JP2003151971A - チャンバークリーニング方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フッ素を含むクリーニングガスを使用してプ
ラズマを発生するチャンバークリーニング方法のクリー
ニング効率を向上する。 【解決手段】 本発明によるチャンバークリーニング方
法は、フッ素を含むクリーニングガスをチャンバー
（１）に供給することと、そのクリーニングガスがチャ
ンバー（１）に導入された状態で、誘導結合プラズマを
チャンバー（１）に発生し、チャンバー（１）をクリー
ニングすることとを備えている。フッ素を含むクリーニ
ングガスの誘導結合プラズマを用いてチャンバーをクリ
ーニングすることにより、チャンバー（１）のクリーニ
ング効率が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チャンバークリー
ニング方法及び成膜装置に関する。本発明は、特に、プ
ラズマを使用してチャンバーをクリーニングするチャン
バークリーニング方法、及びそのチャンバークリーニン
グ方法を実施する成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体プロセスが行われるチャンバー
は、基板に処理を施した後にクリーニングされる。例え
ば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装
置のような成膜装置では、基板への成膜の間にチャンバ
ーの内壁に堆積した膜が、クリーニングにより除去され
る。

【０００３】チャンバーをクリーニングする方法とし
て、チャンバーに、三フッ化窒素のようなフッ素を含む
クリーニングガスを導入した状態で容量結合プラズマを
発生し、プラズマを使用したエッチングによりチャンバ
ーの内壁をクリーニングする方法が知られている。

【０００４】チャンバーのクリーニング効率は、向上さ
れることが望まれる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フッ
素を含むクリーニングガスを使用してプラズマを発生す
るチャンバークリーニング方法のクリーニング効率を向
上することにある。

【０００６】本発明の他の目的は、フッ素を含むクリー
ニングガスを使用してプラズマを発生するチャンバーク
リーニング方法のクリーニング効率を向上し、且つ、ク
リーニングのためのプラズマをチャンバーに安定に発生
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】以下に、[発明の実施の
形態]で使用される番号・符号を用いて、課題を解決す
るための手段が説明される。これらの番号・符号は、
[特許請求の範囲]の記載と[発明の実施の形態]の記載と
の対応関係を明らかにするために付加されている。但
し、付加された番号・符号は、[特許請求の範囲]に記載
されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならな
い。

【０００８】本発明によるチャンバークリーニング方法
は、フッ素を含むクリーニングガスをチャンバー（１）
に供給することと、そのクリーニングガスがチャンバー
（１）に導入された状態で、誘導結合プラズマをチャン
バー（１）に発生し、チャンバー（１）をクリーニング
することとを備えている。フッ素を含むクリーニングガ
スの誘導結合プラズマを用いてチャンバーをクリーニン
グすることにより、チャンバー（１）のクリーニング効
率が向上する。

【０００９】クリーニングガスは、三フッ化窒素を含む
ことが好ましい。

【００１０】本発明によるチャンバークリーニング方法
は、チャンバー（１）にプラズマ点火ガスを供給するこ
とと、プラズマ点火ガスがチャンバー（１）に導入され
た状態で、チャンバー（１）に誘導結合プラズマを点火
して発生することと、誘導結合プラズマが発生した状態
で、チャンバー（１）にフッ素を含むクリーニングガス
を供給し、チャンバー（１）をクリーニングすることと
を備えている。フッ素を含むクリーニングガスの誘導結
合プラズマを安定に発生することは、一般に困難であ
る。しかし、プラズマ点火ガスがチャンバー（１）に導
入された状態で、チャンバー（１）に誘導結合プラズマ
を点火し、続いて、チャンバー（１）にフッ素を含むク
リーニングガスを供給することにより、フッ素を含むク
リーニングガスの誘導結合プラズマを安定に発生するこ
とができる。

