JP2003162065A - 露光装置、露光マスク、露光方法、表示装置及び電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 塵埃等による感光性材料のパターン欠陥を低
減する。 【解決手段】 １回目の露光後に、１回目の露光で露光
済みの部分の一部に露光マスク２０１のマスクパターン
が重なるように、露光マスク２０１のマスクパターンと
露光対象基板３００との平面視における重なり位置を所
定量変化させて、再度、露光を行う。例えば、ドライフ
ィルムレジスト６０がネガ型の場合、マスク２０１の透
光部２０１ａのパターンは、露光現像後に残存させるべ
き（設計上の）ドライフィルムレジスト６０の所定パタ
ーンの一部のみに対応する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置、露光マ
スク、露光方法、表示装置及び電子部品に関し、主に感
光性材料のパターン欠陥を低減するあるいは無くして生
産効率及び歩留まりを向上させるための技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；
Plasma display panel）はフラットディスプレイパネル
（ＦＤＰ；Flat display panel）の１つとして注目され
ており、大型かつ薄型の表示装置を実現可能としうる。
ＰＤＰは気体放電を用いた表示装置であり、主としてＤ
Ｃ型とＡＣ型とに大別される。近年では画面サイズが３
０吋級から６０吋級のＡＣ型ＰＤＰの製品化が活発にな
されている。

【０００３】図２５に一般的なＡＣ型ＰＤＰ５１を説明
するための斜視図を示す。ＰＤＰ５１は、前面基板５１
Ｆ及び背面基板５１Ｒに大別される。

【０００４】前面基板５１Ｆは、前面ガラス基板５と、
透明電極１と、母電極（ないしはバス電極）２と、透明
な誘電体層３と、保護膜（ないしはカソード膜）４と、
を備えている。詳細には、前面ガラス基板５上に透明電
極１及び母電極２がこの順序で積層されており、透明電
極１及び母電極２はそれぞれストライプ状に形成されて
いる。透明電極１及び母電極２を覆って前面ガラス基板
５上に誘電体層３及び保護膜４がこの順序で形成されて
いる。

【０００５】他方、背面基板５１Ｒは、背面ガラス基板
９と、書込電極６と、白色の誘電体層１０と、隔壁（な
いしはバリアリブ）７と、蛍光体層８と、を備えてい
る。詳細には、背面ガラス基板９上にストライプ状のア
ドレス電極６が形成されており、書込電極６を覆って背
面ガラス基板９上に誘電体層１０が形成されている。な
お、背面ガラス基板９、書込電極６及び誘電体層１０か
ら成る構成を「下地基板５１Ｑ」と呼ぶことにする。そ
して、誘電体層１０上にストライプ状の隔壁７が形成さ
れている。なお、背面基板５１Ｒないしは背面ガラス基
板９の主面の平面視において、隔壁７及び書込電極６の
各帯状パターンが交互に並んでいる。隔壁７と誘電体層
１０とが成す複数のＵ字型溝の内面上に蛍光体層８が形
成されている。

【０００６】前面基板５１Ｆと背面基板５１Ｒとは、透
明電極１（及び母電極２）と書込電極６とが（立体）交
差するように又隔壁７の頂部と保護膜４とが当接するよ
うに重ねられており、周縁において封着されている。そ
して、ＰＤＰ５１内は放電ガスが充填されている。

【０００７】ＰＤＰ５１において透明電極１、母電極
２、書込電極６、隔壁７等の形成にはフォトリソグラフ
ィー法が広く用いられ、その露光方法として一括露光方
法が広く用いられている。

【０００８】ここで、隔壁７の形成を一例に挙げて従来
の一括露光方法を説明する。図２６〜図２９に従来の一
括露光方法を用いた、ＰＤＰ５１の製造方法を説明する
ための断面図を示す。なお、隔壁の形成にはサンドブラ
スト法が広く用いられており、ここではそれによる形成
方法を説明する。

【０００９】まず、下地基板５１Ｑ上に全面的に、隔壁
の材料であるガラスペーストの層７Ａ（図２６参照）を
コート法や印刷法等により形成する。そして、ガラスペ
ースト層７Ａ上に感光性材料であるドライフィルムレジ
スト６０（ここではネガ型）（図２６参照）をラミネー
ターによるラミネート法等で形成する。

【００１０】次に、図２６に示すように、一括露光装置
によって露光マスク（以下、単に「マスク」とも呼ぶ）
２０１Ｐのパターンを一括してドライフィルムレジスト
６０に露光転写する。このとき、従来の製造方法では１
回の露光で隔壁７の全体のパターンをレジスト６０に露
光転写する。レジスト６０のうちで露光された部分６１
では光重合が起きて該露光部分６１は現像液に対して難
溶性の性状になる一方で、露光されなかった部分６３で
は光重合が起きず該未露光部分６３は現像液に対して可
溶性の性状になる。このため、ドライフィルムレジスト
６０を現像するとレジスト６０のうちで露光されなかっ
た部分６３は現像液に溶解する一方で露光された部分６
１のみが現像液に溶解せずに露光パターンとして形成さ
れる（図２７参照）。

【００１１】次に、ドライフィルムレジスト６０をマス
クとして用いてサンドブラストを実施することにより、
ガラスペースト層７Ａをドライフィルムレジスト６０の
露光パターンに応じたパターンに形成する（図２８参
照）。その後、ドライフィルムレジスト６０を剥離し、
高温で焼成することにより隔壁７が完成する（図２９参
照）。

【００１２】なお、露光工程において図２６に示すよう
にマスク２０１Ｐに塵埃２００が付着していると、塵埃
２００により露光光が遮光されて本来露光されるべき部
分が未露光状態になる。つまり、塵埃２００はレジスト
６０に未露光パターン欠陥６４（図２７参照）を発生さ
せる。このような未露光パターン欠陥の検査および修正
は、ドライフィルムレジスト６０の現像後、あるいは、
ドライフィルムレジスト６０の剥離後、あるいは、焼成
後等に行われる。

【００１３】ここで、図３０に上述の従来の一括露光に
用いる従来の露光マスク２０１Ｐを説明するための平面
図を示し、図３１に従来の露光マスク２０１の設計を説
明するためにドライフィルムレジスト６０の現像後にお
ける背面基板５１Ｒの平面図を示す。なお、図３０では
露光マスク２０１Ｐにおいて、露光光が透過可能な透光
部２０１ａＰを白く、露光光を遮光する遮光部２０１ｂ
Ｐを黒く図示している。従来のマスク２０１Ｐのマスク
パターンは１回の露光でレジスト６０が隔壁７のパター
ンに露光されるように設計されている。

【００１４】詳しくは、隔壁７の設計パターンに対応す
るレジスト６０の露光部分６１のパターン（設計上のパ
ターン）について、各帯状パターンの幅及び長さをＷｄ
及びＬｄと表し、帯状パターンのピッチをＰｄと表し、
帯状パターンの数をＮｄと表すと共に、露光マスク２０
１Ｐについて、各帯状パターンの幅及び長さをＷｍ及び
Ｌｍと表し、帯状パターンのピッチをＰｍと表し、帯状
パターンの数をＮｍと表し、さらに材料やプロセスに依
存して生じる露光マスク２０１Ｐとレジスト６０の露光
部分６１との間の寸法差をＷｏと表すと、露光マスク２
０１Ｐのマスクパターンは式（１）〜（４）を満足する
ように設計される。

【００１５】 Ｗｍ＝Ｗｄ＋Ｗｏ …（１） Ｌｍ＝Ｌｄ＋Ｗｏ …（２） Ｐｍ＝Ｐｄ …（３） Ｎｍ＝Ｎｄ …（４） 特に一括露光方法での露光は１回のみであるので、当該
１回の露光によってドライフィルムレジスト６０がパタ
ーン幅Ｗｄ、パターン長Ｌｄ、パターンピッチＰｄ及び
パターン配置数Ｎｄを有するパターンに露光されるよう
に露光マスク２０１Ｐが設計されている。

