JP2003218100A - 混合クリーニングガス組成物 - Google Patents
混合クリーニングガス組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜形成装置等の内壁、該装置の冶具・部
品、配管等に堆積した不要な堆積物を除去するためのク
リーニングガスを提供する。 【解決手段】 ＣＯＦ2と、ＣＯ2、ハロゲンガス、ハロ
ゲン化水素、またはカルボニルハライドの内から選ばれ
る少なくとも１種のガスを含有する混合クリーニングガ
ス組成物。
品、配管等に堆積した不要な堆積物を除去するためのク
リーニングガスを提供する。 【解決手段】 ＣＯＦ2と、ＣＯ2、ハロゲンガス、ハロ
ゲン化水素、またはカルボニルハライドの内から選ばれ
る少なくとも１種のガスを含有する混合クリーニングガ
ス組成物。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ法、スパッ
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて、薄膜、厚
膜、粉体、ウイスカ等を製造する装置において、装置内
壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのク
リーニングガスに関する。 【０００２】 【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超硬材料製造プロセスでは、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて、
種々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。
これらを製造する際には、膜、ウイスカ、粉体等を堆積
させるべき目的物上以外の反応器内壁、目的物を担持す
る冶具等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成す
るとパーティクル発生の原因となるため、良質な膜、粒
子、ウイスカを製造することが困難になるため随時除去
しなければならない。また、半導体やＴＦＴ等におい
て、回路を構成する各種の薄膜材料に回路パターンを形
成するために、薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチ
ングを行う必要があり、さらに、ＣＶＭ（ケミカルヴェ
ーパーマシーニング）においては、Ｓｉインゴット等を
ガスエッチングにより切断する必要がある。 【０００３】このような不要な堆積物の除去を行ったり
材料の切断を行ったりするエッチングガスやクリーニン
グガスに求められる性能としては、クリーニング対象
物に対する反応速度が高い、クリーニング排ガスの処
理が比較的容易である、比較的大気中で不安定であ
り、地球温暖化に対する影響が小さい、等が望まれる。 【０００４】しかし、現状では、このような不要な堆積
物を除去するために、Ｃ2Ｆ6、ＣＦ 4 、ＮＦ3等のクリ
ーニングガスが使用されている。しかしながら、これら
のガスは非常に安定な化合物であり、クリーニング後の
排ガスの処理が困難で、また、処理のために高温が必要
であるためランニングコストが比較的高価である。ま
た、環境中に安定に存在し地球温暖化係数が高いため環
境への悪影響が問題となっている。 【０００５】また、クリーニングガスの一つであるＣＯ
Ｆ2は、高い加水分解性を有する化合物であり、大気中
に放出するとＣＯ2とＨＦに分解するため地球温暖化の
影響は無い。しかしながら、上述したクリーニングガス
と比較してクリーニング性能が劣る問題があり、そのた
め性能の高いクリーニングガスが望まれていた。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、ＣＯＦ2ガスに、特定のガスを添加混合するこ
とにより、優れたクリーニング性能が発現することを見
出し本発明に到達した。 【０００７】すなわち、本発明は、薄膜形成装置等の内
壁、該装置の冶具・部品、配管等に堆積した不要な堆積
物を除去するためのクリーニングガスで、ＣＯＦ2と、
ＣＯ2、ハロゲンガス、ハロゲン化水素、またはカルボ
ニルハライドの内から選ばれる少なくとも１種のガスを
含有することを特徴とする混合クリーニングガス組成物
を提供するものである。 【０００８】本発明が対象とするクリーニングを行うべ
