JP2003227849A - Probe element and method of manufacturing the same - Google Patents
Probe element and method of manufacturing the sameInfo
- Publication number
- JP2003227849A JP2003227849A JP2002027059A JP2002027059A JP2003227849A JP 2003227849 A JP2003227849 A JP 2003227849A JP 2002027059 A JP2002027059 A JP 2002027059A JP 2002027059 A JP2002027059 A JP 2002027059A JP 2003227849 A JP2003227849 A JP 2003227849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist layer
- photoresist
- forming
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 274
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 52
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 52
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 45
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 101001024616 Homo sapiens Neuroblastoma breakpoint family member 9 Proteins 0.000 description 1
- 102100037013 Neuroblastoma breakpoint family member 9 Human genes 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 突起部の先端から接続ランドへの接続部
までの高さ寸法の大きいプローブ要素を得ることにあ
る。
【解決手段】 プローブ要素の製造方法は、主面を有す
ると共に該主面に1以上の凹所を有する基台を準備する
第1のステップと、フィルム状をした2以上の乾燥ホト
レジストを重ねた第1のホトレジスト層であって当該第
1のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記凹
所に達する突起部を有する第1のホトレジスト層を前記
主面に形成する第2のステップとを含むことを特徴とす
る。
(57) [Problem] To provide a probe element having a large height dimension from a tip of a projection to a connection portion to a connection land. A method of manufacturing a probe element includes a first step of preparing a base having a main surface and having one or more recesses in the main surface, and laminating two or more film-shaped dry photoresists. A second step of forming a first photoresist layer on the main surface, the first photoresist layer having a protrusion reaching the recess by penetrating the first photoresist layer in a thickness direction thereof; It is characterized by including.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路や表示パ
ネルの通電試験に用いられるプローブや接触子として利
用するプローブ要素及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe element used as a probe or a contact used in an electric current test of an integrated circuit or a display panel, and a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】集積回路のような平板状被検査体は、一
般に、プローブカードのようなプローブ装置を用いて通
電試験をされる。この種のプローブ装置の1つとして、
柱状部と、該柱状部の一端からほぼ直角の方向へ伸びる
アーム部と、該アーム部の先端部から柱状部と反対側へ
突出する突起部とを備えた複数のプローブ要素を用いる
ものがある。2. Description of the Related Art A flat plate-like object to be inspected, such as an integrated circuit, is generally subjected to an energization test using a probe device such as a probe card. As one of this kind of probe device,
Some use a plurality of probe elements each including a columnar portion, an arm portion extending from one end of the columnar portion in a direction substantially at a right angle, and a protrusion protruding from the tip end portion of the arm portion to the side opposite to the columnar portion. .
【0003】上記のプローブ要素は、柱状部の他端にお
いて配線基板の配線のような接続ランドに半田付けさ
れ、突起部を被検査体の電極部に押圧される突起電極と
して用いられる。The probe element is soldered to a connection land such as a wiring of a wiring board at the other end of the columnar portion, and is used as a protruding electrode whose protruding portion is pressed against the electrode portion of the device under test.
【0004】そのようなプローブ要素の製造方法の1つ
として、ステンレス製の基台の主面に突起電極用の凹所
を有する金型を用い、基台の主面にホトレジストを塗布
し、そのホトレジストの露光及び現像処理を行って製造
すべきプローブ要素の形状を有する開口をホトレジスト
に形成し、その開口にニッケルのような導電性材料を電
鋳法のような適宜な手法により装着して突起部及びアー
ム部を形成し、ホトレジスト、突起部及びアーム部に第
2のホトレジストを塗布し、第2のホトレジストの露光
及び現像処理を行って柱状部に対応する穴を第2のホト
レジストに形成し、その穴にニッケルのような導電性材
料を電鋳法のような適宜な手法により装着して柱状部を
形成し、残存する全てのホトレジストを除去し、得られ
たプローブ要素を金型から外す技術がある。As one of the methods for manufacturing such a probe element, a mold having a recess for a protruding electrode on the main surface of a stainless steel base is used, and a photoresist is applied to the main surface of the base, An opening having the shape of the probe element to be manufactured is formed in the photoresist by exposing and developing the photoresist, and a conductive material such as nickel is attached to the opening by an appropriate method such as electroforming to project. Section and arm section are formed, the second photoresist is applied to the photoresist, the protrusion section and the arm section, and the second photoresist is exposed and developed to form holes corresponding to the columnar section in the second photoresist. , A conductive material such as nickel is attached to the hole by an appropriate method such as electroforming to form a columnar portion, all remaining photoresist is removed, and the obtained probe element is There is a technique to remove from the mold.
【0005】[0005]
【解決しようとする課題】しかし、従来の製造技術で
は、液体のホトレジストを用いるから、塗布されたホト
レジストの層の厚さ寸法が小さく、したがって突起部及
び柱状部の高さ寸法が小さく、その結果突起部の先端か
ら接続ランドへの接続部までの高さ寸法の大きいプロー
ブ要素を得ることができない。However, in the conventional manufacturing technique, since the liquid photoresist is used, the thickness dimension of the applied photoresist layer is small, and therefore, the height dimension of the protrusion and the columnar portion is small. It is not possible to obtain a probe element having a large height dimension from the tip of the protrusion to the connection portion to the connection land.
【0006】本発明の目的は、突起部の先端から接続ラ
ンドへの接続部までの高さ寸法の大きいプローブ要素を
得ることにある。An object of the present invention is to obtain a probe element having a large height dimension from the tip of the protrusion to the connection portion to the connection land.
【0007】[0007]
【解決手段、作用及び効果】本発明に係る製造方法は、
主面を有すると共に該主面に1以上の凹所を有する基台
を準備する第1のステップと、フィルム状をした2以上
の乾燥ホトレジストを重ねた第1のホトレジスト層であ
って当該第1のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通
して前記凹所に達する突起部を有する第1のホトレジス
ト層を前記主面に形成する第2のステップとを含む。The manufacturing method according to the present invention is
A first step of preparing a base having a main surface and having one or more recesses in the main surface; and a first photoresist layer in which two or more film-shaped dry photoresists are overlaid, And a second step of forming a first photoresist layer on the main surface, the first photoresist layer having a protrusion that penetrates the photoresist layer in the thickness direction thereof and reaches the recess.
【0008】第1のホトレジスト層は、例えば、1つの
乾燥ホトレジストを基台に配置し、その乾燥ホトレジス
トに基台の凹所に達する穴を露光・現像技術のような技
術により形成し、その穴に突起部の一部を電鋳法のよう
な技術により形成し、その後は、既存の乾燥ホトレジス
トの上に乾燥ホトレジストを重ねて配置するステップ
と、新たな乾燥ホトレジストに基台の凹所に達する穴を
形成するステップと、その穴に突起部の一部を形成する
ステップとを乾燥ホトレジスト毎に繰り返すことによ
り、形成することができる。The first photoresist layer is formed, for example, by arranging one dry photoresist on a base and forming a hole in the dry photoresist to reach a recess of the base by a technique such as an exposure / development technique. Part of the protrusion is formed by a technique such as electroforming, and then the step of placing the dry photoresist on top of the existing dry photoresist and reaching the recess of the base on the new dry photoresist It can be formed by repeating the step of forming a hole and the step of forming a part of the protrusion in the hole for each dry photoresist.
【0009】第1のホトレジスト層は、また、2以上の
乾燥ホトレジストを基台に重ねて配置し、その乾燥ホト
レジストに基台の凹所に達する穴をレーザ加工技術のよ
うな技術により形成し、その穴に突起部を電鋳法のよう
な技術により形成することによっても、形成することが
できる。The first photoresist layer is also formed by arranging two or more dry photoresists on a base, and forming a hole in the dry photoresist to reach a recess of the base by a technique such as a laser processing technique. It can also be formed by forming a protrusion in the hole by a technique such as electroforming.
【0010】フィルム状の乾燥ホトレジストにより形成
されるレジスト層の厚さ寸法は、液体ホトレジストによ
り形成されるレジスト層の厚さ寸法より大きい。そのよ
うな乾燥ホトレジストを2以上重ねた第1のホトレジス
ト層の厚さ寸法も大きい。したがって、そのような第1
のホトレジスト層を用いると、従来に比べ、突出長さ寸
法の大きい突起部を形成することができ、したがって最
終的に形成されるプローブ要素の高さ寸法も大きくな
る。The thickness dimension of the resist layer formed by the film-shaped dry photoresist is larger than the thickness dimension of the resist layer formed by the liquid photoresist. The thickness dimension of the first photoresist layer in which two or more such dry photoresists are stacked is also large. Therefore, such a first
The use of the photoresist layer of (1) makes it possible to form a protrusion having a larger protruding length dimension than in the conventional case, and thus the height dimension of the finally formed probe element also becomes larger.
【0011】プローブ要素の製造方法は、さらに、導電
性材料を用いたスパッタリングにより前記突起部に接合
された第1の導電層を前記第1のホトレジスト層に形成
する第3のステップと、該第1の導電層に第2のホトレ
ジスト層を形成する第4のステップと、前記2のホトレ
ジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記第1の導電層
に重ねられて接合されたアーム部であって前記突起部と
ほぼ直角に伸びるアーム部を前記2のホトレジスト層に
形成する第5のステップとを含むことができる。The method of manufacturing a probe element further includes a third step of forming a first conductive layer bonded to the protrusion on the first photoresist layer by sputtering using a conductive material, and the third step. A fourth step of forming a second photoresist layer on the first conductive layer; and an arm portion that passes through the second photoresist layer in the thickness direction of the second photoresist layer and is overlaid on and bonded to the first conductive layer. And a fifth step of forming an arm portion, which extends substantially at right angles to the protrusion, in the second photoresist layer.
【0012】突起部、第1の導電層及びアーム部が同じ
材料、例えばニッケルであっても、電鋳法のようなメッ
キ技術により突出長さ寸法の大きい突起部と厚さ寸法の
大きいアーム部とを得ることができるにもかかわらず、
突起部及び第1の導電層が強固に接合されると共に、第
1の導電層及びアーム部が強固に接合される。Even if the protrusion, the first conductive layer and the arm are made of the same material, for example, nickel, the protrusion having a large protrusion length and the arm having a large thickness are formed by a plating technique such as electroforming. Despite being able to get
The protrusion and the first conductive layer are firmly bonded together, and the first conductive layer and the arm are firmly bonded together.