【００１６】次に、図３２及び図３３のフローチャート
（結合子Ｃ，Ｄを介して繋がっている）を参照しつつ、
上述の一括露光方法を行う従来の露光装置の動作を説明
する。

【００１７】従来の露光装置では、まず、マスク２０１
Ｐをマスクステージの位置に搬入して位置決め（アライ
メント）をし、その後、マスクステージに吸着固定する
（ステップＳＴ１Ｐ〜ＳＴ３Ｐ）。次に、露光対象基板
（ガラスペースト７Ａ及びドライフィルムレジスト６０
が形成された下地基板５１Ｑ）を基板ステージ上に搬入
しピン等により粗な位置決めをした後に、基板ステージ
に吸着固定する（ステップＳＴ４Ｐ〜ＳＴ６Ｐ）。次
に、光学式のプロキシミティギャップセンサにより露光
対象基板とマスク２０１Ｐとの間隔（以下「プロキシミ
ティギャップ」とも呼ぶ）を計測しながら基板ステージ
又は／及びマスクステージのＺ方向駆動により予め設定
された所定のプロキシミティギャップに設定する（ステ
ップＳＴ７Ｐ〜ＳＴ９Ｐ）。

【００１８】その後、アライメント露光の場合にはＣＣ
Ｄカメラによって基板とマスク２０１Ｐとの位置合わせ
ずれを撮像しながら当該位置合わせずれが予め設定され
た所定の許容値内に入るように基板ステージ又は／及び
マスクステージをＸＹ方向駆動して基板とマスク２０１
Ｐとを位置合わせする（ステップＳＴ１０Ｐ〜ＳＴ１２
Ｐ）。そして、予め設定された露光量で露光を行う（ス
テップＳＴ１３Ｐ）。なお、ノンアライメント露光の場
合は基板とマスク２０１ＰとのＸＹアライメント（ステ
ップＳＴ１０Ｐ〜ＳＴ１２Ｐ）を実行することなく、予
め設定された露光量で露光を行う（ステップＳＴ１３
Ｐ）。

【００１９】露光後、基板ステージ又は／及びマスクス
テージを初期位置に復帰し、基板の吸着固定を解除した
後に基板を搬出する（ステップＳＴ１４Ｐ〜ＳＴ１６
Ｐ）。なお、続いて露光する基板があれば（ステップＳ
Ｔ１７Ｐ）、上述の基板搬入ステップＳＴ４Ｐから基板
搬出ステップＳＴ１６Ｐまでを繰り返し行う。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】さて、近年、例えばＰ
ＤＰ等に代表される表示装置の製造工程では、露光パタ
ーンの無欠陥化や低欠陥化を実現しうる露光技術が強く
要求されている。かかる要求は近年、表示装置の表示画
面の大型化や高精細化が進むに従って、より強くなって
きている。

【００２１】表示装置の表示画面が大型化すると露光マ
スク２０１Ｐも大型化し、マスク２０１Ｐの大型化に伴
ってマスク２０１Ｐへ塵埃２００が付着する確率は高く
なる。また、表示装置の表示画面が高精細化するとマス
ク２０１Ｐのパターンが微細化する。マスク２０１Ｐの
パターンの微細化に伴って未露光パターン欠陥６４（図
２７参照）の原因となる塵埃２００の大きさもより小さ
くなるので、該微細化によっても未露光パターン欠陥６
４の原因となる塵埃の付着率は高くなる。塵埃２００は
露光光を遮るので、本来露光されるべき部分が未露光状
態となり、未露光パターン欠陥６４が生じる。その結
果、製造歩留まりが低下したり、あるいは、未露光パタ
ーン欠陥６４の検査や修正等によって生産効率が低下す
る。

【００２２】露光マスク２０１Ｐへの塵埃２００の付着
による未露光パターン欠陥６４を低減する方法として
は、いくつかの方法がある。

【００２３】一般的な方法として露光マスク２０１Ｐの
清浄度管理が挙げられる。しかし、上述のようにマスク
２０１Ｐの大型化や高精細化等に伴ってマスク２０１へ
の塵埃付着の確率はより高くなるので、マスク２０１Ｐ
を無欠陥あるいは低欠陥の状態で維持管理していくため
には高度な清浄管理技術が要求され、マスク２０１Ｐの
清浄度管理による塵埃２００の付着防止は実際には実現
困難な状況にある。

【００２４】なお、塵埃２００が洗浄等によっても除去
できないような場合には露光マスクは例えば廃棄され、
塵埃２００によって露光マスクの寿命が縮められてしま
う。

【００２５】また、特殊な方法として、マスク２０１Ｐ
と露光対象基板とを位置合わせした後に露光を行うよう
なアライメント露光では、同一パターンを有する複数の
マスク２０１Ｐを用いて複数回数の露光を行うという方
法がある。複数枚数のマスク２０１Ｐにおいて同一箇所
（同一座標）に塵埃２００が存在する確率は極めて低い
ので、複数枚数のマスク２０１Ｐを用いて各マスク２０
１Ｐ毎に露光を行うことにより塵埃２００による未露光
部分６３（図２６参照）が解消される。しかし、複数枚
数のマスク２０１Ｐのそれぞれに対して、基板投入、ア
ライメント露光および基板搬出という一連の工程を実施
する必要があるので、生産効率が低減してしまうという
問題点がある。さらに、この方法は基板とマスク２０１
Ｐとの位置あわせを行うアライメント露光に対しては実
施可能であるが、アライメントを実施しないノンアライ
メント露光（例えばアライメントマークが基板上に形成
されていない初回の露光工程等）では実施できないとい
う問題点がある。このため、複数枚数のマスク２０１Ｐ
を用いて複数回数の露光を行うこの方法も一般的には実
施されていないかあるいは実施できない状況にある。

【００２６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、露光マスクの清浄度管理を緩和可能であり、複数
の露光マスクを用いて複数回の露光を行う場合よりも高
いスループットを実現可能であり、アライメント露光及
びノンアライメント露光のいずれにも対応可能な露光装
置及び露光方法を提供することを第１の目的とする。

【００２７】さらに、本発明は、清浄度管理を緩和可能
であり、露光マスクを長寿命化可能な露光マスクを提供
することを第２の目的とする。

【００２８】また、上記第１及び第２の目的の実現によ
り表示装置や電子部品を安価に提供することを第３の目
的とする。

【００２９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の露光装
置は、感光性材料を有する露光対象基板を支持する基板
ステージと、露光マスクを支持するマスクステージと、
露光光源と、前記露光光源からの露光光の出射を制御す
ると共に、前記マスクステージ又は／及び前記基板ステ
ージの位置を制御して前記露光マスクと前記露光対象基
板との相対位置を制御する制御部と、を備え、前記制御
部は、前記露光光源によって前記露光マスクのマスクパ
ターンを前記感光性材料に一括露光転写する露光制御
と、前記露光マスクと前記露光対象基板との相対位置を
調整するステージ位置制御と、を順次に実施し、且つ、
前記露光制御を少なくとも２回実施し、前記ステージ位
置制御は、先の前記露光制御で露光済みの部分の一部に
前記露光マスクの前記マスクパターンが重なるように前
記露光マスクの前記マスクパターンと前記露光対象基板
との平面視における重なり位置を所定量、変化させる重
なり制御を含む。

【００３０】請求項２に記載の露光装置は、請求項１に
記載の露光装置であって、前記ステージ位置制御は、前
記重なり制御の前に前記露光マスクと前記露光対象基板
とを遠ざけるプロキシミティギャップ拡大制御と、前記
重なり制御の後に前記露光マスクと前記露光対象基板と
を近づけるプロキシミティギャップ縮小制御と、をさら
に含む。

