JP2003066867A

JP2003066867A - 表示装置、有機電界発光素子の駆動回路および表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2003066867A
Application number: JP2001253994A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Tokunaga; 和彦徳永; Mitsunobu Sekiya; 光信関谷; Akira Yumoto; 昭湯本
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-08-24
Filing date: 2001-08-24
Publication date: 2003-03-05

Abstract

(57)【要約】【課題】ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の表
示装置において、高精細化等への対応を可能にしつつ、
しかも生産性低下等を招くこともなく、ＴＦＴのアーリ
ー効果を抑制できるようにする。【解決手段】絶縁表面を有する基板１０上に薄膜トラ
ンジスタ１２，１３，１４，１５が形成されるととも
に、その上に有機電界発光素子１，２，３が形成されて
なる表示装置において、前記基板１０と前記薄膜トラン
ジスタ１２，１３，１４，１５との間に、前記基板１０
の全面を覆う導電層１１を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
（有機エレクトロルミネッセンス素子；以下「有機ＥＬ
素子」という）を発光素子とした表示装置、その表示装
置に用いられる有機電界発光素子の駆動回路、および表
示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、平面型の表示装置として、有機Ｅ
Ｌ素子を発光素子としたもの（以下「有機ＥＬディスプ
レイ」という）が注目を集めている。この有機ＥＬディ
スプレイは、バックライトが不要な自発光型のフラット
パネルディスプレイであり、自発光型に特有の視野角の
広いディスプレイを実現できるという利点を有する。ま
た、必要な画素のみを点灯させればよいため消費電力の
点でバックライト型（液晶ディスプレイ等）に比べて有
利であるとともに、今後実用化が期待されている高精細
度の高速のビデオ信号に対して十分な応答性能を具備す
ると考えられている。

【０００３】特に、各画素に対する能動素子として薄膜
トランジスタ（thin film transistor：以下「ＴＦＴ」
と略す）が設けられたアクティブマトリクス型の有機Ｅ
Ｌディスプレイでは、非選択時に関係のない信号を完全
にカットすることにより単純マトリクスで生じる操作電
極間クロストークを排除することができる。また、画素
数の増加に伴って高デューティー化が進んだ場合であっ
ても，有機ＥＬ素子に瞬間的に高電流を供給することを
必要とせずに十分な輝度を確保し得るため、有機ＥＬ素
子に対するダメージを小さくできるといった利点もあ
る。

【０００４】このような有機ＥＬ素子を用いたアクティ
ブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイでは、通常、
基板上の各画素にＴＦＴが設けられ、これらのＴＦＴが
層間絶縁膜で覆われている。そして、この層間絶縁膜上
に有機ＥＬ素子が形成されている。有機ＥＬ素子は、Ｔ
ＦＴに接続された状態で各画素にパターン形成された下
部電極、この下部電極を覆う状態で形成された有機層、
この有機層を覆う状態で設けられた上部電極で構成され
ている。

【０００５】ところで、アクティブマトリックス型の有
機ＥＬディスプレイでは、有機ＥＬ素子が電流駆動型で
あり、ある程度大きな電流を流す必要があるため、アモ
ルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と略す）ＴＦＴで
はなく低温ポリシリコン（以下「ｐ−Ｓｉ」と略す）Ｔ
ＦＴが用いられる。ただし、ｐ−Ｓｉを用いたＴＦＴ
は、一般に、単結晶によるものに比べて、閾値の制御が
難しく、かつ、基板内でのバラツキが大きい。これは、
結晶性が不均一であったり、全体のプロセス温度が低か
ったりすることで、良質のゲート絶縁膜（熱酸化膜）が
使えないといったことが原因となるためである。

【０００６】そのため、アクティブマトリックス型の有
機ＥＬディスプレイを構成するのにあたっては、ＴＦＴ
特性のバラツキ等を極力抑えることが、高品質な画像表
示を実現する上で非常に重要となる。具体的には、ＴＦ
Ｔが動作する際の閾値および可動性（Mobility）のバラ
ツキを抑制するとともに、そのＴＦＴにおけるアーリー
（Early）効果を抑制する必要がある。これらの抑制
は、ＴＦＴ形成時のプロセスとそのＴＦＴを含む回路構
成とのいずれか一方または両方を工夫することによって
実現することが考えられる。

