JP2003197849A

JP2003197849A - 部品内蔵モジュールとその製造方法

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Publication number: JP2003197849A
Application number: JP2002301043A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Asahi; 俊行朝日; Yasuhiro Sugaya; 康博菅谷; Shingo Komatsu; 慎五小松; Yoshiyuki Yamamoto; 義之山本; Seiichi Nakatani; 誠一中谷
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-10-18
Filing date: 2002-10-15
Publication date: 2003-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】部品を配線基板に一体化して電気絶縁層に埋め
込むことにより、内蔵前に実装検査や特性検査ができ、
歩留まりを向上し、全体の強度を高くする。【解決手段】電気絶縁層(101)と、電気絶縁層(101)の両
表面に一体化された配線(102,106)と、配線(102,106)間
を接続するビア(103)を含み、前記電気絶縁層(101)の内
部に、電子部品及び半導体から選ばれる少なくとも一つ
の部品(104)が埋め込まれた部品内蔵モジュールであ
る。前記配線(102,106)の少なくとも一方の側は配線基
板(109)の表面に形成された配線(106)で構成し、前記電
気絶縁層(101)の内部に埋め込まれた部品(104)は、埋め
込まれる前に配線基板(109)上に搭載され一体化されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路部品が電気絶
縁層の内部に配置される回路部品内蔵モジュール及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の高性能化・小型化の流
れの中、回路部品の高密度、高機能化が一層求められて
いる。回路部品を搭載したモジュールにおいても、高密
度、高機能化への対応が要求されている。回路部品を高
密度に実装する方法として、現在、配線板が多層化する
傾向にある。従来のガラスクロス−エポキシ樹脂含浸基
板では、ドリルによる貫通スルーホール構造を用いて多
層化しており、信頼性は高いが、高密度実装には適して
いない。このため、最も回路の高密度化が図れる方法と
して、インナービアによる接続を用いた多層配線板も使
用されている。インナービア接続により、ＬＳＩ間や部
品間の配線パターンを最短距離で接続でき、必要な各層
間のみの接続が可能となり、回路部品の実装性にも優れ
ている。また、配線パターンの微細化も高密度実装に不
可欠な技術であり、ラインアンドスペースが年々小さ
くなってきている。加えて、受動部品を基板内部に形成
した３次元実装が開発されている。

【０００３】しかし、受動部品を基板内部に形成するた
めには、材料開発、形成精度、設備投資など課題が多
く、開発スピードも遅くなってしまう。

【０００４】また、本出願人はすでに受動部品を基板内
部に内蔵することを提案している（特許文献１）。

【０００５】

【特許文献１】特開平１１−２２０２６２号公報

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記特許文献
１の実施例によれば、部品を基板内部に埋め込んだ後に
配線を形成するので、内蔵前に半導体などの部品を実装
検査したり特性検査を行えないという問題があった。ま
た、配線基板を一体化して埋め込まないので、強度があ
まり高くないという問題もあった。

【０００７】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、内蔵前に半導体などの部品を実装検査したり特性検
査ができ、歩留まりを向上でき、強度を高くでき、生産
性が高く、高密度実装可能な部品内蔵モジュールを提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の部品内臓モジュールは、電気絶縁層と、前
記電気絶縁層の両表面に一体化された配線と、前記配線
間を接続するビアを含み、前記電気絶縁層の内部に、電
子部品及び半導体から選ばれる少なくとも一つの部品が
埋め込まれた部品内蔵モジュールであって、前記配線の
少なくとも一方は、配線基板の表面に形成された配線で
あり、前記電気絶縁層の内部に埋め込まれた部品は、埋
め込まれる前に前記配線基板上に搭載され一体化されて
いることを特徴とする。

【０００９】また、本発明の部品内蔵モジュールの製造
方法は、電気絶縁層と、前記電気絶縁層の両表面に一体
化された配線と、前記配線間を接続するビアを含み、前
記電気絶縁層の内部に、電子部品及び半導体から選ばれ
る少なくとも一つの部品が埋め込まれた部品内蔵モジュ
ールの製造方法であって、前記配線の少なくとも一方
は、配線基板の表面に形成された配線で構成し、前記配
線基板に半導体及び電子部品から選ばれる少なくとも一
つの部品を実装し、半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる
電気絶縁層の厚さ方向にビアを形成し、前記配線基板を
外側にして前記部品を前記電気絶縁層に埋め込み、前記
電気絶縁層を硬化することを含むことを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、電気絶縁層と、前記電
気絶縁層の両主平面の配線パターン及び配線基板から選
ばれる少なくとも一つの配線と、前記配線間を接続する
ビアを含み、前記電気絶縁層の内部に、電子部品及び半
導体から選ばれる少なくとも一つの部品が埋め込まれた
部品内蔵モジュールである。前記配線の少なくとも一つ
は配線基板であり、前記電気絶縁層の内部に埋め込まれ
た部品は、埋め込まれる前に前記配線基板上に搭載され
一体化されている。これにより、内蔵前に半導体などの
部品を実装検査したり特性検査ができる。その結果、歩
留まりを向上できる。また、配線基板を一体化して埋め
込むので、強度を高くできる。また、生産性が高く、高
密度実装可能な部品内蔵モジュールを提供できる。前記
において、部品を埋め込むとは、前記電気絶縁層の内部
に完全に埋没させることをいう。

【００１１】本発明においては、前記配線板が両面基板
又は多層配線板であることが好ましい。これにより、複
雑な回路形成が容易となる。

【００１２】また本発明においては、前記電気絶縁層内
部の電子部品及び／又は半導体（以下総称して「部品」
ともいう。）を、前記電気絶縁層の両主平面の配線パタ
ーン及び／又は配線板に実装したことが好ましい。両主
平面に部品を実装し、電気絶縁層に内蔵することによ
り、部品内蔵層がより高密度なモジュールを提供でき
る。

【００１３】また本発明においては、前記部品を前記電
気絶縁層の主平面に対する法線方向において、ずらして
配置したことが好ましい。これにより、実装機の部品実
装間隔より、高密度に部品を配置できる。また、電気絶
縁層の厚みを低減でき、高密度化につながる。

【００１４】また、前記電気絶縁層内部に配置し、前記
電気絶縁層の両主平面の配線パターン及び／又は配線板
に実装した部品間にシールド層を挿入したことが好まし
い。これにより、内蔵した部品間の干渉、内蔵した部品
に対する外部からの干渉、内蔵した部品から外部への放
射のいずれか又は全部を低減でき、モジュールの特性を
向上させることができる。

