ基、ピ
リジル基、エポキシ基、ビニル基、スチリル基、メタク
リロキシ基、アクリロキシ基、メルカプト基、イソシア
ネート基、ウレイド基、およびスルフィド基からなる群
より選択される官能基を有する、付記８から１２のいず
れか１つに記載の配線基板の製造方法。 （付記１４）前記配線パターンの最大表面粗さは３μｍ
以下である、付記８から１３のいずれか１つに記載の配
線基板の製造方法。 （付記１５）前記第１樹脂膜および／または前記第２樹
脂膜は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミ
ド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニ
レンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、お
よびフッ素含有樹脂からなる群より選択される樹脂を含
む、付記９から１４のいずれか１つに記載の配線基板の
製造方法。 （付記１６）前記導体箔は電解銅箔または圧延銅箔であ
る、付記８から１５のいずれか１つに記載の配線基板の
製造方法。

【００７２】

【発明の効果】本発明によると、絶縁層の表面粗さに依
拠したアンカー効果に頼らずとも、絶縁層と導体または
配線パターンとの間において高い密着性が達成された、
導体張基板、両面プリント基板、および多層配線基板な
どが得られる。したがって、１層以上の配線パターンを
備える配線基板においては、配線表面の粗化を行なう必
要がなくなり、その結果、配線間のショートを抑制する
こと、および、伝送損失を低減することが可能となるの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の
部分断面図である。

【図２】図１の多層配線基板の製造方法における一部の
工程を表す。

【図３】図２に続く工程を表す。

【図４】図３に続く工程を表す。

【図５】本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の
部分断面図である。

【図６】本発明の第３の実施形態に係る多層配線基板の
部分断面図である。

【図７】本発明の第４の実施形態に係る多層配線基板の
部分断面図である。

【符号の説明】

Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４ 多層配線基板 １１ａ，１１ｂ 絶縁層 １２ａ，１２ｂ 配線パターン １３ スルーホールめっき １４，３４ 密着膜 ３４ａ 第１密着層 ３４ｂ 第２密着層 ５０ レジストパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 知行 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 4F100 AA22B AA22E AA25B AA25E AB17 AB18B AB18E AB33 AH06B AH06E AK17A AK17D AK49A AK49D AK51A AK51D AK53 AK53A AK53D AK54A AK54D AR00A AR00D AT00C BA03 BA05 BA062 BA07 BA10A BA10C DD07C EH71 EJ172 GB41 GB43 JG01C JG04A JG04D JL11 YY00C 5E343 AA02 AA12 BB05 BB06 BB24 BB67 CC01 CC07 CC17 EE22 GG02 5E346 AA12 AA15 AA22 AA32 AA41 CC08 CC32 CC41 DD02 DD12 DD32 EE09 EE12 EE13 EE18 EE38 GG28 HH11

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも１つの絶縁層と少なくとも１
   つの導体からなる配線基板であって、 前記導体の片面または両面と当該導体に隣接する絶縁層
   との間には、クロム酸化物膜、クロム酸化物と亜鉛およ
   び／または亜鉛酸化物とを含む混合膜、並びにシランカ
   ップリング剤膜からなる群より選択される密着膜が介在
   していることを特徴とする、配線基板。
2. 【請求項２】 少なくとも１つの絶縁層と少なくとも１
   つの導体からなる配線基板であって、 前記導体の片面または両面と当該導体に隣接する絶縁層
   との間には密着膜が介在しており、 前記密着膜は、前記導体に接するクロム酸化物膜もしく
   はクロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸化物とを含
   む混合膜に加え、前記絶縁層に接するシランカップリン
   グ剤膜も含むことを特徴とする、配線基板。
3. 【請求項３】 複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パタ
   ーンとを含む積層構造を有する配線基板であって、 前記配線パターンの片面または両面と当該配線パターン
   に隣接する絶縁層との間には、クロム酸化物膜、クロム
   酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸化物とを含む混合
   膜、並びにシランカップリング剤膜からなる群より選択
   される密着膜が介在していることを特徴とする、配線基
   板。
4. 【請求項４】 複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パタ
   ーンとを含む積層構造を有する配線基板であって、 前記配線パターンの片面または両面と当該配線パターン
   に隣接する絶縁層との間には密着膜が介在しており、 前記密着膜は、前記配線パターンに接するクロム酸化物
   膜もしくはクロム酸化物と亜鉛および／または亜鉛酸化
   物とを含む混合膜に加え、前記絶縁層に接するシランカ
   ップリング剤膜も含むことを特徴とする、配線基板。
5. 【請求項５】 前記シランカップリング剤膜は、イミダ
   ゾール基、アミノ基、ピリジル基、エポキシ基、ビニル
   基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、
   メルカプト基、イソシアネート基、ウレイド基、および
   スルフィド基からなる群より選択される官能基を有す
   る、請求項１から４のいずれか１つに記載の配線基板。
6. 【請求項６】 前記導体の最大表面粗さは３μｍ以下で
   ある、請求項１から５のいずれか１つに記載の配線基
   板。
7. 【請求項７】 前記絶縁層は、ポリイミド樹脂、エポキ
   シ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネ
   ート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレ
   ンオキサイド樹脂、およびフッ素含有樹脂からなる群よ
   り選択される樹脂を含む、請求項１から６のいずれか１
   つに記載の配線基板。
8. 【請求項８】 クロム酸化物膜、クロム酸化物と亜鉛お
   よび／または亜鉛酸化物とを含む混合膜、並びにシラン
   カップリング剤膜からなる群より選択される密着膜を、
   導体箔の片面または両面に形成する工程と、 前記導体箔を、前記密着膜を介して絶縁膜の片面または
   両面に貼り合わせる工程とを含むことを特徴とする、配
   線基板の製造方法。
9. 【請求項９】 複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パタ
   ーンとを含む積層構造を有する配線基板を製造するため
   の方法であって、 クロム酸化物膜、クロム酸化物と亜鉛および／または亜
   鉛酸化物とを含む混合膜、並びにシランカップリング剤
   膜からなる群より選択される密着膜を、片面または両面
   に有する２つの導体箔が、当該密着膜を介して第１絶縁
   膜の両面に貼り合わされてなる導体張基板において、前
   記導体箔をパターニングすることによって、前記導体張
   基板の両面において配線パターンを形成する工程と、 配線パターンが形成された前記導体張基板と第２樹脂膜
   とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加
   圧することによって前記積層構造を形成することを特徴
   とする、配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パ
    ターンとを含む積層構造を有する配線基板を製造するた
    めの方法であって、 クロム酸化物膜、もしくは、クロム酸化物と亜鉛および
    ／または亜鉛酸化物とを含む混合膜を片面または両面に
    有して当該膜表面がシランカップリング剤で処理されて
    いる２つの導体箔が前記シランカップリング剤を介して
    第１絶縁膜の両面に貼り合わされてなる導体張基板にお
    いて、前記導体箔をパターニングすることによって、前
    記導体張基板の両面において配線パターンを形成する工
    程と、 配線パターンが形成された前記導体張基板と第２樹脂膜
    とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加
    圧することによって前記積層構造を形成することを特徴
    とする、配線基板の製造方法。