【０００７】例えば、閾値および可動性については、そ
のバラツキをキャンセルする技術として、国際公開番号
ＷＯ０１／０６４８４号にて開示されている回路が提案
されている。この回路構成では、各画素が、走査線が選
択された時データ線から信号電流を取り込む受入用トラ
ンジスタと、取り込んだ信号電流の電流レベルを一旦電
圧レベルに変換して保持する変換用トランジスタと、保
持された電圧レベルに応じた電流レベルを有する駆動電
流を発光素子に流す駆動用トランジスタとからなるの
で、画素内部の能動素子の特性バラツキによらず、安定
かつ正確に各画素の発光素子に所望の電流を供給し得る
ようになっている。

【０００８】また、アーリー効果については、例えばＴ
ＦＴのゲート長を長くすることによって、これを抑制す
ることが広く知られている。さらには、例えば特開２０
０１−５１２９２号公報に開示されているように、ＴＦ
Ｔを、ｐ−Ｓｉの上下にゲートを持つ、いわゆるデュア
ルゲート構造とすることによっても、アーリー効果を抑
制できることが知られている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アーリ
ー効果については、上述した従来の技術では、有機ＥＬ
ディスプレイの高精細化等が進んで画素サイズが小さく
なると、これを抑制することが困難になると考えられ
る。例えば、今後画素サイズが益々小さくなると、ＴＦ
Ｔのゲート長を長く設定することは、事実上不可能にな
ってしまう。また、ＴＦＴをデュアルゲート構造とする
ためには、２回ゲートをパターニングしてコンタクトを
取らなければならないことから、必要とするマスク枚数
とプロセスの工程とがそれぞれ増加してしまう。そのた
め、生産性低下やコスト上昇等を招く可能性があること
を鑑みれば、必ずしも有機ＥＬディスプレイの高精細化
等に対応するのに適しているとはいえない。つまり、ア
ーリー効果抑制のための技術としては、画素サイズが小
さくなっても対応できるものが求められている。

【００１０】そこで、本発明は、高精細化等への対応を
可能にしつつ、しかも生産性低下等を招くこともなく、
ＴＦＴのアーリー効果を抑制できるようにすることで、
画面全域にわたり均一な表示を行うことを可能にし、結
果として高品質な画像表示を実現することのできる表示
装置、有機電界発光素子の駆動回路および表示装置の製
造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために案出されたもので、絶縁表面を有する基板
上に薄膜トランジスタが形成されるとともに、当該薄膜
トランジスタ上に有機電界発光素子が形成されてなる表
示装置において、前記基板と前記薄膜トランジスタとの
間に前記基板の全面を覆う導電層が設けられていること
を特徴とするものである。

【００１２】また、本発明は、絶縁表面を有する基板上
に形成された薄膜トランジスタを含む有機電界発光素子
の駆動回路において、前記基板と前記薄膜トランジスタ
との間に前記基板の全面を覆う導電層が設けられている
ことを特徴とするものである。

【００１３】また、本発明は、上記目的を達成するため
に案出された方法で、絶縁表面を有する基板上に薄膜ト
ランジスタを形成し、さらに当該薄膜トランジスタ上に
有機電界発光素子を形成する表示装置の製造方法におい
て、前記薄膜トランジスタの形成に先立ち、前記基板上
に当該基板の全面を覆う導電層を形成することを特徴と
する。

【００１４】上記構成の表示装置、有機電界発光素子の
駆動回路、および上記手順の表示装置の製造方法によれ
ば、薄膜トランジスタの下側に導電層が形成されるの
で、その導電層を０Ｖに固定することで、バックゲート
電位が抑えられ、これにより薄膜トランジスタのアーリ
ー効果を抑制し得るようになる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明に係る
表示装置、有機電界発光素子の駆動回路、および表示装
置の製造方法について説明する。

