JP2003178948A - フォトレジスト膜形成方法 - Google Patents
フォトレジスト膜形成方法Info
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- JP2003178948A JP2003178948A JP2001376671A JP2001376671A JP2003178948A JP 2003178948 A JP2003178948 A JP 2003178948A JP 2001376671 A JP2001376671 A JP 2001376671A JP 2001376671 A JP2001376671 A JP 2001376671A JP 2003178948 A JP2003178948 A JP 2003178948A
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】フォトレジスト膜を、均一で、厚い膜厚で、且
つ、低コストで形成できるフォトレジスト膜形成方法を
提供する。 【解決手段】スキージー６とスキージー用のマスク１を
用いて開口部４の半導体ウエハ２全面に同じ厚みにフォ
トレジスト液５を均一に伸ばすことで、膜厚の厚い、均
一なフォトレジト膜７を半導体ウエハ２の低コストで形
成することができる。
つ、低コストで形成できるフォトレジスト膜形成方法を
提供する。 【解決手段】スキージー６とスキージー用のマスク１を
用いて開口部４の半導体ウエハ２全面に同じ厚みにフォ
トレジスト液５を均一に伸ばすことで、膜厚の厚い、均
一なフォトレジト膜７を半導体ウエハ２の低コストで形
成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ上
を被覆するフォトレジスト膜を厚く形成する方法に関す
る。
を被覆するフォトレジスト膜を厚く形成する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ上に任意のパターンを形成
し加工を行う場合に使用されるフォトレジスト膜は、レ
ジストの粘度を調整したり、また回転塗布法で形成する
場合はその回転数を調整したりして所定の膜厚になるよ
うにしている。図６は、従来のフォトレジスト膜形成方
法であり、同図（ａ）から同図（ｄ）は工程順に示した
要部工程断面図である。
し加工を行う場合に使用されるフォトレジスト膜は、レ
ジストの粘度を調整したり、また回転塗布法で形成する
場合はその回転数を調整したりして所定の膜厚になるよ
うにしている。図６は、従来のフォトレジスト膜形成方
法であり、同図（ａ）から同図（ｄ）は工程順に示した
要部工程断面図である。
【０００３】先ず、支持台１０１上に半導体ウエハ１０
２をセットする（同図（ａ））。つぎに、フォトレジス
ト液１０３を滴下し、支持台１０１を回転させる（同図
（ｂ））。この回転で、フォトレジスト液１０３は半導
体ウエハ１０２の外周部へ遠心力で伸びて行き、側壁ｂ
にもフォトレジスト液１０３が付着する（同図
（ｃ））。つぎに、加熱して、フォトレジスト液１０３
をキュアしてフォトレジスト膜１０４とする（同図
（ｄ））。このように、回転塗布法では、半導体ウエハ
１０２の最外周ａ、側壁ｂ、裏面ｃには、その後の工程
で使用される装置の搬送時にパーティクルになる可能性
があるフォトレジスト膜１０４が付着している場合が多
く、通常は 半導体ウエハ１０２の表面の外周部ａや側
壁ｂに対しては、サイドリンス、半導体ウエハ１０２の
裏面ｃに対してはバックリンスと呼ばれる有機溶剤で、
フォトレジスト膜１０４の除去を行っている。
２をセットする（同図（ａ））。つぎに、フォトレジス
ト液１０３を滴下し、支持台１０１を回転させる（同図
（ｂ））。この回転で、フォトレジスト液１０３は半導
体ウエハ１０２の外周部へ遠心力で伸びて行き、側壁ｂ
にもフォトレジスト液１０３が付着する（同図
（ｃ））。つぎに、加熱して、フォトレジスト液１０３
をキュアしてフォトレジスト膜１０４とする（同図
（ｄ））。このように、回転塗布法では、半導体ウエハ
１０２の最外周ａ、側壁ｂ、裏面ｃには、その後の工程
で使用される装置の搬送時にパーティクルになる可能性
があるフォトレジスト膜１０４が付着している場合が多
く、通常は 半導体ウエハ１０２の表面の外周部ａや側
壁ｂに対しては、サイドリンス、半導体ウエハ１０２の
裏面ｃに対してはバックリンスと呼ばれる有機溶剤で、
