JP2003086559A - Substrate cleaner and substrate-cleaning method - Google Patents
Substrate cleaner and substrate-cleaning methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料製造過程
において、基板上に形成された金属膜のドライエッチン
グ処理後のレジストやポリマーを除去して洗浄する基板
洗浄装置およびその方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and method for removing and cleaning a resist and a polymer after dry etching a metal film formed on a substrate in an electronic material manufacturing process. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の電子材料の製造過程について説明
する。まず、基板上に金属膜を形成する。この金属膜上
にレジストを塗布し、所定の膜厚のフォトレジスト膜を
形成する。このレジスト膜を露光、現像した後、エッチ
ングにより、金属膜のパターンを形成する。特にエッチ
ング処理をドライ処理で行った場合、パターン側壁には
ドライエッチング残留物としてレジスト、エッチングガ
ス、配線材料などから成るポリマーが付着する。ドライ
エッチング処理後、まず酸素ガスなどのアッシング処理
を行う。この処理だけではレジストのみが除去され、ポ
リマーは金属膜の側壁および上面に残存したままの状態
である。そこで、従来の技術では、例えば有機アミン系
溶剤を用いてポリマーを除去し、超純水でリンス後、ス
ピンドライなどによる乾燥を行なっている。2. Description of the Related Art A conventional manufacturing process of electronic materials will be described. First, a metal film is formed on a substrate. A resist is applied on this metal film to form a photoresist film having a predetermined film thickness. After exposing and developing this resist film, a pattern of the metal film is formed by etching. In particular, when the etching process is performed by a dry process, a resist, an etching gas, a polymer made of a wiring material, or the like adheres to the pattern side wall as a dry etching residue. After the dry etching process, an ashing process using oxygen gas or the like is first performed. Only by this treatment, only the resist is removed, and the polymer remains on the side wall and upper surface of the metal film. Therefore, in the conventional technique, the polymer is removed using, for example, an organic amine solvent, rinsed with ultrapure water, and then dried by spin drying or the like.
【０００３】特開2000-56478号公報では、オゾンや次亜
塩素酸などの酸化剤を含有するポリマー除去液が提案さ
れている。しかし、オゾンだけでは十分にポリマーを除
去することはできず、次亜塩素酸などを混入しただけで
はｐＨが低くなりすぎるため、金属膜の腐食を避けるこ
とはできない。特開平11-29795号公報では、ｐＨを3.5
〜6.5に調整したオゾンを含有する超純水が電子材料の
洗浄剤として提案されている。この洗浄剤は金属分によ
り汚染された電子材料の洗浄用に提案されており、ｐＨ
を低く設定することは金属分除去には非常に有効であ
る。しかし、配線パターンを形成する際のレジスト除去
においては、下地に金属膜が存在するため、ｐＨが低す
ぎるとその金属を腐食してしまう。また、特開平11-297
95号公報では、溶解膜を用いてオゾンガスを超純水中に
溶解している。溶解膜を用いた場合、処理液中にオゾン
ガスの気泡は存在せず、超純水中に溶解するオゾンの濃
度はガス中のオゾン濃度に比べて非常に低いため、レジ
ストの剥離速度が遅く、実用的なレベルではない。Japanese Patent Laid-Open No. 2000-56478 proposes a polymer removing liquid containing an oxidizing agent such as ozone or hypochlorous acid. However, the ozone alone cannot sufficiently remove the polymer, and the mixing of hypochlorous acid or the like causes the pH to become too low, so that the corrosion of the metal film cannot be avoided. In JP-A-11-29795, the pH is set to 3.5.
Ultrapure water containing ozone adjusted to ~ 6.5 has been proposed as a cleaning agent for electronic materials. This cleaning agent has been proposed for cleaning electronic materials contaminated with metals,
Setting a low value is very effective for removing metal components. However, when removing the resist when forming the wiring pattern, a metal film exists on the base, so if the pH is too low, the metal will be corroded. In addition, JP-A-11-297
In Japanese Patent Publication No. 95, ozone gas is dissolved in ultrapure water using a dissolution film. When a dissolved film is used, there are no bubbles of ozone gas in the treatment liquid, and the concentration of ozone dissolved in ultrapure water is very low compared to the ozone concentration in the gas, so the resist stripping rate is slow, Not at a practical level.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来
技術ではポリマーを完全に除去することができない上
に、次のリンス工程で有機アミン系溶剤と水の作用によ
り強塩基性となり、金属膜が腐食してしまうという問題
点があった。また、アッシング処理と有機アミン系溶剤
処理との２工程の処理を必要とするために、処理が複雑
であり、コストが高いという問題点もあった。As described above, the above-mentioned prior art cannot completely remove the polymer, and in the subsequent rinsing step, the polymer becomes strongly basic due to the action of the organic amine solvent and water, resulting in the metal film. There was a problem that it would be corroded. Further, there is a problem that the treatment is complicated and the cost is high because it requires two-step treatments of the ashing treatment and the organic amine solvent treatment.
【０００５】本発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたものであり、所定のｐＨに調整されたオゾ
ンガスの気泡を含んだオゾン水を処理液として用いるこ
とによって、金属膜の腐食を防ぐとともに、実用的な処
理時間でレジスト、およびポリマーの両方を同時に除去
することを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and corrodes a metal film by using ozone water containing bubbles of ozone gas adjusted to a predetermined pH as a treatment liquid. It is intended to prevent both the resist and the polymer at the same time in a practical processing time.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る基板洗
浄装置は、エッチング処理の行なわれた基板を洗浄する
ための処理槽と、この処理槽に貯められ、基板配線の金
属表面を溶解することができるｐＨ値の処理液と、上記
処理槽に貯められた処理液へ、オゾンガスの気泡を含む
状態でオゾンガスを送り込むオゾンガス供給手段とを備
えたものである。A substrate cleaning apparatus according to a first aspect of the present invention includes a processing bath for cleaning an etched substrate and a metal surface of a substrate wiring that is stored in the processing bath and melted. It is provided with a treatment liquid having a pH value capable of controlling and ozone gas supply means for feeding ozone gas into the treatment liquid stored in the treatment tank in a state including bubbles of ozone gas.
【０００７】第２の発明に係る基板洗浄装置は、処理液
のｐＨ値を４．２〜６．４としたものである。第３の発
明に係る基板洗浄装置において、処理液は、リン酸を含
む溶液からなるものである。第４の発明に係る基板洗浄
装置において、オゾンガス供給手段は、処理槽から排出
された処理液を再び処理槽へ循環させるための循環手段
と、オゾンガスを発生させるオゾンガス発生手段と、上
記循環手段の途中に設けられ、処理液にオゾンガスの気
泡を含む状態でオゾンガスが混ざるように、上記オゾン
ガス発生手段からのオゾンガスを送り込むエジェクター
とを備えたものである。In the substrate cleaning apparatus according to the second aspect of the present invention, the pH value of the treatment liquid is 4.2 to 6.4. In the substrate cleaning apparatus according to the third aspect of the invention, the processing liquid is a solution containing phosphoric acid. In the substrate cleaning apparatus according to the fourth aspect, the ozone gas supply means includes a circulation means for circulating the processing liquid discharged from the processing tank to the processing tank again, an ozone gas generation means for generating ozone gas, and the circulation means. An ejector, which is provided on the way, sends in the ozone gas from the ozone gas generating means so that the ozone gas is mixed in a state where the processing liquid contains bubbles of the ozone gas.
