JP2003203761A - エレクトロルミネセントディスプレイ装置及びその封止缶並びにその封止缶の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネセントディスプレイ装置及びその封止缶並びにその封止缶の製造方法Info
- Publication number
- JP2003203761A JP2003203761A JP2002000465A JP2002000465A JP2003203761A JP 2003203761 A JP2003203761 A JP 2003203761A JP 2002000465 A JP2002000465 A JP 2002000465A JP 2002000465 A JP2002000465 A JP 2002000465A JP 2003203761 A JP2003203761 A JP 2003203761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- sealing
- glass substrate
- color filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 157
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程が簡単になりカラー化も容易になる
新たな構造のELD装置、及び熱膨張による問題を生じ
ることがなくなり、精密で安価に製造することができる
ELD装置に使用する封止缶、並びにその封止缶の製造
方法を提供する。 【解決手段】 発光部20の発光側ガラス基板21の表
面上に、金属膜層22を形成し、その上のカソードセパ
レータ25で区画された領域に発光層23を形成し、発
光層23上に透明な薄膜の電極層26を形成し、封止缶
11は、透明な封止側ガラス基板12の表面上にカラー
フィルタ層15,16,17を形成し、その周囲にブラ
ックマスク層14を形成し、周縁部の内側表面に形成し
た溝13に乾燥剤18を収納し、かつ周縁部にブラック
マスク層14、カラーフィルタ層15,16,17のい
ずれか一層以上の壁19を形成し、壁19の端面が発光
側ガラス基板21の周縁部に接着した構造を有する。
新たな構造のELD装置、及び熱膨張による問題を生じ
ることがなくなり、精密で安価に製造することができる
ELD装置に使用する封止缶、並びにその封止缶の製造
方法を提供する。 【解決手段】 発光部20の発光側ガラス基板21の表
面上に、金属膜層22を形成し、その上のカソードセパ
レータ25で区画された領域に発光層23を形成し、発
光層23上に透明な薄膜の電極層26を形成し、封止缶
11は、透明な封止側ガラス基板12の表面上にカラー
フィルタ層15,16,17を形成し、その周囲にブラ
ックマスク層14を形成し、周縁部の内側表面に形成し
た溝13に乾燥剤18を収納し、かつ周縁部にブラック
マスク層14、カラーフィルタ層15,16,17のい
ずれか一層以上の壁19を形成し、壁19の端面が発光
側ガラス基板21の周縁部に接着した構造を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新たな構造のエレ
クトロルミネセントディスプレイ(ELD)装置及びそ
のELD装置に使用する封止缶、並びにその封止缶の製
造方法に関するものである。
クトロルミネセントディスプレイ(ELD)装置及びそ
のELD装置に使用する封止缶、並びにその封止缶の製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネセント(EL)
現象を利用した発光形の表示デバイスとして、高分子に
よる有機エレクトロルミネセントディスプレイ(EL
D)装置及びその白色ELのカラー化が注目されてい
る。図7に模式的に示すように、従来のELD装置1
は、例えば、透明なガラス基板2の表面にアノード電極
となる透明電極3を形成し、その透明電極3上にカソー
ドセパレータ5により分離して発光層4を形成し、その
発光層4上にカソード電極6を形成し、この発光層4を
形成した側のガラス基板2上を水分、ガスによる損傷を
防止するための封止缶7で覆う構造に形成されている。
この封止缶7は、表面に乾燥剤を収納するための溝8を
形成するとともに、カソードセパレータ5の高さ程度の
壁9を周囲に形成した形状で、壁9の端面をガラス基板
2の周縁部に密着させ所定の接着剤により封止してい
る。このような封止缶7としては、例えば、加工が容易
な金属板材等が使用されている。このELD装置1は、
透明なガラス基板2側のA方向から画像を見ることがで
きる。
現象を利用した発光形の表示デバイスとして、高分子に
よる有機エレクトロルミネセントディスプレイ(EL
D)装置及びその白色ELのカラー化が注目されてい
る。図7に模式的に示すように、従来のELD装置1
は、例えば、透明なガラス基板2の表面にアノード電極
となる透明電極3を形成し、その透明電極3上にカソー
ドセパレータ5により分離して発光層4を形成し、その
発光層4上にカソード電極6を形成し、この発光層4を
形成した側のガラス基板2上を水分、ガスによる損傷を
防止するための封止缶7で覆う構造に形成されている。
この封止缶7は、表面に乾燥剤を収納するための溝8を
形成するとともに、カソードセパレータ5の高さ程度の
壁9を周囲に形成した形状で、壁9の端面をガラス基板
2の周縁部に密着させ所定の接着剤により封止してい
る。このような封止缶7としては、例えば、加工が容易
な金属板材等が使用されている。このELD装置1は、
透明なガラス基板2側のA方向から画像を見ることがで
きる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のELD装置1で
は、金属板材からなる封止缶7が使用されることがある
が、発光層4を形成した基板2がガラス材料であるた
め、特に大型化したときには金属とガラスとの間の熱膨
張係数の違いから封止上に問題を生じ、かつコスト高に
なるおそれがあった。このため、封止缶7をガラス基板
2と同じ熱膨張のガラス材料を使用することが好ましい
が、従来においては乾燥剤を収納するための溝8及び周
縁部の壁9を精密に加工するのが容易でなくコスト高に
なることがあった。
は、金属板材からなる封止缶7が使用されることがある
が、発光層4を形成した基板2がガラス材料であるた
め、特に大型化したときには金属とガラスとの間の熱膨
張係数の違いから封止上に問題を生じ、かつコスト高に
なるおそれがあった。このため、封止缶7をガラス基板
2と同じ熱膨張のガラス材料を使用することが好ましい
が、従来においては乾燥剤を収納するための溝8及び周
縁部の壁9を精密に加工するのが容易でなくコスト高に
なることがあった。
【0004】また、従来の構造のELD装置1を製造す
るとき、ガラス基板2の表面にアノード電極となる透明
電極3を形成しているが、この透明電極3としては一般
的にITO(Indium Tin Oxide)膜が使用されている。
このITO膜をガラス基板2上に形成したとき、その表
面に突起が形成されることが知られており、この突起が
上部に形成される発光層4を貫通して上のカソード電極
6との間で電気的な短絡が生じるおそれがあるため、I
TO膜の表面の突起をなくすための平坦化する工程が必
要となっている。
るとき、ガラス基板2の表面にアノード電極となる透明
電極3を形成しているが、この透明電極3としては一般
的にITO(Indium Tin Oxide)膜が使用されている。
このITO膜をガラス基板2上に形成したとき、その表
面に突起が形成されることが知られており、この突起が
