JP2003197092A - Method for manufacturing plasma display panel - Google Patents
Method for manufacturing plasma display panelInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐電圧特性の優れた誘電体膜を備えたプラズ
マディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 可塑剤を含む誘電体ペーストを、表示電
極6を形成したガラス基板3上に塗布し、その塗布膜に
おける残存可塑剤量比率が誘電体ペーストにおける可塑
剤量比率の8%〜29%の範囲内になるまで、乾燥させ
てから、焼成して、誘電体膜9を形成する。これによっ
て、乾燥後の塗布膜は柔軟性を有して内部応力が低減さ
れ、乾燥工程で発生するクラックを抑制できるため、ま
た、焼成工程でのクラック拡大や気泡発生が抑制され
て、良好な耐電圧特性をもつ誘電体膜を得ることができ
る。
[PROBLEMS] To provide a method of manufacturing a plasma display panel provided with a dielectric film having excellent withstand voltage characteristics. SOLUTION: A dielectric paste containing a plasticizer is applied on a glass substrate 3 on which a display electrode 6 is formed, and a remaining plasticizer amount ratio in the applied film is 8% to 29% of a plasticizer amount ratio in the dielectric paste. %, And then fired to form the dielectric film 9. Thereby, the coating film after drying has flexibility and internal stress is reduced, and cracks generated in the drying step can be suppressed. A dielectric film having withstand voltage characteristics can be obtained.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイス等に
用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、
特に誘電体膜形成工程での膜欠陥の発生を抑え、パネル
の製造歩留まりを向上させることができる製造方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel used for a display device or the like,
In particular, the present invention relates to a manufacturing method capable of suppressing the generation of film defects in the dielectric film forming process and improving the manufacturing yield of panels.
【0002】[0002]
【従来の技術】高品位テレビジョン画像を大画面で表示
するためのディスプレイ装置として、プラズマディスプ
レイパネル(以下PDPと称する)を使用した装置への
期待が高まっている。2. Description of the Related Art As a display device for displaying a high-definition television image on a large screen, a device using a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) is expected to be used.
【0003】PDPは、基本的には、前面板と背面板と
で構成されている。The PDP is basically composed of a front plate and a back plate.
【0004】前面板は、ガラス基板と、その一方の主面
上に形成されたストライプ状の透明電極およびバス電極
よりなる表示電極と、この表示電極を覆ってコンデンサ
としての働きをする誘電体膜と、この誘電体膜上に形成
されたMgO保護層とで構成されている。The front plate is composed of a glass substrate, a display electrode composed of a stripe-shaped transparent electrode and a bus electrode formed on one main surface of the glass substrate, and a dielectric film covering the display electrode and acting as a capacitor. And a MgO protective layer formed on this dielectric film.
【0005】誘電体膜は、通常、無機成分である鉛ホウ
珪酸系の低融点ガラス等の粉体と、バインダー成分とし
てのエチルセルロース樹脂と、溶剤とを混練して所定粘
度としたペーストを、印刷法、一括塗布法、または転写
法等で、表示電極上を含めてガラス基板の一主面上に所
定の膜厚に塗布し乾燥させてから、焼成することによっ
て形成されている。The dielectric film is usually formed by printing a paste having a predetermined viscosity by kneading powder such as lead borosilicate low melting point glass which is an inorganic component, ethyl cellulose resin as a binder component and a solvent. By a coating method, a batch coating method, a transfer method, or the like, is formed by coating a predetermined thickness on one main surface of the glass substrate including the display electrodes, drying, and baking.
【0006】一方、背面板は、ガラス基板と、その一方
の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、
このアドレス電極を覆う誘電体膜と、その上に形成され
た隔壁と、各隔壁間に形成された、赤色、緑色および青
色でそれぞれ発光する蛍光体層とで構成されている。On the other hand, the back plate has a glass substrate and stripe-shaped address electrodes formed on one main surface thereof.
It is composed of a dielectric film that covers the address electrodes, partition walls formed on the dielectric film, and phosphor layers that are formed between the partition walls and emit red, green, and blue light, respectively.
【0007】前面板と背面板とはその電極形成面側を対
向させて気密封着され、隔壁によって形成された放電空
間にはNe−Xe等の放電ガスが400Torr〜60
0Torrの圧力で封入されている。表示電極に映像信
号電圧を選択的に印加することによって放電ガスを放電
させ、それによって発生した紫外線が各色蛍光体層を励
起して赤色、緑色、青色の発光をさせて、カラー画像表
示を実現している。The front plate and the rear plate are hermetically sealed so that their electrode forming surfaces face each other, and a discharge gas such as Ne-Xe contains 400 Torr to 60 Torr in the discharge space formed by the partition wall.
It is sealed at a pressure of 0 Torr. A discharge gas is discharged by selectively applying a video signal voltage to the display electrodes, and the ultraviolet rays generated thereby excite the phosphor layers of each color to emit red, green, and blue light, thereby realizing a color image display. is doing.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、高品位テレ
ビジョン用PDPにおいては、画素密度が高くなること
で隔壁の密度も高くしなければならず、それに伴って画
素の開口率が低下し、それによって輝度が低下してしま
うというおそれがある。NTSC方式等の従来方式で使
用されるPDPと同等の輝度、効率を得るために、隔壁
幅を狭めて開口率の低下を極力抑えるとともに、放電ガ
スの分圧を調整し、さらには誘電体膜厚を薄くして放電
電圧を下げるとともに透過率を上げることが検討されて
いる。By the way, in the PDP for high-definition television, as the pixel density becomes high, the density of the partition walls must be made high, and the aperture ratio of the pixel is lowered accordingly. There is a risk that the brightness will be reduced. In order to obtain the same brightness and efficiency as the PDP used in the conventional method such as the NTSC method, the partition wall width is narrowed to suppress the decrease in the aperture ratio as much as possible, and the partial pressure of the discharge gas is adjusted. It has been studied to reduce the discharge voltage by decreasing the thickness and increase the transmittance.
【0009】誘電体膜厚を薄くしていくと、それに伴っ
て耐電圧特性が低下し、PDPそのものの信頼性が低下
するだけでなく、PDPの製造歩留まりの低下もひき起
こしてしまうおそれが生じる。これは、誘電体膜が薄く
なると、膜中にあるクラックや気泡が耐電圧特性に好ま
しくない影響を及ぼす可能性が高くなるからである。As the dielectric film thickness is reduced, the withstand voltage characteristic is deteriorated accordingly, and not only the reliability of the PDP itself is deteriorated, but also the production yield of the PDP may be decreased. . This is because as the dielectric film becomes thinner, cracks and bubbles in the film are more likely to adversely affect the withstand voltage characteristics.
【0010】誘電体膜中にクラックや気泡等といった欠
陥を生じてしまう主な要因は、その形成方法にあると考
えられる。It is considered that the main factor that causes defects such as cracks and bubbles in the dielectric film is its forming method.
【0011】上述したように、誘電体膜は、無機成分の
粉体とバインダー成分、溶剤からなるペーストを所定の
厚さに塗布してから乾燥炉内で所定温度に保持して乾燥
させてから、焼成することによって形成される。As described above, the dielectric film is formed by applying a paste containing an inorganic powder, a binder component, and a solvent to a predetermined thickness, holding it at a predetermined temperature in a drying oven, and drying it. Formed by firing.