【００１５】また、前記シールド層が、金属箔配線パタ
ーンであるか、電磁シールド材であることが好ましい。
金属箔配線パターンを用いた場合、配線パターンの形成
と同様の工程でシールド層を形成でき生産が容易であ
る。電磁シールド材を用いた場合、電気絶縁層の材質を
変更するだけで作成でき、工程上の変更もなく干渉を低
減することができる。

【００１６】また、前記配線パターン及び／又は配線板
の前記電気絶縁層と反対側の主平面に、部品を実装した
ことが好ましい。これにより、電気絶縁層だけではな
く、反対側の主平面にも部品を実装でき、高密度化が図
れる。

【００１７】また、前記電子部品がディスクリート部品
であることが好ましい。これにより、内蔵する部品を新
規に開発する必要が無く、モジュール自体の開発スピー
ドが向上する。また、既存のディスクリート部品の信頼
性、精度を利用することができ、モジュールの特性が向
上する。前記においてディスクリート部品とは、例えば
インダクタンス、キャパシタンス、抵抗等の汎用のチッ
プ部品をいう。以下において、インダクタンス、キャパ
シタンス及び抵抗を総称して「ＬＣＲ」ともいう。

【００１８】また、前記半導体が半導体ベアチップであ
ることが好ましい。これにより、半導体パッケージと比
較して、より低面積でモジュールを作成でき、高密度な
モジュールを提供できる。

【００１９】また、前記半導体ベアチップが前記配線パ
ターン及び／又は配線板にフリップチップボンディング
接続されていることが好ましい。これにより、短配線
化、高密度実装化が図れる。

【００２０】また、前記半導体ベアチップが研削及び／
又は研磨されていることが好ましい。これにより、半導
体の厚みを低減でき、モジュールの低背化に効果があ
る。

【００２１】前記製造方法においては、前記電気絶縁層
を硬化する工程後、部品を配線パターン及び／又は配線
板に実装する工程を含むことが好ましい。これにより、
本発明の部品内蔵モジュールを効率よく製造することが
できる。

【００２２】また、前記半導体を実装前に半導体ウエハ
で研削及び／又は研磨を行うことが好ましい。これによ
り、半導体の薄型化をウエハで一括に行うことができ、
生産性が向上できる。

【００２３】また、前記半導体を実装後に配線板を固定
及び搬送に用いて研削及び／又は研磨を行うことが好ま
しい。これにより、薄型化した半導体を取り扱うことな
く、本発明の部品内蔵モジュールを製造することができ
る。

【００２４】また、前記部品を電気絶縁層に埋設する工
程と、前記電気絶縁層を硬化する工程を同時に行うこと
が好ましい。これにより、工程数を低減して、本発明の
部品内蔵モジュールを製造することができる。

【００２５】また、前記シールド層を形成する工程を、
銅箔配線パターンを形成することによって行うことが好
ましい。これにより、本発明の部品内蔵モジュールを効
率よく製造することができる。

【００２６】また、前記シールド層を形成する工程を、
電磁シールド層を積層することによって行うことが好ま
しい。これにより、本発明の部品内蔵モジュールを効率
よく製造することができる。

【００２７】また本発明においては、前記電気絶縁層内
部に部品を対向して配置させてもよい。とくに、高さの
高い部品と低い部品が混在する場合、高さの低い部品を
対向して配置させると、高密度に充填できる。

【００２８】また、前記電気絶縁層の厚み方向の熱膨張
係数が、ビアの熱膨張係数の１０倍以下としても良い。
このようにすると、部品内蔵モジュールの外側にさらに
部品を搭載する場合、例えばはんだリフロー工程を通過
させても、電気絶縁層の厚み方向の膨脹率があまり大き
くならないので、ビアの導通が破壊されることがない。

【００２９】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態について図面を参照して説明する。図１は本実施の形
態における部品内蔵モジュールの断面図である。図１に
おいて、部品内蔵モジュールは、電気絶縁層１０１と、
配線パターン１０２と、ビア１０３と、部品１０４と、
はんだ１０５とを有し、さらに配線パターン１０６，１
０８とインナービア１０７を有する両面基板１０９とを
含んでいる。

【００３０】電気絶縁層１０１は、例えば、絶縁性樹脂
及びフィラと絶縁性樹脂の混合物等を用いることができ
る。電気絶縁層は、樹脂とフィラーを含み、フィラー含
量が５０質量％以上９５質量％以下であることが好まし
い。また、ガラスクロス等の補強材があってもよい。絶
縁性樹脂としては、熱硬化性樹脂や、熱可塑樹脂、光硬
化性樹脂等を用いることができ、耐熱性の高いエポキシ
樹脂やフェノール樹脂、イソシアネート樹脂を用いるこ
とにより、電気絶縁層１０１の耐熱性をあげることがで
きる。また、誘電正接の低いフッ素樹脂例えばポリテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ樹脂）、ＰＰＯ（ポリフ
ェニレンオキサイド）樹脂（ＰＰＥ（ポリフェニレンエ
ーテル）樹脂ともいう）、液晶ポリマーを含むもしくは
それらの樹脂を変性させた樹脂を用いることにより、電
気絶縁層の高周波特性が向上する。電気絶縁層１０１と
して、フィラと絶縁性樹脂の混合物を用いた場合、フィ
ラ及び絶縁性樹脂を選択することによって、電気絶縁層
１０１の線膨張係数、熱伝導度、誘電率などを容易に制
御することができる。たとえば、フィラとしてアルミ
ナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化珪素、
ポリテトラフルオロエチレン及び、シリカなどを用いる
ことができる。アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミを用
いることにより、従来のガラス−エポキシ基板より熱伝
導度の高い基板が製作可能となり、内蔵された電子部品
１０４の発熱を効果的に放熱させることができる。ま
た、アルミナはコストが安いという利点もある。シリカ
を用いた場合、誘電率が低い電気絶縁層１０１が得ら
れ、比重も軽いため、携帯電話などの高周波用途として
好ましい。窒化珪素やポリテトラフルオロエチレン、例
えば”テフロン”（デュポン社登録商標）を用いても誘
電率の低い電気絶縁層を形成できる。また、窒化ホウ素
を用いることにより線膨張係数を低減できる。さらに分
散剤、着色剤、カップリング剤又は離型剤を含んでいて
もよい。分散剤によって、絶縁性樹脂中のフィラを均一
性よく分散させることができる。着色剤によって、電気
絶縁層を着色することができるため、自動認識装置の利
用が容易となる。カップリング剤によって、絶縁性樹脂
とフィラとの接着強度を高くすることができるため、電
気絶縁層１０１の絶縁性を向上できる。離型剤によっ
て、金型と混合物との離型性を向上できるため、生産性
を向上できる。

