JP2003086612A - Die bonding method - Google Patents
Die bonding methodInfo
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイボンダーの突き上げ機構の基準高さの設
定精度を向上させる。
【解決手段】 突き上げ機構２の上部に平板ＰＬを保持
し、吸着機構１のコレットＣを降下させ、コレットＣを
平板ＰＬの表面に接触させた後、突き上げ針Ｎを徐々に
上昇させ、突き上げ針Ｎが平板ＰＬの裏面に到達し、平
板ＰＬが持ち上げられることによりコレットＣの位置
が、上昇し始めた、もしくは、一定の距離上昇した際
の、突き上げ針Ｎの位置を、基準高さとして、突き上げ
機構２（ダイボンダー）内に格納する。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To improve the setting accuracy of the reference height of a die bonder push-up mechanism. SOLUTION: A flat plate PL is held above a push-up mechanism 2, a collet C of a suction mechanism 1 is lowered, and the collet C is brought into contact with the surface of the flat plate PL. N reaches the rear surface of the flat plate PL, and the position of the collet C starts to rise due to the lift of the flat plate PL, or the position of the push-up needle N when the collet C rises by a certain distance is defined as a reference height. It is stored in the push-up mechanism 2 (die bonder).
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハをスクライ
ブすることにより得られたダイ（半導体チップ）をリー
ドフレーム等の上部に搭載するダイボンディング方法に
適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconduc
tor Field Effect Transistor）等の半導体素子や配線
が形成された半導体基板（ウエハ）は、略矩形上のダイ
（半導体チップ）に個片化され、例えば、リードフレー
ム上に固定される。その後は、例えば、半導体チップ表
面に露出しているボンディングパッドとリードフレーム
とをワイヤーで接続し、このワイヤーと半導体チップ等
とを樹脂で封止する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の個片化されたダ
イ（半導体チップ）を、リードフレーム等の上部に固定
させる工程をダイボンディングといい、この工程に用い
られる装置をダイボンダーという。
【０００４】このダイボンダーには、追って詳細に説明
するように、ダイを突き上げる突き上げ機構およびダイ
を吸着して搬送する吸着機構を有するものがある。即
ち、ウエハ状態から個片化されたダイは、ウエハ裏面の
粘着シート上に保持されており、この粘着シートの下か
ら突き上げ針によって突き上げることにより、粘着シー
トとその上部のダイとを剥離し、また、上部からは、吸
着部によってダイを吸着することによって、ダイを所望
の位置、例えば、リードフレーム上に搬送し、固定す
る。
【０００５】この突き上げ部を構成する針は、針の折れ
等に対応するため、取り替え可能な部品となっている。
この際、かかる部品をダイボンダーに設置した時の針先
端の高さのばらつきを抑えるため、例えば、針を樹脂中
に固定させ、その高さのばらつきを小さくしている。
【０００６】しかしながら、針を樹脂中に固定させて
も、その高さ（例えば、樹脂から突出した針部の長さ）
には、±２５μｍのばらつきが生じてしまう。
【０００７】また、針の交換時の基準高さの設定は、作
業者が目視等によって装置に入力しているため、基準高
さのばらつきが生じてしまう。
【０００８】このような基準高さのばらつきが大きい
と、ダイの突き上げ不足により吸着（ピックアップ）が
できなかったり、また、ダイの突き上げ過ぎにより、吸
着部とダイとが接触し、ダイの破損等の原因となる。
【０００９】その結果、処理時間が大きくなり、また、
製品の歩留まりの低下をもたらす。
【００１０】本発明の目的は、ダイボンダーの突き上げ
機構の基準高さの設定精度を向上させることにある。
【００１１】また、本発明の他の目的は、ダイボンダー
の突き上げ機構の基準高さの設定精度を向上させること
によりダイボンディング時間の短縮を図り、また、製品
の歩留まりの向上を図ることにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１４】本発明のダイボンディング方法は、（ａ）
ウエハ支持部と、突き上げ機構と、吸着機構とを有する