【0012】ペーストを塗布した後乾燥させる過程で、
ペースト中の溶剤成分が蒸発する。それに伴って、塗布
膜が膜厚方向および膜面内方向に収縮し、この収縮現象
が欠陥発生をひき起こしている。また、塗布膜の乾燥終
了後、乾燥炉から基板を取り出した際の温度変化によ
る、塗布膜とそれを支持するガラス基板の収縮度合の差
違によって、さらには焼成工程での溶剤、樹脂材料の脱
媒によっても欠陥が発生しているのではないかと推測さ
れる。In the process of applying the paste and then drying it,
The solvent component in the paste evaporates. Along with that, the coating film shrinks in the film thickness direction and the film in-plane direction, and this shrinkage phenomenon causes the occurrence of defects. In addition, after the coating film is dried, the difference in shrinkage between the coating film and the glass substrate supporting it due to the temperature change when the substrate is taken out of the drying oven, and the solvent and resin material being removed during the baking process It is speculated that the medium may also cause defects.
【0013】乾燥工程において塗布膜に応力が発生する
様子を、図8(a),(b)を用いて説明する。How stress is generated in the coating film in the drying step will be described with reference to FIGS. 8 (a) and 8 (b).
【0014】図8(a)は、乾燥ピーク温度に保持した
ときに塗布膜に発生する応力の分布を示している。塗布
膜から溶剤等が蒸発するに従ってその膜厚が減少する。
そのときの収縮量は、膜表面側の領域とガラス基板側の
領域とで異なる。それによって、塗布膜内に応力が発生
して、クラックが生じやすくなり、さらには発生してし
まう。FIG. 8A shows the distribution of stress generated in the coating film when the dry peak temperature is maintained. The film thickness decreases as the solvent or the like evaporates from the coating film.
The amount of shrinkage at that time differs between the region on the film surface side and the region on the glass substrate side. As a result, stress is generated in the coating film, and cracks are easily generated, and further, cracks are generated.
【0015】一方、図8(b)は、乾燥ピーク温度から
室温に冷却する際に応力が発生する様子を示している。
乾燥した塗布膜とガラス基板との熱膨張率が異なるため
に、膜内に引っ張り応力が発生する。この応力によって
も、塗布膜内にクラックが発生しやすくなり、さらには
発生してしまう。この状態で焼成すると、その過程で膜
内部にクラックが生じて気泡が発生したり、あるいは膜
内にあったクラックが拡大したりする。On the other hand, FIG. 8B shows how stress is generated when cooling from the dry peak temperature to room temperature.
Since the coefficient of thermal expansion of the dried coating film is different from that of the glass substrate, tensile stress is generated in the film. This stress also easily causes cracks in the coating film, and further causes cracks. If firing is performed in this state, cracks may be generated inside the film in the process to generate bubbles, or cracks in the film may be expanded.
【0016】これらの誘電体膜中の欠陥発生は、基板側
に配置されたバス電極の形状に影響される。すなわち図
9(a)に示すような薄膜バス電極では、電極厚みd1
が約3μmである。一方、図9(b)に示す厚膜バス電
極では、電極厚みd2が約7μmである。なお、薄膜バ
ス電極については蒸着法で形成し、厚膜バス電極につい
ては導電ペーストを所定の厚さに塗布し、焼成して作製
した。The generation of defects in these dielectric films is influenced by the shape of the bus electrodes arranged on the substrate side. That is, in the thin film bus electrode as shown in FIG. 9A, the electrode thickness d1
Is about 3 μm. On the other hand, in the thick film bus electrode shown in FIG. 9B, the electrode thickness d2 is about 7 μm. The thin film bus electrode was formed by vapor deposition, and the thick film bus electrode was prepared by applying a conductive paste to a predetermined thickness and firing.
【0017】薄膜バス電極を使用した場合には、誘電体
膜を塗布・焼成して形成しても、バス電極が薄いことか
ら膜内にクラックや気泡の生じてしまうおそれが少な
く、良好な特性の誘電体膜が得られる。When a thin film bus electrode is used, even if a dielectric film is formed by coating and baking, the bus electrode is thin, so there is little risk of cracks and bubbles in the film, and good characteristics are obtained. A dielectric film of is obtained.
【0018】一方、厚膜バス電極上を含むガラス基板上
に誘電体ペースト材料を塗布し、塗布膜を形成したと
き、バス電極そのものが厚いことからその段差部分に空
洞が発生しやすい。空洞が発生すると、誘電体膜の耐電
圧特性が大きく低下することになる。On the other hand, when the dielectric paste material is applied onto the glass substrate including the thick film bus electrode to form the applied film, the bus electrode itself is thick, so that a cavity is likely to occur in the step portion. When the void is generated, the dielectric strength characteristics of the dielectric film are significantly deteriorated.
【0019】誘電体膜にクラックや気泡等の欠陥が含ま
れていると、表示電極に放電電圧を印加したときに絶縁
破壊が発生して、画面不灯等の品質不良を発生させる。
誘電体膜の絶縁破壊は前面板単体の絶縁破壊検査で生じ
る場合と、前面板と背面板とを組み立てた後のパネルエ
ージング工程で発生する場合がある。パネルエージング
後に発生すると、そのパネルが不良品となる。したがっ
て、欠陥のない誘電体膜を形成し、それによる絶縁不良
を防止することが、PDPの製造歩留まりを高める上で
きわめて重要である。If the dielectric film contains defects such as cracks and bubbles, dielectric breakdown occurs when a discharge voltage is applied to the display electrodes, which causes quality defects such as screen failure.
Dielectric breakdown of the dielectric film may occur in a dielectric breakdown inspection of the front plate alone or in a panel aging process after assembling the front plate and the back plate. If it occurs after panel aging, the panel becomes defective. Therefore, it is extremely important to form a defect-free dielectric film and prevent insulation failure due to the dielectric film in order to increase the manufacturing yield of PDPs.
【0020】本発明は、前面板における誘電体膜でのク
ラックや気泡等の欠陥発生を抑制し、高品位の表示が可
能なPDPを製造する方法の提供を目的とする。It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a PDP capable of suppressing defects such as cracks and bubbles in a dielectric film on a front plate and displaying a high quality image.
【0021】[0021]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法
は、ガラス基板の一方の面上に表示電極を形成する工程
と、表示電極を覆ってガラス基板の一方の面上に、少な
くともガラス粉末、樹脂材料、可塑剤および溶剤からな
る誘電体ペーストを塗布する工程と、誘電体ペーストの
塗布膜における残存可塑剤量比率が誘電体ペーストにお
ける可塑剤量比率の8%〜29%の範囲内になるまで、
塗布膜を乾燥させる工程と、乾燥後の塗布膜を焼成する
工程とを有することを特徴とする。In order to solve the above problems, a method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention comprises a step of forming a display electrode on one surface of a glass substrate, and a glass covering the display electrode. The step of applying a dielectric paste consisting of at least glass powder, a resin material, a plasticizer and a solvent on one surface of the substrate, and the residual plasticizer amount ratio in the coating film of the dielectric paste is the plasticizer amount in the dielectric paste. Until the ratio is within the range of 8% -29%,
The method is characterized by including a step of drying the coating film and a step of baking the coating film after drying.
