JP2003229462A

JP2003229462A - 回路パターンの検査装置

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Publication number: JP2003229462A
Application number: JP2002026643A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiko Nara; 安彦奈良; Hiroshi Onuma; 浩大沼; Koichi Hayakawa; 功一早川; Takashi Hiroi; 高志広井
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2002-02-04
Filing date: 2002-02-04
Publication date: 2003-08-15
Anticipated expiration: 2022-02-04
Also published as: JP3836735B2

Abstract

(57)【要約】【課題】レシピの作成、画像の比較表示、検査領域の設
定などを使い勝手よく、かつ迅速に行う回路パターンの
検査装置を提供する。【解決手段】回路パターンの検査装置１は、作成したレ
シピを複数のウェーハに適用して検査を実施する場合
に、ウェーハを入れたカセットのグラフィックな画面表
示上で、カセットの棚番から他の棚番に対してレシピの
複写を行なう。また、他の検査装置で検査された欠陥情
報ファイルを読み込み、その内容から当該検査装置用の
レシピを生成する。さらに、検査後の結果をマージした
り、各ダイ、各ショットの重ね合わせた結果から検査不
要エリアを画面のグラフィックを使用して指定すること
により新たな検査エリアを作成、変更する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置やフォト
マスクのパターン検査技術に係わり、電子線を使用して
比較検査する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハ上のパターンに存在する
欠陥を検査する方法としては、半導体ウェーハに白色光
を照射し、光学画像を用いて複数のＬＳＩの同種の回路
パターンを比較する欠陥検査装置が実用化されている。
検査方式の概要は「月間セミコンダクタワールド」１９
９５年８月号ｐｐ９６−９９に記述されている。

【０００３】このような光学式の検査方式で製造過程に
おける半導体ウェーハを検査した場合、光が透過してし
まうシリコン酸化膜や感光性フォトレジスト材料を表面
に有するパターンの残渣や欠陥が検出できなかった。ま
た、光学系の分解能以下となるエッチング残りや微小導
通穴の非開口不良は検出できなかった。さらに、配線パ
ターンの段差底部に発生した欠陥も検出できなかった。

【０００４】近年、回路パターンの微細化や回路パター
ン形状の複雑化，材料の多様化に伴い、光学画像による
欠陥検出が困難になってきたため、光学画像よりも分解
能の高い電子線画像を用いて回路パターンを比較検査す
る方法が提案されている。電子線画像により回路パター
ンを比較検査する場合に、実用的な検査時間を得るため
には、走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscop
y、以下SEMと略す）による観察と比べて非常に高速に画
像を取得する必要がある。そして、高速で取得した画像
の分解能と画像のＳＮ比を確保する必要がある。

【０００５】電子線を用いたパターンの比較検査装置と
して、J.Vac.Sci.Tech.B,Vol.9，No.6,pp．3005−3009
(1991)、J.Vac.Sci.Tech.B,Vol.10，No.6,pp.2804−280
8(1992)、特開平5−258703号公報およびUSP5,502,306が
ある。ここには、通常のＳＥＭの１００倍以上（１０ｎ
Ａ以上）の電子線電流をもった電子線を導電性基板に照
射し、二次電子・反射電子・透過電子のいずれかを検出
し、その信号から形成された画像を比較検査する欠陥の
自動検出方法が開示されている。

【０００６】絶縁物を有する回路基板を電子線で検査あ
るいは観察する方法としては、特開昭59−155941号公報
および「電子，イオンビームハンドブック」（日刊工業
新聞社）pp６２２−６２３がある。帯電の影響を少なく
するために、２ｋｅＶ以下の低加速電子線照射により安
定な画像を取得する方法が開示されている。さらに、特
開平2−15546号公報には半導体基板の裏からイオンを照
射する方法、特開平6−338280号公報には光を半導体基
板の表面に照射することにより、絶縁物への帯電を打ち
消す方法が開示されている。

【０００７】大電流で、かつ低加速の電子線では、空間
電荷効果により高分解能な画像を得ることが困難とな
る。これを解決する方法として、特開平5−258703号公
報に、試料直前で高加速電子線を減速し、試料上で実質
的に低加速電子線として照射する方法が開示されてい
る。

【０００８】また、高速に電子線画像を取得する方法と
しては、試料台を連続的に移動しながら試料台上の半導
体ウェーハに電子線を連続照射し取得する方法が特開昭
59−160948号および特開平5−258703号公報に開示され
ている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の検査装
置にあっては、ウェーハ外観検査装置の画面機能が充分
に考慮されていなかった。この点を改善した特開2000−
193594号公報（以下、引用公知例と呼ぶ）には、操作画
面表示方法や操作画面を用いた検査や検査条件設定方法
などが記述され、短時間で効率よく検査するための条件
設定を実行できる技術が示されている。

【００１０】本発明の目的は、上記引用公知例で考慮さ
れていないレシピの複写や、他半導体装置のレシピの利
用や、欠陥画像の表示方法や、検査領域の指定などにつ
いて、画面機能の改良を進めたもので、使い勝手のよい
回路パターンの検査装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、ウェーハの回路パターンが形成された基板表面に
光、レーザ光または荷電粒子線を照射する照射手段と、
該照射によって基板から発生する信号を検出する検出手
段と、該検出手段によって検出された信号を画像化して
記憶する記憶手段と、該記憶された画像を同一の回路パ
ターンから形成された参照画像と比較する比較手段と、
比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する判別手段
を備えた回路パターンの検査装置において、既に作成し
たレシピにより複数のウェーハに対して検査を実施する
場合に、ウェーハを入れたカセットの棚番を示す画面上
で、ある棚番から他の棚番に対してレシピの複写、移動
または削除を行う画面操作部を設けたことを特徴とす
る。

【００１２】また、本発明の回路パターンの検査装置
は、レシピを作成するレシピ作成機能と、他によって検
査された欠陥情報ファイルを読み込み、そのウェーハの
マトリクス情報や、検査エリアの情報、アライメント位
置の情報を当該検査装置用にデータ変換する変換機能を
有する画面操作部を設け、変換したデータを前記レシピ
作成機能に入力して当該検査装置用の新規なレシピを作
成することを特徴とする。

【００１３】また、欠陥の画像と比較対照となった正常
部の画像を同一表示装置に表示する画面操作部を設けた
ことを特徴とする。前記画面操作部は欠陥と正常部の画
像を同時に表示する。または、前記欠陥の画像と前記正
常部の画像を予め設定した時間間隔で交互に表示する。

【００１４】また、電子線が試料に照射される画像の角
度を変えるために、電子線または試料台の角度を変化さ
せる角度可変手段と、前記角度を変えて取得した２枚以
上の画像を、同時に同一表示装置に表示することで欠陥
画像の立体表示を行う画像表示部を設けたことを特徴と
する。

