JP2003124566A

JP2003124566A - 半導体レーザ制御モジュール及び光システム

Info

Publication number: JP2003124566A
Application number: JP2001312894A
Authority: JP
Inventors: Kimio Tateno; 公男立野; Katsumi Kuroguchi; 克己黒口; Atsuhiro Yamamoto; 篤弘山本; Akihisa Azumaguchi; 晃久東口; Hiroo Furuichi; 浩朗古市
Original assignee: Opnext Japan Inc
Current assignee: Opnext Japan Inc
Priority date: 2001-10-10
Filing date: 2001-10-10
Publication date: 2003-04-25
Also published as: US6937628B2; US20030067948A1

Abstract

(57)【要約】【課題】本願発明の課題は、半導体レーザの波長ロッ
ク光学系で波長誤差検出素子の温度特性に起因して、周
囲温度の変化で検出波長がずれるため、ロック目標の範
囲からはずれることを防止するにある。【解決手段】本願発明の骨子は、波長誤差検出素子の
温度依存性を無視できる構造とする。又、半導体レーザ
や、集光レンズを搭載する、例えばシリコン基板に反射
ミラーを形成しビーム分割機能を持たせることによっ
て、小型化等を図ることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、波長選択素子に
エタロンを有して発振波長を安定化させる半導体レーザ
制御モジュール及びこれを用いた応用装置、光システム
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバ通信は、長距離で高速大容
量、且つ、強い電磁ノイズ耐性を持つため、高い信頼性
を保証する通信システムの構築が可能である。このシス
テムでは一本の光ファイバに一つの波長の光を伝送させ
ていたが、近年の大容量情報化社会の到来に伴って伝送
容量の一層の拡大が要請されている。このため、一本の
光ファイバに波長の異なる多数の光を伝送させ、通信の
チャンネル数を増やして大容量化を実現する波長多重光
通信システムの技術が実用化されるに至った。光ファイ
バ中を伝送する光の波長は、光ファイバの伝送損失が低
い波長帯域が使われ、１．３ミクロン領域と１．５ミク
ロン領域が伝送のウインド（窓）と呼ばれている。これ
らのウインドの波長幅は限られているため、隣のチャン
ネルとの波長間隔を狭くすればするほど伝送のチャンネ
ル数を増やすことができる。現在は、周波数間隔が２０
０ＧＨｚ、１００ＧＨｚであるが、更に、５０ＧＨｚ、
２５ＧＨｚと狭くなる傾向である。波長間隔に直せば、
それぞれ約１．６ｎｍ、０．８ｎｍ、０．４ｎｍ、０．
２ｎｍ、０．１ｎｍという狭いものとなる。

【０００３】このように波長間隔が狭くなると、レーザ
光源の波長を精度良く一定に保つ必要が生じる。なぜな
ら、レーザ光源の波長が揺らいで、隣のチャンネルの波
長に達すると、受信側で隣の波長チャンネルとのクロス
トーク（漏話）が発生し、情報通信の信頼性が保証でき
ないからである。これらの波長（または、周波数）チャ
ンネルはＩＴＵ−Ｔ（International Telecommunicatio
n Union―Telecommunication Standardization Secto
r）グリッドと称されており、ＩＴＵ勧告（Internation
al Telecommunication Union Standard）として広く認
知されている。

【０００４】この背景から、波長多重光通信のレーザ光
源の波長を制御する各種方法が提案されて来た。例え
ば、波長選択素子として、誘電体多層膜フィルタ、ある
いは、ファブリ・ペロ・エタロン（Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒ
ｏｔＥｔａｒｏｎ）などを導入し、半導体レーザの動
作温度にフィードバックして波長を固定する方法が工夫
されている。特に、エタロンは多重干渉の次数に応じて
繰り返し透過ピークが出現する特性がある。この為、透
過曲線の周期をＩＴＵグリッドに合わせて、一つの波長
選択素子で複数の波長チャンネルに波長ロックをかける
ことが可能となる。例えば、公開公報、特開平１０−７
９７２３号では、エタロンを透過した光を二分割し、双
方を光検知器で受光し、両者の差を波長誤差信号として
ロックをかける方法などが提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本願発明は、周囲温度
等の影響を可能な限り除去し、発振波長を安定化した半
導体レーザ制御モジュールを提供する。本願発明の他の
目的は、周囲温度等の影響を可能な限り除去し、発振波
長を安定化した半導体レーザ制御モジュールを用いた応
用装置を提供するものである。

【０００６】これまで用いられてきた上記エタロンには
温度依存特性がある。即ち、エタロンの温度が変わると
屈折率の温度変化や線膨張係数のためにエタロンの光路
長が変化し、エタロンの透過光の波長が変動する特性が
ある。この為、環境温度の変化に起因して、そのエタロ
ンを利用して波長ロックしたい波長値と実際のロック波
長とにずれが生じるという問題が生じることを見出し
た。

【０００７】この現象は、いわゆるトラッキング試験、
即ち、波長ロッカーを内蔵したパッケージの周囲温度を
例えば、０℃から７０℃まで変えた時の波長ずれとして
現れる問題である。更に、半導体レーザの波長を可変と
する応用があり、半導体レーザの温度を変えて波長を変
化させる要求がある。この場合、エタロンに温度依存性
があると、ロック波長にずれが生じるという問題が発生
する。

【０００８】こうした諸事実を背景として、本技術の主
要点は、エタロンの温度依存性の影響を低減することに
ある。更に、本技術の他の側面は、波長ロック光学系の
部品点数を減らすとともに、集積度を上げることであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願発明の第１の形態の
骨子は、次の通りである。即ち、波長誤差検出素子であ
るエタロンの構造として、熱膨張係数が無視できるスペ
ーサとなる固体材料の両端に、当該レーザ光を透過する
板材、例えば、前記固体材料よりも長い平面度の高い二
枚の研磨ガラスの板を空間が生じるように貼り付け、そ
して、この二枚の板材によって生じた空間をファブリ・
ペロー・エタロンとするものである。本願発明は、光通
信機器をはじめ、発振波長の極めて安定化を要請される
諸光装置、光システムを構成することが出来る。

