JP2003133079A - アクティブマトリクス駆動型有機ｌｅｄパネルとその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス駆動型有機ｌｅｄパネルとその製造方法Info
- Publication number
- JP2003133079A JP2003133079A JP2001329259A JP2001329259A JP2003133079A JP 2003133079 A JP2003133079 A JP 2003133079A JP 2001329259 A JP2001329259 A JP 2001329259A JP 2001329259 A JP2001329259 A JP 2001329259A JP 2003133079 A JP2003133079 A JP 2003133079A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strip
- transparent counter
- conductive film
- film
- counter electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機層に熱的ダメージを与えることなく透明
対向電極を形成すること。 【解決手段】 基板と、基板上に行方向と列方向にマト
リクス状に形成された複数のＴＦＴ回路と、複数のＴＦ
Ｔ回路全体を覆って形成される平坦化膜と、平坦化膜上
で各ＴＦＴ回路に対応する位置に形成される金属画素電
極と、各金属画素電極の上に形成される有機層と、有機
層の各列又は各行の上に転写法により形成される帯状の
透明対向電極と、透明対向電極に直交して設けられ透明
対向電極を相互に短絡する帯状の導電膜を備えること。
対向電極を形成すること。 【解決手段】 基板と、基板上に行方向と列方向にマト
リクス状に形成された複数のＴＦＴ回路と、複数のＴＦ
Ｔ回路全体を覆って形成される平坦化膜と、平坦化膜上
で各ＴＦＴ回路に対応する位置に形成される金属画素電
極と、各金属画素電極の上に形成される有機層と、有機
層の各列又は各行の上に転写法により形成される帯状の
透明対向電極と、透明対向電極に直交して設けられ透明
対向電極を相互に短絡する帯状の導電膜を備えること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、アクティブマト
リクス駆動型有機ＬＥＤパネルに関する。
リクス駆動型有機ＬＥＤパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機薄膜ＬＥＤ素子がイーストマ
ン・コダック社のＣ・Ｗ・Ｔａｎｇをはじめ、各研究機
関・企業などで開発され、駆動方式についても研究され
てきている。主に駆動方式については、デューティー駆
動方式と、液晶ディスプレイ等と共に発展してきたＴＦ
Ｔを利用したアクティブマトリクス駆動方式について種
々検討がなされ、それらの駆動方式に対応する各種パネ
ル構造が提案されている。
ン・コダック社のＣ・Ｗ・Ｔａｎｇをはじめ、各研究機
関・企業などで開発され、駆動方式についても研究され
てきている。主に駆動方式については、デューティー駆
動方式と、液晶ディスプレイ等と共に発展してきたＴＦ
Ｔを利用したアクティブマトリクス駆動方式について種
々検討がなされ、それらの駆動方式に対応する各種パネ
ル構造が提案されている。
【０００３】そして、この発明に関連する従来技術とし
ては、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス
駆動を行う有機ＬＥＤ表示装置（例えば平７−１１１３
４１号公報、特開平７−１２２３６０号公報、特開平７
−１２２３６１号公報、特開平７−１５３５７６号公
報、特開平８−２４１０４７号公報、特開平８−２２７
２７６号公報参照）や、画素の開口率を向上する目的
で、薄膜トランジスタ上に絶縁膜を介し有機ＬＥＤ素子
部を配置し、基板の逆側から発光を取り出す構造の有機
ＬＥＤ表示装置（例えば特開平１０−１８９２５２号公
報参照）などが知られている。
ては、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス
駆動を行う有機ＬＥＤ表示装置（例えば平７−１１１３
４１号公報、特開平７−１２２３６０号公報、特開平７
−１２２３６１号公報、特開平７−１５３５７６号公
報、特開平８−２４１０４７号公報、特開平８−２２７
２７６号公報参照）や、画素の開口率を向上する目的
で、薄膜トランジスタ上に絶縁膜を介し有機ＬＥＤ素子
部を配置し、基板の逆側から発光を取り出す構造の有機
ＬＥＤ表示装置（例えば特開平１０−１８９２５２号公
報参照）などが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般にアクティブマト
リクス駆動型有機ＬＥＤ表示パネルは、ＴＦＴ回路を形
成した後、樹脂などによる平坦化膜を形成し、この上に
ＩＴＯなどによる透明電極を形成する。透明電極は平坦
化膜下のＴＦＴ駆動回路とスルーホールを通して電気的
に接続される。その上に蒸着法などによる有機層を形成
し、Ａｌなどの金属電極を蒸着法により形成してきた。
有機層は、この透明電極と金属電極に挟まれ、電圧が印
加され電流が流れることにより発光する。
リクス駆動型有機ＬＥＤ表示パネルは、ＴＦＴ回路を形
成した後、樹脂などによる平坦化膜を形成し、この上に
ＩＴＯなどによる透明電極を形成する。透明電極は平坦
化膜下のＴＦＴ駆動回路とスルーホールを通して電気的
に接続される。その上に蒸着法などによる有機層を形成
し、Ａｌなどの金属電極を蒸着法により形成してきた。
有機層は、この透明電極と金属電極に挟まれ、電圧が印
加され電流が流れることにより発光する。
【０００５】この方法では、有機層の発光はＴＦＴ回路
が形成されている側からパネル外へ出るが、ＴＦＴ回路
のある部分からは光を取出せないため、開口率が低下す
る。開口率が低下すれば、同じ画面輝度を得るために有
機層はより高輝度で発光する必要が生じ、その為有機エ
レクトロルミネッセンス素子の発光率は低下し、寿命も
短くなる。
が形成されている側からパネル外へ出るが、ＴＦＴ回路
のある部分からは光を取出せないため、開口率が低下す
る。開口率が低下すれば、同じ画面輝度を得るために有
機層はより高輝度で発光する必要が生じ、その為有機エ
レクトロルミネッセンス素子の発光率は低下し、寿命も
短くなる。
【０００６】透明電極と金属電極を入れ替えれば有機層
の発光はＴＦＴ形成側とは反対方向に出すことができる
ので、ＴＦＴ回路による開口率の低下を回避できるが、
透明電極の形成方法はスパッタ法であり、有機層をスパ
ッタ装置の中に入れると有機層は大きなダメージを受け
るという問題がある。
の発光はＴＦＴ形成側とは反対方向に出すことができる
ので、ＴＦＴ回路による開口率の低下を回避できるが、
透明電極の形成方法はスパッタ法であり、有機層をスパ
ッタ装置の中に入れると有機層は大きなダメージを受け
るという問題がある。
【０００７】この発明は、このような事情を考慮してな
されたもので、透明電極を転写法によって形成する、つ
まり透明電極用の薄膜を付着させた転写用シートを有機
層の上に重ね、その上からレーザビームでスキャンして
その薄膜を有機層に付着させることにより透明電極を形
成し、有機層に与えるダメージを回避させた有機ＬＥＤ
パネルとその製造方法を提供するものである。
されたもので、透明電極を転写法によって形成する、つ
まり透明電極用の薄膜を付着させた転写用シートを有機
