JP2003197556A - 光加熱装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電回路に非接触状態で電流検出センサを設
けて放電電流を測定し、測定された放電電流に基づいて
コンデンサの劣化に伴う充電電圧の補償ないし放電回路
の異常報知を可能にした光加熱装置を提供すること。 【解決手段】 複数の閃光放電ランプ１を同一平面上に
略平行に配置し、各閃光放電ランプ１の閃光によって被
処理物を加熱する光加熱装置において、各閃光放電ラン
プ１と閃光時に閃光放電ランプ１に放電電荷を供給する
コンデンサ１７とを直列接続した放電回路１９を複数個
設け、各放電回路１９に、放電回路１９の放電電流ｉを
放電回路１９と非接触状態で検出する電流検出センサ２
１を設け、各電流検出センサ１９によって検出された検
出値に応じて、放電回路１９のコンデンサ１７の充電電
圧を制御して閃光放電ランプ１の閃光量を所定値に制御
する電源制御回路２５または放電回路１９の異常を報知
する表示回路２６を設けたことを特徴とする。
けて放電電流を測定し、測定された放電電流に基づいて
コンデンサの劣化に伴う充電電圧の補償ないし放電回路
の異常報知を可能にした光加熱装置を提供すること。 【解決手段】 複数の閃光放電ランプ１を同一平面上に
略平行に配置し、各閃光放電ランプ１の閃光によって被
処理物を加熱する光加熱装置において、各閃光放電ラン
プ１と閃光時に閃光放電ランプ１に放電電荷を供給する
コンデンサ１７とを直列接続した放電回路１９を複数個
設け、各放電回路１９に、放電回路１９の放電電流ｉを
放電回路１９と非接触状態で検出する電流検出センサ２
１を設け、各電流検出センサ１９によって検出された検
出値に応じて、放電回路１９のコンデンサ１７の充電電
圧を制御して閃光放電ランプ１の閃光量を所定値に制御
する電源制御回路２５または放電回路１９の異常を報知
する表示回路２６を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、閃光放電ランプを
閃光させることにより半導体基板や液晶基板等の被処理
物を加熱処理する光加熱装置に係わり、特に、閃光時の
放電電流を検出する機能を備えた光加熱装置に関する。
閃光させることにより半導体基板や液晶基板等の被処理
物を加熱処理する光加熱装置に係わり、特に、閃光時の
放電電流を検出する機能を備えた光加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、複数の棒状の閃光放電ランプを同
一平面上に平行に配置して、閃光放電ランプを一斉に閃
光放電させることによって半導体ウエハ等の被処理物を
加熱処理する光加熱装置が開発されている。
一平面上に平行に配置して、閃光放電ランプを一斉に閃
光放電させることによって半導体ウエハ等の被処理物を
加熱処理する光加熱装置が開発されている。
【０００３】従来、このような光加熱装置において、各
閃光放電ランプを閃光させるための点灯回路としては、
図４に示すものが知られている。
閃光放電ランプを閃光させるための点灯回路としては、
図４に示すものが知られている。
【０００４】この点灯回路は、交流電源から供給される
交流電圧を整流平滑回路で直流電圧に変換し、さらにチ
ョッパー回路を介してインバータ回路で交流電圧に変換
後、昇圧トランスで昇圧し、さらに整流平滑回路によっ
て高圧の直流電圧に変換し、この直流高電圧によって放
電用コンデンサを充電し、充電された直流高電圧をトリ
ガ回路からのトリガによって閃光放電ランプを介して放
電させ、閃光放電ランプから閃光を発生させている。
交流電圧を整流平滑回路で直流電圧に変換し、さらにチ
ョッパー回路を介してインバータ回路で交流電圧に変換
後、昇圧トランスで昇圧し、さらに整流平滑回路によっ
て高圧の直流電圧に変換し、この直流高電圧によって放
電用コンデンサを充電し、充電された直流高電圧をトリ
ガ回路からのトリガによって閃光放電ランプを介して放
電させ、閃光放電ランプから閃光を発生させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような点
灯回路に用いられる放電コンデンサは、放電回数が増加
するにつれて、コンデンサ容量が低下する問題が発生す
る。コンデンサ容量が低下すると、閃光放電ランプから
放射される光出力が低下し、被処理物を適正に加熱する
ことができなくなる。
灯回路に用いられる放電コンデンサは、放電回数が増加
するにつれて、コンデンサ容量が低下する問題が発生す
る。コンデンサ容量が低下すると、閃光放電ランプから
放射される光出力が低下し、被処理物を適正に加熱する
ことができなくなる。
【０００６】具体的には、複数配列された閃光放電ラン
プと半導体ウエハ等の被処理物との位置関係は最適な状