上部に形成される発光層4を貫通して上のカソード電極
6との間で電気的な短絡が生じるおそれがあるため、I
TO膜の表面の突起をなくすための平坦化する工程が必
要となっている。
【0005】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
製造工程が簡単になりカラー化も容易になる新たな構造
のELD装置、及び熱膨張による問題を生じることがな
くなり、精密で安価に製造することができるELD装置
に使用する封止缶、並びにその封止缶の製造方法を提供
することを目的とする。
製造工程が簡単になりカラー化も容易になる新たな構造
のELD装置、及び熱膨張による問題を生じることがな
くなり、精密で安価に製造することができるELD装置
に使用する封止缶、並びにその封止缶の製造方法を提供
することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1に記載の発明にあっては、発光側ガラス基板
の表面にアノード電極を形成し、そのアノード電極上に
カソードセパレータにより分離してエレクトロルミネセ
ント現象により発光する発光層を形成し、その発光層上
にカソード電極を形成した発光部に、該発光層を形成し
た側の発光側ガラス基板上を水分、ガスによる損傷を防
止す乾燥剤を収納した封止缶で覆う構造のエレクトロル
ミネセントディスプレイ装置において、前記発光部の発
光側ガラス基板の表面上には、アノード電極として金属
膜層を形成し、その金属膜層上のカソードセパレータで
区画された領域に発光層を形成し、その発光層上に透明
なカソード電極となる薄膜の電極層を形成し、前記封止
缶は、透明な封止側ガラス基板の表面上の前記発光層に
対向する位置にカラーフィルタ層を形成するとともにそ
のカラーフィルタ層の周囲にブラックマスク層を形成
し、周縁部の内側表面に形成した溝に乾燥剤を収納し、
かつ周縁部に前記ブラックマスク層あるいはカラーフィ
ルタ層のいずれか一層以上の壁を形成し、前記封止缶の
壁の端面が発光側ガラス基板の周縁部に接着した構造を
有することを特徴とするものである。カラー画像を封止
缶の透明な封止側ガラス基板側から見ることができ、発
光部側の複雑な積層構造を避けて簡単な構造にでき、製
造工程も容易になり、電気的な短絡の問題を生じること
がなくなる。
に請求項1に記載の発明にあっては、発光側ガラス基板
の表面にアノード電極を形成し、そのアノード電極上に
カソードセパレータにより分離してエレクトロルミネセ
ント現象により発光する発光層を形成し、その発光層上
にカソード電極を形成した発光部に、該発光層を形成し
た側の発光側ガラス基板上を水分、ガスによる損傷を防
止す乾燥剤を収納した封止缶で覆う構造のエレクトロル
ミネセントディスプレイ装置において、前記発光部の発
光側ガラス基板の表面上には、アノード電極として金属
膜層を形成し、その金属膜層上のカソードセパレータで
区画された領域に発光層を形成し、その発光層上に透明
なカソード電極となる薄膜の電極層を形成し、前記封止
缶は、透明な封止側ガラス基板の表面上の前記発光層に
対向する位置にカラーフィルタ層を形成するとともにそ
のカラーフィルタ層の周囲にブラックマスク層を形成
し、周縁部の内側表面に形成した溝に乾燥剤を収納し、
かつ周縁部に前記ブラックマスク層あるいはカラーフィ
ルタ層のいずれか一層以上の壁を形成し、前記封止缶の
壁の端面が発光側ガラス基板の周縁部に接着した構造を
有することを特徴とするものである。カラー画像を封止
缶の透明な封止側ガラス基板側から見ることができ、発
光部側の複雑な積層構造を避けて簡単な構造にでき、製
造工程も容易になり、電気的な短絡の問題を生じること
がなくなる。
【0007】請求項2に記載の発明にあっては、請求項
1記載のエレクトロルミネセントディスプレイ装置に使
用する封止缶は、透明な封止側ガラス基板の表面上にマ
トリックス状にブラックマスク層を形成し、このブラッ
クマスク層で区画された領域にカラーフィルタ層を形成
し、周縁部近傍のやや内側の封止側ガラス基板に形成し
た溝に乾燥剤を収納し、かつ周縁部に前記ブラックマス
ク層あるいはカラーフィルタ層のいずれか一層以上の壁
が形成されていることを特徴とするものである。封止側
ガラス基板の周縁部にBM層及びカラーフィルタ層を積
層することにより封止に必要な高さの壁を簡単にでき、
熱膨張による封止上の問題を生じることがなくなり、精
密加工が可能になり、金属材料よりも安価に製造するこ
とができる。
1記載のエレクトロルミネセントディスプレイ装置に使
用する封止缶は、透明な封止側ガラス基板の表面上にマ
トリックス状にブラックマスク層を形成し、このブラッ
クマスク層で区画された領域にカラーフィルタ層を形成
し、周縁部近傍のやや内側の封止側ガラス基板に形成し
た溝に乾燥剤を収納し、かつ周縁部に前記ブラックマス
ク層あるいはカラーフィルタ層のいずれか一層以上の壁
が形成されていることを特徴とするものである。封止側
ガラス基板の周縁部にBM層及びカラーフィルタ層を積
層することにより封止に必要な高さの壁を簡単にでき、
熱膨張による封止上の問題を生じることがなくなり、精
密加工が可能になり、金属材料よりも安価に製造するこ
とができる。
【0008】請求項3に記載の発明にあっては、透明な
封止側ガラス基板の周縁部のやや内側表面に乾燥剤を収
納する溝を形成する工程と、前記封止側ガラス基板の周
縁部を除く表面にブラックマスク層及びこのブラックマ
スク層の間の領域にカラーフィルタ層を形成する工程
と、前記ブラックマスク層及びカラーフィルタを形成す
る工程と同じ工程において前記封止側ガラス基板の周縁
部表面にブラックマスク層あるいはカラーフィルタ層の
いずれかを1層以上の壁を形成する工程とを備えること
を特徴とするものである。封止側ガラス基板の周縁部に
BM層及びカラーフィルタ層を積層することにより封止
に必要な高さの壁を、それらの層を形成する工程と同時
に製造することがき工程が簡単になる。
封止側ガラス基板の周縁部のやや内側表面に乾燥剤を収
納する溝を形成する工程と、前記封止側ガラス基板の周
縁部を除く表面にブラックマスク層及びこのブラックマ
スク層の間の領域にカラーフィルタ層を形成する工程
と、前記ブラックマスク層及びカラーフィルタを形成す
る工程と同じ工程において前記封止側ガラス基板の周縁
部表面にブラックマスク層あるいはカラーフィルタ層の
いずれかを1層以上の壁を形成する工程とを備えること
を特徴とするものである。封止側ガラス基板の周縁部に
BM層及びカラーフィルタ層を積層することにより封止
に必要な高さの壁を、それらの層を形成する工程と同時
に製造することがき工程が簡単になる。
【0009】請求項4に記載の発明にあっては、発光側
ガラス基板の表面にアノード電極を形成し、そのアノー
ド電極上にカソードセパレータにより分離してエレクト
ロルミネセント現象により発光する発光層を形成し、そ
の発光層上にカソード電極を形成した発光部に、該発光
層を形成した側の発光側ガラス基板上を水分、ガスによ
る損傷を防止す乾燥剤を収納した封止缶で覆う構造のエ
レクトロルミネセントディスプレイ装置において、前記
発光部の発光側ガラス基板の表面上には、アノード電極
として金属膜層を形成し、その金属膜層上のカソードセ
パレータで区画された領域に発光層を形成し、その発光
層上に透明なカソード電極となる薄膜の電極層を形成
し、かつ周縁部には前記カソードセパレータと同じ高さ
の壁を形成し、前記封止缶は、透明な封止側ガラス基板
の表面上の前記発光層に対向する位置にカラーフィルタ
層を形成するとともにそのカラーフィルタ層の周囲にブ
ラックマスク層を形成し、周縁部の内側表面に形成した