【００１１】このとき、クリーニングガスは、三フッ化
窒素を含むことが好ましく、三フッ化窒素とフッ素ガス
とを含むことが更に好ましい。

【００１２】また、プラズマ点火ガスは、アルゴンを含
むことが好ましい。

【００１３】当該チャンバークリーニング方法は、更
に、クリーニングガスがチャンバー（１）に供給された
後、プラズマ点火ガスの供給を停止することを備えるこ
とが好ましい。

【００１４】チャンバー（１）では、酸化シリコン膜が
成膜され、プラズマ点火ガスは、アルゴンを含む場合が
ある。この場合、クリーニングガスがチャンバー（１）
に供給された後、プラズマ点火ガスの供給が停止される
ことが好ましい。

【００１５】また、チャンバー（１）では、窒化シリコ
ン膜又は酸化窒化シリコン膜のいずれかが成膜され、プ
ラズマ点火ガスは、アルゴンを含むことがある。この場
合、プラズマ点火ガスは、クリーニングガスがチャンバ
ー（１）に供給された後、継続してチャンバー（１）に
供給されることが好ましい。

【００１６】本発明による成膜装置は、基板（３）に膜
を形成するチャンバー（１）と、フッ素を含むクリーニ
ングガスをチャンバー（１）に供給するクリーニングガ
ス供給装置（６、１０ａ、１０ｂ）と、クリーニングガ
スがチャンバー（１）に導入された状態で、誘導結合プ
ラズマをチャンバー（１）に発生し、チャンバー（１）
をクリーニングするプラズマ発生装置（１１、１２）と
を備えている。

【００１７】本発明による成膜装置は、基板に膜を形成
するチャンバー（１）と、プラズマ点火ガスをチャンバ
ー（１）に供給するプラズマ点火ガス供給装置（６、７
ａ、７ｂ）と、フッ素を含むクリーニングガスをチャン
バー（１）に供給するクリーニングガス供給装置（６、
１０ａ、１０ｂ）と、プラズマ発生装置（１１、１２）
とを備えている。プラズマ発生装置（１１、１２）は、
プラズマ点火ガスがチャンバー（１）に導入された状態
で、チャンバー（１）に誘導結合プラズマを点火して発
生する。クリーニングガス供給装置（６、１０ａ、１０
ｂ）は、誘導結合プラズマが発生した状態で、チャンバ
ー（１）にクリーニングガスを供給する。

【００１８】本発明による半導体装置の製造方法は、チ
ャンバー（１）の内部で基板（３）に膜を形成すること
と、前記膜の形成の後、フッ素を含むクリーニングガス
をチャンバー（１）に供給することと、クリーニングガ
スがチャンバー（１）に導入された状態で、誘導結合プ
ラズマをチャンバー（１）に発生し、チャンバー（１）
をクリーニングすることとを備えている。

【００１９】本発明によるチャンバークリーニング制御
プログラムは、チャンバー（１）にプラズマ点火ガスを
供給することと、プラズマ点火ガスがチャンバー（１）
に導入された状態で、チャンバー（１）に誘導結合プラ
ズマを点火して発生することと、誘導結合プラズマが発
生した状態で、チャンバー（１）にフッ素原子を含むク
リーニングガスを供給し、チャンバー（１）をクリーニ
ングすることとを実行する。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明によるチャンバークリーニング方法の実施の一形
態を説明する。

【００２１】図１は、本発明によるチャンバークリーニ
ング方法の実施の一形態が実施されるプラズマＣＶＤ装
置５０を示す。プラズマＣＶＤ装置５０は、半導体装置
の製造を行うための成膜装置である。プラズマＣＶＤ装
置５０には、チャンバー１が基板支持台２とともに設け
られている。基板支持台２には、成膜が行われる基板３
が載せられる。チャンバー１は、図示されない排気系に
接続され、圧力が調整される。

【００２２】チャンバー１には、シランガスを供給する
ノズル４が設けられる。ノズル４には、マスフローコン
トローラ（ＭＦＣ）５ａとバルブ５ｂとを介して、シラ
ンガスが供給される。マスフローコントローラ５ａは、
チャンバー１へのシランガスの供給量を調節する。バル
ブ５ｂは、ノズル４にシランガスを導入し、又は、ノズ
ル４へのシランガスの供給を遮断する。ノズル４は、バ
ルブ５ｂから供給されたシランガスをチャンバー１に導
入する。