態に保持されており、閃光放電ランプを一斉に閃光させ
ることによって最適な光出力を得て、半導体ウエハ等を
均一に加熱するように構成されている。そのため、１本
の閃光放電ランプに光出力の不具合が発生すると、半導
体ウエハの加熱処理を均一に行えない問題が発生する。
プと半導体ウエハ等の被処理物との位置関係は最適な状
態に保持されており、閃光放電ランプを一斉に閃光させ
ることによって最適な光出力を得て、半導体ウエハ等を
均一に加熱するように構成されている。そのため、１本
の閃光放電ランプに光出力の不具合が発生すると、半導
体ウエハの加熱処理を均一に行えない問題が発生する。
【０００７】一般に、閃光放電ランプの光出力のエネル
ギーＥは、放電コンデンサに充電される電荷量をＱ、放
電コンデンサの容量をＣ、放電コンデンサの充電電圧を
Ｖとするとき、Ｅ＝ＱＶ／２＝ＣＶ２ ／２で表され
る。従って、放電コンデンサの容量Ｃの低下に伴う光出
力Ｅの低下は、充電電圧Ｖを昇圧させることによって補
うことができる。
ギーＥは、放電コンデンサに充電される電荷量をＱ、放
電コンデンサの容量をＣ、放電コンデンサの充電電圧を
Ｖとするとき、Ｅ＝ＱＶ／２＝ＣＶ２ ／２で表され
る。従って、放電コンデンサの容量Ｃの低下に伴う光出
力Ｅの低下は、充電電圧Ｖを昇圧させることによって補
うことができる。
【０００８】そのためには、放電コンデンサの容量Ｃが
どの程度低下したかを知る必要があり、容量Ｃを測定す
るために、放電コンデンサの両端に測定器（ＬＣＲメー
タ等）を接続して測定することも考えられる。しかし、
この方法では、高圧の整流平滑回路に内蔵されるコンデ
ンサの容量も併せて測定してしまったり、さらには、閃
光放電ランプが発光しないために電荷が充電コンデンサ
に残っているような場合は、測定器を接続すると放電事
故が発生する虞れがある。
どの程度低下したかを知る必要があり、容量Ｃを測定す
るために、放電コンデンサの両端に測定器（ＬＣＲメー
タ等）を接続して測定することも考えられる。しかし、
この方法では、高圧の整流平滑回路に内蔵されるコンデ
ンサの容量も併せて測定してしまったり、さらには、閃
光放電ランプが発光しないために電荷が充電コンデンサ
に残っているような場合は、測定器を接続すると放電事
故が発生する虞れがある。
【０００９】また、図４の図示位置Ｘ１にリレー接点を
設けて、放電コンデンサと高電圧の整流平滑回路に内蔵
されているコンデンサとを分離して、放電コンデンサの
容量Ｃのみを測定することも考えられるが、放電コンデ
ンサの充電電圧は数ｋＶと高く、リレー自体も高耐圧を
必要とし、コストアップやサイズアップの原因となる。
さらには、リレー動作に何らかの誤動作が発生した場合
には、リレー接点が融着し、放電回路の故障原因とな
る。このように、放電コンデンサの容量Ｃを測定するに
は種々の問題があり、採用することはできなかった。
設けて、放電コンデンサと高電圧の整流平滑回路に内蔵
されているコンデンサとを分離して、放電コンデンサの
容量Ｃのみを測定することも考えられるが、放電コンデ
ンサの充電電圧は数ｋＶと高く、リレー自体も高耐圧を
必要とし、コストアップやサイズアップの原因となる。
さらには、リレー動作に何らかの誤動作が発生した場合
には、リレー接点が融着し、放電回路の故障原因とな
る。このように、放電コンデンサの容量Ｃを測定するに
は種々の問題があり、採用することはできなかった。
【００１０】一方、放電コンデンサの容量Ｃを直接測定
することに代えて放電電流を測定することにより間接的
に容量Ｃの低下を測定することが可能である。
することに代えて放電電流を測定することにより間接的
に容量Ｃの低下を測定することが可能である。
【００１１】ここで、放電回路における放電コンデンサ
の容量をＣ、放電回路に挿入されるインダクタンスを
Ｌ、放電回路の閃光放電ランプの抵抗成分とその他の抵
抗成分との合成抵抗成分をＲ、放電回路の総インピーダ
ンスをＺ、放電コンデンサに充電される電圧をＶ０、放
電開始からの時間をｔとするとき、放電回路に流れる放
電電流ｉは、次式で表される。
の容量をＣ、放電回路に挿入されるインダクタンスを
Ｌ、放電回路の閃光放電ランプの抵抗成分とその他の抵
抗成分との合成抵抗成分をＲ、放電回路の総インピーダ
ンスをＺ、放電コンデンサに充電される電圧をＶ０、放
電開始からの時間をｔとするとき、放電回路に流れる放
電電流ｉは、次式で表される。
【００１２】Ｌｄｉ／ｄｔ＋Ｒｉ＋（１／Ｃ）∫ｉｄｔ
＝０ この式より、放電電流ｉのピーク値Ｉｐは、次式で求め
られる。
＝０ この式より、放電電流ｉのピーク値Ｉｐは、次式で求め
られる。
【００１３】Ｉｐ＝Ｖ０・（ｅｘｐ（ｎ１・ｔ０）−ｅ
ｘｐ（ｎ２・ｔ０））／（Ｌ（ｎ１−ｎ２）) ここで、ｎ１＝−Ａ＋√Ｂ、ｎ２＝−Ａ−√Ｂ、Ａ＝Ｚ
