JP2003147519A - スパッタリング装置 - Google Patents
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
の支持体50,52等を設ける。支持体には、異なる種
類のターゲット70a,70b,70c,72a,72
b,72c等を設ける。支持体同士では、同一順序で、
同一種類のターゲットが搭載される。各支持体を回転し
て、成膜に必要な同一種類のターゲットを選定して基板
12,12′に対して、対向させる。複数枚の同種のタ
ーゲットを同時に使用して、一つの膜を成膜する。次
に、各支持体を回転させて、次のターゲットを選び、次
の膜を前の膜上に積層させる。この成膜の間に、クリー
ニング装置で、成膜時に非使用のターゲットのクリーニ
ングが可能である。
Description
装置、特に複数のターゲットの同時スパッタリングによ
って一枚の基板に対し成膜可能な構造とすることによ
り、省スペース化と高スループット化を図ったスパッタ
リング装置に関する。
基板への成膜は、基板の被成膜面に成膜出来るサイズの
一つのターゲットに対するスパッタリングによって、行
っていた。
ッタリングプロセスチェンバ(スパッタリング室とも称
する。)内の要部を説明するための概略図で、基板面に
平行な上方から見た平面図である。この図1に示す従来
例は、両面成膜の例である。100はトレー、102は
ゲートバルブ、104は、それぞれ、トレーに搭載され
た基板である。周知の通り、これら基板104は、スパ
ッタリング室に対し、ゲートバルブ102を経て、矢印
aの方向から搬入搬出される。
カソード搭載面を有するカソードであり、及び112
は、このカソード搭載面上に搭載されたターゲットであ
る。
イズよりも大型サイズである。従来のスパッタリング室
には、1枚の基板に対し1個のターゲットの関係で、タ
ーゲットを成膜に好適な位置に対向配置させて成膜を行
っていた。従って、異なる種類のターゲットを用いて1
枚の基板上に順次に膜を積層させる場合には、通常は、
ターゲットの種類と同数の専用のスパッタリング室を用
意して、それぞれのスパッタリング室で順次の成膜を行
っていた。
ッタリング装置では、種類の異なるターゲット毎に専用
のスパッタリング室が必要であるため、装置の大型が避
けられず、しかも、各スパッタリング室に対する基板の
搬入搬出作業やその他の付帯作業を行う必要があるの
で、スループットの低減を来していた。
化に伴いターゲットも大型化してきており、従って、大
面積の被成膜面上に均一の厚みで成膜することも難し
い。そのため、従来のスパッタリング装置では、成膜装
置で要求されている膜の厚み分布基準を達成するのは、
容易ではない。
ターゲットを設けて合金薄膜を成膜するスパッタリング
装置が開示されている。このスパッタリング装置によれ
ば、一つのスパッタリング室内に3個のカソードを設
け、中央のカソードにはある種のターゲットを1枚取り
付け、両側のカソードには、それぞれ中央とは異なる種
類であるが、互いに同種のターゲットを1枚ずつ取り付
けた構成と成っている。この従来例によれば、基板の被
成膜面に対して、中央のターゲットは平行に配設され、
両側のターゲットは、傾けて配設されると共に、それぞ
れのターゲットの被成膜面との距離と、両側のターゲッ
トの傾斜角を調節出来ることが開示されている。
報開示の装置は、それぞれのターゲット成分すなわち合
金成分から成る組成の一つの合金膜を成膜する装置であ
るため、この合金膜上にさらに連続して他の種類の膜を
成膜するには、別のスパッタリング室に対する基板の搬
入搬出を行う必要がある。そのため、この装置によって
も、依然として、上述した本願の省スペース化及び高ス
ループット化の課題の解決が図れていない。
は、複数のターゲットを設けて複数の構成要素から成る
膜を成膜するスパッタリング装置が開示されている。こ
のスパッタリング装置によれば、複数のターゲットを順
次にスパッタリング位置を通過するように構成してあ
り、膜成分毎の成膜時には、一枚のターゲットが基板に
対向するように形成されている。
公報開示の装置の場合にも、成膜時には、基板とターゲ
ットとは、1対1の関係で対向配置される構造であるの
で、上述した本願の課題は依然として解消されていな
い。
ットの同時スパッタリングによって一枚の基板に対し成
膜可能な構造とすることにより、省スペース化と高スル
ープット化を図ったスパッタリング装置を提供すること
にある。
め、この発明のスパッタリング装置によれば、下記のよ
うな構成上の特徴を備えている。
パッタリング室と、ターゲット用の複数の支持体と、カ
ソードと、ターゲット位置決め機構とを具えている。
互いに離間して、設けられている。これら支持体は、基
板ホルダまたはトレーに搭載される基板の被成膜面に対
向してそれぞれのターゲット搭載面が配設されるよう
に、設けられている。さらに、これら支持体の各々は、
その中心軸の周りに回転(または、回動とも言う。)出
来るように構成されている。
いる。一つの支持体に設けられている複数のカソード
は、互いに離間して設けられていて、各カソードは、複
数のターゲット搭載面をそれぞれ有している。
載面にターゲットをそれぞれ搭載した各支持体を、それ
ぞれ回転させて、一つの支持体が有する複数のターゲッ
トのうち、一枚のターゲットを被成膜面に対向した成膜
位置へ、支持体毎に、位置決めさせることが可能であ
る。
置の構成によれば、各支持体を基板の被成膜面に対向さ