【0022】このように誘電体ペーストの塗布膜を、残
存可塑剤量比率が誘電体ペースト可塑剤量比率の8%〜
29%まで乾燥させることで、乾燥後の塗布膜は柔軟性
を有して内部応力が低減され、乾燥工程で発生するクラ
ックを抑制できるため、焼成工程でのクラック拡大や気
泡発生が抑制される。これら欠陥の発生を抑制すること
によって、良好な耐電圧特性をもつ誘電体膜を得ること
ができることから、PDPの製造歩留まりを向上させる
ことができる。In this way, the coating film of the dielectric paste has a residual plasticizer content ratio of 8% to 8% of the dielectric paste plasticizer content ratio.
By drying up to 29%, the coating film after drying has flexibility and internal stress is reduced, and cracks generated in the drying step can be suppressed, so that crack expansion and bubble generation in the baking step are suppressed. . By suppressing the generation of these defects, it is possible to obtain a dielectric film having good withstand voltage characteristics, so that the manufacturing yield of PDPs can be improved.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0024】図1は、実施の形態にかかるPDPの主要
構成を示す要部断面斜視図である。図において、z方向
がPDPの厚み方向に、またxy面がPDP面に平行な
平面に相当する。図2は図1のA−A断面矢視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view of a cross section of a main part showing a main structure of a PDP according to an embodiment. In the figure, the z direction corresponds to the thickness direction of the PDP and the xy plane corresponds to a plane parallel to the PDP surface. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.
【0025】図1に示すように、PDPは、互いに対向
させて配置された前面板1および背面板2で構成され
る。As shown in FIG. 1, the PDP is composed of a front plate 1 and a rear plate 2 arranged to face each other.
【0026】前面板1において、前面ガラス基板3の背
面板2側の面上に、ストライプ状の透明電極4がx方向
を長手方向として複数本平行に形成されている。さらに
透明電極4よりも十分に幅が狭く、導電性に優れたバス
電極5が、図2に示すように、奇数番目の透明電極4に
ついては長手方向の一方の端縁に沿って、また偶数番目
の透明電極4については長手方向の他方の端縁に沿って
それぞれ積層されて、表示電極6が構成されている。隣
接する表示電極6の、バス電極5に覆われている端縁側
の間それぞれには、遮光層7が設けられている。この遮
光層7は非発光時に蛍光体層8を遮蔽するためのもので
ある。In the front plate 1, a plurality of stripe-shaped transparent electrodes 4 are formed in parallel on the surface of the front glass substrate 3 on the rear plate 2 side with the x direction as the longitudinal direction. Further, as shown in FIG. 2, the bus electrode 5 having a sufficiently narrow width and excellent conductivity is provided along the one end of the transparent electrode 4 in the longitudinal direction and in the even number, as shown in FIG. The second transparent electrode 4 is laminated along the other edge in the longitudinal direction to form the display electrode 6. A light-shielding layer 7 is provided between each of the adjacent display electrodes 6 on the edge side covered with the bus electrode 5. The light shielding layer 7 is for shielding the phosphor layer 8 when no light is emitted.
【0027】そして、前面ガラス基板3の、表示電極6
と遮光層7とを配設した面上に、表示電極6上および遮
光層7上を含めて、誘電体膜9が形成され、さらに誘電
体膜9上全域に保護膜10が積層されている。Then, the display electrodes 6 on the front glass substrate 3 are formed.
A dielectric film 9 including the display electrode 6 and the light-shielding layer 7 is formed on the surface on which the light-shielding layer 7 and the light-shielding layer 7 are provided, and a protective film 10 is laminated on the entire area of the dielectric film 9. .
【0028】表示電極6は相隣り合う遮光層7の間に形
成された表示電極6Aと6Bにより一対の表示電極を構
成しており、一つの表示画素に対応している。The display electrode 6 constitutes a pair of display electrodes by the display electrodes 6A and 6B formed between the light shielding layers 7 adjacent to each other, and corresponds to one display pixel.
【0029】背面板2において、背面ガラス基板11
の、前面板1側の面上に、複数のアドレス電極12がy
方向を長手方向としてストライプ状に並設され、さらに
アドレス電極12を覆って背面板誘電体膜13が形成さ
れている。そして、ストライプ状の隔壁14が、背面板
誘電体膜13面の、アドレス電極12間の領域それぞれ
の直上に位置するよう、配設されている。隔壁14と背
面板誘電体膜13とで構成されるストライプ状の凹部に
は、赤色、緑色、および青色で発光する蛍光体層8が規
則的に配置、形成されている。In the rear plate 2, the rear glass substrate 11
Of the plurality of address electrodes 12 on the surface of the front plate 1 side.
A back plate dielectric film 13 is formed so as to be arranged side by side in a stripe pattern with the direction being the longitudinal direction and to cover the address electrodes 12. Then, the stripe-shaped partition walls 14 are arranged so as to be located directly above the regions between the address electrodes 12 on the surface of the back plate dielectric film 13. Phosphor layers 8 that emit red, green, and blue light are regularly arranged and formed in the stripe-shaped concave portions formed by the partition walls 14 and the back plate dielectric film 13.
【0030】このような構成を有する前面板1と背面板
2とは、図1に示すように、アドレス電極12と表示電
極6とが直交するように対向させて配置され、背面板2
の隔壁14と背面板誘電体膜13とで構成されたストラ
イプ状凹部と、前面板1の保護膜10とで囲まれた空間
には、後述するように放電ガスが充填され、前面板1と
背面板2の外周縁部が封着ガラスで封止されている。As shown in FIG. 1, the front plate 1 and the rear plate 2 having such a structure are arranged so that the address electrodes 12 and the display electrodes 6 face each other at right angles, and the rear plate 2
The space surrounded by the stripe-shaped concave portions formed by the partition walls 14 and the back plate dielectric film 13 and the protective film 10 of the front plate 1 is filled with a discharge gas as described later, The outer peripheral edge of back plate 2 is sealed with sealing glass.
【0031】これにより、隣接する隔壁14間に放電空
間15が形成され、図2に示すように、隣り合う一対の
表示電極6A、6Bと1本のアドレス電極12とが交叉
する領域が放電空間15となり、画像表示にかかわるセ
ルとなる。放電空間15には、He、Xe、またはNe
等の希ガス成分からなる放電ガス(封入ガス)が400
〜600Torr程度の圧力で封入されている。As a result, a discharge space 15 is formed between the adjacent barrier ribs 14 and, as shown in FIG. 2, a discharge space is formed in a region where a pair of adjacent display electrodes 6A and 6B and one address electrode 12 intersect. The cell becomes 15, which is a cell related to image display. He, Xe, or Ne is contained in the discharge space 15.
Discharge gas (filled gas) consisting of rare gas components such as
It is sealed at a pressure of about 600 Torr.