き物質は、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物、具体的には酸化
物、窒化物、炭化物及びこれらの合金が挙げられる。 【０００９】本発明において、ＣＯＦ2と混合して用い
るガスは、ＣＯ2、ハロゲンガス、ハロゲン化水素、ま
たはカルボニルハライドである。ハロゲンガスとして
は、Ｃｌ 2、Ｆ2、Ｂｒ2等が挙げられるが、特に、Ｃｌ2
が好ましい。また、ハロゲン化水素としては、ＨＦ、Ｈ
Ｃｌ、ＨＢｒ等が挙げられるが、特に、ＨＦ、ＨＣｌが
好ましい。また、カルボニルハライドとしては、ＣＯＣ
ｌ2、ＣＯＣｌＦ、ＣＯＢｒＦ、ＣＯＢｒ2、ＣＯＩ2、
ＣＯＩＦ等が挙げられるが、特に、ＣＯＣｌ2、ＣＯＣ
ｌＦが好ましい。 【００１０】次に、ＣＯＦ2と混合するガス濃度は、Ｃ
Ｏ2の場合、１００ｐｐｍ以上３０％以下が好ましく、
１０００ｐｐｍ以上１０％以下がより好ましい。１００
ｐｐｍ未満３０％より高濃度では混合する効果が認めら
れないため好ましくない。 【００１１】ハロゲンガスの場合、１００ｐｐｍ以上の
濃度で有ればエッチング速度の増加効果が認められる
が、あまり高い濃度になるとプラズマ発生用の電極材料
や誘導結合型プラズマ発生装置の石英や多結晶アルミナ
チューブの損傷が大きくなるため１０％以下で使用する
ことが好ましい。 【００１２】ハロゲン化水素の場合、１００ｐｐｍ以上
２０％以下が好ましく、１０００ｐｐｍ以上１０％以下
がより好ましい。１００ｐｐｍ未満では効果が認められ
ない。また、２０％を越えるとプラズマが不安定になる
傾向があり望ましくない。 【００１３】カルボニルハライドの場合、１００ｐｐｍ
以上２０％以下が好ましく、１０００ｐｐｍ以上１０％
以下がより好ましい。これらの濃度条件より低い濃度で
も高い濃度でもクリーニング性能の向上は認められな
い。 【００１４】また、エッチング速度の向上効果を得るた
めには混合するＣＯＦ2以外の上記の各ガス濃度の合計
は１００ｐｐｍ以上２０％以下が好ましく、１０００ｐ
ｐｍ以上１０％以下が更に好ましい。 【００１５】また、Ｏ2、Ａｒ、Ｈｅなどの希釈ガスを
適宜加えても良い。ただし、ＣＯＦ2ガスと、ＣＯ2、ハ
ロゲンガス、ハロゲン化水素、またはカルボニルハライ
ドとの混合割合が、上述の範囲内であれば良い。 【００１６】また、混合クリーニングガスを使用する圧
力は、全圧で大気圧以下１０Ｐａ以上が好ましいが、よ
り好ましくはＣＯＦ2に混合した全ての他成分の合計分
圧が１×１０-6Ｐａ以上である方がよい。温度は、５０
０℃以下が好ましい。５００℃以上では装置材料に与え
る損傷が高くなるため好ましくない。しかし、温度、圧
力はクリーニング対象物に応じて適宜選択すれば特に限
定されるものではない。 【００１７】さらに、クリーニング方法は、プラズマを
用いる方法でも、プラズマレスで行っても特に限定され
ない。 【００１８】次に、クリーニングガスの混合の方法は、
製造時の粗生成物の精製時に混合するガス種とその濃度
を調整しても良く、またボンベ内や粗生成物の捕集器内
で混合、あるいはＣＯＦ2を分解、または各ガスを個別
に配管中で混合して使用しても良い。 【００１９】 【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。 【００２０】実施例１〜１６、比較例１〜８ ＣＯＦ2に、ＣＯ2、ＣＯＣｌＦ、ＣＯＣｌ2、Ｃｌ2，Ｈ
Ｃｌ，ＨＦを種々の割合で混合して、平行平板型プラズ
マＣＶＤ装置にてＳｉＯ2膜のプラズマエッチング速度
を測定した。エッチング条件は、電力密度２．３Ｗ／ｃ
ｍ2、周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度：３６０℃、
圧力：３８０Ｐａ、総流量１００ＳＣＣＭで実施した。
試料はシリコンウエハ上にＣＶＤ法で１μｍの厚さのＳ
ｉＯ2を成膜したものを使用した。 【００２１】この結果を表１に示すが、上記ガス検出下
限（５ｐｐｍ）以下であることからほぼ１００％濃度と
考えられるＣＯＦ2を使用した場合（比較例１）と比較
して、混合ガスでは高いエッチング速度が得られること
が判った。なお、ガス濃度の決定は、各ガスの濃度に応
じてFT-IR、GC-MS、マスフィルタを適宜使用して行っ
た。 【００２２】 【表１】 【００２３】実施例１７〜２８、比較例９，１０ 下記エッチング条件にてＷのエッチングを実施した。そ
