JP2003077798A

JP2003077798A - 近接効果補正方法及びデバイス製造方法

Info

Publication number: JP2003077798A
Application number: JP2001263859A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Nakasuji; 護中筋
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-08-31
Filing date: 2001-08-31
Publication date: 2003-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】より適切にパターン寸法のリサイズを行うこ
とにより、近接効果を良好に補正できる近接効果補正方
法等を提供する。【解決手段】パターン充填率Ｒが最大な区域のパター
ン充填率Ｒ_maxを、予め設定しておいた値Ｒ₁及びＲ₂と
比較し、Ｒ_max≧Ｒ₁の場合は、パターン充填率の高い区
域でマイナスリサイズを行い、パターン充填率の最小の
区域ではリサイズを行わず、Ｒ₁＞Ｒ_max≧Ｒ₂の場合
は、パターン充填率が中間の区域でリサイズを行わず、
パターン充填率が高い区域ではマイナスリサイズを行
い、パターン充填率が低い区域ではプラスリサイズを行
い、Ｒ₂＞Ｒ_maxの場合は、パターン充填率の最大の区域
ではリサイズを行わず、パターン充填率が低い区域では
プラスリサイズを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、最小線幅0.1μm
未満の高精度・高密度パターンをも高スループットで形
成することを企図する電子線転写露光における近接効果
補正方法に関する。特には、より適切にパターン寸法の
リサイズを行うことにより、近接効果を良好に補正でき
る近接効果補正方法に関する。また、そのような近接効
果補正方法を用いて電子線露光工程を行うデバイス製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在のところ、半導体集積回路のリソグ
ラフィーにおける各ウェハ（感応基板）への露光は、紫
外線を用いるいわゆるステッパーによるものが主流であ
る。電子線露光は、ステッパーにパターン原版として装
着されるマスクの描画には用いられているが、ウェハの
量産リソグラフィー工程にはまだ用いられていない。し
かし、最近では、より高集積・超微細のパターンを形成
するため、各ウェハの露光にも電子線転写露光を用いる
との提案がなされている。

【０００３】ところで、電子線露光はスループットが低
いのが欠点とされており、その欠点を解消すべく様々な
技術開発がなされてきた。現在では、セルプロジェクシ
ョン、キャラクタープロジェクションあるいはブロック
露光と呼ばれる図形部分一括露光方式が実用化されてい
る。図形部分一括露光方式では、繰り返し性のある回路
小パターン（ウェハ上で５μm 角程度）を、同様の小パ
ターンが複数種類形成されたマスクを用いて、１個の小
パターンを一単位として繰り返し転写露光を行う。しか
し、この方式でも、繰り返し性のないパターン部分につ
いては可変成形方式の描画を行う。そのため、ウェハの
量産リソグラフィー工程で望まれる程度のスループット
は得られない。

【０００４】図形部分一括露光方式よりも飛躍的に高い
スループットをねらう電子線転写露光方式として、一個
の半導体チップ全体の回路パターンを備えたマスクを準
備し、そのマスクのある範囲に電子線を照射し、その照
射範囲のパターンの像を投影レンズにより縮小転写する
電子線縮小転写装置が提案されている。

【０００５】この種の装置では、マスクの全範囲に一括
して電子線を照射して一度にパターンを転写しようとす
ると、精度良くパターンを転写することができない。ま
た、原版となるマスクの製作が困難である。そこで、最
近精力的に検討されている方式は、１ダイ（ウェハ上の
チップ）又は複数ダイを一度に露光するのではなく、光
学系としては大きな光学フィールドを持つが、パターン
は小さな領域（サブフィールド）に分割して転写露光す
るという方式である（ここでは分割転写方式と呼ぶこと
とする）。この際この小領域毎に、被露光面上に結像さ
れる前記小領域の像の焦点やフィールドの歪み等の収差
を補正しながら露光する。これにより、ダイ全体の一括
転写に比べて、光学的に広い領域にわたって解像度並び
に精度の良い露光を行うことができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェハ等の
感応基板に電子線を照射して露光する際には、基板から
の後方散乱電子によって、各部分の実際の露光量がその
近傍のパターン分布に従って変化する近接効果が生じ
る。近接効果は、感応基板の露光部分に入射した電子が
散乱しながら広がり、周囲の非露光部にエネルギを与え
ることにより起こる。