【００１０】より詳しくは、次の通りである。即ち、波
長誤差検出素子として、従来のソリッドエタロンとは異
なる構造を持つものを用意し、波長の透過曲線の温度依
存性を低減したところにある。即ち、その構造は、熱膨
張係数の低い材料からなる、例えば直方体のスペーサの
両端に、当該直方体のスペーサの一辺よりも長い、一対
の直方体の板材を互いに向き合わせて貼り付け、生じた
空間をファブリ・ペロー・エタロンとするものである。
当該一対の直方体の板材は、当該レーザ光を透過させる
材料であり、且つ、互いに向き合う面は平坦度が高くな
るように研磨されている。そして、互いに向き合う面に
は、レーザ波長の変化に応じて所望の透過曲線が得られ
るような反射膜が形成されている。又、当該スペーザの
材質は、その熱膨張係数が、従来のソリッドエタロンの
材料として用いられている石英ガラスの熱膨張係数
（０．５Ｘ１０^-6／℃）よりも低い値の材料を採用す
る。このスペーサの熱膨張係数は低ければ低い程良好な
結果が得られるが、具体的には、光ファイバ通信の波長
多重度、即ち、チャネル間の間隔で決まるクロストーク
が十分低く低減できる程度に選ぶものである。

【００１１】本願発明の第２の形態の骨子は、少なくと
も半導体レーザ、および集光レンズを搭載するシリコン
基板の溝の一部を利用して、半導体レーザ光源からの出
射光を分岐する手段をとるものである。この第２の形態
は、前記光の分割の簡便な手段に関するものである。第
２の形態をより詳しく説明すれば、次の通りである。

【００１２】即ち、前記レーザ光源はシリコン基板に搭
載され、前記シリコン基板は当該レーザ光の光軸に対し
て傾斜する傾斜面を有し、この傾斜面はこの傾斜面から
の反射光が前記レーザ光の光軸と交差する方向に反射さ
れる傾斜を有することを特徴とするものである。当該シ
リコン基板には、通例、少なくとも前記レーザ光源と共
に集光レンズが搭載される。そして、前記集光レンズを
透過したレーザ光が、レーザ光の光軸に対して傾斜して
受光する前記傾斜面によって分割され、例えば、当該反
射光が第一の光検知器に導かれ、反射しない光が前記エ
タロンに導かれる。前記シリコン基板に設けられる傾斜
面は、シリコン基板の結晶性に対する異方性エッチング
によって形成するのが、実際的で且つ高精度である。

【００１３】本願発明は、光通信機器をはじめ、発振波
長の安定化を要請される諸光装置、光システムを、部品
点数を削減し、小型にて構成することが出来る。

【００１４】

【発明の実施の形態】＜波長ロックのベースとなる制御
ループの説明＞図１は本願発明による波長ロックのベー
スとなる制御ループを説明するものである。即ち、波長
可変レーザ光源１００は、例えば、ＤＦＢ（Distribute
d FeedBack）型やファブリ・ペロー型（Ｆａｂｒｙ−Ｐ
ｅｒｏｔ）の半導体レーザである。あるいは、ＤＦＢ型
半導体レーザに電界吸収型の変調器を集積化した光源で
ある。このような波長可変レーザ光源１００は、図２に
示すように動作温度Ｔの変化に伴い発振波長λが変化す
る。従って、ＩＴＵ−ＴＳグリッドに対応する波長を動
作温度で選択することができる。図２は半導体レーザの
温度と発振波長の関係を示す図である。横軸が半導体レ
ーザの温度、縦軸がその発振波長である。この発振波長
をいわゆるＩＴＵ−Ｔグリッドに対応させることが出来
る。この意味で、図２の縦軸にＩＴＵ−Ｔグリッドとも
表示している。

【００１５】波長可変レーザ光源１００、集光レンズ１
０５、ビームスプリッタ１０６、光検知器１１０、エタ
ロン１０８、光検知器１０９、サーミスタ４０３など
が、熱電子冷却素子４０１上に搭載されている。尚、熱
電子冷却素子４０１はステム３００の下部に設けられ
る。このことに関しては図６をもって説明される。熱電
子冷却素子４０１の駆動回路４０２により、レーザ１０
０の温度を、サーミスタ４０３の抵抗値に応じた温度に
保持することができる。この温度制御によって、前記の
半導体レーザの温度を制御する。

【００１６】一方、波長可変レーザ光源１００の前方の
射出光は、コリメータ１０１でコリメートされ光アイソ
レータ１０２、フォーカスレンズ１０３を経て光ファイ
バ１０４に結合され、情報伝送される。

【００１７】本波長制御ループは、スイッチ４０５によ
って閉じられていた、温度制御ループ４８８を波長制御
ループ４８９に切りかえることによって閉じる構成とな
っている。まず、波長可変レーザ光源１００の後方から
の射出光をコリメータ１０５でコリメートし、光路分割
器（ビームスプリッタ）１０６で透過光１０７と反射光
に分割する。光路分割器１０６は三角プリズムを張り合
わせた形状、あるいは、接着剤を嫌う場合は、薄い平行
平面板に誘電体薄膜を着けたもの等である。反射光は光
検知器１１０で光電変換され、レーザ光源１００の出力
モニターとなって、あらかじめ設定された光出力の値と
比較されて駆動回路４０４により、レーザ光源の出力値
を一定に保つ。

【００１８】又、本願発明による波長誤差検出のための
光学系の構成は次の通りである。即ち、該透過光１０７
は、更に、エタロン１０８に至り、エタロンの内部で多
重反射した各々の光が互いに干渉し、式（１）で表され
る透過ピークが得られる。Ｉｔ＝１／（１＋Ｆｓｉｎ²（ψ））……（１）ここに、Ｆ＝４Ｒ／（１−Ｒ）² ……（２） ψ＝（２πｎｔ／λ）ｃｏｓθ'…… （３）である。ここで、Ｒはエタロン１０８の各面の膜反射
率、ｎはエタロンの屈折率、ｔはエタロンの厚さ、λは
光の波長、そして、θ'はエタロン内で光線のなす角度
である。これらの関係は図３に示される。

