JP2003241177A - Manufacturing method for electrode substrate of color liquid crystal display device - Google Patents
Manufacturing method for electrode substrate of color liquid crystal display deviceInfo
- Publication number
- JP2003241177A JP2003241177A JP2002037292A JP2002037292A JP2003241177A JP 2003241177 A JP2003241177 A JP 2003241177A JP 2002037292 A JP2002037292 A JP 2002037292A JP 2002037292 A JP2002037292 A JP 2002037292A JP 2003241177 A JP2003241177 A JP 2003241177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- liquid crystal
- electrode substrate
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims description 51
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 abstract 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 23
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 14
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- -1 polysiloxanes Polymers 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001935 peptisation Methods 0.000 description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- KVENDAGPVNAYLY-UHFFFAOYSA-N tribromo(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Br)(Br)Br KVENDAGPVNAYLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- BVNZLSHMOBSFKP-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxysilane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH3] BVNZLSHMOBSFKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBNRBJNIYVXSQV-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCS MBNRBJNIYVXSQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKQXZSHRPUFBSW-UHFFFAOYSA-N 3-[tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silyl]propan-1-amine Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)CCCN XKQXZSHRPUFBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WALYBSCHCQWCPC-UHFFFAOYSA-N 3-[tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C WALYBSCHCQWCPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXKAXHPVFLEQHV-UHFFFAOYSA-N 3-tri(propan-2-yloxy)silylpropan-1-amine Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)CCCN OXKAXHPVFLEQHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJUFQURUUZMUOG-UHFFFAOYSA-N 3-tri(propan-2-yloxy)silylpropane-1-thiol Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)CCCS CJUFQURUUZMUOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHPNMYQJQQGAJS-UHFFFAOYSA-N 3-tri(propan-2-yloxy)silylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)CCCOC(=O)C(C)=C CHPNMYQJQQGAJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100036738 Guanine nucleotide-binding protein subunit alpha-11 Human genes 0.000 description 1
- 101100283445 Homo sapiens GNA11 gene Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100422634 Postia placenta (strain ATCC 44394 / Madison 698-R) STS-02 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 101001094026 Synechocystis sp. (strain PCC 6803 / Kazusa) Phasin PhaP Proteins 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWMGVIKSCFGFDR-UHFFFAOYSA-N benzyl(dibromo)silane Chemical compound Br[SiH](Br)CC1=CC=CC=C1 UWMGVIKSCFGFDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N decyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LILGYOCNANBWTO-UHFFFAOYSA-N decyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C LILGYOCNANBWTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGUMJWWZSTXCAM-UHFFFAOYSA-N decyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C AGUMJWWZSTXCAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIQOCGKQCFXKLF-UHFFFAOYSA-N dibromo(dimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(Br)Br LIQOCGKQCFXKLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBUGVTOEUNNUHR-UHFFFAOYSA-N dibromo(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Br)(Br)C1=CC=CC=C1 DBUGVTOEUNNUHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGWJKDPTLUDSJT-UHFFFAOYSA-N diethyl dimethyl silicate Chemical compound CCO[Si](OC)(OC)OCC VGWJKDPTLUDSJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C=C MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQRPSOKLSZSNAR-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C=C BQRPSOKLSZSNAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N ethyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](CC)(OC(C)C)OC(C)C MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVQNVYMTWXEMSF-UHFFFAOYSA-N ethyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](CC)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C ZVQNVYMTWXEMSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPTKSEHTOJHGOV-UHFFFAOYSA-N hexyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C DPTKSEHTOJHGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QECCXOBPOBIUMS-UHFFFAOYSA-N hexyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C QECCXOBPOBIUMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010534 mechanism of action Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N methanol;titanium Chemical compound [Ti].OC.OC.OC.OC ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N methyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(OC(C)C)OC(C)C HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHQDZKRRVNGIQL-UHFFFAOYSA-N methyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C AHQDZKRRVNGIQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- IHVVJLCVJNNCDK-UHFFFAOYSA-N octadecyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C IHVVJLCVJNNCDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- VPLNCHFJAOKWBT-UHFFFAOYSA-N phenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1 VPLNCHFJAOKWBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)-propylsilane Chemical compound CCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYZDWEPTQWHDLZ-UHFFFAOYSA-N tribromo(decyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](Br)(Br)Br LYZDWEPTQWHDLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZAROSBWJASVBU-UHFFFAOYSA-N tribromo(ethenyl)silane Chemical compound Br[Si](Br)(Br)C=C BZAROSBWJASVBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRUFDMFAHKOFOT-UHFFFAOYSA-N tribromo(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](Br)(Br)Br VRUFDMFAHKOFOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBSUPJLTDMARAI-UHFFFAOYSA-N tribromo(methyl)silane Chemical compound C[Si](Br)(Br)Br KBSUPJLTDMARAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCEOWKUMFSNHFM-UHFFFAOYSA-N tribromo(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Br)(Br)Br RCEOWKUMFSNHFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPTIEXHGTPSFDC-UHFFFAOYSA-N tribromo(phenyl)silane Chemical compound Br[Si](Br)(Br)C1=CC=CC=C1 HPTIEXHGTPSFDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWRKNKVDHIEKHS-UHFFFAOYSA-N tribromo(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](Br)(Br)Br RWRKNKVDHIEKHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N trichloro(decyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N trichloro(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N trichloro(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](Cl)(Cl)Cl DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUSDGIZCXCUHAI-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)CCCOCC1CO1 WUSDGIZCXCUHAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXKYGZRLZACSIK-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-octadecylsilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C RXKYGZRLZACSIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGOOITCIBGXHJO-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-phenylsilane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 KGOOITCIBGXHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIZPPYBTFPZSGK-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-propylsilane Chemical compound CCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C DIZPPYBTFPZSGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、カラー液晶表示装
置における電極基板の製造方法と電極基板に関し、特
に、カラー液晶表示装置における電極基板へのカラーフ
ィルタ層の形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device and an electrode substrate, and more particularly to a method of forming a color filter layer on the electrode substrate in a color liquid crystal display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、LCD(Liquid Crys
tal display)の使用が益々盛んになる中、
視認性が良く、カラー表示、動画表示に向いていること
より、TFT(Thin Film Transist
or)をアクティブ素子として各画素単位に配置し、こ
れにより、各画素領域の液晶に独立に電圧を加え画素に
明暗をつけ、画像や文字情報を表示するアクティブマト
リックス方式とよばれる駆動方式が多々使用されてい
る。このようなTFTを用いたアクティブマトリックス
方式をTFT駆動方式とも言う。TFTはガラスのよう
な絶縁性基板の上に堆積した半導体薄膜に作り込まれた
トランジスタで、表示パネルを構成するには画素数に対
応した数10万個〜100万個のTFTが配置されたT
FTマトリックスが必要になり、カラー表示の場合、各
画素は赤、緑、青の3つのカラー画素で構成されるた
め、さらに3倍のTFTが必要となる。TFTマトリッ
クスはこのように超LSIの一種であり、TFTを用い
たアクティブマトリックス方式の液晶表示パネルは、微
細化指向の超LSI技術と大面積化指向の表示技術が融
合した新しい技術と言える。2. Description of the Related Art In recent years, LCDs (Liquid Cryes)
Tal display) is becoming more and more popular,
Since it has good visibility and is suitable for color display and moving image display, it is suitable for TFT (Thin Film Transistor).
or) is arranged in each pixel unit as an active element, whereby a voltage is independently applied to the liquid crystal in each pixel area to make the pixel bright and dark, and there are many driving methods called an active matrix method for displaying an image or character information. It is used. An active matrix system using such a TFT is also called a TFT drive system. A TFT is a transistor formed in a semiconductor thin film deposited on an insulating substrate such as glass. To form a display panel, several hundred thousand to one million TFTs corresponding to the number of pixels are arranged. T
An FT matrix is required, and in the case of color display, each pixel is composed of three color pixels of red, green, and blue, and therefore, a triple TFT is required. The TFT matrix is thus a kind of VLSI, and it can be said that the active matrix type liquid crystal display panel using TFT is a new technology in which the miniaturization-oriented VLSI technology and the large-area-oriented display technology are integrated.
【0003】図5は従来例1としてのアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を説明する図であり、(a)はその
概略図であり、(b)はその画素部の断面図である。従
来の液晶表示装置では、画素駆動用のTFTを有するT
FT基板501と、カラーフィルター(以下、CFと称す
る)を有するCF基板502と、それらに挟まれた液晶503
から構成される。TFT基板501は、TFTガラス基板5
04上に、信号を書き込む画素を選択する走査線505と、
書き込む信号を持つ信号線506と、それらの交点に画素
を駆動するTFT507と、TFT507に接続された画素電
極508を有する。また、表示面のCF基板502は、CFガ
ラス基板513上に各画素に対応するR,G,Bを3原色
とするそれぞれのカラーフィルター509と、TFTおよ
び光漏れ領域を遮光するTFT507上に配置するブラッ
クマトリクス(BM)510と、対向電極512からなる。5A and 5B are views for explaining an active matrix type liquid crystal display device as a conventional example 1, FIG. 5A is a schematic view thereof, and FIG. 5B is a sectional view of a pixel portion thereof. In a conventional liquid crystal display device, a T having a pixel driving TFT is used.
An FT substrate 501, a CF substrate 502 having a color filter (hereinafter referred to as CF), and a liquid crystal 503 sandwiched between them.
Composed of. The TFT substrate 501 is the TFT glass substrate 5
On 04, a scanning line 505 for selecting a pixel to write a signal,
A signal line 506 having a writing signal, a TFT 507 for driving a pixel at an intersection of the signal line 506, and a pixel electrode 508 connected to the TFT 507 are provided. Further, the CF substrate 502 on the display surface is arranged on the CF glass substrate 513, on each color filter 509 corresponding to each pixel having three primary colors of R, G, and B, and on the TFT and the TFT 507 which shields the light leakage region. A black matrix (BM) 510 and a counter electrode 512.
【0004】TFT基板501とCF基板502で挟まれた液
晶503は、画素電極508と、対向電極512間の電界方向に
並ぶ特性を有し、その特性を利用して画素電極508と対
向電極512間の電圧により、階調表示を行う。これらの
従来の液晶表示装置に対して、TFT基板側にカラーフ
ィルターを設けるオンチップカラーフィルター構造が、
特開平8−122824号公報、特開平9−29263
3号公報に開示されている。このオンチップカラーフィ
ルター構造は、カラーフィルターが個々の画素電極と重
なっているため、両者の間に視差が生ぜず、画素部の開
口率を大きくとれる。また、画素電極とカラーフィルタ
ーのアライメント誤差が殆どなくなるので、画素部が微
細化しても、高開口率を維持できるという効果がある。The liquid crystal 503 sandwiched between the TFT substrate 501 and the CF substrate 502 has a characteristic that it is arranged in the electric field direction between the pixel electrode 508 and the counter electrode 512, and by utilizing this characteristic, the pixel electrode 508 and the counter electrode 512. Gradation display is performed by the voltage between them. In contrast to these conventional liquid crystal display devices, the on-chip color filter structure in which a color filter is provided on the TFT substrate side is
JP-A-8-122824, JP-A-9-29263
It is disclosed in Japanese Patent No. In this on-chip color filter structure, since the color filter overlaps with each pixel electrode, no parallax occurs between the two and the aperture ratio of the pixel portion can be increased. Further, since there is almost no alignment error between the pixel electrode and the color filter, there is an effect that a high aperture ratio can be maintained even if the pixel portion is miniaturized.