／２Ｌ、 Ｂ＝（Ｚ／２Ｌ）２−１／ＬＣ、ｔ０＝Ｌｎ（ｎ２／ｎ
１）／（ｎ１−ｎ２） この式から明らかなように、ピーク値Ｉｐは、インダク
タンスＬおよび閃光放電ランプの状態に変化がない場合
は、充電電圧Ｖ０と放電コンデンサの容量Ｃによって決
定されることが解る。従って、放電コンデンサの容量低
下を補償するために、充電電圧Ｖ０を調整することによ
って放電電流のピーク値Ｉｐを調整することが可能であ
ることが理解される。
ｘｐ（ｎ２・ｔ０））／（Ｌ（ｎ１−ｎ２）) ここで、ｎ１＝−Ａ＋√Ｂ、ｎ２＝−Ａ−√Ｂ、Ａ＝Ｚ
／２Ｌ、 Ｂ＝（Ｚ／２Ｌ）２−１／ＬＣ、ｔ０＝Ｌｎ（ｎ２／ｎ
１）／（ｎ１−ｎ２） この式から明らかなように、ピーク値Ｉｐは、インダク
タンスＬおよび閃光放電ランプの状態に変化がない場合
は、充電電圧Ｖ０と放電コンデンサの容量Ｃによって決
定されることが解る。従って、放電コンデンサの容量低
下を補償するために、充電電圧Ｖ０を調整することによ
って放電電流のピーク値Ｉｐを調整することが可能であ
ることが理解される。
【００１４】そこで、放電電流ｉを測定するために、放
電回路の任意の箇所、例えば、図４の図示位置Ｘ２に電
流計を設け、放電電流を測定することも考えられが、こ
の種の光加熱装置に用いられる閃光放電ランプの放電時
間は数ｍｓと短く、加えて放電電流が数百〜数千アンペ
アに達し、このような箇所に電流計を組み込んで電流を
測定することは困難である。
電回路の任意の箇所、例えば、図４の図示位置Ｘ２に電
流計を設け、放電電流を測定することも考えられが、こ
の種の光加熱装置に用いられる閃光放電ランプの放電時
間は数ｍｓと短く、加えて放電電流が数百〜数千アンペ
アに達し、このような箇所に電流計を組み込んで電流を
測定することは困難である。
【００１５】本発明の目的は、上記の種々の問題点を考
慮して、複数の閃光放電ランプからの閃光によって被処
理物を加熱する光加熱装置において、各閃光放電ランプ
の放電回路の任意の箇所に非接触状態で電流検出センサ
を設けて放電電流を測定することを可能にし、さらには
測定された放電電流に基づいて放電コンデンサの劣化の
補償ないし放電コンデンサ等の放電回路の異常報知を可
能にした光加熱装置を提供することにある。
慮して、複数の閃光放電ランプからの閃光によって被処
理物を加熱する光加熱装置において、各閃光放電ランプ
の放電回路の任意の箇所に非接触状態で電流検出センサ
を設けて放電電流を測定することを可能にし、さらには
測定された放電電流に基づいて放電コンデンサの劣化の
補償ないし放電コンデンサ等の放電回路の異常報知を可
能にした光加熱装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、次のような手段を採用した。第１の手
段は、複数の閃光放電ランプを同一平面上に略平行に配
置し、前記複数の閃光放電ランプの閃光によって被処理
物を加熱する光加熱装置において、前記各閃光放電ラン
プと閃光時に前記閃光放電ランプに放電電荷を供給する
コンデンサとを直列接続した放電回路を複数個設け、前
記各放電回路に、放電回路の放電電流を放電回路と非接
触状態で検出する電流検出センサを設けたことを特徴と
する。
解決するために、次のような手段を採用した。第１の手
段は、複数の閃光放電ランプを同一平面上に略平行に配
置し、前記複数の閃光放電ランプの閃光によって被処理
物を加熱する光加熱装置において、前記各閃光放電ラン
プと閃光時に前記閃光放電ランプに放電電荷を供給する
コンデンサとを直列接続した放電回路を複数個設け、前
記各放電回路に、放電回路の放電電流を放電回路と非接
触状態で検出する電流検出センサを設けたことを特徴と
する。
【００１７】第２の手段は、第１の手段において、前記
各電流検出センサによって検出された検出値に応じて、
当該放電回路のコンデンサの充電電圧を制御して当該閃
光放電ランプの閃光量を所定値に制御する制御回路を設
けたことを特徴とする。
各電流検出センサによって検出された検出値に応じて、
当該放電回路のコンデンサの充電電圧を制御して当該閃
光放電ランプの閃光量を所定値に制御する制御回路を設
けたことを特徴とする。
【００１８】第３の手段は、第１の手段において、前記
各電流検出センサによって検出された検出値に応じて、
当該放電回路の異常を報知する表示回路を設けたことを
特徴とする。
各電流検出センサによって検出された検出値に応じて、
当該放電回路の異常を報知する表示回路を設けたことを
特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図１ないし
図３を用いて説明する。
図３を用いて説明する。
【００２０】図１は、本発明の光加熱装置の構成の概要
を示す図である。同図において、１は閃光放電ランプ、
２は白熱ランプ、３はチャンバー５の上段に設けられ、
