JP2003253449A - 半導体／液晶製造装置 - Google Patents
半導体／液晶製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミックス保持体裏面に設けた電極の酸化
や腐食を防ぐことができ、しかも均熱性を保ち且つ無駄
な電力消費を抑えると共に、小型化及び製造コストの低
減を図ることが可能な半導体又は液晶の製造装置を提供
する。 【解決手段】 反応ガスが供給される反応容器１内に、
抵抗発熱体７が埋設されたセミックス保持体２を有する
装置であって、一端にセラミックス保持体２を支え、他
端が反応容器１の一部に固定されたセラミックス製の筒
状支持部材３と、筒状支持部材３内に開口した不活性ガ
ス供給管４と不活性ガス排気管５とを備えている。筒状
支持部材３内における不活性ガス雰囲気は、１気圧未満
に保持することが好ましい。
や腐食を防ぐことができ、しかも均熱性を保ち且つ無駄
な電力消費を抑えると共に、小型化及び製造コストの低
減を図ることが可能な半導体又は液晶の製造装置を提供
する。 【解決手段】 反応ガスが供給される反応容器１内に、
抵抗発熱体７が埋設されたセミックス保持体２を有する
装置であって、一端にセラミックス保持体２を支え、他
端が反応容器１の一部に固定されたセラミックス製の筒
状支持部材３と、筒状支持部材３内に開口した不活性ガ
ス供給管４と不活性ガス排気管５とを備えている。筒状
支持部材３内における不活性ガス雰囲気は、１気圧未満
に保持することが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反応容器内に被処
理物を保持して加熱する手段を備えた半導体や液晶の製
造装置に関し、特にＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、
エッチング装置、プラズマエッチング装置等の半導体又
は液晶製造装置に関する。
理物を保持して加熱する手段を備えた半導体や液晶の製
造装置に関し、特にＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、
エッチング装置、プラズマエッチング装置等の半導体又
は液晶製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ上でエッチングや成膜を
行う場合、反応制御性に優れた枚葉式の半導体製造装置
が一般に使用されている。半導体ウエハは反応容器内に
配置した保持体の表面上に載せて、そのまま静置した
り、機械的に固定したり、又は保持体に内蔵した電極に
電圧を付加して静電力によってチャックしたりして、保
持体上に固定される。
行う場合、反応制御性に優れた枚葉式の半導体製造装置
が一般に使用されている。半導体ウエハは反応容器内に
配置した保持体の表面上に載せて、そのまま静置した
り、機械的に固定したり、又は保持体に内蔵した電極に
電圧を付加して静電力によってチャックしたりして、保
持体上に固定される。
【０００３】保持された半導体ウエハは、ＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｓｉｔｉｏ
ｎ）、プラズマＣＶＤ等、あるいはエッチング、プラズ
マエッチング等における成膜速度やエッチング速度を均
一に維持するために、その温度が厳密に制御される。そ
の厳密な温度制御のために、保持体に内蔵された抵抗発
熱体によって保持体を加熱し、その表面からの伝熱によ
り半導体ウエハを所定の温度に加熱するようになってい
る。
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｓｉｔｉｏ
ｎ）、プラズマＣＶＤ等、あるいはエッチング、プラズ
マエッチング等における成膜速度やエッチング速度を均
一に維持するために、その温度が厳密に制御される。そ
の厳密な温度制御のために、保持体に内蔵された抵抗発
熱体によって保持体を加熱し、その表面からの伝熱によ
り半導体ウエハを所定の温度に加熱するようになってい
る。
【０００４】保持体は被処理物保持表面以外の部分で筒
状部材により支持されて、反応容器内に設置されてい
る。また、保持体に埋め込まれた抵抗発熱体、ＲＦ電
極、静電チャック回路等には、保持体の被処理物保持表
面以外の部分に設けた電極に引出線が接続されて、外部
から電力が供給される。尚、保持体は、耐熱性、絶縁
性、耐食性を備えた材料、例えば窒化アルミニウムや窒
化ケイ素のようなセラミックス等で構成されている。筒
状部材は、耐熱性、耐食性を備えた前記セラミックス、
あるいはＷやＭｏ又はそれに耐食性被覆を施した金属等
で構成されている。
状部材により支持されて、反応容器内に設置されてい
る。また、保持体に埋め込まれた抵抗発熱体、ＲＦ電
極、静電チャック回路等には、保持体の被処理物保持表
面以外の部分に設けた電極に引出線が接続されて、外部
から電力が供給される。尚、保持体は、耐熱性、絶縁
性、耐食性を備えた材料、例えば窒化アルミニウムや窒
化ケイ素のようなセラミックス等で構成されている。筒
状部材は、耐熱性、耐食性を備えた前記セラミックス、
あるいはＷやＭｏ又はそれに耐食性被覆を施した金属等
で構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
製造装置では、ＣＶＤやエッチング等に用いる反応ガス
としてハロゲン系等の腐食性の高いガスが用いられるの
で、抵抗発熱体等の電極や引出線は保持体に取り付けた
筒状部材内に収納し、その両端を保持体と反応容器に気
密シールして腐食性ガスに触れないように保護されてい
る。
製造装置では、ＣＶＤやエッチング等に用いる反応ガス
としてハロゲン系等の腐食性の高いガスが用いられるの
で、抵抗発熱体等の電極や引出線は保持体に取り付けた
筒状部材内に収納し、その両端を保持体と反応容器に気
密シールして腐食性ガスに触れないように保護されてい
る。
【０００６】しかしながら、筒状部材内は腐食性ガスか
ら隔離されるものの、大気圧の空気という酸化性雰囲気
に曝されているため、電極の酸化が避けられない。例え
ば、保持体を６００℃に加熱して被処理物にＣＶＤ反応
を行う場合、保持体裏面に取り付けられた電極も約６０
０℃において酸化性雰囲気に曝されるため、耐酸化性シ
ールを施して保護する必要があった。
ら隔離されるものの、大気圧の空気という酸化性雰囲気
に曝されているため、電極の酸化が避けられない。例え
ば、保持体を６００℃に加熱して被処理物にＣＶＤ反応
を行う場合、保持体裏面に取り付けられた電極も約６０
０℃において酸化性雰囲気に曝されるため、耐酸化性シ
ールを施して保護する必要があった。
【０００７】また、保持体で発生した熱は被処理物を加
熱する以外に、一部は筒状部材を通じて無駄に逃げてい
き、筒状部材表面から内部空間に満たされた空気への伝
熱で消失していた。更に、筒状部材と反応容器の間はＯ
−リングで気密シールされ、且つこのＯ−リングを保護
するために２００℃以下まで強制冷却しているため、こ
の冷却部分で熱が無駄に失われていた。そのため、保持
体の温度は筒状部材の取り付け部で大きく低下すること
となり、保持体全表面での均熱性が保ちにくく、且つ無
駄な消費電力量が大きかった。
熱する以外に、一部は筒状部材を通じて無駄に逃げてい
き、筒状部材表面から内部空間に満たされた空気への伝
熱で消失していた。更に、筒状部材と反応容器の間はＯ