【００２３】チャンバー１には、更に、アルゴンガス、
窒素ガス、酸素ガス、及び三フッ化窒素ガスを供給する
ノズル６が設けられる。ノズル６には、マスフローコン
トローラ７ａとバルブ７ｂとを介してアルゴンガスが、
マスフローコントローラ８ａとバルブ８ｂとを介して窒
素ガスが、マスフローコントローラ９ａとバルブ９ｂと
を介して酸素ガスが、マスフローコントローラ１０ａと
バルブ１０ｂとを介して三フッ化窒素ガスが、それぞれ
供給される。マスフローコントローラ７ａ、８ａ、９
ａ、及び１０ａは、それぞれ、アルゴンガス、窒素ガ
ス、酸素ガス、及び三フッ化窒素ガスのチャンバー１へ
の供給量を調節する。バルブ７ｂ、８ｂ、９ｂ、及び１
０ｂは、それぞれ、アルゴンガス、窒素ガス、酸素ガ
ス、及び三フッ化窒素ガスをノズル６に供給し、又は、
供給を遮断する。

【００２４】マスフローコントローラ１０ａとバルブ１
０ｂとを介してノズル６から供給される三フッ化窒素ガ
スには、全量の５％のフッ素ガス（Ｆ_２）が添加され
る。即ち、ノズル６から供給される三フッ化窒素ガス
は、三フッ化窒素９５％、フッ素ガス５％で構成される
ガスである。フッ素ガスの添加は、何らかの要因で、三
フッ化窒素ガスとシランガスとが混合されたときの安全
性を向上する。なお、本明細書においては、フッ素とフ
ッ素ガスとは区別して使用されていることに留意される
べきである。単にフッ素という場合、元素の一つである
フッ素を意味する。一方、フッ素ガスという場合、２つ
のフッ素原子が結合したフッ素分子のガスを意味する。

【００２５】チャンバー１の天井板１ａには、給電アン
テナ１１が設けられる。給電アンテナ１１には、高周波
電源１２が接続される。高周波電源１２は、給電アンテ
ナ１１に高周波電圧を印加し、チャンバ１に誘導結合プ
ラズマを発生する。

【００２６】プラズマＣＶＤ装置５０には、更に、コン
トローラ１３が設けられる。コントローラ１３は、既述
のマスフローコントローラ５ａ〜１０ａ、バルブ５ｂ〜
１０ｂ、及び高周波電源１２を制御して、シランガス、
アルゴンガス、窒素ガス、酸素ガス、及び三フッ化窒素
ガスの供給量の制御、バルブ５ｂ〜１０ｂの開閉、及び
高周波電源１２による高周波電圧の印加を行う。コント
ローラ１３には、制御用プログラムが記憶される。以上
のコントローラ１３の動作は、その制御用プログラムに
沿って行われる。

【００２７】プラズマＣＶＤ装置５０は、基板３に、酸
化シリコン膜、窒化シリコン膜、及び酸化窒化シリコン
膜のいずれも成膜する能力を有する。酸化シリコン膜を
成膜する場合、ノズル４からシランガスが、ノズル６か
ら酸素ガスとアルゴンガスとが、それぞれチャンバー１
に供給される。窒化シリコン膜を成膜する場合、ノズル
４からシランガスが、ノズル６から酸素ガスとアルゴン
ガスとが、チャンバー１に供給される。酸化窒化シリコ
ン膜を成膜する場合、ノズル４からシランガスが、ノズ
ル６から酸素ガスと窒素ガスとアルゴンガスとが、チャ
ンバー１に供給される。必要なガスが供給された状態
で、チャンバー１の内部でプラズマが発生されると、基
板３に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化窒化
シリコン膜が成膜される。