閃光放電ランプ１が互いに同一平面上に並行配置された
閃光放電ランプ群、４は、加熱処理される被処理物１０
を予備加熱するために、チャンバー５の下段に設けられ
た白熱ランプ群、５はチャンバー、６は閃光放電ランプ
群３の閃光を下方向に反射するために設けられた上部反
射体、７は白熱ランプ群４の光を上方向に反射するため
に設けられた下部反射体、８は各閃光放電ランプ１を点
灯させるために設けられた閃光放電ランプ点灯回路、９
は各白熱ランプ２を点灯させるために設けられた白熱ラ
ンプ点灯回路、１０は加熱処理される半導体ウエハ等の
被処理物である。
を示す図である。同図において、１は閃光放電ランプ、
２は白熱ランプ、３はチャンバー５の上段に設けられ、
閃光放電ランプ１が互いに同一平面上に並行配置された
閃光放電ランプ群、４は、加熱処理される被処理物１０
を予備加熱するために、チャンバー５の下段に設けられ
た白熱ランプ群、５はチャンバー、６は閃光放電ランプ
群３の閃光を下方向に反射するために設けられた上部反
射体、７は白熱ランプ群４の光を上方向に反射するため
に設けられた下部反射体、８は各閃光放電ランプ１を点
灯させるために設けられた閃光放電ランプ点灯回路、９
は各白熱ランプ２を点灯させるために設けられた白熱ラ
ンプ点灯回路、１０は加熱処理される半導体ウエハ等の
被処理物である。
【００２１】図２は、本発明の各閃光放電ランプ１を点
灯するために設けられた閃光放電ランプ点灯回路の構成
を示す図である。同図において、１１は交流電源、１２
は交流電圧を整流平滑する整流平滑回路、１３は整流平
滑回路１２から出力される直流電圧をチョッパー制御す
るチョッパー回路、１４はチョッパー回路１３から出力
される電圧を交流電圧に変換するインバータ回路、１５
はインバータ回路１４から出力される交流電圧を高圧の
交流電圧に変換する昇圧トランス、１６は交流高電圧を
整流平滑して直流高電圧に変換する高電圧整流平滑回
路、１７は、高電圧整流平滑回路１６から供給される直
流高電圧によって充電されるコンデンサ、１８はインダ
クタンス、１９は、閃光放電ランプ１の閃光放電時、コ
ンデンサ１７、閃光放電ランプ１およびインダクタンス
１８とが直列に接続されて形成される放電回路、２０は
閃光放電ランプ１を閃光放電させるためのトリガを発生
するトリガ回路、２１は放電回路１９の任意の箇所に設
けられ、閃光放電ランプ１の閃光放電時の放電電流を検
出する電流検出センサ、２２は電流検出センサ２１によ
って検出された検出値を増幅する増幅器、２３は検出値
を所望の検出信号として出力させるためのＣＰＵ等の機
器からなる演算器、２４はコンデンサ１７を充電する充
電電圧を検出する電圧検出器、２５は電圧検出器２４に
よって検出された検出信号と演算器２３によって検出さ
れた検出信号とを比較してチョッパー回路１３を制御す
るための制御信号を出力する電源制御回路である。
灯するために設けられた閃光放電ランプ点灯回路の構成
を示す図である。同図において、１１は交流電源、１２
は交流電圧を整流平滑する整流平滑回路、１３は整流平
滑回路１２から出力される直流電圧をチョッパー制御す
るチョッパー回路、１４はチョッパー回路１３から出力
される電圧を交流電圧に変換するインバータ回路、１５
はインバータ回路１４から出力される交流電圧を高圧の
交流電圧に変換する昇圧トランス、１６は交流高電圧を
整流平滑して直流高電圧に変換する高電圧整流平滑回
路、１７は、高電圧整流平滑回路１６から供給される直
流高電圧によって充電されるコンデンサ、１８はインダ
クタンス、１９は、閃光放電ランプ１の閃光放電時、コ
ンデンサ１７、閃光放電ランプ１およびインダクタンス
１８とが直列に接続されて形成される放電回路、２０は
閃光放電ランプ１を閃光放電させるためのトリガを発生
するトリガ回路、２１は放電回路１９の任意の箇所に設
けられ、閃光放電ランプ１の閃光放電時の放電電流を検
出する電流検出センサ、２２は電流検出センサ２１によ
って検出された検出値を増幅する増幅器、２３は検出値
を所望の検出信号として出力させるためのＣＰＵ等の機
器からなる演算器、２４はコンデンサ１７を充電する充
電電圧を検出する電圧検出器、２５は電圧検出器２４に
よって検出された検出信号と演算器２３によって検出さ
れた検出信号とを比較してチョッパー回路１３を制御す
るための制御信号を出力する電源制御回路である。
【００２２】図３は、電流検出センサ２１の全体構成の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【００２３】同図において、３１は内部空間に放電回路
１９の導体の一部を非接触状態で貫通する磁芯、３２は
磁芯３１に設けられた空隙、３３はホール素子である。
１９の導体の一部を非接触状態で貫通する磁芯、３２は