【００１５】また、検査時の画像の明るさを決定するた
めに、取得した画像の明るさのヒストグラムを表示さ
せ、そのヒストグラムデータの明るさを変化させる画面
操作部を設けたことを特徴とする。

【００１６】また、検査結果を各ダイまたは各ショット
について重ね合わせ、その欠陥分布から重複するエリア
を検査不要エリアとして指定する画面操作部を設けたこ
とを特徴とする。

【００１７】また、ダイ領域とセル領域をダイ比較にて
検査を実施する場合に、セル領域の周辺を検査不要エリ
アとして除外する画面操作部を設けたことを特徴とす
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明による回路パターン
の検査装置の実施例について、図面を参照しながら詳細
に説明する。本実施例では、レジストパターン，ＣＯＮ
Ｔ系開口パターン，エッチング後Fineパターン（拡散
系），エッチング後Fineパターン（配線系）などの欠陥
を対象としている。

【００１９】図１に、回路パターン検査装置の構成を示
す。回路パターン検査装置１は、室内が真空排気される
検査室２と、検査室２内に被検査基板９を搬送するため
の予備室（本実施例では図示せず）を備えており、この
予備室は検査室２とは独立して真空排気できるように構
成されている。また、回路パターン検査装置１は上記検
査室２と予備室の他に、制御部５及び画像操作部６から
構成されている。

【００２０】検査室２は大別して、電子光学系３，二次
電子検出部７，試料室８，光学顕微鏡部４から構成され
ている。電子光学系３は、電子銃１０，電子線引き出し
電極１１，コンデンサレンズ１２，ブランキング偏向器
１３，走査偏向器１５，絞り１４，対物レンズ１６，反
射板１７，ＥｘＢ偏向器１８から構成され、照射手段を
形成している。二次電子検出部７のうち、二次電子検出
器２０が検査室２内の対物レンズ１６の上方に配置され
ている。二次電子検出器２０の出力信号は、検査室２の
外に設置されたプリアンプ２１で増幅され、ＡＤ変換器
２２によりデジタルデータとなる。試料室８は、試料台
３０，Ｘステージ３１，Ｙステージ３２，回転ステージ
３３，位置モニタ測長器３４，被検査基板高さ測定器３
５から構成されている。

【００２１】光学顕微鏡部４は光源４０，光学レンズ４
１，ＣＣＤカメラ４２により構成され、検査室２の室内
における電子光学系３の近傍であって、互いに影響を及
ぼさない程度離れた位置に設備されており、電子光学系
３と光学顕微鏡部４の間の距離は既知である。

【００２２】Ｘステージ３１またはＹステージ３２は、
電子光学系３と光学顕微鏡部４の間の既知の距離を往復
移動できるようになっている。また、回転ステージ３３
あるいは試料台は、その任意の側を傾けて、電子線１９
が試料９に照射される角度を可変できるように構成され
てもよい。

【００２３】制御部５は、全体制御部４９と以下の装置
から構成される。二次電子検出部７からのアナログ信号
をディジタル信号に変換して記憶する記憶手段４５、記
憶されたディジタル信号を処理する画像処理回路４６、
画像処理回路４６の処理パラメータを設定する検査条件
設定部４８、画像処理回路４６の処理結果である欠陥情
報を保持する欠陥データバッファ４７を持つ。

【００２４】画像操作部６は、第１画像記憶部５１、第
２画像記憶部５２、比較演算部５３、欠陥判定処理部５
４を有し、画像表示部５６により電子線画像や欠陥画像
などを任意に選択して表示させる。また、試料の位置の
表示と移動指示をするマップ表示部５５、画像取得指示
部５７、画像処理指示部５８及び処理条件設定部５９を
備えている。さらに、操作内容によりモードを分けるた
めのモード切替部６０を有している。

【００２５】装置各部の動作命令や動作条件は、制御部
５から入出力される。制御部５では、予め電子線発生時
の加速電圧、電子線偏向幅、偏向速度、二次電子検出部
の信号取り込みタイミング、試料台移動速度等々の条件
が目的に応じて設定できるように入力されている。

【００２６】制御部５は補正制御回路６１を用いて、位
置モニタ測長器３４、検査基板高さ測定器３５の信号か
ら位置や高さのずれをモニタし、その結果より補正信号
を生成し、電子線が常に正しい位置に照射されるように
対物レンズ電源４４や走査信号発生器４３に補正信号を
送る。

【００２７】被検査基板９の画像を取得するためには、
細く絞った一次電子線１９を該被検査基板９に照射し、
二次電子５１を発生させ、これらを一次電子線１９の走
査およびステージ３１，３２の移動と同期して検出する
ことで被検査基板９表面の画像を得る。

【００２８】上述したように、本発明の自動検査では検
査速度が速いことが必須となる。従って、通常のＳＥＭ
のようにｐＡオーダーの電子線電流の電子線を低速で走
査したり、多数回の走査や各々の画像の重ね合せは行わ
ない。また、絶縁材料への帯電を抑制するためにも、電
子線走査は高速で一回あるいは数回程度にする必要があ
る。

【００２９】本実施例では、通常ＳＥＭに比べ約１００
倍以上、例えば１００ｎＡの大電流電子線を一回のみ走
査することにより画像を形成する構成とした。走査幅は
１００μｍとし、１画素は０．１μｍ²とし、１回の走
査を１μｓで行うようにした。

【００３０】電子銃１０には拡散補給型の熱電界放出電
子源が使用されている。この電子銃１０を用いることに
より、従来のタングステン（Ｗ）フィラメント電子源
や、冷電界放出型電子源に比べて、安定した電子線電流
を確保することができるため、明るさ変動の少ない電子
線画像が得られる。また、この電子銃１０により電子線
電流を大きく設定できるので、高速検査が実現できる。

【００３１】一次電子線１９は、電子銃１０と引き出し
電極１１との間に電圧を印加することで、電子銃１０か
ら引き出される。一次電子線１９の加速は、電子銃１０
に高電圧の負の電位を印加することでなされる。一次電
子線１９はその電位に相当するエネルギーで試料台３０
の方向に進み、コンデンサレンズ１２で収束され、さら
に対物レンズ１６により細く絞られて試料台３０上のＸ
−Ｙステージ３１，３２の上に搭載された被検査基板９
に照射される。被検査基板９は半導体ウェーハ，チップ
あるいは液晶，マスク等微細回路パターンを有する基板
等である。なお、ブランキング偏向器１３には、走査信
号およびブランキング信号を発生する走査信号発生器４
３が接続され、コンデンサレンズ１２および対物レンズ
１６には、各々レンズ電源４４が接続されている。