【００３１】配線パターン１０２は、電気伝導性を有す
る物質からなり、例えば金属箔や導電性樹脂組成物、金
属板を加工したリードフレームを用いることができる。
金属箔やリードフレームを用いることにより、エッチン
グ等により微細な配線パターンの作成が容易となる。ま
た、金属箔においては、離型フィルムを用いた転写等に
よる配線パターンの形成も可能となる。特に銅箔はコス
トも安く、電気伝導性も高いため好ましい。また、離型
フィルム上に配線パターンを形成することにより、配線
パターンが取り扱いやすくなる。また、導電性樹脂組成
物を用いることにより、スクリーン印刷等による、配線
パターンの製作が可能となる。リードフレームを用いる
ことにより、電気抵抗の低い、厚みのある金属を使用で
きる。また、エッチングによる微細パターン化や打ち抜
き加工等の簡易な製造法が使える。また、これらの配線
パターン１０２は表面にメッキ処理をする事により、耐
食性や電気伝導性を向上させることができる。また、配
線パターン１０２の電気絶縁層１０１との接触面を粗化
することで、電気絶縁層１０１との接着性を向上させる
ことができる。また、カプラーやフィルター等を配線パ
ターンで形成することも可能である。配線パターン１０
２は、表層側にも半導体及び／又は電子部品を実装して
もよい。

【００３２】ビア１０３は、配線パターン１０２間を接
続する機能を有し、たとえば、熱硬化性の導電性物質か
らなる。熱硬化性の導電性物質としては、たとえば、金
属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を
用いることができる。金属粒子としては、金、銀、銅又
はニッケルなどを用いることができる。金、銀、銅又は
ニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高
くマイグレーションも少ないため特に好ましい。銅を銀
で被覆した金属粒子を用いても、マイグレーションの少
なさと導電性の高さ、両方の特性を満たすことができ
る。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂又はイソシアネート樹脂を用いることが
できる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好まし
い。また、ビア１０４は、ビアホール形成後、メッキす
ることによっても形成できる。また、金属と半田の組み
合わせ等で形成してもよい。

【００３３】電子部品１０４は、例えば、コンデンサ、
インダクタ、抵抗（ＬＣＲ）等のチップ部品や、ダイオ
ード、サーミスタ、スイッチ等を用いることができる。
ディスクリート部品を内蔵することで、新たに内蔵部品
を開発する必要がなくなる。また、精度や温度特性など
用途に応じた部品を既存の部品を使用でき、信頼性の向
上につながる。また、印刷抵抗や薄膜コンデンサ・イン
ダクタ等を形成しても良い。

【００３４】半田１０５は、配線パターン１０２に電子
部品１０４を実装するために用いる。高温半田を用いた
場合、モジュールをリフローで実装する際の半田の再溶
融を防止できる。また、鉛フリー半田を用いることで環
境への負荷を軽減できる。本実施の形態では半田を用い
たが、導電性接着剤等を用いてもよい。

【００３５】両面基板１０９としては、ガラス織物にエ
ポキシ樹脂を含浸させた基板（ガラス−エポキシ基
板）、アラミド繊維不織布にエポキシ樹脂を含浸させた
基板（アラミド−エポキシ基板）、紙にフェノール樹脂
を含浸させた基板（紙−フェノール基板）、セラミック
ス基板など任意の基板から目的に応じて選択し使用でき
る。

【００３６】例えばガラス−エポキシ基板を用いた両面
基板の上に部品を搭載し、検査し、その後、電気的絶縁
層に埋め込んだ部品内蔵モジュール（実施の形態１）
と、基板を用いずに部品を単体で電気的絶縁層に埋め込
み、その後に表面に配線パターンを形成したモジュール
との強度を比較すると、基板の種類、コンポジットのセ
ラミックの種類、量、厚み等によっても異なるが、平均
的には、実施の形態１のほうが曲げ強度は約１．３倍程
度高くなる。

【００３７】（実施の形態２）この実施形態２では、図
１に示した部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態
を説明する。実施形態２で用いられる材料は、実施形態
１で説明したものである。図２Ａ−図２Ｄは部品内蔵モ
ジュールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。
図２Ａに示すように、未硬化の電気絶縁層２０１にスル
ーホール２０７を形成する。電気絶縁層２０１として
は、絶縁性樹脂やフィラと絶縁性樹脂との混合物等を用
いることができる。最初にフィラと絶縁性樹脂を混合
し、攪拌することによって、ペースト状の絶縁性樹脂混
合物を作製する。絶縁性樹脂混合物には粘度を調整する
ために溶剤を添加しても良い。この絶縁性樹脂混合物を
シート形状に成形することによって電気絶縁層２０１を
形成できる。シート形状に成形する方法としては、例え
ば、ドクターブレード法等を用いることによって、フィ
ルム上に作成することができる。電気絶縁層２０１は、
硬化温度以下で乾燥させることによって、粘着性を低下
させることができる。この熱処理によって、板状の電気
絶縁層の粘着性が失われるため、フィルムとの剥離が容
易になる。半硬化状態（Ｂステージ）にすることによ
り、取り扱いが容易となる。スルーホール２０７の形成
は、たとえば、レーザー加工やドリル加工、パンチング
加工によって作製することができる。レーザー加工は微
細なピッチでビアを形成することができ、削りくずも発
生しないため望ましい。レーザー加工の場合、炭酸ガス
レーザーやＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用い
ることができる。また、ドリル加工、パンチング加工の
場合、汎用性のある既存の設備でのスルーホール形成が
容易である。未硬化状態の電気絶縁層２０１を用いるこ
とで加工がしやすくなる。