せて設けてある。これら支持体には、同数の複数のカソ
ードが設けられている。一つの支持体の複数のカソード
のターゲット搭載面には、互いに異なる種類のターゲッ
トを搭載することが出来る。各支持体に複数種類のター
ゲットをそれぞれ搭載する場合には、各種類とも同数枚
ずつ、好ましくは同一順序で、搭載する。
ットを搭載させることが出来るので、一枚の大型サイズ
のターゲットを用いる代わりに、複数枚に分けられた小
型サイズであって、同一種類のターゲットを搭載するこ
とにより、一枚の共通の基板に、より均一な膜厚で成膜
することが出来る。特に、基板をガラス基板とする場合
には、ガラス基板が大型サイズ化するほど、小型サイズ
のガラス基板と同程度の面積のターゲットを複数枚配設
して成膜するのが、膜厚の均一化の観点から、より有利
となる。
たように、一つの支持体に複数のターゲットを設けるこ
とが出来るので、各支持体毎に設けたターゲットの種類
も同じとなるように揃えておけば、先に成膜した膜とは
異なる成分の膜を成膜する場合には、この支持体をター
ゲット位置決め機構によって回転させて、異なる成分の
膜を成膜するターゲットを選択して、位置決めすること
が出来る。従って、同一のスパッタリング室内で、同一
基板上に2種類以上の異なる成分の膜を連続的に成膜す
ることが出来る。そのため、従来は、ターゲットの種類
毎にスパッタリング室を設ける必要があったが、この発
明では、1つのスパッタリング室すなわち成膜室を、異
なるターゲットを用いる複数の成膜に、兼用出来る。
リング室に対する基板の搬入搬出作業やそれに付帯する
作業を行わずに済むので、従来装置よりも一層の省スペ
ース化と高スループット化が達成出来る。
サイズのターゲットを用いるので、ターゲットの単価が
安価となり、トータル的なコスト低減が図れる。
よれば、支持体自体を回転可能な支持体として構成した
ので、実際に基板に対向していない側の、陰になってい
る側のターゲットに対して、適宜、ターゲット表面の予
備的なクリーニングを行って、非エロージョン領域の平
坦化、スプラッツの除去、例えばTiターゲットなどの
場合におけるターゲット表面に形成された窒化膜の除去
などが可能である。
成膜面の中心側で対向する中心側ターゲット搭載面を、
被成膜面に平行な面とする。さらに、好ましくは、被成
膜面の周辺側で対向する周辺側ターゲット搭載面を、中
心側ターゲット搭載面から離れるに従って、被成膜面に
接近するように、中心側ターゲット搭載面に対して傾斜
させて配置する。
ーゲットでは、被成膜面に対するターゲット面の傾き角
度を変えておくことにより、膜厚のより均一化した膜を
成膜することが可能となる。
ーゲットの位置決めをするに当たり、回転角度を選定す
ることにより、被成膜面に対するターゲット搭載面、従
ってターゲット面、の傾き角度(傾斜角度とも言う。)
を調整することが出来る。スパッタリングの初期の段階
とターゲットのライフエンドの段階とでは成膜条件が異
なるので、それぞれの段階に合わせた適当な成膜が行え
るように、周辺側ターゲット面の傾き角度を調整するこ
とが出来る。また、必要ならば、支持体を一定の回転角
度の範囲内で回転させる(回転振動させる。)ことによ
り、この傾き角度を一定の範囲内で振らせながら成膜す
ることも出来る。
ゲットの種類毎に、実験室で条件だしを行っておけば、
所定の条件の下では、それに適した一定の角度に、周辺
側ターゲットの傾き角度を調整すればよい。また、場合
によっては、成膜の途中段階で、これらの角度調整を行
って、最適な膜の成膜を行うことも可能となる。
れば、支持体の中心軸をこの支持体の回転軸とし、各回
転軸を、被成膜面に平行であって、かつ互いに平行に設
けるのがよく、及び又は、複数の支持体を、基板ホルダ
またはトレーの搬入搬出方向に配列させておくのがよ
い。このようにすれば、ターゲット位置決め機構の構成
がより簡単となる。
ターゲット搭載面に搭載されるターゲットの被スパッタ
リング面と被成膜面との間の対向距離及びまたは支持体
のそれぞれの中心軸間の距離を調整する距離調整機構を
設けておくのが好適である。
厚の均一化を図ることが出来る。また、ターゲットの種
類毎に、これらの距離関係を予め実験室で条件だしを行
っておけば、所定の条件の下では、それぞれの距離を、
それに適した一定の距離に設定出来る。また、場合によ
っては、成膜の途中段階で、これらの距離調整を行っ
て、最適な膜の成膜を行うことも可能となる。
好ましくは、スパッタリング室内に設けられていて、支
持体の周囲の一部分にわたってこの支持体を包囲すると
ともに、成膜時に基板と対向されるターゲットに対して
は非包囲とするシールド(防着治具とも言う。)を、支
持体毎に具えるのがよい。その場合、このシールドを、
支持体に対し連動及び非連動のいずれかを選択して駆動
させるためのシールド駆動機構を設けるのが好適であ
る。
て、ターゲットの位置決めに対応させて、成膜時に、ス
パッタリングされるターゲットの被スパッタリング面を
確実に基板に対面させることが出来ると供に、スパッタ
リングされないターゲットをスパッタリング時に生じる
スパッタ原子やパーティクルの飛散から防護出来る。そ
の結果、クリーニングに要する時間の短縮が図れること
はもとより、クリーニング回数の低減も図れる。
膜型装置とするのがよい。また、同一スパッタリング室
内で使用され、かつ一つの支持体に搭載されるターゲッ
トの枚数に合わせて、支持体の断面形状を、三角形、四
角形及び五角形以上の多角形の形状から選ばれたいずれ