【００３１】請求項３に記載の露光装置は、請求項１又
は請求項２に記載の露光装置であって、前記ステージ位
置制御は、前記重なり制御の後に前記露光マスクと前記
露光対象基板とを位置合わせする位置合わせ制御をさら
に含む。

【００３２】請求項４に記載の露光マスクは、露光対象
基板が有する感光性材料を所定パターンに露光するため
の露光マスクであって、前記所定パターンの一部のみに
対応するマスクパターンを有しており、前記マスクパタ
ーンは当該マスクパターンと前記露光対象基板との平面
視における重なり位置を変化させて露光を複数回実施す
ることにより前記感光性材料を前記所定パターンに露光
可能なパターンである。

【００３３】請求項５に記載の露光マスクは、請求項４
に記載の露光マスクであって、前記所定パターンの前記
一部と残りの他部との間で露光形状が連続するように前
記所定パターンの前記一部が選定されている。

【００３４】請求項６に記載の露光マスクは、請求項４
又は請求項５に記載の露光マスクであって、前記所定パ
ターンは繰り返し配置された所定数の単位パターンを含
み、前記所定パターンの前記一部は前記複数の単位パタ
ーンのうちで２つ以上且つ前記所定数未満の単位パター
ンを含む。

【００３５】請求項７に記載の露光方法は、露光対象基
板が有する感光性材料を露光マスクを用いて所定パター
ンに露光する露光方法であって、(a)前記露光マスクの
マスクパターンを前記感光性材料に一括露光転写するス
テップと、(b)前記露光マスクと前記露光対象基板との
相対位置を調整するステップと、を備え、前記ステップ
(a)と前記ステップ(b)とを順次に実施し、且つ、前記ス
テップ(a)を少なくとも２回実施し、前記ステップ(b)
は、(b)-1)先の前記ステップ(a)で露光済みの部分の一
部に前記露光マスクの前記マスクパターンが重なるよう
に前記露光マスクの前記マスクパターンと前記露光対象
基板との平面視における重なり位置を所定量、変化させ
るステップを含む。

【００３６】請求項８に記載の露光方法は、請求項７に
記載の露光方法であって、前記ステップ(b)は、(b)-2)
前記ステップ(b)-1)の前に前記露光マスクと前記露光対
象基板とを遠ざけるステップと、(b)-3)前記ステップ
(b)-1)の後に前記露光マスクと前記露光対象基板とを近
づけるステップと、をさらに含む。

【００３７】請求項９に記載の露光方法は、請求項７又
は請求項８に記載の露光方法であって、前記ステップ
(b)は、(b)-4)前記ステップ(b)-1)の後に前記露光マス
クと前記露光対象基板とを位置合わせするステップをさ
らに含む。

【００３８】請求項１０に記載の露光方法は、請求項７
乃至請求項９のいずれかに記載の露光方法であって、前
記露光マスクとして請求項４乃至請求項６のいずれかに
記載の露光マスクを用いる。

【００３９】請求項１１に記載の表示装置は、請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載の露光装置、又は、請求
項４乃至請求項６のいずれかに記載の露光マスク、又
は、請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の露光方
法を用いて製造される。

【００４０】請求項１２に記載の電子部品は、請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載の露光装置、又は、請求
項４乃至請求項６のいずれかに記載の露光マスク、又
は、請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の露光方
法を用いて製造される。

【００４１】

【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞図１に実施の形
態１に係る露光マスク（以下、単に「マスク」とも呼
ぶ）２０１を説明するための平面図を示し、図２に当該
露光マスク２０１の設計及び実施の形態１に係る露光方
法を説明するための平面図を示す。なお、説明のため図
１中には塵埃２００を図示している。ここでは一例とし
て、ストライプ状（複数の帯状パターンが定方向に並ん
だパターン）の隔壁７を形成する場合、及び、露光対象
の感光性材料（例えばドライフィルムレジスト（以下、
単に「レジスト」とも呼ぶ）６０）がネガ型の場合を説
明するものとし、図２には隔壁７を形成する工程におい
てドライフィルムレジスト６０を現像した後における背
面基板５１Ｒの平面図を示している。このとき、現像後
のレジスト６０は隔壁７のパターンに対応してストライ
プ状に形成されている。なお、下地基板５１Ｑ、ガラス
ペースト層７Ａ及びレジスト６０から成る構成を「露光
対象基板３００」と呼ぶことにする（後述の図４参
照）。

【００４２】図１に示すように、露光マスク２０１のマ
スクパターンは露光光が透過可能な透光部（白く図示し
ている部分）２０１ａと、露光光を遮光する遮光部（黒
く図示している部分）２０１ｂと、を含んでいる。な
お、一般的に露光マスクは例えばアライメントマークや
プロキシミティギャップマーク（図示せず）を形成する
ためのパターンを有する場合があるが、説明を簡単にす
るためにここではそれらは「マスクパターン」に含めな
いことにする。透光部２０１ａはストライプ状をしてい
る（複数の帯状パターンが定方向に並んでいる）。特
に、当該マスク２０１のマスクパターンは露光現像後に
残存させるべき（設計上の）ドライフィルムレジスト６
０の所定パターン（ここではストライプ状）の一部６０
Ａのみに対応する。具体的には、上述のようにここでは
ドライフィルムレジスト６０がネガ型なので、マスク２
０１の透光部２０１ａのパターンが上記一部６０Ａのみ
に対応する。しかも、露光マスク２０１は当該露光マス
ク２０１のマスクパターンと露光対象基板３００との平
面視における重なり位置を変化させて露光を複数回実施
することによりレジスト６０を上記所定パターンに露光
可能なマスクパターンを有している。このとき、露光マ
スク２０１ではレジスト６０の所定パターンの上記一部
６０Ａ（換言すればマスク２０１の透光部２０１ａ）と
残りの他部６０Ｂとの間で露光形状が連続するように、
所定パターンの一部６０Ａが選定されている。

【００４３】詳しくは、隔壁７の設計パターンに対応す
るレジスト６０の露光部分のパターン（設計上のパター
ン）について、各帯状パターンの幅及び長さをＷｄ及び
Ｌｄと表し、帯状パターンのピッチをＰｄと表し、帯状
パターンの数をＮｄと表すと共に、露光マスク２０１の
透光部２０１ａのパターンについて、各帯状パターンの
幅及び長さをＷｍ１及びＬｍ１と表し、帯状パターンの
ピッチをＰｍ１と表し、帯状パターンの数をＮｍ１と表
し、さらに材料やプロセスに依存して生じる露光マスク
２０１とレジスト６０の露光部分との間の寸法差をＷｏ
と表すと、露光マスク２０１のマスクパターンは式
（５）〜（８）を満足するように設計されている。

【００４４】 Ｗｍ１＝Ｗｄ＋Ｗｏ …（５） Ｌｍ１＝Ｌｄ＋Ｗｏ−Ｌｓ１ …（６） Ｐｍ１＝Ｐｄ …（７） Ｎｍ１＝Ｎｄ …（８） つまり、マスク２０１の透光部２０１ａの各帯状パター
ンの長さＬｍ１は露光現像後のレジスト６０の各帯状パ
ターンの長さＬｄよりも大略寸法Ｌｓ１（＜Ｌｍ１）だ
け短い（寸法Ｗｏは寸法Ｌｓ１よりも十分に小さいとす
る）。このため、露光マスク２０１と露光対象基板３０
０とを透光部２０１ａの帯状パターンの延在方向（ない
しは伸長方向）に相対的にずらして（ずらす合計は寸法
Ｌｓ１）複数回の露光を実施することによりレジスト６
０を所定のストライプ状に露光可能である。かかる露光
方法によれば、レジスト６０の所定パターンの上記一部
６０Ａと残りの他部６０Ｂとの間で露光形状が連続する
ようにレジスト６０を露光することができる。

