JP2003077336A - 導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ - Google Patents
導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサInfo
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 たわみ強度が大きく、高温時における絶縁抵
抗の劣化が生じない高信頼性の導電性ペーストを提供す
る。 【解決手段】 本発明の導電性ペーストは、ガラスフ
リットが酸化物換算で、SrO:5〜40重量%、Ba
O:10〜50重量%、ZnO:10〜30重量%、B
2O3:15〜30重量%、SiO2:3〜20重量%を
含有するとともに、金属粉末100重量%に対してガラ
スフリットが0.5〜10重量%含有される導電性ペー
ストである。また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、このペーストを外部電極として、チタン酸バリウム
を主成分とする誘電体層に焼き付けることにより形成し
てなる積層セラミックコンデンサである。
抗の劣化が生じない高信頼性の導電性ペーストを提供す
る。 【解決手段】 本発明の導電性ペーストは、ガラスフ
リットが酸化物換算で、SrO:5〜40重量%、Ba
O:10〜50重量%、ZnO:10〜30重量%、B
2O3:15〜30重量%、SiO2:3〜20重量%を
含有するとともに、金属粉末100重量%に対してガラ
スフリットが0.5〜10重量%含有される導電性ペー
ストである。また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、このペーストを外部電極として、チタン酸バリウム
を主成分とする誘電体層に焼き付けることにより形成し
てなる積層セラミックコンデンサである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性ペースト及
びそれを外部電極に用いた積層セラミックコンデンサに
関するものである。
びそれを外部電極に用いた積層セラミックコンデンサに
関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、積層セラミックコンデンサの外
部電極は、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分
とする誘電体層と、内部電極とを交互に積層して成る誘
電体ブロックの両端面に導電性ペーストを塗布形成し、
その導電性ペーストを焼き付けることによって形成す
る。この導電性ペーストは、金属粉末及びガラスフリッ
トをビヒクル中に分散することによって得られる。この
中で金属粉末は、Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt
等、またはこれらの混合物からなる。内部電極にFe、
Co、Ni、Cu等の卑金属を用いた積層セラミックコ
ンデンサの場合は、外部電極には低価格という点で通常
Ni及びCuが用いられているが、高導電性という点で
Cuが用いられることが多い。外部電極の金属粉末にC
uを用いた場合、Cuの酸化を抑止するために、通常、
焼き付けは還元性雰囲気で行われる。この還元性雰囲気
で焼き付けが可能な導電性ペーストに用いられるガラス
フリットとして、BaO−ZnO−B2O3−SiO2系
のガラスフリットが提案されている。
部電極は、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分
とする誘電体層と、内部電極とを交互に積層して成る誘
電体ブロックの両端面に導電性ペーストを塗布形成し、
その導電性ペーストを焼き付けることによって形成す
る。この導電性ペーストは、金属粉末及びガラスフリッ
トをビヒクル中に分散することによって得られる。この
中で金属粉末は、Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt
等、またはこれらの混合物からなる。内部電極にFe、
Co、Ni、Cu等の卑金属を用いた積層セラミックコ
ンデンサの場合は、外部電極には低価格という点で通常
Ni及びCuが用いられているが、高導電性という点で
Cuが用いられることが多い。外部電極の金属粉末にC
uを用いた場合、Cuの酸化を抑止するために、通常、
焼き付けは還元性雰囲気で行われる。この還元性雰囲気
