JP2003248309A - 感光性樹脂組成物、これを用いたパターン製造法及び電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚膜形成可能で、感光特性に優
れ、高感度で、低露光量でも良好な形状のパターンが得
られ、現像後の残膜率も高く、硬化膜特性にも優れ、加
熱硬化後の塗膜収縮率の小さいネガ型の感光性樹脂組成
物、製造工程の短縮が可能であり、製造コストが削減で
きるパターンの製造法及びこのパターンを用いた電子部
品を提供する。 【解決手段】 （Ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｘは四価の芳香環を含む基、Ｙは二価の芳香環
を含む基、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に水素原子又は一価
の有機基を示し、Ｘ及びＹの少なくとも一方が芳香環を
３個以上有する）で示される繰り返し単位を有するポリ
イミド前駆体、（Ｂ）常圧において１００℃以上の沸点
を有する付加重合性化合物、（Ｃ）光開始剤を含有して
なる感光性樹脂組成物、この組成物を用いたパターンの
製造法及びこのパターンを用いた電子部品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高透明性、高密着
性で、また加熱硬化後の塗膜収縮率が小さく、特に厚膜
形成に適し、半導体素子の表面保護膜や多層配線基板の
層間絶縁膜等に好適な感光性樹脂組成物、この組成物を
用いたパターンの製造法及び電子部品に関し、特に加熱
処理によりポリイミド系耐熱性高分子となるネガ型の感
光性樹脂組成物及びパターン製造法並びに電子部品に関
する。

【０００２】また本発明は、高透明性、高密着性で、ま
た加熱硬化後の塗膜収縮率が小さく厚膜形成に適し、半
導体装置のカバーコート材、再配線用コア材、半田等の
ボール用カラー材、フリップチップ等で用いられるアン
ダーフィル材等、いわゆるパッケージ用途に好適な感光
性樹脂組成物、この組成物を用いたパターンの製造法及
び電子部品に関する。

【０００３】

【従来の技術】ポリイミド又はその前駆体であってそれ
自体でフォトパターニング性を兼備しているものは感光
性ポリイミドと呼ばれ、半導体の表面保護膜用等に用い
られる。感光性ポリイミドにはいくつかの感光性付与方
式が知られている。代表的なものには、特公昭５５−４
１４２２号公報で提案されているようなポリアミド酸の
ヒドロキシアクリレートとのエステルとしたものや、特
開昭５４−１４５７９４号公報で提案されているような
ポリアミド酸にアミノアクリレートのようなものを配合
し感光性基を塩結合で導入するものが知られている。

【０００４】これらの材料はポリアミド酸自体が剛直な
ために、スピンコート等によって作成する膜状態では従
来の紫外線硬化塗料やドライフィルムレジストと比較し
て低感度となる欠点がある。これを改良すべくオキシム
エステル系化合物、アリールグリシン系化合物等を添加
することにより高感度化することができる。しかし一方
で、厚膜形成した場合、感度不足や密着性低下等の欠点
がある。また、加熱硬化後の塗膜収縮率が大きく、より
厚膜の形成が困難であり、ポリイミドパターンの形状及
び開口パターンの寸法が大幅に変化してしまうといった
問題がある。

【０００５】また、近年開発されている新規パッケージ
用途では、熱衝撃等によって生じた応力を緩和する特性
が要求され、加熱硬化後の塗膜の膜特性によっては充分
な緩和が得られず、クラックや剥がれを生じることがあ
る。さらにこのようなパッケージ用途では、アンダーバ
ンピングメタル層やモールド材との密着性が充分でない
と剥がれを生じてしまうことがある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、厚膜形成可能で、感光特性に優れ、高感度で、低露
光量でも良好な形状のパターンが得られ、現像後の残膜
率も高く、硬化膜特性にも優れる硬化膜が得られ、さら
に加熱硬化後の塗膜収縮率の小さい感光性樹脂組成物を
提供することである。特に新規パッケージの各種用途に
好適な感光性樹脂組成物を提供することである。

【０００７】本発明の第２の目的は、厚膜形成可能で、
感光特性に優れ、高感度で、低露光量でも良好な形状の
パターンが得られ、現像後の残膜率も高く、また加熱硬
化後の塗膜収縮率が小さく、硬化膜特性にも優れる硬化
膜が得られ、各種部材との接着性にも優れ、さらに製造
工程の短縮が可能であり、製造コストが削減できるパタ
ーンの製造法を提供することである。本発明の第３の目
的は、上記目的に加え更に信頼性に優れる電子部品、特
に信頼性に優れる新規パッケージを提供するものであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）一般式
（Ｉ）

【化２】 （式中、Ｘは四価の芳香環を含む基、Ｙは二価の芳香環
を含む基、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に水素原子又は一価
の有機基を示し、Ｘ及びＹの少なくとも一方が芳香環を
３個以上有する）で示される繰り返し単位を有するポリ
イミド前駆体、（Ｂ）常圧において１００℃以上の沸点
を有する付加重合性化合物及び、（Ｃ）光開始剤を含有
してなる感光性樹脂組成物に関する。

【０００９】また本発明は、ポリイミド前駆体が、前記
の一般式（Ｉ）において、Ｘ及びＹの少なくとも一方
が、両隣の芳香環との間を介する結合が１，３位である
芳香環を少なくとも１つ有するものである感光性樹脂組
成物に関する。また本発明は、ポリイミド前駆体が、Ｒ
^１及びＲ^２として、（メタ）アクリロキシアルキルオキ
シ基を有するポリアミド酸不飽和エステルであって、エ
ステル化率が６０〜８０モル％のものであり、かつ、ジ
アミンとしてジアミノポリシロキサンを全ジアミンの１
〜３０モル％用いて得られたものである感光性樹脂組成
物に関する。

【００１０】また本発明は、半導体素子の配線層の上に
表面保護膜層が形成され、その上にカバーコート層が形
成された構造を有する半導体装置における、前記カバー
コート層用である前記感光性樹脂組成物に関する。また
本発明は、半導体素子の配線層の上に表面保護膜層が形
成され、その上に形成される再配線用のコアが形成され
た構造を有する半導体装置における、前記コア材用であ
る前記感光性樹脂組成物に関する。