【００４５】次に、図３〜図６及び図８及び図１０〜図
１２の断面図（側面図）及び図７及び図９の平面図を参
照しつつ、隔壁７の形成を一例に挙げて露光マスク２０
１を用いた露光方法を説明する。なお、図３〜図６及び
図８及び図１０〜図１２は図２中のＩ−Ｉ線における断
面図（側面図）に相当する。また、図６〜図９では説明
のために露光マスク２０１と下地基板５１Ｑとを同じ大
きさで図示しているが、マスク２０１の遮光部２０１ｂ
は周縁に十分に広がっている。

【００４６】まず、一般的な製造方法により下地基板５
１Ｑを準備し（図３及び図２５参照）、図４に示すよう
に下地基板５１Ｑ上に全面的に、隔壁の材料であるガラ
スペーストの層７Ａをコート法や印刷法等により形成す
る。そして、図５に示すように、ガラスペースト層７Ａ
上に感光性材料であるドライフィルムレジスト６０（こ
こではネガ型）をラミネーターによるラミネート法等で
形成する。

【００４７】なお、露光対象基板３００の主面（例えば
背面ガラス基板９の主面）の周縁部にはアライメントマ
ーク及びプロキシミティギャップマーク（図示せず）が
設けられている。

【００４８】次に、図６及び図７に示すように、露光マ
スク２０１と露光対象基板３００とを対面させて相対位
置を調整し（アライメントし）、その後、マスク２０１
を介してレジスト６０を露光することによりマスク２０
１のパターンを一括してドライフィルムレジスト６０に
露光転写する。次に、図８及び図９に示すように、露光
マスク２０１と露光対象基板３００との相対位置を再び
調整し、２回目の露光を行う。特に、２回目の相対位置
を調整する際に、先の露光で露光済みの部分の一部に露
光マスク２０１のマスクパターンが重なるように、露光
マスク２０１のマスクパターンと露光対象基板３００と
の平面視（図９参照）における重なり位置を所定量（ス
テップ的に）変化させる。具体的には、露光マスク２０
１と露光対象基板３００とが１回目の露光時における相
対位置に対してマスク２０１の透光部２０１ａの帯状パ
ターンの延在方向に寸法Ｌｓ１だけずれた位置関係にな
るように露光マスク２０１又は／及び露光対象基板３０
０を移動させることによって、上述の重なり位置を変化
させる。

【００４９】このように、本露光方法では、単一の露光
マスク２０１を用いて露光を２回実施することにより、
レジスト６０を所定パターン（図２参照）に露光する。
かかる２回の露光が全て終了した後のレジスト６０は、
露光光が１回照射された部分６１と、露光光が２回照射
された部分６２と、露光されなかった部分６３とに分け
られ、本露光方法によれば当該レジスト６０には露光光
が１回照射された部分６１と複数回（２回）照射された
部分６２とが混在する。

【００５０】なお、上述の説明ではマスク２０１のマス
クパターンと露光対象基板３００との重なり量を１回で
寸法Ｌｓ１分、変化させる場合を述べたが、当該重なり
量を複数回に分けてステップ的に変化させて（しかも各
回における重なりの変化量は異なっていても構わない）
各重なり状態毎に露光を行っても良い。このとき、少な
くとも１回の露光光照射によってレジスト６０に十分な
光重合が生じるように露光光量を設定する。例えば第１
回目及び最終回の露光時の露光光量を十分に光重合可能
な量に設定すると共にそれ以外の回の露光光量をそれ以
下に設定しても良い。あるいは、複数回露光される部分
に対しては複数回露光された結果として十分な光重合が
生じるように各露光時の露光光量を設定しても良い。あ
るいは、例えば十分な光重合反応が生じうる範囲内にお
いて第１回目から最終回までの各露光時の露光光量をそ
れぞれ任意に設定しても良い。

【００５１】次に、レジスト６０を現像するとレジスト
６０のうちで露光されなかった部分６３は現像液に溶解
する一方で露光された部分６１，６２は現像液に溶解せ
ずに露光パターンとして形成される（図１０参照）。そ
の後、現像後に残存するドライフィルムレジスト６０を
マスクとして用いてサンドブラストを実施することによ
り、ガラスペースト層７Ａをドライフィルムレジスト６
０の露光パターンに応じたパターンに形成する（図１１
及び図２参照）。その後、ドライフィルムレジスト６０
を剥離し、高温で焼成することにより隔壁７が完成する
（図１２参照）。

【００５２】なお、露光マスク２０１と露光対象基板３
００との相対位置を調整する際に、マスク２０１のマス
クパターンと露光対象基板３００との重なり位置を変化
させる前にマスク２０１と露光対象基板３００とを遠ざ
ける（マスク２０１と露光対象基板３００との間隔（プ
ロキシミティギャップ）を拡大する）と共に、上記重な
り位置を変化させた後にマスク２０１と露光対象基板３
００とを近づけて（プロキシミティギャップを縮小し
て）所定のプロキシミティギャップに設定・調整しても
良い。これによれば、マスク２０１のマスクパターンと
露光対象基板３００との重なり位置を変化させる際にマ
スク２０１と露光対象基板３００とが接触するのを確実
に回避することができる。

【００５３】本露光方法では、マスク２０１のマスクパ
ターンと露光対象基板３００との重なりの変化量を予め
設定しておくので、アライメント露光及びノンアライメ
ント露光のいずれにも適用可能である。このとき、露光
マスク２０１及び露光対象基板３００がアライメントマ
ークを有する場合には（すなわちアライメント露光が可
能な場合には）、露光マスク２０１と露光対象基板３０
０との相対位置を調整するステップに、マスク２０１の
マスクパターンと露光対象基板３００との重なり位置を
変化させた後にマスク２０１と露光対象基板３００とを
上記アライメントマークを利用して位置合わせするステ
ップを含ませることが可能である。これによれば、アラ
イメントマークを利用した位置合わせによって、重なり
位置を変化させた後においてもより正確な位置精度で２
回目の（２回目以降の）露光を行うことができる。

【００５４】次に、図１３に上述の露光方法を実現する
ための露光装置１００のブロック図を示す。なお、説明
のため図１３中には露光マスク２０１及び露光対象基板
３００を併せて図示している。

【００５５】露光装置１００は、基板ステージ１１０
と、マスクステージ１０９と、露光光源１０８と、制御
部１０１とを備えている。詳細には、基板ステージ１１
０はドライフィルムレジスト６０を有した露光対象基板
３００を例えば吸着固定により支持し、マスクステージ
１０９は例えば吸着固定により露光マスク２０１を支持
する。露光光源１０８は露光光を出射し、当該光源１０
８からの露光光の出射は制御部１０１によって（より具
体的には後述の制御回路１０２によって）制御される。
なお、図１３中には露光光源１０８とマスク２０１との
間の詳細な光学系の図示化は省略している。

【００５６】制御部１０１は、制御回路１０２と、ステ
ージコントローラ１０３と、プロキシミティギャップセ
ンサ１０４と、顕微鏡１０５と、撮像カメラ（ここでは
ＣＣＤカメラ）１０６と、画像処理装置１０７とを備え
ている。

【００５７】制御回路１０２は例えば露光装置１００全
体のシーケンス制御（後述する）やステージコントロー
ラ１０３の駆動等の各種の制御を行う。ステージコント
ローラ１０３は、制御回路１０２の制御の下、基板ステ
ージ１１０又は／及びマスクステージ１０９をＸ、Ｙ、
Ｚ軸方向に駆動する。なお、ここではＸ軸及びＹ軸を水
平面内に取り、Ｘ軸及びＹ軸に垂直にＺ軸を取る。

【００５８】プロキシミティギャップセンサ１０４はマ
スク２０１と露光対象基板３００との間隔（プロキシミ
ティギャップ）をマスク２０１及び露光対象基板３００
に設けられたプロキシミティギャップマークを利用して
例えば光学的に計測し、計測結果を制御回路１０２へ出
力する。ＣＣＤカメラ１０６は顕微鏡１０５を介してマ
スク２０１及び露光対象基板３００に設けられたアライ
メントマークを光学像として取り込み、取り込んだ像を
制御回路１０２へ出力する。また、制御回路１０２は顕
微鏡１０５及びＣＣＤカメラ１０６の例えばピントを制
御する。