【0032】PDP駆動時には各セルにおいて、アドレ
ス電極12と表示電極6、また一対の表示電極6A,6
B同士での放電によって短波長の紫外線(波長約147
nm)が発生し、蛍光体層8が発光して画像表示がなさ
れる。At the time of driving the PDP, in each cell, the address electrode 12 and the display electrode 6, and the pair of display electrodes 6A, 6 are provided.
Short-wave ultraviolet light (wavelength of about 147
nm) is generated, and the phosphor layer 8 emits light to display an image.
【0033】次に、前面板1の具体的な製造方法の実施
例について説明する。Next, an example of a specific method for manufacturing the front plate 1 will be described.
【0034】(実施例1)厚さ約2.8mmのソーダー
ガラスからなる前面ガラス基板3上に、厚さ約3000
ÅのITO(Indium Tin Oxide)膜ま
たはSnO2膜等をスパッタ法や真空蒸着法等により形
成した後、ストライプ状にパターンニングして透明電極
4を形成する。さらに、この透明電極4の所定部位上
に、感光性銀ペーストを塗布した後フォトリソ技術でパ
ターニングするか、あるいはスクリーン印刷法等の厚膜
形成技術でストライプ状に印刷してバス電極5を形成す
る。これらの透明電極4とバス電極5で表示電極6を構
成する。(Example 1) A front glass substrate 3 made of soda glass having a thickness of about 2.8 mm was coated with a thickness of about 3000.
An ITO (Indium Tin Oxide) film or SnO 2 film of Å is formed by a sputtering method, a vacuum evaporation method or the like, and then patterned in a stripe shape to form the transparent electrode 4. Further, a bus electrode 5 is formed by applying a photosensitive silver paste on a predetermined portion of the transparent electrode 4 and then patterning it by a photolithography technique or by printing it in a stripe shape by a thick film forming technique such as a screen printing method. . The transparent electrode 4 and the bus electrode 5 form a display electrode 6.
【0035】なお、バス電極5を、薄膜形成技術を用い
てCr−Cu−Crの3層を積層することによって形成
してもよい。The bus electrode 5 may be formed by laminating three layers of Cr-Cu-Cr using a thin film forming technique.
【0036】隣接する表示電極6の間に、感光性の遮光
黒色ペーストを塗布した後フォトリソ技術でパターンニ
ングするか、あるいはスクリーン印刷法等の厚膜形成技
術でストライプ状に印刷して遮光層7を形成する。A photosensitive light-shielding black paste is applied between adjacent display electrodes 6 and then patterned by a photolithography technique, or printed in stripes by a thick film forming technique such as a screen printing method to form a light-shielding layer 7. To form.
【0037】表示電極6および遮光層7を作製した前面
ガラス基板3の面上に、誘電体膜9を形成する方法につ
いて説明する。A method of forming the dielectric film 9 on the surface of the front glass substrate 3 on which the display electrodes 6 and the light shielding layer 7 are formed will be described.
【0038】上述したように、前面ガラス基板3上に透
明電極4、バス電極5、および遮光層7を形成する。バ
ス電極5については、薄膜形成技術を用いて作製したも
のであってもよい。As described above, the transparent electrode 4, the bus electrode 5 and the light shielding layer 7 are formed on the front glass substrate 3. The bus electrode 5 may be manufactured using a thin film forming technique.
【0039】無機成分としての鉛硼酸系ガラス粉体と、
樹脂成分としてのエチルセルロースと、溶剤と、可塑剤
とを、重量比で70:4.8:24:1.2の割合で混
合しペースト化する。α−ターピネオールとEP酢酸ジ
エチレングリコールモノnブチルエーテル(以下BCA
と称する)をそれぞれ重量比で20:80の割合で混合
して溶剤を作製する。この溶剤と、高分子樹脂エチルセ
ルロースと、可塑剤であるフタル酸ジブチル(以下DB
Pと称する)とでビヒクルを作製する。このビヒクルと
鉛硼酸系ガラス(PbO・B2O3・SiO2・CaO)
粉末とを30:70の重量比で混合し、誘電体膜形成用
ペーストを作製する。なお、上記エチルセルロース樹脂
に代えてアクリル系樹脂を使用することもできる。Lead boric acid type glass powder as an inorganic component,
Ethyl cellulose as a resin component, a solvent, and a plasticizer are mixed at a weight ratio of 70: 4.8: 24: 1.2 to form a paste. α-Terpineol and EP acetic acid diethylene glycol mono-n-butyl ether (hereinafter BCA
(Referred to as ") are mixed at a weight ratio of 20:80 to prepare a solvent. This solvent, polymer resin ethyl cellulose, and plasticizer dibutyl phthalate (hereinafter DB
Vehicle). This vehicle and lead borate glass (PbO ・ B 2 O 3・ SiO 2・ CaO)
The powder is mixed in a weight ratio of 30:70 to prepare a dielectric film forming paste. An acrylic resin may be used instead of the ethyl cellulose resin.
【0040】このペーストを、透明電極4とバス電極5
とが形成されている前面ガラス基板3の面上に、これら
電極4,5の面上を含めてダイコート法で塗布印刷す
る。誘電体膜9の膜厚を約30μmとするため、誘電体
形成用ペーストの塗布膜の厚さを約100μmとした。
無論、ダイコート法に代えてスクリーン印刷を多数回繰
り返して、所定の膜厚の塗布膜としてもよい。この例で
は、量産性に優れていることから、ダイコート法で塗布
膜を形成した。This paste is used for the transparent electrode 4 and the bus electrode 5.
On the surface of the front glass substrate 3 on which are formed, including the surfaces of the electrodes 4 and 5, coating printing is performed by a die coating method. Since the thickness of the dielectric film 9 is about 30 μm, the thickness of the coating film of the dielectric forming paste is about 100 μm.
Of course, instead of the die coating method, screen printing may be repeated many times to form a coating film having a predetermined film thickness. In this example, since the mass productivity is excellent, the coating film was formed by the die coating method.
【0041】図3はダイコート法で誘電体膜を形成する
方法について示す。FIG. 3 shows a method of forming a dielectric film by a die coating method.
【0042】図3に示すように、表示電極および遮光膜
(いずれも図示せず)を上側にして前面ガラス基板3を
テーブル16上に載置する。粘度を3×105センチポ
アズ以下としたペースト17を、タンク18の中に入
れ、ポンプ19にてダイコータヘッド20に導き、ヘッ
ドノズル21からペースト17を前面ガラス基板3上に
吐出させる。このとき、ヘッドノズル21またはテーブ
ル16のいずれか一方を移動させることによって、前面
ガラス基板3の全面に誘電体膜9の塗布膜22を形成す
る。As shown in FIG. 3, the front glass substrate 3 is placed on the table 16 with the display electrode and the light-shielding film (neither shown) on the upper side. A paste 17 having a viscosity of 3 × 10 5 centipoise or less is placed in a tank 18, guided to a die coater head 20 by a pump 19, and the paste 17 is discharged from a head nozzle 21 onto the front glass substrate 3. At this time, the coating film 22 of the dielectric film 9 is formed on the entire surface of the front glass substrate 3 by moving either the head nozzle 21 or the table 16.
