JP2003226751A - 高純度炭酸ジフェニル組成物とポリカーボネートの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 着色が少なく、高分子量のポリカーボネート
の製造に有利に用いることができる高純度炭酸ジフェニ
ル組成物を提供する。 【解決手段】 炭酸メチルフェニルフェニルを含有する
高純度炭酸ジフェニル組成物であって、炭酸メチルフェ
ニルフェニルの含有率が３００重量ｐｐｍで、かつ炭酸
メチルフェニルフェニルを含む不純物の総含有量が１重
量％以下で、残部が炭酸ジフェニルである高純度炭酸ジ
フェニル組成物は、着色が少なく、高分子量のポリカー
ボネートの製造に有利に用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高純度炭酸ジフェ
ニル組成物とその製法に関し、特に、シュウ酸ジフェニ
ルの脱ＣＯ反応の反応生成物から複数の精製工程を利用
して高純度炭酸ジフェニル組成物を得る方法に関する。
本発明は、更に、高分子量でかつ着色の少ないポリカー
ボネートとその製法に関する。

【０００２】炭酸ジフェニルは、種々の化学反応におけ
る原料化合物として知られており、特に芳香族ジヒドロ
キシ化合物と重縮合反応させることによりポリカーボネ
ートを得ることができることがよく知られている。この
ポリカーボネートは、機械的強度、透明性、電気的特
性、光学的特性等において優れているので、コンパクト
ディスクなどの電気・電子製品、有機ガラス、光学レン
ズなどの工業材料製品の形成材料として有用な極めて重
要なポリマーである。

【０００３】

【従来の技術】炭酸ジフェニルは、ホスゲン法、炭酸ジ
メチルのエステル交換による方法、そして、シュウ酸ジ
フェニルの脱ＣＯ反応による方法などの炭酸ジフェニル
合成反応によって製造できることが知られている。なか
でも、脱ＣＯ反応によりシュウ酸ジフェニルから炭酸ジ
フェニルを液相で製造する方法は工業的製法として有用
であって、例えば、有機リン化合物などの脱ＣＯ触媒の
存在下、シュウ酸ジアリール（シュウ酸ジフェニルな
ど）を加熱して脱ＣＯ反応させることにより、一酸化炭
素と共に炭酸ジアリール（炭酸ジフェニルなど）を生成
させる方法が、特開平８−３３３３０７号公報、特開平
１０−５９９０５号公報、特開平１１−１５２２５２号
公報などに開示されている。

【０００４】また、ポリカーボネートは、炭酸ジフェニ
ル合成反応で得られた炭酸ジフェニルを芳香族ジヒドロ
キシ化合物と重縮合反応させることによって製造できる
ことがよく知られている。例えば、シュウ酸ジフェニル
を脱ＣＯ触媒の存在下で脱ＣＯ反応させて得られた炭酸
ジフェニルを芳香族ジヒドロキシ化合物と共に原料モノ
マーとして使用し、両者の重縮合反応を行わせることに
よってポリカーボネートを製造できることが、特開平１
０−１５２５５２号公報、特開平１０−１５２２５３号
公報、ＷＯ９８／５４２４０号公報などに開示されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ホスゲン法、炭酸ジメ
チルのエステル交換による方法、シュウ酸ジフェニルの
脱ＣＯ反応による方法などの公知の炭酸ジフェニル合成
反応で得られた炭酸ジフェニル粗原料は、合成反応の出
発原料となるフェノールに混在するクレゾールのため
に、炭酸メチルフェニルフェニル等の不純物を含有する
ことが、本発明者の研究の過程で判明した。

【０００６】上記の炭酸メチルフェニルフェニル等の不
純物は工業製品として用いられるフェノール中に不純物
として含まれるクレゾールに由来し、フェノールから誘
導されるシュウ酸ジフェニルを原料として炭酸ジフェニ
ルを製造する場合に、そのフェノール中のクレゾール含
量に応じて目的生成物の炭酸ジフェニルと共に生成する
ものと理解される。

【０００７】例えば、シュウ酸ジフェニルの脱ＣＯ反応
によって得られる、炭酸ジフェニルを主成分とする脱Ｃ
Ｏ反応液を蒸発装置で蒸発させて得た蒸発成分中には、
目的生成物の炭酸ジフェニルと未反応原料のシュウ酸ジ
フェニルに加えて少なからずの量の炭酸メチルフェニル
フェニルなどの不純物が含まれてくる。実際、炭酸メチ
ルフェニルフェニルの沸点は常圧で約３１５℃であり、
目的物の炭酸ジフェニルの沸点（常圧で約３０４℃）と
非常に接近しているため、炭酸ジフェニルから炭酸メチ
ルフェニルフェニルを効率よく分離するのは、単純な蒸
留操作によっては困難であった。

【０００８】そして、本発明者の研究によると、炭酸メ
チルフェニルフェニル（特に炭酸ｏ−メチルフェニルフ
ェニル）などの不純物が一定量以上混在する炭酸ジフェ
ニルを用いてポリカーボネートを製造すると、得られる
ポリカーボネートが充分に高い分子量を示さず、かつ黄
色に着色しやすいことが判明した。

【０００９】本発明は、高純度の炭酸ジフェニル組成物
及びその製法を提供することを目的とする。そして、本
発明は、シュウ酸ジフェニルの脱ＣＯ反応の反応生成物
から複数の精製工程を利用して高純度炭酸ジフェニル組
成物を得る方法を提供することを目的とする。本発明
は、更に、高分子量でかつ着色の少ないポリカーボネー
トとその製法を提供することもその目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、炭酸メチルフ
ェニルフェニル（特に炭酸ｏ−メチルフェニルフェニ
ル；以下、同様）を含有する（但し、０重量ｐｐｍを超
えて含有する；以下、同様）高純度炭酸ジフェニル組成
物であって、炭酸メチルフェニルフェニルの含有率が３
００重量ｐｐｍ以下（好ましくは１〜３００重量ｐｐ
ｍ）で、かつ炭酸メチルフェニルフェニルを含む不純物
の総含有率が１重量％以下であり、残部が炭酸ジフェニ
ルである高純度炭酸ジフェニル組成物にある。

【００１１】本発明の高純度炭酸ジフェニル組成物は、
炭酸メチルフェニルフェニルを含有する高純度炭酸ジフ
ェニル組成物であって、特に、炭酸メチルフェニルフェ
ニルの含有率が２００重量ｐｐｍ以下（更には１０〜２
００重量ｐｐｍ）で、かつ炭酸メチルフェニルフェニル
を含む不純物の総含有率が０．５重量％以下であり、残
部が炭酸ジフェニルであるものが好ましい。

【００１２】本発明の高純度炭酸ジフェニル組成物に含
まれる炭酸メチルフェニルフェニル以外の不純物の例と
しては、安息香酸フェニルを挙げることができ、その含
有率は炭酸ジフェニル組成物に対して１００重量ｐｐｍ
以下（特に５０重量ｐｐｍ以下、更に０．１〜５０重量
ｐｐｍ）であることが好ましい。他の不純物の例として
は、ベンゾフラン−２，３−ジオンを挙げることがで
き、その含有率は炭酸ジフェニル組成物に対して１重量
ｐｐｍ以下（特に０．８重量ｐｐｍ以下、更に５重量ｐ
ｐｂ〜０．５重量ｐｐｍ）であることが好ましい。

【００１３】本発明の高純度炭酸ジフェニル組成物は、
シュウ酸ジフェニルの脱ＣＯ反応の反応生成物を精製す
ることにより得られたものであることが好ましい。この
シュウ酸ジフェニルは、クレゾール（特にｏ−クレゾー
ル）が混在するフェノールから誘導されるシュウ酸ジフ
ェニルである。