【0005】図6はオンチップカラーフィルターの一例
であり、構造の単位画素部を示しており、(a)はその
断面図であり、(b)はその平面図であり、(c)はC
F・BM部分を除いた平面図である。TFT基板601
は、TFTガラス基板604上に、信号を書き込む画素を
選択する走査線605と、書き込む信号をもつ信号線606
と、それらの交点に画素を駆動するTFT607を有す
る。このうち、TFT607はTFTガラス基板604上に設
けられたゲート電極620と、ゲート電極620を覆うように
して設けられたゲート絶縁膜621と、ゲート絶縁膜621上
に形成された半導体層622とソース電極623およびドレイ
ン電極624と、それらのすべてを覆うようにして設けら
れたパッシベーション膜625を備えている。FIG. 6 shows an example of an on-chip color filter, showing a unit pixel portion having a structure, (a) is a sectional view thereof, (b) is a plan view thereof, and (c) is a C diagram.
It is a top view except the F / BM portion. TFT substrate 601
Is a scanning line 605 for selecting a pixel to which a signal is to be written and a signal line 606 having a signal to be written on the TFT glass substrate 604.
And a TFT 607 which drives a pixel at the intersection thereof. Of these, the TFT 607 includes a gate electrode 620 provided on the TFT glass substrate 604, a gate insulating film 621 provided so as to cover the gate electrode 620, a semiconductor layer 622 formed on the gate insulating film 621, and a source. An electrode 623 and a drain electrode 624, and a passivation film 625 provided so as to cover all of them.
【0006】また、走査線605はゲート電極620に対し
て、信号線606はソース電極623に対してそれぞれ接続さ
れている。パッシベーション膜625上にはカラーフィル
ター609、ブラックマトリクス610が設けられ、さらにそ
れらを保護するオーバーコート膜611が形成されてい
る。オーバーコート膜611上に画素電極608が設けられ、
コンタクトホール626を介してTFTのソース電極624と
接続されている。画素電極608は信号線606および走査線
605とオーバーラップすることにより、画素電極608のま
わりの光漏れを防いでいる。また、オーバーコート膜61
1および画素電極608上には、液晶分子630を液晶の動作
モードに適した配列や傾き(プレチルト)を制御するた
めの配向膜(図示せず)が設けられており、TFTガラ
ス基板604から配向膜までの構成要素によって、TFT
基板601を形成している。対向基板602は、対向ガラス基
板613上に、対向電極612と、配向膜(図示せず)が設け
られており、対向ガラス基板613から配向膜までの構成
要素によって、対向基板602を形成している。The scanning line 605 is connected to the gate electrode 620 and the signal line 606 is connected to the source electrode 623. A color filter 609 and a black matrix 610 are provided on the passivation film 625, and an overcoat film 611 that protects them is further formed. A pixel electrode 608 is provided on the overcoat film 611,
It is connected to the source electrode 624 of the TFT through the contact hole 626. The pixel electrode 608 is a signal line 606 and a scanning line
By overlapping with 605, light leakage around the pixel electrode 608 is prevented. In addition, the overcoat film 61
An alignment film (not shown) for controlling the alignment and tilt (pretilt) of the liquid crystal molecules 630 suitable for the liquid crystal operation mode is provided on the 1 and pixel electrodes 608, and the alignment is performed from the TFT glass substrate 604. Depending on the components up to the film, TFT
A substrate 601 is formed. The counter substrate 602 is provided with a counter electrode 612 and an alignment film (not shown) on a counter glass substrate 613, and the counter substrate 602 is formed by the components from the counter glass substrate 613 to the alignment film. There is.
【0007】さらに、このTFT基板601と、対向基板6
02とそれらに挟まれた液晶層603により1つの液晶素子
を形成している。着色層の形成方法としては、染色法、
顔料分散法、印刷法等が知られている。染色法は、感光
性のあるレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術に
よりパターニングした後、染色を行うものであり、顔料
分散法は、顔料が分散された感光性レジストを塗布し、
フォトリソグラフィ技術によりパターニングするもので
ある。印刷法では顔料を含むインクを凹版法凸版法ある
いはシルクスクリーン法等により印刷するものである。
しかし、染色法、顔料分散法を用いるものでは、1から
3回のフォトリソグラフィプロセスが必要であり、歩留
りやコストの面で問題があった。印刷法を用いた場合、
フォトリソグラフィプロセスがなくなるものの、高精度
パターンが得にくくまた表面の平坦性が損なわれるとい
う問題があった。Further, the TFT substrate 601 and the counter substrate 6
02 and the liquid crystal layer 603 sandwiched therebetween form one liquid crystal element. As a method for forming the colored layer, a dyeing method,
A pigment dispersion method, a printing method and the like are known. The dyeing method is a method in which a photosensitive resist is applied, patterning is performed by photolithography, and then dyeing is performed.The pigment dispersion method is a method in which a photosensitive resist in which a pigment is dispersed is applied,
It is patterned by photolithography technology. In the printing method, an ink containing a pigment is printed by an intaglio method, a letterpress method or a silk screen method.
However, the method using the dyeing method or the pigment dispersion method requires a photolithography process 1 to 3 times, which is problematic in terms of yield and cost. When using the printing method,
Although the photolithography process is eliminated, there are problems that it is difficult to obtain a highly accurate pattern and the flatness of the surface is impaired.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況のもと、TFT基板側に、直接着色層を設けたカラ
ー液晶表示装置用の電極基板を、簡単に、且つ品質的に
も問題なく作製できる方法を提供しようとするものであ
る。Under the circumstances, the present invention provides an electrode substrate for a color liquid crystal display device in which a colored layer is directly provided on the TFT substrate side, easily and in terms of quality. It is intended to provide a method that can be produced without any problem.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明のカラー液晶表示
装置における電極基板の製造方法は、透明なベース基板
の一面に画素表示用の透明な共通表示電極が形成されて
いる第1の電極基板と、透明なベース基板の一面に半導
体薄膜によるアクティブ素子を各画素毎に設けてマトリ
ックス状に配置し、且つ各画素毎にアクティブ素子にて
電圧印加できる透明な画素表示電極を設けた第2の電極
基板とを有し、第1の電極基板と第2の電極基板とを、
共通表示電極および画素表示電極が液晶側に向くように
して、液晶を介して対向して配置し、画素表示電極と共
通電極間の液晶をスイッチング素子として利用して、ア
クティブ素子により、第1の電極基板の共通表示電極と
第2の電極基板の画素表示電極間とに選択的に電圧印加
して、画素毎に透過光を制御しているアクティブマトリ
ックス方式のカラー液晶表示装置で、且つ、第2の電極
基板に、カラー表示とするための着色層を一体的に設け
ているカラー液晶表示装置における電極基板の製造方法
であって、電極基板への着色層の形成が、(a)少なく
とも着色層を設ける領域を含むように、着色層を形成す
るための材料(着色インキとも言う)に対して濡れ性の
低い濡れ性変化層を設ける濡れ性変化層形成工程と、
(b)濡れ性変化層の着色層形成領域に対応した領域部
分を、選択露光して、露光された領域のみ、着色層を形
成するための材料に対して濡れ性を高くする選択露光工
程と、(c)濡れ性を高くした領域に着色層を形成する
工程とを有することを特徴とするものである。A method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device according to the present invention is a first electrode substrate in which a transparent common display electrode for pixel display is formed on one surface of a transparent base substrate. And a second element in which an active element made of a semiconductor thin film is provided for each pixel in a matrix on one surface of a transparent base substrate, and a transparent pixel display electrode capable of applying a voltage to the active element is provided for each pixel. An electrode substrate, and a first electrode substrate and a second electrode substrate,
The common display electrode and the pixel display electrode are arranged so as to face the liquid crystal so as to face each other with the liquid crystal interposed therebetween, and the liquid crystal between the pixel display electrode and the common electrode is used as a switching element. An active matrix color liquid crystal display device in which a voltage is selectively applied between a common display electrode of an electrode substrate and a pixel display electrode of a second electrode substrate to control transmitted light for each pixel. A method of manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device, wherein a colored layer for color display is integrally provided on the electrode substrate of No. 2, wherein the formation of the colored layer on the electrode substrate is (a) at least coloring. A wettability changing layer forming step of providing a wettability changing layer having low wettability with respect to a material for forming a colored layer (also referred to as a coloring ink) so as to include a region where a layer is provided;
(B) a selective exposure step of selectively exposing a region portion of the wettability changing layer corresponding to the colored layer forming region to increase the wettability of the material for forming the colored layer only in the exposed region. And (c) forming a colored layer in a region having high wettability.
【0010】そしてまた、本発明のカラー液晶表示装置
における電極基板の製造方法は、透明なベース基板の一
面に画素表示用の透明な共通表示電極が形成されている
第1の電極基板と、透明なベース基板の一面に半導体薄
膜によるアクティブ素子を各画素毎に設けてマトリック
ス状に配置し、且つ各画素毎にアクティブ素子にて電圧
印加できる透明な画素表示電極を設けた第2の電極基板
とを有し、第1の電極基板と第2の電極基板とを、共通
表示電極および画素表示電極が液晶側に向くようにし
て、液晶を介して対向して配置し、画素表示電極と共通
電極間の液晶をスイッチング素子として利用して、アク
ティブ素子により、第1の電極基板の共通表示電極と第
2の電極基板の画素表示電極間とに選択的に電圧印加し
て、画素毎に透過光を制御しているアクティブマトリッ
クス方式のカラー液晶表示装置で、且つ、第2の電極基
板に、カラー表示とするための遮光層を一体的に設けて
いるカラー液晶表示装置における電極基板の製造方法で
あって、電極基板への遮光層の形成が、(a)少なくと
も遮光層を設ける領域を含むように、遮光層を形成する
ための材料(遮光インキ)に対して濡れ性の低い濡れ性
変化層を設ける濡れ性変化層形成工程と、(b)濡れ性
変化層の遮光層形成領域に対応した領域部分を、選択露
光して、露光された領域のみ、遮光層を形成するための
材料に対して濡れ性を高くする選択露光工程と、(c)
濡れ性を高くした領域に遮光層を形成する工程とを有す
ることを特徴とするカラー液晶表示装置における電極基
板の製造方法。Further, the method of manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device of the present invention comprises: a first electrode substrate having a transparent common display electrode for pixel display formed on one surface of a transparent base substrate; A second electrode substrate in which active elements made of a semiconductor thin film are provided for each pixel on one surface of a base substrate and arranged in a matrix, and transparent pixel display electrodes to which a voltage can be applied by the active element are provided for each pixel; And the first electrode substrate and the second electrode substrate are arranged so as to face each other with the common display electrode and the pixel display electrode facing the liquid crystal side, and the pixel display electrode and the common electrode are disposed. The liquid crystal in between is used as a switching element to selectively apply a voltage between the common display electrode of the first electrode substrate and the pixel display electrode of the second electrode substrate by the active element to transmit the transmitted light for each pixel. A method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device, which is a controlled active matrix type color liquid crystal display device and in which a light shielding layer for color display is integrally provided on the second electrode substrate. Then, the formation of the light-shielding layer on the electrode substrate includes (a) a wettability changing layer having low wettability with respect to a material (light-shielding ink) for forming the light-shielding layer so as to include at least a region where the light-shielding layer is provided. A wettability changing layer forming step to be provided, and (b) a region portion corresponding to the light shielding layer forming region of the wettability changing layer is selectively exposed to a material for forming the light shielding layer only in the exposed region. A selective exposure step for enhancing wettability, (c)
And a step of forming a light shielding layer in a region having high wettability, the method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device.