【0013】プローブ要素の製造方法は、さらに、フィ
ルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを積層した第3
のホトレジスト層と、該第3のホトレジスト層に重ねら
れた電気絶縁樹脂層と、該電気絶縁樹脂層に重ねられた
第2の導電層と、該第2の導電層に重ねられた第4のホ
トレジスト層とを含む積層シート層を、前記第3のホト
レジスト層が前記第2のホトレジスト層側となる状態
に、前記アーム部及び前記第2のホトレジスト層に形成
する第6のステップと、前記第2の導電層に重ねられて
接合されたベース部であってプローブ要素の柱状部に対
応する箇所が欠如されたベース部を前記第4のホトレジ
スト層に形成する第7のステップと、前記第4のホトレ
ジスト層を除去して、前記ベース部が接合されている領
域を除いて前記第2の導電層を除去する第8のステップ
と、前記ベース部及び前記電気絶縁樹脂層の露出面に第
5のホトレジスト層を形成する第7のステップと、前記
第5のホトレジスト層から、前記ベース部の欠如部及び
前記積層シート層を経て前記アーム部に達する穴を形成
する第9のステップと、前記アーム部、前記第2の導電
層及び前記ベース部に接合された導電性の柱状部を前記
穴に形成する第9のステップと、前記第1,第2,第3
及び第5のホトレジスト層並びに前記電気絶縁樹脂フィ
ルム層を除去すると共に、前記第1及び第2の導電層の
不要な箇所を除去する第10のステップとを含むことが
できる。The method of manufacturing the probe element further includes a third method in which two or more dry photoresists in film form are laminated.
A photoresist layer, an electrically insulating resin layer overlaid on the third photoresist layer, a second conductive layer overlaid on the electrically insulating resin layer, and a fourth overlaid layer over the second electrically conductive layer. A sixth step of forming a laminated sheet layer including a photoresist layer on the arm portion and the second photoresist layer in a state where the third photoresist layer is on the second photoresist layer side; A seventh step of forming a base portion on the fourth photoresist layer, the base portion being overlaid on and bonded to the second conductive layer and lacking a portion corresponding to the columnar portion of the probe element; Removing the photoresist layer to remove the second conductive layer except for the region where the base portion is joined; and a fifth step on the exposed surface of the base portion and the electrically insulating resin layer. Photoresist layer A seventh step of forming, a ninth step of forming a hole from the fifth photoresist layer to reach the arm portion through the lacking portion of the base portion and the laminated sheet layer, the arm portion, the A second step of forming a conductive columnar part bonded to the second conductive layer and the base part in the hole; and the first, second, and third steps.
And a fifth step of removing the photoresist layer and the electrically insulating resin film layer, and removing unnecessary portions of the first and second conductive layers.
【0014】上記のようにすれば、第3のホトレジスト
層、電気絶縁樹脂層及び第2の導電層の厚さ寸法が大き
いから、長さ寸法の大きい柱状部を得ることができる。According to the above, since the third photoresist layer, the electrically insulating resin layer and the second conductive layer have large thicknesses, it is possible to obtain a columnar portion having a large length dimension.
【0015】積層シート層は、例えば、2以上の乾燥ホ
トレジスト、電気絶縁樹脂層、第2の導電層及び第4の
ホトレジスト層をその順に重ねることによりアーム部及
び第2のホトレジスト層に形成することができるし、予
め形成された積層シート層をアーム部及び第2のホトレ
ジスト層に配置することによっても形成することができ
る。The laminated sheet layer is formed on the arm portion and the second photoresist layer by stacking, for example, two or more dry photoresists, an electrically insulating resin layer, a second conductive layer and a fourth photoresist layer in that order. Alternatively, it can be formed by disposing a laminated sheet layer formed in advance on the arm portion and the second photoresist layer.
【0016】電気絶縁樹脂層及び第2の導電層は、銅箔
にポリイミド樹脂層を形成した市販のシートを用いるこ
とができる。そのようにすれば、電気絶縁樹脂層及び第
2の導電層を接合する作業が不要になるから、プローブ
要素の製造コストを低減することができる。As the electrically insulating resin layer and the second conductive layer, a commercially available sheet in which a polyimide resin layer is formed on a copper foil can be used. By doing so, the work of joining the electrically insulating resin layer and the second conductive layer becomes unnecessary, so that the manufacturing cost of the probe element can be reduced.
【0017】第2の導電層が銅であり、ベース部及び柱
状部がベース部と同じ材料、例えばニッケルであって
も、電鋳法のようなメッキ技術により長さ寸法の大きい
柱状部と厚さ寸法の大きいベース部とを得ることができ
るにもかかわらず、ベース部が第2の導電層に強固に接
合されると共に、柱状部がベース部、第2の導電層及び
アーム部に強固に接合される。Even if the second conductive layer is copper and the base portion and the columnar portion are made of the same material as the base portion, for example, nickel, the columnar portion having a large length and the thickness are formed by a plating technique such as electroforming. Although the base portion having a large size can be obtained, the base portion is firmly bonded to the second conductive layer, and the columnar portion is firmly bonded to the base portion, the second conductive layer and the arm portion. To be joined.
【0018】本発明に係る他の製造方法は、主面を有す
ると共に該主面に1以上の凹所を有する基台を準備する
第1のステップと、フィルム状をした1以上の乾燥ホト
レジストを用いた第1のホトレジスト層及び該第1のホ
トレジスト層に重ねられた第1の導電層を含む第1の積
層シート層を前記第1のホトレジスト層が前記基台側と
なる状態に前記基台に形成する第2のステップと、前記
凹所に達する貫通穴を前記第1の積層シート層に形成す
る第3のステップと、前記凹所から前記第1のホトレジ
スト層及び前記第1の導電層に達する突起部を前記凹所
及び前記貫通穴に形成する第4のステップ(8)とを含
む。According to another manufacturing method of the present invention, a first step of preparing a base having a main surface and having one or more recesses on the main surface, and one or more film-shaped dry photoresists are used. The first laminated sheet layer including the first photoresist layer used and the first conductive layer laminated on the first photoresist layer is placed on the base so that the first photoresist layer is on the base side. Forming a through hole reaching the recess in the first laminated sheet layer, and forming the through hole from the recess to the first photoresist layer and the first conductive layer. And a fourth step (8) of forming a protrusion reaching to the recess and the through hole.
【0019】他の製造方法において、貫通穴は、例え
ば、ホトレジストを用いるエッチング技術や、レーザ光
線を用いるレーザ加工技術等により、形成することがで
きる。また、突起部は、例えば、電鋳法のようなメッキ
技術により、形成することができる。In another manufacturing method, the through hole can be formed by, for example, an etching technique using a photoresist or a laser processing technique using a laser beam. Further, the protrusions can be formed by a plating technique such as electroforming.
【0020】他の製造方法においても、第1のホトレジ
スト層、第1の導電層の厚さ寸法を大きくすることがで
きるから、突出長さ寸法の大きい突起部を形成すること
ができ、したがって最終的に形成されるプローブ要素の
高さ寸法も大きくなる。Also in other manufacturing methods, since the thickness dimensions of the first photoresist layer and the first conductive layer can be increased, it is possible to form a protrusion having a large protrusion length dimension, and thus the final dimension. The height dimension of the probe element that is formed is also large.
【0021】凹所に達する貫通穴は、例えば、ホトレジ
ストを用いる露光・現像・エッチング技術やレーザ加工
技術等の技術により、形成することができる。The through hole reaching the recess can be formed by a technique such as an exposure / development / etching technique using a photoresist or a laser processing technique.
【0022】他の製造方法は、さらに、前記第1の導電
層に第2のホトレジスト層を形成する第5のステップ
と、前記2のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通し
て前記第1の導電層に重ねられて接合されたアーム部で
あって前記突起部とほぼ直角に伸びるアーム部を前記2
のホトレジスト層に形成する第6のステップとを含むこ
とができる。Another manufacturing method further includes a fifth step of forming a second photoresist layer on the first conductive layer, and the first step of penetrating the second photoresist layer in the thickness direction thereof. An arm portion which is overlapped and joined to the conductive layer of the above and extends substantially at right angles to the protrusion portion.
And a sixth step of forming a photoresist layer of
【0023】他の製造方法において、アーム部は、例え
ば、第2のホトレジスト層に対する露光・現像技術と、
電鋳法のようなメッキ技術とを利用して、形成すること
ができる。In another manufacturing method, the arm portion is formed of, for example, an exposure / development technique for the second photoresist layer,
It can be formed by utilizing a plating technique such as electroforming.
【0024】他の製造方法は、さらに、フィルム状をし
た2以上の乾燥ホトレジストを積層した第3のホトレジ
スト層と、該第3のホトレジスト層に重ねられた電気絶
縁樹脂層と、該電気絶縁樹脂層に重ねられた第2の導電
層と、該第2の導電層に重ねられた第4のホトレジスト
層とを含む第2の積層シート層を、前記第3のホトレジ
スト層が前記第2のホトレジスト層側となる状態に、前
記アーム部及び前記第2のホトレジスト層に形成する第
7のステップと、前記第2の導電層に重ねられて接合さ
れたベース部であってプローブ要素の柱状部に対応する
箇所が欠如されたベース部を前記第4のホトレジスト層
に形成する第8のステップと、前記第4のホトレジスト
層を除去して、前記ベース部が接合されている領域を除
いて前記第2の導電層を除去する第9のステップと、前
記ベース部及び前記電気絶縁樹脂層の露出面に第5のホ
トレジスト層を形成する第10のステップと、前記第5
のホトレジスト層から、前記ベース部の欠如部及び前記
積層シート層を経て前記アーム部に達する穴を形成する
第11のステップと、前記アーム部、前記第2の導電層
及び前記ベース部に接合された導電性の柱状部を前記穴
に形成する第12のステップと、前記第1,第2,第4
及び第5のホトレジスト層、前記電気絶縁樹脂層並びに
前記第1の導電層を除去する第11のステップとを含む
ことができる。Another manufacturing method further comprises a third photoresist layer in which two or more film-shaped dry photoresists are laminated, an electric insulating resin layer laminated on the third photoresist layer, and the electric insulating resin. A second laminated sheet layer including a second conductive layer laminated on a layer and a fourth photoresist layer laminated on the second conductive layer, wherein the third photoresist layer is the second photoresist. In the state of being on the layer side, a seventh step of forming the arm portion and the second photoresist layer, and a base portion which is overlapped and joined to the second conductive layer and which is a columnar portion of the probe element. An eighth step of forming a base portion lacking a corresponding portion on the fourth photoresist layer, and removing the fourth photoresist layer to remove the first portion except the region where the base portion is bonded. Guide to 2 A ninth step of removing the layer, and the tenth step of forming a fifth photoresist layer on the exposed surface of the base portion and the electrically insulating resin layer, the fifth
Eleventh step of forming a hole from the photoresist layer to the arm portion through the lacking portion of the base portion and the laminated sheet layer, and joining the arm portion, the second conductive layer and the base portion. A twelfth step of forming a conductive columnar portion in the hole, and the first, second, and fourth steps.
And a fifth photoresist layer, the electrically insulating resin layer, and the eleventh step of removing the first conductive layer.
【0025】上記のようにすれば、第3のホトレジスト
層、電気絶縁樹脂層及び第2の導電層の厚さ寸法が大き
いから、長さ寸法の大きい柱状部を得ることができる。According to the above, since the third photoresist layer, the electrically insulating resin layer, and the second conductive layer have large thicknesses, it is possible to obtain a columnar portion having a large length dimension.
【0026】他の製造方法において、第2の積層シート
層及び穴は、それぞれ、既に述べた製造方法における積
層シート層及び穴と同様の手法により、形成することが
できる。In another manufacturing method, the second laminated sheet layer and the hole can be formed by the same method as the laminated sheet layer and the hole in the manufacturing method described above, respectively.