【００１１】また本発明は、半導体素子の配線層の上に
表面保護膜層が形成され、その上に再配線層及びカバー
コート層が形成され、さらにその再配線層の上に外部接
続端子として形成される導電性のボールを保持する構造
を有する半導体装置における、前記ボールを保持するた
めのカラー材用である前記感光性樹脂組成物に関する。
また本発明は、半導体装置のアンダーフィル材用である
前記感光性樹脂組成物に関する。

【００１２】また本発明は、支持基板上に、前記のいず
れかに記載の感光性樹脂組成物を塗布してポリイミド前
駆体膜を形成する工程、前記のポリイミド前駆体膜に、
所定のパターンのフォトマスクを介して活性光線を照射
し露光した後、有機溶剤又は塩基性水溶液により未露光
部を溶解除去して、所望のレリーフパターンを得る工程
を含むことを特徴とするパターンの製造法に関する。

【００１３】また本発明は、前記の製造法により得られ
るパターンをイミド化して得られるポリイミド膜を表面
保護膜又は層間絶縁膜として有してなる電子部品に関す
る。また本発明は、前記の製造法により得られるパター
ンをイミド化して得られるポリイミド膜をカバーコート
層として有してなる電子部品に関する。また本発明は、
前記の製造法により得られるパターンをイミド化して得
られるポリイミド膜を再配線層用のコアとして有してな
る電子部品に関する。

【００１４】また本発明は、前記の製造法により得られ
るパターンをイミド化して得られるポリイミド膜を、外
部接続端子として形成される導電性のボールを保持する
ためのカラーとして有してなる電子部品に関する。また
本発明は、前記の製造法により得られるパターンをイミ
ド化して得られるポリイミド膜を、アンダーフィルとし
て有してなる電子部品に関する。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明で用いられる（Ａ）前記一
般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有するポリイミド
前駆体の種類としては、ポリアミド酸、ポリアミド酸エ
ステル、ポリアミド酸アミド等があり、特に制限されな
いが、一般式（Ｉ）におけるＲ^１及びＲ^２が、光重合可
能な炭素炭素不飽和二重結合を有する一価の有機基であ
るポリイミド前駆体であることが好ましい。

【００１６】このようなポリイミド前駆体としては、光
重合可能な炭素炭素不飽和二重結合を有する化合物がポ
リアミド酸に側鎖として共有結合した構造を有するポリ
アミド酸不飽和エステル、ポリアミド酸不飽和アミド、
ポリアミド酸に炭素炭素二重結合を有するアミン化合物
を混合して、カルボキシル基とアミノ基のイオン結合に
より炭素炭素二重結合を導入したものなどが挙げられ
る。反応性の点から、炭素炭素不飽和二重結合は、アク
リロイル基又はメタクリロイル基の形で含まれることが
好ましい。従って、例えばポリアミド酸不飽和エステル
の場合、一般式（Ｉ）におけるＲ^１及びＲ^２としては、

【化３】 （式中Ｒ^３は炭素数１〜１０の二価のアルキレン基、Ｒ
^４は水素原子又はメチル基である）で示される（メタ）
アクリロキシアルキルオキシ基の構造のものが好ましい
ものとして挙げられる。

【００１７】前記ポリアミド酸不飽和エステルは、テト
ラカルボン酸二無水物と不飽和基を有するヒドロキシ基
含有化合物を混合して反応させ、テトラカルボン酸のハ
ーフエステルを製造した後、塩化チオニルにより酸クロ
リド化し、次いで、ジアミンと反応させる方法や、前記
テトラカルボン酸ハーフエステルをカルボジイミド類を
縮合剤としてジアミンと反応させる酸クロライド法、カ
ルボジイミド縮合剤を用いる方法、イソイミド法等によ
り合成することができる。

【００１８】ポリイミド前駆体において、前記炭素炭素
二重結合を有する化合物の導入量（ポリアミド酸不飽和
エステルにおいてはエステル化率と称する）は、現像液
に対する溶解性、光硬化性、耐熱性等の点からポリアミ
ド酸の有するカルボキシル基に対して２０〜１００モル
％とすることが好ましく、３０〜９０モル％とすること
がより好ましく、６０〜８０モル％とすることがさらに
好ましい。

【００１９】前記炭素炭素不飽和二重結合を有する化合
物の例としては、２−ヒドロキシエチルアクリレート、
３−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシ
エチルメタクリレート、３−ヒドロキシプロピルメタク
リレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒ
ドロキシブチルメタクリレート、ペンタエリスリトール
ジアクリレートモノステアレート、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、カプロラクトン２−（メタクリロ
キシ）エチルエステル、ジカプロラクトン２−（メタク
リロイロキシ）エチルエステル等が挙げられる。

【００２０】上記ポリイミド前駆体の重量平均分子量
は、３，０００〜２００，０００とすることが好まし
く、５，０００〜１００，０００とすることがより好ま
しい。分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー法により測定することができる。本発明では、上記
（Ａ）ポリイミド前駆体は、一般式（Ｉ）のＹ（一般に
ジアミン成分の残基）とＸ（一般に酸無水物成分の残
基）の両方又はどちらか一方が芳香環を３以上有するも
のを用いる。中でもＸ及びＹの少なくとも一方が、両隣
の芳香環との間を介する結合が１，３位である芳香環を
少なくとも１つ有するものであることが好ましい。

【００２１】このジアミン成分としては例えば、１，３
−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス（４−アミノ
フェノキシフェニル）ビフェニル、２，２−ビス｛４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニ
ル）プロパン、４，４’−｛１，３−フェニレンビス
（１−メチルエチリデン）｝ビスアニリン、ビス−ｐ−
アミノフェニルアニリン、ビス−（４−アミノフェノキ
シフェニル）スルフィド、ビス−（４−アミノフェノキ
シフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェノキシフ
ェニル）スルホン、９，９−ビス（４−アミノフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）
アントラセンなどの芳香族ジアミンが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。中でも両隣の芳香環と
の間を介する結合が１，３位である芳香環を少なくとも
１つ有するものが好ましい。具体的な化合物としては
１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンが好まし
い。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用さ
れる。