【００１６】ここで、先ず、本発明に係る表示装置につ
いて、有機ＥＬ素子を発光素子としたアクティブマトリ
クス型の有機ＥＬディスプレイを例に挙げて、簡単に説
明する。図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブ
マトリクス型有機ＥＬディスプレイの概略構成例を示す
断面図である。

【００１７】本実施形態で説明する有機ＥＬディスプレ
イでは、マトリクス状に多数配置された画素によって表
示領域が構成され、各画素に表示素子としての有機ＥＬ
素子が配されている。

【００１８】有機ＥＬ素子は、正孔輸送層、発光層およ
び電子輸送層を順次堆積させてなる有機層１が、陽極
（アノード）２および陰極（カソード）３によって挟持
されているものである。そして、陽極２および陰極３と
の間に直流電圧を印加することにより、正孔は陽極２か
ら正孔輸送層を経て、電子は陰極３から電子輸送層を経
て、それぞれ発光層内に注入され、その注入された正負
のキャリアによって発光層内の蛍光分子が励起状態とな
り、この励起分子の緩和過程で発光が得られるようにな
っている。

【００１９】ところで、本実施形態で説明する有機ＥＬ
ディスプレイは、いわゆるＴＡＣ（Top emission Adapt
ive Current drive）技術を用いたもので、有機ＥＬ素
子が上面発光型（Top emission構造）となっている。し
たがって、この有機ＥＬ素子では、積層構造の下方側に
配された陽極２が、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅
（Ｃｕ）等といった仕事関数の大きい金属を用いて形成
されており、メタルアノードとして機能するようになっ
ている。さらには、積層構造の上方側に配された陰極３
が、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金
やマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金等といっ
た仕事関数の小さい材料によって、有機層１で発せられ
た光を透過する程度の膜厚に形成されており、光透過性
カソードとして機能するようになっている。そして、有
機層１で発せられた光は、陰極３を透過して外部に向け
て、すなわち有機ＥＬ素子の上面側に向けて出射され
る。なお、陰極３の上面側は、その陰極３の保護等のた
めに形成された保護層４および透明シール５によって覆
われている。

【００２０】このような構成の有機ＥＬ素子は、アクテ
ィブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイに用いられる
ことから、その有機ＥＬ素子の下層側に設けられたＴＦ
Ｔによって駆動されるようになっている。つまり、有機
ＥＬ素子の下層側には、平坦化層６や層間絶縁層７等を
介して複数のＴＦＴが設けられている。そして、これら
のＴＦＴは、パターン化されて形成された電極８および
平坦化層６に形成されるコンタクト部９によって、有機
ＥＬ素子と電気的に接続されており、これにより画素を
選択したり有機ＥＬ素子を駆動したりするための駆動回
路としての機能を果たすようになっている。

【００２１】なお、これらのＴＦＴは、いずれも、絶縁
表面を有する基板１０上に形成されたものであるが、こ
れらの間には、詳細を後述するように、基板１０の全面
を覆う導電層１１が設けられているものとする。

【００２２】次に、以上のように構成されたアクティブ
マトリクス型有機ＥＬディスプレイの製造手順、すなわ
ち本発明に係る表示装置の製造方法の一例について説明
する。ただし、ここでは、本発明のおいて特徴的な駆動
回路部分の製造手順を中心に説明を行う。図２は、本発
明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ
ディスプレイの製造手順を示す断面図である。

【００２３】上述した構成のアクティブマトリクス型有
機ＥＬディスプレイの製造にあたっては、先ず、図２
（ａ）に示すように、絶縁表面を有する基板１０とし
て、例えば石英基板を用意する。ただし、絶縁表面を有
したものであれば、石英基板の代わりに、熱酸化膜を形
成したシリコン基板や、石英基板上にシリコン（Ｓｉ）
を成膜し熱酸化したもの等を用いるようにしてもよい。

【００２４】そして、その基板１０上の全面に、導電層
１１を成膜する。導電層１１としては、例えばモリブデ
ン（Ｍｏ）を９０ｎｍ厚で成膜することが考えられる。
ただし、導電を有するものであれば、モリブデン以外で
あっても、例えばタンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）、チタン（Ｔｉ）等といった高融点の金属、ある
いはこれらの積層膜を用いるようにしてもよい。