で焼き付けが可能な導電性ペーストに用いられるガラス
フリットとして、BaO−ZnO−B2O3−SiO2系
のガラスフリットが提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、BaO
−ZnO−B2O3−SiO2系ガラスフリットは焼き付
け時に誘電体層中に浸透しやすいため、焼き付け後の冷
却時に誘電体層とガラスフリットの熱膨張係数の差によ
り、誘電体層中にガラスフリットが浸透した部分付近に
微小なクラックが発生したり、積層セラミックコンデン
サを例えばガラエポ基板に半田実装した場合、ガラエポ
基板のたわみによって生じる応力に耐えられず、誘電体
ブロックが破壊するという問題があった。このメカニズ
ムは明らかではないが、誘電体層もガラスフリットもB
aを主成分とするため、それぞれに含まれるBa原子同
士に分子間力が働きやすく、ガラスフリットが誘電体層
中に浸透しやすくなると考えられる。また、上記クラッ
クが発生してしまうと、外部電極の金属粉末にCuを用
いた場合、焼き付けは還元性雰囲気で行われるため、例
えば誘電体層としてチタン酸バリウム(BaTiO3)
を用いた場合、クラックの表面に露出しているBaTi
O3のO原子が引き抜かれてしまい、その誘電体層の部
分が還元されて半導体化し、誘電体ブロックとして絶縁
抵抗が低下するという問題点があった。
−ZnO−B2O3−SiO2系ガラスフリットは焼き付
け時に誘電体層中に浸透しやすいため、焼き付け後の冷
却時に誘電体層とガラスフリットの熱膨張係数の差によ
り、誘電体層中にガラスフリットが浸透した部分付近に
微小なクラックが発生したり、積層セラミックコンデン
サを例えばガラエポ基板に半田実装した場合、ガラエポ
基板のたわみによって生じる応力に耐えられず、誘電体
ブロックが破壊するという問題があった。このメカニズ
ムは明らかではないが、誘電体層もガラスフリットもB
aを主成分とするため、それぞれに含まれるBa原子同
士に分子間力が働きやすく、ガラスフリットが誘電体層
中に浸透しやすくなると考えられる。また、上記クラッ
クが発生してしまうと、外部電極の金属粉末にCuを用
いた場合、焼き付けは還元性雰囲気で行われるため、例
えば誘電体層としてチタン酸バリウム(BaTiO3)
を用いた場合、クラックの表面に露出しているBaTi
O3のO原子が引き抜かれてしまい、その誘電体層の部
分が還元されて半導体化し、誘電体ブロックとして絶縁
抵抗が低下するという問題点があった。
【0004】このような絶縁抵抗の低下は、例えば積層
セラミックコンデンサを125℃、定格電圧×2倍の条
件下で放置する高温負荷試験において顕著に現れ、その
値は、2桁以上低下する。また、このような現象は、積
層セラミックコンデンサを薄膜多積層化したときに顕著
に現れていた。
セラミックコンデンサを125℃、定格電圧×2倍の条
件下で放置する高温負荷試験において顕著に現れ、その
値は、2桁以上低下する。また、このような現象は、積
層セラミックコンデンサを薄膜多積層化したときに顕著
に現れていた。
【0005】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、たわみ強度が大きく得られ
て、高温時における絶縁抵抗の劣化が生じない信頼性の
高い導電性ペースト及び積層セラミックコンデンサを提
供することである。
たものであり、その目的は、たわみ強度が大きく得られ
て、高温時における絶縁抵抗の劣化が生じない信頼性の
高い導電性ペースト及び積層セラミックコンデンサを提
供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性ペースト
は、少なくとも金属粉末、BaO−SrO−ZnO−B
2O3−SiO2系ガラスフリットを含んでなる導電性ペ
ーストであって、前記ガラスフリットは酸化物換算で、
BaO:10〜50重量%、SrO:5〜40重量%、
ZnO:10〜30重量%、B2O3:15〜30重量
%、SiO 2:3〜20重量%を含有するとともに、前
記金属粉末100重量%に対して、ガラスフリットが
0.5〜10重量%含有されていることを特徴とする。
は、少なくとも金属粉末、BaO−SrO−ZnO−B
2O3−SiO2系ガラスフリットを含んでなる導電性ペ
ーストであって、前記ガラスフリットは酸化物換算で、
BaO:10〜50重量%、SrO:5〜40重量%、
ZnO:10〜30重量%、B2O3:15〜30重量
%、SiO 2:3〜20重量%を含有するとともに、前
記金属粉末100重量%に対して、ガラスフリットが