【００３２】被検査基板９には、リターディング電源３
６により負の電圧が印加される。このリターディング電
源３６の電圧を調節することにより、一次電子線を減速
し、電子銃１０の電位を変えずに被検査基板９への電子
線照射エネルギーを最適な値に調節することができる。
被検査基板９上に一次電子線１９を照射することによっ
て発生した二次電子５１は、被検査基板９に印加された
負の電圧により加速される。

【００３３】被検査基板９の上方に、ＥｘＢ偏向器１８
が配置され、これにより加速された二次電子５１は所定
の方向へ偏向される。ＥｘＢ偏向器１８にかける電圧と
磁界の強度により、偏向量を調整することができる。ま
た、この電磁界は、試料に印加した負の電圧に連動させ
て可変させることができる。ＥｘＢ偏向器１８により偏
向された二次電子５１は、所定の条件で反射板１７に衝
突する。この反射板１７は、試料に照射する電子線（以
下一次電子線と呼ぶ）の偏向器のシールドパイプと一体
で円錐形状をしている。この反射板１７に加速された二
次電子１０１が衝突すると、反射板１７からは数ｅＶ〜
５０ｅＶのエネルギーを持つ第二の二次電子１０２が発
生する。

【００３４】二次電子検出部７は、真空排気された検査
室２内には二次電子検出器２０がある。検査室２の外に
はプリアンプ２１，ＡＤ変換器２２，光変換手段２３，
光伝送手段２４，電気変換手段２５，高圧電源２６，プ
リアンプ駆動電源２７，ＡＤ変換器駆動電源２８，逆バ
イアス電源２９がある。上述したように、二次電子検出
部７のうち、二次電子検出器２０が検査室２内の対物レ
ンズ１６の上方に配置されている。二次電子検出器２
０，プリアンプ２１，ＡＤ変換器２２，光変換手段２
３，プリアンプ駆動電源２７，ＡＤ変換器駆動電源２８
は、高圧電源２６により正の電位にフローティングして
いる。反射板１７に衝突して発生した第二の二次電子５
２は、この吸引電界により二次電子検出器２０へ導かれ
る。

【００３５】二次電子検出器２０は、一次電子線１９が
被検査基板９に照射されている間に発生した二次電子１
０１が、その後加速されて反射板１７に衝突して発生し
た第二の二次電子１０２を、一次電子線１９の走査のタ
イミングと連動して検出するように構成されている。

【００３６】二次電子検出器２０の出力信号は、検査室
２の外に設置されたプリアンプ２１で増幅され、ＡＤ変
換器２２によりデジタルデータとなる。ＡＤ変換器２２
は、二次電子検出器２０が検出したアナログ信号をプリ
アンプ２１によって増幅された後に直ちにデジタル信号
に変換して、制御部５に伝送されるように構成されてい
る。検出したアナログ信号を、検出直後にデジタル化し
てから伝送するので、高速で且つＳＮ比の高い信号を得
ることができる。

【００３７】Ｘ−Ｙステージ３１，３２上には被検査基
板９が搭載されており、検査実行時にはＸ−Ｙステージ
３１，３２を静止させて一次電子線１９を二次元に走査
する。あるいは、検査実行時にＸ−Ｙステージ３１，３
２をＹ方向に連続して一定速度で移動されるようにし
て、一次電子線１９をＸ方向に直線に走査する、いずれ
かを選択できる。ある特定の比較的小さい領域を検査す
る場合には前者のステージを静止させて検査する方法、
比較的広い領域を検査するときは、ステージを連続的に
一定速度で移動して検査する方法が有効である。なお、
一次電子線１９をブランキングする必要がある時には、
ブランキング偏向器１３により一次電子線１９が偏向さ
れて、電子線が絞り１４を通過しないように制御でき
る。

【００３８】位置モニタ測長器３４として、本実施例で
はレーザ干渉による測長計を用いた。Ｘステージ３１お
よびＹステージ３２の位置が実時間でモニタでき、制御
部５０に転送される。また、Ｘステージ３１，Ｙステー
ジ３２、そして回転ステージ３３の各モータの回転数等
のデータも、同様に各々のドライバから制御部５に転送
されるように構成されている。制御部５はこれらのデー
タに基づいて、一次電子線１９が照射されている領域や
位置を正確に把握できる。また、必要に応じて、実時間
で一次電子線１９の照射位置の位置ずれを補正制御回路
６１により補正する。また、被検査基板毎に、電子線を
照射した領域を記憶できるようになっている。

【００３９】被検査基板高さ測定器３５は、電子ビーム
以外の測定方式である光学式測定器、例えばレーザ干渉
測定器や反射光の位置で変化を測定する反射光式測定器
が使用されている。Ｘ−Ｙステージ上３１，３２に搭載
された被検査基板９の高さを実時間で測定するように構
成されている。本実施例では、スリットを通過した細長
い白色光を透明な窓越しに該被検査基板９に照射し、反
射光の位置を位置検出モニタにて検出し、位置の変動か
ら高さの変化量を算出する方式を用いた。

【００４０】この被検査基板高さ測定器３５の測定デー
タに基づいて、一次電子線１９を細く絞るための対物レ
ンズ１６の焦点距離がダイナミックに補正され、常に非
検査領域に焦点が合った一次電子線１９を照射できるよ
うになっている。また、被検査基板９の反りや高さ歪み
を電子線照射前に予め測定しており、そのデータをもと
に対物レンズ１６の検査領域毎の補正条件を設定するよ
うに構成することも可能である。

【００４１】次に、画像操作部６の構成を説明する。二
次電子検出器２０で検出された被検査基板９の画像信号
は、プリアンプ２１で増幅され、ＡＤ変換器２２でデジ
タル化された後に光変換手段２３で光信号に変換され、
光伝送手段２４によって伝送される。電気変換手段２５
にて再び電気信号に変換された後に、制御部５の全体制
御部４９を通じて、画像操作部６の第一画像記憶部５１
あるいは第二画像記憶部５２に記憶される。

【００４２】比較演算部５３は、この記憶された画像信
号をもう一方の記憶部の画像信号との位置合わせ，信号
レベルの規格化，ノイズ信号を除去するための各種画像
処理を施し、双方の画像信号を比較演算する。欠陥判定
部５４は、比較演算部５３にて比較演算された差画像信
号の絶対値を所定のしきい値と比較し、所定のしきい値
よりも差画像信号レベルが大きい場合にその画素を欠陥
候補と判定し、画像表示部５６にその位置や欠陥数等を
表示する。