【００２２】また、上記ポリイミド前駆体のジアミン成
分としては、前記ジアミンと併用する場合や酸無水物成
分として芳香環を３以上有するものを使用する場合は、
他の芳香族ジアミンを含有してもよい。例えば、２，４
−ジアミノ安息香酸、３，４−ジアミノ安息香酸、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル−３−スルホンアミド、３，４’
−ジアミノジフェニルエーテル−４−スルホンアミド、
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル−３’−スルホ
ンアミド、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル−４
−スルホンアミド、３，４’−ジアミノジフェニルエー
テル−３’−カルボキサイド、３，３’−ジアミノジフ
ェニルエーテル−４−カルボキサイド、４，４’−ジヒ
ドロキシ−３，３’−ジアミノビフェニル、３，３’−
ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではない。これらを
用いる場合は全アミン成分に対して、１〜５０モル％用
いることが好ましい。これらのジアミンは、単独で又は
２種以上を組み合わせて使用される。

【００２３】その他、ジアミンとしては接着性向上及び
その他の感光特性向上のために、下記一般式（ＩＩ）

【化４】 （式中Ｒ^５及びＲ^６は各々独立に炭素数１〜１０の２価
の炭化水素基を示し、Ｒ^７及びＲ^８は各々独立に炭素数
１〜１０の１価の炭化水素基を示し、ｔは１〜１００の
整数である）で表されるジアミノポリシロキサン等のジ
アミンを使用することが好ましい。

【００２４】Ｒ^５及びＲ^６としては、メチレン基、エチ
レン基、プロピレン基等のアルキレン基、フェニレン基
等のアリーレン基これらの結合基などが挙げられ、Ｒ^７
及びＲ^８としては、メチル基、エチル基等のアルキル
基、フェニル基等のアリール基等が挙げられる。これら
を用いる場合、全アミン成分に対して、１〜３０モル％
用いることが好ましい。これらのジアミンは、単独で又
は２種以上を組み合わせて使用される。

【００２５】前記（Ａ）ポリイミド前駆体の製造に使用
される酸無水物としては、例えば、５，５’−［（１−
メチルエチリデン）ビス（４，１−フェニレンオキ
シ）］ビス−１，３−イソベンゾフランジオン、５，
５’−［１，３−フェニレンビス（オキシ）］ビス−
１，３−イソベンゾフランジオン、ペリレン−２，３，
８，９−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−３，
４，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−
４，５，１０，１１−テトラカルボン酸二無水物、ペリ
レン−５，６，１１，１２−テトラカルボン酸二無水
物、フェナンスレン−１，２，７，８−テトラカルボン
酸二無水物、フェナンスレン−１，２，６，７−テトラ
カルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，２，９，１
０−テトラカルボン酸二無水物などが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。これらは単独で又は２
種以上を組み合わせて使用される。

【００２６】また、上記（Ａ）ポリイミド前駆体の酸無
水物成分としては、ジアミン成分として芳香環を３つ以
上有するものを使用する場合や、前記酸無水物と併用す
る場合は、その他の酸無水物を使用してもよい。例え
ば、オキシジフタル酸二無水物、ピロメリット酸二無水
物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，２，
５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，
３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二
無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカル
ボン酸二無水物、ピラジン−２，３，４，５−テトラカ
ルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，４，５−テト
ラカルボン酸二無水物などが挙げられるが、これらに限
定されるものではない。中でもピロメリット酸二無水
物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、オキシジフタル酸二無水物が好ましく、オキ
シジフタル酸二無水物がより好ましい。また、これらの
使用にあたっては、単独で又は２種以上を組み合わせて
使用される。これらを用いる場合、全酸無水物成分に対
して、１〜１００モル％用いることが好ましく、酸無水
物成分として３個以上の芳香環を有するものを使用する
場合は、１〜３０モル％用いることが好ましい。

【００２７】（Ｂ）常圧において１００℃以上の沸点を
有する付加重合性化合物としては、多価アルコールと
α，β−不飽和カルボン酸とを縮合して得られる化合
物、例えばエチレングリコールジアクリレート（又はメ
タクリレート）、トリエチレングリコールジアクリレー
ト（又はメタクリレート）、テトラエチレングリコール
ジアクリレート（又はメタクリレート）、トリメチロー
ルプロパンジアクリレート（又はメタクリレート）、ト
リメチロールプロパントリアクリレート（又はメタクリ
レート）、１，２−プロピレングリコールジアクリレー
ト（又はメタクリレート）、ジ（１，２−プロピレング
リコール）ジアクリレート（又はメタクリレート）、ト
リ（１，２−プロピレングリコール）ジアクリレート
（又はメタクリレート）、テトラ（１，２−プロピレン
グリコール）ジアクリレート（又はメタクリレート）、
ジメチルアミノエチルアクリレート（又はメタクリレー
ト）、ジエチルアミノエチルアクリレート（又はメタク
リレート）、ジメチルアミノプロピルアクリレート（又
はメタクリレート）、ジエチルアミノプロピルアクリレ
ート（又はメタクリレート）、１，４−ブタンジオール
ジアクリレート（又はメタクリレート）、１，６−ヘキ
サンジオールジアクリレート（又はメタクリレート）、
ペンタエリスリトールトリアクリレート（又はメタクリ
レート）、２−ヒドロキシエチルアクリレート（又はメ
タクリレート）、１，３−アクリロイル（又はメタクリ
ロイル）オキシ−２−ヒドロキシプロパン、ネオペンチ
ルグリコールジアクリレート（又はメタクリレート）、
ペンタエリスリトールジアクリレート（又はメタクリレ
ート）、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
（又はメタクリレート）、テトラメチロールプロパンテ
トラアクリレート（又はメタクリレート）等が挙げら
れ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いて
もよい。中でもテトラエチレングリコールジアクリレー
ト（又はメタクリレート）が好ましい。

【００２８】上記（Ｂ）成分の含有量は、ポリイミド前
駆体１００重量部に対して、１〜２００重量部とするこ
とが好ましく、５〜５０重量部とすることがより好まし
い。この使用量が１重量部未満では現像液への溶解性も
含めた感光特性に劣る傾向にあり、２００重量部を超え
ると、フィルムの機械特性が劣る傾向にある。