【0027】他の製造方法において、電気絶縁樹脂層及
び第2の導電層は、銅箔にポリイミド樹脂層を形成した
市販のシートを用いることができる。そのようにすれ
ば、電気絶縁樹脂層及び第2の導電層を接合する作業が
不要になるから、プローブ要素の製造コストを低減する
ことができる。In another manufacturing method, a commercially available sheet having a polyimide resin layer formed on a copper foil can be used as the electrically insulating resin layer and the second conductive layer. By doing so, the work of joining the electrically insulating resin layer and the second conductive layer becomes unnecessary, so that the manufacturing cost of the probe element can be reduced.
【0028】他の製造方法において、第2の導電層が銅
であり、ベース部及び柱状部がベース部と同じ材料、例
えばニッケルであっても、電鋳法のようなメッキ技術に
より長さ寸法の大きい柱状部と厚さ寸法の大きいベース
部とを得ることができるにもかかわらず、ベース部が第
2の導電層に強固に接合されると共に、柱状部がベース
部、第2の導電層及びアーム部に強固に接合される。In another manufacturing method, even if the second conductive layer is copper and the base portion and the columnar portion are made of the same material as the base portion, for example, nickel, the length dimension is determined by a plating technique such as electroforming. Although a columnar portion having a large thickness and a base portion having a large thickness can be obtained, the base portion is firmly bonded to the second conductive layer, and the columnar portion has the base portion and the second conductive layer. And firmly joined to the arm portion.
【0029】本発明に係るプローブ要素は、取付座部
と、該取付座部からこれとほぼ直角に伸びる柱状部と、
該柱状部からこれとほぼ直角に伸びるアーム部と、該ア
ーム部の先端部から前記柱状部と反対方向へ突出する突
起部とを含む。The probe element according to the present invention comprises a mounting seat portion, and a columnar portion extending from the mounting seat portion at a substantially right angle thereto.
An arm portion extending from the columnar portion at a substantially right angle to the columnar portion and a protrusion protruding from the tip of the arm portion in a direction opposite to the columnar portion are included.
【0030】上記のプローブ要素によれば、従来のプロ
ーブ要素に比べ、少なくとも取付座部の厚さ寸法分だ
け、プローブ要素の高さ寸法が大きくなる。According to the probe element described above, the height dimension of the probe element is increased by at least the thickness dimension of the mounting seat portion as compared with the conventional probe element.
【0031】また、本発明に係るプローブ要素によれ
ば、柱状部の断面積を大きくすることなく、ベース部の
面積を大きくして、柱状部と接続ランドとの接着面積を
大きくすることができるから、柱状部と接続ランドとの
接着力が強く、プローブ要素が基板から剥がれにくい。
しかし、従来のプローブ要素では、柱状部の断面積を大
きくしない限り、柱状部と接続ランドとの接着面積を大
きくすることができないから、柱状部と接続ランドとの
接着力が弱く、プローブ要素が基板から剥がれやすい。Further, according to the probe element of the present invention, the area of the base portion can be increased and the adhesion area between the columnar portion and the connection land can be increased without increasing the cross-sectional area of the columnar portion. Therefore, the adhesive force between the columnar portion and the connection land is strong, and the probe element is unlikely to peel off from the substrate.
However, in the conventional probe element, the adhesive area between the columnar portion and the connection land cannot be increased unless the cross-sectional area of the columnar portion is increased. Easy to peel off from the substrate.
【0032】[0032]
【発明の実施の形態】先ず、図1参照してプローブ要素
について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a probe element will be described with reference to FIG.
【0033】プローブ要素10は、一方向へ伸びる角柱
状の取付座部12と、取付座部12の一端部側からこれ
とほぼ直角に伸びる柱状部14と、柱状部14からこれ
とほぼ直角に伸びる角柱状のアーム部16と、アーム部
16の先端部から柱状部14と反対方向へ突出する突起
部18とを含む。取付座部12、柱状部14、アーム部
16及び突起部18は導電性を有しており、隣り合う部
分は一体的に結合されている。The probe element 10 has a prismatic mounting seat portion 12 extending in one direction, a columnar portion 14 extending from one end of the mounting seat portion 12 at a substantially right angle, and a columnar portion 14 at a substantially right angle. It includes a prismatic arm portion 16 that extends, and a protruding portion 18 that projects from the tip of the arm portion 16 in the direction opposite to the columnar portion 14. The mounting seat portion 12, the columnar portion 14, the arm portion 16 and the protrusion portion 18 have conductivity, and adjacent portions are integrally connected.
【0034】取付座部12とアーム部16とは、図示の
例では柱状部14から反対方向へ伸びているが、柱状部
14から同じ方向へ伸びていてもよい。その場合、柱状
部16から取付座部12の先端までの長さ寸法が柱状部
16から突起部18の位置までのアーム部16の長さ寸
法より小さくすれば、アーム部16の弾性変形可能範囲
が取付座部12の厚さ寸法分だけ大きくなる。Although the mounting seat portion 12 and the arm portion 16 extend from the columnar portion 14 in opposite directions in the illustrated example, they may extend from the columnar portion 14 in the same direction. In that case, if the length dimension from the columnar portion 16 to the tip of the mounting seat portion 12 is made smaller than the length dimension of the arm portion 16 from the columnar portion 16 to the position of the protrusion portion 18, the elastically deformable range of the arm portion 16 is increased. Is increased by the thickness of the mounting seat portion 12.
【0035】柱状部14は、図示の例では円形の断面形
状を有しているが、正方形や長方形や六角形のような多
角形、楕円形、長円形等の他の断面形状を有していても
よい。突起部18はの先端部、図示の例では角錐形に形
成されているが、円錐形、半球状、短い筒状等、他の形
状を有していてもよい。Although the columnar portion 14 has a circular cross-sectional shape in the illustrated example, it has other cross-sectional shapes such as a polygon such as a square, a rectangle, and a hexagon, an ellipse, and an oval. May be. The protruding portion 18 is formed at the tip portion thereof, that is, a pyramid shape in the illustrated example, but may have another shape such as a conical shape, a hemispherical shape, or a short cylindrical shape.
【0036】次に、図2から図9を参照して、上記のよ
うなプローブ要素10の製造方法の実施例について説明
する。Next, an embodiment of the method for manufacturing the probe element 10 as described above will be described with reference to FIGS.
【0037】先ず、図2(A)に示すように、主面に1
以上の凹所20を有する基台22が準備される。凹所2
0は、角錐形や円錐形のようにプローブ要素の突起部の
先端形状に対応した先端を有するポンチを用いて基台2
2に形成することができる。基台22は、ステンレス製
とすることが好ましいが、他の材料であってもよい。First, as shown in FIG. 2A, 1 is formed on the main surface.
A base 22 having the above recesses 20 is prepared. Recess 2
0 is a base 2 using a punch having a tip corresponding to the tip shape of the protrusion of the probe element, such as a pyramid or a cone.
2 can be formed. The base 22 is preferably made of stainless steel, but other materials may be used.
【0038】次いで、図2(B)に示すように、基台2
2の主面に、フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジス
トを配置して、ホトレジスト層24が形成される。ホト
レジスト層24は、乾燥ホトレジストを基台22の主面
に接着することにより、形成することができる。Next, as shown in FIG. 2B, the base 2
One or more film-shaped dry photoresists are arranged on the main surface of No. 2 to form the photoresist layer 24. The photoresist layer 24 can be formed by adhering dry photoresist to the main surface of the base 22.
【0039】次いで、図2(C)に示すように、ホトレ
ジスト層24に、露光及び現像処理が行われて、基台2
2の凹所20に連通する穴26が形成される。Next, as shown in FIG. 2 (C), the photoresist layer 24 is exposed and developed to form the base 2
A hole 26 communicating with the second recess 20 is formed.
【0040】次いで、図2(D)に示すように、導電性
材料による1回目のメッキ処理がホトレジスト層24の
側から行われて、凹所20及び穴26に突起部の一部と
して作用する凸部28が形成される。メッキ処理は、電
鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとするこ
とができる。Next, as shown in FIG. 2D, the first plating treatment with a conductive material is performed from the photoresist layer 24 side, and acts on the recess 20 and the hole 26 as a part of the protrusion. The convex portion 28 is formed. The plating treatment can be nickel plating by an appropriate method such as electroforming.
【0041】次いで、図3(A)に示すように、ホトレ
ジスト層24に、フィルム状をした1以上の乾燥ホトレ
ジストを配置して、ホトレジスト層30が形成される。
ホトレジスト層30は、乾燥ホトレジストをホトレジス
ト層24に重ねて接着することにより、形成することが
できる。Next, as shown in FIG. 3A, one or more film-shaped dry photoresists are arranged on the photoresist layer 24 to form a photoresist layer 30.
The photoresist layer 30 can be formed by overlaying and adhering dry photoresist on the photoresist layer 24.
【0042】次いで、図3(B)に示すように、ホトレ
ジスト層30に、露光及び現像処理が行われて、凸部2
8に対応する箇所に穴32が形成される。Next, as shown in FIG. 3 (B), the photoresist layer 30 is exposed and developed to form the protrusions 2.
Holes 32 are formed at locations corresponding to 8.
【0043】次いで、図3(C)に示すように、導電性
材料による2回目のメッキ処理がホトレジスト層30の
側から行われて、穴32に突起部の残りの部分として作
用する凸状の主部が形成される。この主部は、前回のメ
ッキ処理により形成された凸部28と一体的に結合され
て、凸部28と共にプローブ要素10の突起部18を形
成する。このときのメッキ処理も、前回のメッキ処理と
同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッ
キとすることができる。そのようにすれば、凸部と主部
とが強固に一体的に結合される。Next, as shown in FIG. 3C, a second plating process using a conductive material is performed from the side of the photoresist layer 30 to form a convex shape which acts as the remaining portion of the protrusion in the hole 32. The main part is formed. This main portion is integrally coupled with the convex portion 28 formed by the previous plating process, and forms the protruding portion 18 of the probe element 10 together with the convex portion 28. The plating treatment at this time can be nickel plating by an appropriate method such as electroforming, as in the previous plating treatment. By doing so, the convex portion and the main portion are firmly and integrally coupled.
【0044】上記のようにして得られた突起部18は、
ホトレジスト層24,30を、一般的な液体ホトレジス
トで形成した場合に比べ、厚さ寸法の大きい複数の乾燥
ホトレジストで形成しているから、大きい突出長さ寸法
を有する。The protrusion 18 obtained as described above is
Since the photoresist layers 24 and 30 are formed of a plurality of dry photoresists having a large thickness dimension, they have a large protruding length dimension as compared with the case where they are formed of a general liquid photoresist.
【0045】上記のように露光・現像処理とメッキ処理
とを2回ずつ行う代わりに、複数の乾燥ホトレジストを
重ねて基台に配置して、ホトレジスト層を形成し、その
ホトレジスト層にレーザビームにより穴26,32に対
応する穴を形成し、その後メッキ処理を行ってもよい。Instead of performing the exposure / development treatment and the plating treatment twice each as described above, a plurality of dry photoresists are superposed and arranged on the base to form a photoresist layer, and the photoresist layer is irradiated with a laser beam. It is also possible to form holes corresponding to the holes 26 and 32 and then perform plating treatment.