【００２８】プラズマＣＶＤ装置５０は、基板３への成
膜の後、チャンバークリーニングを行う。チャンバーク
リーニングは、三フッ化窒素ガスをクリーニングガスと
してチャンバー１に導入した状態で、チャンバー１に誘
導結合プラズマを発生することにより行われる。その誘
導結合プラズマにより、チャンバー１に堆積した膜がエ
ッチングされ、チャンバー１がクリーニングされる。三
フッ化窒素ガスを含む雰囲気で発生された誘導結合プラ
ズマを使用してクリーニングを行うことにより、クリー
ニング効率が向上される。発明者の実験によれば、誘導
結合プラズマによるチャンバークリーニングは、容量結
合プラズマによるチャンバークリーニングの３倍程度の
クリーニング効率を有する。

【００２９】三フッ化窒素ガスをクリーニングガスとし
て使用した状態で誘導結合プラズマを発生するチャンバ
ークリーニング方法は、従来、行われてこなかった。こ
れは、三フッ化窒素ガスの誘導結合プラズマを発生する
ことが困難であったからである。このため、三フッ化窒
素ガスをクリーニングガスとして使用する場合、従来
は、容量結合プラズマを発生してチャンバークリーニン
グが行われてきた。しかし、発明者は、下記の方法によ
って三フッ化窒素ガスの誘導結合プラズマを安定に発生
することに成功し、クリーニング効率の向上を達成し
た。

【００３０】成膜後、まず、バルブ７ｂが開かれ、アル
ゴンガスがノズル６からチャンバー１に供給される。こ
のとき、三フッ化窒素ガスは供給されない。アルゴンガ
スがチャンバー１に導入された状態で、高周波電源１２
により給電アンテナ１１に高周波電圧が印加される。高
周波電圧の印加により、誘導結合プラズマが点火し、チ
ャンバー１に誘導結合プラズマが発生される。アルゴン
ガス雰囲気中では、容易に誘導結合プラズマが点火す
る。

【００３１】アルゴンガス雰囲気中で誘導結合プラズマ
が発生した状態でバルブ１０ｂが開かれ、アルゴンガス
に加えて少量の三フッ化窒素ガスがノズル６からチャン
バー１に供給される。続いて、三フッ化窒素ガスの供給
量が増加される。以上の過程により、三フッ化窒素ガス
を含む雰囲気で誘導結合プラズマを安定に発生すること
が可能である。

【００３２】図２は、三フッ化窒素ガスの供給量の変化
の一例を示す。時間０に、アルゴンガスのみが供給され
た状態で、誘導結合プラズマが発生されたとする。時刻
ｔ＝０におけるアルゴンガスの流量は、２００ｓｃｃｍ
である。その後、一定の時間が経過した後に、三フッ化
窒素ガスの供給が開始される。三フッ化窒素ガスの供給
量は、段階的に増やされる。まず、時間ｔ_１（＞０）
に、２０ｓｃｃｍの三フッ化窒素ガスの供給が開始され
る。続いて、時刻ｔ_２（＞ｔ_１）に、三フッ化窒素ガス
の流量が８０ｓｃｃｍだけ増加され、三フッ化窒素ガス
の供給量が１００ｓｃｃｍになる。更に、時刻ｔ_３（＞
ｔ_２）に、三フッ化窒素ガスの流量が１００ｓｃｃｍだ
け増加され、三フッ化窒素ガスの供給量が２００ｓｃｃ
ｍになる。更に、時刻ｔ_４、ｔ_５、ｔ_６、ｔ_７にそれぞ
れ２００ｓｃｃｍずつ三フッ化窒素ガスの供給が増加さ
れ、時刻ｔ_７以降には、１０００ｓｃｃｍの三フッ化窒
素ガスの供給が行われる。１０００ｓｃｃｍの三フッ化
窒素ガスが供給された状態で、チャンバー１のクリーニ
ングが行われる。このように、段階的に三フッ化窒素ガ
スの供給が増加されることは、誘導結合プラズマの安定
性を高める観点から好ましい。更に、三フッ化窒素ガス
の供給の開始直後の三フッ化窒素ガスの増加量が、三フ
ッ化窒素ガスの供給の開始から時間が経過した時の三フ
ッ化窒素ガスの増加量よりも小さくされることは、誘導
結合プラズマの安定性を更に高める観点から好ましい。