【００２９】（Ｃ）光開始剤としては、特に制限はない
が例えば、ミヒラーズケトン、ベンゾインメチルエーテ
ル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピ
ルエーテル、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−エチ
ルアントラキノン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベ
ンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、チオ
キサントン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセト
フェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノ−１−プロパノン、ベンジル、ジフェニ
ルジスルフィド、フェナンスレンキノン、２−イソプロ
ピルチオキサントン、リボフラビンテトラブチレート、
２，６−ビス（ｐ−ジエチルアミノベンザル）−４−メ
チル−４−アザシクロヘキサノン、Ｎ−エチル−Ｎ−
（ｐ−クロロフェニル）グリシン、Ｎ−フェニルジエタ
ノールアミン、２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシ
イミノプロパン−１−オン、３，３，４，４−テトラ
（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、
３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリ
ン）、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス−［２，６
−ジフルオロ−３−（ピリ−１−イル）フェニル］チタ
ン、ヘキサアリールビイミダゾール化合物等が挙げられ
る。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて用い
てもよい。上記（Ｃ）成分の含有量は、ポリイミド前駆
体１００重量部に対して、１〜３０重量部とすることが
好ましく、３〜１０重量部とすることがより好ましい。

【００３０】本発明の耐熱性感光性樹脂組成物は、必要
に応じて増感剤を含有してもよい。増感剤としては、例
えば７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン、７−ジエチ
ルアミノ−３−テノニルクマリン、３，３’−カルボニ
ルビス（７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）クマリン、３，
３’−カルボニルビス（７−Ｎ，Ｎ−ジメトキシ）クマ
リン、３−チエニルカルボニル−７−Ｎ，Ｎ−ジエチル
アミノクマリン、３−ベンゾイルクマリン、３−ベンゾ
イル−７−Ｎ，Ｎ−メトキシクマリン、３−（４’−メ
トキシベンゾイル）クマリン、３，３’−カルボニルビ
ス−５，７−（ジメトキシ）クマリン、ベンザルアセト
フェノン、４’−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンザルアセ
トフェノン、４’−アセトアミノベンザル−４−メトキ
シアセトフェノン、ジメチルアミノベンゾフェノン、ジ
エチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ビス（Ｎ−エ
チル，Ｎ−メチル）ベンゾフェノン等が挙げられる。こ
れらの含有量は、ポリイミド前駆体１００重量部に対し
て、０．０５〜２０重量部とすることが好ましく、０．
１〜１０重量部とすることがより好ましい。

【００３１】本発明の感光性樹脂組成物は、さらに他の
添加剤、例えば、可塑剤、接着促進剤等の添加剤を含有
してもよい。本発明のパターンの製造法は、本発明の感
光性樹脂組成物を用いて、フォトリソグラフィ技術によ
り該組成物の硬化物からなるポリイミド膜を形成するも
のである。本発明のパターンの製造法では、まず、支持
基板表面に本発明の感光性樹脂組成物を用いた主として
ポリイミド前駆体からなる被膜が形成される。

【００３２】なお、本発明のパターン製造法では、被膜
又は加熱硬化後のポリイミド被膜と支持基板との接着性
を向上させるため、あらかじめ支持基板表面を接着助剤
で処理しておいてもよい。ポリイミド前駆体からなる被
膜は、例えば感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスの
膜を形成した後、これを乾燥させることにより形成され
る。本発明のパターンの製造法は、特に厚膜を形成する
場合に好ましく、例えば乾燥膜厚で１５μｍ以上の形成
に好適であり、さらには２０μｍ以上、特には５０μｍ
以上の膜厚への適用に好適である。

【００３３】ワニスの膜の形成は、ワニスの粘度などに
応じて、スピナを用いた回転塗布、浸漬、噴霧印刷、ス
クリーン印刷などの手段から適宜選択された手段により
行う。なお、被膜の膜厚は塗布条件、本組成物の固形分
濃度等により調節できる。また、あらかじめ支持基板上
に形成した被膜を支持体上から剥離してポリイミド前駆
体組成物からなるシートを上記支持基板の表面に貼り付
けることにより、上述の被膜を形成してもよい。

【００３４】つぎに、この被膜に、所定のパターンのフ
ォトマスクを介して光（紫外線等）を照射した後、有機
溶剤又は塩基性水溶液により未露光部を溶解除去して、
所望のレリーフパターンを得る。

【００３５】前記有機溶剤としては、例えば、アセト
ン、メチルエチルケトン、トルエン、クロロホルム、メ
タノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパ
ノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノ
ール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、キシレン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソ
ブチル、酢酸ヘキシル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エ
チレングリコールモノエチルエーテル、酢酸エチレング
リコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコール
モノ−ｎ−ブチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクト
ン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、シクロヘキサ
ノール、シクロヘキサノン、シクロヘキサンオキシム、
シクロヘキサン、１，４−シクロヘキサンジメタノー
ル、シクロヘキシルアセテート、シクロペンタノール、
シクロペンタノン、シクロペンタノンオキシム、シクロ
ペンタン等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以
上を組み合わせて用いてもよい。

【００３６】前記塩基性水溶液は、通常、塩基性化合物
を水に溶解した溶液である。塩基性化合物の濃度は、支
持基板等への影響などから０．１〜５０重量％とするこ
とが好ましく、０．１〜３０重量％とすることがより好
ましい。なお、ポリイミド前駆体の溶解性を改善するた
め、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロ
パノール、ブタノール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド等の水溶性有機溶剤をさらに含有していてもよ
い。

【００３７】上記塩基性化合物としては、例えば、アル
カリ金属、アルカリ土類金属又はアンモニウムイオンの
水酸化物又は炭酸塩や、アミン化合物などが挙げられ
る。

【００３８】得られたパターンは、通常本発明のポリイ
ミド前駆体の一部がイミド化している。このパターン
を、加熱することにより、安定な高耐熱性ポリイミドパ
ターンを得ることが出来る。このときの加熱温度は１３
０〜５００℃とすることが好ましく、１５０〜４００℃
とすることがより好ましい。この加熱温度が、１３０℃
未満であると、ポリイミド膜の機械特性及び熱特性が低
下する傾向にあり、５００℃を超えると、ポリイミド膜
の機械特性及び熱特性に劣る傾向がある。