層の上に重ね、その上からレーザビームでスキャンして
その薄膜を有機層に付着させることにより透明電極を形
成し、有機層に与えるダメージを回避させた有機ＬＥＤ
パネルとその製造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板と、基
板上に行方向と列方向にマトリクス状に形成された複数
のＴＦＴ回路と、複数のＴＦＴ回路全体を覆って形成さ
れる平坦化膜と、平坦化膜上で各ＴＦＴ回路に対応する
位置に形成される金属画素電極と、各金属画素電極の上
に形成される有機層と、有機層の各列又は各行の上に転
写法により形成される帯状の透明対向電極と、透明対向
電極に直交して設けられ透明対向電極を相互に短絡する
帯状の導電膜を備えるアクティブマトリクス駆動型有機
ＬＥＤパネルを提供するものである。
板上に行方向と列方向にマトリクス状に形成された複数
のＴＦＴ回路と、複数のＴＦＴ回路全体を覆って形成さ
れる平坦化膜と、平坦化膜上で各ＴＦＴ回路に対応する
位置に形成される金属画素電極と、各金属画素電極の上
に形成される有機層と、有機層の各列又は各行の上に転
写法により形成される帯状の透明対向電極と、透明対向
電極に直交して設けられ透明対向電極を相互に短絡する
帯状の導電膜を備えるアクティブマトリクス駆動型有機
ＬＥＤパネルを提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明のアクティブマトリクス
駆動型有機ＬＥＤパネルの特徴は、基板と、基板上に行
方向と列方向にマトリクス状に形成された複数のＴＦＴ
回路と、複数のＴＦＴ回路全体を覆って形成される平坦
化膜と、平坦化膜上で各ＴＦＴ回路に対応する位置に形
成される金属画素電極と、各金属画素電極の上に形成さ
れる有機層と、有機層の各列又は各行の上に転写法によ
り形成される帯状の透明対向電極と、帯状透明対向電極
に直交して設けられ透明対向電極を相互に短絡する帯状
の導電膜を備える点にある。
駆動型有機ＬＥＤパネルの特徴は、基板と、基板上に行
方向と列方向にマトリクス状に形成された複数のＴＦＴ
回路と、複数のＴＦＴ回路全体を覆って形成される平坦
化膜と、平坦化膜上で各ＴＦＴ回路に対応する位置に形
成される金属画素電極と、各金属画素電極の上に形成さ
れる有機層と、有機層の各列又は各行の上に転写法によ
り形成される帯状の透明対向電極と、帯状透明対向電極
に直交して設けられ透明対向電極を相互に短絡する帯状
の導電膜を備える点にある。
【００１０】帯状導電膜は、金属膜又は透明導電膜によ
り形成できる。帯状導電膜は、透明対向電極の一方の端
に設けられてもよいし、透明対向電極の両方の端に設け
られてもよい。
り形成できる。帯状導電膜は、透明対向電極の一方の端
に設けられてもよいし、透明対向電極の両方の端に設け
られてもよい。
【００１１】また、この発明は、別の観点から、基板上
に行方向と列方向にマトリクス状に複数のＴＦＴ回路を
形成し、複数のＴＦＴ回路を覆って平坦化膜を形成し、
平坦化膜上で各ＴＦＴ回路に対応する位置に金属画素電
極を形成し、各金属画素電極の上に有機層を形成し、有
機層の各列又は各行の上に転写法により帯状の透明対向
電極を形成し、透明対向電極に直交するように透明対向
電極を相互に短絡する帯状の導電膜を形成するアクティ
ブマトリクス駆動型有機ＬＥＤパネルの製造方法を提供
するものである。
に行方向と列方向にマトリクス状に複数のＴＦＴ回路を
形成し、複数のＴＦＴ回路を覆って平坦化膜を形成し、
平坦化膜上で各ＴＦＴ回路に対応する位置に金属画素電
極を形成し、各金属画素電極の上に有機層を形成し、有
機層の各列又は各行の上に転写法により帯状の透明対向
電極を形成し、透明対向電極に直交するように透明対向
電極を相互に短絡する帯状の導電膜を形成するアクティ
ブマトリクス駆動型有機ＬＥＤパネルの製造方法を提供
するものである。
【００１２】帯状の導電膜は、透明導電膜又は金属導電
膜からなり、転写法により形成されてもよい。この発明
に用いる基板としては、ガラス，石英等の無機材料，ポ
リエチレンテレフタレート等のプラスティックあるいは
アルミナ等のセラミックスからなる絶縁性基板や、アル
ミニウム，鉄等の金属基板にＳｉＯ2 ，有機絶縁材料等
の絶縁物をコートした基板や、アルミニウム等の金属基
板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板
などが挙げられる。
膜からなり、転写法により形成されてもよい。この発明
に用いる基板としては、ガラス，石英等の無機材料，ポ
リエチレンテレフタレート等のプラスティックあるいは
アルミナ等のセラミックスからなる絶縁性基板や、アル
ミニウム，鉄等の金属基板にＳｉＯ2 ，有機絶縁材料等
の絶縁物をコートした基板や、アルミニウム等の金属基
板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板
などが挙げられる。
【００１３】また、ＴＦＴ回路は、主に１つ以上のＴＦ
Ｔ（薄膜トランジスタ）と、信号保持用のコンデンサか
ら構成されるが、ＴＦＴは、公知の材料、構造、及び、
成膜方法を用いて形成することが可能である。
Ｔ（薄膜トランジスタ）と、信号保持用のコンデンサか
ら構成されるが、ＴＦＴは、公知の材料、構造、及び、
成膜方法を用いて形成することが可能である。
【００１４】例えば、薄膜トランジスタの活性層の材料
としては、非晶質シリコン，多結晶シリコン，微結晶シ
リコン，セレン化カドミウム等の無機半導体材料、また
は、チオフエンオリゴマー，ポリ（ｐ−フェリレンビニ
レン）等の有機半導体材料を使用することができる。
としては、非晶質シリコン，多結晶シリコン，微結晶シ
リコン，セレン化カドミウム等の無機半導体材料、また
は、チオフエンオリゴマー，ポリ（ｐ−フェリレンビニ
レン）等の有機半導体材料を使用することができる。
【００１５】ＴＦＴの構造としては、例えば、スタガ
型，逆スタガ型，トップゲート型，コプレーナ型を使用
することができる。また、シングルゲート構造、ダブル
ゲート構造及びゲート電極を３つ以上有するマルチゲー
ト構造であってもよい。
型，逆スタガ型，トップゲート型，コプレーナ型を使用
することができる。また、シングルゲート構造、ダブル
ゲート構造及びゲート電極を３つ以上有するマルチゲー
ト構造であってもよい。
【００１６】ＴＦＴの活性層の成膜方法としては、例え
ば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積
層し、イオンドーピングする方法や、ＳｉＨ4 ガスを用
いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成
し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化し
てポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオ
ンドーピングする方法や、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用いたＬＰ
ＣＶＤ法、または、ＳｉＨ4 ガスを用いたＰＥＣＶＤ法
によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザ
ー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコ
ンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピン
グ法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）