【００４３】次に、検査時の条件設定のしかたを説明す
る。図２は画像操作部６の画面構成と、検査の初期画面
を示している。本画面には、現在のステージの位置を示
すマップ表示部５５と、光学顕微鏡部４の光顕像が表示
されている画像表示部５６を示している。このマップ表
示部５５をクリックすることで、ステージ３１，３２を
移動して条件を設定する場所を選定する。また、画像操
作部６の画像取得支持部５７をクリックすることで、電
子線１９を被検査基板９に照射し、発生する２次電子を
２次電子検出器２０で検出し、ディジタル信号に変換し
て、記憶手段４５に所定領域のディジタル画像を取得す
る。

【００４４】画像操作部６の処理条件設定部５９で処理
条件を設定し、画像処理指示部５８をクリックする。更
に、制御部５の検査条件設定部４８を設定し、記憶手段
４５に記憶されたディジタル画像を設定条件に基づき、
画像処理回路４６で処理して欠陥を抽出し、欠陥バッフ
ァ４７に記憶する。このように、画像取得した領域をマ
ップ表示部５５で拡大表示し、欠陥の位置を視認させ、
この位置をクリックすることで、欠陥位置の記憶手段４
５上の画像を画像表示部５６に表示する。

【００４５】これら作業を繰り返すことで、検査に好適
な検査条件を探索する。１箇所での条件確認が終了する
と、再びマップ表示部５５を縮小表示し、画像表示部５
６を光顕像に切り替えて条件設定場所を再選択し、画像
取得から条件設定までを繰り返す。

【００４６】次に、本実施例において検査を実行するた
めに必要な各種パラメータについて説明する。パラメー
タには、被検査基板に固有のパラメータや装置の動作条
件を決めるパラメータがある。

【００４７】被検査基板に固有のパラメータは、大きく
２種類に分けられる。一つは、「品種ファイル」と呼ば
れるパラメータで、製造プロセス途中の層によって変わ
らないパラメータである。例えば，ウェーハサイズ，オ
リエンテーションフラットあるいはノッチの形状，半導
体製品の露光ショットサイズ，チップ（ダイ）サイズ，
メモリセル領域，メモリセルの繰り返し単位のサイズ等
である。これらは「品種ファイル」としてテーブル化さ
れている。

【００４８】もう一つは、「工程ファイル」と呼ばれる
パラメータで、製造プロセス途中の層により表面の材料
や形状の状態が異なるので調整を要するパラメータであ
る。例えば、電子線照射条件，検出系の各種ゲイン，欠
陥を検出するための画像処理の条件等で、これらが「工
程ファイル」として登録されている。

【００４９】検査の際には、この「品種ファイル」と
「工程ファイル」を指定することにより、特定の半導体
製品、特定の製造工程に対応した検査条件を呼び出すこ
とができる。本実施例では、「品種ファイル」と「工程
ファイル」をまとめて「レシピ」と呼ぶ。また、これら
の各種パラメータを入力・登録する一連の操作を「レシ
ピ作成」と呼ぶ。

【００５０】以下に、レシピ作成の方法及びそれを実行
する操作画面について説明する。図２の画面は大まかに
５つの領域に分割されている。領域（１）は画面上部に
配置され装置名や装置ＩＤ、レシピ名として品種ファイ
ル名と工程ファイル名などが表示されている。領域
（２）は操作や状態の説明をするガイダンスが表示され
る。

【００５１】画面中央の領域（３）は操作や進行状態に
より表示内容が変わる。画面右側の領域（４）は複数の
画面で共通に必要となる操作ボタンが表示され、「印
刷」、「ファイル保存」、「開始」、「終了」、「画像
保存」などがある。例えば、「ファイル保存」を押す
と、現在作成中のレシピを保存する品種ファイル、工程
ファイルの名前を指定する画面が表示される。また、
「画像保存」を押すと、現在、表示中の画像を画像ファ
イルとして保存するための名称を指定する画面が表示さ
れる。

【００５２】画面下部の操作領域（５）はモード名が表
示され、例えば「検査」を押すと自動検査を実行するモ
ードになり、「レシピ作成」を押すと上記パラメータを
入力するモードになる。

【００５３】図３にレシピ作成モードの処理フローを示
す。図２の初期画面において、「レシピ作成」のモード
を選択すると、モード切替手段６０が機能し、図４に示
すレシピ作成のための画面に切り替わる。この画面で開
始ボタンを押し、カセットの棚番が表示されているの
で、まず棚番を指定する（Ｓ１）。次に、レシピファイ
ルの呼び出しを行い、新規か変更かの品種条件の入力、
ロットID、ウェーハIDの入力を行う（Ｓ２）。

【００５４】この変更とは、ロードする／しないに関わ
らず、レシピ作成条件の変更で、主としてロードしての
変更となる。なお、後述する他装置のレシピは直接入力
できないので、検査結果のファイル（欠陥情報ファイ
ル：このファイル内容は使用者に公開されている）を入
力し、それを変換して、自装置用のレシピを生成し、そ
の不足データを補うためにこのステップで変更する。

【００５５】ここでは、新規作成とし、次に、ウェーハ
カセットを検査装置のローダに設置する（Ｓ３）。その
項目としては、（１）ＯＦまたはノッチを検出し、
（２）試料ホルダ（試料交換室）に保持し、（３）試料
ホルダを検査室ステージに移載する。

【００５６】次に、ステージ基準マークへ移動し、ビー
ムの絶対校正を行う（Ｓ４）。デフォルトレシピファイ
ル条件に基づく校正とし、（１）ビーム照射、（２）偏
向補正，基準座標補正、（３）焦点パラメータ補正を行
う。

【００５７】次に、試料上の指定した位置に電子線を照
射し、試料上の画像コントラストを確認の上で焦点、非
点を再調整する（Ｓ５）。この際、充分なコントラスト
が得られない場合は、電子線照射条件の変更を行う。こ
こで、指定された照射条件、焦点、非点の条件はレシピ
パラメータとして工程ファイルに格納される。

【００５８】電子線照射条件がきまり、コントラストが
確認されたら、当該ウェーハのショット、及びダイ（チ
ップ）のサイズと配列を入力する（Ｓ６）。ショットサ
イズとショットマトリクスを入力し、ショット内ダイの
配列が入力されたら、ウェーハ周辺部のショット、ある
いはダイの有無を指定する。ここで設定されたショット
及びダイ配列はレシピファイル内のパラメータとして格
納される。

【００５９】次に、アライメント条件入力とアライメン
トを実行する（Ｓ７）。（１）アライメントチップ指定
（複数点）し、（２）１チップ目原点へ移動し、（３）
光学顕微鏡モニタ切り替え、（４）１チップ目のアライ
メントマーク位置へマニュアル移動する。（５）光学画
像を登録し、（６）ＳＥＭ像モードに切替え、（７）ア
ライメントマーク位置へマニュアルで微調整し、（８）
ＳＥＭ画像登録、（９）アライメント座標登録を行う。