【００１９】ここで、スネルの法則ｓｉｎθ＝ｎｓｉｎθ'……（４）が成り立つ。更に、透過光の繰り返しピークの間隔はフ
リー・スペクトラル・レンジ（ＦｒｅｅＳｐｅｃｔｒ
ａｌＲａｎｇｅ／ＦＳＲ）と呼ばれる。それは波長域
では、ＦＳＲ＝λ²／２ｎｔ……（５）周波数域では、光速をｃとして、ＦＳＲ＝ｃ／２ｎｔ ……（６）で与えられる。従って、エタロンの厚みｔ、屈折率ｎ、
膜反射率Ｒを設計すれば、ＦＳＲをＩＴＵ−ＴＳグリッ
ド間隔に一致させることができる。ＦＳＲをＩＴＵ−Ｔ
Ｓグリッドに一致させることは、広い波長範囲に渡って
所望の鋭い波長選択特性を持った波長誤差検出を実現す
ることを可能とする。こうして、所定の波長間隔で存在
する所望の波長での光の複数の透過領域を有せしめ、こ
の光の複数の透過領域の何れかが、前記レーザ光源が所
望する発振波長に対応させることができる。

【００２０】透過ピークは、図４のように波長の変化と
共に繰り返し現れ、その間隔は、前述のようにフリース
ペクトラルレンジ（ＦｒｅｅＳｐｅｃｔｒａｌＲａ
ｎｇｅ／ＦＳＲ）と呼ばれ、式（５）あるいは式（６）
で表される。

【００２１】かくして得られるエタロンの透過光は、図
１における光検知器１０９で受光されて光電流に変換さ
れる。一方、光路分割器１０６の反射光は、光検知器１
１０で受光されて光電流に変換される。そして、目的の
波長誤差検出信号は、前述のように光出力モニタ用の光
検知器１１０に流れる光電流Ｐｍと、エタロン１０８の
後におかれた波長モニタ用の光検知器１０９に、式
（１）に従って流れる光電流Ｐｔの差を誤差信号Ａ
（λ）となす。Ａ（λ）＝Ｐｔ−Ｐｍ……（７）誤差信号としては、光量で正規化した信号、Ａ（λ）＝（Ｐｔ−Ｐｍ）／（Ｐｔ＋Ｐｍ）……（８）を用いることも適切である。

【００２２】かくして得られた高い感度を持つ波長誤差
信号値Ａ（λ）がゼロ、あるいは、一定の値になるよう
に，図１に図示の半導体レーザ１００の温度制御素子４
０１の駆動回路４０２へフィードバックするものであ
る。ここで、式（７）あるいは式（８）で表される誤差
信号が所望のＩＴＵグリッド波長の一つの近傍を捕獲す
るためには、あらかじめ、サーミスタ４０３の値から半
導体レーザの温度を読み取り、図２にしたがって得られ
る温度と波長の関係から、該近傍に動作温度を定めてお
く必要がある。しかる後、スイッチ４０５を波長ロック
ループに切り替えるものである。一方、半導体レーザの
出力を一定に保つためのＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
ＰｏｗｅｒＣｏｎｔｒｏｌ）は、やはり、光検知器１
１０の出力を設定値と比較し、半導体レーザ１００の駆
動電流制御回路４０４にフィードバックする。以上が波
長ロックの制御ループの基本的な説明である。＜本願発明の背景の考察＞エタロンの透過ピークの半値
幅の値であるεとＦＳＲの比はフィネスΦと呼ばれ、エ
タロンの反射率Ｒとの間に、次の式（９）、（１０）、
及び（１１）の関係がある。Ｆ＝４Ｒ／（１−Ｒ）²・・・・・・（９） Φ＝（π√Ｆ）／２・・・・・・（１０） Φ＝ＦＳＲ／ε・・・・・・（１１）従って、エタロンの鋭い分光特性、即ち小さなεの値を
得るには、エタロンの両面の反射率が高く、また、両面
での反射を繰り返し多数回生じさせる必要がある。その
ためにはエタロンへの入射光の角度が垂直近傍となる必
要がある。

【００２３】以上がエタロンによる波長誤差の検出原理
である。この原理に基づいて構成されたのが図５に示す
光通信モジュールである。図５はその平面図である。

【００２４】本モジュールの諸要素は、パッケージ７０
０に収納され、必要な端子７０１が外部に導出される。
半導体レーザ光源１００からの光を前方のコリメートレ
ンズ１０１で集光し、光アイソレータ１０２を経て絞り
込みレンズ１０３に到り、ファイバ１０４に結合され
る。一方、半導体レーザの後方の光は、後方に置いたレ
ンズ１０５により集光され、ビームスプリッタ１０６で
分割され、一方は光検知器１１０に到って光出力レベル
のモニタとなる。今一方の光はエタロン１０８を通過し
光検知器１０９に到り、図４に示したごとき波長誤差検
出カーブが得られる。図４はエタロンの波長分光特性を
示す図である。横軸は波長差（ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ
ｓｈｉｆｔ）、縦軸は光出力である。ＦＳＲはその表示
である。これらの光素子はステム基板３００上に搭載さ
れ、さらにステム基板３００は電子冷却（ペルチエ）素
子４０１の上に搭載されている。この電子冷却素子４０
１によって、半導体レーザ素子等のデバイス温度を所定
に制御する。これにより、主に半導体レーザの発振波長
を一定に保つ。