【００２５】導電層１１の成膜後は、図２（ｂ）に示す
ように、その導電層１１上に、絶縁膜１２およびａ−Ｓ
ｉ膜１３を連続成膜する。絶縁膜１２としては、例え
ば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜１２ａおよび二酸化ケイ素
（ＳｉＯ₂）膜１２ｂの積層膜を形成することが考えら
れる。さらに具体的には、プラズマＣＶＤ（Chemical V
apor Deposition）にて、窒化ケイ素膜１２ａを２００
ｎｍ厚で、二酸化ケイ素膜１２ｂを１５０ｎｍ厚で、ａ
−Ｓｉ膜１３を４５ｎｍ厚で、それぞれ成膜することが
考えられる。

【００２６】そして、ａ−Ｓｉ膜１３の成膜後は、エキ
シマ・レーザ・アニール（ＥＬＡ）による結晶化を行
う。すなわち、ａ−Ｓｉ膜１３にエキシマレーザを照射
し、ｐ−Ｓｉに改質する。このときのグレインサイズ
（組織の結晶粒度）は、約４００ｎｍ程度とすることが
考えられる。

【００２７】その後は、図２（ｃ）に示すように、ｐ−
Ｓｉをパターニングし、エッチングした後に、ゲート絶
縁膜１４およびゲート電極１５を成膜する。ゲート絶縁
膜１４は、例えばプラズマＣＶＤによる二酸化ケイ素
（ＳｉＯ₂）／窒化ケイ素（ＳｉＮ）／二酸化ケイ素
（ＳｉＯ₂）の積層構造とすることが考えられる。ま
た、ゲート電極１５は、先に説明した導電層１１と同様
に、モリブデン（Ｍｏ）を用いることが考えられるが、
高融点金属やアルミニウム（Ａｌ）等の単層または積層
構造であってもよいことは勿論である。そして、ゲート
をパターニングし、エッチングした後に、通常のＴＦＴ
の形成手順と略同様に、ｐチャネルおよびｎチャネルを
作り分ける。

【００２８】さらに、その後は、図２（ｄ）に示すよう
に、通常のＴＦＴの形成手順と略同様にして、層間絶縁
層７の成膜、その層間絶縁層７におけるコンタクトの形
成、電極８となるアルミニウム（Ａｌ）層の成膜、その
電極８をパターン化するためのアルミニウム層のエッチ
ング等を順次行って、基板１０上にＴＦＴを形成する。

【００２９】ＴＦＴを形成後は、図１に示すように、電
極８がパターン化されて形成された上に平坦化層６を成
膜し、さらにその平坦化層６の上に、有機層１が陽極２
および陰極３に挟持されてなる有機ＥＬ素子を形成す
る。なお、有機ＥＬ素子の形成については、通常の形成
手順と略同様であるため、ここではその説明を省略す
る。

【００３０】このようにして基板１０上に形成されたＴ
ＦＴは、平坦化層６に形成されるコンタクト部９を介し
て、そのＴＦＴ上に形成された有機ＥＬ素子と電気的に
接続される。そして、画素を選択したり有機ＥＬ素子を
駆動したりするための駆動回路を構成することになる。
したがって、基板１０上のＴＦＴでは、例えば、輝度デ
ータがデータ線から電圧の形で与えられると、そのデー
タ電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子に流す、といった動
作を行うことになる。

【００３１】ところで、ＴＦＴの下側には、基板１０と
の間に、その基板１０の全面を覆う導電層１１が設けら
れている。そのため、その導電層１１を０Ｖに固定する
ことによって、ＴＦＴは、バックゲート電位が抑えられ
ることになる。つまり、基板１０上に形成されたＴＦＴ
は、いずれもバックゲート電位が抑えられるので、ゲー
ト長を長くしたりデュアルゲート構造としたりせずに、
アーリー効果が抑制されることになる。