の結果を表２に示すが、何れの条件でもＣＯＦ2が１０
０％濃度の場合（比較例９）と比較して高いエッチング
速度が得られており、クリーニングガスとしての性能が
向上していることが解る。 【００２４】エッチング条件 電力密度０．４Ｗ／ｃｍ2、基板温度：２５０℃、圧
力：１４０Ｐａ、 総流量１００ＳＣＣＭ 【００２５】 【表２】 【００２６】比較例１１ ＳｉＨ2Ｃｌ2とＮＨ4を原料としてプラズマＣＶＤを行
い、接地電極上に約１．０μｍの厚みのアモルファス状
の水素含有窒化珪素を製作した。その際の反応器の器壁
及び反応装置の底部には茶色の膜状あるいは粉状の化合
物が堆積していた。この反応装置にほぼ１００％濃度の
ＣＯＦ2を５３．２Ｐａの圧力で１００ＳＣＣＭ流通さ
せ、３０分間プラズマを発生させた。反応後、反応器内
壁を観察したところ、接地電極上の膜は消失していた
が、反応器壁と底部の膜及び粉体は除去できていなかっ
た。 【００２７】実施例２９〜３４ ＳｉＨ2Ｃｌ2とＮＨ4を原料としてプラズマＣＶＤを行
い、接地電極上に約１．０μｍの厚みのアモルファス状
の水素含有窒化珪素を製作した。その際の反応器の器壁
及び反応装置の底部には茶色の膜状あるいは粉状の化合
物が堆積していた。この反応装置にＣＯＦ2にＣＯ2を１
０％添加したガスを５３．２Ｐａの圧力で１００ＳＣＣ
Ｍ流通させ、３０分間プラズマを発生させた。反応後、
反応器内壁を観察したところ、接地電極上の膜も反応器
壁と底部の膜及び粉体も消失していた。ＣＯ2をＣＯＣ
ｌＦ、ＣＯＣｌ2、Ｃｌ2，ＨＣｌ，ＨＦに変えても同様
の結果が得られた。 【００２８】比較例１２ Ｔｉ、ＴｉＮ、ＷＳｉ、ＢＰＳＧ（ケイ酸ホウ酸リンガ
ラス）、ＰＳＧ（ケイ酸リンガラス）、Ｔａ2Ｏ5、Ｒ
ｅ、ＮｂをＣＶＤ法で、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒをスパッタリ
ング法でシリコンウエハ上に１μｍ成膜したサンプルを
反応器壁に取り付けたヒータ上に設置した。また、板状
のＡｓ、塊状のリン、粉状のＧｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｂ、
Ｓｅ、Ｖを反応器の底に置いたアルミナ板上に置いた
（各試料の重量は約２０ｍｇ）。しかるのち、０．４Ｗ
／ｃｍ2、２７Ｐａ、接地電極温度２６０℃、反応器器
壁のヒータ温度１５０℃、アルミナ板状試料温度５２
℃、ほぼ１００％濃度のＣＯＦ2を総流量３００ＳＣＣ
Ｍで流通させ３０分間プラズマ発生させた。その結果、
全てのサンプル共減量はしているようであったが完全に
はガス化除去できていなかった。 【００２９】実施例３５〜４０ 比較例１２と同様の実験をＣＯＦ2に５％のＣＯ2を含有
させた混合ガスで実施したところ何れの試料もガス化除
去されていた。また、ＣＯ2をＣＯＣｌＦ、ＣＯＣｌ2、
Ｃｌ2，ＨＣｌ，ＨＦに変えても同様の結果が得られ
た。 【００３０】実施例４１〜４６ 比較例１２と同様の実験をＣＯＦ2に５％のＣＯ2を含有
させた混合ガス２５０ＳＣＣＭにＡｒを５０ＳＣＣＭの
流量で加えたガスで実施したところ何れの試料もガス化
除去されていた。また、ＣＯ2をＣＯＣｌＦ、ＣＯＣ
ｌ2、Ｃｌ2，ＨＣｌ，ＨＦに変えても同様の結果が得ら
れた。 【００３１】 【発明の効果】本発明のクリーニングガスは、除害が容
易で地球温暖化の影響が無く薄膜形成装置を容易にクリ
ーニングできるものである。
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて、薄膜、厚
膜、粉体、ウイスカ等を製造する装置において、装置内
壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのク
リーニングガスに関する。 【０００２】 【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超硬材料製造プロセスでは、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて、
種々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。
これらを製造する際には、膜、ウイスカ、粉体等を堆積
させるべき目的物上以外の反応器内壁、目的物を担持す
る冶具等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成す