【００２５】ここで、エタロン１０８も温度は一定に保
たれているべきであるが、パッケージ７００の周囲温度
が変化すると、熱の伝導、輻射、対流に起因して、パッ
ケージ内に温度分布が発生する。エタロンの温度はその
部位によって異なってくることが判明した。例えば、エ
タロンが基板に取り付けられている場合、取り付け部近
傍の温度と、そこから離れた場所とでは、エタロンの温
度は異なることとなることが判明した。換言すれば、エ
タロンの取り付け部近傍とそれより上部とではで温度差
が生じることが判明した。故に、エタロン内での光の通
過場所の温度が周囲温度の変化に伴って変化する。一
方、エタロンには温度特性があり、次式に従って透過波
長が変化する。そこで、温度変化に対する透過ピークの
変動量を見積もると次の通りである。すなわち、図３に
基づく垂直入射の場合のエタロンの基本式より、２ｎｔ＝ｍλ・・・・・・（１２）今、温度上昇ΔＴによる光路長変化をδとし、波長がλ
＋Δλで透過ピークが得られたとすると２（ｎｔ＋δ）＝ｍ（λ＋Δλ）・・・・・・（１３）が成り立つ。一方、δは、線膨張係数をα（α＝ｄｔ／
ｄＴ）として、光路長ｎｔの全微分をとり、 δ＝（（ｄｎ／ｄＴ）ｔ＋ｎ（ｄｔ／ｄＴ））ΔＴ＝（（ｄｎ／ｄＴ）＋ｎ（ｄｔ／ｄＴ））ｔΔＴ・・・・・・（１４）となる。式（１２）（１３）（１４）より、 Δλ＝（λ／ｎ）（（ｄｎ／ｄＴ）＋ｎ（ｄｔ／ｄＴ））ΔＴ・・・・・・（１５）が得られる。即ち、式（１５）に示される通り、この透
過波長の温度係数（Δλ／ΔＴ）は、屈折率の温度係数
（ｄｎ／ｄＴ）を、線膨張係数と屈折率との積（ｎ
（ｄｔ／ｄＴ））をとすると、ととの和（（ｄｎ
／ｄＴ）＋ｎ（ｄｔ／ｄＴ））に（λ／ｎ）を掛けたも
のとして表わされる。そして、透過波長の温度係数は、
エタロンの厚さには依存しない。エタロンの材料として
通常用いられる合成石英の屈折率は、ｎ＝１．４４４６
８７（波長１５００ｎｍにおいて）、ｎ＝１．４４３４
９２（波長１６００ｎｍにおいて）の値から線形近似し
た式は式（１６）で表される。ｎ＝１．４６２６１２−０．０１１９５λ・・・・・・・（１６）で得られる。式（１６）に動作波長１５５０ｎｍを代入
すれば、屈折率は、ｎ＝１．４４４となる。また、屈折
率の温度係数は８．５×１０^-2である。従って、この場
合のエタロンの温度係数は Δλ＝０．００９ΔＴｎｍ・・・・・・（１７）となる。

【００２６】図６は従来の構成で、パッケージの中身を
側面図として示したものである。レーザ光源１００の後
方出力をコリメータレンズ１０１でコリメートし、エタ
ロン１０８に到らしめる。透過光は光検知器１０９で受
光される。これらの部品はステム３００の上に搭載され
ており、さらに、熱電子冷却素子（ペルチェ）４０１に
接触している。

【００２７】パッケージの周囲温度が、例えば、光通信
モジュールの環境温度として標準的に指定されている０
℃から７０℃まで変化した時、エタロン内の光が通過す
る場所１９９の温度をシミュレーションで求める。その
結果は、例えば７０℃の時の温度が、２７．２℃、０℃
の時が２３．７６℃となり、温度差３．４４℃が発生す
る。この温度差は、式（１７）のエタロンの透過波長の
ずれに換算すると、３０．９６ｐｍとなる。この値はグ
リッド間隔４００pmの７．７％となり、高く要求されて
いるロック精度を越えることになり問題である。図７は
波長のずれを図示したものである。図４と同様に、エタ
ロンの波長分光特性を示す図で、その温度７０度と０度
における両特性を示している。横軸は波長差（ｗａｖｅ
ｌｅｎｇｔｈｓｈｉｆｔ）、縦軸は光出力である。こ
の温度による波長分光特性のずれを解消することが、本
願発明が解決すべき技術的課題である。＜本願発明の諸実施の形態＞具体的な実施の形態を例示
するに先立って、本願の主な形態を列挙する。

【００２８】前記本願発明の第１の形態は、前述した通
りである。即ち、半導体レーザ光源からの出射光の一部
を第１の光束としてエタロンを透過させて第１の光検出
手段に導き、前記出力光の他の少なくとも一部を第２の
光束としてそのエタロンを透過することなく第２の光検
出手段に導き、且つ前記第１、第２の光検出手段で検出
された前記第１及び第２の光束の差信号に基づいて、前
記レーザ光源の発振周波数を所定値に維持するように構
成される。そして、前記エタロンが気体が存在した空間
を多重干渉領域としたエタロンであり、前記エタロン
が、スペーサを当該モジュールで適用する光を透過する
光学特性を有する二枚の板材で挟み且つ前記二枚の板材
の長さを前記スペーサの長さより大きく設定し、前記二
枚の板材の前記スペーサに接しない両部分が構成する空
間が前記多重干渉領域となされている。且つ前記スペー
サが、温度の影響を受けないように設定する。即ち、よ
り具体的には、前記スペーサが、例えば、熱膨張係数が
１０のマイナス７乗／℃以下の固体材料で構成される。
この固体材料としては、例えばガラスの一種であって熱
膨張係数が１０のマイナス７乗／℃以下のものが好まし
い。そのような材料として、例えば、ショットガラス社
の商品名「ゼロデュア」やコーニング社の商品名「パイ
レックス」が市販されている。

【００２９】尚、前記二枚の板材の長さ及び前記スペー
サの長さは当該エタロンへの入射光の光軸と交差する方
向の長さである。尚、通例、前記各長さの方向と前記入
射光の光軸とは実質的に直交するように配置される。

【００３０】又、前記二枚の板材は光学研磨板が使用さ
れ、スペーサとは、フィジカル・コンタクで固定するの
が極めて、実用的で好ましい。

【００３１】前記スペーサを当該モジュールで適用する
光を透過する光学特性を有する二枚の板材で挟む形態
は、前記スペーサが前記二枚の板材の一方の端部側にの
み配置され、前記二枚の板材の前記スペーサの一方の端
部より突出している領域を用いる、いわゆる片もち形態
が代表的な方法である。又、前記スペーサとして二つの
スペーサ部材が前記二枚の板材の相対する二つの端部側
に配置された、いわゆる両もち形態も取り得る。

【００３２】更に、より実際的には、半導体レーザ光源
からの出射光の一部を第１の光束としてエタロンを透過
させて第１の光検出手段に導く為の光束分割手段は、半
透明のビームスプリッタであり、前記エタロンを構成す
る二つの透明な光学研磨板なる板材を前記スペーサによ
る片持ち構造とし、前記板材の各々の内側に反射膜を形
成し、且つ、前記板材の各々の外側に無反射膜を施す
か、あるいはテーパをつけた形態を取る。

【００３３】前記エタロンを構成する板材のうち、入射
側の板材が四分の一波長板として、偏光を制御すること
が出来る。

【００３４】又、前記エタロンの一部を透過する光束
と、前記エタロンを透過しない光束とは、入射光を当該
半導体レーザ制御モジュールの保持基体の主面に略平行
な面内で左右に分割するか、当該半導体レーザ制御モジ
ュールの保持基体の主面に略交差する面内で上下に分割
して得るのは、容易な形態である。そして、その一方を
波長検出用光検知器に、他方を参照光とする。