磁芯３１に設けられた空隙、３３はホール素子である。
【００２４】ここで、磁芯３１に放電回路１９の放電電
流ｉによる貫通電流が流れると、この放電電流ｉに比例
した磁束が発生し、発生した磁束が磁芯３１で収束さ
れ、空隙３２に挿入されたホール素子３３にホール効果
によるホール電圧Ｖｈが発生する。このホール電圧Ｖｈ
を検出することにより、放電電流ｉに比例した検出値を
検出することができる。
流ｉによる貫通電流が流れると、この放電電流ｉに比例
した磁束が発生し、発生した磁束が磁芯３１で収束さ
れ、空隙３２に挿入されたホール素子３３にホール効果
によるホール電圧Ｖｈが発生する。このホール電圧Ｖｈ
を検出することにより、放電電流ｉに比例した検出値を
検出することができる。
【００２５】次に、この点灯回路の動作について説明す
る。まず、閃光放電ランプ１の閃光放電に先立って、交
流電源１２から供給された交流電圧によって整流平滑回
路１２、チョッパー回路１３、インバータ回路１４、昇
圧トランス１５、および整流平滑回路１６を介して高圧
の直流電圧が取得され、この高圧の直流電圧によってコ
ンデンサ１７が充電される。
る。まず、閃光放電ランプ１の閃光放電に先立って、交
流電源１２から供給された交流電圧によって整流平滑回
路１２、チョッパー回路１３、インバータ回路１４、昇
圧トランス１５、および整流平滑回路１６を介して高圧
の直流電圧が取得され、この高圧の直流電圧によってコ
ンデンサ１７が充電される。
【００２６】閃光放電時は、トリガ回路２０から閃光放
電ランプ１にトリガが印加されると、コンデンサ１７に
充電されていた充電電圧が閃光放電ランプ１を介して急
速に放電され、その際、放電回路１９はコンデンサ１７
とインダクタンス１８とによって、所望の波高値を有す
る振動波形となって放電され、閃光放電ランプ１から所
望の閃光が放射される。
電ランプ１にトリガが印加されると、コンデンサ１７に
充電されていた充電電圧が閃光放電ランプ１を介して急
速に放電され、その際、放電回路１９はコンデンサ１７
とインダクタンス１８とによって、所望の波高値を有す
る振動波形となって放電され、閃光放電ランプ１から所
望の閃光が放射される。
【００２７】ここで、閃光放電ランプ１が閃光放電する
と、放電回路１９に放電電流ｉが流れ電流検出センサ２
１によって放電電流ｉが放電回路１９と非接触状態で検
出される。その結果、放電回路１９の導体を貫通する放
電電流ｉを直接検出することがないので、大電流の放電
電流ｉを容易に検出することができる。
と、放電回路１９に放電電流ｉが流れ電流検出センサ２
１によって放電電流ｉが放電回路１９と非接触状態で検
出される。その結果、放電回路１９の導体を貫通する放
電電流ｉを直接検出することがないので、大電流の放電
電流ｉを容易に検出することができる。
【００２８】電流検出センサ１９によって検出されたホ
ール電圧Ｖｈは増幅器２２で増幅され、、演算器２３を
介して電圧信号として電源制御回路２５に送られる。さ
らに電源制御回路２５では、分圧抵抗器からなる電圧検
出器２４によって検出された電圧信号と演算器２３から
入力された電圧信号とを比較してチョッパー回路１３に
制御信号として出力する。これによって、高電圧整流平
滑回路１６が制御され、コンデンサ１７に充電される充
電電圧が制御されて、閃光放電ランプ１は所望の閃光量
が得られるように制御される。
ール電圧Ｖｈは増幅器２２で増幅され、、演算器２３を
介して電圧信号として電源制御回路２５に送られる。さ
らに電源制御回路２５では、分圧抵抗器からなる電圧検
出器２４によって検出された電圧信号と演算器２３から
入力された電圧信号とを比較してチョッパー回路１３に
制御信号として出力する。これによって、高電圧整流平
滑回路１６が制御され、コンデンサ１７に充電される充
電電圧が制御されて、閃光放電ランプ１は所望の閃光量
が得られるように制御される。
【００２９】このように、本発明の光加熱装置によれ
ば、電流検出センサ２１によって容易に放電電流を検出
することができ、検出された検出値に基づいてコンデン
サ１７への充電電圧を制御することができるので、コン
デンサ１７の容量が低下しても、容量低下を補って閃光
放電ランプ１から所定の光出力を得ることができ、半導
体ウエハ等の被処理物の加熱処理を適正に行うことがで
きる。
ば、電流検出センサ２１によって容易に放電電流を検出
することができ、検出された検出値に基づいてコンデン
サ１７への充電電圧を制御することができるので、コン
デンサ１７の容量が低下しても、容量低下を補って閃光
放電ランプ１から所定の光出力を得ることができ、半導
体ウエハ等の被処理物の加熱処理を適正に行うことがで
きる。
【００３０】なお、本実施形態の発明では、演算器２３
から電源制御回路２５に検出された電圧信号を送出して
コンデンサ１７の充電電圧を制御する場合について説明
