JP2003064247A - ポリカーボネート樹脂組成物およびディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 粘度平均分子量１００００〜２００００の芳
香族ポリカーボネート（Ａ）および有機スルホン酸系化
合物（Ｂ）よりなる品質安定性に優れており、各種光記
録媒体に好適な芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を得
る。 【解決手段】 該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物よ
りなるディスク基板が、温度８０℃、相対湿度８０%で
７日間保持したとき５μｍ以上、４０μｍ以下の偏光異
常点が直径１２０ミリの基板１０枚中２個以下であり、
かつ４０μｍ以上の偏光異常点が存在しないことを特徴
とするポリカーボネート樹脂組成物。 該アルカリ金属
化合物触媒と該有機スルホン酸系化合物の反応により生
じる塩の融点または軟化点が３００℃以下であるか、ま
たは塩の有機スルホン酸アニオン（Ｓ^-）とアルカリ金
属カチオン（Ｍ⁺）の分子量比（Ｓ^-／Ｍ⁺）が５〜３０
であることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、長期保存安定性
に優れるディスク基板に用いられるポリカーボネート樹
脂組成物、および該ポリカーボネート樹脂組成物よりな
るディスク基板に関する。なかでも、光ディスク基板、と
りわけレーザー光等の光によって情報の記録、再生、ある
いは消去等を行う光記録媒体に好適なディスク基板に用
いられるポリカーボネート樹脂組成物、および該樹脂組
成物よりなるディスク基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体は、高密度、大容量でかつ、再
生あるいは記録ヘッドと非接触という特徴を有し、再生
専用のコンパクトディスクやビデオディスク、追記可能
な光ディスク、さらには記録、再生、消去可能な光磁気デ
ィスク、相変化ディスク等が開発され、実用化されてい
る。

【０００３】このような光記録媒体の基板は、大量生産
可能なポリカーボネート等の光学特性に優れた有機樹脂
を用いて射出成型、射出圧縮成型等の手法により成型さ
れる。光記録媒体はこの基板上に、記録層、反射層、光干渉
の誘電体層、さらには有機層等をスパッタリング、蒸着、
コーティング等により積層することにより製造される。

【０００４】ポリカーボネートの製造方法としては、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以
下、ビスフェノールＡと略す。）などの芳香族ジヒドロ
キシ化合物とホスゲンとを直接反応させる方法（界面
法）、あるいはビスフェノールＡなどの芳香族ジヒドロ
キシ化合物とジフェニルカーボネートなどの炭酸ジエス
テルとを溶融重縮合反応（エステル交換反応）させる方
法（溶融重縮合法）などが知られている。

【０００５】このうち、現在、ホスゲンを用いる界面法
が一般に実施されている。一方、溶融重縮合法は、界面
法と比較して安価にポリカーボネートを製造することが
できるという利点を有し、さらにまたホスゲンのような
毒性物質を使用しないため、ポリカーボネートの製造方
法として大きく期待されている。

【０００６】光記録媒体の基板にポリカーボネートを用
いるためには、高品質のポリカーボネートが必要である。
ポリカーボネートの品質を向上する方法として、例えば
特開平８−２４５４６５号公報では、芳香族ジヒドロキ
シ化合物であるビスフェノールＡ中の有機不純物２，
４’−ビスフェノール類、トリスフェノール類およびア
ルキル置換４，４’−ビスフェノール類を規定すること
で芳香族ポリカーボネートの色相を改善する方法が提案
されている。しかしながら、最近では光ディスク基板を各
種環境下に保持したときの品質安定性に対する要求が益
々高まっており、特に湿熱条件下での品質安定性が求め
られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本願発明はかかる課題
を解決して、品質に優れた記録媒体用基板に用いられる
ポリカーボネート樹脂組成物を提供することを目的とす
る。また、本願発明の別の目的は品質に優れた記録媒体
用基板を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願発明は、ア）芳香族
ジヒドロキシ化合物１モル当たり１０〜１０００μ化学
当量の含窒素塩基性化合物および／または含リン塩基性
化合物、およびイ）芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当
たり０．０５〜５μ化学当量のアルカリ金属化合物を含
有する触媒の存在下、芳香族ジヒドロキシ化合物と、炭
酸ジエステルとを重縮合させて得られる、下記式（１）