【００３５】又、前記エタロンを斜めに配置し、前記エ
タロンを通過した光束を二つに分割し、二つに分割され
た一方の光を第一の光検知手段で、他方を第二の光検知
手段で受光せしめ、各光検知手段の各々の光電流の差を
前記波長誤差信号とすることも可能である。

【００３６】本願発明は、勿論、前記半導体レーザ光源
が複数の波長の発振が可能な発光部を有するアレー光源
をも構成することが出来る。代表的な形態は、前記半導
体レーザ制御モジュールにおいて、該半導体レーザを波
長の異なる複数のアレー光源となし、該複数の光源から
の光を合波して導波路を形成し、該導波路からの出射光
を第一の集光レンズで集光し、第一のビームスプリッタ
で反射した光を参照光とし、透過した光を第二のビーム
スプリッタで分割し、反射した光を前記エタロンに導い
て波長誤差検出を行い、透過した光を第二の集光レンズ
で光ファイバに結合することを特徴とする半導体レーザ
制御モジュールとその応用装置である。

【００３７】次に、本願発明の実施の形態を、図面を参
酌しながら具体的に説明する。

【００３８】本願発明による実施例を図８及び図９に示
す。図８はモジュールの側面図、図９はその平面図であ
る。熱電子冷却素子４０１の上部に本モジュールの光学
的諸要素が搭載されている。半導体レーザ素子１００は
マウント３１０に搭載され、コリメータレンズ１０１は
シリコン等の基板１８０に搭載されている。本願発明の
主要部たる温度によって波長分光特性に変化をきたさな
い波長分離素子、例えばその代表例たる気体エタロンが
符号２０１、２０２、２０３によって示される部材によ
って構成される。これらの部材の詳細は後述される。こ
の波長分離素子に対向して受光素子１０９が配置され
る。図９では図８のモジュールに対向して配置される光
導波路、例えば光ファイバー１０４も同時に示してい
る。この光導波路の半導体レーザ１０１への対向面には
光アイソレータ１０２が設けられる。半導体レーザへの
帰還光を阻止するためである。

【００３９】さて、前記波長分離素子、例えばその代表
例たる気体エタロンは次のようにして構成される。極め
て小さい線膨張率を有する固体材料２０１をスペーザと
して、適用波長領域の光を透過する材料による板材２０
２及び２０３を挟み込みエタロンを構成する。この場
合、図９の平面図に見られるように、板材２０２及び２
０３の一方の端部に低線膨張率のスペーザ２０１を配置
する。スペーザ２０１の存在しない領域が光を透過し、
エタロンの効果を奏する。図９の例では、板材２０２及
び２０３の一方の端部のみにスペーザ２０１が配置され
ているが、板材２０２及び２０３の両端部にスペーザ２
０１を配置することも出来る。又、スペーザ２０１の存
在しない領域で、これらの板材２０２及び２０３の間隔
が変化しない、あるいは撓まない長さを選択することは
言うまでもない。しかし、この長さの選択は、微小な本
装置では十分可能である。以下、より具体的にエタロン
の構成を説明する。

【００４０】即ち、熱膨張係数が１０のマイナス７乗以
下で、ほとんど無視できる固体として、ゼロヂュワー
（商品名）、あるいは、パイレックス（商品名）のよう
な材料２０１を、石英ガラスのような透明な材料２０
２、２０３で挟んだ構造のエタロンを用意する。即ち、
板材２０２、２０３の間に生じる気体の厚みをｔとし、
板材２０２、２０３の内側の膜反射率をＲとすれば、上
述の式（１）から式（１１）を適用して、ＦＳＲとフィ
ネスを設定し、最適な波長検出フィルタを設計すること
が可能である。又は、板材２０２、２０３の内側表面
に、例えば、膜を形成して所望の膜反射率Ｒとしても良
い。

【００４１】この空間を満たす気体としては、例えば空
気や窒素ガスなどが使用される。これらの場合、式（１
５）において、（ｄｎ／ｄＴ）≒０、且つ、（ｄｔ／ｄ
Ｔ）≒０であるから、Δλ≒０となる。従って、周囲温
度が変動しても選択透過波長のずれは無視できる。特
に、エタロンは密閉されたパッケージ内に実装されるこ
とが望ましい。又、板材２０２、２０３の外側は無反射
コート膜、あるいは、テーパを施して、反射によるゴー
スト光の影響を除去する。又、スペーサ２０１は、板材
２０２、２０３の片側のみの一個のスペーサとなってお
り、スペーサを二個、例えば板材の両端部に設けた時に
生じる板材２０２、２０３の傾斜を無くしている。これ
は、部品点数の削減でもあり、コスト低減に寄与してい
る。スペーザ２０１と板材２０２、２０３は、合わせ面
を波長の数分の一以下の光学研磨することにより、いわ
ゆる、フィジカル・コンタクト（ＰｈｙｓｉｃａｌＣ
ｏｎｔａｃｔ）によって接着されている。あるいは、半
田付け、ＹＡＧ溶接、紫外線硬化樹脂などを用いて接着
することが可能である。

【００４２】図１０は、本願発明による、透明材料２０
３を波長板として兼用する場合の実施例の主要部を示す
ものである。この例は、エタロンを構成する板材の内、
少なくとも半導体レーザ側にある板材を４分の一波長板
となす例である。板材によって、偏光制御を行い得るの
である。こうして、光学系の不要な共振を低減すること
が出来る。

【００４３】即ち、半導体レーザ１００の端面と透明板
２０２の内側、あるいは、透明板２０３の内側との間
で、共振器２６２、あるいは、共振器２６１が形成され
る。この為に半導体レーザの発振波長が変化すると、光
検知器１１０の光電流にリップルが生じるという問題が
発生する。この現象は、各面での反射光同士の干渉に起
因している。

【００４４】このため、板材２０２を４分の一波長板と
して、半導体レーザ１００からの直線偏光を通過させて
円偏光とし、反射光が再び２０２を通過して、もとの直
線偏光にたいして直交する偏光となす。かくして、両者
の変更は直交しているため干渉が起こらず、光出力がほ
ぼ一定に保たれて先のリップルが減少するものである。