か一つの形状とするのがよい。このようにすれば、一つ
の支持体に、異なる種類のターゲットを、最大、支持体
の有する辺(面)の個数に相当する枚数だけ、搭載出来
るので、一枚の基板上にこの枚数に相当する数の膜、ま
た、Ti膜、反応性スパッタによるTiN膜の成膜等の
場合には、それ以上の数の膜を積層出来る。
成膜される基板を、ガラス基板とするのが好適であり、
しかも、好ましくは、半導体用のシリコンウエハよりも
大型のガラス基板とするのがよい。
スパッタリング装置の実施の形態について説明するが、
これら図において、各構成要件の形状、大きさ及び配置
関係については、この発明が理解できる程度に概略的に
示してあるに過ぎない。また、以下、この発明の好適な
構成例につき説明するが、この発明は何らこの好適例に
限定されることなく、この発明の要旨を逸脱することな
く多くの変形及び変更が可能である。
スパッタリング室内の主要構成要件である基板と、支持
体と、ターゲット搭載面(従って、ターゲット)との配
置関係を主として概略的に示す平面図である。尚、図2
には、ターゲット搭載面に搭載されるターゲットの図示
を省略してある。図2に示す構成例では、基板ホルダ1
0aに一枚の基板例えばガラス基板12が搭載されてい
る。この基板12は、図面の紙面と直交する方向に立て
られて基板ホルダ10aに保持されている。基板の被成
膜面12aは、通常は平坦面である。
する。この基板ホルダ10aは、矢印aの方向から、基
板12を搭載した状態で、スパッタリング室14内へと
ゲートバルブ16を介して搬入されて位置決めされてい
る。
ーゲット支持用の複数個、ここでは一例として3個の支
持体20,22及び24が配設されている。この構成例
では、この支持体を、断面形状が四角形の支持体、例え
ば対向面が平行平面である矩形体とし、従って、その断
面は一例として長方形とする。これら支持体20,2
2,及び24は互いに同一形状でしかも同一サイズと
し、基板ホルダの搬入搬出方向に順次に配列されてい
る。これら支持体20,22,及び24は、それぞれ中
心軸を回転軸として回転(回動とも言う。)し、かつ適
当な回転位置のところで停止されて、その停止位置に位
置決め出来るように、形成されている。
12aに対向する側の面20a,22a及び24aと、
その反対側の対向面20b,22b及び24bとがそれ
ぞれターゲット搭載面を構成している。この場合、この
支持体20,22,及び24自体の面上に個別にカソー
ド30a,30b,32a,32b,34a及び34b
を設けて、これらカソードの外側面をターゲット搭載面
20a,22a,24a,20b,22b及び24bと
する。この構成例では、支持体とカソードとを別体とし
た構成としている。
面の中心を中心軸すなわちこの構成例では回転軸C1,
C2及びC3とする。これらの回転軸C1,C2及びC
3は、被成膜面に平行であると共に、回転軸同士が平行
となっている。この支持体20,22及び24は、回転
軸C1,C2及びC3の周りに矢印bで示すように、正
逆の両方向に回転できる構成となっている。
2の中心に合わせてあり、両側の支持体20及び24の
回転軸C1及びC3は、回転軸C2から等距離のところ
に位置決めされている。さらに、回転軸C1及びC3
は、被成膜面すなわち基板面12aから等距離の位置に
位置決めされていて、しかも、中心側の回転軸C2より
も、基板面12aに接近させてある。いずれにしても、
これらターゲットは、被成膜面との間及び互いのターゲ
ット同士間で、成膜に最適な位置関係となるように、位
置決めされる。
ーゲットがそれぞれ搭載される。これらターゲットのう
ち、一方のカソード30a,32a及び34aに搭載さ
れるターゲットは、同一種類のターゲットとする。ま
た、他方のカソード30b,32b及び34bに搭載さ
れるターゲットは、一方のターゲットとは異なる種類で
あって、互いに同一種類であるターゲットとする。
2a及び22b、すなわちこれらターゲット搭載面に搭
載されたターゲットの被スパッタリング面が被成膜面1
2aと平行となるように位置決めされる。同様に、この
中心側支持体を中心として両側の周辺側支持体20及び
24のターゲット搭載面20a,20b及び24a,2
4bすなわちこれらターゲット搭載面に搭載されたター
ゲットの被スパッタリング面が被成膜面12aと対向す
るように位置決めされる。
24のターゲット搭載面20a,24aの延長線と被成
膜面12aの延長線との交差角を互いに等しいα(角
度)(0°<α<90°)とする。このように、周辺側
ターゲット搭載面30a,30b及び34a,34b
は、中心側ターゲット搭載面32a,32bから離れる
に従って、被成膜面12aに接近するように、中心側タ
ーゲット搭載面に対して傾斜させてある。その結果、周
辺側ターゲットの被スパッタリング面と被成膜面とが角
度αで傾斜(交差)する。
ット位置決め機構及び支持体の被成膜面との距離調整及
び支持体間の距離調整のための距離調整機構については
後述する。
いて、ガラス基板12と各支持体20,22,24が具
えているカソード30a、32a,34aとの相対位置
関係を説明するための概略図である。これらカソード3
0a、32a,34aは、全体的に矩形の短冊状の形を
している。基板12は、搬送方向(x方向とする。)に
長辺を有し、それに直交する、基板を立てている方向
(鉛直方向でz方向とする。)に短辺を有している。カ
ソードの各中心軸を01,O2,03とすると、これら