【００５９】ＣＣＤカメラ１０６により取り込まれた像
やプロキシミティギャップセンサ１０４からの出力は画
像処理装置（例えばパーソナルコンピュータが適用可能
である）１０７によって画像処理等され、処理結果は制
御回路１０２へ出力される。画像処理装置１０７による
処理結果に基づいて制御回路１０２はステージコントロ
ーラ１０３を介して基板ステージ１１０又は／及びマス
クステージ１０９の位置を制御して露光対象基板１１０
とマスク２０１との相対位置を制御する。

【００６０】なお、制御回路１０２と画像処理装置１０
７とを兼用するような構成にしても構わない。

【００６１】次に、図１４及び図１５のフローチャート
（図１４及び図１５は結合子Ａ，Ｂを介して繋がってい
る）を参照しつつ、露光装置１００の動作ないしは制御
部１０１（の制御回路１０２）によるシーケンス制御を
説明する。

【００６２】まず、露光マスク２０１をマスクステージ
１０９の位置に搬入し（ステップＳＴ１）、マスク２０
１を位置決めし（アライメントし）（ステップＳＴ
２）、その後、マスク２０１をマスクステージ１０９に
吸着固定する（ステップＳＴ３）。次に、露光対象基板
（ガラスペースト７Ａ及びドライフィルムレジスト６０
が形成された下地基板５１Ｑ）３００を基板ステージ１
１０上に搬入し（ステップＳＴ４）、露光対象基板３０
０をピン等により粗な位置決めをし（ステップＳＴ
５）、露光対象基板３００を基板ステージ１１０に吸着
固定する（ステップＳＴ６）。次に、プロキシミティギ
ャップセンサ１０４により露光対象基板３００とマスク
２０１との間隔（プロキシミティギャップ）を計測しな
がら基板ステージ１１０又は／及びマスクステージ１０
９のＺ方向駆動により予め設定された所定のプロキシミ
ティギャップに設定する（ステップＳＴ７〜ＳＴ９）。

【００６３】次に、アライメント露光を実施する場合に
は（ステップＳＴ１０）、露光マスク２０１と露光対象
基板３００とのＸ、Ｙ軸方向における相対位置を調整す
る（アライメントする）（ステップＳＴ１１〜ＳＴ１
３）。具体的には、ＣＣＤカメラ１０６によって露光対
象基板３００及びマスク２０１のアライメントマークを
撮像して位置合わせずれ量が予め設定された許容値内に
入るように基板ステージ１１０又は／及びマスクステー
ジ１０９のＸＹ方向駆動により露光対象基板３００とマ
スク２０１との位置合わせ制御を実施する（ステップＳ
Ｔ１１〜ＳＴ１３）。そして、露光装置１００の動作は
次の露光ステップＳＴ１４へ移行する。他方、ノンアラ
イメント露光を実施する場合には、露光装置１００の動
作は上述の位置合わせステップＳＴ１１〜ＳＴ１３を実
施せずに露光ステップＳＴ１４へ移行する（ステップＳ
Ｔ１０）。

【００６４】そして、予め設定された露光量でマスク２
０１を介してレジスト６０を露光することによりマスク
２０１のパターンを一括してドライフィルムレジスト６
０に露光転写する（１回目の露光ステップＳＴ１４）。
１回目の露光後、基板ステージ１１０又は／及びマスク
ステージ１０９のステージ位置を制御して露光マスク２
０１と露光対象基板３００との相対位置を再び調整する
（ステップＳＴ１５）。このとき、露光後の相対位置調
整ステップＳＴ１５では、図１６のフローチャートに示
すように基板ステージ１１０又は／及びマスクステージ
１０９のＸＹ駆動（ステップ移動）によって、上述のよ
うに先の露光で露光済みの部分の一部に露光マスク２０
１のマスクパターンが重なるように露光対象基板３００
とマスク２０１のマスクパターンとの平面視（図９参
照）における重なり位置を所定量（ステップ的に）変化
させる（ステップＳＴ１５２）。その後、アライメント
露光の場合には上述のステップＳＴ１１〜ＳＴ１３と同
様にして露光対象基板３００とマスク２０１との位置合
わせ制御を実施する（ステップＳＴ１５４）。なお、マ
スク２０１又は／及び露光対象基板３００の移動後にお
いても顕微鏡１０５及びＣＣＤカメラ１０６の撮像範囲
内にアライメントマークが存在するように、マスク２０
１及び露光対象基板３００にはマスク２０１又は／及び
露光対象基板３００の移動方向及び移動量に基づいて複
数のアライメントマークが設けられている。他方、ノン
アライメント露光では当該位置合わせ制御を実施しな
い。

【００６５】なお、図１７のフローチャートに示すよう
に、露光後の相対位置調整ステップ（ないしはステージ
位置制御ステップ）ＳＴ１５において、マスク２０１の
マスクパターンと露光対象基板３００との重なり位置を
変化させるステップＳＴ１５２の前にマスク２０１と露
光対象基板３００とを遠ざけるプロキシミティギャップ
拡大制御（ステップＳＴ１５１）を実施すると共に、上
記重なり位置を変化させるステップＳＴ１５２の後にマ
スク２０１と露光対象基板３００とを近づけるプロキシ
ミティギャップ縮小制御及び所定値への設定制御（ステ
ップＳＴ１５３）を実施しても良い。なお、アライメン
ト露光の場合、位置合わせ制御（ステップＳＴ１５４）
はプロキシミティギャップ縮小・設定した後に実施す
る。なお、マスク２０１又は／及び露光対象基板３００
の移動後においてもプロキシミティギャップセンサ１０
４の計測範囲内にプロキシミティギャップマークが存在
するように、マスク２０１及び露光対象基板３００には
マスク２０１又は／及び露光対象基板３００の移動方向
及び移動量に基づいて複数のプロキシミティギャップマ
ークが設けられている。

【００６６】そして、ステップＳＴ１５の後に、１回目
と同様にして２回目の露光を実施する（ステップＳＴ１
６）。なお、その後、露光を３回以上行う場合には、上
記ステップＳＴ１５と同様に露光マスク２０１と露光対
象基板３００との相対位置を調整するステップ（ないし
はステージ位置の制御ステップ）と、１回目と同様の露
光ステップと、を交互に所定回数繰り返す（ステップＳ
Ｔ１７〜ＳＴ１９）。

【００６７】最終回目の露光後、基板ステージ１１０又
は／及びマスクステージ１０９を初期位置に復帰し（ス
テップＳＴ２０）、露光対象基板３００の吸着固定を解
除し（ステップＳＴ２１）、露光対象基板３００を搬出
する（ステップＳＴ２２）。なお、続いて露光する基板
があれば（ステップＳＴ２３）、上述の基板搬入ステッ
プＳＴ４から基板搬出ステップＳＴ２２までを繰り返し
行う。

【００６８】このように、露光装置１００では制御部１
０１（の制御回路１０２）の制御によって、露光光源１
０８によって露光マスク２０１のマスクパターンをレジ
スト６０に一括露光転写する露光制御（ステップＳＴ１
４，ＳＴ１６，ＳＴ１８，ＳＴ１９）と、露光制御後に
おけるマスクステージ１０９又は／及び基板ステージ１
１０のステージ位置制御（ステップＳＴ１５，ＳＴ１
７）と、を順次に実施し、露光制御を少なくとも２回実
施する。なお、上述のようにステージ位置制御は、先の
露光で露光済みの部分の一部に露光マスク２０１のマス
クパターンが重なるように露光マスク２０１のマスクパ
ターンと露光対象基板３００との平面視における重なり
位置を所定量、変化させる重なり制御（ステップＳＴ１
５２）を含んでいる。