ダイボンダーを準備する工程と、（ｂ）前記ウエハ支持
部上のウエハの代わりとして前記突き上げ機構上に、板
状物を搭載する工程と、（ｃ）前記板状物の表面に前記
吸着機構を構成する吸着部を接触させる工程と、（ｄ）
前記板状物の裏面方向から前記突き上げ機構を構成する
突き上げ部を、段階的に上昇させ、前記板状物が、前記
突き上げ部により持ち上げられることにより、前記吸着
部が上昇したことを前記吸着機構により検知する工程
と、（ｅ）前記検知データを用いて、前記突き上げ部の
基準位置を設定する工程と、を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】まず、本実施の形態であるダイボンディン
グ方法について説明する。
【００１７】図１に、本実施の形態に用いるダイボンデ
ィング装置の概略を示し、図２〜図５に、ダイボンディ
ング工程の概略を示す。図１のウエハＷは、図示しない
ウエハ保持機構により保持されている。このウエハ保持
機構は、ＸＹ方向（ウエハＷの延在方向）に移動可能で
ある。このウエハＷは、既に、個片化されており、各ダ
イＤは、ウエハ裏面の粘着シートＳ上に保持されいる
（図２参照）。即ち、ウエハＷは、その裏面に粘着シー
トＳが接着された状態で、個片化される。この際、ウエ
ハＷは、矩形状に切断されるが粘着シートＳは切断され
ないようダイシングし、個々のダイＤがばらばらになら
ないよう工夫されている。なお、図２中のＣＦは、キャ
リアフレームを示す。
【００１８】この個片化されたウエハＷ（ダイＤ）の下
側には、突き上げ機構（ＡＣサーボモータ）２が位置
し、この突き上げ機構２の上部には、樹脂Ｒで固定され
た突き上げ針Ｎ（突き上げ部）が設置されている。図３
に示すように、この粘着シートＳの下からこの突き上げ
針Ｎによって突き上げることにより、粘着シートＳとそ
の上部のダイＤとを剥離する。なお、突き上げ機構２
は、カム３と連動しており、このカムにより上下動作す
る。また、突き上げ機構２の内部は、減圧状態（ＶＡ
Ｃ）となっている。
【００１９】また、この個片化されたウエハＷの上側に
は、吸着機構１が位置し、この吸着機構１の先端部に
は、コレット（吸着部）Ｃが設置されている。このコレ
ットＣは、図４に示すように、内部に中空部を有し、か
かる中空部を介して減圧することによりダイＤを吸着し
（図４（ａ））、保持する（図４（ｂ））。また、図５
に示すように、この吸着機構１は、ダイＤを吸着し、ま
た、ダイＤを所望の位置、例えば、リードフレームＲＦ
上に固定するためＺ方向（ウエハＷに対して垂直方向）
に移動可能であり、また、ダイを所望の位置、例えば、
ウエハＷ上からリードフレーム上に搬送するためＸＹ方
向（ウエハＷの延在方向）にも移動可能である。
【００２０】この突き上げ針Ｎの高さ（基準となるＺ方
向の位置）は、例えば、図６に示すように、ウエハ保持
機構にウエハＷ（ダイＤ）を保持した場合に、その裏面
に突き上げ針Ｎが接する高さＨが基準となる。以下この
高さを「基準高さ」という。
【００２１】この基準高さの設定は、針の破損や、処理
製品の変更などによって突き上げ針を交換する毎に行う
必要がある。製品（ダイの大きさ）に応じて、針の本数
やその位置を変える必要があり、前述した通り、同じ部
品（突き上げ針）でさえも、樹脂から突出した針部の長
さには、±２５μｍのばらつきがあるからである。
【００２２】この基準高さの設定は、例えば、突き上げ
機構２の上部に板状物を搭載し、突き上げ針を上昇さ
せ、この板状物が持ち上がったか否かを作業者が目視で
確認し、基準高さとして入力する方法や、また、突き上
げ針が、ダイをはずした粘着テープ部から突出している
かいないかを作業者が指先等の触覚により確認し、基準
高さとして入力する方法がある。
【００２３】しかしながら、このような設定方法の場
合、作業者の熟練度や癖等により基準高さにばらつきが
生じる。このばらつきが大きい場合には、前述したよう
に、ダイの突き上げ不足により吸着（ピックアップ）が
できなかったり、また、ダイの突き上げ過ぎにより、コ
レットＣとダイとが接触し、ダイが破損し、また、図７
に示すように、処理対象でないダイの剥離の原因とな
る。
【００２４】そこで、本実施の形態においては、次に示
す方法により基準高さの設定を行った。
【００２５】まず、図８（ａ）に示すように、突き上げ
機構２の上部に平板ＰＬを保持し、吸着機構１のコレッ
トＣを降下させ、コレットＣを平板ＰＬの表面に接触さ
せる。なお、平板ＰＬの他、ウエハ等、板状の物であれ
ばそれを使用することも可能である。
【００２６】次いで、図８（ｂ）に示すように、突き上
げ針Ｎを徐々に上昇させ、コレットＣの位置を確認す
る。このコレットＣの位置は、吸着機構１内に組み込ま
れているＺ方向の位置認識装置により認識することがで
きる。また、突き上げ針Ｎの位置は、突き上げ機構２内
に組み込まれているＺ方向の位置認識装置により認識す
ることができる。一連の操作における、このコレットＣ
の位置と、突き上げ針Ｎの位置との関係を図９に示す。
【００２７】図９に示すように、突き上げ針Ｎを徐々に
上昇させ、突き上げ針Ｎが平板ＰＬの裏面に到達し、平
板ＰＬが持ち上げられることによりコレットＣの位置
が、上昇し始めた（Ｚ0）、もしくは、一定の距離上昇
した（Ｚ1）際の、突き上げ針Ｎの位置を、基準高さと
して、突き上げ機構（ダイボンダー）内に格納する。コ