が挙げられる。
ば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積
層し、イオンドーピングする方法や、ＳｉＨ4 ガスを用
いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成
し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化し
てポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオ
ンドーピングする方法や、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用いたＬＰ
ＣＶＤ法、または、ＳｉＨ4 ガスを用いたＰＥＣＶＤ法
によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザ
ー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコ
ンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピン
グ法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）
が挙げられる。
【００１７】また、減圧ＣＶＤ法またはＬＰＣＶＤ法に
よりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化し
てゲート絶縁膜４を形成し、その上に、ｎ＋ポリシリコ
ンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法に
よりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が用
いることもできる。
よりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化し
てゲート絶縁膜４を形成し、その上に、ｎ＋ポリシリコ
ンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法に
よりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が用
いることもできる。
【００１８】ＴＦＴ回路で使用されるコンデンサとして
は、特に限定されるものではなく、例えば、絶縁膜とし
て用いられるＳｉＯ2 、ＳｉＮ等をコンデンサの誘電体
層として用いることができる。
は、特に限定されるものではなく、例えば、絶縁膜とし
て用いられるＳｉＯ2 、ＳｉＮ等をコンデンサの誘電体
層として用いることができる。
【００１９】本発明で使用される平坦化膜としては、例
えば、ＳｉＯ2 、スピンオンガラス、ＳｉＮ（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）、ＴａＯ（Ｔａ2 Ｏ5 ）、ＮｉX ＺNYＦｅ2 Ｏ4 等
の無機材料、アクリル樹脂、レジスト材料、ブラックマ
トリックス材料等の有機材料等が挙げられる。
えば、ＳｉＯ2 、スピンオンガラス、ＳｉＮ（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）、ＴａＯ（Ｔａ2 Ｏ5 ）、ＮｉX ＺNYＦｅ2 Ｏ4 等
の無機材料、アクリル樹脂、レジスト材料、ブラックマ
トリックス材料等の有機材料等が挙げられる。
【００２０】平坦化膜は、これらの材料を、ＣＶＤ，真
空蒸着等のドライプロセス、スピンコート等のウエット
プロセスを使用して形成することが可能である。また、
フォトリソグラフィー法によりパターン化を行うことも
可能である。本発明のパネルの各画素を構成する有機Ｌ
ＥＤ素子は、金属画素電極、有機層および透明対向電極
から構成される。
空蒸着等のドライプロセス、スピンコート等のウエット
プロセスを使用して形成することが可能である。また、
フォトリソグラフィー法によりパターン化を行うことも
可能である。本発明のパネルの各画素を構成する有機Ｌ
ＥＤ素子は、金属画素電極、有機層および透明対向電極
から構成される。
【００２１】この発明の有機層には、例えば次の６種類
の構成のいずれかを採用することができる。 有機発光層 正孔輸送層／有機発光層 有機発光層／電子輸送層 正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 バッファー層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
の構成のいずれかを採用することができる。 有機発光層 正孔輸送層／有機発光層 有機発光層／電子輸送層 正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 バッファー層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
【００２２】ここで、上記有機発光層は、１層であって
もよいし、多層構造であってもよい。また、有機発光層
に使用できる発光材料としては、有機ＬＥＤ用の公知の
発光材料が使用可能であるが、特に限定されるものでは
ない。
もよいし、多層構造であってもよい。また、有機発光層
に使用できる発光材料としては、有機ＬＥＤ用の公知の
発光材料が使用可能であるが、特に限定されるものでは
ない。
【００２３】有機発光層に使用できる発光材料として
は、例えば、低分子発光材料（例えば、４，４'−ビス
（２，２'−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶ
Ｂｉ）等の芳香族ジメチリデェン化合物、５−メチル−
２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリ
ル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサ
ジアゾール化合物、３−（４−ビフェニルイル）−４−
フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリ
アゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾ−ル誘導体、１，４−
ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベン
ゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキ
ノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導
体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍
光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシ
キノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性
有機金属化合物等）、高分子発光材料（例えば、ポリ
（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）ＤＯ−ＰＰ
Ｐ、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエ
チルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−ア
ルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−
ＮＥｔ3+）、ポリ［２−（２'−エチルヘキシルオキ
シ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］
（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロ
パノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレ
ン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキ
シルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニ
レン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）、（ポリ（９，９−ジオクチ
ルフルオレン））（ＰＤＡＦ）等）、高分子発光材料の
前駆体（例えば、PPV 前駆体、PNV 前駆体あるいはPPP
前駆体等）等が挙げられる。
は、例えば、低分子発光材料（例えば、４，４'−ビス
（２，２'−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶ
Ｂｉ）等の芳香族ジメチリデェン化合物、５−メチル−
２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリ
ル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサ
ジアゾール化合物、３−（４−ビフェニルイル）−４−
フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリ
アゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾ−ル誘導体、１，４−
ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベン
ゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキ
ノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導
体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍
光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシ
キノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性
有機金属化合物等）、高分子発光材料（例えば、ポリ
（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）ＤＯ−ＰＰ
Ｐ、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエ
チルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−ア
ルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−
ＮＥｔ3+）、ポリ［２−（２'−エチルヘキシルオキ
シ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］
（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロ
パノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレ
ン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキ
シルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニ
レン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）、（ポリ（９，９−ジオクチ
ルフルオレン））（ＰＤＡＦ）等）、高分子発光材料の
前駆体（例えば、PPV 前駆体、PNV 前駆体あるいはPPP
前駆体等）等が挙げられる。
【００２４】また、上記有機発光層は、前記した発光材
料のみから構成されてもよいし、正孔輸送材料、電子輸
送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）、または、
発光性のドーパントが含有されていてもよい、これら
が、高分子材料中、もしくは、無機材料中に分散されて
いてもよい。
料のみから構成されてもよいし、正孔輸送材料、電子輸
送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）、または、
発光性のドーパントが含有されていてもよい、これら
が、高分子材料中、もしくは、無機材料中に分散されて
いてもよい。
【００２５】ここで、電荷輸送層は、１層であってもよ
いし、多層構造であってもよい。また、電荷輸送層に使
用できる電荷輸送材料としては、有機LED 用、有機光導
電体用の公知の電荷輸送材料が使用可能であるが、特に
限定されるものではない。
いし、多層構造であってもよい。また、電荷輸送層に使
用できる電荷輸送材料としては、有機LED 用、有機光導
電体用の公知の電荷輸送材料が使用可能であるが、特に
限定されるものではない。
【００２６】上記の電荷輸送材料としては、正孔輸送材
料（例えば、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合
物、N,N '‐ビス‐（３‐メチルフェニル）‐N,N '‐ビ
ス‐（フェニル）‐ベンジジン（ＴＰＤ）、N,N '‐ジ
（ナフタレン‐１‐イル）‐N,N'‐ジフェニル‐ベンジ
ジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラ
ゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合
物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、３，４
−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサル
フォネイト（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ［トリフェニル
アミン誘導体］（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカル
バゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（ｐ−フェ
ニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ（ｐ
−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）等の
高分子材料前駆体等）、電子輸送材料（例えば、無機ｎ
型半導体材料、オキサジアゾ−ル誘導体、トリアゾ−ル
誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン
誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、
ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体などの低分
