JP2003188077A - Substrate drying equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、基板の上面に均一な厚さの機能
性薄膜を形成することができる基板乾燥装置を提供する
ことにある。
【解決手段】 基板Ｗの上面に塗付された溶液を加熱乾
燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、空
間部６を有しこの空間部から上面に連通する複数の通風
孔５が形成された装置本体１と、上記空間部を通じて上
記通風孔から装置本体の上面側に熱風を供給する供給管
９と、上記装置本体の上面に設けられ上記基板Ｗの周縁
部を支持する支持枠部材７と、上記供給管から上記装置
本体の上面側に供給された熱風を上記装置本体の上面側
から排出する排出口１３とを具備した。
(57) [Problem] To provide a substrate drying apparatus capable of forming a functional thin film having a uniform thickness on an upper surface of a substrate. SOLUTION: In a substrate drying apparatus for forming a functional thin film by heating and drying a solution applied to an upper surface of a substrate W, a plurality of ventilation holes 5 having a space portion 6 and communicating from the space portion to the upper surface are provided. The apparatus main body 1 formed, a supply pipe 9 for supplying hot air from the ventilation hole to the upper surface side of the apparatus main body through the space, and a support frame provided on the upper surface of the apparatus main body and supporting a peripheral portion of the substrate W. The apparatus includes a member 7 and an outlet 13 for discharging hot air supplied from the supply pipe to the upper surface of the apparatus main body from the upper surface of the apparatus main body.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は基板の上面に塗付
された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾
燥装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate drying apparatus which heat-drys a solution applied on the upper surface of a substrate to form a functional thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体装置や液晶表示装置など
の製造工程においては、基板としての半導体ウエハや液
晶用ガラス基板に回路パターンを形成するための成膜プ
ロセスやフォトプロセスがある。これらプロセスでは基
板の上面に、例えば配向膜、レジスト、カラーフィル
タ、有機エレクトロルミネッセンスなどの機能性薄膜が
形成される。2. Description of the Related Art For example, in a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, there is a film forming process or a photo process for forming a circuit pattern on a semiconductor wafer as a substrate or a glass substrate for liquid crystal. In these processes, a functional thin film such as an alignment film, a resist, a color filter, and organic electroluminescence is formed on the upper surface of the substrate.
【０００３】基板の上面に機能性薄膜を形成する場合、
基板の上面に溶液を塗付し、この基板をホットプレート
によって加熱することで、その上面の溶液を乾燥するこ
とがある。基板をホットプレートで加熱するとき、加熱
の均一化を図るために、ホットプレートの上面に複数の
支持ピンを設け、これら支持ピンによって基板を支持す
るようにしている。When a functional thin film is formed on the upper surface of a substrate,
The solution may be applied to the upper surface of the substrate and the substrate may be heated by a hot plate to dry the solution on the upper surface. When the substrate is heated by the hot plate, a plurality of support pins are provided on the upper surface of the hot plate in order to make the heating uniform, and the substrate is supported by these support pins.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、基板の下面を
支持ピンで支持すると、ホットプレートからの熱は支持
ピンで支持された部分に伝わりやすくなる。そのため、
基板の支持ピンで支持された部分と支持されていない部
分とで乾燥速度に差が生じ、その結果、基板の上面に形
成される膜厚が均一にならないことがある。However, when the lower surface of the substrate is supported by the support pins, the heat from the hot plate is easily transferred to the portion supported by the support pins. for that reason,
There may be a difference in drying speed between a portion supported by the support pins and a portion not supported by the support pins, and as a result, the film thickness formed on the upper surface of the substrate may not be uniform.