【0011】また、上記において、着色層及び/または
遮光層を形成する工程後に着色層及び/または遮光層形
成部位以外の濡れ性変化層を除去する工程を有すること
を特徴とするものである。また、上記において、選択露
光工程が、少なくとも光触媒含有層を有するフォトマス
クを介して選択露光することにより、露光された領域の
み、着色層及び/または遮光層を形成するための材料に
対して濡れ性を高くすることを特徴とするものである。
また、上記において、着色層及び/または遮光層を形成
する工程が、インクジェット方式であることを特徴とす
るものである。また、上記において、アクティブマトリ
ックス方式のカラー液晶表示装置は、アクティブ素子を
TFT(Thin Film Transistor)
とすることを特徴とするカラー液晶表示装置における電
極基板の製造方法である。Further, in the above, the method is characterized by including a step of removing the wettability changing layer other than the portion where the colored layer and / or the light shielding layer is formed after the step of forming the colored layer and / or the light shielding layer. Further, in the above, in the selective exposure step, selective exposure is performed through a photomask having at least a photocatalyst-containing layer, whereby only the exposed region is wet with a material for forming a coloring layer and / or a light-blocking layer. It is characterized by increasing the sex.
Further, in the above, the step of forming the colored layer and / or the light shielding layer is an inkjet method. In addition, in the above, in the active matrix type color liquid crystal display device, an active element is a TFT (Thin Film Transistor).
And a method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device.
【0012】尚、ここで言う濡れ性は、着色層及び/ま
たは遮光層を形成するための材料(着色インキ、遮光イ
ンキ)に対する濡れ性で、飽和炭化水素系の液体等の分
散力成分のみを有する液体、水などの水素結合を有する
液体、およびそれ以外の分散力成分と極性成分をもつヨ
ウ化メチレンなどの液体の接触角、または固体表面の表
面自由エネルギー、固体の臨界表面張力などで評価でき
る。本発明においては、濡れ性の高低によるパターンが
形成された濡れ性層上の、濡れ性が高い部分に、着色層
及び/または遮光層を形成するための材料(着色イン
キ、遮光インキ)を、インクジェット法により付着させ
た場合、該材料は濡れ性が高い部分全体に濡れ広がり、
濡れ性の低い部分にはみ出すことはない。The wettability referred to here is the wettability with respect to the material (coloring ink, light-shielding ink) for forming the colored layer and / or the light-shielding layer, and only the dispersive component such as a saturated hydrocarbon liquid is used. Evaluation based on the contact angle of liquids that have hydrogen bonds such as water, liquids that have hydrogen bonds such as water, and liquids such as methylene iodide that have polar components and other dispersive force components, the surface free energy of the solid surface, and the critical surface tension of the solid. it can. In the present invention, a material (coloring ink, light-shielding ink) for forming a colored layer and / or a light-shielding layer is formed on a portion having high wettability on a wettability layer on which a pattern having high and low wettability is formed, When deposited by the inkjet method, the material wets and spreads over the high wettability part,
It does not squeeze out on the parts with low wettability.
【0013】[0013]
【作用】本発明のカラー液晶表示装置における電極基板
の製造方法は、このような構成にすることにより、TF
T基板に直接着色層を設けたカラー液晶表示装置におけ
る電極基板の製造方法で、簡単に、且つ品質的にも問題
なく作製できる方法の提供を可能としている。具体的に
は、アクティブ素子と画素表示電極を有する第2の基板
への着色層及び/または遮光層の形成が、少なくとも着
色層や遮光層を設ける領域を含むように、第2の基板の
画素表示電極上に、濡れ性の低い濡れ性変化層を設ける
濡れ性変化層形成工程と、濡れ性変化層の着色層や遮光
層形成領域に対応した領域部分を、紫外線により選択露
光して、露光された領域のみ、濡れ性を高くする選択露
光工程と、濡れ性を高くした領域に吐出法により着色層
や遮光層を形成する工程とを有することにより、これを
達成している。即ち、各画素表示部に形成した濡れ性変
化層の着色層形成領域や遮光層形成領域を選択的に光照
射してその表面の濡れ性を高くすることにより、その部
分へ、直、着色インキや遮光インキを付着し易いものと
しており、更に、該濡れ性を高くした領域に、特にイン
クジェット方式で、着色インキや遮光インキを吹き付け
ることにより、容易に各色の着色層(カラーフィルタ)
や遮光層(ブラックマトリックス)を所定位置の領域に
形成することを可能としている。更に言うと、本発明
は、濡れ性の高低によるパターンが形成された濡れ性変
化層上の、濡れ性が高い部分に、着色層を形成するため
の材料(着色インキとも言う)や遮光層を形成するため
の材料(遮光インキ)を、吐出法により付着させた場
合、該材料は濡れ性が高い部分全体に濡れ広がり、濡れ
性の低い部分にはみ出すことはないという性質を利用し
ているのである。The method of manufacturing the electrode substrate in the color liquid crystal display device according to the present invention has the above-mentioned structure.
As a method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device in which a colored layer is directly provided on a T substrate, it is possible to provide a method that can be easily manufactured without any problem in terms of quality. Specifically, the pixel of the second substrate is formed so that the formation of the coloring layer and / or the light-blocking layer on the second substrate having the active element and the pixel display electrode includes at least a region where the coloring layer and the light-blocking layer are provided. The wettability changing layer forming step of providing a low wettability changing layer on the display electrode, and the area of the wettability changing layer corresponding to the colored layer and the light-shielding layer forming area are selectively exposed to ultraviolet light to expose. This is achieved by having a selective exposure step of increasing the wettability only in the exposed area and a step of forming a colored layer or a light shielding layer in the area of the increased wettability by an ejection method. That is, by selectively irradiating the colored layer forming region and the light shielding layer forming region of the wettability changing layer formed in each pixel display portion with light to increase the wettability of the surface, the colored ink is directly applied to the portion. Or a light-shielding ink is easily adhered, and a colored layer (color filter) of each color can be easily applied by spraying the coloring ink or the light-shielding ink onto the region having high wettability, especially by an inkjet method.
It is possible to form a light shielding layer (black matrix) in a predetermined position region. More specifically, the present invention provides a material for forming a colored layer (also referred to as a colored ink) or a light-shielding layer on a portion having high wettability on a wettability changing layer on which a pattern having high wettability is formed. When a material for forming (light-shielding ink) is applied by a discharge method, the material has a property that it wets and spreads over a portion with high wettability and does not spill out over a portion with low wettability. is there.
【0014】また、本発明は、選択露光工程において、
少なくとも光触媒含有層を有するフォトマスクを介して
選択露光することにより、光触媒の分解作用により、短
時間で濡れ性変化層の濡れ性変化を達成するという性質
を利用しているのである。また、光触媒付きフォトマス
クを使用し濡れ性パターンを形成するため、カラー液晶
表示装置における電極基板自体には光触媒含有層が含ま
れることがなく、したがってパターン形成体の光触媒の
作用による経時的な劣化に対する心配がない。本発明の
カラー液晶表示装置における電極基板は、このような構
成にすることにより、簡単に、且つ品質的にも問題なく
作製できるカラー液晶表示装置用の電極基板の提供を可
能としている。The present invention also provides, in the selective exposure step,
The property that the wettability change of the wettability change layer is achieved in a short time by utilizing the decomposition action of the photocatalyst by utilizing the selective exposure through the photomask having at least the photocatalyst containing layer is utilized. Further, since the wettability pattern is formed using the photomask with the photocatalyst, the electrode substrate itself in the color liquid crystal display device does not include the photocatalyst-containing layer, and therefore the pattern-formed body deteriorates over time due to the action of the photocatalyst. Don't worry about The electrode substrate in the color liquid crystal display device of the present invention, by having such a structure, can provide an electrode substrate for a color liquid crystal display device which can be easily manufactured without any problem in terms of quality.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】本発明のカラー液晶表示装置にお
ける電極の製造方法の実施形態の例を挙げ、図に基づい
て説明する。図1は本発明のカラー液晶表示装置におけ
る電極基板の第1の実施形態の工程断面図で、図2は第
2の実施形態の工程断面図である。図3は第1及び第2
の実施形態により作製されるカラー液晶表示装置におけ
る電極基板の1例の断面図である。図4は光触媒含有層
の紫外線照射による表面状態の変化を説明するための図
である。図1〜図4中、101及び201はベース基板、102
及び202はゲート、103及び203はゲート絶縁層、104及び
204はアルモファスシリコン、105及び205はドレイン、1
06及び206はソース、107及び207はパッシベーション
層、108及び208は濡れ性変化層、109及び209は紫外線、
110及び210は光触媒付きフォトマスク、111及び211は光
触媒含有層、112は着色層、212は遮光層、313は画素電
極、である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of an embodiment of a method for manufacturing an electrode in a color liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a process sectional view of a first embodiment of an electrode substrate in a color liquid crystal display device of the present invention, and FIG. 2 is a process sectional view of a second embodiment. FIG. 3 shows the first and second
FIG. 3 is a cross-sectional view of an example of an electrode substrate in the color liquid crystal display device manufactured by the embodiment of FIG. FIG. 4 is a diagram for explaining changes in the surface state of the photocatalyst-containing layer due to irradiation of ultraviolet rays. 1 to 4, 101 and 201 are base substrates and 102
And 202 are gates, 103 and 203 are gate insulating layers, 104 and
204 is Armofus silicon, 105 and 205 are drains, 1
06 and 206 are sources, 107 and 207 are passivation layers, 108 and 208 are wettability changing layers, 109 and 209 are ultraviolet rays,
Reference numerals 110 and 210 are photomasks with a photocatalyst, 111 and 211 are photocatalyst containing layers, 112 is a colored layer, 212 is a light shielding layer, and 313 is a pixel electrode.
【0016】[第1の実施形態]はじめに、本発明のカラ
ー液晶表示装置における電極基板の製造方法の第1の実
施形態の例を図1、図3を基に説明する。本例は、透明
なベース基板の一面に画素表示用の透明な共通表示電極
が形成されている第1の電極基板と、透明なベース基板
の一面に半導体薄膜によるアクティブ素子を各画素毎に
設けてマトリックス状に配置し、且つ各画素毎にアクテ
ィブ素子にて電圧印加できる透明な画素表示電極を設け
た第2の電極基板とを有し、第1の電極基板と第2の電
極基板とを、共通表示電極および画素表示電極が液晶側
に向くようにして、液晶を介して対向して配置し、画素
表示電極と共通電極間の液晶をスイッチング素子として
利用して、アクティブ素子であるTFTにより、第1の
電極基板の共通表示電極と第2の電極基板の画素表示電
極間とに選択的に電圧印加して、画素毎に透過光を制御
しているアクティブマトリックス方式のカラー液晶表示
装置で、且つ、第2の基板に、カラー表示とするための
着色層を一体的に設けているカラー液晶表示装置におけ
る電極基板の製造方法である。First Embodiment First, an example of a first embodiment of a method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 3. In this example, a first electrode substrate in which a transparent common display electrode for pixel display is formed on one surface of a transparent base substrate, and an active element made of a semiconductor thin film is provided for each pixel on one surface of the transparent base substrate. And a second electrode substrate provided with a transparent pixel display electrode to which a voltage can be applied by an active element for each pixel, and the first electrode substrate and the second electrode substrate are provided. , The common display electrode and the pixel display electrode are arranged so as to face the liquid crystal side and face each other through the liquid crystal, and the liquid crystal between the pixel display electrode and the common electrode is used as a switching element, and , An active matrix color liquid crystal display device in which a voltage is selectively applied between a common display electrode of a first electrode substrate and a pixel display electrode of a second electrode substrate to control transmitted light for each pixel. And, a second substrate, a manufacturing method of the electrode substrate in a color liquid crystal display device is provided integrally with the colored layer for a color display.