るとパーティクル発生の原因となるため、良質な膜、粒
子、ウイスカを製造することが困難になるため随時除去
しなければならない。また、半導体やＴＦＴ等におい
て、回路を構成する各種の薄膜材料に回路パターンを形
成するために、薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチ
ングを行う必要があり、さらに、ＣＶＭ（ケミカルヴェ
ーパーマシーニング）においては、Ｓｉインゴット等を
ガスエッチングにより切断する必要がある。 【０００３】このような不要な堆積物の除去を行ったり
材料の切断を行ったりするエッチングガスやクリーニン
グガスに求められる性能としては、クリーニング対象
物に対する反応速度が高い、クリーニング排ガスの処
理が比較的容易である、比較的大気中で不安定であ
り、地球温暖化に対する影響が小さい、等が望まれる。 【０００４】しかし、現状では、このような不要な堆積
物を除去するために、Ｃ2Ｆ6、ＣＦ 4 、ＮＦ3等のクリ
ーニングガスが使用されている。しかしながら、これら
のガスは非常に安定な化合物であり、クリーニング後の
排ガスの処理が困難で、また、処理のために高温が必要
であるためランニングコストが比較的高価である。ま
た、環境中に安定に存在し地球温暖化係数が高いため環
境への悪影響が問題となっている。 【０００５】また、クリーニングガスの一つであるＣＯ
Ｆ2は、高い加水分解性を有する化合物であり、大気中
に放出するとＣＯ2とＨＦに分解するため地球温暖化の
影響は無い。しかしながら、上述したクリーニングガス
と比較してクリーニング性能が劣る問題があり、そのた
め性能の高いクリーニングガスが望まれていた。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、ＣＯＦ2ガスに、特定のガスを添加混合するこ
とにより、優れたクリーニング性能が発現することを見
出し本発明に到達した。 【０００７】すなわち、本発明は、薄膜形成装置等の内
壁、該装置の冶具・部品、配管等に堆積した不要な堆積
物を除去するためのクリーニングガスで、ＣＯＦ2と、
ＣＯ2、ハロゲンガス、ハロゲン化水素、またはカルボ
ニルハライドの内から選ばれる少なくとも１種のガスを
含有することを特徴とする混合クリーニングガス組成物
を提供するものである。 【０００８】本発明が対象とするクリーニングを行うべ
き物質は、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物、具体的には酸化
物、窒化物、炭化物及びこれらの合金が挙げられる。 【０００９】本発明において、ＣＯＦ2と混合して用い
るガスは、ＣＯ2、ハロゲンガス、ハロゲン化水素、ま
たはカルボニルハライドである。ハロゲンガスとして
は、Ｃｌ 2、Ｆ2、Ｂｒ2等が挙げられるが、特に、Ｃｌ2
が好ましい。また、ハロゲン化水素としては、ＨＦ、Ｈ
Ｃｌ、ＨＢｒ等が挙げられるが、特に、ＨＦ、ＨＣｌが
好ましい。また、カルボニルハライドとしては、ＣＯＣ
ｌ2、ＣＯＣｌＦ、ＣＯＢｒＦ、ＣＯＢｒ2、ＣＯＩ2、
ＣＯＩＦ等が挙げられるが、特に、ＣＯＣｌ2、ＣＯＣ
ｌＦが好ましい。 【００１０】次に、ＣＯＦ2と混合するガス濃度は、Ｃ
Ｏ2の場合、１００ｐｐｍ以上３０％以下が好ましく、
１０００ｐｐｍ以上１０％以下がより好ましい。１００
ｐｐｍ未満３０％より高濃度では混合する効果が認めら
れないため好ましくない。 【００１１】ハロゲンガスの場合、１００ｐｐｍ以上の
濃度で有ればエッチング速度の増加効果が認められる
が、あまり高い濃度になるとプラズマ発生用の電極材料
や誘導結合型プラズマ発生装置の石英や多結晶アルミナ
チューブの損傷が大きくなるため１０％以下で使用する
ことが好ましい。 【００１２】ハロゲン化水素の場合、１００ｐｐｍ以上
２０％以下が好ましく、１０００ｐｐｍ以上１０％以下
がより好ましい。１００ｐｐｍ未満では効果が認められ
ない。また、２０％を越えるとプラズマが不安定になる
傾向があり望ましくない。 【００１３】カルボニルハライドの場合、１００ｐｐｍ
以上２０％以下が好ましく、１０００ｐｐｍ以上１０％
以下がより好ましい。これらの濃度条件より低い濃度で
も高い濃度でもクリーニング性能の向上は認められな
い。 【００１４】また、エッチング速度の向上効果を得るた
めには混合するＣＯＦ2以外の上記の各ガス濃度の合計
は１００ｐｐｍ以上２０％以下が好ましく、１０００ｐ