【０００９】

【化３】

【００１０】[式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞ
れ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の
アルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基又は炭素数
６〜２０のアリール基であり、Ｗは炭素数２〜１０のア
ルキリデン基、炭素数１〜１５のアルキレン基、炭素数
７〜２０のアリール置換アルキレン基、炭素数３〜１５
のシクロアルキリデン基、炭素数３〜１５のシクロアル
キレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基又はス
ルホン基である。]で表される繰り返し単位から実質的
になる芳香族ポリカーボネート（Ａ）およびスルホン酸
系化合物（Ｂ）よりなる芳香族ポリカーボネート樹脂組
成物において、該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物よ
りなるディスク基板が、温度８０℃、相対湿度８０%で
７日間保持したとき５μｍ以上、４０μｍ以下の偏光異
常点が基板１０枚中２個以下であり、４０μｍ以上の偏
光異常点が存在しないことを特徴とするポリカーボネー
ト樹脂組成物である。

【００１１】また、本願発明は該ポリカーボネート樹脂
組成物よりなるディスク基板である。以下、さらに詳細
に本発明を説明する。

【００１２】本発明において用いられるポリカーボネー
トは、下記式（１）

【００１３】

【化４】

【００１４】[式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞ
れ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の
アルキル基、炭素数７〜２０のアラルキル基又は炭素数
６〜２０のアリール基であり、Ｗは炭素数２〜１０のア
ルキリデン基、炭素数１〜１５のアルキレン基、炭素数
７〜２０のアリール置換アルキレン基、炭素数３〜１５
のシクロアルキリデン基、炭素数３〜１５のシクロアル
キレン基、酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基又はス
ルホン基である。]で表される繰り返し単位から実質的
になる。

【００１５】本発明において用いられるポリカーボネー
トは、下記式（２）−１〜（２）−３

【００１６】

【化５】

【００１７】[式中のＲ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｗは、上記
式（１）と同じ。]で表される成分を合計量で、上記式
（１）で表される繰り返し単位に対し０．０００１〜
１．０モル％含有するのが好ましい。上記式（２）−１
〜（２）−３で表される成分の合計含有量が０．０００
１モル％より少ないと、ディスク基板成型時転写性が悪
くなる場合があり、好ましくない。また、１．０モル％よ
り多いと、ディスク基板成型時に基板がそることがあり、
好ましくない。より好ましい含有量は０．０００５〜
０．５モル％である。

【００１８】該ポリカーボネートは、ア）芳香族ジヒド
ロキシ化合物１モル当たり１０〜１０００μ化学当量の
含窒素塩基性化合物および／または含リン塩基性化合
物、およびイ）芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当たり
０．０５〜５μ化学当量のアルカリ金属化合物を含有す
る触媒の存在下、芳香族ジヒドロキシ化合物と、炭酸ジ
エステルとを重縮合させて得られる。

【００１９】本願発明で使用される芳香族ジヒドロキシ
化合物としては、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン（以下ビスフェノールＡと略
す。）、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（２−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）ペンタン、３，３−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）ペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）サルファイド、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン等およびその芳香環に例えばアルキル基、
アリール基等が置換されたものがあげられ、なかでもコ
スト面からビスフェノールＡが特に好ましい。これらは
単独で用いても２種以上併用しても良い。

【００２０】また、炭酸ジエステルとしては例えばジフ
ェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス
（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、
ジブチルカーボネート等が挙げられ、なかでもコスト面
からジフェニルカーボネートが好ましい。

【００２１】このような芳香族ジヒドロキシ化合物と炭
酸ジエステルに不純物として含まれる微量金属元素は、
存在化学種の明確な化学構造、寄与形式は不明だが、製
造されるポリカーボネートの耐久性、色調、透明性に悪
影響を与えるため、微量に制御しておくのが好ましい。