【００６０】また、アライメント実行の項目として、
（１）１点目移動、（２）画像入力・探索・マッチン
グ、（３）２点目移動、（４）画像入力・探索・マッチ
ング、（５）残点への移動、探索、マッチング、（６）
傾き・位置・チップ間隔補正を行う。

【００６１】また、チップ原点のオフセット設定とし
て、（１）最終点アライメントマークへ移動、（２）ア
ライメントマーク位置指定（ＳＥＭ画像モード）、
（３）１点目チップ原点へ移動、（４）チップ原点位置
指定（ＳＥＭ画像モード）、（５）チップ原点−アライ
メントマークのオフセット算出・登録を行う。チップ原
点のオフセットとは、アライメント座標とそのマークが
在るチップの原点座標との距離である。

【００６２】このように、指定したアライメント用パタ
ーン座標とチップ原点とのオフセット値を入力して、工
程ファイル内のアライメントパラメータとして登録す
る。レシピ作成においては、ウェーハ上の各種処理を実
行する座標を指定するパラメータが多いので、最初にア
ライメント条件を確定、登録して、アライメントまで実
行する。

【００６３】次に、チップ内のメモリセル領域設定を行
う（Ｓ８）。その項目として、（１）セル領域入力、
（２）セルピッチ入力、（３）（１）、(２)の登録があ
る。セル領域の入力は光顕像及び電子線画像を用いて行
われる。

【００６４】次に、ダイ領域設定を行う（Ｓ９）。その
項目として、（１）ダイ領域入力、（２）ダイ非検査領
域入力、（３）（１）、(２)の登録がある。ダイ領域の
入力も光顕像、電子線画像を用いて行われる。

【００６５】次に、検査領域を指定する（Ｓ１０）。検
査領域の指定では、検査ダイ及びダイ内の検査領域の２
種類が指定できる。全ダイを検査する必要のない場合、
また、ダイ内の特定領域のみを検査したい場合には、後
述するように任意に指定できる。さらに、指定した領域
に対して検査サンプリング率を指定できる。また、検査
方向も指定できる。ダイ領域や検査領域のデータは、工
程ファイル内のパラメータとして格納される。

【００６６】検査領域の指定が完了したら、検査時の明
るさを調整するキャリブレーション設定に移る（Ｓ１
１）。キャリブレーションは画像を取得し、その明るさ
の分布より信号量に応じたハードウェアのゲイン調整や
明るさ補正を行うものである。実際には、キャリブレー
ションを行うダイの指定とダイ内の座標を指定して実施
される。キャリブレーションを実施する座標値と、明る
さのゲインと、オフセット値は、工程ファイル内のパラ
メータとして格納される。

【００６７】次に、これまでに設定された各種条件で実
際に画像を取得して、欠陥を検出するための画像処理条
件を設定する（Ｓ１２）。まず、画像を取得する際に、
検出信号にかけるフィルタの種類を選択する。そして、
実際に検査と同条件で１チップ内の小領域の画像を取得
する。ここで、小領域とは、例えば電子線の操作幅であ
る１００μｍの幅で１チップ分の長さの領域を指す。画
像を取得したら、欠陥と判定するための閾値を入力し、
欠陥と判定された箇所の画像を表示させる。これを繰り
返して、最適な検査条件を決定する。この一連の作業を
「小領域試し検査」と呼ぶ。ここで設定された閾値やフ
ァイル等のパラメータは、工程内ファイルのパラメータ
として格納される。

【００６８】以上の各種入力により、検査に必要な各種
パラメータを設定することができる。しかし、実際の半
導体ウェーハにおいては、ウェーハ面内や製造ロット間
のプロセスのばらつきがあるので、小領域試し検査での
画像処理条件設定では不十分であり、これらばらつき分
を考慮して欠陥判定の閾値を決める必要がある。

【００６９】そこで、作成したレシピファイルで最終検
査を行う（Ｓ１３）。すなわち、（１）ステージ定速連
続移動，位置・高さのモニタし、（２）ビーム走査，実
時間補正（ステージ・Ｚセンサ追従）し、（３）２次電
子検出，ＡＤ変換，画像メモリ入力し、（４）画像処
理，比較判定し、（５）Ｎストライプ毎にビーム補正
し、（６）欠陥数・欠陥位置表示を行う。

【００７０】モニタの結果により、欠陥検出レベルや誤
検出レベルを確認し（Ｓ１４）、最終的に適切な条件で
あれば、これまで入力した各種パラメータを、品種ファ
イルと工程ファイルの中に登録する（Ｓ１５）。最後
に、ウェーハのアンロードを行う（Ｓ１６）。

【００７１】次に、本実施例の検査装置の検査モードを
説明する。図５に検査モードの処理フローを示す。図２
の画面で「検査」を選択すると検査モードが起動する。
まず、レシピ作成モードで設定された検査条件を入力す
る（Ｓ２１）。次に、検査対象基板をロードし（Ｓ２
２）、基板の配置を測定するアライメント（Ｓ２３）を
行った後、基板の検出光量を確認するキャリブレーショ
ンを実行し（Ｓ２４）、画像の取得と画像処理による欠
陥抽出をするストライプ検査を行う（Ｓ２５）。次に、
ストライプ検査で抽出された欠陥を確認し（Ｓ２６）、
欠陥情報と確認結果を出力して（Ｓ２７）、検査が終わ
った基板をアンロードする（Ｓ２８）。

【００７２】次に、上記の「検査」で、本実施例により
改良された点を説明する。従来の検査装置では、レシピ
を複数のウェーハの検査に適用する場合に、カセットの
棚番を表示した画面とは別の画面を用いて棚番を指定す
るため、棚番画面上でレシピの複写や移動ができなかっ
た。レシピを誤って設定した場合、その訂正は煩雑であ
った。

【００７３】図６は本実施例の「検査」モードの初期画
面で、棚番６２に対し設定されたレシピ名称が表示され
ている。この画面上で検査するウェーハの棚番を指定
し、レシピファイルの呼び出しを行い、品種条件６５の
入力を行う。また、ロットID、ウェーハIDの入力を行
う。いま、棚番６２をクリックすると、ドラッグのため
の矢印６４が現れ、ドラッグ先の棚番６３に棚番６２と
同じレシピが複写される。同様にして、棚番画面上で、
レシピの移動や削除も可能である。

【００７４】本実施例では、既に作成したレシピを複数
のウェーハ対して検査を実施する場合に、ウェーハを入
れたカセットの棚番画面上で、レシピを複写、移動、あ
るいは削除できる。ユーザはレシピデータの移動を視覚
的に確認できるため、操作が簡単で、レシピを異なる棚
番に誤設定する恐れもない。