溝に乾燥剤を収納し、前記封止缶の周縁部の表面が発光
側ガラス基板の周縁部に形成された壁の端面に接着した
構造を有することを特徴とするものである。カラー画像
を封止缶の透明な封止側ガラス基板側から見ることがで
き、発光部側の複雑な積層構造を避けて簡単な構造にで
き、製造工程も容易になり、電気的な短絡の問題を生じ
ることがなくなり、さらには封止缶を接着する壁を簡単
に形成することができる。
ガラス基板の表面にアノード電極を形成し、そのアノー
ド電極上にカソードセパレータにより分離してエレクト
ロルミネセント現象により発光する発光層を形成し、そ
の発光層上にカソード電極を形成した発光部に、該発光
層を形成した側の発光側ガラス基板上を水分、ガスによ
る損傷を防止す乾燥剤を収納した封止缶で覆う構造のエ
レクトロルミネセントディスプレイ装置において、前記
発光部の発光側ガラス基板の表面上には、アノード電極
として金属膜層を形成し、その金属膜層上のカソードセ
パレータで区画された領域に発光層を形成し、その発光
層上に透明なカソード電極となる薄膜の電極層を形成
し、かつ周縁部には前記カソードセパレータと同じ高さ
の壁を形成し、前記封止缶は、透明な封止側ガラス基板
の表面上の前記発光層に対向する位置にカラーフィルタ
層を形成するとともにそのカラーフィルタ層の周囲にブ
ラックマスク層を形成し、周縁部の内側表面に形成した
溝に乾燥剤を収納し、前記封止缶の周縁部の表面が発光
側ガラス基板の周縁部に形成された壁の端面に接着した
構造を有することを特徴とするものである。カラー画像
を封止缶の透明な封止側ガラス基板側から見ることがで
き、発光部側の複雑な積層構造を避けて簡単な構造にで
き、製造工程も容易になり、電気的な短絡の問題を生じ
ることがなくなり、さらには封止缶を接着する壁を簡単
に形成することができる。
【0010】請求項5記載の発明にあっては、請求項4
記載のエレクトロルミネセントディスプレイ装置に使用
する封止缶は、透明な封止側ガラス基板の表面上にマト
リックス状にブラックマスク層を形成し、このブラック
マスク層で区画された領域にカラーフィルタ層を形成
し、周縁部近傍のやや内側の封止側ガラス基板に形成し
た溝に乾燥剤を収納したことを特徴とするものである。
記載のエレクトロルミネセントディスプレイ装置に使用
する封止缶は、透明な封止側ガラス基板の表面上にマト
リックス状にブラックマスク層を形成し、このブラック
マスク層で区画された領域にカラーフィルタ層を形成
し、周縁部近傍のやや内側の封止側ガラス基板に形成し
た溝に乾燥剤を収納したことを特徴とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の一実施形態
により具体的に説明する。図1〜図3は本発明の第1実
施形態を示しており、図1はELD装置を模式的に説明
する断面図、図2はELD装置に使用する封止缶の製造
工程を説明する図、図3は封止缶と発光部とを接着する
状態を説明する断面図である。
により具体的に説明する。図1〜図3は本発明の第1実
施形態を示しており、図1はELD装置を模式的に説明
する断面図、図2はELD装置に使用する封止缶の製造
工程を説明する図、図3は封止缶と発光部とを接着する
状態を説明する断面図である。
【0012】本実施形態のELD装置10は、図1に示
すように、白色発光のELからなる発光部20の表面に
対向させて、カラー化を可能とするブラックマスク層及
びカラーフィルタ層を形成した透明な封止缶11を接着
した構造に形成され、封止缶11側からカラー画像を見
ることができるようにしたものである。
すように、白色発光のELからなる発光部20の表面に
対向させて、カラー化を可能とするブラックマスク層及
びカラーフィルタ層を形成した透明な封止缶11を接着
した構造に形成され、封止缶11側からカラー画像を見
ることができるようにしたものである。
【0013】封止缶11の製造方法は、まず、図2
(a)に示すように、厚さが、例えば、0.5〜2.0
mm程度、好ましくは0.7mmまたは1.1mm程度
のソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス
等の材料からなる透明な封止側ガラス基板12を用意
し、その表面をディップ式洗浄機で水酸化カリウム溶液
により基板洗浄を行う。次に、同図(b)に示すよう
に、洗浄した封止側ガラス基板12の表面の周縁部より
やや内側に幅が0.5〜5mm、深さが0.05〜0.
3mm程度の乾燥剤を収納するための溝13を形成す
る。この溝13は、例えば、封止側ガラス基板12の表
面に所定のマスクパターンを形成し、ウェットブラスト
装置を使用し、そのノズルからアルミナビーズを含む水
を、マスクパターンを形成した封止側ガラス基板12の
表面に噴射させてウェットブラスト加工により形成され
る。次に、同図(c)に示すように、封止側ガラス基板
12表面の中央部には、カラー画像のコントラストを向
上するために画素の周囲を遮光するようマトリックス状
に形成されたブラックマスク(BM)層14を形成する
と同時に、封止側ガラス基板12の周縁部に同じ厚さの
BM層14を形成する。このBM層14は、例えば、厚
さが0.8〜1.5μ程度のクロム膜等からなり一般的
なフォトエッチング等の工程により形成される。次に、
同図(d)に示すように、封止側ガラス基板12表面の
中央部には、所定位置のBM層14間に赤(R)のカラ
ーフィルタ層15を形成すると同時に、周縁部のBM層
14の上部に同じ厚さのカラーフィルタ層15を積層し
て形成する。このカラーフィルタ層15は、厚さが0.
8〜1.5μ程度で一般的な分散法、染色法あるいは印
刷法等の工程により形成される。次に、同図(e)に示
すように、封止側ガラス基板12表面の中央部には、所
定位置のBM層14間に緑(G)のカラーフィルタ層1
6を形成すると同時に、周縁部のカラーフィルタ層15
の上部に同じ厚さのカラーフィルタ層16を積層して形
成する。このカラーフィルタ層16は、厚さが0.8〜
1.5μ程度で赤(R)のカラーフィルタ層15と同様
の一般的な分散法、染色法あるいは印刷法等の工程によ
り形成される。次に、同図(f)に示すように、封止側
ガラス基板12表面の中央部には、所定位置のBM層1
4間に青(B)のカラーフィルタ層17を形成すると同
時に、周縁部のカラーフィルタ層16の上部に同じ厚さ
のカラーフィルタ層17を積層して形成する。このカラ
ーフィルタ層17は、厚さが0.8〜1.5μ程度で赤
(R)や緑(G)のカラーフィルタ層15,16と同様
の一般的な分散法、染色法あるいは印刷法等の工程によ
り形成される。次に、同図(g)に示すように、溝13
内に乾燥剤18を収納することにより、透明な封止側ガ
ラス基板12の中央部にはBM層14で区画された領域
に赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルター層
15,16,17が形成されると同時に、封止側ガラス
基板12の周縁部にBM層14及びカラーフィルター層
15,16,17が積層されて所定の高さ(h)を有す
る壁19を持つ封止缶11が形成される。
(a)に示すように、厚さが、例えば、0.5〜2.0
mm程度、好ましくは0.7mmまたは1.1mm程度
のソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス
等の材料からなる透明な封止側ガラス基板12を用意
し、その表面をディップ式洗浄機で水酸化カリウム溶液
により基板洗浄を行う。次に、同図(b)に示すよう
に、洗浄した封止側ガラス基板12の表面の周縁部より
やや内側に幅が0.5〜5mm、深さが0.05〜0.