【００２２】溶融重縮合法は常圧および／または減圧窒
素雰囲気下で芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとを加熱しながら撹拌して、生成するアルコールまた
は芳香族モノヒドロキシ化合物を留出させることで行わ
れる。その反応温度は生成物の沸点等により異なるが、
反応により生成するアルコールまたは芳香族モノヒドロ
キシ化合物を除去するため通常１２０〜３５０℃の範囲
であり、好ましくは良好な色相や熱安定性が得られる理
由で１８０〜３００℃の範囲である。

【００２３】反応後期には系を減圧にして生成するアル
コールまたは芳香族モノヒドロキシ化合物の留出を容易
にさせる。反応後期の内圧は、好ましくは１３３３Ｐａ
（１０Ｔｏｒｒ）以下であり、より好ましくは６６７Ｐ
ａ（５Ｔｏｒｒ）以下である。

【００２４】本願発明においては、特定種類の触媒とし
て、含窒素塩基性化合物および／または含リン塩基性化
合物（以下ＮＣＢＡと略称することがある）およびアル
カリ金属化合物を使用する。

【００２５】ＮＣＢＡの具体例としては、例えば含窒素
塩基性触媒としては、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド
などの、アルキル、アリール、アルキルアリール基など
を有するアンモニウムヒドロキシド類、テトラメチルア
ンモニウムアセテート、テトラエチルアンモニウムフェ
ノキシド、ビス（テトラブチルアンモニウム）炭酸塩、
ベンジルトリメチルアンモニウム安息香酸塩、テトラメ
チルアンモニウムボロハイドライド、テトラブチルアン
モニウムボロハイドライド、テトラメチルアンモニウム
テトラフェニルボレートなどのアルキル、アリール、ア
ルキルアリール基などを有する塩基性アンモニウム塩、
トリエチルアミン、ジメチルベンジルアミン、などの第
三級アミンなどを挙げることができる。

【００２６】また、含リン塩基性化合物の具体例として
は例えばテトラブチルホスホニウムヒドロキシド、テト
ラエチルホスホニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチ
ルホスホニウムヒドロキシドなどのアルキル、アリー
ル、アルキルアリール基などを有するホスホニウムヒド
ロキシド類、あるいはテトラメチルホスホニウムボロハ
イドライド、テトラブチルホスホニウムボロハイドライ
ド、テトラメチルホスホニウムテトラフェニルボレート
などの塩基性塩などを挙げることができる。

【００２７】上記ＮＣＢＡは、塩基性窒素原子あるいは
塩基性リン原子が芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対
し、１０〜１０００μ化学当量となる割合で用いられ
る。１０μ化学当量より少ないと反応が遅くなり好まし
くなく、１０００μ化学当量より多いと着色が激しくな
り好ましくない。より好ましい使用範囲は同じ基準に対
し、２０〜５００μ化学当量となる割合である。特に好
ましい割合は同じ基準に対し５０〜５００μ化学当量と
なる割合である。

【００２８】さらに本願発明においては、触媒として上
記ＮＣＢＡとともにアルカリ金属化合物を併用する。か
かるアルカリ金属化合物は、芳香族ジヒドロキシ化合物
１モルに対し、０．０５〜５μ化学当量の範囲で使用さ
れる。これはアルカリ金属元素として０．０５〜５μ化
学当量の範囲で使用されることを意味している。かかる
量比の触媒を使用することにより、重縮合反応速度を損
なうことなく重縮合反応中に生成しやすい分岐反応、主
鎖開裂反応や、成形加工時における装置内での異物の生
成、焼けといった好ましくない現象を効果的に抑止でき
る。

【００２９】上記範囲を逸脱すると、得られるポリカー
ボネートの諸物性に悪影響を及ぼしたり、またエステル
交換反応が十分に進行せず、高分子量のポリカーボネー
トが得られない等の問題があり得るため、好ましくな
い。

【００３０】本願発明に使用されるアルカリ金属化合物
としては、例えばアルカリ金属の水酸化物、炭化水素化
合物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、
シアン酸塩、チオシアン酸塩、ステアリン酸塩、水素化
硼素塩、安息香酸塩、燐酸水素化合物、ビスフェノー
ル、フェノールの塩等が挙げられる。