【００３９】またこのときの加熱時間は０．０１〜１０
時間とすることが好ましく、０．０５〜５時間とするこ
とがより好ましい。この加熱時間が、０．０１時間未満
であると、ポリイミド膜の機械特性及び熱特性が低下す
る傾向にあり、１０時間を超えると、ポリイミド膜の機
械特性及び熱特性に劣る傾向がある。

【００４０】このように本発明の感光性樹脂組成物は、
半導体装置等の電子部品用の表面保護膜、多層配線板の
層間絶縁膜等に使用することができる。本発明の感光性
樹脂組成物を用いた表面保護膜（バッファーコート膜）
は、ＳｉＮや封止剤等との接着性に優れるため、本発明
の感光性樹脂組成物から得られた層間絶縁膜や表面保護
膜を用いた半導体素子は、極めて信頼性に優れるものと
なる。

【００４１】また本発明の感光性樹脂組成物は、応力緩
和性、接着性等に非常に優れるため、近年開発された各
種構造のパッケージにおける各種の構造材として適して
いる。図１に半導体装置の一例の断面構造を示す。この
断面図は多層配線構造を示している。層間絶縁層１の上
にはＡｌ配線層２が形成され、その上部にはさらに絶縁
層３（例えばＰ−ＳｉＮ層）が形成され、さらに素子の
表面保護膜層４が形成されている。配線層２のパット部
５からは再配線層６が形成され、外部接続端子であるハ
ンダ、金等で形成された導電性ボール７との接続部分で
ある、コア８の上部まで伸びている。さらに表面保護膜
層４の上には、カバーコート層９が形成されている。再
配線層６は、バリアメタル１０を介して導電性ボール７
に接続されているが、この導電性ボール７を保持するた
めに、カラー１１が設けられている。このような構造の
パッケージを実装する際には、さらに応力を緩和するた
めに、アンダーフィル１２を介することもある。この図
において、本発明の感光性樹脂組成物は、層間絶縁層や
表面保護膜層ばかりではなく、その優れた特性故、カバ
ーコート層、コア、カラー、アンダーフィル等の材料と
して非常に適している。本発明の感光性樹脂組成物を用
いた耐熱性感光性樹脂硬化体は、メタル層や封止剤等と
の接着性に優れ、応力緩和効果も高いため、本発明の感
光性樹脂組成物から得られた耐熱性感光性樹脂硬化体を
カバーコート層、コア、カラー、アンダーフィル等に用
いた半導体素子は、極めて信頼性に優れるものとなる。
上記図１のような本発明の半導体装置は、前記組成物を
用いて形成されるカバーコート、再配線用コア、半田等
のボール用カラー、フリップチップ等で用いられるアン
ダーフィル等を有すること以外は特に制限されず、様々
な構造をとることができる。

【００４２】

【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。以下
の合成例にイソイミド化剤としてＮ，Ｎ’−ジヒドロカ
ルビル置換カルボジイミドを用いた方法を示すが、代わ
りにトリフルオロ酢酸無水物を用いてもよい。

【００４３】［合成例１］乾燥窒素導入管を備えた５０
０ｍｌの４つ口フラスコに、４，４’−オキシジフタル
酸二無水物２１．７２ｇ（０．０７０ｍｏｌ）と乾燥し
たＮ−メチルピロリドン１００ｍｌを投入後撹拌し、こ
の溶液に２−ヒドロキシエチルメタクリレート１．３０
ｇ（０．０１０ｍｏｌ）を加えた。溶液を室温で１時間
撹拌し、さらに３５℃に加熱して１時間撹拌後、室温ま
で冷却し、１，４−ビス（４−アミノフェノキシベンゼ
ン）１４．０３ｇ（０．０４８ｍｏｌ）、１，３−ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．
２５ｇ（０．００１ｍｏｌ）及び乾燥Ｎ−メチルピロリ
ドン１００ｍｌを室温で撹拌しながら１時間にわたり滴
下添加し、一晩撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘ
キシルカルボジイミド２６．８２ｇ（０．１３０ｍｏ
ｌ）と乾燥Ｎ−メチルピロリドン１００ｍｌを室温で撹
拌しながら３０分にわたり滴下添加した。さらに２−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート４５．５５ｇ（０．３５
ｍｏｌ）を加え、５０℃で５時間撹拌後、室温まで冷却
し一晩撹拌した。この反応混合物を５０ｍｌのアセトン
で希釈し、吸引ろ過により不要物を除いたろ過液を２．
０Ｌのイオン交換水に激しく撹拌しながらゆっくり添加
し沈殿物を得た。析出した沈殿物をさらにイオン交換水
で洗浄後、メタノールで洗浄し吸引ろ過により、ろ別し
固形物を得た。得られた固形物を室温における水分含有
率が１．０重量％以下になるまで減圧乾燥機で乾燥し、
粉末状の固形物を得た。

【００４４】［合成例２］乾燥窒素５００ｍｌの４つ口
フラスコに、４，４’−オキシジフタル酸二無水物２
１．７２ｇ（０．０７０ｍｏｌ）と乾燥したＮ−メチル
ピロリドン１２０ｍｌを投入後撹拌し、この溶液に２−
ヒドロキシエチルメタクリレート２．３４ｇ（０．０１
８ｍｏｌ）を加えた。溶液を室温で１時間撹拌し、次い
で３５℃で１時間撹拌後、室温まで冷却し１，３−ビス
（３−アミノフェノキシ）ベンゼン１４．０３ｇ（０．
０４８ｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン０．２５ｇ（０．００１ｍｏ
ｌ）及び乾燥したＮ−メチルピロリドン８０ｍｌを室温
で撹拌しながら１時間にわたり滴下添加し、一晩撹拌し
た。その後Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド２
７．９ｇ（０．１３５ｍｏｌ）と乾燥したＮ−メチルピ
ロリドン１００ｍｌを室温で撹拌しながら３０分にわた
り滴下添加した。さらに２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート３９．０４ｇ（０．３０ｍｏｌ）を加え、５０℃
で５時間撹拌後、室温まで冷却し一晩撹拌した。この反
応混合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、吸引ろ過によ
り不要物を除いたろ過液を２．０Ｌのイオン交換水に激
しく撹拌しながらゆっくり添加し沈殿物を得た。析出し
た沈殿物をさらにイオン交換水で洗浄後、メタノールで
洗浄し吸引ろ過によりろ別し固形物を得た。得られた固
形物を室温における水分含有率が１．０重量％以下にな
るまで減圧乾燥し、粉末状の固形物を得た。