【００６９】上述の露光方法及び露光装置１００及びこ
れらに適用可能な露光マスク２０１によれば、露光マス
ク２０１のマスクパターンと露光対象基板３００との平
面視における重なり位置を変化させた後に再度、露光を
行う。このため、本来露光すべきではあるが露光マスク
に付着した塵埃２００等によって未露光となってしまっ
た部分（図６におけるレジスト６０の中央付近の未露光
部分６３を参照）を再度の露光制御で露光することが可
能である（図８参照）。従って、レジスト６０のパター
ン欠陥を低減することができるあるいは無くすることが
できる。その結果、上述の従来の一括露光方法と比較し
て、生産効率及び歩留まりを向上させることができる。
さらに、露光マスクの清浄度管理を緩和することができ
る。さらに、塵埃２００の付着が原因で廃棄する必要性
が無くなるので露光マスクの寿命を長くすることができ
る。

【００７０】また、上述の露光方法及び露光装置１００
によれば、単一の露光マスク２０１を用いて複数回の露
光を行うので、既述の複数の露光マスクを用いて複数回
の露光を行う場合よりも高いスループットを実現するこ
とができる。また、露光マスク２０１のマスクパターン
と露光対象基板３００との平面視における重なり位置を
予め設定した所定量、変化させるので、当該露光装置は
アライメント露光及びノンアライメント露光のいずれに
も対応可能であり汎用性が高い。

【００７１】これらの結果、上述の露光方法及び露光装
置１００及びこれらに適用可能な露光マスク２０１によ
れば、歩留まりの向上や製造コストの削減等によって安
価に表示装置を提供することができる。

【００７２】＜実施の形態２＞図１８に実施の形態２に
係る露光マスク２０２を説明するための平面図を示し、
図１９に当該露光マスク２０２の設計を説明するための
平面図を示す。なお、説明のため図１８中に塵埃２００
を図示している。なお、実施の形態２においても隔壁７
及びネガ型のドライフィルムレジスト６０を一例に挙げ
て説明する。このため、図２と同様に、図１９には隔壁
７を形成する工程においてドライフィルムレジスト６０
を現像した後の背面基板５１Ｒを図示している。

【００７３】図１の露光マスク２０１と同様に、露光マ
スク２０２のマスクパターンは、ストライプ状の透光部
２０１ａと、遮光部２０１ｂと、を含んでいる。そし
て、当該マスク２０２のマスクパターン（ここでは透光
部２０１ａのパターン）は露光現像後に残存させるべき
（設計上の）ドライフィルムレジスト６０の所定パター
ン（ここではストライプ状）の一部６０Ｃに対応する。
特に露光マスク２０２に関しては、当該所定パターンの
上記一部６０Ｃは、現像後の（設計上の）ストライプ状
のレジスト６０を成す複数の帯状パターン（ここでは各
帯状パターンが単位パターンにあたる）のうちで２本以
上且つ露光後のレジスト６０よりも少ない（換言すれば
隔壁７よりも少ない）本数の帯状パターンを含んで選定
されている。これに対応して、レジスト６０の所定パタ
ーンの残りの他部６０Ｄは現像後の（設計上の）レジス
ト６０中の少なくとも１本の帯状パターンを含むように
選定されている（図１９では他部６０Ｄが１本の帯状パ
ターンを含む場合を図示している）。

【００７４】詳しくは、露光マスク２０２の透光部２０
１ａのパターンについて、各帯状パターンの幅及び長さ
をＷｍ２及びＬｍ２と表し、帯状パターンのピッチをＰ
ｍ２と表し、帯状パターンの数をＮｍ２と表すと、露光
マスク２０２のマスクパターンは式（９）〜（１２）を
満足するように設計されている。

【００７５】 Ｗｍ２＝Ｗｄ＋Ｗｏ …（９） Ｌｍ２＝Ｌｄ＋Ｗｏ …（１０） Ｐｍ２＝Ｐｄ …（１１） Ｎｍ２＝Ｎｄ−Ｌｓ２÷Ｐｄ …（１２） マスク２０２の透光部２０１ａの帯状パターンの数Ｎｍ
２は露光現像後のレジスト６０の（換言すれば隔壁７
の）帯状パターンの数Ｎｄよりも少ないので、図２０及
び図２１の平面図に示すように、露光マスク２０２と露
光対象基板３００とを透光部２０１ａの帯状パターンの
配列方向に相対的に寸法Ｐｍ２単位でずらして（ずらす
合計は寸法Ｌｓ２）（これにより露光マスク２０２のマ
スクパターンと露光対象基板３００との重なり位置を変
化させて）複数回の露光を実施することによりレジスト
６０を所定のストライプ状に露光可能である。ここで、
寸法Ｌｓ２は帯状パターンのピッチＰｄ，Ｐｍ２の倍数
にあたる。

【００７６】なお、露光マスク２０２によれば図２２に
示すように塵埃２００が付着している透光部２０１ａが
レジスト６０に対面しないようにマスク２０２と露光対
象基板３００とを平面視上、重ねることも可能である。

【００７７】露光マスク２０２は既述の露光マスク２０
１と同様に利用することができ、露光マスク２０１と同
様の効果を奏する。

【００７８】なお、露光マスク２０１，２０２を組み合
わせても構わない。具体的には、露光マスク２０１にお
いて帯状パターンの数を露光マスク２０２と同様に設定
しても構わない。このような露光マスクによっても同様
の効果が得られる。

【００７９】ところで、ストライプ状を成す複数の帯状
パターンのうちの一部（例えば２本）を１つの単位パタ
ーンと捉えることも可能であり、次にかかる場合を書込
電極６の形成を一例に挙げて説明する。

【００８０】図２３に実施の形態２に係る他の露光マス
ク２０３を説明するための平面図を示し、図２４に当該
露光マスク２０３の設計を説明するための平面図を示
す。なお、説明のため図２３中に塵埃２００を図示して
いる。

【００８１】書込電極６の形成においては、背面ガラス
基板９及び当該基板９上にこの順序で積層された書込電
極６の材料である導電性ペースト６Ａ及びドライフィル
ムレジスト６０から成る構成が「露光対象基板」にあた
る。ここでもドライフィルムレジスト６０がネガ型の場
合を一例に挙げ、図２と同様に図２４には書込電極６を
形成する工程においてドライフィルムレジスト６０を現
像した後の背面基板５１Ｒを図示している。

【００８２】図２４に示すように、書込電極６用のレジ
ストパターン（換言すれば書込電極パターン）は、複数
本（ここでは５本）の帯状パターンから成る単位パター
ンが繰り返し複数（ここでは５個）並んで成る。

【００８３】このとき、書込電極６を形成するための露
光マスク２０３のマスクパターン（ここでは透光部２０
１ａのパターン）は露光現像後に残存させるべき（設計
上の）ドライフィルムレジスト６０の所定パターンの一
部６０Ｅに対応する。特に露光マスク２０３では、所定
パターンの上記一部６０Ｅは、現像後の（設計上の）レ
ジスト６０を成す複数の単位パターンのうちで２つ以上
且つ露光後のレジスト６０よりも少ない数の単位パター
ンを含んで選定されている。これに対応して、レジスト
６０の所定パターンの残りの他部６０Ｆは現像後の（設
計上の）レジスト６０中の少なくとも１つの単位パター
ンを含むように選定されている（図２４では他部６０Ｆ
が１つの単位パターンを含む場合を図示している）。