0.5〜10重量%含有されていることを特徴とする。
【0007】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層を複数積
層して成る誘電体ブロックの各層間に内部電極を配設す
るとともに、該内部電極を前記誘電体ブロックの端面に
延出させ、該各延出部に前記誘電体ブロックの端面に請
求項1の導電性ペーストを用いて形成した外部電極を接
続したことを特徴とする。
は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層を複数積
層して成る誘電体ブロックの各層間に内部電極を配設す
るとともに、該内部電極を前記誘電体ブロックの端面に
延出させ、該各延出部に前記誘電体ブロックの端面に請
求項1の導電性ペーストを用いて形成した外部電極を接
続したことを特徴とする。
【作用】本発明の導電性ペーストは、BaO−SrO−
ZnO−B2O3−SiO2系ガラスフリットが用いられ
ている。このため、チタン酸バリウムを主成分とする誘
電体層を用いて外部電極を形成すると、ガラスフリット
は焼成時に誘電体層中に浸透しにくくなる。これは、従
来から使用されてきたBaO−ZnO−B2O3−SiO
2系ガラスフリットのBa原子の一部をSr原子に置き
換えたため、Ba原子−Sr原子間の分子間力はBa原
子同士の分子間力に比べて小さいことから、ガラスフリ
ットが誘電体層中に浸透しにくくなると考えられる。
ZnO−B2O3−SiO2系ガラスフリットが用いられ
ている。このため、チタン酸バリウムを主成分とする誘
電体層を用いて外部電極を形成すると、ガラスフリット
は焼成時に誘電体層中に浸透しにくくなる。これは、従
来から使用されてきたBaO−ZnO−B2O3−SiO
2系ガラスフリットのBa原子の一部をSr原子に置き
換えたため、Ba原子−Sr原子間の分子間力はBa原
子同士の分子間力に比べて小さいことから、ガラスフリ
ットが誘電体層中に浸透しにくくなると考えられる。
【0008】ここで、Sr原子はBa原子と同じアルカ
リ土類金属であるため、静電容量などの他の特性は大き
く変化することはない。このため、本発明の導電性ペー
ストを用いて外部電極を形成した積層セラミックコンデ
ンサは、たわみ強度が大きく、高温負荷試験での絶縁抵
抗に優れており、極めて信頼性が高い導電性ペーストを
得ることができる。
リ土類金属であるため、静電容量などの他の特性は大き
く変化することはない。このため、本発明の導電性ペー
ストを用いて外部電極を形成した積層セラミックコンデ
ンサは、たわみ強度が大きく、高温負荷試験での絶縁抵
抗に優れており、極めて信頼性が高い導電性ペーストを
得ることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0010】本発明の導電性ペーストは、金属粉末、B
aO−SrO−ZnO−B2O3−SiO2系ガラスフリ
ット、及びビヒクルを含有する。このガラスフリット
は、金属粉末の永久バインダとなるものである。
aO−SrO−ZnO−B2O3−SiO2系ガラスフリ
ット、及びビヒクルを含有する。このガラスフリット
は、金属粉末の永久バインダとなるものである。
【0011】本発明では、ガラスフリット組成は酸化物
換算で、SrO:5〜40重量%、好ましくは10〜2
0重量%、BaO:10〜50重量%、好ましくは15
〜35重量%、ZnO:10〜30重量%、好ましく
は、15〜25重量%、B2O3:15〜30重量%、好
ましくは、20〜25重量%、SiO2:3〜20重量
%、好ましくは、5〜15重量%を含有する。
換算で、SrO:5〜40重量%、好ましくは10〜2
0重量%、BaO:10〜50重量%、好ましくは15
〜35重量%、ZnO:10〜30重量%、好ましく
は、15〜25重量%、B2O3:15〜30重量%、好
ましくは、20〜25重量%、SiO2:3〜20重量
%、好ましくは、5〜15重量%を含有する。
【0012】すなわち、SrOが5重量%未満である
と、ガラスフリットの浸透によるクラック、たわみ強度
の低下が生じ、高温時における絶縁抵抗が劣化する。ま
た、40重量%を超えるとガラス溶融粘度が高くなり、
失透する。BaOが10重量%未満であるとガラス化が
困難であり、50重量%を超えると失透する。ZnOが
10重量%未満であると軟化点が高くなり、30重量%
を超えると結晶化する。B2O3は15重量%未満ではガ
ラス化が困難であり、30重量%を超えると耐酸性が劣
る。SiO2は、3重量%未満ではガラス化が困難とな