レットＣの位置が、一定の距離上昇した際の様子を図８
（ｃ）に示す。
【００２８】このように、本実施の形態によれば、吸着
機構１のコレットＣを降下させた状態で、突き上げ針Ｎ
を徐々に上昇させ、平板ＰＬが持ち上げられることによ
りコレットＣの位置の上昇を検知し、基準高さを設定す
ることとしたので、基準高さのばらつきを低減すること
ができる。
【００２９】即ち、作業者の熟練度や癖による基準高さ
のばらつきを低減できる。また、部品間の針部の長さに
ばらつきがある場合でも、基準高さのばらつきを低減で
きる。
【００３０】特に、吸着機構１内には高性能のＺ方向の
位置認識機能やＺ方向の位置調節機能が内蔵されてい
る。これは、精度の高いダイの受け渡し（ピックアッ
プ）を可能とするためであるが、この既存の機能を前述
した基準高さの設定に用いることにより、精度の高い基
準高さの設定を行うことができる。
【００３１】また、本実施の形態によれば、コレットＣ
の位置の上昇を機械的に検知することが可能であるた
め、自動的に基準高さを設定することができる。その結
果、基準高さを正確に、また、短時間で設定することが
できる。
【００３２】また、本実施の形態によれば、部品間の針
部の長さのばらつきが大きい、例えば、±２５μｍ以上
であっても、的確に、基準高さを設定することができる
ため、部品を高精度に作る必要性が低減され、部品単価
を下げることが可能になる。逆に言えば、さほど精度の
高くない安価な部品を用いて、ダイボンディングを行う
ことができる。その結果、製品コストを低減することが
できる。
【００３３】このように基準高さを設定したダイボンダ
ーを用いて、個片化されたウエハＷのダイボンディング
を行う。まず、個片化されたウエハＷの下から突き上げ
針Ｎによって突き上げ、粘着シートＳとその上部のダイ
Ｄとを剥離する。次いで、ダイＤを吸着し、例えば、リ
ードフレームＲＦ上まで搬送した後、降下させることに
よりリードフレームＲＦ上に固定する（図２〜図５参
照）。
【００３４】かかる一連のダイボンディング工程におい
ては、突き上げ針Ｎの基準高さが的確に設定されている
ため、ダイＤの突き上げ不足やダイＤの突き上げ過ぎを
防止でき、ダイＤの突き上げ不足により吸着（ピックア
ップ）ができなかったり、また、ダイＤの突き上げ過ぎ
により、コレットＣとダイＤとが接触し、ダイが破損
し、また、図７に示したような、処理対象でないダイの
剥離を防止することができる。
【００３５】その結果、ダイボンディング時間の短縮
や、製品の歩留まりの向上を図ることができる。
【００３６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３７】特に、本実施の形態においては、ダイボン
ダーを例に説明したが、かかる装置に限定されず、例え
ば、チップマウンター等、突き上げ機構および吸着機構
を有する装置に広く適用可能である。
【００３８】また、本実施の形態においては、基準高さ
の設定に本発明を適用したが、基準高さの設定とは、装
置によりあらかじめ決まっている基準高さの補正も含む
ものである。
【００３９】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００４０】ダイボンダーの突き上げ機構の上部に載置
された板状物の表面に吸着部を接触させた後、板状物の
裏面方向から突き上げ部を、段階的に上昇させ、前記板
状物が、前記突き上げ部により持ち上げられることによ
り、前記吸着部が上昇したことを前記吸着機構により検
知し、この検知データを用いて、前記突き上げ部の基準
位置を設定したので、ダイボンダーの突き上げ機構の基
準高さの設定精度を向上させることができる。
【００４１】また、ダイボンディング時間の短縮を図
り、また、製品の歩留まりの向上や低コスト化を図るこ
とができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is applied to a die bonding method for mounting a die (semiconductor chip) obtained by scribing a wafer on a lead frame or the like. And effective technology. 2. Description of the Related Art MOSFETs (Metal Oxide Semiconductors)
A semiconductor substrate (wafer) on which semiconductor elements such as a tor field effect transistor) and wiring are formed is singulated into dies (semiconductor chips) having a substantially rectangular shape, and is fixed on, for example, a lead frame. Thereafter, for example, the bonding pad exposed on the surface of the semiconductor chip and the lead frame are connected by a wire, and the wire and the semiconductor