【００１４】即ち、本発明の高純度炭酸ジフェニル組成
物は、炭酸メチルフェニルフェニルを含む不純物を含有
する炭酸ジフェニル粗組成物を蒸留することにより、低
沸点不純物（低沸点留分）と高沸点不純物（高沸点残留
分）とを除去して、炭酸ジフェニルを高濃度で含む粗留
分を得た後、該粗留分から更に軽質不純物を蒸留により
除去し、次いで、その残留分（軽質不純物が除去された
粗留分）を蒸留することにより、該残留分から炭酸メチ
ルフェニルフェニルを除去する方法を利用して得ること
ができる。この炭酸ジフェニル粗組成物は、有機リン化
合物を含む脱ＣＯ触媒の存在下にて、クレゾール（特に
ｏ−クレゾール）が混在するフェノールから誘導された
シュウ酸ジフェニルを脱ＣＯ反応させて得た脱ＣＯ反応
液を蒸発させることにより得られたものであることが好
ましい。

【００１５】上記の方法において、粗留分は５０〜５０
００重量ｐｐｍの範囲の量の炭酸メチルフェニルフェニ
ルを含有し、そしてその炭酸ジフェニルの含有率は９
５．０重量％以上であることが好ましい。

【００１６】上記の方法において、残留分（軽質不純物
が除去された粗留分）は５０〜２５００重量ｐｐｍの範
囲の量の炭酸メチルフェニルフェニルを含有し、そして
その炭酸ジフェニルの含有率は９８．０重量％以上であ
ることが好ましい。

【００１７】上記の方法において、粗留分から蒸留によ
り除去される軽質不純物は、ベンゾフラン−２，３−ジ
オンを主成分とするものであることが好ましい。

【００１８】本発明は、また、上記の高純度炭酸ジフェ
ニル組成物と芳香族ジヒドロキシ化合物とを、エステル
交換触媒の存在下にて重縮合反応させることを特徴とす
るポリカーボネートの製法にもある。

【００１９】本発明のポリカーボネートは、平均分子量
が１４０００以上で、黄色着色度がｂ値として０．９以
下であることが好ましく、特に平均分子量が１４５００
以上で、黄色着色度がｂ値として０．８以下であること
が好ましい。このような優れた特性を有する本発明のポ
リカーボネートは、前記の高純度炭酸ジフェニル組成物
と芳香族ジヒドロキシ化合物とを、エステル交換触媒の
存在下にて重縮合反応させることによって得ることがで
きる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明について、図面も参考にし
ながら、更に詳しく説明する。なお、以下の説明におい
て、特に記載しない限り、炭酸メチルフェニルフェニル
等の不純物や炭酸ジフェニルなどの含有率又は濃度を示
す場合の単位（％、ｐｐｍ、ｐｐｂ）は重量基準であ
る。図１は、本発明の高純度炭酸ジフェニル組成物を得
る方法の概要を例示するフロー図であり、図２は、本発
明の高純度炭酸ジフェニル組成物を得る方法において、
炭酸メチルフェニルフェニルの除去を粗留分の蒸留操作
で行う場合の一例を示すプロセス図である。

【００２１】本発明の高純度炭酸ジフェニル組成物の取
得方法において、炭酸ジフェニル粗原料としては、ホス
ゲン法、炭酸ジメチルのエステル交換による方法、或い
はシュウ酸ジフェニルの脱ＣＯ反応による方法など、公
知の炭酸ジフェニル合成反応によって得られた炭酸ジフ
ェニル粗原料（炭酸ジフェニル合成反応液）であって、
少なくとも炭酸メチルフェニルフェニルなどの不純物が
混在する炭酸ジフェニルが用いられる。

【００２２】前記のシュウ酸ジフェニルの脱ＣＯ反応に
よる炭酸ジフェニルの合成は、通常、脱ＣＯ触媒の存在
下に下記反応式（Ｐｈはフェニル基である）にて行われ
る。なお、このシュウ酸ジフェニルは、クレゾール（特
にｏ−クレゾール）が混在するフェノールから誘導され
るシュウ酸ジフェニルである。

【００２３】

【化１】 （ＣＯＯＰｈ）₂ → ＣＯ（ＯＰｈ）₂ ＋ ＣＯ

【００２４】シュウ酸ジフェニルの脱ＣＯ反応は、ホス
ホニウム塩等の有機リン化合物を含む脱ＣＯ触媒の存在
下に液相で行われ、上記反応式に示したように、シュウ
酸ジフェニルから炭酸ジフェニルと一酸化炭素（気体）
とが生成する。脱ＣＯ反応で生成した一酸化炭素は気体
となって反応系外へ排出されるが、必要であれば精製し
てＣＯ原料として再び利用することができる。

【００２５】脱ＣＯ反応において触媒として使用される
ホスホニウム塩としては公知のものを用いることができ
る。ホスホニウム塩は一種類の単独であっても二種類以
上の混合物であってもよい。その脱ＣＯ触媒は脱ＣＯ反
応液中に均一に溶解しており、一部懸濁していてもよ
い。ホスホニウム塩の使用量（脱ＣＯ反応系に供給され
る量）は、この反応系に供給されるシュウ酸ジフェニル
に対して０．００１〜５０モル％であることが好まし
い。

【００２６】本発明の高純度炭酸ジフェニル組成物の取
得方法では、まず、蒸発工程において、炭酸ジフェニル
粗原料（炭酸ジフェニル合成反応液）を蒸発させて、炭
酸ジフェニル、シュウ酸ジフェニル、炭酸メチルフェニ
ルフェニルなどを含有する炭酸ジフェニル粗組成物（蒸
発成分）を得て、これを精製工程へ供給する。例えば、
前述のようなシュウ酸ジフェニルの脱ＣＯ反応による炭
酸ジフェニルの合成によって得られた脱ＣＯ反応液を蒸
発させることによって、脱ＣＯ触媒成分及び高沸点物質
（高沸点不純物）を主として含有する未蒸発成分と、炭
酸ジフェニルを主として含有する（脱ＣＯ触媒成分を実
質的に含有していない）蒸発成分とに分離し、その蒸発
成分（混合蒸気）を回収して蒸留精製工程へ供給する。

【００２７】前記の炭酸ジフェニル合成反応液は、脱Ｃ
Ｏ触媒成分、目的生成物の炭酸ジフェニルと共に、未反
応原料、副生物などを含有している。例えば、前記の脱
ＣＯ反応液は、目的生成物の炭酸ジフェニル、原料のシ
ュウ酸ジフェニル、有機リン化合物を含む脱ＣＯ触媒に
由来する脱ＣＯ触媒成分（公知のハロゲン化合物（特に
クロル化合物）のような助剤が添加されていることもあ
る）、副生物（高沸点副生物、低沸点副生物）などを含
有している（炭酸ジフェニルの含有率は好ましくは５０
〜９５％である）。脱ＣＯ反応で生成する一酸化炭素
（気体）は自然に脱ＣＯ反応液から気液分離されて排出
されているので、脱ＣＯ反応液中に実質的に含有されて
いない。

【００２８】前記の脱ＣＯ反応液の蒸発工程では、ま
ず、目的生成物の炭酸ジフェニルや低沸点物質を含有
し、更に炭酸ジフェニルと共に蒸発するその他の成分
（シュウ酸ジフェニル等の高沸点物質）も少量含有する
蒸発成分（混合蒸気）を、脱ＣＯ反応における反応温度
と同程度の温度（約１００〜２５０℃）及び減圧下（特
に約０．１〜５０ｋＰａＡ）の条件で蒸発させることに
よって、脱ＣＯ反応液から回収する。そして、この蒸発
工程で得られた蒸発成分（混合蒸気）は次の蒸留精製に
付される。