【0017】先ず、透明なベース基板101の一面に半導
体薄膜によるアクティブ素子であるTFTを各画素毎に
設けてマトリックス状に配置した基板を用意しておく。
(図1(a))透明なベース基板101としては、通常、
ガラス基板が用いられる。TFTとその配線部について
は、公知の超LSI技術にて形成することができる。次
いで、TFT形成側の面全面に光触媒含有層を有するフ
ォトマスクを介して選択露光することにより、表面の濡
れ性が高くなる濡れ性の低い濡れ性変化層108を塗布す
る。(図1(b))
本発明でいう濡れ性変化層とは、露光時の光触媒の作用
により表面の濡れ性が変化し、濡れ性の変化した部位に
よるパターンが形成できる層をいう。この濡れ性変化層
は、露光により液体の接触角が低下するように濡れ性が
変化する濡れ性変化層である。これにより、パターン露
光等を行えば、容易に濡れ性を変化させ、液体との接触
角の小さい親インク性領域のパターンを形成することが
できる。First, a substrate is prepared in which TFTs, which are active elements made of a semiconductor thin film, are provided for each pixel on one surface of a transparent base substrate 101 and arranged in a matrix.
(FIG. 1A) As a transparent base substrate 101, usually,
A glass substrate is used. The TFT and its wiring portion can be formed by a known VLSI technique. Then, by selectively exposing the entire surface on the TFT formation side through a photomask having a photocatalyst containing layer, a wettability changing layer 108 having low wettability and having high surface wettability is applied. (FIG. 1 (b)) The wettability changing layer in the present invention means a layer in which the wettability of the surface is changed by the action of a photocatalyst at the time of exposure and a pattern can be formed by the site where the wettability is changed. The wettability changing layer is a wettability changing layer whose wettability changes so that the contact angle of the liquid is reduced by exposure. As a result, if pattern exposure or the like is performed, the wettability can be easily changed and a pattern of the ink-philic region having a small contact angle with the liquid can be formed.
【0018】上記濡れ性変化層は、露光していない部分
においては、表面張力40mN/mの液体との接触角が
10度以上、好ましくは表面張力30mN/mの液体と
の接触角が10度以上、特に表面張力20mN/mの液
体との接触角が10度以上であることが好ましい。これ
は、露光していない部分は、本発明においては撥インク
性が要求される部分であることから、液体との接触角が
小さい場合は、撥インク性が十分でなく、インクが残存
する可能性が生じるため好ましくないからである。ま
た、上記濡れ性変化層は、露光すると液体との接触角が
低下して、表面張力40mN/mの液体との接触角が9
度以下、好ましくは表面張力50mN/mの液体との接
触角が10度以下、特に表面張力60mN/mの液体と
の接触角が10度以下となるような層であることが好ま
しい。露光した部分の液体との接触角が高いと、この部
分でのインクの広がりが劣る可能性があるからである。
なお、ここでいう液体との接触角は、種々の表面張力を
有する液体との接触角を接触角測定器(協和界面科学
(株)製CA−Z型)を用いて測定(マイクロシリンジ
から液滴を滴下して30秒後)し、その結果から、もし
くはその結果をグラフにして得たものである。また、こ
の測定に際して、種々の表面張力を有する液体として
は、純正化学株式会社製のぬれ指数標準液を用いた。In the unexposed portion, the wettability changing layer has a contact angle with a liquid having a surface tension of 40 mN / m of 10 degrees or more, preferably a contact angle with a liquid having a surface tension of 30 mN / m of 10 degrees. Above all, the contact angle with a liquid having a surface tension of 20 mN / m is preferably 10 degrees or more. This is because the unexposed portion is the portion that requires ink repellency in the present invention, so if the contact angle with the liquid is small, the ink repellency is insufficient and ink may remain. This is because it is not preferable because it causes a property. Further, the wettability changing layer has a reduced contact angle with a liquid when exposed to light and has a contact angle of 9 with a liquid having a surface tension of 40 mN / m.
It is preferable that the layer has a contact angle with a liquid having a surface tension of 50 mN / m of 10 degrees or less, particularly a contact angle with a liquid having a surface tension of 60 mN / m of 10 degrees or less. This is because if the contact angle of the exposed portion with the liquid is high, the spread of the ink in this portion may be poor.
The contact angle with the liquid here is measured by using a contact angle measuring device (CA-Z type manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) with liquids having various surface tensions (from a microsyringe to a liquid). 30 seconds after dropping the droplet), the result was obtained, or the result was obtained as a graph. In addition, in this measurement, as a liquid having various surface tensions, wetting index standard liquid manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd. was used.
【0019】このような濡れ性変化層に用いられる材料
としては、上述した濡れ性変化層の特性、すなわち露光
により接触する光触媒含有層中の光触媒により濡れ性が
変化する材料であれば特に限定されるものではないが、
例えば、(1)ゾルゲル反応等によりクロロまたはアル
コキシシラン等を加水分解、重縮合して大きな強度を発
揮するオルガノポリシロキサン、(2)撥水牲や撥油性
に優れた反応性シリコーンを架橋したオルガノポリシロ
キサン等のオルガノポリシロキサンを挙げることができ
る。(3)フルオロアルキルシラン等を用いた撥水性を
示す自己組織化膜等を挙げることが出来る。The material used for such a wettability changing layer is not particularly limited as long as it is a material whose wettability is changed by the characteristics of the above-mentioned wettability changing layer, that is, the photocatalyst in the photocatalyst-containing layer contacted by exposure. It's not something
For example, (1) an organopolysiloxane that exhibits great strength by hydrolyzing and polycondensing chloro or alkoxysilane etc. by a sol-gel reaction, (2) an organopolysiloxane crosslinked with a reactive silicone having excellent water repellency and oil repellency. Organopolysiloxanes such as polysiloxanes can be mentioned. (3) A water repellent self-assembled film using fluoroalkylsilane or the like can be given.
【0020】上記の(1)の場合、一般式:
YnSiX(4-n)
(ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニ
ル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、
Xはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示
す。nは0〜3までの整数である。)で示される珪素化
合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共
加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであるこ
とが好ましい。なお、ここでYで示される基の炭素数は
1〜20の範囲内であることが好ましく、また、Xで示
されるアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。また、特
にフルオロアルキル基を含有するポリシロキサンが好ま
しく用いることができ、一般にフッ素系シランカップリ
ング剤として知られたものを使用することができる。具
体的な材料等に関しては、本発明者等の出願に係る特開
2000−249821に詳細に記載されている。この
ような濡れ性変化層は、上述した成分を必要に応じて他
の添加剤とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、こ
の塗布液を基板上に塗布することにより形成することが
できる。本発明において、この濡れ性変化層の厚みは、
光触媒による濡れ性の変化速度等の関係より、0.00
1μm〜1μmであることが好ましく、特に好ましくは
0.01〜0.1μmの範囲内である。In the case of the above (1), the general formula: Y n SiX (4-n) (wherein Y represents an alkyl group, a fluoroalkyl group, a vinyl group, an amino group, a phenyl group or an epoxy group,
X represents an alkoxyl group, an acetyl group or halogen. n is an integer from 0 to 3. It is preferable that the organopolysiloxane is a hydrolysis-condensation product or a co-hydrolysis-condensation product of one or more silicon compounds represented by the formula (1). The number of carbon atoms of the group represented by Y is preferably within the range of 1 to 20, and the alkoxy group represented by X is a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group or a butoxy group. preferable. In addition, a polysiloxane containing a fluoroalkyl group can be particularly preferably used, and a generally known fluorine-based silane coupling agent can be used. Specific materials and the like are described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-249821 filed by the present inventors. Such a wettability changing layer can be formed by dispersing the above-mentioned components in a solvent together with other additives as necessary to prepare a coating liquid and applying the coating liquid onto a substrate. . In the present invention, the thickness of the wettability changing layer is
From the relationship of change rate of wettability by photocatalyst, 0.00
The thickness is preferably 1 μm to 1 μm, particularly preferably 0.01 to 0.1 μm.
【0021】また、濡れ性変化層として前記のようなシ
リコーン系の材料を使用することにより、濡れ性変化層
がTFT上のパッシベーション層107としての機能を兼
ねることができる。この場合は、作製工程が簡略化され
る。本発明の光触媒含有層を有するフォトマスクは、少
なくとも光触媒含有層とフォトマスクとを有するもので
あればどのような形態でもよい。通常は、フォトマスク
上に所定の方法で形成された薄膜上の光触媒含有層が形
成されてなるものである。また、この光触媒含有層がパ
ターン状に形成されていてもよい。このようなフォトマ
スクとしては、ガラス板に金属クロムで形成されたもの
等、さらには印刷用途では製版用フィルム等を用いるこ
とができる。光触媒含有層は、光触媒を結着剤中に分散
させて形成することができる。光触媒は、結着剤をも光
励起により分解するおそれがあるため、結着剤は光触媒
の光酸化作用に対する十分な抵抗性を有する必要があ
る。光触媒としては、光半導体として知られている酸化
チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化すず
(SnO2)、チタン酸ストロンチウム(SrTi
O3)、酵化タングステン(WO3)、酸化ビスマス(B
i2O3)、酸化鉄(Fe2O 3)のような金属酸化物から
なる光触媒が挙げられる。光触媒としては、特に酸化チ
タンが好ましい。酸化チタンは、バンドギャッブエネル
ギーが高く、化学的に安定であり、毒性もなく、入手も
容易である。酸化チタンとしては、アナターゼ型とルチ
ル型のいずれも使用することができるが、アナターゼ型
酸化チタンが好ましい。アナターゼ型チタンとしては、
粒径が小さいものの方が光触媒反応が効率的に起こるの
で好ましい。平均粒径が50nm以下のものが好まし
く、より好ましくは20nm以下のものが好ましい。例
えば、塩酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル(石原産
業製STS−02、平均結晶子径7nm)、硝酸解膠型
のアナターゼ型チタニアゾル(日産化学、TA−15、
平均結晶子径12nm)を挙げることができる。Further, as the wettability changing layer, the above-mentioned screen is used.
By using a recone material, the wettability changing layer
Also functions as the passivation layer 107 on the TFT.
I can sleep. In this case, the manufacturing process is simplified.
It The photomask having the photocatalyst-containing layer of the present invention is
At least having a photocatalyst containing layer and a photomask
Any form will do as long as it is available. Usually a photomask
The photocatalyst-containing layer on the thin film formed by the prescribed method on top
It is made up of. In addition, this photocatalyst containing layer is
It may be formed in a turn shape. Such a photoma
As the disc, a glass plate made of metallic chrome
In addition, for printing purposes, use a plate-making film, etc.
You can The photocatalyst containing layer disperses the photocatalyst in the binder.
Can be formed. The photocatalyst also illuminates the binder
The binder is a photocatalyst because it may decompose due to excitation.