フォトレジスト膜１０４の除去を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、図７に示すよう
な、集積回路が形成された半導体装置の小型化を狙いと
して、半導体チップ２０１を樹脂２０３でモールドし、
半導体チップ２０１上に形成されたパッド部２０２に樹
脂２０３と同一の厚さ（数十μｍから１００μｍ程度）
の溝を形成し、この溝の途中まで、数十μｍ程度の高さ
Ｆの金属柱２０４を金属メッキで形成し、この金属柱２
０４が露出するまで樹脂２０３を削除し、この露出した
金属柱２０４の表面にはんだボール２０５を形成して、
図示しないプリント基板の配線と、このはんだボール２
０５とを接合する、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）などを用いた半導体装置の開発が盛んに行
われている。
な、集積回路が形成された半導体装置の小型化を狙いと
して、半導体チップ２０１を樹脂２０３でモールドし、
半導体チップ２０１上に形成されたパッド部２０２に樹
脂２０３と同一の厚さ（数十μｍから１００μｍ程度）
の溝を形成し、この溝の途中まで、数十μｍ程度の高さ
Ｆの金属柱２０４を金属メッキで形成し、この金属柱２
０４が露出するまで樹脂２０３を削除し、この露出した
金属柱２０４の表面にはんだボール２０５を形成して、
図示しないプリント基板の配線と、このはんだボール２
０５とを接合する、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）などを用いた半導体装置の開発が盛んに行
われている。
【０００５】このＣＳＰなどを用いた半導体装置を製造
するためには、前記したように、金属メッキ用のマスク
として、数十μｍから１００μｍ程度の厚いフォトレジ
スト膜が必要となる。前記した、回転塗布法で用いる塗
布装置は、フォトレジスト液の塗布部の排気を、半導体
ウエハ１０２の外周部ａから行っているため、フォトレ
ジスト液１０３中に含まれている有機溶剤の揮発が、中
心部に比べて外周部ａの方が早くなる。そのため、外周
部ａのフォトレジスト液は粘性が高くなりさらに外側へ
の移動は起こりにくくなる。一方、中心部のフォトレジ
スト液の粘性はまだ高くなっていないので、外周部へ流
れて行き、その結果、中心部に比べて外周部の方が膜厚
が、点線ｄで示すように厚くなり、その比は中心部に比
べて外周部ｂの厚さは約１．４倍程度となる。
するためには、前記したように、金属メッキ用のマスク
として、数十μｍから１００μｍ程度の厚いフォトレジ
スト膜が必要となる。前記した、回転塗布法で用いる塗
布装置は、フォトレジスト液の塗布部の排気を、半導体
ウエハ１０２の外周部ａから行っているため、フォトレ
ジスト液１０３中に含まれている有機溶剤の揮発が、中
心部に比べて外周部ａの方が早くなる。そのため、外周
部ａのフォトレジスト液は粘性が高くなりさらに外側へ
の移動は起こりにくくなる。一方、中心部のフォトレジ
スト液の粘性はまだ高くなっていないので、外周部へ流
れて行き、その結果、中心部に比べて外周部の方が膜厚
が、点線ｄで示すように厚くなり、その比は中心部に比
べて外周部ｂの厚さは約１．４倍程度となる。
【０００６】数十μｍ程度の膜厚を必要とするような場
合には、通常の数μｍの膜厚のフォトレジスト膜を形成
する場合と比べて、溶媒の量を極端に少なくし、粘度を
高くして、厚膜を達成しており、この場合はさらにその
倍率は大きくなる。そのために、外周部と中心部との膜
厚差は数μｍ〜数十μｍにもなり、その後のサイドリン
スでも、外周部のフォトレジスト膜を完全に除去するこ
とが困難となる。
合には、通常の数μｍの膜厚のフォトレジスト膜を形成
する場合と比べて、溶媒の量を極端に少なくし、粘度を
高くして、厚膜を達成しており、この場合はさらにその
倍率は大きくなる。そのために、外周部と中心部との膜
厚差は数μｍ〜数十μｍにもなり、その後のサイドリン
スでも、外周部のフォトレジスト膜を完全に除去するこ
とが困難となる。
【０００７】また、さらに、１００μｍ程度と、極めて
厚いフォトレジスト膜を回転塗布法で形成することは一
層困難となる。この発明は、前記の課題を解決して、フ
ォトレジスト膜を、均一で、厚い膜厚で、且つ、低コス
トで形成できるフォトレジスト膜形成方法を提供するこ
とにある。
厚いフォトレジスト膜を回転塗布法で形成することは一
層困難となる。この発明は、前記の課題を解決して、フ
ォトレジスト膜を、均一で、厚い膜厚で、且つ、低コス