【００７５】また、本実施例では他の検査装置による検
査結果ファイルを利用可能にしている。図７は、他の検
査装置による検査結果ファイルの例を示している。レシ
ピ名称、ダイサイズ、ダイマトリックスなど、データの
多くは当該検査装置においても使用する共通なデータが
含まれている。

【００７６】このように、他装置で発生（検査）した結
果のファイル（欠陥情報ファイル）は、共通するルール
のもとに生成されているので、それを読み込んで自装置
用のレシピファイルを生成する。

【００７７】図８に、他の検査装置による欠陥情報ファ
イルを読み込んで、画面上でレシピ作成を行う処理フロ
ーを示す。他の検査装置による結果ファイル（欠陥情報
ファイル）をネットワークや記録媒体を利用して当該装
置に読み込む（Ｓ３０）。読み込んだファイルを図６に
示すような、例えば＜ダイサイズ＞ようなタグ名称をキ
ーにしてデータを解析する。それを、他のタグ名称につ
いても繰り返す（Ｓ３１）。

【００７８】タグ名称をキーにして読み込んだデータを
当該装置用にデータ変換する（Ｓ３２）。例えば、単位
変換などを行う。これらのデータはレシピファイル内の
データであり、ウェーハのマトリクス情報や、検査エリ
アの情報、アライメント位置等の情報である。その内容
を、ウェーハマトリクス情報としてウェーハ表示画面に
表示したり、サイズデータ等を画面に表示させる（Ｓ３
３）。ユーザは、その内容を確認した上で、その内容か
ら新規のレシピを当該検査装置用として生成する（Ｓ３
４）。

【００７９】これにより、ユーザは他からの欠陥情報フ
ァイルを当該装置用に変換して新レシピを作成すること
ができるので、従来のようにレシピ作成作業を最初から
繰り返す必要がなく、レシピ作成作業を短縮することが
できる。

【００８０】上記の検査モードにおいて、欠陥と判別し
た位置とその比較対象の位置（良品部）を交互に表示さ
せたのでは、欠陥部と良品部の違いが明確にならない場
合がある。本実施例では、欠陥の画像と比較対照となっ
た正常部の画像を一定時間間隔にて交互に表示すること
で欠陥部のみを強調表示する。

【００８１】図９に検査結果画面を示す。マップ表示部
５５に欠陥の位置、画像表示部５６にその位置の欠陥画
像が表示されている。この画面の検査条件の設定部に隣
接表示部７０が設けられている。隣接表示部７０の拡大
図に示すように、隣接する２つの画像の画像名と表示イ
ンターバルの設定が行われる。この結果、画像表示部５
６に表示される２つの画像の画面が交番的に切り替わ
り、残像効果により欠陥部のみが強調されて見える。

【００８２】この画像の切り替えは、図１の記憶手段４
５、全体制御４９を利用して行なわれる。残像効果を生
むためには、一定間隔で自動的に表示される画像は少な
くても２枚以上である。これにより、欠陥部と良品部の
違いが明確になるのみならず、ユーザ操作の煩雑さも減
少する。

【００８３】ここで、交互に表示される２つの画像は、
異なるダイの同一位置の画像であるが、同一ダイの同一
位置で取得時間の異なる画像であってもよい。これによ
り、欠陥を多角的な表示により強調表示できる。

【００８４】欠陥画像を見やすくするための他の実施例
を説明する。この例においては、欠陥の画像と比較対照
となった正常部の画像を同時に同一表示装置上に少なく
とも２枚以上表示する操作画面を有している。

【００８５】図１０に検査結果画面の一例を示す。画面
上では、分割表示された画像８１の表示、表示マトリク
ス８２の変更が可能である。また、表示ページの指定ボ
タン８３、画像の属性表示８４、ポジ／ネガの反転ボタ
ン８５なども表示されている。

【００８６】この画面上で、同時に表示される画像には
欠陥番号、欠陥分類コード、座標データなどの付属デー
タが表示される。また、表示画像は、欠陥画像に限ら
ず、他装置で取得された画像等も含まれる。表示される
画像のマトリクスは、ユーザが変更可能であり、一つの
複数画面表示を一つのタブにすることで、より多くの画
像をタブ切り替えで表示することができる。また、同時
に表示される画像は、表示画面内での複写、移動、削除
が可能である。

【００８７】これにより、欠陥と正常の画像を同時に同
一画面上で比較することができるので、欠陥の判定が容
易で、操作性も改善できる。なお、欠陥の画像に限ら
ず、同一ダイ内の複数画像、ウェーハ内の複数画像、他
装置の複数画像等を同時に同一画面上に表示して比較す
ることも可能である。

【００８８】欠陥画像を表示する更に他の実施例を説明
する。従来の検査装置においては、欠陥部の立体感を表
示することができなかった。本実施例においては、欠陥
部の立体表示を実現している。

【００８９】図１１は、ステレオ画像表示部を有する検
査画面である。欠陥の画像を電子線が試料に照射される
画像取得角度を変化させて２枚以上取得し、その画像９
１，９２をステレオ表示ボタン部９３を設定して、同時
に画像表示部５６に表示することで、欠陥画像の立体視
を実現している。立体視が可能になることで、今までの
二次元画像では判らなかった深さ方向の欠陥を表示する
ことができる。

【００９０】電子線が試料に照射される角度を変化させ
て取得される画像は、電子線の角度を変化させる場合
と、試料が固定されている台を傾けて取得される場合が
ある。電子線照射の角度を変更させる場合は、試料９の
位置をステージ３１，３２の移動によりビーム照射中心
から故意に位置をずらし、ビームの偏向制御（図１参
照）によりビームが傾いた状態にて画像を取得する。こ
の操作を、角度を変えて行うことにより、異なるビーム
角度の画像を取得する。また、試料が固定されている試
料台の傾きを変更させても同様な結果が得られる。

【００９１】次に、本実施例のキャリブレーションの方
法を説明する。従来の検査装置においては、検査時の画
像の明るさを決定する場合に元の画像の明るさに対し
て、どのような補正をして画像の明るさを変更させた
か、視覚的に不明であった。そのため、ユーザが適切と
判断した明るさが、その他の工程のレシピ作成時に同じ
明るさ補正をしているかどうか判らず、一貫した検査が
できなかった。

【００９２】図１２は、本実施例による画像の明るさを
決定するためのキャリブレーション画面を示す。キャリ
ブレーションは、二次電子検出器２０の信号を制御部５
を介して取得した画面操作部６で行われる。このキャリ
ブレーション画面において、ウェーハの検査領域におけ
る画像の明るさが決定される。図示のキャリブレーショ
ン９４を選択すると、「ヒストグラム」のボタン９５が
表示される。