Must have sufficient resistance to the photooxidation effect of
It As a photocatalyst, oxidation known as an optical semiconductor
Titanium (TiO2), Zinc oxide (ZnO), tin oxide
(SnO2), Strontium titanate (SrTi
O3), Fermented tungsten (WO3), Bismuth oxide (B
i2O3), Iron oxide (Fe2O 3) From metal oxides such as
The photocatalyst is As photocatalysts,
Tan is preferred. Titanium oxide is a band gab ener
High energy, chemically stable, non-toxic and available
It's easy. As titanium oxide, anatase type and rutile
Both types can be used, but anatase type
Titanium oxide is preferred. As anatase type titanium,
Photocatalytic reactions occur more efficiently with smaller particles
Is preferred. An average particle size of 50 nm or less is preferred
And more preferably 20 nm or less. An example
For example, hydrochloric acid peptization type anatase type titania sol (from Ishihara
STS-02, average crystallite diameter 7 nm), nitric acid peptization type
Anatase-type titania sol (Nissan Chemical, TA-15,
The average crystallite diameter is 12 nm).
【0022】結着剤としては、主骨格がシロキサン結合
(−Si−O−)を有するシリコーン樹脂を使用するこ
とができる。シリコーン樹脂は、ケイ素原子に有機基が
結合しており、実施例中において詳述するように、光触
媒を光励起すれば、シリコーン分子のケイ素原子に結合
した有機基は光触媒作用により酸素含有基に置換されて
濡れ性が向上するので、濡れ性が変化する物質としての
機能も示す。シリコーン樹脂としては、一般式YnSi
X4-n(n=0〜3)で表されるケイ素化合物の1種ま
たは2種以上の加水分解縮合物、共加水分解縮合物を使
用することができる。Yは、アルキル基、フルオロアル
キル基、ビニル基、アミノ基、あるいはエポキシ基を挙
げることができ、Xはハロゲン、メトキシル基、エトキ
シル基、またはアセチル基を挙げることができる。As the binder, a silicone resin whose main skeleton has a siloxane bond (-Si-O-) can be used. The silicone resin has an organic group bonded to a silicon atom, and as described in detail in Examples, when the photocatalyst is photoexcited, the organic group bonded to the silicon atom of the silicone molecule is replaced with an oxygen-containing group by photocatalysis. As a result, the wettability is improved, and therefore, it also functions as a substance that changes the wettability. As the silicone resin, a general formula Y n Si
One or more hydrolytic condensates or co-hydrolytic condensates of silicon compounds represented by X 4-n (n = 0 to 3) can be used. Y can be an alkyl group, fluoroalkyl group, vinyl group, amino group, or epoxy group, and X can be a halogen, methoxyl group, ethoxyl group, or acetyl group.
【0023】具体的には、メチルトリクロルシラン、メ
チルトリブロムシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシ
ラン、メチルトリt−ブトキシシラン;エチルトリクロ
ルシラン、エチルトリブロムシラン、エチルトリメトキ
シシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソ
プロポキシシラン、エチルトリt−ブトキシシラン;n
−プロピルトリクロルシラン、n−プロピルトリブロム
シラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピ
ルトリエトキシシラン、n−プロピルトリイソプロポキ
シシラン、n−プロピルトリt−ブトキシシラン;n−
ヘキシルトリクロルシラン、n−ヘキシルトリブロムシ
ラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシル
トリエトキシシラン、n−ヘキシルトリイソプロポキシ
シラン、n−ヘキシルトリt−ブトキシシラン;n−デ
シルトリクロルシラン、n−デシルトリブロムシラン、
n−デシルトリメトキシシラン、n−デシルトリエトキ
シシラン、n−デシルトリイソプロポキシシラン、n−
デシルトリt−ブトキシシラン;n−オクタデシルトリ
クロルシラン、n−オクタデシルトリブロムシラン、n
−オクタデシルトリメトキシシラン、n−オクタデシル
トリエトキシシラン、n−オクタデシルトリイソプロポ
キシシラン、n−オクタデシルトリt−ブトキシシラ
ン;フェニルトリクロルシラン、フェニルトリブロムシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエト
キシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェ
ニルトリt−ブトキシシラン;ジメトキシジエトキシシ
ラン;ジメチルジクロルシラン、ジメチルジブロムシラ
ン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシ
ラン;ジフェニルジクロルシラン、ジフェニルジブロム
シラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエ
トキシシラン;フェニルメチルジクロルシラン、フェニ
ルメチルジブロムシラン、フェニルメチルジメトキシシ
ラン、フェニルメチルジエトキシシラン;トリクロルヒ
ドロシラン、トリブロムヒドロシラン、トリメトキシヒ
ドロシラン、トリエトキシヒドロシラン、トリイソプロ
ポキシヒドロシラン、トリt一ブトキシヒドロシラン;
ビニルトリクロルシラン、ビニルトリブロムシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、
ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリt−ブト
キシシラン;γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ−グリシドキシブロピルメチルジエトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ
−グリシドキシブロピルトリイソプロポキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリt−ブトキシシラン;γ−
メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ
−メタアクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−メタアクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタアクリロキシプロピルトリイソプロポキシシラン、
γ−メタアクリロキシプロピルトリt−ブトキシシラ
ン;γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリイソプロポキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリt−ブトキシシラン;
γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リイソプロポキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリ
t−ブトキシシラン;β−(3,4−エポキシシクロヘ
キシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エ
ポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン;及
び、それらの部分加水分解物;及びそれらの混合物を使
用することができる。Specifically, methyltrichlorosilane, methyltribromosilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriisopropoxysilane, methyltri-t-butoxysilane; ethyltrichlorosilane, ethyltribromosilane, ethyltribromosilane. Methoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, ethyltri-t-butoxysilane; n
-Propyltrichlorosilane, n-propyltribromosilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltriisopropoxysilane, n-propyltrit-butoxysilane; n-
Hexyltrichlorosilane, n-hexyltribromosilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, n-hexyltriisopropoxysilane, n-hexyltrit-butoxysilane; n-decyltrichlorosilane, n-decyl Tribromosilane,
n-decyltrimethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-decyltriisopropoxysilane, n-
Decyltri-t-butoxysilane; n-octadecyltrichlorosilane, n-octadecyltribromosilane, n
-Octadecyltrimethoxysilane, n-octadecyltriethoxysilane, n-octadecyltriisopropoxysilane, n-octadecyltrit-butoxysilane; phenyltrichlorosilane, phenyltribromosilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyl Triisopropoxysilane, phenyltri-t-butoxysilane; dimethoxydiethoxysilane; dimethyldichlorosilane, dimethyldibromosilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane; diphenyldichlorosilane, diphenyldibromosilane, diphenyldimethoxysilane, Diphenyldiethoxysilane; phenylmethyldichlorosilane, phenylmethyldibromosilane, phenylmethyldimethoxysilane, phenylmethyl Diethoxysilane; trichlorohydrosilane, tribromohydrosilane, trimethoxyhydrosilane, triethoxyhydrosilane, triisopropoxyhydrosilane, tri-t-butoxyhydrosilane;
Vinyltrichlorosilane, vinyltribromosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane,
Vinyltriisopropoxysilane, vinyltri-t-butoxysilane; γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropyl methyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyl Triethoxysilane, γ
-Glycidoxybropyrtriisopropoxysilane, γ
-Glycidoxypropyltri-t-butoxysilane; γ-
Methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ
-Methacryloxypropylmethyldiethoxysilane,
γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ
-Methacryloxypropyltriethoxysilane, γ-
Methacryloxypropyltriisopropoxysilane,
γ-methacryloxypropyltri-t-butoxysilane; γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-
Aminopropylmethyldiethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltriisopropoxysilane, γ-aminopropyltrit-butoxysilane;
γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, γ-
Mercaptopropylmethyldiethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltriisopropoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane
t-butoxysilane; β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane; and their partial hydrolysates; and mixtures thereof can do.
【0024】結着剤層としてオルガノアルコキシシラン
からなるものを用いる場合には、その少なくとも10〜
30重量%が2官能性シリコーン前駆体の例えばジアル
コキシジメチルシランから構成されるものを用いること
がより好ましい。オルガノアルコキシシランをゾルゲル
法等に使用する場合には、3官能性シリコーン前駆体で
あるトリアルコキシメチルシラン等を主成分としたもの
を用いることによって架橋密度を向上させることができ
る。また、結着剤としては、無定形シリカ前駆体を用い
ることができ、一般式SiX4で表され、Xはハロゲ
ン、メトキシ基、エトキシ基またはアセチル基等である
ケイ素化合物、それらの加水分解物であるシラノール、
または平均分子量3000以下のポリシロキサンが好ま
しい。具体的には、テトラエトキシシラン、テトライソ
プロポキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テ
トラブトキシシラン、テトラメトキシシラン等が挙げら
れる。また、この場合には、無定形シリカの前駆体と光
触媒の粒子とを非水性溶媒中に均一に分散させ、基材上
に空気中の水分により加水分解させてシラノールを形成
させた後、常温で脱水縮重合することにより光触媒含有
膜を形成できる。シラノールの脱水縮重合を100℃以
上で行えば、シラノールの重合度が増し、膜表面の強度
を向上できる。また、これらの結着剤は、単独あるいは
2種以上を混合して用いることができる。When a binder layer made of organoalkoxysilane is used, at least 10 parts thereof are used.
More preferably, 30% by weight is composed of a bifunctional silicone precursor, for example dialkoxydimethylsilane. When the organoalkoxysilane is used in the sol-gel method or the like, the crosslink density can be improved by using a trifunctional silicone precursor such as trialkoxymethylsilane as a main component. As the binder, an amorphous silica precursor can be used and is represented by the general formula SiX 4 , where X is a halogen, a methoxy group, an ethoxy group, an acetyl group or the like, a silicon compound, or a hydrolyzate thereof. Is a silanol,
Alternatively, polysiloxane having an average molecular weight of 3000 or less is preferable. Specific examples include tetraethoxysilane, tetraisopropoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetrabutoxysilane, and tetramethoxysilane. Further, in this case, the amorphous silica precursor and the photocatalyst particles are uniformly dispersed in a non-aqueous solvent, and hydrolyzed by moisture in the air on the substrate to form silanol, and then at room temperature. A photocatalyst-containing film can be formed by dehydration condensation polymerization with. If dehydration polycondensation of silanol is carried out at 100 ° C. or higher, the degree of polymerization of silanol increases and the strength of the film surface can be improved. These binders can be used alone or in combination of two or more.
【0025】また、結着剤を使用せず、酸化チタン単体
での成膜も可能である。この場合には、基材上に無定形
チタニアを形成し、次いで焼成により結晶性チタニアに
相変化させる。無定形チタニアは、例えば四塩化チタ
ン、硫酸チタン等のチタンの無機塩の加水分解、脱水縮
合、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタ
ン、テトラ−n−プロポキシチタン、テトラブトキシチ
タン、テトラメトキシチタン等の有機チタン化合物を酸
存在下において加水分解、脱水縮合によって得ることが
できる。次いで、400℃〜500℃における焼成によ
ってアナターゼ型チタニアに変成し、600℃〜700
℃の焼成によってルチル型チタニアに変成することがす
る。また、オルガノシロキサン、無定形シリ力の少なく
ともいずれかと光触媒とを含む層において、光触媒の量
は、5重量%〜60重量%であることが好ましく、20
重量%〜40重量%であることがより好ましい。また、
光触媒のみからなる光触媒含有層の形成方法としては、
例えば、スパッタリング法、CVD法、真空蒸着法等の
真空製膜法を用いる方法が挙げられることができる。真
空製膜法により光触媒含有層を形成することにより、均
一な膜でかつ光触媒のみを含有する光触媒含有層とする
ことが可能であり、これにより特性変化層上の特性を均
一に変化させることが可能であり、かつ光触媒のみから
なることから、バインダを用いる場合と比較して効率的
に特性変化層上の特性を変化させることが可能となる。Further, it is also possible to form a film by using titanium oxide alone without using a binder. In this case, amorphous titania is formed on the substrate and then fired to change the phase to crystalline titania. Amorphous titania is, for example, titanium tetrachloride, hydrolysis of titanium inorganic salt such as titanium sulfate, dehydration condensation, tetraethoxy titanium, tetraisopropoxy titanium, tetra-n-propoxy titanium, tetrabutoxy titanium, tetramethoxy titanium, etc. The organotitanium compound can be obtained by hydrolysis and dehydration condensation in the presence of an acid. Then, it is converted to anatase type titania by firing at 400 ° C to 500 ° C, and 600 ° C to 700 ° C.