chip and the like are sealed with a resin. [0003] The process of fixing the singulated dies (semiconductor chips) to the upper portion of a lead frame or the like is called die bonding, and the device used in this process is called a die bonder. . As will be described in detail later, some die bonders have a push-up mechanism that pushes up the die and a suction mechanism that sucks and transports the die. That is, the die singulated from the wafer state is held on the adhesive sheet on the back surface of the wafer, and by pushing up from below the adhesive sheet with a push-up needle, the adhesive sheet and the upper die are separated, In addition, from above, the die is conveyed to a desired position, for example, on a lead frame, and fixed by adsorbing the die by an adsorption unit. The needle constituting the push-up portion is a replaceable part in order to cope with a broken needle or the like.
At this time, in order to suppress variation in the height of the needle tip when such a component is installed on the die bonder, for example, the needle is fixed in resin to reduce variation in the height. However, even if the needle is fixed in the resin, its height (eg, the length of the needle protruding from the resin)
Has a variation of ± 25 μm. [0007] In addition, since the setting of the reference height at the time of replacement of the needle is performed by the operator by visual observation or the like, the reference height varies. [0008] When such a variation in the reference height is large, suction (pickup) cannot be performed due to insufficient push-up of the die, or the sucking portion comes into contact with the die due to excessive push-up of the die, causing breakage of the die. Cause. As a result, the processing time becomes longer, and
This results in lower product yield. An object of the present invention is to improve the setting accuracy of the reference height of the push-up mechanism of a die bonder. It is another object of the present invention to shorten the die bonding time by improving the setting accuracy of the reference height of the die-bonder push-up mechanism, and to improve the product yield. The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings. Means for Solving the Problems Of the inventions disclosed in the present application, typical ones will be briefly described as follows.