したが、図２に示すように、電源制御回路２５を設ける
ことに代えて表示回路２６を設け、演算器２３にて演算
器２３内に予め記憶してある所定電圧値と前記検出され
た電圧信号とを比較させ、検出された電圧信号が所定電
圧値より低い場合には、表示回路２６に制御信号を送出
し、表示回路２６によってコンデンサ１７が劣化してい
る等の異常状態にあることを報知させるようにしてもよ
い。なおこの際の表示手段としては音、光等いずれの手
段を用いてもよい。
から電源制御回路２５に検出された電圧信号を送出して
コンデンサ１７の充電電圧を制御する場合について説明
したが、図２に示すように、電源制御回路２５を設ける
ことに代えて表示回路２６を設け、演算器２３にて演算
器２３内に予め記憶してある所定電圧値と前記検出され
た電圧信号とを比較させ、検出された電圧信号が所定電
圧値より低い場合には、表示回路２６に制御信号を送出
し、表示回路２６によってコンデンサ１７が劣化してい
る等の異常状態にあることを報知させるようにしてもよ
い。なおこの際の表示手段としては音、光等いずれの手
段を用いてもよい。
【００３１】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、各閃光
放電ランプと閃光時に閃光放電ランプに放電電荷を供給
するコンデンサとを直列接続した放電回路を複数個設
け、各放電回路に、放電回路の放電電流を放電回路と非
接触状態で検出する電流検出センサを設けたので、コン
デンサの容量劣化等による閃光量の変化を大電流である
放電電流を放電回路と非接触状態で測定することにより
容易に把握することが可能となる。
放電ランプと閃光時に閃光放電ランプに放電電荷を供給
するコンデンサとを直列接続した放電回路を複数個設
け、各放電回路に、放電回路の放電電流を放電回路と非
接触状態で検出する電流検出センサを設けたので、コン
デンサの容量劣化等による閃光量の変化を大電流である
放電電流を放電回路と非接触状態で測定することにより
容易に把握することが可能となる。
【００３２】請求項２に記載の発明によれば、各電流検
出センサによって検出された検出値に応じて、放電回路
のコンデンサの充電電圧を制御して閃光放電ランプの閃
光量を所定値に制御する電源制御回路を設けたので、コ
ンデンサの容量劣化等により閃光量の変化をコンデンサ
への充電電圧を補償することにより閃光量を所定値に保
持することができ、各閃光放電ランプによって被処理物
を均一に加熱処理することが可能となる。
出センサによって検出された検出値に応じて、放電回路
のコンデンサの充電電圧を制御して閃光放電ランプの閃
光量を所定値に制御する電源制御回路を設けたので、コ
ンデンサの容量劣化等により閃光量の変化をコンデンサ
への充電電圧を補償することにより閃光量を所定値に保
持することができ、各閃光放電ランプによって被処理物
を均一に加熱処理することが可能となる。
【００３３】請求項３に記載の発明によれば、各電流検
出センサによって検出された検出値に応じて、コンデン
サ等の当該放電回路の異常を報知する表示回路を設けた
ので、コンデンサの容量劣化等により閃光量が変化した
場合は、表示回路によって放電回路の異常を報知し異常
状態に迅速に対処することが可能となる。
出センサによって検出された検出値に応じて、コンデン
サ等の当該放電回路の異常を報知する表示回路を設けた
ので、コンデンサの容量劣化等により閃光量が変化した
場合は、表示回路によって放電回路の異常を報知し異常
状態に迅速に対処することが可能となる。
【図１】本発明の光加熱装置の構成の概要を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の各閃光放電ランプ１を点灯するための
閃光放電ランプ点灯回路の構成を示す図である。
閃光放電ランプ点灯回路の構成を示す図である。
【図３】図２に示す電流検出センサ２１の全体構成を示
す図である。
す図である。
【図４】従来技術に係る各閃光放電ランプを点灯するた
めの閃光放電ランプ点灯回路の構成を示す図である。
めの閃光放電ランプ点灯回路の構成を示す図である。
１ 閃光放電ランプ
２ 白熱ランプ
３ 閃光放電ランプ群
４ 白熱ランプ群
５ チャンバー
６ 上部反射体
７ 下部反射体
８ 閃光放電ランプ点灯回路
９ 白熱ランプ点灯回路
１０ 被処理物
１１ 交流電源
１２ 整流平滑回路
１３ チョッパー回路
１４ インバータ回路
１５ 昇圧トランス
１６ 高電圧整流平滑回路
１７ コンデンサ
１８ インダクタンス
１９ 放電回路
２０ トリガ回路
２１ 電流検出センサ
２２ 増幅器
２３ 演算器
２４ 電圧検出器
２５ 電源制御回路
２６ 表示回路
３１ 磁芯
３２ 空隙
３３ ホール素子