【００８４】詳しくは、書込電極６の設計パターンに対
応するレジスト６０の露光部分のパターン（設計上のパ
ターン）について、各帯状パターンの幅及び長さをＷｄ
３及びＬｄ３と表し、帯状パターンのピッチをＰｄ３と
表し、帯状パターンの数をＮｄ３と表し、単位パターン
のピッチ及び配置数をＰｄ３Ｕ及びＮｄ３Ｕと表すと共
に、露光マスク２０３の透光部２０１ａのパターンにつ
いて、各帯状パターンの幅及び長さをＷｍ３及びＬｍ３
と表し、帯状パターンのピッチをＰｍ３と表し、帯状パ
ターンの数をＮｍ３と表し、単位パターンのピッチ及び
配置数をＰｍ３Ｕ及びＮｍ３Ｕと表すと、露光マスク２
０３のマスクパターンは式（１３）〜（１８）を満足す
るように設計されている。

【００８５】 Ｗｍ３＝Ｗｄ３＋Ｗｏ …（１３） Ｌｍ３＝Ｌｄ３＋Ｗｏ …（１４） Ｐｍ３＝Ｐｄ３ …（１５） Ｎｍ３＝Ｎｄ３−Ｌｓ３÷Ｐｄ３ …（１６） Ｐｍ３Ｕ＝Ｐｄ３Ｕ …（１７） Ｎｍ３Ｕ＝Ｎｄ３Ｕ−Ｌｓ３÷Ｐｄ３Ｕ …（１８） マスク２０３の透光部２０１ａの単位パターンの数Ｎｍ
３Ｕは露光現像後のレジスト６０の（換言すれば書込電
極６の）単位パターンの数Ｎｄ３Ｕよりも少ないので、
図２４に示すように、露光マスク２０３と露光対象基板
３００とを透光部２０１ａの単位パターンの配列方向に
相対的に寸法Ｐｍ３単位でずらして（ずらす合計はＬｓ
３）（これにより露光マスク２０３のマスクパターンと
露光対象基板３００との重なり位置を変化させて）複数
回の露光を実施することによりレジスト６０を所定のパ
ターンに露光可能である。ここで、寸法Ｌｓ３は単位パ
ターンのピッチＰｄ３Ｕ，Ｐｍ３Ｕの倍数にあたる。

【００８６】露光マスク２０３は既述の露光マスク２０
１，２０２と同様に利用することができ、露光マスク２
０１，２０２と同様の効果を奏する。

【００８７】なお、レジスト６０の現像後の（設計上
の）所定パターンと同様のマスクパターンを有する露光
マスク、例えば従来の露光マスク２０１Ｐを露光マスク
２０２，２０３と同様に利用することも可能である。す
なわち、例えば従来の露光マスク２０１Ｐと露光対象基
板とを単位パターンの配列方向に相対的にずらして露光
することも可能である。

【００８８】＜実施の形態１，２の変形例＞上述の説明
ではドライフィルムレジスト６０を用いる場合を述べた
が、例えばペースト状のレジスト（感光性材料）を塗布
しても良い。また、隔壁７用のガラスペースト７Ａ及び
書込電極６用の導電性ペースト６Ａに感光性を与えれば
ドライフィルムレジスト６０等のレジストを不要にする
ことができる。かかる場合、感光性を有したガラスペー
スト７Ａ及び導電性ペースト６Ａが「感光性材料」にあ
たり、感光性を有したガラスペースト７Ａ及び下地基板
５１Ｑから成る構成並びに感光性を有した導電性ペース
ト６Ａ及び背面ガラス基板９から成る構成がそれぞれ
「露光対象基板」にあたる。また、感光性材料がネガ型
に限られないのは言うまでもない。

【００８９】また、サンドブラスト以外の方法でガラス
ペースト７Ａ及び導電性ペースト６Ａをパターニング
（エッチング）しても構わない。また、隔壁７の平面パ
ターンが例えば格子状の場合にも上述の説明は当てはま
り、書込電極６についても帯状に限られない。

【００９０】さらに、塵埃２００以外にも例えば露光マ
スク自体のパターン欠陥がレジスト６０の未露光パター
ン欠陥の原因である場合にも上述の説明は妥当である。

【００９１】加えて、実施の形態１，２に係る露光方
法、露光装置１００及び露光マスク２０１〜２０３は、
ＰＤＰ以外の表示装置（例えば液晶）や半導体装置等の
電子部品などの露光プロセスに応用可能である。

【００９２】

【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、露光装置
は露光制御→ステージ位置制御→露光制御という順序の
動作を行う、すなわち露光マスクのマスクパターンと露
光対象基板との平面視における重なり位置を変化させた
後に再度、露光制御を行う。このため、本来露光すべき
ではあるが露光マスクに付着した塵埃等によって未露光
となってしまった部分を再度の露光制御で露光すること
が可能である。従って、感光性材料のパターン欠陥を低
減することができるあるいは無くすることができる。そ
の結果、生産効率及び歩留まりを向上させることができ
るし、さらに、露光マスクの清浄度管理を緩和すること
ができるし、露光マスクの寿命を長くすることができ
る。また、単一の露光マスクを用いて複数回の露光を行
うので、複数の露光マスクを用いて複数回の露光を行う
場合よりも高いスループットを実現することができる。
また、露光マスクのマスクパターンと露光対象基板との
平面視における重なり位置を所定量、変化させるので、
当該露光装置はアライメント露光及びノンアライメント
露光のいずれにも対応可能である。

【００９３】請求項２に係る発明によれば、重なり制御
の際に露光マスクと露光対象基板とが接触するのを回避
することができる。

【００９４】請求項３に係る発明によれば、重なり制御
の後においてもより正確な位置精度で露光を行うことが
できる。

【００９５】請求項４に係る発明によれば、露光マスク
のマスクパターンと露光対象基板との平面視における重
なり位置を変化させて露光を複数回実施することにより
感光性材料を所定パターンに露光することができる。こ
のため、本来露光すべきではあるが露光マスクに付着し
た塵埃等によって未露光となってしまった部分を再度の
露光によって露光することが可能である。従って、感光
性材料のパターン欠陥を低減することができるあるいは
無くすることができる。その結果、生産効率及び歩留ま
りを向上させることができるし、さらに、露光マスクの
清浄度管理を緩和することができるし、露光マスクの寿
命を長くすることができる。

【００９６】請求項５に係る発明によれば、平面視にお
ける露光マスクのマスクパターンと露光対象基板との重
なり位置を変化させて露光を複数回実施することにより
感光性材料を所定パターンに露光しうる露光マスクの一
例を提供することができる。

【００９７】請求項６に係る発明によれば、平面視にお
ける露光マスクのマスクパターンと露光対象基板との重
なり位置を変化させて露光を複数回実施することにより
感光性材料を所定パターンに露光しうる露光マスクの他
の一例を提供することができる。

【００９８】請求項７に係る発明によれば、露光ステッ
プ(a)→相対位置調整ステップ(b)→露光ステップ(a)と
いう順序の動作を行う、すなわち露光マスクのマスクパ
ターンと露光対象基板との平面視における重なり位置を
変化させた後に再度、露光を行う。このため、本来露光
すべきではあるが露光マスクに付着した塵埃等によって
未露光となってしまった部分を再度の露光時に露光する
ことが可能である。従って、感光性材料のパターン欠陥
を低減することができるあるいは無くすることができ
る。その結果、生産効率及び歩留まりを向上させること
ができるし、さらに、露光マスクの清浄度管理を緩和す
ることができるし、露光マスクの寿命を長くすることが
できる。また、単一の露光マスクを用いて複数回の露光
を行うので、複数の露光マスクを用いて複数回の露光を
行う場合よりも高いスループットを実現することができ
る。また、露光マスクのマスクパターンと露光対象基板
との平面視における重なり位置を所定量、変化させるの
で、当該露光方法はアライメント露光及びノンアライメ
ント露光のいずれにも対応可能である。