It is as follows. The die bonding method of the present invention comprises the steps of (a)
(B) preparing a die bonder having a wafer support, a push-up mechanism, and a suction mechanism; (b) mounting a plate-like object on the push-up mechanism instead of the wafer on the wafer support; c) a step of bringing a suction portion constituting the suction mechanism into contact with the surface of the plate-like object;
The push-up portion constituting the push-up mechanism is stepwise raised from the back surface direction of the plate-like object, and the plate-like object is lifted by the push-up portion, so that the suction mechanism rises. And (e) setting a reference position of the push-up portion using the detection data. Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted. First, a die bonding method according to the present embodiment will be described. FIG. 1 shows an outline of a die bonding apparatus used in the present embodiment, and FIGS. 2 to 5 show outlines of a die bonding process. The wafer W in FIG. 1 is held by a wafer holding mechanism (not shown). This wafer holding mechanism is movable in the XY directions (the extending direction of the wafer W). The wafer W is already singulated, and each die D is held on the adhesive sheet S on the back surface of the wafer (see FIG. 2). That is, the wafer W is singulated with the adhesive sheet S adhered to the back surface. At this time, the wafer W is cut into a rectangular shape, but the adhesive sheet S is diced so as not to be cut, and the individual dies D are designed so as not to be separated. Note that CF in FIG. 2 indicates a carrier frame. A push-up mechanism (AC servo motor) 2 is located below the singulated wafer W (die D), and a push-up needle fixed with a resin R is provided above the push-up mechanism 2. N (push-up portion) is provided. FIG.
As shown in (2), the pressure-sensitive adhesive sheet S is pushed up from below the pressure-sensitive adhesive sheet N by the push-up needles N to peel off the pressure-sensitive adhesive sheet S and the die D thereon. The push-up mechanism 2
Is linked with the cam 3 and moves up and down by this cam. The inside of the push-up mechanism 2 is in a reduced pressure state (VA
C). A suction mechanism 1 is located above the singulated wafer W, and a collet (suction unit) C is provided at the tip of the suction mechanism 1. As shown in FIG. 4, the collet C has a hollow portion inside, and the pressure is reduced through the hollow portion to adsorb the die D (FIG. 4A) and hold it (FIG. 4B). )). FIG.
As shown in FIG. 1, the suction mechanism 1 sucks the die D and moves the die D to a desired position, for example, the lead frame RF.
Z direction for fixing on top (perpendicular to wafer W)
The die can be moved to a desired position, for example,
In order to transfer the wafer W onto the lead frame, the wafer W can also be moved in the XY directions (the extending direction of the wafer W). The height of the push-up needle N (the reference position in the Z direction) is, for example, as shown in FIG. The height H at which the needle N contacts is used as a reference. Hereinafter, this height is referred to as “reference height”. The setting of the reference height needs to be performed every time the push-up needle is replaced due to breakage of the needle, change of the processed product, or the like. It is necessary to change the number of needles and their positions according to the product (the size of the die). As described above, even for the same part (push-up needle), the length of the needle part protruding from the resin is ± This is because there is a variation of 25 μm. The reference height is set, for example, by mounting a plate-like object on the upper part of the push-up mechanism 2, raising the push-up needle, and visually checking whether or not the plate-like object has been lifted. There is a method of inputting as a reference height or a method of checking whether or not the push-up needle is protruding from the adhesive tape portion from which the die has been removed by a tactile sense of a fingertip or the like, and inputting the reference height. However, in the case of such a setting method, the reference height varies depending on the skill and habit of the operator. When the variation is large, as described above, suction (pickup) cannot be performed due to insufficient push-up of the die, or the collet C comes into contact with the die due to push-up of the die, and the die is damaged. , FIG.