カソードを、それぞれの中心軸が互いに平行、かつ基板
12の短辺方向と平行となるように、位置決めされる。
中央のカソード32aの中心軸02は、基板12の中心
と一致させるのが好適である。図3に示す構成例では、
カソード側から基板側を平面的に見た場合、基板周辺側
に対向するカソード30a及び34aは、中心側のカソ
ード32aとは離れている側の端縁側の部分、すなわち
x方向の幅領域の一部分、が基板12から外れて、位置
決めされている。カソードの基板に対する相対位置は、
支持体の位置決めによって決まる。これらの相対位置
は、搭載するターゲットの種類や大きさその他の任意好
適な条件に応じて、適切な膜の形成が出来るように、決
めればよい。従って、カソード側から基板側を平面的に
見た場合、カソードの幅領域が基板面内に収まるように
配設しても良い。
大きさ及び基板に同時に対面する個数は、設計に応じて
任意好適に設定出来る。
けた一つのターゲットを選択して成膜を行っている間
に、非使用で退避している残りのターゲットに対して、
クリーニングを行っても良い。このように、ターゲット
を成膜時に予備的にクリーニングとすることにより、本
成膜に当たり、正式のクリーニングの作業を軽減するの
で、全体的な処理時間の短縮が図れ、或いはクリーニン
グ回数の低減が図れる。
た場合の構成例を概略的に示す、図2と同様な平面図で
ある。この場合には、スパッタリング室内に対してトレ
ー10bの両側に基板例えばガラス基板12,12′が
搭載されていて、両基板12,12′の被成膜面に同時
に成膜を行う構成例である。この構成例では、図2に示
した各支持体等の他に、これらに追加して、別の支持体
等をトレー10bに対し、対称的に、トレー10bの反
対側にも設けている。これら対称的に新たに設けられて
いる支持体その他の所要の構成要件には、図2に示した
構成要件の符号に′を付けてそれぞれ示す。これらの追
加して設けられた支持体等は、図2で説明した支持体等
と同一の構成及び作用(又は機能)を有するので、その
重複する詳細な説明は省略する。この構成例において
も、この支持体20,22,24,20′,22′及び
24′は、回転軸C1,C2,C3,C′1,C′2及
びC′3の周りに矢印bで示すように、正逆の両方向に
回転できる構成となっている。尚、図4には、ターゲッ
トの図示を省略してある。
ング室内で、2枚の基板に対して、それぞれ連続的に複
数の成分の膜を順次に成膜させることが可能となる。そ
の場合、一方の基板12と他方の基板12′に対する同
時成膜のときに、支持体の回転により、それぞれの成膜
に適したターゲットを選定して、位置決めさせる。その
ようにすることによって、それぞれの基板に互いに異な
る成分の膜を成膜することも可能である。
一つの支持体に2種類のターゲットの搭載が可能である
ので、同一のスパッタリング室内で一枚の基板の被成膜
面上に2種類の膜を積層出来る。また、両面成膜装置の
場合であっても、一枚の基板のみを搭載させて、成膜を
行っても良い。
た他の構成例を説明するための、概略的な平面図であ
る。この構成例では、基本的には、図4の構成例と同じ
構成であるが、1つの支持体に3つのターゲットを具え
ている点が異なる。従って、この構成例では、この相違
点に着目して説明し、図2及び図4の構成と同一の構成
部分については、その詳細な重複する説明を省略する。
をトレー10の各側に3個ずつ具えている。支持体5
0,52,54,50′,52′及び54′は、それぞ
れ図4に示した支持体20,22,24,20′,22
及び24′に対応している。これら支持体は、それぞれ
ほぼ六角柱の形状をしているが、一つ置きに側面が大き
く形成されていて、それら側面にカソードが設けられて
いる。各支持体は、それぞれ中心軸C50、C52,・
・・を回転軸として、矢印cで示すように、正逆方向に
回転(回動)し、かつ適当な回転位置で停止して、その
停止箇所にターゲットを位置決めできるように、形成さ
れている。各支持体の中心軸は、既に説明した支持体2
0,22,及び24の中心軸と同様に、被成膜面に平行
かつそれぞれの中心軸と平行と成っている。
方の周辺側支持体50及び52につき代表として説明
し、残りの支持体の構成及び作用などは、支持体50及
び52のいずれかと同様であるので、重複する説明は省
略する。
C50及びC52とし、支持体の3つの側面に設けられ
ているカソードを60a,60b、60c及び62a,
62b、62cとする。各カソードのターゲット搭載面
50a,50b,50c,52a,52b,52c上に
は、ターゲット70a,70b,70c,72a,72
b,72cがそれぞれ搭載されている。一つの支持体に
対する3個のターゲットは、異なる種類のターゲットと
する。支持体同士では、同一の順番位置には同一種類の
ターゲットを搭載しておく。従って、基板に対し同時に
同一種類のターゲットが対向する。
転させて、互いに同一種類の第1のターゲットを基板に
対向させて位置決めして、成膜を行う。2回目の成膜に
当たり、それぞれの支持体を回転させて、第1のターゲ
ットとは異なる種類であるが、互いに同一種類の第2の
ターゲットが基板に対向するように位置決めして、成膜
を行う。3回目の成膜に当たり、それぞれの支持体をさ
らに回転させて、第1及び第2のターゲットとは異なる
種類であるが、互いに同一種類の第3のターゲットが基
板に対向するように位置決めして、成膜を行う。このよ
うにして、同一のスパッタリング室内で、一枚の基板1