【００３８】別にキャリア２０６上に配線パターン２０
２を形成したものを準備する。配線パターン２０２は、
エッチング、印刷といった方法を用いて形成することが
できる。特にエッチングでは、フォトリソ工法など微細
な配線パターンの形成法を利用できる。キャリアとして
は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＰＳ
（ポリフェニレンサルファイト）の様な樹脂フィルムの
他、銅箔、アルミ箔の様な金属箔等を用いることができ
る。キャリア２０６を用いることにより、配線パターン
２０２の取り扱いが容易となる。また、配線パターン２
０２とキャリア２０６の間に配線パターン２０２をはが
しやすくするために剥離層があってもよい。

【００３９】配線パターン２０８，２１０とその間を接
続するインナービア２０９を有する両面配線基板２１１
上の配線パターン２０８に部品２０４を半田２０５によ
る実装し、その後、実装検査および特性検査から選ばれ
る少なくとも一つの検査を完了しておく。配線パターン
２１０の下側には保護フィルム２１２を被覆しておいて
も良い。

【００４０】次に、図２Ａで作成したスルーホール２０
７に導電性ビアペーストを充填する。導電性ビアペース
トは導電性粉末と樹脂の混合物、たとえば金、銀、銅、
ニッケル等の金属粉やカ−ボン粉と熱硬化性樹脂や光硬
化性樹脂の混合物を用いることができる。銅を用いた場
合は導電性が高く、マイグレショーンも少ないため望ま
しい。また、粉末を銅でコートした導電性粉末を用いて
もよい。樹脂としては、熱硬化性樹脂、例えば、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル等を用いることができる。エポキシ樹
脂は耐熱性が高く特に望ましい。また、光硬化性の樹脂
も用いることができる。ビアペーストの充填には、印刷
や注入による方法を用いることができる。特に印刷の場
合、配線パターンの形成も行うことができる。ビア２０
３を形成することで、配線パターン２０２と２０８間の
接続が可能となる。また、電気絶縁層２０１に内蔵する
電子部品２０４のスペースを形成しておいてもよい。ス
ペースを形成することによってビア２０３が変形するこ
とを抑制できる。

【００４１】配線パターン２０８，２１０とその間を接
続するインナービア２０９を有する両面配線基板２１１
上の配線パターン２０８に電子部品２０４を実装する方
法としては、半田２０５による半田実装（クリーム半田
の印刷や半田ボール）の他、導電性接着剤、たとえば、
金、銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で
混練したものも使用できる。また、実装した電子部品２
０４と両面配線基板２１１の間に、封止樹脂を注入して
もよい。封止樹脂の注入によって、後の工程で電子部品
２０４を電気絶縁層２０１に埋設する際に、隙間ができ
ることを防止することができる。封止樹脂には通常のフ
リップチップボンディングに使用されるアンダーフィル
樹脂を用いることができる。実装後、実装状態をチェッ
クすることで、リペアや不良の原因解析を行うことがで
きるようになる。

【００４２】導電性ビアペーストが充填されたビア２０
３を有する電気絶縁層２０１を中央に配置し、上側にキ
ャリヤーフィルム２０６上に形成した配線パターン２０
２を配置し、下側には電子部品２０４を実装した両面基
板２１１を配置し、これらを図２Ｂのように位置あわせ
して積層する。

【００４３】図２Ｂの積層後、図２Ｃに示すように、加
圧することによって、電子部品２０４を電気絶縁層２０
１に埋設する事ができる。絶縁性樹脂に熱硬化樹脂を用
いた場合、加圧後、加熱することによって、電気絶縁層
２０１中の熱硬化性樹脂を硬化させ、電子部品２０４が
埋設された板状の電気絶縁層２０１が形成できる。加熱
は、熱硬化性樹が硬化する温度以上の温度で行う。この
工程によって、電気絶縁層２０１と電子部品２０４とが
機械的に強固に接着する。なお、加熱によって熱硬化性
樹脂を硬化させる際に、加熱しながら１００g/mm²〜２k
g/mm²の圧力で加圧することによって、半導体装置の機
械的強度を向上させることができる。また、シート形状
の電気絶縁層を用いずに、粉末やペレット状に加工した
後に、金型に溶融して流すこともできる。また、粉末の
まま流し込んだ後に、溶融成形することもできる。絶縁
性樹脂層を注入する方法としては、トランスファーモー
ルドや射出成形を用いることができる。

【００４４】電気絶縁層２０１の硬化後、キャリア２０
６を剥離し、電子部品２０４を内蔵した電気絶縁層２０
１となり、実施形態１で説明したように、両面基板２１
１を一体化した半導体装置が形成できる。

【００４５】（実施の形態３）実施形態３では、部品内
蔵モジュールの一実施の形態を説明する。以下、本発明
の実施の形態について図３を参照して説明する。本実施
の形態における部品内蔵モジュールに関しては、半導体
３０６、バンプ３０７、３層配線板３０８に関する点以
外は、上述した実施形態１と同様である。したがって、
実施の形態３で用いられる材料は、特に説明のない限り
実施形態１、２と同様である。図３において、部品内蔵
モジュールは、電気絶縁層３０１と、配線パターン３０
２と、ビア３０３と、電子部品３０４、導電性接着剤３
０５、半導体３０６、バンプ３０７、配線板３０８を有
している。

【００４６】半導体３０６は電子部品３０４と同様に配
線板３０８に実装されている。半導体３０６を電気絶縁
層３０１に内蔵することで、モジュールの高機能化が図
れる。半導体３０６は、たとえば、トランジスタ、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。半導体３０
６は、パッケージでも、半導体ベアチップでもよい。ま
た、半導体３０６は封止樹脂を用いて、半導体３０６も
しくは、半導体３０６とバンプ３０７、配線板３０８の
接続部の少なくとも一部を封止しても良い。封止樹脂の
注入によって、半導体３０６を電気絶縁層３０１に埋設
する際に、半導体３０３と配線板３０８との間に隙間が
できることを防止することができる。封止樹脂には通常
のフリップチップボンディングに使用されるアンダーフ
ィル樹脂を用いることができる。配線板３０８と半導体
３０６との接続には、たとえばフリップチップボンディ
ングとして、導電性接着剤、異方性導電フィルム（ＡＣ
Ｆ）、非導電性フィルム（ＮＣＦ）とバンプが用いられ
る。また、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）を用いる
ことで、実装が容易となる。

【００４７】バンプ３０７は半導体３０６と配線板３０
８とを接続する。たとえば、金や銅、半田等の金属を用
いることができる。バンプ３０７はワイヤーボンディン
グや、メッキ、印刷等により形成できる。