【００９３】図１３は、キャリブレーション画面でヒス
トグラムボタン９５を押したときに表示されるヒストグ
ラム画面である。ウェーハの検査領域における画像の明
るさをヒストグラムにて表示したもので、明るさレベ
ル、コントラストレベルの変更が可能な操作領域（スラ
イダ操作）と、現在の明るさとコントラストを表示する
テキストエリアを有している。

【００９４】これによれば、取得した画像の明るさのヒ
ストグラムを表示させ、そのヒストグラムデータに対す
る明るさを変化させるので、実際の検査時の画像の明る
さに対してどのような補正をしたかが視覚的に判り、明
るさ決定の一貫性が保てるようになる。また、ユーザは
任意に明るさのデータを設定できる。これらの設定はレ
シピファイルに保存され、次回の検査時に使用される。
なお、本例のキャリブレーションは、「レシピ作成」モ
ードによる場合である。

【００９５】次に、検査領域の設定において、特定の領
域を非検査領域に設定する実施例を説明する。検査結果
には欠陥と判別してほしくない欠陥情報が現れることが
多々ある。これらの欠陥情報は製造工程に依存して、ダ
イ内（又はショット内）の特定の領域に発生することが
多い。

【００９６】本実施例では、欠陥座標を使用して欠陥マ
ップを重ね合わせ、欠陥の重複する領域を特定領域に指
定する。すなわち、画像操作部６で特定領域を計算し、
制御部５に設定される。重複する欠陥情報はダイ内（又
はショット内）の特定領域に集中し、同様な性状で現れ
ることで判別できる。

【００９７】図１４は非検査領域の指定フローチャー
ト、図１５はその説明図を示す。まず、欠陥マップをダ
イまたはショットで重ね合わせ（Ｓ４１）、重複する欠
陥群を拡大し（Ｓ４２）、該領域を非検査領域として指
定する（Ｓ４３）。その後、再検査を実施して（Ｓ４
４）、非検査領域の指定を含むレシピを保存する（Ｓ４
５）。

【００９８】これにより、ユーザにとって、欠陥として
判別したくない欠陥情報を予め除外するように、検査す
るエリアを設定または変更することが可能になる。な
お、本実施例も、「レシピ作成」モードの場合である。

【００９９】図１６は他の実施例による非検査エリアの
指定方法を示す。この検査では、欠陥の種別ごとに分類
コードを定めておき、特定の欠陥、たとえば欠陥の周辺
に擬似信号の出るような欠陥に適用する。このような特
定の欠陥は、例えば、ユーザにとっては非致命な欠陥に
対して適用する。そのような欠陥は、ユーザにとっては
検出しなくても良い欠陥である。

【０１００】まず、欠陥の分類コードを指定し（Ｓ５
１）、指定された分類の欠陥に対する検索を行う（Ｓ５
２）。次に、指定された欠陥の周辺エリアを非検査領域
に指定する（Ｓ５３）。その後、再検査を実施し、レシ
ピに保存する。本実施例も、「レシピ作成」モードの場
合である。

【０１０１】図１７は、ユーザが直接、座標を指定した
り、欠陥面積、欠陥サイズを指定することにより、その
条件に合致する欠陥の回りを非検査エリアに設定する処
理フローを示している。

【０１０２】まず、欠陥画像に面積、サイズ、座標また
はクラスタなどによりフィルタをかけ（Ｓ６１）、指定
された欠陥の検索を行う（Ｓ６２）。そして、指定され
た欠陥の周辺エリアを非検査領域に指定する（Ｓ６
３）。本実施例も、「レシピ作成」モードの場合であ
る。

【０１０３】たとえば、メモリの周辺部が製造工程の状
況により明るさが変化していることがよくある。このメ
モリ周辺の画像明るさの変化はダイとダイの比較をする
ダイ比較検査においては、欠陥の虚報として検出される
場合が多い。本実施例によれば、ダイ領域とセル領域
（メモリ部）をダイ比較検査にて検査を実施する場合
に、図１８に示すように、セル領域の周辺を座標指定に
より検査から除外して検査することができるので、セル
領域周辺の明るさの変化を欠陥として判別しなくなる。
このようなセル領域の設定は「ＳＥＭ」画像によるばか
りでなく「光顕」画像あるいはレーザ光画像についても
適用可能である。

【０１０４】

【発明の効果】本発明によれば、チップ検査，ウェーハ
抜き取り検査等を画面を見ながら迅速に処理できるの
で、製品全体に及ぶ欠陥あるいは特定領域における欠陥
を迅速に検知することができる。また、プロセス条件の
変動を確実に検知し、プロセスにフィードバックすると
同時に差工数や払い出し予算の調整にフィードバックす
ることができる。

【０１０５】本発明の検査装置を基板製品プロセスへ適
用することにより、製品装置や条件等の異常を画面を参
照することによって早期に且つ高精度に発見することが
できるため、基板製造プロセスにいち早く異常対策処理
を溝ずることができる。その結果、半導体装置その他の
基板の不良率を低減し生産性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による回路パターン検査装置
の構成図。