【００３２】このアーリー効果抑制について、以下、具
体例を挙げて説明する。ここでは、ＴＦＴのアーリー値
を求める計算式を、以下に示す（１）式のように定義す
る。

【００３３】Ｖｅ＝（Ｉｄ１×Ｖｄ２−Ｉｄ２×Ｖｄ１）／（Ｉｄ２−Ｉｄ１）…（１）Ｖｅ；アーリー値Ｖｄ１，Ｖｄ２；ドレイン電圧（Ｖｄ１＜Ｖｄ２）Ｉｄ１；Ｖｄ１を印加したときのドレイン電流Ｉｄ２；Ｖｄ２を印加したときのドレイン電流

【００３４】図３には、本実施形態で説明したトップゲ
ート構造のＴＦＴと、従来の一般的なトップゲート構造
のＴＦＴとで、上記の（１）式を用いて求めたアーリー
値Ｖｅの比較結果を示す。図例から明らかなように、Ｔ
ＦＴの下層側に導電層１１を形成しなかった通常のトッ
プゲート構造のアーリー値（図中における破線を参照の
こと）に対して、ＴＦＴの下層側に導電層１１を形成し
て０Ｖを印加した構造の場合には、ｐチャネルとｎチャ
ネルとのいずれについても、アーリー値（図中における
実線を参照のこと）が向上し良くなっていることがわか
る。つまり、ＴＦＴの下層側に導電層１１を形成すれ
ば、導電層１１を形成しなかった場合に比べて、アーリ
ー値の絶対値が上回ることから、アーリー効果も抑制さ
れることになるといえる。

【００３５】なお、このようなアーリー効果抑制は、基
板１０上に形成された全てのＴＦＴについて適用され
る。すなわち、ここで説明したＴＦＴには、有機ＥＬ素
子を駆動するための駆動トランジスタや画素を選択する
ための選択トランジスタ等といった、有機ＥＬ素子の駆
動回路を構成する全てのＴＦＴを含む。

【００３６】以上のように、本実施形態で説明した有機
ＥＬディスプレイ、その有機ＥＬディスプレイに用いら
れる有機ＥＬ素子の駆動回路、およびその有機ＥＬディ
スプレイの製造方法によれば、基板１０上に形成される
ＴＦＴとその基板１０との間に、その基板１０の全面を
覆う導電層１１が設けられているので、その導電層１１
を０Ｖに固定するだけでＴＦＴのバックゲート電位が抑
えられ、結果としてＴＦＴのアーリー効果を抑制するこ
とができるようになる。

【００３７】したがって、マトリクス状に多数配置され
た画素によって表示領域が構成されていても、各画素の
輝度等にバラツキが生じてしまうのを極力回避すること
ができ、各画素の均一性が高い高品質な画像表示を実現
することが可能になる。

【００３８】また、ゲート長を長くせずにＴＦＴのアー
リー効果を抑制し得るので、有機ＥＬディスプレイの高
精細化等が進んで画素サイズが小さくなった場合であっ
ても、これに十分に対応することができる。

【００３９】さらには、ＴＦＴの下層側に導電層１１を
形成し、これを０Ｖにするだけなので、その製造工程に
おいて必要とするマスク枚数の増加を招くことなく、ま
たプロセスの増加も導電層１１を形成する一工程のみで
済む。そのため、非常にシンプルにＴＦＴのアーリー効
果の抑制を実現でき、有機ＥＬディスプレイの生産性低
下やコスト上昇等を招くこともない。この点からも、有
機ＥＬディスプレイの高精細化や高輝度化等に対応する
のに適しているといえる。

【００４０】また、本実施形態で説明した有機ＥＬディ
スプレイでは、有機ＥＬ素子が発した光を、基板１０側
ではなく、有機ＥＬ素子の上面側から取り出す、いわゆ
るＴＡＣ技術を用いて構成されているので、ＴＦＴの下
層側に導電層１１を形成する場合であっても、その導電
層１１に光を透過させる必要がない。つまり、導電層１
１の形成材料やその膜厚等の選択の幅が広がることにな
る。しかも、ＴＡＣ技術によってＴＦＴの配置に光量が
影響されない構造を実現できるので、発光面の開口率を
向上させて高輝度化を実現することが可能となる。ま
た、開口率が向上することで、輝度を保ちつつ各画素を
微小化することもできるので、高精細化にも容易に対応
し得るようになる。