It can be transformed into rutile type titania by firing at ℃. Further, in the layer containing the photocatalyst and at least one of the organosiloxane and the amorphous silicidity, the amount of the photocatalyst is preferably 5% by weight to 60% by weight, 20
More preferably, it is from 40% by weight to 40% by weight. Also,
As a method for forming the photocatalyst-containing layer consisting of only the photocatalyst,
For example, a method using a vacuum film forming method such as a sputtering method, a CVD method, or a vacuum evaporation method can be used. By forming the photocatalyst-containing layer by the vacuum film formation method, it is possible to obtain a photocatalyst-containing layer that is a uniform film and contains only the photocatalyst, and this makes it possible to uniformly change the properties on the property change layer. Since it is possible and it consists only of a photocatalyst, it becomes possible to change the characteristic on a characteristic change layer more efficiently compared with the case where a binder is used.
【0026】光触媒、結着剤は、溶剤中に分散して塗布
液を調製して塗布することができる。使用することがで
きる溶剤としては、エタノール、イソプロパノール等の
アルコ一ル系の有機溶剤を挙げることができる。また、
チタン系、アルミニウム系、ジルコニウム系、クロム系
のカップリング剤も使用することができる。光触媒を含
んだ塗布液は、スプレーコート、ディップコート、ロー
ルコート、ビードコートなどの方法によりフォトマスク
に塗布することができる。また結着剤として紫外線硬化
型の成分を含有している場合には、紫外線を照射して硬
化処理を行うことにより、基材上に光触媒を含有した組
成物の層を形成することができる。アナターゼ型チタニ
アは励起波長が380nm以下にあり、このような光触
媒の場合には光触媒の励起は紫外線により行うことが必
要である。紫外線を発するものとしては水銀ランプ、メ
タルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマラン
プ、エキシマレーザー、YAGレーザー、その他の紫外
線光源を使用することができるThe photocatalyst and the binder can be dispersed in a solvent to prepare a coating solution and applied. Examples of the solvent that can be used include alcohol-based organic solvents such as ethanol and isopropanol. Also,
Titanium-based, aluminum-based, zirconium-based, and chromium-based coupling agents can also be used. The photocatalyst-containing coating solution can be applied to the photomask by a method such as spray coating, dip coating, roll coating, or bead coating. When a UV-curable component is contained as a binder, a layer of the composition containing the photocatalyst can be formed on the base material by irradiating it with UV rays to carry out a curing treatment. The anatase-type titania has an excitation wavelength of 380 nm or less, and in the case of such a photocatalyst, it is necessary to excite the photocatalyst with ultraviolet rays. Mercury lamps, metal halide lamps, xenon lamps, excimer lamps, excimer lasers, YAG lasers, and other ultraviolet light sources can be used as those that emit ultraviolet light.
【0027】次いで、濡れ性変化層108の着色層形成領
域に対応した領域部分を、光触媒含有層を有するフォト
マスクを介して紫外線109により選択露光して、露光さ
れた領域のみ、濡れ性を高くする。(図1(c))
ここで、紫外線照射により濡れ性変化層の着色層形成領
域に対応した部分が濡れ性が高くなる理由を、濡れ性変
化層をフッ素系シリコーンとした場合の例を図4に挙
げ、簡単に説明しておく。この場合、紫外線照射前は図
4(a)のように、CF3基が表面を覆う濡れ性の低い
表面状態であるが、図4(b)に示すように、光触媒付
きマスクを介した紫外線照射により照射領域にOH基が
生成されることにより、照射領域のみが濡れ性が高く変
化するためと考えられる。尚、光触媒の作用機構は必ず
しも明確なものではないが、光の照射によって生成した
キャリアが、近傍の化合物との直接反応あるいは酸素、
水の存在下で生じた活性酸素種によって、有機物の化学
構造に変化を及ぼすものと考えられている。このよう
に、本発明では光触媒付きフォトマスクを介して露光を
行うことにより、フォトマスクのみでの露光に比較し
て、濡れ性変化層の濡れ性変化反応が大幅に促進され、
露光時間の短縮、更には短時間の露光で反応が終了する
ため解像度が向上する。Next, the area portion of the wettability changing layer 108 corresponding to the colored layer forming area is selectively exposed to ultraviolet rays 109 through a photomask having a photocatalyst containing layer, and only the exposed area has high wettability. To do. (FIG. 1 (c)) Here, the reason why the wettability changing layer has a high wettability in the portion corresponding to the colored layer forming region by irradiation of ultraviolet rays is illustrated by an example in which the wettability changing layer is made of fluorine-based silicone. I will give you a brief explanation. In this case, as shown in FIG. 4A, the surface state with low wettability is covered by the CF 3 group before the UV irradiation, but as shown in FIG. It is considered that the OH group is generated in the irradiation region by the irradiation, so that the wettability is changed only in the irradiation region to be high. Incidentally, the mechanism of action of the photocatalyst is not always clear, but the carrier generated by irradiation of light directly reacts with a nearby compound or oxygen,
It is believed that active oxygen species generated in the presence of water change the chemical structure of organic substances. Thus, in the present invention, by performing the exposure through the photocatalyst-attached photomask, the wettability change reaction of the wettability change layer is significantly promoted as compared with the exposure using only the photomask,
The resolution is improved because the reaction is completed by shortening the exposure time and further by exposing for a short time.
【0028】次いで、濡れ性を高くした領域に吐出法に
より着色層を形成する。(図1(d))吐出法として
は、インクジェット方式により各色画素部に所定の水性
の着色層を付ける方法が挙げられる。インクジェットの
噴射ノズルを所定のピッチに配列した状態で、相対的に
電極形成用の基板を移動させながら、各ノズルからの噴
射を制御することにより比較的簡単に所定の位置に所定
の色を吹き付けることができる。噴射位置を所定の位置
に制御するための位置合わせはマーク等を利用して行う
ことができる。このようにして、TFTを形成した電極
基板の各画素に対応した部位へ着色層(カラーフィル
タ)の形成を行うことができる。次いで、遮光層を形成
する。遮光層を形成する方法としては、通常実施される
いかなるパターニング法を用いても良いが、着色層と同
様に前記インクジェットを用いる方法、フォトリソグラ
フィー法等が好ましい。Next, a colored layer is formed on the region having high wettability by a discharge method. (FIG. 1 (d)) As an ejection method, there is a method of applying a predetermined aqueous colored layer to each color pixel portion by an inkjet method. With the inkjet nozzles arranged at a predetermined pitch, while controlling the ejection from each nozzle while relatively moving the substrate for electrode formation, it is relatively easy to apply a predetermined color to a predetermined position. be able to. Positioning for controlling the injection position to a predetermined position can be performed using a mark or the like. In this way, the colored layer (color filter) can be formed at the portion corresponding to each pixel of the electrode substrate on which the TFT is formed. Then, a light shielding layer is formed. As a method for forming the light-shielding layer, any patterning method that is usually carried out may be used, but a method using the above-mentioned inkjet, a photolithography method, or the like is preferable as in the coloring layer.
【0029】また、必要に応じて、コンタクトホール部
分の濡れ性変化層を除去する。除去する方法としては、
濡れ性変化層の材料にもよるが、例えば、濡れ性変化層
の材料がシリコーンである場合、アルカリ性の現像液等
が挙げられる。また、必要に応じて、オーバーコート層
を塗布・露光・現像・焼成することにより、オーバーコ
ート膜を形成してもよい。最後に、透明電極であるイン
ジウムスズオキサイド(ITO)を成膜、パターニング
することにより画素電極を形成する。この後、配向膜を
塗布し、ラビング処理後、所定の間隔を介して対向基板
とを接合する。この間隔に側面の遮光層とスペーサを挟
んで、液晶を注入し、アクティブマトリックス型液晶表
示装置が完成する。If necessary, the wettability changing layer at the contact hole portion is removed. The removal method is
Although depending on the material of the wettability changing layer, for example, when the material of the wettability changing layer is silicone, an alkaline developer or the like can be used. Moreover, you may form an overcoat film by apply | coating, exposing, developing, and baking an overcoat layer as needed. Finally, a pixel electrode is formed by forming a film of indium tin oxide (ITO), which is a transparent electrode, and patterning it. After that, an alignment film is applied, and after rubbing treatment, it is bonded to the counter substrate with a predetermined gap. Liquid crystal is injected into this space with a light-shielding layer on the side surface and a spacer interposed therebetween, and an active matrix type liquid crystal display device is completed.
【0030】[第2の実施形態]本発明のカラー液晶表示
装置における電極基板の製造方法の第2の実施形態の例
を図2、図3を基に説明する。先ず、透明なベース基板
11の一面に半導体薄膜によるアクティブ素子であるTF
T10を各画素毎に設けてマトリックス状に配置した基板
を用意しておく。(図2(a))透明なベース基板11と
しては、通常、ガラス基板が用いられる。tTFT10と
その配線部については、公知の超LSI技術にて形成す
ることができる。次いで、TFT10形成側の面全面に光
触媒含有層を有するフォトマスクを介して選択露光する
ことにより、表面の濡れ性が高くなる濡れ性の低い濡れ
性変化層20を塗布する。(図2(b))
濡れ性変化層、光触媒含有層としては、第1の実施形態
と同じものを用いることができる。[Second Embodiment] An example of a second embodiment of a method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3. First, a transparent base substrate
TF which is an active element made of a semiconductor thin film on one surface
A substrate in which T10 is provided for each pixel and arranged in a matrix is prepared. (FIG. 2A) A glass substrate is usually used as the transparent base substrate 11. The tTFT 10 and its wiring portion can be formed by a known VLSI technique. Then, the wettability changing layer 20 having low wettability, which has high wettability on the surface, is applied by selective exposure through a photomask having a photocatalyst-containing layer on the entire surface on the TFT 10 formation side. (FIG. 2B) As the wettability changing layer and the photocatalyst containing layer, the same ones as in the first embodiment can be used.