【０００７】この近接効果を補正する方法としては、予
めパターン寸法を変更したマスクを用いて露光する方法
がある。このパターン寸法の変更は、以下のように、あ
るパターン密度部を基準として、他の部分のパターン寸
法を変更（リサイズ）することにより行うとされてい
る。低密度部のパターン寸法を不変（基準）とし、高密
度部のパターン寸法を細くする（マイナスリサイズ）高密度部のパターン寸法を不変（基準）とし、低密
度部のパターン寸法を太らせる（プラスリサイズ）中間の密度部を不変（基準）とし、高密度部のパタ
ーン寸法を細くし、低密度部のパターン寸法を太らせるしかし、どの密度部でのパターン寸法を基準とした場合
が最も良く近接効果を補正できるか不明であるという問
題点があった。なお、ドーズ量とパターン寸法の関係
は、原理的には現像レベルを調整することによって、操
作可能である。

【０００８】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たものであって、より適切にパターン寸法のリサイズを
行うことにより、近接効果を良好に補正できる近接効果
補正方法等を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そこで、上記の課題を解
決するため、本発明の近接効果補正方法は、感応基板
上に転写すべきパターンをマスク上に形成し、該マス
クを電子線照明し、該マスクを通過した電子線を前記感
応基板上に投影して前記パターンを前記感応基板上に転
写露光する際に、予め前記マスク上のパターンの各要
素に寸法変化（リサイズ）を与えておいて近接効果を補
正する方法であって；パターン領域を、感応基板上に
おける後方散乱電子の拡がり半径よりも小さい寸法の区
域に区分し、各区域におけるパターン充填率Ｒを算出
し、前記区域のうち、最小線幅又は最小線間隔のパタ
ーンを含む区域であって、パターン充填率Ｒが最大な区
域のパターン充填率Ｒ_maxを選択し、予め設定してお
いた値Ｒ₁及びＲ₂（Ｒ₁＞Ｒ₂）と前記Ｒ_maxとを比較
し、Ｒ_max≧Ｒ₁の場合は、パターン充填率が高い区域
でマスク上のパターンを小さくするリサイズ（マイナス
リサイズ）を行い、Ｒ₁＞Ｒ_max≧Ｒ₂の場合は、パター
ン充填率が中間の区域でリサイズを行わず、パターン充
填率が高い区域ではマイナスリサイズを行い、パターン
充填率が低い区域ではマスク上のパターンを大きくする
リサイズ（プラスリサイズ）を行い、Ｒ₂＞Ｒ_maxの場合
は、パターン充填率の最大の区域ではリサイズを行わ
ず、パターン充填率が低い区域ではプラスリサイズを行
う、ことを特徴とする。

【００１０】前記近接効果補正方法においては、前記
区域毎のリサイズの量Ｒ_Sを、（該区域でのビームボ
ケ）×（リサイズを行わない区域における後方散乱電子
量と該区域での後方散乱電子量との差）に比例する値と
することが好ましい。

【００１１】前記近接効果補正方法においては、前記
後方散乱電子量を、各区域に該区域のパターン充填率に
対応する面積の１つの図形があると仮定して算出するこ
とができる。

【００１２】本発明のデバイス製造方法は、前記の近接
効果補正方法等を用いるリソグラフィー工程を含むこと
を特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。まず、分割転写方式の荷電粒子線投影露光装置の光
学系全体における結像関係及び制御系の概要について図
面を参照しつつ説明する。図３は、分割転写方式の荷電
粒子線投影露光装置の光学系全体における結像関係及び
制御系の概要を示す図である。光学系の最上流に配置さ
れている電子銃１０１は、下方に向けて電子線を放射す
る。電子銃１０１の下方には２段のコンデンサレンズ１
０２、１０３が備えられており、電子線は、これらのコ
ンデンサレンズ１０２、１０３によって収束されブラン
キング開口１０７にクロスオーバーC.O.を結像する。