【0046】次いで、図3(D)に示すように、ホトレ
ジスト層30に、導電性材料によるスパッタリングが行
われて導電層36が形成される。このときの導電性材料
として、上記2回のメッキ処理で用いたニッケルとする
ことが好ましい。そのようにすれば、突起部18と導電
層36とが強固に一体的に結合される。Next, as shown in FIG. 3D, the conductive layer 36 is formed on the photoresist layer 30 by sputtering the conductive material. As the conductive material at this time, it is preferable to use nickel used in the above-mentioned two plating treatments. By doing so, the protrusion 18 and the conductive layer 36 are firmly and integrally coupled.
【0047】次いで、図4(A)に示すように、導電層
36に、フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジストが
配置されて、ホトレジスト層38が形成される。乾燥ホ
トレジストを導電層36に重ねて接着することにより、
形成することができる。Next, as shown in FIG. 4A, one or more film-shaped dry photoresists are arranged on the conductive layer 36 to form a photoresist layer 38. By overlaying and adhering the dry photoresist on the conductive layer 36,
Can be formed.
【0048】次いで、図4(B)に示すように、ホトレ
ジスト層38に、露光及び現像処理が行われて、プロー
ブ要素のアーム部に対応する穴40が形成される。Next, as shown in FIG. 4B, the photoresist layer 38 is exposed and developed to form holes 40 corresponding to the arm portions of the probe element.
【0049】次いで、図4(C)に示すように、導電性
材料による3回目のメッキ処理がホトレジスト層38の
側から行われて、穴40にプローブ要素10のアーム部
16の一部として作用すべく突起部18とほぼ直角に伸
びる第1のアーム領域42が形成される。第1のアーム
領域42は、前回のスパッタリング処理により形成され
た導電層36と一体的に結合される。このときのメッキ
処理も、前2回のメッキ処理と同様に、電鋳法のような
適宜な手法によるニッケルメッキとすることができる。Next, as shown in FIG. 4C, a third plating process using a conductive material is performed from the photoresist layer 38 side, and the holes 40 act as part of the arm portions 16 of the probe element 10. In order to do so, a first arm region 42 extending substantially at right angles to the protrusion 18 is formed. The first arm region 42 is integrally bonded to the conductive layer 36 formed by the previous sputtering process. The plating treatment at this time may be nickel plating by an appropriate method such as electroforming, similarly to the plating treatments performed twice.
【0050】上記のようにして得られた第1のアーム領
域42は、ホトレジスト層38を、一般的な液体ホトレ
ジストで形成した場合に比べ、厚さ寸法の大きい複数の
乾燥ホトレジストで形成しているから、大きい厚さ寸法
を有する。The first arm region 42 obtained as described above is formed of a plurality of dry photoresists having a larger thickness than the case where the photoresist layer 38 is formed of a general liquid photoresist. Has a large thickness dimension.
【0051】次いで、図5(A)に示すように、ホトレ
ジスト層38及び第1のアーム領域42に、フィルム状
をした2以上の乾燥ホトレジストを用いたホトレジスト
層44が形成される。ホトレジスト層44は、複数の乾
燥ホトレジストを重ねてホトレジスト層38及び第1の
アーム領域42に接着することにより、形成することが
できる。Next, as shown in FIG. 5A, a photoresist layer 44 using two or more film-shaped dry photoresists is formed on the photoresist layer 38 and the first arm region 42. The photoresist layer 44 can be formed by stacking multiple dry photoresists and adhering them to the photoresist layer 38 and the first arm region 42.
【0052】次いで、図5(B)に示すように、電気絶
縁樹脂層46と導電層48とが、電気絶縁樹脂層46を
ホトレジスト層44側とした状態に、ホトレジスト層4
4に形成される。電気絶縁樹脂層46と導電層48と
は、ポリイミドフィルムのような電気絶縁樹脂層と銅フ
ィルムのような導電層とを積層した市販のものを用いる
ことができる。そのようにすれば、電気絶縁樹脂層46
及び導電層48を接合する作業が不要になるから、プロ
ーブ要素の製造コストが低減する。Then, as shown in FIG. 5B, the photoresist layer 4 is formed with the electrically insulating resin layer 46 and the conductive layer 48 with the electrically insulating resin layer 46 on the photoresist layer 44 side.
4 is formed. As the electrically insulating resin layer 46 and the conductive layer 48, a commercially available one in which an electrically insulating resin layer such as a polyimide film and a conductive layer such as a copper film are laminated can be used. By doing so, the electrically insulating resin layer 46
Also, since the work of joining the conductive layer 48 is unnecessary, the manufacturing cost of the probe element is reduced.
【0053】次いで、図5(C)に示すように、導電層
48にホトレジスト層50が形成される。このホトレジ
スト層50は、乾燥ホトレジストで形成してもよいし、
液体のホトレジストで形成してもよい。Next, as shown in FIG. 5C, a photoresist layer 50 is formed on the conductive layer 48. The photoresist layer 50 may be formed of a dry photoresist,
It may be formed of a liquid photoresist.
【0054】上記のように複数のステップを経ることに
より、ホトレジスト層44、電気絶縁樹脂層46、導電
層48及びホトレジスト層50の積層シート層を形成す
る代わりに、ホトレジスト層44、電気絶縁樹脂層4
6、導電層48及びホトレジスト層50又はそれらのい
くつかを予め積層したものを用いることにより、ステッ
プ数を減少させてもよい。By performing a plurality of steps as described above, instead of forming a laminated sheet layer of the photoresist layer 44, the electrically insulating resin layer 46, the conductive layer 48 and the photoresist layer 50, the photoresist layer 44 and the electrically insulating resin layer are formed. Four
The number of steps may be reduced by using 6, the conductive layer 48 and the photoresist layer 50 or some of them in advance.
【0055】次いで、図6(A)に示すように、ホトレ
ジスト層50に、露光及び現像処理が行われて、プロー
ブ要素10の柱状部14に対応する箇所が除去された取
付座部12に対応する穴52が形成される。Next, as shown in FIG. 6 (A), the photoresist layer 50 is exposed and developed to correspond to the mounting seat portion 12 where the portion corresponding to the columnar portion 14 of the probe element 10 is removed. A hole 52 is formed.
【0056】次いで、図6(B)に示すように、導電性
材料によるメッキ処理がホトレジスト層50の側から行
われて、穴52に対応する第1の座部領域54が形成さ
れる。このときのメッキ処理も、これまでのメッキ処理
と同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメ
ッキとすることができる。そのようにすれば、ニッケル
製の第1の座部領域54は、銅製の導電層46に強固に
一体的に結合される。また、ホトレジスト層50が乾燥
ホトレジストを用いて形成されていると、液体ホトレジ
ストを用いた場合に比べ、厚さ寸法の大きい第1の座部
領域54を得ることができる。Next, as shown in FIG. 6B, a plating process using a conductive material is performed from the photoresist layer 50 side to form a first seat region 54 corresponding to the hole 52. The plating treatment at this time can be nickel plating by an appropriate method such as electroforming, as in the case of the plating treatments so far. By doing so, the first seat region 54 made of nickel is firmly and integrally coupled to the conductive layer 46 made of copper. Further, when the photoresist layer 50 is formed by using the dry photoresist, the first seat region 54 having a larger thickness dimension can be obtained as compared with the case where the liquid photoresist is used.
【0057】次いで、図7(A)に示すように、ホトレ
ジスト層50のうち、第1の座部領域54の周りに残存
するホトレジスト及びプローブ要素10の柱状部14に
対応する箇所の穴56内に残存するホトレジストが除去
される。これにより、穴56が開放される。Next, as shown in FIG. 7 (A), in the hole 56 in the photoresist layer 50, which corresponds to the photoresist remaining around the first seat region 54 and the columnar portion 14 of the probe element 10. The photoresist remaining on the substrate is removed. As a result, the hole 56 is opened.
【0058】次いで、図7(B)に示すように、導電層
48のうち、第1の座部領域54の周り及び穴56に対
応する箇所の導電製材料がエッチングにより除去され
る。これにより、第1の座部領域54及び残存する導電
層48を貫通する穴58が第1の座部領域54及び残存
する導電層48に形成される。これにより、残存する導
電層48の残存領域は、第2の座部領域として作用し
て、第1の座部領域54と共にプローブ要素10の取付
座部12を形成する。Then, as shown in FIG. 7B, the conductive material around the first seat region 54 and in the portion corresponding to the hole 56 in the conductive layer 48 is removed by etching. As a result, holes 58 penetrating the first seat region 54 and the remaining conductive layer 48 are formed in the first seat region 54 and the remaining conductive layer 48. As a result, the remaining area of the conductive layer 48 that remains acts as the second seat area and forms the mounting seat 12 of the probe element 10 together with the first seat area 54.
【0059】次いで、図7(C)に示すように、ホトレ
ジスト層60が、第1の座部領域54、残存する導電層
すなわち第2の座部領域48及び電気絶縁樹脂層46の
露出部を覆うように、第1の座部領域54、残存する導
電層48及び電気絶縁樹脂層46の側に形成される。ホ
トレジスト層60は、液体のホトレジストを塗布するこ
とにより、形成することができる。Next, as shown in FIG. 7C, the photoresist layer 60 covers the first seat region 54, the remaining conductive layer, that is, the second seat region 48 and the exposed portion of the electrically insulating resin layer 46. It is formed so as to cover the first seat region 54, the remaining conductive layer 48, and the electrically insulating resin layer 46. The photoresist layer 60 can be formed by applying a liquid photoresist.
【0060】次いで、図8(A)に示すように、ホトレ
ジスト層60に、露光及び現像処理が行われて、穴58
内のホトレジストが除去されると共に、導電層48の穴
58に対応する箇所の材料がエッチングにより除去され
て、ホトレジスト層60、第1の座部領域54及び第2
の座部領域48を貫通する穴62が形成される。Next, as shown in FIG. 8A, the photoresist layer 60 is exposed and developed to form holes 58.
The photoresist in the inside is removed, and the material in the portions corresponding to the holes 58 in the conductive layer 48 is removed by etching, so that the photoresist layer 60, the first seat region 54 and the second seat region 54.
A hole 62 is formed through the seat region 48 of the.
【0061】次いで、図8(B)に示すように、穴62
から、電気絶縁樹脂層46及びホトレジスト層44を貫
通する穴64がレーザビームを用いて形成される。これ
により、ホトレジスト層60、第1の座部領域54、第
2の座部領域48、電気絶縁樹脂層46及びホトレジス
ト層44を貫通する貫通穴64が形成される。貫通穴6
4は、第1のアーム領域42に達している。Then, as shown in FIG.
From this, a hole 64 penetrating the electrically insulating resin layer 46 and the photoresist layer 44 is formed by using a laser beam. As a result, a through hole 64 penetrating the photoresist layer 60, the first seat region 54, the second seat region 48, the electrically insulating resin layer 46, and the photoresist layer 44 is formed. Through hole 6
4 reaches the first arm region 42.