り、さらに耐酸性が低下する。20重量%を超えると軟
化温度が高くなり、使用に適さない。
と、ガラスフリットの浸透によるクラック、たわみ強度
の低下が生じ、高温時における絶縁抵抗が劣化する。ま
た、40重量%を超えるとガラス溶融粘度が高くなり、
失透する。BaOが10重量%未満であるとガラス化が
困難であり、50重量%を超えると失透する。ZnOが
10重量%未満であると軟化点が高くなり、30重量%
を超えると結晶化する。B2O3は15重量%未満ではガ
ラス化が困難であり、30重量%を超えると耐酸性が劣
る。SiO2は、3重量%未満ではガラス化が困難とな
り、さらに耐酸性が低下する。20重量%を超えると軟
化温度が高くなり、使用に適さない。
【0013】また、Al2O3:10重量%以下、好まし
くは、1〜5重量%、Na2O:0〜20重量、好まし
くは5〜10重量%を含有する。Al2O3は必ずしも含
まなくて良いが、ガラスフリットの耐酸性を上げるのに
含有することが好ましい。含みすぎ、すなわち10重量
%を超えるとガラスフリットの流動性が損なわれ使用に
適さない。Na2Oは必ずしも含有する必要はないが、
ガラスフリットの軟化点を下げるのに含有することが好
ましい。含みすぎ、すなわち20重量%を超えるとガラ
ス化が困難となり、使用に適さない。このような組成を
有するガラスフリットの軟化点は、500〜700℃で
ある。尚、ガラスフリットとして単一のガラスフリット
を使用してもよいが、2種以上のガラスフリットの混合
物で、各成分酸化物の合計が前記の比率となるものを用
いても効果は同じである。
くは、1〜5重量%、Na2O:0〜20重量、好まし
くは5〜10重量%を含有する。Al2O3は必ずしも含
まなくて良いが、ガラスフリットの耐酸性を上げるのに
含有することが好ましい。含みすぎ、すなわち10重量
%を超えるとガラスフリットの流動性が損なわれ使用に
適さない。Na2Oは必ずしも含有する必要はないが、
ガラスフリットの軟化点を下げるのに含有することが好
ましい。含みすぎ、すなわち20重量%を超えるとガラ
ス化が困難となり、使用に適さない。このような組成を
有するガラスフリットの軟化点は、500〜700℃で
ある。尚、ガラスフリットとして単一のガラスフリット
を使用してもよいが、2種以上のガラスフリットの混合
物で、各成分酸化物の合計が前記の比率となるものを用
いても効果は同じである。
【0014】また、導電性ペースト中のガラスフリット
の含有量は、金属粉末100重量部に対して0.5〜1
0重量%、特に3〜8重量%とすることが望ましい。す
なわち、0.5重量%以上にすることにより、より十分
な接着強度が得られる。また、10重量%を越える場合
には、焼き付け後に電極表面にガラス浮きが生じ、メッ
キが付着しにくくなる傾向にある。
の含有量は、金属粉末100重量部に対して0.5〜1
0重量%、特に3〜8重量%とすることが望ましい。す
なわち、0.5重量%以上にすることにより、より十分
な接着強度が得られる。また、10重量%を越える場合
には、焼き付け後に電極表面にガラス浮きが生じ、メッ
キが付着しにくくなる傾向にある。
【0015】ガラスフリットの平均粒径は、0.1〜2
0μmであることが好ましい。上記範囲であれば、ガラ
スフリットの凝集が生じることがなく、また分散性も良
好であるため、強度値のばらつきを小さく抑えられる。
0μmであることが好ましい。上記範囲であれば、ガラ
スフリットの凝集が生じることがなく、また分散性も良
好であるため、強度値のばらつきを小さく抑えられる。
【0016】金属粉末としてはAg、Au、Cu、N
i、Pd、Ptの中から1種以上が選択される。ここ
で、積層セラミックコンデンサの内部電極が貴金属(A
g、Ag−Pd合金、Pd等)の場合は、空気中で焼き
付けることから、Ag、Au、Pd、Ptの中から1種
以上が選択される。コスト等の点から、好ましくはAg
を用いる。また、内部電極が卑金属(Fe、Ni、C
o、Cu等)の場合は、還元性雰囲気中で焼き付けるこ
とから、上記金属粉末すべて使用可能であるが、コスト
の点で通常外部電極用の金属粉末にはNi、Cuが選択
される。さらに、高導電性という点で好ましくはCuを
用いる。
i、Pd、Ptの中から1種以上が選択される。ここ
で、積層セラミックコンデンサの内部電極が貴金属(A
g、Ag−Pd合金、Pd等)の場合は、空気中で焼き
付けることから、Ag、Au、Pd、Ptの中から1種
以上が選択される。コスト等の点から、好ましくはAg
を用いる。また、内部電極が卑金属(Fe、Ni、C