【００１４】二段目のコンデンサレンズ１０３の下に
は、矩形開口１０４が備えられている。この矩形開口
（照明ビーム成形開口）１０４は、レチクル（マスク）
１１０の一つのサブフィールド（露光の１単位となるパ
ターン小領域）を照明する照明ビームのみを通過させ
る。この開口１０４の像は、レンズ１０９によってレチ
クル１１０に結像される。

【００１５】ビーム成形開口１０４の下方には、ブラン
キング偏向器１０５が配置されている。同偏向器１０５
は、必要時に照明ビームを偏向させてブランキング開口
１０７の非開口部に当て、ビームがレチクル１１０に当
たらないようにする。ブランキング開口１０７の下に
は、照明ビーム偏向器１０８が配置されている。この偏
向器１０８は、主に照明ビームを図３の横方向（Ｘ方
向）に順次走査して、照明光学系の視野内にあるレチク
ル１１０の各サブフィールドの照明を行う。偏向器１０
８の下方には、照明レンズ１０９が配置されている。照
明レンズ１０９は、レチクル１１０上にビーム成形開口
１０４を結像させる。

【００１６】レチクル１１０は、実際には光軸垂直面内
（Ｘ−Ｙ面）に広がっており、多数のサブフィールドを
有する。レチクル１１０上には、全体として一個の半導
体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）が
形成されている。もちろん、複数のレチクルに１個の半
導体デバイスチップをなすパターンを分割して配置して
も良い。

【００１７】レチクル１１０は移動可能なレチクルステ
ージ１１１上に載置されており、レチクル１１０を光軸
垂直方向（ＸＹ方向）に動かすことにより、照明光学系
の視野よりも広い範囲に広がるレチクル上の各サブフィ
ールドを照明することができる。レチクルステージ１１
１には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１１２が付設
されており、レチクルステージ１１１の位置をリアルタ
イムで正確に把握することができる。

【００１８】レチクル１１０の下方には投影レンズ１１
５及び１１９並びに偏向器１１６が設けられている。レ
チクル１１０の１つのサブフィールドを通過した電子線
は、投影レンズ１１５、１１９、偏向器１１６によって
ウェハ１２３上の所定の位置に結像される。ウェハ１２
３上には、適当なレジストが塗布されており、レジスト
に電子線のドーズが与えられ、レチクル上のパターンが
縮小されてウェハ１２３上に転写される。

【００１９】レチクル１１０とウェハ１２３の間を縮小
率比で内分する点にクロスオーバーC.O.が形成され、同
クロスオーバー位置にはコントラスト開口１１８が設け
られている。同開口１１８は、レチクル１１０の非パタ
ーン部で散乱された電子線がウェハ１２３に到達しない
よう遮断する。

【００２０】ウェハ１２３の直上には反射電子検出器１
２２が配置されている。この反射電子検出器１２２は、
ウェハ１２３の被露光面やステージ上のマークで反射さ
れる電子の量を検出する。例えばレチクル１１０上のマ
ークパターンを通過したビームでウェハ１２３上のマー
クを走査し、その際のマークからの反射電子を検出する
ことにより、レチクル１１０と１２３の相対的位置関係
を知ることができる。

【００２１】ウェハ１２３は、静電チャック（図示され
ず）を介して、ＸＹ方向に移動可能なウェハステージ１
２４上に載置されている。上記レチクルステージ１１１
とウェハステージ１２４とを、互いに逆の方向に同期走
査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチ
ップパターン内の各部を順次露光することができる。な
お、ウェハステージ１２４にも、上述のレチクルステー
ジ１１１と同様の位置検出器１２５が装備されている。