【０００８】第５の発明に係る基板洗浄装置は、オゾン
ガスを処理槽へ供給する前段に、オゾンガス中のNOxを
除去するNOx除去手段を備えたものである。第６の発明
に係る基板洗浄装置は、循環手段の途中に、処理液のｐ
Ｈを調整するｐＨ制御手段を備えたものである。In the substrate cleaning apparatus according to the fifth aspect of the present invention, a NOx removing means for removing NOx in the ozone gas is provided before the ozone gas is supplied to the processing tank. In the substrate cleaning apparatus according to the sixth aspect of the present invention, p of the processing liquid is added in the middle of the circulation means.
It is provided with a pH control means for adjusting H.
【０００９】第７の発明に係る基板洗浄装置において、
オゾンガス供給手段は、処理槽からの処理液を排出する
排出手段と、処理槽へ処理液を供給するための供給手段
と、この供給手段の途中に設けられ、処理液にオゾンガ
スの気泡を含む状態でオゾンガスが混ざるようにオゾン
ガスを送り込むエジェクターとを備えたものである。第
８の発明に係る基板洗浄装置は、処理槽から排出される
処理液を流し捨てにするための排液口を備えている。第
９の発明に係る基板洗浄方法は、エッチング処理をした
あとの基板配線の金属表面を溶解することができるｐＨ
値の処理液に、オゾンガスの気泡を含む状態でオゾンガ
スが混ざるように供給し、基板の洗浄を行なうものであ
る。第１０の発明に係る基板洗浄方法は、処理液のｐＨ
値を４．２〜６．４としたものである。第１１の発明に
係る基板洗浄方法において、処理液はリン酸を含む溶液
からなるものである。In the substrate cleaning apparatus according to the seventh invention,
The ozone gas supplying means is a discharge means for discharging the processing liquid from the processing tank, a supplying means for supplying the processing liquid to the processing tank, and a state provided in the middle of the supplying means, in which the processing liquid contains bubbles of ozone gas. It is equipped with an ejector that sends ozone gas so that the ozone gas is mixed. The substrate cleaning apparatus according to the eighth aspect of the present invention is provided with a liquid discharge port for causing the processing liquid discharged from the processing tank to flow away and be discarded. A substrate cleaning method according to a ninth aspect of the present invention has a pH capable of dissolving a metal surface of a substrate wiring after etching treatment.
The substrate is cleaned by supplying ozone into the processing liquid having a predetermined value so that the ozone gas is mixed with bubbles. A substrate cleaning method according to a tenth aspect of the invention provides
The value is set to 4.2 to 6.4. In the substrate cleaning method according to the eleventh aspect, the treatment liquid is a solution containing phosphoric acid.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
一実施の形態を図にもとづいて説明する。図１は本発明
の実施の形態１による基板洗浄装置の構成を示す図で、
図１（ａ）は基板洗浄装置、図１（ｂ）はエジェクター
７付近を拡大した図である。図において、１は処理槽
で、処理槽１の内部にはレジストなどの除去を行なう基
板２を設置するためのオーバーフロー槽３がある。４は
循環配管で、処理槽１に接続されており、オーバーフロ
ー槽３からオーバーフローして処理槽１にあふれ出た処
理液をオーバーフロー槽３へ再び循環させるためのもの
である。５は循環配管４の途中に設けられ、処理液を循
環させるためのポンプ、６は循環配管４の途中に設けら
れ、処理液に含まれる除去物を取り除くフィルター、７
はオゾンガスを取り込むためのエジェクターで、７ａは
供給口、７ｂは排出口、７ｃはオゾンガス供給口であ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiment 1. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention,
FIG. 1A is a substrate cleaning apparatus, and FIG. 1B is an enlarged view of the vicinity of the ejector 7. In the figure, reference numeral 1 denotes a processing tank, and inside the processing tank 1, there is an overflow tank 3 for installing a substrate 2 for removing resist and the like. Reference numeral 4 denotes a circulation pipe, which is connected to the processing tank 1 and is used to recirculate the processing liquid overflowing from the overflow tank 3 and overflowing into the processing tank 1 to the overflow tank 3. Reference numeral 5 denotes a pump provided in the middle of the circulation pipe 4 for circulating the treatment liquid, 6 denotes a filter provided in the middle of the circulation pipe 4 for removing a substance contained in the treatment liquid, 7
Is an ejector for taking in ozone gas, 7a is a supply port, 7b is a discharge port, and 7c is an ozone gas supply port.
【００１１】エジェクター７は循環配管４の途中に設け
られており、エジェクター７の排出口７ｂに接続された
循環配管４はオーバーフロー槽３に接続されている。つ
まり、オーバーフロー槽３の接続口（処理液を供給する
ための供給口）に接続された循環配管４の後段には、ま
ずエジェクター７が設けられている。エジェクター７の
取付位置は、オーバーフロー槽３の供給口に近い方が良
い。エジェクター７の位置がオーバーフロー槽３の供給
口に近い方が、細かい気泡を含む処理液を供給すること
ができるからである。８はオゾンガスを発生させるオゾ
ンガス発生器、９はオゾンガス供給管でエジェクター７
のオゾンガス供給口７ｃに接続されている。エジェクタ
ー７は処理液が入力される供給口７ａと、入力された処
理液に混ぜるオゾンガスを取り込むためのオゾンガス供
給口７ｃと、オゾンガスが混ぜられた処理液を出力する
排出口７ｂを備えている。オゾンガス供給口７ｃから
は、供給口７ａからの処理液に、オゾンガス供給口７ｃ
からのオゾンガスが混ざって出力される。エジェクター
７によってオゾンガスを処理液に供給して混ぜることに
より、処理液中にオゾンガスが溶解するとともに、細か
いオゾンガスの気泡が含まれる。１０は処理槽１に接続
され、余分なオゾンガスを排気するオゾンガス排気管で
ある。The ejector 7 is provided in the middle of the circulation pipe 4, and the circulation pipe 4 connected to the discharge port 7b of the ejector 7 is connected to the overflow tank 3. That is, the ejector 7 is first provided in the subsequent stage of the circulation pipe 4 connected to the connection port (the supply port for supplying the processing liquid) of the overflow tank 3. The mounting position of the ejector 7 should be close to the supply port of the overflow tank 3. This is because the treatment liquid containing fine bubbles can be supplied when the position of the ejector 7 is closer to the supply port of the overflow tank 3. 8 is an ozone gas generator for generating ozone gas, 9 is an ozone gas supply pipe, and an ejector 7
Is connected to the ozone gas supply port 7c. The ejector 7 is provided with a supply port 7a into which the processing liquid is input, an ozone gas supply port 7c for taking in ozone gas mixed with the input processing liquid, and an outlet 7b for outputting the processing liquid mixed with ozone gas. From the ozone gas supply port 7c, the ozone gas supply port 7c is added to the processing liquid from the supply port 7a.
Ozone gas from is mixed and output. By supplying ozone gas to the treatment liquid by the ejector 7 and mixing, ozone gas is dissolved in the treatment liquid, and fine bubbles of ozone gas are contained. Reference numeral 10 is an ozone gas exhaust pipe that is connected to the processing tank 1 and exhausts excess ozone gas.