【００２９】前記の蒸発成分は、例えば、炭酸ジフェニ
ルの含有率が約７０〜９５％であって、かつシュウ酸ジ
フェニルの含有率が５〜２５％であることが好ましく、
更に、炭酸ジフェニルとシュウ酸ジフェニルとの合計含
有率が８０〜９９．９％、特に８５〜９９．９％である
ことが好ましい。また、蒸発成分は、炭酸ジフェニルよ
り低い沸点を有する低沸点物質（低沸点不純物、軽質不
純物）を含有し、更に炭酸ジフェニルより高い沸点を有
する高沸点物質（高沸点不純物）なども少量含有し、炭
酸ジフェニルとシュウ酸ジフェニルを除くその残部を構
成する全成分の含有率が０．１〜５％程度であることが
好ましい。蒸発成分中の脱ＣＯ触媒成分は極めて微量で
あるか、又は実質的に存在しない。

【００３０】上記の蒸発工程では、前述の蒸発成分（混
合蒸気）の蒸発・回収と共に、脱ＣＯ触媒成分と共に、
目的生成物の炭酸ジフェニルや高沸点物質（高沸点不純
物：未反応のシュウ酸ジフェニル及び高沸点副生物）を
主として含有する未蒸発成分からなる脱ＣＯ反応液の残
留液（濃縮液）を回収する。必要であれば、この残留液
を蒸発装置の底部から抜き出して脱ＣＯ反応系へ循環し
て液中の脱ＣＯ触媒成分を再利用することができる。

【００３１】なお、前記の脱ＣＯ反応液の蒸発工程は、
脱ＣＯ反応における目的生成物である炭酸ジフェニル
と、有機リン化合物を含む脱ＣＯ触媒に由来する脱ＣＯ
触媒成分とを蒸発操作によって分離して、脱ＣＯ触媒成
分を含まない炭酸ジフェニルを主成分とする蒸発成分
（混合蒸気）を得ることを主目的とするものであるの
で、この目的を達成できることができれば、蒸発方法や
蒸発手段（蒸発装置）について特に制限されることはな
い。但し、本発明では、流下膜式蒸発器、薄膜式蒸発器
などの蒸発装置（蒸発器）を用いて蒸発操作を行うこと
が好ましい。

【００３２】次に、第１蒸留精製工程において、前述の
蒸発工程で得られた炭酸ジフェニル粗組成物である蒸発
成分（混合蒸気）を蒸留精製することによって、低沸点
物質のうちの低沸点不純物と高沸点物質（高沸点不純
物：シュウ酸ジフェニル及び高沸点副生物）を順次除去
して、炭酸メチルフェニルフェニルなどの不純物をわず
かに含有する高濃度の炭酸ジフェニルからなる粗留分を
得る。

【００３３】前記の低沸点物質とは、炭酸ジフェニルの
沸点よりも低い沸点を有する化合物を意味するものであ
り、例えば、フェノール系化合物（特にフェノール、ク
レゾール）などの低沸点不純物や、フラン系化合物（特
にベンゾフラン−２，３−ジオン）などの軽質不純物を
挙げることができる。

【００３４】前記の高沸点物質（高沸点不純物）は、炭
酸ジフェニルの沸点よりも高い沸点を有する化合物を意
味するものであり、例えば、脱ＣＯ反応の原料であるシ
ュウ酸ジフェニルや、シュウ酸メチルフェニルフェニ
ル、炭酸メチルフェニルフェニル、ｐ−クロロ安息香酸
フェニル等の高沸点副生物を挙げることができる。

【００３５】前記の蒸留精製においては、前記の蒸発成
分の蒸留操作によって低沸点不純物及び高沸点不純物の
大部分を蒸発成分から順次除去して高濃度の炭酸ジフェ
ニルからなる粗留分を得る。例えば、まず、前記の蒸発
成分の最初の蒸留操作により、フェノール系化合物等の
低沸点不純物を含有する炭酸ジフェニルからなる低沸点
留分（最初の蒸留操作の留分）を抜き出して除去し、そ
して、その最初の蒸留操作で得られた、低沸点不純物が
殆ど除かれ、高沸点不純物を含有する高濃度の炭酸ジフ
ェニルからなる残留分（最初の蒸留操作の残留分）を抜
き出し、次いで、その残留分を再度蒸留することによっ
て、高い含有率の炭酸ジフェニルを有する粗留分を得る
ことができる。一方、この蒸留塔のボトム液（シュウ酸
ジフェニル、炭酸ジフェニル、高沸点副生物を含む高沸
点残留分）はパージするか又は脱ＣＯ反応系に循環する
ことが好ましい。

【００３６】上記の粗留分は、炭酸ジフェニルの含有率
が９５．０％以上（特に９６．０〜９９．９重量％程
度）であって、しかも、炭酸メチルフェニルフェニルの
含有率が５０〜５０００ｐｐｍ、特に１００〜３０００
ｐｐｍ程度であることが好ましく、その他の含有成分に
ついては、シュウ酸ジフェニルの含有率が１０ｐｐｍ〜
１％、特に１０〜２０００ｐｐｍ程度で、ｐ−クロロ安
息香酸フェニル等の高沸点副生物の含有率が１０〜２０
００ｐｐｍ、特に１０〜１０００ｐｐｍ程度で、フラン
系化合物（特にベンゾフラン−２，３−ジオン）などの
軽質不純物の含有率が１〜２０００ｐｐｍ、特に１〜１
０００ｐｐｍ程度であることが好ましい。

【００３７】前記の蒸発成分の蒸留操作で得られた粗留
分は、次に、軽質不純物除去工程において、フラン系化
合物などの軽質不純物を除去するための種々の除去手段
を施すことによって、粗留分から軽質不純物を実質的に
除去することができる。

【００３８】前記の粗留分から軽質不純物を除去する手
段は、例えば、（ａ）該粗留分の蒸留操作（蒸留−除去
法）であることが最も好ましく、（ｂ）軽質不純物が主
としてフラン系化合物である場合には、前記の粗留分の
熱処理（熱分解−除去法）によって行うこともできる。

【００３９】即ち、前記フラン系化合物などの軽質不純
物の除去は、前記の蒸発成分の蒸留操作によって得られ
た高濃度の炭酸ジフェニルからなる粗留分から軽質不純
物を除去するために、その粗留分を蒸留操作することに
より、軽質不純物が１〜１０００ｐｐｍ程度の含有率で
含有されている、かなり高濃度の炭酸ジフェニル（炭酸
ジフェニル含有率９８〜９９．９重量％）からなる留分
を軽質不純物として取り出して除去し、一方、炭酸メチ
ルフェニルフェニルが５０〜２５００ｐｐｍで、軽質不
純物が１ｐｐｍ以下、特に５ｐｐｂ〜０．８ｐｐｍ、更
に５ｐｐｂ〜０．５ｐｐｍ程度の低い含有率である高濃
度の炭酸ジフェニル（炭酸ジフェニルの含有率が９８．
０重量％以上、特に９９．０〜９９．９重量％程度であ
る）からなる残留分を得るという蒸留操作のみによる軽
質不純物の除去手段（蒸留−除去法）を用いて行うこと
が特に好ましい。

【００４０】軽質不純物が主としてフラン系化合物であ
る場合には、蒸発成分の蒸留操作によって得られた粗留
分を１５０〜３００℃の温度で約０．０５〜１０時間熱
処理して、ベンゾフラン−２，３−ジオン等のフラン系
化合物を熱分解、縮合及び／又は熱変性させてフラン系
化合物を除去するという熱処理からなる除去手段（熱処
理−除去法）を用いて行うこともできる。