【００２２】上記各レンズ１０２、１０３、１０９、１
１５、１１９及び各偏向器１０５、１０８、１１６は、
各々のコイル電源制御部１０２ａ、１０３ａ、１０９
ａ、１１５ａ、１１９ａ及び１０５ａ、１０８ａ、１１
６ａを介してコントローラ１３１によりコントロールさ
れる。また、レチクルステージ１１１及びウェハステー
ジ１２４も、ステージ制御部１１１ａ、１２４ａを介し
て、コントローラ１３１により制御される。ステージ位
置検出器１１２、１２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を
含むインターフェース１１２ａ、１２５ａを介してコン
トローラ１３１に信号を送る。また、反射電子検出器１
２２も同様のインターフェース１２２ａを介してコント
ローラ１３１に信号を送る。

【００２３】コントローラ１３１は、ステージ位置の制
御誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１１６で
補正する。これにより、レチクル１１０上のサブフィー
ルドの縮小像がウェハ１２３上の目標位置に正確に転写
される。そして、ウェハ１２３上で各サブフィールド像
が繋ぎ合わされて、レチクル上のチップパターン全体が
ウェハ上に転写される。

【００２４】次に、本発明の第１の実施の形態に係る近
接効果補正方法について説明する。本発明では、リサイ
ズ補正を施すパターン寸法の増減の基準を決め、線幅精
度のばらつきを最も小さくする方法を提案する。露光条
件の変化があった場合に線幅ばらつきを最小にするに
は、ビームボケが一定の場合には、通常はドーズコント
ラストを大きくするしかない。ここで、ドーズコントラ
ストは、ドーズ分布の最大値をＩ_max、最小値をＩ_minと
した際に、（Ｉ_max−Ｉ_min）／（Ｉ_max＋Ｉ_min）で表現
される。例えば、一定ピッチで配置されるラインアンド
スペースのパターンの場合には、ラインとスペースの比
が１：１の時に最もコントラストが大きく、比が１：１
から外れるに従ってドーズコントラストが低下する。ま
た、チップパターン全体においては、最小線幅あるいは
最小線間隔を含み、最大密度を持つパターン領域が最も
近接効果によるパターン劣化が激しい。

【００２５】しかし、実際に設計される２次元的なパタ
ーンの場合、ラインとスペースの比は定義することが困
難である。そのため、本発明の近接効果補正方法におい
ては、ラインとスペースの比の換わりに、パターンの充
填率（Filling Factor）をとるようにした。

【００２６】図１は、本発明の実施の形態に係る近接効
果補正方法を説明するための図である。図１には、マイ
コン等のパターン１が示されている。パターン１には、
比較的高密度にパターンの形成されたメモリ部２と、メ
モリ部２より低密度にパターンの形成されたメモリ部３
と、メモリ部３よりさらに低密度にパターンの形成され
たロジック部４、５が形成されている。このパターン１
の形成されたチップ全体を、後方散乱電子の拡がり半径
６０μmの１／１０の寸法の６μm角の区域（サブフィー
ルド）に分割し、各区域でのパターンの充填率を算出し
た。

【００２７】そこで、予め２つのパターン充填率Ｒ
₁（５０％）及びＲ₂（２５％）を設定し、最大密度を持
つメモリ部２の最大密度部２ａでのパターンの充填率Ｒ
_maxを算出し、その値を以下の３つに分類する。Ｒ_max≧Ｒ₁ Ｒ₁＞Ｒ_max≧Ｒ₂ Ｒ₂＞Ｒ_max

【００２８】この例においては、メモリ部２の最大密度
部２ａのパターン充填率Ｒ_max（２ａ）は５２％であっ
た。この値は、予め設定されたパターン充填率Ｒ₁（５
０％）より大きいので、メモリ部２の中央部で線幅が小
さくなる方向にマイナスリサイズを行う。メモリ部２の
周辺部や、メモリ部２より低密度にパターンの形成され
たメモリ部３の中央部ではリサイズを行わない。メモリ
３の周辺部やメモリ部３よりさらに低密度にパターンの
形成されたロジック部４、５で線幅を太らせる方向にプ
ラスリサイズを行う。