【００１２】オーバーフロー槽３へオゾンガスを供給す
るオゾンガス供給手段は、たとえば、循環配管４、エジ
ェクター７、オゾンガス発生器８により構成される。さ
らに、オゾンガス供給手段には、循環配管４の中で処理
液を循環させるためのポンプ５が含まれても良い。処理
液を循環させる循環手段とは、たとえば、循環配管４の
ことである。処理槽とは、基板からレジストやポリマー
などを除去する洗浄を行なうための槽のことであって、
たとえば、基板を洗浄するための第１の処理槽と処理槽
から排出された処理液を受ける第２の処理槽からなる。
第１の処理槽からあふれた処理液を受けるため、第２の
処理槽の中に、第１の処理槽を設置するようにしても良
い。オゾンガス発生手段は、たとえばオゾンガス発生装
置のことである。The ozone gas supply means for supplying ozone gas to the overflow tank 3 is composed of, for example, a circulation pipe 4, an ejector 7, and an ozone gas generator 8. Further, the ozone gas supply means may include a pump 5 for circulating the processing liquid in the circulation pipe 4. The circulation means for circulating the treatment liquid is, for example, the circulation pipe 4. The processing tank is a tank for cleaning the substrate to remove the resist and polymer,
For example, it comprises a first processing bath for cleaning the substrate and a second processing bath for receiving the processing liquid discharged from the processing bath.
In order to receive the overflowing processing liquid from the first processing tank, the first processing tank may be installed in the second processing tank. The ozone gas generating means is, for example, an ozone gas generating device.
【００１３】以下、動作について説明する。レジストお
よびポリマー除去においては、まず、予め所定のｐＨに
調整した処理液をオーバーフロー槽３に導入し、その中
に基板２を設置する（並べる）。次に、ポンプ５で処理
液を循環させながら、エジェクター７にオゾンガス発生
器８で生成したオゾンガスを供給し、その処理液をオー
バーフロー槽３に供給する。上記した処理液の所定のｐ
Ｈ値とは、エッチング処理された基板の配線の金属表面
を溶解することができるｐＨ値のことをいう。また、処
理液は金属表面を溶解することができる程度の酸性であ
っても良い。The operation will be described below. In the removal of the resist and the polymer, first, a treatment liquid adjusted to a predetermined pH in advance is introduced into the overflow tank 3, and the substrate 2 is placed (arranged) therein. Next, while circulating the treatment liquid with the pump 5, the ozone gas generated by the ozone gas generator 8 is supplied to the ejector 7, and the treatment liquid is supplied to the overflow tank 3. Predetermined p of the above processing solution
The H value means a pH value capable of dissolving the metal surface of the wiring of the substrate which has been subjected to the etching treatment. Further, the treatment liquid may be acidic enough to dissolve the metal surface.
【００１４】オゾン発生器８で生成したオゾンガスはオ
ゾンガス供給管９を通ってエジェクター７に供給され
る。エジェクター７に供給されたオゾンガスは処理液と
混ざり、オゾンガスの一部は処理液中に溶け込み、オゾ
ンガス（オゾンガスの細かい気泡）とオゾン水という状
態で循環配管４によってオーバーフロー槽３に供給され
る。オーバーフロー槽３に供給される処理液は、基板配
線の金属表面を溶解することができるｐＨ値の液体に、
オゾンガスがオゾンガスの気泡を含む状態で混ぜられて
いるものである。また、オゾンガスの気泡は細かい方が
良い。The ozone gas generated by the ozone generator 8 is supplied to the ejector 7 through the ozone gas supply pipe 9. The ozone gas supplied to the ejector 7 mixes with the processing liquid, a part of the ozone gas dissolves in the processing liquid, and is supplied to the overflow tank 3 by the circulation pipe 4 in a state of ozone gas (fine bubbles of ozone gas) and ozone water. The processing liquid supplied to the overflow tank 3 is a liquid having a pH value capable of dissolving the metal surface of the substrate wiring,
The ozone gas is mixed in a state of containing bubbles of ozone gas. Also, the bubbles of ozone gas should be fine.
【００１５】オーバーフロー槽３に供給されたオゾンガ
スの気泡を含む処理液によって基板の洗浄が行われる。
処理液は、基板配線の金属表面を溶解することができる
ｐＨ値となっている。エジェクター７を用いて、オゾン
ガスの細かい気泡を生成し、処理液に混ぜて基板の洗浄
を行なうことにより、基板表面のレジストとオゾンの反
応が促進され、レジストの剥離速度を向上させることが
できる。また、処理液によって、基板配線の金属表面は
溶解される状態になっているので、金属表面（金属膜）
の側壁および上面のポリマーを除去することが可能とな
る。所定の時間、洗浄処理をした後は、オゾンガスの供
給を停止するとともに、ポンプ５を停止し、基板２を処
理槽１（オーバーフロー槽３）より取り出す。取り出し
た基板２は、図示されていないが別途設置されている洗
浄・乾燥装置により、リンスおよび乾燥を行なう。本処
理工程後はレジストおよびポリマーが除去された清浄な
基板を得ることができる。The substrate is washed with the processing liquid containing the bubbles of ozone gas supplied to the overflow tank 3.
The treatment liquid has a pH value capable of dissolving the metal surface of the substrate wiring. By using the ejector 7 to generate fine bubbles of ozone gas and mixing them with the treatment liquid to wash the substrate, the reaction between the resist on the substrate surface and ozone can be promoted, and the resist peeling speed can be improved. In addition, since the metal surface of the substrate wiring is dissolved by the processing liquid, the metal surface (metal film)
It is possible to remove the polymer on the sidewalls and top surface of the. After performing the cleaning process for a predetermined time, the supply of ozone gas is stopped, the pump 5 is stopped, and the substrate 2 is taken out from the processing tank 1 (overflow tank 3). The substrate 2 taken out is rinsed and dried by a cleaning / drying device (not shown) separately installed. After this treatment step, a clean substrate from which the resist and polymer have been removed can be obtained.
【００１６】実施の形態２．次に、具体的な例を基に実
施の形態１をさらに詳細に説明する。まず、基板２（3
インチ、LiTaO３）上に2000ÅのAl-Cu合金の膜を形成す
る。この金属膜状にレジストを塗布し、7500Åの膜厚の
フォトレジスト膜を形成した。このレジスト膜を露光、
現像した後、ドライエッチングにより、金属膜のパター
ンを形成する。Embodiment 2. Next, the first embodiment will be described in more detail based on a specific example. First, the substrate 2 (3
Inch, LiTaO 3 ) and 2000 Å of Al-Cu alloy film is formed. A resist was applied on the metal film to form a photoresist film having a film thickness of 7500Å. Expose this resist film,
After the development, a pattern of the metal film is formed by dry etching.
【００１７】次に、予め超純水に塩酸を添加し、ｐＨを
５．７に調整した処理液をオーバーフロー槽３に満た
し、その中に基板２を浸漬させる。次に、ポンプ５によ
り処理液を３．５L/minで循環させているところに、オ
ゾンガス発生器８で生成したオゾンガス（オゾンガス濃
度：200g/Nm３）をエジェクター７より２L/minで供給す
る。この場合、処理液中にオゾンガスが溶解するととも
に、処理液にはオゾンガスの気泡が含まれることにな
る。９０分間オゾンガスを供給した後、オゾンガスの供
給を停止するとともにポンプ５を停止し、処理を終了し
た。処理後の基板２は、処理槽１より取り出し、超純水
で10秒リンスした後、スピン乾燥装置で乾燥した。Next, hydrochloric acid is added to ultrapure water in advance to fill the overflow bath 3 with a treatment liquid having a pH adjusted to 5.7, and the substrate 2 is immersed therein. Next, while the treatment liquid is circulated at 3.5 L / min by the pump 5, the ozone gas (ozone gas concentration: 200 g / Nm 3 ) generated by the ozone gas generator 8 is supplied from the ejector 7 at 2 L / min. In this case, ozone gas is dissolved in the treatment liquid, and the treatment liquid contains bubbles of ozone gas. After supplying the ozone gas for 90 minutes, the supply of the ozone gas was stopped, the pump 5 was stopped, and the treatment was completed. The treated substrate 2 was taken out of the treatment tank 1, rinsed with ultrapure water for 10 seconds, and then dried by a spin dryer.