o、Cu等)の場合は、還元性雰囲気中で焼き付けるこ
とから、上記金属粉末すべて使用可能であるが、コスト
の点で通常外部電極用の金属粉末にはNi、Cuが選択
される。さらに、高導電性という点で好ましくはCuを
用いる。
【0017】内部電極を卑金属とした積層セラミックコ
ンデンサの場合、コストを下げる点で通常内部電極にN
i、Cuが用いられる。ただし、内部電極にNiを用い
た方がCuを用いるよりも製造上安定して作製できるた
め、内部電極にNiが用いられる。
ンデンサの場合、コストを下げる点で通常内部電極にN
i、Cuが用いられる。ただし、内部電極にNiを用い
た方がCuを用いるよりも製造上安定して作製できるた
め、内部電極にNiが用いられる。
【0018】導電性ペーストの金属粉末の平均粒径は、
0.01〜10μm程度の粒子とすることが好ましい。
平均粒径が0.01μm未満であると焼き付け時に金属
粉末の収縮が大きくなりすぎ、端子表面にひびや裂け等
が生じる。また、10μmを越えると分散性が低下し、
その結果、その導電性ペーストで作製した積層セラミッ
クコンデンサの実装性にばらつきを生じやすくなる。
0.01〜10μm程度の粒子とすることが好ましい。
平均粒径が0.01μm未満であると焼き付け時に金属
粉末の収縮が大きくなりすぎ、端子表面にひびや裂け等
が生じる。また、10μmを越えると分散性が低下し、
その結果、その導電性ペーストで作製した積層セラミッ
クコンデンサの実装性にばらつきを生じやすくなる。
【0019】金属粉末及びガラスフリットが分散される
ビヒクルは、エチルセルロ−ス、ニトロセルロ−ス、ア
クリル系樹脂等のバインダ、テルピネオ−ル、ブチカル
ビト−ル、ブチカルビト−ルアセテート、ブチルセロソ
ルブ、ベンジルアルコール等の溶剤、その他分散剤や活
性剤等から必要に応じて適宜選択される。なお、一般
に、導電性ペースト組成物中のビヒクル含有率は、10
〜70重量%程度である。
ビヒクルは、エチルセルロ−ス、ニトロセルロ−ス、ア
クリル系樹脂等のバインダ、テルピネオ−ル、ブチカル
ビト−ル、ブチカルビト−ルアセテート、ブチルセロソ
ルブ、ベンジルアルコール等の溶剤、その他分散剤や活
性剤等から必要に応じて適宜選択される。なお、一般
に、導電性ペースト組成物中のビヒクル含有率は、10
〜70重量%程度である。
【0020】導電性ペーストは、金属粉末とガラスフリ
ットとを混合し、これにバインダ、溶剤等のビヒクルを
加え、これらを混練してスラリ−化することにより製造
される。このとき、導電性ペースト組成物の粘度は、3
万〜30万cPs(センチポイズ)程度に調整しておく
のが良い。
ットとを混合し、これにバインダ、溶剤等のビヒクルを
加え、これらを混練してスラリ−化することにより製造
される。このとき、導電性ペースト組成物の粘度は、3
万〜30万cPs(センチポイズ)程度に調整しておく
のが良い。
【0021】このような導電性ペーストは、積層セラミ
ックコンデンサの外部電極として用いられる。積層セラ
ミックコンデンサは、複数の誘電体層を積層した誘電体
ブロックと、誘電体層の各層間に形成した内部電極と、
誘電体ブロックの端面に外部電極を形成してなり、内部
電極は誘電体ブロックの端面に延出されており、その延
出部が外部電極と接続されている。
ックコンデンサの外部電極として用いられる。積層セラ
ミックコンデンサは、複数の誘電体層を積層した誘電体
ブロックと、誘電体層の各層間に形成した内部電極と、
誘電体ブロックの端面に外部電極を形成してなり、内部
電極は誘電体ブロックの端面に延出されており、その延
出部が外部電極と接続されている。
【0022】誘電体層は、チタン酸バリウム(BaTi
O3)を主成分とする非還元性誘電体材料が用いられ
る。また、外部電極は焼き付け後、メッキ処理が行われ
る。メッキは通常Niメッキ膜、Snメッキ膜あるいは
Sn−Pb(はんだ)メッキ膜の順に形成される。
O3)を主成分とする非還元性誘電体材料が用いられ
る。また、外部電極は焼き付け後、メッキ処理が行われ
る。メッキは通常Niメッキ膜、Snメッキ膜あるいは
Sn−Pb(はんだ)メッキ膜の順に形成される。
【0023】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る。
る。
【0024】まず、ガラスフリットについては、ガラス
原料となるSrCO3、BaCO3、ZnO、H3BO3、
Al(OH)3、SiO2、Na2CO3をガラス化した
時、ガラス組成を各酸化物の換算で表1の組成になるよ