【００４８】配線板３０８は、一般的な配線板であるガ
ラスエポキシ基板やセラミック基板からなる、両面基
板、ビルドアップ基板やインナービア接続の多層板等
で、電気絶縁層と配線パターン及びビアから構成されて
いる。電気絶縁層は、絶縁性樹脂やフィラと絶縁性樹脂
との混合物、セラミックの他、ガラスクロス等の補強剤
が入っていてもよい。また、実施の形態１、２と同じ材
料であってもよい。配線パターンやビアに関しても同様
である。電気絶縁層３０１と同じ材料を用いることで熱
膨張率等が同じ値になり、信頼性が向上する。また、電
気絶縁層に埋め込む前に、配線板３０８と半導体３０６
および電子部品３０４の実装状態をチェックしておく。
これにより、製品の歩留まりが高くなり、かつリペアや
不良の原因解析を行うことができる。電子部品３０４と
半導体３０６を両方実装後にチェックした場合、半導体
３０６の動作を確認でき有効である。配線板３０８によ
って、複雑な回路への適応や、半導体の再配線等が容易
になり、複雑な機能のモジュールに適した構造となる。

【００４９】なお、本実施の形態においては、配線板の
配線パターンを３層としたが、層数を限定するものでは
なく、任意の層数を用いることができる。

【００５０】例えばガラス−エポキシ基板を用いた３層
基板の上に部品を搭載し、検査し、その後、電気的絶縁
層に埋め込んだ部品内蔵モジュール（実施の形態３）
と、基板を用いずに部品を単体で電気的絶縁層に埋め込
み、その後に表面に配線パターンを形成したモジュール
との強度を比較すると、基板の種類、コンポジットのセ
ラミックの種類、量、厚み等によっても異なるが、平均
的には、実施の形態３のほうが曲げ強度は約１．３倍以
上高くなる。

【００５１】（実施の形態４）実施形態４では、部品内
蔵モジュールの一実施形態を説明する。以下、本発明の
実施の形態について図４を参照して説明する。本実施の
形態における部品内蔵モジュールに関しては、両面に３
層配線板４０８を用い、電子部品３０４と半導体３０６
を対向して配置した以外は、上述した実施形態１〜３と
同様である。したがって、本実施の形態において、特に
説明のない物については、実施の形態１〜３と同様と
し、同じ呼称の構成部材及び製造法については特に説明
のない限り同様の機能を持つ。

【００５２】配線板４０８は、実施の形態３と異なり、
上下両方に配置することで、複雑な回路への適応や、半
導体の再配線等が容易になり、複雑な機能のモジュール
に適した構造となる。また、通常のモジュール作成にお
ける配線板に半導体及び電子部品を実装する工程後に半
導体及び電子部品を内蔵する工程を付加するだけで、高
密度な部品内蔵モジュールを形成できる。

【００５３】（実施の形態５）実施形態５では、部品内
蔵モジュールの一実施形態を説明する。以下、本発明の
実施の形態について図５を参照して説明する。本実施の
形態における部品内蔵モジュールに関しては、表層に実
装した電子部品５１０、半導体５０６と、部品内蔵層に
関する点以外は、上述した実施形態１〜４と同様であ
る。したがって、本実施の形態において、特に説明のな
い物については、実施の形態１〜４と同じとし、同じ呼
称の構成部材及び製造法については特に説明のない限り
同様の機能を持つ。

【００５４】電気絶縁層５０１内の電子部品５０４は、
実施の形態４と同様に通常のモジュール作成における実
装工程で実装されるが、電子部品５０４を実装するマウ
ンタの性能上、どうしても、電子部品と電子部品の間
に、間隔を設ける必要がある。本実施の形態において
は、対向する配線板５０８に部品の実装間隔を考慮し
て、電子部品５０４の位置をずらして配置している。こ
れにより、同一面積に実装できる部品点数が増大すると
共に、内蔵層の厚みを薄くでき、より高密度実装に適し
た構造にすることができる。５０９はＮＣＦである。

【００５５】表層実装された、電子部品５１０、半導体
５０６は、通常のモジュール作成と同じ工程で実装で
き、実装面を増やすことで、より高密度に実装でき、多
機能なモジュールに適した構造となる。

【００５６】（実施の形態６）実施形態６では、部品内
蔵モジュールの一実施形態を説明する。以下、本発明の
実施の形態について図６を参照して説明する。本実施の
形態における部品内蔵モジュールに関しては、表層実装
の電子部品６１０，６１２、及び半導体６１１，６１３
と、部品内蔵層に関する点以外は、上述した実施形態１
〜５と同様である。したがって、本実施の形態におい
て、特に説明のない物については、実施の形態１〜５と
同じとし、同じ呼称の構成部材及び製造法については特
に説明のない限り同様の機能を持つ。

【００５７】電気絶縁層６０１内の電子部品６０４、半
導体６０６は、実施の形態４、５と同様に通常のモジュ
ール作成における実装工程で実装されるが、半導体６０
６には、フリップチップ実装を行う際に、再配線を行う
ためのスペースが必要なため、どうしても、近接には電
子部品を配置しにくい。本実施の形態においては、対向
する配線板６０８に電子部品６０４を実装することで、
半導体６０６の近接に配置することを可能にしている。
これにより、同一面積に実装できる部品点数を増やすこ
とができ、より高密度実装に適した構造にすることがで
きる。６０９は封止樹脂である。

【００５８】表層実装された、電子部品６１０、半導体
６０６は、通常のモジュール作成と同じ工程で実装でき
る。両表層面に実装することで、より高密度に実装で
き、多機能なモジュールに適した構造となる。

【００５９】（実施の形態７）この実施形態７では、図
６に示した部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態
を説明する。以下、本発明の実施の形態について図７Ａ
−Ｃを参照して説明する。実施形態７で用いられる材料
は、特に説明のない物については、上述の実施の形態と
同じとし、同じ呼称の構成部材及び製造法については特
に説明のない限り同様の機能を持つ。図７Ａ−図７Ｃは
部品内蔵モジュールの製造工程の一実施形態を示す断面
図である。図７Ａに示すように、半導体７０６、電子部
品７０４を実装した配線板７０８、ビア７０３及び、空
隙７１０を形成した電気絶縁層７０１を位置あわせして
積層する。配線板７０８は実装後、実装チェックし、リ
ペアをしてもよい。電気絶縁層７０１に形成する空隙７
１０は内蔵する半導体７０６、電子部品７０４の体積と
同じかそれ以下にすることによって、内蔵時に隙間がで
きることを防止できる。