子材料、ポリ［オキサジアゾール［（Ｐｏｌｙ−ＯＸ
Ｚ）などの高分子材料等）が挙げられる。
料（例えば、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合
物、N,N '‐ビス‐（３‐メチルフェニル）‐N,N '‐ビ
ス‐（フェニル）‐ベンジジン（ＴＰＤ）、N,N '‐ジ
（ナフタレン‐１‐イル）‐N,N'‐ジフェニル‐ベンジ
ジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラ
ゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合
物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、３，４
−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサル
フォネイト（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ［トリフェニル
アミン誘導体］（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカル
バゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（ｐ−フェ
ニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ（ｐ
−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）等の
高分子材料前駆体等）、電子輸送材料（例えば、無機ｎ
型半導体材料、オキサジアゾ−ル誘導体、トリアゾ−ル
誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン
誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、
ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体などの低分
子材料、ポリ［オキサジアゾール［（Ｐｏｌｙ−ＯＸ
Ｚ）などの高分子材料等）が挙げられる。
【００２７】また、上記電荷輸送層は、前記した電荷輸
送材料のみから構成されてもよいし、添加剤等を含有し
てもよいし、前記電荷輸送材料が高分子材料中、また
は、無機材料中に分散されていてもよい。
送材料のみから構成されてもよいし、添加剤等を含有し
てもよいし、前記電荷輸送材料が高分子材料中、また
は、無機材料中に分散されていてもよい。
【００２８】また、これらの材料は、スピンコ−ティン
グ法、ディッピング法、ドクターブレード法、等の塗布
法、インクジェット法、印刷法等のウエットプロセス、
もしくは、真空蒸着法、レーザー転写法等のドライプロ
セスで形成することができるが、大面積化、生産性およ
び作製速度等を考慮すると、印刷法またはレーザー転写
法が好ましい。
グ法、ディッピング法、ドクターブレード法、等の塗布
法、インクジェット法、印刷法等のウエットプロセス、
もしくは、真空蒸着法、レーザー転写法等のドライプロ
セスで形成することができるが、大面積化、生産性およ
び作製速度等を考慮すると、印刷法またはレーザー転写
法が好ましい。
【００２９】この発明の金属画素電極としては、従来の
電極材料を用いることが可能であり、透明対向電極と対
で、陽極または陰極として作用させることができる。陽
極として作用させる場合は、仕事関数が高い金属Ａｕ、
Ｐｔ、Ｎｉ等を用いることができる。陰極として作用さ
せる場合は、仕事関数の低い金属を少なくとも含有する
もの（Ｃａ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ
合金）、もしくは、薄膜の絶縁層と金属電極を組み合わ
せたもの（ＬｉＦ／Ａｌ等）を用いることができる。
電極材料を用いることが可能であり、透明対向電極と対
で、陽極または陰極として作用させることができる。陽
極として作用させる場合は、仕事関数が高い金属Ａｕ、
Ｐｔ、Ｎｉ等を用いることができる。陰極として作用さ
せる場合は、仕事関数の低い金属を少なくとも含有する
もの（Ｃａ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ
合金）、もしくは、薄膜の絶縁層と金属電極を組み合わ
せたもの（ＬｉＦ／Ａｌ等）を用いることができる。
【００３０】また、金属画素電極は、前記の材料を用い
て、ＥＢ、スパッタ、抵抗加熱蒸着法、もしくはレーザ
ー転写法で形成することが可能であるが、特に限定され
るものではない。また、フォトリソグラフィー法により
パターン化を行うことも可能である。透明対向電極は、
従来の電極材料を用いてレーザ転写法で形成される。
て、ＥＢ、スパッタ、抵抗加熱蒸着法、もしくはレーザ
ー転写法で形成することが可能であるが、特に限定され
るものではない。また、フォトリソグラフィー法により
パターン化を行うことも可能である。透明対向電極は、
従来の電極材料を用いてレーザ転写法で形成される。
【００３１】実施例
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述す
る。これによってこの発明が限定されるものではない。
図１はこの発明の有機ＬＥＤパネルの電気的等価回路で
ある。同図に示すように、複数のＴＦＴ回路１が有機Ｌ
ＥＤ素子２と共に行方向（矢印Ｘ方向）と列方向（矢印
Ｙ方向）にマトリクス状に配列されている。各行のＴＦ
Ｔ回路１に対して走査線（セレクトライン）３が設けら
れ、各列のＴＦＴ回路１に対して信号線（データライ
ン）４が設けられている。
る。これによってこの発明が限定されるものではない。
図１はこの発明の有機ＬＥＤパネルの電気的等価回路で
ある。同図に示すように、複数のＴＦＴ回路１が有機Ｌ
ＥＤ素子２と共に行方向（矢印Ｘ方向）と列方向（矢印
Ｙ方向）にマトリクス状に配列されている。各行のＴＦ
Ｔ回路１に対して走査線（セレクトライン）３が設けら
れ、各列のＴＦＴ回路１に対して信号線（データライ
ン）４が設けられている。
【００３２】また各信号線４に平行に透明対向電極５と
電流供給線６とが配置され、透明対向電極５と電流供給
線６には電源７から直流電圧が印加されている。なお、
各透明対向電極５は導体９により互いに短絡されてい
る。
電流供給線６とが配置され、透明対向電極５と電流供給
線６には電源７から直流電圧が印加されている。なお、
各透明対向電極５は導体９により互いに短絡されてい
る。
【００３３】ＴＦＴ回路１は、２つのＴＦＴ１ａ，１ｂ
とコンデンサ１ｃを構え、ＴＦＴ１ａはソースが信号線
４に、ゲートが走査線３に、ドレインがＴＦＴ２ａのゲ
ートにそれぞれ接続されている。
とコンデンサ１ｃを構え、ＴＦＴ１ａはソースが信号線
４に、ゲートが走査線３に、ドレインがＴＦＴ２ａのゲ
ートにそれぞれ接続されている。
【００３４】ＴＦＴ１ｂはソースがスルーホール８（後
述）を介して有機ＬＥＤ素子２の金属画素電極（後述）
に接続され、ドレインが電流供給線６に接続されてい
る。また、コンデンサ１ｃはＴＦＴ１ｂのゲートとドレ
イン間に接続される。
述）を介して有機ＬＥＤ素子２の金属画素電極（後述）
に接続され、ドレインが電流供給線６に接続されてい
る。また、コンデンサ１ｃはＴＦＴ１ｂのゲートとドレ
イン間に接続される。
【００３５】そして、１組のＴＦＴ回路１と有機ＬＥＤ
素子２が１画素を構成する。走査線３によって選択さ
れ、かつ、信号線４から信号を受けたＴＦＴ回路１が作