トで形成できるフォトレジスト膜形成方法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、半導体ウエハ上に厚膜のフォトレジスト膜を形成
するフォトレジスト膜形成方法において、半導体ウエハ
の裏面を支持台に設置する工程と、外周端が前記半導体
ウエハの外周端より大きく、前記半導体ウエハの外周端
より小さな開口部を有する、所定の膜さの第１のマスク
を、前記半導体ウエハと密着させる工程と、該開口部内
の半導体ウエハ上に液状のフォトレジストを滴下する工
程と、前記開口部より長いスキージーを用いて、前記滴
下された液状のフォトレジストを前記開口部全域に前記
第１のマスクの厚みと同等の厚みに伸ばす工程と、該伸
ばされた液状のフォトレジストを加熱して固化し、フォ
トレジスト膜を形成する工程とを含む形成方法とする。
めに、半導体ウエハ上に厚膜のフォトレジスト膜を形成
するフォトレジスト膜形成方法において、半導体ウエハ
の裏面を支持台に設置する工程と、外周端が前記半導体
ウエハの外周端より大きく、前記半導体ウエハの外周端
より小さな開口部を有する、所定の膜さの第１のマスク
を、前記半導体ウエハと密着させる工程と、該開口部内
の半導体ウエハ上に液状のフォトレジストを滴下する工
程と、前記開口部より長いスキージーを用いて、前記滴
下された液状のフォトレジストを前記開口部全域に前記
第１のマスクの厚みと同等の厚みに伸ばす工程と、該伸
ばされた液状のフォトレジストを加熱して固化し、フォ
トレジスト膜を形成する工程とを含む形成方法とする。
【０００９】また、前記第１のマスクの開口部内に、前
記半導体チップに形成されたパッド部を密着被覆する柱
と、該柱の上部が互いに接続体で接続される第３のマス
クを形成し、該第３のマスクと前記第１のマスクとを接
続し、該第３のマスクの柱の高さが、前記第１のマスク
の高さと同一面であるとよい。前記のようにすること
で、スキージーとマスクを用いて、半導体ウエハ上に厚
膜のフォトレジスト膜を均一に低コストで形成できる。
記半導体チップに形成されたパッド部を密着被覆する柱
と、該柱の上部が互いに接続体で接続される第３のマス
クを形成し、該第３のマスクと前記第１のマスクとを接
続し、該第３のマスクの柱の高さが、前記第１のマスク
の高さと同一面であるとよい。前記のようにすること
で、スキージーとマスクを用いて、半導体ウエハ上に厚
膜のフォトレジスト膜を均一に低コストで形成できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１実施例の
レジスト膜形成方法を示す図で、同図（ａ）から同図
（ｄ）は工程順に示した要部工程断面図である。同図
（ａ）において、半導体ウエハ２を支持台３にセット
し、中央部に開口部４を有する所定の膜厚のマスク１
を、半導体ウエハ２の外周部と真空密着させる。
レジスト膜形成方法を示す図で、同図（ａ）から同図
（ｄ）は工程順に示した要部工程断面図である。同図
（ａ）において、半導体ウエハ２を支持台３にセット
し、中央部に開口部４を有する所定の膜厚のマスク１
を、半導体ウエハ２の外周部と真空密着させる。
【００１１】同図（ｂ）において、開口部４の半導体ウ
エハ２が露出した面に、フォトレジスト液５を滴下す
る。同図（ｃ）において、滴下した粘度１０００ＣＰの
フォトレジスト液５を、スキージー６を用いて開口部４
全面に、マスク１の膜厚と同じ厚みに均一に伸ばす。
エハ２が露出した面に、フォトレジスト液５を滴下す
る。同図（ｃ）において、滴下した粘度１０００ＣＰの
フォトレジスト液５を、スキージー６を用いて開口部４
全面に、マスク１の膜厚と同じ厚みに均一に伸ばす。
【００１２】同図（ｄ）において、９０℃、数秒間プレ
ベークして、フォトマスク液５を半硬化（完全に硬化し
ていない）させ、マスク１を取り外し、支持台３からフ
ォトレジスト膜７が被覆した半導体ウェハ２を取り外
し、１２０℃程度で、数分間ポストベークして、完全に
フォトレジスト膜７を硬化させる。このように、半導体
ウエハ２上にスキージー用のマスク１とスキージー６を
用いて、フォトレジスト液５を塗布し、硬化させること
で、均一で厚膜のフォトレジスト膜７を半導体ウエハ２
の中央部（半導体チップとなる領域）に形成することが
できる。半導体ウエハ２の外周部にフォトレジスト膜７
が形成されないために、サイドリンスを必要とせず、低
コスト化を図ることができる。また、このマスク１の材
質は金属でも樹脂でも構わない。また、フォトマスク液