【００３３】三フッ化窒素ガスの供給が開始された後、
アルゴンガスの供給量は、減少されることが可能であ
る。アルゴンガスの供給量が減少されても、誘導結合プ
ラズマは維持される。最終的にアルゴンガスの供給量が
０になっても、誘導結合プラズマは維持され、三フッ化
窒素ガスのみがチャンバー１に供給されている状態で、
誘導結合プラズマを安定に発生することが可能である。
このとき、アルゴンガスの供給量の減少は、段階的に行
われることが好ましい。アルゴンガスの供給を瞬間的に
遮断することは、発生した誘導結合プラズマの安定性を
損なうことがあり、好ましくない。

【００３４】三フッ化窒素ガスの供給が開始された後、
アルゴンガスの供給が遮断されるか継続されるかは、基
板３に成膜される膜の種類に応じて定められることが好
ましい。基板３に酸化シリコン膜が成膜された後のチャ
ンバークリーニングでは、三フッ化窒素ガスの供給が開
始された後、アルゴンガスの供給が遮断されることが好
ましい。酸化シリコン膜は、化学的にエッチングされや
すい。チャンバー１の内壁に付着した酸化シリコン膜
は、フッ素を含む雰囲気で発生された誘導結合プラズマ
により、容易に選択的にエッチングされて除去される。
このとき、チャンバー１の内部にアルゴンガスが導入さ
れていると、アルゴンイオンによるスパッタリングが行
われ、チャンバー１の内壁の損傷が大きくなる。チャン
バー１の内壁の損傷を防ぐために、基板３に酸化シリコ
ン膜が成膜された後のチャンバークリーニングでは、ア
ルゴンガスの供給が遮断されることが好ましい。

【００３５】一方、基板３に窒化シリコン膜及び酸化窒
化シリコン膜が成膜される場合、三フッ化窒素ガスの供
給が開始された後も、アルゴンガスの供給が継続される
ことが好ましい。窒化シリコン膜及び酸化窒化シリコン
膜は、酸化シリコン膜と比較して化学的エッチングが進
みにくい。チャンバー１の内壁に付着した窒化シリコン
膜および酸化窒化シリコン膜をより効果的に除去するた
めに、アルゴンガスの供給が継続され、アルゴンイオン
のスパッタリングによる窒化シリコン膜および酸化窒化
シリコン膜の除去が行われる。これにより、チャンバー
１のクリーニング効率が向上される。

【００３６】以上に説明されたように、本実施の形態で
は、三フッ化窒素ガスをクリーニングガスとして使用し
た誘導結合プラズマが発生され、クリーニング効率が向
上されている。このとき、アルゴンガスがチャンバー１
に供給された状態で誘導結合プラズマの点火が行われ、
その後に三フッ化窒素ガスのチャンバー１への供給が開
始され、これにより三フッ化窒素ガスの誘導結合プラズ
マが安定に発生される。

【００３７】なお、本実施の形態において、誘導結合プ
ラズマが点火される際にチャンバー１に導入されるガス
は、アルゴンガスに限られない。誘導結合プラズマが点
火可能な他のガス、例えば、ヘリウムガス、窒素ガス、
酸素ガスがチャンバー１に導入された状態で、誘導結合
プラズマが点火され、その後、三フッ化窒素ガスの供給
が開始されることが可能である。窒素ガス、酸素ガス
は、アルゴンガスよりも安価であり、窒素ガス及び酸素
ガスの使用は、経済的に有利である。