【図２】モニタ部を説明する図。

【図３】一実施例によるレシピの作成処理を示すフロー
図。

【図４】レシピ作成画面を示す説明図。

【図５】一実施例の検査モードを示す処理フロー図。

【図６】検査モードの初期画面で、レシピの複写を説明
する説明図。

【図７】他装置の結果ファイルの内容を示す説明図。

【図８】他装置の結果ファイルに基づくレシピの変換を
示す処理フロー図。

【図９】欠陥画像の隣接表示を説明する説明図。

【図１０】欠陥画像の同時表時を説明する説明図。

【図１１】欠陥画像の立体視表示を説明する説明図。

【図１２】検査時の明るさをヒストグラムを利用して決
定するための説明図。

【図１３】ヒストグラムの説明図。

【図１４】検査結果データを利用して新たな非検査領域
を作成する処理フロー図。

【図１５】重ね合わせを利用して新たな非検査領域を作
成する説明図。

【図１６】分類コードを利用して新たな非検査領域を作
成する処理フロー図。

【図１７】フィルターを利用して新たな非検査領域を作
成する処理フロー図。

【図１８】セル領域の周辺を非検査領域にする説明図。

【符号の説明】

１…回路パターン検査装置、２…検査室、３…電子光学
系、４…光学顕微鏡部、５…制御部、６…画像操作部、
７…二次電子検出部、８…試料室、９…被検査基板、１
０…電子銃、１１…引き出し電極、１２…コンデンサレ
ンズ、１３…ブランキング偏向器、１４…絞り、１５…
走査偏向器、１６…対物レンズ、１７…反射板、１８…
ＥｘＢ偏向器、１９…一次電子線、２０…二次電子検出
器、２１…プリアンプ、２２…ＡＤ変換機、２３…光変
換手段、２４…光伝送手段、２５…電気変換手段、２６
…高圧電源、２７…プリアンプ駆動電源、２８…ＡＤ変
換器駆動電源、２９…逆バイアス電源、３０…試料台、
３１…Ｘステージ、３２…Ｙステージ、３３…回転ステ
ージ、３４…位置モニタ測長器、３５…被検査基板高さ
測定器、３６…リターディング電源、４０…白色光源、
４１…光学レンズ、４２…ＣＣＤカメラ、４３…走査信
号発生器、４４…対物レンズ電源、４５…記憶手段、４
６…画像処理回路、４７…欠陥データバッファ、４９…
全体制御部、５１…第一画像記憶部、５２…第二画像記
憶部、５３…演算部、５４…欠陥判定部、５５…マップ
表示部、５６…画像表示部、６０…モード切替部、６１
…補正制御回路。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０６Ｔ 7/00 ３００Ｇ０６Ｔ 7/00 ３００Ｆ５Ｌ０９６Ｈ０１Ｊ 37/22 ５０２Ｈ０１Ｊ 37/22 ５０２Ａ５０２Ｄ 37/28 37/28 Ｂ (72)発明者早川功一茨城県ひたちなか市大字市毛882番地株式会社日立ハイテクノロジーズ設計・製造統括本部那珂事業所内 (72)発明者広井高志神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA07 CA03 FA02 FA06 GA06 HA07 HA09 HA12 HA13 HA20 JA02 JA03 JA12 JA13 JA20 KA03 LA11 MA05 PA11 PA12 2G051 AA51 AB02 AC21 CA04 EA12 EA14 FA01 4M106 AA01 BA02 BA04 BA05 CA43 DB20 DJ18 DJ21 5B057 AA03 BA02 CA12 CA16 DA03 DB02 DC33 5C033 UU06 5L096 BA03 GA08 HA07 JA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェーハの回路パターンが形成された基
板表面に光、レーザ光または荷電粒子線を照射する照射
手段と、該照射によって基板から発生する信号を検出す
る検出手段と、該検出手段によって検出された信号を画
像化して記憶する記憶手段と、該記憶された画像を他の
同一の回路パターンから形成された画像と比較する比較
手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する
判別手段を備えた回路パターンの検査装置において、既に作成したレシピにより複数のウェーハに対して検査
を実施する場合に、ウェーハを入れたカセットの棚番を
示す画面上で、ある棚番から他の棚番に対してレシピの
複写、移動または削除を行う画面操作部を備えたことを
特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項２】ウェーハの回路パターンが形成された基
板表面に光、レーザ光または荷電粒子線を照射する照射
手段と、該照射によって基板から発生する信号を検出す
る検出手段と、該検出手段によって検出された信号を画
像化して記憶する記憶手段と、該記憶された画像を他の
同一の回路パターンから形成された画像と比較する比較
手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する
判別手段を備えた回路パターンの検査装置において、品種パラメータと工程パラメータを含み、回路パターン
の検査に必要なレシピを作成するレシピ作成機能と、他
によって検査された欠陥情報ファイルを読み込み、その
ウェーハのマトリクス情報、検査エリアの情報及びアラ
イメント位置の情報を当該検査装置用にデータ変換する
変換機能を有する画面操作部を備え、変換したデータを前記レシピ作成機能に入力して当該検
査装置用の新規なレシピを作成することを特徴とする回
路パターンの検査装置。
【請求項３】ウェーハの回路パターンが形成された基
板表面に光、レーザ光または荷電粒子線を照射する照射
手段と、該照射によって基板から発生する信号を検出す
る検出手段と、該検出手段によって検出された信号を画
像化して記憶する記憶手段と、該記憶された画像を他の
同一の回路パターンから形成された画像と比較する比較
手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する
判別手段を備えた回路パターンの検査装置において、欠陥の画像と比較対照となった正常部の画像を同一表示
装置に表示する画面操作部を備えたことを特徴とする回
路パターンの検査装置。
【請求項４】請求項３において、前記欠陥の画像と前記正常部の画像を予め定めた時間間
隔で交互に表示することを特徴とする回路パターンの検
査装置。
【請求項５】ウェーハの回路パターンが形成された基
板表面に光、レーザ光または荷電粒子線を照射する照射
手段と、該照射によって基板から発生する信号を検出す
る検出手段と、該検出手段によって検出された信号を画
像化して記憶する記憶手段と、該記憶された画像を他の
同一の回路パターンから形成された画像と比較する比較
手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する
判別手段を備えた回路パターンの検査装置において、電子線が試料に照射される画像の角度を変えるために、
電子線または試料台の角度を変化させる角度可変手段
と、前記角度を変えて取得した２枚以上の画像を、同時に同
一表示装置に表示することで欠陥画像の立体表示を行う
画像表示部を有することを特徴とする回路パターンの検
査装置。
【請求項６】ウェーハの回路パターンが形成された基
板表面に光、レーザ光または荷電粒子線を照射する照射
手段と、該照射によって基板から発生する信号を検出す
る検出手段と、該検出手段によって検出された信号を画
像化して記憶する記憶手段と、該記憶された画像を他の
同一の回路パターンから形成された画像と比較する比較
手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する
判別手段を備えた回路パターンの検査装置において、検査時の画像の明るさを決定するために、取得した画像
の明るさのヒストグラムを表示させ、そのヒストグラム
データの明るさを変化させる画面操作部を備えたことを
特徴とする回路パターンの検査装置。
【請求項７】ウェーハの回路パターンが形成された基
板表面に光、レーザ光または荷電粒子線を照射する照射
手段と、該照射によって基板から発生する信号を検出す
る検出手段と、該検出手段によって検出された信号を画
像化して記憶する記憶手段と、該記憶された画像を他の
同一の回路パターンから形成された画像と比較する比較
手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する
判別手段を備えた画面構成を有する回路パターンの検査
装置において、検査結果を、各ダイまたは各ショットについて重ね合わ
せ、その欠陥分布から重複するエリアを検査不要エリア
として指定する画面操作部を備えたことを特徴とする回
路パターンの検査装置。
【請求項８】ウェーハの回路パターンが形成された基
板表面に光、レーザ光または荷電粒子線を照射する照射
手段と、該照射によって基板から発生する信号を検出す
る検出手段と、該検出手段によって検出された信号を画
像化して記憶する記憶手段と、該記憶された画像を他の
同一の回路パターンから形成された画像と比較する比較
手段と、比較結果から回路パターン上の欠陥を判別する
判別手段を備えた回路パターンの検査装置において、ダイ領域とセル領域をダイ比較検査にて検査を実施する
場合に、セル領域の周辺を検査不要エリアとして除外す
る画面操作部を備えたことを特徴とする回路パターンの
検査装置。