【0031】次いで、濡れ性変化層20の遮光層形成領域
に対応した領域部分を、光触媒含有層を有するフォトマ
スクを介して紫外線35により選択露光して、露光された
領域のみ、濡れ性を高くする。(図2(c))
ここで、紫外線照射により濡れ性変化層の遮光層形成領
域に対応した部分が濡れ性が高くなる理由は第1の実施
形態で説明しているのでここでは省略する。次いで、濡
れ性を高くした領域に吐出法により遮光層を形成する。
(図2(d))吐出法としては、インクジェット方式に
より各色画素間部に所定の遮光層を付ける方法が挙げら
れる。インクジェットの噴射ノズルを所定のピッチに配
列した状態で、相対的に電極形成用の基板を移動させな
がら、各ノズルからの噴射を制御することにより比較的
簡単に所定の位置に吹き付けることができる。噴射位置
を所定の位置に制御するための位置合わせはマーク等を
利用して行うことができる。このようにして、TFTを
形成した電極基板の各画素に対応した部位へ遮光層(ブ
ラックマトリックス)の形成を行うことができる。Next, the area portion of the wettability changing layer 20 corresponding to the light-shielding layer forming area is selectively exposed to ultraviolet light 35 through a photomask having a photocatalyst containing layer, and only the exposed area has high wettability. To do. (FIG. 2C) Here, the reason why the wettability of the portion of the wettability changing layer corresponding to the light-shielding layer formation region is increased by the irradiation of ultraviolet rays has been described in the first embodiment, and therefore will be omitted here. Next, a light-shielding layer is formed in a region having high wettability by a discharge method.
(FIG. 2 (d)) As an ejection method, a method of providing a predetermined light-shielding layer between the pixels of each color by an inkjet method can be mentioned. In a state where the jet nozzles of the ink jet are arranged at a predetermined pitch, the jet from each nozzle can be relatively easily sprayed at a predetermined position by controlling the jet from each nozzle while moving the substrate for electrode formation relatively. Positioning for controlling the injection position to a predetermined position can be performed using a mark or the like. In this way, the light-shielding layer (black matrix) can be formed on the area corresponding to each pixel of the electrode substrate on which the TFT is formed.
【0032】次いで、着色層を形成する。着色層を形成
する方法としては、通常実施されるどのようなパターニ
ング法を用いても良いが、遮光層と同様にインクジェッ
トを用いる方法、フォトリソグラフィー法等が好まし
い。また、必要に応じて、コンタクトホール部分の濡れ
性変化層を除去する。除去する方法としては、例えば、
アルカリ性の現像液等が挙げられる。また、必要に応じ
て、オーバーコート層を塗布・露光・現像・焼成するこ
とにより、オーバーコート膜を形成してもよい。最後
に、透明電極であるインジウムスズオキサイド(IT
O)を成膜、パターニングすることにより画素電極を形
成する。この後、配向膜を塗布し、ラビング処理後、所
定の間隔を介して対向基板とを接合する。この間隔に側
面の遮光層とスペーサを挟んで、液晶を注入し、アクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置が完成する。Next, a colored layer is formed. As a method for forming the colored layer, any patterning method that is usually carried out may be used, but a method using an inkjet, a photolithography method, or the like is preferable as in the case of the light shielding layer. Further, the wettability changing layer in the contact hole portion is removed as needed. As a method of removing, for example,
Examples thereof include alkaline developers. Moreover, you may form an overcoat film by apply | coating, exposing, developing, and baking an overcoat layer as needed. Finally, indium tin oxide (IT
O) is deposited and patterned to form a pixel electrode. After that, an alignment film is applied, and after rubbing treatment, it is bonded to the counter substrate with a predetermined gap. Liquid crystal is injected into this space with a light-shielding layer on the side surface and a spacer interposed therebetween, and an active matrix type liquid crystal display device is completed.
【0033】[0033]
【実施例】(実施例1)本例は、図1、図3に示す第1
の実施形態の例で、厚さ1.1mmの耐熱膨張ガラス基
板の一面に、縦120μmピッチ、横320μmピッチ
で、TFTおよび透明なITO画素電極を360mm×
465mmの領域に設けたカラー液晶表示装置用の基板
(図1(a))を用いて、カラー表示をするための着色
層を設けた電極基板を作製したものである。図1、図3
に基づいて説明する。オルガノシロキサン(東芝シリコ
ーン製、TSL8113)0.5g、フルオロアルコキ
シシランMF−160E(トーケムプロダクツ製)0.
3g、0.1規定塩酸0.2gを混合し、24時間攪拌
した。この溶液をカラー液晶表示装置用の基板(図1
(a))全面に塗付した。これを乾燥し加水分解、重縮
合反応を進行させ、膜厚0.1μmの透明な層108を形
成した。(図1(b))
次いで、所定光触媒無機コーティング剤ST−K01
(石原産業製)を製膜したフォトマスク110を用いて、
濡れ性変化層108の着色層を形成する領域に紫外線109を
照射した。(Embodiment 1) This embodiment is the first embodiment shown in FIGS.
In the example of Embodiment 1, a TFT and a transparent ITO pixel electrode are provided on one surface of a heat-resistant expansion glass substrate having a thickness of 1.1 mm at a pitch of 120 μm in length and a pitch of 320 μm in width of 360 mm ×
Using a substrate for a color liquid crystal display device (FIG. 1A) provided in an area of 465 mm, an electrode substrate provided with a colored layer for color display was produced. 1 and 3
It will be described based on. 0.5 g of organosiloxane (manufactured by Toshiba Silicone, TSL8113), fluoroalkoxysilane MF-160E (manufactured by Tochem Products) 0.
3 g and 0.2 g of 0.1 N hydrochloric acid were mixed and stirred for 24 hours. This solution was applied to a substrate for a color liquid crystal display device (see FIG. 1).
(A) It was applied on the entire surface. This was dried to cause hydrolysis and polycondensation reaction to form a transparent layer 108 having a film thickness of 0.1 μm. (FIG. 1B) Next, a predetermined photocatalytic inorganic coating agent ST-K01
(Photo by Ishihara Sangyo)
The region of the wettability changing layer 108 where the colored layer is formed was irradiated with ultraviolet rays 109.
【0034】紫外線照射は、大日本スクリーン株式会社
製UV露光機MA−1200DUVを用い、23.6m
W/cm2の照度で3分間照射した。紫外線の照射によ
り濡れ性変化層の所定の領域を親インク性とした後、親
インク性となった領域に、カラー表示をするためカラー
フィルタとなる各色の着色インキをインクジェット吐出
装置にて所定の画素領域に吐出した。着色インキは露光
部分に濡れ広がり、未露光部分にはみ出すことはなかっ
た。これを乾燥、紫外線硬化させることにより、着色層
(カラーフィルタ)を形成した電極基板を完成させた。
インクジェットとベース基板101との相対的な位置は、
前記紫外線照射の際に用いたフォトマスク110に予め設
けておいた位置決めマーク用のパターンから形成された
マークを用いて行った。尚、濡れ性変化層については、
紫外線露光しない場合の水の接触角は112°、露光
後、親インク性となった際の水の接触角は10°以下で
あった。着色インキとしては、各色の顔料、溶剤、UV
硬化型樹脂、重合開始剤、溶媒からなる油性インキを用
いた。このようにして作製された電極基板を用いてカラ
ー液晶表示装置を作製したところ、表示画質は良好であ
った。The UV irradiation was carried out using a UV exposure machine MA-1200DUV manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd. at 23.6 m.
Irradiation was performed for 3 minutes with an illuminance of W / cm 2 . After making a predetermined region of the wettability changing layer ink-philic by irradiation of ultraviolet rays, a predetermined amount of colored ink, which becomes a color filter for color display, is made to be a predetermined amount by an inkjet discharge device in the ink-philic region. It was discharged to the pixel area. The colored ink wetted and spread on the exposed area and did not spill out on the unexposed area. This was dried and ultraviolet-cured to complete an electrode substrate having a colored layer (color filter) formed thereon.
The relative position between the inkjet and the base substrate 101 is
It was performed using a mark formed from a pattern for a positioning mark provided in advance on the photomask 110 used for the irradiation of the ultraviolet rays. Regarding the wettability changing layer,
The contact angle of water when not exposed to ultraviolet rays was 112 °, and the contact angle of water when it became ink-philic after exposure was 10 ° or less. As coloring inks, pigments of each color, solvent, UV
An oil-based ink composed of a curable resin, a polymerization initiator and a solvent was used. When a color liquid crystal display device was manufactured using the electrode substrate manufactured in this way, the display image quality was good.
【0035】(実施例2)実施例1と同様にカラー液晶
表示装置用の基板全面に濡れ性変化層を製膜した。これ
をフォトマスク(光触媒含有層無し)を介して実施例1
同様に露光すると、120分で濡れ性変化層の所定の領
域が親インク性になった。(Example 2) Similar to Example 1, a wettability changing layer was formed on the entire surface of a substrate for a color liquid crystal display device. This was passed through a photomask (without a photocatalyst-containing layer) in Example 1
When exposed in the same manner, a predetermined area of the wettability changing layer became ink-philic in 120 minutes.
【0036】[0036]
【発明の効果】本発明は、上記のように、図3に示すよ
うなTFT基板に直接着色層を設けたカラー液晶表示装
置用の電極基板を、簡単に、且つ品質的にも問題なく作
製できる方法の提供を可能とした。INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the present invention, an electrode substrate for a color liquid crystal display device, in which a colored layer is directly provided on a TFT substrate as shown in FIG. 3, can be easily manufactured without any problem in quality. It is possible to provide a possible method.
【図1】本発明のカラー液晶表示装置における電極基板
の製造方法の第1の実施形態の工程断面図である。FIG. 1 is a process cross-sectional view of a first embodiment of a method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device of the present invention.
【図2】本発明のカラー液晶表示装置における電極基板
の製造方法の第2の実施形態の工程断面図である。FIG. 2 is a process sectional view of a second embodiment of a method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device of the present invention.
【図3】本発明のカラー液晶表示装置における電極基板
の製造方法により作製された電極基板の例である。FIG. 3 is an example of an electrode substrate manufactured by a method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device of the present invention.
【図4】光触媒含有層付きフォトマスクを介した紫外線
照射による表面状態の変化を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a change in surface state due to ultraviolet irradiation through a photomask having a photocatalyst-containing layer.
【図5】従来の液晶表示装置の一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of a conventional liquid crystal display device.
【図6】特開平8−122824号公報に開示された液
晶表示装置を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 8-122824.