2に、3つの異なる成分の膜を成膜することが出来る。
おいて説明した場合と同様に、成膜時に基板の被成膜面
に対向するターゲットの被スパッタリング面、従って支
持体のターゲット搭載面は、中心側支持体52の場合に
は、被成膜面12aと平行であり、一方、周辺側支持体
50では、被成膜面12aに対して角度αで傾斜してい
る。しかしながら、成膜時に基板に対面する全てのター
ゲットの被スパッタリング面を、この基板面に平行とな
るようにしても良い。
毎に、これを覆うシールド(防着治具とも称する。)8
0,82,84,80′,82′,84′をそれぞれ設
けてある。これらシールドすなわち防着治具は、それぞ
れの支持体の中心軸方向に沿って、上下方向において、
カソードやターゲットの全長を実質的に覆うように、設
けてある。そして、このシールド80,82,84,8
0′,82′,84′は、支持体の周囲を囲むように、
しかも、支持体の回転の妨げと成らないように、設けら
れている。さらに、このシールドは、成膜のときに基板
の被成膜面に対向するターゲット70a,72aが、こ
のシールド80,82から露出するように、すなわち成
膜時にスパッタリングされる当該ターゲットに対して非
包囲となるように、形成されている。
断面は、ほぼC字状の形状となっている。従って、この
C字状のシールド80,82,84,80′,82′,
84′の縦割りの開口部80a,82a,84a,8
0′a,82′a,84′aに成膜時に必要なターゲッ
トが位置決めされる。
り、成膜時に飛来するスパッタ原子や不所望なパーティ
クルが、成膜時に使用されていないで退避しているター
ゲットやカソードの面に、被着するのを防ぐことが出来
る。
動機構によって、支持体と連動して駆動させることが出
来ると共に、支持体との連動を解除することも出来る。
このシールド駆動機構によって、自動的にまたは外部か
らの指令により、この連動駆動及び連動解除の選択を行
うことが出来る。このシールドと支持体との連動駆動
は、ターゲットの被スパッタリング面と基板の被成膜面
との交差角(傾斜角度)αの調整を行うとき、或いは、
一定の傾斜角度(α)の範囲内で傾斜角度を周期的に変
えるとき等に、支持体を一定の回転角度範囲内で回転振
動させる場合に行われる。従って、成膜時に被スパッタ
リングを行うべきターゲットの選択のための支持体の回
転に対しては、シールドと支持体との連動を解除してお
くので、その場合には、シールドは静止している。
置を設けることにより、各支持体毎に予備的なクリーニ
ングを、他の支持体及び基板への影響を及ぼさずに、実
施することが出来る。尚、このクリーニング装置につい
ては、後述する。
の説明に供する概略的な平面図である。図6(A)に示
す構成例では、支持体90は、三角柱状の構造としてあ
り、その3つの面上にそれぞれカソード92が形成され
ていて、そのターゲット搭載面上にターゲット94が個
別に固定される。この支持体90は、その中心軸(回転
軸)C90の周りに回転可能とする。
は、四角柱状の構造としてあり、その4つの面上にそれ
ぞれカソード97が形成されていて、そのターゲット搭
載面上にターゲット99が個別に固定される。この支持
体95は、その中心軸(回転軸)C95の周りに回転可
能とする。
4及び図5を参照して既に説明した各支持体の代わりに
使用することが出来る。
傘型の支持体も利用できる。
個数及び配置関係は、任意好適な個数及び配置関係とす
ることが出来る。例えば、上述の図2,図4及び図5の
構成例では、基板の片側に3個の支持体を配置した例を
示したが、4個以上であっても良く、また、これらの配
列は、一列であっても、そうでなくても良く、碁盤目状
に配列しても良く、円形状に配列しても良い。
整機構について、図7及び図8を参照して、簡単に説明
する。
るための図式的説明図である。図7中、26は支持体、
28はこの支持体に設けられた回転軸、36はこの回転
軸を回動駆動させるための回動機構で例えばモータや動
力伝達部を含む。38はこの回動機構を駆動制御する制
御部である。これら回転軸28、回動機構36、制御部
38がターゲット位置決め機構40を構成している。こ
のターゲット位置決め機構40の回動機構36及び制御
部38は、従来周知の、任意好適な手法を用いて、容易
に構成出来る。但し、この発明では、支持体26の回転
駆動は、正逆方向に360度の角度範囲内で回転でき、
その間の適正な回転位置で回転駆動を停止して、支持体
の位置決めを行えばよい。或いは、必要に応じて、この
支持体26を所要の回転角度範囲内において正逆方向に
交互に回転させて、すなわち回動振動させることも可能
である。
の所要の制御を行うために、予め、制御部38にプログ
ラムを格納しておいて、外部からの指令により或いは当
該指令によらずに自動的に、そのプログラムにそって、
回転・回転振動・停止等の所望の駆動制御を行えばよ
い。
回動機構を結合させる代わりに、支持体26自体を、そ
の中心軸を中心として回転する回転板(図示せず)上に
搭載させ、この回転板を回動機構で回動させるように構
成することもできるが、いずれの手法を用いるかは単な
る設計上の問題であり、この発明の本質的事項ではな
い。
は、スパッタリング室の内部または外部に設けることが
出来、どちらに設けるかは設計上の問題であるにすぎな
い。
めの図式的説明図である。図8中、42は支持体26及
び上述した回動機構36を搭載して支持するステージで
ある。このステージ42は、従来周知の、任意好適な手