−リングで気密シールされ、且つこのＯ−リングを保護
するために２００℃以下まで強制冷却しているため、こ
の冷却部分で熱が無駄に失われていた。そのため、保持
体の温度は筒状部材の取り付け部で大きく低下すること
となり、保持体全表面での均熱性が保ちにくく、且つ無
駄な消費電力量が大きかった。
【０００８】また、保持体は例えば３００〜８００℃と
いった高温に加熱される一方で、保持体を支持する筒状
部材の端部は上記のごとく２００℃以下まで強制冷却さ
れるため、筒状部材には長さ方向に温度差による熱応力
が掛かる。熱勾配を大きくし過ぎると、脆性材料である
セラミックス製の筒状部材が割れてしまうので、筒状部
材は例えば３００ｍｍ程度の長さにせざるを得なかっ
た。
いった高温に加熱される一方で、保持体を支持する筒状
部材の端部は上記のごとく２００℃以下まで強制冷却さ
れるため、筒状部材には長さ方向に温度差による熱応力
が掛かる。熱勾配を大きくし過ぎると、脆性材料である
セラミックス製の筒状部材が割れてしまうので、筒状部
材は例えば３００ｍｍ程度の長さにせざるを得なかっ
た。
【０００９】金属のように融解と固化によって作製でき
ず、成形と焼結によってしか作製できないセラミックス
製の筒状部材は、長くなるほど製造歩留まりが大幅に低
下し、また長い筒状部材内に電極の耐酸化シールを施す
のは作業上非常に困難であるため、歩留まりが低下して
コストアップの要因となっていた。また、長い筒状部材
を取り付けた保持体を内部に収容するため、反応容器の
小型化も困難であった。
ず、成形と焼結によってしか作製できないセラミックス
製の筒状部材は、長くなるほど製造歩留まりが大幅に低
下し、また長い筒状部材内に電極の耐酸化シールを施す
のは作業上非常に困難であるため、歩留まりが低下して
コストアップの要因となっていた。また、長い筒状部材
を取り付けた保持体を内部に収容するため、反応容器の
小型化も困難であった。
【００１０】上記した従来の問題点は半導体製造装置だ
けのものではなく、被処理物を保持して加熱するため抵
抗発熱体が埋設された保持体を反応容器内に気密に支持
している液晶製造装置においても、同様の問題を抱えて
いた。
けのものではなく、被処理物を保持して加熱するため抵
抗発熱体が埋設された保持体を反応容器内に気密に支持
している液晶製造装置においても、同様の問題を抱えて
いた。
【００１１】本発明は、このような従来の事情に鑑み、
耐酸化性シールや耐腐蝕性シールを施さなくても保持体
裏面に設けた電極の酸化及び腐食を防ぐことができ、し
かも保持体の均熱性を保ち且つ無駄な電力消費を抑える
と共に、装置の小型化及び製造コストの低減を図ること
が可能な半導体又は液晶の製造装置を提供することを目
的とする。
耐酸化性シールや耐腐蝕性シールを施さなくても保持体
裏面に設けた電極の酸化及び腐食を防ぐことができ、し
かも保持体の均熱性を保ち且つ無駄な電力消費を抑える
と共に、装置の小型化及び製造コストの低減を図ること
が可能な半導体又は液晶の製造装置を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、反応ガスが供給される反応容器内に、被
処理物を表面上に保持して加熱するセラミックス保持体
を備えた半導体又は液晶の製造装置であって、一端にセ
ラミックス保持体をその被処理物保持表面以外で支え、
他端が反応容器の一部に固定されたセラミックス製の筒
状支持部材と、筒状支持部材の内側空間内に不活性ガス
を供給する供給管と、筒状支持部材の内側空間内から不
活性ガスを排気する排気管及び排気ポンプとを備えるこ
とを特徴とする半導体／液晶製造装置を提供するもので
ある。
め、本発明は、反応ガスが供給される反応容器内に、被
処理物を表面上に保持して加熱するセラミックス保持体
を備えた半導体又は液晶の製造装置であって、一端にセ
ラミックス保持体をその被処理物保持表面以外で支え、
他端が反応容器の一部に固定されたセラミックス製の筒
状支持部材と、筒状支持部材の内側空間内に不活性ガス
を供給する供給管と、筒状支持部材の内側空間内から不
活性ガスを排気する排気管及び排気ポンプとを備えるこ
とを特徴とする半導体／液晶製造装置を提供するもので
ある。
【００１３】上記本発明による半導体／液晶製造装置に
おいては、前記筒状支持部材の内側空間内における不活
性ガス雰囲気が１気圧未満であることを特徴とする。更
には、前記筒状支持部材の他端と反応容器の一部との間
が気密シールされていないことを特徴とする。
おいては、前記筒状支持部材の内側空間内における不活
性ガス雰囲気が１気圧未満であることを特徴とする。更
には、前記筒状支持部材の他端と反応容器の一部との間
が気密シールされていないことを特徴とする。
【００１４】上記本発明における半導体／液晶製造装置
は、前記不活性ガス供給管がセラミックス保持体近くに
開口し、且つ不活性ガス排気管が反応容器底部近くに開
口していて、筒状支持部材の内側空間内における不活性
ガス雰囲気がセラミックス保持体側から反応容器底部側
に向かって徐々に低圧になっていることを特徴とする。
は、前記不活性ガス供給管がセラミックス保持体近くに
開口し、且つ不活性ガス排気管が反応容器底部近くに開
口していて、筒状支持部材の内側空間内における不活性
ガス雰囲気がセラミックス保持体側から反応容器底部側
に向かって徐々に低圧になっていることを特徴とする。
【００１５】また、上記本発明における半導体／液晶製
造装置は、前記不活性ガス供給管と不活性ガス排気管が
共に反応容器低部近くに開口していて、不活性ガス排気
管内における不活性ガス雰囲気が筒状支持部材側から排
気ポンプに向かって徐々に低圧になっていることを特徴
とする。
造装置は、前記不活性ガス供給管と不活性ガス排気管が
共に反応容器低部近くに開口していて、不活性ガス排気
管内における不活性ガス雰囲気が筒状支持部材側から排
気ポンプに向かって徐々に低圧になっていることを特徴
とする。
【００１６】更に、上記本発明における半導体／液晶製
造装置は、前記筒状支持部材内のセラミックス保持体と
反応容器底部との間に仕切板を有し、不活性ガス供給管
が仕切板とセラミックス保持体の間の空間に開口し、不
活性ガス排気管が仕切板と反応容器底部との間に開口す
ると共に、仕切板に不活性ガス通気口を有することを特
徴とする。
造装置は、前記筒状支持部材内のセラミックス保持体と
反応容器底部との間に仕切板を有し、不活性ガス供給管
が仕切板とセラミックス保持体の間の空間に開口し、不
活性ガス排気管が仕切板と反応容器底部との間に開口す
ると共に、仕切板に不活性ガス通気口を有することを特
徴とする。
【００１７】上記本発明の半導体／液晶製造装置におい
ては、前記筒状支持部材の内側空間内から不活性ガスを
排気する不活性ガス排気管と、反応容器内から反応ガス
を排気する反応ガス排気管とが途中で合流し、排気ポン
プを共有していることを特徴とする。更に、前記筒状支
持部材の内側空間内から不活性ガスを排気する不活性ガ
ス排気管と、反応容器内から反応ガスを排気する反応ガ
ス排気管とが、一部で二重構造になっていることを特徴
とする。
ては、前記筒状支持部材の内側空間内から不活性ガスを
排気する不活性ガス排気管と、反応容器内から反応ガス
を排気する反応ガス排気管とが途中で合流し、排気ポン
プを共有していることを特徴とする。更に、前記筒状支
持部材の内側空間内から不活性ガスを排気する不活性ガ
ス排気管と、反応容器内から反応ガスを排気する反応ガ