【００４１】次に、第２蒸留精製工程において、前述の
軽質不純物を除去するための種々の除去手段（蒸留操作
など）によって得られた高濃度の炭酸ジフェニルからな
る残留分（軽質不純物除去のための蒸留操作による残留
分など）を更に蒸留精製して、炭酸メチルフェニルフェ
ニルを含有する（０ｐｐｍを超えて含有する）高純度炭
酸ジフェニル組成物であって、その炭酸メチルフェニル
フェニルの含有率が３００ｐｐｍ以下（好ましくは１〜
３００ｐｐｍ）、特に２００ｐｐｍ以下、更に１０〜２
００ｐｐｍで、しかも、炭酸ジフェニルを９９．０％以
上、特に９９．５％以上、更に９９．５００〜９９．９
９９％の割合で含有している高純度の炭酸ジフェニルか
らなる留分（製品；高純度炭酸ジフェニル組成物）を得
ることができる。

【００４２】即ち、本発明の高純度炭酸ジフェニル組成
物は、炭酸メチルフェニルフェニル（特に炭酸ｏ−メチ
ルフェニルフェニル）を含有する（０ｐｐｍを超えて含
有する）高純度炭酸ジフェニル組成物であって、炭酸メ
チルフェニルフェニルの含有率が３００重量ｐｐｍ以下
（好ましくは１〜３００ｐｐｍ）で、かつ炭酸メチルフ
ェニルフェニルを含む不純物の総含有率が１重量％以下
で、残部が炭酸ジフェニルであるものである。その中で
も、特に、炭酸メチルフェニルフェニルの含有率が２０
０重量ｐｐｍ以下（更には１０〜２００ｐｐｍ）で、か
つ炭酸メチルフェニルフェニルを含む不純物の総含有率
が０．５重量％以下で、残部が炭酸ジフェニルであるも
のが好ましい。

【００４３】上記の方法で得られる高純度の炭酸ジフェ
ニルからなる製品（高純度炭酸ジフェニル組成物）は、
炭酸メチルフェニルフェニル以外の不純物であるフラン
系化合物などの軽質不純物（特にベンゾフラン−２，３
−ジオン）の含有率が１ｐｐｍ以下、特に０．８ｐｐｍ
以下、更に５ｐｐｂ〜０．５ｐｐｍ程度であることが好
ましい。なお、不純物の分析の際は必要に応じて製品を
濃縮して行う。

【００４４】更に、上記の高純度の炭酸ジフェニル製品
は、その他の不純物である安息香酸フェニルの含有率が
１００ｐｐｍ以下、特に５０ｐｐｍ以下、更に０．１〜
５０ｐｐｍ程度であることが好ましく、そして、加水分
解性ハロゲン化合物（加水分解性有機ハロゲン化合物又
は無機ハロゲン化合物）の含有率が、クロル分として、
１ｐｐｍ以下、特に１ｐｐｂ〜１ｐｐｍ、更に１ｐｐｂ
〜０．５ｐｐｍ程度であることが好ましい。この加水分
解性ハロゲン化合物は特公平６−１８８６８号記載の方
法に準じて分析することができる。

【００４５】第２蒸留精製工程では、軽質不純物の除去
手段が蒸留−除去法である場合、前述の高濃度の炭酸ジ
フェニルからなる残留分が、最初の蒸留精製（第１蒸留
精製）で分離しきれなかった、炭酸メチルフェニルフェ
ニルやその他の高沸点不純物（例えば、ｐ−クロロ安息
香酸フェニル）を含有しているので、それらを再度の蒸
留精製（第２蒸留精製）を行うことにより除去して、前
記の高純度炭酸ジフェニル組成物とする。

【００４６】その場合、高純度炭酸ジフェニル組成物中
のｐ−クロロ安息香酸フェニル等の有機クロル化合物含
有率をクロル分として３ｐｐｍ以下、特に１ｐｐｍ以下
と少なくすることができる。

【００４７】また、第２蒸留精製工程では、軽質不純物
の除去手段が熱分解−除去法である場合、前述の熱処理
された粗留分が炭酸メチルフェニルフェニルやその他の
高沸点不純物を含有しているので、それらの除去のため
に前記の粗留分の熱処理に続いて蒸留操作を行うことに
よって、高純度炭酸ジフェニル組成物を同様に得ること
ができる。

【００４８】なお、前記の炭酸メチルフェニルフェニル
以外の高沸点不純物としては、例えば、（ａ）フラン系
不純物の縮合及び／又は熱変性により生成する高沸点不
純物、（ｂ）ｐ−クロロ安息香酸フェニル等の有機クロ
ル化合物などの脱ＣＯ反応の際に生成して前記粗留分中
に混入してくる高沸点不純物を挙げることができる。

【００４９】即ち、本発明の高純度炭酸ジフェニル組成
物の製造では、図１に示すように、第１工程（脱ＣＯ反
応工程）で、シュウ酸ジフェニルを液相で脱ＣＯ反応さ
せて炭酸ジフェニルを生成させ、第２工程（蒸発工程）
で、第１工程で得られた脱ＣＯ反応液を蒸発操作するこ
とによって炭酸ジフェニルを含む蒸発成分を分離・回収
し、第３工程（第１蒸留精製工程）で、第２工程で得ら
れた蒸発成分を第１蒸留精製することによって低沸点不
純物を含有する低沸点留分及び高沸点不純物を含有する
高沸点残留分を順次除去して、高濃度の炭酸ジフェニル
からなる粗留分を得て、次に、第４工程（軽質不純物除
去工程）で、第２工程で得られた粗留分から軽質不純物
を除去する操作が利用される。

【００５０】そして、軽質不純物が除去された粗留分
（例えば、前記の蒸留−除去法で軽質不純物が除去され
た粗留分）、即ち、残留分は、図１に示すように、更
に、第５工程（第２蒸留精製工程）において、炭酸メチ
ルフェニルフェニル等の高沸点不純物（炭酸ジフェニル
より高い沸点を有する化合物）を除去して更に不純物含
有率の少ない高純度の炭酸ジフェニルを得るために、そ
の蒸留精製を行うことが好ましい。

【００５１】なお、軽質不純物の除去手段が蒸留−除去
法である場合には、例えば、図２に示すように、第１工
程（脱ＣＯ反応工程）において、有機リン化合物を含む
脱ＣＯ触媒を触媒供給ライン（１）から脱ＣＯ反応器
（３）へ供給すると共に、シュウ酸ジフェニルをシュウ
酸ジフェニル供給ライン（２）から脱ＣＯ反応器（３）
へ供給して、その反応器（３）においてシュウ酸ジフェ
ニルの脱ＣＯ反応を、反応温度１００〜４５０℃（特に
１６０〜４００℃、更に好ましくは１８０〜３５０
℃）、反応圧１０ｍｍＨｇ〜１０ｋｇ／ｃｍ₂（特に常
圧付近の圧力下）、反応時間約０．５〜２０時間（特に
１〜１０時間）の反応条件で液相で行い、その反応副生
物である一酸化炭素（ＣＯ）をＣＯ排出ライン（８）か
ら反応系外に排出しながら、脱ＣＯ反応液を反応器
（３）から抜き出して、反応液ライン（４）経由で次の
第２工程の蒸発工程へ供給する方法が利用される。