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の閃光放電ランプを同一平面上に略
平行に配置し、前記複数の閃光放電ランプの閃光によっ
て被処理物を加熱する光加熱装置において、 前記各閃光放電ランプと閃光時に前記閃光放電ランプに
充電電圧を供給するコンデンサとを直列接続した放電回
路を複数個設け、前記各放電回路に、放電回路の放電電
流を放電回路と非接触状態で検出する電流検出センサを
設けたことを特徴とする光加熱装置。 - 【請求項２】 前記各電流検出センサによって検出され
た検出値に応じて、当該放電回路のコンデンサの充電電
圧を制御して当該閃光放電ランプの閃光量を所定値に制
御する電源制御回路を設けたことを特徴とする請求項１
に記載の光加熱装置。 - 【請求項３】 前記各電流検出センサによって検出され
た検出値に応じて、当該放電回路の異常を報知する表示
回路を設けたことを特徴とする請求項１に記載の光加熱
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398961A JP2003197556A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 光加熱装置 |
| US10/326,154 US6660973B2 (en) | 2001-12-28 | 2002-12-23 | Radiant heating apparatus and discharge current detecting circuit therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398961A JP2003197556A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 光加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197556A true JP2003197556A (ja) | 2003-07-11 |
Family
ID=19189408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001398961A Pending JP2003197556A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 光加熱装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6660973B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003197556A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011031110A3 (ko) * | 2009-09-11 | 2011-10-06 | 주식회사 루트로닉 | 정전류 펄스파 발생 장치와 방법, 이를 이용한 시술 방법 및 광 발생 장치 |
| JP2011204742A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2012064699A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2012104309A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Iwasaki Electric Co Ltd | 閃光放電ランプ点灯装置 |
| JP2013120705A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Iwasaki Electric Co Ltd | 閃光放電ランプ点灯装置及び光照射器 |
| JP2014130686A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Iwasaki Electric Co Ltd | 閃光放電ランプ点灯装置及び閃光照射装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4029613B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2008-01-09 | ウシオ電機株式会社 | 閃光放射装置および光加熱装置 |
| US7423385B1 (en) * | 2007-04-01 | 2008-09-09 | Lite Touch Ltd. | System and method for controlling voltage on discharge capacitors which control light energy from flash lamps |