【0043】次に塗布膜22を乾燥させ、塗布膜22に
含まれている溶剤成分を除去する。これにより、次の焼
成工程での焼成負荷を減らすことができる。Next, the coating film 22 is dried to remove the solvent component contained in the coating film 22. This can reduce the firing load in the next firing step.
【0044】図4に乾燥プロセスの温度プロファイルを
示す。塗布膜22が形成された前面ガラス基板3を、最
高温度を溶剤沸点より低い130℃の温度に設定した赤
外線(IR)乾燥炉に入れ、所定時間保持して塗布膜を
乾燥させる。そして、室温まで徐冷してから、焼成す
る。塗布膜の加熱方法としては、赤外線乾燥炉に代えて
ホットプレートを使用する方法や、熱風炉等を使用する
方法であってもよい。FIG. 4 shows the temperature profile of the drying process. The front glass substrate 3 on which the coating film 22 is formed is placed in an infrared (IR) drying furnace in which the maximum temperature is set to a temperature of 130 ° C. lower than the boiling point of the solvent, and the coating film is dried by holding it for a predetermined time. Then, it is gradually cooled to room temperature and then fired. As a method for heating the coating film, a method of using a hot plate instead of the infrared drying oven or a method of using a hot air oven or the like may be used.
【0045】次に、乾燥させた塗布膜を有する前面ガラ
ス基板を、図6に示す温度プロファイルに設定された焼
成炉を使用して焼成する。Next, the front glass substrate having the dried coating film is fired using a firing furnace set to the temperature profile shown in FIG.
【0046】図5に示すように、まず、塗布膜付き前面
ガラス基板を温度350℃まで徐々に加熱し、この温度
で所定時間保持して塗布膜の脱媒を行う。それから、さ
らに昇温して580℃で10分焼成を行う。焼成後、室
温まで徐冷する。このようにして、誘電体膜を備えた前
面ガラス基板を完成する。As shown in FIG. 5, first, the front glass substrate with a coating film is gradually heated to a temperature of 350 ° C. and kept at this temperature for a predetermined time to desolvate the coating film. Then, the temperature is further raised and baking is performed at 580 ° C. for 10 minutes. After firing, it is gradually cooled to room temperature. In this way, the front glass substrate provided with the dielectric film is completed.
【0047】上述のように塗布膜の原料であるペースト
に可塑剤を添加含有させると、塗布膜が過度に乾燥して
しまうことが防止され、乾燥後の塗布膜に柔軟性が付与
される。これによって、可塑剤を含有させなかった場合
に比べて、塗布膜を焼成して得た誘電体膜に発生する応
力を低減させることができる。As described above, when a plasticizer is added to the paste which is the raw material of the coating film, the coating film is prevented from being excessively dried, and flexibility is imparted to the coating film after drying. Thereby, the stress generated in the dielectric film obtained by firing the coating film can be reduced as compared with the case where the plasticizer is not contained.
【0048】室温に保持したときに誘電体膜に残存する
応力の大きさと、誘電体膜の絶縁破壊に対する耐電圧特
性との関係について検討した結果、乾燥後の塗布膜にお
ける残存可塑剤量比率を規定することによって、誘電体
膜の耐電圧特性を高めることができることが明らかにな
った。As a result of examining the relationship between the magnitude of the stress remaining in the dielectric film when kept at room temperature and the withstand voltage characteristic against the dielectric breakdown of the dielectric film, the residual plasticizer amount ratio in the coated film after drying was determined. It has been clarified that the withstand voltage characteristic of the dielectric film can be improved by the regulation.
【0049】上述した組成比率のペーストを用いて形成
した塗布膜について、図4に示した温度プロファイルで
ピーク温度の保持時間Thを選ぶことによって、塗布膜
における残存可塑剤量比率の異なる試料を作製し、温度
580℃で10分間保持して、焼成した。With respect to the coating film formed by using the paste having the above composition ratio, samples having different residual plasticizer amount ratios in the coating film were prepared by selecting the holding time Th of the peak temperature in the temperature profile shown in FIG. Then, the temperature was maintained at 580 ° C. for 10 minutes, and firing was performed.
【0050】なお、残存可塑剤量比率とは、ペースト状
態での可塑剤含有比率に対する、焼成前の塗布膜におけ
る可塑剤含有比率の割合をいう。The residual plasticizer content ratio means the ratio of the plasticizer content ratio in the coating film before firing to the plasticizer content ratio in the paste state.
【0051】得られた誘電体形成用塗布膜それぞれにつ
いて、その中に内在している残留応力について測定した
ところ、図6に示す結果が得られた。横軸には焼成前の
塗布膜における残存可塑剤量比率を示す。Each of the obtained dielectric-forming coating films was measured for residual stress contained therein, and the results shown in FIG. 6 were obtained. The horizontal axis represents the residual plasticizer amount ratio in the coating film before firing.
【0052】さらに、それらの塗布膜を図5に示す焼成
プロファイルによって焼成して誘電体膜を作成し、得ら
れた誘電体膜それぞれに所定電圧を印加したときの、絶
縁不良発生率についても測定した。この結果を図6に示
す。Further, the coating films were baked according to the baking profile shown in FIG. 5 to form dielectric films, and the insulation failure occurrence rate was also measured when a predetermined voltage was applied to each of the obtained dielectric films. did. The result is shown in FIG.
【0053】図6から明らかなように、塗布膜中の残留
応力は、残存可塑剤量比率が増大するに従って減少し、
残存可塑剤量比率が8%以上で実質的に一定の値とな
る。さらに残存可塑剤量比率が増大し、29%を超える
と残留応力が若干大きくなることが認められた。As is clear from FIG. 6, the residual stress in the coating film decreases as the residual plasticizer content ratio increases,
When the residual plasticizer amount ratio is 8% or more, it becomes a substantially constant value. Further, it was confirmed that the residual plasticizer amount ratio increased, and when it exceeded 29%, the residual stress increased a little.
【0054】誘電体膜の絶縁不良発生についても、残存
可塑剤量比率が8%〜29%の範囲内であるとき認めら
れず、きわめて良好な耐電圧特性を示すことが明らかと
なった。すなわち、残存可塑剤量比率が8%より低くな
ると、絶縁不良発生率がいちじるしく増大する。一方、
その値が29%を超えると、やはり絶縁不良発生率が増
大する。The occurrence of insulation failure of the dielectric film was not observed when the residual plasticizer content ratio was within the range of 8% to 29%, and it was revealed that the dielectric film exhibited extremely good withstand voltage characteristics. That is, when the residual plasticizer amount ratio is lower than 8%, the insulation failure occurrence rate remarkably increases. on the other hand,
If the value exceeds 29%, the insulation failure occurrence rate also increases.