【０００５】この発明は、基板の上面に均一な厚さの機
能性薄膜を形成することができる基板乾燥装置を提供す
ることにある。An object of the present invention is to provide a substrate drying apparatus capable of forming a functional thin film having a uniform thickness on the upper surface of a substrate.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
の上面に塗付された溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形
成する基板乾燥装置において、空間部を有しこの空間部
から上面に連通する複数の通風孔が形成された装置本体
と、上記空間部を通じて上記通風孔から装置本体の上面
側に熱風を供給する熱風供給手段と、上記装置本体の上
面に設けられ上記基板の周縁部を支持する支持手段と、
上記熱風供給手段から上記装置本体の上面側に供給され
た熱風を上記装置本体の上面側から排出する排出手段と
を具備することを特徴とする基板乾燥装置にある。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate drying apparatus for forming a functional thin film by heating and drying a solution applied on the upper surface of a substrate, and a space portion is provided. An apparatus main body having a plurality of ventilation holes communicating with the upper surface, hot air supply means for supplying hot air from the ventilation holes to the upper surface side of the apparatus main body through the space, and a substrate provided on the upper surface of the apparatus main body. Supporting means for supporting the peripheral portion,
A substrate drying apparatus comprising: a discharging unit configured to discharge the hot air supplied from the hot air supplying unit to the upper surface side of the apparatus main body from the upper surface side of the apparatus main body.
【０００７】請求項２の発明は、基板の上面に塗付され
た溶液を加熱乾燥して機能性薄膜を形成する基板乾燥装
置において、ホットプレートと、このホットプレートの
上面に設けられホットプレートによって加熱される上記
基板の下面を支持する支持手段と、上記基板の上面側に
設けられこの基板の上方から基板に向けて供給される気
体を基板の上面の所定方向に沿って流す整流手段とを具
備したことを特徴とする基板乾燥装置にある。According to a second aspect of the present invention, in a substrate drying apparatus for forming a functional thin film by heating and drying a solution applied on the upper surface of a substrate, a hot plate and a hot plate provided on the upper surface of the hot plate are used. Supporting means for supporting the lower surface of the substrate to be heated, and rectifying means provided on the upper surface side of the substrate for flowing gas supplied from above the substrate toward the substrate along a predetermined direction of the upper surface of the substrate. The substrate drying apparatus is characterized by being provided.
【０００８】この発明によれば、基板を周縁部で支持し
この基板の下面に熱風を供給するようにしたので、基板
の上面に塗付された溶液を均一に加熱することができ
る。According to the present invention, since the substrate is supported at the peripheral portion and the hot air is supplied to the lower surface of the substrate, the solution applied to the upper surface of the substrate can be uniformly heated.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の実施の形態を説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１０】図１と図２は、この発明の第１の実施の形
態を示す。図１に示す基板乾燥装置は装置本体１を有す
る。この装置本体１は、矩形板状のベース板２と、この
ベース板２の上面に設けられ上記ベース板２と平面ほぼ
同形状の分配部材３からなる。1 and 2 show a first embodiment of the present invention. The substrate drying apparatus shown in FIG. 1 has an apparatus main body 1. The apparatus main body 1 includes a base plate 2 having a rectangular plate shape and a distribution member 3 provided on the upper surface of the base plate 2 and having substantially the same plane as the base plate 2.
【００１１】上記分配部材３の下面には、ほぼ矩形状の
凹部４が形成されており、上記ベース板２との間に空間
部６を形成している。上記分配部材３は、上記凹部４と
上記分配部材３の上面とを連通する複数の通風孔５を有
している。A substantially rectangular recess 4 is formed on the lower surface of the distribution member 3, and a space 6 is formed between the distribution member 3 and the base plate 2. The distribution member 3 has a plurality of ventilation holes 5 that communicate the recess 4 with the upper surface of the distribution member 3.
【００１２】上記分配部材３の上面の周縁部には、支持
手段としての支持枠部材７が全周にわたって設けられて
いる。この支持枠部材７は、上端が内方に向かって低く
なる傾斜面７ａに形成されており、この傾斜面７ａに基
板Ｗの周縁部を係合させることによって基板Ｗを水平に
支持できるようになっている。A supporting frame member 7 serving as a supporting means is provided around the entire periphery of the upper surface of the distributing member 3. The support frame member 7 is formed on an inclined surface 7a whose upper end is lowered inward, and the peripheral edge of the substrate W is engaged with the inclined surface 7a so that the substrate W can be supported horizontally. Has become.
【００１３】なお、上記分配部材３の上面で、かつ上記
支持枠部材７の内側には複数の緊急用支持ピン７Ａが立
設されており、上記支持枠部材７に支持された基板Ｗが
大きく撓んだ場合に下面を支持できるようになってい
る。A plurality of emergency support pins 7A are provided upright on the upper surface of the distribution member 3 and inside the support frame member 7, and the substrate W supported by the support frame member 7 is large. The lower surface can be supported when it is bent.