【００１８】同様の条件で処理液のｐＨ値を４．０〜
６．７と変化させ、レジストなどの除去効果を検証し
た。処理後、ｐＨ４．０〜６．７いずれの場合において
も基板上にはレジストは残っておらず、完全に除去され
ていた。しかしながら、ｐＨが４．２以下ではAl-Cu膜
の腐食が見られた。また、ｐＨが６．４以上では、レジ
ストは完全に除去されていたものの、Al-Cu膜側壁にポ
リマーが残存していた。ｐＨ４．２〜６．４では金属膜
の腐食も見られず、また、ポリマーも完全に除去されて
いた。したがって、ｐＨ４．２〜６．４の範囲が最適な
ｐＨ領域であることが分かる。上記のｐＨ値が、エッチ
ング処理を行なった基板の配線の金属表面（金属膜）を
溶解するのに適した値である。Under the same conditions, the pH value of the processing solution is adjusted to 4.0 to 4.0.
By changing the value to 6.7, the effect of removing the resist and the like was verified. After the treatment, the resist did not remain on the substrate and was completely removed in any of the cases of pH 4.0 to 6.7. However, when the pH was 4.2 or less, corrosion of the Al-Cu film was observed. Further, when the pH was 6.4 or higher, the resist was completely removed, but the polymer remained on the side wall of the Al—Cu film. No corrosion of the metal film was observed at pH 4.2 to 6.4, and the polymer was completely removed. Therefore, it can be seen that the range of pH 4.2 to 6.4 is the optimum pH range. The above pH value is a value suitable for dissolving the metal surface (metal film) of the wiring of the substrate which has been subjected to the etching treatment.
【００１９】このときのAl-Cu金属膜の膜厚減少量を図
２に示す。図２に示すようにｐＨ値が低いほど膜厚減少
量は大きいことがわかる。これより、処理液を酸性にす
ることにより金属膜がエッチングされること、そのエッ
チング作用によって金属膜の側壁および上面に残存した
ポリマーを除去できることが分かった。しかしながら、
ｐＨが４．２以下では金属膜のエッチング量が大きすぎ
るために金属膜を腐食してしまい、逆にｐＨが６．４以
上ではエッチング量が少なすぎるためポリマーを完全に
除去することができないと考えられる。本実施の形態に
よって、ｐＨを４．２〜６．４に調整したオゾン水で処
理することにより、金属膜におけるドライエッチング処
理後のレジストとポリマーを同時に除去することができ
ることが証明された。また、図１のような循環式装置で
レジストなどの洗浄処理した場合レジストとオゾンが反
応して生成されるカルボン酸により、処理終了後のｐＨ
値が処理開始時のｐＨ値よりも低下することも分かっ
た。The amount of decrease in the thickness of the Al-Cu metal film at this time is shown in FIG. As shown in FIG. 2, it can be seen that the lower the pH value, the greater the film thickness reduction amount. From this, it was found that the metal film was etched by making the treatment liquid acidic, and the polymer remaining on the side wall and the upper surface of the metal film could be removed by the etching action. However,
If the pH is 4.2 or less, the etching amount of the metal film is too large to corrode the metal film. On the contrary, if the pH is 6.4 or more, the etching amount is too small to completely remove the polymer. Conceivable. According to the present embodiment, it is proved that the resist and the polymer after the dry etching treatment on the metal film can be removed at the same time by treating with the ozone water whose pH is adjusted to 4.2 to 6.4. In addition, when a resist or the like is washed with a circulation type apparatus as shown in FIG.
It was also found that the value was lower than the pH value at the start of the treatment.
【００２０】ここで、本発明による基板洗浄装置の効果
を比較するために、溶解膜を用いてオゾンを処理液に溶
解させた場合と上記オゾンガスの気泡入り処理液（本発
明）の場合を比較する。図３は溶解膜を用いてオゾンガ
スを処理液に溶解させる場合の基板洗浄装置の構成を示
す図である。図において、１１はオゾンガスを処理液に
溶解させる溶解膜であり、溶解膜にはオゾンガス供給管
９とオゾンガス排気管１０が接続されている。溶解膜１
１を用いてオゾンガスを処理液に溶解させた場合、処理
液中には気泡が存在せず、オゾンガスが溶解したオゾン
水となる。Here, in order to compare the effects of the substrate cleaning apparatus according to the present invention, a case where ozone is dissolved in a processing liquid using a dissolution film and a case where the ozone gas bubbled processing liquid (the present invention) is compared are compared. To do. FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a substrate cleaning apparatus when ozone gas is dissolved in a processing liquid using a dissolution film. In the figure, 11 is a dissolution film for dissolving ozone gas in the treatment liquid, and an ozone gas supply pipe 9 and an ozone gas exhaust pipe 10 are connected to the dissolution film. Dissolution film 1
When the ozone gas is dissolved in the treatment liquid by using No. 1, no bubbles are present in the treatment liquid, and ozone water in which the ozone gas is dissolved is obtained.
【００２１】図３で示した装置を用いて、実施の形態２
と同様の処理を行った。図４に実施の形態２で示したオ
ゾンガスの気泡の入った処理液で処理した場合と溶解膜
を用いた気泡の入っていない処理液で処理した場合のレ
ジストおよびポリマーを完全に除去するのに要した処理
時間を示す。図４に示すように溶解膜を用いた気泡無し
の場合、気泡入りの場合と比較してレジストおよびポリ
マーを完全に除去するのに３倍程度の時間を要した。こ
れは、水中の溶存オゾン濃度に比べて、ガス中のオゾン
濃度の方が1000倍以上濃いため、処理液中にオゾンガス
の気泡が入っている方がレジストの除去速度が非常に速
いことに起因する。本実施例によって、オゾンガスの気
泡を処理液に混入させることにより、レジストおよびポ
リマーを速く除去することができ、実用可能な処理速度
を得ることができることが証明された。A second embodiment using the apparatus shown in FIG.
The same process was performed. In order to completely remove the resist and the polymer when treated with the treatment liquid containing ozone gas bubbles shown in FIG. 4 and when treated with a treatment liquid containing no bubbles using a dissolved film. Indicates the processing time required. As shown in FIG. 4, in the case where no bubbles were formed using the dissolved film, it took about three times as much time to completely remove the resist and polymer as compared with the case where bubbles were contained. This is because the ozone concentration in the gas is more than 1000 times higher than the dissolved ozone concentration in water, and the ozone gas bubbles in the treatment liquid result in a very high resist removal rate. To do. It was proved by this example that the resist and the polymer can be removed quickly by mixing the bubbles of ozone gas in the treatment liquid, and a practical treatment speed can be obtained.