【００５２】また、前述の脱ＣＯ反応においては、必要
であれば、図２に示すように、脱ＣＯ反応液の蒸発操作
を行う蒸発器（５）から抜き出された脱ＣＯ反応液の残
留液（濃縮液；有機リン化合物に由来する脱ＣＯ触媒成
分を含有している）を、濃縮液ライン（６）経由で脱Ｃ
Ｏ反応器（３）へ供給することが好ましく、また、その
際に、前記のシュウ酸ジフェニル、脱ＣＯ触媒成分、及
び前記の残留液（濃縮液）と共に、ハロゲン化合物（特
にクロル化合物）をその供給ライン（１０）経由で反応
器(３)へ供給することが、脱ＣＯ触媒活性の維持におい
て好ましい。

【００５３】第２工程(蒸発工程)では、図２に示すよう
に、反応液ライン（４）経由で供給された脱ＣＯ反応液
を、蒸発器（５）で減圧下に加熱して、炭酸ジフェニ
ル、シュウ酸ジフェニルなどを蒸発させて、その蒸発成
分を蒸発成分ライン（９）経由で第３工程の第１蒸留精
製工程へ供給することができる。

【００５４】第２工程においては、前記の蒸発器（５）
で蒸発しなかった脱ＣＯ反応液の未蒸発成分を残留液
（濃縮液）として蒸発器（５）から抜き出し、必要であ
れば、触媒成分を含有する残留液の大部分（蒸発器から
抜き出した残留液の９０〜９９．９％）を濃縮液ライン
（６）経由で前述の第１工程（脱ＣＯ反応工程）におけ
る反応器（３）へ循環して脱ＣＯ触媒成分を再利用する
ことが、特に好ましい。しかし、その残留液は、高沸点
不純物をかなりの割合で含有しているので、その残留液
の一部（好ましくは蒸発器から抜き出す残留液の０．０
１〜１０％）をパージ液ライン（７）から系外へパージ
して、前述の脱ＣＯ反応器内の高沸点不純物の含有率
（濃度）を適度に調製することが好ましい。

【００５５】第３工程（第１蒸留精製工程）において
は、例えば、図２に示すように、前記蒸発器（５）から
蒸発成分ライン（９）経由で供給された蒸発成分を第１
蒸留塔（１１）へ供給し蒸留精製して、蒸発成分に含ま
れていた低沸点不純物を含有する低沸点留分をその塔頂
部から抜き出しながら、その塔底部から残留分（缶液）
を抜き出して次の第２蒸留塔（１２）へ供給して更に蒸
留精製し、その塔底部から高沸点不純物を含有する残留
分を高沸点残留分ライン（１７）から抜き出しながら、
一方で、その塔頂部に連結している粗留分ライン（１
９）から、低沸点不純物及び高沸点不純物がかなり除去
された高濃度の炭酸ジフェニルからなる粗留分を抜き出
して、次の第４工程（軽質不純物除去工程）へ供給す
る。なお、ライン（１７）から抜き出された缶液は未反
応シュウ酸ジフェニルを含むため、脱ＣＯ反応器（３）
へ循環することが好ましい。

【００５６】第４工程では、図２に示すように、前記の
粗留分を軽質不純物除去塔（１３）へ供給し、蒸留操作
することによって、軽質不純物を含有する留分（軽質不
純物留分）を軽質不純物除去塔（１３）の塔頂部に連結
された軽質不純物留分ライン（１５）から除去すること
ができる。

【００５７】一方、前記の軽質不純物除去塔における蒸
留操作においては、塔底部から、軽質不純物が実質的に
除去された高純度の炭酸ジフェニルを含む残留分（缶
液）をライン（２０）経由で抜き出し、その高純度の炭
酸ジフェニルを第５工程（第２蒸留精製工程）へ供給す
る。軽質不純物留分ライン（１５）から抜き出された軽
質不純物留分に炭酸ジフェニルが多く含まれる場合に
は、この留分を脱ＣＯ反応器（３）へ循環することも差
し支えない。

【００５８】前記の第５工程（第２蒸留精製工程）で
は、図２に示すように、軽質不純物除去塔（１３）の塔
底部からライン（２０）経由で供給された高濃度の炭酸
ジフェニルを、炭酸ジフェニル精製塔（１４；ＤＰＣ精
製塔ともいう）へ供給して、その塔頂部から、残存する
炭酸メチルフェニルフェニル等の高沸点不純物などが除
去された高純度の炭酸ジフェニルからなる留分（製品）
をライン（１６）経由で得ることができる。

【００５９】一方、前記のＤＰＣ精製塔（１４）におけ
る蒸留操作において、その塔底部から、高沸点不純物を
含有する残留分（ボトム液）を高沸点物質ライン（１
８）経由で抜き出す。

【００６０】本発明の高純度の炭酸ジフェニルは、炭酸
メチルフェニルフェニルを３００ｐｐｍを超えて含有し
ておらず、炭酸ジフェニルが９９．０％以上である高純
度の炭酸ジフェニルであるので、エステル交換触媒の存
在下、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジフェニルとを
重縮合させてポリカーボネートを製造するためのモノマ
ー原料として、好適に使用することができる。

【００６１】即ち、前記のポリカーボネートの製法（重
縮合反応）に用いる炭酸ジフェニルとしては、シュウ酸
ジフェニルの脱ＣＯ反応で得られた、炭酸メチルフェニ
ルフェニルを３００ｐｐｍを越えて、特に２００ｐｐｍ
を超えて含有することがない、炭酸ジフェニルを９９．
０%以上、特に９９．５％以上の含有率で含有する高純
度の炭酸ジフェニルが、分子量などの品質が安定したポ
リカーボネートを再現性よく得ることができるので、好
ましい。

【００６２】前記の重縮合反応に用いる炭酸ジフェニル
は、フラン系不純物などの軽質不純物（特にベンゾフラ
ン−２，３−ジオン）を１ｐｐｍを越えて、特に０．８
ｐｐｍを超えて含有することがない高純度の炭酸ジフェ
ニルであることが、得られたポリカーボネートの品質に
着色などの悪影響を与えないので、好適である。

【００６３】更に、前記の重縮合反応に用いる炭酸ジフ
ェニルは、安息香酸フェニルを１００ｐｐｍを超えて、
特に５０ｐｐｍを越えて含有することがない高純度の炭
酸ジフェニルであることが、前記の重縮合反応を安定的
に行うことができ、品質の安定したポリカーボネートを
再現性よく製造することができるようになるので、特に
好適である。

【００６４】前記の重縮合反応に用いる芳香族ジヒドロ
キシ化合物は、芳香族系化合物の芳香環に２個のヒドロ
キシ基が直接に結合している芳香族系ヒドロキシ化合物
を、８０〜１００モル％、好ましくは９０〜１００モル
％の割合で含有しているものが好ましい。

【００６５】芳香族ジヒドロキシ化合物は、ヒドロキシ
基を２個有する脂肪族炭化水素系ジヒドロキシ化合物
（例えば、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、ブタンジオール、ヘキサンジオールなどの脂肪族ジ
オール化合物）が前述の芳香族ジヒドロキシ化合物と共
に一部併用されていてもよい。

【００６６】芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例とし
て、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）オクタン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フェニルメタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシ−２−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシ−２−ｔ−ブチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニ
ル）プロパンなどのビス（ヒドロキシアリール）アルカ
ン類や〔以上の化合物をビスフェノール系化合物とも言
う〕、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニ
ルエーテルなどのジヒドロキシアリールエーテル類や、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルス
ルフィドなどのジヒドロキシアリールスルフィド類や、
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルス
ルホキシドなどのジヒドロキシアリールスルホキシド類
や、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルス
ルホンなどのジヒドロキシアリールスルホン類などが挙
げられる。

【００６７】ポリカーボネートの製造に際し、高純度炭
酸ジフェニル組成物は、芳香族ジヒドロキシ化合物１モ
ルに対して、１．００１〜１．５モル、特に１．０１〜
１．３モルの量で用いられることが好ましく、又、前記
の高純度の炭酸ジフェニルと芳香族ジヒドロキシ化合物
の他に、適当な重合調節剤、末端変性剤、モノフェノー
ル類等が併用されてもよい。