【００１４】上記空間部６には熱風供給手段８によって
熱風が供給されるようになっている。この熱風供給手段
８は、上記ベース板２のほぼ中心部に一端が接続された
供給管９と、この供給管９の他端に接続された送風機１
０と、上記供給管９の中途部に設けられ上記送風機１０
から送風される空気を加熱するヒータ１１とを備えてい
る。それによって、上記空間部６に所定の温度に加熱さ
れた熱風を供給できるようになっている。上記空間部６
に供給された熱風は、上記分配部材３の通風孔５を通じ
て上記支持枠部材７に支持された基板Ｗの下面側にほぼ
均等に流入する。Hot air is supplied to the space 6 by hot air supply means 8. The hot air supply means 8 has a supply pipe 9 having one end connected to substantially the center of the base plate 2 and a blower 1 connected to the other end of the supply pipe 9.
0 and the blower 10 provided in the middle of the supply pipe 9.
And a heater 11 for heating the air blown from. Thereby, the hot air heated to a predetermined temperature can be supplied to the space 6. The space 6
The hot air supplied to the substrate 3 is substantially evenly flown into the lower surface side of the substrate W supported by the support frame member 7 through the ventilation holes 5 of the distribution member 3.
【００１５】上記支持枠部材７には排出手段１２が設け
られている。この排出手段１２は上記支持枠部材７の所
定位置、例えば上記支持枠部材７の各辺の中途部にそれ
ぞれ穿設された排出口１３を有しており、これら排出口
１３にはそれぞれ排出管１４が接続されている。これら
排出管１４は吸引ポンプ１５に接続されており、この吸
引ポンプ１５を作動することによって、上記熱風供給手
段８から供給され基板Ｗの下面側に流入した所定温度の
気体を基板Ｗの下面側から排出できるようになってい
る。なお、排出手段１２としては、支持枠部材７に排出
口１３を形成するだけで、吸引ポンプ１５によって強制
的に排出しない構成であってもよい。The supporting frame member 7 is provided with a discharging means 12. The discharge means 12 has a discharge port 13 formed at a predetermined position of the support frame member 7, for example, in the middle of each side of the support frame member 7, and each discharge port 13 has a discharge pipe. 14 is connected. These discharge pipes 14 are connected to a suction pump 15. By operating the suction pump 15, the gas of a predetermined temperature supplied from the hot air supply means 8 and flowing into the lower surface side of the substrate W is supplied to the lower surface side of the substrate W. Can be discharged from. The discharging means 12 may be configured such that only the discharging port 13 is formed in the support frame member 7 and the suction pump 15 does not force the discharging.
【００１６】上記構成の基板乾燥装置を使用する際の作
用について説明する。The operation of using the substrate drying apparatus having the above structure will be described.
【００１７】上面に機能性薄膜を形成する溶液が塗付さ
れた基板Ｗを支持枠部材７の傾斜面７ａに水平に支持し
たならば、供給管９から空間部６に所定の温度、例えば
１２０度〜１５０度程度に加熱された熱風を供給する。
上記空間部６に供給された熱風は、上記通風孔５を通じ
て上記支持枠部材７に支持された基板Ｗの下面側にほぼ
均等に流入したのち、吸引ポンプ１５によって排出口１
３から排出される。そのため、基板Ｗはその下面側を流
れる気体によってほぼ均一に加熱されるから、基板Ｗの
上面に塗付された溶液も基板Ｗを介してほぼ均一に加熱
乾燥されて機能性薄膜が形成されることになる。If the substrate W coated with the solution for forming the functional thin film on its upper surface is supported horizontally on the inclined surface 7a of the support frame member 7, the supply pipe 9 causes the space 6 to reach a predetermined temperature, for example, 120. The hot air heated to about 150 to 150 degrees is supplied.
The hot air supplied to the space 6 flows into the lower surface side of the substrate W supported by the support frame member 7 through the ventilation holes 5 almost uniformly, and then the suction pump 15 discharges the hot air.
Emitted from 3. Therefore, since the substrate W is heated almost uniformly by the gas flowing on the lower surface side thereof, the solution applied to the upper surface of the substrate W is substantially uniformly heated and dried via the substrate W to form a functional thin film. It will be.