【００６０】次に図７Ｂに示すように、積層後、加圧す
ることによって、半導体７０６、電子部品７０４を電気
絶縁層７０１に埋設する事ができる。埋設後、加熱し、
電気絶縁層７０１を硬化させる。また、配線パターン７
０２間をビア７０３で接続する。

【００６１】電気絶縁層７０１を硬化後、図７Ｃに示す
ように、表層に半導体７１１，７１３及び電子部品７１
４，７１２を実装することによって、部品内蔵モジュー
ルを提供できる。

【００６２】（実施の形態８）実施形態８では、部品内
蔵モジュールの一実施形態を説明する。以下、本発明の
実施の形態について図８を参照して説明する。本実施の
形態における部品内蔵モジュールに関しては、部品内蔵
層に関する点以外は、上述した実施形態１〜７と同様で
ある。したがって、本実施の形態において、特に説明の
ない物については、実施の形態１〜７と同じとし、同じ
呼称の構成部材及び製造法については特に説明のない限
り同様の機能を持つ。

【００６３】電気絶縁層８０１内の電子部品８０４と半
導体８０６は、通常のモジュール作成における実装工程
で実装されるが、配線板８０８に両面実装することによ
り、部品内蔵層を増やすことが容易となる。すなわち、
３層配線板８０８の上側には配線パターン８０２を介し
て電子部品８１０、半導体８１１を接続し、３層配線板
８０８の下側にも電子部品を埋め込んだ電気絶縁層を接
続し、その表面に電子部品８１２を接続した。

【００６４】これにより、同一面積に実装できる部品点
数を増やすことができ、より高密度実装に適した構造に
することができる。

【００６５】（実施の形態９）実施形態９では、部品内
蔵モジュールの一実施形態を説明する。以下、本発明の
実施の形態について図９を参照して説明する。本実施の
形態における部品内蔵モジュールに関しては、半導体の
薄形化に関する点以外は、上述した実施形態１〜８と同
様である。したがって、本実施の形態において、特に説
明のない物については、実施の形態１〜８と同じとし、
同じ呼称の構成部材及び製造法については特に説明のな
い限り同様の機能を持つ。

【００６６】半導体９０６を薄形化することによって、
部品内蔵モジュールの厚みを低減できる。薄形化は半導
体ウエハを研磨後、実装する方法や、半導体９０６を配
線板９０８に実装後、研削／研磨する方法を用いること
ができる。前者の場合、半導体９０６をウエハ単位で加
工できるため生産性に利点がある。後者の場合、薄形化
した半導体９０６を取り扱う必要がなくなるため作業性
が向上する。なお、半導体９０６は表層実装だけではな
く、内部にあってもよい。

【００６７】（実施の形態１０）この実施形態１０で
は、部品内蔵モジュールの一実施形態を説明する。以
下、本発明の実施の形態について図１０を参照して説明
する。本実施の形態における部品内蔵モジュールに関し
ては、シールド電極を形成する点以外は、上述した実施
形態１〜９と同様である。したがって、本実施の形態に
おいて、特に説明のない物については、実施の形態１〜
９と同じとし、同じ呼称の構成部材及び製造法について
は特に説明のない限り同様の機能を持つ。１００９はＡ
ＣＦである。

【００６８】シールド電極１０１０は、配線パターン１
００２と同様の材料・工程で形成することができる。シ
ールド電極１０１０を形成することによって、内蔵した
半導体１００６や電子部品１００４間の電磁波の干渉を
低減させることができる。シールド電極１０１０をグラ
ンド電位にすることにより、モジュールの安定化が図れ
る。なお、シールド電極は１層に限定するものではな
い。

【００６９】（実施の形態１１）この実施形態１１で
は、部品内蔵モジュールの一実施形態を説明する。以
下、本発明の実施の形態について図１１を参照して説明
する。本実施の形態における部品内蔵モジュールに関し
ては、電磁シールド層１１１０を形成する点以外は、上
述した実施形態１〜１０と同様である。したがって、本
実施の形態において、特に説明のない物については、実
施の形態１〜１０と同じとし、同じ呼称の構成部材及び
製造法については特に説明のない限り同様の機能を持
つ。

【００７０】電磁シールド層１１１０は、電気絶縁層１
１０１のフィラを変更するだけで内蔵した半導体１１０
６や電子部品１１０４間の電磁波の干渉を低減させるこ
とができる。フィラとしては、透磁率の複素成分が高
く、電波を吸収（熱に変換）する材料を用いることがで
きる。例えば、フェライトの粉末などを用いることがで
きる。電気絶縁層１１０１と同じ工程で、シールド機能
を追加できる。なお、電磁シールド層は１層に限定する
物ではない。

【００７１】（実施の形態１２）この実施形態１２で
は、部品内蔵モジュールの一実施形態を説明する。以
下、本発明の実施の形態について図１２を参照して説明
する。本実施の形態における部品内蔵モジュールに関し
ては、電気絶縁層１２０１内の電子部品１２０４ａ、１
２０４ｂに関する点以外は、上述した実施形態１〜１１
と同様である。したがって、本実施の形態において、特
に説明のない物については、実施の形態１〜１１と同じ
とし、同じ呼称の構成部材及び製造法については特に説
明のない限り同様の機能を持つ。

【００７２】電気絶縁層１２０１内の、電子部品１２０
４ａ、１２０４ｂは、実施の形態４と同様に通常のモジ
ュール作成における実装工程で実装されるが、例えば、
コンデンサの容量等により、電子部品のサイズが均一で
ないことが多い。本実施の形態においては、電子部品１
２０４ａ，１２０４ｂの高さの違いを有効に利用して、
実装密度を向上している。図１２の様に高さの低い電子
部品１２０４ａの部品を対向して実装し、通常では無駄
になる電子部品１２０４ａの上部スペースを有効に利用
し、より高密度実装に適した構造にすることができる。

【００７３】表層実装された、電子部品１２０４、半導
体１２０６は、通常のモジュール作成と同じ工程で実装
でき、実装面を増やすことで、より高密度に実装でき、
多機能なモジュールに適した構造となる。