【００３８】但し、本実施の形態で説明されているよう
に、誘導結合プラズマが点火される際にチャンバー１に
導入されるガスは、アルゴンガスであることが好まし
い。アルゴンガスは、ヘリウムガス、窒素ガス、及び酸
素ガスと比較して、誘導結合プラズマの点火が容易であ
る。更に、アルゴンガスは、ヘリウムガス、窒素ガス、
及び酸素ガスと比較してスパッタリング効果が大きく、
窒化シリコン膜及び酸化窒化シリコン膜の成膜の後のチ
ャンバークリーニング効果が高い。これらの観点から、
誘導結合プラズマが点火される際にチャンバー１に導入
されるガスは、アルゴンガスであることが好ましい。

【００３９】

【発明の効果】本発明により、フッ素を含むクリーニン
グガスを使用してプラズマを発生するチャンバークリー
ニング方法のクリーニング効率が向上する。

【００４０】また、本発明により、フッ素を含むクリー
ニングガスを使用してプラズマを発生するチャンバーク
リーニング方法のクリーニング効率が向上し、且つ、ク
リーニングのためのプラズマをチャンバーに安定に発生
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明によるチャンバークリーニング
方法の実施の一形態を実施するプラズマＣＶＤ装置５０
を示す。

【図２】図２は、三フッ化窒素ガスの供給量の変化を示
す。

【符号の説明】

１：チャンバー １ａ：天井板 ２：基板支持台 ３：基板 ４、６：ノズル ５ａ〜１０ａ：マスフローコントローラ ５ｂ〜１０ｂ：バルブ １１：給電アンテナ １２：高周波電源 １３：コントローラ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 BA29 BA35 BA40 DA06 JA06 5F004 AA15 BA20 BB11 BC03 BD04 CA02 DA00 DA17 DB03 DB07 5F045 AA08 AB32 AB33 AB34 AC01 AC02 AC11 AC15 AC16 EB06 EE04 EE17 EH02 EH11 HA02 HA12