【００１８】このように、基板Ｗの下面側に所定温度に
加熱された気体を供給するようにしたため、基板Ｗの板
面全体を均一に加熱することができる。そのため、基板
Ｗの上面に塗付された溶液を均一に加熱することができ
るから、基板Ｗの上面に均一な厚さの機能性薄膜を形成
することができる。さらに、基板Ｗの下面から熱風が供
給されるため、熱風の圧力により、基板Ｗが自重によっ
て撓むのを緩和することができる。As described above, since the gas heated to the predetermined temperature is supplied to the lower surface side of the substrate W, the entire plate surface of the substrate W can be heated uniformly. Therefore, since the solution applied on the upper surface of the substrate W can be heated uniformly, a functional thin film having a uniform thickness can be formed on the upper surface of the substrate W. Further, since the hot air is supplied from the lower surface of the substrate W, it is possible to reduce the bending of the substrate W due to its own weight due to the pressure of the hot air.
【００１９】基板Ｗは周辺部が支持枠部材７の傾斜面７
ａによって支持されているため、周辺部が他の部分よも
温度上昇し易いことがある。しかしながら、基板Ｗの上
面には、通常、周辺部を除く部分に溶液が塗布されてい
るから、基板Ｗの周辺部が支持枠部材７に支持されるこ
とで温度上昇しやすくても、それによって、基板Ｗの上
面に形成される機能性薄膜の厚さが不均一になる虞はな
い。The peripheral portion of the substrate W is the inclined surface 7 of the support frame member 7.
Since it is supported by a, the temperature of the peripheral portion may rise more easily than the other portions. However, since the solution is normally applied to the upper surface of the substrate W except the peripheral portion, even if the peripheral portion of the substrate W is easily supported by the support frame member 7 and the temperature rises easily, The thickness of the functional thin film formed on the upper surface of the substrate W does not become uneven.
【００２０】図３はこの発明に第２の実施の形態を示
す。FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention.
【００２１】第１の実施の形態では支持枠部材７によっ
て基板Ｗの外周縁全体を支持するようにしたが、この実
施の形態では図３に示すように、たとえば上記装置本体
１の四隅部に支持部材１６をそれぞれ設け、基板Ｗの四
隅部を支持する。この場合、装置本体１の上面の各側辺
には支持部材１６の間に開口部１７が形成されるから、
基板Ｗの下面側に供給された気体は、上記開口部１７か
ら自然排出されることになる。したがって、装置本体１
の上面に供給された気体を排出する排出手段１２は上記
開口部１７だけによっても形成される。つまり、排出手
段１２としては上記第１の実施の形態に示した吸引ポン
プ１５や供給管９を用いなくてもよい。In the first embodiment, the support frame member 7 is used to support the entire outer peripheral edge of the substrate W. In this embodiment, however, as shown in FIG. The support members 16 are provided to support the four corners of the substrate W. In this case, since the openings 17 are formed between the support members 16 on each side of the upper surface of the apparatus body 1,
The gas supplied to the lower surface side of the substrate W is naturally discharged from the opening 17. Therefore, the device body 1
The discharge means 12 for discharging the gas supplied to the upper surface of is also formed only by the opening 17. That is, it is not necessary to use the suction pump 15 and the supply pipe 9 shown in the first embodiment as the discharging means 12.
【００２２】図４はこの発明の第３の実施の形態を示
す。FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention.
【００２３】この実施の形態は上記熱風供給手段８の変
形例であって、図４に示すように、空間部６にヒータ１
８を設け、供給管９から上記空間部６に供給された常温
の気体を上記ヒータ１８によって加熱する構成となって
いる。それによって、基板Ｗの下面側に所定温度の気体
を供給できるようになっている。This embodiment is a modification of the hot air supply means 8 and has a heater 1 in a space 6 as shown in FIG.
8 is provided, and the room temperature gas supplied from the supply pipe 9 to the space 6 is heated by the heater 18. Thereby, the gas having a predetermined temperature can be supplied to the lower surface side of the substrate W.
【００２４】図５はこの発明の第４の実施の形態を示
す。FIG. 5 shows a fourth embodiment of the present invention.