動して、対応する有機ＬＥＤ素子２を点灯するようにな
っている。
素子２が１画素を構成する。走査線３によって選択さ
れ、かつ、信号線４から信号を受けたＴＦＴ回路１が作
動して、対応する有機ＬＥＤ素子２を点灯するようにな
っている。
【００３６】図２はこの発明の有機ＬＥＤパネルの要部
断面図であり、同図を用いてその製造方法を説明する。
断面図であり、同図を用いてその製造方法を説明する。
【００３７】厚さ２．０ｍｍのアルミナ基板１１上に、
ＳｉＨ4 の分解によるＬＰ−ＣＤＶ法により、膜厚５０
ｎｍのα−Ｓｉ膜を成膜し、その後、固層成長法によ
り、α−Ｓｉを多結晶化する。次に、ゲート、ソース・
ドレインからなるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチング加工
し、絶縁膜１４としてｐ−Ｓｉを１０００℃以上で熱酸
化して膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 を形成する。この後、
ゲートとしてＡｌをスパッタリングで成膜し、次いで、
ゲートをパターニングすると同時に、信号線４と電流供
給線６をパターニングする。また、コンデンサ１ｃの下
部電極を加工する。
ＳｉＨ4 の分解によるＬＰ−ＣＤＶ法により、膜厚５０
ｎｍのα−Ｓｉ膜を成膜し、その後、固層成長法によ
り、α−Ｓｉを多結晶化する。次に、ゲート、ソース・
ドレインからなるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチング加工
し、絶縁膜１４としてｐ−Ｓｉを１０００℃以上で熱酸
化して膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 を形成する。この後、
ゲートとしてＡｌをスパッタリングで成膜し、次いで、
ゲートをパターニングすると同時に、信号線４と電流供
給線６をパターニングする。また、コンデンサ１ｃの下
部電極を加工する。
【００３８】次いで、ゲートの側面を陽極酸化してオフ
セット部を形成し、その後、ソース・ドレイン部にイオ
ン打ち込み法によりリンを高濃度にドープする。次い
で、走査線３（図１）を形成した後、ソース、コンデン
サの上部電極を形成し、高温プロセスでＰｏｌｙ−Ｓｉ
ＴＦＴを形成する。ここで、信号線４および走査線３
の幅は、４μｍであり、電流供給線６の幅は２０μｍで
ある。
セット部を形成し、その後、ソース・ドレイン部にイオ
ン打ち込み法によりリンを高濃度にドープする。次い
で、走査線３（図１）を形成した後、ソース、コンデン
サの上部電極を形成し、高温プロセスでＰｏｌｙ−Ｓｉ
ＴＦＴを形成する。ここで、信号線４および走査線３
の幅は、４μｍであり、電流供給線６の幅は２０μｍで
ある。
【００３９】次いで、平坦化膜１６としてＳｉＯ2 を膜
厚３μｍで形成する。次に、この平坦化膜１６上にレジ
ストを塗布し、フォトリソグラフィー法によりコンタク
トホール８用の貫通パターンを形成した後、エッチング
を行って断面が基板１側より上に向って拡がる形状をも
つコンタクトホール８を形成する。
厚３μｍで形成する。次に、この平坦化膜１６上にレジ
ストを塗布し、フォトリソグラフィー法によりコンタク
トホール８用の貫通パターンを形成した後、エッチング
を行って断面が基板１側より上に向って拡がる形状をも
つコンタクトホール８を形成する。
【００４０】次に、スパッタ法により、平坦化膜１６上
にＡｌを膜厚３μｍで成膜しＡｌをコンタクトホール８
に充填する。次に、これを４μｍの厚み分だけ研磨する
ことで平坦化膜６とコンタクトホール８を含めて平坦化
する。
にＡｌを膜厚３μｍで成膜しＡｌをコンタクトホール８
に充填する。次に、これを４μｍの厚み分だけ研磨する
ことで平坦化膜６とコンタクトホール８を含めて平坦化
する。
【００４１】次に、画素電極１７として銀を抵抗蒸着法
により膜厚１００ｎｍで成膜し、その上にフッ化リチウ
ムを抵抗加熱蒸着法により膜厚１ｎｍで成膜し、レーザ
ーでパターン化する。
により膜厚１００ｎｍで成膜し、その上にフッ化リチウ
ムを抵抗加熱蒸着法により膜厚１ｎｍで成膜し、レーザ
ーでパターン化する。
【００４２】次に、絶縁膜としてＳｉＯ2 を膜厚２００
ｎｍで形成し、次いで、表面を研磨することで、画素電
極１７間にのみ絶縁膜１８を残し、かつ絶縁膜１８と画
素電極１７とを同時に平坦化する。
ｎｍで形成し、次いで、表面を研磨することで、画素電
極１７間にのみ絶縁膜１８を残し、かつ絶縁膜１８と画
素電極１７とを同時に平坦化する。
【００４３】この上に、画素の部分だけ開口した金属マ
スクを密着させ、有機発光材料を蒸着することにより膜
厚が３０ｎｍの有機層１９を成膜する。
スクを密着させ、有機発光材料を蒸着することにより膜
厚が３０ｎｍの有機層１９を成膜する。
【００４４】図３は、ここまでの工程が終了した時点に
おける基板１１の上面図である。つまり、基板１１の有
機ＬＥＤ素子形成領域１００内に、この実施例では行方
向に６４０個、列方向に４８０個の有機層１９がマトリ
クス状に配列される。なお、基板１１には予め外部接続
用電極２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄが形成されてい
る。
おける基板１１の上面図である。つまり、基板１１の有
機ＬＥＤ素子形成領域１００内に、この実施例では行方
向に６４０個、列方向に４８０個の有機層１９がマトリ
クス状に配列される。なお、基板１１には予め外部接続
用電極２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄが形成されてい
る。
【００４５】その上に透明電極用材料（ＩＴＯ又は、Ｉ
ＤＩＸＯ）を面上に成膜した転写シートを張り合わせ
る。次に、レーザービームで有機層１９の各列上をスキ
ャンする。スキャンし終わった転写シートを取り除くと
図４に示す状態になる。つまり、列方向に延びる６４０
本の透明対向電極５が形成される。形成された透明対向
電極５の幅は５０〜２５０μｍである。
ＤＩＸＯ）を面上に成膜した転写シートを張り合わせ
る。次に、レーザービームで有機層１９の各列上をスキ
ャンする。スキャンし終わった転写シートを取り除くと
図４に示す状態になる。つまり、列方向に延びる６４０
本の透明対向電極５が形成される。形成された透明対向
電極５の幅は５０〜２５０μｍである。
【００４６】このままでは、６４０本の透明対向電極５
は電気的に独立した状態であるので、図５に示すように
金属膜２１ａ，２１ｂですべての透明対向電極５を外部
接続用電極２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄにそれぞれ
接続する。この金属膜２１ａ，２１ｂは金属膜を面上に
形成した転写シートを基板１１に張り合わせ、レーザー
ビームでスキャンし、転写シートをはがすことによって
形成される。この時レーザービームは透明対向電極５の
両端を透明対向電極５に対して垂直方向に走る。なお、
金属膜は２１ａ，２１ｂは、真空蒸着により形成するこ
とも可能である。この場合、マスクによりこの金属膜２
１ａ，２１ｂのパターンを形成する。金属膜２１ａ，２
１ｂは、図１の導体９に対応する。さらに、金属膜２１
ａ，２１ｂの代わりに透明導電膜を転写法で形成し配線
することも可能である。この場合、透明対向電極５を転
写したシートの未転写部分を再利用することも可能であ
る。また、透明対向電極５を図６に示すように行方向に
延びるように形成することもできる。この場合、金属膜
２１ａ，２１ｂは、列方向に形成される。なお、図６に
対応する電気的等価回路は図７のようになる。