うに調合した。次に、アルミナるつぼ中で1200℃で
溶融し、水中に投入し急冷してガラス化させ、得られた
カレットをボールミルにて微粉砕を行い、試料1〜34
のガラスフリットを得た。このとき、ガラスフリットの
平均粒径は3μmとした。
原料となるSrCO3、BaCO3、ZnO、H3BO3、
Al(OH)3、SiO2、Na2CO3をガラス化した
時、ガラス組成を各酸化物の換算で表1の組成になるよ
うに調合した。次に、アルミナるつぼ中で1200℃で
溶融し、水中に投入し急冷してガラス化させ、得られた
カレットをボールミルにて微粉砕を行い、試料1〜34
のガラスフリットを得た。このとき、ガラスフリットの
平均粒径は3μmとした。
【0025】次に試料1〜34のガラスフリットを用い
て導電性ペーストを作製した。
て導電性ペーストを作製した。
【0026】すなわち、Cu粉末が70%、試料1〜3
4のガラスフリットが金属粉末に対して10重量%の比
率となるようにこれらを調合し、さらに有機ビヒクルを
適量加えて、3本ロールで混練し分散して、試料1〜3
4の導電性ペーストを作製した。尚、有機ビヒクルは、
テルピネオールにアクリル樹脂を20重量%溶解して作
製した。
4のガラスフリットが金属粉末に対して10重量%の比
率となるようにこれらを調合し、さらに有機ビヒクルを
適量加えて、3本ロールで混練し分散して、試料1〜3
4の導電性ペーストを作製した。尚、有機ビヒクルは、
テルピネオールにアクリル樹脂を20重量%溶解して作
製した。
【0027】この導電性ペーストを、内部電極としてN
iを用いたBaTiO3系積層セラミックコンデンサ
(2012型:2.0mm×1.25mm×1.25mm)
にパロマ法にて塗布し、150℃で10分、乾燥を行っ
た。その後、850℃で10分間で焼き付け、外部電極
を形成した。尚、雰囲気は、酸素濃度が10ppm以下
となる条件で行った。次に、外部電極を覆うようにNi
メッキ膜、Snメッキ膜を施して、試料1〜34の積層
セラミックコンデンサを得た。
iを用いたBaTiO3系積層セラミックコンデンサ
(2012型:2.0mm×1.25mm×1.25mm)
にパロマ法にて塗布し、150℃で10分、乾燥を行っ
た。その後、850℃で10分間で焼き付け、外部電極
を形成した。尚、雰囲気は、酸素濃度が10ppm以下
となる条件で行った。次に、外部電極を覆うようにNi
メッキ膜、Snメッキ膜を施して、試料1〜34の積層
セラミックコンデンサを得た。
【0028】評価は、試料の引張り強度、たわみ強度及
び高温負荷試験を以下に示す方法で行った。引張り強度
については、外部電極をリード線ではんだ付けする。こ
のはんだ付けされたリード線を10mm/minの速度
で引っ張ったとき、コンデンサと外部電極の界面の部分
から破壊された時の荷重を引張り強度とした。そして、
引張り強度が1kg以上のものを良品、1kg未満のも
のを不良品とした。
び高温負荷試験を以下に示す方法で行った。引張り強度
については、外部電極をリード線ではんだ付けする。こ
のはんだ付けされたリード線を10mm/minの速度
で引っ張ったとき、コンデンサと外部電極の界面の部分
から破壊された時の荷重を引張り強度とした。そして、
引張り強度が1kg以上のものを良品、1kg未満のも
のを不良品とした。
【0029】たわみ強度については、JISC6429
に従い行い、3.0mmまでガラスエポキシ基板をたわ
ませたときの内部クラックの発生率で表した。
に従い行い、3.0mmまでガラスエポキシ基板をたわ
ませたときの内部クラックの発生率で表した。
【0030】高温負荷試験については、150℃にて、
定格電圧(10V)の2倍の電圧である20Vを印加
し、1000時間経過後の絶縁抵抗を測定した。尚、こ
のコンデンサの絶縁抵抗の初期値が1×105MΩ以上
のものを用いた場合、高温負荷試験1×104MΩ以上
である場合を良品として丸印、1×104MΩ未満であ
る場合を不良品としてバツ印とした。
定格電圧(10V)の2倍の電圧である20Vを印加
し、1000時間経過後の絶縁抵抗を測定した。尚、こ
のコンデンサの絶縁抵抗の初期値が1×105MΩ以上
のものを用いた場合、高温負荷試験1×104MΩ以上
である場合を良品として丸印、1×104MΩ未満であ
る場合を不良品としてバツ印とした。
【0031】ガラス組成と引張り強度、たわみ強度及び
高温負荷試験の関係を表1に示す。
高温負荷試験の関係を表1に示す。
【0032】
【表1】
【0033】表1から明らかなように、ガラスフリット
が酸化物換算で、SrO:5〜40重量%、BaO:1