【0055】このような、塗布膜における残存可塑剤量
比率と、誘電体膜における残留応力との関係から、塗布
膜における残存可塑剤量比率が低すぎると、すなわち過
乾燥の状態のときに、残留応力が大きくなり、残存可塑
剤量比率が高くなると残量応力はほぼ一定の値となるこ
とがわかる。一方、塗布膜における残存可塑剤量比率と
誘電体膜の絶縁不良発生率との関係から、過乾燥状態で
は残留応力の増加によってクラック等の欠陥が増加し、
可塑剤量が過度に多く残留する場合には、焼成時の脱媒
過程で可塑剤により膜内に気泡が発生し、その気泡が膜
中から抜け切らずに残存し、その結果として耐電圧特性
が低下し、結果として絶縁不良率が増加したのではない
かと推測される。From the relationship between the residual plasticizer amount ratio in the coating film and the residual stress in the dielectric film, if the residual plasticizer amount ratio in the coating film is too low, that is, in the overdried state, It can be seen that the residual stress becomes almost constant when the residual stress increases and the residual plasticizer amount ratio increases. On the other hand, from the relationship between the residual plasticizer amount ratio in the coating film and the insulation failure occurrence rate of the dielectric film, defects such as cracks increase due to an increase in residual stress in the overdried state,
If the amount of plasticizer remains excessively large, air bubbles will be generated in the film due to the plasticizer during the desolvation process during firing, and the air bubbles will remain without being removed from the film, resulting in withstand voltage characteristics. It is presumed that the insulation failure rate increased and the insulation failure rate increased as a result.
【0056】これから明らかなように、誘電体膜の絶縁
不良の発生を低減し、耐電圧特性を高める上で、焼成前
の塗布膜における残存可塑剤量比率を8%〜29%の範
囲内とすることが望ましい。As is apparent from the above, in order to reduce the occurrence of insulation failure of the dielectric film and enhance the withstand voltage characteristics, the residual plasticizer amount ratio in the coating film before firing is set within the range of 8% to 29%. It is desirable to do.
【0057】図7は、誘電体膜に対する印加電圧を異な
らせたときの、塗布膜における残存可塑剤量比率と、そ
れから作製した誘電体膜の絶縁不良発生率との関係を示
す。FIG. 7 shows the relationship between the residual plasticizer amount ratio in the coating film and the insulation failure occurrence rate in the dielectric film produced from the coating film when the applied voltage to the dielectric film is varied.
【0058】図7において、Aは通常のパネル特性試験
に使用する電圧の1.5倍の電圧を印加した結果であ
り、Bは同じく2倍の電圧を、またCは3倍の電圧をそ
れぞれ印加して得た結果である。In FIG. 7, A is the result of applying a voltage which is 1.5 times the voltage used in the normal panel characteristic test, B is the same voltage twice, and C is the voltage tripled. It is the result obtained by applying.
【0059】図7から明らかなように、印加電圧を増大
させるに従って、残存可塑剤量比率の望ましい範囲が狭
くなっている。残存可塑剤量比率が11%〜29%の範
囲内であれば、通常試験電圧の1.5倍においても良好
な耐電圧特性が保証される。より高い安全性を保証する
必要があるときには、好ましくは12%〜29%、さら
に好ましくは15%〜25%の範囲内とする。As is apparent from FIG. 7, the desirable range of the residual plasticizer amount ratio becomes narrower as the applied voltage is increased. When the residual plasticizer amount ratio is within the range of 11% to 29%, good withstand voltage characteristics are guaranteed even at 1.5 times the normal test voltage. When higher safety needs to be ensured, the range is preferably 12% to 29%, more preferably 15% to 25%.
【0060】上述したように、厚膜プロセスによってバ
ス電極を形成した場合には、その厚みが大きいことによ
る電極段差部での空洞発生の抑制が重要となる。本発明
ではペースト中に可塑剤を含ませてペーストに柔軟性を
付与し、塗布膜の乾燥工程においてもバス電極側面に付
着した状態が維持されるように残存可塑剤量を制御する
ことで、乾燥工程で塗布膜が硬化するときに電極側面か
ら剥離することによって空洞が発生することを抑制して
いる。As described above, when the bus electrode is formed by the thick film process, it is important to suppress the generation of voids in the electrode step portion due to its large thickness. In the present invention, by adding a plasticizer to the paste to impart flexibility to the paste, and controlling the amount of residual plasticizer so that the state of being adhered to the side surface of the bus electrode is maintained even in the step of drying the coating film, When the coating film is hardened in the drying step, peeling from the side surface of the electrode prevents generation of a cavity.
【0061】なお、塗布膜の乾燥については、乾燥と焼
成を連続的に行ってもよいことは言うまでもない。Needless to say, the coating film may be dried and baked continuously.
【0062】(実施例2)本発明を、バス電極と誘電体
膜を同時焼成するプロセスに適用した実施例について述
べる。同時焼成は焼成プロセスのエネルギー消費量の削
減を目的として、乾燥まで行って積層した複数の厚膜を
一回で焼成するプロセスである。Example 2 An example in which the present invention is applied to a process of simultaneously firing a bus electrode and a dielectric film will be described. The co-firing is a process in which a plurality of thick films stacked up to drying are fired at once in order to reduce energy consumption in the firing process.
【0063】前面板の場合、バス電極形成用の印刷膜を
乾燥させてから、誘電体膜形成用の塗布膜を塗布形成
し、それを乾燥させた後、焼成してバス電極とその上の
誘電体膜とを同時に形成する。In the case of the front plate, the printed film for forming the bus electrodes is dried, and then the coating film for forming the dielectric film is formed by coating, and after drying, the baked film is fired to form the bus electrode and the layer above it. A dielectric film is formed at the same time.
【0064】同時焼成の場合、バス電極形成用塗布膜が
焼成前であるため、図9(b)に示す膜厚d2が焼成後
の膜厚の約2倍の約15μmと大きくなる。したがっ
て、誘電体膜形成用塗布膜の乾燥工程で、バス電極形成
用塗布膜段差部での空洞が発生しやすくなる。また、焼
成工程の脱媒過程では、バス電極形成領域における塗布
膜の収縮量が焼成済みバス電極の場合に比べて大きくな
り、膜に発生する応力が大きくなる。In the case of simultaneous firing, since the coating film for forming the bus electrodes has not yet been fired, the film thickness d2 shown in FIG. 9B becomes about 15 μm, which is about twice the film thickness after firing. Therefore, in the step of drying the dielectric film-forming coating film, cavities are likely to occur at the bus electrode forming coating film step portion. Further, in the degassing process of the firing process, the amount of shrinkage of the coating film in the bus electrode formation region is larger than that of the fired bus electrode, and the stress generated in the film is large.
【0065】本発明では、誘電体ペーストに可塑剤を添
加し、乾燥工程で可塑剤を所定量残存させており、バス
電極形成用塗布膜側面と誘電体膜形成用塗布膜とが付着
した状態を維持できる。そのため乾燥工程で空洞が発生
せず、なおかつ収縮に伴い発生する応力を低減させるこ
とができる。In the present invention, a plasticizer is added to the dielectric paste, and a predetermined amount of the plasticizer is left in the drying step, so that the side surface of the coating film for forming the bus electrode and the coating film for forming the dielectric film adhere to each other. Can be maintained. Therefore, voids are not generated in the drying process, and the stress generated due to shrinkage can be reduced.