3mm程度の乾燥剤を収納するための溝13を形成す
る。この溝13は、例えば、封止側ガラス基板12の表
面に所定のマスクパターンを形成し、ウェットブラスト
装置を使用し、そのノズルからアルミナビーズを含む水
を、マスクパターンを形成した封止側ガラス基板12の
表面に噴射させてウェットブラスト加工により形成され
る。次に、同図(c)に示すように、封止側ガラス基板
12表面の中央部には、カラー画像のコントラストを向
上するために画素の周囲を遮光するようマトリックス状
に形成されたブラックマスク(BM)層14を形成する
と同時に、封止側ガラス基板12の周縁部に同じ厚さの
BM層14を形成する。このBM層14は、例えば、厚
さが0.8〜1.5μ程度のクロム膜等からなり一般的
なフォトエッチング等の工程により形成される。次に、
同図(d)に示すように、封止側ガラス基板12表面の
中央部には、所定位置のBM層14間に赤(R)のカラ
ーフィルタ層15を形成すると同時に、周縁部のBM層
14の上部に同じ厚さのカラーフィルタ層15を積層し
て形成する。このカラーフィルタ層15は、厚さが0.
8〜1.5μ程度で一般的な分散法、染色法あるいは印
刷法等の工程により形成される。次に、同図(e)に示
すように、封止側ガラス基板12表面の中央部には、所
定位置のBM層14間に緑(G)のカラーフィルタ層1
6を形成すると同時に、周縁部のカラーフィルタ層15
の上部に同じ厚さのカラーフィルタ層16を積層して形
成する。このカラーフィルタ層16は、厚さが0.8〜
1.5μ程度で赤(R)のカラーフィルタ層15と同様
の一般的な分散法、染色法あるいは印刷法等の工程によ
り形成される。次に、同図(f)に示すように、封止側
ガラス基板12表面の中央部には、所定位置のBM層1
4間に青(B)のカラーフィルタ層17を形成すると同
時に、周縁部のカラーフィルタ層16の上部に同じ厚さ
のカラーフィルタ層17を積層して形成する。このカラ
ーフィルタ層17は、厚さが0.8〜1.5μ程度で赤
(R)や緑(G)のカラーフィルタ層15,16と同様
の一般的な分散法、染色法あるいは印刷法等の工程によ
り形成される。次に、同図(g)に示すように、溝13
内に乾燥剤18を収納することにより、透明な封止側ガ
ラス基板12の中央部にはBM層14で区画された領域
に赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルター層
15,16,17が形成されると同時に、封止側ガラス
基板12の周縁部にBM層14及びカラーフィルター層
15,16,17が積層されて所定の高さ(h)を有す
る壁19を持つ封止缶11が形成される。
【0014】次に、発光部20は、例えば、0.5〜
2.0mm程度で透明な発光側ガラス基板21上に、ア
ノード電極となる電極層として、例えば、クロム(C
r)、銀(Ag)、アルミニュウム(Al)あるいはニ
ッケル(Ni)等の材料からなる金属膜層22を100
0Å程度の厚さに形成し、その金属膜層22の上部に、
例えば、ポリイミド、アクリル、ノボラック等の樹脂材
料をベースにした1μ程度の厚さに形成された絶縁膜層
24を介して、その上部に金属膜層22表面から高さ
(a)が、例えば、3〜5μ程度のカソードセパレータ
25を形成し、このカソードセパレータ25で区画され
た金属膜層22の上部に白色発光のEL材料からなる発
光層23を1000Å程度の厚さに形成し、この発光層
23の上部にプラチナ(Pt)、金(Au)あるいは銀
(Ag)等の材料からなり透明になる、例えば、厚さが
300〜500Å程度の薄膜の電極層26を形成する。
この発光部20の金属膜層22、発光層23、絶縁膜層
24、カソードセパレータ25及び電極層26は、一般
的な製造工程により形成される。
2.0mm程度で透明な発光側ガラス基板21上に、ア
ノード電極となる電極層として、例えば、クロム(C
r)、銀(Ag)、アルミニュウム(Al)あるいはニ
ッケル(Ni)等の材料からなる金属膜層22を100
0Å程度の厚さに形成し、その金属膜層22の上部に、
例えば、ポリイミド、アクリル、ノボラック等の樹脂材
料をベースにした1μ程度の厚さに形成された絶縁膜層
24を介して、その上部に金属膜層22表面から高さ
(a)が、例えば、3〜5μ程度のカソードセパレータ
25を形成し、このカソードセパレータ25で区画され
た金属膜層22の上部に白色発光のEL材料からなる発
光層23を1000Å程度の厚さに形成し、この発光層
23の上部にプラチナ(Pt)、金(Au)あるいは銀
(Ag)等の材料からなり透明になる、例えば、厚さが
300〜500Å程度の薄膜の電極層26を形成する。
この発光部20の金属膜層22、発光層23、絶縁膜層
24、カソードセパレータ25及び電極層26は、一般
的な製造工程により形成される。
【0015】次に、上記のように製造された封止缶11
は、封止側ガラス基板12の周縁部にはBM層14及び
カラーフィルター層15,16,17が積層されて高さ
(h)が4〜6μ程度の壁19が形成されており、その
壁19は少なくともカソードセパレータ25の高さ
(a)よりやや高く形成されている。この封止缶11の
壁19が形成された側を発光部20の表面に向け発光層
23とカラーフィルター層15,16,17を対向さ
せ、封止缶11の壁19の端面と発光部20の周縁部と
を熱により接着するか、あるいは紫外光により瞬間的に
接着する接着剤27により封止することで図1に示すよ
うなELD装置10が形成される。
は、封止側ガラス基板12の周縁部にはBM層14及び
カラーフィルター層15,16,17が積層されて高さ
(h)が4〜6μ程度の壁19が形成されており、その
壁19は少なくともカソードセパレータ25の高さ
(a)よりやや高く形成されている。この封止缶11の
壁19が形成された側を発光部20の表面に向け発光層
23とカラーフィルター層15,16,17を対向さ
せ、封止缶11の壁19の端面と発光部20の周縁部と
を熱により接着するか、あるいは紫外光により瞬間的に
接着する接着剤27により封止することで図1に示すよ
うなELD装置10が形成される。
【0016】上記構成のELD装置10では、白色発光
のEL材料からなる発光層24の発光により封止缶11
側に形成されたBM層14及びカラーフィルタ層15,
16,17によりコントラストの良いカラー画像を封止
缶11の透明な封止側ガラス基板12側から見ることが
できる。また、この構造のELD装置10では、封止缶
11側にBM層14及びカラーフィルタ層15,16,
17を形成しているため、発光部20側の複雑な積層構
造を避けて簡単な構造にでき、製造工程も容易になる。
さらに、発光部20の発光側ガラス基板21側から画像
を見ることがないため、発光部20側にアノード電極と
して透明性のない金属膜層22を使用することが可能に
なり、透明なITO膜層を使用した場合に生じやすい表
面の突起により、カソード電極となる電極層26との間
の電気的な短絡の問題を生じることがなくなり、かつ平
坦化加工するための工程を省略することができる。ま
た、電極層26は、プラチナ(Pt)、金(Au)ある
いは銀(Ag)等から厚さが300〜500Å程度の薄
膜に形成しているため透明になり、発光層24からカラ
ーフィルタ層15,16,17への光の通過に悪影響を
与えることがない。
のEL材料からなる発光層24の発光により封止缶11
側に形成されたBM層14及びカラーフィルタ層15,
16,17によりコントラストの良いカラー画像を封止
缶11の透明な封止側ガラス基板12側から見ることが
できる。また、この構造のELD装置10では、封止缶
11側にBM層14及びカラーフィルタ層15,16,
17を形成しているため、発光部20側の複雑な積層構
造を避けて簡単な構造にでき、製造工程も容易になる。
さらに、発光部20の発光側ガラス基板21側から画像
を見ることがないため、発光部20側にアノード電極と
して透明性のない金属膜層22を使用することが可能に
なり、透明なITO膜層を使用した場合に生じやすい表
面の突起により、カソード電極となる電極層26との間
の電気的な短絡の問題を生じることがなくなり、かつ平
坦化加工するための工程を省略することができる。ま
た、電極層26は、プラチナ(Pt)、金(Au)ある
いは銀(Ag)等から厚さが300〜500Å程度の薄
膜に形成しているため透明になり、発光層24からカラ
ーフィルタ層15,16,17への光の通過に悪影響を
与えることがない。
【0017】また、上記ELD装置10に使用する封止
缶11の製造方法では、封止側ガラス基板12の表面に
ウェットブラストにより溝13を形成していることで、
ウェットブラストによる加工が微粒子を水に含めて噴射
させるため、例えば、エアーによるサンドブラストより
精密加工が可能になる。また、封止側ガラス基板12の
周縁部にBM層14及びカラーフィルタ層15,16,
17を積層することにより封止に必要な高さhの壁19
を、それらの層を形成する工程と同時に製造することが
できるため、封止側ガラス基板12を溝状に加工する必
要がなくなり工程を簡単にできる。このように形成され
る封止缶11では、発光部20の発光側ガラス基板21
と同じガラス材料を使用することができるため、熱膨張
による封止上の問題を生じることがなくなり、精密加工
が可能になり、かつ金属材料よりも安価に製造すること
ができる。
缶11の製造方法では、封止側ガラス基板12の表面に
ウェットブラストにより溝13を形成していることで、
ウェットブラストによる加工が微粒子を水に含めて噴射
させるため、例えば、エアーによるサンドブラストより
精密加工が可能になる。また、封止側ガラス基板12の
周縁部にBM層14及びカラーフィルタ層15,16,
17を積層することにより封止に必要な高さhの壁19
を、それらの層を形成する工程と同時に製造することが
できるため、封止側ガラス基板12を溝状に加工する必
要がなくなり工程を簡単にできる。このように形成され
る封止缶11では、発光部20の発光側ガラス基板21
と同じガラス材料を使用することができるため、熱膨張
による封止上の問題を生じることがなくなり、精密加工
が可能になり、かつ金属材料よりも安価に製造すること
ができる。
【0018】図4〜図6は本発明の第2実施形態を示し
ており、図4はELD装置を模式的に説明する断面図、
図5はELD装置に使用する封止缶の製造工程を説明す
る図、図6は封止缶と発光部とを接着する状態を説明す
る断面図である。なお、第1実施形態に対応する部分及
び部材は同一の符号を記し詳細の説明を省略する。
ており、図4はELD装置を模式的に説明する断面図、
図5はELD装置に使用する封止缶の製造工程を説明す
る図、図6は封止缶と発光部とを接着する状態を説明す
る断面図である。なお、第1実施形態に対応する部分及
び部材は同一の符号を記し詳細の説明を省略する。
【0019】本実施形態のELD装置10´は、図4に
示すように、白色発光のELからなる発光部20´の表
面にカラー化が可能な透明な封止缶11´を接着した構
造に形成され、封止缶11´側からカラー画像を見るこ
とができるようにしたものである。
示すように、白色発光のELからなる発光部20´の表