【００４１】なお、本実施形態では、形成されるＴＦＴ
として、シンプルゲートのトップゲート（Top Gate）構
造を例に挙げたが、ＴＦＴは、ダブルゲート（Double G
ate）構造やトリプルゲート（Triple Gate）構造のよう
な複数のゲート電極を持つものであっても構わない。

【００４２】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係る表
示装置、有機電界発光素子の駆動回路および表示装置の
製造方法によれば、薄膜トランジスタの下側に導電層が
形成されるので、その導電層を０Ｖに固定することで、
バックゲート電位が抑えられ、これにより薄膜トランジ
スタのアーリー効果を抑制し得るようになる。したがっ
て、トランジスタのゲート長を長くしたりデュアルゲー
ト構造としたりすることなくアーリー効果を抑制できる
ので、高精細化等が進んで画素サイズが小さくなった場
合であっても、生産性低下やコスト上昇等を招くことも
なく、各画素の輝度等にバラツキが生じてしまうのを極
力回避し、各画素の均一性が高い高品質な画像表示を実
現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る表示装置の一例の概略構成を示す
断面図である。

【図２】本発明係る表示装置の製造手順の一例を示す断
面図であり、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれその過程を示す
図である。

【図３】本発明と従来例とにおけるアーリー値の比較結
果を示す説明図であり、（ａ）はｐチャネルの比較結果
の一具体例を示す図、（ｂ）はｎチャネルの比較結果の
一具体例を示す図である。

【符号の説明】

１…有機層、２…陽極、３…陰極、４…保護層、５…透
明シール、６…平坦化層、７…層間絶縁層、８…電極、
９…コンタクト部、１０…基板、１１…導電層、１２…
絶縁膜、１３…ａ−Ｓｉ膜、１４…ゲート絶縁膜、１５
…ゲート電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 33/02 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/10 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｎ 33/14 ６２６Ｃ 21/88 Ｂ (72)発明者湯本昭東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB05 AB11 AB18 BA06 BB07 CA00 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA25 AA31 AA43 AA53 BA03 BA27 CA19 DA13 DA15 DB10 EB10 FA02 FB01 FB20 GB10 5F033 HH07 HH08 HH09 HH11 HH13 HH14 HH17 HH18 HH20 HH21 HH32 JJ08 KK01 MM05 QQ08 QQ37 QQ58 QQ65 QQ73 QQ83 RR04 RR06 SS15 TT02 VV06 5F052 AA02 BB07 CA04 DA02 DB03 EA15 JA01 5F110 AA30 BB01 DD03 DD05 DD13 EE01 EE03 EE04 EE14 EE27 EE30 FF02 FF03 FF09 FF10 FF30 GG02 GG13 GG16 HL03 NN02 NN72 PP03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジ
スタが形成されるとともに、当該薄膜トランジスタ上に
有機電界発光素子が形成されてなる表示装置において、前記基板と前記薄膜トランジスタとの間に前記基板の全
面を覆う導電層が設けられていることを特徴とする表示
装置。
【請求項２】前記有機電界発光素子が発した光を前記
基板側ではなく当該有機電界発光素子の上面側から取り
出すように構成されていることを特徴とする請求項１記
載の表示装置。
【請求項３】絶縁表面を有する基板上に形成された薄
膜トランジスタを含む有機電界発光素子の駆動回路にお
いて、前記基板と前記薄膜トランジスタとの間に前記基板の全
面を覆う導電層が設けられていることを特徴とする有機
電界発光素子の駆動回路。
【請求項４】絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジ
スタを形成し、さらに当該薄膜トランジスタ上に有機電
界発光素子を形成する表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタの形成に先立ち、前記基板上に当
該基板の全面を覆う導電層を形成することを特徴とする
表示装置の製造方法。