【００３１】具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸
化リチウム、水酸化セシウム、水酸化ルビジウム、炭酸
水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素セシウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、炭酸カリウム、炭
酸セシウム、炭酸ルビジウム、酢酸リチウム、亜硝酸ナ
トリウム、亜硫酸ナトリウム、シアン酸ナトリウム、シ
アン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン
酸カリウム、チオシアン酸セシウム、ステアリン酸ナト
リウム、水素化硼素ナトリウム、水素化硼素カリウム、
水素化硼素リチウム、フェニル化硼素ナトリウム、安息
香酸ナトリウム、燐酸水素ジナトリウム、燐酸水素ジカ
リウム、ビスフェノールＡのジナトリウム塩、ジルビジ
ウム塩、ジセシウム塩、モノカリウム塩、ナトリウムカ
リウム塩、ナトリウムリチウム塩、フェノールのナトリ
ウム塩、カリウム塩、セシウム塩、およびルビジウム
塩、等が挙げられる。

【００３２】アルカリ金属化合物としては原子番号３７
以上のアルカリ金属を含有することが好ましく、特にル
ビジウム化合物、セシウム化合物を少なくとも１種は含
有することが、最終的に得られるポリカーボネート組成
物の耐久性、色調、透明性が優れるため好ましい。

【００３３】本願発明のポリカーボネートにおいては、
溶融粘度安定化剤として有機スルホン酸系化合物を用い
る。有機スルホン酸系化合物を用いることにより、ディ
スク基板成形時のポリカーボネートの劣化が抑制され
る。

【００３４】かかる有機スルホン酸系化合物としては、
有機スルホン酸のホスホニウム塩やアンモニウム塩など
の有機スルホン酸塩や有機スルホン酸等を挙げることが
できる。これら有機スルホン酸系化合物は組み合わせて
用いることができる。

【００３５】上記有機スルホン酸塩の具体的な例として
は、たとえば、オクチルスルホン酸テトラブチルホスホ
ニウム塩、デシルスルホン酸テトラメチルホスホニウム
塩、メタンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ベ
ンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ベンゼ
ンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルベ
ンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシ
ルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ド
デシルベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム
塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラオクチルホスホ
ニウム塩、デシルスルホン酸テトラメチルアンモニウム
塩、ベンゼンスルホン酸テトラエチルアンモニウム塩、
ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルアンモニウム
塩を挙げることができる。

【００３６】上記有機スルホン酸の具体的な例として
は、たとえば、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸、ドデシルスルホン酸、ヘキサデシルスルホン
酸、ノニルスルホン酸、等が例示できる。好ましくは有
機スルホン酸塩化合物が使用される。

【００３７】かかる有機スルホン酸系化合物は、アルカ
リ金属化合物を含有する触媒のアルカリ金属元素の１化
学当量あたり、０．７〜１００化学当量使用することが
好ましい。

【００３８】本願発明のポリカーボネート樹脂組成物
は、かかる有機スルホン酸系化合物と該アルカリ金属化
合物とが反応して生じる塩の融点または軟化点が３００
℃以下であることが好ましい。あるいは、かかる有機ス
ルホン酸系化合物と該アルカリ金属化合物とが反応して
生じる塩の有機スルホン酸アニオン（Ｓ^-）とアルカリ
金属カチオン（Ｍ⁺）の分子量比（Ｓ^-／Ｍ⁺）が５〜３
０であることが好ましい。その効果の理由は不明である
が、ディスクの偏光異常点生成にかかる塩が寄与してい
ることが推察される。

【００３９】本発明に用いられるポリカーボネートの粘
度平均分子量は１００００〜２５０００である。ここ
で、芳香族ポリカーボネートの粘度平均分子量は、塩化
メチレン中、２０℃ウベローデ粘度管にて測定した固有
粘度より、粘度平均分子量は次式より計算した。

【００４０】〔η〕＝１．２３×１０^-4×ＭＷ^0.83 芳香族ポリカーボネートの粘度平均分子量が１００００
より小さいと、力学物性、特に耐衝撃性が低すぎるため
好ましくない。また、２５０００より大きいとき、得ら
れる芳香族ポリカーボネートの溶融粘度が高くなり、特
に光学、情報用ディスクなど成型時に流動性が求められ
る用途に用いる際、好ましくない。より好ましい粘度平
均分子量は１１０００〜２００００である。