【００４５】［合成例３］乾燥窒素導入管を備えた５０
０ｍｌの４つ口フラスコに、４，４’−オキシジフタル
酸二無水物２３．２７ｇ（０．０７５ｍｏｌ）と乾燥し
たＮ−メチルピロリドン１２５ｍｌを投入後撹拌し、こ
の溶液に２−ヒドロキシエチルメタクリレート２．６０
ｇ（０．０２０ｍｏｌ）を加えた。溶液を室温で１時間
撹拌し、次いで３５℃で１時間撹拌後、室温まで冷却し
ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル２０．６３ｇ
（０．０５６ｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン０．２５ｇ（０．００
１ｍｏｌ）及び乾燥したＮ−メチルピロリドン７５ｍｌ
を室温で撹拌しながら１時間にわたり滴下添加し、一晩
撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジ
イミド２８．８９ｇ（０．１４０ｍｏｌ）と乾燥したＮ
−メチルピロリドン１００ｍｌを室温で撹拌しながら３
０分にわたり滴下添加した。さらに２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート４５．５５ｇ（０．３５ｍｏｌ）を加
え、５０℃で５時間撹拌後、室温まで冷却し一晩撹拌し
た。この反応混合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、吸
引ろ過により不要物を除いたろ過液を２．０Ｌのイオン
交換水で洗浄後、メタノールで洗浄し吸引ろ過によりろ
別し固形物を得た。得られた固形物を室温における水分
含有率が１．０重量％以下になるまで減圧乾燥機で乾燥
し、粉末状の固形物を得た。

【００４６】［合成例４］乾燥窒素導入管を備えた５０
０ｍｌの４つ口フラスコに、ピロメリット酸二無水物
８．７２ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、４，４’−オキシジ
フタル酸二無水物１２．４１ｇ（０．０４０ｍｏｌ）及
び乾燥したＮ−メチルピロリドン１４０ｍｌを投入後撹
拌し、この溶液に２−ヒドロキシエチルメタクリレート
３．１２ｇ（０．０２４ｍｏｌ）を加えた。溶液を室温
で１時間撹拌し、次いで３５℃で１時間撹拌後、室温ま
で冷却しビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル２
０．６３ｇ（０．０５６ｍｏｌ）、１，３−ビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．２５ｇ
（０．００１ｍｏｌ）及び乾燥したＮ−メチルピロリド
ン８０ｍｌを室温で撹拌しながら１時間にわたり滴下添
加し、一晩撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシ
ルカルボジイミド２８．８９ｇ（０．１４０ｍｏｌ）と
乾燥したＮ−メチルピロリドン１００ｍｌを室温で撹拌
しながら３０分にわたり滴下添加した。さらに２−ヒド
ロキシメチルメタクリレート４５．５５ｇ（０．３５ｍ
ｏｌ）を加え、５０℃で５時間撹拌後、室温まで冷却し
一晩撹拌した。この反応混合物を５０ｍｌのアセトンで
希釈し、吸引ろ過により不要物を除いたろ過液を２．０
Ｌのイオン交換水で洗浄後、メタノールで洗浄し吸引ろ
過によりろ別し固形物を得た。得られた固形物を室温に
おける水分含有率が１．０重量％以下になるまで減圧乾
燥し、粉末状の固形物を得た。

【００４７】［合成例５］乾燥窒素導入管を備えた５０
０ｍｌの４つ口フラスコに、５，５’−［１，３−フェ
ニレンビス（オキシ）］ビス−１，３−イソベンゾフラ
ンジオン３２．１６ｇ（０．０８０ｍｏｌ）及び乾燥し
たＮ−メチルピロリドン１５０ｍｌを投入後撹拌し、こ
の溶液に２−ヒドロキシエチルメタクリレート３．１２
ｇ（０．０２４ｍｏｌ）を加えた。溶液を室温で１時間
撹拌し、次いで３５℃で１時間撹拌後、室温まで冷却し
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１１．２０ｇ
（０．０５６ｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン０．２５ｇ（０．００
１ｍｏｌ）及び乾燥したＮ−メチルピロリドン８０ｍｌ
を室温で撹拌しながら１時間にわたり滴下添加し、一晩
撹拌した。その後、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジ
イミド２８．８９ｇ（０．１４ｍｏｌ）と乾燥したＮ−
メチルピロリドン１００ｍｌを室温で撹拌しながら３０
分にわたり滴下添加した。さらに２−ヒドロキシエチル
メタクリレート４５．５５ｇ（０．３５ｍｏｌ）を加
え、５０℃で５時間撹拌後、室温まで冷却し一晩撹拌し
た。この反応混合物を５０ｍｌのアセトンで希釈し、吸
引ろ過により不要物を除いたろ過液を２．０Ｌのイオン
交換水で洗浄後、メタノールで洗浄し吸引ろ過によりろ
別し固形物を得た。得られた固形物を室温における水分
含有率が１．０重量％以下になるまで減圧乾燥を行い、
粉末状の固形物を得た。なおいずれの合成例で得られた
ポリイミド前駆体も、カルボキシル基のエステル化の割
合（エステル化率）は約７０モル％であった。

【００４８】［実施例１］撹拌羽根、温度計及び窒素導
入管を備えた１００ｍｌの４つ口フラスコに合成例１で
得られた感光性ポリマの粉末３５．０ｇとＮ−メチルピ
ロリドン３８．０ｇとｐ−メトキシフェノール０．１ｇ
を撹拌溶解させた後、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェ
ニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダ
ゾール２．０ｇ、２−メルカプトベンゾキサゾール１．
０ｇとエチルミヒラーズケトン０．２ｇの感光剤と付加
重合性化合物としてテトラエチレングリコールジアクリ
レート７．０ｇを加えて室温で一晩撹拌溶解後、フィル
タろ過し感光性樹脂組成物溶液を得た。この溶液をシリ
コンウエハー上にスピンコートした後に乾燥して７０μ
ｍの塗膜を形成した後、パターンマスクを介して全波長
露光機ＰＬＡ−６００ＦＡ（キャノン（株）製）で露光
し、Ｎ−メチルピロリドンとメタノールとの混合溶液を
用いて現像してエタノールでリンスを行ったところ、露
光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で剥離の無い良好なレリーフパ
ターンが得られた。この露光量における現像後の残膜率
は９８％であった。また、熱硬化してポリイミド化した
後の塗膜収縮率は３４％であった。