【００２９】また、このチップの別のレイヤーにおいて
は、メモリ部２の最大密度部２ａのパターン充填率Ｒ
_max（２ａ′）は２２％であった。この値は、予め設定
されたパターン充填率Ｒ₂（２５％）より小さいので、
メモリ部２のパターン充填率の最大の区域２ａではリサ
イズを行わない。他のパターン充填率が低い区域では
（該区域でのビームボケ）×（リサイズを行わない区域
における後方散乱電子量と該区域での後方散乱電子量と
の差）に比例する値だけプラスリサイズを行う。

【００３０】さらに、このチップの別のレイヤーにおい
ては、メモリ部２の最大密度部２ａのパターン充填率Ｒ
_max（２ａ′′）は３０％であった。この値は、予め設
定されたパターン充填率Ｒ₁（５０％）より小さく、パ
ターン充填率Ｒ₂（２５％）より大きいので、メモリ部
２の最大密度部２ａ等のパターン充填率が高い区域では
マイナスリサイズを行い、メモリ部３の周辺区域３ａ等
のパターン充填率が中間の区域ではリサイズを行わず、
ロジック部４、５等のパターン充填率が低い区域ではマ
スク上のパターンを大きくするリサイズ（プラスリサイ
ズ）を行う。

【００３１】次に、図２を参照しつつ、上述のリサイズ
量の算出方法について説明する。各区域での後方散乱電
子量をダブルガウシアン分布と仮定し、各区域とその周
辺部でリサイズ量を算出した。また、各区域でのビーム
ボケ量を、サブフィールドの光軸からの距離やビーム電
流値から算出した。これらの値と該区域でのドーズ分布
からパターン寸法補正量を算出する。

【００３２】図２は、ウェハ面上のある区域でのドーズ
分布を示す図である。図２には、ウェハ面上のある区域
でのＸ方向位置とその時のドーズ量の分布が示されてい
る。ドーズ量は、中央部分では１００％であるが、中央
から離れるに従って、低くなっている。図２において、
ドーズ量が１２％から８８％に立ち上がる箇所がビーム
ボケである。図中の水平線２１はパターン寸法を補正し
ない区域での後方散乱電子量を示すものであり、水平線
２２はパターン寸法を補正する区域での後方散乱電子量
を示すものである。ここで、水平線２１と２２の後方散
乱電子量の差（リサイズを行わない区域における後方散
乱電子量と該区域での後方散乱電子量との差）に符号２
３を付し、その時の補正量に符号２４を付してある。

【００３３】ここで、図中の相似性から、電子量差２３：補正量２４＝（８８％−１２％）：（ビ
ームボケ）となる。したがって、寸法補正（リサイズ）量２４＝（ビームボケ）×（電子
量差２３）／７６％となる。

【００３４】上述のように、各区域での後方散乱電子量
をダブルガウシアン分布と仮定し、各区域とその周辺部
で後方散乱電子量を算出し、また、各区域でのビームボ
ケ量を、サブフィールドの光軸からの距離やビーム電流
値から算出する。さらに、これらの値と該区域でのドー
ズ分布からパターン寸法補正量を算出できる。

【００３５】なお、後方散乱電子量の算出においては、
各区域毎に、該区域でのパターン充填率に対応する面積
の１つの代表図形を置いてダブルガウシアン分布を仮定
して算出するようにした。

【００３６】次に上記説明した電子線転写露光装置を利
用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図４は、
微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
製造のフローを示す。

【００３７】ステップ１（回路設計）では、半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。この時、上述のようにリサイズを施すことにより近
接効果や空間電荷効果によるビームボケの補正を行う。
一方、ステップ３（ウェハ製造）では、シリコン等の材
料を用いてウェハを製造する。