面にカラー化が可能な透明な封止缶11´を接着した構
造に形成され、封止缶11´側からカラー画像を見るこ
とができるようにしたものである。
【0020】封止缶11´は、まず、図5(a)に示す
ように、第1実施形態と同様の透明な封止側ガラス基板
12を用意し、その表面をディップ式洗浄機で水酸化カ
リウム溶液により基板洗浄を行う。次に、同図(b)に
示すように、洗浄した封止側ガラス基板12の表面の周
縁部よりやや内側に第1実施形態と同様に乾燥剤を収納
するための溝13をウェットブラスト加工により形成す
る。次に、同図(c)に示すように、封止側ガラス基板
12表面の中央部には、マトリックス状に形成されたブ
ラックマスク(BM)層14を一般的なフォトエッチン
グ等の工程により形成する。次に、同図(d)に示すよ
うに、封止側ガラス基板12表面の中央部には、第1実
施形態と同様に所定位置のBM層14間に赤(R)のカ
ラーフィルタ層15を形成すると同時に、周縁部の封止
側ガラス基板12の上部に同じ厚さのカラーフィルタ層
15を形成する。次に、同図(e)に示すように、封止
側ガラス基板12表面の中央部には、所定位置のBM層
14間に緑(G)のカラーフィルタ層16を第1実施形
態と同様に形成する。次に、同図(f)に示すように、
封止側ガラス基板12表面の中央部には、所定位置のB
M層14間に青(B)のカラーフィルタ層17を第1実
施形態と同様に形成する。次に、同図(g)に示すよう
に、溝13内に乾燥剤18を収納することにより、透明
な封止側ガラス基板12の中央部にはBM層14で区画
された領域に赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフ
ィルター層15,16,17が形成されると同時に、封
止側ガラス基板12の周縁部にカラーフィルター層15
が所定の高さ(h´)を有する壁19´を持つ封止缶1
1´が形成される。
ように、第1実施形態と同様の透明な封止側ガラス基板
12を用意し、その表面をディップ式洗浄機で水酸化カ
リウム溶液により基板洗浄を行う。次に、同図(b)に
示すように、洗浄した封止側ガラス基板12の表面の周
縁部よりやや内側に第1実施形態と同様に乾燥剤を収納
するための溝13をウェットブラスト加工により形成す
る。次に、同図(c)に示すように、封止側ガラス基板
12表面の中央部には、マトリックス状に形成されたブ
ラックマスク(BM)層14を一般的なフォトエッチン
グ等の工程により形成する。次に、同図(d)に示すよ
うに、封止側ガラス基板12表面の中央部には、第1実
施形態と同様に所定位置のBM層14間に赤(R)のカ
ラーフィルタ層15を形成すると同時に、周縁部の封止
側ガラス基板12の上部に同じ厚さのカラーフィルタ層
15を形成する。次に、同図(e)に示すように、封止
側ガラス基板12表面の中央部には、所定位置のBM層
14間に緑(G)のカラーフィルタ層16を第1実施形
態と同様に形成する。次に、同図(f)に示すように、
封止側ガラス基板12表面の中央部には、所定位置のB
M層14間に青(B)のカラーフィルタ層17を第1実
施形態と同様に形成する。次に、同図(g)に示すよう
に、溝13内に乾燥剤18を収納することにより、透明
な封止側ガラス基板12の中央部にはBM層14で区画
された領域に赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフ
ィルター層15,16,17が形成されると同時に、封
止側ガラス基板12の周縁部にカラーフィルター層15
が所定の高さ(h´)を有する壁19´を持つ封止缶1
1´が形成される。
【0021】次に、発光部20´は、発光側ガラス基板
21上に第1実施形態とほぼ同様に金属膜層22、発光
層23、絶縁膜層24及びカソードセパレータ25が形
成されるが、このカソードセパレータ25を形成する工
程において、発光側ガラス基板21の周縁部で封止缶1
0´のガラス基板11周縁部の赤(R)のカラーフィル
タ層15を形成した位置に対応する部分に、同じ高さ
(a)のカソードセパレータ25´が絶縁膜24上に壁
29として形成される。このカソードセパレータ25´
の壁29が第1実施形態の封止缶10側に形成される壁
19と同様の役割ものとなる。その他の構成は第1実施
形態と同様である。
21上に第1実施形態とほぼ同様に金属膜層22、発光
層23、絶縁膜層24及びカソードセパレータ25が形
成されるが、このカソードセパレータ25を形成する工
程において、発光側ガラス基板21の周縁部で封止缶1
0´のガラス基板11周縁部の赤(R)のカラーフィル
タ層15を形成した位置に対応する部分に、同じ高さ
(a)のカソードセパレータ25´が絶縁膜24上に壁
29として形成される。このカソードセパレータ25´
の壁29が第1実施形態の封止缶10側に形成される壁
19と同様の役割ものとなる。その他の構成は第1実施
形態と同様である。
【0022】次に、上記のように製造された封止缶11
´は、封止側ガラス基板12の周縁部にはカラーフィル
ター層15が高さh´の壁19´に形成され、発光部2
0´側の発光側ガラス基板21の周縁部に高さaのカソ
ードセパレータ25´の壁29が形成されている。この
封止缶11´の壁19´が形成された側を発光部20´
の表面に向け発光層23とカラーフィルター層15,1
6,17を対向させ、封止缶11´の壁19´の端面と
発光部20の壁29の端面とを熱により硬化するか、あ
るいは紫外光により瞬間的に接着する接着剤27により
封止することでELD装置10´が形成される。
´は、封止側ガラス基板12の周縁部にはカラーフィル
ター層15が高さh´の壁19´に形成され、発光部2
0´側の発光側ガラス基板21の周縁部に高さaのカソ
ードセパレータ25´の壁29が形成されている。この
封止缶11´の壁19´が形成された側を発光部20´
の表面に向け発光層23とカラーフィルター層15,1
6,17を対向させ、封止缶11´の壁19´の端面と
発光部20の壁29の端面とを熱により硬化するか、あ
るいは紫外光により瞬間的に接着する接着剤27により
封止することでELD装置10´が形成される。
【0023】上記構成のELD装置10´では、第1実
施形態と同様に、BM層14及びカラーフィルタ層1
5,16,17によりコントラストの良いカラー画像を
封止缶11´側から見ることができる。また、この構造
のELD装置10´では、封止缶11´側にBM層14
及びカラーフィルタ層15,16,17を形成している
ため、発光部20´側の複雑な積層構造を避けて構造を
簡単にでき、製造工程も容易になる。さらに、第1実施
形態と同様に発光部20´側にアノード電極として透明
性のない金属膜層22を使用することが可能になり、電
気的な短絡の問題を生じることがなくなり、かつ平坦化
するための工程を省略することができる。また、電極層
26は、発光層24からカラーフィルタ層15,16,
17への光の通過に悪影響をることがない。
施形態と同様に、BM層14及びカラーフィルタ層1
5,16,17によりコントラストの良いカラー画像を
封止缶11´側から見ることができる。また、この構造
のELD装置10´では、封止缶11´側にBM層14
及びカラーフィルタ層15,16,17を形成している
ため、発光部20´側の複雑な積層構造を避けて構造を
簡単にでき、製造工程も容易になる。さらに、第1実施
形態と同様に発光部20´側にアノード電極として透明
性のない金属膜層22を使用することが可能になり、電
気的な短絡の問題を生じることがなくなり、かつ平坦化
するための工程を省略することができる。また、電極層
26は、発光層24からカラーフィルタ層15,16,
17への光の通過に悪影響をることがない。
【0024】また、上記ELD装置10´に使用する封
止缶11´の製造方法では、第1実施形態と同様に、ウ
ェットブラストにより溝13を形成していることで、精
密加工が可能になる。また、封止側ガラス基板12の周
縁部にカラーフィルタ層15を形成することで封止に必
要な高さh´の壁19´を、その層を形成する工程と同
時に製造することができるため、封止側ガラス基板12
を溝状に加工することなく工程を簡単にできる。このよ
うに形成される封止缶11´では、発光部20´の発光
側ガラス基板21と同じガラス材料を使用することがで
きるため、熱膨張による封止上の問題を生じることがな
くなり、精密加工が可能になり、かつ金属材料よりも安
価に製造することができる。
止缶11´の製造方法では、第1実施形態と同様に、ウ
ェットブラストにより溝13を形成していることで、精
密加工が可能になる。また、封止側ガラス基板12の周
縁部にカラーフィルタ層15を形成することで封止に必
要な高さh´の壁19´を、その層を形成する工程と同
時に製造することができるため、封止側ガラス基板12
を溝状に加工することなく工程を簡単にできる。このよ
うに形成される封止缶11´では、発光部20´の発光
側ガラス基板21と同じガラス材料を使用することがで
きるため、熱膨張による封止上の問題を生じることがな
くなり、精密加工が可能になり、かつ金属材料よりも安
価に製造することができる。
【0025】なお、上記第1実施形態において、封止缶
11の壁19としてBM層14及びカラーフィルタ層1
5,16,17を積層した例を説明したが、少なくとも
カソードセパレータ24よりやや高くなるよう、BM層
14あるいはカラーフィルタ層15,16,17のいず
れかを1層以上形成すればよく実施形態に限定されな
い。また、第2実施形態において、封止缶11の壁19
´として赤(R)のカラーフィルタ層15を形成した例
を説明したが、他のBM層14あるいはカラーフィルタ
層16,17を1層あるいは積層してもよく、必要によ
リ壁19´を省略して接着剤27のみにすることも可能
である。さらに、封止缶11,11´と発光部20,2
0´との間の接着には、一定の大きさに形成されたビー
ズを含む接着剤を使用することもできる。
11の壁19としてBM層14及びカラーフィルタ層1
5,16,17を積層した例を説明したが、少なくとも
カソードセパレータ24よりやや高くなるよう、BM層
14あるいはカラーフィルタ層15,16,17のいず
れかを1層以上形成すればよく実施形態に限定されな
い。また、第2実施形態において、封止缶11の壁19
´として赤(R)のカラーフィルタ層15を形成した例
を説明したが、他のBM層14あるいはカラーフィルタ
層16,17を1層あるいは積層してもよく、必要によ
リ壁19´を省略して接着剤27のみにすることも可能
である。さらに、封止缶11,11´と発光部20,2
0´との間の接着には、一定の大きさに形成されたビー
ズを含む接着剤を使用することもできる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように本発明のELD装置
では、発光部の表面に対向させて、カラー化を可能とす
るブラックマスク層及びカラーフィルタ層を形成した透
明なガラス基板からなる封止缶を接着した構造にしたこ
とで、製造工程が簡単になりカラー化も容易になる新た
な構造を提供できる。また、本発明のELD装置に使用