【００４１】本願発明のポリカーボネート組成物には、
更に必要に応じて従来公知の耐熱安定剤、酸化防止剤、
紫外線吸収剤、帯電防止剤、難燃剤、離型剤等を添加し
ても良い。

【００４２】耐熱安定剤としては、亜リン酸、リン酸、
亜ホスホン酸、ホスホン酸、およびこれらのエステル等
が挙げられる。かかる耐熱安定剤としては例えば、トリ
スノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、４，４’−
ビフェニレンジホスフィン酸テトラキス（２，４−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）、トリメチルホスフェート
およびベンゼンホスホン酸ジメチルが挙げられる。これ
らの熱安定剤は、単独でも２種以上混合して用いても良
い。かかる熱安定剤の配合量は、本発明によって得られ
る芳香族ポリカーボネート１００重量部に対して０．０
００１〜１重量部が好ましく、０．０００５〜０．５重
量部がより好ましく、０．００１〜０．１重量部が更に
好ましい。

【００４３】また、本願発明のポリカーボネート樹脂組
成物には溶融成型時の金型からの離型性をより向上させ
るために、本発明の目的を損なわない範囲で離型剤を配
合することが好ましい。かかる離型剤としては、オレフ
ィン系ワックス、カルボキシル基および／またはカルボ
ン酸無水物基を含有するオレフィン系ワックス、シリコ
ーンオイル、オルガノポリシロキサン、一価または多価
アルコールの高級脂肪酸エステル、パラフィンワック
ス、蜜蝋等が挙げられ、これらのうち脂肪酸エステルが
好ましい。かかる離型剤の配合量は、本願発明の芳香族
ポリカーボネート１００重量部に対し０．０１〜５重量
部が好ましい。

【００４４】更に所望により、従来公知のベンゾトリア
ゾール系光安定剤、ベンゾフェノン系光安定剤、シアノ
アクリレート系光安定剤、第４級アンモニウム塩系、ア
ルキルホスフェート系の帯電防止剤等を使用しても良
い。

【００４５】本願発明のポリカーボネート樹脂組成物よ
りなるディスク基板を成型するための成型装置、成型条
件としては、従来公知の装置、成型条件を利用できる。

【００４６】本願発明のポリカーボネート樹脂組成物よ
りなるディスク基板は、温度８０℃、相対湿度８０%で
７日間保持したとき５μｍ以上、４０μｍ以下の偏光異
常点が直径１２０ミリの基板１０枚中２個以下であり、
４０μｍ以上の偏光異常点が存在しない。本願発明で言
う偏光異常点とは、偏光を入射したとき透過光の振動方
向を変化させる部位のことであり、偏光子と検光子の振
動方向を９０°ずれるようにしたとき偏光顕微鏡で点と
して観察される。偏光異常点が１０枚中２個以上あった
り、４０μｍより大きい偏光異常点が存在すると、ディ
スクの信頼性が低下し、好ましくないことが知られてい
る。偏光異常点の個数は基板１０枚当り１個以下が好ま
しく、大きさは３０μｍ以下が好ましい。

【００４７】本願発明のポリカーボネート樹脂組成物よ
りなるディスク基板は光記録媒体に用いられる。光記録
媒体とは、レーザー光などの光によって情報の記録、再
生および/または消去を行う記録媒体のことである。具体
的には再生専用のコンパクトディスクやビデオディス
ク、追記可能な光ディスク、書き換え可能な光磁気ディ
スク、相変化ディスクなどを包含する。

【００４８】本願発明は現在の光記録媒体の主流である
１．２ｍｍの厚さの基板に用いられるのは言うまでもな
いが、その他の厚みの基板にも有効に適用できる。

【００４９】

【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明は、これらの実施例に限定されるものではない。各物
性項目の評価は、以下の方法で測定した。