【００４９】［実施例２］合成例２で得られた感光性ポ
リマの粉末を用いること以外は実施例１と同様な方法で
処理したところ、露光量２５０ｍＪ／ｃｍ^２で剥離の無
い良好なレリーフパターンが得られた。この露光量にお
ける現像後の残膜率は９７％であった。また、熱硬化し
てポリイミド化した後の塗膜収縮率は３５％であった。

【００５０】［実施例３］合成例３で得られた感光性ポ
リマの粉末を用いること以外は実施例１と同様な方法で
処理したところ、露光量２３０ｍＪ／ｃｍ^２で剥離の無
い良好なレリーフパターンが得られた。この露光量にお
ける現像後の残膜率は９８％であった。また、熱硬化後
の塗膜収縮率は３３％であった。

【００５１】［実施例４］合成例４で得られた感光性ポ
リマの粉末を用いること以外は実施例１と同様な方法で
処理したところ、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で剥離の無
い良好なレリーフパターンが得られた。この露光量にお
ける現像後の残膜率は９９％であった。また、熱硬化し
てポリイミド化した後の塗膜収縮率は３４％であった。

【００５２】［実施例５］合成例５で得られた感光性ポ
リマの粉末を用いること以外は実施例１と同様な方法で
処理したところ、露光量２３０ｍＪ／ｃｍ^２で剥離の無
い良好なレリーフパターンが得られた。この露光量にお
ける現像後の残膜率は９８％であった。また、熱硬化し
てポリイミド化した後の塗膜収縮率は３４％であった。

【００５３】［実施例６］実施例１で用いた溶液をシリ
コンウエハー上にスピンコートした後に乾燥して２０μ
ｍの塗膜を形成した後、全波長露光機ＰＬＡ−６００Ｆ
Ａ（キャノン（株）製）で２００ｍＪ／ｃｍ^２露光し
た。これを３５０℃で１時間オーブンベークして、ポリ
イミド膜を形成した。この膜をシリコンウエハーから剥
がし、硬化膜特性を評価したところ、以下のように良好
な値を示した。引張強度：１５２Ｍｐａ、伸び率：１３
７％、５％重量減少温度：４１３℃。

【００５４】［比較例１］合成例２で用いた１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシベンゼン）の代わりにｐ−フ
ェニレンジアミン５．１８ｇ（０．０４８ｍｏｌ）を用
いた以外は合成例１と同様にして得られた感光性ポリマ
の粉末を用いて実施例２と同様に処理したところ、現像
後にレリーフパターンは得られたものの、熱硬化してポ
リイミド化した後の塗布収縮率が５５％であった。

【００５５】［比較例２］合成例２で用いた１，３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンの代わりに２，５
−ジアミノ安息香酸７．３０ｇ（０．０４８ｍｏｌ）を
用いた以外は合成例２と同様にして得られた感光性ポリ
マの粉末を用いて実施例２と同様に処理したところ、現
像後に良好なレリーフパターンが得られなかった。

【００５６】［比較例３］実施例１で用いた付加重合性
化合物のテトラエチレングリコールジアクリレートを用
いずに実施例１と同様に処理を行ったところ、低感度と
なり現像後にパターンの膨潤を生じ良好なレリーフパタ
ーンは得られなかった。

【００５７】［実施例７］撹拌羽根、温度計及び窒素導
入管を備えた１００ｍｌの４つ口フラスコに合成例２で
得られた感光性ポリマの粉末３５．０ｇとＮ−メチルピ
ロリドン３８．０ｇとｐ−メトキシフェノール０．１ｇ
を撹拌溶解させた後、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェ
ニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダ
ゾール２．０ｇ、２−メルカプトベンゾキサゾール１．
０ｇとエチルミヒラーズケトン０．２ｇの感光剤と付加
重合性化合物としてテトラエチレングリコールジアクリ
レート７．０ｇを加えて室温で一晩撹拌溶解後フィルタ
ろ過し感光性樹脂組成物溶液を得た。この溶液をシリコ
ンウエハー上にスピンコートした後に乾燥して２０μｍ
の塗膜を形成した後、パターンマスクを介して全波長露
光機ＰＬＡ−６００ＦＡ（キャノン（株）製）で露光
し、Ｎ−メチルピロリドンとメタノールとの混合溶液を
用いて現像してエタノールでリンスを行ったところ、露
光量１００ｍＪ／ｃｍ^２で剥離の無い良好なレリーフパ
ターンが得られた。

【００５８】［実施例８］合成例１で得られた感光性ポ
リマの粉末を用いること以外は実施例１と同様な方法で
処理したところ、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２で剥離の無
い良好なレリーフパターンが得られた。

【００５９】［実施例９］実施例１で用いた溶液を再配
線層が形成された基板上スピンコートした後に乾燥して
２０μｍの塗膜を形成した後、全波長露光機ＰＬＡ−６
００ＦＡ（キャノン（株）製）で１００ｍＪ／ｃｍ^２で
露光し、Ｎ−メチルピロリドンとメタノールとの混合溶
液を用いて現像してエタノールでリンスを行い、２００
ｕｍ角のビアホールを形成した。これを３５０℃で１時
間オーブンベークして、カバーコートポリイミド膜を形
成した。ホール部にアンダーバンピングメタルを形成
後、半田ボールをバンピングし、図２のようなテスト部
品を作製した。さらに、テスト部品を実装および封止
し、テストサンプルとした。テストサンプルを温度サイ
クル試験（−５５〜１２５℃、１０００サイクル）した
ところ、クラック、剥がれ等の不良は観察されなかっ
た。