【００２２】実施の形態３．次に、実施の形態２に示す
処理液とは異なる処理液で、レジスト除去を行なう場合
について説明する。図５は、処理液とレジスト処理結果
の関係を示すものであり、処理液として用いられる溶液
の酸の種類によって、金属膜に発生する腐食の状態を示
している。先に述べたようにアッシング処理を行なうこ
とで、金属膜のパターンからレジストは除去できるが、
ポリマーを除去することができない。そこで、エッチン
グ処理後、アッシング処理を施したサンプル（たとえ
ば、基板）に実施の形態２に示すような基板洗浄処理を
施した。その結果は、基板洗浄処理後の金属膜上に多数
の穴があく腐食が発生してしまっているサンプルもあっ
た。腐食が発生してしまった理由は、エッチング処理
後、アッシング処理を施すことにより金属膜が変質し、
そこに塩酸とオゾンによる処理（レジストを除去する処
理）を施すと腐食が発生すると考えられる。Embodiment 3. Next, the case where the resist is removed with a treatment liquid different from the treatment liquid shown in the second embodiment will be described. FIG. 5 shows the relationship between the treatment liquid and the resist treatment result, and shows the state of corrosion occurring in the metal film depending on the type of acid of the solution used as the treatment liquid. By performing the ashing process as described above, the resist can be removed from the pattern of the metal film,
The polymer cannot be removed. Therefore, after the etching treatment, the ashing-treated sample (eg, substrate) was subjected to the substrate cleaning treatment as shown in the second embodiment. As a result, there were some samples in which a large number of holes were formed on the metal film after the substrate cleaning treatment and corrosion had occurred. The reason why corrosion has occurred is that the metal film is altered by performing ashing treatment after etching treatment,
Corrosion is considered to occur when a treatment with hydrochloric acid and ozone (treatment for removing the resist) is applied thereto.
【００２３】そこで、塩酸の代わりに他の処理液を用い
て、同様の処理を行なう。ここでは、硝酸、リン酸、硝
酸とリン酸の混合液の３種類の処理液を用いて同様の処
理を行なった。その結果、いずれの場合も金属膜からポ
リマーを完全に除去することができた。しかし、図５に
示すように処理液として、硝酸を用いた場合は、塩酸を
処理溶液として用いた場合と同様の腐食が発生する。と
ころが、リン酸、リン酸および硝酸とリン酸の混合液を
処理液として用いた場合は、金属膜に腐食は発生しなか
った。処理液にリン酸が含まれる場合、金属膜表面にリ
ン酸により保護膜が形成され、腐食が抑制されたからだ
と考えられる。また、処理液にリン酸アンモニウムなど
のリン酸化合物を含むものを使用した場合も腐食は発生
せず、リン酸を含む溶液からなる処理液を用いた場合と
同様の効果を得られた。つまり、リン酸、あるいはリン
酸を含む溶液、リン酸化合物を含む溶液を処理液（これ
らは、リン酸を含む溶液ということができる）として用
いることで、金属膜を腐食させることなくレジスト除去
を行なうことができる。本実施の形態によって、処理液
としてリン酸を含む溶液を用いることにより、金属膜の
腐食を抑制できることができることが証明された。Therefore, the same treatment is carried out by using another treatment liquid instead of hydrochloric acid. Here, the same treatment was performed using three kinds of treatment liquids of nitric acid, phosphoric acid, and a mixed liquid of nitric acid and phosphoric acid. As a result, in any case, the polymer could be completely removed from the metal film. However, as shown in FIG. 5, when nitric acid is used as the treatment liquid, the same corrosion as when hydrochloric acid is used as the treatment solution occurs. However, when phosphoric acid, phosphoric acid, and a mixed solution of nitric acid and phosphoric acid were used as the treatment liquid, no corrosion occurred on the metal film. It is considered that when the treatment liquid contains phosphoric acid, a protective film was formed by phosphoric acid on the surface of the metal film, and corrosion was suppressed. Further, even when a treatment liquid containing a phosphoric acid compound such as ammonium phosphate was used, corrosion did not occur, and the same effect as in the case of using a treatment liquid containing a phosphoric acid-containing solution was obtained. That is, by using phosphoric acid, a solution containing phosphoric acid, or a solution containing a phosphoric acid compound as a treatment liquid (these can be referred to as solutions containing phosphoric acid), resist removal can be performed without corroding the metal film. Can be done. It has been proved by the present embodiment that the corrosion of the metal film can be suppressed by using the solution containing phosphoric acid as the treatment liquid.
【００２４】実施の形態４．図６は本発明の実施の形態
４による基板洗浄装置の構成を示す図である。図におい
て、８はオゾン発生器であり、ここでは無声放電式のオ
ゾン発生器を用いている。このオゾン発生器８とエジェ
クター７の間にNOx除去装置１０１が設置されている。N
Ox除去手段は、たとえば、NOx除去装置のことである。
無声放電式のオゾン発生器８を用いる場合、原料ガスの
酸素に微量の窒素を混合させることによって、オゾンの
発生効率が上昇することが知られている。しかし、本装
置において原料ガスに窒素を混入させた場合、オゾン発
生器８内でオゾンとともにNOxが発生し、それが処理液
中に溶解すると硝酸が生成されるため、処理時間が経過
するとともにｐＨが低下してしまう。そこで、NOx除去
装置１０１の設置によって、処理を行なっている間の処
理液のｐＨ変動を抑制することができ、安定した処理が
可能となった。Fourth Embodiment FIG. 6 is a diagram showing the structure of a substrate cleaning apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. In the figure, 8 is an ozone generator, and a silent discharge type ozone generator is used here. A NOx removing device 101 is installed between the ozone generator 8 and the ejector 7. N
The Ox removing means is, for example, a NOx removing device.
When the silent discharge type ozone generator 8 is used, it is known that the generation efficiency of ozone is increased by mixing a slight amount of nitrogen with oxygen of the raw material gas. However, when nitrogen is mixed into the raw material gas in this device, NOx is generated together with ozone in the ozone generator 8 and nitric acid is generated when it is dissolved in the processing liquid, so that the pH is increased as the processing time elapses. Will decrease. Therefore, by installing the NOx removal device 101, it is possible to suppress the pH fluctuation of the treatment liquid during the treatment, and it is possible to perform stable treatment.
【００２５】実施の形態５．図７は本発明の実施の形態
５による基板洗浄装置の構成を示した図である。この図
において、１１１は処理液のｐＨを制御するｐＨ制御装
置である。ｐＨ制御手段は、たとえば、ｐＨ制御装置の
ことである。レジストやポリマーを除去するための洗浄
処理中に、処理液のｐＨが変動すると、金属膜が腐食を
起こしたりする。また、処理液のｐＨが５．２〜６．４
の範囲であっても金属膜のエッチング量が異なるため、
処理に必要な時間も変化する。そこで、ｐＨ制御装置１
１１を設置することにより、完全にポリマーを除去する
ことができる安定した処理を行うことができるととも
に、金属膜の腐食も防ぐことができる。ｐＨ制御装置１
１１は循環配管４の途中に設けられおり、ここでは、処
理槽１から排出された処理液が、まずｐＨ制御装置１１
１に供給されるような位置で、なおかつエジェクター７
よりも前段に設けられている。ｐＨ制御装置１１１は、
エジェクター７より手前に設けることで、処理液中に含
まれるガスが少ない状態でｐＨ値を測定することができ
る。処理液中に含まれるガスが少ない方がｐＨ値の測定
が行ないやすくなる。Embodiment 5. FIG. 7 is a diagram showing the structure of a substrate cleaning apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. In this figure, 111 is a pH control device for controlling the pH of the treatment liquid. The pH control means is, for example, a pH control device. If the pH of the treatment liquid fluctuates during the cleaning treatment for removing the resist and the polymer, the metal film may be corroded. Further, the pH of the treatment liquid is 5.2 to 6.4.