As shown in (1), it causes peeling of a die that is not a processing target. Therefore, in the present embodiment, the reference height is set by the following method. First, as shown in FIG. 8A, the flat plate PL is held above the push-up mechanism 2, the collet C of the suction mechanism 1 is lowered, and the collet C is brought into contact with the surface of the flat plate PL. In addition, in addition to the flat plate PL, a plate-like object such as a wafer can be used. Next, as shown in FIG. 8B, the push-up needle N is gradually raised, and the position of the collet C is confirmed. The position of the collet C can be recognized by a Z-direction position recognition device incorporated in the suction mechanism 1. The position of the push-up needle N can be recognized by a Z-direction position recognition device incorporated in the push-up mechanism 2. This collet C in a series of operations
9 and the position of the push-up needle N are shown in FIG. As shown in FIG. 9, the push-up needle N is gradually raised, the push-up needle N reaches the rear surface of the flat plate PL, and the flat plate PL is lifted, so that the position of the collet C starts to rise (Z 0 ) or the position of the push-up needle N when it has risen by a certain distance (Z 1 ) is stored in the push-up mechanism (die bonder) as a reference height. FIG. 8 shows a state in which the position of the collet C has risen by a certain distance.
It is shown in (c). As described above, according to the present embodiment, with the collet C of the suction mechanism 1 lowered, the push-up needle N
Is gradually raised, the rise of the position of the collet C is detected by raising the flat plate PL, and the reference height is set, so that the variation in the reference height can be reduced. That is, it is possible to reduce the variation of the reference height due to the skill and habit of the worker. Further, even when the length of the needle portion between the components varies, the variation in the reference height can be reduced. In particular, the suction mechanism 1 has a built-in high-performance Z-direction position recognition function and Z-direction position adjustment function. This is to enable high-accuracy die transfer (pickup). By using this existing function for the above-mentioned reference height setting, it is possible to set a high-precision reference height. it can. According to the present embodiment, the collet C
Since it is possible to mechanically detect the rise of the position, the reference height can be automatically set. As a result, the reference height can be set accurately and in a short time. Further, according to the present embodiment, the reference height can be set accurately even if the length of the needle portion between the components is large, for example, ± 25 μm or more. The necessity of producing parts with high precision is reduced, and the unit cost of parts can be reduced. Conversely, die bonding can be performed using inexpensive components that are not very accurate. As a result, product costs can be reduced. Using the die bonder having the reference height set as described above, the individual wafer W is die-bonded. First, the pressure-sensitive adhesive sheet S is pushed up from below the singulated wafer W by a push-up needle N, and the adhesive sheet S and the die D thereon are separated. Next, the die D is sucked, transported to, for example, the lead frame RF, and then lowered to be fixed on the lead frame RF (see FIGS. 2 to 5). In such a series of die bonding steps, since the reference height of the push-up needle N is accurately set, it is possible to prevent the die D from being pushed up too much or the die D from being pushed up too much. (Pickup) cannot be performed, or the collet C and the die D come into contact with each other due to the die D being pushed up too much, preventing the die from being damaged and preventing the die that is not to be processed from being peeled off as shown in FIG. can do. As a result, it is possible to shorten the die bonding time and improve the product yield. Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment and can be variously modified without departing from the gist of the invention. Needless to say, In particular, in the present embodiment, the die bonder has been described as an example, but the present invention is not limited to such a device, and can be widely applied to devices having a push-up mechanism and a suction mechanism, such as a chip mounter. Further, in the present embodiment, the present invention is applied to the setting of the reference height. However, the setting of the reference height also includes the correction of the reference height predetermined by the apparatus. The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows. After the suction portion is brought into contact with the surface of the plate-like object placed on the upper part of the push-up mechanism of the die bonder, the push-up portion is raised stepwise from the back side of the plate-like object. The suction mechanism detects that the suction section has been lifted by being lifted by the push-up section, and sets the reference position of the push-up section using this detection data. Setting accuracy can be improved. Further, the die bonding time can be shortened, and the yield of products can be improved and the cost can be reduced.