【００２５】図５に示す基板乾燥装置は図示しないクリ
ーンルームに設けられている。このクリーンルーム内に
は同図に矢印で示すダウンフローが発生している。The substrate drying device shown in FIG. 5 is provided in a clean room (not shown). In this clean room, a downflow indicated by an arrow in the figure occurs.
【００２６】上記基板乾燥装置はホットプレート２０を
有する。このホットプレート２０には図示しない制御装
置が接続されており、この制御装置を作動することによ
りこのホットプレート２０の上面を所定の温度に加熱で
きるようになっている。The substrate drying device has a hot plate 20. A control device (not shown) is connected to the hot plate 20, and the upper surface of the hot plate 20 can be heated to a predetermined temperature by operating the control device.
【００２７】上記ホットプレート２０の上面には、支持
手段としての複数の支持ピン２１が立設されており、上
記ホットプレート２０を加熱することによってこれら支
持ピン２１の上端に支持された基板Ｗの下面を加熱でき
るようになっている。なお、上記支持ピン２１は所定の
熱伝導率を有する材質で形成されている。A plurality of support pins 21 as a support means are erected on the upper surface of the hot plate 20, and by heating the hot plate 20, the substrate W supported on the upper ends of the support pins 21 is provided. The bottom surface can be heated. The support pin 21 is made of a material having a predetermined thermal conductivity.
【００２８】上記基板Ｗの上方には例えばＨＥＰＡフィ
ルタなどのフィルタ２２が設けられている。このフィル
タ２２は上記ダウンフローによって基板Ｗの上面に向か
って吹き下ろされる気体を濾過し、この気体に含まれる
パーティクルが基板Ｗの上面に付着するのを防止してい
る。A filter 22 such as a HEPA filter is provided above the substrate W. The filter 22 filters the gas blown down toward the upper surface of the substrate W by the downflow, and prevents particles contained in the gas from adhering to the upper surface of the substrate W.
【００２９】上記フィルタ２２と基板Ｗとの間には、整
流手段として複数の整流板２３が所定の間隔、かつ長手
方向が基板Ｗの幅方向全長に沿うように並設されてい
る。各整流板２３は上記支持ピン２１に支持された基板
Ｗの板面に対して所定角度θ、例えばほぼ４５度で傾斜
しており、上記フィルタ２２を通過しほぼ垂直に吹き下
ろされる気体を基板Ｗに傾斜して供給するようになって
いる。Between the filter 22 and the substrate W, a plurality of rectifying plates 23 as rectifying means are arranged in parallel with each other at a predetermined interval and in the longitudinal direction along the entire length of the substrate W in the width direction. Each straightening plate 23 is inclined at a predetermined angle θ, for example, about 45 degrees with respect to the plate surface of the substrate W supported by the support pins 21, and the gas passing through the filter 22 and being blown down almost vertically is used as a substrate. It is designed to be supplied while being inclined to W.
【００３０】次に上記構成の基板乾燥装置を使用する際
の作用について説明する。Next, the operation of using the substrate drying apparatus having the above structure will be described.
【００３１】上記構成の基板乾燥装置を使用する場合、
予めクリーンルーム内にダウンフローを発生させてお
く。このダウンフローにより基板Ｗの上面に向かって吹
き下ろされる気体は、フィルタ２２によって濾過され、
パーティクルなどの微細粒子が除去されることになる。When using the substrate drying apparatus having the above structure,
Downflow is generated in the clean room in advance. The gas blown down toward the upper surface of the substrate W by this downflow is filtered by the filter 22,
Fine particles such as particles will be removed.
【００３２】このフィルタ２２を通過した気体は整流板
２３により、基板Ｗに対してほぼ４５度に傾斜して基板
Ｗの上面に供給される。この傾斜した気体は基板Ｗに到
達すると、その上面を傾斜方向に沿って流れ、基板Ｗの
上面に塗付された溶液を乾燥することになる。The gas that has passed through the filter 22 is supplied to the upper surface of the substrate W by the rectifying plate 23 with an inclination of about 45 degrees with respect to the substrate W. When this inclined gas reaches the substrate W, it flows along the inclination direction on the upper surface of the substrate W, and the solution applied to the upper surface of the substrate W is dried.