ｐｍ以上１０％以下が更に好ましい。 【００１５】また、Ｏ2、Ａｒ、Ｈｅなどの希釈ガスを
適宜加えても良い。ただし、ＣＯＦ2ガスと、ＣＯ2、ハ
ロゲンガス、ハロゲン化水素、またはカルボニルハライ
ドとの混合割合が、上述の範囲内であれば良い。 【００１６】また、混合クリーニングガスを使用する圧
力は、全圧で大気圧以下１０Ｐａ以上が好ましいが、よ
り好ましくはＣＯＦ2に混合した全ての他成分の合計分
圧が１×１０-6Ｐａ以上である方がよい。温度は、５０
０℃以下が好ましい。５００℃以上では装置材料に与え
る損傷が高くなるため好ましくない。しかし、温度、圧
力はクリーニング対象物に応じて適宜選択すれば特に限
定されるものではない。 【００１７】さらに、クリーニング方法は、プラズマを
用いる方法でも、プラズマレスで行っても特に限定され
ない。 【００１８】次に、クリーニングガスの混合の方法は、
製造時の粗生成物の精製時に混合するガス種とその濃度
を調整しても良く、またボンベ内や粗生成物の捕集器内
で混合、あるいはＣＯＦ2を分解、または各ガスを個別
に配管中で混合して使用しても良い。 【００１９】 【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。 【００２０】実施例１〜１６、比較例１〜８ ＣＯＦ2に、ＣＯ2、ＣＯＣｌＦ、ＣＯＣｌ2、Ｃｌ2，Ｈ
Ｃｌ，ＨＦを種々の割合で混合して、平行平板型プラズ
マＣＶＤ装置にてＳｉＯ2膜のプラズマエッチング速度
を測定した。エッチング条件は、電力密度２．３Ｗ／ｃ
ｍ2、周波数１３．５６ＭＨｚ、基板温度：３６０℃、
圧力：３８０Ｐａ、総流量１００ＳＣＣＭで実施した。
試料はシリコンウエハ上にＣＶＤ法で１μｍの厚さのＳ
ｉＯ2を成膜したものを使用した。 【００２１】この結果を表１に示すが、上記ガス検出下
限（５ｐｐｍ）以下であることからほぼ１００％濃度と
考えられるＣＯＦ2を使用した場合（比較例１）と比較
して、混合ガスでは高いエッチング速度が得られること
が判った。なお、ガス濃度の決定は、各ガスの濃度に応
じてFT-IR、GC-MS、マスフィルタを適宜使用して行っ
た。 【００２２】 【表１】 【００２３】実施例１７〜２８、比較例９，１０ 下記エッチング条件にてＷのエッチングを実施した。そ
の結果を表２に示すが、何れの条件でもＣＯＦ2が１０
０％濃度の場合（比較例９）と比較して高いエッチング
速度が得られており、クリーニングガスとしての性能が
向上していることが解る。 【００２４】エッチング条件 電力密度０．４Ｗ／ｃｍ2、基板温度：２５０℃、圧
力：１４０Ｐａ、 総流量１００ＳＣＣＭ 【００２５】 【表２】 【００２６】比較例１１ ＳｉＨ2Ｃｌ2とＮＨ4を原料としてプラズマＣＶＤを行
い、接地電極上に約１．０μｍの厚みのアモルファス状
の水素含有窒化珪素を製作した。その際の反応器の器壁
及び反応装置の底部には茶色の膜状あるいは粉状の化合
物が堆積していた。この反応装置にほぼ１００％濃度の
ＣＯＦ2を５３．２Ｐａの圧力で１００ＳＣＣＭ流通さ
せ、３０分間プラズマを発生させた。反応後、反応器内
壁を観察したところ、接地電極上の膜は消失していた
が、反応器壁と底部の膜及び粉体は除去できていなかっ
た。 【００２７】実施例２９〜３４ ＳｉＨ2Ｃｌ2とＮＨ4を原料としてプラズマＣＶＤを行
い、接地電極上に約１．０μｍの厚みのアモルファス状
の水素含有窒化珪素を製作した。その際の反応器の器壁
及び反応装置の底部には茶色の膜状あるいは粉状の化合
物が堆積していた。この反応装置にＣＯＦ2にＣＯ2を１
０％添加したガスを５３．２Ｐａの圧力で１００ＳＣＣ
Ｍ流通させ、３０分間プラズマを発生させた。反応後、
反応器内壁を観察したところ、接地電極上の膜も反応器
壁と底部の膜及び粉体も消失していた。ＣＯ2をＣＯＣ
ｌＦ、ＣＯＣｌ2、Ｃｌ2，ＨＣｌ，ＨＦに変えても同様
の結果が得られた。 【００２８】比較例１２ Ｔｉ、ＴｉＮ、ＷＳｉ、ＢＰＳＧ（ケイ酸ホウ酸リンガ
ラス）、ＰＳＧ（ケイ酸リンガラス）、Ｔａ2Ｏ5、Ｒ
ｅ、ＮｂをＣＶＤ法で、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒをスパッタリ
ング法でシリコンウエハ上に１μｍ成膜したサンプルを
反応器壁に取り付けたヒータ上に設置した。また、板状
のＡｓ、塊状のリン、粉状のＧｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｂ、
