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JP2003077336A - 導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ - Google Patents

導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ

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JP2003077336A
JP2003077336A JP2001261516A JP2001261516A JP2003077336A JP 2003077336 A JP2003077336 A JP 2003077336A JP 2001261516 A JP2001261516 A JP 2001261516A JP 2001261516 A JP2001261516 A JP 2001261516A JP 2003077336 A JP2003077336 A JP 2003077336A
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JP
Japan
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weight
glass frit
conductive paste
ceramic capacitor
sio
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001261516A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Iemura
努 家村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 たわみ強度が大きく、高温時における絶縁抵
抗の劣化が生じない高信頼性の導電性ペーストを提供す
る。 【解決手段】 本発明の導電性ペーストは、ガラスフ
リットが酸化物換算で、SrO:5〜40重量%、Ba
O:10〜50重量%、ZnO:10〜30重量%、B
23:15〜30重量%、SiO2:3〜20重量%を
含有するとともに、金属粉末100重量%に対してガラ
スフリットが0.5〜10重量%含有される導電性ペー
ストである。また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、このペーストを外部電極として、チタン酸バリウム
を主成分とする誘電体層に焼き付けることにより形成し
てなる積層セラミックコンデンサである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性ペースト及
びそれを外部電極に用いた積層セラミックコンデンサに
関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、積層セラミックコンデンサの外
部電極は、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分
とする誘電体層と、内部電極とを交互に積層して成る誘
電体ブロックの両端面に導電性ペーストを塗布形成し、
その導電性ペーストを焼き付けることによって形成す
る。この導電性ペーストは、金属粉末及びガラスフリッ
トをビヒクル中に分散することによって得られる。この
中で金属粉末は、Ag、Au、Cu、Ni、Pd、Pt
等、またはこれらの混合物からなる。内部電極にFe、
Co、Ni、Cu等の卑金属を用いた積層セラミックコ
ンデンサの場合は、外部電極には低価格という点で通常
Ni及びCuが用いられているが、高導電性という点で
Cuが用いられることが多い。外部電極の金属粉末にC
uを用いた場合、Cuの酸化を抑止するために、通常、
焼き付けは還元性雰囲気で行われる。この還元性雰囲気
で焼き付けが可能な導電性ペーストに用いられるガラス
フリットとして、BaO−ZnO−B23−SiO2
のガラスフリットが提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、BaO
−ZnO−B23−SiO2系ガラスフリットは焼き付
け時に誘電体層中に浸透しやすいため、焼き付け後の冷
却時に誘電体層とガラスフリットの熱膨張係数の差によ
り、誘電体層中にガラスフリットが浸透した部分付近に
微小なクラックが発生したり、積層セラミックコンデン
サを例えばガラエポ基板に半田実装した場合、ガラエポ