Even in the range of, since the etching amount of the metal film is different,
The time required for processing also changes. Therefore, the pH control device 1
By installing 11, it is possible to carry out a stable treatment capable of completely removing the polymer and prevent corrosion of the metal film. pH controller 1
11 is provided in the middle of the circulation pipe 4, and here, the treatment liquid discharged from the treatment tank 1 is the pH control device 11 first.
1 and the ejector 7
It is provided in the previous stage. The pH control device 111 is
By providing the ejector 7 in front of the ejector 7, the pH value can be measured in a state where the gas contained in the treatment liquid is small. The less gas contained in the treatment liquid, the easier the pH value can be measured.
【００２６】実施の形態６．図８は本発明の実施の形態
６による基板洗浄装置の構成を示す図である。この図に
おいて、２１は処理液の温度を調節する温調器である。
温調器２１は循環配管４に取り付けられている。処理槽
１の排出口に接続された循環配管４は温調器２１に接続
され、温調器２１の出口に接続された循環配管４はポン
プ５に接続されている。ポンプ５の出力は、循環配管４
によりエジェクター７の供給口７ａに接続され、エジェ
クター７の排出口７ｂに接続されている循環配管４はオ
バーフロー槽３の供給口に接続されている。ポンプの発
熱などにより処理液の温度が変動する場合は、温調器２
１を設置することにより、処理液の温度を所定の温度に
保つことができ、処理の安定性を得ることができる。Sixth Embodiment FIG. 8 is a diagram showing the structure of a substrate cleaning apparatus according to a sixth embodiment of the present invention. In this figure, reference numeral 21 is a temperature controller for adjusting the temperature of the processing liquid.
The temperature controller 21 is attached to the circulation pipe 4. The circulation pipe 4 connected to the outlet of the processing tank 1 is connected to the temperature controller 21, and the circulation pipe 4 connected to the outlet of the temperature controller 21 is connected to the pump 5. The output of the pump 5 is the circulation pipe 4
The circulation pipe 4 connected to the supply port 7a of the ejector 7 and connected to the discharge port 7b of the ejector 7 is connected to the supply port of the overflow tank 3. If the temperature of the processing liquid fluctuates due to the heat generated by the pump, etc., the temperature controller 2
By installing 1, the temperature of the treatment liquid can be maintained at a predetermined temperature, and the stability of treatment can be obtained.
【００２７】実施の形態７．図９は本発明の実施の形態
７による基板洗浄装置の構成を示す図である。図におい
て、３１は処理液供給管である。排出手段とは、たとえ
ば、排液口のことである。供給手段とは、たとえば、処
理液供給管のことである。本実施の形態では、エジェク
ター７に処理液供給管３１を接続し、処理槽１に排液口
３２を設け、処理液を循環せず流し捨てにしている。処
理液を流し捨てにした場合、オーバーフロー槽３に常に
新しい処理液を供給することができるので、異物の再付
着などを防止できる。また、ポンプ５やフィルター６な
どの付帯設備を必要としないため、装置を簡略化するこ
とができるという利点もある。Embodiment 7. FIG. 9 is a diagram showing the structure of a substrate cleaning apparatus according to a seventh embodiment of the present invention. In the figure, 31 is a processing liquid supply pipe. The discharging means is, for example, a drainage port. The supply means is, for example, a processing liquid supply pipe. In the present embodiment, the treatment liquid supply pipe 31 is connected to the ejector 7, the drainage port 32 is provided in the treatment tank 1, and the treatment liquid is discarded without being circulated. When the treatment liquid is thrown away, a new treatment liquid can always be supplied to the overflow tank 3, so that reattachment of foreign matter can be prevented. Further, there is also an advantage that the apparatus can be simplified because no additional equipment such as the pump 5 and the filter 6 is required.
【００２８】本方式においては、オゾンとレジストが反
応することにより、カルボン酸が生成される。したがっ
て、処理液を循環させる循環式装置では処理中にｐＨが
低下するので、基板の洗浄により処理されるレジスト量
によって、処理液のｐＨが変動してしまう。そこで、本
実施の形態のように新しい処理液を供給して、処理後の
処理液は流し捨てにすることにより、処理液のｐＨの変
動を抑制することができる。In this method, carboxylic acid is produced by the reaction between ozone and the resist. Therefore, in a circulation type apparatus for circulating the treatment liquid, the pH is lowered during the treatment, so that the pH of the treatment liquid varies depending on the amount of resist treated by cleaning the substrate. Therefore, as in the present embodiment, a new treatment liquid is supplied and the treatment liquid after treatment is thrown away so that the fluctuation of the pH of the treatment liquid can be suppressed.
【００２９】ただし、エジェクターを使ってオゾンガス
を供給する装置において、処理液を流し捨てにする場
合、高濃度のオゾン水を得ることは困難である。そこ
で、まず、あらかじめエジェクターや溶解膜を用いてオ
ゾン水を生成し、その後段でさらにエジェクターを用い
てオゾンガスを供給することにより、高濃度のオゾン水
を得ることができる。たとえば、図１０に示すように前
段で溶解膜を用いて生成したオゾン水に、さらにエジェ
クターによってオゾンガスを供給することにより、高濃
度のオゾン水を得ることができる。However, in a device for supplying ozone gas using an ejector, it is difficult to obtain high-concentration ozone water when the treatment liquid is thrown away and discarded. Therefore, first, ozone water is generated in advance using an ejector or a dissolving film, and ozone gas is further supplied in the subsequent stage using an ejector, whereby high-concentration ozone water can be obtained. For example, as shown in FIG. 10, ozone gas having a high concentration can be obtained by further supplying ozone gas with an ejector to ozone water generated using a dissolution film in the previous stage.
【００３０】図１０は高濃度のオゾン水が得られるよう
にした基板洗浄装置である。図１０に示す基板処理装置
では、オゾンガス発生器８からのオゾンガスを溶解膜１
１に供給し、処理液供給管３１から処理液にオゾンガス
を溶解させる。溶解膜１１によってオゾンガスが溶け込
んだ処理液は、エジェクター７の供給口７ａに供給され
る。オゾンガス発生器８からのオゾンガスは、エジェク
ター７のオゾンガス供給口７ｃに供給され、再び、処理
液に溶け込まされることになる。FIG. 10 shows a substrate cleaning apparatus which can obtain a high concentration of ozone water. In the substrate processing apparatus shown in FIG. 10, the ozone gas from the ozone gas generator 8 is dissolved in the film 1
1, and ozone gas is dissolved in the processing liquid from the processing liquid supply pipe 31. The treatment liquid in which the ozone gas is dissolved by the dissolution film 11 is supplied to the supply port 7 a of the ejector 7. The ozone gas from the ozone gas generator 8 is supplied to the ozone gas supply port 7c of the ejector 7, and is dissolved again in the processing liquid.
【００３１】このように、オゾンガスの溶け込んだ処理
液に、エジェクター７によって、オゾンガスが気泡を含
む状態で混ぜられることになる。エジェクター７の排出
口７ｂから排出される処理液は、高濃度で、オゾンガス
の細かい気泡を含む処理液となり、この処理液がオーバ
ーフロー槽３に供給される。したがって、オゾンガスの
溶け込んだ処理液に、さらにエジェクターを用いてオゾ
ンガスを混ぜ込むことにより、高濃度でオゾンガスの細
かい気泡を含む処理液を得ることができ、エッチング処
理された基板からレジストやポリマーなどの付着物を除
去する洗浄を確実に行なうことができる。As described above, the ejector 7 mixes the ozone gas-containing processing liquid in a state in which the ozone gas contains bubbles. The treatment liquid discharged from the discharge port 7b of the ejector 7 becomes a treatment liquid having a high concentration and containing fine bubbles of ozone gas, and the treatment liquid is supplied to the overflow tank 3. Therefore, by further mixing the ozone gas with the ozone gas-melted processing liquid using an ejector, a processing liquid containing fine bubbles of ozone gas at high concentration can be obtained, and a resist or polymer such as a resist or polymer can be obtained from the etched substrate. It is possible to surely perform the cleaning for removing the deposits.