【００６８】ポリカーボネートの製造に際し、高純度炭
酸ジフェニル組成物と芳香族ジヒドロキシ化合物とを、
適当な塩基性触媒（例えば、アルカリ金属又はアルカリ
土類金属の有機酸塩、無機酸塩、水酸化物、水素化物、
アルコラート、或いは、含窒素塩基性化合物など）の存
在下に、約１００〜３３０℃の温度で、副生するフェノ
ール化合物を蒸発させて除去しながら、そして、次第に
重合温度を上昇させ減圧度を高めながら、１段又は２段
以上で溶融重合してポリカーボネートを製造することが
好ましい。

【００６９】前記の塩基性触媒の例としては、（１）ア
ルキル、アリール、アラルキル基などを有するアンモニ
ウムヒドロキシド類（例えば、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチ
ルベンジルアンモニウムヒドロキシド等）、三級アミン
類（例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジ
メチルベンジルアミン、トリフェニルアミン等）、二級
アミン類、一級アミン類、テトラメチルアンモニウムボ
ロハイドライド、テトラブチルアンモニウムボロハイド
ライドなどの含窒素塩基性化合物、（２）水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ
金属の水酸化物、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸リチウム、リン酸二水素ナトリウム、リン酸二
水素カリウム、リン酸二水素リチウム、亜リン酸二水素
カリウム、亜リン酸二水素ナトリウム、リン酸水素二ナ
トリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二リチウ
ムなどのアルカリ金属の無機酸塩、酢酸ナトリウム、酢
酸カリウム、酢酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、
安息香酸ナトリウムなどのアルカリ金属の有機酸塩、水
酸化ホウ素ナトリウムなどのアルカリ金属の水素化物、
フェノールのナトリウム塩などのアルカリ金属のアルコ
ラート、（３）水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水
酸化マグネシウムなどのアルカリ土類金属の水酸化物、
炭酸水素カルシウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグ
ネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネ
シウムなどのアルカリ土類金属の無機酸塩、酢酸カルシ
ウム、酢酸バリウム、ステアリン酸バリウム、ステアリ
ン酸マグネシウムなどのアルカリ土類金属の有機酸塩な
どの単独又は複数を組み合わせた触媒を挙げることがで
きる。

【００７０】ポリカーボネートの製造において、前記の
塩基性触媒の使用量は、縮重合反応に使用する芳香族ジ
ヒドロキシ化合物１モルに対して１０_-8〜１０_-1モル、
特に１０_-7〜１０_-2モルであることが好ましい。

【００７１】ポリカーボネートの製造における縮重合反
応は、従来知られているポリカーボネートの製造法にお
ける重縮合反応条件と同様な条件下で行なうことがで
き、特に、第１段目で、芳香族系ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジフェニルとの重縮合反応を、８０〜２５０℃、特
に１００〜２３０℃、さらには１５０〜２００℃の温度
で、０．０１〜５時間、特に０．０１〜４時間、更には
０．２５〜３時間、常圧付近又は減圧下で行い、次い
で、第２段目の重縮合反応を、第１段目より反応温度及
び減圧度をさらに高めて行い、最終的には１ｍｍＨｇ以
下の減圧下、２４０〜３２０℃の温度で行うことが好ま
しい。

【００７２】重縮合反応は連続式で行ってもよく、また
バッチ式で行ってもよい。また、上記の重縮合反応にお
いて用いられる反応装置は、槽型反応装置であっても、
管状反応装置（特に第２段目の縮重合ではセルフクリー
ニング型反応装置がよい）であっても、塔型反応装置で
あってもよい。そして、次に、前述の重縮合反応におい
て副生するフェノール化合物を蒸発させて分離し、その
分離されたフェノール化合物を精製装置（例えば、蒸発
装置、蒸留装置など）によって精製して、精製フェノー
ル化合物を得ることができる。

【００７３】本発明の高純度炭酸ジフェニル組成物は、
芳香族ジヒドロキシ化合物との重縮合性に優れ、その重
縮合により得られるポリカーボネートは、公知の溶融重
合法で得られるポリカーボネートと同程度もしくはさら
に高い分子量（１００００〜４００００）を持ち、ま
た、その他のポリマー物性についても高いレベルを達成
することができる。また、本発明のポリカーボネート
は、着色が顕著に低いものとして得られるため、コンパ
クトディスクや光学レンズなどのような光学的透明性が
必要な用途において特に工業的な利用価値が高い。

【００７４】

【実施例】以下に実施例及び比較例を示す。実施例及び
比較例において、各反応液などの組成分析は高速液体ク
ロマトグラフィーによって行なった。この分析法はその
測定限界が化合物によって異なるが、測定限界が約０．
１〜１ｐｐｍ程度である。

【００７５】［実施例１］ 〔ＤＰＣ−Ａの製造〕 〔炭酸ジフェニルの製造 〕内容積２５０リットルのグ
ラスライニング製攪拌槽（２槽連結タイプ、１槽目から
２槽目へはオーバーフロー管で連結）からなる脱ＣＯ反
応器に、シュウ酸ジフェニル及びテトラフェニルホスホ
ニウムクロリド（シュウ酸ジフェニルに対して１．５重
量％）を仕込み、脱ＣＯ反応器のジャケットに熱媒を通
じて加熱し、攪拌下に脱ＣＯ反応させた。１槽目の反応
槽の転化率が約６０％、２槽目の転化率が約８０％にな
ったところで、シュウ酸ジフェニルおよびテトラフェニ
ルホスホニウムクロリド（シュウ酸ジフェニルに対し
１．５重量％）を１槽目の反応槽に連続で供給を始め
た。又、上記の脱ＣＯ反応において、脱ＣＯ反応器内の
温度（反応温度）は各槽ともに２２５℃に調整して維持
した。

【００７６】〔脱ＣＯ反応液の蒸発〕脱ＣＯ反応器から
抜き出された脱ＣＯ反応液は、内容積１００リットルの
グラスライニング製の蒸発槽（蒸発器）に供給し、その
蒸発器のジャケットにスチームを通じながら６ｋＰａＡ
の減圧で炭酸ジフェニルなどを蒸発させて蒸発成分を抜
き出しながら、脱ＣＯ反応液の蒸発と濃縮を行った。

【００７７】脱ＣＯ反応液の蒸発によって得られた蒸発
成分は、炭酸ジフェニルが８８．５４重量％、シュウ酸
ジフェニルが９．７１重量％、炭酸メチルフェニルフェ
ニルなどのその他の不純物１．７５重量％で、約５０ｋ
ｇ／時で得られた。

【００７８】一方、脱ＣＯ触媒に由来するホスホニウム
塩成分を含む残留液（濃縮液）は、その一部を、後で示
すような残留液（濃縮液）の組成になるようにパージ量
を調整しながら、反応系外にパージし、残部を全て前記
の脱ＣＯ反応器へリサイクルし、脱ＣＯ反応を連続で行
った。なお、残留液（濃縮液）を脱ＣＯ反応器へリサイ
クルする時に、クロロホルム（濃縮液中の触媒成分に対
して約１０モル％に相当する量）を連続で添加した。