法を用いて構成することが出来る。この構成例では、2
次元または3次元駆動機構44と、この駆動機構44の
駆動を制御する制御部38とでステージ42の駆動を制
御する。従って、距離調整機構46は、ステージ42
と、駆動機構44と、制御部38とで構成している。駆
動機構44は、ステージ42を水平方向のx、yの2方
向と、場合によっては垂直方向すなわちz方向とに、制
御部38のプログラムに従って、駆動をすることが出来
る。
リング室の内部または外部に設けることが出来、どちら
に設けるかは設計上の問題であるにすぎない。
距離調整機構46のそれぞれの制御駆動に必要なデータ
及び駆動手順などは、予め、実験等により求めておいた
データに基づいてプログラムして、予め制御部38に格
納しておけばよい。
持体の個数、一つの支持体に取り付けるターゲットの枚
数、基板サイズ、ターゲットサイズ及び種類、各支持体
の中心間の調整可能な距離範囲、基板面と各支持体の中
心との間の調整可能な距離範囲、周辺側支持体の基板面
との調整可能な傾き角度範囲その他の適当なデータであ
る。これらデータは、予め実測により、ターゲットの種
類毎の、設計通りの最適な膜が得られるデータの組とし
て、入手しておく。得られたデータに基づいて作成した
プログラムで上述の各制御駆動を行えばよい。
46は、ステージ42に回動機構36を搭載した構成で
あるが、x方向、y方向及びz方向の各方向に支持体を
移動させることが出来る構成ならば、他の任意好適な構
成とすることも可能である。
行うかは、この発明の本質的事項でないので、これ以上
の説明は省略する。
既に説明した各構成例において、成膜時にスパッタリン
グに使用されていないターゲットに対して、クリーニン
グを行うクリーニング装置を設けるるのが好適である。
このクリーニング装置は、少なくとも、各ターゲットを
搭載するカソード毎に、専用の直流又は高周波電源と、
クリーニングに用いるガス供給部とを具えている。必要
ならば、さらに、スパッタリング室を成膜側の領域とク
リーニング側の領域との間で、互いに不所望なスパッタ
原子、ガスや飛来パーティクルが行き交わさないような
遮蔽手段を設けるのがよい。これらのクリーニング装置
や遮蔽手段は、設計に応じて任意好適な構成とし得る。
明に供する図式的な概略図である。一例として、図6
(A)で示した支持体90にシールド86を設けている
場合につき説明すると、各カソード92には、それぞれ
に個別にパワーを印加できる直流又は高周波電源88を
設けておく。また、クリーニングに必要なガスを外部か
ら導入してシールド86と支持体90に搭載された非選
択ターゲットとの間の空間に吹き出すことが出来るガス
供給部89を設ける。また、遮蔽手段93は、例えば、
図に破線で示すように、シールド86と支持体90とで
おおよその密閉空間ができるように設けることが出来
る。
92との接続は、支持体90の回転軸内を通して行うこ
とが出来る。また、ガス供給部89は、互いに連通させ
ても良いし、或いは個別に独立させて設けても良い。ま
た、ガス供給部89は、シールド86と一体結合させて
設けても良いし、或いは、シールド86とは独立させて
設けても良い。また、クリーニング装置91の制御は、
成膜処理と連動させて自動的に行えるように構成しても
良いし、或いは、成膜処理とは独立させて、手動での指
令により、クリーニング装置91の制御を行う構成とし
ても良く、設計上の問題である。
するための概略的な図式的説明図である。この構成例で
は、図6(A)に示した支持体90にシールド86を設
けている場合を示している。シールド駆動機構は、その
動力伝達機構を、歯車やラックや各種ベルトその他の動
力伝達手段を用いて、かつこの駆動機構を設ける環境や
操作性を考慮して、最適な組み合わせとして構成するこ
とが出来る。
転軸の組み合わせで構成した例である。支持体90の回
転軸C90は、図7で既に説明したような回転機構36
で駆動される。この回転軸C90に歯車Aを取り付け
る。A歯車との結合解除が自在となるようにこの歯車A
に歯車Bを結合すなわち噛み合わせ、さらにこの歯車B
に歯車Cを結合させる。歯車Cには回転軸C96が設け
られて、この回転軸に別の歯車Dが設けられている。こ
の歯車Dに歯車Eを結合させ、さらに、この歯車Eとシ
ールド86の外壁に設けられた歯車Fとを結合させる。
の回転を支持する回転支持部(図示せず。)が設けられ
ている。また、各歯車の歯数関係を、このシールド86
と支持体90の回転を同期させることが出来るように、
設定しておく。さらに、回転軸C90の回転方向とシー
ルド86の回転方向とが一致するように、使用する歯車
の枚数が決められる。
せるためには、すべての歯車A,B,C,D,E,Fを
順次に噛合させておく。しかしながら、シールド86を
支持体90の回転と連動させないで、停止させておく場
合には、例えば、歯車Bを両隣の歯車A及びCとの噛合
を解除すればよい(図10に破線で示す。)。このよう
な連結及びまたは解除の制御は、制御部38からの指令
で、自動的に、行えばよい。
6の構成は、図10に示した構成例に何ら限定されな
い。
用いた例につき説明したが、ガラス基板の代わりに、半
導体用のシリコン基板、その他の基板を用いても本発明
は適用され、その場合にもガラス基板の場合と同様に、
この発明の効果を奏し得る。
て、本発明の特徴的部分につき詳述したが、当然なが
ら、スパッタリング装置は、例えば、真空排気系、スパ
ッタリング用のガス供給系、搬送系、ロード/アンロー