0〜50重量%、ZnO:10〜30重量%、B2O3:
15〜30重量%、SiO2:3〜20重量%からな
り、ガラスフリットが金属粉末に対して3重量%含有さ
れる本実施例(試料番号1〜15)では、外部電極の引
張り強度が1kg以上、たわみ強度試験における内部ク
ラックの発生率が0%、高温負荷試験での絶縁抵抗が1
×104以上になることがわかる。
が酸化物換算で、SrO:5〜40重量%、BaO:1
0〜50重量%、ZnO:10〜30重量%、B2O3:
15〜30重量%、SiO2:3〜20重量%からな
り、ガラスフリットが金属粉末に対して3重量%含有さ
れる本実施例(試料番号1〜15)では、外部電極の引
張り強度が1kg以上、たわみ強度試験における内部ク
ラックの発生率が0%、高温負荷試験での絶縁抵抗が1
×104以上になることがわかる。
【0034】これに対し、ガラスフリットが酸化物換算
で、SrO:0重量%である比較例(試料番号16)、
BaO:60重量%である比較例(試料番号19)、B
2O3:5、40重量%である比較例(試料番号22、2
3)、SiO2:30重量%である比較例(試料番号2
5)では、高温負荷試験後の絶縁抵抗が1×104MΩ
未満と著しく低下した。
で、SrO:0重量%である比較例(試料番号16)、
BaO:60重量%である比較例(試料番号19)、B
2O3:5、40重量%である比較例(試料番号22、2
3)、SiO2:30重量%である比較例(試料番号2
5)では、高温負荷試験後の絶縁抵抗が1×104MΩ
未満と著しく低下した。
【0035】また、ガラスフリットが酸化物換算で、S
rO:0、50重量%である比較例(試料番号16、1
7)、BaO:5重量%である比較例(試料番号1
8)、ZnO:5、40重量%である比較例(試料番号
20、21)、B2O3:40重量%である比較例(試料
番号23)、SiO2:30重量%である比較例(試料
番号25)、たわみ強度試験における内部クラックが発
生した。
rO:0、50重量%である比較例(試料番号16、1
7)、BaO:5重量%である比較例(試料番号1
8)、ZnO:5、40重量%である比較例(試料番号
20、21)、B2O3:40重量%である比較例(試料
番号23)、SiO2:30重量%である比較例(試料
番号25)、たわみ強度試験における内部クラックが発
生した。
【0036】さらに、ガラスフリットが酸化物換算で、
B2O3:40重量%である比較例(試料番号23)、S
iO2:0重量%である比較例(試料番号24)では、
外部電極の引張り強度が1.0kg未満となった。
B2O3:40重量%である比較例(試料番号23)、S
iO2:0重量%である比較例(試料番号24)では、
外部電極の引張り強度が1.0kg未満となった。
【0037】導電性ペーストのAl2O3、Na2Oの含
有量を変化させた場合のガラス組成と引張り強度、たわ
み強度及び高温負荷試験の関係を表2に示す。
有量を変化させた場合のガラス組成と引張り強度、たわ
み強度及び高温負荷試験の関係を表2に示す。
【0038】また、表1の試料番号15のガラス組成に
おいて、ガラスフリット添加量を変化させた場合につい
て、引張り強度、たわみ強度及び高温負荷試験の関係を
表3に示す。
おいて、ガラスフリット添加量を変化させた場合につい
て、引張り強度、たわみ強度及び高温負荷試験の関係を
表3に示す。
【0039】
【表2】
【0040】表2から明らかなように、ガラスフリット
が酸化物換算で、SrO:15重量%、BaO:22.
5重量%、ZnO:20重量%、B2O3:22.5重量
%、Al2O3:3重量%、SiO2:10重量%、Na2
O:7重量%からなり、ガラスフリットが金属粉末に対
して0.5〜15重量%含有される本実施例(試料番号
15、29〜33)では、外部電極の引張り強度が1k
g以上、たわみ強度試験における内部クラックの発生率
が0%、高温負荷試験での絶縁抵抗が1×10 4以上に
なることがわかる。
が酸化物換算で、SrO:15重量%、BaO:22.
5重量%、ZnO:20重量%、B2O3:22.5重量
%、Al2O3:3重量%、SiO2:10重量%、Na2
O:7重量%からなり、ガラスフリットが金属粉末に対
して0.5〜15重量%含有される本実施例(試料番号
15、29〜33)では、外部電極の引張り強度が1k
g以上、たわみ強度試験における内部クラックの発生率
が0%、高温負荷試験での絶縁抵抗が1×10 4以上に
なることがわかる。
【0041】これに対し、ガラスフリット添加量が0.