ス排気管とが、一部で二重構造になっていることを特徴
とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の半導体／液晶製造装置に
おいては、例えば図１に示すように、セラミックス製の
筒状支持部材３でセラミックス保持体２を反応容器１内
に支持すると共に、不活性ガス供給管４と不活性ガス排
気管５を設け、筒状支持部材３内に不活性ガスを供給し
ながら、同時に排気ポンプ６で排気する。抵抗発熱体７
に電力を供するためセラミックス保持体２の裏面に設け
た電極８、及び電極８に接続した引出線９は筒状支持部
材３内に収納して、反応容器１の一部から系外に引き出
す。
おいては、例えば図１に示すように、セラミックス製の
筒状支持部材３でセラミックス保持体２を反応容器１内
に支持すると共に、不活性ガス供給管４と不活性ガス排
気管５を設け、筒状支持部材３内に不活性ガスを供給し
ながら、同時に排気ポンプ６で排気する。抵抗発熱体７
に電力を供するためセラミックス保持体２の裏面に設け
た電極８、及び電極８に接続した引出線９は筒状支持部
材３内に収納して、反応容器１の一部から系外に引き出
す。
【００１９】この不活性ガスの供給と排気により、両端
をセラミックス保持体２と反応容器１で閉鎖された筒状
支持部材３の内側空間を不活性ガス雰囲気に保つことが
でき、反応容器１内のハロゲン等の腐食性ガスを含む反
応ガスが筒状支持部材３内に侵入すること、及び装置外
から酸化性雰囲気である空気が筒状支持部材３内に侵入
することを防止できる。
をセラミックス保持体２と反応容器１で閉鎖された筒状
支持部材３の内側空間を不活性ガス雰囲気に保つことが
でき、反応容器１内のハロゲン等の腐食性ガスを含む反
応ガスが筒状支持部材３内に侵入すること、及び装置外
から酸化性雰囲気である空気が筒状支持部材３内に侵入
することを防止できる。
【００２０】このようにして、筒状支持部材３内の雰囲
気を、反応ガスでも空気でもない不活性ガス雰囲気にす
ることにより、セラミックス保持体２の裏面に設けた電
極８は不活性ガスで保護され、高温に曝されても腐食あ
るいは酸化される恐れがなくなるため、耐腐食性シール
や耐酸化性シールを施す必要がない。
気を、反応ガスでも空気でもない不活性ガス雰囲気にす
ることにより、セラミックス保持体２の裏面に設けた電
極８は不活性ガスで保護され、高温に曝されても腐食あ
るいは酸化される恐れがなくなるため、耐腐食性シール
や耐酸化性シールを施す必要がない。
【００２１】不活性ガスとしては、電極構成材料を劣化
させるような反応を起こさないガスであれば何でも良い
が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎのような希ガ
ス族元素や、Ｎ２ガスなどを使用することができ、特に
コストなどの点からみてＮ２かＡｒが好ましい。
させるような反応を起こさないガスであれば何でも良い
が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎのような希ガ
ス族元素や、Ｎ２ガスなどを使用することができ、特に
コストなどの点からみてＮ２かＡｒが好ましい。
【００２２】また、筒状支持部材内の不活性ガス雰囲気
を１気圧未満の減圧状態に保つことによって、筒状支持
部材の表面から周囲の雰囲気を介した熱の伝導を減少さ
せることができる。更に、従来のように筒状支持部材と
反応容器の間をＯ−リング等で気密シールしても構わな
いが、必ずしも気密シールする必要はない。反応容器と
筒状支持部材の間を気密シールすると、筒状支持部材か
ら反応容器への熱の逃げが多くなり、セラミックッス保
持体における均熱性が低下し、またエネルギーの無駄に
繋がるので、気密シールしない方が好ましい。
を１気圧未満の減圧状態に保つことによって、筒状支持
部材の表面から周囲の雰囲気を介した熱の伝導を減少さ
せることができる。更に、従来のように筒状支持部材と
反応容器の間をＯ−リング等で気密シールしても構わな
いが、必ずしも気密シールする必要はない。反応容器と
筒状支持部材の間を気密シールすると、筒状支持部材か
ら反応容器への熱の逃げが多くなり、セラミックッス保
持体における均熱性が低下し、またエネルギーの無駄に
繋がるので、気密シールしない方が好ましい。
【００２３】従って、筒状支持部材内の不活性ガス雰囲
気を１気圧未満の減圧状態に保つこと、反応容器と筒状
支持部材の間をＯ−リング等で気密シールしないことに
より、筒状支持部材から周囲の雰囲気や反応容器への熱
の逃げが抑制されると共に、Ｏ−リングを保護するため
に約２００℃以下まで強制冷却する必要がなくなり、セ
ラミックス保持体の均熱性が向上し、且つ熱の無駄な消
費が大幅に抑えられるため消費電力量も大幅に減少す
る。
気を１気圧未満の減圧状態に保つこと、反応容器と筒状
支持部材の間をＯ−リング等で気密シールしないことに
より、筒状支持部材から周囲の雰囲気や反応容器への熱
の逃げが抑制されると共に、Ｏ−リングを保護するため
に約２００℃以下まで強制冷却する必要がなくなり、セ
ラミックス保持体の均熱性が向上し、且つ熱の無駄な消
費が大幅に抑えられるため消費電力量も大幅に減少す
る。
【００２４】また、反応容器と筒状支持部材の間をＯ−
リングで気密シールする必要がないため、反応容器と接
する筒状支持部材は反応容器の耐熱性（例えば、Ａｌな
ら融点６６０℃未満）以下があれば良い。その結果、セ
ラミックス製の筒状支持部材の長さ方向に掛かる熱応力
が大幅に緩和され、筒状支持部材を従来よりも短くする
ことが可能となり、大幅な製造コストの低減と反応容器
を含む装置の小型化を図ることができる。
リングで気密シールする必要がないため、反応容器と接
する筒状支持部材は反応容器の耐熱性（例えば、Ａｌな
ら融点６６０℃未満）以下があれば良い。その結果、セ
ラミックス製の筒状支持部材の長さ方向に掛かる熱応力
が大幅に緩和され、筒状支持部材を従来よりも短くする
ことが可能となり、大幅な製造コストの低減と反応容器
を含む装置の小型化を図ることができる。
【００２５】次に、本発明における半導体／液晶製造装
置の幾つかの具体例を、図面に基づいて説明する。ま
ず、図１に示す装置では、筒状支持部材３内に挿入され
た不活性ガス供給管４がセラミックス保持体２の近くで
開口し、不活性ガス排気管５は反応容器１の底部近くに
開口している。そのため、筒状支持部材３内の不活性ガ
ス雰囲気が、１気圧未満であって、且つ電極８の存在す
るセラミックス保持体２側から反応容器１の底部側に向
かって徐々に低圧になるように、不活性ガスの圧力分布
を作り出すことができる。
置の幾つかの具体例を、図面に基づいて説明する。ま
ず、図１に示す装置では、筒状支持部材３内に挿入され
た不活性ガス供給管４がセラミックス保持体２の近くで
開口し、不活性ガス排気管５は反応容器１の底部近くに
開口している。そのため、筒状支持部材３内の不活性ガ
ス雰囲気が、１気圧未満であって、且つ電極８の存在す
るセラミックス保持体２側から反応容器１の底部側に向
かって徐々に低圧になるように、不活性ガスの圧力分布
を作り出すことができる。
【００２６】この不活性ガスの圧力分布により、筒状支
持部材３内への腐食ガスや空気の侵入が効率的に防止さ
れ、電極８は常に不活性ガス雰囲気で覆われて腐食や酸
化の恐れがなくなる。従って、電極８に耐腐食性シール
や耐酸化性シールを施す必要がなくなり、製造歩留まり
も向上するため、全体のコストを大幅に低減することが