【0062】次いで、図9(A)に示すように、導電性
材料によるメッキ処理がホトレジスト層60の側から行
われて、プローブ要素10の柱状部14が穴64に第1
のアーム領域42から第1の座部領域54にわたって形
成される。このメッキ処理において、柱状部14は、第
1の座部領域54を貫通した状態にまで形成されるが、
ホトレジスト層60には形成されない。Next, as shown in FIG. 9A, a plating treatment with a conductive material is performed from the photoresist layer 60 side, so that the columnar portion 14 of the probe element 10 is first formed in the hole 64.
Of the arm region 42 to the first seat region 54. In this plating process, the columnar portion 14 is formed to penetrate the first seat portion region 54,
It is not formed on the photoresist layer 60.
【0063】図9(A)に示すメッキ処理も、前2回の
メッキ処理と同様に、電鋳法のような適宜な手法による
ニッケルメッキとすることができる。そのようにすれ
ば、ニッケル製の柱状部14は、アーム部42、第2の
座部領域48及び第1の座部領域54に強固に一体的に
結合される。The plating treatment shown in FIG. 9A can also be nickel plating by an appropriate method such as electroforming, similarly to the plating treatments performed twice. By doing so, the columnar portion 14 made of nickel is firmly and integrally coupled to the arm portion 42, the second seat portion region 48, and the first seat portion region 54.
【0064】上記のように形成された柱状部14は、ホ
トレジスト層44を、液体ホトレジストを用いて形成し
た場合に比べ、厚さ寸法の大きい乾燥ホトレジストを用
いて形成しているから、大きな長さ寸法を有する。The columnar portion 14 formed as described above has a large length because the photoresist layer 44 is formed by using a dry photoresist having a large thickness dimension as compared with the case where the photoresist layer 44 is formed by using a liquid photoresist. Have dimensions.
【0065】次いで、図9(B)に示すように、ホトレ
ジスト層24,30、導電層36、第1のアーム領域4
2、ホトレジスト層44、残存する電気絶縁樹脂層4
6、第2の座部領域48及び第1の座部領域54のブロ
ックが基台22から除去される。Then, as shown in FIG. 9B, the photoresist layers 24 and 30, the conductive layer 36, and the first arm region 4 are formed.
2, photoresist layer 44, remaining electrically insulating resin layer 4
6, the blocks of the second seat area 48 and the first seat area 54 are removed from the base 22.
【0066】次いで、図9(C)に示すように、ホトレ
ジスト層24,30、第1のアーム領域42に結合され
ていない導電層36の箇所、ホトレジスト層44及び残
存する電気絶縁樹脂層46が除去される。これにより、
導電層36の残存領域は、第2のアーム領域として作用
して、第1のアーム領域42と共にプローブ要素10の
アーム部16を形成する。Next, as shown in FIG. 9C, the photoresist layers 24 and 30, the conductive layer 36 not bonded to the first arm region 42, the photoresist layer 44 and the remaining electrically insulating resin layer 46 are removed. To be removed. This allows
The remaining region of the conductive layer 36 acts as a second arm region to form the arm portion 16 of the probe element 10 with the first arm region 42.
【0067】上記のような方法により製作されたプロー
ブ要素10は、従来のプローブ要素に比べ、突起部18
の突出長さ寸法及び柱状部14の長さ寸法が大きいか
ら、座部12から突起部18の先端までの高さ寸法が大
きい。The probe element 10 manufactured by the above-mentioned method has a protruding portion 18 as compared with the conventional probe element.
Since the projecting length dimension and the columnar portion 14 are large, the height dimension from the seat 12 to the tip of the protrusion 18 is large.
【0068】次に、図10から図17を参照して、上記
のようなプローブ要素10の製造方法の他の実施例につ
いて説明する。Next, another embodiment of the method for manufacturing the probe element 10 as described above will be described with reference to FIGS.
【0069】先ず、図10(A)に示すように、主面に
1以上の凹所20を有する基台22が準備される。First, as shown in FIG. 10A, a base 22 having one or more recesses 20 on its main surface is prepared.
【0070】次いで、図10(B)に示すように、基台
22の主面に、フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジ
ストを配置して、ホトレジスト層24が形成される。Next, as shown in FIG. 10B, one or more film-shaped dry photoresists are arranged on the main surface of the base 22 to form a photoresist layer 24.
【0071】次いで、図10(C)に示すように、ホト
レジスト層24に、導電層70が銅箔のようなフィルム
をホトレジスト層24に接着することにより、重ねた状
態に配置される。Next, as shown in FIG. 10C, the conductive layer 70 is placed on the photoresist layer 24 in such a manner that a film such as a copper foil is adhered to the photoresist layer 24 so as to be overlaid.
【0072】次いで、図10(D)に示すように、導電
層70に、ホトレジスト層72が重ねた状態に形成され
る。ホトレジスト層72は、フィルム状の乾燥ホトレジ
ストを導電層70に重ねて接着することにより、形成す
ることができるし、液体のホトレジストを導電層70に
塗布することによっても形成することができる。Next, as shown in FIG. 10 (D), a photoresist layer 72 is formed on the conductive layer 70 in a superposed state. The photoresist layer 72 can be formed by stacking and adhering a film-shaped dry photoresist on the conductive layer 70, or can be formed by applying a liquid photoresist to the conductive layer 70.
【0073】上記のようにホトレジスト層24,導電層
70及びホトレジスト層72を別々のステップで形成す
る代わりに、ホトレジスト層24を形成する乾燥ホトレ
ジストを導電層70に予め重ねておくか、又はホトレジ
スト層24を形成する乾燥ホトレジスト、導電層70及
びホトレジスト層72を予め重ねておき、それらを基台
に配置してもよい。Instead of forming the photoresist layer 24, the conductive layer 70 and the photoresist layer 72 in separate steps as described above, a dry photoresist forming the photoresist layer 24 may be pre-deposited on the conductive layer 70, or the photoresist layer may be formed. The dry photoresist forming 24, the conductive layer 70, and the photoresist layer 72 may be stacked in advance, and they may be arranged on the base.
【0074】次いで、図11(A)に示すように、ホト
レジスト層72に露光及び現像処理が行われる。これに
より、基台22の凹所20に対応する箇所に穴73Aが
形成される。Next, as shown in FIG. 11A, the photoresist layer 72 is exposed and developed. As a result, a hole 73A is formed at a location corresponding to the recess 20 of the base 22.
【0075】次いで、図11(B)に示すように、導電
層70にエッチング処理が行われる。これにより、導電
層70及びホトレジスト層72を貫通する穴73Bが基
台22の凹所20に対応する箇所に形成される。Next, as shown in FIG. 11B, the conductive layer 70 is etched. As a result, a hole 73B penetrating the conductive layer 70 and the photoresist layer 72 is formed at a position corresponding to the recess 20 of the base 22.
【0076】次いで、図11(C)に示すように、ホト
レジスト層24に露光及び現像処理が行われる。これに
より、ホトレジスト層72、導電層70、ホトレジスト
層24を貫通して凹所20に達する穴73Cが形成され
る。Next, as shown in FIG. 11C, the photoresist layer 24 is exposed and developed. As a result, a hole 73C that penetrates the photoresist layer 72, the conductive layer 70, and the photoresist layer 24 and reaches the recess 20 is formed.
【0077】次いで、図12(A)に示すように、導電
性材料による1回目のメッキ処理がホトレジスト層72
の側から行われて、凹所20及び穴73Cにプローブ要
素10の突起部18が形成される。突起部18は、ホト
レジスト層24及び導電層70を貫通した状態に形成さ
れるが、ホトレジスト層72には形成されない。メッキ
処理は、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッ
キとすることができる。そのようにすれば、突起部18
は導電層70に強固に一体的に結合されるNext, as shown in FIG. 12A, the photoresist layer 72 is formed by the first plating process using a conductive material.
Performed from the side of, the projection 20 of the probe element 10 is formed in the recess 20 and the hole 73C. The protrusion 18 is formed so as to penetrate the photoresist layer 24 and the conductive layer 70, but is not formed in the photoresist layer 72. The plating treatment can be nickel plating by an appropriate method such as electroforming. By doing so, the protrusion 18
Are firmly and integrally bonded to the conductive layer 70.
【0078】上記のようにして得られた突起部18は、
ホトレジスト層24を、一般的な液体ホトレジストで形
成した場合に比べ、厚さ寸法の大きい複数の乾燥ホトレ
ジストで形成しているから、大きい突出長さ寸法を有す
る。The protrusion 18 obtained as described above is
Since the photoresist layer 24 is formed of a plurality of dry photoresists having a large thickness dimension, it has a large protruding length dimension as compared with the case where it is formed of a general liquid photoresist.
【0079】次いで、図12(B)に示すようにホトレ
ジスト層72が除去され、その代わりに図12(C)に
示すようにホトレジスト層74が導電層70に形成され
る。ホトレジスト層74は、後に説明するように導電層
70がアーム部の一部として用いられるから、液体のホ
トレジストを導電層70に塗布することにより形成する
ことができる。Next, as shown in FIG. 12B, the photoresist layer 72 is removed, and instead, a photoresist layer 74 is formed on the conductive layer 70 as shown in FIG. 12C. Since the conductive layer 70 is used as a part of the arm portion as described later, the photoresist layer 74 can be formed by applying a liquid photoresist to the conductive layer 70.
【0080】次いで、図12(D)に示すように、ホト
レジスト層74に、露光及び現像処理が行われて、プロ
ーブ要素10のアーム部16に対応する箇所に穴76が
形成される。Next, as shown in FIG. 12D, the photoresist layer 74 is exposed and developed to form a hole 76 at a location corresponding to the arm portion 16 of the probe element 10.
【0081】次いで、図13(A)に示すように、導電
性材料による2回目のメッキ処理がホトレジスト層74
の側から行われて、プローブ要素10のアーム部16の
一部を形成する第1のアーム領域78が形成される。こ
のときのメッキ処理も、前回のメッキ処理と同様に、電
鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッキとするこ
とができる。そのようにすれば、第1のアーム領域78
が導電層70及び突起部18に強固に一体的に結合され
る。Next, as shown in FIG. 13A, the second plating process using the conductive material is performed by the photoresist layer 74.
Performed from the side of, the first arm region 78 forming a part of the arm portion 16 of the probe element 10 is formed. The plating treatment at this time can be nickel plating by an appropriate method such as electroforming, as in the previous plating treatment. By doing so, the first arm region 78
Is firmly and integrally bonded to the conductive layer 70 and the protrusion 18.
【0082】ホトレジスト層74を乾燥ホトレジストに
より形成すれば、第1のアーム領域78、ひいてはプロ
ーブ要素10のアーム部16の厚さ寸法を大きくするこ
とができる。If the photoresist layer 74 is formed of dry photoresist, the thickness dimension of the first arm region 78 and thus the arm portion 16 of the probe element 10 can be increased.