【００３２】実施の形態８．実施の形態１〜７では、基
板を処理液に浸漬するバッチ式処理について説明してき
が、本実施の形態の図１１に示すように基板を一枚ずつ
処理する枚様式処理であっても構わない。図１１に示す
ように基板２は基板設置台５１に設置されている。この
設置台４１は処理中回転してもしなくても良い。処理液
は基板上面に設置されている処理液供給盤４２から供給
され、基板に均一に供給される。図では処理液を循環し
て用いているが、流し捨てにしてもどちらでも良い。Embodiment 8. In the first to seventh embodiments, the batch-type process of immersing the substrates in the processing liquid has been described, but a single plate type process in which the substrates are processed one by one as shown in FIG. 11 of the present embodiment may be used. . As shown in FIG. 11, the substrate 2 is installed on the substrate installation table 51. This mount 41 may or may not rotate during processing. The processing liquid is supplied from the processing liquid supply board 42 installed on the upper surface of the substrate and uniformly supplied to the substrate. In the figure, the treatment liquid is circulated and used, but it may be thrown away.
【００３３】[0033]
【発明の効果】第１の発明によれば、エッチング処理の
行なわれた基板を洗浄するための処理槽と、この処理槽
に貯められ、基板配線の金属表面が剥離する程度のｐＨ
である処理液と、上記処理槽に貯められた処理液へ、オ
ゾンガスの気泡を含む状態でオゾンガスを送り込むオゾ
ンガス供給手段とを備えているので、処理槽にセットさ
れた基板をオゾンガスの気泡を含む処理液によって洗浄
することができ、レジストおよびポリマーなどの付着物
が除去された清浄な基板を得ることができる。According to the first aspect of the present invention, a processing bath for cleaning a substrate that has been subjected to an etching treatment, and a pH that is stored in the processing bath and is such that the metal surface of the substrate wiring is peeled off.
And a processing liquid stored in the processing tank, and an ozone gas supply means for feeding the ozone gas to the processing liquid stored in the processing tank in a state including the bubbles of ozone gas, so that the substrate set in the processing tank contains the bubbles of ozone gas. It can be washed with the treatment liquid, and a clean substrate from which deposits such as resist and polymer are removed can be obtained.
【００３４】第２の発明によれば、処理液のｐＨを４．
２〜６．４としているので、基板配線の金属を腐食させ
ることなく、レジストおよびポリマーなどを確実に除去
することができる。第３の発明によれば、処理液はリン
酸を含む溶液からなるものなので、基板配線の金属を腐
食させることなく、レジストおよびポリマーなどを確実
に除去することができる。第４の発明によれば、オゾン
ガス供給手段は、処理槽から排出された処理液を再び処
理槽へ循環させるための循環手段と、オゾンガスを発生
させるオゾンガス発生手段と、上記循環手段の途中に設
けられ、処理液にオゾンガスの気泡を含む状態でオゾン
ガスが混ざるように、上記オゾンガス発生手段からのオ
ゾンガスを送り込むエジェクターとを備えているので、
循環させている処理液に、オゾンガスの気泡を含むよう
に再びオゾンガスを混ぜることができ、さらに、オゾン
ガスの気泡を含む処理液を効率よく処理槽に供給しなが
ら、基板の洗浄を行なうことができる。According to the second aspect of the invention, the pH of the treatment liquid is set to 4.
Since it is set to 2 to 6.4, the resist, the polymer and the like can be surely removed without corroding the metal of the substrate wiring. According to the third invention, since the treatment liquid is a solution containing phosphoric acid, the resist, the polymer and the like can be surely removed without corroding the metal of the substrate wiring. According to the fourth invention, the ozone gas supply means is provided in the middle of the circulation means for circulating the treatment liquid discharged from the treatment tank to the treatment tank again, the ozone gas generation means for generating the ozone gas. Since the treatment liquid includes an ejector for feeding the ozone gas from the ozone gas generating means, so that the ozone gas is mixed in a state where the ozone gas is mixed in the treatment liquid,
The circulating processing liquid can be mixed with ozone gas again so as to contain bubbles of ozone gas, and further, the substrate can be cleaned while efficiently supplying the processing liquid containing the bubbles of ozone gas to the processing bath. .
【００３５】第５の発明によれば、オゾンガスを処理槽
へ供給する前段に、オゾンガス中のNOxを除去するNOx除
去手段を備えているので、生成されたオゾンガスからNO
x成分を除去することができる。第６の発明によれば、
循環手段の途中に、処理液のｐＨを調整するｐＨ制御手
段を備えているので、処理液のｐＨを基板の洗浄に適し
た値に調整することができる。According to the fifth aspect of the present invention, the NOx removing means for removing NOx in the ozone gas is provided in the preceding stage of supplying the ozone gas to the processing tank.
The x component can be removed. According to the sixth invention,
Since the pH control means for adjusting the pH of the treatment liquid is provided in the middle of the circulation means, the pH of the treatment liquid can be adjusted to a value suitable for cleaning the substrate.
【００３６】第７の発明に係る基板洗浄装置において、
オゾンガス供給手段は、処理槽からの処理液を排出する
排出手段と、処理槽へ処理液を供給するための供給手段
と、この供給手段の途中に設けられ、処理液にオゾンガ
スの気泡を含む状態でオゾンガスが混ざるようにオゾン
ガスを送り込むエジェクターとを備えているので、処理
槽へは供給手段によって新しい処理液を供給することが
できるとともに、排出手段により処理槽から処理液を排
出することができるので、処理槽にセットされた基板か
らレジストおよびポリマーなどの付着物を除去すること
ができる。第８の発明に係る基板洗浄装置は、処理槽か
ら排出される処理液を流し捨てにするための排液口を備
えているので、処理液をそのまま流し捨てにすることが
でき、オゾンとレジストの反応物であるカルボン酸が処
理液に蓄積されず、処理液のｐＨが低下しないため、基
板配線の金属を腐食させることなく基板を洗浄すること
ができる。In the substrate cleaning apparatus according to the seventh invention,
The ozone gas supplying means is a discharge means for discharging the processing liquid from the processing tank, a supplying means for supplying the processing liquid to the processing tank, and a state provided in the middle of the supplying means, in which the processing liquid contains bubbles of ozone gas. Since it is equipped with an ejector that feeds ozone gas so that the ozone gas is mixed, it is possible to supply a new treatment liquid to the treatment tank by the supply means and to discharge the treatment liquid from the treatment tank by the discharge means. It is possible to remove deposits such as resist and polymer from the substrate set in the processing tank. Since the substrate cleaning apparatus according to the eighth aspect of the present invention is provided with the drain for discharging the processing liquid discharged from the processing tank, the processing liquid can be discharged as it is, and the ozone and the resist can be discharged. The carboxylic acid, which is a reaction product of the above, is not accumulated in the treatment liquid, and the pH of the treatment liquid does not decrease. Therefore, the substrate can be cleaned without corroding the metal of the substrate wiring.