【００５０】１）ポリカーボネートの粘度平均分子量；
ポリカーボネートの塩化メチレン溶液を２０℃でウベロ
ーデ粘度管にて測定した固有粘度より、粘度平均分子量
は下記式（４）より計算した。 〔η〕＝１．２３×１０^-4×ＭＷ^0.83 （４）

【００５１】２）分岐成分の含有量；ポリカーボネート
０．１ｇを精秤後、テトラヒドロフラン５ｍｌに溶解
し、５Ｎ水酸化ナトリウムメタノール溶液１ｍｌを添加
した。これを室温で２時間攪拌し加水分解した。次いで
濃硫酸０．６ｍｌを加え、逆相液体クロマトグラフィー
により定量した。

【００５２】３）偏光異常点の個数、大きさ；成型した
ディスク基板１０枚を温度８０℃、相対湿度８０％で７
日間保持したのち、該基板を偏光顕微鏡(ニコンOPTIPHO
T-2)にて観察した。偏光異常点を観察し、その個数を数
えた。また、各偏光異常点の最大幅の平均を偏光異常点
の大きさとした。

【００５３】[参考合成例１]ビスフェノールＡ２２８重
量部、ジフェニルカーボネート２２３重量部及びテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド０．００９重量部及び
水酸化ナトリウム０．００００２重量部を攪拌装置、減
圧装置、蒸留塔などを具備した反応装置に仕込み、１８
０℃窒素雰囲気下で３０分攪拌し溶解した。次いで同温
度で、１３.３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）の減圧下、３
０分間フェノールを留出しつつ反応させた。さらに２２
０℃に昇温しつつ３．９９ｋＰａ（３０Ｔｏｒｒ）に減
圧し、同温同圧で３０分間反応させた。更に反応系を更
に徐々に昇温、減圧し、最終的に２７０℃、１３３Ｐａ
（１Ｔｏｒｒ）とし、ポリカーボネート樹脂を得た。さ
らに得られた樹脂１００重量部に対して、ドデシルベン
ゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を０．００
０６重量部添加し２０分間混合した。得られた樹脂の粘
度平均分子量は１５３００であった。分岐成分合計含有
量は０．０３モル％であった。

【００５４】ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム塩
の融点または軟化点は３００℃以上であり、ドデシルベ
ンゼンスルホン酸アニオンとナトリウムカチオンの分子
量比は１４である。

【００５５】[参考合成例２]ドデシルベンゼンスルホン
酸テトラブチルホスホニウム塩の代わりにｐ−トルエン
スルホン酸テトラブチルホスホニウム塩０．０００４部
を用いた以外は参考合成例１と同様にした。得られた樹
脂の粘度平均分子量は１５３００であった。分岐成分合
計含有量は０．０４モル％であった。

【００５６】ｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム塩の融
点または軟化点は３００℃以上であり、ｐ−トルエンス
ルホン酸アニオンとナトリウムカチオンの分子量比は７
である。

【００５７】[参考合成例３]ドデシルベンゼンスルホン
酸テトラブチルホスホニウム塩の代わりにメタンスルホ
ン酸テトラブチルホスホニウム塩０．０００４部を用い
た以外は参考合成例１と同様にした。得られた樹脂の粘
度平均分子量は１５３００であった。分岐成分合計含有
量は０．０５モル％であった。

【００５８】メタンスルホン酸ナトリウム塩の融点は３
００℃以上であり、メタンスルホン酸アニオンとナトリ
ウムカチオンの分子量比は４である。

【００５９】[参考合成例４]ビスフェノールＡジナトリ
ウム塩の代わりに水酸化セシウム０．００００４部を用
いた以外は参考合成例３と同様にした。得られた樹脂の
粘度平均分子量は１５２００であった。分岐成分合計含
有量は０．０６モル％であった。

【００６０】メタンスルホン酸セシウム塩の融点は２６
３℃であり、メタンスルホン酸アニオンとセシウムカチ
オンの分子量比は０．７である。

【００６１】[実施例１〜３比較例１]上記参考例のポリ
カーボネート１００重量部に、グリセリンモノステアレ
ート０．０３５重量部、トリス（２，４−ジ―ｔ−ブチ
ルフェニル）フォスファイト０．００５重量部、リン酸
トリメチル０．００５をタンブラーを使用して均一に混
合した後、３０ｍｍφベント付き二軸押出機（神戸製鋼
（株）製ＫＴＸ−３０）により、シリンダー温度２９０
℃、１．３３ｋＰａ（１０Ｔｏｒｒ）の真空度で脱揮し
ながら溶融混練し、ペレットを製造した。