【００３８】ステップ４（酸化）では、ウェハの表面を
酸化させる。ステップ５（ＣＶＤ）では、ウェハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ６（電極形成）では、ウェ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ７（イオ
ン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステッ
プ８（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布す
る。ステップ９（電子ビーム露光）では、ステップ２で
作ったマスクを用いて電子ビーム転写装置によって、マ
スクの回路パターンをウェハに焼付露光する。ステップ
１０（光露光）では、同じくステップ２で作った光露光
用マスクを用いて、光ステッパーによってマスクの回路
パターンをウェハに焼付露光する。ステップ９におい
て、上述の近接効果補正方法を利用する。

【００３９】ステップ１１（現像）では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ１２（エッチング）では、レジ
スト像以外の部分を選択的に削り取る。ステップ１３
（レジスト剥離）では、エッチングがすんで不要となっ
たレジストを取り除く。ステップ４からステップ１３を
繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。

【００４０】ステップ１４（組立）は、後工程と呼ば
れ、上の工程によって作製されたウェハを用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ１５（検査）では、ステ
ップ１４で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成しこれが出荷（ステップ１６）さ
れる。

【００４１】以上図１〜図４を参照しつつ、本発明の実
施の形態に係る近接効果補正方法等について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な変
更を加えることができる。

【００４２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、より適切にパターン寸法のリサイズを行うこ
とにより、近接効果を良好に補正できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る近接効果補正方法を
説明するための図である。

【図２】ウェハ面上のある区域でのドーズ分布を示す図
である。

【図３】分割転写方式の荷電粒子線投影露光装置の光学
系全体における結像関係及び制御系の概要を示す図であ
る。

【図４】微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す。

【符号の説明】

１パターン２、３メモリ部２ａ最大密度部３ａ周辺区域４、５ロジック部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】感応基板上に転写すべきパターンをマス
ク上に形成し、該マスクを電子線照明し、該マスクを通過した電子線を前記感応基板上に投影して
前記パターンを前記感応基板上に転写露光する際に、予め前記マスク上のパターンの各要素に寸法変化（リサ
イズ）を与えておいて近接効果を補正する方法であっ
て；パターン領域を、感応基板上における後方散乱電子
の拡がり半径よりも小さい寸法の区域に区分し、各区域におけるパターン充填率Ｒを算出し、前記区域のうち、最小線幅又は最小線間隔のパターンを
含む区域であって、パターン充填率Ｒが最大な区域のパ
ターン充填率Ｒ_maxを選択し、予め設定しておいた値Ｒ₁及びＲ₂（Ｒ₁＞Ｒ₂）と前記Ｒ
_maxとを比較し、Ｒ_max≧Ｒ₁の場合は、パターン充填率が高い区域でマス
ク上のパターンを小さくするリサイズ（マイナスリサイ
ズ）を行い、Ｒ₁＞Ｒ_max≧Ｒ₂の場合は、パターン充填率が中間の区
域でリサイズを行わず、パターン充填率が高い区域では
マイナスリサイズを行い、パターン充填率が低い区域で
はマスク上のパターンを大きくするリサイズ（プラスリ
サイズ）を行い、Ｒ₂＞Ｒ_maxの場合は、パターン充填率の最大の区域では
リサイズを行わず、パターン充填率が低い区域ではプラ
スリサイズを行う、ことを特徴とする近接効果補正方
法。
【請求項２】前記区域毎のリサイズの量Ｒ_Sを、（該
区域でのビームボケ）×（リサイズを行わない区域にお
ける後方散乱電子量と該区域での後方散乱電子量との
差）に比例する値とすることを特徴とする請求項１記載
の近接効果補正方法。
【請求項３】前記後方散乱電子量を、各区域に該区域
のパターン充填率に対応する面積の１つの図形があると
仮定して算出することを特徴とする請求項２記載の近接
効果補正方法。
【請求項４】電子線を用いたリソグラフィー工程にお
いて、請求項１〜３いずれか１項記載の方法により近接
効果補正を行うことを特徴とするデバイス製造方法。