ド室、他の処理室等の、通常必要な構成要素も備えてい
る。しかし、これらの通常の構成要素は、この発明の本
質的事項でないので図示や説明を省略してある。
発明のスパッタリング装置の構成によれば、同一のスパ
ッタリング室内に複数の回転可能な支持体を設け、一つ
の支持体には、最大、同一基板の被成膜面上に順次に積
層する膜の数に対応した個数の、互いに異なるターゲッ
トを設けてある。各支持体から、同一種類のターゲット
の選択は、支持体を回転させて行う。
よれば、同一基板上に、同一スパッタリング室内で、複
数の膜を順次に積層出来る。このため、従来のスパッタ
リング装置のように、成膜する膜毎に、異なるスパッタ
リング室を必要とすることがないというメリットがあ
る。このため、装置全体の占有面積を小さく出来、従っ
て、装置の省スペース化を達成でき、さらに、成膜すべ
き膜毎に、スパッタリング室間での基板の搬送搬入を必
要としないので、成膜に要する基板の処理時間を大幅に
節約でき、従って、従来よりも高スループット化が図れ
る。
よれば、一つのスパッタリング室内に成膜すべき成分を
有するターゲットを、複数枚のターゲットに分けて、基
板に対向配置させる。このため、製造コストの安価な小
型サイズのターゲットを使用出来ると共に、基板面の局
所領域に対応してきめ細かく成膜条件を調整することが
出来るので、大型基板の場合であっても、基板面全体に
わたり成膜された膜の膜厚を均質化出来る。従って、こ
の点からも、この発明のスパッタリング装置によれば、
従来よりも高スループット化出来る。
部の概略的な平面図である。
る、要部の概略的平面図であって、3個のターゲットを
用いて1枚の基板に同時に成膜する構成例を示す図であ
る。
持体のカソードと基板との相対位置関係の説明にる供す
る概略的な説明図である。
説明に供する、要部の概略的平面図であって、この発明
を両面成膜装置に適用した構成例を示す図である。
成例の説明に供する、要部の概略的平面図であって、こ
の発明を両面成膜装置に適用した構成例を示す図であ
る。
グ装置に使用する支持体の他の構成例の説明に供する概
略的平面図である。
ゲット位置決め機構の説明に供する説明図である。
調整機構の説明に供する説明図である。
リーニング装置の説明に供する概略的な説明図である。
シールド駆動機構の説明に供する概略的な説明図であ
る。
2,54,50′,52′,54′90,95:支持体 20a,20b,22a,22b,24a、24b,2
0′a,20′b,22′a,22′b,24′a、5
0a,50b,50c,52a,52b,52c:ター
ゲット搭載面 28:回転軸 30a,30b,32a,32b,34a,34b,3
0′a,30′b,32′a,32′b,34′a,3
4′b,60a,60b,60c,62a,62b,6
2c,92,97:カソード 70a,70b,70c,72a,72b,72c,9
4、99:ターゲット36:回転機構 38:制御部 40:ターゲット位置決め機構 42:ステージ 44:駆動機構 46:距離調整機構 86:シールド(防着治具) 88:直流又は高周波電源 89:ガス供給部 91:クリーニング装置 93:遮蔽手段 96:シールド駆動機構 C1,C2,C3, C′1,C′2,C′3,C5
0,C52,C90,C95:(支持体の)中心軸(回
転軸) O1,O2,O3:(カソードの)中心軸 C96:回転軸 A,B、C、D、E、F:歯車(動力伝達部)
Claims (22)
- 【請求項1】 複数のターゲットの同時スパッタリング
によって成膜を行うスパッタリング装置において、 スパッタリング室と、 該スパッタリング室の基板ホルダに搭載される基板の被
成膜面に対向してそれぞれ設けられていて、それぞれの
中心軸の周りに回転出来る、ターゲット用の複数の支持
体と、 該支持体に、互いに離間して設けられていて、複数のタ
ーゲット搭載面をそれぞれ有する複数のカソードと、 前記支持体をそれぞれ回転させて前記支持体の各々の1
つのターゲット搭載面に搭載されたターゲットを前記被
成膜面に対向した成膜位置へ設定可能にするターゲット
位置決め機構とを具えることを特徴とするスパッタリン
グ装置。 - 【請求項2】 複数のターゲットの同時スパッタリング
によって成膜を行うスパッタリング装置において、 スパッタリング室と、 該スパッタリング室内に搬入搬出自在に設定されるトレ
ーと、 前記スパッタリング室内に、該トレーに搭載される基板
の被成膜面に対向してそれぞれ設けられていて、それぞ
れの中心軸の周りに回転出来る、ターゲット用の複数の
支持体と、 該支持体に、互いに離間して設けられていて、複数のタ
ーゲット搭載面をそれぞれ有する複数のカソードと、 前記支持体をそれぞれ回転させて前記支持体の各々の1
つのターゲット搭載面に搭載されたターゲットを前記被
成膜面に対向した成膜位置へ設定可能にするターゲット
位置決め機構とを具えることを特徴とするスパッタリン
グ装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載のスパッタリング装置に
おいて、該スパッタリング装置を両面成膜型装置とする
ことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれか一項に記載のス
パッタリング装置において、前記被成膜面の中心側で対
向する中心側ターゲット搭載面は、該被成膜面に平行な
面としてあり、及び前記被成膜面の周辺側で対向する周
辺側ターゲット搭載面は、前記中心側ターゲット搭載面