できる。
持部材３内への腐食ガスや空気の侵入が効率的に防止さ
れ、電極８は常に不活性ガス雰囲気で覆われて腐食や酸
化の恐れがなくなる。従って、電極８に耐腐食性シール
や耐酸化性シールを施す必要がなくなり、製造歩留まり
も向上するため、全体のコストを大幅に低減することが
できる。
【００２７】また、図２に示す装置は、不活性ガス供給
管４と不活性ガス排気管５が共に反応容器１の低部近く
に開口している。そのため、筒状支持部材３内の不活性
ガス雰囲気が、１気圧未満であって、且つ不活性ガス排
気管５内における不活性ガス雰囲気が筒状支持部材３側
から排気ポンプ６に向かって徐々に低圧になるように、
不活性ガスの圧力分布を作り出すことができる。
管４と不活性ガス排気管５が共に反応容器１の低部近く
に開口している。そのため、筒状支持部材３内の不活性
ガス雰囲気が、１気圧未満であって、且つ不活性ガス排
気管５内における不活性ガス雰囲気が筒状支持部材３側
から排気ポンプ６に向かって徐々に低圧になるように、
不活性ガスの圧力分布を作り出すことができる。
【００２８】そのため、反応容器１の底部付近における
筒状支持部材３内の不活性ガス雰囲気の圧力が反応容器
１内における反応ガスの圧力よりも高くなり、反応容器
１の底部からの反応ガスの浸入や、排気ポンプ６側から
の空気の侵入を効果的に防止することができる。仮に反
応容器１内から腐蝕性の反応ガスが微量拡散してきて
も、直ちに不活性ガス排気管５から排気ポンプ６を通じ
て排気されるので、電極８は常に不活性ガス雰囲気で覆
われ、腐食や酸化の恐れがない。従って、図２の装置に
おいても、上記図１の場合と同様な効果が期待できる。
筒状支持部材３内の不活性ガス雰囲気の圧力が反応容器
１内における反応ガスの圧力よりも高くなり、反応容器
１の底部からの反応ガスの浸入や、排気ポンプ６側から
の空気の侵入を効果的に防止することができる。仮に反
応容器１内から腐蝕性の反応ガスが微量拡散してきて
も、直ちに不活性ガス排気管５から排気ポンプ６を通じ
て排気されるので、電極８は常に不活性ガス雰囲気で覆
われ、腐食や酸化の恐れがない。従って、図２の装置に
おいても、上記図１の場合と同様な効果が期待できる。
【００２９】尚、反応容器内及び筒状支持部材内を不活
性ガスで置換した後は供給した不活性ガスを排気するだ
けなので、排気ポンプはさほど大きな排気能力を必要と
しない。そこで、図３に示すように、不活性ガス排気管
５と、反応容器１内に供給された反応ガスを排気する反
応ガス排気管１２とを途中で合流させ、本来は別々に設
置する排気ポンプを共有させて、１台の排気ポンプ１４
に集約することによって、設置スペースを削減すること
ができる。
性ガスで置換した後は供給した不活性ガスを排気するだ
けなので、排気ポンプはさほど大きな排気能力を必要と
しない。そこで、図３に示すように、不活性ガス排気管
５と、反応容器１内に供給された反応ガスを排気する反
応ガス排気管１２とを途中で合流させ、本来は別々に設
置する排気ポンプを共有させて、１台の排気ポンプ１４
に集約することによって、設置スペースを削減すること
ができる。
【００３０】また、不活性ガス排気管と反応ガス排気管
とで１台の排気ポンプを共有する場合、図４に示すよう
に、更に不活性ガス排気管５と反応ガス排気管１２を一
部で二重構造にすることもできる。二重構造の配管にす
ることによってアスピレータ効果が生じるため、反応容
器１内の腐食性の反応ガスが筒状支持部材３内に侵入す
るのを効果的に防ぐことができる。
とで１台の排気ポンプを共有する場合、図４に示すよう
に、更に不活性ガス排気管５と反応ガス排気管１２を一
部で二重構造にすることもできる。二重構造の配管にす
ることによってアスピレータ効果が生じるため、反応容
器１内の腐食性の反応ガスが筒状支持部材３内に侵入す
るのを効果的に防ぐことができる。
【００３１】更に、本発明における半導体／液晶製造装
置の別の具体例として、図５に示すように、筒状支持部
材３内においてセラミックス保持体２と反応容器１の底
部との間に仕切板１５を設け、不活性ガス供給管４を仕
切板１５とセラミックス保持体２の間の空間に開口さ
せ、且つ仕切板１５を貫通して不活性ガス通気口１６を
設け、不活性ガス排気管５を仕切板１５と反応容器１の
底部との間に開口させることができる。
置の別の具体例として、図５に示すように、筒状支持部
材３内においてセラミックス保持体２と反応容器１の底
部との間に仕切板１５を設け、不活性ガス供給管４を仕
切板１５とセラミックス保持体２の間の空間に開口さ
せ、且つ仕切板１５を貫通して不活性ガス通気口１６を
設け、不活性ガス排気管５を仕切板１５と反応容器１の
底部との間に開口させることができる。
【００３２】この図５に示す装置では、筒状支持部材３
の内側で仕切板１５とセラミックス保持体２で区画され
た狭い空間内に不活性ガスを供給できるので、セラミッ
クス保持体２の裏面に設けられた電極８がより完全に不
活性ガスで保護され、耐腐食性や耐酸化性の低い電極８
への極微量の腐食ガスの侵入も防止でき、電極８の寿命
をより一層延ばすことができる。
の内側で仕切板１５とセラミックス保持体２で区画され
た狭い空間内に不活性ガスを供給できるので、セラミッ
クス保持体２の裏面に設けられた電極８がより完全に不
活性ガスで保護され、耐腐食性や耐酸化性の低い電極８
への極微量の腐食ガスの侵入も防止でき、電極８の寿命
をより一層延ばすことができる。
【００３３】尚、本発明におけるセラミックス保持体及
び筒状支持部材は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭
化ケイ素、酸化アルミニウムから選ばれたセラミックス
材料で構成されることが望ましい。
び筒状支持部材は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭
化ケイ素、酸化アルミニウムから選ばれたセラミックス
材料で構成されることが望ましい。
【００３４】
【実施例】実施例１
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、焼結助剤として
０.５重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）を添加し、更に
有機バインダを添加して分散混合した後に、スプレード
ライにより造粒した。得られた造粒粉末を用いて、焼結
後の寸法が直径３５０ｍｍ×厚さ１０ｍｍとなる形状Ａ
の成形体を、一軸プレスにより２枚成形した。また、同
じ造粒粉末を用いて、焼結後の寸法が外径８０ｍｍ、内
径７５ｍｍ、長さ１００ｍｍとなる形状Ｂの成形体を、
ＣＩＰ（冷間静水圧プレス）により１枚成形した。
０.５重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）を添加し、更に
有機バインダを添加して分散混合した後に、スプレード
ライにより造粒した。得られた造粒粉末を用いて、焼結
後の寸法が直径３５０ｍｍ×厚さ１０ｍｍとなる形状Ａ
の成形体を、一軸プレスにより２枚成形した。また、同
じ造粒粉末を用いて、焼結後の寸法が外径８０ｍｍ、内
径７５ｍｍ、長さ１００ｍｍとなる形状Ｂの成形体を、
ＣＩＰ（冷間静水圧プレス）により１枚成形した。
【００３５】形状Ａの成形体は、表面に幅４.５ｍｍ、
深さ２.５ｍｍの溝を形成した後、８００℃の窒素気流
中で脱脂した。溝内にＭｏコイルを這わせて２枚の成形