【００７９】〔第１蒸留精製（粗留分の回収）〕上記の
蒸発成分は、冷却して液化して受液槽に受け入れて、そ
の受液槽から、塔径１００Ａ、高さ７ｍの充填塔（第１
蒸留搭：充填物メラパック５００Ｙ；住友重機械株式会
社製、充填長さ５ｍ、以下、低沸塔ともいう。）へ供給
し、その塔のトップ（塔頂部）を６ｋＰａＡの減圧と
し、フェノールを含む低沸点物質をそのトップから除去
し、低沸点物質が除かれた残留液（缶液）をボトム（塔
底）から抜き出した。この残留液（缶液）の組成は、炭
酸ジフェニルが８８．６１重量％、シュウ酸ジフェニル
が９．７１重量％、その他不純物１．６７重量％で、約
５０ｋｇ／時で得られた。

【００８０】更に、残留液（第１蒸留搭の缶液）を、塔
径２５０Ａ、長さ８ｍの充填塔（第２蒸留搭、充填物：
メラパック５００Ｙ、住友重機械株式会社製、充填長さ
６ｍ、以下、シュウ酸ジフェニル回収塔ともいう）へ供
給し、その塔の塔頂（塔頂部）を２．２ｋＰａＡの減圧
とし、蒸留を行い、シュウ酸ジフェニルを含有する残留
液（缶液）を塔底から抜き出しながら、塔頂部から、純
度９９．９重量％である炭酸ジフェニルからなる粗留分
を約４３ｋｇ／時の流量で抜き出した。

【００８１】前記の高濃度の炭酸ジフェニルからなる粗
留分は、微量不純物としてシュウ酸ジフェニルが２０ｐ
ｐｍ、炭酸メチルフェニルフェニルが４５０ｐｐｍ、パ
ラクロロ安息香酸フェニルが１５０ｐｐｍ含まれている
ほかは、ベンゾフラン−２，３−ジオンなどの軽質不純
物が２ｐｐｍが含有されていた。

【００８２】一方、前記の残留液（第２蒸留搭の缶液）
は、炭酸ジフェニル４６．７４重量％、シュウ酸ジフェ
ニル４８．４６重量％、その他の不純物４．６３重量％
の組成であり、約７ｋｇ／時の流速で第２蒸留搭の塔底
部から抜き出された。

【００８３】〔粗留分の軽質不純物除去（蒸留−除去
法）〕前記の粗留分を、塔径２００Ａ、長さ８ｍの充填
塔（軽質不純物除去塔、充填物：メラパック５００Ｙ、
住友重機械株式会社製、充填長さ５ｍ、以下、脱色塔と
もいう。）へ供給し、この塔のトップ１．６ｋＰａＡ、
還流比２０で連続的に蒸留して、その塔のトップから、
軽質不純物が約０．０２重量％の含有率で含有されてい
る比較的高濃度の炭酸ジフェニルからなる不純物留分を
０．４ｋｇ／時の流量で抜き出し、一方、前記の軽質不
純物除去塔の塔底部からは、軽質不純物の含有率が０．
２ｐｐｍ以下となっている高い濃度の炭酸ジフェニルか
らなる無色透明の残留液を約４３ｋｇ／時の流量で抜き
出した。

【００８４】〔第２蒸留精製〕前記の残留液（軽質不純
物除去塔の缶液）を、塔径２５０Ａ、長さ１０ｍ（ＤＰ
Ｃ精製塔、充填物：メラパック５００Ｙ、住友重機械株
式会社製、充填長さ８ｍ）へ供給し、その塔のトップ
（塔頂部）１．６ｋＰａＡの減圧で、還流比３として連
続的に蒸留精製を行い、その塔のトップ（塔頂部）から
純度が９９．９５重量％以上の炭酸ジフェニルからなる
ＤＰＣ留分（製品 高純度の炭酸ジフェニル：ＤＰＣ−
Ａ）を約４２ｋｇ／時で得た。そのＤＰＣ留分は、炭酸
メチルフェニルフェニルの含有率が１５０ｐｐｍで、安
息香酸フェニルの含有率が３０ｐｐｍで、そして、フェ
ノールの含有率が１０ｐｐｍであり、ベンゾフラン−
２，３−ジオンの含有率が０．２ｐｐｍ以下であり、ハ
ーゼン５以下の無色透明であった。

【００８５】［実施例２］ 〔ＤＰＣ−Ｂの製造〕第２蒸留精製において、塔の充填
高さを１２ｍに変え、還流比を１０に変えた以外は実施
例１と同様にして、純度９９．９５重量％以上の炭酸ジ
フェニルを含むＤＰＣ留分（高純度炭酸ジフェニル：Ｄ
ＰＣ−Ｂ）を約４２ｋｇ／時で得た。このＤＰＣ留分
（ＤＰＣ−Ｂ）は、炭酸メチルフェニルフェニルの含有
率が３０ｐｐｍで、安息香酸フェニルの含有率が５０ｐ
ｐｍで、フェノールの含有率が１０ｐｐｍであり、そし
てベンゾフラン−２，３−ジオンの含有率が０．２ｐｐ
ｍ以下であり、ハーゼン５以下の無色透明であった。

【００８６】［実施例３］〔ポリカーボネート：ＰＣ−
Ａの製法〕 実施例１において得られた高純度の炭酸ジフェニルから
なるＤＰＣ留分（ＤＰＣ−Ａ）を用いて、以下のように
してポリカーボネートの製造を行った。

【００８７】なお、使用したＤＰＣ留分（ＤＰＣ−Ａ）
中の各不純物成分の含有率は、それぞれ、炭酸メチルフ
ェニルフェニルが１５０ｐｐｍ、安息香酸フェニルが３
０ｐｐｍ、ベンゾフラン−２，３−ジオン０．２ｐｐｍ
以下であった。

【００８８】ビスフェノールＡ ４００重量部をトルエ
ン７００重量部及びエタノール２８重量部（容量比が２
２：１）の混合液から再結晶して、ビスフェノールＡ
の精製品を得た。

【００８９】ステンレススチール（ＳＵＳ３１６Ｌ）製
の重合反応容器に、前記の精製されたビスフェノールＡ
２２．８３重量部、前記の高い濃度の炭酸ジフェニル
（ＤＰＣ留分）２２．７１重量部、及び、触媒としてビ
スフェノールＡ１モルに対して水酸化ナトリウム２×１
０_-6モルと、テトラアンモニウムヒドロキシド１×１０
_-4モルとを加えて、室温で真空脱気を０．５時間かけて
行ない、次いで、重合反応器を加熱して重縮合反応を行
わせ、２３０℃、１００トールでフェノールの留出が始
まって１時間、次いで、２４０℃、１００トールで０．
５時間、更に、２５５℃で１００トールで１０分間、そ
して１５分で１００トールから５０トールまで減圧し
て、その状態で１５分間維持し、縮重合反応させ、更
に、２７０℃で５０トールから３０分間で１トールまで
減圧して、２７０℃、１トールにて１時間維持して縮重
合反応させて、ポリカーボネート（ＰＣ−Ａ）２５．３
５重量部（収率１００％）を得た。得られたポリカーボ
ネート（ＰＣ−Ａ）は、平均分子量１５，０００、色相
（ｃｏｌ ｂ値）０．６のものであった。

【００９０】平均分子量は、試料ポリマーの０．７ｇ／
ｄｌの塩化メチレン溶液をウベローデ粘度計を用いて粘
度を測定し、式：［η］＝１．２３×１０_-4Ｍ_0.83を利
用して、粘度平均分子量を求めたものである。色調（色
相 ｂ値）は、ポリカーボネートベレット（短径×長径
×長さ＝２．５ｍｍ×３．３ｍｍ×３．０ｍｍ）のＬａ
ｂ値を、色調測定装置〔日本電色工業（株）製 ＮＤ−
１００１ＤＰ〕を用いる反射法で測定し着色度（黄色）
の程度としてｂ値を用いた。