Ｓｅ、Ｖを反応器の底に置いたアルミナ板上に置いた
（各試料の重量は約２０ｍｇ）。しかるのち、０．４Ｗ
／ｃｍ2、２７Ｐａ、接地電極温度２６０℃、反応器器
壁のヒータ温度１５０℃、アルミナ板状試料温度５２
℃、ほぼ１００％濃度のＣＯＦ2を総流量３００ＳＣＣ
Ｍで流通させ３０分間プラズマ発生させた。その結果、
全てのサンプル共減量はしているようであったが完全に
はガス化除去できていなかった。 【００２９】実施例３５〜４０ 比較例１２と同様の実験をＣＯＦ2に５％のＣＯ2を含有
させた混合ガスで実施したところ何れの試料もガス化除
去されていた。また、ＣＯ2をＣＯＣｌＦ、ＣＯＣｌ2、
Ｃｌ2，ＨＣｌ，ＨＦに変えても同様の結果が得られ
た。 【００３０】実施例４１〜４６ 比較例１２と同様の実験をＣＯＦ2に５％のＣＯ2を含有
させた混合ガス２５０ＳＣＣＭにＡｒを５０ＳＣＣＭの
流量で加えたガスで実施したところ何れの試料もガス化
除去されていた。また、ＣＯ2をＣＯＣｌＦ、ＣＯＣ
ｌ2、Ｃｌ2，ＨＣｌ，ＨＦに変えても同様の結果が得ら
れた。 【００３１】 【発明の効果】本発明のクリーニングガスは、除害が容
易で地球温暖化の影響が無く薄膜形成装置を容易にクリ
ーニングできるものである。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｃ２３Ｆ 4/00 Ａ
Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ
(72)発明者 大橋 満也
埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ
ル硝子株式会社化学研究所内
Ｆターム(参考） 4K029 DA09 EA05
4K030 DA06 JA06
4K057 DA01 DB01 DB06 DB08 DB20
DD01 DD10 DE01 DE06 DE10
DE11 DE20 DG06 DG20 DN01
DN10 WA01 WB01 WB06 WB08
WB20 WD10 WE30 WN10
5F004 AA15 BA04 BD04 DA00 DA04
DA20 DA29 DB03 DB07 DB10
5F045 AB32 AB33 AC02 AC03 EB06
EH13
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 薄膜形成装置等の内壁、該装置の冶具・
部品、配管等に堆積した不要な堆積物を除去するための
クリーニングガスであって、ＣＯＦ2と、ＣＯ2、ハロゲ
ンガス、ハロゲン化水素、またはカルボニルハライドの
内から選ばれる少なくとも１種のガスを含有することを
特徴とする混合クリーニングガス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002011825A JP2003218100A (ja) | 2002-01-21 | 2002-01-21 | 混合クリーニングガス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002011825A JP2003218100A (ja) | 2002-01-21 | 2002-01-21 | 混合クリーニングガス組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218100A true JP2003218100A (ja) | 2003-07-31 |
Family
ID=27649210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002011825A Pending JP2003218100A (ja) | 2002-01-21 | 2002-01-21 | 混合クリーニングガス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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-
2002
- 2002-01-21 JP JP2002011825A patent/JP2003218100A/ja active Pending
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