体を重ね合わせ、窒素気流中にて１９００℃で２時間、
１００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でホットプレス焼結した。
得られた焼結体の表面をダイヤモンド砥粒で研磨し、裏
面にＭｏコイルの端部を露出させて電極を設け、ＡｌＮ
製のセラミックス保持体とした。
深さ２.５ｍｍの溝を形成した後、８００℃の窒素気流
中で脱脂した。溝内にＭｏコイルを這わせて２枚の成形
体を重ね合わせ、窒素気流中にて１９００℃で２時間、
１００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でホットプレス焼結した。
得られた焼結体の表面をダイヤモンド砥粒で研磨し、裏
面にＭｏコイルの端部を露出させて電極を設け、ＡｌＮ
製のセラミックス保持体とした。
【００３６】一方、形状Ｂの成形体は、８００℃の窒素
気流中で脱脂し、窒素気流中にて１９００℃で６時間焼
結して、ＡｌＮ製の筒状支持部材とした。この筒状支持
部材の内部に電極が入るように上記セラミックス保持体
をセットして、１８５０℃で２時間、圧力１００ｋｇｆ
／ｃｍ２でホットプレス接合した。その後、セラミック
ス保持体の裏面の電極にＭｏ製の引出線をＡｇロウで接
合した。
気流中で脱脂し、窒素気流中にて１９００℃で６時間焼
結して、ＡｌＮ製の筒状支持部材とした。この筒状支持
部材の内部に電極が入るように上記セラミックス保持体
をセットして、１８５０℃で２時間、圧力１００ｋｇｆ
／ｃｍ２でホットプレス接合した。その後、セラミック
ス保持体の裏面の電極にＭｏ製の引出線をＡｇロウで接
合した。
【００３７】図１に示すように、この筒状支持部材３の
一端が接合されたセラミックス保持体２をＣＶＤ装置の
反応容器１内に入れ、筒状支持部材３の他端を反応容器
１の底部にクランプで固定したが、Ｏ−リング等による
気密シールは施さなかった。筒状支持部材３内にセラミ
ックス保持体２の近くまで不活性ガス供給管４を挿入
し、途中に排気ポンプ６を備えた不活性ガス排気管５は
反応容器１の底部近くに挿入した。
一端が接合されたセラミックス保持体２をＣＶＤ装置の
反応容器１内に入れ、筒状支持部材３の他端を反応容器
１の底部にクランプで固定したが、Ｏ−リング等による
気密シールは施さなかった。筒状支持部材３内にセラミ
ックス保持体２の近くまで不活性ガス供給管４を挿入
し、途中に排気ポンプ６を備えた不活性ガス排気管５は
反応容器１の底部近くに挿入した。
【００３８】不活性ガス供給管４から筒状支持部材３内
にＮ２ガスを供給しながら、不活性ガス排気管５で排気
して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持した。反応
ガス供給管１１から反応容器１内に反応ガスとしてＴｉ
Ｃｌ４＋ＮＨ３を流しながら、排気ポンプ１３を備えた
反応ガス排気管１２で排気し、引出線９から電力を供給
して抵抗発熱体７でセラミックス保持体２を６００℃
（熱電対１７で測定）に加熱することにより、被処理物
保持表面に載置したウエハ１０上にＴｉＮを蒸着した。
にＮ２ガスを供給しながら、不活性ガス排気管５で排気
して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持した。反応
ガス供給管１１から反応容器１内に反応ガスとしてＴｉ
Ｃｌ４＋ＮＨ３を流しながら、排気ポンプ１３を備えた
反応ガス排気管１２で排気し、引出線９から電力を供給
して抵抗発熱体７でセラミックス保持体２を６００℃
（熱電対１７で測定）に加熱することにより、被処理物
保持表面に載置したウエハ１０上にＴｉＮを蒸着した。
【００３９】このＴｉＮ蒸着テストを、同じＣＶＤ装置
を５台作製して長期間実施したところ、１０００時間経
過後においても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の
腐食などの不具合は全く生じなかった。尚、従来のＣＶ
Ｄ装置では封止用Ｏ−リングの冷却による熱応力を緩和
するため長さ３００ｍｍの筒状部材を使用していたのに
対して、本実施例のＣＶＤ装置の筒状支持部材は長さ１
００ｍｍであり、その分だけ反応容器を小型化すること
ができた。
を５台作製して長期間実施したところ、１０００時間経
過後においても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の
腐食などの不具合は全く生じなかった。尚、従来のＣＶ
Ｄ装置では封止用Ｏ−リングの冷却による熱応力を緩和
するため長さ３００ｍｍの筒状部材を使用していたのに
対して、本実施例のＣＶＤ装置の筒状支持部材は長さ１
００ｍｍであり、その分だけ反応容器を小型化すること
ができた。
【００４０】比較例１
上記実施例１と同じ手法で、ＡｌＮ製のセラミックス保
持体と筒状支持部材を作製したが、筒状支持部材は長さ
を従来と同様に３００ｍｍとした。
持体と筒状支持部材を作製したが、筒状支持部材は長さ
を従来と同様に３００ｍｍとした。
【００４１】このセラミックス保持体と筒状支持部材を
用いてＣＶＤ装置を構成し、長い筒状支持部材を収納す
るため反応容器の高さを２５０ｍｍだけ高くした。筒状
支持部材の他端はＯ−リングを用いて反応容器底部に気
密シールし、水冷で１５０℃に保った。また、電極部分
はガラスシールして耐酸化処理し、筒状支持部材内は大
気圧の空気雰囲気にした。
用いてＣＶＤ装置を構成し、長い筒状支持部材を収納す
るため反応容器の高さを２５０ｍｍだけ高くした。筒状
支持部材の他端はＯ−リングを用いて反応容器底部に気
密シールし、水冷で１５０℃に保った。また、電極部分
はガラスシールして耐酸化処理し、筒状支持部材内は大
気圧の空気雰囲気にした。
【００４２】実施例１と同じ方法により、６００℃でＴ
ｉＮ蒸着テストを行った。上記実施例１の消費電力を１
００％としたとき、この比較例１の消費電力は１８０％
であった。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉ
Ｎ蒸着処理テストを実施したところ、５００時間経過後
に１台が、及び１０００時間経過後に１台が、電極のガ
ラスシールの不完全な部分から酸化が進行して電力供給
ができなくなった。
ｉＮ蒸着テストを行った。上記実施例１の消費電力を１
００％としたとき、この比較例１の消費電力は１８０％
であった。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉ
Ｎ蒸着処理テストを実施したところ、５００時間経過後
に１台が、及び１０００時間経過後に１台が、電極のガ
ラスシールの不完全な部分から酸化が進行して電力供給
ができなくなった。
【００４３】実施例２
上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持
体と筒状支持部材を作製した。これらのセラミックス保
持体と筒状支持部材を用い、図２に示すＣＶＤ装置、即
ち不活性ガス供給管４を筒状支持部材３内で反応容器１
の底部近くに開口させた以外は実施例１（図１）と同じ
装置を作製した。尚、筒状支持部材３の他端は反応容器
１の底部にクランプで固定し、Ｏ−リング等による気密
シールはしなかった。
体と筒状支持部材を作製した。これらのセラミックス保
持体と筒状支持部材を用い、図２に示すＣＶＤ装置、即
ち不活性ガス供給管４を筒状支持部材３内で反応容器１