【0083】次いで、図13(B)に示すように、ホト
レジスト層74及び第1のアーム領域78に、フィルム
状をした2以上の乾燥ホトレジストを用いたホトレジス
ト層80が形成される。ホトレジスト層80は、先の実
施例におけるホトレジスト層44と同様に形成すること
ができる。Then, as shown in FIG. 13B, a photoresist layer 80 using two or more film-shaped dry photoresists is formed on the photoresist layer 74 and the first arm region 78. The photoresist layer 80 can be formed similarly to the photoresist layer 44 in the previous embodiment.
【0084】次いで、図13(C)に示すように、電気
絶縁樹脂層82と導電層84とが、電気絶縁樹脂層82
をホトレジスト層80側とした状態に、ホトレジスト層
80に形成される。電気絶縁樹脂層82及び導電層84
は、先の実施例における電気絶縁樹脂層46及び導電層
48と同様に形成することができる。したがって、電気
絶縁樹脂層82及び導電層84を接合する作業が不要に
なるから、プローブ要素の製造コストが低減する。Next, as shown in FIG. 13C, the electrically insulating resin layer 82 and the conductive layer 84 are replaced by the electrically insulating resin layer 82.
Is formed on the photoresist layer 80 with the photoresist layer 80 side facing the photoresist layer 80 side. Electrically insulating resin layer 82 and conductive layer 84
Can be formed similarly to the electrically insulating resin layer 46 and the conductive layer 48 in the previous embodiment. Therefore, the work of joining the electrically insulating resin layer 82 and the conductive layer 84 becomes unnecessary, and the manufacturing cost of the probe element is reduced.
【0085】次いで、図14(A)に示すように、導電
層84にホトレジスト層86が形成される。このホトレ
ジスト層86は、乾燥ホトレジストで形成してもよい
し、液体のホトレジストで形成してもよい。Next, as shown in FIG. 14A, a photoresist layer 86 is formed on the conductive layer 84. The photoresist layer 86 may be formed of a dry photoresist or a liquid photoresist.
【0086】ホトレジスト層80、電気絶縁樹脂層8
2、導電層84及びホトレジスト層86の積層シート層
も、先の実施例と同様に、ホトレジスト層80、電気絶
縁樹脂層82、導電層84及びホトレジスト層86又は
それらのいくつかを予め積層したものを用いることによ
り、ステップ数を減少させてもよい。Photoresist layer 80, electrically insulating resin layer 8
2, the laminated sheet layer of the conductive layer 84 and the photoresist layer 86 is also a laminate of the photoresist layer 80, the electrically insulating resin layer 82, the conductive layer 84 and the photoresist layer 86, or some of them in advance, as in the previous embodiment. May be used to reduce the number of steps.
【0087】次いで、図14(B)に示すように、ホト
レジスト層86に、露光及び現像処理が行われて、プロ
ーブ要素10の柱状部14に対応する箇所が除去された
取付座部12に対応する穴88が形成される。Next, as shown in FIG. 14B, the photoresist layer 86 is exposed and developed to correspond to the mounting seat portion 12 where the portion corresponding to the columnar portion 14 of the probe element 10 is removed. A hole 88 is formed.
【0088】次いで、図14(C)に示すように、導電
性材料によるメッキ処理がホトレジスト層86の側から
行われて、穴88に対応する第1の座部領域90が形成
される。このときのメッキ処理も、前回のメッキ処理と
同様に、電鋳法のような適宜な手法によるニッケルメッ
キとすることができる。そのようにすれば、ニッケル製
の第1の座部領域90は、銅製の導電層84に強固に一
体的に結合される。また、ホトレジスト層86が乾燥ホ
トレジストを用いて形成されていると、液体ホトレジス
トを用いた場合に比べ、厚さ寸法の大きい第1の座部領
域90を得ることができる。Then, as shown in FIG. 14C, a plating process using a conductive material is performed from the photoresist layer 86 side to form a first seat region 90 corresponding to the hole 88. The plating treatment at this time can be nickel plating by an appropriate method such as electroforming, as in the previous plating treatment. By doing so, the first seat portion region 90 made of nickel is firmly and integrally coupled to the conductive layer 84 made of copper. Further, when the photoresist layer 86 is formed by using the dry photoresist, the first seat region 90 having a larger thickness dimension can be obtained as compared with the case where the liquid photoresist is used.
【0089】次いで、図15(A)に示すように、ホト
レジスト層86のうち、第1の座部領域90の周りに残
存するホトレジスト及びプローブ要素10の柱状部14
に対応する箇所の穴92内に残存するホトレジストが除
去される。これにより、穴92が開放される。Next, as shown in FIG. 15A, in the photoresist layer 86, the photoresist remaining around the first seat portion region 90 and the columnar portion 14 of the probe element 10 are left.
The photoresist remaining in the hole 92 at the location corresponding to is removed. As a result, the hole 92 is opened.
【0090】次いで、図15(B)に示すように、導電
層84のうち、第1の座部領域90の周り及び穴92に
対応する箇所の導電製材料がエッチングにより除去され
る。これにより、第1の座部領域90及び残存する導電
層84を貫通する穴94が第1の座部領域90及び残存
する導電層84に形成される。これにより、残存する導
電層84の残存領域は、第2の座部領域として作用し
て、第1の座部領域90と共にプローブ要素10の取付
座部12を形成する。Next, as shown in FIG. 15B, the conductive material in the conductive layer 84 around the first seat region 90 and in the portions corresponding to the holes 92 is removed by etching. As a result, a hole 94 penetrating the first seat region 90 and the remaining conductive layer 84 is formed in the first seat region 90 and the remaining conductive layer 84. As a result, the remaining area of the conductive layer 84 that remains acts as the second seat area, and forms the mounting seat 12 of the probe element 10 together with the first seat area 90.
【0091】次いで、図15(C)に示すように、ホト
レジスト層96が、第1の座部領域90、残存する導電
層すなわち第2の座部領域84及び電気絶縁樹脂層82
の露出部を覆うように、第1の座部領域90、第2の座
部領域84及び電気絶縁樹脂層82の側に形成される。
ホトレジスト層96は、液体のホトレジストを塗布する
ことにより、形成することができる。Next, as shown in FIG. 15C, the photoresist layer 96 is formed into the first seat region 90, the remaining conductive layer, that is, the second seat region 84 and the electrically insulating resin layer 82.
Is formed on the first seat portion region 90, the second seat portion region 84, and the electrically insulating resin layer 82 side so as to cover the exposed portion.
The photoresist layer 96 can be formed by applying a liquid photoresist.
【0092】次いで、図16(A)に示すように、ホト
レジスト層96に、露光及び現像処理が行われて、穴9
4内のホトレジストが除去されると共に、第2の座部領
域84の穴98に対応する箇所の材料がエッチングによ
り除去されて、ホトレジスト層96、第1及び第2の座
部領域90,84を貫通する穴100が形成される。Next, as shown in FIG. 16A, the photoresist layer 96 is exposed and developed to form holes 9
4 is removed, and at the same time, the material in the portions corresponding to the holes 98 in the second seat region 84 is removed by etching to remove the photoresist layer 96, the first and second seat regions 90, 84. A hole 100 is formed therethrough.
【0093】次いで、図16(B)に示すように、穴1
00から、電気絶縁樹脂層82及びホトレジスト層80
を貫通する穴がレーザビームを用いて形成される。これ
により、ホトレジスト層96、第1の座部領域90、残
存する導電層すなわち第2の座部領域84、電気絶縁樹
脂層82及びホトレジスト層80を貫通する貫通穴10
2が形成される。貫通穴102は、第1のアーム領域7
8に達している。Then, as shown in FIG. 16B, the hole 1
00 to the electrically insulating resin layer 82 and the photoresist layer 80.
A hole passing through is formed using a laser beam. Thereby, the through hole 10 penetrating the photoresist layer 96, the first seat region 90, the remaining conductive layer, that is, the second seat region 84, the electrically insulating resin layer 82, and the photoresist layer 80.
2 is formed. The through hole 102 is formed in the first arm region 7
Has reached eight.
【0094】次いで、図17(A)に示すように、導電
性材料によるメッキ処理がホトレジスト層96の側から
行われて、プローブ要素10の柱状部14が穴102に
第1のアーム領域78から第1の座部領域90にわたっ
て形成される。このメッキ処理において、柱状部14
は、第1の座部領域90を貫通した状態にまで形成され
るが、ホトレジスト層96には形成されない。Next, as shown in FIG. 17A, a plating process using a conductive material is performed from the photoresist layer 96 side so that the columnar portion 14 of the probe element 10 is formed in the hole 102 from the first arm region 78. It is formed over the first seat region 90. In this plating process, the columnar portion 14
Are formed up to the state of penetrating the first seat region 90, but are not formed in the photoresist layer 96.
【0095】図17(A)に示すメッキ処理も、前2回
のメッキ処理と同様に、電鋳法のような適宜な手法によ
るニッケルメッキとすることができる。そのようにすれ
ば、ニッケル製の柱状部14は、第1のアーム領域7
8、第2の座部領域84及び第1の座部領域78に強固
に一体的に結合される。The plating treatment shown in FIG. 17A can also be nickel plating by an appropriate method such as electroforming, similarly to the plating treatments performed twice. By doing so, the columnar portion 14 made of nickel is provided in the first arm region 7
8, firmly coupled to the second seat region 84 and the first seat region 78.
【0096】上記のように形成された柱状部14も、ホ
トレジスト層80を、液体ホトレジストを用いて形成し
た場合に比べ、厚さ寸法の大きい乾燥ホトレジストを用
いて形成しているから、大きな長さ寸法を有する。The columnar portion 14 formed as described above also has a large length because the photoresist layer 80 is formed using a dry photoresist having a large thickness dimension as compared with the case where the photoresist layer 80 is formed using a liquid photoresist. Have dimensions.
【0097】次いで、図17(B)に示すように、ホト
レジスト層24、導電層70、第1のアーム領域78、
ホトレジスト層80、残存する電気絶縁樹脂層82、第
2の座部領域84及び第1の座部領域90のブロックが
基台22から除去される。Then, as shown in FIG. 17B, the photoresist layer 24, the conductive layer 70, the first arm region 78,
The blocks of the photoresist layer 80, the remaining electrically insulating resin layer 82, the second seat area 84 and the first seat area 90 are removed from the base 22.
【0098】次いで、図17(C)に示すように、ホト
レジスト層24、導電層70、ホトレジスト層80及び
残存する電気絶縁樹脂層82が除去される。Next, as shown in FIG. 17C, the photoresist layer 24, the conductive layer 70, the photoresist layer 80 and the remaining electrically insulating resin layer 82 are removed.
【0099】上記のような方法により製作されたプロー
ブ要素10も、従来のプローブ要素に比べ、突起部18
の突出長さ寸法及び柱状部14の長さ寸法が大きいか
ら、座部12から突起部18の先端までの高さ寸法が大
きい。The probe element 10 manufactured by the above method is also different from the conventional probe element in the protrusion 18.
Since the projecting length dimension and the columnar portion 14 are large, the height dimension from the seat 12 to the tip of the protrusion 18 is large.