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フッ素を含むクリーニングガスをチャン
   バーに供給することと、 前記クリーニングガスが前記チャンバーに導入された状
   態で、誘導結合プラズマを前記チャンバーに発生し、前
   記チャンバーをクリーニングすることとを備えたチャン
   バークリーニング方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のチャンバークリーニン
   グ方法において、 前記クリーニングガスは、三フッ化窒素を含むチャンバ
   ークリーニング方法。
3. 【請求項３】 チャンバーにプラズマ点火ガスを供給す
   ることと、 前記プラズマ点火ガスが前記チャンバーに導入された状
   態で、前記チャンバーに誘導結合プラズマを点火して発
   生することと、 前記誘導結合プラズマが発生した状態で、前記チャンバ
   ーにフッ素を含むクリーニングガスを供給し、前記チャ
   ンバーをクリーニングすることとを備えたチャンバーク
   リーニング方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載のチャンバークリーニン
   グ方法において、 前記クリーニングガスは、三フッ化窒素を含むチャンバ
   ークリーニング方法。
5. 【請求項５】 請求項３に記載のチャンバークリーニン
   グ方法において、 前記クリーニングガスは、三フッ化窒素とフッ素ガスと
   を含むチャンバークリーニング方法。
6. 【請求項６】 請求項３に記載のチャンバークリーニン
   グ方法において、 前記プラズマ点火ガスは、アルゴンを含むチャンバーク
   リーニング方法。
7. 【請求項７】 請求項３に記載のチャンバークリーニン
   グ方法において、 更に、前記クリーニングガスが前記チャンバーに供給さ
   れた後、前記プラズマ点火ガスの供給を停止することを
   備えたチャンバークリーニング方法。
8. 【請求項８】 請求項３に記載のチャンバークリーニン
   グ方法において、 前記チャンバーでは、酸化シリコン膜が成膜され、 前記プラズマ点火ガスは、アルゴンを含み、 前記クリーニングガスが前記チャンバーに供給された
   後、前記プラズマ点火ガスの供給が停止されるチャンバ
   ークリーニング方法。
9. 【請求項９】 請求項３に記載のチャンバークリーニン
   グ方法において、 前記チャンバーでは、窒化シリコン膜が成膜され、 前記プラズマ点火ガスは、アルゴンを含み、且つ、前記
   クリーニングガスが前記チャンバーに供給された後、継
   続して前記チャンバーに供給されるチャンバークリーニ
   ング方法。
10. 【請求項１０】 請求項３に記載のチャンバークリーニ
    ング方法において、 前記チャンバーでは、酸化窒化シリコン膜が成膜され、 前記プラズマ点火ガスは、アルゴンを含み、且つ、前記
    クリーニングガスが前記チャンバーに供給された後、継
    続して前記チャンバーに供給されるチャンバークリーニ
    ング方法。
11. 【請求項１１】 基板に膜を形成するチャンバーと、 フッ素を含むクリーニングガスを前記チャンバーに供給
    するクリーニングガス供給装置と、 前記クリーニングガスが前記チャンバーに導入された状
    態で、誘導結合プラズマを前記チャンバーに発生し、前
    記チャンバーをクリーニングするプラズマ発生装置とを
    備えた成膜装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の成膜装置におい
    て、 前記クリーニングガスは、三フッ化窒素を含む成膜装
    置。
13. 【請求項１３】 基板に膜を形成するチャンバーと、 プラズマ点火ガスを前記チャンバーに供給するプラズマ
    点火ガス供給装置と、 フッ素を含むクリーニングガスを前記チャンバーに供給
    するクリーニングガス供給装置と、 プラズマ発生装置とを備え、 前記プラズマ発生装置は、前記プラズマ点火ガスが前記
    チャンバーに導入された状態で、前記チャンバーに誘導
    結合プラズマを点火して発生し、 前記クリーニングガス供給装置は、前記誘導結合プラズ
    マが発生した状態で、前記チャンバーに前記クリーニン
    グガスを供給する成膜装置。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の成膜装置におい
    て、 前記プラズマ点火ガスは、アルゴンを含む成膜装置。
15. 【請求項１５】 請求項１３に記載の成膜装置におい
    て、 前記プラズマ点火ガス供給装置は、前記クリーニングガ
    スが前記チャンバーに供給された後、前記プラズマ点火
    ガスの供給を停止する成膜装置。
16. 【請求項１６】 請求項１３に記載の成膜装置におい
    て、 前記膜は、酸化シリコン膜を含み、 前記プラズマ点火ガスは、アルゴンを含み、 前記プラズマ点火ガス供給装置は、前記クリーニングガ
    スが前記チャンバーに供給された後、前記プラズマ点火
    ガスの供給を停止する成膜装置。
17. 【請求項１７】 請求項１３に記載の成膜装置におい
    て、 前記膜は、窒化シリコン膜を含み、 前記プラズマ点火ガスは、アルゴンを含み、 前記プラズマ点火ガス供給装置は、前記クリーニングガ
    スが前記チャンバーに供給された後、前記チャンバーに
    前記プラズマ点火ガスを継続して供給する成膜装置。
18. 【請求項１８】 請求項１３に記載の成膜装置におい
    て、 前記膜は、酸化窒化シリコン膜を含み、 前記プラズマ点火ガスは、アルゴンを含み、 前記プラズマ点火ガス供給装置は、前記クリーニングガ
    スが前記チャンバーに供給された後、前記チャンバーに
    前記プラズマ点火ガスを継続して供給する成膜装置。
19. 【請求項１９】 チャンバーの内部で基板に膜を形成す
    ることと、 前記膜の形成の後、フッ素を含むクリーニングガスを前
    記チャンバーに供給することと、 前記クリーニングガスが前記チャンバーに導入された状
    態で、誘導結合プラズマを前記チャンバーに発生し、前
    記チャンバーをクリーニングすることとを備えた半導体
    装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 チャンバーにプラズマ点火ガスを供給
    することと、 前記プラズマ点火ガスが前記チャンバーに導入された状
    態で、前記チャンバーに誘導結合プラズマを点火して発
    生することと、 前記誘導結合プラズマが発生した状態で、前記チャンバ
    ーにフッ素原子を含むクリーニングガスを供給し、前記
    チャンバーをクリーニングすることとを実行するチャン
    バークリーニング制御プログラム。