の底部近くに開口させた以外は実施例１（図１）と同じ
装置を作製した。尚、筒状支持部材３の他端は反応容器
１の底部にクランプで固定し、Ｏ−リング等による気密
シールはしなかった。
【００４４】筒状支持部材３内にＮ２ガスを供給しなが
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
【００４５】このＴｉＮ蒸着テストの結果、上記実施例
１を１００％としたときの消費電力は１００％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、１０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
１を１００％としたときの消費電力は１００％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、１０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
【００４６】実施例３
上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持
体と筒状支持部材を作製した。これらのセラミックス保
持体と筒状支持部材を用い、図３に示すＣＶＤ装置、即
ち不活性ガス排気管５と反応ガス排気管１２をＹ型ジョ
イントで接続して合流させ、その下流に１台の排気ポン
プ１４を接続した以外は実施例１（図１）と同じ装置を
作製した。尚、筒状支持部材３の他端は反応容器１の底
部にクランプで固定すると共に、金属シールにより気密
シールした。
体と筒状支持部材を作製した。これらのセラミックス保
持体と筒状支持部材を用い、図３に示すＣＶＤ装置、即
ち不活性ガス排気管５と反応ガス排気管１２をＹ型ジョ
イントで接続して合流させ、その下流に１台の排気ポン
プ１４を接続した以外は実施例１（図１）と同じ装置を
作製した。尚、筒状支持部材３の他端は反応容器１の底
部にクランプで固定すると共に、金属シールにより気密
シールした。
【００４７】筒状支持部材３内にＮ２ガスを供給しなが
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
【００４８】このＴｉＮ蒸着テストの結果、上記実施例
１を１００％としたときの消費電力は１２０％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、１０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
１を１００％としたときの消費電力は１２０％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、１０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
【００４９】実施例４
上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持
体と筒状支持部材を作製した。これらのＡｌＮ製のセラ
ミックス保持体と筒状支持部材を用い、上記実施例３
（図３）と同じＣＶＤ装置を作製した。ただし、筒状支
持部材３の他端は反応容器１の底部にクランプで固定し
たが、Ｏ−リングや金属シールによる気密シールはしな
かった。
体と筒状支持部材を作製した。これらのＡｌＮ製のセラ
ミックス保持体と筒状支持部材を用い、上記実施例３
（図３）と同じＣＶＤ装置を作製した。ただし、筒状支
持部材３の他端は反応容器１の底部にクランプで固定し
たが、Ｏ−リングや金属シールによる気密シールはしな
かった。
【００５０】筒状支持部材３内にＮ２ガスを供給しなが
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
【００５１】このＴｉＮ蒸着テストの結果、上記実施例
１を１００％としたときの消費電力は１００％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、１０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
１を１００％としたときの消費電力は１００％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、１０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
【００５２】実施例５
上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持
体と筒状支持部材を作製した。これらのＡｌＮ製のセラ
ミックス保持体と筒状支持部材を用い、図４に示すＣＶ
Ｄ装置、即ち不活性ガス排気管５と反応ガス排気管１２
を反応容器１の側壁部から引き出して二重構造とし、そ
の下流に１台の排気ポンプ１４を接した以外は実施例２
（図２）と同じ装置を作製した。尚、筒状支持部材３の
他端は反応容器１の底部にクランプで固定したが、Ｏ−
リング等による気密シールはしなかった。
体と筒状支持部材を作製した。これらのＡｌＮ製のセラ
ミックス保持体と筒状支持部材を用い、図４に示すＣＶ
Ｄ装置、即ち不活性ガス排気管５と反応ガス排気管１２
を反応容器１の側壁部から引き出して二重構造とし、そ
の下流に１台の排気ポンプ１４を接した以外は実施例２
（図２）と同じ装置を作製した。尚、筒状支持部材３の
他端は反応容器１の底部にクランプで固定したが、Ｏ−
リング等による気密シールはしなかった。
【００５３】筒状支持部材３内にＮ２ガスを供給しなが
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
【００５４】このＴｉＮ蒸着テストの結果、上記実施例
１を１００％としたときの消費電力は１００％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、１０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
１を１００％としたときの消費電力は１００％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、１０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
【００５５】実施例６
上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持
体と筒状支持部材を作製した。これらのＡｌＮ製のセラ
ミックス保持体と筒状支持部材を用い、図５に示すＣＶ
Ｄ装置を作製した。尚、筒状支持部材３の他端は反応容
器１の底部にクランプで固定し、Ｏ−リング等による気
密シールはしなかった。
体と筒状支持部材を作製した。これらのＡｌＮ製のセラ
ミックス保持体と筒状支持部材を用い、図５に示すＣＶ
Ｄ装置を作製した。尚、筒状支持部材３の他端は反応容
器１の底部にクランプで固定し、Ｏ−リング等による気
密シールはしなかった。
【００５６】更に具体的に説明すると、この図５のＣＶ
Ｄ装置は、筒状支持部材３内に水平に仕切板１５を設
け、不活性ガス供給管４は仕切板１５を貫通してセラミ
ックス保持体２の近くに開口させ、且つ仕切板１５には
不活性ガス通気口１６を設けたが、その他の構成は図３
の装置と同じである。尚、仕切板１５と筒状支持部材３