【0100】上記の実施例において、フィルム状の乾燥
ホトレジストとして、デュポンMRCドライフィルム株
式会社製の「リストン」FRA063シリーズの製品
(例えば、厚さ寸法が50μm)を用いることができ
る。In the above embodiment, as the film-shaped dry photoresist, a product of "Liston" FRA063 series manufactured by DuPont MRC Dry Film Co., Ltd. (for example, a thickness dimension is 50 μm) can be used.
【0101】次に、上記のような方法により製作された
複数のプローブ要素10を用いたプローブカードの一実
施例を、図18及び図19を参照して説明する。Next, an embodiment of a probe card using a plurality of probe elements 10 manufactured by the above method will be described with reference to FIGS. 18 and 19.
【0102】プローブカード110は、配線基板112
と、複数のプローブ要素10とを含む。配線基板112
は、電気絶縁板114の一方の面に帯状の複数の接続ラ
ンド116を有していると共に、電気絶縁板114の他
方の面に複数のテスターランド118を有している。The probe card 110 includes a wiring board 112.
And a plurality of probe elements 10. Wiring board 112
Has a plurality of strip-shaped connection lands 116 on one surface of the electric insulating plate 114, and has a plurality of tester lands 118 on the other surface of the electric insulating plate 114.
【0103】接続ランド116とテスターランド118
とは、相互に及びプローブ要素10に個々に対応されて
おり、また配線120により一対一の形に接続されてい
る。Connection land 116 and tester land 118
And are individually associated with each other and with the probe element 10 and are connected in a one-to-one fashion by wires 120.
【0104】接続ランド116は、一方向へ伸びる状態
に他方向に間隔をおいて並列的に配置された2組の接続
ランド群に分けられて2列に配置されている。テスター
ランド118は、電気絶縁板114の他方の面の周縁部
に多重に形成されている。The connection lands 116 are divided into two sets of connection lands arranged in parallel while being extended in one direction at intervals in the other direction and arranged in two rows. The tester lands 118 are multiply formed on the peripheral portion of the other surface of the electric insulating plate 114.
【0105】各プローブ要素10は、突起部18が電気
絶縁板114の側と反対の側となる状態に、取付座部1
2において対応する接続ランド114に半田のような導
電性接着剤により組み付けられている。Each probe element 10 has the mounting seat 1 with the projection 18 on the side opposite to the side of the electrical insulating plate 114.
2 is attached to the corresponding connection land 114 by a conductive adhesive such as solder.
【0106】プローブカード110は、集積回路のよう
な半導体デバイスの通電試験に用いられるものである
が、本発明のプローブ要素及びその製造方法は半導体デ
バイス以外の液晶表示パネルのような被検査体の通電試
験に用いられるプローブ要素及びその製造方法にも適用
することができる。The probe card 110 is used for conducting a current test of a semiconductor device such as an integrated circuit. It can also be applied to the probe element used for the energization test and its manufacturing method.
【0107】本発明は、上記実施例に限定されない。本
発明は、その趣旨を逸脱しない限り、種々変更すること
ができる。The present invention is not limited to the above embodiment. The present invention can be variously modified without departing from the spirit thereof.
【図1】本発明に係るプローブ要素の一実施例を示す斜
視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a probe element according to the present invention.
【図2】本発明に係るプローブ要素の製造方法の一実施
例を説明するためのステップを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing steps for explaining an embodiment of a method for manufacturing a probe element according to the present invention.
【図3】図2に示すステップに続くステップを示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG.
【図4】図3に示すステップに続くステップを示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG.
【図5】図4に示すステップに続くステップを示す図で
ある。5 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 4. FIG.
【図6】図5に示すステップに続くステップを示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG.
【図7】図6に示すステップに続くステップを示す図で
ある。FIG. 7 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 6.
【図8】図7に示すステップに続くステップを示す図で
ある。FIG. 8 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 7.
【図9】図8に示すステップに続くステップを示す図で
ある。9 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 8. FIG.
【図10】本発明に係るプローブ要素の製造方法の他の
実施例を説明するためのステップを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing steps for explaining another embodiment of the method for manufacturing a probe element according to the present invention.
【図11】図10に示すステップに続くステップを示す
図である。11 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG.
【図12】図11に示すステップに続くステップを示す
図である。FIG. 12 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 11.
【図13】図12に示すステップに続くステップを示す
図である。FIG. 13 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 12.
【図14】図13に示すステップに続くステップを示す
図である。FIG. 14 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG.
【図15】図14に示すステップに続くステップを示す
図である。FIG. 15 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG.
【図16】図15に示すステップに続くステップを示す
図である。16 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG.
【図17】図16に示すステップに続くステップを示す
図である。FIG. 17 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 16.
【図18】図1に示すプローブ要素を用いたプローブカ
ードの一実施例を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing an example of a probe card using the probe element shown in FIG. 1.
【図19】図18における19−19線に沿って得た断
面図である。19 is a cross-sectional view taken along line 19-19 in FIG.
10 プローブ要素 12 取付座部 14 柱状部 16 アーム部 18 突起部 20 基台の凹所 24,38,44,50,60 ホトレジスト層 22 基台 36,46,70,82 導電層 42,78 第1のアーム領域 46、82 電気絶縁樹脂層 50,90 第1の座部領域 64,102 貫通穴 72,74,80,86,96 ホトレジスト層 10 probe elements 12 Mounting seat 14 Column 16 arms 18 Projection 20 base recess 24, 38, 44, 50, 60 photoresist layer 22 base 36, 46, 70, 82 Conductive layer 42,78 First arm area 46, 82 Electrically insulating resin layer 50,90 First seat area 64,102 through holes 72,74,80,86,96 photoresist layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤平 明久 東京都武蔵野市吉祥寺本町2丁目6番8号 株式会社日本マイクロニクス内 Fターム(参考) 2G011 AA09 AA15 AA21 AB06 AB08 AC31 AD01 AE01 AE03 4M106 AA01 BA01 DD03 DD10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Akihisa Akabira 2-6-8 Honcho, Kichijoji, Musashino City, Tokyo Within Japan Micronics Co., Ltd. F-term (reference) 2G011 AA09 AA15 AA21 AB06 AB08 AC31 AD01 AE01 AE03 4M106 AA01 BA01 DD03 DD10
Claims (7)
所を有する基台を準備する第1のステップと、 フィルム状をした2以上の乾燥ホトレジストを重ねた第
1のホトレジスト層であって当該第1のホトレジスト層
をこれの厚さ方向に貫通して前記凹所に達する突起部を
有する第1のホトレジスト層を前記主面に形成する第2
のステップとを含む、プローブ要素及びその製造方法。1. A first step of preparing a base having a main surface and having one or more recesses in the main surface; and a first photoresist layer in which two or more dry photoresists in a film shape are stacked. And forming a first photoresist layer on the main surface, the first photoresist layer having a protrusion that penetrates the first photoresist layer in the thickness direction thereof and reaches the recess.
And a manufacturing method thereof.
ングにより前記突起部に接合された第1の導電層を前記
第1のホトレジスト層に形成する第3のステップと、 該第1の導電層に第2のホトレジスト層を形成する第4
のステップと、 前記2のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前
記第1の導電層に重ねられて接合されたアーム部であっ
て前記突起部とほぼ直角に伸びるアーム部を前記2のホ
トレジスト層に形成する第5のステップとを含む、請求
項1に記載の製造方法。2. A third step of forming on the first photoresist layer a first conductive layer joined to the protrusion by sputtering using a conductive material, and the third conductive layer being formed on the first photoresist layer. Fourth forming a second photoresist layer
And a step of penetrating the second photoresist layer in the thickness direction thereof and overlapping and joining the first conductive layer to the first conductive layer, the arm section extending substantially at right angles to the projecting portion. 5. The method according to claim 1, further comprising a fifth step of forming the photoresist layer.
ホトレジストを積層した第3のホトレジスト層と、該第
3のホトレジスト層に重ねられた電気絶縁樹脂層と、該
電気絶縁樹脂層に重ねられた第2の導電層と、該第2の
導電層に重ねられた第4のホトレジスト層とを含む積層
シート層を、前記第3のホトレジスト層が前記第2のホ
トレジスト層側となる状態に、前記アーム部及び前記第
2のホトレジスト層に形成する第6のステップと、 前記第2の導電層に重ねられて接合されたベース部であ
ってプローブ要素の柱状部に対応する箇所が欠如された
ベース部を前記第4のホトレジスト層に形成する第7の
ステップと、 前記第4のホトレジスト層を除去して、前記ベース部が
接合されている領域を除いて前記第2の導電層を除去す
る第8のステップと、 前記ベース部及び前記電気絶縁樹脂層の露出面に第5の
ホトレジスト層を形成する第9のステップと、 前記第5のホトレジスト層から、前記ベース部の欠如部
及び前記積層シート層を経て前記アーム部に達する穴を
形成する第10のステップと、 前記アーム部、前記第2の導電層及び前記ベース部に接
合された導電性の柱状部を前記穴に形成する第11のス
テップと、 前記第1,第2,第3及び第5のホトレジスト層並びに
前記電気絶縁樹脂フィルム層を除去すると共に、前記第
1及び第2の導電層の不要な箇所を除去する第12のス
テップとを含む、請求項3に記載の製造方法。3. A third photoresist layer in which two or more film-shaped dry photoresists are laminated, an electric insulating resin layer laminated on the third photoresist layer, and an electric insulating resin layer laminated on the electric insulating resin layer. A laminated sheet layer including a second conductive layer and a fourth photoresist layer stacked on the second conductive layer, in a state where the third photoresist layer is on the second photoresist layer side, A sixth step of forming the arm portion and the second photoresist layer, and a portion corresponding to the columnar portion of the probe element, which is a base portion that is overlapped and joined to the second conductive layer, are omitted. A seventh step of forming a base portion on the fourth photoresist layer, and removing the fourth photoresist layer to remove the second conductive layer except for the region where the base portion is joined. Eighth A step, a ninth step of forming a fifth photoresist layer on the exposed surface of the base portion and the electrically insulating resin layer, and a step of removing the base portion and the laminated sheet layer from the fifth photoresist layer. A tenth step of forming a hole through which the arm portion is reached, and an eleventh step of forming a conductive columnar portion bonded to the arm portion, the second conductive layer and the base portion in the hole. A twelfth step of removing the first, second, third and fifth photoresist layers and the electrically insulating resin film layer and removing unnecessary portions of the first and second conductive layers. The manufacturing method of Claim 3 containing.
所を有する基台を準備する第1のステップと、 フィルム状をした1以上の乾燥ホトレジストを用いた第
1のホトレジスト層及び該第1のホトレジスト層に重ね
られた第1の導電層を含む第1の積層シート層を前記第
1のホトレジスト層が前記基台側となる状態に前記基台
に形成する第2のステップと、 前記凹所に達する貫通穴を前記第1の積層シート層に形
成する第3のステップと、 前記凹所から前記第1のホトレジスト層及び前記第1の
導電層に達する突起部を前記凹所及び前記貫通穴に形成
する第4のステップとを含む、プローブ要素及びその製
造方法。4. A first step of preparing a base having a main surface and having one or more recesses in the main surface, a first photoresist layer using one or more film-shaped dry photoresists, and A second step of forming a first laminated sheet layer including a first conductive layer overlaid on the first photoresist layer on the base so that the first photoresist layer is on the base side; A third step of forming a through hole reaching the recess in the first laminated sheet layer, and a protrusion extending from the recess to the first photoresist layer and the first conductive layer And a fourth step of forming the through hole, and a method of manufacturing the probe element.