は電気的に独立した状態であるので、図５に示すように
金属膜２１ａ，２１ｂですべての透明対向電極５を外部
接続用電極２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄにそれぞれ
接続する。この金属膜２１ａ，２１ｂは金属膜を面上に
形成した転写シートを基板１１に張り合わせ、レーザー
ビームでスキャンし、転写シートをはがすことによって
形成される。この時レーザービームは透明対向電極５の
両端を透明対向電極５に対して垂直方向に走る。なお、
金属膜は２１ａ，２１ｂは、真空蒸着により形成するこ
とも可能である。この場合、マスクによりこの金属膜２
１ａ，２１ｂのパターンを形成する。金属膜２１ａ，２
１ｂは、図１の導体９に対応する。さらに、金属膜２１
ａ，２１ｂの代わりに透明導電膜を転写法で形成し配線
することも可能である。この場合、透明対向電極５を転
写したシートの未転写部分を再利用することも可能であ
る。また、透明対向電極５を図６に示すように行方向に
延びるように形成することもできる。この場合、金属膜
２１ａ，２１ｂは、列方向に形成される。なお、図６に
対応する電気的等価回路は図７のようになる。
【００４７】
【発明の効果】この発明によれば、透明対向電極を転写
法により形成しそれらを帯状導電膜で短絡するので、有
機層に熱的なダメージを与えることなく透明対向電極が
形成できると共に、帯状導電膜の作用により輝度傾斜が
低減される。
法により形成しそれらを帯状導電膜で短絡するので、有
機層に熱的なダメージを与えることなく透明対向電極が
形成できると共に、帯状導電膜の作用により輝度傾斜が
低減される。
【図１】この発明の一実施例の電気的等価回路図であ
る。
る。
【図２】この発明の一実施例の製造方法を示す断面図で
ある。
ある。
【図３】この発明の一実施例の製造方法を示す平面図で
ある。
ある。
【図４】この発明の一実施例の製造方法を示す平面図で
ある。
ある。
【図５】この発明の一実施例の製造方法を示す平面図で
ある。
ある。
【図６】この発明の変形例の構成を示す平面図である。
【図７】図６に示す変形例の電気的等価回路図である。
１ ＴＦＴ回路
１ａ ＴＦＴ
１ｂ ＴＦＴ
１ｃ コンデンサ
２ 有機ＬＥＤ素子
３ 走査線
４ 信号線
５ 透明対向電極
６ 電流供給線
７ 電源
８ コンタクトホール
９ 導体
１１ 基板
１４ 絶縁膜
１６ 平坦化膜
１７ 画素電極
１８ 絶縁膜
１９ 有機層
２０ａ 外部接続用電極
２０ｂ 外部接続用電極
２０ｃ 外部接続用電極
２０ｄ 外部接続用電極
２１ａ 金属膜
２１ｂ 金属膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 51/00 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ
Ｈ０５Ｂ 33/10 29/28
33/14
Ｆターム(参考） 3K007 AB17 CB01 EB00 FA01
5C094 AA43 BA03 BA29 CA19 DA14
DA15 DB01 DB04 EA04 EA05
EA07 EB02 FB12 FB14 FB15
5F110 AA30 BB01 CC02 CC03 CC05
CC07 DD01 DD02 DD03 DD12
DD13 EE03 EE09 EE27 EE34
FF02 FF23 GG02 GG04 GG05
GG13 GG14 GG15 GG42 GG45
GG47 GG51 GG52 HJ01 HJ12
HJ13 HL03 HL23 HM14 NN02
NN22 NN23 NN24 NN27 NN33
NN35 NN36 NN72 NN73 PP01
PP03 QQ11 QQ19
Claims (8)
- 【請求項１】 基板と、基板上に行方向と列方向にマト
リクス状に形成された複数のＴＦＴ回路と、複数のＴＦ
Ｔ回路全体を覆って形成される平坦化膜と、平坦化膜上
で各ＴＦＴ回路に対応する位置に形成される金属画素電
極と、各金属画素電極の上に形成される有機層と、有機
層の各列又は各行の上に転写法により形成される帯状の
透明対向電極と、透明対向電極に直交して設けられ透明
対向電極を相互に短絡する帯状の導電膜を備えるアクテ
ィブマトリクス駆動型有機ＬＥＤパネル。 - 【請求項２】 帯状導電膜が金属膜からなる請求項１記
載のアクティブマトリクス駆動型有機ＬＥＤパネル。 - 【請求項３】 帯状導電膜が透明導電膜からなる請求項
１記載のアクティブマトリクス駆動型有機ＬＥＤパネ
ル。 - 【請求項４】 帯状導電膜が、透明対向電極の一方の端
に設けられてなる請求項１記載のアクティブマトリクス
駆動型有機ＬＥＤパネル。 - 【請求項５】 帯状導電膜が、透明対向電極の両方の端
に設けられてなる請求項１記載のアクティブマトリクス
駆動型有機ＬＥＤパネル。 - 【請求項６】 各行のＴＦＴ回路を接続する走査電極と
各列のＴＦＴ回路を接続する信号電極をさらに備える請
求項１記載のアクティブマトリクス駆動型有機ＬＥＤパ
ネル。 - 【請求項７】 基板上に行方向と列方向にマトリクス状
に複数のＴＦＴ回路を形成し、複数のＴＦＴ回路を覆っ
て平坦化膜を形成し、平坦化膜上で各ＴＦＴ回路に対応
する位置に金属画素電極を形成し、各金属画素電極の上
に有機層を形成し、有機層の各列又は各行の上に転写法
により帯状の透明対向電極を形成し、帯状透明対向電極
に直交するように透明対向電極を相互に短絡する帯状の
導電膜を形成するアクティブマトリクス駆動型有機ＬＥ
Ｄパネルの製造方法。 - 【請求項８】 帯状の導電膜が透明導電膜又は金属導電
膜であり、転写法により形成される請求項７記載のアク
ティブマトリクス駆動型有機ＬＥＤパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001329259A JP2003133079A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | アクティブマトリクス駆動型有機ｌｅｄパネルとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001329259A JP2003133079A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | アクティブマトリクス駆動型有機ｌｅｄパネルとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133079A true JP2003133079A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19145188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001329259A Pending JP2003133079A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | アクティブマトリクス駆動型有機ｌｅｄパネルとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003133079A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006091119A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタアレイ基板及びディスプレイパネル |