の内周壁の間、仕切板１５と不活性ガス供給管４及び不
活性ガス通気口１６の間は、それぞれ軟化点が８００℃
のガラスで気密シールした。
Ｄ装置は、筒状支持部材３内に水平に仕切板１５を設
け、不活性ガス供給管４は仕切板１５を貫通してセラミ
ックス保持体２の近くに開口させ、且つ仕切板１５には
不活性ガス通気口１６を設けたが、その他の構成は図３
の装置と同じである。尚、仕切板１５と筒状支持部材３
の内周壁の間、仕切板１５と不活性ガス供給管４及び不
活性ガス通気口１６の間は、それぞれ軟化点が８００℃
のガラスで気密シールした。
【００５７】筒状支持部材３内にＮ２ガスを供給しなが
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
ら排気して、筒状支持部材３内を１気圧未満に保持し
た。反応容器１内にはＴｉＣｌ４＋ＮＨ３を流しながら
排気し、セラミックス保持体２を６００℃に加熱するこ
とにより、被処理物保持表面に載置したウエハ１０上に
ＴｉＮを蒸着した。
【００５８】このＴｉＮ蒸着テストの結果、上記実施例
１を１００％としたときの消費電力は１００％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、２０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
１を１００％としたときの消費電力は１００％であっ
た。また、同じ装置を５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着
処理テストを実施したところ、２０００時間経過後にお
いても、５台とも筒状支持部材の割れや電極の腐食等の
不具合は生じなかった。
【００５９】実施例７
セラミックス材料を代えた以外は上記実施例１と同じ方
法で、セラミックス保持体と筒状支持部材を作製した。
即ち、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末に、焼結助剤とし
て３重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）と２重量％のアル
ミナ（Ａｌ２Ｏ ３）を加え、更に有機バインダを添加し
て分散混合し、スプレードライにより造粒した。得られ
た造粒粉末を用い、焼結条件を窒素気流中にて１７５０
℃で４時間にした以外は実施例１と同じ方法により、Ｓ
ｉ３Ｎ４製のセラミックス保持体と筒状支持部材を作製
した。
法で、セラミックス保持体と筒状支持部材を作製した。
即ち、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末に、焼結助剤とし
て３重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）と２重量％のアル
ミナ（Ａｌ２Ｏ ３）を加え、更に有機バインダを添加し
て分散混合し、スプレードライにより造粒した。得られ
た造粒粉末を用い、焼結条件を窒素気流中にて１７５０
℃で４時間にした以外は実施例１と同じ方法により、Ｓ
ｉ３Ｎ４製のセラミックス保持体と筒状支持部材を作製
した。
【００６０】また、炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末に、焼結
助剤として２重量％の炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）と１重量％
のカーボン（Ｃ）を加え、更に有機バインダを添加して
分散混合し、スプレードライにより造粒した。得られた
造粒粉末を用い、焼結条件をアルゴン気流中にて２００
０℃で７時間にした以外は実施例１と同じ方法により、
ＳｉＣ製のセラミックス保持体と筒状支持部材を作製し
た。
助剤として２重量％の炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）と１重量％
のカーボン（Ｃ）を加え、更に有機バインダを添加して
分散混合し、スプレードライにより造粒した。得られた
造粒粉末を用い、焼結条件をアルゴン気流中にて２００
０℃で７時間にした以外は実施例１と同じ方法により、
ＳｉＣ製のセラミックス保持体と筒状支持部材を作製し
た。
【００６１】更に、酸化アルミニウム粉末（Ａｌ
２Ｏ３）粉末に、焼結助剤として２重量％のマグネシア
（ＭｇＯ）をえ、更に有機バインダを添加して分散混合
し、スプレードライにより造粒した。得られた造粒粉末
を用い、焼結条件を窒素気流中にて１５００℃で３時間
にした以外は実施例１と同じ方法により、Ａｌ２Ｏ３製
のセラミックス保持体と筒状支持部材を作製した。
２Ｏ３）粉末に、焼結助剤として２重量％のマグネシア
（ＭｇＯ）をえ、更に有機バインダを添加して分散混合
し、スプレードライにより造粒した。得られた造粒粉末
を用い、焼結条件を窒素気流中にて１５００℃で３時間
にした以外は実施例１と同じ方法により、Ａｌ２Ｏ３製
のセラミックス保持体と筒状支持部材を作製した。
【００６２】上記したＳｉ３Ｎ４製、ＳｉＣ製、及びＡ
ｌ２Ｏ３製の各セラミックス保持体と各筒状支持部材と
を用いて、それぞれ上記実施例１（図１）と同じＣＶＤ
装置を作製した。尚、いずれの装置においても、筒状支
持部材３の他端は反応容器１の底部にクランプで固定
し、Ｏ−リング等による気密シールはしなかった。
ｌ２Ｏ３製の各セラミックス保持体と各筒状支持部材と
を用いて、それぞれ上記実施例１（図１）と同じＣＶＤ
装置を作製した。尚、いずれの装置においても、筒状支
持部材３の他端は反応容器１の底部にクランプで固定
し、Ｏ−リング等による気密シールはしなかった。
【００６３】各ＣＶＤ装置において、筒状支持部材３内
にＮ２ガスを供給しながら排気して、筒状支持部材３内
を１気圧未満に保持した。反応容器１内にはＴｉＣｌ４
＋ＮＨ３を流しながら排気し、セラミックス保持体２を
６００℃に加熱して、被処理物保持表面に載置したウエ
ハ１０上にＴｉＮを蒸着した。
にＮ２ガスを供給しながら排気して、筒状支持部材３内
を１気圧未満に保持した。反応容器１内にはＴｉＣｌ４
＋ＮＨ３を流しながら排気し、セラミックス保持体２を
６００℃に加熱して、被処理物保持表面に載置したウエ
ハ１０上にＴｉＮを蒸着した。
【００６４】このＴｉＮ蒸着テストの結果、上記実施例
１を１００％としたときの消費電力は、いずれの装置に
おいても１００％であった。また、それぞれ同じ装置を
５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着処理テストを実施した
ところ、１０００時間後においても、それぞれ各５台と
も筒状支持部材の割れや電極の腐食等の不具合は生じな
かった。
１を１００％としたときの消費電力は、いずれの装置に
おいても１００％であった。また、それぞれ同じ装置を
５台作製し、長期間のＴｉＮ蒸着処理テストを実施した
ところ、１０００時間後においても、それぞれ各５台と
も筒状支持部材の割れや電極の腐食等の不具合は生じな
かった。
【００６５】
【発明の効果】本発明によれば、耐酸化性シールや耐腐
蝕性シールを施さなくてもセラミックス保持体の裏面に
設けた電極の酸化や腐蝕を防ぐことができ、しかもセラ
ミックス保持体の均熱性を保ち且つ無駄な電力消費をな
くした半導体又は液晶の製造装置を提供することがで
き、しかも装置の小型化及び製造コストの低減を図るこ
とが可能である。
蝕性シールを施さなくてもセラミックス保持体の裏面に