【００４５】図１１は、本願発明によるスペーサ２０１
と板材２０２、２０３によって構成された気体エタロン
を波長ロック用の波長誤差検出フィルタとして使用する
時の構成を示すものである。図１１は主要部の平面配置
を示す。即ち、半導体レーザ１００よりの光を、集光レ
ンズ１０１によって平行となった光を左右に二分する。
そして、一方の光束はそのまま光検知器２０４にいたら
しめ、上述の式（７）、（８）における光電流信号、Ｐ
ｍを得る。他方の光束は気体エタロンを通過して光検知
器２０５に至り、波長誤差信号Ａ（λ）のもとになる光
電流信号Ｐｔを与える。波長誤差信号Ａ（λ）を得てか
らの動作はこれまでのものと同様である。本例では、図
１１の光学系で波長誤差信号の為の信号を得ることが出
来る。

【００４６】図１２は、スペーサ２０１、板材２０２、
２０３によって構成された気体エタロンを波長ロック用
の波長誤差検出フィルタとして使用する時の他の構成を
示すものである。図１２の（ａ）は本例の主要部の平面
図、図１２の（ｂ）はその断面図である。又、図中の符
号はこれまでと同様の部位は同様の符号を用いた。即
ち、集光レンズ１０１からの平行光を上下にニ分割し、
一方の光束はそのまま光検知器２０４に至らしめ、上述
の式（７）、（８）における光電流信号Ｐｍを得る。他
方の光束は気体エタロンを通過して光検知器２０５に至
り、波長誤差信号Ａ（λ）のもとになる光電流信号Ｐｔ
を与える。図１１の例では二分割する光は基板と平行な
面内、いわゆる平面内で行われたが、本例では二分割す
る光は基板と交差する上下に分割される。

【００４７】図１３は、本願発明による他の実施例を説
明する図である。即ち、本例は気体エタロンをレーザ光
の光軸に対して傾斜して配置する例である。図１３の
（ａ）は本例の主要部の平面図、図１３の（ｂ）はその
断面図である。又、図中の符号はこれまでと同様の部位
は同様の符号を用いた。

【００４８】半導体レーザ１００からの発散光を、レン
ズ１０１で集光し、やや発散したビーム１７７を形成す
る。そして、本願発明による気体エタロン（２０１、２
０２、２０３）をやや斜めに配置する。こうして、左右
に近接して並べた二つの光検知器へ到るビームがそれぞ
れ異なった光路長をもってエタロンを通過せしめる。か
くすれば、図４で示した波長応答特性が二つの光検知器
でやや左右にシフトして現れる。従って、この両者の差
をとれば、波長誤差信号が得られる。このような波長誤
差検出光学系おいては、波長誤差検出用フィルタとして
機能する気体エタロンの温度依存性がほとんど無視され
るので、パッケージ全体の周囲温度の変化の影響が低減
される。

【００４９】図１４は、本願発明による他の実施例を示
す図である。本例は、光電流Ｐｍを得る為の光をより簡
便に得る構成を提供するものである。即ち、当該エタロ
ンへの光の導入に用いる保持基体の一部に反射鏡を設
け、部品点数の低減あるいはより少スペース化を図る例
である。こうした反射鏡を有する保持基板はスリコン基
板を用い、シリコンに対して、結晶格子の異方性を利用
したいわゆる異方性エッチングによって光に対して傾斜
する鏡面を、高精度に且つ容易に制作することが出来
る。尚、図１４の（ａ）は当該実施形態の上面図、図１
４の（ｂ）はその側面図である。

【００５０】半導体レーザ光源１００からの光を集光レ
ンズ１０１で集光し、平行光を作って、スペーサ２０
１、板材２０２、２０３からなる気体エタロンにいたら
しめる。本例では、半導体レーザ１００、集光レンズ１
０１はともにシリコン基板２０６上に実装されている。
このシリコン基板２０６には、異方性エッチングで形成
したＶ字型の溝がある。このＶ字型の溝の底面が平面と
なるように食刻する。そして、集光レンズはこのＶ字型
溝の底面の上に搭載されている。Ｖ字型溝の一方の斜面
が反射鏡となる。半導体レーザ１００は当該シリコン基
板２０６の丘状領域の上部に搭載されている。集光レン
ズ１０１によって集光された光の一部は、シリコン基板
２０６に形成された反射ミラー２０７によって反射され
る。この反射によって集光レンズ１０１によって集光さ
れた光は分割されることとなる。反射した光は光検知器
１１０で光電変換され、光電流Ｐｍが得られる。反射さ
れないで通過した光は、気体エタロンを通過して光検知
器１０９に至る。光はこの光検知器で光電変換され、光
電流Ｐｔが得られる。

【００５１】このように工夫されたシリコン基板を用い
れば、図１に示したビームスプリッタ１０６が不要とな
り、部品低減だけでなく、省スペース化による集積度の
向上が実現できる。又、光源と集光レンズとが同一のシ
リコン基板上に搭載されるため、温度が変化しても熱膨
張の影響を受けにくくなる。従って、光源と集光レンズ
の相対位置が変わらないため、エタロンへの入射角変動
が低減できる。半導体レーザ１００の前方の光は他の集
光レンズ２０８で集光され、平行光、または収束光とな
る。平行光の場合はボールレンズなどの集光レンズ２０
９でファイバ２１０に結合される。集光レンズ２０８と
他の集光レンズ２０９の間には気密用窓２１１、アイソ
レータ２１２が配置されている。図１５は、シリコンミ
ラーによって跳ね上げられた光を受光する時の光検知器
１１０用ホルダの断面図である。その断面は集光レンズ
の光軸に対して交差する断面である。ステム基板３００
上にホルダ３０１が搭載される。ホルダ３０１はステム
基板３００上に搭載される半導体レーザや集光レンズ１
０１を搭載したシリコン基板２０６をまたぐブリッジの
形をし、高さを調節している。

【００５２】尚、ここで、半導体レーザをシリコン基板
上に搭載せず、シリコン基板と別異の基板、例えばコバ
ール等の基板に搭載することによって、高周波によるノ
イズ対策を講ずることも可能である。勿論、この場合、
集光レンズ２０８と光検知器１１０とはシリコン基板に
搭載し、且つこのシリコン基板に前述の反射鏡を用いる
ことが出来ることは云うまでもない。