５の液量は、マスク１の開口部４をマスク１の厚さＷで
均一に充填できる量より多くする必要がある。また、フ
ォトレジスト液５の粘度は回転塗布において厚膜を形成
する場合のように高くする必要がない。粘度としては、
数ｃｐから１０００ｃｐ程度あればよく、また、粘度に
合わせてベークの条件を変更すればよい。
ベークして、フォトマスク液５を半硬化（完全に硬化し
ていない）させ、マスク１を取り外し、支持台３からフ
ォトレジスト膜７が被覆した半導体ウェハ２を取り外
し、１２０℃程度で、数分間ポストベークして、完全に
フォトレジスト膜７を硬化させる。このように、半導体
ウエハ２上にスキージー用のマスク１とスキージー６を
用いて、フォトレジスト液５を塗布し、硬化させること
で、均一で厚膜のフォトレジスト膜７を半導体ウエハ２
の中央部（半導体チップとなる領域）に形成することが
できる。半導体ウエハ２の外周部にフォトレジスト膜７
が形成されないために、サイドリンスを必要とせず、低
コスト化を図ることができる。また、このマスク１の材
質は金属でも樹脂でも構わない。また、フォトマスク液
５の液量は、マスク１の開口部４をマスク１の厚さＷで
均一に充填できる量より多くする必要がある。また、フ
ォトレジスト液５の粘度は回転塗布において厚膜を形成
する場合のように高くする必要がない。粘度としては、
数ｃｐから１０００ｃｐ程度あればよく、また、粘度に
合わせてベークの条件を変更すればよい。
【００１３】また、スキージー６でフォトレジスト液５
を均一に伸ばすために、移動方法は一方向より前後左右
の多方向に複数回掃引するとよい。図１（ｄ）の工程の
後、図示しないが、フォトリソグラフィーを用いて、こ
の１００μｍ程度の厚い膜厚のフォトレジスト膜７を、
例えば、ボンディングパッド上のみフォトリソグラフィ
を用いて開口し、この開口部のボンディングパッド上
に、金属メッキなどを用いて、数十μｍの金属柱を形成
する。その後、フォトレジスト膜７を除去し、さらに、
露出しているシード層（メッキ用の電極なる金属膜で半
導体ウエハ全体を覆っているもの：図７ではボンディン
パッド上シード層は省略されている）を除去して、金属
柱同志がシード層で電気的に接続しないようにする。そ
の後、金属柱がボンディングパッド上に形成された半導
体ウエハを切断し半導体チップとし、この半導体チップ
を樹脂モールドし、樹脂を削って金属柱を露出させ、こ
の露出面にはんだボールを形成して、図７のようなＣＳ
Ｐの半導体装置を製作することができる。
を均一に伸ばすために、移動方法は一方向より前後左右
の多方向に複数回掃引するとよい。図１（ｄ）の工程の
後、図示しないが、フォトリソグラフィーを用いて、こ
の１００μｍ程度の厚い膜厚のフォトレジスト膜７を、
例えば、ボンディングパッド上のみフォトリソグラフィ
を用いて開口し、この開口部のボンディングパッド上
に、金属メッキなどを用いて、数十μｍの金属柱を形成
する。その後、フォトレジスト膜７を除去し、さらに、
露出しているシード層（メッキ用の電極なる金属膜で半
導体ウエハ全体を覆っているもの：図７ではボンディン
パッド上シード層は省略されている）を除去して、金属
柱同志がシード層で電気的に接続しないようにする。そ
の後、金属柱がボンディングパッド上に形成された半導
体ウエハを切断し半導体チップとし、この半導体チップ
を樹脂モールドし、樹脂を削って金属柱を露出させ、こ
の露出面にはんだボールを形成して、図７のようなＣＳ
Ｐの半導体装置を製作することができる。
【００１４】図２は、図１で使用したマスクとスキージ
ーの構成図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は
同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図である。ス
キージー用のマスク１には、内部に１０μｍ程度の微小
な坑道８が開いており、この坑道８を真空引きすること
で、半導体ウエハ２の外周部にマスク１を密着させる。
また、スキージー６はマスク１の開口部４より長く、こ
のスキージー６を用いて、図示しないフォトレジスト液
を、マスクの開口部４全面に、均一な厚さに伸ばす。膜
厚はマスクなみとなる。
ーの構成図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は
同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図である。ス