【００６０】［比較例４］合成例２で用いた１，３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンの代わりにｐ−フ
ェニレンジアミン５．１８ｇ（０．０４８ｍｏｌ）を用
いた以外は合成例２と同様にして得られた感光性ポリマ
の粉末を用いて実施例７と同様に配合して得られた感光
性樹脂組成物溶液を実施例９と同様に処理したところ、
ソルダークラックおよびアンダーバンピングメタルとの
界面で剥がれが観察された。

【００６１】

【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、厚膜形成
可能で、感光特性に優れ、高感度で低露光量でも良好な
形状のパターンが得られ、現像後の残膜率も高く、硬化
膜特性にも優れ、熱硬化後の収縮率が小さいものであ
る。また本発明の感光性樹脂組成物は、応力緩和に優
れ、メタル層やモールド材との接着性が高いため、各種
パッケージ用として優れるものである。本発明のパター
ン製造法は、厚膜形成可能で、感光特性に優れ、高感度
で、低露光量でも良好なパターンが得られ、現像後の残
膜率も高く、硬化膜特性にも優れる硬化膜が得られ、熱
硬化時の収縮率も最低限に抑制でき、さらに製造工程の
短縮が可能であり、製造コストが削減できるものであ
る。従って、本発明の電子部品は、クラックやはがれ等
がなく信頼性に非常に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の半導体装置の一例の断面構造の概要
を示す断面図である。

【図２】 本発明の実施例９で作成した半導体装置の断
面構造の概要を示す断面図である。

【符号の説明】

１・・・層間絶縁層、２・・・Ａｌ配線層、３・・・絶縁層、４・
・・表面保護膜層、５・・・配線層のパット部、６・・・再配線
層、７・・・導電性ボール、８・・・コア、９・・・カバーコー
ト層、１０・・・バリアメタル、１１・・・カラー、１２・・・
アンダーフィル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ ５７５ (72)発明者 元部 丈晴 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成デュポンマイクロシステムズ株式会社山 崎開発センタ内 (72)発明者 渡辺 直己 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成デュポンマイクロシステムズ株式会社山 崎開発センタ内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA10 AA14 AB16 AB17 AC01 AD01 BC14 BC42 BC69 CA01 CA27 CA28 FA03 FA15 4J027 AD04 BA13 BA19 BA20 BA23 BA24 BA26 BA27 BA28 CB10 CC05 CD06 4J043 PA02 PA19 PC085 QB15 QB26 RA06 RA35 SA06 SB01 TA22 TB01 UA122 UA132 UA141 UA151 UA171 UA221 UA222 UA231 UA262 UA332 UA362 UA712 UB011 UB021 UB061 UB122 UB131 UB152 UB301 UB351 UB402 VA051 VA081 ZA60 ZB22 5F046 NA19 5F058 AA02 AA08 AC02 AC07 AF04 AG01 AG09 AH02 AH03

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｘは四価の芳香環を含む基、Ｙは二価の芳香環
   を含む基、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立に水素原子又は一価
   の有機基を示し、Ｘ及びＹの少なくとも一方が芳香環を
   ３個以上有する）で示される繰り返し単位を有するポリ
   イミド前駆体、（Ｂ）常圧において１００℃以上の沸点
   を有する付加重合性化合物及び、（Ｃ）光開始剤を含有
   してなる感光性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 ポリイミド前駆体が一般式（Ｉ）におい
   て、Ｘ及びＹの少なくとも一方が、両隣の芳香環との間
   を介する結合が１，３位である芳香環を少なくとも１つ
   有するものである請求項１記載の感光性樹脂組成物。
3. 【請求項３】 ポリイミド前駆体が、Ｒ^１及びＲ^２とし
   て、（メタ）アクリロキシアルキルオキシ基を有するポ
   リアミド酸不飽和エステルであって、エステル化率が６
   ０〜８０モル％のものであり、かつ、ジアミンとしてジ
   アミノポリシロキサンを全ジアミンの１〜３０モル％用
   いて得られたものである請求項１又は２記載の感光性樹
   脂組成物。
4. 【請求項４】 半導体素子の配線層の上に表面保護膜層
   が形成され、その上にカバーコート層が形成された構造
   を有する半導体装置における、前記カバーコート層用で
   ある請求項１，２又は３記載の感光性樹脂組成物。
5. 【請求項５】 半導体素子の配線層の上に表面保護膜層
   が形成され、その上に形成される再配線用のコアが形成
   された構造を有する半導体装置における、前記コア材用
   である請求項１，２又は３記載の感光性樹脂組成物。
6. 【請求項６】 半導体素子の配線層の上に表面保護膜層
   が形成され、その上に再配線層及びカバーコート層が形
   成され、さらにその再配線層の上に外部接続端子として
   形成される導電性のボールを保持する構造を有する半導
   体装置における、前記ボールを保持するためのカラー材
   用である請求項１，２又は３記載の感光性樹脂組成物。
7. 【請求項７】 半導体装置のアンダーフィル材用である
   請求項１，２又は３記載の感光性樹脂組成物。
8. 【請求項８】 支持基板上に、請求項１〜７のいずれか
   に記載の感光性樹脂組成物を塗布してポリイミド前駆体
   膜を形成する工程、前記のポリイミド前駆体膜に、所定
   のパターンのフォトマスクを介して活性光線を照射し露
   光した後、有機溶剤又は塩基性水溶液により未露光部を
   溶解除去して、所望のレリーフパターンを得る工程を含
   むことを特徴とするパターンの製造法。
9. 【請求項９】 請求項８記載の製造法により得られるパ
   ターンをイミド化して得られるポリイミド膜を表面保護
   膜又は層間絶縁膜として有してなる電子部品。
10. 【請求項１０】 請求項８記載の製造法により得られる
    パターンをイミド化して得られるポリイミド膜をカバー
    コート層として有してなる電子部品。
11. 【請求項１１】 請求項８記載の製造法により得られる
    パターンをイミド化して得られるポリイミド膜を再配線
    層用のコアとして有してなる電子部品。
12. 【請求項１２】 請求項８記載の製造法により得られる
    パターンをイミド化して得られるポリイミド膜を、外部
    接続端子として形成される導電性のボールを保持するた
    めのカラーとして有してなる電子部品。
13. 【請求項１３】 請求項８記載の製造法により得られる
    パターンをイミド化して得られるポリイミド膜を、アン
    ダーフィルとして有してなる電子部品。