する封止缶では、発光部と同じ材料の透明な封止側ガラ
ス基板にBM層及びカラーフィルタ層を形成することで
熱膨張による問題を生じることがなくなり、精密で安価
に製造することができる。さらに、本発明の封止缶の製
造方法では、BM層あるいはカラーフィルタ層を形成す
る工程で壁を形成することが可能になり製造工程を簡単
にできる。
では、発光部の表面に対向させて、カラー化を可能とす
るブラックマスク層及びカラーフィルタ層を形成した透
明なガラス基板からなる封止缶を接着した構造にしたこ
とで、製造工程が簡単になりカラー化も容易になる新た
な構造を提供できる。また、本発明のELD装置に使用
する封止缶では、発光部と同じ材料の透明な封止側ガラ
ス基板にBM層及びカラーフィルタ層を形成することで
熱膨張による問題を生じることがなくなり、精密で安価
に製造することができる。さらに、本発明の封止缶の製
造方法では、BM層あるいはカラーフィルタ層を形成す
る工程で壁を形成することが可能になり製造工程を簡単
にできる。
【図1】本発明の第1実施形態のELD装置を模式的に
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態のELD装置に使用する
封止缶の製造工程を説明する図である。
封止缶の製造工程を説明する図である。
【図3】本発明の第1実施形態の封止缶と発光部とを接
着する状態を説明する断面図である。
着する状態を説明する断面図である。
【図4】本発明の第2実施形態のELD装置を模式的に
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図5】本発明の第2実施形態のELD装置に使用する
封止缶の製造工程を説明する図である。
封止缶の製造工程を説明する図である。
【図6】本発明の第2実施形態の封止缶と発光部とを接
着する状態を説明する断面図である。
着する状態を説明する断面図である。
【図7】従来のELD装置の構造を説明する断面図であ
る。
る。
10,10´ ELD装置
11,11´ 封止缶
12 封止側ガラス基板
13 溝
14 ブラックマスク(BM)層
15,16,17 カラーフィルタ層
18 乾燥剤
19,19´ 壁
20,20´ 発光部
21 発光側ガラス基板
22 金属膜層
23 発光層
24 絶縁膜層
25,25´ カソードセパレータ
26 電極層
27 接着剤
29 壁
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 籠嶋 英機
東京都渋谷区富ヶ谷1丁目33番14号 株式
会社ミクロ技術研究所内
(72)発明者 磯 浩道
東京都渋谷区富ヶ谷1丁目33番14号 株式
会社ミクロ技術研究所内
(72)発明者 相坂 直樹
東京都渋谷区富ヶ谷1丁目33番14号 株式
会社ミクロ技術研究所内
Fターム(参考) 3K007 AB11 AB13 AB14 BB01 BB05
BB06 CA01 DB03 FA02
Claims (5)
- 【請求項1】 発光側ガラス基板の表面にアノード電極
を形成し、そのアノード電極上にカソードセパレータに
より分離してエレクトロルミネセント現象により発光す
る発光層を形成し、その発光層上にカソード電極を形成
した発光部に、該発光層を形成した側の発光側ガラス基
板上を水分、ガスによる損傷を防止す乾燥剤を収納した
封止缶で覆う構造のエレクトロルミネセントディスプレ
イ装置において、 前記発光部の発光側ガラス基板の表面上には、アノード
電極として金属膜層を形成し、その金属膜層上のカソー
ドセパレータで区画された領域に発光層を形成し、その
発光層上に透明なカソード電極となる薄膜の電極層を形
成し、前記封止缶は、透明な封止側ガラス基板の表面上
の前記発光層に対向する位置にカラーフィルタ層を形成
するとともにそのカラーフィルタ層の周囲にブラックマ
スク層を形成し、周縁部の内側表面に形成した溝に乾燥
剤を収納し、かつ周縁部に前記ブラックマスク層あるい
はカラーフィルタ層のいずれか一層以上の壁を形成し、
前記封止缶の壁の端面が発光側ガラス基板の周縁部に接
着した構造を有することを特徴とするエレクトロルミネ
セントディスプレイ装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のエレクトロルミネセント
ディスプレイ装置に使用する封止缶は、透明な封止側ガ
ラス基板の表面上にマトリックス状にブラックマスク層
を形成し、このブラックマスク層で区画された領域にカ
ラーフィルタ層を形成し、周縁部近傍のやや内側の封止
側ガラス基板に形成した溝に乾燥剤を収納し、かつ周縁
部に前記ブラックマスク層あるいはカラーフィルタ層の
いずれか一層以上の壁が形成されていることを特徴とす
る封止缶。 - 【請求項3】 透明な封止側ガラス基板の周縁部のやや
内側表面に乾燥剤を収納する溝を形成する工程と、前記
封止側ガラス基板の周縁部を除く表面にブラックマスク
層及びこのブラックマスク層の間の領域にカラーフィル
タ層を形成する工程と、前記ブラックマスク層及びカラ
ーフィルタを形成する工程と同じ工程において前記封止
側ガラス基板の周縁部表面にブラックマスク層あるいは
カラーフィルタ層のいずれかを1層以上の壁を形成する
工程とを備えることを特徴とする封止缶の製造方法。 - 【請求項4】 発光側ガラス基板の表面にアノード電極
を形成し、そのアノード電極上にカソードセパレータに
より分離してエレクトロルミネセント現象により発光す
る発光層を形成し、その発光層上にカソード電極を形成
した発光部に、該発光層を形成した側の発光側ガラス基
板上を水分、ガスによる損傷を防止す乾燥剤を収納した
封止缶で覆う構造のエレクトロルミネセントディスプレ
イ装置において、 前記発光部の発光側ガラス基板の表面上には、アノード
電極として金属膜層を形成し、その金属膜層上のカソー
ドセパレータで区画された領域に発光層を形成し、その
発光層上に透明なカソード電極となる薄膜の電極層を形
成し、かつ周縁部には前記カソードセパレータと同じ高
さの壁を形成し、前記封止缶は、透明な封止側ガラス基
板の表面上の前記発光層に対向する位置にカラーフィル
タ層を形成するとともにそのカラーフィルタ層の周囲に
ブラックマスク層を形成し、周縁部の内側表面に形成し
た溝に乾燥剤を収納し、前記封止缶の周縁部の表面が発
光側ガラス基板の周縁部に形成された端面に接着した構
造を有することを特徴とするエレクトロルミネセントデ
ィスプレイ装置。 - 【請求項5】 請求項4記載のエレクトロルミネセント
ディスプレイ装置に使用する封止缶は、透明な封止側ガ
ラス基板の表面上にマトリックス状にブラックマスク層
を形成し、このブラックマスク層で区画された領域にカ
ラーフィルタ層を形成し、周縁部近傍のやや内側の封止
側ガラス基板に形成した溝に乾燥剤を収納したことを特
徴とする封止缶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002000465A JP2003203761A (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | エレクトロルミネセントディスプレイ装置及びその封止缶並びにその封止缶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002000465A JP2003203761A (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | エレクトロルミネセントディスプレイ装置及びその封止缶並びにその封止缶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003203761A true JP2003203761A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27640845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002000465A Pending JP2003203761A (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | エレクトロルミネセントディスプレイ装置及びその封止缶並びにその封止缶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003203761A (ja) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005071646A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Chi Mei Electronics Corp | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
JP2005209413A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示パネルの製造方法および表示パネル |
JP2005294057A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tdk Corp | 自発光型表示装置 |
WO2006071806A2 (en) * | 2004-12-27 | 2006-07-06 | Quantum Paper, Inc. | Addressable and printable emissive display |
KR100805601B1 (ko) | 2006-11-23 | 2008-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 |
JP2010097192A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタおよび有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2010140722A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタ |
JP2012238024A (ja) * | 2012-08-10 | 2012-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタ |
US8384630B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-02-26 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US8413359B2 (en) | 2008-05-13 | 2013-04-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