キージー用のマスク１には、内部に１０μｍ程度の微小
な坑道８が開いており、この坑道８を真空引きすること
で、半導体ウエハ２の外周部にマスク１を密着させる。
また、スキージー６はマスク１の開口部４より長く、こ
のスキージー６を用いて、図示しないフォトレジスト液
を、マスクの開口部４全面に、均一な厚さに伸ばす。膜
厚はマスクなみとなる。
【００１５】図３は、この発明の第２実施例のレジスト
膜形成方法で、図２に相当するマスクの構成図であり、
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ部拡
大図である。図４は、図３（ｂ）の各部の断面図であ
り、同図（ａ）は図４（ｂ）のＸ−Ｘ線で切断した要部
断面図、同図（ｂ）は図４（ｂ）のＹ−Ｙ線で切断した
要部断面図、同図（ｃ）は図３（ｂ）のＺ−Ｚ線の切断
した要部断面図である。
膜形成方法で、図２に相当するマスクの構成図であり、
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ部拡
大図である。図４は、図３（ｂ）の各部の断面図であ
り、同図（ａ）は図４（ｂ）のＸ−Ｘ線で切断した要部
断面図、同図（ｂ）は図４（ｂ）のＹ−Ｙ線で切断した
要部断面図、同図（ｃ）は図３（ｂ）のＺ−Ｚ線の切断
した要部断面図である。
【００１６】図５は、図３で使用したマスクを用いて形
成したフォトレジスト膜の各部の断面図であり、同図
（ａ）は図４（ａ）に相当する要部断面図、同図（ｂ）
は図４（ｂ）に相当する要部断面図、同図（ｃ）は図５
（ｃ）に相当する要部断面図である。図３から図５を用
いて説明する。図２との違いは、半導体ウエハ２に形成
されたパッド３２上にフォトレジスト膜２４が被覆しな
いように、図２で用いたマスク２に、パッド３２に相当
した箇所に棒状のマスク２１を付加した点である。この
棒状のマスク２１は棒状の柱２２とこの柱２２を接続す
る接続体２３で構成される。
成したフォトレジスト膜の各部の断面図であり、同図
（ａ）は図４（ａ）に相当する要部断面図、同図（ｂ）
は図４（ｂ）に相当する要部断面図、同図（ｃ）は図５
（ｃ）に相当する要部断面図である。図３から図５を用
いて説明する。図２との違いは、半導体ウエハ２に形成
されたパッド３２上にフォトレジスト膜２４が被覆しな
いように、図２で用いたマスク２に、パッド３２に相当
した箇所に棒状のマスク２１を付加した点である。この
棒状のマスク２１は棒状の柱２２とこの柱２２を接続す
る接続体２３で構成される。
【００１７】この柱２２は、互いにこの柱２２の高さＨ
より小さな厚みＴの接続体２３で接続された編み目状の
マスクを、図２の開口部４内に設置したマスクを用いる
点である。この棒状のマスク２１を用いることで、パッ
ド３２上のフォトレジスト膜２４に棒状の溝２５を形成
することができる。この場合も、フォトリソグラフィー
を用いず、また、フォトレジスト液量を減じることがで
きるので、図２のマスク１を用いる場合より製造コスト
を低減できる。
より小さな厚みＴの接続体２３で接続された編み目状の
マスクを、図２の開口部４内に設置したマスクを用いる
点である。この棒状のマスク２１を用いることで、パッ
ド３２上のフォトレジスト膜２４に棒状の溝２５を形成
することができる。この場合も、フォトリソグラフィー
を用いず、また、フォトレジスト液量を減じることがで
きるので、図２のマスク１を用いる場合より製造コスト
を低減できる。
【００１８】また、フォトレジスト膜２４の厚さを１０
０μｍ程度とすると、この溝２５の深さは１００μｍ程
度となり、この溝２５の底部にあるパッド３２に金属メ
ッキで数十μｍの厚さの図示しない金属柱を形成し、樹
脂モールドすることで、図１で説明したフォトリソグラ
フィーせずにＣＰＳなどの半導体装置を製造できるため
に、製造コストの低減を図ることができる。
０μｍ程度とすると、この溝２５の深さは１００μｍ程
度となり、この溝２５の底部にあるパッド３２に金属メ
ッキで数十μｍの厚さの図示しない金属柱を形成し、樹
脂モールドすることで、図１で説明したフォトリソグラ
フィーせずにＣＰＳなどの半導体装置を製造できるため
に、製造コストの低減を図ることができる。
【００１９】
【発明の効果】この発明によれば、スキージーとスキー
ジー用のマスクを用いることで、回転塗布法では困難と
される、均一で、厚い膜厚のフォトレジスト膜を低コス
トで半導体ウエハの中央部に形成することができる。ま
た、このこのスキージー用のマスクの開口部に、半導体