【００５３】図１６は半導体レーザ１００の前方の光を
波長誤差信号用に使う時の構成を示すものである。更
に、本例はマルチ・チャネルの光源を用いた例である。

【００５４】波長の異なる半導体レーザアレー９５１の
各々の出力を導波路９５２で導き、合波器９５３で一つ
の単一モード導波路に合波する。そして、この合波され
た光を、半導体増幅器９５４で増幅して光変調器９５５
に至らしめる。変調器９５５からの出力光を集光レンズ
２０８で集光し、アイソレータ２１２を経てビームスプ
リッタ２１３にいたる。ビームスプリッタ２１３で反射
された光は光検知器１１０で受光され、光電流Ｐｍが得
られる。ビームスプリッタ２１３の代わりに本願発明の
シリコンミラー２０７を前方に形成して用いることが可
能である。一方、ビームスプリッタ２１３を透過した光
は、第二のビームスプリッタ２１４でニ分割される。こ
こでの反射光は気体エタロン（スペーサ２０１、板材２
０２、２０３）を通過して光検知器１０９に至る。そし
て、光は光検知器１０９で光電変換されて光電流Ｐｍが
得られる。第二のビームスプリッタ２１４を通過した光
は、第二の集光レンズ２０９を経て、光ファイバ２１０
に至る。

【００５５】図１７は本願発明による他の実施例の構成
を示す図である。本例は光多重通信を実施する基本構成
を示す。

【００５６】本願発明による光送信モジュール３１０を
ＩＴＵグリッド波長のチャンネル毎に用意し、それらを
多数並べる。これらの光を波長合波器３２０に繋いで一
本のファイバ３３０伝送する。この状態で伝送される光
は波長多重化されている。多重化された各々の波長は信
号を乗せて光ファイバ内を長距離に渡って伝送される。
例えば、およそ、６００ｋｍ伝播するとファイバの損失
により信号量が減衰する。このため、光ファイバ増幅器
からなる中継器３４０が必要となる。光ファイバ増幅器
としては例えばＥＤＦＡ（Εrbium Ｄoped Ｆiber Ａmp
lifier）が普及しており、C−バンドとよばれる帯域で
のチャンネル信号を一括して増幅する。この波長領域は
約３２ｎｍであり、波長間隔が０．８ｎｍの場合は４０
チャンネル、０．４ｎｍの場合は８０チャンネル活用で
きる。いくつかの中継器を経た信号は、分波器３５０で
波長分光され、各々のチャンネル毎に設置した受信モジ
ュール３６０によって電気信号に変換される。このよう
な大容量の波長多重通信において、チャンネル間のクロ
ストークを除去するためには、光源部分に対して、これ
まで詳細に説明してきた本願発明による安定した波長ロ
ック機構が重要な役目を果たす。

【００５７】以上説明したように、本願発明の実施例に
よる基本要素からなる構成を解決手段に取れば、周囲温
度の変化に対しても、光学的、電気的に安定な波長ロッ
クの制御ループを閉じることが可能となり、エタロンの
性能を最大限に活用することが可能となる。即ち、波長
選択の分解能、光利用効率、レーザ光源モジュール内部
への実装密度向上、機械的な安定性、温度変化に対する
ロック波長ずれの補正などの観点から、これまで不可能
であった技術課題、特に温度変動によるロック波長のず
れの問題の解決が実現する。しかも、本願発明の波長制
御方式を活用すれば、半導体レーザの発振波長をロック
できるだけでなく、半導体レーザの温度を変えることに
より、任意のＩＴＵ−ＴＳグリッドへの波長移動と波長
ロックが同時に可能となり、波長多重光通信装置や、波
長チャンネルのルータ装置に不可欠のレーザ光源を提供
するものである。

【００５８】このように、本願発明によれば、波長誤差
検出素子の温度依存性が無視できるため、波長ロック光
学系で温度変動があっても、波長ロッカのロック目標の
範囲からのずれを低減可能である。

【００５９】

【発明の効果】本願発明は、周囲温度等の影響を可能な
限り除去し、発振波長を安定化した半導体レーザ制御モ
ジュールを提供することが出来る。更に、本願発明は、
周囲温度等の影響を可能な限り除去し、発振波長を安定
化した半導体レーザ制御モジュールを用いた応用装置、
光システムを提供することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は波長制御ループの構成図である。

【図２】図２は半導体レーザの発振波長と温度の関係を
示す図である。

【図３】図３はエタロンの動作原理を示す断面図であ
る。

【図４】図４はエタロンの波長分光特性を示す図であ
る。

【図５】図５は波長ロッカ部を内蔵した光通信モジュー
ルの平面図である。

【図６】図６は従来の波長ロック光学系の構成例を示す
断面図である。

【図７】図７は従来の波長ロック光学系では、周囲温度
の変化と透過特性を示す図である。

【図８】図８は本願発明による波長ロック光学系の構成
例を示す断面図である。

【図９】図９は本願発明による波長ロック光学系の構成
例を示す平面図である。

【図１０】図１０は本願発明による波長ロック光学系の
構成の主要部を示す断面図である。

【図１１】図１１は本願発明による波長ロック光学系の
構成例の主要部を示す平面図である。

【図１２】図１２は本願発明による波長ロック光学系の
構成の別な例の主要部を示す図である。

【図１３】図１３は本願発明による波長ロック光学系の
構成の更に別な例を示す図である。

【図１４】図１４は本願発明による波長ロック光学系の
構成の更に別な例の主要部を示す図である。

【図１５】図１５は本願発明による波長ロック光学系の
受光器ホルダの例を示す断面図である。

【図１６】図１６は本願発明による波長多重光に対する
波長ロック光学系の構成の例を示す平面図である。

【図１７】図１７は本願発明の送信モジュールを適用し
た波長多重光通信装置の例を示す図である。

【符号の説明】

１００：波長可変レーザ光源、１０１：コリメータレン
ズ、１０２：光アイソレータ、１０３：レンズ、１０
４：光ファイバ、１０５：集光レンズ、１０６：ビーム
スプリッタ、１０７：透過光、１０８：波長選択素子、
１０９：光検知器、１１０：光検知器。