【００３３】一方、上面に機能性薄膜を形成する溶液が
塗布された基板Ｗはホットプレート２０によって所定の
温度に加熱される。On the other hand, the substrate W coated with the solution for forming the functional thin film on the upper surface is heated to a predetermined temperature by the hot plate 20.
【００３４】上記ホットプレート２０からの熱の一部
は、このホットプレート２０の上面側の気体を介して基
板Ｗのほぼ全体に供給される。それによって、基板Ｗの
上面に塗付された溶液は加熱される。Part of the heat from the hot plate 20 is supplied to almost the entire substrate W via the gas on the upper surface side of the hot plate 20. Thereby, the solution applied on the upper surface of the substrate W is heated.
【００３５】また、上記ホットプレート２０からの熱の
一部は、このホットプレート２０の上面に設けられた支
持ピン２１からも基板Ｗに伝達する。そのため、基板Ｗ
の上記支持ピン２１に支持された部分は、支持されない
部分よりも温度が高くなるから、基板Ｗの上面に塗付さ
れた溶液には温度差が生じることになる。つまり、基板
Ｗの上記支持ピン２１に支持されている部分は、支持さ
れてない部分よりも高い温度となる。Part of the heat from the hot plate 20 is also transferred to the substrate W from the support pins 21 provided on the upper surface of the hot plate 20. Therefore, the substrate W
Since the temperature of the portion supported by the support pin 21 is higher than that of the portion not supported, a temperature difference occurs in the solution applied on the upper surface of the substrate W. That is, the temperature of the portion of the substrate W supported by the support pins 21 is higher than that of the portion not supported.
【００３６】一般に、液体は高温部から低温部に流動す
る性質がある。そのため、上記基板Ｗに塗付された溶液
は上記支持ピン２１に支持された高い温度となった部分
からその周辺の低い温度の部分に向かって流動する。そ
れによって、基板Ｗの上面に塗付された溶液は、その加
熱工程において凹凸状をなす。Generally, a liquid has a property of flowing from a high temperature part to a low temperature part. Therefore, the solution applied to the substrate W flows from the high temperature portion supported by the support pin 21 toward the low temperature portion around the portion. As a result, the solution applied to the upper surface of the substrate W becomes uneven in the heating process.
【００３７】しかしながら、この発明においては、基板
Ｗの上方から整流板２３によりこの上面に沿って流れる
よう所定の角度で傾斜させて気体を供給している。その
ため、加熱工程において基板Ｗの上面に発生する溶液の
凹凸は、上記各整流板２３からの気体の流れによって平
滑化されるから、基板Ｗの上面には凹凸のないほぼ均一
な厚さの機能性薄膜が形成されることになる。However, in the present invention, the gas is supplied from above the substrate W by the rectifying plate 23 while being inclined at a predetermined angle so as to flow along the upper surface. Therefore, the unevenness of the solution generated on the upper surface of the substrate W in the heating step is smoothed by the gas flow from each of the straightening plates 23, so that the upper surface of the substrate W has no unevenness and has a substantially uniform thickness. Thin film is formed.
【００３８】つまり、気体を基板Ｗの上面に沿って流す
ことによって、基板Ｗの上面に塗付された溶液を強制的
に平滑化されるから、均一な厚さの機能性薄膜を形成す
ることができる。また、気体を整流板２３を介して基板
Ｗの上方向から供給するため、基板Ｗが大型化しても、
この基板Ｗの板面全体にほぼ均一な気流を供給すること
ができる。そのため、基板Ｗが大型化した場合でも、均
一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。That is, by flowing the gas along the upper surface of the substrate W, the solution applied on the upper surface of the substrate W is forcibly smoothed, so that a functional thin film having a uniform thickness is formed. You can Further, since the gas is supplied from above the substrate W via the rectifying plate 23, even if the substrate W becomes large,
A substantially uniform air flow can be supplied to the entire plate surface of the substrate W. Therefore, even if the substrate W is increased in size, a functional thin film having a uniform thickness can be formed.
【００３９】なお、上記第４の実施の形態ではクリーン
ルームのダウンフローを利用して整流板２３により所定
方向の気流を供給するようにしたが、ダウンフローがな
い場合には送風機などによって気体を供給するようにし
てもよい。In the fourth embodiment, the downflow of the clean room is used to supply the airflow in the predetermined direction by the straightening plate 23, but when there is no downflow, the gas is supplied by the blower or the like. You may do it.