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に用いられるダイボンディング装
置の概略を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態であるダイボンディング方
法を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態であるダイボンディング方
法を示す図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態で
あるダイボンディング方法を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態であるダイボンディング方
法を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態であるダイボンディング方
法のうち基準高さの設定方法を示すための図である。
【図７】本発明の実施の形態の効果を説明するための図
である。
【図８】（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、本発明の実施
の形態であるダイボンディング方法のうち基準高さの設
定方法を示すための図である。
【図９】本発明の実施の形態であるダイボンディング方
法のうち基準高さの設定方法を示すための図である。
【符号の説明】
１ 吸着機構
２ 突き上げ機構
３ カム
Ｃ コレット
ＣＦ キャリアフレーム
Ｄ ダイ
Ｈ 高さ
Ｎ 突き上げ針
ＰＬ 平板
Ｒ 樹脂
ＲＦ リードフレーム
Ｓ 粘着シート
Ｗ ウエハBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view schematically showing a die bonding apparatus used in the present embodiment. FIG. 2 is a diagram illustrating a die bonding method according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing a die bonding method according to an embodiment of the present invention. FIGS. 4A and 4B are diagrams illustrating a die bonding method according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing a die bonding method according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a diagram showing a method of setting a reference height in the die bonding method according to the embodiment of the present invention. FIG. 7 is a diagram for explaining effects of the embodiment of the present invention. FIGS. 8A, 8B, and 8C are diagrams for illustrating a method of setting a reference height in the die bonding method according to the embodiment of the present invention. FIG. 9 is a diagram showing a method of setting a reference height in the die bonding method according to the embodiment of the present invention. [Description of Signs] 1 Suction mechanism 2 Push-up mechanism 3 Cam C Collet CF Carrier frame D Die H Height N Push-up needle PL Flat plate R Resin RF Lead frame S Adhesive sheet W Wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧 浩 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 ▲高▼野 隆一 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 楠 秀樹 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 5F047 FA04 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Hiroshi Maki 3-3, Fujibashi, Ome City, Tokyo 2 Hitachi East Kyoto Electronics Co., Ltd. (72) Inventor ▲ Taka ▼ Ryuichi No 3-3, Fujibashi, Ome City, Tokyo 2 Hitachi East Kyoto Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Hideki Kusunoki 3-3, Fujibashi, Ome City, Tokyo 2 Hitachi East Kyoto Electronics Co., Ltd. F-term (reference) 5F047 FA04
Claims (1)
と、吸着機構とを有するダイボンダーを準備する工程
と、 （ｂ）前記ウエハ支持部上のウエハの代わりとして前記
突き上げ機構上に、板状物を搭載する工程と、 （ｃ）前記板状物の表面に前記吸着機構を構成する吸着
部を接触させる工程と、 （ｄ）前記板状物の裏面方向から前記突き上げ機構を構
成する突き上げ部を、段階的に上昇させ、前記板状物
が、前記突き上げ部により持ち上げられることにより、
前記吸着部が上昇したことを前記吸着機構により検知す
る工程と、 （ｅ）前記検知データを用いて、前記突き上げ部の基準
位置を設定する工程と、 を有することを特徴とするダイボンディング方法。1. A step of preparing a die bonder having a wafer support, a push-up mechanism, and a suction mechanism; and (b) the push-up as a substitute for a wafer on the wafer support. A step of mounting a plate-like object on a mechanism; (c) a step of contacting a suction portion constituting the suction mechanism with a surface of the plate-like object; and (d) the push-up from a back surface direction of the plate-like object. By raising the push-up portion constituting the mechanism in a stepwise manner, the plate-like object is lifted by the push-up portion,
A die bonding method, comprising: a step of detecting, by the suction mechanism, that the suction section has risen; and (e) a step of setting a reference position of the push-up section using the detection data.
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