フロントページの続き (72)発明者山本篤弘神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地日本オプネクスト株式会社内 (72)発明者東口晃久神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地日本オプネクスト株式会社内 (72)発明者古市浩朗神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA03 CA37 DA02 DA03 DA35 DA38 5F073 AB06 AB25 AB28 EA03 FA07 FA08 FA25 GA22 GA23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザ光源からの出射光の一部を
第１の光束としてエタロンを透過させて第１の光検出手
段に導き、前記出力光の他の少なくとも一部を第２の光束としてそ
のエタロンを透過することなく第２の光検出手段に導
き、前記第１及び第２の光検出手段で検出された前記第１及
び第２の光束の差信号に基づいて、前記レーザ光源の発
振周波数を所定値に維持するように構成され、且つ前記
エタロンは、少なくともスペーサを当該モジュールで適
用する光を透過する光学特性を有する二枚の板材で挟ん
で構成され、且つ前記二枚の板材の当該エタロンへの入
射光の光軸と交差する方向の長さは、同じ方向の前記ス
ペーサの長さより長く設定され、前記二枚の板材の前記スペーサに接しないで互いに向か
い合う部分が挟む空間が前記エタロンの多重干渉領域と
され、前記多重干渉領域に気体が存在し、且つ前記スペーサ
は、その材料の熱膨張係数が１０のマイナス７乗／℃以
下の固体材料より成ることを特徴とする半導体レーザ制
御モジュール。
【請求項２】前記二枚の板材は光学研磨板なることを
特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ制御モジュー
ル。
【請求項３】前記スペーサを当該モジュールで適用す
る光を透過する光学特性を有する二枚の板材で挟む形態
は、前記スペーサが前記二枚の板材の一方の端部側にのみ配
置され、前記二枚の板材のスペーサに接しないで互いに向かい合
う部分が挟む空間が、前記多重干渉領域であることを特
徴とする請求項１に記載の半導体レーザ制御モジュー
ル。
【請求項４】前記スペーサを当該モジュールで適用す
る光を透過する光学特性を有する二枚の板材で挟む形態
は、前記スペーサとして二つのスペーサ部材が、前記二枚の
板材の相対する二つの端部側に配置され、前記二枚の板材がスペーサに接しないで互いに向かい合
う部分が挟む空間が、前記多重干渉領域であることを特
徴とする請求項１に記載の半導体レーザ制御モジュー
ル。
【請求項５】半導体レーザ光源からの出射光の一部を
第１の光束としてエタロンを透過させて第１の光検出手
段に導く為の光束分割手段が、半透明のビームスプリッ
タであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レー
ザ制御モジュール。
【請求項６】前記多重干渉領域となる空間を囲う前記
二枚の板材の少なくとも互いに向かい合う各々の第１の
面が反射膜を有し、且つ前記二枚の板材の前記反射膜を
有する面とは反対側の各々の第２の面が、無反射膜を有
するか或いは当該板材に入射する入射光の光軸に対して
傾斜する面であるかの内の少なくとも一者であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ制御モジュー
ル。
【請求項７】前記エタロンを構成する板材のうち、入
射側の板材が四分の一波長板であることを特徴と請求項
１に記載の半導体レーザ制御モジュール。
【請求項８】前記エタロンの一部を透過する光束と、
前記エタロンを透過しない光束とは入射光を分割して
得、その一方を第１の光束としてエタロンを透過させ波
長検出用光検知器に、他方を第２の光束としてエタロン
を透過させずに直進させて参照光とすることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体レーザ制御モジュール。
【請求項９】前記半導体レーザ光源からの出射光を集
光し、前記集光された光の光路中に前記エタロンを斜め
に配置し、前記エタロンを通過した光束を二つに分割
し、二つに分割された一方の光を第一の光検知手段で、
他方を第二の光検知手段で受光せしめ、各光検知手段の
各々の光電流の差を前記波長誤差信号とすることを特徴
とする請求項１に記載の半導体レーザ制御モジュール。
【請求項１０】半導体レーザ光源からの出射光の一部
を第１の光束としてエタロンを透過させて第１の光検出
手段に導き、前記出力光の他の少なくとも一部を第２の光束としてそ
のエタロンを透過することなく第２の光検出手段に導
き、且つ前記第１及び第２の光検出手段で検出された前
記第１及び第２の光束の差信号に基づいて、前記レーザ
光源の発振周波数を所定値に維持するように構成され、
且つ前記レーザ光源はシリコン基板に搭載され、前記シリコン基板は当該レーザ光の光軸に対して傾斜し
て、当該レーザ光を反射する面を有し、この傾斜面はこの傾斜面からの反射光が前記レーザ光の
光軸と交差する方向に反射される傾斜を有することを特
徴とする半導体レーザ制御モジュール。
【請求項１１】前記シリコン基板に、少なくとも前記
レーザ光源と集光レンズが搭載され、前記集光レンズを
透過したレーザ光が、レーザ光の光軸に対して傾斜する
前記傾斜面での光の反射を用いて分割され、当該反射光
が第一の光検知器に導かれ、反射しない光が前記エタロ
ンに導かれることを特徴とする請求項１０に記載の半導
体レーザ制御モジュール。
【請求項１２】前記シリコン基板に設けられる当該レ
ーザ光の光軸に対して傾斜する前記傾斜面は、シリコン
基板の結晶性に対する異方性エッチングによって形成さ
れたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ
制御モジュール。
【請求項１３】前記エタロンは、前記スペーサを当該
モジュールで適用する光を透過する光学特性を有する二
枚の板材で挟み且つ前記二枚の板材の当該エタロンへの
入射光の光軸と交差する方向の長さをこれと同じ方向の
前記スペーサの長さより長く設定し、前記二枚の板材の前記スペーサに接しなで互いに向かい
合う部分が挟む空間が多重干渉領域とされ、前記多重干渉領域に気体が存在し、且つ前記スペーサ
は、その材料の熱膨張係数が１０のマイナス７乗／℃以
下の固体材料より成ることを特徴とする請求項１０に記
載の半導体レーザ制御モジュール。
【請求項１４】前記半導体レーザ光源が複数の波長の
発振が可能な発光部を有し、前記複数の発光部からの光
を合波し、この合波された光の一部を第１の光束として
エタロンを透過させて第１の光検出手段に導き、前記出
力光の他の少なくとも一部を第２の光束としてそのエタ
ロンを透過することなく第２の光検出手段に導き、前記
第１及び第２の光検出手段で検出された前記第１及び第
２の光束の差信号に基づいて、前記レーザ光源の発振周
波数を所定値に維持するように構成されることを特徴と
する請求項１に記載の半導体レーザ制御モジュール。
【請求項１５】請求項１に記載の半導体レーザ制御モ
ジュールを有することを特徴とする光システム。