設けた電極の酸化や腐蝕を防ぐことができ、しかもセラ
ミックス保持体の均熱性を保ち且つ無駄な電力消費をな
くした半導体又は液晶の製造装置を提供することがで
き、しかも装置の小型化及び製造コストの低減を図るこ
とが可能である。
【図１】本発明による半導体製造装置の一具体例を示す
概略の断面図である。
概略の断面図である。
【図２】本発明による半導体製造装置の他の具体例を示
す概略の断面図である。
す概略の断面図である。
【図３】本発明による半導体製造装置で排気ポンプを共
有した一具体例を示す概略の断面図である。
有した一具体例を示す概略の断面図である。
【図４】本発明による半導体製造装置で二重構造の排気
管を備えた一具体例を示す概略の断面図である。
管を備えた一具体例を示す概略の断面図である。
【図５】本発明による半導体製造装置の別の具体例を示
す概略の断面図である。
す概略の断面図である。
１ 反応容器
２ セラミックス保持体
３ 筒状支持部材
４ 不活性ガス供給管
５ 不活性ガス排気管
６、１３、１４ 排気ポンプ
７ 抵抗発熱体
８ 電極
９ 引出線
１０ ウエハ
１５ 仕切板
１６ 不活性ガス通気口
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 仲田 博彦
兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友
電気工業株式会社伊丹製作所内
Ｆターム(参考） 4K030 AA02 AA03 AA13 BA18 BA38
CA04 CA12 EA11 GA02 KA46
LA12 LA15
Claims (9)
- 【請求項１】 反応ガスが供給される反応容器内に、被
処理物を表面上に保持して加熱するセラミックス保持体
を備えた半導体又は液晶の製造装置であって、一端にセ
ラミックス保持体をその被処理物保持表面以外で支え、
他端が反応容器の一部に固定された筒状支持部材と、筒
状支持部材の内側空間内に不活性ガスを供給する供給管
と、筒状支持部材の内側空間内から不活性ガスを排気す
る排気管及び排気ポンプとを備えることを特徴とする半
導体／液晶製造装置。 - 【請求項２】 前記筒状支持部材の内側空間内における
不活性ガス雰囲気が１気圧未満であることを特徴とす
る、請求項１に記載の半導体／液晶製造装置。 - 【請求項３】 前記筒状支持部材の他端と反応容器の一
部との間が気密シールされていないことを特徴とする、
請求項１又は２に記載の半導体／液晶製造装置。 - 【請求項４】 前記不活性ガス供給管がセラミックス保
持体近くに開口し、且つ不活性ガス排気管が反応容器底
部近くに開口していて、筒状支持部材の内側空間内にお
ける不活性ガス雰囲気がセラミックス保持体側から反応
容器底部側に向かって徐々に低圧になっていることを特
徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体／液
晶製造装置。 - 【請求項５】 前記不活性ガス供給管と不活性ガス排気
管が共に反応容器低部近くに開口していて、不活性ガス
排気管内における不活性ガス雰囲気が筒状支持部材側か
ら排気ポンプに向かって徐々に低圧になっていることを
特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体／
液晶製造装置。 - 【請求項６】 前記筒状支持部材内のセラミックス保持
体と反応容器底部との間に仕切板を有し、不活性ガス供
給管が仕切板とセラミックス保持体の間の空間に開口
し、不活性ガス排気管が仕切板と反応容器底部との間に
開口すると共に、仕切板に不活性ガス通気口を有するこ
とを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導
体／液晶製造装置。 - 【請求項７】 前記筒状支持部材の内側空間内から不活
性ガスを排気する不活性ガス排気管と、反応容器内から
反応ガスを排気する反応ガス排気管とが途中で合流し、
排気ポンプを共有していることを特徴とする、請求項１
〜６のいずれかに記載の半導体／液晶製造装置。 - 【請求項８】 前記筒状支持部材の内側空間内から不活
性ガスを排気する不活性ガス排気管と、反応容器内から
反応ガスを排気する反応ガス排気管とが、一部で二重構
造になっていることを特徴とする、請求項７に記載の半
導体／液晶製造装置。 - 【請求項９】 前記セラミックス保持体及び筒状支持部
材が、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸
化アルミニウムから選ばれたセラミックス材料で構成さ
れていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに
記載の半導体／液晶製造装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002050629A JP2003253449A (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 半導体／液晶製造装置 |
| PCT/JP2003/002138 WO2003072850A1 (fr) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | Dispositif de production de semi-conducteurs ou de cristaux liquides |
| EP03743036A EP1484429A1 (en) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | Semiconductor or liquid crystal producing device |
| CNA2005100897056A CN1740386A (zh) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | 制造半导体或液晶的装置 |
| CNA2005100897041A CN1740385A (zh) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | 制造半导体或液晶的装置 |
| US10/478,278 US7806984B2 (en) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | Semiconductor or liquid crystal producing device |
| KR1020037014738A KR101006634B1 (ko) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | 반도체 또는 액정 제조 장치 |
| CNB038006030A CN1237203C (zh) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | 制造半导体或液晶的装置 |
| TW092104238A TWI248130B (en) | 2002-02-27 | 2003-02-27 | Semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (2)
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