US8415879B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-04-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8674593B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-03-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8739441B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-06-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatuses for providing power for illumination of a display object |
US8809126B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-08-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8846457B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-09-30 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8852467B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-10-07 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8877101B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
US8889216B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing addressable and static electronic displays |
US9018833B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-04-28 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting or absorbing diodes |
US9343593B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-05-17 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US9419179B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-16 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US9425357B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-23 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Diode for a printable composition |
US9534772B2 (en) | 2007-05-31 | 2017-01-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting diodes |
WO2020189407A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
CN114023785A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-02-08 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示装置 |
-
2002
- 2002-01-07 JP JP2002000465A patent/JP2003203761A/ja active Pending
Cited By (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005071646A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Chi Mei Electronics Corp | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
JP2005209413A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示パネルの製造方法および表示パネル |
JP2005294057A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tdk Corp | 自発光型表示装置 |
JP4572561B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-11-04 | Tdk株式会社 | 自発光型表示装置 |
US8182303B2 (en) * | 2004-12-27 | 2012-05-22 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of fabricating static and addressable emissive displays |
WO2006071806A2 (en) * | 2004-12-27 | 2006-07-06 | Quantum Paper, Inc. | Addressable and printable emissive display |
WO2006071806A3 (en) * | 2004-12-27 | 2008-10-30 | Quantum Paper Inc | Addressable and printable emissive display |
US7719187B2 (en) * | 2004-12-27 | 2010-05-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Static and addressable emissive displays |
US8183772B2 (en) * | 2004-12-27 | 2012-05-22 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Static and addressable emissive displays |
KR100805601B1 (ko) | 2006-11-23 | 2008-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 |
US8877101B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
US9419179B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-16 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US9865767B2 (en) | 2007-05-31 | 2018-01-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US8384630B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-02-26 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US8395568B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-03-12 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US9777914B2 (en) | 2007-05-31 | 2017-10-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Light emitting apparatus having at least one reverse-biased light emitting diode |
US8415879B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-04-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8456393B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-06-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US8456392B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-06-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US8674593B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-03-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8723408B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-05-13 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US9534772B2 (en) | 2007-05-31 | 2017-01-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting diodes |
US9425357B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-23 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Diode for a printable composition |
US8809126B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-08-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8846457B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-09-30 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8852467B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-10-07 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US9410684B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Bidirectional lighting apparatus with light emitting diodes |