【0066】また本実施例では、可塑剤として沸点が3
40℃のDBPを用い、図5の焼成プロファイルで脱媒
過程での温度を350℃とした。その結果、脱媒過程ま
で可塑剤を塗布膜中に存在させることにより、大きな収
縮量を有する場合でも誘電体膜形成用塗布膜中の応力を
低減でき、焼成が可能となった。In this embodiment, the plasticizer has a boiling point of 3
Using 40 ° C. DBP, the temperature in the desolvation process was set to 350 ° C. in the firing profile of FIG. As a result, by allowing the plasticizer to exist in the coating film until the desolvation process, the stress in the coating film for forming the dielectric film can be reduced even if the coating film has a large shrinkage amount, and the baking can be performed.
【0067】このように本発明によれば、焼成プロセス
の合理化を図るための同時焼成プロセスにおいて特にそ
の効果を発現する。As described above, according to the present invention, the effect is particularly exhibited in the simultaneous firing process for rationalizing the firing process.
【0068】乾燥膜中に残留する可塑剤量の制御は、所
定ピーク温度の保持時間あるいはピーク温度によって制
御する方法や両者の組み合わせ等が考えられる。The control of the amount of the plasticizer remaining in the dried film may be carried out by a method of controlling the holding time of a predetermined peak temperature or the peak temperature, or a combination of the two.
【0069】このように本発明はPDPのガラス基板等
の大面積基板に数十μm以上の厚膜を欠陥なしで形成す
る場合に有効な製造方法である。As described above, the present invention is an effective manufacturing method when a thick film of several tens of μm or more is formed on a large area substrate such as a glass substrate of a PDP without defects.
【0070】(実施例3)なお、実施例1と2は前面板
の誘電体の形成について述べているが、本発明は背面板
の誘電体あるいは隔壁の形成に対しても適用可能であ
る。(Third Embodiment) Although the first and second embodiments describe the formation of the front plate dielectric, the present invention is also applicable to the formation of the rear plate dielectric or the partition wall.
【0071】すなわち、背面板誘電体膜および隔壁とし
て可塑剤を含むペーストを用い、乾燥後の可塑剤含有量
を最適範囲に制御することによって実現できる。That is, it can be realized by using a paste containing a plasticizer as the back plate dielectric film and the partition walls, and controlling the content of the plasticizer after drying within the optimum range.
【0072】背面板は以下の方法にて製造される。図1
に示すように、厚さ約2.6mmのソーダーガラスから
なる背面ガラス基板11の面上に、スクリーン印刷法に
より、銀を主成分とする導電体ペーストを一定間隔でス
トライプ状に塗布し、厚さ約5〜10μmのアドレス電
極12を形成する。その上に鉛系ガラスのペーストをダ
イコート法等により塗布することで焼成後の厚さが約2
0〜30μmの背面板誘電体膜13を形成する。The back plate is manufactured by the following method. Figure 1
As shown in, a conductor paste containing silver as a main component is applied in a stripe pattern at regular intervals on the surface of the rear glass substrate 11 made of soda glass having a thickness of about 2.6 mm by a screen printing method to form a thick film. The address electrode 12 having a thickness of about 5 to 10 μm is formed. By applying a lead-based glass paste on it by a die coating method or the like, the thickness after firing is about 2
A back plate dielectric film 13 having a thickness of 0 to 30 μm is formed.
【0073】背面板誘電体膜13の上に同じくダイコー
ト法等により、鉛系ガラスを主成分とし、骨材としてア
ルミナ粉末を添加した隔壁材料のペーストを塗布し、サ
ンドブラスト法等を用いて、所定の形状を有し焼成後の
高さが約100〜150μmの隔壁形成用の細条塗布膜
を形成する。それから焼成して隔壁14を形成する。そ
の後、隔壁14の壁面とその間で露出している背面板誘
電体膜13の表面に、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍
光体の蛍光体インクを所定の配置関係で塗布する。この
後に蛍光体インクを乾燥・焼成して各色の蛍光体層8を
形成して、背面板2を完成する。Similarly, a paste of a partition wall material containing lead glass as a main component and alumina powder as an aggregate is applied to the back plate dielectric film 13 by a die coating method or the like, and the sandblast method or the like is used to obtain a predetermined thickness. And a height after firing of about 100 to 150 μm for forming partition walls. Then, it is fired to form the partition wall 14. After that, phosphor inks of a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor are applied in a predetermined arrangement relationship on the wall surface of the partition wall 14 and the surface of the back plate dielectric film 13 exposed between them. After that, the phosphor ink is dried and fired to form the phosphor layers 8 of the respective colors, and the back plate 2 is completed.
【0074】このとき、背面板誘電体膜13と隔壁14
の形成方法は、実施例1で述べた誘電体膜9等の形成条
件と同じとした。すなわち背面板誘電体膜13の場合に
は、無機成分の鉛硼酸系ガラス粉体、樹脂成分のエチル
セルロース、および溶剤とにより適当な粘度のペースト
を作成し、ガラス基板全面に塗布する。さらにそれを乾
燥し焼成する。また隔壁14の場合には、背面板誘電体
膜13の成分にさらに骨材としてアルミナ粉体等を付加
している。隔壁14の場合は塗布厚みが背面板誘電体膜
13に比べて厚いことが特徴的である。背面板誘電体膜
13も前面板の誘電体膜9と同様に所定の耐圧特性が要
求される。また隔壁14は構造物であるため塗布膜の欠
陥による欠落等のないことが要求される。At this time, the back plate dielectric film 13 and the partition wall 14
The formation method of was the same as the formation conditions of the dielectric film 9 and the like described in the first embodiment. That is, in the case of the back plate dielectric film 13, a paste having an appropriate viscosity is prepared by using lead borate glass powder as an inorganic component, ethyl cellulose as a resin component, and a solvent, and applied on the entire surface of the glass substrate. Further, it is dried and fired. Further, in the case of the partition wall 14, alumina powder or the like is further added as an aggregate to the component of the back plate dielectric film 13. The partition 14 is characterized in that the coating thickness is thicker than that of the back plate dielectric film 13. Similarly to the dielectric film 9 on the front plate, the back plate dielectric film 13 is required to have a predetermined withstand voltage characteristic. Further, since the partition wall 14 is a structure, it is required that the partition wall 14 is not missing due to a defect in the coating film.
【0075】したがって、背面板誘電体膜と隔壁の塗布
形成プロセスの乾燥プロセスに、本発明の可塑剤量制御
を導入することにより高品質の厚膜を形成できることは
自明である。特に、隔壁の形成プロセスでは塗布膜厚が
厚いため、収縮量が大きく、膜内の残留応力が大きくな
る。したがって本技術思想は隔壁形成等に適用してもそ
の効果が得られることは言うまでもない。ただし、ペー
スト中の成分割合と樹脂成分、溶剤成分等がそれぞれで
適宜選定してもよいことは言うまでもないことである。Therefore, it is obvious that a high-quality thick film can be formed by introducing the plasticizer amount control of the present invention into the drying process of the coating formation process of the back plate dielectric film and the partition wall. In particular, since the coating film thickness is large in the partition wall forming process, the amount of shrinkage is large and the residual stress in the film is large. Therefore, it is needless to say that the effect can be obtained even if the present technical idea is applied to partition wall formation and the like. However, it goes without saying that the component ratio in the paste, the resin component, the solvent component and the like may be appropriately selected.