基板のたわみによって生じる応力に耐えられず、誘電体
ブロックが破壊するという問題があった。このメカニズ
ムは明らかではないが、誘電体層もガラスフリットもB
aを主成分とするため、それぞれに含まれるBa原子同
士に分子間力が働きやすく、ガラスフリットが誘電体層
中に浸透しやすくなると考えられる。また、上記クラッ
クが発生してしまうと、外部電極の金属粉末にCuを用
いた場合、焼き付けは還元性雰囲気で行われるため、例
えば誘電体層としてチタン酸バリウム(BaTiO3
を用いた場合、クラックの表面に露出しているBaTi
3のO原子が引き抜かれてしまい、その誘電体層の部
分が還元されて半導体化し、誘電体ブロックとして絶縁
抵抗が低下するという問題点があった。
【0004】このような絶縁抵抗の低下は、例えば積層
セラミックコンデンサを125℃、定格電圧×2倍の条
件下で放置する高温負荷試験において顕著に現れ、その
値は、2桁以上低下する。また、このような現象は、積
層セラミックコンデンサを薄膜多積層化したときに顕著
に現れていた。
【0005】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、たわみ強度が大きく得られ
て、高温時における絶縁抵抗の劣化が生じない信頼性の
高い導電性ペースト及び積層セラミックコンデンサを提
供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性ペースト
は、少なくとも金属粉末、BaO−SrO−ZnO−B
23−SiO2系ガラスフリットを含んでなる導電性ペ
ーストであって、前記ガラスフリットは酸化物換算で、
BaO:10〜50重量%、SrO:5〜40重量%、
ZnO:10〜30重量%、B23:15〜30重量
%、SiO 2:3〜20重量%を含有するとともに、前
記金属粉末100重量%に対して、ガラスフリットが
0.5〜10重量%含有されていることを特徴とする。
【0007】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層を複数積
層して成る誘電体ブロックの各層間に内部電極を配設す
るとともに、該内部電極を前記誘電体ブロックの端面に
延出させ、該各延出部に前記誘電体ブロックの端面に請
求項1の導電性ペーストを用いて形成した外部電極を接
続したことを特徴とする。
【作用】本発明の導電性ペーストは、BaO−SrO−
ZnO−B23−SiO2系ガラスフリットが用いられ
ている。このため、チタン酸バリウムを主成分とする誘
電体層を用いて外部電極を形成すると、ガラスフリット
は焼成時に誘電体層中に浸透しにくくなる。これは、従
来から使用されてきたBaO−ZnO−B23−SiO
2系ガラスフリットのBa原子の一部をSr原子に置き
換えたため、Ba原子−Sr原子間の分子間力はBa原
子同士の分子間力に比べて小さいことから、ガラスフリ
ットが誘電体層中に浸透しにくくなると考えられる。
【0008】ここで、Sr原子はBa原子と同じアルカ
リ土類金属であるため、静電容量などの他の特性は大き
く変化することはない。このため、本発明の導電性ペー
ストを用いて外部電極を形成した積層セラミックコンデ
ンサは、たわみ強度が大きく、高温負荷試験での絶縁抵
抗に優れており、極めて信頼性が高い導電性ペーストを
得ることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。
【0010】本発明の導電性ペーストは、金属粉末、B
aO−SrO−ZnO−B23−SiO2系ガラスフリ
ット、及びビヒクルを含有する。このガラスフリット
は、金属粉末の永久バインダとなるものである。
【0011】本発明では、ガラスフリット組成は酸化物
換算で、SrO:5〜40重量%、好ましくは10〜2
0重量%、BaO:10〜50重量%、好ましくは15
〜35重量%、ZnO:10〜30重量%、好ましく
は、15〜25重量%、B23:15〜30重量%、好
ましくは、20〜25重量%、SiO2:3〜20重量
%、好ましくは、5〜15重量%を含有する。
【0012】すなわち、SrOが5重量%未満である
と、ガラスフリットの浸透によるクラック、たわみ強度
の低下が生じ、高温時における絶縁抵抗が劣化する。ま
た、40重量%を超えるとガラス溶融粘度が高くなり、
失透する。BaOが10重量%未満であるとガラス化が
困難であり、50重量%を超えると失透する。ZnOが
10重量%未満であると軟化点が高くなり、30重量%
を超えると結晶化する。B23は15重量%未満ではガ
ラス化が困難であり、30重量%を超えると耐酸性が劣
る。SiO2は、3重量%未満ではガラス化が困難とな
り、さらに耐酸性が低下する。20重量%を超えると軟
化温度が高くなり、使用に適さない。
【0013】また、Al23:10重量%以下、好まし
くは、1〜5重量%、Na2O:0〜20重量、好まし
くは5〜10重量%を含有する。Al23は必ずしも含
まなくて良いが、ガラスフリットの耐酸性を上げるのに
含有することが好ましい。含みすぎ、すなわち10重量
%を超えるとガラスフリットの流動性が損なわれ使用に
適さない。Na2Oは必ずしも含有する必要はないが、
ガラスフリットの軟化点を下げるのに含有することが好
ましい。含みすぎ、すなわち20重量%を超えるとガラ
ス化が困難となり、使用に適さない。このような組成を
有するガラスフリットの軟化点は、500〜700℃で
ある。尚、ガラスフリットとして単一のガラスフリット
を使用してもよいが、2種以上のガラスフリットの混合
物で、各成分酸化物の合計が前記の比率となるものを用
いても効果は同じである。
【0014】また、導電性ペースト中のガラスフリット
の含有量は、金属粉末100重量部に対して0.5〜1
0重量%、特に3〜8重量%とすることが望ましい。す
なわち、0.5重量%以上にすることにより、より十分
な接着強度が得られる。また、10重量%を越える場合
には、焼き付け後に電極表面にガラス浮きが生じ、メッ
キが付着しにくくなる傾向にある。
【0015】ガラスフリットの平均粒径は、0.1〜2
0μmであることが好ましい。上記範囲であれば、ガラ
スフリットの凝集が生じることがなく、また分散性も良
好であるため、強度値のばらつきを小さく抑えられる。
【0016】金属粉末としてはAg、Au、Cu、N
i、Pd、Ptの中から1種以上が選択される。ここ
で、積層セラミックコンデンサの内部電極が貴金属(A
g、Ag−Pd合金、Pd等)の場合は、空気中で焼き
付けることから、Ag、Au、Pd、Ptの中から1種
以上が選択される。コスト等の点から、好ましくはAg
を用いる。また、内部電極が卑金属(Fe、Ni、C
o、Cu等)の場合は、還元性雰囲気中で焼き付けるこ
とから、上記金属粉末すべて使用可能であるが、コスト
の点で通常外部電極用の金属粉末にはNi、Cuが選択
される。さらに、高導電性という点で好ましくはCuを
用いる。
【0017】内部電極を卑金属とした積層セラミックコ
ンデンサの場合、コストを下げる点で通常内部電極にN
i、Cuが用いられる。ただし、内部電極にNiを用い
た方がCuを用いるよりも製造上安定して作製できるた
め、内部電極にNiが用いられる。
【0018】導電性ペーストの金属粉末の平均粒径は、
0.01〜10μm程度の粒子とすることが好ましい。
平均粒径が0.01μm未満であると焼き付け時に金属
粉末の収縮が大きくなりすぎ、端子表面にひびや裂け等
が生じる。また、10μmを越えると分散性が低下し、
その結果、その導電性ペーストで作製した積層セラミッ
クコンデンサの実装性にばらつきを生じやすくなる。
【0019】金属粉末及びガラスフリットが分散される
ビヒクルは、エチルセルロ−ス、ニトロセルロ−ス、ア
クリル系樹脂等のバインダ、テルピネオ−ル、ブチカル
ビト−ル、ブチカルビト−ルアセテート、ブチルセロソ
ルブ、ベンジルアルコール等の溶剤、その他分散剤や活
性剤等から必要に応じて適宜選択される。なお、一般
に、導電性ペースト組成物中のビヒクル含有率は、10
〜70重量%程度である。
【0020】導電性ペーストは、金属粉末とガラスフリ
ットとを混合し、これにバインダ、溶剤等のビヒクルを
加え、これらを混練してスラリ−化することにより製造
される。このとき、導電性ペースト組成物の粘度は、3
万〜30万cPs(センチポイズ)程度に調整しておく
のが良い。
【0021】このような導電性ペーストは、積層セラミ
ックコンデンサの外部電極として用いられる。積層セラ
ミックコンデンサは、複数の誘電体層を積層した誘電体
ブロックと、誘電体層の各層間に形成した内部電極と、
誘電体ブロックの端面に外部電極を形成してなり、内部
電極は誘電体ブロックの端面に延出されており、その延
出部が外部電極と接続されている。
【0022】誘電体層は、チタン酸バリウム(BaTi
3)を主成分とする非還元性誘電体材料が用いられ
る。また、外部電極は焼き付け後、メッキ処理が行われ
る。メッキは通常Niメッキ膜、Snメッキ膜あるいは
Sn−Pb(はんだ)メッキ膜の順に形成される。
【0023】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る。
【0024】まず、ガラスフリットについては、ガラス
原料となるSrCO3、BaCO3、ZnO、H3BO3
Al(OH)3、SiO2、Na2CO3をガラス化した
時、ガラス組成を各酸化物の換算で表1の組成になるよ
うに調合した。次に、アルミナるつぼ中で1200℃で
溶融し、水中に投入し急冷してガラス化させ、得られた
カレットをボールミルにて微粉砕を行い、試料1〜34
のガラスフリットを得た。このとき、ガラスフリットの
平均粒径は3μmとした。
【0025】次に試料1〜34のガラスフリットを用い
て導電性ペーストを作製した。
【0026】すなわち、Cu粉末が70%、試料1〜3
4のガラスフリットが金属粉末に対して10重量%の比
率となるようにこれらを調合し、さらに有機ビヒクルを
適量加えて、3本ロールで混練し分散して、試料1〜3
4の導電性ペーストを作製した。尚、有機ビヒクルは、
テルピネオールにアクリル樹脂を20重量%溶解して作
製した。
【0027】この導電性ペーストを、内部電極としてN
iを用いたBaTiO3系積層セラミックコンデンサ
(2012型:2.0mm×1.25mm×1.25mm)
にパロマ法にて塗布し、150℃で10分、乾燥を行っ
た。その後、850℃で10分間で焼き付け、外部電極
を形成した。尚、雰囲気は、酸素濃度が10ppm以下
となる条件で行った。次に、外部電極を覆うようにNi
メッキ膜、Snメッキ膜を施して、試料1〜34の積層
セラミックコンデンサを得た。
【0028】評価は、試料の引張り強度、たわみ強度及
び高温負荷試験を以下に示す方法で行った。引張り強度
については、外部電極をリード線ではんだ付けする。こ
のはんだ付けされたリード線を10mm/minの速度
で引っ張ったとき、コンデンサと外部電極の界面の部分
から破壊された時の荷重を引張り強度とした。そして、
引張り強度が1kg以上のものを良品、1kg未満のも
のを不良品とした。
【0029】たわみ強度については、JISC6429
に従い行い、3.0mmまでガラスエポキシ基板をたわ
ませたときの内部クラックの発生率で表した。
【0030】高温負荷試験については、150℃にて、
定格電圧(10V)の2倍の電圧である20Vを印加
し、1000時間経過後の絶縁抵抗を測定した。尚、こ
のコンデンサの絶縁抵抗の初期値が1×105MΩ以上
のものを用いた場合、高温負荷試験1×104MΩ以上
である場合を良品として丸印、1×104MΩ未満であ
る場合を不良品としてバツ印とした。
【0031】ガラス組成と引張り強度、たわみ強度及び
高温負荷試験の関係を表1に示す。
【0032】
【表1】
【0033】表1から明らかなように、ガラスフリット
が酸化物換算で、SrO:5〜40重量%、BaO:1
0〜50重量%、ZnO:10〜30重量%、B23
15〜30重量%、SiO2:3〜20重量%からな
り、ガラスフリットが金属粉末に対して3重量%含有さ
れる本実施例(試料番号1〜15)では、外部電極の引
張り強度が1kg以上、たわみ強度試験における内部ク
ラックの発生率が0%、高温負荷試験での絶縁抵抗が1
×104以上になることがわかる。
【0034】これに対し、ガラスフリットが酸化物換算
で、SrO:0重量%である比較例(試料番号16)、
BaO:60重量%である比較例(試料番号19)、B
23:5、40重量%である比較例(試料番号22、2
3)、SiO2:30重量%である比較例(試料番号2
5)では、高温負荷試験後の絶縁抵抗が1×104MΩ
未満と著しく低下した。
【0035】また、ガラスフリットが酸化物換算で、S
rO:0、50重量%である比較例(試料番号16、1
7)、BaO:5重量%である比較例(試料番号1
8)、ZnO:5、40重量%である比較例(試料番号
20、21)、B23:40重量%である比較例(試料
番号23)、SiO2:30重量%である比較例(試料
番号25)、たわみ強度試験における内部クラックが発
生した。
【0036】さらに、ガラスフリットが酸化物換算で、
23:40重量%である比較例(試料番号23)、S
iO2:0重量%である比較例(試料番号24)では、
外部電極の引張り強度が1.0kg未満となった。
【0037】導電性ペーストのAl23、Na2Oの含
有量を変化させた場合のガラス組成と引張り強度、たわ
み強度及び高温負荷試験の関係を表2に示す。
【0038】また、表1の試料番号15のガラス組成に
おいて、ガラスフリット添加量を変化させた場合につい
て、引張り強度、たわみ強度及び高温負荷試験の関係を
表3に示す。
【0039】
【表2】
【0040】表2から明らかなように、ガラスフリット
が酸化物換算で、SrO:15重量%、BaO:22.