【００７４】

【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。

【００７５】（実施例１）本実施例においては、電気絶
縁層を以下の工程で作製した。熱硬化性の液状エポキシ
樹脂と、ＳｉＯ₂をフィラとし、フィラを質量比７０％
の割合で秤量し、攪拌混合機によって、混合ペーストを
作製した。作製した混合ペーストをポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）の離型フィルム（厚み：７５μｍ）
上にドクターブレード法によって、７００μｍ厚のシー
ト形状に加工した。シート状に加工した後、１０５℃の
乾燥工程を経て未硬化状態の電気絶縁層とした。液状エ
ポキシ樹脂とフィラの質量比は、シートの形状を保持で
きる９６％（フィラの質量比）以下で選択できる。シー
トの厚みは、乾燥工程が行いやすい２００μｍ以下が望
ましいが、内蔵する部品の高さに応じて、厚いシートを
形成するか、シート形成後、積層することによって所望
の厚さを得ることができる。

【００７６】次いで、インナービアに対応する位置に、
炭酸ガスレーザーを用いてスルーホール（直径φ１５０
μｍ）を形成した。スルーホール形成後、銅紛（粒子
径：７μｍ未満）と熱硬化性エポキシ樹脂の混合物であ
るビアペーストを印刷充填した。印刷充填時にはスキー
ジを用い、ＰＥＴフィルムをマスクとした。スルーホー
ル径は、小さいほうが高密度実装に適しており、６００
μｍ以下のサイズを実用的に用いることができる。

【００７７】上記工程と平行して、ＰＥＴキャリアフィ
ルム（厚み：７５μｍ）に接着剤により貼り付けた１５
μｍ厚の銅箔（片面粗化）に、フォトレジストフィルム
をラミネータにより貼り付け、紫外線露光、現像、塩化
第２鉄を用いたエッチングにより、配線パターンを形成
した。配線設計ルールとして、最小Ｌ/Ｓ（ライン／ス
ペース）を１００／１００（μｍ）とした。Ｌ／Ｓも小
さいほうが高密度実装に適しており、半導体ベアチップ
を実装する場合２００／２００μｍ以下が妥当である。

【００７８】配線パターンに電子部品及び／又は半導体
を実装した。電子部品の実装には、導電性接着剤を用い
た。導電性接着剤をスクリーン版（メッシュ：＃４００
／インチ）で配線パターン上に塗布し、１００５サイズ
の電子部品を配置後、乾燥機（温度：１５０℃）で硬化
した。電子部品としては、構成するモジュールに応じ
て、ＬＣＲ等のチップ部品と、サーミスタやダイオード
を用いた。内蔵する電子部品のサイズも小さいほうが高
密度実装に適しており、１．６ｍｍ以下（３２１６サイ
ズ）が望ましい。半導体の実装は、パッケージの場合、
電子部品と同様に導電性接着剤を用いた。また、ベアチ
ップの場合、金バンプを形成し、フリップチップ実装し
た。また、配線板にも同様に電子部品及び／又は半導体
を実装した。配線板の場合、電子部品の実装には、はん
だ実装を用いた。

【００７９】実装した電子部品は、外観検査を行い、実
装ミス（部品外れや部品立ち）が生じた箇所はリペアし
た。実装した半導体も電気的接続チェックにより実装状
態を確認した。その後、回路ブロックの機能検査を行
い、半導体自体の特性も確認した。特性不良の箇所は部
品の交換を行った。

【００８０】上記工程で作製した、電気絶縁層と電子部
品及び／又は半導体を実装した配線パターンを認識マー
クを基準に位置合わせし、積層し、加圧（５ＭＰａ）し
た。加圧によって、電気絶縁層と電子部品及び／又は半
導体を電気絶縁層に埋設した。埋設後、同じ圧力で加圧
しながら、温度：２００℃、時間：２hrs加熱し、電気
絶縁層を硬化した。電気絶縁層の硬化と同時に配線パタ
ーンも転写された。

【００８１】電気絶縁層の硬化後、ＰＥＴキャリアを剥
離し部品内蔵モジュールを形成した。この部品内蔵モジ
ュールは、表層に、電子部品及び／又は半導体を実装す
るスペースを有し、内部にも電子部品及び／又は半導体
を配置しており、本実施例の部品内蔵モジュールと通常
の２次元（表面）実装品とを同じ面積で比較すると、本
実施例のモジュールは約２倍の部品を実装できる。逆
に、通常の２次元（表面）実装品と同一数の部品を実装
する場合は、本実施例のモジュールは約半分のサイズで
すむ。

【００８２】（実施例２）本実施例においては、図１２
に示すような構造で試料を作製した。電子部品を内蔵し
た電気絶縁層の上下に配線板を配置した構造であり、ビ
アで上下の配線板間を接続している。電子部品は０６０
３サイズのチップ部品を用いた。電気絶縁層はＳｉＯ₂
をフィラとし、質量比を調整することで熱膨張係数を変
化させた試料を作製した。電気絶縁層の厚みは４００μ
ｍである。配線板はガラスエポキシ基板（Ａ基板）と、
電気絶縁層と同じ材料で形成した配線板（Ｂ基板）を用
いた。配線板の厚みは４００μｍである。ビアは銅粉
と、樹脂の混合物である。ビアと電気絶縁層（電気絶縁
層のみ）、構造体の電気絶縁層の熱膨張率を表１に示
す。

【００８３】

【表１】配線板としてガラスエポキシ基板（Ａ基板）と電気絶縁
層と同じ材料で形成した基板（Ｂ基板）とでは構造体と
なった時の熱膨張率が異なっている。電気絶縁層及び、
Ｂ基板は補強材が入っていないため、ＸＹＺ方向に等方
的な熱膨張率を示すが、ガラスエポキシ基板はガラスク
ロスが入っているためＸＹ方向とＺ方向の熱膨張率がか
なり異なる。前記Ａ基板の熱膨張率はＸＹ方向が１０ｐ
ｐｍ、Ｚ方向が１５０ｐｐｍの材料であった。構造体と
なった場合、電気絶縁層は配線板と固着しているためＸ
Ｙ方向はヤング率の高い配線板（Ａ基板）に強制的に固
定されてしまう。そのため、ＸＹ方向にのびることがで
きず、Ｚ方向の熱膨張率が増加してしまう。同じ材料で
あるＢ基板を配線板に用いた場合は当然、熱膨張率は変
化していない。作製したサンプルを熱サイクル試験（−
５０℃〜２７０℃）にかけた時のビアの抵抗値（オープ
ン数）を調べた（表２）。