【００９９】請求項８に係る発明によれば、重なり位置
を変化させる際に露光マスクと露光対象基板とが接触す
るのを回避することができる。

【０１００】請求項９に係る発明によれば、重なり位置
を変化させた後においてもより正確な位置精度で露光を
行うことができる。

【０１０１】請求項１０に係る発明によれば、当該露光
方法に適用可能な露光マスクの一例を提供することがで
きる。

【０１０２】請求項１１に係る発明によれば、歩留まり
の向上や製造コストの削減等によって安価な表示装置を
提供することができる。

【０１０３】請求項１２に係る発明によれば、歩留まり
の向上や製造コストの削減等によって安価な電子部品を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１に係る露光マスクを説明するた
めの平面図である。

【図２】 実施の形態１に係る露光マスクの設計及び露
光方法を説明するための平面図である。

【図３】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。

【図４】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。

【図５】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。

【図６】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。

【図７】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の平面図である。

【図８】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の断面図である。

【図９】 実施の形態１に係る露光方法を説明するため
の平面図である。

【図１０】 実施の形態１に係る露光方法を説明するた
めの断面図である。

【図１１】 実施の形態１に係る露光方法を説明するた
めの断面図である。

【図１２】 実施の形態１に係る露光方法を説明するた
めの断面図である。

【図１３】 実施の形態１に係る露光装置を説明するた
めのブロック図である。

【図１４】 実施の形態１に係る露光装置の動作を説明
するためのフローチャートである。

【図１５】 実施の形態１に係る露光装置の動作を説明
するためのフローチャートである。

【図１６】 実施の形態１に係る露光装置の動作を説明
するためのフローチャートである。

【図１７】 実施の形態１に係る露光装置の動作を説明
するためのフローチャートである。

【図１８】 実施の形態２に係る露光マスクを説明する
ための平面図である。

【図１９】 実施の形態２に係る露光マスクの設計を説
明するための平面図である。

【図２０】 実施の形態２に係る露光方法を説明するた
めの平面図である。

【図２１】 実施の形態２に係る露光方法を説明するた
めの平面図である。

【図２２】 実施の形態２に係る露光方法を説明するた
めの平面図である。

【図２３】 実施の形態２に係る他の露光マスクを説明
するための平面図である。

【図２４】 実施の形態２に係る他の露光マスクの設計
を説明するための平面図である。

【図２５】 一般的なＰＤＰを説明するための斜視図で
ある。

【図２６】 従来の一括露光方法を用いたＰＤＰの製造
方法を説明するための断面図である。

【図２７】 従来の一括露光方法を用いたＰＤＰの製造
方法を説明するための断面図である。

【図２８】 従来の一括露光方法を用いたＰＤＰの製造
方法を説明するための断面図である。

【図２９】 従来の一括露光方法を用いたＰＤＰの製造
方法を説明するための断面図である。

【図３０】 従来の一括露光用マスクを説明するための
平面図である。

【図３１】 従来の一括露光用マスクの設計を説明する
ための平面図である。

【図３２】 従来の露光装置の動作を説明するためのフ
ローチャートである。

【図３３】 従来の露光装置の動作を説明するためのフ
ローチャートである。

【符号の説明】

５１ ＰＤＰ（表示装置）、６０ レジスト（感光性材
料）、６０Ａ，６０Ｃ，６０Ｅ 所定パターンの一部、
６０Ｂ，６０Ｄ，６０Ｆ 所定パターンの他部、１００
露光装置、１０１ 制御部、１０８ 露光光源、１０
９ マスクステージ、１１０ 基板ステージ、２０１〜
２０３，２０１Ｐ 露光マスク、３００露光対象基板、
ＳＴ１〜ＳＴ２３，ＳＴ１５１〜ＳＴ１５４ ステッ
プ。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 感光性材料を有する露光対象基板を支持
   する基板ステージと、 露光マスクを支持するマスクステージと、 露光光源と、 前記露光光源からの露光光の出射を制御すると共に、前
   記マスクステージ又は／及び前記基板ステージの位置を
   制御して前記露光マスクと前記露光対象基板との相対位
   置を制御する制御部と、を備え、 前記制御部は、前記露光光源によって前記露光マスクの
   マスクパターンを前記感光性材料に一括露光転写する露
   光制御と、前記露光マスクと前記露光対象基板との相対
   位置を調整するステージ位置制御と、を順次に実施し、
   且つ、前記露光制御を少なくとも２回実施し、 前記ステージ位置制御は、先の前記露光制御で露光済み
   の部分の一部に前記露光マスクの前記マスクパターンが
   重なるように前記露光マスクの前記マスクパターンと前
   記露光対象基板との平面視における重なり位置を所定
   量、変化させる重なり制御を含む、露光装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の露光装置であって、 前記ステージ位置制御は、 前記重なり制御の前に前記露光マスクと前記露光対象基
   板とを遠ざけるプロキシミティギャップ拡大制御と、 前記重なり制御の後に前記露光マスクと前記露光対象基
   板とを近づけるプロキシミティギャップ縮小制御と、を
   さらに含む、露光装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の露光装置
   であって、 前記ステージ位置制御は、 前記重なり制御の後に前記露光マスクと前記露光対象基
   板とを位置合わせする位置合わせ制御をさらに含む、露
   光装置。
4. 【請求項４】 露光対象基板が有する感光性材料を所定
   パターンに露光するための露光マスクであって、 前記所定パターンの一部のみに対応するマスクパターン
   を有しており、前記マスクパターンは当該マスクパター
   ンと前記露光対象基板との平面視における重なり位置を
   変化させて露光を複数回実施することにより前記感光性
   材料を前記所定パターンに露光可能なパターンである、
   露光マスク。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の露光マスクであって、 前記所定パターンの前記一部と残りの他部との間で露光
   形状が連続するように前記所定パターンの前記一部が選
   定されている、露光マスク。
6. 【請求項６】 請求項４又は請求項５に記載の露光マス
   クであって、 前記所定パターンは繰り返し配置された所定数の単位パ
   ターンを含み、 前記所定パターンの前記一部は前記複数の単位パターン
   のうちで２つ以上且つ前記所定数未満の単位パターンを
   含む、露光マスク。
7. 【請求項７】 露光対象基板が有する感光性材料を露光
   マスクを用いて所定パターンに露光する露光方法であっ
   て、 (a)前記露光マスクのマスクパターンを前記感光性材料
   に一括露光転写するステップと、 (b)前記露光マスクと前記露光対象基板との相対位置を
   調整するステップと、を備え、 前記ステップ(a)と前記ステップ(b)とを順次に実施し、
   且つ、前記ステップ(a)を少なくとも２回実施し、 前記ステップ(b)は、(b)-1)先の前記ステップ(a)で露光
   済みの部分の一部に前記露光マスクの前記マスクパター
   ンが重なるように前記露光マスクの前記マスクパターン
   と前記露光対象基板との平面視における重なり位置を所
   定量、変化させるステップを含む、露光方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の露光方法であって、 前記ステップ(b)は、 (b)-2)前記ステップ(b)-1)の前に前記露光マスクと前記
   露光対象基板とを遠ざけるステップと、 (b)-3)前記ステップ(b)-1)の後に前記露光マスクと前記
   露光対象基板とを近づけるステップと、をさらに含む、
   露光方法。
9. 【請求項９】 請求項７又は請求項８に記載の露光方法
   であって、 前記ステップ(b)は、 (b)-4)前記ステップ(b)-1)の後に前記露光マスクと前記
   露光対象基板とを位置合わせするステップをさらに含
   む、露光方法。
10. 【請求項１０】 請求項７乃至請求項９のいずれかに記
    載の露光方法であって、 前記露光マスクとして請求項４乃至請求項６のいずれか
    に記載の露光マスクを用いる、露光方法。
11. 【請求項１１】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記
    載の露光装置、又は、請求項４乃至請求項６のいずれか
    に記載の露光マスク、又は、請求項７乃至請求項１０の
    いずれかに記載の露光方法を用いて製造された、表示装
    置。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記
    載の露光装置、又は、請求項４乃至請求項６のいずれか
    に記載の露光マスク、又は、請求項７乃至請求項１０の
    いずれかに記載の露光方法を用いて製造された、電子部
    品。