【００６２】得られたペレットを、日精樹脂工業（株）
製射出成型機（型名ＭＯ４０Ｄ３Ｈ）でニッケル製スタ
ンパーを用い、シリンダー温度３４０℃、金型温度８０
℃、１サイクル７秒の条件で、φ１２０のコンパクトデ
ィスク基板を成型した。

【００６３】得られた結果を表１中に記載する。

【００６４】

【表１】

【００６５】

【発明の効果】本願発明のポリカーボネート樹脂組成物
よりなるディスク基板は、品質安定性に優れており、各
種光記録媒体に好適に用いることが出来る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 船越 渉 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 (72)発明者 佐々木 勝司 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Ｆターム(参考） 4J002 CG001 EV256 FD206 GS02 4J029 AA09 AB05 AC01 AD01 AE05 BB12A BB13A BB13B BD09A BG08X BH02 DB11 DB13 HA01 HC04A HC05A JA091 JA121 JA161 JA201 JA261 JA301 JB171 JB201 JC031 JC091 JC631 JC731 JF021 JF031 JF051 KD07 5D029 KA07

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ア）芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当
   たり１０〜１０００μ化学当量の含窒素塩基性化合物お
   よび／または含リン塩基性化合物、およびイ）芳香族ジ
   ヒドロキシ化合物１モル当たり０．０５〜５μ化学当量
   のアルカリ金属化合物を含有する触媒の存在下、芳香族
   ジヒドロキシ化合物と、炭酸ジエステルとを重縮合させ
   て得られる、下記式（１） 【化１】 [式中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に、水
   素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、
   炭素数７〜２０のアラルキル基又は炭素数６〜２０のア
   リール基であり、Ｗは炭素数２〜１０のアルキリデン
   基、炭素数１〜１５のアルキレン基、炭素数７〜２０の
   アリール置換アルキレン基、炭素数３〜１５のシクロア
   ルキリデン基、炭素数３〜１５のシクロアルキレン基、
   酸素原子、硫黄原子、スルホキシド基又はスルホン基で
   ある。]で表される繰り返し単位から実質的になる、粘
   度平均分子量１００００〜２００００の芳香族ポリカー
   ボネート（Ａ）および有機スルホン酸系化合物（Ｂ）よ
   りなる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物において、該
   芳香族ポリカーボネート樹脂組成物よりなるディスク基
   板が、温度８０℃、相対湿度８０%で７日間保持したと
   き５μｍ以上、４０μｍ以下の偏光異常点が直径１２０
   ミリの基板１０枚中２個以下であり、かつ４０μｍ以上
   の偏光異常点が存在しないことを特徴とするポリカーボ
   ネート樹脂組成物。
2. 【請求項２】 該アルカリ金属化合物触媒と該有機スル
   ホン酸系化合物の反応により生じる塩の融点または軟化
   点が３００℃以下であることを特徴とする請求項１に記
   載のポリカーボネート樹脂組成物。
3. 【請求項３】 該アルカリ金属化合物触媒と該有機スル
   ホン酸系化合物の反応により生じる塩の有機スルホン酸
   アニオン（Ｓ^-）とアルカリ金属カチオン（Ｍ⁺）の分子
   量比（Ｓ^-／Ｍ⁺）が５〜３０であることを特徴とする請
   求項１に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
4. 【請求項４】 芳香族ポリカーボネートが、下記式
   （２）−１〜（２）−３ 【化２】 [式中のＲ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｗは、上記式（１）と同
   じ。]で表される成分を合計量で、上記式（１）で表さ
   れる繰り返し単位に対し０．０００１〜１．０モル％含
   有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
   のポリカーボネート樹脂組成物。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のポリカ
   ーボネート樹脂組成物よりなるディスク基板。