| JP2006098723A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| JP2006216563A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2006339550A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Sony Corp | 半導体素子及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 |
| US7573068B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-08-11 | Casio Computer Co., Ltd. | Transistor array substrate and display panel |
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001329259A patent/JP2003133079A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006091119A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタアレイ基板及びディスプレイパネル |
| US7573068B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-08-11 | Casio Computer Co., Ltd. | Transistor array substrate and display panel |
| US7871837B2 (en) | 2004-09-21 | 2011-01-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Display panel manufacturing method |
| JP2006098723A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| JP2006216563A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2006339550A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Sony Corp | 半導体素子及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6538390B2 (en) | Organic LED display device of active matrix drive type and fabrication method therefor | |
| US6758538B2 (en) | Luminescent display device of active matrix drive type and fabrication method therefor | |
| KR100849314B1 (ko) | 액티브 구동형 유기 전기발광 장치 및 이의 제조방법 | |
| US6815141B2 (en) | Organic Led display panel production method, organic Led display panel produced by the method, and base film and substrate for use in the method | |
| US8674370B2 (en) | Light emitting panel device wherein a plurality of panels respectively having light emitting sections are connected, and image display device and illuminating device provided with the light emitting panel device | |
| JP2002343564A (ja) | 転写用フィルムおよびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP2004165067A (ja) | 有機電界発光パネル | |
| JP2008041747A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント発光装置およびその製造方法 | |
| JP2003077651A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| EP2144291A1 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
| JP2008041894A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 | |
| JP3797877B2 (ja) | アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置 | |
| JP2003249353A (ja) | アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置およびその製造方法 | |
| US6791260B2 (en) | Organic electroluminescent element, panel and apparatus using the same | |
| JP2003303681A (ja) | 有機ｌｅｄ素子およびその製造方法、有機ｌｅｄ表示装置 | |
| JP2008041692A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 | |
| KR20070112547A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2002280174A (ja) | ドナーフィルムおよびそれを用いて製造された有機ｌｅｄ表示パネル | |
| JP2003133079A (ja) | アクティブマトリクス駆動型有機ｌｅｄパネルとその製造方法 | |
| JP4736676B2 (ja) | アクティブマトリクス駆動型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2003131593A (ja) | アクティブマトリクス駆動型有機ｌｅｄパネル | |
| KR100625994B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2010277949A (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| JP2003077657A (ja) | 有機ｌｅｄ層形成用塗液、有機ｌｅｄ用ドナーフィルム、それを用いた有機ｌｅｄ表示パネルの製造方法および有機ｌｅｄ表示パネル | |
| JP2003168559A (ja) | 有機ｌｅｄ用ドナーフィルムと基板、及び、それらを用いた有機ｌｅｄ表示パネルとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040618 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071002 |