101、201 ベース基板
102、202 ゲート
103、203 ゲート絶縁層
104、204 アルモファスシリコン
105、205 ドレイン
106、206 ソース
107、207 パッシベーション層
108、208 濡れ性変化層
109、209 紫外線
110、210 フォトマスク
111、211 光触媒含有層
112 着色層
212 遮光層、
313 画素電極
402 濡れ性変化層
403 紫外線
404 フォトマスク
405 光触媒含有層
501 TFT基板
502 カラーフィルタ基板
503 液晶層
504 TFTガラス基板
505 走査線
506 信号線
507 薄膜トランジスタ
508 画素電極
509 カラーフィルタ
510 ブラックマトリックス
511 オーバーコート層
512 対向電極
513 ガラス基板
521 ゲート絶縁体
525 パッシベーション膜
530 液晶分子
601 TFT基板
602 対向基板
603 液晶層
604 TFTガラス基板
605 走査線
606 信号線
607 薄膜トランジスタ
608 画素電極
609 カラーフィルタ
611 オーバーコート層
612 対向電極
613 対向ガラス電極
620 ゲート電極
621 ゲート絶縁膜
624 ソース電極
625 パッシベーション膜
626 コンタクトホール
630 液晶分子
631 カラーフィルタ上に設けたコンタクトホー
ル枠101, 201 Base substrate 102, 202 Gate 103, 203 Gate insulating layer 104, 204 Amorphous silicon 105, 205 Drain 106, 206 Source 107, 207 Passivation layer 108, 208 Wetting change layer 109, 209 UV 110, 210 Photomask 111, 211 Photocatalyst-containing layer 112 Colored layer 212 Light-shielding layer, 313 Pixel electrode 402 Wettability change layer 403 UV light 404 Photomask 405 Photocatalyst-containing layer 501 TFT substrate 502 Color filter substrate 503 Liquid crystal layer 504 TFT glass substrate 505 Scan line 506 Signal line 507 Thin film transistor 508 Pixel electrode 509 Color filter 510 Black matrix 511 Overcoat layer 512 Counter electrode 513 Glass substrate 521 Gate insulator 525 Passivation film 530 Liquid crystal molecule 601 TFT substrate 602 Counter substrate 603 Liquid crystal layer 604 TFT glass substrate 605 Scan line 606 Signal line 607 thin film transistor 608 pixel electrode 609 color filter 611 overcoat layer 612 counter electrode 613 counter electrode Source electrode 620 gate electrode 621 gate insulating film 624 source electrode 625 a passivation film 626 a contact hole 630 a contact hole frame provided on the liquid crystal molecules 631 color filter
フロントページの続き Fターム(参考) 2H091 FA02Y FA34Y FC01 FC10 FC18 FC25 FD04 FD05 GA03 GA11 GA13 LA12 LA15 2H092 JA23 JB00 JB51 KB26 MA16 MA22 NA27 PA08 PA09 5F110 AA16 BB01 CC07 DD02 GG02 GG15 NN45 NN52 NN72 QQ01Continued front page F-term (reference) 2H091 FA02Y FA34Y FC01 FC10 FC18 FC25 FD04 FD05 GA03 GA11 GA13 LA12 LA15 2H092 JA23 JB00 JB51 KB26 MA16 MA22 NA27 PA08 PA09 5F110 AA16 BB01 CC07 DD02 GG02 GG15 NN45 NN52 NN72 QQ01
Claims (6)
透明な共通表示電極が形成されている第1の電極基板
と、透明なベース基板の一面に半導体薄膜によるアクテ
ィブ素子を各画素毎に設けてマトリックス状に配置し、
且つ各画素毎にアクティブ素子にて電圧印加できる透明
な画素表示電極を設けた第2の電極基板とを有し、第1
の電極基板と第2の電極基板とを、共通表示電極および
画素表示電極が液晶側に向くようにして、液晶を介して
対向して配置し、画素表示電極と共通電極間の液晶をス
イッチング素子として利用して、アクティブ素子によ
り、第1の電極基板の共通表示電極と第2の電極基板の
画素表示電極間とに選択的に電圧印加して、画素毎に透
過光を制御しているアクティブマトリックス方式のカラ
ー液晶表示装置で、且つ、第2の電極基板に、カラー表
示とするための着色層を一体的に設けているカラー液晶
表示装置における電極基板の製造方法であって、電極基
板への着色層の形成が、(a)少なくとも着色層を設け
る領域を含むように、着色層を形成するための材料に対
して濡れ性の低い濡れ性変化層を設ける濡れ性変化層形
成工程と、(b)濡れ性変化層の着色層形成領域に対応
した領域部分を、選択露光して、露光された領域のみ、
着色層を形成するための材料に対して濡れ性を高くする
選択露光工程と、(c)濡れ性を高くした領域に着色層
を形成する工程とを有することを特徴とするカラー液晶
表示装置における電極基板の製造方法。1. A first electrode substrate having a transparent common display electrode for pixel display formed on one surface of a transparent base substrate, and an active element made of a semiconductor thin film on each surface of the transparent base substrate for each pixel. Provided and arranged in a matrix,
And a second electrode substrate provided with a transparent pixel display electrode to which a voltage can be applied by an active element for each pixel,
The electrode substrate and the second electrode substrate are arranged so as to face each other with the common display electrode and the pixel display electrode facing the liquid crystal, and the liquid crystal between the pixel display electrode and the common electrode is a switching element. The active element selectively controls the transmitted light for each pixel by applying a voltage between the common display electrode of the first electrode substrate and the pixel display electrode of the second electrode substrate by the active element. A method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device, comprising a matrix type color liquid crystal display device, wherein a colored layer for color display is integrally provided on a second electrode substrate. Forming a colored layer of (a) providing a wettability changing layer having low wettability with respect to a material for forming the colored layer so as to include at least a region where the colored layer is provided; (B) Wet Selectively exposing the area part corresponding to the colored layer forming area of the sex change layer, and only the exposed area,
A color liquid crystal display device comprising: a selective exposure step of increasing wettability with respect to a material for forming a colored layer; and (c) a step of forming a colored layer in a region having an increased wettability. Manufacturing method of electrode substrate.
透明な共通表示電極が形成されている第1の電極基板
と、透明なベース基板の一面に半導体薄膜によるアクテ
ィブ素子を各画素毎に設けてマトリックス状に配置し、
且つ各画素毎にアクティブ素子にて電圧印加できる透明
な画素表示電極を設けた第2の電極基板とを有し、第1
の電極基板と第2の電極基板とを、共通表示電極および
画素表示電極が液晶側に向くようにして、液晶を介して
対向して配置し、画素表示電極と共通電極間の液晶をス
イッチング素子として利用して、アクティブ素子によ
り、第1の電極基板の共通表示電極と第2の電極基板の
画素表示電極間とに選択的に電圧印加して、画素毎に透
過光を制御しているアクティブマトリックス方式のカラ
ー液晶表示装置で、且つ、第2の電極基板に、カラー表
示とするための遮光層を一体的に設けているカラー液晶
表示装置における電極基板の製造方法であって、電極基
板への遮光層の形成が、(a)少なくとも遮光層を設け
る領域を含むように、遮光層を形成するための材料に対
して濡れ性の低い濡れ性変化層を設ける濡れ性変化層形
成工程と、(b)濡れ性変化層の遮光層形成領域に対応
した領域部分を、選択露光して、露光された領域のみ、
遮光層を形成するための材料に対して濡れ性を高くする
選択露光工程と、(c)濡れ性を高くした領域に遮光層
を形成する工程とを有することを特徴とするカラー液晶
表示装置における電極基板の製造方法。2. A first electrode substrate having a transparent common display electrode for pixel display formed on one surface of a transparent base substrate, and an active element made of a semiconductor thin film for each pixel on one surface of the transparent base substrate. Provided and arranged in a matrix,
And a second electrode substrate provided with a transparent pixel display electrode to which a voltage can be applied by an active element for each pixel.
The electrode substrate and the second electrode substrate are arranged so as to face each other with the common display electrode and the pixel display electrode facing the liquid crystal, and the liquid crystal between the pixel display electrode and the common electrode is a switching element. The active element controls the transmitted light for each pixel by selectively applying a voltage between the common display electrode of the first electrode substrate and the pixel display electrode of the second electrode substrate by the active element. A method of manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device, comprising: a matrix type color liquid crystal display device; and a second electrode substrate integrally provided with a light-shielding layer for color display. (A) a wettability changing layer forming step of providing a wettability changing layer having low wettability with a material for forming the light shielding layer so as to include at least a region where the light shielding layer is provided; (B) Wet Of a region corresponding to the light shielding layer formation region of the sex-change layer, and selectively exposed, only the exposed areas,
A color liquid crystal display device comprising: a selective exposure step of increasing wettability with respect to a material for forming a light-shielding layer; and (c) a step of forming a light-shielding layer in a region having high wettability. Manufacturing method of electrode substrate.
る工程後に着色層及び/または遮光層形成部位以外の濡
れ性変化層を除去する工程を有することを特徴とする請
求項1乃至2記載のカラー液晶表示装置における電極基
板の製造方法。3. The method according to claim 1, further comprising a step of removing the wettability changing layer other than the portion where the colored layer and / or the light shielding layer is formed after the step of forming the colored layer and / or the light shielding layer. Of manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device of.
含有層を有するフォトマスクを介して選択露光すること
により、露光された領域のみ、着色層及び/または遮光
層を形成するための材料に対して濡れ性を高くすること
を特徴とする請求項1から3に記載のカラー液晶表示装
置における電極基板の製造方法。4. The material for forming a colored layer and / or a light-shielding layer only in an exposed region by performing selective exposure through a photomask having at least a photocatalyst-containing layer in the selective exposure step. The method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device according to claim 1, wherein the wettability is increased.
る工程が、インクジェット方式であることを特徴とする
請求項1から4に記載のカラー液晶表示装置における電
極基板の製造方法。5. The method of manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device according to claim 1, wherein the step of forming the colored layer and / or the light shielding layer is an inkjet method.
ックス方式のカラー液晶表示装置は、アクティブ素子を
TFT(Thin Film Transistor)
とすることを特徴とするカラー液晶表示装置における電
極基板の製造方法。6. The active matrix type color liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active element is a TFT (Thin Film Transistor).
A method for manufacturing an electrode substrate in a color liquid crystal display device, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002037292A JP2003241177A (en) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | Manufacturing method for electrode substrate of color liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002037292A JP2003241177A (en) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | Manufacturing method for electrode substrate of color liquid crystal display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003241177A true JP2003241177A (en) | 2003-08-27 |
Family
ID=27778937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002037292A Pending JP2003241177A (en) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | Manufacturing method for electrode substrate of color liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003241177A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005048353A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display device |
JP2005244197A (en) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display, manufacturing method thereof, and television device |
JP2006119563A (en) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Display device capable of adjusting height of display panel |
JP2008091564A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8247965B2 (en) | 2003-11-14 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting display device and method for manufacturing the same |
-
2002
- 2002-02-14 JP JP2002037292A patent/JP2003241177A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005048353A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display device |
US7439086B2 (en) | 2003-11-14 | 2008-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display device |
US8247965B2 (en) | 2003-11-14 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting display device and method for manufacturing the same |
JP2005244197A (en) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display, manufacturing method thereof, and television device |
JP2006119563A (en) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Display device capable of adjusting height of display panel |
JP2008091564A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic semiconductor device and manufacturing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3529306B2 (en) | Color filter and manufacturing method thereof | |
JP3343811B2 (en) | Manufacturing method of color filter | |
KR100687835B1 (en) | Color filter and its manufacturing method | |
JP3381146B2 (en) | Color filter and method of manufacturing the same | |
JP4365489B2 (en) | Color filter and manufacturing method thereof | |
JP2002107528A (en) | Method for manufacturing color filter | |
JP2002040231A (en) | Color filter and method of manufacturing the same | |
JP2003241177A (en) | Manufacturing method for electrode substrate of color liquid crystal display device | |
JP4381129B2 (en) | Color filter and manufacturing method thereof | |
JP2001272526A (en) | Color filter and its manufacturing method | |
JP3395841B2 (en) | Color filter and manufacturing method thereof | |
JP4533489B2 (en) | Image display medium and manufacturing method thereof | |
JP3819205B2 (en) | Method for producing pattern forming body | |
JP4188007B2 (en) | Manufacturing method of color filter | |
JP4515699B2 (en) | Manufacturing method of color filter | |
JP2000221489A (en) | Manufacture of electrode substrate for color liquid crystal display device and electrode substrate | |
JP4629370B2 (en) | Color filter and manufacturing method thereof | |
JP2005249881A (en) | Color filter | |
JP4401213B2 (en) | Color filter | |
JP2002040230A (en) | Color filter and manufacturing method thereof | |
JP4985829B2 (en) | Manufacturing method of color filter | |
KR20000047958A (en) | Color filter and process for producing the same | |
JP2004245972A (en) | Color filter and method of manufacturing color filter | |
JP2004102255A (en) | Color filter | |
JP2002174717A (en) | Method for manufacturing color filter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070606 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071009 |