【0076】[0076]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、プラズマ
ディスプレイパネルの誘電体膜を形成する製造方法のペ
ースト塗布後の乾燥工程において、乾燥後の塗布膜中の
可塑剤含有量比率を初期のペーストにおける可塑剤量比
率の9%以上、29%以下とする。As described above, according to the present invention, in the drying step after applying the paste in the manufacturing method for forming the dielectric film of the plasma display panel, the plasticizer content ratio in the coating film after drying is initially set. 9% or more and 29% or less of the plasticizer amount ratio in the paste.
【0077】この結果、乾燥工程での膜中の欠陥発生を
抑制できるとともに、焼成工程での気泡発生をも抑制で
きる。その結果、耐圧特性に優れた誘電体膜を形成で
き、製造の歩留まりを向上させることができる。As a result, it is possible to suppress the generation of defects in the film during the drying process and also suppress the generation of bubbles during the baking process. As a result, a dielectric film having excellent withstand voltage characteristics can be formed, and the manufacturing yield can be improved.
【0078】また、本発明によれば、特にバス電極を厚
膜プロセスで形成して電極段差が発生しやすいプロセス
で効果が大である。電極と誘電体等を形成するための塗
布膜を積層形成した後、同時に焼成するための好適な方
法である。Further, according to the present invention, the effect is particularly large in the process in which the bus electrode is formed by the thick film process and the electrode step is likely to occur. This is a suitable method for simultaneously baking after forming laminated coating films for forming electrodes and dielectrics.
【0079】さらに、本発明の方法はPDP前面板の誘
電体膜の形成のみに適用できるだけでなく、大きい膜厚
でなおかつ低欠陥が要求されるプロセスに効果が大であ
る。Furthermore, the method of the present invention can be applied not only to the formation of the dielectric film of the PDP front plate, but also to the process which requires a large film thickness and low defects.
【図1】PDPの主要構成を示す要部断面斜視図FIG. 1 is a cross-sectional perspective view of a main part showing the main configuration of a PDP.
【図2】図1におけるA−A断面矢視図FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG.
【図3】ダイコート法による誘電体膜用の塗布膜の形成
方法を説明するための図FIG. 3 is a diagram for explaining a method for forming a coating film for a dielectric film by a die coating method.
【図4】本発明の方法における誘電体膜形成用塗布膜の
乾燥工程における温度プロファイルの一例を示す図FIG. 4 is a diagram showing an example of a temperature profile in a step of drying a dielectric film-forming coating film in the method of the present invention.
【図5】本発明の方法における誘電体膜形成用塗布膜の
焼成プロセスにおける温度プロファイルの一例を示す図FIG. 5 is a view showing an example of a temperature profile in a firing process of a coating film for forming a dielectric film in the method of the present invention.
【図6】誘電体膜形成用塗布膜の乾燥後の残存可塑剤量
比率と、誘電体膜における残留応力および絶縁不良発生
率との関係を示す図FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a residual plasticizer amount ratio after drying of a dielectric film forming coating film, a residual stress in a dielectric film, and an insulation failure occurrence rate.
【図7】誘電体膜形成用塗布膜の乾燥後の残存可塑剤量
比率と、誘電体膜におけるの絶縁不良発生率との印加電
圧の関係を示す図FIG. 7 is a diagram showing a relationship between an applied voltage and a residual plasticizer amount ratio after drying of a dielectric film forming coating film, and an insulation failure occurrence rate in the dielectric film.
【図8】(a)は誘電体膜の乾燥時ピーク温度保持過程
での応力発生を示す概念図
(b)は誘電体膜の乾燥後冷却過程での応力発生を示す
概念図FIG. 8 (a) is a conceptual diagram showing stress generation during the drying peak temperature holding process of the dielectric film, and FIG. 8 (b) is a conceptual diagram showing stress generation during the cooling process after drying of the dielectric film.
【図9】(a)は薄膜バス電極と誘電体膜塗布部詳細を
示す断面図
(b)は厚膜バス電極と誘電体膜塗布部詳細を示す断面
図9A is a sectional view showing details of a thin film bus electrode and a dielectric film coating portion. FIG. 9B is a sectional view showing details of a thick film bus electrode and a dielectric film coating portion.
1 前面板 2 背面板 3 前面ガラス基板 4 透明電極 5 バス電極 6 表示電極 7 遮光層 8 蛍光体層 9 誘電体膜 10 保護膜 11 背面ガラス基板 12 アドレス電極 13 背面板誘電体膜 14 隔壁 15 放電空間 16 テーブル 17 ペースト 18 タンク 19 ポンプ 20 ダイコータヘッド 21 ヘッドノズル 22 塗布膜 1 Front plate 2 Back plate 3 Front glass substrate 4 transparent electrodes 5 bus electrodes 6 display electrodes 7 Light-shielding layer 8 Phosphor layer 9 Dielectric film 10 Protective film 11 Rear glass substrate 12 address electrodes 13 Back plate dielectric film 14 partitions 15 discharge space 16 tables 17 paste 18 tanks 19 pumps 20 Die coater head 21 head nozzle 22 Coating film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 正樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田井 伸幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 藤谷 守男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 堀川 晃宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 森田 敦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5C027 AA01 AA05 5C040 FA01 GB03 GB14 GC19 GD07 GD09 JA21 MA02 MA23 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Masaki Aoki 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Nobuyuki Tai 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Morio Fujitani 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Akihiro Horikawa 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Atsushi Morita 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. F-term (reference) 5C027 AA01 AA05 5C040 FA01 GB03 GB14 GC19 GD07 GD09 JA21 MA02 MA23
Claims (5)
成する工程と、 前記表示電極を覆って前記ガラス基板の前記一方の面上
に、少なくともガラス粉末、樹脂材料、可塑剤および溶
剤からなる誘電体ペーストを塗布する工程と、 前記誘電体ペーストの塗布膜における残存可塑剤量比率
が前記誘電体ペーストにおける可塑剤量比率の8%〜2
9%の範囲内になるまで、前記塗布膜を乾燥させる工程
と、 乾燥後の前記塗布膜を焼成する工程とを有するプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。1. A step of forming a display electrode on one surface of a glass substrate, and at least a glass powder, a resin material, a plasticizer and a solvent on the one surface of the glass substrate covering the display electrode. A step of applying the dielectric paste, and the residual plasticizer amount ratio in the coating film of the dielectric paste is 8% to 2 of the plasticizer amount ratio in the dielectric paste.
A method of manufacturing a plasma display panel, comprising: a step of drying the coating film until it is within a range of 9%; and a step of baking the coating film after drying.
布膜を室温まで冷却する工程を有する請求項1に記載の
プラズマディスプレイパネルの製造方法。2. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, further comprising a step of cooling the coating film to room temperature after the drying step.
電膜からなるバス電極が形成されている請求項1または
2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。3. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the display electrode has a bus electrode made of a thick film conductive film formed on a thin film transparent electrode.
布膜とを同時焼成によって形成する請求項3に記載のプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法。4. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 3, wherein the bus electrode and the coating film of the dielectric paste are formed by simultaneous firing.
定膜厚を得る請求項1から4に記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。5. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the coating step obtains a predetermined film thickness by coating once.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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