2重量%である比較例(試料番号228)では、ガラス
フリットの金属を接着する効果が不十分であるため、外
部電極の引張り強度が0.5kg、たわみ強度試験にお
ける内部クラックの発生率が60%、高温負荷試験での
絶縁抵抗が1×104未満となった。
2重量%である比較例(試料番号228)では、ガラス
フリットの金属を接着する効果が不十分であるため、外
部電極の引張り強度が0.5kg、たわみ強度試験にお
ける内部クラックの発生率が60%、高温負荷試験での
絶縁抵抗が1×104未満となった。
【0042】
【表3】
【0043】表3から明らかなように、導電性ペースト
のAl2O3:15重量%である場合(試料番号26)、
たわみ強度試験における内部クラックが発生した。ま
た、導電性ペーストのNa2O:25重量%である場合
(試料番号27)、たわみ強度試験における内部クラッ
クが発生するとともに、高温負荷試験後の絶縁抵抗が1
×104MΩ未満と著しく低下した。
のAl2O3:15重量%である場合(試料番号26)、
たわみ強度試験における内部クラックが発生した。ま
た、導電性ペーストのNa2O:25重量%である場合
(試料番号27)、たわみ強度試験における内部クラッ
クが発生するとともに、高温負荷試験後の絶縁抵抗が1
×104MΩ未満と著しく低下した。
【0044】さらに、ガラスフリット添加量が20重量
%である比較例(試料番号34)ではガラスフリットが
外部電極表面に浮き出る、ガラスフリットが焼き付け時
に誘電体層に浸透するなどの理由でたわみ強度試験にお
ける内部クラックの発生率が100%、高温負荷試験で
の絶縁抵抗が1×104未満となった。
%である比較例(試料番号34)ではガラスフリットが
外部電極表面に浮き出る、ガラスフリットが焼き付け時
に誘電体層に浸透するなどの理由でたわみ強度試験にお
ける内部クラックの発生率が100%、高温負荷試験で
の絶縁抵抗が1×104未満となった。
【0045】なお、外部電極となる金属粉末にAg、A
u、Ni、Pd、Ptを用いた場合でも同様な結果を得
ることができた。
u、Ni、Pd、Ptを用いた場合でも同様な結果を得
ることができた。
【0046】
【発明の効果】本発明の導電性ペーストを用いて外部電
極を形成した積層セラミックコンデンサは、たわみ強度
が大きく、高温負荷試験での絶縁抵抗に優れており、極
めて信頼性が高いコンデンサを得ることができる。
極を形成した積層セラミックコンデンサは、たわみ強度
が大きく、高温負荷試験での絶縁抵抗に優れており、極
めて信頼性が高いコンデンサを得ることができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 少なくとも金属粉末、BaO−SrO−
ZnO−B2O3−SiO 2系ガラスフリットを含んでな
る導電性ペーストであって、 前記ガラスフリットは酸化物換算で、BaO:10〜5
0重量%、SrO:5〜40重量%、ZnO:10〜3
0重量%、B2O3:15〜30重量%、SiO 2:3〜
20重量%を含有するとともに、 前記金属粉末100重量%に対して、ガラスフリットが
0.5〜10重量%含有されていることを特徴とする導
電性ペースト。 - 【請求項2】 チタン酸バリウムを主成分とする誘電体
層を複数積層して成る誘電体ブロックの各層間に内部電
極を配設するとともに、該内部電極を前記誘電体ブロッ
クの端面に延出させ、該各延出部に前記誘電体ブロック
の端面に請求項1の導電性ペーストを用いて形成した外
部電極を接続したことを特徴とする積層セラミックコン
デンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001261516A JP2003077336A (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | 導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003077336A true JP2003077336A (ja) | 2003-03-14 |
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ID=19088549
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008503103A (ja) * | 2004-06-09 | 2008-01-31 | フエロ コーポレーション | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含有する銅成端インク |
JP2009505395A (ja) * | 2005-08-10 | 2009-02-05 | フエロ コーポレーション | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含む銅端子インク |
JP2010524257A (ja) * | 2007-04-12 | 2010-07-15 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 厚膜伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法 |
CN102543251A (zh) * | 2010-12-17 | 2012-07-04 | 三星电机株式会社 | 端电极的导电膏组合物、多层陶瓷电容器及其制造方法 |
JP2014107540A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
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