ウエハに形成されるパッド上に相当する箇所と接触する
棒状のマスクを付加することで、フォトリソグラフィー
を用いずに、パッド上のフォトレジスト膜を除去でき
て、ＣＳＰなどの半導体装置を、製造コストを形成でき
る。
ジー用のマスクを用いることで、回転塗布法では困難と
される、均一で、厚い膜厚のフォトレジスト膜を低コス
トで半導体ウエハの中央部に形成することができる。ま
た、このこのスキージー用のマスクの開口部に、半導体
ウエハに形成されるパッド上に相当する箇所と接触する
棒状のマスクを付加することで、フォトリソグラフィー
を用いずに、パッド上のフォトレジスト膜を除去でき
て、ＣＳＰなどの半導体装置を、製造コストを形成でき
る。
【図１】この発明の第１実施例のレジスト膜形成方法を
示す図で、（ａ）から（ｄ）は工程順に示した要部工程
断面図
示す図で、（ａ）から（ｄ）は工程順に示した要部工程
断面図
【図２】図１で使用したマスクとスキージーの構成図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線
で切断した要部断面図
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線
で切断した要部断面図
【図３】この発明の第２実施例のレジスト膜形成方法
で、図２に相当するマスクの構成図であり、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大図
で、図２に相当するマスクの構成図であり、（ａ）は平
面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大図
【図４】図３（ｂ）の各部の断面図であり、（ａ）は図
３（ｂ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図、（ｂ）は図
３（ｂ）のＹ−Ｙ線で切断した要部断面図、（ｃ）は図
３（ｂ）のＺ−Ｚ線の切断した要部断面図
３（ｂ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図、（ｂ）は図
３（ｂ）のＹ−Ｙ線で切断した要部断面図、（ｃ）は図
３（ｂ）のＺ−Ｚ線の切断した要部断面図
【図５】図３で使用したマスクを用いて形成したフォト
レジスト膜の各部の断面図であり、（ａ）は図４（ａ）
に相当する要部断面図、（ｂ）は図４（ｂ）に相当する
要部断面図、（ｃ）は図４（ｃ）に相当する要部断面図
レジスト膜の各部の断面図であり、（ａ）は図４（ａ）
に相当する要部断面図、（ｂ）は図４（ｂ）に相当する
要部断面図、（ｃ）は図４（ｃ）に相当する要部断面図
【図６】従来のフォトレジスト膜形成方法であり、
（ａ）から（ｄ）は工程順に示した要部工程断面図
（ａ）から（ｄ）は工程順に示した要部工程断面図
【図７】ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）などを用いた半導体装置の要部断面図
ｅ）などを用いた半導体装置の要部断面図
１ マスク
２ 半導体ウエハ
３ 支持台
４ 開口部
５ フォトレジスト液
６ スキージー
７、１３、２４ フォトレジスト膜
８ 坑道
２１ 棒状のマスク
２２ 棒状の柱
２３ 接続体
２５ 棒状の溝
３１ 半導体チップ
３２ パッド
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｂ０５Ｃ 11/02 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｚ
Ｆターム(参考） 2H025 AB16 EA04
4D075 AC53 AC78 AC92 BB26Z
DA06 DA08 DB11 DC22 EA07
EA45
4F042 AA02 AA07 BA25
5F046 JA01 JA19
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウエハ上に厚膜のフォトレジスト膜
を形成するフォトレジスト膜形成方法において、半導体
ウエハの裏面を支持台に設置する工程と、外周端が前記
半導体ウエハの外周端より大きく、前記半導体ウエハの
外周端より小さな開口部を有する、所定の厚さの第１の
マスクを、前記半導体ウエハの表面と密着させる工程
と、該開口部内の半導体ウエハ上に液状のフォトレジス
トを滴下する工程と、前記開口部より長いスキージーを
用いて、前記滴下された液状のフォトレジストを前記開