【００３７】第９の発明によれば、エッチング処理をし
たあとの基板配線の金属表面を溶解することができるｐ
Ｈの処理液に、オゾンガスの気泡を含む状態でオゾンガ
スが混ざるように供給し、基板の洗浄を行なうので、基
板をオゾンガスの気泡を含む処理液によって洗浄するこ
とができ、レジストおよびポリマーなどの付着物が除去
された清浄な基板を得ることができる。第１０の発明に
よれば、処理液のｐＨを４．２〜６．４としているの
で、基板配線の金属を腐食させることなく、レジストお
よびポリマーなどを確実に除去することができる。第１
１の発明によれば、処理液はリン酸を含む溶液からなる
ので、基板配線の金属を腐食させることなく、レジスト
およびポリマーなどを確実に除去することができる。According to the ninth invention, it is possible to dissolve the metal surface of the substrate wiring after the etching treatment.
The substrate is cleaned by supplying ozone gas to the processing liquid H so that the ozone gas is mixed with the bubbles, so that the substrate can be cleaned with the processing liquid containing the bubbles of ozone gas, and the resist and the polymer are attached. It is possible to obtain a clean substrate from which the kimono has been removed. According to the tenth aspect of the invention, since the pH of the treatment liquid is 4.2 to 6.4, the resist, the polymer and the like can be reliably removed without corroding the metal of the substrate wiring. First
According to the first aspect of the invention, since the treatment liquid is a solution containing phosphoric acid, the resist, the polymer and the like can be reliably removed without corroding the metal of the substrate wiring.
【図１】 本発明の一実施の形態である基板洗浄装置を
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】 ｐＨに対する金属膜の膜厚減少量を示した図
である。FIG. 2 is a diagram showing a reduction amount of a metal film with respect to pH.
【図３】 溶解膜を用いた基板洗浄装置を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a substrate cleaning apparatus using a dissolved film.
【図４】 レジスト除去の処理時間の違いを示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing a difference in processing time for resist removal.
【図５】 処理液とレジスト処理結果の関係を示す図で
ある。FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a processing liquid and a resist processing result.
【図６】 本発明の一実施の形態である基板洗浄装置を
示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図７】 本発明の一実施の形態である基板洗浄装置を
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図８】 本発明の一実施の形態である基板洗浄装置を
示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図９】 本発明の一実施の形態である基板洗浄装置を
示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図１０】 本発明の一実施の形態である基板洗浄装置
を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図１１】 本発明の一実施の形態である基板洗浄装置
を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
１ 処理槽、 ２ 基板、 ３ オーバーフロー
槽、 ４ 循環配管、５ ポンプ、 ６ フィルタ
ー、 ７ エジェクター、８ オゾンガス発生器、
９ オゾンガス供給管、 １０ 排気管。1 treatment tank, 2 substrates, 3 overflow tank, 4 circulation piping, 5 pumps, 6 filter, 7 ejector, 8 ozone gas generator,
9 ozone gas supply pipe, 10 exhaust pipe.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 葛本 昌樹 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA14 EA10 FA08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Masaki Kuzumoto 2-3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Ryo Electric Co., Ltd. F-term (reference) 5F004 AA14 EA10 FA08
Claims (11)
するための処理槽と、この処理槽に貯められ、基板配線
の金属表面を溶解することができるｐＨ値の処理液と、
上記処理槽に貯められた処理液へ、オゾンガスの気泡を
含む状態でオゾンガスを送り込むオゾンガス供給手段と
を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。1. A processing tank for cleaning an etched substrate, and a processing solution having a pH value which is stored in the processing tank and is capable of dissolving a metal surface of a substrate wiring.
An apparatus for cleaning a substrate, comprising: an ozone gas supply means for feeding ozone gas into the processing liquid stored in the processing tank in a state of containing ozone gas bubbles.
とを特徴とする請求項１記載の基板洗浄装置。2. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the treatment liquid has a pH of 4.2 to 6.4.
とを特徴とする請求項１または２記載の基板洗浄装置3. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is a solution containing phosphoric acid.
出された処理液を再び処理槽へ循環させるための循環手
段と、オゾンガスを発生させるオゾンガス発生手段と、
上記循環手段の途中に設けられ、処理液にオゾンガスの
気泡を含む状態でオゾンガスが混ざるように、上記オゾ
ンガス発生手段からのオゾンガスを送り込むエジェクタ
ーとを備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいず
れか一つに記載の基板洗浄装置。4. The ozone gas supply means includes a circulation means for circulating the processing liquid discharged from the processing tank to the processing tank again, and an ozone gas generating means for generating ozone gas.
4. An ejector, which is provided in the middle of the circulation means, for feeding the ozone gas from the ozone gas generating means so that the ozone gas is mixed in the treatment liquid in a state where the ozone gas bubbles are contained in the treatment liquid. The substrate cleaning apparatus according to any one of claims.
オゾンガス中のNOxを除去するNOx除去手段を備えたこと
を特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の
基板洗浄装置。5. Before supplying ozone gas to a processing tank,
5. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising NOx removing means for removing NOx in the ozone gas.
するｐＨ制御手段を備えたことを特徴とする請求項１な
いし５のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。6. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a pH control unit for adjusting the pH of the processing liquid in the middle of the circulation unit.
理液を排出する排出手段と、 処理槽へ処理液を供給するための供給手段と、 この供給手段の途中に設けられ、処理液にオゾンガスの
気泡を含む状態でオゾンガスが混ざるようにオゾンガス
を送り込むエジェクターとを備えたことを特徴とする請
求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。7. The ozone gas supply means is a discharge means for discharging the processing liquid from the processing tank, a supplying means for supplying the processing liquid to the processing tank, and an ozone gas for the processing liquid provided in the middle of the supplying means. 4. The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising an ejector for feeding the ozone gas so that the ozone gas is mixed with the bubbles.
にするための排液口を備えたことを特徴とする請求項１
ないし３のいずれか一つにに記載の基板洗浄装置。8. A drainage port for draining and discarding the treatment liquid discharged from the treatment tank is provided.
5. The substrate cleaning apparatus according to any one of 3 to 3.
金属表面を溶解することができるｐＨ値の処理液に、オ
ゾンガスの気泡を含む状態でオゾンガスが混ざるように
供給し、基板の洗浄を行なうことを特徴とする基板洗浄
方法。9. The substrate is cleaned by supplying a treatment liquid having a pH value capable of dissolving the metal surface of the wiring of the substrate after the etching treatment so that the ozone gas is mixed with the ozone gas containing bubbles. A method for cleaning a substrate, comprising:
とを特徴とする請求項９記載の基板洗浄方法。10. The substrate cleaning method according to claim 9, wherein the pH of the processing liquid is 4.2 to 6.4.
とを特徴とする請求項９、または１０記載の基板洗浄方
法。11. The substrate cleaning method according to claim 9, wherein the processing liquid is a solution containing phosphoric acid.
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|---|---|---|---|
| JP2002001326A JP2003086559A (en) | 2001-06-25 | 2002-01-08 | Substrate cleaner and substrate-cleaning method |
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|---|---|---|---|
| JP2001191324 | 2001-06-25 | ||
| JP2001-191324 | 2001-06-25 | ||
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7264680B2 (en) * | 1997-05-09 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece using ozone |
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| WO2021039357A1 (en) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | Substrate processing method |
-
2002
- 2002-01-08 JP JP2002001326A patent/JP2003086559A/en active Pending
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