【００９１】［実施例４］〔ポリカーボネート：ＰＣ−
Ｂの製法〕 実施例２において得られた高純度の炭酸ジフェニルから
なるＤＰＣ留分（ＤＰＣ−Ｂ）を用いたほかは、実施例
３と実質的に同様に実施して、ポリカーボネート（ＰＣ
−Ｂ）２５．３５重量部（収率１００％）を得た。得ら
れたポリカーボネート（ＰＣ−Ｂ）は、実施例３と同様
に測定した結果、平均分子量１５，０００、色相（ｃｏ
ｌ ｂ値）０．６のものであった。

【００９２】［比較例１］〔ポリカーボネート：ＰＣ−
Ｃの製法〕 実施例１で得られたＤＰＣ留分（ＤＰＣ−Ａ）に炭酸メ
チルフェニルフェニル（ＭＰＰＣ）を加えて、ＭＰＰＣ
の含有率が１０００ｐｐｍの高純度炭酸ジフェニル（Ｄ
ＰＣ−Ｃ）を調製し、そのＤＰＣ−Ｃを使用したほか
は、実施例１と同様にして、ポリカーボネート（ＰＣ−
Ｃ）２５．３５重量部（収率１００％）を得た。得られ
たポリカーボネート（ＰＣ−Ｂ）は、実施例３と同様に
測定した結果、平均分子量１４０００、色相（ｃｏｌ
ｂ値）１．１のものであった。

【００９３】

【発明の効果】本発明の高純度炭酸ジフェニル組成物
は、炭酸メチルフェニルフェニル（ＭＰＰＣ）がかなり
減少されていて、しかも、高純度の炭酸ジフェニルから
なる製品である。その製品は、シュウ酸ジフェニルの脱
ＣＯ反応液から蒸発、そして蒸留精製操作を組合せた方
法を利用して工業的に容易にしかも再現性よく得ること
ができる。そして、本発明の高純度炭酸ジフェニル組成
物は高濃度で、ＭＰＰＣを不純物として影響のない量に
まで減少させているため、そのままポリカーボネートの
製造におけるモノマー原料として重縮合反応に使用する
ことにより、安定した品質のポリカーボネートを再現性
よく製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の高純度炭酸ジフェニルの取得
方法の概要を例示するフロー図である。

【図２】図２は、本発明の高純度炭酸ジフェニルの取得
方法で、軽質不純物の除去を粗留分の蒸留操作（蒸留−
除去法）で行う場合の一例を示すプロセス図である。

【符号の説明】

１ 触媒供給ライン ２ シュウ酸ジフェニル（ＤＰＯ）供給ライン ３ 脱ＣＯ反応器（反応器） ４ 反応液ライン ５ 蒸発器 ６ 濃縮液ライン ７ パージ液ライン ８ ＣＯ排出ライン ９ 蒸発成分ライン １１ 第１蒸留搭 １３ 軽質不純物除去塔 １４ ＤＰＣ精製塔 １６ ＤＰＣ留分（製品）ライン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 秀二 山口県宇部市大字小串1978番地の10 宇部 興産株式会社宇部ケミカル工場内 (72)発明者 浅田 裕 山口県宇部市大字小串1978番地の10 宇部 興産株式会社宇部ケミカル工場内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AD13 BA53 BD40 BD60 BJ50 BT40 4H039 CA66 CG30 4J029 AA09 AB04 AD01 AE01 BB12A BB12C BF14A BF14B BH02 DB07 DB11 DB13 HC05A JA121 JC021 JC091 JC731 JF031

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 炭酸メチルフェニルフェニルを含有する
   高純度炭酸ジフェニル組成物であって、炭酸メチルフェ
   ニルフェニルの含有率が３００重量ｐｐｍ以下で、かつ
   炭酸メチルフェニルフェニルを含む不純物の総含有率が
   １重量％以下であり、残部が炭酸ジフェニルである高純
   度炭酸ジフェニル組成物。
2. 【請求項２】 炭酸メチルフェニルフェニルの含有率が
   １〜３００重量ｐｐｍである請求項１に記載の高純度炭
   酸ジフェニル組成物。
3. 【請求項３】 炭酸メチルフェニルフェニルの含有率が
   ２００重量ｐｐｍ以下で、かつ炭酸メチルフェニルフェ
   ニルを含む不純物の総含有率が０．５重量％以下であ
   り、残部が炭酸ジフェニルである請求項１に記載の高純
   度炭酸ジフェニル組成物。
4. 【請求項４】 炭酸メチルフェニルフェニルの含有率が
   １０〜２００重量ｐｐｍである請求項３に記載の高純度
   炭酸ジフェニル組成物。
5. 【請求項５】 上記不純物中にベンゾフラン−２，３−
   ジオンを含み、その含有率が炭酸ジフェニル組成物に対
   して１重量ｐｐｍ以下である請求項１乃至４のうちのい
   ずれかの項に記載の高純度炭酸ジフェニル組成物。
6. 【請求項６】 上記不純物中に安息香酸フェニルを含
   み、その含有率が炭酸ジフェニル組成物に対して１００
   重量ｐｐｍ以下である請求項１乃至５のうちのいずれか
   の項に記載の高純度炭酸ジフェニル組成物。
7. 【請求項７】 シュウ酸ジフェニルの脱ＣＯ反応の反応
   生成物を精製することにより得られた請求項１乃至６の
   うちのいずれかの項に記載の高純度炭酸ジフェニル組成
   物。
8. 【請求項８】 炭酸メチルフェニルフェニルを含む不純
   物を含有する炭酸ジフェニル粗組成物を蒸留することに
   より、低沸点不純物と高沸点不純物とを除去して、炭酸
   ジフェニルを高濃度で含む粗留分を得た後、該粗留分か
   ら更に軽質不純物を蒸留により除去し、次いでその残留
   分を蒸留することにより、該残留分から炭酸メチルフェ
   ニルフェニルを除去することを特徴とする請求項１乃至
   ７のうちのいずれかの項に記載の高純度炭酸ジフェニル
   組成物の取得方法。
9. 【請求項９】 上記炭酸ジフェニル粗組成物が、有機リ
   ン化合物を含む脱ＣＯ触媒の存在下にて、クレゾールが
   混在するフェノールから誘導されたシュウ酸ジフェニル
   粗原料を脱ＣＯ反応させて得た反応生成物を蒸発させる
   ことにより得られたものである請求項８に記載の高純度
   炭酸ジフェニル組成物の取得方法。
10. 【請求項１０】 上記粗留分が、５０〜５０００重量ｐ
    ｐｍの範囲の量の炭酸メチルフェニルフェニルを含有
    し、そしてその炭酸ジフェニルの含有率が９５．０重量
    ％以上であることを特徴とする請求項８に記載の高純度
    炭酸ジフェニル組成物の取得方法。
11. 【請求項１１】 上記残留分が、５０〜２５００重量ｐ
    ｐｍの範囲の量の炭酸メチルフェニルフェニルを含有
    し、そしてその炭酸ジフェニルの含有率が９８．０重量
    ％以上であることを特徴とする請求項８に記載の高純度
    炭酸ジフェニル組成物の取得方法。
12. 【請求項１２】 上記粗留分から蒸留により除去される
    軽質不純物がべンゾフラン−２，３−ジオンを主成分と
    することを特徴とする請求項８に記載の高純度炭酸ジフ
    ェニル組成物の取得方法。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至７のうちのいずれかの項
    に記載の高純度炭酸ジフェニル組成物と芳香族ジヒドロ
    キシ化合物とを、エステル交換触媒の存在下にて重縮合
    反応させることを特徴とするポリカーボネートの製法。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の製法によって得ら
    れた平均分子量が１４０００以上であって、黄色着色度
    がｂ値として０．９以下であるポリカーボネート。