口部全域に前記第１のマスクの厚みと同等の厚みに伸ば
す工程と、該伸ばされた液状のフォトレジストを加熱し
て固化し、フォトレジスト膜を形成する工程とを含むこ
とを特徴とするフォトレジスト膜形成方法。 - 【請求項２】前記第１のマスクの開口部内に、前記半導
体チップに形成されたパッド部を密着被覆する柱と、該
柱の上部が互いに接続体で接続される第３のマスクを形
成し、該第３のマスクと前記第１のマスクとを接続し、
該第３のマスクの柱の高さが、前記第１のマスクの高さ
と同一面であることを特徴とする請求項１に記載のフォ
トレジスト膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001376671A JP2003178948A (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | フォトレジスト膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001376671A JP2003178948A (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | フォトレジスト膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003178948A true JP2003178948A (ja) | 2003-06-27 |
Family
ID=19184815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001376671A Pending JP2003178948A (ja) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | フォトレジスト膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003178948A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006095869A1 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Pioneer Corporation | 隔壁パターン形成用雌型材料、隔壁パターン形成用雌型の形成方法、隔壁パターン形成方法、プラズマディスプレイパネル |
| JP2007059668A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008027967A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR20200078086A (ko) * | 2018-12-21 | 2020-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 접착제 도포장치 |
-
2001
- 2001-12-11 JP JP2001376671A patent/JP2003178948A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2006095869A1 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Pioneer Corporation | 隔壁パターン形成用雌型材料、隔壁パターン形成用雌型の形成方法、隔壁パターン形成方法、プラズマディスプレイパネル |
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| JP2008027967A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR20200078086A (ko) * | 2018-12-21 | 2020-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 접착제 도포장치 |
| KR102547574B1 (ko) | 2018-12-21 | 2023-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 접착제 도포장치 |
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