【００８４】

【表２】実験の結果、試料Ｎｏ．９のサンプルに多くのオープン
が発生した。これは、ビアの熱膨張率と電気絶縁層の熱
膨張率の差によるものと考えられる。電気絶縁層が同じ
材料であっても、構造体に成ったときの熱膨張率の差が
ビアの信頼性に影響を与えており、熱膨張率の比を１０
倍以内にすることで信頼性の高い部品内蔵モジュールを
提供できる。

【００８５】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
電気絶縁層と、前記電気絶縁層の両主平面に形成した配
線パターンと、前記配線パターン間を接続するビア及
び、前記配線パターンに実装した電子部品及び／又は半
導体を前記電気絶縁層の内部に配置した部品内蔵モジュ
ールとすることにより、電子部品及び／又は半導体を電
気絶縁層に内蔵し、厚みが薄くて高密度に実装した部品
内蔵モジュールを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１における部品内蔵モジュー
ルの断面図。

【図２】Ａ〜Ｅは本発明実施形態２における部品内蔵モ
ジュールの製造工程の断面図。

【図３】本発明の実施形態３における部品内蔵モジュー
ルの断面図。

【図４】本発明の実施形態４における部品内蔵モジュー
ルの断面図。

【図５】本発明の実施形態５における部品内蔵モジュー
ルの断面図。

【図６】本発明の実施形態６における部品内蔵モジュー
ルの製造工程の断面図。

【図７】Ａ〜Ｃは本発明の実施形態７における部品内蔵
モジュールの断面図。

【図８】本発明の実施形態８における部品内蔵モジュー
ルの断面図。

【図９】本発明の実施形態９における部品内蔵モジュー
ルの断面図。

【図１０】本発明の実施形態１０における部品内蔵モジ
ュールの断面図。

【図１１】本発明の実施形態１１における部品内蔵モジ
ュールの製造工程の断面図。

【図１２】本発明の実施形態１２における部品内蔵モジ
ュールの製造工程断面図。

【符号の説明】

101,201,301 電気絶縁層 102,202,302 配線パターン 103,203,303 ビア 104,204,304,612 電子部品 105,205,305 半田 106,108 配線パターン 107 インナービア 109,211 両面基板 206 キャリア 207 ビアホール 306,611,613 半導体 307 バンプ 308,408,508,608,7088,808,908 配線基板 509 ＮＣＦ 609 封止樹脂 710 空隙 1009 ＡＣＦ 1010 シールド電極 1110 電磁シールド層

フロントページの続き (72)発明者小松慎五大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者山本義之大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者中谷誠一大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気絶縁層と、前記電気絶縁層の両表面に一体化された配線と、前記配
線間を接続するビアを含み、前記電気絶縁層の内部に、電子部品及び半導体から選ば
れる少なくとも一つの部品が埋め込まれた部品内蔵モジ
ュールであって、前記配線の少なくとも一方は、配線基板の表面に形成さ
れた配線であり、前記電気絶縁層の内部に埋め込まれた部品は、埋め込ま
れる前に前記配線基板上に搭載され一体化されているこ
とを特徴とする部品内蔵モジュール。
【請求項２】さらに、前記配線基板の外側主平面に電
子部品及び半導体から選ばれる少なくとも一つの部品を
実装した請求項１に記載の部品内蔵モジュール。
【請求項３】前記配線基板が両面配線基板および多層
配線板から選ばれる少なくとも一つの基板である請求項
１に記載の部品内蔵モジュール。
【請求項４】前記部品を前記電気絶縁層内部に埋め込
む前に実装検査および特性検査から選ばれる少なくとも
一つの検査を完了しておく請求項１に記載の部品内蔵モ
ジュール。
【請求項５】前記部品を前記電気絶縁層の断面方向に
ずらして配置した請求項１に記載の部品内蔵モジュー
ル。
【請求項６】前記電気絶縁層内部に配置し、前記電気
絶縁層の両主平面の配線基板に実装した部品の少なくと
も一つの間にシールド層を挿入した請求項１に記載の部
品内蔵モジュール。
【請求項７】前記シールド層が、金属箔配線パターン
であるか、又は電磁シールド材である請求項６に記載の
部品内蔵モジュール。
【請求項８】前記電子部品がディスクリート部品であ
る請求項１に記載の部品内蔵モジュール。
【請求項９】前記半導体が半導体ベアチップである請
求項１に記載の部品内蔵モジュール。
【請求項１０】前記半導体ベアチップが前記配線にフ
リップチップボンディング接続されている請求項９に記
載の部品内蔵モジュール。
【請求項１１】前記半導体ベアチップが研削又は研磨
加工されている請求項９に記載の部品内蔵モジュール。
【請求項１２】前記電気絶縁層内部に前記部品を対向
して配置させた請求項１に記載の部品内蔵モジュール。
【請求項１３】前記電気絶縁層の厚み方向の熱膨張係
数が、ビアの熱膨張係数の１０倍以下である請求項１に
記載の部品内蔵モジュール。
【請求項１４】前記電気絶縁層は、樹脂とフィラーを
含み、フィラー含量が５０質量％以上９５質量％以下で
ある請求項１に記載の部品内蔵モジュール。
【請求項１５】請求項１〜１４のいずれかに記載の部
品内蔵モジュールの製造方法であって、電気絶縁層の両表面に一体化された配線のうち、少なく
とも一方の側は配線基板の表面に形成された配線で構成
し、前記配線基板に半導体及び電子部品から選ばれる少なく
とも一つの部品を実装し、半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる電気絶縁層の厚さ方
向にビアを形成し、前記配線基板を外側にして前記部品を前記電気絶縁層に
埋め込み、前記電気絶縁層を硬化することを含む部品内蔵モジュー
ルの製造方法。
【請求項１６】前記半導体を実装前に半導体ウエハで
研削又は研磨する請求項１５に記載の部品内蔵モジュー
ルの製造方法。
【請求項１７】前記半導体を実装後に前記半導体を研
削又は研磨する請求項１５に記載の部品内蔵モジュール
の製造方法。
【請求項１８】前記前記半導体及び電子部品から選ば
れる少なくとも一つを前記電気絶縁層に埋設するととも
に、前記電気絶縁層の硬化を同時に行う請求項１５に記
載の部品内蔵モジュールの製造方法。