レジスト層を形成する第5のステップと、 前記2のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前
記第1の導電層に重ねられて接合されたアーム部であっ
て前記突起部とほぼ直角に伸びるアーム部を前記2のホ
トレジスト層に形成する第6のステップとを含む、請求
項4に記載の製造方法。5. A fifth step of forming a second photoresist layer on the first conductive layer, and a step of penetrating the second photoresist layer in the thickness direction thereof to form the first conductive layer. 6. The manufacturing method according to claim 4, further comprising a sixth step of forming an arm portion that is overlapped and joined and that extends substantially at a right angle with the protruding portion on the second photoresist layer.
ホトレジストを積層した第3のホトレジスト層と、該第
3のホトレジスト層に重ねられた電気絶縁樹脂層と、該
電気絶縁樹脂層に重ねられた第2の導電層と、該第2の
導電層に重ねられた第4のホトレジスト層とを含む第2
の積層シート層を、前記第3のホトレジスト層が前記第
2のホトレジスト層側となる状態に、前記アーム部及び
前記第2のホトレジスト層に形成する第7のステップ
と、 前記第2の導電層に重ねられて接合されたベース部であ
ってプローブ要素の柱状部に対応する箇所が欠如された
ベース部を前記第4のホトレジスト層に形成する第8の
ステップと、 前記第4のホトレジスト層を除去して、前記ベース部が
接合されている領域を除いて前記第2の導電層を除去す
る第9のステップと、 前記ベース部及び前記電気絶縁樹脂層の露出面に第5の
ホトレジスト層を形成する第10のステップと、 前記第5のホトレジスト層から、前記ベース部の欠如部
及び前記積層シート層を経て前記アーム部に達する穴を
形成する第11のステップと、 前記アーム部、前記第2の導電層及び前記ベース部に接
合された導電性の柱状部を前記穴に形成する第12のス
テップと、 前記第1,第2,第4及び第5のホトレジスト層、前記
電気絶縁樹脂層並びに前記第1の導電層を除去する第1
1のステップとを含む、請求項5に記載の製造方法。6. A third photoresist layer in which two or more film-shaped dry photoresists are laminated, an electric insulating resin layer laminated on the third photoresist layer, and an electric insulating resin layer laminated on the electric insulating resin layer. A second conductive layer and a fourth photoresist layer overlying the second conductive layer
Forming a laminated sheet layer on the arm portion and the second photoresist layer in a state in which the third photoresist layer is on the second photoresist layer side; and the second conductive layer. An eighth step of forming in the fourth photoresist layer a base portion which is overlapped and joined to the probe element and in which a portion corresponding to the columnar portion of the probe element is absent, and the fourth photoresist layer. A ninth step of removing and removing the second conductive layer except the region where the base portion is joined, and a fifth photoresist layer on the exposed surface of the base portion and the electrically insulating resin layer. A tenth step of forming, an eleventh step of forming a hole from the fifth photoresist layer to reach the arm portion through the lacking portion of the base portion and the laminated sheet layer, A twelfth step of forming, in the hole, a conductive columnar portion bonded to the hole portion, the second conductive layer and the base portion, the first, second, fourth and fifth photoresist layers, First to remove the electrically insulating resin layer and the first conductive layer
The manufacturing method according to claim 5, further comprising the step of 1.
直角に伸びる柱状部と、該柱状部からこれとほぼ直角に
伸びるアーム部と、該アーム部の先端部から前記柱状部
と反対方向へ突出する突起部とを含む、プローブ要素。7. A mounting seat portion, a columnar portion extending from the mounting seat portion substantially at a right angle thereto, an arm portion extending from the columnar portion at a substantially right angle thereto, and a columnar portion from a tip end portion of the arm portion. A probe element including a protrusion protruding in an opposite direction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002027059A JP2003227849A (en) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | Probe element and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002027059A JP2003227849A (en) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | Probe element and method of manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003227849A true JP2003227849A (en) | 2003-08-15 |
Family
ID=27748699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002027059A Pending JP2003227849A (en) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | Probe element and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003227849A (en) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006215022A (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Mjc Probe Inc | Fit-in type micro touch unit and manufacturing method therefor |
WO2006112354A1 (en) * | 2005-04-18 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Limited | Probe and method for manufacturing same |
JP2008513801A (en) * | 2004-09-22 | 2008-05-01 | パイコム・コーポレーション | Method for manufacturing vertical electrical contact body and vertical electrical contact body using the same |
JP2008518228A (en) * | 2004-10-26 | 2008-05-29 | パイコム・コーポレーション | Vertical electrical contact and method for manufacturing the same |
JP2008151573A (en) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Micronics Japan Co Ltd | Electrical connection device and manufacturing method thereof |
JP2008525793A (en) * | 2004-12-24 | 2008-07-17 | パイコム・コーポレーション | Probe card manufacturing method including sensing probe, probe card, and probe card inspection system |
US7471095B2 (en) | 2006-12-19 | 2008-12-30 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electrical connecting apparatus and method for use thereof |
DE112007000936T5 (en) | 2006-04-14 | 2009-02-19 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Process for the preparation of a probe blade |
JP2009529433A (en) * | 2006-03-15 | 2009-08-20 | ドニアール・ソシエテ・アノニム | LIGA-UV manufacturing method of multilayer metal structure in which adjacent layers do not completely overlap and structure obtained thereby |
JP2010042500A (en) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Method of manufacturing microelectromechanical parts |
US7800001B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-09-21 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Probe sheet and electrical connecting apparatus |
US7934945B2 (en) | 2006-09-28 | 2011-05-03 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electrical connecting apparatus |
US7934944B2 (en) | 2006-04-07 | 2011-05-03 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electrical connecting apparatus |
KR101324284B1 (en) | 2007-05-25 | 2013-11-01 | 주식회사 코리아 인스트루먼트 | Electrical connecting assembly for probe card, probe card having the electrical connecting assembly, manufacturing method of electrical connecting assembly for probe card and manufacturing method of having the electrical connecting assembly |
JP2015133202A (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 日本航空電子工業株式会社 | Terminals and connectors |
-
2002
- 2002-02-04 JP JP2002027059A patent/JP2003227849A/en active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008513801A (en) * | 2004-09-22 | 2008-05-01 | パイコム・コーポレーション | Method for manufacturing vertical electrical contact body and vertical electrical contact body using the same |
JP2008518228A (en) * | 2004-10-26 | 2008-05-29 | パイコム・コーポレーション | Vertical electrical contact and method for manufacturing the same |
JP2008525793A (en) * | 2004-12-24 | 2008-07-17 | パイコム・コーポレーション | Probe card manufacturing method including sensing probe, probe card, and probe card inspection system |
JP2006215022A (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Mjc Probe Inc | Fit-in type micro touch unit and manufacturing method therefor |
WO2006112354A1 (en) * | 2005-04-18 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Limited | Probe and method for manufacturing same |
JP2006300617A (en) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Tokyo Electron Ltd | Probe and its manufacturing method |
JP2009529433A (en) * | 2006-03-15 | 2009-08-20 | ドニアール・ソシエテ・アノニム | LIGA-UV manufacturing method of multilayer metal structure in which adjacent layers do not completely overlap and structure obtained thereby |
US7934944B2 (en) | 2006-04-07 | 2011-05-03 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electrical connecting apparatus |
DE112007000936T5 (en) | 2006-04-14 | 2009-02-19 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Process for the preparation of a probe blade |
US7800001B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-09-21 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Probe sheet and electrical connecting apparatus |
US8202684B2 (en) | 2006-04-14 | 2012-06-19 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Method for manufacturing probe sheet |
DE112007000936B4 (en) * | 2006-04-14 | 2014-02-13 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Process for the preparation of a probe blade |
US7934945B2 (en) | 2006-09-28 | 2011-05-03 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electrical connecting apparatus |
US7819668B2 (en) | 2006-12-15 | 2010-10-26 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electrical connecting apparatus and method for manufacturing the same |
JP2008151573A (en) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Micronics Japan Co Ltd | Electrical connection device and manufacturing method thereof |
US7471095B2 (en) | 2006-12-19 | 2008-12-30 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Electrical connecting apparatus and method for use thereof |
KR101324284B1 (en) | 2007-05-25 | 2013-11-01 | 주식회사 코리아 인스트루먼트 | Electrical connecting assembly for probe card, probe card having the electrical connecting assembly, manufacturing method of electrical connecting assembly for probe card and manufacturing method of having the electrical connecting assembly |
JP2010042500A (en) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Method of manufacturing microelectromechanical parts |
JP2015133202A (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | 日本航空電子工業株式会社 | Terminals and connectors |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003227849A (en) | Probe element and method of manufacturing the same | |
JP3694825B2 (en) | Conductive pattern forming method and connector, flexible printed wiring board, anisotropic conductive member | |
US5173055A (en) | Area array connector | |
EP2615636B1 (en) | Probe card and method for manufacturing same | |
WO2007119636A1 (en) | Method for manufacturing probe sheet | |
JP2004363536A (en) | Interconnecting method for multilayer printed circuit board | |
US20050224256A1 (en) | Interlayer member used for producing multilayer wiring board and method of producing the same | |
CN102262480B (en) | Touch panel and method of manufacturing the same | |
KR101942960B1 (en) | Method for manufacturing a dome sheet and dome switch | |
EP0417239A4 (en) | Method of forming contact bumps in contact pads | |
JP2003257282A (en) | Sheet with movable contact | |
JP6896097B2 (en) | Movable contacts for switches and switches | |
JP2011249549A (en) | Flexible printed wiring board, connection structure thereof, method of manufacturing them, and electronic equipment | |
JP3587748B2 (en) | Multilayer flexible wiring board and method for manufacturing multilayer flexible wiring board | |
JP2000340277A (en) | Interconnector and its manufacture | |
JP2000114434A (en) | Structure for mounting semiconductor chip or semiconductor device on substrate | |
JP2003043064A (en) | Contact manufacturing die, method for manufacturing the same, and method for manufacturing contact | |
JP4355176B2 (en) | Connecting terminal | |
JP2007173727A (en) | Method of manufacturing wiring board | |
JP4036978B2 (en) | Electrical connection device for electronic components | |
CN110050338B (en) | Electronic component and method for manufacturing the same | |
JP4644756B2 (en) | Spiral contact bonding method | |
JP2009038171A (en) | Double-sided connection wiring board and method for manufacturing double-sided connection wiring board | |
JPH0365925A (en) | Liquid crystal display device of curved surface | |
JP7555206B2 (en) | Manufacturing method for printed wiring board |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20041209 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070612 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081209 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20100309 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |