JP2003069074A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 193
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 35
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BECGPAPCGOJSOT-UHFFFAOYSA-N [O-2].O.S.[Zn+2] Chemical compound [O-2].O.S.[Zn+2] BECGPAPCGOJSOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 分散電流を有し発光面積利用率を高めた発光
ダイオードの提供。 【解決手段】 基板１１と、基板の上の第１半導体構造
と、第１半導体構造１２の第１部分の上の発光構造１３
と、第１半導体構造の、前記第１部分と分離した第２部
分の上の第１形状を有する第１コンタクト構造１８と、
発光構造の上の第２半導体構造と、第２半導体構造の上
に位置し切断部分を有して一部の第２半導体構造を露出
させ並びに第２形状を有する透明コンタクトと、透明コ
ンタクトの切断部分の上に位置し第２半導体構造に接触
し並びに第３形状を有する第２コンタクト構造１７と、
を具え、第２コンタクト構造の第３形状と第２形状の透
明コンタクト及び第１形状の第１コンタクト構造の組合
せ関係により、第１コンタクト構造から第２コンタクト
構造の複数の電流経路が相互に近い経路を有する。
ダイオードの提供。 【解決手段】 基板１１と、基板の上の第１半導体構造
と、第１半導体構造１２の第１部分の上の発光構造１３
と、第１半導体構造の、前記第１部分と分離した第２部
分の上の第１形状を有する第１コンタクト構造１８と、
発光構造の上の第２半導体構造と、第２半導体構造の上
に位置し切断部分を有して一部の第２半導体構造を露出
させ並びに第２形状を有する透明コンタクトと、透明コ
ンタクトの切断部分の上に位置し第２半導体構造に接触
し並びに第３形状を有する第２コンタクト構造１７と、
を具え、第２コンタクト構造の第３形状と第２形状の透
明コンタクト及び第１形状の第１コンタクト構造の組合
せ関係により、第１コンタクト構造から第２コンタクト
構造の複数の電流経路が相互に近い経路を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一種の半導体装置に
係り、特に、発光ダイオード装置であって、さらに詳し
くは、分散電流を有し発光面積利用率を高めた発光ダイ
オードに関する。
係り、特に、発光ダイオード装置であって、さらに詳し
くは、分散電流を有し発光面積利用率を高めた発光ダイ
オードに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置に関して、発光ダイオード
（ＬＥＤ）は恐らく最も熟知されており、なぜならそれ
は各種の製品、例えば科学機器、医療機器に応用されて
いるためであり、最もよく目にするのは、消費性製品に
おいてであり、このような発光ダイオードは、各種の信
号、指示器、測量機器、メーターの光源とされる。発光
ダイオードの半導体光源は大量に光源出力装置として使
用されており、それはそれらが通常極めて長い使用寿命
と、エネルギー消耗が少なく、及び高い信頼性を有する
ことによる。
（ＬＥＤ）は恐らく最も熟知されており、なぜならそれ
は各種の製品、例えば科学機器、医療機器に応用されて
いるためであり、最もよく目にするのは、消費性製品に
おいてであり、このような発光ダイオードは、各種の信
号、指示器、測量機器、メーターの光源とされる。発光
ダイオードの半導体光源は大量に光源出力装置として使
用されており、それはそれらが通常極めて長い使用寿命
と、エネルギー消耗が少なく、及び高い信頼性を有する
ことによる。
【０００３】１９７０年代初頭より、窒化ガリウムを基
本の材料として使用した発光ダイオードが、その広いバ
ンドギャップ特性により発光器への応用への高い注意を
引き起こした。また一方で、絶縁及び結晶格子錯置の基
板、例えばサファイヤ、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ
3 ）は、その熱安定及び透光度特性と、現在格子マッチ
ングの基板がないことから、広く第３族窒化物エピタキ
シャル結晶の基板に応用されている。米国特許第４１５
３９０５号によると、サファイヤ基板上に窒化ガリウム
を成長させて基本の発光ダイオード構造とし、並びにそ
のｎ形及びｐ形層上で相互に対応するオームコンタクト
を形成して、フラット式ＬＥＤ構造を完成している。し
かし、ｐ形高導電性の窒化ガリウム層の形成は非常に困
難なことである。このためｐ形窒化ガリウム上のオーム
コンタクトが製造しにくく、且つｐ形層の電流も拡散し
にくかった。
本の材料として使用した発光ダイオードが、その広いバ
ンドギャップ特性により発光器への応用への高い注意を
引き起こした。また一方で、絶縁及び結晶格子錯置の基
板、例えばサファイヤ、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ
3 ）は、その熱安定及び透光度特性と、現在格子マッチ
ングの基板がないことから、広く第３族窒化物エピタキ
シャル結晶の基板に応用されている。米国特許第４１５
３９０５号によると、サファイヤ基板上に窒化ガリウム
を成長させて基本の発光ダイオード構造とし、並びにそ
のｎ形及びｐ形層上で相互に対応するオームコンタクト
を形成して、フラット式ＬＥＤ構造を完成している。し
かし、ｐ形高導電性の窒化ガリウム層の形成は非常に困
難なことである。このためｐ形窒化ガリウム上のオーム
コンタクトが製造しにくく、且つｐ形層の電流も拡散し
にくかった。
【０００４】最近、Ａｋａｓａｋｉ氏ら及びＮａｋａｍ
ｕｒａ氏らによりｐ形窒化ガリウムの導電性を改善する
方法が提出された。しかしｐ形窒化ガリウムの導電性は
未だにｎ形窒化ガリウムより劣っている。結果として、
もっともよく目にするのは、ｐ形窒化ガリウムが窒化ガ
リウムを基本とする発光ダイオード構造の最上部に置か
れた構造であり、ｐ形層の上の透明コンタクトが良好な
装置設計に不可欠とされる。発光体表面の最大の利用効
率に対しては、ｎ形とｐ形コンタクト構造が最も広く遠
い位置に配置され、即ち装置と反対の角部に配置されて
いる。
ｕｒａ氏らによりｐ形窒化ガリウムの導電性を改善する
方法が提出された。しかしｐ形窒化ガリウムの導電性は
未だにｎ形窒化ガリウムより劣っている。結果として、
もっともよく目にするのは、ｐ形窒化ガリウムが窒化ガ
リウムを基本とする発光ダイオード構造の最上部に置か
れた構造であり、ｐ形層の上の透明コンタクトが良好な
装置設計に不可欠とされる。発光体表面の最大の利用効
率に対しては、ｎ形とｐ形コンタクト構造が最も広く遠
い位置に配置され、即ち装置と反対の角部に配置されて
いる。
【０００５】図１に示される伝統的な窒化ガリウムを基
材とする発光ダイオードの正面図である。ｐ形透明電極
１１５中に切断された部分１１７があり、一部のｐ形半
導体層１１３を露出させている。ボンディングパッド１
１６が切断された部分１１７を透過して緊密にｐ形半導
体層１１３の上に当接し、並びにｐ形透明電極１１５と
電気的に連接する。この切断された部分１１７はボンデ
ィングパッド１１６部分よりｎ形半導体層１１２の上に
提供されたｎ形電極１１４と最も離れた角部の位置に配
置される。しかし、このようなコンタクト配置は、電流
クラウディング（ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｒｏｗｄｉｎｇ）
の欠点を有しうる。結果として発光表面が効率的利用不
能となり、且つさらに、素子及び透明コンタクト電極の
寿命が電流クラウディングにより短縮される恐れがあっ
た。
材とする発光ダイオードの正面図である。ｐ形透明電極
１１５中に切断された部分１１７があり、一部のｐ形半
導体層１１３を露出させている。ボンディングパッド１
１６が切断された部分１１７を透過して緊密にｐ形半導
体層１１３の上に当接し、並びにｐ形透明電極１１５と
電気的に連接する。この切断された部分１１７はボンデ
ィングパッド１１６部分よりｎ形半導体層１１２の上に
提供されたｎ形電極１１４と最も離れた角部の位置に配
置される。しかし、このようなコンタクト配置は、電流
クラウディング（ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｒｏｗｄｉｎｇ）
の欠点を有しうる。結果として発光表面が効率的利用不
能となり、且つさらに、素子及び透明コンタクト電極の
寿命が電流クラウディングにより短縮される恐れがあっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来の技術を鑑
み、本発明の主要な目的は、一種の分散電流を有し発光
面積利用率を高めた発光ダイオードを提供することにあ
り、即ち、透明コンタクト構造上に凹設された中空パタ
ーンにより電流の直線経路を隔離し、電流分散の目的を
達成すると同時に、発光面積の使用率を増加する。
み、本発明の主要な目的は、一種の分散電流を有し発光
面積利用率を高めた発光ダイオードを提供することにあ
り、即ち、透明コンタクト構造上に凹設された中空パタ
ーンにより電流の直線経路を隔離し、電流分散の目的を
達成すると同時に、発光面積の使用率を増加する。
【０００７】本発明のもう一つの目的は、電流クラウデ
ィングを防止する発光ダイオードを提供することにあ
り、即ち、コンタクト電極の幾何形状及び相対位置の設
計を利用し、コンタクト電極間の電流経路長さを相互に
接近させる。
ィングを防止する発光ダイオードを提供することにあ
り、即ち、コンタクト電極の幾何形状及び相対位置の設
計を利用し、コンタクト電極間の電流経路長さを相互に
接近させる。
【０００８】本発明のさらにもう一つの目的は、表面状
態及びリーク電流を低くした発光ダイオードを提供する
ことにあり、保護層を利用して表面状態（ｓｕｒｆａｃ
ｅｓｔａｔｅ）の数を減らしリーク電流の状況を減ら
す。
態及びリーク電流を低くした発光ダイオードを提供する
ことにあり、保護層を利用して表面状態（ｓｕｒｆａｃ
ｅｓｔａｔｅ）の数を減らしリーク電流の状況を減ら
す。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
と、該基板の上に位置する第１半導体構造と、該第１半
導体構造の第１部分の上に位置する発光構造と、該第１
半導体構造の該第１部分と分離した第２部分の上に位置
し、第１形状を有する第１コンタクト構造と、該発光構
造の上に位置する第２半導体構造と、該第２半導体構造
の上に位置し、切断された部分を具えて一部の第２半導
体構造を露出させ、並びに第２形状を有する、透明コン
タクト層と、第２コンタクト構造とされ、該透明コンタ
クト層の切断された部分の上に位置して第２半導体構造
と接触し、並びに第３形状を有し、この第２コンタクト
構造の第３形状と、第２形状を有する透明コンタクト層
と第１形状を有する第１コンタクト構造との組合せの関
係により、第１コンタクト構造から第２コンタクト構造
に到る複数の電流経路が相互に近い経路とされる、上記
第２コンタクト構造と、を少なくとも含むことを特徴と
する、半導体装置としている。請求項２の発明は、前記
透明コンタクト層が少なくとも複数の中空パターンを具
え、これら中空パターンが光線の該透明コンタクト層よ
りの直接射出を許容し、並びにこれらの電流経路を、折
れ曲がった方向を有するものとなすことを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置としている。請求項３の発
明は、前記第１形状が、少なくとも一つの第１円弧形境
界を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装
置としている。請求項４の発明は、前記第２形状が、少
なくとも一つの第２円弧形境界を含み、該第２円弧形境
界上の任意の一点から第１円弧形境界までの距離が等し
いことを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置とし
ている。請求項５の発明は、前記第３形状が、少なくと
も一つの第３円弧形境界を含み、該第３円弧形境界上の
任意の一点から第１円弧形境界までの距離が等しいこと
を特徴とする、請求項３に記載の半導体装置としてい
る。請求項６の発明は、前記第１形状が少なくとも一つ
の環状形状を含み、これにより透明コンタクト層が該環
状形状の第１コンタクト構造内に囲まれることを特徴と
する、請求項１に記載の半導体装置としている。請求項
７の発明は、前記第２コンタクト構造が透明コンタクト
層の中心に位置し、これにより第２コンタクト構造から
環状形状の第１コンタクト構造に到る電流経路の長さが
相互に接近することを特徴とする、請求項６に記載の半
導体装置としている。請求項８の発明は、前記第３コン
タクト構造が少なくとも一つの環状形状を有し、該環状
形状の第２コンタクト構造が透明コンタクト層の内部に
嵌入したことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装
置としている。請求項９の発明は、前記第１コンタクト
構造が環状形状の第２コンタクト構造の中心の真下に接
近する位置にあり、これにより電流経路の長さが相互に
接近することを特徴とする、請求項８に記載の半導体装
置としている。請求項１０の発明は、前記第１形状が少
なくとも一つの第１線形形状を有し、該第１線形形状の
第１コンタクト構造が第１表面積の第１側に位置するこ
とを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置としてい
る。請求項１１の発明は、前記第２形状が少なくとも一
つの第２線形形状を有し、該第２線形形状の第２コンタ
クト構造が第１側と反対の第２側に位置し、これにより
電流経路長さが相互に接近することを特徴とする、請求
項１０に記載の半導体装置としている。請求項１２の発
明は、前記第１コンタクト構造と第２コンタクト構造が
相反する導電性を有することを特徴とする、請求項１に
記載の半導体装置としている。請求項１３の発明は、前
記第１半導体構造と第１コンタクト構造が同じ導電性を
有することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置
としている。請求項１４の発明は、前記第２半導体構造
と第２コンタクト構造が同じ導電性を有することを特徴
とする、請求項１に記載の半導体装置としている。請求
項１５の発明は、前記基板の材質が少なくとも絶縁サフ
ァイアを含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導
体装置としている。請求項１６の発明は、前記基板の材
質が少なくとも導電底材を含み、このときこの装置が正
常な操作状況にあって上下の垂直方向に導通不能である
ことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置として
いる。請求項１７の発明は、前記第１半導体構造と第２
半導体構造が少なくともＡｌ X ＧａY Ｉｎ(1-X-Y) Ｎで
組成された各自のエピタキシャル層を含み、そのうち、
０≦Ｘ≦１及び０≦Ｙ≦１であることを特徴とする、請
求項１に記載の半導体装置としている。請求項１８の発
明は、前記第１半導体構造と第２半導体構造がそれぞれ
単層構造を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半
導体装置としている。請求項１９の発明は、前記第１半
導体構造と第２半導体構造がそれぞれ多層構造を含むこ
とを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置としてい
る。請求項２０の発明は、前記透明コンタクト層が少な
くとも一つの酸化ニッケル／金層を含むことを特徴とす
る、請求項１に記載の半導体装置としている。請求項２
１の発明は、前記第１コンタクト構造と第２コンタクト
構造がそれぞれ少なくとも一つのコンタクト層と一つの
電極を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体
装置としている。請求項２２の発明は、前記発光構造
が、均質接合、ヘテロ接合、単一ウェル構造及び多重ウ
ェル構造からなる群より選択されることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置としている。請求項２３の
発明は、前記半導体装置が、透明コンタクト層の上方及
び第１コンタクト構造、第２コンタクト構造の複数の側
壁の上を被覆する一つの鈍化層を含むことを特徴とす
る、請求項１に記載の半導体装置としている。請求項２
４の発明は、前記鈍化層が、酸化アルミニウム、酸化シ
リコン、窒化シリコン、酸化タンタル、酸化チタン、硫
化亜鉛、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、酸化ハフニウ
ム（ＨｆＯ2 ）及び酸化亜鉛を含む群より選択されるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置としてい
る。請求項２５の発明は、基板と、該基板の上に位置し
第１導電性を有する第１半導体構造と、該第１半導体構
造の第１部分の上に位置する発光構造と、該第１半導体
構造の、第１部分と分離した第２部分の上に位置し、第
１形状と第１導電性を有する第１コンタクト構造と、該
発光構造の上に位置し、前記第１導電性と反対の第２導
電性を有する第２半導体構造と、該第２半導体構造の上
に位置し、切断された部分を具えて一部の第２半導体構
造を露出させ、並びに第２形状を有する、透明コンタク
ト層と、第２コンタクト構造とされ、該透明コンタクト
層の切断された部分の上に位置して第２半導体構造と接
触し、並びに第３形状と第２導電性を有し、この第２コ
ンタクト構造の第３形状と、第２形状を有する透明コン
タクト層と第１形状を有する第１コンタクト構造との組
合せの関係により、第１コンタクト構造から第２コンタ
クト構造に到る複数の電流経路が相互に近い経路とされ
る、上記第２コンタクト構造と、を少なくとも含むこと
を特徴とする、半導体装置としている。請求項２６の発
明は、前記透明コンタクト層が少なくとも複数の中空パ
ターンを具え、これら中空パターンが光線の該透明コン
タクト層よりの直接射出を許容し、並びにこれらの電流
経路を、折れ曲がった方向を有するものとなすことを特
徴とする、請求項２５に記載の半導体装置としている。
請求項２７の発明は、前記第１形状が、少なくとも一つ
の第１円弧形境界を含むことを特徴とする、請求項２５
に記載の半導体装置としている。請求項２８の発明は、
前記第２形状が、少なくとも一つの第２円弧形境界を含
み、該第２円弧形境界上の任意の一点から第１円弧形境
界までの距離が等しいことを特徴とする、請求項２７に
記載の半導体装置としている。請求項２９の発明は、前
記第３形状が、少なくとも一つの第３円弧形境界を含
み、該第３円弧形境界上の任意の一点から第１円弧形境
界までの距離が等しいことを特徴とする、請求項２７に
記載の半導体装置としている。請求項３０の発明は、前
記第１形状が少なくとも一つの環状形状を含み、これに
より透明コンタクト層が該環状形状の第１コンタクト構
造内に囲まれることを特徴とする、請求項２５に記載の
半導体装置としている。請求項３１の発明は、前記第２
コンタクト構造が透明コンタクト層の中心に位置し、こ
れにより第２コンタクト構造から環状形状の第１コンタ
クト構造に到る電流経路の長さが相互に接近することを
特徴とする、請求項２５に記載の半導体装置としてい
る。請求項３２の発明は、前記第３コンタクト構造が少
なくとも一つの環状形状を有し、環状形状の第２コンタ
クト構造が透明コンタクト層の内部に嵌入したことを特
徴とする、請求項２５に記載の半導体装置としている。
請求項３３の発明は、前記第１コンタクト構造が環状形
状の第２コンタクト構造の中心の真下に接近する位置に
あり、これにより電流経路の長さが相互に接近すること
を特徴とする、請求項３２に記載の半導体装置としてい
る。請求項３４の発明は、前記第１形状が少なくとも一
つの第１線形形状を有し、該第１線形形状の第１コンタ
クト構造が第１表面積の第１側に位置することを特徴と
する、請求項２５に記載の半導体装置としている。請求
項３５の発明は、前記第２形状が少なくとも一つの第２
線形形状を有し、該第２線形形状の第２コンタクト構造
が第１側と反対の第２側に位置し、これにより電流経路
長さが相互に接近することを特徴とする、請求項３４に
記載の半導体装置としている。請求項３６の発明は、前
記基板の材質が少なくとも絶縁サファイアを含むことを
特徴とする、請求項２５に記載の半導体装置としてい
る。請求項３７の発明は、前記基板の材質が少なくとも
導電底材を含み、このときこの装置が正常な操作状況に
あって上下の垂直方向に導通不能であることを特徴とす
る、請求項２５に記載の半導体装置としている。請求項
３８の発明は、前記第１半導体構造と第２半導体構造が
少なくともＡｌ X ＧａY Ｉｎ(1-X-Y) Ｎで組成された各
自のエピタキシャル層を含み、そのうち、０≦Ｘ≦１及
び０≦Ｙ≦１であることを特徴とする、請求項２５に記
載の半導体装置としている。請求項３９の発明は、前記
第１半導体構造と第２半導体構造がそれぞれ単層構造を
含むことを特徴とする、請求項２５に記載の半導体装置
としている。請求項４０の発明は、前記第１半導体構造
と第２半導体構造がそれぞれ多層構造を含むことを特徴
とする、請求項２５に記載の半導体装置としている。請
求項４１の発明は、前記透明コンタクト層が少なくとも
一つの酸化ニッケル／金層を含むことを特徴とする、請
求項２５に記載の半導体装置としている。請求項４２の
発明は、前記第１コンタクト構造と第２コンタクト構造
がそれぞれ少なくとも一つのコンタクト層と一つの電極
を含むことを特徴とする、請求項２５に記載の半導体装
置としている。請求項４３の発明は、前記発光構造が、
均質接合、ヘテロ接合、単一ウェル構造及び多重ウェル
構造からなる群より選択されることを特徴とする、請求
項２５に記載の半導体装置としている。請求項４４の発
明は、前記半導体装置が、透明コンタクト層の上方及び
第１コンタクト構造、第２コンタクト構造の複数の側壁
の上を被覆する一つの鈍化層を含むことを特徴とする、
請求項２５に記載の半導体装置としている。請求項４５
の発明は、前記鈍化層が、酸化アルミニウム、酸化シリ
コン、窒化シリコン、酸化タンタル、酸化チタン、硫化
亜鉛、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、酸化ハフニウム
（ＨｆＯ2 ）及び酸化亜鉛を含む群より選択されること
を特徴とする、請求項４４に記載の半導体装置としてい
る。
と、該基板の上に位置する第１半導体構造と、該第１半
導体構造の第１部分の上に位置する発光構造と、該第１
半導体構造の該第１部分と分離した第２部分の上に位置
し、第１形状を有する第１コンタクト構造と、該発光構
造の上に位置する第２半導体構造と、該第２半導体構造
の上に位置し、切断された部分を具えて一部の第２半導
体構造を露出させ、並びに第２形状を有する、透明コン
タクト層と、第２コンタクト構造とされ、該透明コンタ
クト層の切断された部分の上に位置して第２半導体構造
と接触し、並びに第３形状を有し、この第２コンタクト
構造の第３形状と、第２形状を有する透明コンタクト層
と第１形状を有する第１コンタクト構造との組合せの関
係により、第１コンタクト構造から第２コンタクト構造
に到る複数の電流経路が相互に近い経路とされる、上記
第２コンタクト構造と、を少なくとも含むことを特徴と
する、半導体装置としている。請求項２の発明は、前記
透明コンタクト層が少なくとも複数の中空パターンを具
え、これら中空パターンが光線の該透明コンタクト層よ
りの直接射出を許容し、並びにこれらの電流経路を、折
れ曲がった方向を有するものとなすことを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置としている。請求項３の発
明は、前記第１形状が、少なくとも一つの第１円弧形境
界を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装
置としている。請求項４の発明は、前記第２形状が、少
なくとも一つの第２円弧形境界を含み、該第２円弧形境
界上の任意の一点から第１円弧形境界までの距離が等し
いことを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置とし
ている。請求項５の発明は、前記第３形状が、少なくと
も一つの第３円弧形境界を含み、該第３円弧形境界上の
任意の一点から第１円弧形境界までの距離が等しいこと
を特徴とする、請求項３に記載の半導体装置としてい
る。請求項６の発明は、前記第１形状が少なくとも一つ
の環状形状を含み、これにより透明コンタクト層が該環
状形状の第１コンタクト構造内に囲まれることを特徴と
する、請求項１に記載の半導体装置としている。請求項
７の発明は、前記第２コンタクト構造が透明コンタクト
層の中心に位置し、これにより第２コンタクト構造から
環状形状の第１コンタクト構造に到る電流経路の長さが
相互に接近することを特徴とする、請求項６に記載の半
導体装置としている。請求項８の発明は、前記第３コン
タクト構造が少なくとも一つの環状形状を有し、該環状
形状の第２コンタクト構造が透明コンタクト層の内部に
嵌入したことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装
置としている。請求項９の発明は、前記第１コンタクト
構造が環状形状の第２コンタクト構造の中心の真下に接
近する位置にあり、これにより電流経路の長さが相互に
接近することを特徴とする、請求項８に記載の半導体装
置としている。請求項１０の発明は、前記第１形状が少
なくとも一つの第１線形形状を有し、該第１線形形状の
第１コンタクト構造が第１表面積の第１側に位置するこ
とを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置としてい
る。請求項１１の発明は、前記第２形状が少なくとも一
つの第２線形形状を有し、該第２線形形状の第２コンタ
クト構造が第１側と反対の第２側に位置し、これにより
電流経路長さが相互に接近することを特徴とする、請求
項１０に記載の半導体装置としている。請求項１２の発
明は、前記第１コンタクト構造と第２コンタクト構造が
相反する導電性を有することを特徴とする、請求項１に
記載の半導体装置としている。請求項１３の発明は、前
記第１半導体構造と第１コンタクト構造が同じ導電性を
有することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置
としている。請求項１４の発明は、前記第２半導体構造
と第２コンタクト構造が同じ導電性を有することを特徴
とする、請求項１に記載の半導体装置としている。請求
項１５の発明は、前記基板の材質が少なくとも絶縁サフ
ァイアを含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導
体装置としている。請求項１６の発明は、前記基板の材
質が少なくとも導電底材を含み、このときこの装置が正
常な操作状況にあって上下の垂直方向に導通不能である
ことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置として
いる。請求項１７の発明は、前記第１半導体構造と第２
半導体構造が少なくともＡｌ X ＧａY Ｉｎ(1-X-Y) Ｎで
組成された各自のエピタキシャル層を含み、そのうち、
０≦Ｘ≦１及び０≦Ｙ≦１であることを特徴とする、請
求項１に記載の半導体装置としている。請求項１８の発
明は、前記第１半導体構造と第２半導体構造がそれぞれ
単層構造を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半
導体装置としている。請求項１９の発明は、前記第１半
導体構造と第２半導体構造がそれぞれ多層構造を含むこ
とを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置としてい
る。請求項２０の発明は、前記透明コンタクト層が少な
くとも一つの酸化ニッケル／金層を含むことを特徴とす
る、請求項１に記載の半導体装置としている。請求項２
１の発明は、前記第１コンタクト構造と第２コンタクト
構造がそれぞれ少なくとも一つのコンタクト層と一つの
電極を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体
装置としている。請求項２２の発明は、前記発光構造
が、均質接合、ヘテロ接合、単一ウェル構造及び多重ウ
ェル構造からなる群より選択されることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置としている。請求項２３の
発明は、前記半導体装置が、透明コンタクト層の上方及
び第１コンタクト構造、第２コンタクト構造の複数の側
壁の上を被覆する一つの鈍化層を含むことを特徴とす
る、請求項１に記載の半導体装置としている。請求項２
４の発明は、前記鈍化層が、酸化アルミニウム、酸化シ
リコン、窒化シリコン、酸化タンタル、酸化チタン、硫
化亜鉛、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、酸化ハフニウ
ム（ＨｆＯ2 ）及び酸化亜鉛を含む群より選択されるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置としてい
る。請求項２５の発明は、基板と、該基板の上に位置し
第１導電性を有する第１半導体構造と、該第１半導体構
造の第１部分の上に位置する発光構造と、該第１半導体
構造の、第１部分と分離した第２部分の上に位置し、第
１形状と第１導電性を有する第１コンタクト構造と、該
発光構造の上に位置し、前記第１導電性と反対の第２導
電性を有する第２半導体構造と、該第２半導体構造の上
に位置し、切断された部分を具えて一部の第２半導体構
造を露出させ、並びに第２形状を有する、透明コンタク
ト層と、第２コンタクト構造とされ、該透明コンタクト
層の切断された部分の上に位置して第２半導体構造と接
触し、並びに第３形状と第２導電性を有し、この第２コ
ンタクト構造の第３形状と、第２形状を有する透明コン
タクト層と第１形状を有する第１コンタクト構造との組
合せの関係により、第１コンタクト構造から第２コンタ
クト構造に到る複数の電流経路が相互に近い経路とされ
る、上記第２コンタクト構造と、を少なくとも含むこと
を特徴とする、半導体装置としている。請求項２６の発
明は、前記透明コンタクト層が少なくとも複数の中空パ
ターンを具え、これら中空パターンが光線の該透明コン
タクト層よりの直接射出を許容し、並びにこれらの電流
経路を、折れ曲がった方向を有するものとなすことを特
徴とする、請求項２５に記載の半導体装置としている。
請求項２７の発明は、前記第１形状が、少なくとも一つ
の第１円弧形境界を含むことを特徴とする、請求項２５
に記載の半導体装置としている。請求項２８の発明は、
前記第２形状が、少なくとも一つの第２円弧形境界を含
み、該第２円弧形境界上の任意の一点から第１円弧形境
界までの距離が等しいことを特徴とする、請求項２７に
記載の半導体装置としている。請求項２９の発明は、前
記第３形状が、少なくとも一つの第３円弧形境界を含
み、該第３円弧形境界上の任意の一点から第１円弧形境
界までの距離が等しいことを特徴とする、請求項２７に
記載の半導体装置としている。請求項３０の発明は、前
記第１形状が少なくとも一つの環状形状を含み、これに
より透明コンタクト層が該環状形状の第１コンタクト構
造内に囲まれることを特徴とする、請求項２５に記載の
半導体装置としている。請求項３１の発明は、前記第２
コンタクト構造が透明コンタクト層の中心に位置し、こ
れにより第２コンタクト構造から環状形状の第１コンタ
クト構造に到る電流経路の長さが相互に接近することを
特徴とする、請求項２５に記載の半導体装置としてい
る。請求項３２の発明は、前記第３コンタクト構造が少
なくとも一つの環状形状を有し、環状形状の第２コンタ
クト構造が透明コンタクト層の内部に嵌入したことを特
徴とする、請求項２５に記載の半導体装置としている。
請求項３３の発明は、前記第１コンタクト構造が環状形
状の第２コンタクト構造の中心の真下に接近する位置に
あり、これにより電流経路の長さが相互に接近すること
を特徴とする、請求項３２に記載の半導体装置としてい
る。請求項３４の発明は、前記第１形状が少なくとも一
つの第１線形形状を有し、該第１線形形状の第１コンタ
クト構造が第１表面積の第１側に位置することを特徴と
する、請求項２５に記載の半導体装置としている。請求
項３５の発明は、前記第２形状が少なくとも一つの第２
線形形状を有し、該第２線形形状の第２コンタクト構造
が第１側と反対の第２側に位置し、これにより電流経路
長さが相互に接近することを特徴とする、請求項３４に
記載の半導体装置としている。請求項３６の発明は、前
記基板の材質が少なくとも絶縁サファイアを含むことを
特徴とする、請求項２５に記載の半導体装置としてい
る。請求項３７の発明は、前記基板の材質が少なくとも
導電底材を含み、このときこの装置が正常な操作状況に
あって上下の垂直方向に導通不能であることを特徴とす
る、請求項２５に記載の半導体装置としている。請求項
３８の発明は、前記第１半導体構造と第２半導体構造が
少なくともＡｌ X ＧａY Ｉｎ(1-X-Y) Ｎで組成された各
自のエピタキシャル層を含み、そのうち、０≦Ｘ≦１及
び０≦Ｙ≦１であることを特徴とする、請求項２５に記
載の半導体装置としている。請求項３９の発明は、前記
第１半導体構造と第２半導体構造がそれぞれ単層構造を
含むことを特徴とする、請求項２５に記載の半導体装置
としている。請求項４０の発明は、前記第１半導体構造
と第２半導体構造がそれぞれ多層構造を含むことを特徴
とする、請求項２５に記載の半導体装置としている。請
求項４１の発明は、前記透明コンタクト層が少なくとも
一つの酸化ニッケル／金層を含むことを特徴とする、請
求項２５に記載の半導体装置としている。請求項４２の
発明は、前記第１コンタクト構造と第２コンタクト構造
がそれぞれ少なくとも一つのコンタクト層と一つの電極
を含むことを特徴とする、請求項２５に記載の半導体装
置としている。請求項４３の発明は、前記発光構造が、
均質接合、ヘテロ接合、単一ウェル構造及び多重ウェル
構造からなる群より選択されることを特徴とする、請求
項２５に記載の半導体装置としている。請求項４４の発
明は、前記半導体装置が、透明コンタクト層の上方及び
第１コンタクト構造、第２コンタクト構造の複数の側壁
の上を被覆する一つの鈍化層を含むことを特徴とする、
請求項２５に記載の半導体装置としている。請求項４５
の発明は、前記鈍化層が、酸化アルミニウム、酸化シリ
コン、窒化シリコン、酸化タンタル、酸化チタン、硫化
亜鉛、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、酸化ハフニウム
（ＨｆＯ2 ）及び酸化亜鉛を含む群より選択されること
を特徴とする、請求項４４に記載の半導体装置としてい
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の提供する半導体装置は、
少なくとも一つの基板を包括する。第１半導体構造が基
板の上に位置する。発光構造が第１半導体構造の第１部
分の上に位置する。第１コンタクト構造が第１半導体構
造の第２部分の上に位置し、第１半導体構造の第２部分
と第１部分は分離し、第１コンタクト構造が第１形状を
有する。第２半導体構造が発光構造の上に位置する。透
明コンタクトが第２半導体構造の上に位置し、透明コン
タクトが切断された部分を有して一部の第２半導体構造
を露出させ、並びに第２形状を有する。及び、第２コン
タクト構造が透明コンタクト層の切断部分の上に位置
し、第２半導体構造に接触し、並びに第３形状を有し、
第２コンタクト構造の第３形状と、第２形状を有する透
明コンタクト及び第１形状を有する第１コンタクト構造
との組合せの関係により、第１コンタクト構造から第２
コンタクト構造の複数の電流経路が相互に近い経路を有
する。
少なくとも一つの基板を包括する。第１半導体構造が基
板の上に位置する。発光構造が第１半導体構造の第１部
分の上に位置する。第１コンタクト構造が第１半導体構
造の第２部分の上に位置し、第１半導体構造の第２部分
と第１部分は分離し、第１コンタクト構造が第１形状を
有する。第２半導体構造が発光構造の上に位置する。透
明コンタクトが第２半導体構造の上に位置し、透明コン
タクトが切断された部分を有して一部の第２半導体構造
を露出させ、並びに第２形状を有する。及び、第２コン
タクト構造が透明コンタクト層の切断部分の上に位置
し、第２半導体構造に接触し、並びに第３形状を有し、
第２コンタクト構造の第３形状と、第２形状を有する透
明コンタクト及び第１形状を有する第１コンタクト構造
との組合せの関係により、第１コンタクト構造から第２
コンタクト構造の複数の電流経路が相互に近い経路を有
する。
【００１１】
【実施例】本発明は以下に詳細な図を以て詳しく説明す
る。本発明の実施例を説明する時、使用する半導体構造
の断面図は、一般の比例によらず、局部拡大して説明し
やすくしているが、これは本発明の実施範囲を限定する
ものではない。このほか、実際の製造では、長さ、幅及
び深さの三次元寸法が含まれる。
る。本発明の実施例を説明する時、使用する半導体構造
の断面図は、一般の比例によらず、局部拡大して説明し
やすくしているが、これは本発明の実施範囲を限定する
ものではない。このほか、実際の製造では、長さ、幅及
び深さの三次元寸法が含まれる。
【００１２】本実施例では、ＧａＮを基本とする装置に
ついて証明する。しかし本発明はこの材質に限定される
わけではない。いわゆるＧａＮを基本とする材質とは、
Ａｌ X ＧａY Ｉｎ1-X-Y Ｎ材質で製造されたものを指
す。そのうちＸとＹは０と１の間にある。所謂ＧａＮを
基本とするＬＥＤとは比較的狭いバンドギャップを有す
るＧａＮを基本とする発光構造が、比較的幅広のバンド
ギャップを有するＧａＮを基本構造とする単層或いは多
層の間にあり、発光構造の異なる側に異なる導電形態を
有する。このほか、本発明は発光ダイオードを一つの絶
縁基板の上に成長させるほか、発光ダイオードをその他
の基板の上に成長させるのにも応用できるが、しかし垂
直方向上は導通不能な構造、例えば、ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｐ、Ｓｉ及びＳｉＣとされる。
ついて証明する。しかし本発明はこの材質に限定される
わけではない。いわゆるＧａＮを基本とする材質とは、
Ａｌ X ＧａY Ｉｎ1-X-Y Ｎ材質で製造されたものを指
す。そのうちＸとＹは０と１の間にある。所謂ＧａＮを
基本とするＬＥＤとは比較的狭いバンドギャップを有す
るＧａＮを基本とする発光構造が、比較的幅広のバンド
ギャップを有するＧａＮを基本構造とする単層或いは多
層の間にあり、発光構造の異なる側に異なる導電形態を
有する。このほか、本発明は発光ダイオードを一つの絶
縁基板の上に成長させるほか、発光ダイオードをその他
の基板の上に成長させるのにも応用できるが、しかし垂
直方向上は導通不能な構造、例えば、ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｐ、Ｓｉ及びＳｉＣとされる。
【００１３】本発明は装置の幾何形状及びコンタクト型
式の改善により電流分散を改善する。この実施例では、
透光で且つ導電のオームコンタクト層を装置の導電性の
比較的小さい一側の上部に置く。全てのコンタクト層は
いずれも精密に設計されて電流クラウディングを減少
し、発光面積を増大し、これによりＬＥＤの効率及び使
用寿命を増加する。本発明の詳細な説明は以下のようで
あるが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
式の改善により電流分散を改善する。この実施例では、
透光で且つ導電のオームコンタクト層を装置の導電性の
比較的小さい一側の上部に置く。全てのコンタクト層は
いずれも精密に設計されて電流クラウディングを減少
し、発光面積を増大し、これによりＬＥＤの効率及び使
用寿命を増加する。本発明の詳細な説明は以下のようで
あるが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
【００１４】図２及び図３に示されるのは、本発明の断
面及び正面図である。ｎ形窒化ガリウム構造１２が絶縁
基板１１、例えば、サファイア基板の上に形成される。
ｎ形窒化ガリウム構造１２の上には発光構造１３があ
り、続いて、ｐ形窒化ガリウム構造１４が形成される。
ｎ形及びｐ形窒化ガリウムはいずれも窒化ガリウム単
層、窒化ガリウムと窒化アミニウムの多層構造、或いは
その他の組合せで結合された多層構造とされる。発光構
造１３は均質（ｈｏｍｏｇｅｎｏｕｓ）ｐ−ｎ接合、ヘ
テロジャンクション、単一量子ウェル構造、或いは多重
量子ウェル構造とされうる。良好な装置構造は、サファ
イヤ基板１１上の単層ｎ形窒化ガリウム、ＩｎＧａＮ／
ＧａＮ多重量子ウェル発光層、及びＡｌＧａＮ／ＧａＮ
ｐ形層を含む。このような半導体発光ダイオードはこの
ような配置のエピタキシャル成長により形成される。
面及び正面図である。ｎ形窒化ガリウム構造１２が絶縁
基板１１、例えば、サファイア基板の上に形成される。
ｎ形窒化ガリウム構造１２の上には発光構造１３があ
り、続いて、ｐ形窒化ガリウム構造１４が形成される。
ｎ形及びｐ形窒化ガリウムはいずれも窒化ガリウム単
層、窒化ガリウムと窒化アミニウムの多層構造、或いは
その他の組合せで結合された多層構造とされる。発光構
造１３は均質（ｈｏｍｏｇｅｎｏｕｓ）ｐ−ｎ接合、ヘ
テロジャンクション、単一量子ウェル構造、或いは多重
量子ウェル構造とされうる。良好な装置構造は、サファ
イヤ基板１１上の単層ｎ形窒化ガリウム、ＩｎＧａＮ／
ＧａＮ多重量子ウェル発光層、及びＡｌＧａＮ／ＧａＮ
ｐ形層を含む。このような半導体発光ダイオードはこの
ような配置のエピタキシャル成長により形成される。
【００１５】続いて、このエピタキシャルウエハーに素
子工程を進行する。それは、メサエッチング（ｍｅｓａ
ｅｔｃｈｉｎｇ）、メタライズ及び熱処理工程でダイ
を定義する。メタライズにより透明コンタクト電極１
５、多くの中空パターン１６、ｐ形コンタクト構造（導
電電極とコンタクト層を含む）１７、及びｎ形オームコ
ンタクト構造１８を完成する。さらに、熱処理工程で、
透明コンタクト電極１５の酸化、及びｐ形コンタクト構
造１７及びｎ形オームコンタクト構造１８のアニーリン
グを完成する。正面図より、ｐ形コンタクト構造１７と
ｎ形オームコンタクト構造１８は分離し、即ち垂直方向
上、上下にオーバラップする部分がない。特に強調すべ
きことは、透明コンタクト電極１５の材質が酸化ニッケ
ル／金、酸化マグネシウム、酸化亜鉛或いは五酸化二バ
ナジウムとされ、好ましい実施例では、透明電極材料は
酸化ニッケル／金とされることである。
子工程を進行する。それは、メサエッチング（ｍｅｓａ
ｅｔｃｈｉｎｇ）、メタライズ及び熱処理工程でダイ
を定義する。メタライズにより透明コンタクト電極１
５、多くの中空パターン１６、ｐ形コンタクト構造（導
電電極とコンタクト層を含む）１７、及びｎ形オームコ
ンタクト構造１８を完成する。さらに、熱処理工程で、
透明コンタクト電極１５の酸化、及びｐ形コンタクト構
造１７及びｎ形オームコンタクト構造１８のアニーリン
グを完成する。正面図より、ｐ形コンタクト構造１７と
ｎ形オームコンタクト構造１８は分離し、即ち垂直方向
上、上下にオーバラップする部分がない。特に強調すべ
きことは、透明コンタクト電極１５の材質が酸化ニッケ
ル／金、酸化マグネシウム、酸化亜鉛或いは五酸化二バ
ナジウムとされ、好ましい実施例では、透明電極材料は
酸化ニッケル／金とされることである。
【００１６】上述の中空パターン１６（窓口）は本発明
のキーポイントであり、それらは多折経路の機能を有す
る。第１に、中空パターン１６は直線経路で通過する電
流を遮断する。第２にそれらが正確に設計される時、最
長と最短の電流経路の間で、それらが差異平衡の機能を
演じる。事実上、透明コンタクト電極１５は百パーセン
ト透光ではなく、このため中空パターン１６を設計する
ことにより光線が素子のカプリング部分より直接射出さ
れ、透明コンタクト電極が阻止する経路がなく、ゆえに
このような素子の発光効率が中空パターン１６により向
上すると共に、良好な電流分散性を有する。
のキーポイントであり、それらは多折経路の機能を有す
る。第１に、中空パターン１６は直線経路で通過する電
流を遮断する。第２にそれらが正確に設計される時、最
長と最短の電流経路の間で、それらが差異平衡の機能を
演じる。事実上、透明コンタクト電極１５は百パーセン
ト透光ではなく、このため中空パターン１６を設計する
ことにより光線が素子のカプリング部分より直接射出さ
れ、透明コンタクト電極が阻止する経路がなく、ゆえに
このような素子の発光効率が中空パターン１６により向
上すると共に、良好な電流分散性を有する。
【００１７】さらに中空パターン１６の形状、数及び位
置は実施例中に記載のものに限定されるわけではない。
各種の素子及び電流レベルに応じて最良の設計を行うこ
とができる。特に、ｐ形及びｎ形コンタクト構造が相互
に反対の一側に置かれる時、本発明は最大の効率を発揮
する。図４の正面図を参照されたい。これは本発明の一
つの実施例とされ、方形形状のＬＥＤチップに応用され
ており、そのうちｐ形コンタクト構造１７及びｎ形オー
ムコンタクト構造１８が方形の相互に反対の一側に置か
れている。
置は実施例中に記載のものに限定されるわけではない。
各種の素子及び電流レベルに応じて最良の設計を行うこ
とができる。特に、ｐ形及びｎ形コンタクト構造が相互
に反対の一側に置かれる時、本発明は最大の効率を発揮
する。図４の正面図を参照されたい。これは本発明の一
つの実施例とされ、方形形状のＬＥＤチップに応用され
ており、そのうちｐ形コンタクト構造１７及びｎ形オー
ムコンタクト構造１８が方形の相互に反対の一側に置か
れている。
【００１８】また一方で、表面状態を減少してさらに装
置の表現を改善する。表面状態は、一つの保護層１９で
装置上を被覆することによりリーク電流を減らすことが
でき、図５に示されるとおりである。多くの材質がいず
れも表面保護の目的を達成できる。もちろんどの材料を
使用しても、発光体に対しては、表層が発射光に発射波
長範囲で高度の光学伝送（ｏｐｔｉｃａｌ ｔｒａｎｓ
ｍｉｓｓｉｏｎ）を可能とし、並びに、この保護層の性
質は絶縁或いは高抵抗とされる。このような材質は、例
えば、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化タンタル、酸化チタン、硫化亜鉛、フッ化カル
シウム（ＣａＦ2 ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）及び
酸化亜鉛等の要求に符合するものとされる。この保護層
は本発明の任意の実施例に応用可能であり、この後の説
明では重複した強調と提示は行わない。
置の表現を改善する。表面状態は、一つの保護層１９で
装置上を被覆することによりリーク電流を減らすことが
でき、図５に示されるとおりである。多くの材質がいず
れも表面保護の目的を達成できる。もちろんどの材料を
使用しても、発光体に対しては、表層が発射光に発射波
長範囲で高度の光学伝送（ｏｐｔｉｃａｌ ｔｒａｎｓ
ｍｉｓｓｉｏｎ）を可能とし、並びに、この保護層の性
質は絶縁或いは高抵抗とされる。このような材質は、例
えば、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化タンタル、酸化チタン、硫化亜鉛、フッ化カル
シウム（ＣａＦ2 ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）及び
酸化亜鉛等の要求に符合するものとされる。この保護層
は本発明の任意の実施例に応用可能であり、この後の説
明では重複した強調と提示は行わない。
【００１９】図２から図４の実施例では、電流隔離の中
空パターンが重視され、その中空パターンにより電流を
強制的に均一に分散させる。続いて、幾何形状により電
流分散を達成するもう一つの実施例を紹介する。図６に
示されるのは、本発明に基づく幾何形状における改善の
実施例の正面図である。装置構造は正確に設計されたメ
サ（ｍｅｓａ）及びコンタクト構造を有し、これにより
コンタクト間の最短距離が同じに保持される。これに対
して、伝統的なＬＥＤ中では電流がコンタクト（或いは
コンタクトパッド）間で電流クラウディングを発生し
て、電子がクイック経路を流れる傾向にあり、結果とし
て、チップ上の大部分の面積が有効に利用されなかっ
た。
空パターンが重視され、その中空パターンにより電流を
強制的に均一に分散させる。続いて、幾何形状により電
流分散を達成するもう一つの実施例を紹介する。図６に
示されるのは、本発明に基づく幾何形状における改善の
実施例の正面図である。装置構造は正確に設計されたメ
サ（ｍｅｓａ）及びコンタクト構造を有し、これにより
コンタクト間の最短距離が同じに保持される。これに対
して、伝統的なＬＥＤ中では電流がコンタクト（或いは
コンタクトパッド）間で電流クラウディングを発生し
て、電子がクイック経路を流れる傾向にあり、結果とし
て、チップ上の大部分の面積が有効に利用されなかっ
た。
【００２０】第２の実施例にあって、透明コンタクト電
極２５、ｐ形コンタクト構造２７及びｎ形コンタクト構
造２８がｎ形ＧａＮ構造２２の上にある。それらは、こ
のようなレイアウトによりｐ形コンタクト構造２７上の
任意の一点からｎ形コンタクト構造２８間の最短距離が
いずれも同じに維持される。特に強調すべきは、ｐ形コ
ンタクト構造２７は４分の１円の形状とされ、透明コン
タクト電極２５は扇形形状とされ、それがｐ形コンタク
ト構造２７と同じ円心を有する。即ち、透明コンタクト
電極２５を透過してｐ形コンタクト構造２７が電流をｎ
形コンタクト構造２８に分散させる放射状距離がいずれ
も同じとされる。
極２５、ｐ形コンタクト構造２７及びｎ形コンタクト構
造２８がｎ形ＧａＮ構造２２の上にある。それらは、こ
のようなレイアウトによりｐ形コンタクト構造２７上の
任意の一点からｎ形コンタクト構造２８間の最短距離が
いずれも同じに維持される。特に強調すべきは、ｐ形コ
ンタクト構造２７は４分の１円の形状とされ、透明コン
タクト電極２５は扇形形状とされ、それがｐ形コンタク
ト構造２７と同じ円心を有する。即ち、透明コンタクト
電極２５を透過してｐ形コンタクト構造２７が電流をｎ
形コンタクト構造２８に分散させる放射状距離がいずれ
も同じとされる。
【００２１】図７はｎ形ＧａＮ構造３３上のメサ構造３
２の上にもう一種の形状と位置のｐ形コンタクト構造３
７、ｎ形コンタクト構造３８及び透明コンタクト電極３
５を配置している。特に説明すべきは、ｐ形コンタクト
構造３７とｎ形コンタクト構造３８が反対面に配置さ
れ、反対の角部に配置されていないことである。即ち、
ｐ形コンタクト構造３７とｎ形コンタクト構造３８の形
状が二次元方向に展開されている。このような形状と配
置はｐ形コンタクト構造３７とｎ形コンタクト構造３８
の間で同じ長さの電流経路を建立する。
２の上にもう一種の形状と位置のｐ形コンタクト構造３
７、ｎ形コンタクト構造３８及び透明コンタクト電極３
５を配置している。特に説明すべきは、ｐ形コンタクト
構造３７とｎ形コンタクト構造３８が反対面に配置さ
れ、反対の角部に配置されていないことである。即ち、
ｐ形コンタクト構造３７とｎ形コンタクト構造３８の形
状が二次元方向に展開されている。このような形状と配
置はｐ形コンタクト構造３７とｎ形コンタクト構造３８
の間で同じ長さの電流経路を建立する。
【００２２】続いて、対称なコンタクト設計を利用して
電流の分散と発光面積の有効利用を改善する。図８を参
照されたい。エピタキシャル構造は上述の実施例と同じ
であるが、メサとコンタクトの形状は異なっている。こ
の実施例では、環状ｎ形コンタクト構造４８が装置の周
囲に位置し且つｎ形ＧａＮ層４２の上方に位置する。両
者はいずれもメサの底部に位置する。ｐ形透明コンタク
ト電極４５ｐ形ＧａＮ層４４の上方に位置し、且つｐ形
ＧａＮ層４４がメサの上部に位置する。電流分散のた
め、ｐ形コンタクト構造４７の位置はメサの中心或いは
中心に接近する位置とされ、且つｎ形コンタクト構造４
８はコンタクトパッドと導電環を有する。同様に、二種
類のコンタクト（４７と４８）の形状及び位置の配置に
より全てのコンタクト間の電流距離はメサ中にあって等
しいかほぼ等しい。これにより装置が良好な電流分散と
高面積の使用効率を表現する。特に説明すべきは、ｐ形
コンタクト構造４７の形状が図８に示されるものに限定
されるわけではないということである。１４＊１４ミル
或いはさらに小面積のチップに関しては、コンタクトの
形状は簡単とされ、例えば円形、方形、指状設計を含む
或いは含まないものとされる。当然、このような設計は
以下の実施例でも応用可能である。
電流の分散と発光面積の有効利用を改善する。図８を参
照されたい。エピタキシャル構造は上述の実施例と同じ
であるが、メサとコンタクトの形状は異なっている。こ
の実施例では、環状ｎ形コンタクト構造４８が装置の周
囲に位置し且つｎ形ＧａＮ層４２の上方に位置する。両
者はいずれもメサの底部に位置する。ｐ形透明コンタク
ト電極４５ｐ形ＧａＮ層４４の上方に位置し、且つｐ形
ＧａＮ層４４がメサの上部に位置する。電流分散のた
め、ｐ形コンタクト構造４７の位置はメサの中心或いは
中心に接近する位置とされ、且つｎ形コンタクト構造４
８はコンタクトパッドと導電環を有する。同様に、二種
類のコンタクト（４７と４８）の形状及び位置の配置に
より全てのコンタクト間の電流距離はメサ中にあって等
しいかほぼ等しい。これにより装置が良好な電流分散と
高面積の使用効率を表現する。特に説明すべきは、ｐ形
コンタクト構造４７の形状が図８に示されるものに限定
されるわけではないということである。１４＊１４ミル
或いはさらに小面積のチップに関しては、コンタクトの
形状は簡単とされ、例えば円形、方形、指状設計を含む
或いは含まないものとされる。当然、このような設計は
以下の実施例でも応用可能である。
【００２３】続いてもう一つの実施例を説明する。図９
はその正面図、図１０はその断面図である。ｎ形材質は
比較的良好な導電性と良好なキャリアフローティング率
を有するため、この実施例ではｎ形材質の電流分散能力
を応用する。ｎ形コンタクト構造５８が反転メサ（或い
はウェル）構造の中心或いは中心接近位置に配置され
る。ｐ形透明コンタクト電極５５が装置のその他の表面
上を被覆し、これにより発光面積の効率を最大化する。
電流分散は環状ｐ形コンタクト構造５７により増強され
る。本実施例では、ｐ形透明コンタクト電極の面積が、
図８に示されるｐ形透明コンタクト構電極４５より大き
く、これによりさらに大きな利用可能の発光面積を提供
する。ここで強調すべきは、図９の実施例と上述のその
他の実施例のエピタキシャル構造は同じであり、これら
のエピタキシャル層は、ｎ形ＧａＮ構造５２、発光構造
５３及びｐ形ＧａＮ構造５４を含み、図２中の材質と同
じであることである。コンタクトの材質は、例えば、透
明コンタクト電極５５、ｎ形コンタクト構造５８とｐ形
コンタクト構造５７とされ、図２中の材料と同じとされ
る。これらの装置の設計により、電流は比較的低いコン
タクト抵抗を以て電流分散し、透明コンタクト電極の使
用寿命を延長する。
はその正面図、図１０はその断面図である。ｎ形材質は
比較的良好な導電性と良好なキャリアフローティング率
を有するため、この実施例ではｎ形材質の電流分散能力
を応用する。ｎ形コンタクト構造５８が反転メサ（或い
はウェル）構造の中心或いは中心接近位置に配置され
る。ｐ形透明コンタクト電極５５が装置のその他の表面
上を被覆し、これにより発光面積の効率を最大化する。
電流分散は環状ｐ形コンタクト構造５７により増強され
る。本実施例では、ｐ形透明コンタクト電極の面積が、
図８に示されるｐ形透明コンタクト構電極４５より大き
く、これによりさらに大きな利用可能の発光面積を提供
する。ここで強調すべきは、図９の実施例と上述のその
他の実施例のエピタキシャル構造は同じであり、これら
のエピタキシャル層は、ｎ形ＧａＮ構造５２、発光構造
５３及びｐ形ＧａＮ構造５４を含み、図２中の材質と同
じであることである。コンタクトの材質は、例えば、透
明コンタクト電極５５、ｎ形コンタクト構造５８とｐ形
コンタクト構造５７とされ、図２中の材料と同じとされ
る。これらの装置の設計により、電流は比較的低いコン
タクト抵抗を以て電流分散し、透明コンタクト電極の使
用寿命を延長する。
【００２４】
【発明の効果】本発明の提供する半導体装置は、少なく
とも一つの基板を包括する。第１半導体構造が基板の上
に位置する。発光構造が第１半導体構造の第１部分の上
に位置する。第１コンタクト構造が第１半導体構造の第
２部分の上に位置し、第１半導体構造の第２部分と第１
部分は分離し、第１コンタクト構造が第１形状を有す
る。第２半導体構造が発光構造の上に位置する。透明コ
ンタクトが第２半導体構造の上に位置し、透明コンタク
トが切断された部分を有して一部の第２半導体構造を露
出させ、並びに第２形状を有する。及び、第２コンタク
ト構造が透明コンタクト層の切断部分の上に位置し、第
２半導体構造に接触し、並びに第３形状を有し、第２コ
ンタクト構造の第３形状と、第２形状を有する透明コン
タクト及び第１形状を有する第１コンタクト構造との組
合せの関係により、第１コンタクト構造から第２コンタ
クト構造の複数の電流経路が相互に近い経路を有する。
とも一つの基板を包括する。第１半導体構造が基板の上
に位置する。発光構造が第１半導体構造の第１部分の上
に位置する。第１コンタクト構造が第１半導体構造の第
２部分の上に位置し、第１半導体構造の第２部分と第１
部分は分離し、第１コンタクト構造が第１形状を有す
る。第２半導体構造が発光構造の上に位置する。透明コ
ンタクトが第２半導体構造の上に位置し、透明コンタク
トが切断された部分を有して一部の第２半導体構造を露
出させ、並びに第２形状を有する。及び、第２コンタク
ト構造が透明コンタクト層の切断部分の上に位置し、第
２半導体構造に接触し、並びに第３形状を有し、第２コ
ンタクト構造の第３形状と、第２形状を有する透明コン
タクト及び第１形状を有する第１コンタクト構造との組
合せの関係により、第１コンタクト構造から第２コンタ
クト構造の複数の電流経路が相互に近い経路を有する。
【００２５】以上の実施例は本発明の好ましい実施例で
あり、本発明の技術を説明するためのものであって本発
明の範囲を限定するものではなく、本発明に記載の精神
に基づきなしうる変更或いは修飾は、いずれも本発明の
請求範囲に属するものとする。
あり、本発明の技術を説明するためのものであって本発
明の範囲を限定するものではなく、本発明に記載の精神
に基づきなしうる変更或いは修飾は、いずれも本発明の
請求範囲に属するものとする。
【図１】周知の文献の窒化ガリウム発光ダイオードの正
面図である。
面図である。
【図２】本発明の発光ダイオードの断面図であり、透明
コンタクト電極の上の中空パターンが含まれている。
コンタクト電極の上の中空パターンが含まれている。
【図３】本発明の図２の実施例の発光ダイオードの正面
図であり、二つのコンタクト構造の幾何形状と相対位置
を示す。
図であり、二つのコンタクト構造の幾何形状と相対位置
を示す。
【図４】本発明の図２の発光ダイオードの別の実施例の
正面図であり、二つのコンタクト構造の幾何形状と相対
位置を示す。
正面図であり、二つのコンタクト構造の幾何形状と相対
位置を示す。
【図５】本発明の発光ダイオードのもう一つの断面図で
あり、保護層で被覆して装置の信頼度を高めることを説
明する。
あり、保護層で被覆して装置の信頼度を高めることを説
明する。
【図６】本発明の発光ダイオードのもう一つの系列の正
面図であり、本発明の二つのコンタクト構造の幾何形状
と相対位置を示す。
面図であり、本発明の二つのコンタクト構造の幾何形状
と相対位置を示す。
【図７】本発明の発光ダイオードのもう一つの系列の正
面図であり、本発明の二つのコンタクト構造の幾何形状
と相対位置を示す。
面図であり、本発明の二つのコンタクト構造の幾何形状
と相対位置を示す。
【図８】本発明の発光ダイオードのもう一つの系列の正
面図であり、本発明の二つのコンタクト構造の幾何形状
と相対位置を示す。
面図であり、本発明の二つのコンタクト構造の幾何形状
と相対位置を示す。
【図９】本発明の発光ダイオードのもう一つの系列の正
面図であり、ｎ形コンタクト構造が中間に置かれる方式
を説明する。
面図であり、ｎ形コンタクト構造が中間に置かれる方式
を説明する。
【図１０】図９の実施例の断面図であり、ｎ形コンタク
ト構造が中間に置かれる方式を説明する。
ト構造が中間に置かれる方式を説明する。
１１ 絶縁基板
１２ ｎ形窒化ガリウム構造
１３ 発光構造
１４ ｐ形窒化ガリウム構造
１５ 透明コンタクト電極
１６ 中空パターン
１７ ｐ形コンタクト構造
１８ ｎ形オームコンタクト構造
１９ 保護層
２２ ｎ形ＧａＮ構造
２５ 透明コンタクト電極
２７ ｐ形コンタクト構造
２８ ｎ形コンタクト構造
３２ メサ構造
３３ ｎ形ＧａＮ構造
３５ 透明コンタクト電極
３７ ｐ形コンタクト構造
３８ ｎ形コンタクト構造
４２ ｎ形ＧａＮ層
４４ ｐ形ＧａＮ層
４５ ｐ形透明コンタクト電極
４７ ｐ形コンタクト構造
４８ ｎ形コンタクト構造
５２ ｎ形ＧａＮ構造
５３ 発光構造
５４ ｐ形ＧａＮ構造
５５ ｐ形透明コンタクト電極
５７ ｐ形コンタクト構造
５８ ｎ形コンタクト構造
１１２ ｎ形半導体層
１１３ ｐ形半導体層
１１４ ｎ形電極
１１５ ｐ形電極
１１６ ボンディングパッド
１１７ 切断された部分
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 易 乃冠
台湾桃園縣龍潭郷凌雲村千城路170號
(72)発明者 陳 建安
台湾台北縣新莊市民安西路245巷10弄15號
５樓
(72)発明者 陳 乃權
台湾台北縣板橋市長安街331巷12號
Ｆターム(参考） 5F041 AA03 CA04 CA05 CA40 CA73
CA74 CA82 CA88
Claims (45)
- 【請求項１】 基板と、 該基板の上に位置する第１半導体構造と、 該第１半導体構造の第１部分の上に位置する発光構造
と、 該第１半導体構造の該第１部分と分離した第２部分の上
に位置し、第１形状を有する第１コンタクト構造と、 該発光構造の上に位置する第２半導体構造と、 該第２半導体構造の上に位置し、切断された部分を具え
て一部の第２半導体構造を露出させ、並びに第２形状を
有する、透明コンタクト層と、 第２コンタクト構造とされ、該透明コンタクト層の切断
された部分の上に位置して第２半導体構造と接触し、並
びに第３形状を有し、この第２コンタクト構造の第３形
状と、第２形状を有する透明コンタクト層と第１形状を
有する第１コンタクト構造との組合せの関係により、第
１コンタクト構造から第２コンタクト構造に到る複数の
電流経路が相互に近い経路とされる、上記第２コンタク
ト構造と、 を少なくとも含むことを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項２】 前記透明コンタクト層が少なくとも複数
の中空パターンを具え、これら中空パターンが光線の該
透明コンタクト層よりの直接射出を許容し、並びにこれ
らの電流経路を、折れ曲がった方向を有するものとなす
ことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記第１形状が、少なくとも一つの第１
円弧形境界を含むことを特徴とする、請求項１に記載の
半導体装置。 - 【請求項４】 前記第２形状が、少なくとも一つの第２
円弧形境界を含み、該第２円弧形境界上の任意の一点か
ら第１円弧形境界までの距離が等しいことを特徴とす
る、請求項３に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記第３形状が、少なくとも一つの第３
円弧形境界を含み、該第３円弧形境界上の任意の一点か
ら第１円弧形境界までの距離が等しいことを特徴とす
る、請求項３に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記第１形状が少なくとも一つの環状形
状を含み、これにより透明コンタクト層が該環状形状の
第１コンタクト構造内に囲まれることを特徴とする、請
求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項７】 前記第２コンタクト構造が透明コンタク
ト層の中心に位置し、これにより第２コンタクト構造か
ら環状形状の第１コンタクト構造に到る電流経路の長さ
が相互に接近することを特徴とする、請求項６に記載の
半導体装置。 - 【請求項８】 前記第３コンタクト構造が少なくとも一
つの環状形状を有し、該環状形状の第２コンタクト構造
が透明コンタクト層の内部に嵌入したことを特徴とす
る、請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項９】 前記第１コンタクト構造が環状形状の第
２コンタクト構造の中心の真下に接近する位置にあり、
これにより電流経路の長さが相互に接近することを特徴
とする、請求項８に記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記第１形状が少なくとも一つの第１
線形形状を有し、該第１線形形状の第１コンタクト構造
が第１表面積の第１側に位置することを特徴とする、請
求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 前記第２形状が少なくとも一つの第２
線形形状を有し、該第２線形形状の第２コンタクト構造
が第１側と反対の第２側に位置し、これにより電流経路
長さが相互に接近することを特徴とする、請求項１０に
記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 前記第１コンタクト構造と第２コンタ
クト構造が相反する導電性を有することを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 前記第１半導体構造と第１コンタクト
構造が同じ導電性を有することを特徴とする、請求項１
に記載の半導体装置。 - 【請求項１４】 前記第２半導体構造と第２コンタクト
構造が同じ導電性を有することを特徴とする、請求項１
に記載の半導体装置。 - 【請求項１５】 前記基板の材質が少なくとも絶縁サフ
ァイアを含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導
体装置。 - 【請求項１６】 前記基板の材質が少なくとも導電底材
を含み、このときこの装置が正常な操作状況にあって上
下の垂直方向に導通不能であることを特徴とする、請求
項１に記載の半導体装置。 - 【請求項１７】 前記第１半導体構造と第２半導体構造
が少なくともＡｌXＧａY Ｉｎ(1-X-Y) Ｎで組成された
各自のエピタキシャル層を含み、そのうち、０≦Ｘ≦１
及び０≦Ｙ≦１であることを特徴とする、請求項１に記
載の半導体装置。 - 【請求項１８】 前記第１半導体構造と第２半導体構造
がそれぞれ単層構造を含むことを特徴とする、請求項１
に記載の半導体装置。 - 【請求項１９】 前記第１半導体構造と第２半導体構造
がそれぞれ多層構造を含むことを特徴とする、請求項１
に記載の半導体装置。 - 【請求項２０】 前記透明コンタクト層が少なくとも一
つの酸化ニッケル／金層を含むことを特徴とする、請求
項１に記載の半導体装置。 - 【請求項２１】 前記第１コンタクト構造と第２コンタ
クト構造がそれぞれ少なくとも一つのコンタクト層と一
つの電極を含むことを特徴とする、請求項１に記載の半
導体装置。 - 【請求項２２】 前記発光構造が、均質接合、ヘテロ接
合、単一ウェル構造及び多重ウェル構造からなる群より
選択されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体
装置。 - 【請求項２３】 前記半導体装置が、透明コンタクト層
の上方及び第１コンタクト構造、第２コンタクト構造の
複数の側壁の上を被覆する一つの鈍化層を含むことを特
徴とする、請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項２４】 前記鈍化層が、酸化アルミニウム、酸
化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル、酸化チタ
ン、硫化亜鉛、フッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ2 ）及び酸化亜鉛を含む群より選択さ
れることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項２５】 基板と、 該基板の上に位置し第１導電性を有する第１半導体構造
と、 該第１半導体構造の第１部分の上に位置する発光構造
と、 該第１半導体構造の、第１部分と分離した第２部分の上
に位置し、第１形状と第１導電性を有する第１コンタク
ト構造と、 該発光構造の上に位置し、前記第１導電性と反対の第２
導電性を有する第２半導体構造と、 該第２半導体構造の上に位置し、切断された部分を具え
て一部の第２半導体構造を露出させ、並びに第２形状を
有する、透明コンタクト層と、 第２コンタクト構造とされ、該透明コンタクト層の切断
された部分の上に位置して第２半導体構造と接触し、並
びに第３形状と第２導電性を有し、この第２コンタクト
構造の第３形状と、第２形状を有する透明コンタクト層
と第１形状を有する第１コンタクト構造との組合せの関
係により、第１コンタクト構造から第２コンタクト構造
に到る複数の電流経路が相互に近い経路とされる、上記
第２コンタクト構造と、 を少なくとも含むことを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項２６】 前記透明コンタクト層が少なくとも複
数の中空パターンを具え、これら中空パターンが光線の
該透明コンタクト層よりの直接射出を許容し、並びにこ
れらの電流経路を、折れ曲がった方向を有するものとな
すことを特徴とする、請求項２５に記載の半導体装置。 - 【請求項２７】 前記第１形状が、少なくとも一つの第
１円弧形境界を含むことを特徴とする、請求項２５に記
載の半導体装置。 - 【請求項２８】 前記第２形状が、少なくとも一つの第
２円弧形境界を含み、該第２円弧形境界上の任意の一点
から第１円弧形境界までの距離が等しいことを特徴とす
る、請求項２７に記載の半導体装置。 - 【請求項２９】 前記第３形状が、少なくとも一つの第
３円弧形境界を含み、該第３円弧形境界上の任意の一点
から第１円弧形境界までの距離が等しいことを特徴とす
る、請求項２７に記載の半導体装置。 - 【請求項３０】 前記第１形状が少なくとも一つの環状
形状を含み、これにより透明コンタクト層が該環状形状
の第１コンタクト構造内に囲まれることを特徴とする、
請求項２５に記載の半導体装置。 - 【請求項３１】 前記第２コンタクト構造が透明コンタ
クト層の中心に位置し、これにより第２コンタクト構造
から環状形状の第１コンタクト構造に到る電流経路の長
さが相互に接近することを特徴とする、請求項２５に記
載の半導体装置。 - 【請求項３２】 前記第３コンタクト構造が少なくとも
一つの環状形状を有し、環状形状の第２コンタクト構造
が透明コンタクト層の内部に嵌入したことを特徴とす
る、請求項２５に記載の半導体装置。 - 【請求項３３】 前記第１コンタクト構造が環状形状の
第２コンタクト構造の中心の真下に接近する位置にあ
り、これにより電流経路の長さが相互に接近することを
特徴とする、請求項３２に記載の半導体装置。 - 【請求項３４】 前記第１形状が少なくとも一つの第１
線形形状を有し、該第１線形形状の第１コンタクト構造
が第１表面積の第１側に位置することを特徴とする、請
求項２５に記載の半導体装置。 - 【請求項３５】 前記第２形状が少なくとも一つの第２
線形形状を有し、該第２線形形状の第２コンタクト構造
が第１側と反対の第２側に位置し、これにより電流経路
長さが相互に接近することを特徴とする、請求項３４に
記載の半導体装置。 - 【請求項３６】 前記基板の材質が少なくとも絶縁サフ
ァイアを含むことを特徴とする、請求項２５に記載の半
導体装置。 - 【請求項３７】 前記基板の材質が少なくとも導電底材
を含み、このときこの装置が正常な操作状況にあって上
下の垂直方向に導通不能であることを特徴とする、請求
項２５に記載の半導体装置。 - 【請求項３８】 前記第１半導体構造と第２半導体構造
が少なくともＡｌXＧａY Ｉｎ(1-X-Y) Ｎで組成された
各自のエピタキシャル層を含み、そのうち、０≦Ｘ≦１
及び０≦Ｙ≦１であることを特徴とする、請求項２５に
記載の半導体装置。 - 【請求項３９】 前記第１半導体構造と第２半導体構造
がそれぞれ単層構造を含むことを特徴とする、請求項２
５に記載の半導体装置。 - 【請求項４０】 前記第１半導体構造と第２半導体構造
がそれぞれ多層構造を含むことを特徴とする、請求項２
５に記載の半導体装置。 - 【請求項４１】 前記透明コンタクト層が少なくとも一
つの酸化ニッケル／金層を含むことを特徴とする、請求
項２５に記載の半導体装置。 - 【請求項４２】 前記第１コンタクト構造と第２コンタ
クト構造がそれぞれ少なくとも一つのコンタクト層と一
つの電極を含むことを特徴とする、請求項２５に記載の
半導体装置。 - 【請求項４３】 前記発光構造が、均質接合、ヘテロ接
合、単一ウェル構造及び多重ウェル構造からなる群より
選択されることを特徴とする、請求項２５に記載の半導
体装置。 - 【請求項４４】 前記半導体装置が、透明コンタクト層
の上方及び第１コンタクト構造、第２コンタクト構造の
複数の側壁の上を被覆する一つの鈍化層を含むことを特
徴とする、請求項２５に記載の半導体装置。 - 【請求項４５】 前記鈍化層が、酸化アルミニウム、酸
化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル、酸化チタ
ン、硫化亜鉛、フッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ2 ）及び酸化亜鉛を含む群より選択さ
れることを特徴とする、請求項４４に記載の半導体装
置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001246131A JP2003069074A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001246131A JP2003069074A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003069074A true JP2003069074A (ja) | 2003-03-07 |
Family
ID=19075753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001246131A Pending JP2003069074A (ja) | 2001-08-14 | 2001-08-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2003069074A (ja) |
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