5重量%、ZnO:20重量%、B23:22.5重量
%、Al23:3重量%、SiO2:10重量%、Na2
O:7重量%からなり、ガラスフリットが金属粉末に対
して0.5〜15重量%含有される本実施例(試料番号
15、29〜33)では、外部電極の引張り強度が1k
g以上、たわみ強度試験における内部クラックの発生率
が0%、高温負荷試験での絶縁抵抗が1×10 4以上に
なることがわかる。
【0041】これに対し、ガラスフリット添加量が0.
2重量%である比較例(試料番号228)では、ガラス
フリットの金属を接着する効果が不十分であるため、外
部電極の引張り強度が0.5kg、たわみ強度試験にお
ける内部クラックの発生率が60%、高温負荷試験での
絶縁抵抗が1×104未満となった。
【0042】
【表3】
【0043】表3から明らかなように、導電性ペースト
のAl23:15重量%である場合(試料番号26)、
たわみ強度試験における内部クラックが発生した。ま
た、導電性ペーストのNa2O:25重量%である場合
(試料番号27)、たわみ強度試験における内部クラッ
クが発生するとともに、高温負荷試験後の絶縁抵抗が1
×104MΩ未満と著しく低下した。
【0044】さらに、ガラスフリット添加量が20重量
%である比較例(試料番号34)ではガラスフリットが
外部電極表面に浮き出る、ガラスフリットが焼き付け時
に誘電体層に浸透するなどの理由でたわみ強度試験にお
ける内部クラックの発生率が100%、高温負荷試験で
の絶縁抵抗が1×104未満となった。
【0045】なお、外部電極となる金属粉末にAg、A
u、Ni、Pd、Ptを用いた場合でも同様な結果を得
ることができた。
【0046】
【発明の効果】本発明の導電性ペーストを用いて外部電
極を形成した積層セラミックコンデンサは、たわみ強度
が大きく、高温負荷試験での絶縁抵抗に優れており、極
めて信頼性が高いコンデンサを得ることができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも金属粉末、BaO−SrO−
    ZnO−B23−SiO 2系ガラスフリットを含んでな
    る導電性ペーストであって、 前記ガラスフリットは酸化物換算で、BaO:10〜5
    0重量%、SrO:5〜40重量%、ZnO:10〜3
    0重量%、B23:15〜30重量%、SiO 2:3〜
    20重量%を含有するとともに、 前記金属粉末100重量%に対して、ガラスフリットが
    0.5〜10重量%含有されていることを特徴とする導
    電性ペースト。
  2. 【請求項2】 チタン酸バリウムを主成分とする誘電体
    層を複数積層して成る誘電体ブロックの各層間に内部電
    極を配設するとともに、該内部電極を前記誘電体ブロッ
    クの端面に延出させ、該各延出部に前記誘電体ブロック
    の端面に請求項1の導電性ペーストを用いて形成した外
    部電極を接続したことを特徴とする積層セラミックコン
    デンサ。
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