【００４０】[0040]
【発明の効果】この発明によれば、基板の上面に塗付さ
れた溶液を厚さにばらつきが生じないように乾燥させ、
均一な厚さの機能性薄膜を形成することができる。According to the present invention, the solution applied on the upper surface of the substrate is dried so that the thickness does not vary,
A functional thin film having a uniform thickness can be formed.
【図１】この発明の第１の実施の形態に係る基板乾燥装
置を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a substrate drying apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】同実施の形態の基板乾燥装置を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing the substrate drying apparatus of the same embodiment.
【図３】第２の実施の形態の支持手段を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a supporting means according to a second embodiment.
【図４】第３の実施の形態の熱風供給手段を示す断面
図。FIG. 4 is a sectional view showing a hot air supply means of a third embodiment.
【図５】この発明の第４の実施の形態に係る基板乾燥装
置を示す正面図。FIG. 5 is a front view showing a substrate drying apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
１…装置本体 ３…分配部材 ６…空間部 ７…支持枠部材 ７ａ…傾斜面 ８…熱風供給手段 ９…供給管 ２０…ホットプレート ２１…支持ピン ２２…フィルタ ２３…整流板 1 ... Device body 3 ... Distribution member 6 ... Space 7 ... Support frame member 7a ... inclined surface 8 ... Hot air supply means 9 ... Supply pipe 20 ... Hot plate 21 ... Support pin 22 ... Filter 23 ... Current plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０３Ｆ 7/38 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/38 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７ Ｆターム(参考） 2H088 FA21 HA03 HA12 2H090 JA06 JC07 JC19 LA15 2H096 AA25 CA20 3L113 AA01 AB02 AC08 AC48 AC49 AC52 AC55 AC67 AC83 BA34 DA11 5F046 KA04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI theme code (reference) G02F 1/1333 500 G03F 7/38 501 G03F 7/38 501 H01L 21/30 567 F term (reference) 2H088 FA21 HA03 HA12 2H090 JA06 JC07 JC19 LA15 2H096 AA25 CA20 3L113 AA01 AB02 AC08 AC48 AC49 AC52 AC55 AC67 AC83 BA34 DA11 5F046 KA04
Claims (2)
して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、 空間部を有しこの空間部から上面に連通する複数の通風
孔が形成された装置本体と、 上記空間部を通じて上記通風孔から装置本体の上面側に
熱風を供給する熱風供給手段と、 上記装置本体の上面に設けられ上記基板の周縁部を支持
する支持手段と、 上記熱風供給手段から上記装置本体の上面側に供給され
た熱風を上記装置本体の上面側から排出する排出手段と
を具備することを特徴とする基板乾燥装置。1. A substrate drying apparatus for forming a functional thin film by heating and drying a solution applied on the upper surface of a substrate, wherein a plurality of ventilation holes having a space and communicating with the upper surface are formed. Device main body, hot air supply means for supplying hot air from the ventilation holes to the upper surface side of the device main body through the space, support means provided on the upper surface of the device main body for supporting the peripheral portion of the substrate, and the hot air A substrate drying apparatus, comprising: a discharge unit configured to discharge the hot air supplied from the supply unit to the upper surface side of the apparatus main body from the upper surface side of the apparatus main body.
して機能性薄膜を形成する基板乾燥装置において、 ホットプレートと、 このホットプレートの上面に設けられホットプレートに
よって加熱される上記基板の下面を支持する支持手段
と、 上記基板の上面側に設けられこの基板の上方から基板に
向けて供給される気体を基板の上面の所定方向に沿って
流す整流手段とを具備したことを特徴とする基板乾燥装
置。2. A substrate drying apparatus for heating and drying a solution applied to the upper surface of a substrate to form a functional thin film, wherein a hot plate and the substrate provided on the upper surface of the hot plate and heated by the hot plate. A support means for supporting the lower surface of the substrate, and a rectifying means provided on the upper surface side of the substrate and flowing a gas supplied from above the substrate toward the substrate along a predetermined direction of the upper surface of the substrate. Substrate drying device.
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