US8889216B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing addressable and static electronic displays |
US9018833B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-04-28 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting or absorbing diodes |
US9105812B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-08-11 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US9400086B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-07-26 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting or absorbing diodes |
US9130124B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-09-08 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US9200758B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-12-01 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | LED lighting apparatus formed by a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes and methods of using same |
US9236527B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-01-12 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US9236528B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-01-12 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US9316362B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-04-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | LED lighting apparatus formed by a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes and methods of using same |
US9343593B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-05-17 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US9349928B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-05-24 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US9362348B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-06-07 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
US8413359B2 (en) | 2008-05-13 | 2013-04-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
US8739440B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-06-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Illuminating display systems |
US9526148B2 (en) | 2008-05-13 | 2016-12-20 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
US8739441B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-06-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatuses for providing power for illumination of a display object |
US9119244B2 (en) | 2008-05-13 | 2015-08-25 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
JP2010097192A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタおよび有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2010140722A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタ |
JP2012238024A (ja) * | 2012-08-10 | 2012-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタ |
CN113574425B (zh) * | 2019-03-19 | 2024-05-10 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置和电子设备 |
CN113574425A (zh) * | 2019-03-19 | 2021-10-29 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置和电子设备 |
WO2020189407A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
US12004403B2 (en) | 2019-03-19 | 2024-06-04 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device and electronic apparatus |
CN114023785A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-02-08 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示装置 |
CN114023785B (zh) * | 2021-11-02 | 2024-02-20 | 业成光电(深圳)有限公司 | 显示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003203761A (ja) | エレクトロルミネセントディスプレイ装置及びその封止缶並びにその封止缶の製造方法 | |
EP3026710B1 (en) | Organic light emitting display device and fabricating method using the same | |
CN103681737B (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
KR100908150B1 (ko) | 유기 el 표시 장치 | |
TWI632676B (zh) | 有機電激發光裝置及電子機器 | |
US10026897B2 (en) | Method for manufacturing organic EL apparatus, organic EL apparatus, and electronic device | |
CN102884645B (zh) | 发光装置的制造方法以及发光装置 | |
US7291976B2 (en) | Light emitting device having a particular sealing structure | |
CN111276515A (zh) | Oled显示面板及其制备方法 | |
JP2018106699A (ja) | タッチスクリーン一体型表示装置 | |
WO2007013504A1 (ja) | フラットパネルディスプレイ | |
CN104953039B (zh) | El显示装置及el显示装置的制造方法 | |
JP5908955B2 (ja) | タッチスクリーン及びその製造方法 | |
KR102656141B1 (ko) | 표시 장치 | |
CN111584602B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
JP5588118B2 (ja) | マザー基板 | |
JP2005011794A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
JP2009117214A (ja) | 有機elディスプレイパネル | |
JP2005019151A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
CN103123956B (zh) | 有机发光显示面板及其制作方法 | |
CN102779833A (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
KR102350852B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
JP2003272830A (ja) | 電気素子封止方法、パッケージ及び表示素子 | |
JP4399202B2 (ja) | フラットパネル表示装置の製造方法 | |
JP2004022511A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 |