| WO2018137735A1 (de) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | Gross, Leander Kilian | Verfahren und vorrichtung zum trennen verschiedener materialschichten eines verbundbauteils |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193024A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-11-01 | Ushio Inc | 閃光照射装置 |
| US4649261A (en) * | 1984-02-28 | 1987-03-10 | Tamarack Scientific Co., Inc. | Apparatus for heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc. |
| US4698486A (en) * | 1984-02-28 | 1987-10-06 | Tamarack Scientific Co., Inc. | Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc. |
| US4859832A (en) * | 1986-09-08 | 1989-08-22 | Nikon Corporation | Light radiation apparatus |
| JP4299959B2 (ja) | 2000-08-14 | 2009-07-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002141298A (ja) | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4058231B2 (ja) | 2000-11-13 | 2008-03-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001398961A patent/JP2003197556A/ja active Pending
-
2002
- 2002-12-23 US US10/326,154 patent/US6660973B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011031110A3 (ko) * | 2009-09-11 | 2011-10-06 | 주식회사 루트로닉 | 정전류 펄스파 발생 장치와 방법, 이를 이용한 시술 방법 및 광 발생 장치 |
| US9282620B2 (en) | 2009-09-11 | 2016-03-08 | Lutronic Corporation | Apparatus and method for generating constant current pulse wave, medical operation method using same, and light generating apparatus |
| JP2011204742A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2012064699A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2012104309A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Iwasaki Electric Co Ltd | 閃光放電ランプ点灯装置 |
| JP2013120705A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Iwasaki Electric Co Ltd | 閃光放電ランプ点灯装置及び光照射器 |
| JP2014130686A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Iwasaki Electric Co Ltd | 閃光放電ランプ点灯装置及び閃光照射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030121901A1 (en) | 2003-07-03 |
| US6660973B2 (en) | 2003-12-09 |
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