から離れるに従って、前記被成膜面に接近するように、
該中心側ターゲット搭載面に対して傾斜させてあること
を特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれか一項に記載のス
パッタリング装置において、前記支持体の中心軸を該支
持体の回転軸とし、各回転軸は、前記被成膜面に平行で
あって、かつ互いに平行に設けられていることを特徴と
するスパッタリング装置。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか一項に記載のス
パッタリング装置において、複数の前記支持体は、前記
トレーの搬入搬出方向に配列されていることを特徴とす
るスパッタリング装置。 - 【請求項7】 請求項1〜6のいずれか一項に記載のス
パッタリング装置において、前記ターゲット搭載面に搭
載されるターゲットの被スパッタリング面と前記被成膜
面との間の対向距離を調整する距離調整機構を具えてい
ることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項8】 請求項1〜7のいずれか一項に記載のス
パッタリング装置において、前記支持体の相互間距離を
調整する距離調整機構を具えていることを特徴とするス
パッタリング装置。 - 【請求項9】 請求項1〜8のいずれか一項に記載のス
パッタリング装置において、前記支持体の断面形状を、
三角形、四角形及び五角形以上の多角形の形状から選ば
れたいずれか一つの形状とすることを特徴とするスパッ
タリング装置。 - 【請求項10】 請求項1〜9のいずれか一項に記載の
スパッタリング装置において、前記基板に対向していな
い側のターゲットをクリーニングするクリーニング装置
を具えることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項11】 請求項4に記載のスパッタリング装置
において、 成膜中に、前記ターゲット位置決め機構によって、周辺
側の前記支持体をそれぞれ回転させて、当該支持体の前
記周辺側ターゲット搭載面の、前記基板の被成膜面に対
する傾斜角を調整することを特徴とするスパッタリング
装置。 - 【請求項12】 請求項4に記載のスパッタリング装置
において、 成膜中に、前記ターゲット位置決め機構によって、周辺
側の前記支持体をそれぞれある角度範囲内において正逆
方向に交互に回転振動させることを特徴とするスパッタ
リング装置。 - 【請求項13】 請求項1〜12のいずれか一項に記載
のスパッタリング装置において、前記スパッタリング室
内に設けられていて、前記支持体の周囲の一部分にわた
って該支持体を包囲するとともに、成膜時に前記基板と
対向されるターゲットに対しては非包囲とするシールド
を、前記支持体毎に具えることを特徴とするスパッタリ
ング装置。 - 【請求項14】 請求項13に記載のスパッタリング装
置において、前記シールドを、前記支持体と連動させて
駆動可能とするためのシールド駆動機構を具えることを
特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項15】 請求項11または12に記載のスパッ
タリング装置において、前記支持体の中心軸を該支持体
の回転軸とし、各回転軸は、前記被成膜面に平行であっ
て、かつ互いに平行に設けられていることを特徴とする
スパッタリング装置。 - 【請求項16】 請求項11または12に記載のスパッ
タリング装置において、複数の前記支持体は、前記トレ
ーの搬入搬出方向に配列されていることを特徴とするス
パッタリング装置。 - 【請求項17】 請求項11または12に記載のスパッ
タリング装置において、前記ターゲット搭載面に搭載さ
れるターゲットの被スパッタリング面と前記被成膜面と
の間の対向距離を調整する距離調整機構を具えているこ
とを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項18】 請求項11または12に記載のスパッ
タリング装置において、前記支持体のそれぞれの中心軸
間の距離を調整する距離調整機構を具えていることを特
徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項19】 請求項11または12に記載のスパッ
タリング装置において、前記支持体の断面形状を、三角
形、四角形及び五角形以上の多角形の形状から選ばれた
いずれか一つの形状とすることを特徴とするスパッタリ
ング装置。 - 【請求項20】 請求項11または12に記載のスパッ
タリング装置において、前記基板に対向していない側の
ターゲットをクリーニングするクリーニング装置を具え
ることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項21】 請求項1〜20のいずれか一項に記載
のスパッタリング装置において、前記支持体の各々のタ
ーゲット搭載面は、前記基板の被成膜面と平行であると
共に、該ターゲット搭載面同士間で平行であることを特
徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項22】 請求項1〜21のいずれか一項に記載
のスパッタリング装置において、前記基板をガラス基板
とすることを特徴とするスパッタリング装置。
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